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1. GENERALIDADES.

No hay cristales perfectos debido a que hay


imperfecciones cristalinas, que afectan a muchas
CAPITULO V de las propiedades fsicas y mecnicas
importantes de los metales y sus aleaciones;
entre ellas, desde el punto de vista de ingeniera
DEFECTOS O IMPERFECCIONES tenemos: capacidad de deformacin en fro,
conductividad elctrica, resistencia mecnica,
CRISTALINAS corrosin, velocidad de difusin, etc.

2.1. DEFECTOS PUNTUALES O CERO


2. CLASES DE DEFECTOS O IMPERFECCIONES DIMENSIONALES
ESTRUCTURALES.
Entre las cuales tenemos :
Estn clasificados de acuerdo a su geometra y
forma, estos son: VACANTES.

a) Defectos puntuales, de dimensin cero.


b) Defectos de lnea o de una dimensin INTERSTICIALES.
(dislocacin).
c) Defectos de dos dimensiones, que incluyen IMPUREZAS O INCLUSIONES.
superficies externas y bordes de grano interno.

A. VACANTES.

Son agujeros dejados por la prdida de


tomos que se encontraban en una posicin
reticular, estas se pueden producir durante el
proceso de solidificacin, por perturbaciones
locales en la red, durante el crecimiento del
grano, o por reordenamiento atmico en el
cristal, debido a la movilidad de los tomos. En
los metales la concentracin de huecos en
equilibrio, raramente excede de 1 entre 10000.
Fig. 5.1. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA.

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B. INTERSTICIALES.
Este defecto se produce, cuando un tomo de la
red ocupa un lugar intersticial, entre los tomos que lo
rodean, en sitios atmicos normales. Estos se
pueden producir en la estructura cristalina por
irradiacin con partculas energticas.

C. IMPUREZAS.
Constituidas por tomos extraos a la red
cristalina, los que pueden tener un dimetro mayor o
menor que los de la red. Estos estn presentes,
desde el inicio del proceso de los materiales y se
pueden ubicar en posiciones reticulares o
Fig. 5.2. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA.
intersticiales.

D. DEFECTO SCHOTTKY.
En cristales inicos, los defectos puntuales son
ms complejos, debido a la necesidad de mantener
la neutralidad elctrica de los mismos, cuando dos
iones de cargas opuestas se pierden en un cristal
inico, se producen huecos anin - catin;
produciendo defectos Schottky.
E. DEFECTO FRENKEL.
En cristales inicos, cuando un catin se
mueve a una posicin intersticial, se produce una
vacante en la posicin del ion, a esta dualidad de
vacante - defecto intersticial, se le llama defecto
Frenkel. La presencia de estos defectos, en un
Fig. 5.3. DEFECTOS PUNTUALES EN LA RED CRISTALINA DE
material inico incrementa su conductividad MATERIALES IONICOS.
elctrica.

Las vacantes adicionales, en un material


tambin puede producirse por: 2.2. DEFECTOS LINEALES DISLOCACIONES O DE
a)Por enfriamiento rpido desde altas temperaturas UNA DIMENSION
a bajas temperaturas. Son defectos en los slidos cristalinos que
b)Por deformacin plstica del metal. distorsionan la red alrededor de una lnea, estos se
c) Por bombardeo con partculas energticas. crean por:
d)En los compuestos qumicos, como una respuesta Por una deformacin plstica permanente.
a las impurezas qumicas y a las composiciones Por condensacin de vacantes.
no estequiomtricas. Por desajustes atmicos en disoluciones
Las vacantes no equilibradas, tienen tendencia slidas.
a unirse formando clsteres, las cuales pueden Durante la solidificacin.
cambiar de posicin con sus vecinas; este proceso Estos pueden ser :
es importante en la difusin de tomos en estado De borde o de Taylor.
slido, sobre todo a altas temperaturas donde la De tornillo o alabeo.
movilidad de tomos es mayor.

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A. DISLOCACION DE BORDE.

Se generan por la insercin o ausencia de un


semiplano de tomos, en la red cristalina;
producido por esfuerzos de compresin o
traccin, provocando una distorsin local en la
red, a este tipo de dislocacin tambin se le
llama dislocacin de Taylor y su representacin
es una "" invertida para dislocacin positiva y
"T" en posicin normal para una negativa,
dependiendo del plano de referencia
considerado.
Fig. 5.4. DEFECTOS LINEAL DE BORDE O DE TAYLOR EN LA RED
CRISTALINA

La distancia de desplazamiento de los


tomos alrededor de una dislocacin se
denomina deslizamiento o vector "b" de
Burgers y para una dislocacin de borde este
vector de cierre es perpendicular a la
dislocacin y su magnitud estar dada por la
diferencia de segmentos entre tomos para el
rea considerada o circuito de Burgers.

Fig. 5.5. CIRCUITO DE BURGERS

B. DISLOCACION DE TORNILLO O ALABEO.

Las dislocaciones de tornillo se pueden formar


en una red cristalina, mediante la aplicacin de
esfuerzos cortantes o de cizallamiento, hacia arriba
y hacia abajo; estos esfuerzos introducen una zona
de distorsin en la red cristalina en forma de rampa
espiral o de tornillo; en este tipo de dislocacin el
vector de Burgers o vector de cierre es paralelo a la
lnea de accin de la fuerza.
NOTA: Las dislocaciones son defectos en
desequilibrio y almacenan energa en la regin
distorsionada de la red cristalina, alrededor de la
dislocacin.
Fig. 5.6. DISLOCACION DE TRONILLO

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2.3 DEFECTOS PLANARES DE BORDE DE GRANO.


Son imperfecciones de los materiales
policristalinos, que ocurren en la superficie que
separan los granos de diferentes orientaciones; se
crean durante la solidificacin, cuando estos se
forman a partir de diferentes ncleos y crecen
simultneamente, encontrndose unos a otros. El
borde de grano es una regin estrecha, de un ancho
aproximado de 2 a 5 dimetros atmicos, pudiendo
definirse como una regin de tomos mal
emparejados entre los granos adyacentes. La
deformacin plstica en los granos ocasiona un
aumento significativo de las dislocaciones, una
orientacin predominante o preferente en los granos,
Fig. 5.6. DISLOCACION DE BORDE Y DE TRONILLO
se denomina TEXTURA.

Fig. 5.9. FRONTERA DE GRANO ZONA DE ATOMOS DESEMPAREJADOS


Fig. 5.8. DEFECTOS PLANARES DE BORDE DE GRANO

Puesto que de un grano a otro cambia la a) METAL MONOCRISTALINO. Son aquellos


orientacin de la red cristalina, los bordes de metales o materiales cuya estructura
microgrfica (grano), est compuesta por un
grano son zonas de alto desorden
slo grano, donde sus cristales (celdas
unidad) tienen una sola orientacin, en estos
no existen los bordes de grano.

b) METAL POLICRISTALINO. Son aquellos


metales o materiales cuya estructura
microgrfica (grano), est compuesta por un
conjunto de granos donde sus cristales (celdas
unidad) tienen diferentes orientaciones, los
cuales estn separados por los bordes de
grano.
Fig. 5.9. LIMITES DE GRANO OBSERVABLES EN UNA
MICROFOTOGRAFIA CON EL MICROSCOPIO METALOGRAFICO

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Fig. 5.10 MICROESTRUCTURAS:

Cristales
MONOCRISTAL

POLICRISTAL

Limite de grano Grano

Fig. 5.11. FORMACION DE UN POLICRISTAL

4. SOLIDIFICACION EMBRION. Conglomerado de tomos enlazados


entre si, cuyo radio es menor que el tamao
La solidificacin es proceso muy importante, critico, estos se estn formando y redisolviendo
en la obtencin de materiales (metales) en estado constantemente en el metal fundido debido a la
slido para aplicaciones en ingeniera, en la cual agitacin atmica.
es importante controlar, sus propiedades NUCLEO. Cuando el embrin supera el radio
derivadas de la fusin y enfriamiento, que influyen crtico y el subenfriamiento es lo suficientemente
en la formacin y crecimiento de sus cristales, y grande, como para causar la formacin de un
de estas sus propiedades de aplicacin. ncleo.
Esta se produce a partir de los embriones, MECANISMOS DE NUCLEACION. Son dos.
que luego forman los ncleos y finalmente la
a) Nucleacin homognea.
formacin y crecimiento de grano.
b) Nucleacin heterognea

4.1 NUCLEACION HOMOGENEA


GT 43 r 3 G V 4 r 2 sl .......()
Durante la formacin de los primeros cristales de
nano tamao en el material fundido, mediante la Donde :
transformacin de fase lquido slido, El material se Gv : Cambio de energa libre por unidad de volumen.
solidifica cuando el lquido se enfra justo debajo de sl Energa libre superficial de la interfaz slido y lquido
:
su temperatura de solidificacin, porque la energa
r : Radio del embrin o ncleo.
asociada con la estructura cristalina del slido es
menor que la energa del lquido. Esta diferencia de 4.2 RADIO CRITICO DEL NUCLEO (r*).
energa lquido y slido es la energa libre por unidad A mayor grado de subenfriamiento T, por debajo
de volumen Gv que es la fuerza motriz para la de la temperatura de fusin del metal mayor es el
solidificacin; sin embargo en el proceso de cambio de energa volumtrica Gv ,Pero el cambio de
solidificacin se forma un interfaz slido-lquido a la energa superficial no cambia mucho con la
cual se asocia una energa libre superficial sl, por lo temperatura, por lo que el tamao crtico del ncleo es
determinado principalmente por Gv
que el cambio total de energa de solidificacin ser:

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Por lo que el tamao crtico del radio del ncleo se


expresa por :

r * 2 G sl
Para determinar el valor mximo de la energa
total liberada en la formacin de un ncleo de r * 2 H sl TTm
radio crtico (r*), derivamos la ecuacin (). V s
Donde:
d d 4 3 2
sl = Energa libre superficial (Joule/cm2),
G
T
r G V 4 r
sl
dr dr 3 Tm = Temperatura de solidificacin de equilibrio ( K)
Hs = Calor latente de solidificacin ( Joule/cm3 )
12 r*2 G 8 r * 0
3 V sl T = Cantidad de subenfriamiento a la que se forma el
ncleo,
De la cual despejamos el radio crtico r*: NOTA: En la nucleacin homognea el metal proporciona por
si mismo los tomos para formar los ncleos por lo que
habitualmente requiere de elevados subenfriamientos

Tm Hs sl T PROBLEMA.
Suponga que el hierro lquido es subenfriado hasta
que ocurre nucleacin homognea. Calcule:
a) El radio crtico del ncleo requerido y
b) El nmero de tomos de hierro en el ncleo,
Suponga que el parmetro de red para el hierro
slido BCC () es 2,92 A. Utilice la tabla 5.1.
SOLUCION.
a) Radio crtico requerido.
Empleando la ecuacin para crtico nucleacin
homognea.

TABLA 5.1 Valores para la temperatura de solidificacin, calor latente de r * 2 H sl TTm


fusin, energa de superficie y subenfriamientos mximo observado para s
algunos materiales en nucleacin homognea.

