CARACTERIZACIN FET NE4210S01 1

Caracterizacin Terica del FET NE4210S01

para un mezclador Activo a 2.4 GHz
(November 2008)

Mara Mnica Prieto Daz

AbstractCharacterizar a NE42S01 FET showing curves IDs Vs III. PARMETROS S

Vds , power gain and S params.
La determinacin de los parmetros S, se hizo a travs del
siguiente montaje, donde:
Vdc: 1.5 V
Index TermsParmetros S, Ganancia, Potencia de salida,
Componente fundamental de frecuencia, estabilidad. Vgs: -0.9 V (cerca del voltaje de pinch off).
L: 100nH
C: 100F
I. INTRODUCCIN

L A caracterizacin de un dispositivo en este caso del FET CHIPCAP

ID=C1
C=100 pF
Q=0
FQ=0 GHz

NE4210S01 proporciona una fuente de datos para saber

SUBCKT FR=2.4 GHz
ID=S1 ALPH=1
NET="NE4210S01_v116"
UgwNew=0.16
NfgNew=1

entre que rango lmite debe ser manejado un dispositivo para PORT
PORT
P=2
Z=50 Ohm

evitar daos al mismo y obtener buenos resultados de su

2
P=1
Z=50 Ohm
1 IND
ID=L1
L=100 nH

desempeo en un montaje especfico en este caso para ser CHIPCAP

ID=C3
C=100 pF
3

implementado en un mezclador activo, donde se requieren un

Q=0
FQ=0 GHz
DCVS
FR=2.4 GHz
ID=V1
ALPH=1
V=1 V

punto de polarizacin del FET, cierto valor de ganancia en IND

ID=L2
L=100 nH

dicho punto, y cuales son los datos proporcionados por el

fabricante para el dispositivo para estas figuras de mrito.
DCVS
ID=V2
V=-2 V

II. CARACTERSTICAS DEL FET NE4210S01

Fig.1. Caracterizacin Parmetros S para el NE42S01 en microwave office.

Segn la hoja de datos proporcionada por CEL:

Y la simulacin mostr el siguiente resultado:
Smbo. Parm. Unida. Valor Valor Valor
mn. tpico mximo
GA 2V, 10mA, dB 11.0 .13
F: 12GHz
NF 2V, 10mA dB 0.5 0.70
gm 2V, 10mA mS 40 55
IDSS 2V, 100uA mA 15 40 70
Vp VGS: -3V V -0.2 -0.7 -2.0

Fig.2. Simulacin Parmetros S para el NE42S01 en microwave office.

donde a la frecuencia de 2.4 GHz, el parmetro S11 :

CARACTERIZACIN FET NE4210S01 2

donde el punto de polarizacin corresponde al citado

S11 : 0.9976 < 14.05 anteriormente (punto P2 en la grfica).
S12 : 0 < 0
S 21 : 0 < 0 V. COMPONENTE FUNDAMENTAL DE FRECUENCIA
S 22 : 1 < 173.5
Para ello se determin para la simulacin un bias Tee ideal de
Para una impedancia de entrada aproximada de : la siguiente manera:

Z IN = 4.133 j 412.231

IV. CURVAS IDS VS VDS

Para la obtencin de las curvas caractersticas del

NE4210S01 :

SUBCKT
ID=S1
IVCURVE NET="NE4210S01_v116" Fig.5. Determinacin Componente fundamental de frecuencia en microwave
ID=IV1 UgwNew=0.16 office.
VSWEEP_start=0 V NfgNew=1
2
VSWEEP_stop=2.5 V y el resultado de la simulacin muestra que a 2.5 GHz la
VSWEEP_step=0.5 V componente fundamental de frecuencia para nuestro
VSTEP_start=-1 V dispositivo es : 7.784 dBm.
1
VSTEP_stop=0 V
VSTEP_step=0.1 V

3
Swp Step

Fig..3. Determinacin Curvas IDS Vs VDS en microwave office.

donde

Fig.6. Simulacin Componente fundamental de frecuencia en microwave

office.

VI. GANANCIA DEL DISPOSITIVO

Se determin a travs del parmetro S 21 en dB y al ganancia

en potencia con el parmetro G P , con el siguiente resultado:

Fig.4. Simulacin curvas IDS Vs VDS en microwave office.

CARACTERIZACIN FET NE4210S01 3

Fig.7. Determinacin de ganancia a travs del parmetro S21 y Gp para el Fig.9. Potenica de salida Vs frecuencia .
NE42S01 en microwave office.

S 21 = 27.27 dB
VIII. PUNTO INCERCEPTO DE TERCER ORDEN
GP = 9dB
Se determin con el fn de aproximar una idea acerca de la
potencia lmite de entrada que se le puede inyectar al
VII. POTENCIA DE SALIDA VS POTENCIA D E ENTRADA
dispositivo para antes de su saturacin:

Se estableci a travs del parmetro PT (potencia de

transductor) Vs la potencia de entrada con un barrido en dicha
seal de -10 a 10 dBm donde a 0 dBm la potencia de salida es
aproximadamente de : 8.54 dBm.

Fig.10. Determinacin Punto intercepto de tercer orden

una primera observacin nos acerca al valor de 0.219 dBm

de potencia de entrada.

Fig.8. Potencia de salida Vs potencia de entrada..

De igual modo se determin la misma potencia de salida Vs IX. ANLISIS DE ESTABILIDAD

la frecuencia con un resultado similar:
Se hizo a travs del modelo lineal para el NE4210S01:

Fig.11. Modelo lineal del dispositivo para clculoestabilidad

con el siguiente resultado:

CARACTERIZACIN FET NE4210S01 4

Fig.14. Simulacin modelo lineal con resistencia de carga.

Fig.12. Simulacin de la estabilidad en microwave office.

donde los nuevos valores son:
En la grfica anterior se pueden observar los parmetros S
obtenidos en magnitud para este modelo y el factor de Rollet
S11 : 0.192 dB
(k) que determina la estabilidad del transistor:
S 21 : 2.83 dB
S11 : 0.3921 dB S 22 : 5.94 dB
S 21 : 19.23 dB K : 1.01 dB
S 22 : 4.267 dB
El nuevo valor de K indica que a partir de ese valor de carga
K : 0.3103 el dispositivo comienza a ser estable.

Observando el valor del factor K se observa que el dispositivo

es inestable y se debe pensar en una resistencia de carga que
logre el efecto contrario de la siguiente forma:

X. REFERENCIAS
[1]. Maas Stephen A., The RF and Microwave Circuit Design Cookbook,
Artech House, United States 1998, pp.175-210..
[2]. Datasheet NE4210S1, CEL, pp.1-7..
[3]. Herramienta de diseo microwave Office.

Fig.13. Modelo lineal para clculo de estabilidad con resistencia de carga.

Donde se sintoniz el valor de una resistencia de carga y se

determin que a partir del valor de 18 el dispositivo se
vuelve estable como se ve en la simulacin: