Electronica Potencia

Escuela Politcnica Superior.
Universidad de Jan (Espaa)

Departamento Ingeniera Electrnica y Automtica
Juan D. Aguilar Pea

Marta Olid Moreno
jaguilar@ujaen.es
http://blogs.ujaen.es/jaguilar/
Electrnica de Potencia
Juan Domingo Aguilar Pea 2005
Escuela Politcnica Superior. Universidad de Jan (Espaa)

Departamento Ingeniera Electrnica y Automtica
Este manual electrnico llamado

ELECTRNICA DE POTENCIA
tiene licencia Creative Commons
ndice General
UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA. EVALUACIN.
Tema 0.- INTRODUCCIN ELECTRNICA DE POTENCIA
UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS

SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Tema 1.- REPASO CONCEPTOS: POTENCIA ELCTRICA.

ARMNICOS.
Tema 2.- ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Tema 3.- DISIPACIN DE POTENCIA
UNIDAD N 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Tema 4.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA
UNIDAD N 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS
Tema 5.- TIRISTOR.
Tema 6.- GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE

APLICACIONES
UNIDAD N 4. CONVERTIDORES
Tema 7.- CONVERTIDORES AC/DC: RECTIFICACION.
Tema 8.- FILTRADO Y FUENTES REGULADAS
Tema 9.- CONVERTIDORES DC/DC
Tema 10.- INTRODUCCIN A LAS CONFIGURACIONES BSICAS DE

LAS FUENTES DE ALIMENTACIN CONMUTADAS
Tema 11.- CONVERTIDORES DC/AC: INVERSORES.
MANUAL DE USUARIO

UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA

UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE
POTENCIA
Tema 0.- Introduccin a la Electrnica de Potencia

Introduccin. Concepto de electrnica de potencia. Evolucin tecnolgica y
dispositivos. Convertidores. Ejemplos de aplicacin
Prof. J.D. Aguilar Pea

Departamento de Electrnica. Universidad Jan
jaguilar@ujaen.es
http://voltio.ujaen.es/jaguilar
0.1 Introduccin 1
0.2 Electrnica de potencia 1
0.3 Campos de aplicacin 2
0.4 Procedimientos de conversin 3
0.5 Requisitos del dispositivo electrnico de potencia 4
0.6 Componentes de base en la electrnica de potencia 4
0.6.1.- Comparacin de semiconductores con capacidad de corte 6
0.7 Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores 6
0.8 Clasificacin de los convertidores de potencia 8
0.8.1 Segn el modo de conmutacin 8
0.8.2 Segn el tipo de conversin 9
0.8.3 Segn el tipo de energa 12

TEMA 0: INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA
0.1 Introduccin
La Electrnica de Potencia es la parte de la electrnica que estudia los dispositivos y los circuitos
electrnicos utilizados para modificar las caractersticas de la energa elctrica, principalmente su
tensin y frecuencia.
Esta rama de la electrnica no es reciente, aunque se puede decir que su desarrollo ms espectacular
se produjo a partir de la aparicin de los elementos semiconductores, y ms concretamente a partir de
1957, cuando Siemens comenz a utilizar diodos semiconductores en sus rectificadores.
La Electrnica de Potencia se ha introducido de lleno en la industria en aplicaciones tales como las
fuentes de alimentacin, cargadores de bateras, control de temperatura, variadores de velocidad de
motores, etc. Es la Electrnica Industrial quien estudia la adaptacin de sistemas electrnicos de
potencia a procesos industriales. Siendo un sistema electrnico de potencia aquel circuito electrnico
que se encarga de controlar un proceso industrial, donde interviene un transvase y procesamiento de
energa elctrica entre la entrada y la carga, estando formado por varios convertidores, transductores
y sistemas de control, los cuales siguen hoy en da evolucionando y creciendo constantemente.
El campo de la Electrnica de Potencia puede dividirse en grandes disciplinas o bloques temticos:
Electrnica
Industrial
Electrnica de Convertidores de
Regulacin y Control Potencia
Aplicaciones a
Procesos Industriales Componentes
Electrnicos de Potencia
Fig 0.1 Bloques temticos que comprende la Electrnica de Potencia
El elemento que marca un antes y un despus en la Electrnica de Potencia es sin duda el Tiristor
(SCR, Semiconductor Controlled Rectifier), cuyo funcionamiento se puede asemejar a lo que sera
un diodo controlable por puerta. A partir de aqu, la familia de los semiconductores crece
rpidamente: Transistores Bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor); MOSFET de potencia;
Tiristor bloqueable por puerta (GTO, Gate turn-off Thyristor); IGBT, Insulate Gate Bipolar
Transistor; etc., gracias a los cuales, las aplicaciones de la electrnica de potencia se han
multiplicado.
Una nueva dimensin de la electrnica de potencia aparece cuando el control de los elementos de
potencia se realiza mediante la ayuda de sistemas digitales (microprocesadores, microcontroladores,
etc). Esta combinacin deriv en una nueva tecnologa, que integra en un mismo dispositivo,
elementos de control y elementos de potencia. Esta tecnologa es conocida como Smart - Power y su
aplicacin en industria, automovilismo, telecomunicaciones, etc. tiene como principal lmite la
disipacin de elevadas potencias en superficies semiconductoras cada vez ms pequeas.
0.2 Electrnica de potencia

El trmino Electrnica de Potencia cubre una amplia serie de circuitos electrnicos en los cuales el
objetivo es controlar la transferencia de energa elctrica. Se trata por tanto de una disciplina
Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid 1
comprendida entre la Electrotcnia y la Electrnica. Su estudio se realiza desde dos puntos de vista:
el de los componentes y el de las estructuras.
En el proceso de conversin de la naturaleza de la energa elctrica, toma vital importancia el
rendimiento del mismo. La energa transferida tiene un valor elevado y el proceso debe realizarse de
forma eficaz, para evitar que se produzcan grandes prdidas. Dado que se ponen en juego tensiones e
intensidades elevadas, si se trabaja en la zona lineal de los semiconductores, las perdidas de potencia
pueden llegar a ser excesivamente elevadas, sobrepasando en la inmensa mayora de los casos las
caractersticas fsicas de los mismos, provocando considerables prdidas econmicas y materiales.
Parece claro que se debe trabajar en conmutacin.
0.3 Campos de aplicacin

En general los sistemas de potencia se utilizan para accionar cualquier dispositivo que necesite una
entrada de energa elctrica distinta a la que suministra la fuente de alimentacin primaria. Podemos
encontrar aplicaciones de baja potencia, media y alta, con un amplio margen, desde algunos cientos
de vatios hasta miles de kilovatios.
[0_1]
Veamos a continuacin algunas de las aplicaciones industriales de cada uno de los convertidores:
Rectificadores:
- Alimentacin de todo tipo de sistemas electrnicos, donde se necesite energa elctrica en
forma de corriente continua.
- Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Mquinas herramienta,
carretillas elevadoras y transportadoras, trenes de laminacin y papeleras.
- Transporte de energa elctrica en c.c. y alta tensin.
- Procesos electroqumicos.
- Cargadores de bateras.
Reguladores de alterna:
- Calentamiento por induccin.
- Control de iluminacin.
- Control de velocidad de motores de induccin.
- Equipos para procesos de electrodeposicin.
Cambiadores de frecuencia:
- Enlace entre dos sistemas energticos de corriente alterna no sincronizados.
- Alimentacin de aeronaves o grupos electrgenos mviles.
Inversores:
- Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones industriales.
- Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales, tales como la
fotovoltaica o elica
- Calentamiento por induccin.
- SAI
Troceadores:
- Alimentacin y control de motores de continua.
- Alimentacin de equipos electrnicos a partir de bateras o fuentes autnomas de corriente
continua.

0.4 Procedimientos de conversin

En general, cualquier conversin de energa elctrica se puede realizar por procedimientos
electromecnicos o por procedimientos electrnicos.
La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrnicos, hace que se apliquen para
resolver procesos cada vez ms complejos. Un equipo electrnico de potencia consta
fundamentalmente de dos partes, tal como se simboliza en la siguiente figura:
Energa Elctrica
de entrada CIRCUITO DE
POTENCIA carga
Alimentacin Informacin Seales

gobierno
CIRCUITO AUXILIAR
Circuito Disparo y
Bloqueo Circuito de Control
Fig 0.2 Diagrama de bloques de un sistema de potencia
1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos,

que liga la fuente primaria de alimentacin con la carga.
2. Un circuito de mando, que elabora la informacin proporcionada por el circuito de potencia
y genera unas seales de excitacin que determinan la conduccin de los semiconductores
controlados con una fase y secuencia conveniente.
Diferencia entre la electrnica de seal y electrnica de potencia:
En la electrnica de seal se vara la cada de tensin que un componente activo crea en un circuito
habitualmente alimentado en continua. Esta variacin permite, a partir de una informacin de
entrada, obtener otra de salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relacin entre las
seales de entrada y salida, examinando posteriormente la potencia suministrada por la fuente
auxiliar que requiere para su funcionamiento. La funcin de base es la amplificacin y la principal
caracterstica es la ganancia.
Fig 0.3 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Seal
En la electrnica de potencia el concepto principal es la conversin de energa y el rendimiento.

Partimos de una seal de gran potencia, que es tratada en un sistema cuyo control corre a cargo de
una seal llamada de control o cebado, obteniendo a la salida del sistema una seal cuya potencia ha
sido modificada convenientemente.

Fig 0.4 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Potencia
0.5 Requisitos del dispositivo electrnico de potencia

Un dispositivo bsico de potencia debe cumplir los siguientes requisitos:
Tener dos estados bien diferenciados, uno de alta impedancia (idealmente infinita), que
caracteriza el estado de bloqueo y otro de baja impedancia (idealmente cero) que caracteriza el
estado de conduccin.
Capacidad de soportar grandes intensidades con pequeas cadas de tensin en estado de
conduccin y grandes tensiones con pequeas corrientes de fugas cuando se encuentra en estado
de alta impedancia o de bloqueo.
Controlabilidad de paso de un estado a otro con relativa facilidad y poca disipacin de potencia.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro y capacidad para poder trabajar a
frecuencias considerables.
De los dispositivos electrnicos que cumplen los requisitos anteriores, los ms importantes son el
Transistor de Potencia y el Tiristor. Estos dispositivos tienen dos electrodos principales y un tercer
electrodo de control. Muchos circuitos de potencia pueden ser diseados con transistores, siendo
intercambiables entre s en lo que se refiere al circuito de potencia exclusivamente y siendo
diferentes los circuitos de control segn se empleen Transistores o Tiristores.
0.6 Componentes de base en la electrnica de potencia.

Los componentes semiconductores de potencia que vamos a caracterizar se pueden clasificar en tres
grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad:
Diodos: Estado de ON y OFF controlables por el circuito de potencia.
Tiristores: Fijados a ON por una seal de control pero deben conmutar a OFF mediante el circuito de
potencia.
Conmutadores Controlables: Conmutados a ON y a OFF mediante seales de control.(BJT,
MOSFET, GTO, IGBT's).
Diodo:
Es el elemento semiconductor formado por una sola unin PN. Su smbolo se muestra a
continuacin:
Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de

conduccin. El nico procedimiento de control consiste en invertir la tensin nodo ctodo, no
disponiendo de ningn terminal de control.
Tiristores.
Dentro de la denominacin general de tiristores se consideran todos aquellos componentes
semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin
regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios tipos, de los cuales el ms empleado es el
rectificador controlado de silicio (SCR), aplicndole el nombre genrico de tiristor.
Dispone de dos terminales principales, nodo y ctodo, y uno auxiliar de disparo o puerta. En la
figura siguiente se muestra el smbolo.
La corriente principal circula del nodo al ctodo. En su estado de OFF, puede bloquear una tensin
directa y no conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo
independientemente del signo de la tensin Vak. El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un
pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo instante. La cada de tensin
directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3V).
Una vez empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta desaparezca, no
pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la corriente del nodo tiende a ser negativa, o
inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor.
Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):

Funcionamiento muy similar al SCR pero incorporando la capacidad de bloquearse de forma
controlada mediante una seal de corriente negativa por puerta. Mayor rapidez frente a los SCR,
soportando tensiones y corrientes cercanas a las soportadas por los SCRs. Su principal inconveniente
es su baja ganancia de corriente durante el apagado, lo cual obliga a manejar corrientes elevadas en la
puerta, complicando el circuito de disparo. Su smbolo es el siguiente:
Bipolar Junction Transistor (BJT):

La figura siguiente muestra el smbolo de un transistor bipolar NPN y PNP:
Manejan menores voltajes y corrientes que el SCR, pero son ms rpidos. Fciles de controlar por el
terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal
ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Como inconveniente destacaremos su poca ganancia
con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.

Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):
El control del MOSFET se realiza por tensin, teniendo que soportar solamente un pico de corriente
para cargar y descargar la capacidad de puerta. Como ventajas destacan su alta impedancia de
entrada, velocidad de conmutacin, ausencia de ruptura secundaria, buena estabilidad trmica y
facilidad de paralelizarlos. En la siguiente figura se muestra el smbolo de un MOSFET de canal N y
un MOSFET de canal P.
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):
El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs, aprovechando la facilidad del disparo
del MOSFET al controlarlo por tensin y el tipo de conduccin del bipolar, con capacidad de
conducir elevadas corrientes con poca cada de tensin.
Su smbolo es el siguiente:
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como el Mosfet, y bajas prdidas de conduccin en
estado activo como el Bipolar. Pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como los
BJT.
El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del
IGBT es inferior a la de los MOSFETs.
0.6.1.- COMPARACIN DE SEMICONDUCTORES CON CAPACIDAD DE

CORTE.
Rapidez de
Elemento Potencia conmutacin
MOSFET Baja Alta

BIPOLAR Media Media
IGBT Media Media
GTO Alta Baja
0.7 Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores.

Durante los aos setenta, los Tiristores (SCRs), los Tiristores Bloqueables por Puerta (GTOs); y los
Transistores Bipolares (BJTs) constituan los dispositivos de potencia primordiales, mientras que los
Transistores MOSFETs eran todava demasiado recientes para participar en las aplicaciones de
potencia. Los SCRs y los BJTs de aquella poca podan conmutar a frecuencias entre 1 y 2KHz .

Durante los aos ochenta se consiguieron bastantes avances, tales como reduccin de la resistencia
en conmutacin de los transistores MOSFETs, aumento de la tensin y la corriente permitida en los
GTOs, desarrollo de los dispositivos hbridos MOS-BIPOLAR tales como los IGBTs, as como el
incremento de las prestaciones de los circuitos integrados de potencia y sus aplicaciones.
Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya que poseen una mayor velocidad de conmutacin, un rea
de operacin segura ms grande y un funcionamiento ms sencillo, en aplicaciones de reguladores de
alta frecuencia y precisin para el control de motores.
Los GTOs son empleados con asiduidad en convertidores para alta potencia, debido a las mejoras en
los procesos de diseo y fabricacin que reducen su tamao y mejoran su eficiencia. Aparecen los
IGBTs, elementos formados por dispositivos Bipolares y dispositivos MOS, estos dispositivos se
ajustan mucho mejor a los altos voltajes y a las grandes corrientes que los MOSFETs y son capaces
de conmutar a velocidades ms altas que los BJTs.
Los IGBTs pueden operar por encima de la banda de frecuencia audible, lo cual, facilita la reduccin
de ruidos y ofrece mejoras en el control de convertidores de potencia. Mediados los aos ochenta
aparecen los dispositivos MCT que estn constituidos por la unin de SCRs y MOSFETs.
En la dcada de los noventa los SCRs van quedando relegados a un segundo plano, siendo
sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de conmutacin en dispositivos MOSFETs e
IGBTs, mientras que los BJTs son gradualmente reemplazados por los dispositivos de potencia
anteriores. Los C.I. (circuitos integrados) de potencia tienen una gran influencia en varias reas de la
electrnica de potencia.
Para concluir, decir que tecnolgicamente se tiende a fabricar dispositivos con mayores velocidades
de conmutacin, con capacidad para bloquear elevadas tensiones, permitir el paso de grandes
corrientes y por ltimo, que tengan cada vez, un control ms sencillo y econmico en consumo de
potencia.
En la figura 0.5 se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos semiconductores, en
cuanto a potencia controlada y frecuencias de conmutacin. Dispositivos que pueden controlar
elevadas potencias, como el Tiristor (104 KVA) estn muy limitados por la frecuencia de
conmutacin (orden de KHz), en el lado opuesto los MOSFETs pueden conmutar incluso a
frecuencias de hasta 103 KHz pero la potencia apenas alcanza los 10 KVA, en la franja intermedia se
encuentran los BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs permiten una mayor frecuencia de
conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con control de potencias de unos 2000 KVA, por ltimo los
IGBTs parecen ser los mas ideales para aplicaciones que requieran tanto potencias como frecuencias
intermedias.
P (KVA)
104
SCR
103 GTO
IGBT
102
BJT
101
MOS
100
10-1 100 101 102 103 f (KHZ)
Fig 0.5 Caractersticas frecuencia potencia conseguidas, durante los aos 90, para los distintos tipos de semiconductores de potencia.
Todas estas consideraciones justifican la bsqueda de nuevos dispositivos y la incesante evolucin

desde la aparicin de los semiconductores, siempre buscando el estado ideal; poder controlar la
mxima cantidad de potencia, pudiendo hacer que los dispositivos conmuten a la mas alta frecuencia
con el consiguiente beneficio en rapidez y en eliminacin de ruidos pues interesa conmutar a
velocidades superiores a la frecuencia audible (20 kHz)
En la figura 0.6 se pueden apreciar algunas de las principales aplicaciones de los distintos
semiconductores, a lo largo de su historia, as como las cotas de potencia y frecuencias de
conmutacin alcanzadas y su previsible evolucin futura, Destacar la utilizacin de SCRs en
centrales de alta potencia; los GTOs para trenes elctricos; Modulos de Transistores, modulos de
MOSFETS, IGBTs y GTOs para sistemas de alimentacin ininterrumpida, control de motores,
robtica (frecuencias y potencias medias, altas); MOSFETs para automocin, fuentes conmutadas,
reproductores de video y hornos microondas (bajas potencias y frecuencias medias); y por ltimo
mdulos de Transistores para electrodomsticos y aire acondicionado (potencias bajas y frecuencias
medias).
Fig 0.6 Aplicaciones generales de los semiconductores en la industria.[Rashid,1995]
0.8 Clasificacin de los convertidores de potencia [Bhler, 1998]

Los equipos de potencia se pueden clasificar:
- Segn el modo de conmutacin

- Segn el tipo de conversin.
- Segn el tipo de energa que los alimenta.
0.8.1 SEGN EL MODO DE CONMUTACIN

Cuado se intentan clasificar los convertidores segn el modo de conmutacin, hay que tener en
cuenta la forma en que se provoca el bloqueo del elemento semiconductor es decir el paso de
conduccin a corte; generalmente ste est provocado por la conmutacin de corriente de un
elemento rectificador a otro. Se pueden distinguir tres casos: sin conmutacin, con conmutacin
natural y con conmutacin forzada.

Sin conmutacin
Este tipo de convertidores se caracteriza por el hecho de que la corriente por la carga se anula a la
misma vez que se anula la corriente por el elemento rectificador. Como ejemplo podemos citar un
regulador de corriente interna con dos tiristores.
Conmutacin natural
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro se provoca con la ayuda de tensiones alternas
aplicadas al montaje del convertidor esttico. Como ejemplo podemos citar un rectificador
controlado con SCR.
[0_2]
Conmutacin forzada
El paso de corriente de un elemento rectificador a otro, est provocado generalmente por la descarga
de un condensador o red LC que forma parte del convertidor. Como ejemplo podemos citar un
convertidor dc-dc con tiristor.
0.8.2 SEGN EL TIPO DE CONVERSIN

Los equipos de potencia se pueden clasificar segn el tipo de conversin de energa que realizan,
independientemente del tipo de conmutacin utilizada para su funcionamiento.
A. Contactor de corriente
Es un dispositivo esttico que permite conectar y desconectar la carga instalada a su salida, con la
ayuda de una seal de control de tipo lgico.
Fig 0.7 Contactor de corriente
Su caracterstica fundamental es que la frecuencia a su salida es igual a la de entrada. La tensin de

salida es igual a la de entrada si el contactor de corriente est cerrado (c = 1). La corriente de salida
depende de la carga. Si el contactor est abierto (c = 0), la corriente de salida Is es nula. La potencia
activa P se dirige de la entrada hacia la salida. Se dice entonces que el contactor funciona en el
primer cuadrante del plano Is - Us con dos estados bien diferenciados. OFF - ON
B. Variador de corriente
Su funcionamiento es idntico al del contactor de corriente, la nica diferencia est en que la seal de
control es de tipo analgico. Variando esta seal de forma continua, se hace variar la tensin de
salida Us entre 0 y la tensin de entrada Ue.
Fig 0.8 Variador de corriente o regulador

En realidad este dispositivo es un contactor de corriente que se desconecta y conecta peridicamente,

con lo que se consigue trocear la tensin de entrada. De esta manera, los valores medio y eficaz de la
tensin de salida son variables. Este dispositivo se conoce tambin con el nombre de regulador.
C. Rectificador
Este dispositivo convierte las tensiones alternas de su entrada en tensiones continuas a su salida. En
general, la tensin de salida es constante.
Fig 0.9 Rectificador
Es posible variar la tensin de salida de manera continua mediante una seal de control analgica. En
este caso se habla de rectificador controlado. Tanto la tensin como la corriente de salida slo pueden
ser positivas. La potencia activa P se dirige de la entrada a la salida.
D. Ondulador
Realiza la operacin inversa al rectificador, convirtiendo una tensin continua de entrada en una
tensin alterna a la salida.
Fig 0.10 Ondulador
La seal analgica de control tiene como misin adaptar el funcionamiento del ondulador en funcin
de una tensin de entrada variable, si la tensin de salida debe mantenerse constante, o para hacer
variar la tensin de salida si la tensin de entrada es constante. La potencia activa P se dirige desde la
entrada hacia la salida, es decir, del lado continuo al lado alterno del dispositivo.
E. Convertidor de corriente
Este dispositivo es capaz de funcionar como rectificador controlado o como ondulador. La entrada es
alterna, mientras que la salida es continua.
Fig 0.11 Convertidor de corriente
Es importante hacer notar que la corriente slo puede circular en una direccin dada la presencia de
elementos rectificadores que impiden el paso de la misma en sentido contrario. Si la tensin media a
la salida del convertidor es negativa la potencia entregada es negativa, indicando en este caso la
transferencia de energa desde la carga a la fuente primaria

F. Convertidor de corriente bidireccional

Est formado por dos convertidores de corriente. La corriente puede circular tanto de la entrada a la
salida, como de la salida a la entrada. Su polaridad y su valor, as como el signo de la tensin
continua de salida pueden ser variados mediante la seal analgica de control. El convertidor de
corriente bidireccional puede funcionar en los cuatro cuadrantes del plano Is - Us, por lo que la
potencia activa (P), puede ser positiva o negativa.
Fig 0.12 Convertidor de corriente bidireccional
G. Convertidor de frecuencia directo

Su funcionamiento bsico consiste en proporcionar una seal alterna de frecuencia distinta a la de la
seal alterna de entrada. Est constituido por un convertidor de corriente bidireccional. La potencia
activa puede circular de la entrada hacia la salida o viceversa.
Fig 0.13 Convertidor de frecuencia directo
H. Convertidor de frecuencia con circuito intermedio

A diferencia del circuito anterior, ahora la conversin de la frecuencia no se realiza de manera
directa, sino indirectamente. El dispositivo est formado por un rectificador a la entrada y un on-
dulador a la salida.
Fig 0.14 Convertidor de frecuencia con circuito intermedio

La tensin alterna de entrada de frecuencia fe se rectifica para obtener la tensin continua Ui del
circuito intermedio (con frecuencia fi = 0). Esta tensin se convierte en alterna mediante el uso de un
ondulador, y la frecuencia suele ser distinta a la de la entrada. El rectificador y el ondulador estarn
controlados de forma adecuada por dos seales analgicas. En el esquema de la figura se puede
apreciar que la potencia activa slo puede ir de la entrada a la salida.
0.8.3 SEGN EL TIPO DE ENERGA
De manera general se puede abordar el estudio de los distintos convertidores en funcin de los cuatro
tipos de conversin posibles.
Desde el punto de vista real, dado que el funcionamiento del sistema encargado de transformar el tipo
de presentacin de la energa elctrica viene condicionado por el tipo de energa disponible en su
entrada, clasificaremos los convertidores estticos de energa en funcin del tipo de energa elctrica
que los alimenta, tal y como se muestra en la siguiente figura:
Fig 0. 15 Clasificacin de los convertidores estticos segn la energa que los alimenta

Bibliografa bsica para estudio

HART, Daniel W. Electrnica de Potencia. Ed. Prentice Hall. Madrid 2001. ISBN 84-205-3179-0
RASHID, M. H. Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. Ed. Prentice Hall

Hispanoamericana, S.A. Mxico 1995.
Bibliografa ampliacin
BHLER, HANSRUEDI. Electrnica industrial: Electrnica de Potencia. Ed. Gustavo Gili, 1988.
ISBN: 84-252-1253-7
MOHAN, N.; UNDELAND, T. M.; ROBBINS W. P. Power electronics: Converters, Applications

and design. 2 Edicin. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1995.
SGUIER, G. Electrnica de potencia: los convertidores estticos de energa. Funciones de base.

Ed. Gustavo Gili. Barcelona, 1987. ISBN: 968-8887-063-3
Enlaces web interesantes

<www.powerdesigners.com/InfoWeb/resources/links/Power_links.shtm> [Consulta: 5 de julio de
2004]
Sitio web general pspice con mucha informacin <www.pspice.com > [Consulta: 5 de julio de 2004]
Interactive Power Electronics Seminar (iPES). <http://www.ipes.ethz.ch > [Consulta: 5 de julio de
2004]
Tutorial de electrnica de potencia de html Venkat Ramaswamy
<http://www.powerdesigner.com > [Consulta: 5 de julio de 2004]
www curso de electrnica de potencia ( Portugus)
<http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html > [Consulta: 5 de julio de 2004]
Applet Java de Semiconductores <http://jas.eng.buffalo.edu> [Consulta: 5 de julio de 2004]


UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DE POTENCIA
Tema 1.- Repaso conceptos: Potencia elctrica. Armnicos

Valor eficaz. Energa. Potencia media. Potencia aparente. Factor de potencia. Clculo
de potencia en circuitos de alterna con seales sinusoidales. Cargas lineales y no
lineales. Clculo para formas de onda peridicas no sinusoidales. Fourier. Fuente no
sinusoidal y carga lineal. Carga no lineal. Armnicos y anlisis con Pspice. Efectos
de los Armnicos: Amenazas, normativa, soluciones
Tema 2.- Elementos semiconductores de potencia
Tema 3.- Disipacin de potencia

jaguilar@ujaen.es
1.1 Introduccin 1
1.2 Conceptos bsicos 1
1.2.1 Bobinas y condensadores 1
1.3 Potencia en circuitos de alterna con seales sinusoidales 2
1.3.1 Potencia instantnea y potencia media 3
1.3.2 Potencia reactiva 3

1.3.3 Potencia compleja 4
1.3.4 Potencia aparente 5
1.3.5 Valor eficaz 5
1.3.6 Factor de potencia 6
1.4 Cargas lineales y no lineales 6
1.5 Cargas no lineales (descomposicin armnica) 7

1.5.1 Definicin de armnico 7
1.5.2 Orden del armnico 7
1.5.3 Espectro armnico 8
1.6 Series de Fourier 9
1.6.1 Anlisis de Fourier 10
Distorsin armnica total Total Harmonic Distortion(THD) 15
Valor efectivo o valor rms 16
Factor de cresta 16
Valor promedio 17
Factor de potencia y cos 17
Factor de desclasificacin K 18
1.6.2 Anlisis de fourier usando pspice 19
1.7 Algunos equipos deformantes 20
1.8 Clculos con ondas peridicas no sinusoidales 22

1.8.1 Fuente sinusoidal y carga lineal 22
1.8.2 Fuente sinusoidal y carga no lineal 22
1.9 Efectos de los armnicos 23
1.9.1.- Importancia del neutro 23
1.10 Legislacin 25
1.11 Soluciones 28
TEMA1: POTENCIA Y ARMNICOS
1.1 Introduccin
Los clculos de potencia son esenciales para el anlisis y diseo de los circuitos electrnicos de
potencia. En este tema vamos a revisar los conceptos bsicos sobre potencia, prestando especial
atencin a los clculos de potencia en circuitos con corrientes y tensiones peridicas no sinusoidales.
1.2 Conceptos bsicos

Potencia instantnea
La potencia instantnea de cualquier dispositivo se calcula a partir de la tensin en bornas del mismo
y de la corriente que le atraviesa.
p (t ) = v (t ) i (t ) E 1. 1
La relacin es vlida para cualquier dispositivo o circuito.

Generalmente la potencia instantnea es una magnitud que vara con el tiempo.
El dispositivo absorbe potencia si p(t) es positivo en un valor determinado de t y entrega potencia si
p(t) es negativa.
Energa
La energa o trabajo es la integral de la potencia instantnea.

W = p(t ) dt
t2
E 1. 2
t1
Si v(t) est expresada en voltios e i(t) en amperios, la potencia se expresar en vatios y la energa en
julios.
Potencia media
Las funciones de tensin y corriente peridicas producen una funcin de potencia instantnea
peridica. La potencia media es el promedio a lo largo del tiempo de p(t) durante uno o ms periodos.
Algunas veces tambin se denomina potencia activa o potencia real.
1 t 0 +T 1 t 0 +T
P= p(t ) dt = v(t )i(t ) dt E 1. 3
T t0 T t0
Donde T es el periodo de la forma de onda de potencia
1.2.1 BOBINAS Y CONDENSADORES
Las bobinas y condensadores tienen las siguientes caractersticas para tensiones y corrientes
peridicas:
i(t + T ) = i(t )
v(t + T ) = v(t )
Bobina
En una bobina, la energa almacenada es:
Universidad de Jan. J. D. Aguilar; M. Olid 1

1 2
WL = Li (t ) E 1. 4
2
Si la corriente de la bobina es peridica, la energa acumulada al final de un periodo es igual a la
energa que tena al principio. Si no existe transferencia de potencia neta:
PL = 0 La potencia media absorbida por una bobina es cero para funcionamiento peridico
en rgimen permanente.
La potencia instantnea no tiene por qu ser cero.
A partir de la relacin de tensin-corriente de la bobina:
1 t 0 +T
i(t 0 + T ) =VL (t ) dt + i(t 0 )
L t 0
E 1. 5
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas:

1 t 0 +T
i(t 0 + T ) i(t 0 ) = VL (t ) dt = 0 E 1. 6
L t0
L
Multiplicando por y sabiendo que i(t 0 + T ) = i(t 0 )
T
1 t 0 +T
med[VL (t )] = VL = v(t ) dt = 0
T t 0
La tensin media en extremos de una bobina es cero
Condensador
En una bobina, la energa almacenada es:

1 2
WC = cv (t ) E 1. 7
2
Si la tensin del condensador es una seal peridica:
PC = 0 La potencia media absorbida por el condensador es cero para funcionamiento peridico

en rgimen permanente.
A partir de la relacin de tensin-corriente del condensador:
1 t 0 +T
v (t 0 + T ) = i C (t ) dt + v(t 0 )
C t 0
E 1. 8
Al ser los valores inicial y final iguales para corrientes peridicas:
1 t 0 +T
v (t 0 + T ) v (t 0 ) = i C (t ) dt = 0
C t 0
E 1. 9
L
Multiplicando por y sabiendo que i(t 0 + T ) = i(t 0 )
T
1 t 0 +T
med[i C (t )] = I C = i(t ) dt = 0 La intensidad media por el condensador es cero
T t0
1.3 Potencia en circuitos de alterna con seales sinusoidales

Generalmente, las tensiones y/o corrientes en los circuitos electrnicos de potencia no son
sinusoidales. Sin embargo, una forma de onda peridica no sinusoidal puede representarse mediante
una serie de Fourier de componentes sinusoidales.

En los circuitos lineales con generadores sinusoidales, todas las corrientes y tensiones de rgimen
permanente son sinusoidales.
1.3.1 POTENCIA INSTANTNEA Y POTENCIA MEDIA
Para cualquier elemento de un circuito de alterna, supongamos que:
v(t ) = Vm cos(t + )
i(t ) = I m cos(t + )
Recordemos que la potencia instantnea de los circuitos de alterna es p(t ) = v(t ) i(t )
1 t 0 +T 1 t 0 +T
Y la potencia media: P = p(t ) dt = v(t )i(t ) dt
T 0
t T t0
Luego la potencia instantnea es:
p(t ) = v(t ) i(t ) = [Vm cos(t + )] [I m cos(t + )] E 1.10
1
Sabiendo que (cosA )(cosB) = [cos(A + B) + cos(A B)]
2
V I
p(t ) = m m [cos(2 t + + ) + cos( )] E 1.11
2
Y la potencia media es:
1 T V I T
P= p(t ) dt = m m [cos(2 t + + ) + cos( )]dt E 1.12
T 0 2T 0
El resultado de esta integral puede obtenerse por deduccin. Dado que el primer trmino de la
integral es una funcin coseno, la integral en un periodo es igual a cero y el segundo trmino es una
constante. Por tanto, la potencia media de cualquier elemento de un circuito de alterna es:
V I
P = m m cos( ) E 1.13
2
O bien
P = Vrms I rms cos( ) E 1.14
Vm Im
Siendo Vrms = , I rms = y cos( ) el ngulo de fase entre la tensin y la corriente.
2 2
Su unidad es el vatio (w). Esta potencia es la denominada potencia activa.
1.3.2 POTENCIA REACTIVA
La potencia reactiva se caracteriza por la acumulacin de energa durante una mitad del ciclo y la
devolucin de la misma durante la otra mitad del ciclo.
Q = Vrms I rms sen ( ) [1_1]
La unidad es el voltio-amperio reactivo (VAR)

Por convenio, las bobinas absorben potencia reactiva positiva y los condensadores absorben potencia
reactiva negativa.
1.3.3 POTENCIA COMPLEJA
La potencia compleja combina las potencias activa y reactiva para los circuitos de alterna:
S = P + jQ = (Vrms )(I rms ) * E 1.15
Vrms y I rms son magnitudes complejas que se expresan como fasores (magnitud y ngulo) y (I rms ) *
es el complejo conjugado de un fasor de corriente, lo que proporciona resultados coherentes con el
convenio de que la bobina absorbe potencia reactiva.
Esta ecuacin de potencia compleja no es aplicable a seales no sinusoidales.
[1_2] [1_3] [1_4]
Trazar el
tringulo de potencias de un circuito cuya impedancia es
z = 3 + j 4 y al que se le aplica un fasor de tensin V =100|30 volt.
V 100 30
Solucin: El fasor de intensidad de corriente es I = = = 20 23,1 A
z 5 53,1
Mtodo 1:
P = I 2 R = 20 2 3 = 1200 W
Q = I 2 x = 20 2 4 = 1600 VAR retraso
S = I 2 z = 20 2 5 = 2000 VA
fp = cos 53,1 = 0,6 en retraso
Mtodo 2:
S = V I = 100 20 = 2000 VA
P = V I cos = 2000 cos 53,1 = 1200 W
Q = V I sen = 2000 sen 53,1 = 1600 VAR retraso
fp = cos = 0,6 en retraso
Mtodo 3:
( )( )
S = V I * = 100 30 20 23,1 = 2000 53,1 = 1200 + j1600
P = 1200 W ; Q = 1600 VAR en retraso ; S = 2000 VA ; fp = cos = 0,6 en retraso
Mtodo 4:
( ) (
VR = R I = 20 23,1 3 = 60 23,1 ; VX = 20 23,1 4 90 = 80 66,9)( )
VR2 60 2 V 2 80 2
P= = = 1200 W ; Q = X = = 1600 VAR
R 3 X 4
V 2 100 2 P
S= = = 2000 VA ; fp = = 0,6 en retraso
z 5 S
[J. A. Edminister]

1.3.4 POTENCIA APARENTE
La potencia aparente se expresa de la siguiente forma:
S = VRMS I RMS E 1.16
Su unidad es el voltio-amperio (VA)
La potencia aparente en los circuitos de alterna es la magnitud de la potencia compleja:
S = S = P2 + Q2
Potencia Activa
Potencia aparente
Potencia reactiva
Fig 1.1 El smbolo de un condensador o un inductor indica de qu tipo son las

cargas, capacitivas o inductivas, respectivamente.
1.3.5 VALOR EFICAZ
El valor eficaz tambin es conocido como valor cuadrtico medio o rms. Se basa en la potencia
media entregada a una resistencia.
2
V
P = cc E 1.17
R
Para una tensin peridica aplicada sobre una resistencia, la tensin eficaz se define como una
tensin que proporciona la misma potencia media que la tensin continua. La tensin eficaz puede
calcularse:
2
V
P = ef E 1.18
R
Calculando la potencia media:
1 T 1 T 1 T v 2 (t ) 1 1 T
P= p (t ) dt = v ( t ) i ( t ) dt = dt = v 2 (t ) dt
T 0 T 0 T 0 R R T 0

Si igualamos estas dos ecuaciones:

2 2
V 1 1 T V 1 T 2
P = ef = v 2 (t ) dt = ef v (t ) dt
T 0
2
Vef =
R R T 0 R
1 T 2
v (t ) dt
T 0
2
Vef = VRMS
2
= E 1.19
2
Del mismo modo, la corriente eficaz se desarrolla a partir de P = I RMS R

1 T 2
i (t ) dt
T 0
2
I ef = I 2RMS = E 1.20
1.3.6 FACTOR DE POTENCIA

El factor de potencia de una carga se define como el cociente de la potencia media o activa y la
potencia aparente:
Potencia Activa P P
FP = = = = cos( ) E 1.21
Potencia Aparente S VRMS I RMS
Esta ecuacin de factor de potencia tampoco es aplicable a seales no sinusoidales, como se

ver posteriormente.
El factor de potencia utiliza el valor total de RMS, incluyendo as todos los armnicos, para su
clculo.
f.p. Interpretacin
0a1 No se consume toda la potencia suministrada, presencia de potencia reactiva.

1 El dispositivo consume toda la potencia suministrada, no hay potencia reactiva.
-1 El dispositivo genera potencia, corriente y tensin en fase.
-1 a 0 El dispositivo genera potencia, adelantos o retrasos de corriente
1.4 Cargas lineales y no lineales.

Hasta ahora, la mayor parte de las cargas utilizadas en la red elctrica eran cargas lineales, cargas que
daban lugar a corrientes con la misma forma de onda que la tensin, es decir, prcticamente
sinusoidales.
Con la llegada de la electrnica integrada a numerosos dispositivos elctricos, las cargas producen
corrientes distorsionadas cuya forma ya no es sinusoidal. Estas corrientes estn compuestas por
armnicos, cuya frecuencia es mltiplo de la frecuencia fundamental de 50 Hz.
CARGA LINEAL:
Una carga se dice lineal cuando la corriente que ella absorbe tiene la
misma forma que la tensin que la alimenta. Esta corriente no tiene
componentes armnicos.
Ejemplo: resistencias de calefactores, cargas inductivas en rgimen
permanente (motores, transformadores...)
CARGA NO LINEAL O DEFORMANTE:

Una carga se dice no lineal cuando la corriente que ella absorbe no es
de la misma forma que la tensin que la alimenta. Esta corriente es
rica en componentes armnicos donde su espectro ser funcin de la
naturaleza de la carga.
Ejemplo: fuentes de alimentacin, control de motores de induccin,
entrehierro del transformador y en general cualquier carga que
incorpore un convertidor esttico de potencia.

