Tema 4 La Unidad de Memoria

Tema 4. La Unidad de Memoria

4.1 Introduccin ......................................................................................................................2
4.2 Definicin y conceptos. ...................................................................................................2
4.2.1 Caractersticas de los sistemas de memoria. ......................................................2
4.3 Jerarqua de memoria .....................................................................................................6
4.3.1 Memoria cache..........................................................................................................7
4.3.2 Conexin de los distinto niveles de memoria.......................................................8
4.4 Memoria principal semiconductora ............................................................................ 10
4.4.1 Tipos de memorias semiconductoras ................................................................ 10
4.4.2 Organizacin interna de memorias semiconductoras ..................................... 11
4.4.3 Expansin de memorias semiconductoras........................................................ 14
4.4.4 Mapa de Memoria.................................................................................................. 19
4.4.5 Mdulos SIMM y DIMM ........................................................................................ 20

1
Tema 4 La Unidad de Memoria

4.1 Introduccin
Los computadores se utilizan para procesamiento de informacin. Tal
informacin se almacena en dispositivos denominados Memorias. La memoria
contiene los cdigos de los programas que se ejecutan en el computador y los datos
sobre los que actan dichos programas.
Conceptualmente la memoria es un elemento sencillo, sin embargo no existe otro
componente en los computadores que presente tanta diversidad de tipos, tecnologas,
estructuras, prestaciones y coste. Se puede decir que no hay una tecnologa ptima
para satisfacer todos los requisitos. As, un computador dispone de una jerarqua de
elementos de memoria donde algunos estn localizados internamente al propio
computador, es decir, directamente accesible desde el procesador, y otros
subsistemas estn localizados externamente, es decir, a travs de dispositivos de
entrada/salida.

4.2 Definicin y conceptos.

4.2.1 Caractersticas de los sistemas de memoria.
Las memorias presentan diferentes caractersticas que permiten distinguirlas
de otras. Las principales caractersticas se describen a continuacin.

Localizacin.
Dependiendo de donde est ubicada fsicamente la memoria se distinguen tres
tipos:

Registros. Est formada por un conjunto de registros de alta velocidad internos a

la CPU y que son utilizados por la CPU para informacin temporal.

Memoria interna al computador. Denominadas tambin como memoria principal.

Es una memoria de ms de capacidad que la anterior y menos rpida. Se utiliza
para el almacenamiento de programas que se estn ejecutando y para los datos
que utilizan esos programas.

Memoria externa. Denominada tambin memoria secundaria. Son dispositivos de

almacenamiento perifricos accesible por la CPU a travs de controladores de
E/S. Es una memoria de mucha ms capacidad que la anterior y ms lenta. Se
utiliza principalmente para el almacenamiento de programas y datos que no se
estn usando. los programas y datos almacenados en memoria externa debern
ser transferidos a memoria interna antes de poder ser usados por el computador.

Capacidad
Cantidad de informacin que puede almacenar el sistema de memoria. Para
memorias internas se expresa normalmente en trminos de bytes o de palabras. Las
longitud de las palabras suelen ser 8,16, 32 y 64 bits, dependiendo de la arquitectura
del computador.
La capacidad de la memoria se mide en mltiplos de unidad de bit. La tabla siguiente
muestra los mltiplos ms utilizados cuando se hace referencia a capacidades de
memorias.

2
Tema 4 La Unidad de Memoria

1 nibble = 4 bits 1Mb= 1024Kb = 2 20 bits

1 byte = 1 octeto =8 bits 1 Gb = 1024Mb = 2 30 bits
1 Kb = 1024 bits= 2 10 bits 1 Tb = 1024Gb = 2 40 bits
Actualmente, para referirse a la memoria interna de computador se trabaja con
mltiplos de Mb, mientras que para referirse memoria externa e trabaja con mltiplos
de Gb. No obstante, en grandes computadores tambin se utiliza el mltiplo Tb.

Unidad de transferencia

En una memoria interna la unidad de transferencia es igual al nmero de lneas de

datos de entrada y salida del mdulo de memoria. A menudo es igual a la longitud de
la palabra pero puede no serlo. Para clarificar esta caracterstica de memoria vamos a
distinguir los siguientes conceptos:
Palabra. Es la unidad natural de organizacin de la memoria. El tamao de la
palabra es generalmente el nmero de bits utilizados para representar un
nmero entero y la longitud de una instruccin. As, por ejemplo, en el
procesador 8086 de Intel la palabra de 16 bits, para Pentium III, IV, AMD K7,
Athlon el tamao de palabra es 32 bits y para Athlon64 e Itanium el tamao de
la palabra es de 64 bits.
Unidad direccionable. Es el tamao mnimo de memoria que podemos
direccionar. Por regla general es la palabra, aunque hay algunos sistemas que
permiten el direccionamiento al nivel de byte.
Unidad de transferencia. Para la memoria principal es el nmero de bits que se
escriben a la vez. La unidad de trans ferencia no tiene por que coincidir con una
palabra o con una unidad direccionable. Para la memoria externa, los datos se
transfieren normalmente en unidades ms grandes que la palabra,
denominadas bloques.

Mtodo de acceso

En cualquier tipo de operacin con la memoria, ya sea para leer o para escribir, es
necesario, en primer lugar, localizar la posicin del elemento de almacenamiento
donde la CPU debe poner o coger la informacin. Una caracterstica importante de un
dispositivo de memoria es el orden o mtodo de acceso para localizar o acceder a la
informacin. Se puede distinguir cuatro tipos:
Acceso secuencial (SAM: Sequential Access Memory). La memoria est
organizada en unidades de datos llamadas registros donde el acceso se realiza
con una secuencia lineal especifica. Se utiliza un mecanismo de lectura /
escritura compartido, en el que la operacin de leer / escribir un dato en una
determinada posicin se realiza pasando por las posiciones anteriores. As, el
tiempo necesario para acceder a un registro es variable y depende de la
posicin donde est almacenando. Un ejemplo de esta clase de memoria son
las unidades de cinta magnticas.
Acceso directo (DAM: Direct Acces Memory). Este tipo de acceso tambin tiene
asociado un mecanismo de lectura / escritura. Sin embargo, los bloques
individuales o registros tienen una direccin nica basada en su direccin
fsica. El acceso se efecta mediante un acceso directo para alcanzar la zona

3
Tema 4 La Unidad de Memoria

ms prxima (registro) donde se encuentra la informacin a la que se desea

acceder, y a continuacin se realiza una bsqueda secuencial hasta la posicin
final. En este caso el tiempo de acceso tambin es variable. Las unidades de
disco son un ejemplo claro de este tipo de memorias de acceso directo.
Acceso aleatorio (RAM: Random Access Memory). Se dice que una memoria
es de acceso aleatorio cuando puede accederse a la informacin almacenada
en ella en cualquier orden, siendo el tiempo de acceso independiente de la
posicin siendo el tiempo de acceso independiente de la posicin donde est
localizada la informacin. Cada posicin direccionable de memoria tiene un
nico mecanismo de acceso cableado fsicamente. El tiempo para acceder a
un posicin dada es constante e independiente de la secuencia de accesos
previos. Generalmente todas las memorias de tipo semiconductor (RAM, ROM,
flash) son de acceso aleatorio, aunque solo las de tipo RAM hacen referencia
explcita en su denominacin a esta cualidad. La memoria principal de un
sistema es de acceso aleatorio.

Velocidad
Para medir el rendimiento de velocidad de una memoria se utiliza los tres parmetros
siguientes:
Tiempo de acceso (TA ). Para las memorias de acceso aleatorio es el
tiempo que tarda en realizarse una operacin de escritura o lectura, es
decir, el tiempo que transcurre desde el instante en el que se presenta una
direccin a la memoria hasta que el dato, o ha sido memorizado, o est
disponible para su uso. Para otro tipo de memorias, el tiempo de acceso es
el tiempo que se emplea en situar el mecanismo de la lectura/ escritura en
la posicin deseada. En la tabla siguiente podemos ver los tiempos de
acceso aproximados para diferentes tipos de memorias.
Memoria bipolar 10 seg
Memoria MOS 10-7 seg
Ncleos de ferrita 10-6 seg
Disco duro 10-3 seg
Tiempo de ciclo de memoria (Tc ). Es el tiempo que transcurre desde que se
da la orden de una operacin de lectura/ escritura hasta que se pueda dar
otra orden de lectura/ escritura. En la figura siguiente mostramos este

Tc

Tiempo
TA
Peticin Informacin
lectura disponible

concepto grficamente.

La diferencia Tc -TA es el tiempo necesario para que finalicen las transiciones en

las lneas o para regenerar los datos en caso de lectura destructiva.

4
Tema 4 La Unidad de Memoria

Velocidad de transferencia (V T). Es la velocidad a la que se pueden

transferir datos a, o desde, una unidad de memoria.

1
En caso de acceso aleatorio VT =
TC

N
En caso de acceso no aleatorio TN = TA + donde TN es el tiempo medio de
VT
lectura/escritura de N bits, TA es el tiempo de acceso, N es el nmero de bits y VT
es la velocidad de transferencia (bits/segundo).