De la tabla 5.1 para el Fe (BCC). 3


Vcelda a Vcelda (0,292 nm)3 0,02489 nm3
sl = 204 x 10-7 (Joule/cm2), 3
Vncleo 4,3517nm
Tm = 1538 C Tm = 1538+273 = 1811 K Nceldas Nceldas 174,84 celdas
Vcelda 0,02489 nm3
Hs = 1737 Joule/cm3
T = 420 C Celda(BCC) 2 atm.equiv.
Reemplazando
10 7(J/cm 2 N atm. ncleo 174.84 2 349 tomos
r * 2 204 3
) 1811 K
1,0128 10 7 cm
1737(J/cm ) 420 C
r * 1,0128 nm

b) Nmero de tomos de Fe en el ncleo


4 r 3 4 (1,0128nm) 3
V ncleo V ncleo
3 3
V ncleo 4,3517 nm 3

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PROBLEMA. Empleando la ecuacin de radio crtico.

a) Calcular el radio crtico en centmetros de un ncleo


r * 2 H sl TTm Reemplazando valores
homogneo que se forma al solidificar un lquido s
2 177 10 7 J/cm 2 1358 K
puro de cobre. Considere un T= 0,2 Tm, utilice r* 1,0872 10 7 cm
datos de la tabla 5.1. 1628 J/cm 3 x 271,6 K
b) Calcule el nmero de tomos en el ncleo de r * 1,0872nm
tamao crtico a esta temperatura de
b) Clculo del nmero de tomos en ncleo de tamao crtico
subenfriamiento. El cobre es FCC con a= 0,361 nm.
SOLUCION vncleo 34 r *3 vnucleo 34 1,0872nm3 4,554 nm3
a) Clculo del radio crtico.
3
De la tabla tenemos : Tm = 1085 C Nceldas ncleo Vncleo
Vcelda
4,554 nm 3 96.8 celdas
Hs = (-) 1628 J/cm3 0,361nm
Ntomos ncleo 96,8 celdas 4 atm/celda 387 tomos
sl = 177 x 10-7J/cm2
Ntomos ncleo 387 tomos

4.1 NUCLEACION HETEROGENEA


Solidificacin heterognea, la cual ocurre sobre
La nucleacin heterognea, tiene lugar en un una impureza o sobre la superficie del molde
lquido sobre la superficie del recipiente que lo donde produce el enfriamiento
contiene, o en impurezas insolubles u otros
materiales que estn en contacto con el lquido,
los que disminuyen la energa libre disponible
requerida para formar un ncleo estable y no
requiere de grandes subenfriamientos, estos
varan entre 0.1 a 10 C. Este es el tipo de
nucleacin que se da en los materiales metlicos
usados comnmente.

Fig. 5.17. FORMACION DE UN SOLIDO CRISTALINO POR NUCLEACION Fig. 5.18. FORMACION DE UN SOLIDO CRISTALINO POR NUCLEACION
HETEROGENEA EN UN MOLDE HETEROGENEA EN UNA JUNTA SOLDADA

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5. TAMAO DE GRANO.
El tamao de grano en metales policristalinos es
importante debido a que la cantidad de superficie del
lmite de grano, tiene efecto significativo en muchas
propiedades de los metales especialmente en la
resistencia mecnica, que a bajas temperaturas los lmites
de grano se refuerzan y a elevadas temperaturas pueden
convertirse en regiones dbiles.
Un mtodo para determinar el tamao de grano, es
el de ASTM, en el cual el ndice de tamao de grano se
define por:
N = 2 (n 1) (a/100)2 N = 2 (n 1)
Donde :
N = Nmero de granos por pulgada cuadrada,
con un aumento x 100.
Fig. 5.19. TIPOS DE GRANO DE UN SOLIDO CRISTALINO TERMINADO n = ndice ASTM de tamao de grano (nmero entero).
EL PROCESODE ENFRIAMIENTO. a = aumento diferente de x 100.

PROCEDIMIENTO PARA DETERMINAR EL INDICE DE Para un aumento x 100


GRANO EN UNA MICROFOTOGRAFIA N=2 (n 1)

D= 80 mm Calculando el rea de la microfotografa.


Aumento x 100
A
D2
A
80/25,4 2 7,7911 pulg 2 .
a) Se cuenta el nmero de granos 4 4
cortados por el borde = 23 de Calculando el nmero de granos x pulg.2 para un aumento x 100
los cuales se consideran la 40 granos
N N 5,13 granos /pulg 2
mitad 23/2 = 11.5 = 12 2
7,7911pulg
b) Se cuenta el nmero de granos Calculando el ndice de grano.
enteros = 28. 5,13 granos/pulg.= 2n-1
El nmero de granos total ser Aplicando logaritmos.
= 12+28 = 40 n = 3,36 n=3
Aplicando la ecuacin

PROBLEMA. PROBLEMA.
La microfotografa de la figura tiene un aumento x 400 y Si hay 450 granos por pulgada cuadrada, en una
dimensiones de 120 x 90 mm, determine el indice de
microfotografa de un material cermico a un
grano de microfotografa.
aumento x 250. Cul es el ndice de tamao de
grano del material por el mtodo de ASTM?

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Una forma de controlar las propiedades de un


material es controlando el tamao de grano, dado
que si se reduce el tamao de estos su nmero se
incrementa y aumenta la cantidad de fronteras de
grano, por lo que durante un deslizamiento,
cualquier dislocacin se mover solamente una
distancia corta, antes de encontrar una frontera de
grano, incrementado as la resistencia del metal.
La ecuacin de Hall Petch relaciona el tamao de
grano con el esfuerzo de fluencia del material.
f = Y0 + K d -1/2

f = Esfuerzo de fluencia
Y0 , K = constantes del metal. Fig. 5.20. EFECTO DEL TAMAO DE GRANO EN EL ESFUERZO
d = dimetro promedio de los granos DE CEDENCIA DEL ACERO A TEMPERATURA AMBIENTE

PROBLEMA.
TABLA 5.2. TAMAOS DE GRANO SEGN ASTM La resistencia del titanio es 65000 psi cuando el tamao de
grano es 17 x 10-6 m y de 82000 psi cuando el tamao de
INDICE DEL NUMERO DE GRANOS /Pulg2 x 100 AUMENTOS grano es de 0,8 x 10-6 m. Determine lo siguiente:
TAMAO DE
GRANO MEDIO LIMITES a) Las constantes de la ecuacin de Hall-Petch.
1 1 0,75 - 1,25 b) La resistencia del titanio, cuando se reduce el tamao de
2 2 1,5 - 3,0 grano a 0,2 10-6 m.
3 4 3-6
SOLUCION.
4 8 6 - 12
1
5 16 12 - 24
65000 psi Y 0 K Y 0 242.5 K
6 32 24 - 48 17 10 6
7 64 48 - 96
1
8 128 96 - 192 82000 psi Y 0 K Y 0 1118 K
9 256 192 - 384 0,8 10 6
10 512 384 - 768 Resolviend o
K 19,4 psi / m y Y 0 60290 psi

PROBLEMA.
Una aleacin de cobre y zinc tiene las propiedades
siguientes:
b) Resistencia del Titanio cuando el tamao de grano se
Dimetro de granos (mm) Esfuerzo de fluencia
reduce a 0,2 x 10-6 m. (Mpa)
Aplicando la ecuacin de Hall-Petch. 0,015 170

f = Y0 + K d -1/2 0,025 158


19,4 psi 0,035 151
f 60290 psi 103670 psi .
0,2 10 -6
0,050 145

Determine lo siguiente:
f 103670 psi .
a) Las constantes de la ecuacin de Hall Petch
b) El tamao de grano requerido para obtener una
resistencia de 200 Mpa.

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6. VELOCIDAD DE PROCESOS EN SLIDOS

Activacin
Energa
Relacionado con la velocidad a la cual los

?E

de
tomos se mueven en el estado slido, lo que implica ER
espontneos reagrupamientos en nuevas y ms Reactivos

Energia liberada
por la reaccion
ENERGIA
estables ordenaciones atmicas; para lo cual los
tomos que se reagrupan deben tener suficiente
energa de activacin para superar la barrera de la EP
energa de enlace. Productos