[1_5]
[1_6]
Fig 1.2 Las cargas lineales pueden provocar que entre la corriente y la tensin
exista un desfase, sin embargo no provocan la deformacin de la forma de onda.
Son cargas lineales las cargas resistivas, inductivas y capacitivas.
[1_7]
[1_8]
Fig 1.3 A diferencia de las anteriores, las cargas no lineales se caracterizan por
producir una deformacin de la onda de corriente.
1.5 Cargas no lineales (descomposicin armnica)

1.5.1 DEFINICIN DE ARMNICO.
Una perturbacin armnica es una deformacin de la forma de onda respecto de la senoidal pura
terica.
Segn la norma UNE EN 50160:1996, una tensin armnica es una tensin senoidal cuya frecuencia
es mltiplo entero de la frecuencia fundamental de la tensin de alimentacin.
Podemos definir los armnicos como oscilaciones senoidales de frecuencia mltiplo de la
fundamental.
1.5.2 ORDEN DEL ARMNICO

Los armnicos se clasifican por su orden, frecuencia y secuencia
Orden 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... n
Frec. 50 100 150 200 250 300 350 400 450 ... n*50
Sec + - 0 + - 0 + - 0 ... ...

El orden del armnico es el nmero entero de veces que la frecuencia de ese armnico es mayor que
la de la componente fundamental. Por ejemplo, el armnico de orden 7 es aquel cuya frecuencia es 7
veces superior a la de la componente fundamental, si la componente fundamental es de 50 Hz el
armnico de orden 7 tendra una frecuencia de 350 Hz. En una situacin ideal donde slo existiera
seal de frecuencia 50 Hz, slo existira el armnico de orden 1 o armnico fundamental.
Se observa en la tabla que hay dos tipos de armnicos, los impares y los pares. Los armnicos
impares son los que se encuentran en las instalaciones elctricas, industriales y edificios comerciales.
Los armnicos de orden par slo existen cuando hay asimetra en la seal debida a la componente
continua.
En un sistema trifsico no distorsionado las corrientes de las tres fases llevan un cierto orden. Si el
sistema es simtrico y la carga tambin las tres ondas de corriente tendrn el mismo mdulo y estarn
desfasadas 120; diremos que la secuencia es directa si el orden con que las tres ondas pasan
sucesivamente por un estado es ABC y diremos que es inversa si es ACB. Con ondas distorsionadas
se puede hacer el mismo planteamiento para cada uno de los armnicos. Cuando el sistema est
formado por ondas iguales en fase se denomina homopolar.
Si la secuencia de las ondas fundamentales es directa, todos los armnicos de orden 3n-2 sern de
secuencia directa, los de orden 3n-1 de secuencia inversa y los de orden 3n de secuencia homopolar.
Si utilizamos como ejemplo un motor asncrono trifsico de 4 hilos, entonces los armnicos de
secuencia directa o positiva tienden a hacer girar al motor en el mismo sentido que la componente
fundamental. Como consecuencia provocan una sobrecorriente en el motor que hace que se caliente.
Provocan en general calentamientos en cables, motores, transformadores. Los armnicos de
secuencia negativa hacen girar al motor en sentido contrario al de la componente fundamental y por
lo tanto frenan al motor, provocando tambin calentamientos. Los armnicos de secuencia neutra (0)
o homopolares, no tienen efectos sobre el giro del motor pero se suman en el hilo neutro, provocando
una circulacin de corriente de hasta 3 veces mayor que el 3 armnico que por cualquiera de los
conductores, provocando calentamientos.
[1_9]
1.5.3 ESPECTRO ARMNICO.
El espectro armnico permite descomponer una seal en sus armnicos y representarlo mediante un
grfico de barras, donde cada barra representa un armnico, con una frecuencia, un valor eficaz,
magnitud y desfase.
Fig 1.4 Espectro armnico o diagrama de barras. Cada barra representa un

armnico, y para cada armnico se proporciona, en la parte superior derecha, su
orden, su frecuencia, los amperios eficaces, valor porcentual de ese armnico
con respecto al fundamental o al total, y el desfase con respecto a la
fundamental. En este ejemplo se puede observar como los armnicos
predominantes son, adems del fundamental, el 3, 5 y 9.
Es una representacin en el dominio de la frecuencia de la forma de onda que se puede observar con
un osciloscopio.

Es necesario utilizar instrumentos de medida de tecnologa adecuada, capaces de medir el valor

eficaz real de una seal de corriente o de tensin. El anlisis y la interpretacin de los datos medidos,
en trminos de contaminacin armnica, podrn hacerse de manera clara a partir de un equipo
apropiado.
Fig 1.5 Medidor Fluke 43B. (Cortesa de Fluke)
En la figura podemos ver un medidor especfico de la marca Fluke (Fluke 43B analizador de
potencia).
Nos permite ver representadas las formas de onda de la tensin y de la corriente, como en un
osciloscopio y adems da directamente las potencias activa, reactiva y aparente, factor de
desplazamiento y factor de potencia. Permite obtener la descomposicin armnica de la seal.
Puedes practicar con el demo de este aparato pinchando sobre el enlace
En el resto del tema trataremos de estudiar ms a fondo los diferentes valores representados.
1.6 Series de Fourier

Los circuitos electrnicos de potencia tienen, normalmente, tensiones y/o corrientes que son
peridicas pero no sinusoidales.
Las series de Fourier pueden utilizarse para describir formas de onda peridicas no sinusoidales en
trminos de una serie de sinusoides, o dicho de otra forma:
Una forma de onda peridica no sinusoidal puede describirse

mediante una serie de Fourier de seales sinusoidales.

1.6.1 ANLISIS DE FOURIER
Las funciones peridicas pueden ser descompuestas en la suma de:
a) Un trmino constante que ser la componente continua.

b) Un trmino sinusoidal llamado componente fundamental, que ser de la misma frecuencia
que la funcin que se analiza.
c) Una serie de trminos sinusoidales llamados componentes armnicos, cuyas frecuencias son
mltiplos de la fundamental.

a0
v 0 (t ) = + (a n Cos n t + b n Sen n) E 1.22
2 n =1,2,..
a0/2 es el valor medio de la tensin de salida, vo(t). Las constantes a0, an y bn pueden ser determinadas
mediante las siguientes expresiones:
2 T 1 2

a0 =v 0 (t ) dt = v 0 (t ) d t
T 0 0
2 T 1 2
a n = v 0 (t ) Cos ntd= v 0 (t ) Cos ntdt n = 1,2,3...
T 0 0
2 T 1 2
b n = v 0 (t )Sen n t dt = v 0 (t )Sen n tdt n = 1,2,3...
T 0 0
Los trminos an y bn son los valores de pico de las componentes sinusoidales. Como para cada
armnico (o para la fundamental) estas dos componentes estn desfasadas 90, la amplitud de cada
armnico (o de la fundamental) viene dada por:
2 2
Cn = a n + bn
Si desarrollamos el trmino de la ecuacin [E 1.22]:
an bn
a n Cos n t + b n Sen n t = a n + b n Sen n t
2 2
Cos n t +
2 2 2 2
a n + bn a n + bn
y de esta ecuacin podemos deducir un ngulo n, que estar definido por los lados de valores an y bn,
y Cn como hipotenusa:
a n Cos n t + b n Sen n t = a n + b n (Sen n Cos n t + Cos n Sen n t ) =

2 2
= a n + b n Sen (n t + n )
2 2
a
donde n = tan 1 n
bn
Sustituyendo en la ecuacin [E 1.22], el valor instantneo de la tensin representada en serie de Fourier

ser:

a0
v 0 (t ) = + C n Sen (n t + n ) E 1.23
2 n =1,2,...

Cn es el valor de pico, y n el ngulo de retardo de la componente armnica de orden n de la

tensin de salida, o tambin:
a0
b
v 0 (t ) = + C n Cos(n t + n ) n = arctg n
2 n =1,2,... an
Computadoras. Se tiene una fuente de voltaje sin distorsin a una frecuencia de

rad
50 Hz, v(w 0 t ) = 220 2 sen (w 0 t ) V , donde 0 = 100 . Una
s
computadora extrae 0,6 A rms de corriente. Dicha corriente puede aproximarse utilizando la
siguiente receta de Fourier:
% fundamental % de total Signo del sen

Fundamental 100.0 67.88 +
Tercera 80.1 54.37 -
Quinta 60.6 41.13 +
Sptima 37.0 25.12 -
Novena 15.7 10.67 +
Aplicando la receta anterior tenemos lo siguiente:
De fundamental: i1 ( 0 t ) = 0,6 0.6788 2 sen (1 0 t ), A
De tercera armnica: i 3 ( 0 t ) = 0,6 0.5437 2 sen (3 0 t ), A
De quinta armnica: i 5 ( 0 t ) = 0,6 0.4113 2 sen (5 0 t ), A
De sptima armnica: i 7 ( 0 t ) = 0,6 0.2512 2 sen (7 0 t ), A
De novena armnica: i 9 ( 0 t ) = 0,6 0.1067 2 sen (9 0 t ), A
La suma fundamental y armnica es:
i( 0 t ) = +0,576 sen (1 0 t ) 0,461 sen (3 0 t ) + 0,349 sen (5 0 t ) 0,213 sen (7 0 t )

+ 0,09 sen (9 0 t )
En la siguiente figura podemos ver las diferentes pantallas del medidor Fluke obtenidas.

Fig 1.6 Diferentes pantallas obtenidas en el medidor Fluke
La forma de onda y su descomposicin armnica pueden verse en la figura
Fig 1.7 Descomposicin armnica
Simetra de una funcin f (t)
Pueden reconocerse con facilidad cuatro tipos de simetra que se utilizarn para simplificar la tarea
de calcular los coeficientes de Fourier:
a) Simetra de funcin par

b) Simetra de funcin impar
c) Simetra de media onda
d) Simetra de cuarto de onda
Una funcin es par cuando f (t ) = f ( t ) y es impar cuando f (t ) = f ( t ) . La funcin par slo

tiene trminos coseno (bn = 0) y la funcin impar slo tiene trminos seno (an = 0).

T
En la simetra de media onda se cumple: f (t ) = f t y tiene la propiedad de que tanto an como
2
bn son cero para valores pares de n (solo contiene armnicos de orden impar). Esta serie contendr
trminos seno y coseno a menos que la funcin sea tambin par o impar.
Determinar el desarrollo trigonomtrico en serie de Fourier para la onda

cuadrada de la figura, y dibujar su espectro.
Datos:
Solucin:
El intervalo 0 < t <, f(t) = V; y para < t < 2, f(t) = -V. El valor medio de la onda es cero, por lo tanto
a0/2=0. Los coeficientes de los trminos en coseno se obtienen integrando como sigue:
1
VCos n tdt + ( V ) Cos n tdt =
2
an =
0
V 1
2
1
= Sen n t Sen n t = 0 para todo n
n 0 n
Por tanto, la serie no contiene trminos en coseno. Realizando la integral para los trminos en seno:
1
VSen n t d t + ( V )Sen n td t =
2
bn =
0
V 1
2
1
= Cos n t + Cos n t =
n 0 n
V
= ( Cos n + Cos 0 + Cosn 2 Cosn ) = 2 V (1 Cos n )
n n
Entonces, bn=4V/n para n = 1, 3, 5,..., y bn=0 para n = 2, 4, 6,...Por lo tanto la serie para la onda cuadrada es:
4V 4V 4V
f (t ) = Sen t + Sen 3 t + Sen 5 t + ....
3 5
y el espectro para esta serie ser el que se muestra a continuacin:


Contiene los armnicos impares de los trminos en seno, como pudo anticiparse del anlisis de la simetra de la
onda. Ya que la onda cuadrada dada, es impar, su desarrollo en serie contiene solo trminos en seno, y como
adems tiene simetra de media onda, slo contiene armnicos impares.
Las formas de onda ms comunes en electrnica de potencia son:
Fig 1.8 Forma de onda cuadrada y forma de onda pulsante

Fig 1.9 Forma de onda cuadrada modificada y sinusoide rectificada de media onda
Sinusoide rectificada y rectificador trifsico

[1_10]
[1_11] [1_12]
Distorsin armnica total Total Harmonic Distortion(THD)
Tambin se le conoce como factor armnico o factor de distorsin. Se defini como consecuencia de
la necesidad de poder cuantificar numricamente los armnicos existentes en un determinado punto
de medida.
Es la relacin del valor rms de la distorsin y el valor rms de la fundamental. Debido a que la
fundamental no contribuye a la distorsin, el valor efectivo de la distorsin es la raz de la suma de
los cuadrados de los valores rms de las armnicas, de la segunda en adelante. Matemticamente se
escribe:
valor rms de la distorsin I 22 + I 32 + I 24 + I 52 + ... + I 2nmax

THD = = E 1.24
valor rms de la fundamental I1
Al incluir el valor rms de la fundamental, I1, dentro del radical se obtiene:
2 2 2 2 2 2
I I3 I 4 I5 I nmax
In
THD = 2 + + + + ... + nmax = E 1.25
I1 I1 I 1 I 1 I1 n = 2 I1
In
el cociente es el valor rms de la armnica n dividido por el valor rms de la fundamental.
I1

Fig 1.10 Cuando una instalacin elctrica se ve afectada por numerosos

armnicos es posible que la distorsin total armnica supere el 100% lo que
indicara que en esa instalacin o punto de medida hay ms armnicos que
componente fundamental
Cuando una seal no contiene armnicos, o es casi senoidal, su THD es
cercano al 0%. Por tanto se debe tratar de que el THD sea lo ms bajo
posible.
Valor efectivo o valor rms

El valor efectivo o valor rms de una funcin peridica indica la energa que tiene una determinada
seal y es la raiz cuadrada del valor promedio de la funcin al cuadrado.
Matemticamente se escribe:
1
(t ) = (t )dt
T
Frms =
2 2
promedio de f f E 1.26
T 0
El valor rms de una senoidal es el valor pico entre 2 . El valor rms de una funcin formada por
componentes senoidales de frecuencia distinta est dado por la raiz cuadrada de los cuadrados de los
valores rms de dichas componentes, esto es, el valor rms de:
i (t ) = 2 I 1 sen(1t ) + 2 I 2 sen( 2 t ) + 2 I 3 sen( 3t ) E 1.27
est dado por I rms = I 12RMS + I 22RMS + I 32RMS , si las frecuencias angulares 1 , 2 y 3 son
distintas.
Fig 1.11 Medicin del valor rms total
Factor de cresta:
El factor de cresta es un factor de deformacin, que relaciona el valor de pico (cresta) de una onda
sinusoidal y el valor eficaz de la misma seal.
valor pico
f .c. = E 1.28
valor rms

Debido a que el valor rms de una senoidal es el valor pico entre 2 , el factor de cresta de una
senoidal es 2.
Fig 1.12 El valor de factor de cresta CF es un indicacin de la cantidad de

distorsin. Un factor de cresta elevado equivale a una alta distorsin.
Valor promedio
El valor promedio de una forma de onda peridica es el rea bajo la curva de la onda en un periodo
T, entre el tiempo del periodo. Tiene la siguiente expresin matemtica:
rea bajo la curva 1 T
Fprom = = f (t ) dt E 1.29
periodo en segundos T 0
2
El valor promedio de una senoidal es cero, el valor promedio de una senoidal rectificada es VP ,

siendo V P el valor pico de la senoidal.
Factor de potencia y cos
Habitualmente se tiende a pensar que el factor de potencia y el cos son lo mismo, esto es cierto
solamente cuando no hay armnicos.
El factor de potencia es la relacin entre la potencia activa y la potencia aparente:

P
FP = E 1.30
S
El cos es la relacin que existe entre las componentes fundamentales de la potencia activa y la
potencia aparente.
Fig 1.13 Se observa como el factor de potencia y el cos son

diferentes, esto indica que en el punto donde hayamos hecho las
medidas tenemos armnicos.

El factor de potencia y el cos slo son iguales

cuando no existen armnicos.
Factor de desclasificacin K
El factor K es un factor de desclasificacin de los transformadores que indica cunto se debe reducir
la potencia mxima de salida cuando existen armnicos. La expresin matemtica es la siguiente:
I pico f .c.
K= = E 1.31
I rms 2 2
Se trata de medir el valor de pico y la corriente eficaz en cada fase del secundario del transformador,
calcular sus promedios y utilizar la frmula anterior. As por ejemplo, si una ve medido en el
secundario del transformador de 1000 KVA se encontrara que el factor de desclasificacin K vale
1,2; entonces la mxima potencia que podramos demandar del transformador, para que ste no se
sobrecalentase y no empezara a distorsionar la tensin, sera de 833 KVA (1000 KVA/1,2 = 833
KVA).
Fig 1.14 La instrumentacin de medida especializada en la medicin

y anlisis de armnicos facilita este valor del factor K, evitando
complejos clculos matemticos.
Si esta medida se hubiera hecho en el secundario del transformador
de entrada, la potencia mxima tendra que reducirse en un factor de
3,7 veces.
El Factor K de desclasificacin se debe utilizar para reducir la potencia mxima

del transformador slo cuando la medida est hecha en el secundario del
mismo. Cuando la medida se hace en cualquier otro punto de la instalacin, el
factor K no tiene utilidad.
En el siguiente cuadro podemos observar las diferentes medidas comentadas anteriormente.

Fig 1.15 Medidas
1.6.2 ANLISIS DE FOURIER USANDO PSPICE (A partir de la instruccin .FOUR)
Fig 1.16 Interpretacin del listado de Fourier obtenido con la simulacin mediante Pspice
En el grfico anterior tenemos sealadas con un recuadro cada una de las partes del listado que
ofreceremos en cada simulacin, donde:
1. Lnea para el nombre del archivo .Cir y ejemplo al que pertenece.

2. Tipo de anlisis del parmetro indicado en esta misma lnea.
3. Componente continua que tiene la seal.
4. Columna que contiene el nmero de orden de cada armnico.
5. Columna que nos da la frecuencia de cada uno de los armnicos.

6. Amplitud mxima de cada uno de los armnicos.

7. Amplitud mxima normalizada o factor de distorsin de cada armnico.
8. Fase de cada armnico con respecto al parmetro analizado.
9. Fase de cada armnico normalizado respecto al fundamental. (Se obtienen restndole la fase
del fundamental a la columna 8).
10. Distorsin armnica total que ofrece Pspice utilizando para el clculo los nueve armnicos
que analiza.
Los valores que ofrece Pspice (tanto en las grficas como en el listado de componentes de Fourier)
son valores de pico, por tanto, para hacer la comparacin con los datos tericos hay que tener esto en
cuenta y hacer la correccin oportuna, por ejemplo:
VO1 VO1( PSpice )

VO1 = VO1( RMS ) =
2 2
Los datos obtenidos tericamente y los que el programa ofrece son muy similares, aunque existir
una pequea diferencia debida a que el programa realiza los clculos con componentes semirreales.
Estos clculos se pueden aproximar ms a los reales cuanto ms complejos sean los modelos de los
componentes utilizados en Pspice.
La variacin existente entre la distorsin armnica total THD que proporciona Pspice por defecto con
respecto a la terica se debe a que el programa, por defecto, slo tiene en cuenta los nueve primeros
armnicos.
Existe otra forma de representar el desarrollo de Fourier y que se conoce como espectro frecuencial.
Este espectro no es otra cosa que el diagrama donde se representan las amplitudes de cada uno de los
armnicos que constituyen una onda. La amplitud de los armnicos decrece rpidamente para ondas
con series que convergen rpidamente. Las ondas con discontinuidades, como la onda de dientes de
sierra o la onda cuadrada, tienen un espectro cuyas amplitudes decrecen lentamente, ya que sus
desarrollos en serie tienen armnicos de elevada amplitud.
A continuacin se muestra un anlisis del espectro frecuencial, as se pueden comparar los dos tipos
de representacin mediante Pspice:
Da te/Time ru n: 01/31/96 12:53:52 Tem perature: 27.0
FUNDAMENTAL
(5 0.00 0,30 .35 5)
30V
ARMONICO 3
(1 50.0 00,1 0.1 18)
20V
ARMONICO 5
(2 50.0 00,6 .07 10)
ARMONICO 7
(3 50.0 00,4 .33 65)
10V ARMONICO 9
(4 49.9 82,3 .39 09)
Fig 1.17
Espectro frecuencial de las componentes de
Fourier
0V
0H 0.2KH 0.4KH 0.6KH 0.8KH 1.0KH 1.2KH
V (3,0)
Freq uenc y
1.7 Algunos equipos deformantes

o Rectificador cargador
Las cargas tienen su manera tpica de consumir; en particular los rectificadores cargadores totalmente
controlados, tienen esta forma caracterstica de doble ojiva.

En este caso la ojiva es poco pronunciada, gracias a la inductancia serie que se utiliza para la
atenuacin armnica.
En la figura podemos observar la forma de onda de la corriente absorbida y su espectro armnico:
o Variador de velocidad
El variador de velocidad es una carga muy deformante con un alto contenido armnico, que alcanza
valores de distorsin de corriente superiores al 100%, lo cual quiere decir que superan los armnicos
a la corriente fundamental.
Como podemos observar en la grfica, la tasa de distorsin global se sita en el 124%, lo que nos da
una idea de lo altamente contaminante que es esta carga.
Sus armnicos individuales son de una magnitud elevada comenzando por el quinto, que se sita en
el 81% de la corriente fundamental, seguido del sptimo con un 74%, el decimo primero con un 42%
y el dcimo tercero con n valor importante.
Tambin hay que destacar el elevado factor de cresta, que provoca una corriente de pico muy elevada
e inestable debido a los constantes arranques y paradas.

1.8 Clculos con ondas peridicas no sinusoidales

1.8.1 FUENTE NO SINUSOIDAL Y CARGA LINEAL
Si se aplica una tensin peridica no sinusoidal a una carga que sea una combinacin de elementos
lineales, la potencia absorbida por la carga puede determinarse utilizando superposicin.
Una tensin peridica no sinusoidal es equivalente a la combinacin en serie de las tensiones de la
correspondiente serie de Fourier.
La corriente en la carga puede determinarse utilizando superposicin y la siguiente ecuacin:

Vn I n
Pav = V0 I 0 + cos( n n ) E 1.32
n =1 2
1.8.2 FUENTE SINUSOIDAL Y CARGA NO LINEAL

Si una fuente de tensin sinusoidal se aplica a una carga no lineal, la forma de onda de la corriente no
ser sinusoidal pero puede representarse como una serie de Fourier. Si la tensin es la sinusoide:
v(t ) = V1sen ( 0 t + 1 ) E 1.33
y la corriente se representa mediante la serie de Fourier:

i(t ) = I 0 + I n sen (n 0 t + n ) E 1.34
n =1
la potencia media absorbida por la carga se calcula a partir de la [E 1.32 ]

V I
P = V0 I 0 + n max n max cos( n n ) E 1.35
n =1 2
V1 I1
(0 ) I nmax
P = (0) (I 0 ) + cos( n n ) + cos( n n ) = V1rms I 1rms cos(1 1 )
2 n =2 2
El nico trmino de potencia distinto de cero es el correspondiente a la frecuencia de la tensin
aplicada.
En el cuadro siguiente se resume lo comentado anteriormente.
Potencia activa
- Significado fsico aceptado. Lectura complementaria
- Promediada en un ciclo [1_13]
- Transportada a la frecuencia
fundamental, f1
P= V1rmsI1rmscos 1 [W]
Potencia reactiva
Potencia aparente - Significado fsico aceptado.
S=VrmsIrms [VA] - Transportada a la frecuencia
fundamental, f1
Q= V1rmsI1rmssen 1 [VAr]
Potencia NO activa
- Ortogonal a P
S2+P2 [VA]
Potencia de Distorsin
- Significado fsico aceptado.
- Smbolo no aceptado
D2=S2-P2+Q2 [VA]

1.9 Efectos de los armnicos

Cualquier seal que circule por la instalacin elctrica, ya sea de corriente o de
tensin, y cuya forma de onda no sea senoidal, puede provocar daos en ella o
en los equipos conectados a la misma.
Cuando una corriente est deformada, es decir, cuando su forma de onda no es senoidal, se dice que
contiene armnicos. Los efectos de los armnicos son numerosos, unos se observan a simple vista, o
se escuchan, otros necesitan de medidores de temperatura para comprobar el calentamiento de cables,
arrollamientos o pletinas, y finalmente otros necesitan de equipos especiales como medidores de
armnicos, o analizadores para poder cuantificar la importancia de los armnicos en un punto de la
instalacin.
Los efectos de los armnicos son los siguientes:
Grandes corrientes por el conductor neutro (sobrecalentamiento de los cables)

Sobrecalentamiento de los cables por el efecto piel (seales de alta frecuencia)
Disparos indeseados de interruptores
Bateras de condensadores(resonancia, amplificacin armnica)
Acoplamiento lnea telefnica
Sobrecalentamiento transformador (desclasificacin, aumento de K)
1.9.1.- IMPORTANCIA DEL NEUTRO

Un sistema trifsico son tres generadores de corriente alterna monofsica en los que un extremo de
cada uno de los tres bobinados se han unido en un punto central, formando un generador trifsico que
crea tres tensiones del mismo valor pero con un desfase mutuo de 120.
Cuando el sistema esta equilibrado, la suma de las tres corrientes que en un instante dado pasan hacia
dicho punto central es constantemente igual a cero, es decir, si la corriente de ida va por un
conductor, la de retorno se distribuye entre los otros dos.
En las redes de distribucin de baja tensin suele incluirse el conductor que corresponde al punto
central de la conexin en estrella, llamado conductor de neutro, que siempre est unido a tierra. En
estas redes de distribucin, la corriente que circula por el neutro es igual a la suma vectorial de las
tres corrientes de fase, por lo que si las cargas de las tres fases estn correctamente equilibradas y la
corriente es senoidal, la resultante por el conductor neutro es nula o muy reducida.
Esto es cierto para la frecuencia fundamental, pero cuando se presentan armnicos mezclados con la
corriente fundamental, en los circuitos trifsicos con cargas no lineales, las armnicas de orden impar
(3, 9, 15, etc.), no se cancelan sino que se suman en el conductor neutro, por lo que la corriente por
el conductor neutro puede ser mayor que la corriente de fase. El peligro consiste en un excesivo
sobrecalentamiento del cable neutro, adems de causar cadas de voltaje, entre el neutro y la tierra,
mayores de lo normal.

Fig 1.18 Presencia de armnicos mezclados con la corriente fundamental
El valor eficaz de la intensidad de esta corriente del conductor neutro es simplemente igual a la suma
aritmtica de las tres corrientes armnicas de orden 3 de cada una de las fases.
La existencia de estos armnicos, que se pueden presentar incluso aun cuando los equipos cumplan
con las normas de limitacin de armnicos, provoca una serie de problemas entre los que se podran
destacar: un fuerte incremento de las prdidas en las instalaciones por aumento de la resistencia de
los conductores por efecto piel y por efecto proximidad.
Los efectos piel y proximidad consisten en que, cuando una corriente alterna pasa a travs de un
conductor de un cable, se crea a su alrededor un campo magntico variable que induce una diferencia
de tensin en su seno o en los conductores situados en su proximidad, lo que provoca unas corrientes
que se oponen parcialmente a las que recorren estos conductores, ocasionando un aumento de su
resistencia hmica y de las prdidas por efecto Joule que se generan en dichos cables.

Fig 1.19 Corriente por el conductor neutro: Carga no lineal
Fig 1.20 Seccin reducida
1.10 Legislacin
La magnitud del problema de los armnicos est aumentando alarmantemente como consecuencia de
la proliferacin de la electrnica de potencia, en todos los niveles del sistema, desde los puntos de
generacin hasta la utilizacin de la energa elctrica.

Las empresas de suministro de energa aceptan la necesidad ineludible de establecer normativas, cuya
implantacin requiere el desarrollo de sistemas de medida y control, de precisin y fiabilidad
aceptables. Organizaciones internacionales tales como CENELEC, IEC o IEE mantienen Comits
dedicados a la especificacin de normativas concretas en este campo.
Organismos de normalizacin
Los diferentes organismos que elaboran las normas que deben aplicar los instaladores y los
fabricantes de material elctrico son los siguientes:
CEI: Comisin electrotcnica internacional. Las normas relacionadas con esta comisin son
reconocidas por la designacin CEI
CENELEC: Comit europeo de normalizacin electrotcnica. Estas normas se identifican
mediante la designacin EN, ENH o HD.
AENOR: Asociacin espaola de la normalizacin y certificacin. Se identifica con la
designacin UNE.
Fig 1.21 Organismos de normalizacin
Una norma es un conjunto de reglas, de descripciones o incluso de metodologas que un fabricante

utiliza como referencia, con el fin de definir el producto que fabrica y de realizar las pruebas de los
productos elaborados.
Cuando el CENELEC desea elaborar una norma por iniciativa propia, somete el proyecto de la norma
a la CEI, quien asume la elaboracin de la norma a nivel internacional.
Las normas relativas a la compatibilidad electromagntica (CEM) establecidas por la CEI llevaban en
otro tiempo la referencia CEI 1000-X-X y las del CENELEC, la referencia EN 61000-X-X.
Actualmente, para evitar confusiones, las normas CEI y EN emplean la misma referencia: la norma
CEI 1000-X-X ser entonces equivalente a la norma EN 61000-X-X.

Fig1.22 Principales normas relativas a los armnicos
Normas CEI
Fig 1.23 Normas CEI. Los lmites en las corrientes armnicas de los equipos informticos son establecidos a travs de las clases A y D y en
funcin de la potencia absorbida por dichos equipos

La clase D es la ms controvertida debido a que cuenta con una forma de onda especial generada por
el circuito rectificador y el condensador de filtrado, la cual es la ms utilizada en la mayora de
equipos electrnicos de alimentacin. En la mayora de aplicaciones mencionadas hasta ahora los
equipos utilizados se catalogarn en clase A o D, dependiendo de si la forma de onda de la corriente
de entrada en un semi-periodo (referida a su valor de pico) est dentro de la mscara definida en la
figura, al menos el 95% de la duracin de cada semi-periodo, donde si esto se verifica dicho equipo
pertenecer a la clase D.
Norma IEE 519
La normativa ms reciente para el control del contenido armnico ha sido recopilada por el grupo de
trabajo IEE-PES en el documento IEE 519.
Los lmites recomendados se refieren a las condiciones ms desfavorables en rgimen permanente de
funcionamiento; durante transitorios
Armnicas
(a) Voltaje THD (%)
individuales (%)
V < 69 kV 3.0 5.0
69kV<V<161 kV 1.5 2.5
V>161kV 1.0 1.5
Lmites de distorsin para la tensin
El propsito de la IEEE 519 es el de recomendar lmites en la distorsin armnica segn dos criterios
distintos, especficamente:
1. Existe una limitacin sobre la cantidad de corriente armnica que un consumidor puede
inyectar en la red de distribucin elctrica.
2. Se establece una limitacin en el nivel de voltaje armnico que una compaa de distribucin
de electricidad puede suministrar al consumidor.
1.11 Soluciones
Para poder atenuar o evitar que los armnicos sigan causando serios problemas y prevenir los que nos
pudieran causar en el futuro, las diferentes soluciones son las siguientes:
Soluciones electrotcnicas
1) Sobredimensionamiento
Con fuentes de mayor potencia y pletinas y cables de mayor seccin se consigue que el efecto de los
armnicos en las instalaciones provoque menos incidencias y tarde ms en manifestarse.
2) Transformadores con diferentes acoplamientos

Si utilizamos una transformador tringulo/estrella mantendr en ese punto de la instalacin al
armnico tercero, noveno y mltiplo de 3.
Si las cargas generadoras de armnicos son trifsicas, predominan principalmente los armnicos
quinto y sptimo y por tanto la solucin anterior no es la adecuada. En su lugar se utilizar el
transformador de doble secundario.
3) Filtros pasivos
Cuando en una instalacin se realiza un estudio porque se han detectado determinados problemas, se
pueden ver qu armnicos estn presentes y observar cul de ellos tiene una magnitud mayor que el
resto.

Se puede desarrollar un filtro acorde con ese armnico en particular para atenuarlo de manera
significativa y si es posible anularlo.
Compensador activo de armnicos

El compensador se intercala en paralelo entre la fuente y la carga, su funcionamiento est basado en
el principio de reinyeccin de corriente. Este mtodo permite realizar un muestreo de los armnicos
que hay en cada momento en la red y los corrige de forma prcticamente instantnea, pudiendo
distinguir y tratar con independencia, los armnicos correspondientes a cada una de las fases en una
instalacin trifsica, controlando y reduciendo tambin de manera muy eficaz, los armnicos que
circulan por el neutro.
[1_14]


EDMINISTER, J. E. Circuitos elctricos. Ed. McGraw-Hill, 1991.
FLICE, Eric. Perturbaciones armnicas. Ed. Paraninfo, 2000.
PEREZ, A. A. Y OTROS. La amenaza de los armnicos y sus soluciones. Ed. Paraninfo, 1999.
ARRILLAGA, J; EGUILUZ, L. I. Armnicos en sistemas de potencia. Universidad de Cantabria.
Elctrica Riesgo, 1994.
DOVAL, J.; MARCOS, J. Potencia Elctrica y factor de potencia: Medida de las componentes con
osciloscopios digitales. Mundo Electrnico. Mayo 2002.
MANUAL FLUKE 43B


DE POTENCIA

Diodo de potencia (caractersticas estticas y dinmicas. Conexin serie, conexin
paralelo), tiempos de conmutacin. Transistor bipolar (Caractersticas. Tiempos de
conmutacin. Calculo de la potencia disipada. Curva SOA y fenmenos de ruptura.
Ataque y protecciones)

jaguilar@ujaen.es
2.1 Diodo de Potencia 1
2.1.1 Caractersticas estticas 1

Modelos estticos del Diodo 1
Simbologa 1
Parmetros en estado de bloqueo 2
Parmetros en estado de conduccin 2
Potencia media disipada por el diodo en conduccin 3
2.1.2 Caractersticas dinmicas del Diodo de Potencia 4

Paso de conduccin a corte, Turn off 5
Paso de corte a conduccin, Turn on 7
2.1.3. Tipos de diodos de potencia 7
2.1.4. Asociacin de Diodos de Potencia 7

Asociacin de diodos en serie 7
Asociacin de diodos en paralelo 9
2.2 Transistor Bipolar, BJT 11
2.2.1 Caractersticas del transistor Bipolar 11

2.2.2 Tiempos de Conmutacin 14
2.2.3 Disipacin de potencia en conmutacin 15
2.2.4 Conmutacin del BJT. Circuitos de control 18
2.2.5 rea de funcionamiento seguro, SOA 20
2.2.6 Proteccin del BJT 21
2.2.7 Circuitos de proteccin del BJT 22
Red snubber para el transitorio Turn on (Encendido) 23
Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado) 23
2.3 El Transistor Mosfet de Potencia 26
2.3.1 Regiones de trabajo del MOSFET 27

Regin hmica. 28
Regin Activa (Saturacin de Canal) 28
Regin de Corte 29
2.3.2 Circuitos de excitacin para mosfet 29
2.4 Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT 31
2.5 Optoacopladores 32
2.6 Rels de Estado Slido, SSR 32

TEMA 2: SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
2.1 Diodo de Potencia
El elemento rectificador de potencia ms comn es el diodo de potencia.

Las caractersticas de los diodos de potencia son, en general, similares a
las de los diodos normales, idealmente presenta dos estados bien
diferenciados: corte y conduccin. El paso de un estado a otro no se
realiza de forma instantnea y en dispositivos en los que el
funcionamiento se realiza a elevada frecuencia, es muy importante el
tiempo de paso entre estados, puesto que ste acotar las frecuencias de
Fig 2.1 trabajo.
Diodo de potencia. Simbologa
En cuanto a mrgenes de funcionamiento, hay diodos que en estado de conduccin pueden llegar a
soportar corrientes medias superiores a los 1.500 A llegando hasta tensiones inversas superiores a los
2.000 V. El silicio es el elemento semiconductor ms empleado puesto que es capaz de soportar
elevadas intensidades en conduccin y grandes tensiones inversas con bajas corrientes de fuga en
corte. El nico procedimiento de control posible, es invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
2.1.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS

Las caractersticas estticas del diodo de potencia, se estudian definiendo conceptos tales como
modelos estticos y parmetros en estado de bloqueo y de conduccin.
Modelos estticos del Diodo

En estado de conduccin, tres son los modelos que podemos utilizar para el diodo semiconductor en
funcin de la precisin que se requiera en los clculos. En la figura 2.2 estn representados junto con
la curva tensin - intensidad que caracteriza a cada modelo.
i i i
Tensin de codo
[2_1]
Curva real de un dispositivo

vD vD vD [2_2]
E E RD
Fig 2. 2
Modelos estticos del diodo
+ vD - + vD - + vD - a) Modelo ideal
(a) (b) (c) b) Primera aproximacin
c) Segunda aproximacin, modelo real
El modelo ideal asemeja el diodo a un cortocircuito, despreciando la tensin de codo E, que s es

considerada en la primera aproximacin. La resistencia interna RD, junto a la tensin de codo tambin
se considera en la segunda aproximacin.
El modelo equivalente para el diodo de potencia en corte puede asemejarse a un interruptor abierto
en el que se desprecian las corrientes de fuga del dispositivo.
Simbologa
La simbologa usada ms comnmente en electrnica de potencia se resume en el siguiente esquema,

por ejemplo: VRSM Tensin inversa mxima no repetitiva

Fig 2. 3 Simbologa empleada
Parmetros en estado de bloqueo

Cuando un diodo se encuentra en estado de bloqueo, es decir, cuando no conduce existen una serie de
valores de tensin que no pueden ser sobrepasados. En la figura 2.4 se han representado los valores
mximos de tensin inversa nodo - ctodo que puede soportar un diodo momentneamente o de
manera continuada, sin que el dispositivo semiconductor corra el peligro de destruirse.
VRWM Tensin inversa de trabajo mxima. Es la tensin que puede ser soportada por el diodo de
forma continuada sin peligro de calentamientos.
VRRM Tensin inversa de pico repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada en picos de 1 ms
repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
VRSM Tensin inversa de pico no repetitivo. Es la tensin que puede ser soportada por una sola
vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms.
VR Tensin de ruptura. Si es alcanzada, aunque sea por una sola vez con duracin de 10 ms o
menos, el diodo puede destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.
IR Intensidad de fugas. Intensidad que circula por el dispositivo de potencia cuando est
bloqueado.
Fig 2. 4
Parmetros en estado de bloqueo.
Tensiones inversas en el diodo
Parmetros en estado de conduccin

Cuando el diodo conduce tambin es importante no sobrepasar los valores de corriente permitidos
por el dispositivo y que son facilitados por el fabricante.
IF (AV) Intensidad en directo media nominal. Es el valor medio de la mxima intensidad de

impulsos senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la cpsula mantenida a determinada
temperatura.