Dispositivo fsico

Los sistemas de memorias empleados en los computadores utilizan diferentes

dispositivos fsicos. Los tipos ms utilizados son:
Para la memoria principal se utilizan memorias semiconductoras de distintos
tipos.
Como dispositivos de memoria secundaria se emplean: memorias magnticas,
pticas y magneto-pticas

Caractersticas de tipo fsico

Para trabajar con algunos tipos de memorias se deben tener en cuenta las siguientes
caractersticas:
Alterabilidad: Esta propiedad hace referencia a la posibilidad de alterar el
contenido de la memoria. Las memorias cuyo contenido no puede ser alterado
se denominan memorias de slo lectura (ROM Read Only Memory). Las
memorias sobre las que se pueden realizar operaciones de lectura o escritura
se conocen como memorias de lectura-escritura (RWM Read Write Memory).

Permanencia de informacin: Existen varias cualidades relacionadas con la

duracin de la informacin almacenada en memoria:

Volatilidad: Hace referencia a la posible destruccin de la informacin

almacenada en un dispositivo cuando desaparece el suministro de potencia
elctrica. Las memorias que pierden su informacin en la mencionada
circunstancia se denominan voltiles, mientras que, las que conservan su
informacin se denominan no voltiles. Las memorias ROM y los discos son
ejemplos de memorias no voltiles, y las memorias RAM son de tipo voltil.

Almacenamiento que necesita o no proceso de refresco: Existen memorias

semiconductoras cuyo contenido no vara con el tiempo, pero existen otras
cuyo contenido se va degradando a medida que transcurre el tiempo y para
que no se pierda el contenido es necesario establecer un proceso de
refresco. Las memorias semiconductoras que necesitan incluir un proceso
de refresco suelen ser de mayor capacidad y menor consumo de energa,

5
Tema 4 La Unidad de Memoria

frente a las que no necesitan proceso de refresco que suelen tener un

tiempo de acceso menor. Ejemplos: memoria SRAM, sin proceso de
refresco y memoria DRAM con proceso de refresco.

Organizacin
Hace referencia a la disposicin fsica de los bits para formar palabras. La
organizacin depender del tipo de memoria que se trate. As, para memoria
semiconductora se distinguen varios tipos de organizaciones: 2D, 3D etc.

4.3 Jerarqua de memoria

Tres son los parmetros fundamentales que caracterizan los tipos de memorias de un
computador:
Coste: el coste de los dispositivos de memoria suele estar en relacin inversa
con el valor del tiempo de acceso.
Velocidad: Para conseguir un rendimiento ptimo del computador, el tiempo de
acceso a memoria debe ser suficientemente pequeo para evitar que la CPU
permanezca inactiva durante intervalos de tiempo apreciables.
Capacidad. Es deseable disponer de una capacidad suficientemente elevada.

La configuracin ideal sera disponer de un computador que utilizara memoria de gran

capacidad con una velocidad alta y que costara poco. Pero estos tres parmetros son
contrapuestos, es decir a ms capacidad y velocidad el coste se eleva
considerablemente. Esto hace que se opte por una solucin de compromiso. De esta
forma, no se selecciona un nico tipo de memoria sino que se emplean emplean
distintos tipos de memoria organizados de forma jerrquica. La figura siguiente
muestra esta jerarqua indicando cmo se relacionan la capacidad, velocidad y coste
con los distintos niveles de la jerarqua.

Ms Capacidad
Memoria Secundaria

Memoria Principal

Cach

Registros

Ms velocidad y
ms coste CPU

6
Tema 4 La Unidad de Memoria

La jerarqua de memoria se disea de forma que a medida que se consideran niveles

ms alejados de la CPU
El coste por unidad de informacin disminuye. Esto significa que 1 bit de un
disco duro cuesta mucho menos que un bit de la memoria cache.
La capacidad y el tiempo de acceso aumentan
La frecuencia de accesos a la memoria por parte de la CPU disminuye.
Las tecnologas que se emplean en la fabricacin de los diferentes niveles de
memoria cumplen:
o A menor tiempo de acceso, mayor coste por bit.
o A mayor capacidad, menor coste por bit
o A mayor capacidad, mayor tiempo de acceso

Se comprueba experimentalmente que se verifica el denominado principio de

localidad de referencia. Durante la ejecucin de un programa, las referencias a
memoria por parte del procesador, tanto para instrucciones como para datos, tienden
a estar agrupadas, sobre todo cuando se ejecutan bucles y subrutinas. Cada vez que
se ejecuta un bucle o una subrutina, hay repetidas referencias a un conjunto de
instrucciones. De la misma forma, las operaciones sobre tablas o matrices conllevan
accesos a un conjunto de datos situados en posiciones consecutivas de memoria. En
periodos de tiempo largos el grupo de datos e instrucciones a los que se accede con
mas frecuencia cambia, pero en periodos de tiempo cortos el procesador trabaja con
referencias a zonas de memoria ms limitadas.

