MOSFET de canal N

de nuevo a los dispositivos de modo de conmutacin , los reguladores de conmutacin ,

la electrnica y hogar

MOSFET de canal N
Tipos

MOSFET de canal N

Un MOSFET de canal N se puede

comparar con aproximadamente un
transistor npn cuando la puerta (G)
como la base, de drenaje (D) como un
colector y la fuente (S) se considera
como un emisor.

La resistencia interna de la trayectoria

de drenaje-fuente se controla con el
voltaje en la puerta.

Es el voltaje en la puerta de la misma

que la tensin en la fuente, y luego los
bloques de transistores. Entre drenaje
y la fuente puede (a excepcin de una
corriente de fuga de varios
microamperios) sin que circule
corriente.
Si uno en la puerta, pero a un voltaje
superior a 10 voltios es mayor que la
tensin en la fuente, entonces el
transistor, drenaje y la fuente estn
conectados.

En la imagen superior de esta pgina

se puede apreciar que el camino
drenador-fuente del MOSFET es
puenteado por un diodo. Es un diodo
de proteccin, a travs de la cual es
imposible invertir la polaridad de la
tensin en el drenaje y la fuente. En
funcionamiento normal, drenaje est
siempre a la tensin ms positiva
(frente a la fuente).

MOSFETs estn diseados para diferentes aplicaciones, y por lo tanto tiene parmetros
tcnicos completamente diferentes. El transistor de conmutacin en una fuente de
alimentacin tiene una tensin superior a 400V soportar, pero slo con las corrientes en
los amplificadores de rango de una cifra que hacer.

Los MOSFET de potencia con la que estoy ocupada en su mayora, se han optimizado
para flujos de mximo contraste. 100A a fluir de drenaje a la fuente, es necesario hacer
que la resistencia de drenaje-fuente tan pequea como sea posible. Valores de menos de
10 miliohmios tpico hoy en da. Esto se consigue por el hecho de que el MOSFET en
realidad est compuesto de varios miles de MOSFETs de pequeos, todos sentados
juntos en un chip y estn conectados en paralelo. Tales estructuras pequeas no son, sin
embargo, el aumento de resistencia dielctrica. El mximo de drenaje-fuente de voltaje de
30 V a 60 V, dependiendo del tipo.
 Mientras est siendo controlado en un
transistor npn el colector-emisor de corriente
con la corriente de base es controlada en un
MOSFET de canal N, la resistencia de
drenaje-fuente con la tensin de puerta.

La tabla adjunta muestra el flujo de drenaje-

fuente de corriente de un SUP75N06-08 en
el mximo drenaje-fuente de tensin y de
compuerta y fuente aumenta la tensin.
Hasta una tensin de puerta de 3 V, el FET
completamente bloqueado, entonces
siempre es ms conductor con tensin
creciente. En una tensin de puerta de 10V
es su resistencia interna slo unos 7
miliohmios.

Una desventaja aparece en un primer

momento el voltaje de conduccin elevada de
aproximadamente 10 V, que no son
especiales de nivel lgico MOSFET de S
(LL) que estn llevando a cabo incluso a una
tensin de puerta de aproximadamente 4 V
.4,5. Estos FET puede ser controlada de
manera directa con niveles TTL.

El diagrama muestra el flujo de drenaje-

fuente de corriente de un SUP75N06-07L en
el mximo de drenaje-fuente de tensin y la
tensin creciente puerta-fuente.
Hasta una tensin de puerta de 2V, el FET
completamente bloqueado, entonces siempre
es ms conductor con tensin creciente. En
una tensin de puerta de 4,5 V es su
resistencia interna slo unos 7 miliohmios. En
10 V que se reduce a 6 miliohmios.

Tal LL-FET tpicamente han tolerar una

tensin soportada inferior, para tensiones
entre D y S. LL Muchos tipos de no ms de
30V.

Tipos

A continuacin se enumeran algunos tipos que estn disponibles para los aficionados. El
abuelo BUZ11 marca el extremo inferior de los FET de potencia. Tipos modernos tienen
caractersticas mucho mejores. La lista puede, por supuesto, slo unos pocos tipos de
lista de ejemplos.

La "informacin-de-bis 'en la resistencia interna a la LL-indica los tipos de la playa

de la resistencia interna a nivel TTL alto (4, 5 V, dependiendo del tipo) y en 10 V
tensin de puerta.
La resistencia interna se especifica para una temperatura de 25 C. Con la
temperatura de los aumentos de transistor, sino tambin su resistencia interna. Al
llegar a la temperatura mxima de funcionamiento, la resistencia interna se ha
duplicado.
Hay muchos tipos de paquetes de montaje superficial (A-263), pero yo prefiero el
paquete de To-220, ya que puede enfriar mucho mejor. Sin refrigeracin tolerar
incluso los mejores tipos de menos de 4 W.
En la IRL he descrito dos tipos de valores de las muestras DS. El valor entre
parntesis es el fabricante de semiconductores para el valor especificado. El valor
antes de los parntesis es la corriente continua mxima que puede tolerar el
paquete de To-220. Las 75A son, pues, el lmite de corriente real.
Tr + Tf es un marcador de la velocidad de conmutacin del MOSFET

La resistencia Tr +
Tipo Voltaje Corriente LL Rendimiento mx. Temperatura Viviendas
interna Tf
200
BUZ11 50 V 30 Un 30 mOhm no 75 W 150 C A-220
ns
SUP75N06- 115
60 V 75 Un 8 mOhm no 250 W 175 C A-220
08 ns
SUP75N06- Octavo 0,6
60 V 75 Un s 250 W 65 ns 175 C A-220
07L mOhm
Un 75 (130 Noveno 0,7 224
IRL1004 40 V s 200 W 175 C A-220
A) mOhm ns
Un 75 (89 218
IRL3705N 55 V 18a .10 mOhm s 170 W 175 C A-220
A) ns
Noveno 0,6 265
IRL3803 30 V 75 (140 A) s 200 W 175 C A-220
mOhm ns
SMP60N03-
30V 60 Un 10a 0,7 mOhm s 105 W 70 ns 150 C A-220
10L

IRL3803 tiene un precio de un toro por los cuernos de la electrnica a tan solo 1,40
(slo 0,60 y BUZ11 a). Estos componentes no son un lujo.
hasta

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Autor: sprut
de creacin: 07/07/2003
editado: 16/12/2009