IFRM Intensidad en directo de pico repetitivo. Puede ser soportada cada 20 ms por tiempo
indefinido, con duracin del pico de 1 ms a determinada temperatura de la cpsula.
IFSM Intensidad en directo de pico no repetitivo. Es el mximo pico de intensidad aplicable por
una vez cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10 ms.
Algunos fabricantes dan la intensidad nominal en valor eficaz y no en valor medio, cuestin que hay
que tener en cuenta cuando se comparan diodos de distintas marcas.
Datos del diodo en corte Datos del diodo en conduccin

[2_3] [2_4]
Potencia media disipada por el diodo en conduccin
La potencia instantnea que disipa un diodo ser:
p d (t) = v d (t) i d (t) E 2. 1
Fig 2.5
Potencia instantnea disipada por el diodo en conmutacin
La potencia media responde a la integral definida, de la potencia instantnea en un periodo, dividida

por la duracin del periodo T.
1T
Pd(AV) = v d (t) id (t) dt E2.2
T0
Considerando la tensin de codo, VD y la resistencia interna, RD del diodo y sustituyendo en la

ecuacin [E2.2]
1T V T
RD T 2
Pd(AV) = ( VD + i d R D ) i d dt = D i d dt + id dt E2. 3
T0 T 0 T 0
Esta expresin consta de dos trminos; en el primero aparece la intensidad media, y en el segundo, la
intensidad eficaz al cuadrado.
Pd(AV) = VD I dc + R D I 2rms E2. 4
La potencia media no slo depende de la intensidad media, sino tambin del valor eficaz
de la seal y por lo tanto, del factor de forma, a.
I RMS
a= E2. 5
I DC

Generalmente el fabricante proporciona informacin en las hojas de caractersticas del dispositivo

semiconductor, por medio de tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una
intensidad conocida. Tambin proporciona curvas que relacionan la potencia media con el factor de
forma.
Ejemplos de curvas proporcionadas por el fabricante
[2_5]
Tipos de curvas
[2_6]
Sch o ttk y Re ctifie r

Ab s olute M axim um Rating s * T A = 25C unles s otherw is e noted
Sym b o l Par am e te r V alue Units

V RRM Max imum Repetitiv e Rev ers e V oltage 20 V
IF(A V ) A v erage Rec tif ied Forw ard Current 500 mA 500 mA
IFSM Non Repetitiv e Peak Forw ard Current 5.5 A
(Surge applied at rated load c onditions half w av e, s ingle phas e, 60 Hz )
Ts tg Storage Temperature Range -65 to +150 C
Tj max Operating Junc tion Temperature -65 to +150 C
*Thes e ratings are limiting v alues abov e w hic h the s erv ic eability of any s emic onduc tor
dev ic e may be impaired.
Th e r m al Char acte r is tics

R JA Thermal Res is tanc e Junc tion to A mbient* 340 C/W 340 C/W
R JL Thermal Res is tanc e Junc tion to Lead 150 C/W 150 C/W
*FR-4 or FR-5 = 3.5 x 1.5 inc hes us ing minimum rec ommended Land Pads .
Ele ctr ical Ch ar acte r is tics T A = 25C unles s otherw is e noted

VF Forw ard V oltage @ IF = 100 mA , 300 mV
IF = 100 mA , TA = 100 C 220 mV
IF = 500 mA , 385 mV
IF = 500 mA , TA = 100 C 330 mV
IR Rev ers e Current @ V R = 10 V , 75 A
V R = 10 V , TA = 100 C 5.0 mA
V R = 20 V , 250 A
V R = 20 V , TA = 100 C 8.0 mA
Fig 2.6 Hoja de caractersticas.
Cuestin didctica 2.1
Observar y comentar los diferentes datos e informacin que se pueden obtener a partir
de las hojas de caractersticas de un diodo.
2.1.2 CARACTERSTICAS DINMICAS DEL DIODO DE POTENCIA

Cuando en el estudio del comportamiento de los dispositivos semiconductores se quiere profundizar
en los transitorios provocados por la conmutacin, hay que tener en cuenta las caractersticas
dinmicas, dado que los dispositivos no son ideales, se requiere un tiempo, para conseguir el paso de
corte a conduccin, ton y de conduccin a corte, toff.

Paso de conduccin a corte, Turn off

Cuando un diodo se encuentra conduciendo una intensidad, Id la zona central de la unin p-n est
saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea dicha
intensidad. Si el circuito exterior fuerza la disminucin de la corriente con una cierta velocidad, di/dt
aplicando una tensin inversa, resultar que despus del paso por cero de la seal i(t), hay un periodo
en el cual cierta cantidad de portadores cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo
conduzca en sentido contrario. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus
de un tiempo, ts durante el cual los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin una zona de
carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tf en pasar de un valor de pico negativo Irr a un
valor prcticamente nulo, mientras se va descargando la capacidad interna de la unin.
Esta capacidad se puede considerar como la suma de la Capacidad de Difusin, Cdif y la Capacidad
de Deplecin o de transicin, Cj La primera es proporcional a la corriente por el diodo y slo tiene
relevancia con ste polarizado en directo, mientras que la segunda, aparece con el diodo polarizado
en inverso.
Fig 2. 7
Variacin de la capacidad interna en funcin de
la tensin inversa. Observar que para valores
mayores de tensin inversa, la capacidad vara
muy poco por lo que se puede considerar
constante
Fig 2. 8
En el paso de conduccin a corte, la corriente por el diodo evoluciona
desde valores positivos a valores negativos hasta que finalmente se
anula. El tiempo de recuperacin inverso, trr adquiere una gran
importancia a la hora de trabajar en conmutacin, pues limita la
mxima frecuencia de trabajo.
Tiempo de recuperacin inverso, trr Comprende el intervalo de tiempo desde que la corriente if
pasa por cero en el cambio on off hasta que la corriente vuelve a adquirir el 10 % del valor Irr.
Tambin se puede definir como el periodo durante el cual el diodo permite la conduccin en
sentido negativo. Est compuesto por la suma del tiempo de almacenamiento, ts y el tiempo de
cada, tf
t rr = t s + t f E2. 6
Tiempo de almacenamiento, ts Es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta que se alcanza el pico negativo y es debido a la acumulacin de portadores en la
regin de deplexin de la unin.

Tiempo de cada, tf Es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta
se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la
prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la corriente hasta que se alcanza el 10%
de dicho valor.
Carga elctrica almacenada o desplazada, Qrr
Factor de suavizado, S Es la relacin entre los tiempos de cada y almacenamiento.
tf
S= E2. 7
ts
Fig 2. 9 Forma de onda de la corriente por el diodo, segn el valor del factor de suavizado, S
Para el clculo de los parmetros Irr y Qrr hay que tener en cuenta la pendiente di/dt que representa la
disminucin de intensidad por el diodo y el rea de un triangulo, Qrr cuya base y altura son
respectivamente trr e Irr, que representa la carga almacenada en la unin p-n, durante el paso a corte
del dispositivo, puesto que normalmente ts y tf suelen ser desconocidos se pueden suponer dos casos;
que tf es despreciable frente a ts con lo cual trr es igual a ts y que ambos son iguales a la mitad de trr
di 1
I rr = t s Q rr = t rr . I rr E 2. 8
dt 2
Primera suposicin
Q rr di
t f = 0 t s = t rr t rr = 2 I rr = 2 Q rr E 2. 9
di dt dt
Segunda suposicin
trr Q rr di
ts = tf = t rr = 4 I rr = Q rr E2.10
2 di dt dt
Una vez realizados los clculos para ambos supuestos se elige siempre el peor de los casos: mayor trr
o mayor Irr segn las especificaciones del problema. Pues ste es el que puede perjudicar en mayor
medida al dispositivo semiconductor.

Paso de corte a conduccin, Turn on

Por ser prcticamente despreciables los efectos provocados por el tiempo de recuperacin directa,
indicar solamente que se conoce como Turn on, al tiempo que transcurre entre el instante en que la
tensin entre el nodo y ctodo se hace positiva y en el que dicha tensin alcanza el valor normal de
conduccin. Es decir el tiempo de paso de corte a conduccin.
Caractersticas dinmicas
[2_7]
PROBLEMA 2.1
El diodo de potencia BYX 71 acta inicialmente con una corriente de 2A y una temperatura ideal
de la unin de 25C. El diodo opera en un circuito en el cual la corriente es inversa, de 20
Amperios/microsegundo (A/s). Determinar el tiempo de recuperacin inversa, trr, as como la
corriente inversa mxima, IRM
Solucin: tf = 0 trr =265ns; IRM = 5.29 A
tf = ts trr =374ns;IRM = 3.74 A [Fisher]
2.1.3. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Diodo rectificador normal
Tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25 s, y se utilizan en

aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es crtico.
Margen de funcionamiento: desde < 1A hasta varios miles de A; 50V...5KV
Diodo de barrera Schottky
En un diodo Schottky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga de

una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una barrera de potencial con un contacto entre un
metal y un semiconductor
Margen de funcionamiento: 1A...300A; Son usados en rectificadores de bajo voltaje para mejorar la
eficacia de la rectificacin.
Diodo de recuperacin rpida
Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que
5s. Esta caracterstica es especialmente valiosa en altas frecuencias. Un diodo con esta variacin de
corriente tan rpida necesitar contactos de proteccin, sobre todo cuando en el contacto exterior
encontramos elementos inductivos.
Margen de funcionamiento: <1A...300A; 50V...3KV
2.1.4. ASOCIACIN DE DIODOS DE POTENCIA

Las dos caractersticas ms importantes del diodo de potencia son: La intensidad mxima en directo y
la tensin inversa mxima de bloqueo. Si las necesidades del circuito pueden llegar a sobrepasar la
capacidad mxima del dispositivo es necesario utilizar varios diodos asociados en serie o en paralelo
segn el caso.
Asociacin de diodos en serie

Para aplicaciones en las que aparecen tensiones inversas elevadas por rama, como por ejemplo en
rectificadores de potencia, la capacidad de bloqueo de un nico diodo puede no ser suficiente. Ser

necesario una conexin serie de dos o ms elementos. Si los elementos estn colocados en serie,
tendrn la misma corriente de fugas, sin embargo, presentan tensiones inversas diferentes.
Esto podra causar que alguno de los diodos pudiera destruirse por sobrepasamiento de su tensin
inversa mxima.
Fig 2. 10
Tensiones inversas y corrientes de fuga en dos
diodos distintos
Este problema puede resolverse conectando resistencias en paralelo con cada diodo.
Fig 2. 11
Asociacin de diodos en serie
Para que estas resistencias sean efectivas, deben conducir una corriente mucho mayor que la
corriente de fugas del diodo.
I = I S1 + I R1 = I S2 + I R2 E 2.11
Vd1 V
I S1 + = I S2 + d2 E 2.12
R1 R2
Si R = R1 = R2
Vd1 V
I S1 + = I S2 + d2 E 2.13
R R
PROBLEMA 2.2
Los dos diodos que se muestran en la figura 2.11 estn conectados en serie, un voltaje total de
VD = 5 kV. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son IS1 = 30 mA e IS2 = 35 mA.
(a) Encuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del voltaje son iguales, R1
= R2 = R = 100k.
(b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R1 y R2, si los voltajes del diodo son
iguales, VD1 = VD2 = VD/2.
(c) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a). Los parmetros del modelo PSpice
son: BV = 3 kV e IS = 20 mA para el diodo D1, e IS = 35 mA para el diodo D2
Solucin: (a) VD1=2750V, VD2=2250V; (b) R1=100k, R2=125k; [Rashid]
Circuito para la simulacin Pspice

PROBLEMA 2.2

PROBLEMA 2.3
Se pretende colocar 3 diodos, de tensin inversa mxima 40V, en serie para soportar una tensin
total de 100V. Calcular las resistencias de ecualizacin necesarias sabiendo que la corriente
inversa mxima de estos diodos (para 40V de tensin inversa) es de 40mA. Qu nombre recibe
este tipo de ecualizacin?
Solucin:
VRRM 40 V
R eq = = = 1 K
I RM 40 mA
Por d1 no circula corriente inversa y por d2 y d3 circula la mxima, por lo tanto, para estos dos
tenemos:
R eq R

R eq + R 2 R eq R

R eq R R eq + R
R eq + R
U Total
u 1 < VRRM = 40 V u 1 = R
2 R eq R
R+
R eq + R
Despejando tenemos: R = 0.3K
R eq min
a= (Parmetro introducido para facilitar el clculo)
R
U Total
n
U Total /VRRM 1 V VRRM
Debe cumplirse que: a > ; R < RRM
U I RM U Total /VRRM 1
n Total
VRRM
[Gualda]
Asociacin de diodos en paralelo

Esta configuracin se utiliza cuando se requieren altas intensidades. Presenta como inconveniente el
reparto desigual de la corriente por cada una de las ramas de los diodos debido a las distintas
caractersticas de conduccin de los mismos.
Este problema se puede resolver utilizando dos criterios: conectando resistencias en serie con cada
diodo o bien inductancias iguales acopladas en cada rama de la red paralelo. Las resistencias
conectadas en serie ayudan a estabilizar e igualar los valores de intensidad I1 e I2 Las inductancias se
pueden obtener utilizando transformadores con una relacin de transformacin 1:1 conectados tal y
como muestra la figura 2.12.
El segundo mtodo es aplicable nicamente en condiciones de operacin en las que la alimentacin
sea pulsatoria o senoidal.
Fig 2. 12
Asociacin de diodos en paralelo.
Circuitos de estabilizacin de corriente
por resistencias e inductancias

PROBLEMA 2.4
Se conectan dos diodos en paralelo de forma que en total tienen que conducir 100A. Determinar
el valor de las resistencias para que ninguno conduzca ms de 55A. Calcular la potencia y la
cada de tensin en cada rama.
Datos: VD1=1.5V; VD2=1.8V
Solucin:
Suponiendo que algn diodo conduzca 55A, este diodo ser el de menor tensin de codo
I1 = 55A
I2 = 45A
Como V = R I1 + VD 1 = R I 2 + VD 2 , tenemos que la resistencia en cada rama ser:
VD 2 VD 1 1.8 V 1.5 V
R= = R = 0.03
I1 I 2 55 A 45 A
La potencia en cada rama ser:
PR 1 = R I12 = 0.03 (55 A ) PR 1 = 90.75 W

2
PR 2 = R I 22 = 0.03 (45 A ) PR 2 = 60.75 W

2
La cada de tensin en cada rama ser:
V = R I1 + VD 1 = 0.03 55 A + 1.5 V V = 3.15 V

[Fisher]
PROBLEMA 2.5
Dos diodos con rango de 800V de voltaje y corriente inversa de 1mA, se conectan en serie a una
fuente de AC de 980 voltios de tensin de pico (Vsmax). La caracterstica inversa es la
presentada en la figura. Determinar:
(a) Voltaje inverso de cada diodo.

(b) Valor de la resistencia a colocar en paralelo de forma que el voltaje en los diodos no sea
superior al 55% de Vsmax.
(c) Corriente total y prdidas de potencia en las resistencias.
Solucin: (a) VD1=700V, VD2=280V; (b) VD1=539V, VD2=441V R=140k; (c) IS=4.55mA,
PR=2.54W
[Ashfaq]

PROBLEMA 2.6
Dos diodos tienen las caractersticas presentadas son conectados en paralelo. La corriente total es
de 50A. Son conectadas dos resistencias en serie con los diodos para provocar una redistribucin
de la corriente. Determinar:
(a) el valor de la resistencia de forma que por un diodo no circule ms del 55% de Imax
(b) Potencia total de prdidas en las resistencias.
(c) Cada de tensin diodo resistencia.
Solucin: (a) R=0.06; (b) PR=75.8W; (c) V=2.95V [Ashfaq]
2.2 Transistor Bipolar, BJT
El transistor bipolar es conocido como un elemento amplificador de seal.

En el contexto de los componentes electrnicos de Potencia, es usado como
un dispositivo de conmutacin, ya que, dispone de las caractersticas que lo
convierten en un conmutador casi ideal.
A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo ms

Fig 2. 13 importante es la lineal, en el transistor de potencia los estados ms
Transistor de Potencia.
Simbologa importantes de funcionamiento son saturacin y corte. Estos dos estados se
corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal.
Zonas de funcionamiento Circuito con carga resistiva

[2_8] [2_9]
Los transistores bipolares de alta potencia se utilizan fundamentalmente para trabajar con frecuencias
por debajo de 10KHz y en aplicaciones que requieran 1.200 V y 400 A como mximo.
2.2.1 CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

El funcionamiento y utilizacin del transistor de potencia es idntico al del transistor normal,
teniendo como caracterstica especial la capacidad de soportar altas tensiones e intensidades y por
tanto elevadas potencias a disipar.
Caractersticas a tener en cuenta en el transistor bipolar:
IC = Intensidad mxima que puede circular por el Colector
VCE0 = Tensin de ruptura de colector con base abierta, (mxima tensin C-E que se puede
aplicar en extremos del transistor sin provoca la ruptura)
Pmax = Potencia mxima
Tensin en sentido directo

Corriente de fugas
Frecuencia de corte
VCBO = Tensin de ruptura colector - base con base abierta
VEBO = Tensin de ruptura emisor - base con base abierta
VCEOSUS = Tensin de ruptura por un aumento excesivo de la corriente de colector y de la tensin
C-E
En funcin de la polarizacin B-E, se pueden definir otras caractersticas:
VCEO = Tensin de ruptura colector emisor, con base abierta.

VCER = Tensin colector emisor con resistencia de base especificada.
VCEX = Tensin colector emisor con circuito especificado entre base emisor.
VCEV = Tensin colector emisor con tensin especificada entre base emisor.
VCES = Tensin colector emisor con unin base emisor cortocircuitada.
Parmetros en el 2N3055
[2_10]
En relacin con los parmetros definidos anteriormente, se puede decir que la VCEmx depende
esencialmente de tres factores.
La polarizacin base - emisor.
El gradiente de tensin (dV/dt).
La estructura interna del transistor (tecnologa de fabricacin).
Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutacin un fenmeno complejo

conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina primera ruptura,
la segunda ruptura se puede definir como la ruptura de la unin debido a efectos trmicos localizados
(creacin de puntos calientes).
La primera ruptura se debe a un aumento excesivo de la tensin C - E. Sin embargo, la ruptura

secundaria se produce cuando la tensin C - E y la corriente de colector aumentan excesivamente, de
tal forma que sta ltima se concentra en una pequea rea de la unin de colector polarizado
inversamente. La concentracin de corriente forma un punto caliente (falta de uniformidad en el
reparto de la corriente) y el dispositivo se destruye trmicamente. Este tipo de ruptura podr
presentarse tanto en turn on como en turn off.
La figura 2.14 muestra la caracterstica tensin - intensidad de un transistor NPN bipolar de potencia.
Al igual que en uno de pequea potencia, se pueden distinguir tres zonas: activa, corte y saturacin.

Fig 2. 14
Caracterstica V - I de un transistor NPN
bipolar de potencia.
PROBLEMA 2.7
El transistor bipolar de la figura, tiene una en el rango 8 a 40. Calcular el valor de RB que
resulta en saturacin con un factor de sobreexcitacin de 5, la f forzada y la prdida de
potencia PT en el transistor.
Datos: 840; RC=11; VCC=200V; VB=10V;VCEsat=1.0V; VBEsat=1.5V; ODF=5
Solucin:
La corriente de colector en saturacin es:
VCC VCEsat 200 V 1.0 V

I CS = = I CS = 18.091 A
RC 11
La corriente de base en saturacin es:
I CS 18.1 A
I BS = = I BS = 2.263 A
min 8
Normalmente se disea el circuito de tal forma que IB sea mayor que IBS
IB
El factor de sobreexcitacin, ODF, proporciona la relacin entre ambas: ODF =
I BS
I B = I BS ODF = 2.263 A 5 I B = 11.313 A
VB VBEsat
El valor de RB se calcula a partir de la ecuacin de la corriente de base: I B =
RB



VB VBEsat 10 V 1.5 V
RB = = R B = 0.751
IB 11.313 A
La forzada, f, mide la relacin entre ICS e IB
I CS 18.091 A
f = = f = 1.6
I B 11.313 A
La prdida de potencia total, PT, es:
PT = VBEsat I B + VCEsat I CS = 1.5 V 11.313 A + 1.0 V 18.091 A

PT = 35.06 W
[Rashid]
2.2.2 TIEMPOS DE CONMUTACIN

Para aplicaciones en las cuales se usa el transistor de potencia como interruptor, es necesario hacerle
cambiar de estado, on - off, reiteradamente. El paso de un estado a otro se denomina conmutacin y
no se realiza de forma instantnea, sino que requiere un cierto tiempo. En funcin de la magnitud del
mismo, se ver limitada la utilidad del dispositivo. Esta limitacin cobra mayor importancia a medida
que aumenta la velocidad de conmutacin o lo que es lo mismo, la frecuencia de control.
En el diseo se deben disminuir los tiempos de conmutacin ya que estos tiempos producen picos de
potencia.
Fig 2. 15
Tiempos de conmutacin en el transistor
Cada uno de los dos tipos de conmutacin, turn on y turn off lleva asociado un tiempo de
conmutacin que a su vez se puede subdividir en otros dos tiempos.
Tiempo de encendido, ton Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de corte a
conduccin, turn on.
t on = t d + t r E 2.14
Tiempo de retardo (Delay Time, td) Es el que transcurre desde el instante en que se aplica la
seal de entrada al dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su valor
final.
Tiempo de subida (Rise Time, tr) Tiempo que emplea la seal de salida para evolucionar desde
el 10% hasta el 90% de su valor final.

Tiempo de apagado, toff Es el tiempo que necesita el dispositivo para conmutar de conduccin
a corte, turn off.
t off = t s + t f E 2.15
Tiempo de almacenamiento (Storage Time, ts) Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor inicial.
Tiempo de cada (Fall time, tf) Tiempo que emplea la seal de salida para evolucionar desde el
90% hasta el 10% de su valor inicial.
Fig 2.16 Tiempo de encendido y tiempo de apagado de un circuito con carga resistiva
Caractersticas 2N3055 Turn-on Turn-off

[2_11] [2_12] [2_13]
2.2.3 DISIPACIN DE POTENCIA EN CONMUTACIN

La disipacin de potencia del transistor trabajando en conmutacin se puede subdividir en varias
componentes: la potencia en la base, la potencia en estado de corte, la potencia en estado de
conduccin y la potencia perdida en las conmutaciones.
La potencia que se utiliza para controlar el terminal de control o base, viene dada por la expresin.
p B (t ) VBE I B E 2.16

Otra pequea componente es la potencia disipada por el transistor, en estado de corte y viene dada
por la expresin
p off (t ) = v CE (t ) i C (t ) VCC I fugas E 2.17
PB y Poff normalmente son despreciables.
El trmino ms importante viene dado por las prdidas de potencia en conduccin
p on (t ) = VCE (sat) I C(sat) E 2.18
La energa perdida en la conmutacin de corte a conduccin se denomina Won y en la conmutacin de

conduccin a corte, Woff
Si los tiempos asociados a estas componentes son cortos y la frecuencia de conmutacin del BJT es
alta, se deber calcular la potencia media disipada multiplicando los trminos de potencia por la
frecuencia de conmutacin. Este valor es muy importante para calcular y disear el disipador de calor
que deber acoplarse al dispositivo. La potencia media disipada vendr dada por la siguiente
expresin.
PD [ Pon t on + (Woff + Won ) ] f E 2.19
Si el transistor trabaja con pulsos de frecuencia y amplitud constantes, se puede hallar la energa
disipada en cada ciclo para luego hallar su valor medio mediante integracin.
La potencia instantnea disipada por el transistor, se obtiene multiplicando la intensidad de colector
por la tensin colector - emisor en cada instante.
PD ( t ) = i c ( t ) v ce ( t ) E 2.20
Si se integra esta expresin respecto del tiempo se tendr la energa instantnea perdida por ciclo.
W( t ) = i c ( t ) v ce ( t ) dt E2.21
La figura muestra como se puede dividir la duracin de un pulso, Ton para su posterior estudio, desde
el punto de vista de la disipacin de potencia.
Paso de corte a conduccin

t 2 t1 = t on
Intervalo de conduccin
t3 t2 = tn
Paso de conduccin a corte
t 4 t 3 = t off
Duracin del pulso
Ton = t on + t n + t off
Fig 2. 17
Pulso de conduccin del transistor.
Corriente de colector, ic
Tensin colector emisor, vCE
Potencia disipada, P
Todas ellas en funcin del tiempo.

Por tanto la energa perdida en el pulso tambin se puede descomponer como la suma de las energas
perdidas en cada intervalo: ton, tn y toff
W( t ) = Won ( t ) + Wn ( t ) + Woff ( t ) E 2.22
Las energas perdidas se calculan aplicando la ecuacin [E2.23] a cada intervalo considerado.
t2
I C(sat) VCC t on
Won = iC ( t ) v ce ( t ) dt = E 2.23
t1 6
t3
Wn = iC ( t ) v ce ( t ) dt = IC(sat) VCE(sat) t n E 2.24
t2
t4
I C(sat) VCC t off
Woff = iC ( t ) v ce ( t ) dt = E 2.25
t3 6
Se puede decir, por tanto, que la energa total perdida en cada pulso ser la suma de las energas
obtenidas en las ecuaciones anteriores. Si se divide dicha energa entre el periodo de la seal, T se
obtiene el valor medio de la potencia total disipada por el transistor:
Won + Wn + Woff
PTOT(AV) = E 2.26
T
PROBLEMA 2.8
Las formas de onda de la Fig 2.17 corresponden a un pulso de salida en un transistor de potencia.
Determinar las prdidas de potencia debidas a la corriente de colector en los siguientes instantes:
(a) Durante ton

(b) Durante el tiempo de conduccin, tn
(c) Durante toff
(d) Durante el tiempo de apagado o no conduccin, to
Calcular tambin la potencia de prdidas total, PT y dibujar la potencia instantnea, PC (t)
Datos: VCC = 250V; VBEsat = 3V; IB = 8A; VCEsat = 2V; ICE = 100A; ICEO = 3mA; td = 0.5s;
tr=1s; ts = 5s; tf = 3s; fs = 10kHz (frecuencia de trabajo); k = 50% (ciclo de trabajo).
Solucin: (a) Pd = 3.75mW; PT = 42.333W Pon = 42.337W. (b) Pn = 97W. (c) Ps = 10W;
Pf=125W Poff = 135W. (d) Po = 0.315W
[Rashid]
En algunas ocasiones no es necesario realizar un anlisis tan completo como en el

problema anterior. Hay algunos autores que optan por emplear un mtodo aproximado,
considerando que la VCE (sat) = 0, y la ICEO = 0 y calculando nicamente las prdidas de
potencia durante el tiempo de subida tr y el de bajada tf. Mediante esta aproximacin,
solo se evala la prdida de potencia en los instantes en que se produce la conmutacin
del dispositivo, que es cuando se produce una disipacin de potencia elevada, como se ha
comprobado en el ejemplo anterior.
Como incide la VCEsat sobre las prdidas totales?

PROBLEMA 2.9
Repetir los clculos del problema 2.8 teniendo en cuenta las consideraciones y aproximaciones
expuestas en el prrafo anterior.
Observar las diferentes prdidas de potencia debidas a los diferentes tiempos y valorar
cuales de ellas se pueden despreciar.
Cuando la carga tiene fuerte componente inductiva la evolucin de las formas de onda de la tensin y
de la intensidad son las representadas [Fisher]
Fig 2.18 Carga inductiva
Quedando en este caso el clculo de la disipacin de potencia:
1
Wt ON = V I C(sat) (t 1 + t 2 ) E 2.27
2
Wcond = VC (sat ) I C (sat ) t 5 E 2.28
1
Wt OFF = V I C(sat) (t 3 + t 4 ) E 2.29
2
Wt ON + Wt OFF + Wcond
PTOT(AV) = = f (Wt ON + Wt OFF + Wcond ) E 2.30
T
2.2.4 CONMUTACIN DEL BJT. CIRCUITOS DE CONTROL

Como consecuencia de los tiempos de retardo que se producen en el transistor, la puesta en
funcionamiento del mismo en el instante deseado resulta problemtica. Inicialmente interesara una
corriente de base elevada, para disminuir el tiempo de retardo, y finalmente, una corriente de base
negativa, para forzar el bloqueo en el menor tiempo posible. La figura muestra la forma de onda
idnea de la corriente de base de un transistor bipolar para obligarle a evolucionar sin problemas, a
saturacin y despus a corte de forma ptima.

Fig 2. 19
Forma de onda idnea de la corriente de base para forzar la
conmutacin del transistor bipolar.
No es demasiado difcil imaginar la complejidad de un circuito que genere dicha corriente, si

pensamos que el valor necesario, puede alcanzar varios amperios.
La tendencia actual es la de intentar simplificar al mximo este problema. Por ello se han
desarrollado distintos circuitos integrados (drivers), que con la adicin de muy pocos
componentes exteriores logran generar la funcin de ataque, limitndose a un margen de
frecuencias bajo, menor de 100 KHz y de potencias medias / bajas.
Circuito tpico
[2_14]
En la figura se muestra un sencillo ejemplo de circuito de control para reducir los tiempos de
conmutacin de los transistores de potencia.
Ve
t1 t2 t
-Ve Forma de onda
[2_15]
IB
IBmx
t
IBmin
Fig 2. 20 Transitorios de tensin en la fuente, Ve y de corriente en la base, Ib Circuito para el control del transistor.
Cuando la seal de entrada pasa a nivel alto, R2 est cortocircuitada inicialmente por el condensador
descargado. La corriente de base inicial:
Vi v BE
I B1 = E2.31
R1
A medida que se carga el condensador, la corriente de base disminuye y llega a un valor final de:
Vi v BE
I B2 = E2.32
R 1 + R2

La seal de entrada pasa a nivel bajo en la puesta a corte, y el condensador cargado proporciona un
pico de corriente negativa a medida que se elimina la carga de la base.
El tiempo de carga deseado del condensador es el que determina el valor de ste. Se necesitan de tres
a cinco constantes de tiempo para cargar o descargar el condensador. La constante de tiempo de
carga es:
R R
= RE C1 = 1 2 C1 E2.33
R1 + R2
PROBLEMA 2.10
Disee un circuito de excitacin de la base de un BJT, con la configuracin de la figura 2.18, que
tenga un pico de 3A durante la puesta en conduccin y mantenga una corriente de base de 0,4A
mientras el transistor est activado. La tensin vi es un pulso de 0 a 50V con un ciclo de trabajo
del 50% y la frecuencia de conmutacin es de 100kHz. Suponga que vBE es de 1V cuando el
transistor est conduciendo.
[Hart]
2.2.5 AREA DE FUNCIONAMIENTO SEGURO, SOA

Los datos proporcionados por la curva de salida incluida en las hojas de caractersticas suministradas
por el fabricante del dispositivo, en las que se muestran los valores de la corriente IC en relacin con
la tensin colector-emisor VCE, no son suficientes para conocer si el transistor BJT se encuentra
trabajando en un punto seguro, sin sobrepasar los lmites trmicos. Para ello se suministra la curva
SOA (Safe Operating Area). Esta curva est definida por aquellos puntos que cumplen que el
producto IC VCE no sobrepase la mxima potencia disipable permitida por el transistor elegido, es
decir, definen el rea de funcionamiento seguro del transistor.
En la figura 2.21 adems de la curva para un funcionamiento continuo del transistor, se encuentran
otras curvas similares, con un rea mayor. Estas curvas indican el funcionamiento seguro del
transistor cuando trabaja en conmutacin en los tiempos establecidos por la grfica.
Zona 1: (IC (mx) continuous). Representa el mximo valor de corriente que puede circular por el
colector para una tensin colector emisor dada. El funcionamiento del transistor con corrientes
mayores puede dar lugar a la ruptura del mismo.
Zona 2: (DC operation dissipation limites). Este tramo indica la mxima disipacin de potencia del
dispositivo. Es la zona en la cul el producto de IC y VCE proporciona la disipacin mxima del
dispositivo. Si esta curva es sobrepasada se producen sobrecalentamientos y la destruccin del
transistor.
Zona 3: (IS/B limited). Es el lmite permitido para evitar la destruccin del dispositivo por el
fenmeno de ruptura o avalancha secundaria.
Zona 4: (VCEO(mx)). El ltimo tramo es el lmite debido a la tensin de ruptura primaria del transistor
e indica la mxima tensin que puede soportar el dispositivo en estado de bloqueo.

Fig 2. 21 Curva S.O.A. del transistor de potencia BDY58R, para TC = 25C. (Cortesa de RCA Bipolar Power Devices)
2.2.6 PROTECCIN DEL BJT

Sobreintensidades
Las sobreintensidades estn asociadas al periodo de saturacin del transistor. Cuando aumenta la
corriente IC si la tensin VCE es elevada, la disipacin de potencia se incrementa y se puede llegar a
alcanzar la mxima temperatura de la unin.
Conforme la corriente IC aumenta, la potencia disipada aumenta y por tanto tambin la temperatura;
la resistencia interna del transistor RCE disminuye (resistencia con coeficiente negativo de
temperatura), por lo que circular ms corriente por el dispositivo se disipar ms potencia que pro-
vocar un nuevo aumento del calor y as sucesivamente. Esta realimentacin positiva puede causar la
destruccin del dispositivo. (Efecto segunda ruptura).
Los fusibles normalmente no se utilizan para proteger el BJT, ya que, la accin del transistor es
mucho ms rpida que la del fusible.
Sobretensiones
Las sobretensiones estn asociadas al estado de corte del transistor bipolar. En este estado se debe
prestar especial atencin a la posibilidad de ruptura primaria del dispositivo, tambin llamada ruptura
por avalancha (cuando se sobrepasa la tensin mxima permitida). Las cargas minoritarias aceleradas
por el campo de la unin, producido por la polarizacin inversa, colisionan rompiendo las uniones y
produciendo ms cargas, las cuales tambin son aceleradas, producindose una realimentacin y la
conduccin final del dispositivo.

Transitorios
Los transitorios de corriente y de tensin son eliminados de la misma forma para los transistores
como para cualquier otro tipo de dispositivo semiconductor.
Las inductancias serie limitan el tiempo de variacin de la corriente y los condensadores paralelo
limitan el tiempo de variacin de la tensin.
Las redes snubber en serie estn constituidas por una bobina LS y se usan para limitar el tiempo de
subida de la corriente del transistor dic/dt en el paso a conduccin. Si la corriente IC crece muy
rpidamente, conforme decrece la tensin VCE puede darse el fenmeno de ruptura secundaria.
El valor de la inductancia LS puede ser calculado a partir de la relacin
di c I C Vcc VCC t r
= = como I C = I L LS = E2.34
dt tr LS IL
La inductancia LS se coloca en serie con la fuente de alimentacin Vcc.
Para cargas inductivas, durante el paso a corte la tensin VCE no debe incrementarse muy rpida-
mente a medida que la corriente de colector decae, ya que, tambin podra darse el fenmeno de
ruptura secundaria.
Una red snubber en paralelo, formada por un condensador soluciona este inconveniente.
dVCE VCE i( t )
= = E2. 35
dt tf CS
Sabiendo que al final del paso a corte VCE = Vcc y que i I L se puede calcular el valor del
condensador
IL t f
CS = E2. 36
Vcc
A continuacin vamos a ver con ms detalle estas consideraciones.
2.2.7 CIRCUITOS DE PROTECCIN DEL BJT

Con el objeto de profundizar en el funcionamiento de las protecciones del transistor, se realiza a
continuacin un estudio ms detallado de la funcin de las redes snubber, as como del diseo de las
mismas. Se estudiaran dos casos particulares:
Red snubber para el transitorio, turn on.
Red snubber para el transitorio, turn off.
Fig 2. 22
Caracterstica de transferencia para carga inductiva con y sin red snubber.
Observe que sin red snubber se sobrepasa la curva SOA en la conmutacin de
conduccin a corte provocndose la destruccin del dispositivo por el efecto
de segunda ruptura (zona 3)

Transistor con carga inductiva y las formas de onda asociadas durante la conmutacin.
[2_16]
Red snubber para el transitorio Turn on (encendido)

El objetivo de esta red es hacer que la tensin VCE disminuya mientras aumenta IC Para ello se coloca
una inductancia LS en serie con el diodo Df para reducir la tensin.
Este tipo de red snubber no es muy usado, los semiconductores son muy rpidos para entrar en
conduccin y por esta razn no es crtico el uso de circuitos de proteccin de encendido.
La reduccin de la tensin viene dada por la expresin
di C I
VCE = LS = LS o E 2.37
dt t ri
Fig 2. 23 a) Proteccin snuber para turn on (encendido). b) VCE e IC en el transistor, con red snubber para turn on.
La bobina suaviza la pendiente con lo que aumenta la corriente
Durante el estado de conduccin del transistor, la corriente Io circula por la inductancia LS. Cuando el
transistor pasa a corte, la energa almacenada en la inductancia (1/2 LS I o2 ) se disipa en la resistencia
RLS a travs del diodo DLS con una constante de tiempo igual a LS/RLS.
Para determinar el valor de RLS se debe tener en cuenta, por un lado que esta resistencia deber ser lo
suficientemente elevada para que durante toff la intensidad iLS disminuya al menos hasta el 10% de la
intensidad Io
- R LS t
LS
i LS (t) = I o e haciendo i LS (t off ) < 0.1 I o E 2.38
RLS t off LS ln 10
ln 10 < RLS > E 2.39
LS t off
Red snubber para el transitorio Turn off (Apagado)

Mediante este circuito se pretende que conforme aumenta la tensin en el transistor, la corriente IC
disminuya, para evitar que el producto sea elevado, limitando de este modo la disipacin de potencia
del transistor. Para ello, se coloca un condensador en paralelo con el transistor. Este condensador
debe absorber ms intensidad cuando la tensin empiece a crecer.
Esta red:
o Suaviza las formas de onda de tensin en el apagado del transistor.
o Parte de las prdidas de conmutacin se trasladan a otros componentes.

Fig 2.24 Transistor en conmutacin con carga inductiva sin proteccin
Fig 2. 25
Red snuber para turn off.
En el intervalo de tiempo 0 < t < tf
I0
I o = i CS + i C donde i CS = t E 2.40
tf
1 t Io t 2
VCS = VCE = 0 i CSdt = E 2.41
CS 2CS t f
Cuando iC = 0 (t = tf) se verifica
Io t f Io t f
Vd = VCS = CS = E 2.42
2C S 2 Vd

iC iC iC
I0
iDf iDf iDf
iCs iCs iCs
vd
vCs vCs vCs
tf tf tf
Cs pequeo Cs = Cs1 Cs grande
Fig 2. 26 Formas de onda de la corriente y la tensin durante el turn-off. El rea sombreada representa la carga almacenada en la capacidad
snubber durante el turn - off, carga que tendr que ser disipada por el transistor. El valor Cs1 se corresponde con el valor Cs calculado en
la ecuacin E2.48
Cuando el transistor pasa a conduccin, ste se comporta como un cortocircuito. CS se descarga a

travs del transistor, provocando una sobreintensidad que viene limitada por RS
Ntese que durante el paso de conduccin a corte (on off) el condensador se carga a travs del
diodo, DS y durante el paso de corte a conduccin (off on) se descarga a travs de RS.
Se elige una resistencia tal que el condensador se descargue antes de que el transistor vuelva a
apagarse. Es necesario un intervalo de tiempo igual a entre tres y cinco constantes de tiempo (para
limitar la descarga instantnea del condensador sobre el transistor). Suponiendo que la descarga
completa sean cinco constantes de tiempo
t on
t on > R S C S R S < E2.43
5 CS
El condensador se descarga a travs de la resistencia y el transistor cuando ste entra en conduccin.

1
La energa almacenada, = CVS2 , se transfiere mayoritariamente a la resistencia, luego la
2
potencia absorbida por la resistencia es la energa dividida entre el tiempo, siendo ste el periodo de
conmutacin.
1
CVS
1
PR = 2 = CVS2 f E2.44
T 2
Tensin Intensidad
[2_17] [2_18]
A continuacin podemos ver las distintas formas de onda de tensin e intensidad para un circuito con
carga RL sin proteccin, otro con carga RL y proteccin por diodo y otro con carga RL y proteccin
por red Snubber.
Transistor en conmutacin con carga inductiva Circuito con carga RL en paralelo y proteccin
[2_19] [2_20]

Comparacin de la conmutacin con carga inductiva sin proteccin, con diodo volante en paralelo con la bobina y Red
Snubber RC en paralelo con el transistor (es interesante ver la escala del eje x)
[2_21]
Caractersticas 2N3055 Formas de onda de tensin

[2_11] [2_22]
2.3 El Transistor Mosfet de Potencia

1. El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de
D Drenador los elementos que lo componen; una fina pelcula
ID metlica (Metal - M); oxido de silicio (xido - O);
regin semiconductora (Semiconductor - S).
2. El mosfet es un dispositivo unipolar, la conduccin slo
Puerta es debida a un tipo de portador.
G
IG IS
[2_23]
S Surtidor
Vgs
3. Las aplicaciones ms tpicas de los transistores de
Fig 2.27
Mosfet de Potencia de canal N. potencia MosFet se encuentran en la conmutacin a
Simbologa. altas frecuencias, chopeado, sistemas inversores para
controlar motores, generadores de altas frecuencia para
induccin de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y trasmisores de
radiofrecuencia.
4. De los dos tipos existentes de MOSFET (acumulacin y deplexin), para aplicaciones de

elevada potencia nicamente se utilizan los MOSFET de acumulacin, preferiblemente de
canal N.
Como se puede observar en la figura 2.27 el Mosfet de canal N conduce cuando VGS > 0
Las caractersticas ms importantes que distinguen a los MOSFET de otros dispositivos son
las siguientes:
- Alta velocidad de conmutacin, llegando a MHz.

- No presentan el fenmeno de segunda ruptura por lo que el rea de trabajo seguro
(SOA) mejora con respecto del BJT
- El control se realiza mediante la tensin aplicada entre los terminales de puerta y
surtidor (VGS), lo que reduce considerablemente tanto la complejidad como la
potencia de los circuitos de disparo.
- Las tensiones mximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET de alta
tensin (< 1000V) y las corrientes mximas moderadas (< 500A).
5. Tambin presentan algunos inconvenientes que interesa resaltar. Los Mosfet tienen el
problema de ser muy sensibles a las descargas electrostticas y requieren un embalaje
especial. Su proteccin es relativamente difcil. Son ms caros que sus equivalentes bipolares
y la resistencia esttica entre Drenador - Surtidor, es ms grande, que la Colector - Emisor lo
que provoca mayores perdidas de potencia cuando trabaja en conduccin.
6. El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es anlogo al de pequea seal.

Aplicando las tensiones apropiadas entre la puerta y el surtidor (VGS) del dispositivo se
controla la anchura del canal de conduccin y en consecuencia se puede modular el flujo de
portadores de carga que atraviesa el semiconductor. En modo interruptor, se aplican pulsos
de tensin durante el estado ON y se retiran (o se aplican con polaridad contraria) en el
estado OFF
Mosfet
[2_24]

En el MOSFET de pequea seal, el canal de conduccin se establece en horizontal,

geometra que limita las tensiones de bloqueo. Dado que en la mayora de aplicaciones de
potencia se necesitan tensiones de bloqueo elevadas (> 100V), el canal de conduccin se
construye siguiendo una estructura vertical (VDMOS, SIPMOS) con la que se consiguen
mayores tensiones de bloqueo.
Canal de conduccin
[2_25]
En la figura se observa claramente una estructura pnp, que constituye el denominado BJT
parsito del MOSFET, en el cual la base est conectada al sustrato. El principal
inconveniente de la presencia del BJT parsito es que podra entrar en conduccin si la
tensin de base y emisor alcanza valores significativos (> 0,10V). Para evitarlo, se realiza un
cortocircuito entre el sustrato y el surtidor (es decir, entre base y emisor) de manera que se
evita el riesgo de conduccin del NJT parsito. Pero parecera un diodo parsito entre
drenador y surtidor.
Estructura pnp
[2_26]
La principal diferencia entre los Transistores Bipolares (BJT) y los Mosfet consiste en que estos
ltimos son controlados por tensin aplicada en la puerta (G) y requieren solo una pequea corriente
de entrada, mientras que los transistores Bipolares (BJT), son controlados por corriente aplicada a la
base.
PROBLEMA 2.11
El convertidor y el circuito de proteccin de la figura tienen Vs=100V e IL=5A. La frecuencia de

conmutacin es de 100kHz, con un ciclo de trabajo del 50%, y el transistor se apaga en 0,5s.
Determinar:
(a) Las prdidas de apagado sin circuito de proteccin, si la tensin del transistor llega a Vs en
0,1s.
(b) Disee un circuito de proteccin usando el criterio de que la tensin del transistor alcance su
valor final al mismo tiempo que la corriente del transistor llega a cero.
(c) Determine las prdidas del transistor durante el apagado y la potencia disipada en la
resistencia al aadir el circuito de proteccin.
Solucin: (a) PQ = 15W; (b) 0,0125F, R = 80; (c) PQ = 2,08W, PR = 6,25W

[Hart]
2.3.1 REGIONES DE TRABAJO DEL MOSFET

La curva caracterstica aporta informacin acerca de cmo vara la intensidad del Drenador, ID para
una tensin drenador - surtidor, VDS que se mantiene fija, variando la tensin aplicada entre la puerta
y el surtidor Vgs.

Curvas caractersticas del Mosfet:
[2_27]
[2_28]
Fig 2. 28 Curva caracterstica

correspondiente a un Mosfet de
acumulacin de canal N.
Observar la divisin en tres
regiones: Ohmica, Activa, Corte.
Regin hmica.
Esta regin se utiliza cuando acta el Mosfet como una resistencia dependiente de VGS en estado
encendido. En esta regin el valor de VDS ser:
VDS = VGS - VGS(th) E 2.45
Una definicin de la regin hmica, parte de la caracterstica que satisface la condicin que
VGS - VGS(th) VDS E 2.46
Esta regin tiene una baja resistencia entre el drenador - surtidor, RDS(ON) un valor tpico para un
Mosfet de potencia trabajando a 500V y 10A es de 0.5
En funcionamiento interruptor, las prdidas de potencia durante la conduccin son:
PON = R DSon I 2DRM E 2.47
Resistencia en conduccin Ejemplos de Mosfets comerciales

[2_29] [2_30]
Regin Activa (Saturacin de Canal)

En esta regin el transistor Mos funciona como amplificador.
Para un valor de VGS, que ser como mnimo VGS(th) se produce el paso de corriente entre el drenador
y el surtidor.
En la regin activa el valor de la tensin entre puerta y surtidor, VGS controla la magnitud de la
corriente del drenador, ID as como la tensin entre el drenador y el surtidor VDS.
Para esta regin se cumplen las siguientes ecuaciones.
VGS > VGS(th) VGS - VGS(th) < VDS E 2.48
n C ox
I d = K (VGS - VT ) 2 donde K = E 2.49
2L
n = movilidad de los portadores de carga
Cox = capacidad de compuerta
= anchura del canal
L = Longitud del canal

Regin de Corte
Si se cierra el circuito exterior, esto no significa que se cambie el estado del dispositivo, si la tensin
aplicada entre Puerta - Surtidor es inferior a Vth, el dispositivo continuar en la regin de corte. En
esta regin la corriente que circula por el drenador es prcticamente nula. En los Mosfet de potencia
Vth suele ser algo mayor que 2 V.
Para esta regin se cumplen las siguientes condiciones:
VGS < VGS(th) VDS 0 ID 0 E 2.50
Fig 2.29 Zona de operacin segura (SOA) en un MOSFET de Potencia (iD y VDS en escala logartmica)
Describa, dibuje y compare las zonas de funcionamiento seguro (SOA) de un transistor

bipolar y un transistor MOSFET. Acote los valores tpicos de tensin e intensidad
mximos.
2.3.2 CIRCUITOS DE EXCITACIN PARA MOSFET

El Mosfet es un dispositivo controlado por tensin, que resulta relativamente simple de activar y
desactivar, lo cual es una ventaja repecto al transistor bipolar de unin. El estado de conduccin se
consigue cuando la tensin puerta-fuente sobrepasa de forma suficiente la tensin umbral, lo que
fuerza al MOSFET a entrar en la regin de trabajo hmica.
Normalmente, la tensin puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en circuitos conmutados
est entre 10 y 20 V. El estado desactivado se consigue con una tensin menor que la tensin umbral.
Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son muy bajas. Sin embargo, es
necesario cargar la capacidad de entrada parsita para poner al MOSFET en conduccin, y des-
cargarla para apagarlo. Las velocidades de conmutacin vienen determinadas bsicamente por la
rapidez con que la carga se puede transferir hacia y desde la puerta.
Un circuito de excitacin para MOSFET debe ser capaz de absorber y generar corrientes
rpidamente, para conseguir una conmutacin de alta velocidad. En la figura 2.30 se pueden ver tres
ejemplos de circuitos excitadores, el elemental y dos mejorados.

El circuito de excitacin elemental de la figura excitar al transistor, pero el tiempo de conmutacin

puede que sea inaceptablemente elevado para algunas aplicaciones. Adems, si la seal de entrada
proviene de dispositivos lgicos digitales de baja tensin, puede que la salida lgica no sea suficiente
para poner al MOSFET en conduccin.
El circuito de excitacin Ttem-Pole de la figura mejora al elemental. El doble seguidor de emisor o
Totem-Pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la tensin de
excitacin de entrada est a nivel alto, Q1 conduce y Q2 est apagado, haciendo conducir al MOSFET.
Cuando la seal de excitacin de entrada est a nivel bajo, Q1 est al corte y Q2 conduce, eliminando
la carga de la puerta y apagando el MOSFET.
En el circuito excitador integrado, con buffer Ttem-Pole la seal de entrada proviene de un circuito
TTL de colector abierto usado como circuito de control, con el Ttem-Pole utilizado como buffer
para suministrar y absorber las corrientes de puerta requeridas
En aplicaciones de baja potencia algunos circuitos integrados tienen salidas con circuitos preparados
para absorber y generar corrientes capaces de excitar directamente a los transistores Mosfet, un
ejemplo es el circuito de control PWM SG1525A, ste consta de un par de transistores NPN para
cada salida. Los transistores de cada pareja son excitados como transistores de activacin-
desactivacin complementaria, con un transistor generando corriente y otro absorbiendo corriente.
IRF630
[2_31]
Fig 2. 30 Circuitos de excitacin del MOSFET

2.4 Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT

C El Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT Insulate Gate Bipolar Transistor
combina las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada
elevada, como los Mosfet y bajas perdidas en conmutacin, como los BJT, por lo
G que puede trabajar a elevada frecuencia y con grandes intensidades.
E El circuito simplificado equivalente lo podemos ver en el siguiente enlace.

Fig 2. 31
IGBT. Simbologa
[2_32]
Los IBGT fueron desarrollados hace relativamente poco tiempo, pero su evolucin ha sido rpida
debido a que han demostrado tener una resistencia en conduccin muy baja y una elevada velocidad
de conmutacin (la transicin desde el estado de conduccin al de bloqueo se puede considerar de
unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), adems de una
elevada tensin de ruptura.
Los IGBT pueden soportar unas tensiones de 1400V y unas corrientes de 300A.
El control por tensin hace que el IGBT sea ms rpido que el BJT, pero ms lento que el Mosfet. La
energa aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequea con una corriente del orden de los
nanoamperios, esta pequea potencia necesaria para conmutar el dispositivo, hace que pueda ser
controlado por circuitos integrados.
Los IGBTs son similares a los MOSFET en cuanto a requerimientos de excitacin.
Caractersticas IGBT IGB20N120 Comparacin IGBT-Mosfet

[2_33] [2_34] [2_35]
En el [Enlace 2_36] se observa la comparacin entre IGBT y MOSFET con el mismo rea de
semiconductor, en la que se puede ver que la cada de tensin es menor en el IGBT y por tanto
tendremos menores prdidas en conduccin.
Fig 2. 32

El problema que plantea el IGBT es un coeficiente de temperatura negativo implicando que a mayor
temperatura, menor cada de tensin y por tanto aumenta la corriente, provocando un aumento de la
temperatura de la unin. Esto ser un problema cuando se quieran colocar varios en paralelo, como
ocurra con el bipolar.
Este elemento semiconductor est desplazando a los dems en potencia media.
Clasifique los dispositivos semiconductores de potencia que conozca en funcin de la

potencia que pueden manejar y la frecuencia a la que puedan operar.
2.5 Optoacopladores
Un optoacoplador es un dispositivo semiconductor formado por un
fotoemisor y un fotorreceptor. Todos estos elementos se encuentran
Anodo 1 3 Colector
dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
Ctodo 2 4 Emisor
La seal de entrada es aplicada al fotoemisor y la salida es tomada del
Fig 2. 33 fotorreceptor. Los optoacopladores son capaces de convertir una seal
Optoacoplador. Simbologa elctrica en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en una
seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el
aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.
Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos
infrarrojos (IRED) y los fotorreceptores pueden ser tiristores o transistores. Se utilizan como circuitos
de corriente de excitacin de dispositivos semiconductores de potencia.
4N2X
[2_36]
2.6 Rels de Estado Slido, SSR

Un rel de estado slido SSR (Solid State Relay), es un circuito electrnico que contiene en su
interior un circuito disparado por nivel, acoplado a un interruptor semiconductor, un transistor o un
tiristor. Un SSR es un producto construido y comprobado en una fbrica, no un dispositivo formado
por componentes independientes que se han montado sobre una placa de circuito impreso.
Circuito de entrada Circuito de conmutacin

o de control Acoplamiento o de salida
OPTOACOPLADOR
Tensin Fotodetector R
de de paso Tensin de
control por cero conmutacin
SCR
C
Fig 2. 34 Diagrama de bloques para un Rel de Estado Slido, SSR

Circuito de Entrada o de Control

Control por tensin continua. El circuito de entrada suele ser un fotodiodo, solo o con una
resistencia en serie, tambin se pueden encontrar modelos con un diodo en antiparalelo para evitar la
inversin de la polaridad por accidente. Los niveles de entrada son compatibles con TTL, CMOS, y
con valores normalizados 12V, 24V, etc.).
Control por tensin alterna. El circuito de entrada suele ser como el anterior incorporando un
puente rectificador integrado y una fuente de corriente continua para polarizar el diodo led.
Acoplamiento
El acoplamiento con el circuito se realiza por medio de un optoacoplador o por medio de un
transformador que se encuentra acoplado de forma magntica con el circuito de disparo del Triac.
Circuito de Conmutacin o de Salida

El circuito de salida contiene los dispositivos semiconductores de potencia con su correspondiente
circuito excitador. Este circuito ser diferente segn el tipo de corriente que se necesite conmutar, cc
o ca.



AHMED, Ashfaq. Power electronics for technology. Ed. Prentice Hall, 1999. ISBN 0-13-231069-4
FISHER, M. Power electronics. PWS-KENT, 1991
GUALDA, J. A.; MARTNEZ, P. M. Electrnica Industrial, Tcnicas de Potencia. Serie

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VELASCO, J. et al. Sistemas Electrotcnicos de Potencia: Electrnica de regulacin y control de

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<www.onsemi.com> [Consulta: 5 de julio de 2004]
<www.semikron.com> [Consulta: 5 de julio de 2004]


DE POTENCIA

Disipacin de potencia. Equivalente elctrico. Parmetros fundamentales. Impedancia
trmica. Clculo de disipadores de calor.

jaguilar@ujaen.es
3.1 Introduccin 1
3.2 Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor 1
3.3 Equivalente elctrico 2
3.3.1 Resistencias trmicas 3
Resistencia Unin - Contenedor, Rjc 4
Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd 5
Resistencia de disipador, Rd 6
3.3.2 Temperatura mxima de la unin, Tjmax 7
3.3.3 Potencias 8
3.4 Clculo de Rd de diodo rectificador 10
3.5 Ventilacin forzada 14
3.6 Impedancia Trmica 14
Respuesta ante un nico pulso de potencia 17
Respuesta ante una serie de impulsos al azar 18
3.7 Resumen 23
TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA
3.1 Introduccin
Siempre que por un elemento conductor circula una corriente elctrica, se generan unas prdidas de
potencia que elevan la temperatura del mismo. Estas prdidas son debidas el efecto Joule, y cobran
especial protagonismo en los elementos semiconductores de potencia, puesto que por ellos circulan
elevadas intensidades, y por tanto el incremento de temperatura que se produce pone en peligro la
vida del dispositivo.
El calor que se produce en el interior del semiconductor debe ser evacuado rpidamente, con el fin de
evitar que la temperatura interna llegue al lmite mximo permitido, lmite por encima del cual se
destruir el dispositivo.
En los ltimos aos, se ha experimentado un gran avance en los dispositivos

electrnicos de potencia; la tendencia es integrar en pequesimas pastillas
de silicio la mayor cantidad posible de funciones, tanto de control como de
potencia (tecnologa Smart Power, o circuitos integrados inteligentes). El
principal freno para el desarrollo de las nuevas tecnologas es precisamente
la disipacin del calor que se genera en el interior de los chips.
Fig 3. 1
En Electrnica de Potencia la refrigeracin juega un papel muy importante
Disipador de potencia en la optimizacin del funcionamiento y vida til del semiconductor de
potencia. En ste tema se analizan los mtodos ms adecuados y seguros
para la refrigeracin y se tratarn de mostrar los aspectos ms importantes en el clculo de
disipadores de calor.
3.2 Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor
(2.08 Mb)
[3_1]
Fig 3. 2 La excesiva disipacin de potencia destruye el transistor por sobrecalentamiento. Utilizando un disipador se evacua parte del calor,
evitando as que la temperatura de la unin exceda los lmites permitidos por el fabricante.
En todo semiconductor el flujo de corriente elctrica produce una prdida de energa que se
transforma en calor. El calor generado en la unin del semiconductor, se propaga por conduccin a la
cpsula o contenedor y por conveccin al aire o medio ambiente se produce un aumento de la
temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocar una disminucin
de la fiabilidad del componente, llegndose incluso a la destruccin de las uniones. Ver figura 3.2
La capacidad de evacuacin de calor al ambiente vara segn el tipo de cpsula o contenedor del
dispositivo; en los semiconductores de potencia esta evacuacin es demasiado pequea, por lo que es
Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid 1

necesario facilitar la transferencia de calor generado, esto se consigue mediante un dispositivo de

mayor volumen y superficie llamado radiador o disipador de calor, el cual hace de puente para
evacuar el calor de la cpsula al medio ambiente.
Ejemplos de disipadores:
[3_2] [3_3] [3_4]
3.3 Equivalente elctrico

Aunque el diseo trmico de los elementos semiconductores podra realizarse aplicando las
ecuaciones bsicas de la transferencia de calor, se ha generalizado un mtodo mas sencillo basado en
una analoga entre las ecuaciones trmicas y la ley de Ohm.
Por el principio de analoga se puede realizar un smil elctrico de todo el proceso trmico. La
diferencia de temperatura es anloga a una diferencia de potencial (tensin) el flujo calorfico es
anlogo al flujo de corriente elctrica (intensidad) y la resistencia trmica similar a la resistencia
elctrica.
El paso de la corriente elctrica produce un aumento de la temperatura de la unin (Tj). Si sta se

quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energa calorfica generada por la
unin. El calor pasar del punto ms caliente al ms fro, con mayor o menor dificultad dependiendo
de la resistencia trmica que encuentre a su paso, dicha resistencia expresa el grado de dificultad
para evacuar el calor de un dispositivo y se mide en grados centgrados por vatio (C/W).
El objetivo principal de este tema es determinar el tipo y longitud del disipador que se ha de colocar
en el dispositivo semiconductor, para garantizar que no se supere la temperatura de la unin mxima
permitida por el fabricante. Presentamos un listado con todos los parmetros que se utilizaran as
como su nomenclatura.
Rjc = Resistencia trmica unin-contenedor, otras notaciones: RJC, Rth j-c , Rth j-mb,
Rja = Resistencia trmica unin ambiente, otras notaciones: RJA, Rth j-a
Rcd = Resistencia trmica contenedor-disipador, otras notaciones: RCHS, Rth mb-h
Rd = Resistencia trmica disipador-ambiente
Rca = Resistencia trmica contenedor-ambiente
Rdv = Resistencia trmica del disipador, con ventilador.
Tjmx = Temperatura mxima que puede soportar la unin del dispositivo.

Tj = Temperatura alcanzada por la unin del transistor durante su funcionamiento.
Tc = Temperatura del contenedor
Td = Temperatura del disipador
Ta = Temperatura ambiente
Pd = Potencia que disipa el transistor.

Wat = Potencia mxima que el transistor puede disipar con una Tc = 25C
F = Factor de correccin cuando se utiliza ventilador
K = Coeficiente de seguridad para evitar que se alcance la Tjmx.
C = Capacidad trmica.
El origen de estos datos es muy diverso. Algunos vendrn dados en tablas y manuales; otros, deber
de establecerlos el diseador y otros, representan las incgnitas del problema y debern calcularse.

(8.93 Mb)
[3_5]
Fig 3.3
Resistencias trmicas y temperaturas, localizadas en un
montaje real
Aplicando el principio de analoga a las magnitudes elctricas y trmicas, se cumple:
Tj Ta = Pd (R jc + R ca ) E 3.1
Cuando aadimos un disipador aparecen unas nuevas resistencias, Rcd + Rd que se aaden en paralelo
con Rca y debe de cumplirse que Rca>>Rcd+Rd quedando solo Rjc+Rcd+Rd. Como se ve la misin del
radiador ha sido reducir la resistencia trmica c-a del conjunto.
Fig 3.4
Equivalente elctrico, para el estudio de la disipacin de calor. La Rca en
paralelo con la suma Rcd + Rd se puede despreciar, es decir, es mucho
mayor el flujo de calor desde el contenedor - radiador ambiente que desde
el contenedor ambiente.
A continuacin se definen estos parmetros uno por uno, con el fin de clarificar los trminos del
problema.
3.3.1 RESISTENCIAS TRMICAS

Es obvio pensar que cuanto menor sea el valor de la resistencia trmica, ms fcil ser evacuar el
calor y menor el incremento de temperatura en la unin para una misma potencia elctrica disipada.
La resistencia trmica global desde la unin del semiconductor hasta el medio ambiente se puede
desglosar en varias resistencias trmicas
Rth 2
[3_6]

Resistencia Unin - Contenedor, Rjc [3_7]

(168 Kb)
El foco calorfico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de tal forma que el calor
debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. La dificultad que presenta el dispositivo para
evacuar este calor se mide como resistencia trmica unin contenedor. Esta resistencia depende del
tipo de encapsulado y la suministra el fabricante, bien directamente o indirectamente en forma de
curva de reduccin de potencia.
Tjmax Tc
R jc = E 3. 2
Pd
Fig 3.5
Curva de reduccin de Potencia.
Muestra la potencia mxima que es capaz de disipar el dispositivo en funcin de
la T de la cpsula. La pendiente de la recta es la inversa de la resistencia unin
contenedor.
PROBLEMA 3.1
Dados los datos correspondientes a un transistor 2N3055, comprobar que el valor de la Rjc
suministrada por el fabricante cumple la ecuacin [E3.2]. Datos hoja de caractersticas:
Wat=115W Tjmax=200C Rjc = 1,52C
Solucin: Rjc = 1.52C/W
Tipos de encapsulados TO.3 y TO.220, los ms utilizados

[3_8] [3_9]

Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd [3_10]
Es la resistencia trmica entre el contenedor y el disipador. La facilita el fabricante o se puede

encontrar en tablas, siempre est condicionada por el tipo de contenedor o cpsula y por el tipo de
contacto entre la cpsula y la aleta refrigeradora. El valor de la misma depende del sistema de
fijacin del disipador, del grado de contacto entre las superficies e incluso de la fuerza con que se
aprieten los tornillos fijadores. Para mejorar este contacto, y/o aislar elctricamente las dos
superficies, se suelen interponer materiales, que pueden ser de dos tipos: pastas y lminas aislantes.
Las Pastas que pueden ser conductoras, o no conductoras de la electricidad, producen una
disminucin de la Rcd mejorando el contacto entre las superficies, suelen ser pastas de silicona.
Lminas aislantes elctricas como mica, kelafilm, etc, que se pueden emplear solas o conjuntamente
con pastas de silicona conductoras de calor. En la mayora de los transistores el contenedor hace las
veces de colector, por lo que generalmente es necesario aislarlo elctricamente del disipador
(normalmente, el colector suele estar a Vcc y el disipador a tierra puesto que suele colocarse en el
chasis del aparato, generalmente conectado a tierra).
Lamina aislante Sistemas de fijacin Montaje (584 Kb)
[3_11] [3_12]
[3_13]
Por tanto esta resistencia trmica depende del tipo de contacto entre contenedor y disipador y se
pueden dar las siguientes combinaciones:
Contacto directo, RD
Contacto directo ms pasta de silicona, RD+S
Contacto directo ms mica aislante, RD+M
Contacto directo ms mica aislante ms pasta de silicona, RD+M+S
El valor de la resistencia Rcd depende bastante del tipo de contacto, a continuacin se ordenan de
menor a mayor.
RD+S < RD < RD+M+S < RD+M
El valor de esta resistencia trmica influye notablemente en el clculo de la Rd y por tanto en la

superficie y longitud necesarias en la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto ms
baja es Rcd menor tendr que ser Rd y por tanto ms pequea la aleta necesaria.
Fig 3.6 Tabla de resistencias trmicas

Para un contenedor del tipo TO.3 se tienen los siguientes valores para la resistencia
contenedor disipador en funcin del tipo de contacto:
RD+S = 0.12C/W; RD = 0.25C/W; RD+M+S = 0.4C/W; RD+M = 0.8C/W.
Observar la diferencia de valores e intentar razonar las causas de esta variacin.
Resistencia de disipador, Rd [3_14]
En realidad es la resistencia disipador - ambiente y representa la oposicin al flujo de calor desde el

elemento disipador al aire o medio ambiente. Depende de factores como: condiciones de la
superficie, color y posicin de montaje.
Para el clculo de esta resistencia, se puede utilizar la siguiente frmula (ver figura 3.4):
Tj Ta
Rd = (R jc + R cd ) E 3. 3
Pd
Una vez calculada la Rd se elige la aleta refrigeradora.
En primer lugar se tendr en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el
adecuado para el montaje de la aleta.
En segundo lugar, para el caso de grandes radiadores, hay que calcular la longitud necesaria de
disipador y cortar la adecuada. Para ello es necesario disponer de grficas que ofrecen los fabricantes
de la Resistencia en funcin de la longitud del disipador.
Fig 3. 7 Resistencia trmica, Rd en funcin de la

longitud del disipador.
De todos los parmetros que intervienen en el clculo de Rd, el clculo de la potencia disipada, Pd,
suele ser el ms complejo. La potencia que disipa un semiconductor variar segn el tipo de
dispositivo que se est utilizando y de la seal aplicada.
Disponemos de estos tres perfiles de radiadores para dispositivos semiconductores, si la

Rd necesaria es de 3C/W justificar la eleccin del radiador adecuado

Fig 3.8 Radiadores
3.3.2 TEMPERATURA MXIMA DE LA UNIN, TJMAX

Esta temperatura representa el lmite superior al que no debe llegar la unin y menos sobrepasarlo si
queremos evitar la destruccin del dispositivo. Este dato est disponible, normalmente, en los
manuales de los fabricantes de semiconductores. En su defecto se puede adoptar uno de los valores
tpicos mostrados en la tabla que se expone a continuacin, en funcin del dispositivo a refrigerar:
DISPOSITIVO RANGO DE Tjmx

De unin de Germanio Entre 100 y 125C
De unin de Silicio Entre 150 y 200C
JFET Entre 150 y 175C
MOSFET Entre 175 y 200C
Tiristores Entre 100 y 125C
Transistores Uniunin Entre 100 y 125C
Diodos Zener Entre 150 y 175C
Fuente: Revista Nueva Electrnica
El objetivo principal ser mantener la temperatura de la unin por debajo de la mxima permitida.
Utilizaremos un coeficiente de seguridad, K cuyo valor dar una temperatura de la unin
comprendida entre el 50% y el 70% de la mxima, K estar comprendido entre 0.5 y 0.7. La
temperatura de la unin que se utilizar en los clculos ser:
Tj = K Tjmx E 3. 4
Las condiciones de funcionamiento en funcin de K sern:
Para valores de K = 0.5: dispositivo poco caliente. Mximo margen de seguridad, pero el tamao de
la aleta refrigeradora ser mayor.

Para valores de K = 0.6: menor tamao de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente
demasiado.
Para valores de K = 0.7: mximo riesgo para el dispositivo. El tamao de la aleta refrigeradora ser
menor que en el caso anterior. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se site en el exterior.
3.3.3 POTENCIAS
Potencia mxima disipable, Wat
La potencia mxima que puede disipar un dispositivo es un dato que proporciona el fabricante para
una temperatura de contenedor de 25C.
Tj Tc T j max 25 C
Wat = = E 3. 5
R jc R jc
Caracterstica 2N3055
[3_15]
Sea un transistor con las siguientes caractersticas:
PT max = 75 W
Tj max = 175 C
R jc = 2 C/W
Determinar la mxima disipacin de potencia en continua permitida para una temperatura de contenedor de
80C
Fig 3.9
Solucin:
Como se puede comprobar grficamente:
Tj Tc 175 C 80 C
PT max = = PT max = 47.5 W
R jc 2 C/W
[Power Semiconductor Applications]

PROBLEMA 3.2
Las hojas de caractersticas proporcionadas por el fabricante del transistor 2N3055 informan que
puede disipar un mximo de 116 vatios. Se corre riesgo de destruir el dispositivo si se le hace
disipar 90 W? Justificar la respuesta
Datos: Ta = 25C
Solucin:
El planteamiento inmediato es pensar que efectivamente se pueden disipar 90 vatios sin correr
ningn riesgo de destruir el dispositivo, dado que el dispositivo puede disipar hasta 116 W segn
el fabricante. Pero si se realizan los clculos oportunos y se consideran las verdaderas
condiciones de funcionamiento la sorpresa es mayscula y las consecuencias se pueden apreciar
en la figura 3.2
Sabiendo que la temperatura de la unin mxima permitida es de 200C y la Rja proporcionada

por el fabricante, sin considerar aleta refrigeradora es de 35C/W, la mxima potencia disipable
sin disipador es:
Tj max Ta 200 C 25 C
Pd max = = Pd max = 5 W
R ja 35 C/W
Este valor queda muy por debajo del indicado por el fabricante.
Considerando una aleta con una buena resistencia trmica: R d = 0.6 C /W

una resistencia trmica contenedor disipador: R cd = 0.12 C /W
y una resistencia unin contenedor: R jc = 1.5 C/W
ambos valores tambin bastante adecuados, la mxima potencia disipable con disipador es:
Tj max Ta
Pd max = Pd max = 78.83 W
R jc + R cd + R d
Ni en el mejor de los casos, con la mnima resistencia unin disipador, es posible disipar los
90W que se pretendan.
Las consecuencias son conocidas, se destruira la unin.
La potencia que se puede disipar con aleta disipadora es superior a la disipable sin aleta e
inferior a la que suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la
Pdmx manteniendo la temperatura del contenedor a 25C, cosa que en condiciones normales de
funcionamiento es imposible.
PROBLEMA 3.3
En un circuito determinado, el BD137 ha de disipar 3W. Determinar el disipador adecuado si

queremos que el transistor permanezca poco caliente.
Datos: Wat = 3W; Watmax = 12W para Tc = 25; Tjmax = 150
Solucin: Rd = 4.85 /W
Rjc se obtiene de las hojas de caractersticas del fabricante. Rcd depende del tipo de
contacto entre el dispositivo y el radiador. Rd depende exclusivamente del radiador
utilizado.

3.4 Clculo de Rd de diodo rectificador

En el caso de diodo rectificador, para calcular la resistencia trmica del disipador hay que conocer la
intensidad media directa por el diodo IFAV, el factor de forma, "a" que es la relacin entre la
intensidad eficaz y la intensidad media, y tambin la temperatura ambiente del entorno en que va a
trabajar el dispositivo. Estos datos son propios del circuito en el cual el diodo est funcionando.
I RMS
a= E 3. 6
I FAV
En el tema 2, se calcul la potencia media disipada por un diodo, demostrndose que no slo depende
del valor medio de la corriente sino que es funcin tambin de la intensidad eficaz. No obstante, esta
potencia suele venir dada por el fabricante en forma de curvas para diodos de potencia.
Para formas de onda cuadradas en lugar del factor de forma ser necesario conocer el ciclo de
trabajo, D que es la relacin entre el tiempo de conduccin en cada periodo, ton y el periodo, T.
t on
D= E 3. 7
T
La intensidad media para la operacin con ondas cuadradas se calcula segn la expresin:
I TAV = D I RMS E 3. 8
Demostrar que efectivamente para una seal cuadrada la corriente media que
atraviesa el diodo es igual a la corriente eficaz multiplicada por la raz
cuadrada del ciclo de trabajo, [E3.8]
El clculo de la resistencia de disipador se apoya en las curvas que proporciona el fabricante, que son
propias de cada diodo.
Fig 3.10 Grficas para el diodo rectificador. Potencia en funcin de la intensidad media para distintos factores de forma y temperaturas de
contenedor en funcin de la temperatura ambiente para distintos valores de resistencia contenedor ambiente. Observar la interpretacin de
la grfica realizada en el problema 3.4

Suponiendo conocidas la intensidad media y el factor de forma, la potencia que disipa el diodo se
puede obtener directamente en la curva de la izquierda. Con este valor de potencia y el de la
temperatura ambiente en la curva de la derecha se pueden ver tanto la temperatura de contenedor
como la resistencia contenedor ambiente necesaria.
R ca = R cd + R d E 3. 9
De esta expresin se puede obtener la resistencia de disipador buscada sabiendo que Rcd depender
del tipo de contacto cpsula-disipador.
Para un diodo de potencia, las prdidas totales sern la suma de las prdidas en conmutacin y las
prdidas en conduccin. Las prdidas en conmutacin son significativas a altas frecuencias y
aparecen como consecuencia de la recuperacin inversa. Se pueden calcular aplicando la expresin:
Pconmutacin = VR Q RR f s E 3.10
En la que VR es la tensin en bornes del diodo en estado de bloqueo, fs es la frecuencia de

conmutacin y QRR es la carga de recuperacin inversa

En la grfica de la figura 3.10, se puede observar que a medida que aumenta la potencia
que se quiere disipar, eje Y de la grfica de la izquierda, disminuye la temperatura a la
que se debe encontrar el contenedor, eje Y de la grfica de la derecha. Reflexionar sobre
esta aparente contradiccin.
PROBLEMA 3.4
Sea un diodo rectificador de 60A del tipo BYW93 con una Rjc = 0.7 C/W y una Tjmax = 150C,
que se est utilizando en un circuito que aporta una intensidad media de 30A con un factor de
forma de 1.57 Sabiendo que la temperatura ambiente es de 40C, la Rcd seleccionada es de
0.3C/W y las curvas que facilita el fabricante son las de la Figura 3.10 Calcular la Rd
Solucin: Rd= 3.7C/W
PROBLEMA 3.5
Para un mismo componente, un fabricante aporta dos curvas de desvataje, segn se indica en la
siguiente figura. A la vista de los datos en ellas reflejados, obtngase:
Fig 3.11
(a) A una temperatura ambiente de 50C, qu potencia mxima puede disipar el componente
para no requerir disipador?
(b) Si la temperatura ambiente es de 40 C, en qu condiciones podra disipar 20W?
(c) En un circuito en que disipa 10 w se le ha colocado un disipador de 3C/W (colocado con un
aislante que introduce 1C/W), Hasta qu temperatura ambiente funcionara correctamente?


Solucin:
(a) Sin disipador:
150 C 40 C
ja = = 55 C/W
2W
Pmax (55 C sin disip .) = = Pmax (55 C sin disip .) = 1.82 W
ja (sin disip .) 55 C/W
(b) Si se disipan 20W:
Fig 3.12
150 C 40 C
jc = = 5.5 C/W ca = dis + aislante
20 W
La temperatura en la cpsula ser:
Tc = Tj 20 jc = Tj 20 W 5.5 C/W = Tj 110 C
Cuando Tj = Tj max es el caso lmite Tc = 40 C
Como sta es la temperatura deseada para Ta, esto slo se conseguir si ca = 0 didipador
infinito.
(c)
Fig 3.13
Tj = 10 ( jc + aislante + dis ) + Ta = 95 C+ Ta
Como Tj Tj max Ta Tj max 95 C = 150 C 95 C Ta = 55 C

PROBLEMA 3.6
La mxima temperatura de la unin de un transistor de potencia es de 180C, la resistencia

trmica unin-cpsula es Rjc = 5K/W
(a) Si la temperatura ambiente es de 50C y se emplea un aislante cpsula-disipador con Rcs =
1K/W, obtener la resistencia trmica mnima que debe poseer el disipador que se utilice, cuando
el transistor disipa 20W.
(b) Reptase el apartado anterior si el transistor disipase 25W
(c) Dibjese la curva de desvataje del transistor, sabiendo que la potencia nominal est dada para
40C.
Solucin:
(a)
Fig 3.14
Tj = 20 W (5 C/W + 1 C/W + dis ) + Ta Tj max

Tj max Ta
dis 6 C/W dis = 0.5 C/W
20 W
(b)
Fig 3.15
Repitiendo las operaciones del apartado anterior:
Tj = 25 W (5 C/W + 1 C/W + dis ) + Ta Tj max

Tj max Ta
dis 6 C/W dis = 0.8 C/W Imposible! No se podra disipar
25 W
esta potencia
(c)
Pn = Pmax (Ta = 40 C ) = = Pn = 28 W
jc 5 C/W
Fig 3.16

PROBLEMAS PROPUESTOS
Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura de la

cpsula no debe superar los 10C.
Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura

ambiente es de 50C.
Un transistor de potencia, de silicio, tiene las siguientes especificaciones trmicas:
PD (max ) = 20 W , ja = 7 C/W , jc = 0.7 C/W

(a) Obtener la temperatura mxima de la unin.
(b) El transistor est montado directamente sobre un radiador de calor de aluminio que
tiene ra = 4 C/W y la resistencia trmica cpsula-radiador es de cr = 0.2 C/W .
Hallar la mxima disipacin permisible.
Un transistor tiene un encapsulado TO.126 y una temperatura Tj mxima de 150C.

Determinar la potencia mxima que puede disipar sin aleta, en el caso que la temperatura
ambiente nunca sea inferior a 45C. En estas condiciones, indicar la resistencia trmica
mxima de la aleta que permita duplicar la anterior potencia mxima.
Un diodo Zener de 2W debe disipar 5W y la temperatura mxima de la unin es 175C.
Calcular la ja. Si la temperatura ambiente es de 50C y jc = 15 C/W, determinar la mxima
resistencia trmica entre la cpsula-ambiente que evite daar al diodo. Si el encapsulado del
diodo es del tipo TO.202, proponer un tipo de aleta que verifique todos los requerimientos.
Caractersticas 2N3904 [Electrnica bsica para ingenieros]

[3_16]
3.5 Ventilacin forzada

Cuando la resistencia trmica obtenida en el clculo es muy baja, se puede
elegir entre pocos radiadores, puesto que son pocos los que hay en el mercado
que ofrecen una resistencia trmica inferior a 0.5 0.6 C/W. En estos casos,
se utiliza un ventilador, el cual es capaz de reducir la resistencia trmica
equivalente.
Para valorar en trminos numricos la reduccin de la resistencia trmica es

absolutamente necesario conocer un dato que nos proporciona el fabricante
Fig 3.17 Ventilador del ventilador. Este es el aire que es capaz de mover el ventilador por unidad
de tiempo.
3.6 Impedancia Trmica

El mtodo de diseo empleado anteriormente slo es vlido en aquellos casos en los que la
temperatura de pico que alcanza la unin es muy parecida a su temperatura media.
El aquellos componentes que soportan pulsos nicos de potencia, pulsos de forma irregular o trenes
de pulsos de baja frecuencia con ciclos de trabajo pequeos (<0.5), el factor que limita las prdidas
de potencia es la temperatura de pico de la unin y no la temperatura media.
La razn de esto es que el calentamiento no llega a la cpsula ni al radiador debido a la inercia
trmica, y la cpsula permanece prcticamente a la temperatura ambiente.

El modelo anterior ( Tj = Pd R jc + Tc ) NO es vlido.

El modelo trmico debe ser modificado para contar con la capacidad trmica, se deben incluir estas
capacidades que simulan a las inercias trmicas de los elementos.
Fig 3.18 Modelo trmico
En este caso habra que definir una impedancia trmica Zjc<Rjc , que sirve para calcular la evolucin
de la temperatura instantnea.
Las prdidas de potencia prcticamente se producen en la oblea de silicio, que al tener poca masa, su
inercia trmica es muy pequea y puede cambiar de temperatura rpidamente.
El radiador tiene mucha masa con lo que su inercia es mucho mayor y los cambios de temperatura
son mucho ms lentos.
En la prctica se utiliza un mtodo simplificado, a partir de las curvas que el fabricante proporciona
de impedancia trmica transitoria (ver figura 3.23). Se tratara de calcular las dos incgnitas de Tc y
Rd
Fig 3.19
Qu potencia debo de tomar? Para el clculo de Tc la potencia mxima y para el clculo de Rd la

potencia media.
Fig 3.20
Tenemos dos ecuaciones con dos incgnitas, Tc y Rd.
En el circuito elctrico que representa la analoga con el comportamiento trmico se pueden ver una
serie de grupos Rt Ct cada uno con una constante de tiempo caracterstica = Rt Ct

El valor de la constante de tiempo determina si cada uno de los grupos Rt Ct alcanzan el equilibrio
rpida o lentamente. Cada grupo produce un incremento de temperatura que viene dado por la
expresin:
-t
R t C t

T = t 2 t 1 = R t Pd 1 e E 3.11

Rt Resistencia trmica del grupo Rt Ct
Ct Capacidad trmica del grupo Rt Ct
Cuando se aplica el pulso de potencia, la temperatura va aumentando de valor con la consiguiente

carga de las capacidades trmicas. Cuando stas se cargan totalmente, se alcanza el rgimen
permanente para la temperatura y su aumento ya solo depende de la resistencia trmica
Fig 3.21
Temperatura de la unin en funcin del pulso aplicado. La
temperatura, aumenta con la duracin del pulso, hasta que se
alcanza el rgimen permanente. (Cortesa Motorola)
Si a esta red se aplica un pulso de potencia, el valor de pico para Tj depende de la amplitud del pulso
de potencia y de la anchura del pulso ton.
La figura 3.21 muestra la respuesta de Tj ante dos pulsos de diferentes anchuras pero con el mismo
valor de pico. El pulso de menor anchura hace que la unin alcance un valor inferior de temperatura.
Como se puede observar, si se aplica un pulso lo suficientemente ancho, la temperatura de la unin
alcanzar el rgimen estable. Si la duracin del pulso aplicado no permite a Tj llegar al rgimen
estable, es cuando la impedancia trmica cobra importancia.
La variacin de la impedancia trmica Zjc(t) con la anchura de pulso la puede dar el fabricante
directamente, pero lo normal es que suministre una curva como la mostrada en la figura 3.22, en la
que se utiliza r(t) que es el resultado de normalizar la impedancia trmica transitoria Zjc(t) con la
resistencia trmica Rjc, en rgimen estable.
Z jc (t)
r(t) = E 3.12
R jc
Zjc(t) = Impedancia trmica transitoria.
Rjc = Resistencia trmica en rgimen estable.
r(t) = Impedancia trmica normalizada (inferior a la unidad).
Para pulsos de corta duracin r(t) es bastante pequeo pero al incrementarse ton, r(t) se aproxima a 1.
Esto quiere decir que para pulsos de larga duracin la impedancia transitoria Zjc(t) se aproxima a la
resistencia Rjc en rgimen estable. Conociendo ton se puede obtener r(t) a partir de la grfica de la
figura 3.22 La impedancia trmica se obtiene despejando en [E3.12]
Z jc (t) = r(t) R jc E 3.13

Fig 3. 22
Impedancia trmica normalizada, r(t) para un solo pulso, en funcin de
la duracin de ste, ton
En algunas ocasiones el fabricante suministra las curvas de la resistencia trmica transitoria para
trenes de pulsos en funcin del ciclo de trabajo, D tal y como se puede observar en la grfica de la
figura 3.23.
Fig 3.23 Impedancia trmica normalizada para trenes de pulsos de larga duracin, en funcin del ciclo de trabajo. (Cortesa de Motorola)
Se define el ciclo de trabajo como la relacin entre la anchura del pulso y el periodo del tren de
impulsos.
t on
D= E3. 14
T
ton = tp = Anchura del pulso aplicado
T = Periodo del tren de impulsos.
A continuacin se ver como se utilizan las curvas de la impedancia trmica que suministra el
fabricante y se aplicar al clculo de la temperatura que alcanzar la unin segn sea aplicado un
nico pulso de potencia o un tren de pulsos.
Respuesta ante un nico pulso de potencia

Algunas veces el fabricante suministra en una sola grfica la curva para un nico pulso de potencia y
para trenes de impulsos con diferentes ciclos de trabajo (D). En este caso la curva con D = 0 es la
correspondiente a un pulso nico de potencia.
Fig 3. 24
Respuesta de la temperatura de la unin ante un nico pulso de potencia
Ante la aplicacin de un nico pulso de potencia como el que se puede observar en la figura, se
puede calcular Tj mediante la curva r(t) frente a ton si se conoce, Pd, Rjc y Tc utilizando la expresin
3.15

Tj1 = Tc + Z jc (t1 ) Pd = Tc + r(t1 ) R jc Pd E 3.15
PROBLEMA 3.7
Dada la curva de la figura 3.27 de la impedancia trmica transitoria normalizada en funcin de

la anchura del pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton D)) de un transistor 2N3716,
determinar la temperatura de la unin al final del primer pulso bajo las siguientes condiciones:
Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50C; Rjc = 1.17C/W
Fig 3.27 Impedancia trmica transitoria normalizada para el 2N3716 (Cortesa de Motorola)
En la grfica de la figura se obtiene el valor de r (ton) para un nico pulso, es decir la

interseccin de la vertical para ton = 10 ms con la curva para D = 0.
r (t on ) = 0.4
La temperatura que alcanzar la unin al final del pulso se calcula mediante la ecuacin [E3.15]
Tj = Tc + r (t on ) R jc Pd = 50 C+ 0.4 1.17 C/W 40 W Tj = 68.72
Respuesta ante una serie de impulsos al azar

En una serie de impulsos de potencia al azar cada impulso tiene valores diferentes para la anchura
y la altura. Para hallar el valor de los incrementos de temperatura ocasionados se debe aplicar el
principio de superposicin.
En la utilizacin de este principio cada intervalo de potencia que produce calor, es considerado
positivo en valor y cada intervalo de refrigeracin es considerado negativo. Un intervalo de
calentamiento comienza al mismo tiempo de la aplicacin del impulso y se extiende al infinito. Un
intervalo de refrigeracin comienza al finalizar el impulso de potencia y tambin se extiende al
infinito.

Fig 3.28
Serie de impulsos al azar, principio de superposicin para calcular la
variacin de la T de la unin. Este mtodo tambin puede ser aplicado
cuando el tiempo total de calentamiento es ms pequeo que el tiempo
necesario para alcanzar el rgimen permanente. (Cortesa de Motorola)
Llamando Tj a la diferencia de temperatura entre la unin y la cpsula
Tj = Tj Tc
se cumplir que el Tj considerando el primer impulso es:
Tj1 = P1 r ( t1 ) R jc
mientras que considerando hasta el tercer impulso, la expresin se complica:
Tj3 = [P1 r ( t 3 ) P1 r ( t 3 t 1 ) + P2 r ( t 3 t 2 )] R jc
y para el quinto impulso:
Tj5 = [P1 r ( t 5 ) P1 r ( t 5 t1 ) + P2 r ( t 5 t 2 ) P2 r ( t 5 t 3 ) + P3 r ( t 5 t 4 )] R jc
Como se puede observar, se hace un sumatorio, con el signo adecuado, segn se trate de
calentamiento o de refrigeracin, de los efectos que tiene cada impulso sobre el instante en el que se
desea saber la temperatura que alcanzar la unin Tj.
Considerando un tren de impulsos de larga duracin, ste permitir alcanzar el equilibrio a la
temperatura de la unin.
Al final del primer impulso los clculos son iguales que para un nico pulso. Al final de un impulso
en un estado estable se cumple la expresin
Tj = Pd R jc r(t on , D)
r (ton, D) se obtiene de la grfica de la impedancia trmica normalizada suministrada por el

fabricante.
Para poder utilizar la curva de r(t) en funcin de varios ciclos de trabajo, r(ton, D) es necesario que el
producto del nmero de pulsos, n por el perodo sea al menos equivalente al tiempo necesitado por el
semiconductor para alcanzar el equilibrio trmico.

Las curvas de resistencia trmica transitoria que facilita el fabricante son tiles para pulsos
rectangulares de potencia. Los pulsos de potencia no rectangulares pueden ser analizados mediante
sus equivalentes rectangulares.
Para formas de onda simples como la senoidal y triangular pueden utilizarse expresiones matemticas
para convertirlas en sus equivalentes rectangulares pero en cualquier caso un anlisis grfico
haciendo que las energas almacenadas en ambas formas de onda sean las mismas (en la original y en
la equivalente rectangular), ser una buena aproximacin.
Fig 3.25 Aproximacin de un pulso de potencia mediante pulsos rectangulares
Fig 3.26

PROBLEMA 3.8
Dado un transistor que requiere 3 segundos para alcanzar el equilibrio trmico. Sabemos que ton
= 100 s y que el ciclo de trabajo D = 0.5. Determinar el nmero de pulsos, n para poder usar la
grfica r(ton, D).
Solucin:
t on 100 s
T= = T = 2 10 4 s
D 0.5
3s 3s
n T = 3 s n = = 4
n = 1.5 10 4
T 2 10 s
Visita el tutorial interactivo de electrnica de potencia
www.ipes.ethz.ch
Fig 3.29 Equivalente trmico

Fig 3.30 Impedancia trmica
Un nuevo ejemplo ilustrar mejor el clculo de Tj al aplicar un tren de impulsos de larga duracin a
un transistor.
PROBLEMA 3.9
Dada la curva de la impedancia trmica transitoria normalizada en funcin de la anchura del

pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton, D)) del transistor 2N3716, Fig. 3.27, encontrar el
mximo valor que alcanzar la temperatura de la unin al aplicar un tren de impulsos
Datos: Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50C; Rjc = 1.17C/W
Solucin:
El mximo valor de la temperatura de la unin se alcanzar cuando el nmero de impulsos sea

suficiente como para dejar que la temperatura alcance el rgimen estable.
Se puede calcular el ciclo de trabajo mediante la expresin E3.20

t on
D= D = 0.2
T
De la curva suministrada por el fabricante para D = 0.2 y ton = 10 ms se obtiene:
r (t on , D ) = 0.56
con lo cual la Tj ser:
Tj = Tc + r (t on , D ) R jc Pd Tj = 76.2
Se podra haber utilizado tambin el principio de superposicin, para resolver este problema,
pero los clculos son largos. No tendremos ms remedio que aplicarlo si el fabricante slo nos da
la curva de r(t) / ton para un solo pulso de potencia correspondiente a D = 0.

3.7 Resumen
A continuacin vamos a presentar un resumen de los conceptos estudiados en esta leccin para
posteriormente ver algunos ejemplos de aplicacin
Funcionamiento en continua (valores medios de potencia)

Tj Ta Tj Tc
R ja = R jc =
PT (AV ) PT (AV )
Combinando estas ecuaciones:

Tj Ta
R da = R jc R cd
PT (AV )
Cuando queremos obtener valores medios de temperatura que alcanzar la unin hay que tomar
Potencia media y Resistencia trmica
Funcionamiento discontinuo
1. Tren de pulsos de corta duracin
Fig 3.31 Variacin de la temperatura de la unin y temperatura

contenedor cuando la duracin del pulso es pequea comparada
con la constante de tiempo trmica del disipador
Tj Tc
PTmax = Tc = Tj PTmax Z jc
Z jc
Tjmax = Tc + PMAX Z jc = Ta + PT (AV ) (R cd + R da ) + PMAX Z jc
2. Un solo pulso de larga duracin
Cuando la duracin del pulso es mayor que la constante de tiempo del radiador
Fig 3.32 Pulso de larga duracin
En los ejemplos vamos a suponer que Tc = 75C

Sea una seal rectangular peridica de potencia en un dispositivo (normalmente la

podemos encontrar en convertidores conmutados).
100W son disipados cada 400s con un periodo de 20s. Calcular la temperatura
mxima que alcanzar la unin del semiconductor.
Solucin:
Tjmax:
t p = 400 s = 4 10 4 s ; T = 2 10 5 s ; P = 100 W
Fig 3.33 Curvas de impedancia trmica. Cortesa de Philips
20
= = 0.05
400
El valor de Zjc lo obtenemos para = 0.05 de las figura 3.33: Z jc 0.1 C/W
Tjc P Z jc = 100 W 0.1 C/W = 10 C
Tj Tc + Tjc = 75 C+ 10 C = 85 C
Tjmax(media):
Pav = P = 100 W 0.05 = 5 W

Tjc (a v ) = Pa v Z jc ( =1) = 5 W 2 C/W = 10 C
Tj(a v ) = 75 C+ 10 C = 85 C
Para el caso de que la seal sea un solo pulso y con igual duracin al anterior
problema: t p = 400 s = 4 10 4 s
Solucin:
tp
Ahora: = = 0 T = ; P = 100 W
T
De la grfica 3.33, para = 0 : Zjc = 0.04C/W
Tjc = P Z jc = 100 W 0.04 C/W = 4 C

Para la forma de onda compuesta de la figura 3.34, calcular la temperatura de la

unin. T = 400s
Fig 3. 34 Cortesa de Philips
La forma de onda de la figura consiste en 3 pulsos rectangulares (40W para 10s, 20W para 130s y 100W
para 20s). La temperatura de la unin se puede calcular en cualquier punto del ciclo.
Para el primer clculo todos los pulsos, positivos y negativos, deben terminar en tx y para el segundo clculo en
ty.
Pulsos positivos incrementan la temperatura de la unin, mientras que los negativos la decrementan.
Hacer el clculo para tx
Solucin:
Tj max = P1 Z jc ( t 1) + P2 Z jc ( t 3) + P3 Z jc ( t 4 ) P1 Z jc ( t 2 ) P2 Z jc (t 4 )
Los valores de P1, P2 y P3 son: P1 = 40 W , P2 = 20 W , P3 = 100 W
Los valores de Zjc los sacamos de la figura 3.33

Por ltimo: t1 = 180s, t2 = 170s, t3 = 150s, t4 = 20s.
180
Para t1 : = = 0.45 Z jc = 0.9 K/W
400
En la siguiente tabla pueden verse los valores calculados para este ejemplo:
Realizar el clculo para ty

PROBLEMA PROPUESTO
Un transistor MOSFET que presenta una resistencia en conduccin de valor RDSON = 100m , se
coloca en un circuito de manera que, cuando conduce, lleva una corriente igual a 10A. La
impedancia trmica unin-cpsula de este transistor se muestra en la figura. La resistencia
trmica del radiador sobre el que va montado, presenta un valor RRA=5C/W. La temperatura
ambiente es de 30C.
Calcular, para los casos siguientes, la temperatura mxima que alcanza la unin del
semiconductor:
a) El transistor lleva pulsos de corriente de 10kHz y ciclo de trabajo 0,1.

b) El transistor conduce de forma permanente.
c) El transistor conduce corriente con una frecuencia de 1Hz y ciclo de trabajo 0,1.
d) En el transistor se produce un nico pulso de corriente de 1ms de duracin cada 10 minutos de
funcionamiento.
Fig 3.35

Bibliografa
AGUILAR PEA, J. D.; MOLINA SALIDO, J. DE LA CRUZ; NIETO PULIDO, J.; LOPEZ
MUOZ, P. Disipadores de calor para semiconductores de potencia. Cmara oficial de comercio e
industria de la provincia de Jan, Jan 1994.
AGUILAR J. D.; ALMONACID G. Disipadores de calor. Revista Espaola de Electrnica. Julio-

Agosto, 1991.
AGUILAR PEA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teora y problemas.

Ed. Paraninfo, Madrid 1993.
INTERACTIVE POWER ELECTRONICS SEMINAR (iPES). <www.ipes.ethz.ch> [Consulta: 5

de julio de 2005]
POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS, PHILIPS SEMICONDUCTOR. Tema7.

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RUIZ ROBREDO, G. A. Electrnica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores. Facultad

de ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroWeb.html> [Consulta: 5 de julio de 2005]
TIRISTOR DATA (Leccin 8: Reliability and Quality) <http://onsemi.com>


POTENCIA
Tema 4.- Introduccin

Introduccin y clasificacin. Distorsin. Amplificadores de potencia clase A (Acoplo
directo. Por transformador). Distorsin. Contratase Clase B: Circuito bsico, clculos,
rendimiento, distorsin. Amplificadores de potencia en contratase AB: Dos fuentes de
alimentacin, una fuente de alimentacin. Servoamplificadores.

jaguilar@ujaen.es
4.1 Consideraciones generales 1
4.1.1 Clasificacin de los Amplificadores 1

4.1.2 Tipos de Distorsin 2
4.1.3 Clculo de la distorsin armnica 3
4.2 Diseo del Amplificador 8
4.2.1 Situacin del punto de trabajo 8
4.3 Amplificador de Potencia Clase A 9
4.3.1 Caractersticas generales 9

4.3.2 Clase A con acoplo directo a la carga 10
4.3.3 Clase A con acoplo por transformador 12
4.3.4 Distorsin en clase A 12
4.4 Amplificador de Potencia Clase B 13

4.4.2 Amplificador de Potencia Clase B en contrafase push-pull 14
Disipacin de potencia y rendimiento 16

Distorsin de cruce 20
Reduccin de la distorsin con realimentacin 21
4.5 Amplificador de potencia clase AB 22

4.5.2 Amplificador de Potencia Clase AB en contratase 23
Caractersticas generales 23
Diseo del amplificador 23
Polarizacin con un multiplicador VBE 24
4.6 Servoamplificadores 30
Servoamplificador controlado por corriente 30

Amplificador PWM (modulacin de anchura de pulso) controlado por tensin 31
Amplificador PWM controlado por corriente 32
4.7 Protecciones contra sobreintensidades 32
Limitacin por corriente constante 32

Limitacin de corriente regresiva (Foldback) 33
TEMA 4: AMPLIFICADORES DE POTENCIA
4.1 Consideraciones generales

Se puede definir amplificador de potencia como la etapa, cuyo objetivo es entregar la mxima
potencia a la carga, con la mnima distorsin y con el mximo rendimiento, sin sobrepasar ni en las
condiciones ms desfavorables de funcionamiento, los lmites mximos permitidos de disipacin de
potencia de los elementos empleados.
Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles de tensin y corriente elevados. Las
aproximaciones y modelos de pequea seal no son aplicables o deben de ser utilizados con las
consideraciones oportunas.
4.1.1 CLASIFICACIN DE LOS AMPLIFICADORES
Segn la frecuencia de las seales a amplificar

De Corriente Continua. Entre 0 y algunos hercios.
De Audiofrecuencia. Entre 20Hz y 20KHz.
De Radiofrecuencia. Entre 20KHz y varios cientos de MHz.
De Videofrecuencia. Tambin llamados de banda ancha, entre 30Hz y 15MHz.
Segn el funcionamiento de los transistores de salida
Lineales. Los transistores trabajan en zona lineal.
De conmutacin. Los transistores de salida trabajan en conmutacin, on - off.
Atendiendo al punto esttico de funcionamiento, punto Q. Ver figura 4.1
Fig 4. 1 Tipos de amplificadores atendiendo al punto esttico de funcionamiento. Observar las formas de onda de la seal de entrada, VBE y
de la seal de salida, IC
Universidad de Jan; J: D. Aguilar; M. Olid 1

CLASE A. La seal de salida circula durante todo un ciclo de la seal de entrada. El punto de
funcionamiento Q est centrado en la Recta de carga.
CLASE B. La seal de salida circula durante un semiciclo de la seal de entrada. Ic)Q = 0
CLASE AB. La seal de salida circula durante menos de un ciclo y ms de un semiciclo de la
seal de entrada. Ic)Q 0 pero pequeo.
CLASE C. La seal de salida circula durante menos de un semiciclo de la seal de entrada. El
transistor se encuentra polarizado negativamente VBE < 0
CLASE D. Se conocen tambin con el nombre de amplificadores conmutados. Los elementos
de salida trabajan en conmutacin, por lo que las prdidas de potencia son muy bajas y
consecuentemente, alcanzan rendimientos prximos al 100%
4.1.2 TIPOS DE DISTORSIN.

En un amplificador ideal la seal de salida es una rplica exacta de la seal de entrada. En
amplificadores reales, fundamentalmente debido a las caractersticas no lineales de los dispositivos
utilizados, aparecen distorsiones que introducen modificaciones en la seal de salida.
Distorsin de fase
Aparece debido a que las componentes de una seal sufren distintos desplazamientos de fase a
medida que van atravesando las etapas del amplificador. Estas diferencias de fase son provocadas por
los elementos capacitivos e inductivos que forman parte del sistema.
Distorsin de frecuencia
Aparece debido a que la ganancia de los amplificadores no es la misma para todas las frecuencias, es
decir, la respuesta en frecuencia no es plana, por lo que la seal de salida presentar deformaciones
con respecto a la de entrada, dado que las formas de onda complejas estn compuestas por seales
sinusoidales de distintas frecuencias y amplitudes. Al igual que en el caso anterior, estas
deformaciones son provocadas por los elementos capacitivos e inductivos. En general, stas
distorsiones aparecen conjuntamente.
Distorsin de amplitud
Aparecen por la falta de linealidad de los componentes de los amplificadores introducindose seales
armnicas indeseadas en la seal de salida. La ganancia de los amplificadores no es la misma para
todas las amplitudes de la forma de onda de la seal de entrada, por lo que pueden aparecer
amplificaciones o recortes desproporcionados en la seal de salida. Estos efectos se pueden
minimizar mediante una realimentacin negativa.
En funcin de la seal de entrada, se definen dos tipos de distorsin de amplitud.
Distorsin armnica.
Para una seal de entrada senoidal pura, el amplificador aade frecuencias armnicas de la frecuencia
de la seal de entrada, que se unen a sta, alterando su forma. Es la forma de distorsin ms
caracterstica. Por ejemplo, una seal pura de 1kHz se transforma a la salida del amplificador con
distorsin en otra seal que adems de tener la componente fundamental de 1kHz posee seales
armnicas de 2kHz (segundo armnico), 3kHz (tercer armnico), etc.
Distorsin armnica total Componente armnica Componente armnica y resultante

[4_1] [4_2] [4_3]

Distorsin por intermodulacin. [4_4]
Tiene lugar cuando a la entrada de un amplificador se aplican simultneamente dos seales de

distinta frecuencia y a la salida aparecen adems de stas, otras frecuencias no relacionadas
armnicamente con ellas. Para dos seales de entrada, de frecuencias f1 y f2, se obtienen a la salida
seales cuya frecuencia esta relacionada con la de las seales de entrada, f1, f2, 2f1, 2f2,... nf1,...nf2,
f1+f2,... n (f1+f2), f1-f2, etc.
Estos dos tipos de distorsin de amplitud se expresan en tanto por ciento. Debe quedar claro que
ambas distorsiones son debidas a la falta de linealidad de los dispositivos utilizados.
Fig 4. 2 Tipos de distorsin
4.1.3 CLCULO DE LA DISTORSIN ARMNICA

Sea un circuito al cual se le aplica, como seal de entrada, una seal cosenoidal
Vi (t) = Vm Cos o t E 4. 1
La alinealidad de la funcin de transferencia del circuito da como resultado una seal de salida
distorsionada.
Segn Fourier, cualquier seal peridica puede descomponerse en un cierto nmero de seales que
sumadas dan como resultado la forma de onda de la seal peridica, con la particularidad de que la
frecuencia de estas ondas sigue un orden armnico.
N
Vo(t) = VDC + V1cos(0 t + 1 ) + Vn cos(n0 t + n ) E 4. 2
n =2
donde VDC es el valor medio o componente continua de la seal de entrada. El trmino de frecuencia
0 es el fundamental, que se correspondera con la respuesta deseada, las dems componentes para n
> 1 son los trminos que producen la distorsin. Luego la falta de linealidad del circuito produce
componentes armnicas:
N
d(t) = Vn cos(n0 t + n ) E 4. 3
n =2

d(t) = V2 cos(20 t + 2 ) + V3cos(30 t + 3 ) + ... + Vn cos(n0 t + n ) E 4. 4
El valor eficaz vendr dado por la siguiente expresin:
2 2 2
V V V
VRMS = 2 + 3 + ... + N E 4. 5
2 2 2
La distorsin armnica se mide en tanto por ciento y se define como
2 2 2
V V V
%THD = 2 + 3 + ... + n 100 E 4. 6
V1 V1 V1
El factor armnico del n-simo armnico mide la contribucin de cada armnico, y se define como
Vn
HFn = E 4. 7
V1
El factor de distorsin, DF indica la cantidad de distorsin armnica que queda en una forma de
onda despus de que sta haya sido sometida a una atenuacin de segundo orden. Se define segn la
expresin:
2
1 V
DF = 2n E 4. 8
V1 n = 2,3... n
donde V1 es el valor eficaz de la componente fundamental y Vn es el valor eficaz del ensimo

componente armnico.
El factor de distorsin de un componente armnico en particular viene dado por
Vn
DFn = E 4. 9
V1 n 2
El armnico de menor orden, LOH es el componente que no presenta desfase respecto del
fundamental y su amplitud es mayor o igual al 3% de la de ste. La comprobacin de que no existe
desfase se puede hacer fcilmente en el listado de Fourier, obtenido mediante Pspice, en la columna
Normalized phase (deg).
Dada la importancia que tiene la distorsin para el conocimiento del comportamiento global de un
sistema, y en electrnica de potencia la descomposicin de una onda en sus correspondientes
amnicos, en la simulacin 4.1 se analizan brevemente los datos que sobre el particular se pueden
obtener del listado de Fourier una vez realizada la simulacin del comportamiento del sistema
mediante el programa Pspice.
SIMULACIN PSPICE 4.1
El circuito de la figura a) es un amplificador de potencia clase B en contrafase con dos fuentes de

alimentacin. El circuito de la figura b) es el mismo amplificador de potencia preamplificado y
realimentado para evitar la distorsin de cruce. Los transistores push-pull (simetricos
complementarios) son NPN BD135 y PNP BD136.
a) Obtener mediante Pspice el listado de Fourier, las formas de onda de las tensiones de entrada y
salida del amplificador, para el transistor BD135 y la funcin de transferencia, cuando se aplica a
la entrada la tensin vi = 1 sen(2 1000t)
b) Realizar el mismo anlisis con Pspice para vi = 12 sen (2 1000t) Comparar los resultados
para los apartados a y b, qu conclusin se puede sacar?


c) Introducir una realimentacin usando un preamplificador formado por un circuito operacional

y realizar el mismo anlisis con Pspice.
Solucin:
Se facilitan los listados para la simulacin con PsPice, los cuales incluye los modelos necesarios
para los transistores complementarios as como el subcircuito correspondiente al amplificador
operacional.
Por razones obvias no se han reflejado todos los resultados obtenidos en la simulacin, se invita
al lector para que la realice y reflexione sobre los resultados obtenidos, as como para que los
compare. Tambin es interesante analizar los efectos que se producen al introducir nuevos
valores en la amplitud de la seal de entrada as como el efecto de introducir la realimentacin.
Apartado (a)
Descripcin del circuito:
Anlisis de Fourier:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(4)
DC COMPONENT = -7.428562E-06
HARMONIC FREQUENCY FOURIER NORMALIZED PHASE NORMALIZED

NO (HZ) COMPONENT COMPONENT (DEG) PHASE (DEG)
1 1.000E+03 5.677E-01 1.000E+00 1.373E-01 0.000E+00

2 2.000E+03 3.446E-04 6.070E-04 -1.639E+02 -1.642E+02
3 3.000E+03 9.795E-02 1.726E-01 1.792E+02 1.788E+02
4 4.000E+03 7.385E-04 1.301E-03 -1.576E+02 -1.581E+02
5 5.000E+03 3.593E-02 6.330E-02 1.781E+02 1.775E+02
6 6.000E+03 1.087E-03 1.915E-03 -1.558E+02 -1.567E+02
7 7.000E+03 1.249E-02 2.200E-02 1.757E+02 1.747E+02
8 8.000E+03 1.201E-03 2.116E-03 -1.572E+02 -1.583E+02
9 9.000E+03 2.849E-03 5.019E-03 1.670E+02 1.658E+02
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 1.852069E+01 PERCENT
En la columna correspondiente a las componentes de Fourier se puede comprobar que la

amplitud de los armnicos pares es despreciable (ausencia de armnicos pares) y que la amplitud
del fundamental predomina sobre la de los armnicos impares que tambin son despreciables a
partir del tercero. De la columna correspondiente a las componentes normalizadas o factor
armnico, se obtienen los datos HD de la expresin para el clculo de la distorsin armnica
total.
THD = HD 22 + HD 32 + HD 24 + ... = 0.1852 THD = 18.52 %


En esta pantalla se puede apreciar la distorsin de cruce, caracterstica de los amplificadores de potencia trabajando en
clase B en contrafase. As como la diferencia entre la tensin de entrada y la de salida
En esta pantalla se puede apreciar la causa de la distorsin de cruce que no es otra que la irregularidad en la
amplificacin para valores pequeos de la amplitud de la seal de entrada (-0.4V , 0.4V )
Apartado (b)
Anlisis de Fourier:
DC COMPONENT = -5.934254E-03

1 1.000E+03 1.137E+01 1.000E+00 3.059E-02 0.000E+00

2 2.000E+03 1.196E-02 1.052E-03 -8.776E+01 -8.779E+01
3 3.000E+03 1.495E-01 1.315E-02 1.787E+02 1.786E+02
4 4.000E+03 1.184E-02 1.041E-03 -8.818E+01 -8.821E+01
5 5.000E+03 8.400E-02 7.388E-03 1.795E+02 1.794E+02
6 6.000E+03 1.098E-02 9.658E-04 -9.039E+01 -9.042E+01
7 7.000E+03 5.556E-02 4.886E-03 1.799E+02 1.799E+02
8 8.000E+03 9.575E-03 8.421E-04 -9.207E+01 -9.210E+01
9 9.000E+03 4.082E-02 3.590E-03 1.778E+02 1.778E+02
Todos los armnicos continan siendo despreciables en amplitud frente al fundamental,

igualmente el tercer armnico sigue siendo el ms importante en amplitud. La distorsin
armnica ha disminuido considerablemente, su valor, teniendo en cuenta los nueve armnicos, se
calcula considerando la ecuacin:


THD = HD 22 + HD 32 + HD 24 + ... = 0.0164 THD = 1.64 %
La seal de salida sigue a la de entrada, aunque para el valor de pico es ligeramente menor,
(11.54 V) aparentemente no existe distorsin de cruce
Sigue existiendo distorsin de cruce, pero a medida que aumentamos la amplitud de la seal este
efecto disminuye.
Apartado (c)
Anlisis de Fourier:
DC COMPONENT = 2.911615E-06

1 1.000E+03 9.948E-01 1.000E+00 1.063E-02 0.000E+00

2 2.000E+03 5.956E-06 5.988E-06 1.869E+01 1.868E+01
3 3.000E+03 1.815E-04 1.824E-04 4.850E+01 4.849E+01
4 4.000E+03 6.541E-06 6.575E-06 -5.787E+01 -5.788E+01
5 5.000E+03 1.666E-04 1.674E-04 2.061E+01 2.059E+01
6 6.000E+03 9.908E-06 9.960E-06 -1.344E+02 -1.344E+02
7 7.000E+03 1.458E-04 1.466E-04 -6.993E+00 -7.003E+00
8 8.000E+03 1.801E-05 1.810E-05 1.678E+02 1.678E+02
9 9.000E+03 1.214E-04 1.221E-04 -3.438E+01 -3.439E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 3.134022E-02 PERCENT
El valor de la amplitud para todos los armnicos es despreciable y el valor del fundamental es
prcticamente igual al valor mximo de la seal de entrada por lo que se puede predecir que la
seal de salida seguir a la de entrada en todo su periodo. La distorsin total ha disminuido
considerablemente pudindose decir que no existe
THD = 0.03 %


Se puede comprobar que no existe distorsin de cruce
4.2 Diseo del Amplificador

Para disear un amplificador, existen dos posibilidades:
Conocido el transistor y sus caractersticas de funcionamiento (PDmx, VCEmx e Icmx), se calcula la

resistencia de carga RL y la tensin de alimentacin VCC que permitan obtener la mxima
potencia de salida PL.
Conocida la potencia de salida deseada y la carga, determinar la tensin de alimentacin y las
caractersticas mnimas del transistor.
4.2.1 SITUACIN DEL PUNTO DE TRABAJO

En la figura 4.3 se pueden ver las posiciones de la recta de carga en funcin de la clase en la que
trabaje el amplificador:
Fig 4. 3 Posicin del punto de trabajo, Q: interseccin de las rectas de carga dinmica y esttica para los distintos tipos de Amplificadores
de potencia.

4.3 Amplificador de Potencia Clase A
Fig 4. 4 Amplificacin en clase A
4.3.1 CARACTERSTICAS GENERALES

Circula corriente en la salida durante todo el periodo de la seal de entrada. Cuando no hay seal de
entrada, la prdida de potencia es mxima (IC = ICQ).
Al obtener grandes potencias y trabajar con grandes seales, trabajan prximos a la zona no lineal de
la caracterstica V-I, por lo que la distorsin ser significativa, aunque menor que en otras clases
como la B o la C.
El punto esttico de funcionamiento estar en el centro de la caracterstica de transferencia dinmica.
El rendimiento mximo es del 50%, pero en la prctica est entre el 20 y el 35 %.
Se pueden distinguir dos tipos, segn el acoplo con la carga, acoplo directo y acoplo por
transformador.
Etapa de salida clase A
La etapa de salida clase A ms sencilla es el seguidor de emisor aunque su eficiencia es bastante baja
(<0.25). La figura 4.5 a) muestra el esquema de este tipo de etapa polarizada con una fuente de
tensin adicional (VBB) para que en ausencia de seal (vs=0) la Vo sea VCC/2; en este caso
VBB=VCC/2+VBE. Es decir, la corriente de colector en continua de este transistor es
VCC
I CQ = E 4.10
2RL
Fig 4. 5 a) Etapa de salida clase A b) Curva de transferencia en tensin

La figura 4.5 b) presenta su curva de transferencia en tensin respecto a la seal de entrada vS. Al
tratarse de un seguidor de emisor la ganancia es ~1, luego la pendiente de la recta tambin es 1.
Fcilmente se comprueba que la amplitud mxima de la tensin de salida es VCC/2 limitada por la
tensin de alimentacin y siempre que Q est centrada sobre la recta de carga esttica. La potencia de
disipacin promedio en alterna disipada por RL se obtiene
2
I 1 V2
PL = I R L = max R L = m
2
ef E 4.11
2 2 RL
y esa potencia es mxima cuando Vm = VCC/2 de forma que

2
VCC
PLmax = E 4.12
8RL
La potencia suministrada por las fuentes de alimentacin se obtiene

2
VCC
PCC = VBB I BQ + VCC I CQ VCC I CQ = E 4.13
2RL
al ser IBQ << ICQ y sustituyendo ICQ por la ecuacin [E4.10]. La mxima eficiencia se determina por las
ecuaciones [E4.12] y [E4.13]
Pl max 1
max = = = 0.25 (25% ) E 4.14
PCC 4
4.3.2 CLASE A CON ACOPLO DIRECTO A LA CARGA

En este tipo de amplificador, la carga est acoplada directamente al circuito de colector.
En este circuito concreto, la recta de carga esttica coincide con la dinmica. Se situar el punto Q en
el centro de stas rectas para que la excursin de la corriente de salida sea mxima.
Fig 4. 6 Amplificador de potencia en clase A con acoplo directo. Circuito elctrico y Corriente de colector para mxima excursin. Punto Q
situado en el centro de la recta de carga dinmica.
Para deducir las frmulas correspondientes a ste diseo, es importante observar la figura 4.6, en la
que se supone que se obtiene la mxima excursin terica de salida.
El diseo corresponde al caso del transistor trabajando en el lmite de seguridad.
VCEmx VCC I Cmx
VCEmx = VCC ; VCEQ = ; I Cmx = ; I CQ =
2 RL 2

El valor de RL se determina directamente
VCC V
RL = = CEmx E 4.15
I Cmx I Cmx
La potencia en la carga ser
2 2
2 I I I2 V2 R
PL = I ef R L = mx R L = Cmx R L = Cmx R L = CC 2 L
2 2 2 8 8 R L
2
VCC
PL = E 4.16
8 RL
Como se aprecia en la figura 4.6, la potencia mxima disipada por el transistor depende directamente
del punto Q, el cual pertenece a la hiprbola de mxima disipacin de potencia
VCC I Cmx VCC VCC

PD = VCEQ I CQ = =
2 2 4 RL
2
VCC
PD = E 4.17
4RL
Cabe destacar que en clase A, cuando no existe seal de entrada, el transistor disipa la mxima
potencia (VCEQ ICQ).
La potencia suministrada por la fuente de alimentacin se determina segn la expresin
I Cmx VCC VCC

PCC = VCC I CQ = VCC =
2 2 RL
2
VCC
PCC = E 4.18
2RL
Finalmente se determina el rendimiento
2
VCC
P 8R
L = 2L = 0,25 25% E 4.19
PCC VCC
2 RL
PDMX = 2 PLMX
PCC = 4 PLMX
Para obtener 4 vatios en la carga, se debe disear una fuente de 16 vatios y elegir un
transistor de 8 vatios mnimo.

4.3.3 CLASE A CON ACOPLO POR TRANSFORMADOR
Fig 4. 7 Amplificador de Potencia Clase A con acoplo por transformador. Circuito elctrico, Rectas de carga esttica y dinmica.
Localizacin del punto Q
El rendimiento de un amplificador puede mejorar con una carga acoplada por transformador.
En este tipo de amplificador, la carga est acoplada al transistor mediante un transformador, esto
hace posible adaptar impedancias nicamente variando la relacin de espiras del transformador, "a"
ya que: R 'L = a 2 R L . Al mismo tiempo, el transformador impide que la corriente continua circule
por la carga, eliminando la disipacin de potencia que en el caso anterior se produca debido al paso
de la corriente, IC a travs de la carga, provocando que el rendimiento pueda ser ms elevado (
50%).
Si se supone ideal el transformador, la resistencia de los arrollamientos para corriente continua ser
nula, por lo que la recta de carga esttica ser una recta vertical. El punto Q esta situado en la
interseccin de la recta de carga dinmica con la esttica y la hiprbola de mxima disipacin de
potencia del transistor.
4.3.4 DISTORSIN EN CLASE A.

Factores que provocan la distorsin:
No linealidad de las caractersticas del transistor.

Situar la recta de carga dinmica prxima a la zona de ruptura por avalancha.
Disminucin de la ganancia de corriente, hFE con el aumento de la corriente de colector, IC.
En la caracterstica de entrada, debido a que la respuesta es del tipo diodo.
En definitiva, siempre existir distorsin, cuyo grado ser determinado mediante la aplicacin del
teorema de Fourier.
El clculo de la distorsin armnica se suele hacer experimentalmente, aunque se puede calcular de

manera aproximada mediante la utilizacin de las curvas del dispositivo ante una seal de entrada
senoidal.
Una consecuencia directa de la distorsin es que la potencia total de salida ser mayor que la debida
solo al fundamental, aunque tal y como se demuestra a continuacin no se comete mucho error al
considerar para el clculo de la potencia de salida total, slo la componente fundamental.
2 I12
P1 = I ef RL = RL E4. 20
2

Considerando todos los armnicos, la potencia total de salida ser:
2
2 I 2mx I1(mx) + I 22(mx) + ... + I 2n(mx)
PLtotal = I ef RL = RL = RL
2 2
E4. 21
2 I 22(mx) I 2n(mx)
PLtotal =
I1(mx)
2
R L 1 +
2
I1(mx)
+ ... +
I 2n(mx)
( )
= 1 + THD 2 P
1

En la expresin anterior, THD representa la distorsin armnica total en tanto por uno.
Por ejemplo, para una distorsin total del 10% (valor elevado) La diferencia entre considerar o no,
todos los armnicos es tan solo del 1%
4.4 Amplificador de Potencia Clase B

La mayor desventaja de la etapa de salida clase A es el consumo esttico de potencia incluso en
ausencia de seal de entrada. En muchas aplicaciones prcticas existen largos tiempos muertos
(standby) a la espera de seal de entrada o con seales intermitentes. Etapas de salida que
desperdician potencia en periodos standby tienen efectos perniciosos importantes. En primer lugar, se
reduce drsticamente el tiempo de duracin de las bateras de los equipos electrnicos. En segundo
lugar, ese consumo de potencia continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos
que limita su tiempo medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el
sistema electrnico.
La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia en modo standby prcticamente cero.
La seal de salida circula durante medio ciclo de la seal entrada

El transistor se polariza en el lmite de corte, por lo que en ausencia de seal de entrada, la
corriente de colector es nula.
El rendimiento terico mximo es del 78.5%; en la prctica se obtiene entre el 50% y el 65%.
Admiten seales de entrada de mayor amplitud que en clase A.
Introducen mucha distorsin por lo que no se suelen utilizar en amplificadores de potencia con
un nico transistor; si se suelen utilizar en montajes de contrafase.
Fig 4. 8 Amplificacin en clase B. Corriente de colector en funcin de la corriente de base. Localizacin del punto Q en la recta de carga
dinmica. Observese que el transistor est polarizado al corte.

4.4.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE B EN CONTRAFASE PUSH-

PULL
Fig 4. 9 Amplificador de Potencia Clase B en Contrafase con Transistores Simtricos Complementarios
Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP (simtricos complementarios), en contrafase que
conducen alternativamente en funcin de si la seal de entrada es positiva o negativa (de ah el
nombre de push-pull)
Fig 4. 10 Formas de onda para un nico transistor, polarizado en Clase B
Cuando se atacan, con una seal senoidal, las bases de los transistores, se observa que si uno de ellos
est polarizado en directo, el otro est en inverso, por lo que cada uno de ellos amplificar un
semiperiodo de la seal de entrada.
Para calcular el rendimiento del amplificador, se supone que las caractersticas de los transistores
estn idealizadas, por lo que la curva de transferencia dinmica es una lnea recta. Tambin se supone
que la corriente mnima es cero. Si se observan las figuras 4.10 y 4.11 los clculos resultan ms
comprensibles.

Para realizar la construccin de la figura 4.11, se parte de las formas de onda para un solo transistor,
polarizado en clase B de la fig 4.10. Para una excitacin senoidal, la salida es senoidal durante el
primer semiperiodo y cero durante el segundo.
Fig 4. 11 Recta de carga compuesta utilizada para el diseo de un Amplificador Clase B en contrafase
La forma de onda para el segundo transistor ser una serie de impulsos senoidales desfasados 180
respecto de los del primer transistor. Como el circuito en contrafase es simtrico, el estudio realizado
para un transistor, es vlido tambin para el otro.
La corriente de carga, proporcional a la diferencia de las dos corrientes de colector, ser una onda
senoidal perfecta, para las condiciones ideales inicialmente supuestas, como se puede apreciar en la
figura 4.11.
Fig 4. 12 Caracterstica de transferencia en la etapa

de salida clase B
La figura 4.12 muestra la curva de transferencia en tensin de este circuito. Para vi=0, ambos
transistores se encuentran en corte (vo=0) y el consumo esttico de corriente es nulo (modo standby).
Si se incrementa la tensin de entrada hasta que Q1 entra en conduccin, vi>VBE1(on), entonces
aparece niveles apreciables de corriente en Q1 que circularn por la resistencia de carga; en este caso
Q2 est en corte al verificarse VBE2> 0. A partir de ahora, Q1 opera en la regin lineal hasta alcanzar
la saturacin (vi>VCC+VBE1-VCE1(sat)). Similares resultados se obtienen para vi< 0 siendo ahora Q2 el
transistor que entra en la regin lineal con una tensin mxima de salida limitada por la regin de

saturacin (vi<-VCC-VEB2+VCE2(sat)), estando siempre Q1 en corte. Resumiendo, con vi>VBE1(on) Q1

est en conduccin y Q2 en corte y con vi<VEB2(on) Q1 est en conduccin y Q2 en corte. Adems,
existe una zona muerta -VEB2(on)<vi <VBE1(on) que ambos transistores estn en corte. Esta
caracterstica introduce una distorsin de salida, denominada distorsin de cruce (crossover),
Fig 4. 13
Formas de onda de corriente y de voltaje para una etapa
de salida clase B en contrafase.
a) Tensin de entrada
b) Tensin de salida
c) Corriente de colector para T1
d) Corriente de colector para T2
Disipacin de potencia y rendimiento

Potencia de salida o potencia en la carga, PL
Vmx I mx
PL = Vef I ef = E4. 22
2 2
Potencia mxima que puede entregarse a la carga, se obtiene cuando Vmx = Vcc
Ver la fig 4.11
Vcc2
PLmx = E4. 23
2 RL
Potencia suministrada por la fuente, PCC
I C1max I
PCC = PCC1 + PCC2 = VCC1 + VCC2 C 2 max E4. 24


I mx
PCC = 2 VCC E4. 25

En la figura 4.10 se puede ver que ICC con carga es el valor medio para un semiciclo.
Rendimiento, (cuando la potencia en la carga es mxima)
PL
= = 78.5% E4. 26
Pcc
El rendimiento es bastante mayor que en los amplificadores en clase A. El valor elevado del
rendimiento se explica porque en un sistema clase B no circula corriente si no hay excitacin,
mientras que en clase A, la fuente de alimentacin entrega corriente incluso si la seal es cero. En
clase B, la potencia disipada en el colector es cero en reposo y aumenta con la excitacin.
1 (VCC VCEsat )
2
VCC VCEsat
En realidad: PLmax = =
2 RL 4 VCC
La potencia disipada en ambos transistores es la diferencia entre la potencia suministrada y la

potencia entregada a la carga (suponiendo prdidas nulas en el resto del circuito), como Imx=Vmx/RL
resulta la siguiente expresin:
2
2 VCC Vmax Vmax
PD(2 T) = PCC PL = E4. 27
RL 2 RL
Supuesta Vmx = Vcc se obtiene la potencia que disiparn los dos transistores cuando la potencia en la
carga sea mxima.
Vcc2 (4 )
PD(2T) = E4. 28
R L 2
Derivando la ecuacin [E4.27] se puede determinar el valor de Vmx que hace que la potencia media
disipada en los transistores sea mxima
dPD 2
=0 Vmx = Vcc E4. 29
dVmx
Resumiendo, la potencia disipada en los transistores es cero sin seal (Vmx = 0), aumenta conforme
lo hace Vmx, y llega al valor medio mximo cuando Vmx = 0.636 Vcc.
El valor mximo de PD(2T) se halla sustituyendo el valor obtenido para Vmax [E4.29] en la expresin
[E4.27]
2Vcc2 4 VCC 2
PD(2T)mx = = = 0.4 PLmx E4. 30
2 R L 2 2 R L
PD(1T)mx = 0.2 PLmx E4. 31

Fig 4. 14 Relaciones de Potencias. Para el amplificador en contrafase Clase B.
Fig 4. 15
Formas de onda a salida mxima para un transistor
en una etapa de salida Clase B.
a) Corriente de colector
b) Tensin colector-emisor
c) Disipacin de potencia instantnea en el
transistor
Potencia instantnea disipada en el transistor
Pc ( t ) = v ce ( t ) i c ( t )
v ce ( t ) = VCC i c ( t ) R L
Pc ( t ) = (VCC i c ( t ) R L ) i c ( t )
Pc ( t ) = VCC i c ( t ) i c2 ( t ) R L E4. 32

Potencia instantnea mxima en el transistor
dPc ( t )
= VCC 2 i c ( t ) R L
di( t )
VCC 2 i c ( t ) R L = 0
V
i c ( t ) = CC
2 RL
V
Pc max = CC E4. 33
4 RL
Fig 4. 16
Amplificador clase B en contratase
Si se desea entregar 10W con un amplificador en contrafase clase B, la potencia media

mxima a disipar en los dos transistores ser 4W. (PDmx = 4W), es decir, se deben elegir
transistores que sean capaces de disipar cada uno 2W de potencia media,
aproximadamente. Se puede obtener una salida de cinco veces la disipacin de potencia
especificada para un solo transistor, mientras que si se quieren obtener los 10W de potencia
en clase A, con un solo transistor, ste deber disipar 20W.
Cuando en el circuito de la figura 4.9 se suprime una de las fuentes de alimentacin y se aade un
condensador de gran capacidad, que la sustituye durante el semiciclo en el que conduce el segundo
transistor, la excursin mxima de salida se reduce a Vcc/2. Este circuito se muestra en la figura 4.17.
VCC
T1
+C -
VCC
2
ve T2 RL Fig 4. 17
Amplificador de Potencia en contrafase, Clase B con simetra complementaria, utilizando una
sola fuente de alimentacin
La capacidad se carga durante la conduccin de T1 y se descarga durante la conduccin de
T2
Al introducir el condensador, se hace al circuito dependiente de la frecuencia. Conforme disminuye

la frecuencia de la seal, aumenta la tensin en el condensador y disminuye en la carga, reduciendo
la ganancia del amplificador.
El punto de media potencia, o de 3 dB, especifica la frecuencia ms baja de corte. Esta es la
frecuencia que provoca una cada de 3 dB, Av = 0.707 en la amplitud de salida.

El punto est especificado por la siguiente expresin.
1 1
RL = = E4. 34
j C 1 R L C1
La impedancia del condensador disminuye con el aumento de la frecuencia, por lo que el peor de los
casos se produce a frecuencias bajas. Si se supone que la frecuencia ms baja (frecuencia de corte) es
fL, el valor para el condensador ser:
1
C1 = E4. 35
2 f L R L
PROBLEMA 4.1
El montaje de la figura es un amplificador clase B en contrafase realizado con transistores

complementarios. Para una seal de excitacin Ue = A sen t, y considerando un
comportamiento ideal del sistema. Calcular la Potencia mxima de la seal de salida, la
disipacin de potencia en cada transistor y el rendimiento de la conversin de potencia para las
condiciones expresadas. La mxima disipacin de potencia media en los transistores y el
rendimiento de la conversin de potencia para estas condiciones. Si se sustituye la fuente doble
simtrica por una sola fuente de alimentacin, qu valor debe tener sta para obtener la misma
potencia en la carga? Datos: UC = 15 V; RL = 4.
Solucin: PLtotal = 28.125W; PD1T = 3.842; = 78.54%; PD1Tmax = 5.7W; = 50%
Distorsin de cruce
Los armnicos pares desaparecen como consecuencia del montaje en contrafase. La principal fuente
de distorsin es el tercer armnico, aunque no se considerar por no influir de manera significativa en
la potencia de salida.
La distorsin que s se debe considerar en este tipo de montajes es la debida a la alinealidad de las
caractersticas de entrada de los transistores. Se conoce como distorsin de cruce (crossover). Si se
aplica una entrada senoidal a la entrada de un amplificador en contrafase clase B, no habr salida
hasta que la entrada supere la tensin de umbral (V 0 .5 ... 0.7 voltios para el silicio). Esto se puede
apreciar en la figura 4.18 Para evitar este tipo de distorsin se aplica una ligera polarizacin a las
bases de los transistores. Para ello se colocan diodos de compensacin en serie con unas resistencias,
encargadas de hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero, (esto provoca que los
transistores amplifiquen la seal de entrada en alterna de manera simultnea en la regin de paso por
cero, compensando as la baja amplificacin en dicha zona, por tanto el nuevo funcionamiento ser
en clase AB que se estudiar posteriormente, dentro de este mismo captulo.

Fig 4. 18
Distorsin de cruce
En la figura se aprecia la evolucin de la seal de
salida, conforme aumenta el nivel de la seal de
entrada. La distorsin de cruce disminuye segn
aumenta la entrada, pero llega un momento en que
la seal se recorta como consecuencia de trabajar en
la zona de saturacin de los transistores.
Reduccin de la distorsin con realimentacin

Una forma de reducir la distorsin de cruce en los amplificadores clase B en contrafase, consiste en
introducir un lazo de realimentacin y colocar un preamplificador con una gran ganancia en lazo
abierto. Este preamplificador suele ser un amplificador operacional. El circuito as configurado tiene
una aplicacin fundamental en el caso de los servoamplificadores, que sern tratados con mayor
profundidad mas adelante.

Estudiar con ms detalle, como afecta a la distorsin introducida por el propio
amplificador, el hecho de colocar un preamplificador de gran ganancia.


Sabras deducir y comentar porqu esta configuracin reduce la distorsin?
PROBLEMA 4.2
El circuito de la figura tiene VCC= 15V, RL=2k, VBE(on)=0.6V y VBE(sat)=0.2V.

(a) Dibuje la caracterstica de transferencia de Vi a Vo suponiendo que los transistores se activan
abruptamente para Vbe = VBE(on)
(b) Dibuje la forma de onda del voltaje de salida y la forma de onda de la corriente de colector en
cada dispositivo para un voltaje de entrada senoidal de amplitud 1V, 10V, 20V.
(c) Verifique (a) y (b) al utilizar PSpice con IS=10-6A, F=100, rb=100 y rc=20 para cada
uno de los dispositivos. Utilice PSpice para determinar la distorsin en segunda y tercera
armnica e Vo para las condiciones indicadas en (b)
[Gray]
PROBLEMA 4.3
Para el circuito del problema 4.2 suponga que VCC= 12V, RL=1k y que vCE(sat)=0.2V. Suponga
que existe un voltaje de entrada senoidal suficiente disponible en Vi para excitar a Vo hasta sus
lmites de recorte de onda. Calcule la potencia mxima promedio que se puede entregar a RL
antes de que ocurra el recorte de onda, la eficiencia correspondiente y la disipacin mxima
instantnea del dispositivo. Desprecie la distorsin por cruce.
Solucin: PL = 69.6mW; c = 77.2%; Pc= 36mW
4.5 Amplificador de potencia clase AB

La seal de salida circula ms de un semiciclo y menos de un ciclo de la seal de entrada.

Es un caso intermedio entre la clase A y la B. Se configura en contrafase.
Con seales de alto nivel, su comportamiento tiende al de clase B con menor rendimiento. En
reposo circula una pequea corriente esttica.
Cuando se trabaja en contratase clase AB se elimina la distorsin de cruce.

Fig 4. 19 Amplificacin en clase AB. Corriente de colector en funcin de la corriente de base. Localizacin del punto Q en la recta de carga
dinmica. Obsevese como el transistor est polarizado en una zona prxima al corte.
4.5.2 AMPLIFICADOR DE POTENCIA CLASE AB EN CONTRAFASE.

Caractersticas generales
La distorsin de cruce que se produce en los amplificadores en contrafase clase B, puede eliminarse
si previamente se polarizan ligeramente ambos transistores. De esta forma, la seal de entrada
oscilar en torno a un nivel de polarizacin distinto de cero y se conseguir eliminar la zona muerta
situada en las proximidades del origen.
Reduccin de la distorsin de cruce

[4_5]
Diseo del amplificador
Fig 4. 20 Etapa clase AB con polarizacin por a) diodos y b) multiplicador VBE
En esta figura se muestra la polarizacin basada en dos diodos. En ausencia de seal, vi = 0, la cada
de tensin en diodo D1 hace que el transistor Q1 tenga una ligera polarizacin de base-emisor con
una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2; es decir, ambos transistores
conducen. Cuando se aplica una tensin a la entrada uno de los transistores estar en la regin lineal
y el otro cortado, funcionando de una manera similar a la etapa clase B anterior pero con la ausencia
de distorsin de cruce. En este caso la potencia promedio suministrada por una fuente de
VCC VO
alimentacin es: PCC = + I Q VCC
RL

En general, el segundo trmino es despreciable frente al primero y el valor de la eficiencia indicada

en las ecuaciones anteriores siguen siendo vlidas.
El circuito de la figura 4.21 es un circuito en el que se emplea el condensador Cs cuando queremos

alimentar el amplificador con una sola fuente de alimentacin. Los diodos proporcionan una pequea
polarizacin a las bases de los transistores, que evita la distorsin de cruce. Adems, su pequea
resistencia dinmica junto con su coeficiente negativo de temperatura, aportan mayor estabilidad
trmica frente a variaciones de temperatura, los diodos adems reducen las fluctuaciones de la VBE de
los transistores con la temperatura. Estos diodos deben tener caractersticas similares a las del
transistor y se deben montar en el mismo disipador de calor.
(4.45MB)
[4_6]
Fig 4. 21
Amplificador de potencia clase AB en contrafase
En el cual una fuente de alimentacin ha sido sustituida por el
condensador CS
Cuando se alimenta la entrada con una seal senoidal, se puede observar que durante el primer
semiciclo de la misma conduce el transistor Q1. El condensador se carga hasta una tensin igual a
Vcc/2. Durante el semiciclo negativo de la tensin, el condensador acta de alimentacin para el
transistor Q2.
El precio que se paga por evitar la distorsin de cruce es un pequeo consumo de potencia en
ausencia de seal, que repercute en una disminucin del rendimiento.
Polarizacin con un multiplicador VBE. [E4_7]
Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensin 2VBE entre la base de los transistores
necesaria para eliminar la distorsin de cruce es utilizar lo que se denomina multiplicador de VBE.
Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas entre su colector
y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2 deben ser de unos pocos
k) entonces la corriente que circula por R1 es VBE3/R1 y la tensin entre el colector y emisor de ese
transistor es
VBE 3 R
VCE 3 = (R 1 + R 2 ) = VBE 3 1 + 2 E 4.36
R1 R1
es decir, la tensin VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor (1+R1/R2).
En el diseo de cualquier amplificador de simetra complementaria, se deben tener en cuenta tres

factores importantes.

La distorsin de cruce, que se puede reducir fcilmente colocando resistencias de pequeo

valor, en serie con los diodos, para hacer que ICQ se encuentre ligeramente por encima de cero.
La posibilidad de falla trmica, que puede producirse si los dos transistores complementarios
no tienen las mismas caractersticas o si una VBE descompensada se reduce por las altas
temperaturas. Esto conducira a una corriente de colector mayor, que originara disipacin de
potencia y calentamientos adicionales. Este proceso contina hasta que se calienta y falla. Este
problema se reduce colocando pequeas resistencias en serie con el emisor para aumentar el nivel
de polarizacin en continua.
Mantener los diodos de polarizacin en conduccin todo el tiempo para evitar la

distorsin.
El diseo del amplificador de la figura 4.21 requiere conocer la resistencia del diodo en directo, que
suele ser inferior a 100 . Tambin es importante que la corriente de polarizacin del diodo sea
bastante grande para mantener los diodos en la zona lineal de su regin de polarizacin directa para
todas las tensiones de entrada.
La mxima corriente de pico negativa a travs del diodo debe ser menor que la corriente de
polarizacin en directo. Es decir, la componente de cc debe ser mayor que la de ca, de modo que
cuando se suman, la corriente resultante no se vuelva negativa. Si esto no fuese as, el diodo se
polarizara en inverso.
I D > i dp E4. 37
donde idp es la amplitud del componente de ca de la corriente del diodo.
Notese la utilizacin de un subndice adicional (p) para indicar que se est utilizando el valor de pico
de la variable.
El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 4.22 donde ib es la corriente en ca de la base del

transistor y v'L es la tensin en ca a travs de la carga RL + jXCS, a baja frecuencia.
Fig 4. 22
Circuito equivalente en corriente alterna para el estudio del amplificador
de potencia clase AB en contrafase.
El valor de la corriente continua a travs del diodo, ID
VCC
0.7
ID = 2 E4. 38
R2
El valor de pico de la corriente alterna a travs del diodo en sentido inverso, idp

vLp
i dp = i bp + i R2p = i bp + E4. 39
R2
Se ha supuesto que la ganancia en tensin del amplificador es la unidad. Es decir, la tensin en ca a
travs de R2 es igual que la tensin de emisor, v L
La condicin lmite para el funcionamiento del diodo en la regin de polarizacin directa se establece
igualando ID con idp. Para simplificar, se considera que R1 = R2. El valor de las resistencias se
determina despejando en la expresin resultante.
VCC VCC
0.7 v Lp 0.7 v Lp
2 = i bp + R2 = 2 E4. 40
R2 R2 i bp
Por ser el amplificador un seguidor de emisor de ganacia unidad se tiene que vi v L .
A frecuencias medias, la tensin a travs de CS es cero, por tanto la tensin v'L aparece en extremos
de la resistencia de carga, RL siendo v'L = vL
A la frecuencia de corte, -3 dB, la potencia de salida cae a la mitad de la potencia a frecuencias

medias, y la tensin a travs de RL es igual a la tensin a travs de CS. Cada una de estas tensiones es
igual a v L / 2
La tensin de pico entre los extremos de CS y RL es v'Lp
2 2
v v
v
Lp = L + L = v L
2 2
v'Lp = R L i bp = R L i cp E4. 41
La resistencia de entrada se determina del circuito equivalente mostrado en la figura 4.22 para la
condicin de ZL = RL a frecuencias medias, donde XC1 = 0.
R en = (R f + R 2 ) [R + (R
f 2 R L )] E4. 42
Se ha supuesto que a frecuencias medias el condensador es un cortocircuito. Ntese que RL se refleja

como RL y que el diodo tiene una resistencia en directo, Rf, y otra en inverso, Rr.
Fig 4. 23 Circuito equivalente para el clculo de la resistencia de entrada.

La ganancia de intensidad, se calcula observando la figura 4.23, de la cual se deducen las expresiones
para la tensin atravs del diodo, vD1 con el transistor Q1 en conduccin, de la corriente por el diodo,
iD2 y de la corriente de entrada, ien que es la suma de las corrientes por el dido D2, la corriente de base
del transistor Q1 y la corriente por la resistencia R2
v v D1 + v L
v D1 = R f i bp + L i D2 = E4. 43
R2 Rf + R2
v + vL v ib
i en = D1 + i bp + L Ai = E4. 44
Rf + R2 R2 i en
El condensador CS ser de gran capacidad, de forma que su reactancia es despreciable a las

frecuencias normales de trabajo.
El rendimiento terico viene dado por la expresin:
PL
= = 78.5% E4. 45
PCC
Para determinar el rendimiento real, se considera la existencia de prdidas, que por lo general se
cuantifican entre un 10% y un 35% de la potencia terica calculada. La fuente deber suministrar una
potencia real dada por la expresin:
PCC(real) = PCC(teorica) + 20%PCC(terica) E4. 46
PROBLEMA 4.4
Disear un circuito amplificador de clase AB
a) Disear el circuito amplificador de clase AB de la siguiente figura, que pueda abastecer el

mximo voltaje de salida, con una carga de resistencia RL=50, con una corriente. IQ=210-3 y
Vcc = 12V que asegure la conduccin.
b)Hallar la cada de tensin en los diodos, VBB, para vo = 0 y para vo =11.8V
DATOS:
Los parmetros del diodo: Is = 10-13A; VD1 = 0.7V; VD2 = 0.7V; IDmin = 1mA
Los parmetros del transistor son: f = 50; VBE = 0.7V; VCEsat = 0.2V; VT = 25.8mV

PROBLEMA PROPUESTO
El circuito de la figura 4.20 (a) es una clase AB polarizado con diodos para eliminar la distorsin
de cruce. Se pide:
(a) Calcular el rendimiento de la etapa si vi=5Vsenwt despreciando el efecto IQ.
(b) Repetir el apartado (a) incluyendo a las fuentes de corriente.
(c) Si vi=7.5Vsenwt calcular la potencia promedio de las fuentes de alimentacin, de la
resistencia de carga y de cada uno de los transistores. Obtener el valor de la corriente de
colectorpico de un transistor.
(d) Una caracterstica sorprendente de esta etapa es que la potencia de disipacin mxima de un
transistor no se produce para una tensin mxima de salida como en principio parece lgico, sino
2 VCC
cuando la tensin de salida toma el valor de v o = = 0.636 VCC

Demostrar esa condicin y determinar la potencia promedio de disipacin mxima de un
PROBLEMA 4.5
Disear un circuito con simetra complementaria compensado por diodos (Ver figura 4.21) para
un amplificador de audio con una respuesta en frecuencia de 60Hz a 20KHz y una potencia de
salida de 0.5W en un altavoz de 8. La fuente de alimentacin es de 12V. Determinar:
(a) La ganancia de corriente.

(b) La potencia proporcionada por la fuente.
(c) Potencia mxima disipada por cada transistor.
Solucin:
Apartado (a)
Se determina primero el valor de ICmax necesario para alcanzar la carga especificada, usando la
ecuacin:
I C2 max R L
PL = = 0.5 W
2
1W
I C max = = 0.354 A
RL
El voltaje de carga mximo es:

v L = R L I C max = 2.828 V
La razn entre la corriente de colector y la corriente de base es , por tanto, la corriente de base
pico debe ser:
I C max
ib = = 5.9 mA

Como: v' L = v L
El valor de R2 es:
Vcc
0.7 V v'L
R2 = 2 = 419.44
ib


Rin y la corriente de entrada se determinan a la frecuencia media
v
VD 1 = R f i b + L = 0.1 V
R2
La corriente de entrada es:
VD 1 + v L v
i in = + i b + L = 19 mA
Rf + R2 R2
R 2 R L
El paralelo de R2 y RL es: R 2 //R L = = 223.8
R 2 + R L
Luego la resistencia de entrada es:
(R f + R 2 ) (R f + R 2 //R L )
R in = = 150.3
(R f + R 2 ) + (R f + R 2 //R L )
La ganancia de corriente se obtiene de la razn entre las corrientes de entrada y de salida:
ib
i = i = 18.141
i in
Apartado (b)
La potencia para el amplificador:
Vcc I C max Vcc2

Pcc = + Pcc = 1.52 W
2 Rf + 2R2
Apartado (c)
El valor nominal de la potencia de cada transistor es:
Vcc2
Ptrans = Ptrans = 0.45 W
4 2 R L
[Savant]
PROBLEMA 4.6
Disear un amplificador push-pull clase B con simetra complementaria compensado por diodos
para excitar una carga de 4 a +3V para un intervalo de frecuencias de 50Hz a 20KHz. Suponer
que los transistore NPN y PNP poseen una =100 para cada uno y VBE=+-0.7V. Los diodos
tienen una resistencia en directo Rf = 10. Determinar todas las tensiones y corrientes en reposo
para una tensin de alimentacin Vcc=16V. Determinar la mxima potencia que se extrae de la
fuente de alimentacin, la potencia desarrollada en la carga y disipacin de potencia en los
transistores.
Solucin: Pcc = 404W; PL = 1.13W: PT = 1.62W
[Savant]

4.6 Servoamplificadores
El servoamplificador es la etapa de potencia encargada de actuar sobre un servomotor para efectuar
por ejemplo, un control de velocidad o de posicin. Son empleados en robots industriales as como en
otros equipos de control numrico. Bsicamente se pueden enumerar dos tipos: lineales (los
transistores bipolares trabajan en la zona lineal) y PWM (los transistores bipolares o Mosfet trabaja
en conmutacin).
En la figura 4.24 se muestra el servoamplificador ms simple, usado para controlar los dos sentidos
de giro de un motor. El control se efecta mediante un amplificador clase B en contrafase.
Fig 4. 24
Servoamplificador bipolar controlado por tensin, que utiliza un
amplificador en contrafase funcionando en clase B, el giro del
motor no es uniforme debido a la distorsin
Sabido es que el amplificador en clase B presenta el problema de la distorsin de cruce, lo que

provoca que el giro del motor no sea uniforme, por lo que se hace necesario configurar la entrada en
clase AB. Para ello, se incluyen dos diodos en serie con otras tantas resistencias que se encargarn
de polarizar ligeramente a los transistores as como de estabilizarlos trmicamente, ver la figura 4.25
Fig 4. 25
Servoamplificador con amplificador en contrafase, clase AB, los diodos
y las resistencias son compensadoras con el objeto de eliminar la
distorsin de cruce
Servoamplificador controlado por corriente

Hay aplicaciones en las que interesa que la corriente que circula por el motor est controlada
directamente por la seal de entrada, porque el par desarrollado en el motor es el factor principal.
El par instantneo generado en el motor viene dado por la siguiente expresin:
m = KT im E4. 47
m = par instantneo, im = corriente por el motor, KT = constante del par del motor
El control de la corriente se realiza introduciendo un detector de corriente y un amplificador

operacional como se puede ver en la figura 4.26 La resistencia Rs se emplea para detectar la
intensidad como resistencia Shunt.

Fig 4. 26
Servoamplificador bidireccional controlado por corriente
El amplificador operacional est configurado en modo inversor, siendo la tensin de salida
R2
vs = vi vs = i m R s E4. 48
R1
La corriente que circula por el motor, en funcin de la tensin de entrada es:
R2
im = vi E4. 49
R1 R s
Amplificador PWM (modulacin de anchura de pulso) controlado por tensin

En la figura 4.27 se muestra el principio en el cual se basa el control por tensin de amplificadores
PWM.
El comparador tiene dos entradas. En la entrada positiva (+) se aplica la tensin de control y en la
entrada negativa (-), la seal triangular. La seal a la salida del comparador ser una relacin entre
las dos seales de entrada. La tensin aplicada al motor en cada momento se puede ver en la figura
4.27
Fig 4. 27
Servoamplificador bsico controlado por tensin.
Circuito y formas de onda de tensin e intensidad aplicadas al
motor.

Cuando vi es mayor que la seal triangular, la tensin de salida es igual a + Vcc, el transistor Tr1 est
en conduccin y Tr2 en corte. La tensin aplicada al motor es E.
Cuando vi es menor a la seal triangular, la tensin de salida es VDD, el transistor Tr2 est en
conduccin y Tr1 en corte. En este caso, la tensin aplicada al motor es E.
La velocidad del motor depende de la tensin media aplicada en funcin del ciclo de trabajo de la
seal, es decir, la relacin entre los tiempos de conduccin y corte de los transistores
Amplificador PWM controlado por corriente

En la figura 4.28 se muestra el esquema de este tipo de amplificador. En el cual la seal de referencia
es la diferencia entre la intensidad de mando y la intensidad de salida, sensada en extremos de RS.
Fig 4. 28 Servoamplificador PWM controlado por corriente.
4.7 Protecciones contra sobreintensidades.

Un problema que se plantea en las salidas de los amplificadores es la proteccin de los transistores
frente a posibles cortocircuitos accidentales, con el fin de evitar la destruccin de los mismos. En
estos casos, la proteccin mediante fusibles no es acertada, dada la lentitud de actuacin de los
mismos. Se estudian a continuacin una serie de circuitos limitadores de corriente.
Limitacin por corriente constante
Fig 4. 29 Limitacin por corriente constante: Circuito y Caracterstica Tensin - Corriente
Se emplea con niveles bajos de corriente.

Si se produce un cortocircuito accidental (RL = 0 ) y est conduciendo el transistor T4, la cada de
tensin en la resistencia de emisor aumentar y provocar la conduccin del transistor limitador T3,

que absorber parte de la corriente de la base del transistor de salida T4. Esto provoca que disminuya
la tensin de salida y por lo tanto una limitacin de la corriente total suministrada a la carga. El otro
transistor de salida (T5) es protegido por T1 en conexin con T2.
El efecto de la limitacin por corriente constante se puede ver en la caracterstica tensin-corriente de
la figura 4.29
El valor de la resistencia de emisor es funcin de la corriente de cortocircuito, ISC
VBE
RE = E4. 50
I SC
Con este mtodo siempre se dispone de corriente de carga, pero su valor queda limitado y la
eliminacin de la causa que provoca el cortocircuito vuelve a producir el funcionamiento normal del
circuito.
El principal inconveniente es que en caso de cortocircuito, la potencia que debe disipar el transistor
de salida T4 es muy elevada al estar aplicada en l toda la tensin de entrada y circular la mxima
corriente de cortocircuito. En la eleccin del transistor se debe tener en cuenta este valor de la
potencia, para no superar las limitaciones de la curva SOA.
El valor de la potencia disipada por el transistor T4 en caso de cortocircuito ser
PD = (VCC VBE ) I SC E4. 51
Limitacin de corriente regresiva (Foldback)

En esta configuracin se limita el valor de la corriente de cortocircuito a un valor inferior al de la
mxima corriente permitida.
El funcionamiento es similar al de la limitacin de corriente constante. Los transistores limitadores

T2 y T3 estn normalmente bloqueados; si se produce un cortocircuito, aumenta la corriente entre los
terminales de salida del amplificador, aumentando la tensin base emisor de los transistores
limitadores. Al llegar esta tensin a un valor prefijado mediante el potencimetro R3, los transistores
entran en conduccin, restando parte de la corriente a la etapa de salida formada por los transistores
T4 y T5.
Fig 4. 30 Proteccin por limitacin de corriente regresiva (Foldback): Circuito y caracterstica tensin corriente

La corriente mxima, Imx se calcula segn las ecuaciones:

V1
VR3 = Vsal + VBE VR3 = R 3 V1 = Vsal + I mx R E
R2 + R3
R 2 + R 3 Vsal
I mx = VR 3 E4. 52
RE R3 RE
Llamando M al factor de realimentacin del divisor de tensin formado por R2 R3
R3
M= E4. 53
R2 + R3
Relacionando las expresiones anteriores, se tiene una nueva expresin para Imax
(1 M ) Vsal
I mx = I SC + E4. 54
M RE
El valor de la corriente de cortocircuito viene dada por:
VBE
I SC = E4. 55
M RE
La resistencia de emisor en funcin de la corriente mxima, se obtiene despejando M en la expresin
[E4.55], sustituyendo en la [E4.54] y despejando
Vsal
ISC
RE = E4. 56
V I
1 + sal mx
VBE ISC
La potencia disipada en los transistores de salida es menor que en el caso del apartado anterior, y
viene dada por la expresin:
PD = (VCC Vsal V1 ) ISC E4. 57
donde:
V1 = R E ISC
En la figura 4.30 se puede ver la caracterstica de salida en la que se observa que la corriente de
cortocircuito es menor que la mxima que proporciona el circuito.
En la figura 4.31 se aprecian los puntos de funcionamiento cuando se usa este mtodo de limitacin.
Como la mxima potencia se disipa durante el cortocircuito, y en este caso es menor que la que
puede entregar la fuente, el aprovechamiento del rea de funcionamiento seguro (SOA) es mayor, lo
que permite la utilizacin de transistores de salida ms pequeos.
Fig 4. 31
Disipacin de potencia con protecciones contra cortocircuito para los
casos de corriente constante y corriente regresiva. En el segundo caso
no se sobrepasa la curva SOA

Bibliografa
AGUILAR PEA, J. D.; DOMENECH MARTNEZ, A.; GARRIDO SNCHEZ, J. Simulacin
Electrnica con PsPice. Ed. RA-MA. Madrid, 1995.
AGUILAR PEA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teora y problemas.

Ed. Paraninfo, Madrid 1993.
GRAY, PAUL R.; MEYER, ROBERT G. Anlisis y diseo de Circuitos Integrados Analgicos.
Ed. Prentice Hall, cop, Mxico 1995.
RASHID, M. H. Circuitos microelectrnicos. Anlisis y diseo. Thomson, 2000.
RUIZ, ROBREDO, G. A. Electrnica bsica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores.

Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 21 de enero de 2005]
SAVANT, C. J. et al. Diseo electrnico. Addison Wesley iberoamericana, 1992.

POTENCIA
Tema 5.- Tiristores

Introduccin. Tiristor: Estructura y caractersticas, principios de funcionamiento.
Nomenclatura. Caractersticas estticas y dinicas. Mtodos de disparo: Disparo por
puerta, otros mtodos de disparo. Limitaciones de frecuencia. Lmites de pendientes
de tensin. Limitaciones trmicas. Extincin del SCR: Conmutacin natural,
conmtacin forzada
Tema 6.- Gobierno de tiristores y triac y ejemplos de aplicaciones

jaguilar@ujaen.es
5.1 Introduccin 1
5.2 Estructura 2
5.3 Principio de funcionamiento 2
5.3.1 Tensin nodo ctodo negativa, VAK < 0 2

5.3.2 Tensin nodo ctodo positiva, VAK > 0 3
5.4 Nomenclatura y Caractersticas 5
5.4.1 Nomenclatura 5
5.4.2 Caractersticas 8
Caractersticas estticas 8
Caractersticas de control 9
Construccin de la curva caracterstica de puerta 9
Caractersticas de conmutacin 15
Caractersticas trmicas 17
5.5 Mtodos de disparo 18
5.5.1 Disparo por puerta 18

5.5.2 Disparo por mdulo de tensin 20
5.5.3 Disparo por gradiente de tensin 20
5.5.4 Disparo por radiacin 20
5.5.5 Disparo por temperatura 21
5.6 Limitaciones del Tiristor 21
5.6.1 Frecuencia de funcionamiento 21

5.6.2 Pendiente de tensin, dv/dt 22
5.6.3 Pendiente de intensidad, di/dt 25
5.6.4 Proteccin contra sobrecarga de larga duracin (cortocircuito) 28
5.6.5 Limitaciones de la temperatura 29
5.7 Extincin del Tiristor. Tipos de conmutacin 32
5.7.1 Conmutacin natural 32

5.7.2 Conmutacin forzada 33
5.8 Tipos de Tiristores 42
5.8.1 Triac 43
5.8.2 GTO 45
5.8.3 MCT 47
TEMA 5: TIRISTOR
5.1 Introduccin
El tiristor (tambin llamado SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio),
es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones PN con la disposicin PNPN.
Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. El instante de conmutacin
(paso de corte a conduccin), puede ser controlado con toda precisin actuando sobre el terminal de
puerta, por lo que es posible gobernar a voluntad el paso de intensidades por el elemento, lo que hace
que el tiristor sea un componente idneo en electrnica de potencia, ya que es un conmutador casi
ideal, rectificador y amplificador a la vez como se comprobar con posterioridad.
El tiristor es un elemento unidireccional y slo conduce corriente en el sentido nodo ctodo,
siempre y cuando el elemento est polarizado en sentido directo (tensin nodo ctodo positiva) y
se haya aplicando una seal en la puerta. Para el caso de que la polarizacin sea inversa, el elemento
estar siempre bloqueado.
En la curva caracterstica idealizada del SCR, se pueden apreciar tres zonas
Zona 1. VAK positiva (nodo con mayor potencial que ctodo). La IA (intensidad de nodo) puede
seguir siendo nula. El dispositivo se comporta como un circuito abierto (se encuentra en estado de
bloqueo directo).
Fig 5.1 Smbolo y curva caracterstica ideal del tiristor.
Zona 2. VAK positiva. En este instante se introduce una seal de mando por la puerta que hace que el
dispositivo bascule del estado de bloqueo al estado de conduccin, circulando una IA por el
dispositivo, intensidad que estar limitada slo por el circuito exterior. El elemento est en estado de
conduccin. El paso de conduccin a corte se hace polarizando la unin nodo - ctodo en sentido
inverso provocando que la intensidad principal que circula se haga menor que la corriente de
mantenimiento (IH).
Fig 5.2
Curva
caracterstica
real del tiristor.