Por este motivo es posible organizar los datos en los diferentes niveles de memoria,
de forma que la frecuencia de acceso sea mucho mayor cuanto ms arriba est en la
jerarqua. De esta forma si se emplean memorias ms rpidas en los niveles ms
cercanos al procesador se aumenta considerablemente el rendimiento del computador
sin aumentar su coste de forma apreciable.

4.3.1 Memoria cache

La memoria principal es un recurso muy utilizado por la CPU, ya que cada vez que
ejecuta una instruccin accede al menos una vez a la memoria para buscar el cdigo
de la propia instruccin, adems de acceder para leer o escribir los datos que
intervengan en el procesamiento. Los elementos de memoria asociados a la CPU, es
decir los registros, son mucho ms rpidos que la memoria principal a causa de la
diferencia en la tecnologa de fabricacin. Lo ideal sera que la memoria principal
fuera de la misma tecnologa que los registros de la CPU, pero debido a su alto coste
se opta por soluciones intermedias. Una solucin se basa en explotar el principio de
localidad y situar una memoria muy rpida entre la CPU y la memoria principal, de
forma que la CPU acceda con mucha ms frecuencia a esta memoria que a la
principal. Esta memoria muy rpida deber ser de poca capacidad para que los costes
no sean excesivos. A esta memoria se le denomina memoria cache.

El funcionamiento de la memoria cache se basa en considerar bloques de informacin

de la memoria principal que copia en la memoria cache. La CPU cada vez que accede
a memoria, primero establece un acceso a la cache y si est disponible el dato
solicitado accede al mismo de una forma rpida. Si no est disponible en cache,

7
Tema 4 La Unidad de Memoria

accede a memoria principal obteniendo la informacin solicitada. Adems, copia el

bloque de informacin donde se encontraba el dato solicitado, en la memoria cache.
Segn el principio de localidad es muy probable que cuando se transfiera un bloque
de datos a la cache, las futuras llamadas a memoria se refieran a datos contenidos en
el bloque transferido.
La figura siguiente muestra la configuracin de la memoria cache:

Tranferencia de palabras

Tranferencia de bloques
CPU Memoria
Cache Principal

4.3.2 Conexin de los distintos niveles de memoria

Los distintos elementos que constituyen un procesador se encuentran interconectados
a travs de una estructura interna de buses. El procesador se comunica con los
distintos dispositivos de memoria a travs de esta estructura interna de buses.

CPU
Bus direcciones

ROM
Bus control
Bus datos

RAM

Interface E/S

8
Tema 4 La Unidad de Memoria

Un bus debe multiplexarse para que cualquiera de los dispositivos conectados a l

pueda evitar recibir datos desde o hacia uno de los dems dispositivos.
Generalmente, una unidad que enva datos se denomina fuente y uno que recibe
datos se denomina receptor. En un instante determinado slo hay una fuente activa.
Es necesario pues establecer lo que se denomina el arbitraje del bus; este evita que
dos fuentes hagan uso del bus al mismo tiempo. Este arbitraje se basar en la
actuacin de la unidad de control sobre las conexiones de las distintas unidades a los
buses.

Esto significa que las conexiones que se establezcan de las distintas unidades con los
buses no pueden establecerse de forma indefinida a travs de simples conexiones
conductoras. Normalmente se emplean puertas triestado ya que estas permiten la
conexin o desconexin actuando sobre una lnea de habilitacin.

Alto (1) Alto (1)

bajo(0) Bajo(0)

Alto (1)
Alto (1)
Entrada de
habilitacin Entrada de
(a) habilitacin
(b)

01 Alta Z

bajo(0)

Entrada de
habilitacin
(c)

Las figuras anteriores representan los tres estados posibles de una puerta triestado.
En las Figuras (a) y (b) la habilitacin est activa (nivel alto), esto significa que las
lneas de entrada y salida de la puerta se encuentran conectadas elctricamente. En
la Figura (c) la entrada de habilitacin se encuentra inactiva (nivel bajo), en este caso
la salida se encuentra en estado de alta impedancia, o lo equivale a decir que est
desconectada.

En el ejemplo la habilitacin se activa a nivel alto, existen tambin puertas triestado

con habilitacin activa a nivel bajo.

9
Tema 4 La Unidad de Memoria

4.4 Memoria principal semiconductora

4.4.1 Tipos de memorias semiconductoras
Dependiendo del tipo de operaciones que se pueden realizar en una memoria se
distinguen los siguientes tipos:

1. Memorias de solo lectura

ROM (Read Only Memory). Una ROM contiene permanentemente datos que
no pueden ser modificados. En una ROM es posible leer su contenido pero no
se puede sobrescribir. Se suele emplear en microprogramacin de sistemas,
en la produccin de componentes de forma masiva.
PROM (Programable Read Only Memory). Cuando un fabricante necesita una
memoria de slo lectura con un contenido especfico se suele emplear la
PROM. En la PROM, el proceso de escritura se lleva a cabo elctricamente y
puede realizarse posteriormente al proceso de fabricacin, a diferencia de la
ROM que se graba cuando se fabrica. La memoria PROM permite una sola
grabacin y es ms cara que la ROM.

2. Memorias de sobre todo lectura (Read-Mostly Memory)

Son memorias que permiten ser grabadas por el usuario, y se supone que el nmero
de operaciones de lectura es muy superior al nmero de operaciones de escritura.
Tanto este tipo de memorias como las anteriores son de tipo no voltil. Se distinguen
tres tipos:

EPROM (Erasable Programable Read Only Memory). Mediante la aplicacin de

corriente elctrica se permite la escritura varias veces, y mediante la aplicacin
de rayos ultravioleta se elimina su contenido de forma indiscriminada. Este tipo
de memoria es ms cara que la PROM
EEPROM (Electricaly Erasable Programable Read Only Memory). El borrado
se lleva a cabo de forma selectiva a nivel de byte. Es ms cara que la EPROM.
Memoria Flash. Denominada as por la velocidad a la que puede
reprogramarse. Utiliza borrado elctrico selectivo a nivel de bloque de bytes.
Son ms baratas que las EEPROM.

3. Memorias de Lectura/Escritura

Se emplean cuando se supone que se utilizarn indistintamente para leer o escribir

informacin. Son de tipo voltil y se suelen denominar memorias de acceso aleatorio
(RAM, Random Access Memory). Se distinguen los tipos siguientes:
DRAM (Dynamic Random Access Memory). Cada bit se asocia con el estado
de carga de un condensador. Debido a que tiende a descargarse es necesario
refrescarlas peridicamente. Suelen ser de mas capacidad, y menor coste que
las SRAM.
SRAM (Static Random Access Memory). Cada bit se almacena en un circuito
biestable, esto significa que no es necesario incluir proceso re refresco. Son
ms rpidas que las DRAM pero ms caras y de menor capacidad.

10
Tema 4 La Unidad de Memoria

Para concluir este apartado se muestra un resumen del mismo en la tabla

siguiente:

Clase Borrado Escritura Volatilidad

RAM SRAM Lectura/Escritura Elctricamente Elctricamente Voltil
DRAM por bytes
ROM Mediante
Solo lectura No mscara
PROM No voltil
EPROM Luz
ultravioleta
Sobre todo lectura Chip completo Elctricamente
EEPROM Elctricamente
por byte
Flash Elctricamente
por bloques

4.4.2 Organizacin interna de memorias semiconductoras

Una vez establecido el diseo de la memoria se implementa en un chip o circuito

integrado. Un chip de memoria se organiza internamente como una matriz de celdas
de memoria de dimensin M x n, donde M es el nmero de palabras que puede
almacenar el chip y n es el nmero de bits por palabra. As por ejemplo, una memoria
de 4K x 8 permite almacenar 4096 (= 4x1024) palabras de 8 bits cada una. La figura
siguiente muestra la estructura de esta memoria:

Direcciones Contenido
0 bit 0 bit 1 bit 2 bit 3 bit 4 bit 5 bit 6 bit 7
M 1 -- -- -- -- -- -- -- --
palabras .
4094 -- -- -- -- -- -- -- --
4095 -- -- -- -- -- -- -- --
n bits/palabra

Cada bit se almacena en una celda de memoria. Una celda de memoria presenta las
propiedades siguientes:
Posee dos estados estables que se asocian con los dos valores lgicos 0 y 1.
Puede escribirse en ellas al menos una vez para establecer su contenido
Puede leerse muchas veces.
A cada celda de memoria se asocian al menos tres seales:
o Seal de seleccin. Que permite seleccionar la celda para una
operacin de lectura o escritura
o Seal de control que indica si la operacin es de lectura o escritura
o Seal de dato que indica el estado que tiene la celda o bien el estado al
que se quiere establecer.

11
Tema 4 La Unidad de Memoria

Chip de memoria
La interconexin de un chip de memoria con los dispositivos del computador se
realiza a travs de sus patillas. Un chip de memoria dispone de al menos las
siguientes conexiones externas:

m conexiones para el bus de direcciones, donde se podrn direccionar 2m

palabras.
n conexiones para el bus de datos. Cada acceso a memoria escribe o lee una
palabra de n bits.
W/R (Write/Read). Esta conexin indica el tipo de operacin que se realiza:
lectura o escritura. Generalmente sigue lgica negativa, es decir, cuando hay
un 0 indica que se desea escribir, mientras que cuando W/R=1 indica que se
quiere leer. Tambin existen chips que disponen de una conexin para habilitar
escritura WE (Write Enable) y otra para habilitar la lectura OE (Output Enable).
CS (Chip Selection) o CE (Chip Enable). Selecciona el chip de memoria al cual
hay que acceder. Tambin pueden existir varias seales de seleccin en el
mismo chip indicando que est compuesto, a su vez, de varios chips que
pueden ser seleccionados de forma independiente
Vcc . Alimentacin del chip, su valor depende de la tecnologa de fabricacin del
chip. Por ejemplo para tecnologa CMOS V cc =3.5 V.
Vss . Conexin a tierra.