ENERGIA DE ACTIVACION. Es la energa adicional


requerida por los tomos reaccionantes (se mueven),
la cual es superior a la energa media de los tomos
enlazados, esta se expresa en Joule/mol, Cal/mol. Fig. 5.21. CURVA DE LA ENERGIA DE ACTIVACION

6.1 RELACION ENTRE EL NUMERO DE VACANTES E


Y EL NUMERO DE SITIOS ATOMICOS v
nv kT
Dado que a una determinada temperatura, slo
Ce
N
una fraccin de los tomos de un sistema tendrn
suficiente energa para alcanzar la energa de Donde :
activacin, se puede deducir que a medida que nv = Nmero de vacantes por metro cbico de metal.
aumenta la temperatura, ms tomos y molculas N = Nmero total de stios para tomos, por metro
alcanzaran la energa de activacin, produciendo cbico de metal.
mas huecos o vacantes, por lo que esta relacin Ev = Energa de activacin para formar un hueco.
de nmero de vacantes y sitios atmicos puede T = Temperatura absoluta en K.
expresarse mediante la siguiente ecuacin k = 8.62 x 10-5 ev/K (Constante de Boltzman).
C = Constante (C = 1).

PROBLEMA.
6.2. DETERMINAR EL NUMERO DE SITIOS
ATMICOS DEL METAL a) Calcular la concentracin de vacantes por
metro cbico en el equilibrio en estao puro a
Referido al nmero de tomos en posiciones
150 C, Suponga que la energa de formacin de
reticulares para un metal por unidad de volumen
una vacante en estao puro de 0,51 eV.

N b) Cul es la fraccin de vacantes a 200 C?

N Considere que la densidad del estao es 7,3


gr/cm3 y su masa atmica es 118,69 gr/mol.
M .A.
Donde : SOLUCION

N0 = 6.023 x 1023 (tomos/mol) a) Concentracin de vacantes x m3 metal.

= Densidad del metal (gr/cm3) E


v
M.A. = Masa Atmica del metal (gr/mol) nv kT
Ce
N

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nv = ?? Clculo de concentracin de vacantes.


Ev = 0,51 eV.

T = 150 +273 = 423 K. 0,51eV

k = 8,62 x 10-5 ev/K . eV
8.62 10 5
423K
atm
C =1 nv 0,3704 1029 1e K
3
Calculando el valor de N (nmero de sitios atmicos) m
atm
N N = 6,023 x 1023 tomos/mol. nv 3,12 1022
N m3
= 7, 3 gr/cm3
M .A. M.A. = 118,69 gr/mol
b)Fraccin de vacantes a 200C
T= 200+273 = 473 K
Reemplazando.

23 3 0,51eV
6.023 10 (atm/mol) 7,3( gr/cm )
eV


N 8.62 10 5 473K
nv
118,69(gr/mol) 1e K
N
N 0,3704 10
29 3
atm/m nv
3,69 10-6
N

7. DIFUSION ATOMICA EN LOS SLIDOS


PROBLEMA.
Calcular: La difusin es el mecanismo mediante el cual la
a) Nmero de vacantes en equilibrio/metro cbico en materia es transportada a travs de la materia. La
el Cu puro a 500 C. difusin en los slidos es restringida, debido a los
b) Fraccin de vacantes a 500 C tambin en el Cu enlaces atmicos que mantienen a los tomos en
puro. Considerar que la energa de activacin de posiciones de equilibrio; sin embargo las vibraciones
formacin de una vacante en el Cu puro es 0.90 ev, trmicas permiten que algunos tomos se muevan.
asumir C = 1. Adems se conoce que la densidad del
Cu es 8,96 g/cm3 y su M.A. = 63,54 g/mol. 7.1 MECANISMOS DE DIFUSION.
a) Mecanismo de difusin sustitucional o por
vacantes.
b) Mecanismo de difusin intersticial

(1) (2)

A. MECANISMO DE DIFUSION POR VACANTES


O SUSTITUCIONAL A

Este tipo de difusin, se caracteriza porque


los tomos pueden moverse en la red
cristalina desde una posicin a otra si hay
presente suficiente energa de activacin Energa de
E

activacin
Energa

proporcionada por la vibracin trmica y si hay


vacantes u otros defectos cristalinos, para que Posicin
ellos los ocupen.