TEMA 5: TIRISTOR
Zona 3. VAK negativa. La IA es nula, por lo que el dispositivo equivale a un circuito abierto,
encontrndose en estado de bloqueo inverso.
5.2 Estructura
Fig 5.3 Modelo de Tiristor: Cuatro capas. Tres diodos. Distintos tipos de encapsulado para el tiristor
El tiristor (SCR), est formado por cuatro capas semiconductoras P y N, ver figura 5.3 Estas cuatro
capas forman 3 uniones PN: U1 (P1-N1), U2 (N1-P2) y U3 (P2-N2), que se corresponden con 3
diodos. El comportamiento de estos diodos no es independiente, ya que hay capas comunes entre
ellos, y por tanto habr interacciones que determinan el comportamiento final.
5.3 Principio de funcionamiento

En este apartado se estudian las diferentes situaciones que se pueden presentar dependiendo de la
seal de puerta y de la polaridad de la tensin aplicada entre nodo y ctodo.
5.3.1 TENSIN NODO CTODO NEGATIVA, VAK < 0

En estas condiciones los diodos U1 y U3 de la figura 5.3 quedan polarizados en sentido inverso y el
diodo U2 en sentido directo.
Las corrientes en las uniones U1 y U3 estn producidas por el transporte de portadores minoritarios,
es decir, en dichas uniones los huecos pasarn de N a P a la vez que los electrones pasarn de P a N.
Dado que el nmero de electrones y de huecos puestos en juego es muy pequeo, la corriente inversa
ser tambin muy pequea. Ver figura 5.4
I A = IS1 = IS3 = IS e qv ( kt
)
1 IS E5. 1
La corriente IA obtenida mediante esta ecuacin es muy pequea, y por lo tanto, idealmente, se puede
considerar que es nula para cualquier valor de VAK inferior a VRSM (tensin inversa mxima). En
estas condiciones de trabajo, el dispositivo se comporta como un circuito abierto.
Fig 5.4
Distribucin de huecos y electrones en el tiristor para VAK
<0

TEMA 5: TIRISTOR
5.3.2 TENSIN NODO CTODO POSITIVA, VAK > 0
Tensin nodo-ctodo negativa

[5_1]
Tensin nodo-ctodo positiva

[5_2]
Fig 5.5
Flujo de electrones y huecos en el tiristor.
Sin excitacin de puerta

En estas condiciones, si no se aplica ninguna seal en la puerta (G), las uniones U1 y U3 estarn
polarizadas en sentido directo, estando la unin U2 polarizada en sentido inverso, y por el mismo
razonamiento anterior, se llega a la conclusin de que la nica corriente que circula por el dispositivo
es la corriente inversa de saturacin, IS2 del diodo formado en la unin U2.
Con excitacin de puerta.

Si se aumenta la corriente a travs de la unin U2 inyectando corriente por la base, disminuye la
polarizacin inversa de U2. En estas condiciones una vez disparado el tiristor, idealmente, se
comporta como un cortocircuito. La tensin nodo ctodo, VAK en conduccin es del orden de 1 a
2V.
Podemos utilizar el modelo equivalente de dos transistores para analizar el funcionamiento del
tiristor. Estos transistores estn conectados de forma que se obtiene una realimentacin positiva.
Fig 5.6 Modelo equivalente
Suponiendo que la regin P1 tenga aplicada una tensin positiva con respecto a la zona N2, las
uniones U1 y U3 emiten portadores de carga positivos y negativos respectivamente hacia las regiones
N1 y P2 respectivamente. Estos portadores tras su difusin en las bases de los transistores llegarn a
la unin U2 donde la carga espacial crea un intenso campo elctrico.
Si 1 es la ganancia de corriente de Q1 (fraccin de la corriente de huecos inyectada en el emisor y
que llega al colector del transistor NPN) y 2 es la ganancia de corriente de Q2:

TEMA 5: TIRISTOR
I C1 = 1 I E 1 + I CO1 I A = I C1 + I C 2 = (1 I E 1 + I CO 1 ) + ( 2 I E 2 + I CO 2 )
I C 2 = 2 I E 2 + I CO 2 I A = 1 I A + 2 I K + I COX = 1 I A + 2 (I A + I G ) + I COX
2 I G + I COX
IK = IE 2 = IA + IG IA =
1 ( 1 + 2 )
I A = I E1
La corriente de nodo depende de la corriente de puerta y de 1 y 2 (ICOX es muy pequea).

En algunos transistores de Si, la ganancia es baja para valores reducidos de corriente, pero
aumenta cuando lo hace la corriente. Para IG = 0, ICO1 + ICO2 es reducida, el denominador se acerca a
la unidad (tiristor OFF).
Por el contrario, cuando por cualquier motivo aumenta la corriente de fugas (ICO1 + ICO2) lo hace
tambin la corriente y la ganancia (1+2)1 y la corriente de nodo tiende a infinito (tiristor ON).
Cuando aumenta la corriente de fugas debido a un aumento de la tensin nodo-ctodo puede
dispararse el SCR y este mtodo es desaconsejado en la mayora de los casos.
Modos de disparo.
Se pueden deducir dos modos de disparo para el SCR
Por tensin suficientemente elevada aplicada entre A K, lo que provoca que el tiristor entre
en conduccin por efecto de "avalancha" (Efecto no deseado)
Por intensidad positiva de polarizacin en la puerta.
Tanto para el estado de bloqueo directo, como para el estado de polarizacin inversa, existen unas
pequeas corrientes de fugas.
5.4 Nomenclatura y Caractersticas

5.4.1 NOMENCLATURA
Fig 5.7 Simbologa empleada
La nomenclatura utilizada para designar los diferentes parmetros es: (V, v) para la tensin, (I, i) para
la intensidad y (P) para la potencia. En funcin del parmetro que en cada momento se quiera
identificar, se aaden unos subndices que se desglosan a continuacin.
Caractersticas del SCR

[5_3]

TEMA 5: TIRISTOR
VDRM
Tensin de pico repetitivo en estado de bloqueo directo. (Repetitive peak off-state voltage).
Expresa el valor mximo de voltaje repetitivo para el cual el fabricante garantiza que no hay
conmutacin, con la puerta en circuito abierto.
VDSM
Tensin de pico no repetitivo en estado de bloqueo directo. (Non -repetitive peak off - state
voltage). Valor mximo de tensin en sentido directo que se puede aplicar durante un determinado
periodo de tiempo con la puerta abierta sin provocar el disparo.
VDWM
Tensin mxima directa en estado de trabajo. (Crest working off - state voltage). Valor
mximo de tensin en condiciones normales de funcionamiento.
VRRM
Tensin inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse voltage). Valor mximo de tensin
que se puede aplicar durante un cierto periodo de tiempo con el terminal de puerta abierto.
VRSM
Tensin inversa de pico no repetitivo. (Non - repetitive peak reverse voltage). Valor mximo
de tensin que se puede aplicar con el terminal de puerta abierto.
VRWM
Tensin inversa mxima de trabajo. (Crest working reverse voltage). Tensin mxima que
puede soportar el tiristor con la puerta abierta, de forma continuada, sin peligro de ruptura.
VT
Tensin en extremos del tiristor en estado de conduccin. (Forward on - state voltage).
VGT
Tensin de disparo de puerta. (Tensin de encendido). (Gate voltage to trigger). Tensin de
puerta que asegura el disparo con tensin nodo - ctodo en directo.
VGNT
Tensin de puerta que no provoca el disparo. (Non - triggering gate voltage). Voltaje de puerta
mximo que no produce disparo, a una temperatura determinada.
VRGM
Tensin inversa de puerta mxima. (Peak reverse gate voltage). Mxima tensin inversa que se
puede aplicar a la puerta.
VBR
Tensin de ruptura. (Breakdown voltage). Valor lmite que si es alcanzado un determinado
tiempo en algn momento, puede destruir o al menos degradar las caractersticas elctricas del
tiristor.
IT(AV)
Corriente elctrica media. (Average on - state current). Valor mximo de la corriente media en
el sentido directo, para unas condiciones dadas de temperatura, frecuencia, forma de onda y ngulo
de conduccin.
IT(RMS)
Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on state current).
ITSM
Corriente directa de pico no repetitiva. (Peak one cycle surge on - state current). Corriente
mxima que puede soportar el tiristor durante un cierto periodo de tiempo.

TEMA 5: TIRISTOR
ITRM
Corriente directa de pico repetitivo. (Repetitive peak on - state current). Intensidad mxima
que puede ser soportada por el dispositivo por tiempo indefinido a una determinada temperatura.
IRRM
Corriente inversa mxima repetitiva. (Corriente inversa). (Reverse current). Valor de la
corriente del tiristor en estado de bloqueo inverso.
IL
Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de nodo mnima que hace bascular al
tiristor del estado de bloqueo al estado de conduccin.
IH
Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mnima corriente de nodo que conserva al
tiristor en su estado de conduccin.
IDRM
Corriente directa en estado de bloqueo. (Off - state current).
IGT
Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de puerta que asegura el
disparo con un determinado voltaje de nodo.
IGNT
Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate current).
ITC
Corriente controlable de nodo. (Controllable anode current). (Para el caso de tiristores GTO).
I2t
Valor lmite para proteccin contra sobreintensidades. (I2t Limit value). Se define como la
capacidad de soportar un exceso de corriente durante un tiempo inferior a medio ciclo. Permite
calcular el tipo de proteccin. Se debe elegir un valor de I2t para el fusible de forma que:
I2t (fusible) < I2t (tiristor) E5. 2
PGAV
Potencia media disipable en la puerta. (Average gate power dissipation). Representa el valor
medio de la potencia disipada en la unin puerta-ctodo.
PGM
Potencia de pico disipada en la puerta. (Peak gate power dissipation). Potencia mxima
disipada en la unin puerta-ctodo, en el caso de que apliquemos una seal de disparo no continua.
Ptot
Potencia total disipada. (Full power dissipation). En ella se consideran todas las corrientes:
directa, media, inversa, de fugas, etc. Su valor permite calcular el radiador, siempre que sea preciso.
Tstg
Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range). Margen de temperatura de
almacenamiento.
Tj
Temperatura de la unin. (Juntion temperature). Indica el margen de la temperatura de la
unin, en funcionamiento.
Rth j-mb ; Rj-c; R JC
Resistencia trmica unin-contenedor. (Thermal resistance, Junction to ambient)
Rth mb-h; Rc-d
Resistencia trmica contenedor - disipador. (Thermal resistance from mounting base to
heatsink).

TEMA 5: TIRISTOR
Rth j-a; Rj-a; R JA

Resistencia trmica unin - ambiente. (Termal resistance juntion to ambient in free air).
Zth j-mb; Zj-c; ZJC(t)
Impedancia trmica transitoria unin - contenedor. (Transient thermal impedance, juntion - to -
case).
Zth j-a; Zj-a; Z JA(t)
Impedancia trmica transitoria unin - ambiente. (Transient thermal impedance, juntion - to -
ambient).
td
Tiempo de retraso. (Delay time).
tr
Tiempo de subida (Rise time).
tgt; ton
Tiempo de paso a conduccin. (Gate - controlled turn on time).
tq; toff
Tiempo de bloqueo, (Circuit - commutated turn - off time). Intervalo de tiempo necesario para
que el tiristor pase al estado de bloqueo de manera que aunque se aplique un nuevo voltaje en sentido
directo, no conduce hasta que haya una nueva seal de puerta.
di/dt
Valor mnimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual no se producen puntos
calientes.
dv/dt
Valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo de la cual no se produce el cebado sin
seal de puerta.
(dv/dt)C
Valor mnimo de la pendiente de tensin por debajo de la cual no se produce el nuevo cebado
del SCR cuando pasa de conduccin a corte.
5.4.2 CARACTERSTICAS
El tiristor posee una serie de caractersticas que lo hacen apto para su utilizacin en circuitos de
potencia:
Interruptor casi ideal.

Amplificador eficaz (pequea seal de puerta produce gran seal A K).
Fcil controlabilidad.
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (Memoria).
Soporta altas tensiones.
Capacidad para controlar grandes potencias.
Relativa rapidez.
Las caractersticas de los tiristores pueden dividirse en cuatro grupos: estticas, de control, dinmicas
y trmicas.
Caractersticas estticas
Las caractersticas estticas corresponden a la regin nodo - ctodo y son los valores mximos que
colocan al elemento en el lmite de sus posibilidades. Su anlisis permite seleccionar, en una primera
aproximacin, el tiristor que mejor se ajusta a las necesidades del problema que se trata de resolver.

TEMA 5: TIRISTOR
En general, bastar con observar los valores de los siguientes parmetros de entre los ofrecidos en las
hojas de caractersticas del fabricante para seleccionar el elemento: VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IFD,
IR, Tj, IH.
Fig 5.8 Caractersticas estticas
SKT10
[E 5_4]
Caractersticas de control.
Determinan la naturaleza del circuito de mando que mejor responde a las condiciones de disparo. En
la prctica, las corrientes y tensiones necesarias para el basculamiento son sensiblemente las mismas
en la mayora de los casos.
Para la regin puerta - ctodo los fabricantes definen entre otras las siguientes caractersticas: VGFM,
VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT, IGT, IGNT
Entre los parmetros ms importantes cabe destacar los siguientes:

VGT e IGT que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
VGNT e IGNT, muy importantes porque dan los valores mximos de corriente y de tensin, para los
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no basculan a conduccin.
Fig 5.9
Curva caracterstica de puerta del tiristor (Cortesa de Philips)

TEMA 5: TIRISTOR
La figura 5.9 muestra la curva caracterstica de puerta del tiristor. En ella se relacionan los distintos
parmetros de puerta, destacndose el rea central que asegura el disparo del dispositivo por lo que se
conoce con el nombre de rea de disparo seguro.Dentro de ste rea deben quedar incluidos todos
los valores de corriente o tensin capaces o apropiados para poder producir el disparo.
El diodo puerta (G) - ctodo (K) difiere de un diodo de rectificacin en aspectos tales como una cada
de tensin en sentido directo ms elevada y una mayor dispersin para un mismo tipo de tiristor.
Construccin de la curva caracterstica de puerta

Como ya se ha dicho, la unin puerta ctodo se comporta como un diodo, por lo que se puede
representar la caracterstica directa de dicho diodo. Para una misma familia de tiristores existe una
gran dispersin, por lo que es necesario dibujar un determinado nmero de curvas pertenecientes a
cada una de las uniones de las familias anteriormente mencionadas para as poder prever cada una de
las posibles variaciones particulares.
Para no complicar demasiado el proceso, se dibujan nicamente las dos curvas extremas, puesto que
todas las dems quedan comprendidas entre ambas.
En la figura 5.10 se observan las curvas de dispersin, y en trazo ms oscuro las dos curvas ms
extremas.
VFG VFG
(V) (V)
(a) (A) IFG (b) (A) IFG
Fig 5.10 Zona de disparo por puerta (b) calculada a partir de las curvas de dispersin de la unin G-K (a)
Para analizar de manera grfica el concepto de disipacin mxima, se coge un tiristor tpico con los
valores nominales y las caractersticas de puerta siguientes:
VRGM max = 5V; PGAV max = 0.5W; PGM max = 5W; VGT > 3.5V; IGT > 65mA
Si se coloca la curva de mxima disipacin de potencia de pico sobre la figura 5.10a se completa la
curva caracterstica de puerta del tiristor. Esta curva representa el lugar geomtrico de V e I, de
manera que:
PMAX = V I
De la misma forma se puede obtener la curva de potencia media.
Se define ciclo de trabajo () como el cociente entre la potencia media y la potencia de pico
PG(AV)
= E 5. 3
PGM
De todo lo visto hasta ahora, se deduce que las tensiones e intensidades vlidas para producir el
disparo deben estar comprendidas en la zona rayada de la figura 5.10b
Dentro de esta zona cabe destacar un rea en la cual el disparo resulta inseguro y est determinado
por el mnimo nmero de portadores necesarios en la unin puerta - ctodo para llevar al tiristor al
estado de conduccin. Esta corriente mnima disminuye al aumentar la temperatura, tal y como se
puede ver en la figura 5.11

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.11 Zona de disparo inseguro del tiristor.
Fig 5.12

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.13 Curva caracterstica de puerta. (Tened en cuenta que el eje x es logartmico, de ah la diferencia con la figura 5. 9)
Identificar en la tabla y la curva los parmetros estudiados para el tiristor SKT10 de

Semikron.
SKT10
[E 5_4]
PROBLEMA 5.1
Sea una fuente de alimentacin de 220V de tensin eficaz, con picos de tensin de 220 2 =
311V, determinar las caractersticas mnimas que debe reunir el tiristor.
Solucin:
Para disponer de un margen de seguridad del 50%, se elige un tiristor que se dispare con una
tensin superior a
311V 1.5 = 470V.
Se elegir un tiristor con un valor de
VDRM > 470 V y VDSM >>> VDRM
Sea una seal alterna que alimenta a un circuito formado por un SCR y una carga:
La corriente y la tensin media que un tiristor dejar pasar a la carga variarn en funcin del instante
en el que se produzca el disparo, del que van a depender factores tales como la potencia entregada y
la potencia consumida por el dispositivo, de forma que cuanto mayor sea el ngulo de conduccin,
mayor potencia se tendr a la salida del tiristor, ver figura 5.14
Como se deduce directamente de la figura 5.14, cuanto mayor sea el ngulo de bloqueo (ngulo de
disparo), menor ser el ngulo de conduccin
180 = ngulo de conduccin + ngulo de disparo E5. 4

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.14
ngulo de bloqueo y conduccin de un tiristor cuando la seal
de entrada es alterna senoidal
Es muy importante conocer la variacin de la potencia total en el elemento semiconductor debido a

las prdidas del mismo en funcin de los diferentes ngulos de conduccin, para as poder determinar
la temperatura, tanto en la unin de montaje, como en la cpsula, y as poder calcular las protecciones
(disipadores) oportunos para la proteccin del circuito.
A continuacin vamos a ver un ejemplo de funcionamiento, el clsico rectificador controlado de

media onda.
PROBLEMA 5.2
Para el circuito simple de control de potencia con carga resistiva de la figura, calcular: La tensin
de pico en la carga, la corriente de pico en la carga, la tensin media en la carga y la corriente
media en la carga. Realizar tambin un estudio del circuito mediante el programa Pspice,
obteniendo las formas de onda para un ngulo de retardo = 60. Comprobar que los apartados
calculados en el ejercicio, coinciden con las simulaciones.
Datos: Ve (RMS) = 120V, f = 50Hz, = 60, RL = 10
Fig 5.15 Circuito para la simulacin con Pspice

Solucin:
- Tensin de pico en la carga
Se corresponde con el valor de la tensin mxima suministrada por la fuente:
Vp (carga ) = Vmx = 2 Ve (RMS ) Vp (carga ) = 169.7 V
- Corriente de pico en la carga
Se obtiene a partir del valor de la tensin de pico en la carga

Vp (carga )
I p (carga ) = I p (carga ) = 16.67 A
RL


TEMA 5: TIRISTOR

- Tensin media en la carga
Vmx V V
sen (wt ) dwt = mx [ coswt ] = mx (1 + cos ) Vmed = 40.5 V

Vmed =
2 2 2
- Corriente media en la carga
Se calcula utilizando la ecuacin anterior, pero sustituyendo el valor de Vmx por el valor de Imx
I mx
I med = (1 + cos ) I med = 4.05 A
2
A continuacin se realiza la simulacin del circuito mediante Pspice, gracias a la cual se obtienen
las seales de tensin en la carga y en el tiristor. Se insta al lector a que simule el circuito y
compruebe los resultados obtenidos.
*Problema5_2.CIR
*E.P.S. JAEN DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
* CIRCUITO DE CONTROL SIMPLE DE POTENCIA;
*FUENTE DE TENSION
VS 1 0 SIN ( 0 169.7V 50Hz )
VG 4 2 PULSE ( 0V 10V 3333.3US 1NS 1NS 100US 20MS )
VI 3 0 DC 0V
*RESISTENCIA DE CARGA
RL 2 3 10OHM
*SEMICONDUCTOR
XT1 1 2 4 2 SCR; ANODO CATODO PUERTA CATODO
*SUBCIRCUITO DEL TIRISTOR; MODELO DE M. H. RASHID (Power electronics 2 edicion, Prentice
Hall)
.SUBCKT SCR 1 2 3 2
S1 1 5 6 2 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON = 0.0125 ROFF = 10E+5 VON = 0.5V VOFF = 0V)
RG 3 4 500HM
VX 4 2 DC 0V
VY 5 7 DC 0V
DT 7 2 DMOD
.MODEL DMOD D ( IS = 2.2E-15 BV = 1800 TT = 0V )
RT 6 2 1OHM
CT 6 2 10UF
F1 2 6 POLY(2) VX VY 0 50 11
.ENDS SCR
*ANALISIS A REALIZAR
.TRAN 20US 50MS
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL = 1.0N RELTOL = 1.0M VNTOL = 1.0M ITL5 = 10000
.END

TEMA 5: TIRISTOR
Modificar en Pspice el valor del ngulo de retardo del SCR y observar la tensin
instantnea de salida V (2). Utiliza RMS ( ) y AVG ( ) para el clculo
PROBLEMA 5.3
En el circuito de la figura 5.16 comentar el funcionamiento del circuito desde 0 a 2, determinar

el valor de la tensin y corriente eficaz en la carga.
Fig 5.16 Circuito
Solucin:
1) 0 wt . El SCR est bloqueado. En estas condiciones no circula ninguna corriente

por la carga (IL = 0) y la VAK = Vm sen
2) wt < . En el instante wt = el circuito de disparo aplica un pulso que hace entrar el

SCR en conduccin. Aparece una corriente por la carga de valor IL = Vmsen/ZL, si se
desprecia la cada de tensin en el SR (VAK ~ 0V). En estas condiciones,
VS = VL + VAK
3) wt < 2. En el instante = el SCR conmuta a corte de forma natural. En el

semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte porque la tensin del nodo es inferior
a la del ctodo. La corriente es nula (IL = 0) y la VAK = Vm sen

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.17 Formas de onda para el circuito de la figura 5.16
2
1 1 1 2 sen 2
(I ) (Vm sen )2 dwt =
2
I RMS = dwt = Vm
4
L
2 0
2 2 2
2
1 Vm2 sen 2
(VL ) dwt =
2
VRMS =
2 0
2 2 4
2 2
1 Vrms
Prms =
2 0
I L VL d wt = Vrms I rms =
ZL
= I 2rms Z L
Caractersticas de conmutacin
Los tiristores, al no ser interruptores perfectos, necesitan un tiempo para pasar del estado de bloqueo
al estado de conduccin y viceversa. Para frecuencias inferiores a 400 Hz se pueden ignorar estos
efectos. En la mayoria de las aplicaciones se requiere una conmutacin ms rpida (mayor
frecuencia), por lo que ste tiempo debe tenerse en cuenta.
Se realiza el anlisis por separado del tiempo que tarda el tiristor en pasar de corte a conduccin o
tiempo de encendido, ton y el tiempo que tarda el tiristor en pasar de conduccin a corte o tiempo de
apagado, toff
Tiempo de Encendido, ton
El tiempo de encendido o tiempo en pasar de corte a conduccin, tON se puede dividir en dos tiempos:
Tiempo de retardo, td y Tiempo de subida, tr

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.18
Representacin grfica del tiempo de encendido, tON.
El tiempo de retardo, tambin llamado tiempo de precondicionamiento, td es el tiempo que trascurre

desde que el flanco de ataque de la corriente de puerta alcanza la mitad de su valor final (50%) hasta
que la corriente de nodo IA alcanza el 10% de su valor mximo para una carga resistiva, ver figura
5.18
El tiempo de retardo depende de la corriente de mando, de la tensin nodo - ctodo y de la

temperatura, td disminuye si estas magnitudes aumentan.
El tiempo de subida, tr es el tiempo necesario para que la corriente de nodo IA pase del 10% al 90%
de su valor mximo para una carga resistiva. Este tiempo se corresponde tambin con el paso de la
cada de tensin en el tiristor del 90% al 10% de su valor inicial. Ver figura 5.18
La amplitud de la seal de puerta y el gradiente de la corriente de nodo, juegan un papel importante

en la duracin del tr que aumenta con los parmetros anteriores.
El tiempo de cebado o tiempo de encendido, debe ser lo suficientemente corto, como para no ofrecer
dificultades en aplicaciones de baja y de mediana frecuencia.
La suma de los dos tiempos anteriores, td y tr es el tiempo de cierre tON, trascurrido el cual el tiristor
se satura comenzando la conduccin. Otro factor, de gran importancia, que se debe tener en cuenta
es el hecho de que durante el cebado del dispositivo, el impulso slo afecta a la parte vecina del
electrodo de puerta, con lo cual el paso del tiristor del estado de corte a conduccin est limitado en
principio a esta superficie inicialmente cebada.
Como la cada de tensin en el tiristor no se efecta de una forma instantnea, simultneamente se

pueden presentar valores altos de tensin y de corriente, alcanzndose valores muy altos de potencia.
La energa ser disipada en un volumen muy reducido, en las cercanas de la puerta que es donde
comienza la conduccin, dando lugar a un calentamiento considerable. Si se alcanzase en algn
momento el lmite trmico crtico, podra destruirse la zona conductora por fusin de la pastilla de
silicio. Esto se conoce con el nombre de destruccin por dI/dt.
Sobre los tiempos anteriores (td y tr) pueden influir una serie de parmetros entre los que cabe
destacar los que influyen sobre td : Tiempo de subida, Amplitud de la corriente de nodo y tensin de
nodo.

TEMA 5: TIRISTOR
Tiempo de apagado, toff
Para comprender mejor el estudio del tiempo de apagado (extincin) del tiristor, es decir el paso del
estado de conduccin al estado de bloqueo (toff), hay que tener en cuenta las formas de onda
caractersticas que aparecen en la figura 5.19
Fig 5. 19 Tiempo de apagado.
La extincin del tiristor se producir por dos motivos: Por reduccin de la corriente de nodo por
debajo de la corriente de mantenimiento y por anulacin de la corriente de nodo.
El tiempo de apagado, toff se puede subdividir en dos tiempos parciales: el tiempo de recuperacin
inversa, trr y el tiempo de recuperacin de puerta, tgr
t off = t rr + t gr E5. 5
Si la tensin aplicada al elemento cambia de sentido y lo polariza inversamente, la corriente directa

se anula, alcanzndose un valor dbil de corriente inversa, ir. Las cargas acumuladas en la
conduccin del tiristor se eliminan entonces parcialmente, pudindose definir un tiempo de
recuperacin inversa, trr, desde t1 a t3 en la figura 5.19.
El resto de las cargas almacenadas se recombinan por difusin. Cuando el nmero de cargas es
suficientemente bajo, la puerta recupera su capacidad de gobierno: puede entonces volver a aplicarse
la tensin directa sin riesgo de un nuevo cebado. Este tiempo se denomina tiempo de recuperacin
de puerta, tgr.
Los parmetros que influyen sobre el tiempo de apagado, toff son:

Corriente en estado de conduccin, IT Elevados picos de corriente implican mayores tiempos de
apagado.
Tensin inversa, VR Pequeos valores de VR implican grandes tiempos de extincin. Para limitar
esta tensin aproximadamente a un voltio, se coloca un diodo en antiparalelo con el tiristor.
Velocidad de cada de la corriente de nodo, dI/dt. Altos valores de dI/dt implican bajos tiempos
de apagado.

TEMA 5: TIRISTOR
Pendiente de tensin, dVD/dt. Elevados valores de pendiente de tensin implican mayores toff.
Temperatura de la unin, Tj o del contenedor, Tc. Altas temperaturas implican mayores toff.
Codiciones de puerta. La aplicacin de una tensin negativa de puerta durante la recuperacin

inversa reduce el toff. Es importante no aplicar un valor excesivo de tensin inversa en la puerta.
Fig 5.20 Caractersticas dinmicas del tiristor BT151
Caractersticas trmicas
Para proteger a los dispositivos de este aumento de temperatura, los fabricantes proporcionan en las
hojas de caractersticas una serie de datos trmicos que permiten determinar las temperaturas
mximas que puede soportar el elemento sin destruirse y el clculo del disipador adecuado que ya se
estudiaron en el tema 3.
Fig 5.21 Caractersticas trmicas del tiristor BT151
Fig 5.22 Estructura de un tiristor
Identificar en las caractersticas del SCR BT151 cada uno de los parmetros estudiados.
BT151
[E 5_5]

TEMA 5: TIRISTOR
5.5 Mtodos de disparo

Para que se produzca el cebado (disparo) de un tiristor, la unin nodo - ctodo debe estar polarizada
en sentido directo y la seal de mando debe permanecer un tiempo suficientemente largo como para
permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de nodo mayor que la corriente de enganche, IL
corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.
Para que el tiristor, una vez disparado, se mantenga en la zona de conduccin deber circular a travs
de l una corriente mnima de valor IH (corriente de mantenimiento), que limita el estado de
conduccin y el estado de bloqueo directo.
Los distintos modos de disparo de los tiristores son: Disparo por puerta, Disparo por mdulo de
tensin (V), Disparo por gradiente de tensin (dV/dt), Disparo por radiacin y Disparo por
temperatura.
Normalmente se usa el disparo por puerta. Los disparos por mdulo y gradiente de tensin
son modos no deseados, por lo que han de ser evitados.
5.5.1 DISPARO POR PUERTA

Es el proceso utilizado normalmente para disparar un tiristor. Consiste en la aplicacin en la puerta
de un impulso positivo de intensidad (generalmente), mediante la conexin de un generador
adecuado entre los terminales de puerta y ctodo a la vez que se mantiene una tensin positiva entre
nodo y ctodo.
Cuando se aplica una tensin VG, se consigue bajar el potencial (A - K) necesario para disparar al
tiristor, hasta un valor inferior al de VAK aplicado en ese momento.
Fig 5.23 Circuito de control por puerta de un tiristor. Curva caracterstica y curva de mxima disipacin de potencia.
En el SCR tradicional, una vez disparado el dispositivo, se pierde el control por puerta. En estas
condiciones, si se quiere bloquear al elemento, se debe hacer que la VAK sea menor que la tensin de
mantenimiento VH y que la IA (Intensidad de nodo), sea menor que IH (corriente de mantenimiento).
Al disparar el elemento se debe tener presente que el producto entre los valores de corriente y
tensin, entre puerta y ctodo, deben estar dentro de la zona de disparo seguro y no exceder los
lmites de disipacin de potencia de puerta.
Para poder asegurar que se est dentro de sta zona, se monta el circuito de la figura anterior. El valor
de la resistencia, R vendr determinado por la pendiente de la recta tangente a la curva de mxima
disipacin de potencia de la curva caracterstica de puerta del tiristor; su valor responde a la siguiente
expresin, ver figura 5.23
VFG
R= E5. 6
I FG
Una vez delimitado el valor mximo que resulta apropiado para el disparo, se debe tener en cuenta
que existe un nivel mnimo por debajo del cual el disparo resulta inseguro, puesto que no se
alcanzara el mnimo nmero de portadores, necesarios para producir el cebado del tiristor y por tanto
su paso a conduccin.

TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.4
El circuito de la figura, representa un circuito simple de control de potencia que utiliza un tiristor
como elemento de control de una carga resistiva. Determinar el valor de V necesario para
producir el disparo del tiristor. Suponiendo que se abre el interruptor, una vez disparado el
tiristor, calcular el valor mnimo de tensin, VE que provoca el apagado del mismo.
Datos:
VE = 300V, R = 500, RL = 20
SCR: VH = 2V, IH = 100mA, VG = 0.75V, IG = 10mA
Fig 5.24 Circuito de control de potencia

Solucin:
Aplicando las leyes de Kirchoff a la malla de puerta del circuito de la figura anterior, se obtiene
el siguiente valor para la tensin en la fuente
V = VG + R I G = 5.75 V
Cuando el tiristor se dispara, la tensin entre nodo y ctodo no ser nula (conmutador ideal),
sino que cae una tensin dada por VH = 2V
La corriente que circula por la carga una vez que ha sido disparado el tiristor ser
VE VH
IL = = 14.9 A
RL
Esta corriente debe ser menor que la corriente de mantenimiento para que el tiristor conmute a
apagado, por lo tanto
VE < I H R L + VH = 4V
5.5.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN

El disparo por mdulo de tensin se puede explicar mediante el mecanismo de multiplicacin por
avalancha. Este mtodo de disparo se puede desarrollar basndose en la estructura de un transistor,
as si se aumenta la tensin colector - emisor, se alcanza un punto en el que la energa de los
portadores asociados a la corriente de fugas es suficiente para producir nuevos portadores en la unin
de colector, que hacen que se produzca el fenmeno de avalancha. Esta forma de disparo no se
emplea para disparar el tiristor de manera intencionada; sin embargo ocurre de forma fortuita
provocado por sobretensiones anormales en los equipos electrnicos.
5.5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN

A un tiristor se le aplica un escaln de tensin positiva entre nodo y ctodo con tiempo de subida
muy corto (del orden de microsegundos), la capacidad se carga a:
dv
i=C [5_6]
dt

TEMA 5: TIRISTOR
Si esta intensidad de fugas es lo suficientemente grande, tanto como para mantener el proceso
regenerativo, el tiristor entrar en estado de conduccin estable, permaneciendo as una vez pasado el
escaln de tensin que lo dispar. Para producir este tipo de disparo bastarn escalones de un valor
final bastante menor que el valor de la tensin de ruptura por avalancha, con tal de que el tiempo de
subida sea suficientemente corto.
En la figura 5.25, est representada la zona en la que el tiristor se dispar por una variacin brusca y
positiva de la tensin de nodo
[5_7]
Fig 5.25
Zona de disparo por gradiente de tensin.
En tiristores de baja potencia es aconsejable conectar entre puerta y ctodo una resistencia por la que
se derive parte de la intensidad de fugas antes comentada.
5.5.4 DISPARO POR RADIACIN

El disparo por radiacin est asociado a la creacin de pares electrn - hueco por la absorcin de luz
por el elemento semiconductor. La accin de la radiacin electromagntica de una determinada
longitud de onda provoca la elevacin de la corriente de fugas de la pastilla por encima del valor
crtico, obligando al disparo del elemento.
Los tiristores preparados para ser disparados por luz o tiristores fotosensibles (llamados LASCR o
Light Activated SCR) son de pequea potencia y se utilizan como elementos de control todo - nada.
Fig 5.26 Estructura interna de un fototiristor
5.5.5 DISPARO POR TEMPERATURA

El disparo por temperatura est asociado al aumento de pares electrn - hueco generados en las
uniones del semiconductor.

TEMA 5: TIRISTOR
Resumiendo
Disparo
Polarizacin positiva nodo - ctodo. (nodo positivo respecto a ctodo).

El electrodo de control (puerta), en el momento en que se desee provocar el disparo, debe recibir
un pulso positivo (respecto a la polarizacin que en ese momento exista en el ctodo) durante un
tiempo suficiente como para que IA sea mayor que la intensidad de enganche.
Circuitos de disparo de SCR

[5_8]
Corte
En el momento en que el tiristor se dispara, se pierde el control por puerta. Para desactivarlo se
deber realizar uno de los siguientes procesos
Anular la tensin que se tiene aplicada entre nodo y ctodo.
Incrementar la resistencia de carga hasta que la corriente de nodo sea inferior a la corriente de
mantenimiento, IH o forzar de alguna otra manera que IA < IH.
5.6 Limitaciones del Tiristor

Las limitaciones ms importantes de los tiristores son debidas a la frecuencia de funcionamiento, a la
pendiente de tensin (dv/dt), a la pendiente de intensidad (di/dt) y a la temperatura.
5.6.1 FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO

Dependiendo del tiempo de apertura, los tiristores se pueden clasificar en dos grupos: Tiristores de
corto tiempo de apertura (tiristores rpidos) y tiristores que no exigen, por sus condiciones de
utilizacin, caractersticas especiales de apertura. El tiempo de apertura puede superar los 100 s. A
estos tiristores se les define como tiristores lentos.
Incluso si se trabaja con tiristores rpidos, no se pueden superar ciertos valores de frecuencia. Estos
valores lmite vendrn impuestos por la propia duracin del proceso de apertura y cierre del
dispositivo, condiciones intrnsecas imputables al dispositivo. As la frecuencia, rara vez, podr
superar los 10 KHz. El hecho de trabajar a frecuencias altas, impone al tiristor restricciones de di/dt;
se puede decir que el dispositivo "conserva en la memoria" el calentamiento producido por esta di/dt.
Esto es debido a la imposibilidad del elemento semiconductor para poder disipar el exceso de calor
producido en su interior.
Por todo lo expuesto anteriormente, se puede afirmar que para valores muy altos de di/dt y con
frecuencias crecientes, se denota una fuerte disminucin de la capacidad de conduccin del elemento.
Fig 5.27
a) Respuesta de la temperatura de la unin a un pulso de corriente
b) Aumento de la temperatura de la unin por una frecuencia de trabajo
elevada

TEMA 5: TIRISTOR
5.6.2 PENDIENTE DE TENSIN, dv/dt

Los picos transitorios de tensin que aparecen a travs de un semiconductor son generalmente de
corta duracin, gran amplitud y elevada velocidad de crecimiento.
Una velocidad excesiva del crecimiento de la tensin aplicada entre nodo y ctodo, dv/dt amenaza
con provocar el cebado indeseado del tiristor, anteriormente bloqueado, en ausencia de seal de
puerta. Este fenmeno se debe a la capacidad interna del tiristor que se carga con una corriente i =
Cdv/dt la cual, si dv/dt es grande, puede ser suficiente para provocar el cebado.
Entre las principales causas que pueden provocar este aumento transitorio de la tensin, se pueden
destacar tres:
Los contactores existentes entre la fuente de alimentacin y el equipo.

La conmutacin de otros tiristores cercanos.
La alimentacion principal.
Cuando el equipo est alimentado mediante un transformador, sta acta como un filtro respecto a los
parsitos que se producen en la red de alimentacin. Ahora bien, se presenta el inconveniente de
tener que anular los transitorios introducidos por el propio transformador.
Protecciones contra dv/dt

El buen funcionamiento de los equipos no slo depende de la calidad de los tiristores elegidos, sino
tambin de las precauciones tomadas para proteger a estos dispositivos de situaciones desfavorables
presentadas durante el funcionamiento. El diseo de las redes de proteccin depender en gran
medida de los lmites de los semiconductores, as como de los fenmenos permanentes y transitorios
a los que estn sometidos.
En circuitos donde el valor de dv/dt sea superior al valor dado por el fabricante, se pueden utilizar
circuitos supresores de transitorios para proteger a los tiristores del cebado por dv/dt, estos circuitos
se conectan en bornes de la alimentacin, en paralelo con el semiconductor o en paralelo con la
carga.
Los circuitos supresores de transitorios se pueden clasificar fundamentalmente en dos grupos:
Grupos RC o grupos L (Red Snubber)

Resistencias no lineales
Una solucin muy utilizada en la prctica es la que se muestra en la figura 5.28. Se trata de conectar
en paralelo con el tiristor un circuito RC (Red SNUBBER), para evitar variaciones bruscas de tensin
en los extremos del dispositivo semiconductor.
Este procedimiento puede presentar el inconveniente de que la energa disipada en la resistencia de la

red SNUBBER sea muy importante.

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.28 Estructura, smbolo de circuito y fotografa de SVS.
En la figura se puede ver la proteccin del SCR con un elemento supresor de voltaje SVS y una red
RC en paralelo.
Hace el efecto de dos diodos Zener conectados en antiparalelo, entrando en conduccin si se supera
la tensin lmite, protegiendo los dispositivos contra sobretensiones.
Ejemplo rpido de clculo de la red RC
En el circuito de la figura, el SCR est capacitado para soportar un valor de dVAK/dt

= 50V/s. La descarga inicial del condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A. En el momento en que se
cierra el interruptor S es conectada la fuente de tensin VS al circuito. Si en ese momento se aplica un impulso
apropiado a la puerta del elemento. Calcular el valor del condensador de la red de proteccin y el valor de la
resistencia de proteccin.
Datos: dv/dt = 50V/s R = 20 Imx = 3
Fig 5.29

TEMA 5: TIRISTOR
Solucin:
Cuando la fuente de tensin alcanza el valor mximo (VSmx = 2202 = 311V) se cierra el interruptor S. El
circuito equivalente est formado por la resistencia RL en serie con el condensador y la fuente de tensin.
Suponiendo que en el instante inicial, el condensador est descargado, el valor de la intensidad ser:
VS mx 311V
I C (0) = = = 15.55A
RL 20
dV 15.55A
IC = C C= = 0.311F
dt 50V / s
El valor de la constante de tiempo de la red formada por la resistencia de carga y por el condensador es de
6.22s. El tiempo para que se estabilice el valor de la tensin en el SCR estar comprendido entre 15 y 20s.
Este tiempo es suficientemente corto para que la fuente de tensin no cambie apreciablemente los valores de
pico.
Si el SCR es disparado en el momento en que se tiene la tensin mxima, con el condensador cargado a 311V,
el valor necesario de la resistencia para limitar la corriente a 3A ser:
311V
R= = 103.6 = 100
3A
Clculo de los elementos de proteccin

Para determinar los valores de los elementos que forman la red RC existen diversos mtodos entre los
que se pueden destacar dos:
Mtodo de la constante de tiempo. Por ser el ms utilizado, es el nico que se va a desarrollar.