La siguiente figura muestra un chip de memoria considerado como caja negra en la

que se tienen en cuenta las entradas y salidas.

Vcc
bus de direcciones Vss

m Chip de Memoria
bus de datos

CS R/W

Organizacin interna

La organizacin interna hace referencia a la disposicin fsica de los bits para formar
las palabras. La organizacin depender del tipo de memoria de que se trate. Vamos
a estudiar dos tipos de organizaciones

12
Tema 4 La Unidad de Memoria

Organizacin 2D

Este tipo de organizacin se compone de una matriz de celdas, de un elemento de

seleccin y un elemento de control.
Para una memoria RAM de 2m palabras de n bits cada una, la matriz de celdas
estar formada por 2m filas y n columnas. Como mecanismo para seleccionar la
palabra se emplea un decodificador m x 2 m.
Cada una de las salidas del decodificador est asociada con una palabra de
memoria. Por ejemplo, una entrada al decodificador igual a 00010 origina que se
active la lnea de salida nmero 2. Si la operacin es de lectura (L=1) solo la palabra
de memoria seleccionada copia los datos al registro de datos. De forma anloga, en
las operaciones de escritura (E=1) el dato almacenado en el registro de datos se
introduce en la palabra de memoria seleccionada.
n
Registro de datos a escribir
n-1 n-2 .0

E
m-1 .1 0

0
Registro de direcciones

Decodificador
2 -1, 2 -2, 1

2m palabras
m
m m

n-1 n-2 .0
Registro de datos ledos
CS
n

Es el mtodo ms sencillo de organizar una memoria, pero supone un coste de

implementacin mas elevado. La organizacin 2D se utiliza en memorias de
capacidad reducida, debido a que fsicamente ocupa mucho espacio, ya que la matriz
de celdas es muy estrecha y larga. La principal ventaja es su gran rapidez de acceso
ya que el nico retardo que presenta es el asociado con los circuitos de decodificacin
y los elementos de almacenamiento.

Organizacin 3D

En la organizacin 2D la matriz de celdas de memoria es muy alargada y estrecha.

Para solucionar este problema se puede utilizar en lugar de un solo decodificador
mx2 m, dos decodificadores con m/2 entradas y 2m/2 salidas. De esta forma se requiere
menos puertas lgicas con menor nmero de entradas por puerta que cuando se

13
 Tema 4 La Unidad de Memoria

utiliza un solo decodificador. Sin embargo este esquema emplea una celda bsica de
memoria ms complicada, ya que debe incorporar una puerta para la seleccin de la
celda.
256 filas

8 bits
128 columnas

Organizacin interna 3D de una memoria SRAM de 32Kx8

En la organizacin 3D los n bits de una palabra se almacenan en n planos y dentro de

cada plano todos los bits de una misma palabra ocupan la misma posicin (x,y).
Los m bits de direcciones se dividen en dos partes de X e Y bits, que sirven como
entrada a dos decodificadores Xx2 X e Yx2Y . Las seales de salida de los
decodificadores se utilizan como coordenadas que seleccionan las en los n planos la
posicin (X,Y). En el ejemplo de la figura el nmero de planos n = 8, adems
m=15=x+y=7+8.

La organizacin 3D utiliza decodificadores ms sencillos. Como inconveniente

presenta un diseo ms complicado y un acceso ms lento. As, debido a que su
implementacin requiere poco espacio fsico se utilizan en memorias de gran
capacidad.

4.4.3 Expansin de memorias semiconductoras

A partir de los chips de memoria disponibles en el mercado, se pueden construir
unidades de memoria que incrementen: la longitud de la palabra, el nmero de
palabras direccionables, o ambas. La expansin de la memoria se consigue
aadiendo el nmero apropiado de chips de memoria a los buses de direccin, datos
y control como se pasa a describir a continuacin:

14
Tema 4 La Unidad de Memoria

Expansin del tamao de la palabra

Para aumentar la longitud de la palabra de una memoria, el nmero de bits del bus de
datos debe aumentarse. Por ejemplo, se puede conseguir una longitud de palabra de
8 bits, a partir de dos chips de memoria de palabras de 4 bits conectndolos como
muestra el apartado (b) de la figura siguiente

Como puede observarse en la parte (b) de la figura, el bus de direcciones de 16 bits

se conecta a ambos chips de memoria, de esta forma la unidad de memoria tendr el
mismo nmero de direcciones que cada uno de los chips (216 = 65.536 direcciones
para el ejemplo). El bus de datos de la unidad de memoria estar formado por la
unin de los buses de datos de los chips de memoria elementales. En el ejemplo, los
buses de datos de 4 bits de cada chip se combinan para formar el bus de datos de 8
bits. De este modo cuando se selecciona una direccin de memoria, se seleccionar
una palabra de 8 bits, compuesta por dos conjuntos de cuatro bits situados en la
misma direccin dentro de cada chip elemental. Por otra parte, las lneas del bus de
control estn compartidas por los chips elementales de la misma forma que el bus de
direcciones. La figura siguiente muestra los detalles de la expansin de memoria del
ejemplo que acaba de ser descrito.

15
Tema 4 La Unidad de Memoria

(a) chip ROM elemental de 64Kx4 (b) unidad de memoria expandida de 64Kx8 bits
bits

La figura siguiente muestra la interconexin de k mdulos RAM de Nxm bits para

construir una RAM de Nxkm bits

Expansin del nmero de palabras

Para conseguir aumentar el nmero de palabras direccionables el nmero de bits de

direcciones debe aumentar. La figura siguiente muestra una estrategia para multiplicar
por dos el nmero de palabras, o lo que es lo mismo para aumentar en una lnea el
bus de direcciones.

16
Tema 4 La Unidad de Memoria

En este ejemplo se construye una unidad RAM de 2Mx8 a partir de la expansin de

dos RAM de 1Mx8. Cada chip individual tiene 20 bits de direccin, como se observa
en la parte (a) de la figura. La memoria expandida requiere 21 bits de direcciones para
seleccionar entre 2.097.152 direcciones. Se toma como bit adicional de direccin el
mas significativo en el bus de direcciones (posicin 21 en el ejemplo), este bit se
utiliza para activar el chip de memoria adecuado. El bus de datos de la memoria
expandida sigue manteniendo el tamao de original de 8 bits. La figura siguiente
muestra los detalles de la expansin de memoria del ejemplo que acaba de ser
descrito.

Otra estrategia ms general, para aumentar el nmero de palabras direccionables, se

basa en conectar los bits de direcciones adicionales a las entradas de un
decodificador. Las salidas de este decodificador se usan para seleccionar uno de los
chips elementales, a travs de su entrada de habilitacin. La figura siguiente muestra
un ejemplo de esta estrategia. En la figura se muestra la interconexin de 2k mdulos

17
Tema 4 La Unidad de Memoria

RAM de Nxm bits, para construir una RAM de 2k Nxm bits. Como puede observarse,
se incluyen k bits de direcciones adicionales, que se conectan a las entradas del
decodificador, y las 2k salidas de este, se conectan a las entradas de habilitacin de
los chips elementales.

Expansin de memoria general

La expansin de memoria general puede basarse en el aumento tanto del tamao,

como del nmero de palabras. En ese caso bastar con aplicar simultneamente los
dos tipos de tcnicas que acaban de describirse. La figura siguiente muestra la
conexin de 8 mdulos RAM de 1Kx1 bits para construir una unidad de memoria de
4Kx2 bits. En ese esquema, las memorias situadas en la misma columna almacenan
un bit de cada palabra de memoria

18
Tema 4 La Unidad de Memoria

4.4.4 Mapa de Memoria

Para que se pueda ejecutar un programa en un computador, es necesario que este y

sus datos se encuentren en la memoria principal. Por la propia construccin del
computador estas direcciones se ven limitadas a un cierto tamao, que corresponde
con el nmero de bits que es capaz de manejar ese computador en las operaciones
de direccionamiento.

Se denomina mapa de memoria a todo el espacio que puede direccionar un

computador, de tal forma que si el bus de direcciones es de n bits el computador
podr direccionar hasta 2n posiciones de memoria, comprendidas entre las
direcciones 0 y 2n -1. As por ejemplo, si el computador tuviera un bus de 16 bits su
mapa de memoria sera el que muestra la figura siguiente:

Direcciones en Direcciones en
decimal hexadecimal
0 0000
1
.. 64 K
..

216-1 FFFF

Generalmente, un computador no tiene instalada toda la memoria que puede

direccionar, sino que se deja espacio libre para futuras ampliaciones.

La implementacin fsica del mapa de memoria se realiza utilizando uno o varios chips
de memoria. En el mercado se encuentran diferentes configuraciones de chips de
memoria: zKx1, zKx4, zKx8, zKx16, zKx32, zMx1, zMx4, zMx8, zMx16, zMx32 etc.
donde z es un mltiplo de 2. As por ejemplo, un chip de 1Kx8 indica que puede
almacenar 1024 palabras de 8 bits.