Fig. 5. 22. MOVIMIENTO ATOMICO POR DIFUSION

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7.2 FACTORES QUE INFLUYEN EN LA DIFUSION.


B. MECANISMO DE DIFUSION INTERSTICIAL. 1) El tipo de mecanismo de difusin; dependiendo de
Tiene lugar en las redes cristalinas, cuando que este sea sustitucional o intersticial, en funcin
los tomos se trasladan de un intersticio a otro del tamao de los tomos.
contiguo al primero, sin desplazar 2) Temperatura a la cual tiene lugar la difusin, segn
aumente la temperatura, la difusin aumenta.
permanentemente a ningn tomo de la red
3) Tipo de estructura de la red cristalina del
cristalina matriz, para que la difusin intersticial disolvente (matriz), relacionada directamente con
sea efectiva el tamao de los tomos que se el factor de empaquetamiento.
difunden deben ser relativamente pequeos en 4) Tipo de imperfecciones cristalinas presentes,
comparacin con el tamao de los tomos de la donde la difusin es ms rpida en los lmites de
red matriz; los tomos pequeos como el H, C, grano que en la estructura misma, en metales y
cermicos.
N, O, pueden difundirse intersticialmente en
5) La concentracin de las especies que se difunden,
algunas redes cristalinas metlicas. ya que las concentraciones mayores del soluto
difundible, afectar la difusin.

7.3 TIPOS DE DIFUSION

A) DIFUSION EN ESTADO ESTACIONARIO. ATOMOS EN DIFUSION


CONCENTRACION DE
C1

Para que se de difusin en estado


estacionario se deben cumplir las siguientes
condiciones
C2

Las concentraciones en los planos de difusin X1 X2 D IS T A N C IA X

son constantes en el tiempo.


Los planos de difusin del soluto, deben estar

UNIDAD DE
separados, paralelos y perpendiculares a la

AREA
A TO M O S E N
D IF U S IO N

direccin del flujo atmico en difusin.


Para estas condiciones de difusin se cumple la
Fig. 5.23. DIFUSION EN ESTADO ESTACIONARION PRINERA LEY DE FICK
Primera Ley de Fick

A.1. PRIMERA LEY DE FICK PROBLEMA.


Se utiliza una hoja de hierro BCC de 0,001 pulgadas para
"Para condiciones de estado estacionario, la separar un gas con alto contenido de hidrgeno de un gas con
densidad de flujo neto, de los tomos en difusin bajo contenido de hidrgeno a 650 C. De un lado de la hoja
atmica, es igual a la difusividad D, por el gradiente estn en equilibrio 5 x 108 tomos de H/cm3 yen el otro lado
de concentracin". Esta viene expresada por la estn 2 x 103 tomos de H/cm3 . Determine:
siguiente ecuacin. a) El gradiente de concentracin de hidrgeno.

dC b) El flujo de hidrgeno a travs de la hoja de Fe. (D


J D =16.85x10-5 cm2 /s) del H en Fe BCC a 650 C.
dx SOLUCION.
Donde : a) Gradiente de concentracin de H.
J = Flujo o corriente neta de tomos. (tomos/m2 s) Concentraciones: 5 x 108 tomos de H/cm3 y 2 x 103 tomos de
D = Coeficiente de difusin o difusividad (m2/s) H/cm3
dC = Gradiente de concentracin (tomos/m3)(1/m) dC c 2 10 3 5 10 8 ( atm H / cm3 ) atm H
1969 10 8
dx dx x ( 0 ,001 pu lg 2 ,54 cm / pu lg) cm 3 cm