Ejemplo:

Se pretende obtener el mapa de memoria y el diagrama de conexiones de una

memoria de un computador de 16 bits que permite direccionar 1Mpalabra y tiene
instaladas 128Kpalabras a partir de chips de 64Kx1.

El bus de direcciones es de 20bits (1M=220 bits)

Lneas de direcciones de cada chip 16 bits (64K=216). Estos sern los bits de
menor peso en el bus de direcciones A 15A14A13A1A0.
El nmero de chips necesarios ser (128/64)x16=32 chips de 64 K x 1 para
almacenar 128 K x 16
Se dispondrn dos filas de 16 chips cada una, se necesitar una lnea para
seleccionar entre ambas filas, esta ser la lnea de direcciones A16. El resto de
direcciones se utilizarn para futuras ampliaciones.

19
Tema 4 La Unidad de Memoria

0 00000
20 bits bus de direcciones . Fila 0 de chips
A19 A18 A1 7 A16 A15 A14A1 A0 16
2 -1 0FFFF
216 10000
Seleccin Chip
Direccionamiento interno . Fila 1 de chips
217-1 1FFFF
.
.
. Espacio no disponible
20
2 -1 FFFFF

Mapa de Memoria:

A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1

Fila 0
0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1

Fila 1
0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1

4.4.5 Mdulos SIMM y DIMM

Las memorias se suelen suministrar en forma de mdulos de memoria de terminal

simple (single in-line memory module, SIMM) o como mdulos de memoria de
terminal doble (dual in-line memory module, DIMM). Los mdulos SIMM y los ms
recientes mdulos DIMM son pequeas tarjetas de circuito impreso en las que se
montan chips de memoria con las entradas y salidas conectadas a un conector de
borde situado en la parte inferior de la tarjeta de circuito. Los mdulos DIMM son
generalmente ms rpidos, pero slo pueden ser instalados en las mquinas ms
modernas que hayan sido diseadas para admitirlos.
.
Los mdulos SIMM se clasifican en mdulos de 30 y de 72 pines. Ambos tipos se
ilustran en la siguiente figura. Aunque las capacidades de memoria disponibles para
los mdulos SIMM pueden variar entre 256 KB y 32 MB, la diferencia fundamental
entre las dos configuraciones de pines es el tamao del bus de datos. Generalmente,
los mdulos SIMM de 30 pines estn diseados para buses de datos de 8 bits,

20
Tema 4 La Unidad de Memoria

necesitndose ms mdulos SIMM para poder manejar ms bits de datos. Los

mdulos SIMM de 72 pines admiten un bus de datos de 32 bits.

Los mdulos DIMM tienen un aspecto similar a los mdulos SIMM, pero proporcionan
una mayor densidad de memoria con slo un incremento relativamente pequeo del
tamao fsico. La diferencia clave estriba en que los mdulos DIMM distribuyen los
pines de entrada y salida en ambos lados de la tarjeta de circuito impreso, mientras
que los mdulos SIMM slo emplean uno de los lados. Las configuraciones normales
de los mdulos DIMM son las de 72 pines, 100 pines, 144 pines y 168 pines, con las
que se pueden emplear buses de datos de 32 y de 64 bits. Por regla general, la
capacidad de los mdulos DIMM va de 4 a 512 MB. Los mdulos SIMM y DIMM se
insertan en zcalos situados en la placa madre del computador, siendo lo normal que
haya varios zcalos disponibles para la expansin de memoria.

Los chips de memoria que hay en los mdulos SIMM y DIMM se configuran de modo
que se ample el bus de datos para adecuarse al bus de datos requerido por el
computador. As por ejemplo, un mdulo SIMM de 8 bits de bus de datos puede estar
formado por 8 chips de memoria de un bit de anchura, o 4 chips de 2 bits de anchura.
Normalmente, adems de los chips de datos, los mdulos SIMM y DIMM cuentan con
chips adicionales que contienen bits de paridad. Un ejemplo real: Un mdulo SIMM de
72 pines de 8 Mbytes: formado por 8 chips de 2Mx4 para dar lugar a una memoria de
2Mx32. Este mdulo tena adems 4 chips de paridad por la otra cara del mdulo.

Los distintos mdulos que se conectan en los zcalos se configuran en modo de

expansin del nmero de palabras, estando el circuito de decodificacin en la propia
placa madre. As, siguiendo con el ejemplo anterior, la memoria de computador con
64 MB de RAM estara formada por 8 mdulos SIMM de 8MB de los anteriores, cuyo
circuito de decodificacin requerira 3 bits de la direccin de memoria.

21