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dC c atm H
1969 108 B) DIFUSION EN ESTADO NO ESTACIONARIO.
dx x cm 3 cm

b) Flujo de hidrgeno a travs de la hoja de Fe BCC


Este tipo de difusin es la que se da en la
c mayora de los casos, en la cual, la
J D concentracin de los tomos del soluto en
x
cualquier punto del material vara con el tiempo.
atm.H Para casos de difusin en estado no
J 16,85 105 ( 1969108 ) 0,33108 estacionario, en el cual la difusividad es
cm2 s independiente del tiempo, es aplicable la
atm.H Segunda Ley de Fick:
J 0,33108
cm2 s

Gas A Slido B
B.1 SEGUNDA LEY DE FICK
" La velocidad de cambio de la composicin de la
muestra, es igual a la difusividad, por la velocidad
de cambio del gradiente de concentracin".
Mucho mas tarde para t = t 2
La cual se expresa con la siguiente ecuacin
ATOMOS EN DIFUSION

Mas tarde para t = t1


CONCENTRACION DE

Cx
Inicialmente para t = 0

Co
d Cx = d ( D d Cx )
x DISTANCIA x dt dx dx
Fig. 5.24. DIFUSION EN ESTADO NO ESTACIONARIO

PROBLEMA.
B.2 SOLUCION PARTICULAR DE LA SEGUNDA LEY DE
FICK APLICADA A TRATAMIENTOS TERMOQUIMICOS Considerar el metano como gas carburante, para
un engranaje de acero SAE 1020, a 927 C.
Solucin particular: Calcular el tiempo en minutos necesario para
Cs - Cx = f err ( x ) incrementar el contenido de carbono a un 0.40 %
Cs - C0 2 Dt a 0,50 mm bajo la superficie. Suponer que el
contenido de carbono en la superficie es de 0,90
Cs : Concentracin superficial del gas que se difunde. % y que el acero tiene un contenido nominal de
Co : Concentracion inicial uniforme del elemento en el slido.
Cx : Concentracin del elemento a una distancia x de la superficie en un
carbono de 0,20 %. D = 1,28 x 10 -11 m2/s.
tiempo t.
x : Distancia desde la superficie.
D : Coeficiente de difusin del elemento soluto que se difunde
t : Tiempo.
ferr: Funcin error

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30/08/2017

TABLA 5.3. FUNCION ERROR 7.4. EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LA


FUNCION ERROR
DIFUSION EN SLIDOS
Z Er F(z) Z Er F(z)
0,000 0,0000 0,85 0,7707 Como la difusin atmica implica movimientos
0,025
0,05
0.0282
0,0564
0,90
0,95
0,7970
0,8209
atmicos, entonces el incremento de la
0,10
0,15
0,1125
0,1680
1,00
1,10
0,8427
0,8802
temperatura en un sistema de difusin dar lugar
0,20 0,2227 1,20 0,9103 a un incremento en la velocidad de difusin el
0,25 0,2763 1,30 0,9340
0,30 0,3286 1,40 0,9523 cual se expresa por la siguiente ecuacin.
0,35 0,3794 1,50 0,9661
0,40 0,4284 1,60 0,9763
0,45 0,4755 1,70 0,9838
0,50 0,5205 1,80 0,9891
0,55 0,5633 1,90 0,9928
0,60 0,6039 2,00 0,9953
0,65 0,6420 2,20 0,9981
0,70 0,6778 2,40 0,9993
0,75 0,7112 2,60 0,9998
0,80 0,7421 2,80 0,9999

PROBLEMA.
Q RT
D D0 e Calcular el valor de la difusividad D en m2/s, para
la difusin del C, en hierro (FCC) a 927 C,
utilizar Do = 2,0 x 10 -5 m2/s, Q = 142 kJ/mol y R
Donde :
= 8,314 J/mol K.
D = Difusividad m2/s.
Do = Constante de proporcionalidad m2/s.
independiente de la temperatura.
Q = Energa de activacin de las especies en
difusin J/mol o cal/mol (mov. Del defecto)
R = 8,314 J/mol K (constante universal de los
gases).
T = Temperatura en K.

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