Mtodo resonante.
Mtodo de la constante de tiempo
Con ste mtodo se trata de buscar el valor mnimo de la constante de tiempo, de la dv/dt del
dispositivo. Ver figura 5.30
El valor de la constante de tiempo responde a la expresin:
0.632 VDRM
= E5. 7
dV
dt
min
= Constante de tiempo
VDRM = Tensin directa de pico repetitivo
Fig 5. 30
Grfica para determinar el valor de la constante de tiempo.

TEMA 5: TIRISTOR
En condiciones normales, se tomar VDRM = Vmx
A partir del valor calculado para se determina el valor de los elementos que forman la red RC (red
Snubber) del circuito del ejemplo anterior

C= E5. 8
RL
VAmx
R= E5. 9
(I TSM I L ) K
VA mx = Tensin de nodo mxima.
IL = Intensidad en la carga.
K = Factor de seguridad. (0.4...0.1)
La misin de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la descarga instantnea

del condensador al inicio de la conduccin.
En el peor de los casos, si el valor de ton es igual a cero, el valor que debe tener la resistencia viene
dado por la ecuacin:
VAmx
R min = E5. 10
dI
C
dt
5.6.3 PENDIENTE DE INTENSIDAD, dI/dt

Una variacin rpida de la intensidad puede dar lugar a la destruccin del tiristor. Durante el cebado
(disparo), la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo vecina al electrodo de mando. Si el
circuito exterior impone durante esta fase un crecimiento rpido de la intensidad, la densidad de
corriente en la zona de cebado puede alcanzar un valor importante.
Al principio el rea de conduccin estar limitada al rea de la puerta, por lo que la unin entera no
conduce instantneamente. Tambin ocurre que como el cristal no es totalmente homogneo existen
zonas donde la resistividad es ms baja y por tanto la concentracin de intensidad es mayor (puntos
calientes). En la figura 5.30 se muestra el proceso de conduccin en funcin del tiempo.
Fig 5.31 rea de conduccin del tiristor en funcin del tiempo.
El descenso de la cada de tensin en el tiristor durante el paso del estado de bloqueo al de

conduccin, no se efecta de forma instantnea, por lo que habr momentos en que se presenten
simultneamente valores elevados de corriente y de tensin.
Un procedimiento para evitar la formacin de puntos calientes durante el proceso de disparo del
elemento, es introducir una corriente por puerta mayor de la necesaria. Para ello, se inyecta mayor
cantidad de portadores con lo que la superficie de la unin que conduce aumenta rpidamente. Esta
solucin es parcial, porque estar limitada por la necesidad de que la corriente de puerta no
sobrepase un valor mximo dado en las hojas de caractersticas del dispositivo semiconductor.

TEMA 5: TIRISTOR
Otro procedimiento posible es aadir algn elemento al circuito exterior de nodo para conseguir que
la pendiente de la intensidad, dI/dt no sobrepase el valor especificado en las caractersticas del estado
de conmutacin. Uno de los elementos susceptibles de ser incorporados al circuito de nodo sera una
inductancia, L como se puede ver en la figura 5.32
Este circuito bsico de proteccin, es un circuito tpico de frenado, en el cual la inductancia controla
el efecto provocado por la dI/dt.
Fig 5.32
Circuito para la limitacin de dI/dt.
Si se estudia el caso ms desfavorable se ve que ste se produce cuando se aplica una tensin
continua. Si ahora el tiristor entra en conduccin la intensidad por nodo, IA se regir por la expresin
V
R t

IA = 1 e L
E5. 11
R
Derivando la expresin anterior, para t = 0 se obtiene el valor mximo y despejando se obtiene el

valor de L. El valor obtenido debe ser menor al expresado en la hoja de caractersticas.
V
L= E5. 12
dI A
dt mx
PROBLEMA 5.5
Para el circuito de proteccin del SCR contra dI/dt de la figura 5.32 calcular el valor de la
inductancia L, para limitar la corriente de nodo a un valor de 5 A/s.
Datos: VS = 300V; RL = 5
Solucin:
dI A VS
= = 5 10 6 A / s
dt L
VS 300 V
L= = = 60 10 6 H
dI A 5 10 6 A / s
dt
L = 60 H

TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.6
Para el circuito con tiristor de la figura. Calcular aplicando el mtodo de la constante de tiempo
el circuito de proteccin contra dv/dt y di/dt. Adoptar un factor de seguridad K = 0.4.
Datos:
VRMS = 208V, IL = 58A, R = 5
SCR: VD = 500V, ITSM = 250A, di/dt = 13.5A/s , dv/dt = 50V/s
Fig 5.33
Solucin:
Valor mximo de tensin

VA mx = 208 2 = 294 V
Constante de tiempo
0.632 VD
= = 6.32 s
dv
dt
min
Valor del condensador

C= = 1.264 F
R
Valor de la resistencia
VA mx
RS = = 3.83
(I TSM I L ) K
El valor mnimo para la resistencia ser:
VA mx
R min = = 4.15
dI
C
dt
Como el valor obtenido para RS es inferior a la Rmin que se debe colocar, se elige esta ltima para
el circuito dado
R = 4.15
El valor mnimo de la inductancia L para dI/dt se calcula segn la expresin:
VA mx
L= = 21.7 F
dI
dt

TEMA 5: TIRISTOR
5.6.4 PROTECCIN CONTRA SOBRECARGA DE LARGA DURACIN

(CORTOCIRCUITO)
Ante un cortocircuito, al tratarse de un mal funcionamiento, debe detenerse la operacin del
dispositivo hasta que se repare la causa.
Podemos utilizar fusibles rpidos y disyuntores.
Al seleccionar un fusible es necesario calcular la corriente de fallo y tener en cuenta lo siguiente:
1. El fusible debe conducir de forma continua la corriente nominal del dispositivo
( )
2. El valor de la energa permitida del fusible i 2 t c debe ser menor que la del dispositivo que
se pretende proteger
3. El fusible debe ser capaz de soportar toda la tensin una vez que se haya extinguido el arco
4. La tensin que provoca un arco en el fusible debe ser mayor que la tensin de pico del
dispositivo
Fig 5.34 Proteccin completa con fusible
5.6.5 LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.

En los semiconductores de potencia, se producen prdidas durante el funcionamiento que se traducen
en un calentamiento del dispositivo.
Si los perodos de bloqueo y de conduccin en un tiristor son repetitivos, la potencia media disipada
en un tiristor ser:
1 T
T 0
PAV = VAK I A dt + Potencia de puerta. E5. 13

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.35
Curva caracterstica del tiristor en la zona de conduccin.
La potencia disipada en los tiristores durante el tiempo de conduccin, es mucho mayor que la
potencia disipada durante el tiempo que est bloqueado y que la potencia disipada en la unin puerta
- ctodo. Por tanto se puede decir que las prdidas en un dispositivo semiconductor, con una tensin
de alimentacin dada y una carga fija, aumentan con el ngulo de conduccin.
Si se supone que para un semiconductor, la conduccin se inicia para cada semiperiodo en un tiempo
t1 y termina en un tiempo t2, la potencia media de perdidas ser:
1 t2
T t1
PAV = VAK I A dt
En la figura 5.35 se representa la VAK en funcin de la IA a partir de esta curva se puede deducir la
siguiente expresin
VAK = V0 + I A R E5. 14
donde V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada familia de tiristores y
para una determinada temperatura de la unin. En ste caso se trabaja dentro de la zona directa de la
curva caracterstica.
Operando con las ecuaciones anteriores:
t t
1 t2 1 2
1 2
= (V0 + R I A ) I A dt = V0 I A dt + R (I A ) dt
2
PAV
T t1 T t1
T t1
PAV = V0 I A(AV) + R (I A(RMS) )
2
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas formas de onda (sinusoidal,
rectangular,...) y para distintos ngulos de conduccin en la figura 5.36
Con estas curvas, y partiendo del valor medio de la corriente y de la forma de onda, se puede calcular
el valor de PAV.

TEMA 5: TIRISTOR
En la ecuacin anterior se aprecia que la potencia disipada, no slo depende del valor medio de la
corriente, sino que tambin depende del valor eficaz. Por tanto se puede decir que depender del
factor de forma, parmetro que fue definido en el captulo 2 y que responde a la siguiente expresin:
I A(RMS)
a=f =
I A(AV)
Una vez elegido el tiristor, a partir de los parmetros ms importantes como son la potencia total
disipada y la temperatura, y una vez calculada la potencia media que disipa el elemento en el caso
ms desfavorable, se procede a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder evacuar el
calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.
Esta potencia disipada ser una potencia de prdidas que tender a calentar al tiristor. El equilibrio
trmico se obtendr cuando el calor generado sea cedido al medio ambiente, lo cual ha de realizarse
sin que las uniones del tiristor alcancen la temperatura mxima permitida (Tj). Esta temperatura ser
aproximadamente de 125C para la mayora de los dispositivos. El calor producido en las uniones PN
del tiristor, es cedido a la cpsula, de sta pasar al disipador y de ste al medio ambiente.
Fig 5.36
Curva de relacin entre IT(AV) y PT(AV)
El clculo de las resistencias trmicas y de las temperaturas fue estudiado con profundidad en el tema
3. Se recomienda al lector una revisin de dicho tema. Para refrescar esos conceptos se realiza a
continuacin el clculo de un disipador para el tiristor del siguiente ejercicio
PROBLEMA 5.7
Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6C/W y con Rcd = 0.2C/W, alimenta a una carga resistiva de
10 a partir de una seal alterna de 220VRMS. Si la conduccin del SCR es completa ( = 0).
Calcular el disipador para una temperatura ambiente de 40C utilizando la grfica representada
en la figura.

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.37 Relacin de la potencia con los valores mximos permitidos de temperatura.
Solucin:
En primer lugar se calcula el ngulo de conduccin ():
= 180 ngulo de disparo = 180 - 0 = 180

El valor medio de la intensidad ser:

1 Vmx
I TAV =
2
R
senwt dwt
Sustituyendo los valores y resolviendo resulta:
220 2
I TAV = (1 + cos ) = 10A
2 R
En la grfica de la figura, se identifica el valor de la potencia media, PAV.
El ngulo de conduccin est relacionado directamente con el factor de forma.
= 180 f = 1.6
Partiendo del eje x, para un valor de ITAV = 10A, se traza una vertical hasta cortar la curva que
representa un factor de forma, f = 1.6, a continuacin se lleva una horizontal hasta el eje de
potencia y se comprueba que lo corta en un valor de 16.7 W.
Sustituyendo en las ecuaciones los valores dados para el tiristor del circuito.
Tj Ta 125 40
Rd = (R jc + R cd ) = (1.6 + 0.2) = 3.29 C/W
PAV 16.7
Se elige un disipador con una resistencia trmica menor de la calculada:
R d 3.29 C/W


TEMA 5: TIRISTOR
Este clculo se puede hacer grficamente de la siguiente forma.
En primer lugar se siguen los mismos pasos que anteriormente para calcular la potencia media; a
partir de aqu se lleva una horizontal hacia la derecha de la figura hasta cortar con la vertical que
se levanta desde los 40 C que en los datos se expres como valor de la temperatura ambiente.
Estas dos rectas se cortan en un punto que se corresponde con una
Rca = 3.35C/W.
Despejando de la siguiente expresin se puede calcular el valor de la Rd:
R ca = R cd + R d
R d = R ca R cd = 3.35 0.2 = 3.15 C/W 3 C/W
Si se trabaja en rgimen transitorio, por ejemplo en rgimen de impulsos, la temperatura de la

unin sobrepasa los valores de las frmulas empleadas anteriormente. En este caso es necesario
el uso de la impedancia trmica, Zth para que el clculo del disipador sea correcto.
Montaje (1.37 Mb)

[5_9]
5.7 Extincin del Tiristor. Tipos de conmutacin

Se entiende por extincin del tiristor, el proceso mediante el cual, se obliga al tiristor que estaba en
estado de conduccin a pasar al estado de corte. Recuerdese que en el momento en que un tiristor
empieza a conducir, se pierde completamente el control sobre el mismo.
Existen diversas formas de conmutar un tiristor, sin embargo se pueden agrupar en dos grandes
grupos: conmutacin natural y conmutacin forzada
Conmutacin natural Conmutacin libre Ej. Regulador alterna
Conmutacin asistida Ej. Rectificador trifsico
Conmutacin forzada Por contacto mecnico

Por circuito resonante Serie
Paralelo
Por carga de condensador
Por tiristor auxiliar
5.7.1 CONMUTACIN NATURAL.

En los circuitos de conmutacin natural, la conmutacin del tiristor se produce de forma espontnea
debido a la propia alimentacin principal.

TEMA 5: TIRISTOR
Conmutacin libre
La conmutacin natural libre se produce cuando la intensidad por el tiristor se anula por si misma,
debido al comportamiento natural de la fuente de tensin. Para poder comprender mejor este tipo de
conmutacin observar el circuito de la figura 5.38
Fig 5.38 Circuito de conmutacin libre y sus formas de onda
La fuente de tensin es alterna y la carga resistiva pura, por lo que no se produce desfase alguno entre
la tensin y la intensidad. En la figura 5.38 se pueden observar las formas de onda correspondientes a
este circuito.
Para un tiempo wt >, la intensidad que circula por la carga se anula, al mismo tiempo que la tensin
que cae en extremos de T1 comienza a ser negativa produciendo la conmutacin del mismo.
Para un tiempo wt = +, comienza a conducir T2, hasta que para un tiempo wt = 2 se produce la
conmutacin del mismo. En este instante se repite de nuevo el ciclo descrito anteriormente.
Conmutacin asistida
La conmutacin natural asistida, se caracteriza por la aplicacin sobre el tiristor de un voltaje
negativo entre el nodo y el ctodo. Este voltaje inverso aparece de una forma natural debido a la
secuencia lgica de funcionamiento de la fuente primaria, por ejemplo, en el caso del rectificador
trifsico.
5.7.2 CONMUTACIN FORZADA.

En algunos circuitos con tiristores, la tensin de entrada es de carcter continuo, por lo tanto el
tiristor no podr pasar a corte de forma natural, siendo necesario recurrir a un circuito auxiliar para
as provocar la conmutacin del tiristor.
Para provocar la conmutacin del tiristor, ser necesario anular la corriente andica durante un
tiempo suficiente para que el tiristor pueda pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran
importancia, puesto que si su duracin es inferior a un valor determinado por toff no tendr lugar la
conmutacin del dispositivo.

TEMA 5: TIRISTOR
Conmutacin por contacto mecnico

Este mtodo de conmutacin produce la extincin del semiconductor por medio de un interruptor en
paralelo con los terminales de nodo y ctodo del tiristor. En la prctica la utilizacin de este circuito
no es nada viable, puesto que el proceso de apagado del tiristor resulta extremadamente lento. Para
evitar este inconveniente se realiza una pequea modificacin en el circuito, que consiste en colocar
un condensador en serie con el interruptor. En el circuito de la figura 5.39 se logra desviar la
corriente que circula por el tiristor y por tanto el apagado del mismo cerrando el interruptor S.
Fig 5.39
Circuito de conmutacin del tiristor por aplicacin de tensin inversa
mediante condensador.
En este circuito, el interruptor (S) se encuentra

abierto, estando el condensador cargado inicialmente con la polaridad indicada en la figura 5.39
Si en un instante determinado se cierra el interruptor, el condensador queda conectado en paralelo
con el tiristor provocando dos procesos diferentes en el circuito:
La corriente que circula por el tiristor, ser transferida temporalmente al condensador, con lo que
la corriente que circula por el tiristor quedar reducida a cero.
La tensin que inicialmente tena el condensador constituir una tensin inversa para el tiristor
que ir disminuyendo conforme se descarga el mismo.
Este proceso de conmutacin est representado grficamente en las curvas de la figura 5.40
En la mayora de los circuitos, se requiere que la carga y descarga del condensador tambin se
produzca de forma cclica. Por tanto, es fcil deducir que el tiempo para cargar y descargar el
condensador afectar a la mxima frecuencia de funcionamiento del circuito.
La importancia de este mtodo de conmutacin depender en gran medida del tamao y del voltaje
del condensador, as como del turn - off del tiristor. El condensador se descarga a un ritmo
determinado por el valor de la intensidad de carga, por lo que la carga almacenada en el condensador
deber ser capaz de mantener inversamente polarizado el tiristor, hasta transcurrido un perodo de
tiempo "toff".
Fig 5.40
Curvas de conmutacin del tiristor por aplicacin de una tensin
inversa mediante condensador.

TEMA 5: TIRISTOR
PROBLEMA 5.8
En el circuito de la figura, para un tiempo de apagado del tiristor toff = 15s, determinar si se
podr producir la conmutacin ptima del mismo para el valor de capacidad adoptado.
Datos: E = 100V; R0 = 5 ; C = 5 F
Fig 5.41
Solucin:
Para este circuito se verifica que:
t
t

VC = VC e R 0 C
+ E 1 e R 0 C
E5. 16

Sabiendo que VC (0) = VC = - E y observando las curvas representadas en la figura 5.40 se
puede afirmar que la tensin en el condensador, que es la misma que la que existe en extremos
del tiristor, vara exponencialmente desde un valor negativo inicial hasta que se alcanza el valor
nominal de la batera (+ E). El tiempo para el cual la tensin en el condensador es negativa se
denominar tq.
El valor de este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, ya que si es lo suficientemente
grande permitir el paso de conduccin a corte del tiristor, es decir, slo si el valor del tiempo tq
es mayor que el valor del tiempo toff, se producir la conmutacin del tiristor.
Igualando a cero el valor de la tensin en el condensador para un tiempo tq,
tq
tq

0 = E e R 0 C
+ E 1 e R 0 C

t q = 0.693 R 0 C E5. 16
t q = 0.693 5 5 10-6 = 17.33s

t off = 15s t q > t off
Como el valor del tiempo tq es mayor que el valor de toff, el tiristor pasar a corte sin ninguna
dificultad.
Fig 5.42 Circuito equivalente. Suponiendo IA = 0

TEMA 5: TIRISTOR
Conmutacin por circuito resonante

En primer lugar se debe recordar el principio bsico de un circuito resonante
La figura 5.43 muestra un circuito conformado por 2 tiristores, una bobina y un condensador
inicialmente cargado con la polaridad indicada. Se parte de la premisa de que ambos tiristores se
encuentran inicialmente en corte. Si en estas condiciones se dispara T1, entonces se producir la
descarga del condensador a travs de la malla conformada por C T1 L. Obsrvese que la corriente
circulante por sta sigue una curva sinusoidal. Cuando la corriente se anule, el condensador quedar
cargado en sentido contrario al inicial. La extincin de la corriente circulante provocar el paso a
corte de T1. La energa almacenada en el condensador ha sido transferida temporalmente a la bobina,
para luego ser devuelta de nuevo al condensador. Esta nueva carga en el condensador se puede
mantener ya que no existe ninguna otra va de descarga (T1 se encuentra bloqueado).
Fig 5.43 Conmutacin del tiristor mediante el uso de una estructura resonante. Circuito y formas de onda.
Si a continuacin T2 se dispara, se repetir de forma idntica lo expuesto anteriormente, con la nica

salvedad de que el sentido de la corriente ser contrario a la etapa anterior, ahora a travs de la malla
configurada por C T2 L. El condensador se descargar y cargar de nuevo, siguiendo una forma
de onda sinusoidal, hasta volver a su condicin inicial, antes de que se disparara T1, con lo que se
estar en condiciones de comenzar un nuevo e idntico ciclo.
Para que el circuito entre en resonancia, se debe verificar:
1
Lw =0 E5. 17
wC

TEMA 5: TIRISTOR
Por lo que la frecuencia de resonancia ser:
1
f= E5. 18
2 LC
Por otro lado, para hallar los valores de intensidad circulante por el tiristor, as como la tensin en
extremos del condensador, se deber recurrir a la siguiente ecuacin diferencial donde se han
despreciado la resistencia interna del circuito, as como las cadas de tensin adicionales producidas
en los tiristores. Tambin se ha supuesto que inicialmente no circula ninguna intensidad por la
bobina.
di 1
L + idt + v C (t = 0) = 0 E5. 19
dt C
Si vC(t = 0) = +VC, entonces:

C
i(t) = + VC senwt E5. 20
L
v C (t) = + VCcoswt E5. 21
Donde VC representa la carga inicial del condensador. T1 se puede constituir como el tiristor
principal del circuito, mientras que T2 puede ser, en la prctica, el tiristor auxiliar, cuyo principal
objetivo ser el de apoyar la conmutacin del tiristor principal. De esta forma, permitir que el
condensador se cargue de nuevo a su tensin inicial, estando de nuevo en condiciones de provocar la
conmutacin de T1 en el siguiente ciclo.
En los circuitos de conmutacin forzada hay que considerar que los condensadores que participan en
la conmutacin deben ser cargados antes de que se recurra a ellos para provocar el paso a corte del
tiristor. Una carga insuficiente en el condensador tendr como consecuencia el fracaso en el intento
de apagar el tiristor.
El circuito resonante puede ser serie o paralelo, para ms informacin ver este anexo
Circuito resonante serie y paralelo .pdf
[5_10]
El tiristor T1 de la figura 5.43 entra en conduccin para t = 0.

A partir de los siguientes datos: L = 100 H. C = 10 F. VC (0) = 100 V. IL (0) = 0 A.
Determinar: TON del tiristor T1. Tensin existente en el condensador en t = TON. Corriente de pico
del circuito. Tensin en extremos del condensador si se supone que en el tiristor se produce una
cada de tensin en conduccin de 0.8 voltios. Obtener con PsPice las formas de onda de la
intensidad circulante por el circuito, as como la tensin en el condensador y en la bobina.
Fig 5.44 Circuito para la simulacin mediante Pspice


TEMA 5: TIRISTOR

*CD5_3.CIR
*E.P.S. JAEN DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
*CIRCUITO RESONANTE LC
VG1 3 0 PULSE (0 1V 0 1NS 1NS .103MS 0.5MS)
VG2 4 0 PULSE (0 1V .3MS 1NS 1NS .103MS 0.5MS)
C 1 2 10uf ic=100v
L 2 0 100uh
XT1 1 0 3 0 SCR; TIRISTOR T1
* MODELO DEL TIRISTOR EN CONTINUA
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL DMOD D
.MODEL SMOD VSWITCH (RON =.1 ROFF=10E+6 VON=1V VOFF=0v)
.ENDS SCR
*ANALISIS
.PROBE
.TRAN 1.000u .45m 10u uic ; *ipsp*
.END
Solucin: Ton = 0.1ms; vc = -100V; IMX =31.62A; vc = -98.4V
Conmutacin por carga de condensador
Fig 5. 45
Circuito de conmutacin por carga de condensador.
En este circuito se pueden distinguir dos partes bien diferenciadas:
El circuito de potencia constituido por la fuente E, el tiristor T1 y la carga Ro (resistiva pura)
El circuito auxiliar de bloqueo formado por la resistencia R, el condensador C y un tiristor T2

auxiliar.
El circuito representado en la figura 5.45 puede ser comparado con un biestable asimtrico de
potencia, en el que los tiristores conducen de forma alternada. Nunca estarn al mismo tiempo los dos
en conduccin o en estado de bloqueo; De ello se encargar, como se ver ms adelante, el
condensador C.
La principal ventaja de este circuito, es que el valor del tiempo Ton no estar sujeto, como en los
casos anteriormente estudiados, a los parmetros intrnsecos del sistema, sino que puede variar segn
se precise. Solo depender del instante en el que se produzca el disparo del segundo tiristor.
T1 en conduccin y T2 al corte (0 < t < Ton)

Se supone que para t = 0 no conduce ninguno de los tiristores, en este momento se dispara el tiristor
T1 establecindose en la malla principal formada por la fuente E, el tiristor T1 y la resistencia Ro , una
corriente de valor

TEMA 5: TIRISTOR
E
Io = E5. 22
RL
El condensador, C se cargar a travs de la resistencia, R hasta un valor de tensin, E dado por la

fuente de tensin de la entrada. Para que el circuito presente un funcionamiento correcto, el
condensador debe disponer de un tiempo hasta alcanzar el 100% del valor de carga antes comentado
R C <<< TON E5. 23
La intensidad por la resistencia R, despus del primer ciclo verificar la siguiente expresin:
t
2E RC
iR = e 0 < t < TON E5. 24
R
Por tanto, la tensin en el condensador se puede expresar como

t

v C = E Ri R = E1 2e RC E5. 25

Fig 5. 46
Circuito equivalente para 0 < t < TON.
Observando la figura 5.48 se pueden comprender mejor los conceptos y el funcionamiento para el
circuito conmutador por carga de condensador
T1 al corte y T2 en conduccin. Ton < t < T
Un instante posterior a Ton se dispara T2 pasando a conducir. Como consecuencia de la carga

alcanzada anteriormente por el condensador, el ctodo de T1 se hace ms positivo con respecto al
nodo, provocando la conmutacin del mismo. En este momento es la resistencia R la que estar
conectada a la batera, mientras que a travs de Ro se produce la nueva carga del condensador hasta
un valor de -E.
Fig 5.47
Circuito equivalente para TON < t < T.

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.48 Formas de onda del circuito de conmutacin por carga de condensador.
Los valores respectivos de la intensidad en la carga, as como la tensin en el condensador son los
siguientes:
t
2E R 0C
i0 = e E5. 26
R0

t

v C = E1 2e R 0C E5. 27


TEMA 5: TIRISTOR
Para que durante este intervalo de tiempo, Ton < t < T, el condensador disponga del tiempo necesario
para la carga del mismo a una tensin vC = -E, se deber verificar:
CR 0 << T - Ton E5. 28
Por otro lado, para conseguir una perfecta conmutacin del tiristor T1, el intervalo de tiempo tq
durante el cual la tensin nodo ctodo de T1 es negativa debe superar el tiempo de apagado del
mismo, toff , de lo contrario se provocara un autocebado del tiristor, permaneciendo ste en estado de
conduccin.
A pesar de que ya se ha efectuado con anterioridad, a continuacin se va a calcular el valor de tq ya
que el conocimiento de este parmetro reviste de una gran importancia en la eleccin del tiristor
apropiado.
La tensin nodo-ctodo de T1 ser:

t

v T1
= v C = E 1 2e R 0C
E5.29

Para t = tq la tensin en extremos del tiristor ser nula, VT1 = 0. Por tanto, se puede calcular tq a partir
de la expresin anterior

t

0 = E 1 2e R 0C

t q = R 0 Cln2 = 0.69 R 0 C E5. 30
Como R0 = E/I0, siendo I0 la corriente media de carga
E
t q = 0.69 C E5. 31
I0
Para que tq resulte mayor que toff deber colocarse un condensador de conmutacin que verifique
t off I 0 I
C = 1.45 t off 0 E5. 32
0.69 E E
En la eleccin del condensador deber tenerse en cuenta la mxima corriente de carga.
Al cumplirse el perodo del circuito de conmutacin para t = T, se dispara de nuevo a T1, mientras
que T2 conmutar debido a la tensin inversa del condensador, inicindose un nuevo ciclo igual al
anteriormente descrito.
Realizar la simulacin del circuito de conmutacin por carga de condensador mediante

PsPice y comprobar el funcionamiento anteriormente comentado. Obtener las formas de onda de
la intensidad en la puerta de cada uno de los tiristores, as como la intensidad directa y la tensin
entre A K. Obtener de igual modo la tensin en extremos del condensador, la intensidad por el
condensador, por la resistencia de carga, R0 por la resistencia, R y la intensidad, IE. Determinar el
tiempo para el que la tensin del tiristor es negativa, tq
Visualizar primero para un valor de 3 tratando de identificar las diferentes formas de

onda con las planteadas en la figura 5.48 y posteriormente estudiar el comportamiento
para distintos valores de R (1, 3 y 10)

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.49
Descripcin del circuito
*CD5_4.CIR
*E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
*CIRCUITO DE CONMUTACION POR CARGA DE CONDENSADOR
*COMPONENTES DEL CIRCUITO
VE 1 0 DC 100V
RO 1 2 5OHM
R 1 3 {RESIS}
C 2 3 10UF
.PARAM RESIS = 5
*IMPULSOS DE DISPARO
VG1 4 0 PULSE (0 10V 0 1US 1US 0.1MS 0.2MS)
VG2 5 0 PULSE (0 10V 0.1MS 1US 1US 0.1MS 0.2MS)
*SEMICONDUCTORES
*MODELO DEL TIRISTOR EN CONTINUA; MODELO DE M. H. RASHID (Power Electronics 2 Edicin,
Prentice Hall)
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL DMOD D
.MODEL SMOD VSWITCH (RON = 0.1 ROFF = 10E+6 VON = 1V VOFF = 0V)
.ENDS SCR
*ANALISIS A REALIZAR
.STEP PARAM RESIS list 1 3 10; *ipsp*
.TRAN 1.0US 1.5MS 0 0; *ipsp*
.PROBE
.END
5.8 Tipos de Tiristores

En el estudio de la electrnica se pueden encontrar un amplio nmero de semiconductores
genricamente llamados tiristores, pero con rasgos caractersticos que diferencian a unos de otros.
En este apartado se comentarn algunos de ellos: TRIAC, GTO, MCT y SITH

TEMA 5: TIRISTOR
5.8.1 TRIAC
E1 El triac es un semiconductor de tres terminales, dos principales (E1, E2) y otro de

control denominado puerta (G). Este dispositivo tiene la capacidad de controlar el
paso de corriente en ambas direcciones, por tanto se puede decir que se trata de un
dispositivo bidireccional, por lo que es muy utilizado en la regulacin de corriente
G alterna. En la figura, aparece representado su smbolo electrnico.
E2
El triac presenta la ventaja de poder pasar al estado de conduccin, tanto para tensiones negativas
como positivas. Una forma simple de describir su comportamiento, es comparndolo con dos
tiristores conectados en antiparalelo como se ve en la figura.
E1 G Es ms fcil controlar a un triac que a dos tiristores, pero cuando la potencia que se
debe controlar es excesiva para las caractersticas del triac (la potencia mxima
que puede disipar es reducida), se puede sustituir por dos tiristores, colocados en
G antiparalelo como se representa en la figura.
E2
El triac es sensible a bajos valores de dV/dt y dI/dt, por tanto se puede decir que el dispositivo tiene
baja velocidad de conmutacin, (frecuencia de trabajo entre 50 y 60Hz). El lmite de frecuencia para
este tipo de dispositivos est en torno a los 400Hz.
La caracterstica V-I la vemos representada en la figura 5.50, en ella se observa la simetra del
dispositivo
Fig 5.50 Caracterstica V-I
Existen cuatro modos de disparo segn se aprecia en la figura 5.51
Fig 5.51
Modos de disparo

TEMA 5: TIRISTOR
Fig 5.52 Hay cuatro posibilidades de funcionamiento. No todas son igual de favorables
En la figura siguiente podemos ver un regulador de corriente alterna con Triac
Fig 5. 53 Regulador de corriente alterna
A partir de las caractersticas del BT138 identificar los principales parmetros con los
estudiados anteriormente en el triac.
Hoja de caractersticas BT138

[5_11]

TEMA 5: TIRISTOR
5.8.2 GTO
El GTO (Gate - Turn - Off), es un dispositivo semiconductor de potencia que
A combina las caractersticas ms deseables de un tiristor convencional con las
caractersticas de un transistor bipolar, presentando la ventaja de poder pasar del
estado de conduccin al estado de bloqueo mediante la aplicacin de un impulso
G negativo a la puerta. El smbolo electrnico del GTO es similar al de un tiristor
K como se puede ver en la figura.
Caracterstica V I
La caracterstica V - I del GTO, es similar a la de un tiristor convencional. La tensin nodo

ctodo, VAK cuando el dispositivo est conduciendo ser aproximadamente de 3 V y la corriente que
circula, solo est limitada por la carga exterior colocada en el circuito.
Caracterstica inversa
La caracterstica inversa del GTO es equivalente a una resistencia la cual es incapaz de bloquear
voltaje o de conducir una corriente significativa. Para continua el dispositivo no presenta ningn
problema, no obstante, si se quiere bloquear cualquier voltaje inverso, se deber conectar en serie con
el GTO un diodo. Si se quiere que pase la corriente, se debe conectar un diodo en antiparalelo con el
dispositivo. Esto se puede ver representado en la figura 5.54
Fig 5.54 GTO

a) Sin funcionamiento inverso
b) Bloqueo inverso
c) Conduccin inversa
Caracterstica de disparo.
Se estudia esta caracterstica sobre un posible circuito de disparo de puerta que incluye, adems, un
sistema de proteccin contra sobretensiones y sobreintensidades del GTO, similar al utilizado con los
tiristores.
Fig 5.55 Circuito de disparo para GTO

TEMA 5: TIRISTOR
Para limitar la velocidad de crecimiento de la tensin (dV/dt) en el transitorio on off se utiliza el

circuito formado por RS, DS y CS, mientras que para limitar la velocidad de crecimiento de la
corriente (dI/dt) en el mismo transitorio se utiliza el circuito formado por LS, RLS y DLS
En este circuito de disparo, durante un tiempo t1 conduce Q1 y Q2 (Q3 off) y la intensidad que circula
por la puerta del GTO ser IGM = 12A. Una vez transcurrido dicho tiempo slo conducir Q2, siendo
la intensidad ahora IGM = 2A. Las resistencias R5 y R6 se colocan para controlar (fijar) las
intensidades de Q1 y Q2, mientras que R1, R2, R3 y R4 se colocan para conseguir que Q1 y Q2 trabajen
en conmutacin.
Por el contrario, durante el transitorio off on, ser el mosfet Q3 (de baja tensin) el que conduzca,
mientras que Q1 y Q2 estarn cortados. La inductancia LG, en serie con el drenador del mosfet, se
utiliza para controlar la pendiente de decrecimiento de la intensidad negativa de puerta.
PROBLEMA 5.9
Para el circuito de control de potencia con GTO, de la figura, calcular: La potencia en la carga, la
ganancia de corriente en el proceso de corte a conduccin y la ganancia de corriente en el
proceso de conduccin a corte.
Datos: VS = 600V; R = 30
GTO: VGTO(ON) = 2.2V; PG =10W; IG(ON) = 0.5A; IG(OFF) = -25A
Fig 5.56
Solucin: PL = 11.91KW; corte-conduccin: I = 39.9; conduccin-corte: I = -0.8
5.8.3 MCT
El Most Controlled Thyristor (MCT), es un tiristor o un GTO integrado en una pastilla junto con
dos transistores mosfet. Uno de estos mosfet pasa al tiristor de corte a conduccin; el otro mosfet lo
pasa de conduccin a corte. La frecuencia de conmutacin del dispositivo puede ser superior a los
20KHz. En consecuencia, el funcionamiento es similar al del IGBT. No obstante, se deber observar
que la cada de tensin en conduccin del MCT es baja, estando alrededor de 1.1V.
A G A El MCT tiene una serie de propiedades que cubren un amplio rango de

aplicaciones. La principal desventaja es que la capacidad de bloqueo
G inverso del dispositivo ser sacrificada en favor de la velocidad de
conmutacin. En la figura se representa el smbolo electrnico del
MCT.
K K
MCT

TEMA 5: TIRISTOR

LILEN, HENRI. Tiristores y triacs. Ed. Marcombo, 1988.
THYRISTOR DEVICE DATA: on semiconductor DL 137/D. Mayo 2000.

<http://www.onsemi.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
VELASCO J.; ORIOL M.; OTERO J. Sistemas Electrnicos de Potencia: Electrnica de

regulacin y control de potencia. Ed. Paraninfo, 1998.
COUDIC, Marc. Circuitos integrados para tiristores y triacs. Ed Marcombo, 1999.
FINNEY, DAVID. The Power Thyristor and its applications. Ed. McGraw Hill, cop, Londres, 1980.
GAUDRY, M. Los tiristores: funcionamiento y utilizacin. Paraninfo, 1969.
LANDER, C. Power electronics. Ed. McGraw-Hill,1993.
POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS. Philips semiconductors. (Capitulo 6: Power

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<http://www.semiconductor.philips.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
RAMSHAW, R.S. Power electronics semiconductor switches. Ed. Chapman & Hall, 1993.

RASHID, M. H. Spice for power electronics and electric power. Prentice Hall, 1993.

<http://www.semikron.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
<www.irf.com> (International Rectifier) [Consulta: 4 de julio de 2005]
<www.motorola.com/sps/> [Consulta: 4 de julio de 2005]

POTENCIA
Tema 5.- Tiristores

Tema 6.- Gobierno de tiristores y triac y ejemplos de aplicaciones
Introduccin. Disparo por cc. Disparo por ca. Disparo por impulsos o trenes de ondas.
Circuitos de mando: Todo o nada, ngulo de conduccin, TCA 785, disparo
sincronizado. Disparo por diac. Disparo por optoacopladores. Circuitos de disparo

jaguilar@ujaen.es
6.1 Introduccin 1
6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios 1
6.2.1 Disparo por corriente continua 1

6.2.2 Disparo por corriente alterna 4
6.2.3 Disparo por impulsos o trenes de ondas 7
6.3 Circuitos de mando 10
6.3.1 Circuitos todo o nada 10

6.3.2 Control de disparo por ngulo de conduccin. Control de fase 16
6.4 Disparo mediante circuitos semiconductores 24
6.4.1 Disparo por UJT 26

6.4.2 Disparo por put 40
6.4.3 Disparo por diac 44
6.5 Utilizacin de optoacopladores 48
6.6 Circuitos aplicados 51

TEMA 6: GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE APLICACIONES
6.1 Introduccin
En los temas anteriores, se han estudiado los Tiristores y los Triacs, habindose analizado sus
principios de funcionamiento y sus formas de cebado. En este tema se analizarn los diferentes
sistemas de disparo mediante la aplicacin de distintas seales a la puerta de los mismos, as como
los diversos elementos semiconductores utilizados en el disparo de estos dispositivos como el UJT o
el PUT.
6.2 Gobierno de Tiristores y Triacs. Principios

Dependiendo del tipo de seal que se aplique a la puerta del Tiristor o del Triac, se pueden distinguir
las siguientes modalidades de disparo:
Disparo por corriente continua.

Disparo por corriente alterna.
Disparo por impulsos o trenes de ondas.
6.2.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA

Las condiciones requeridas por el dispositivo se pueden encontrar en las curvas de las caractersticas
de puerta, como el de la figura 6.1, en el cual se representa la tensin puerta ctodo en funcin de
la corriente de puerta. La curva est referida al 1er cuadrante. En el tercer cuadrante, la tensin de
puerta no debe nunca exceder los valores lmites impuestos por el fabricante, pues una corriente
inversa de puerta podra daar al Tiristor.
VFG
(V)
10 VFGM mx = 10 V
PGM mx = 5W
6 A
D
4
Zona preferente
de cebado
B
Fig 6.1
Tensin puerta - ctodo en funcin de la corriente
de puerta. Hoja de caractersticas del Tiristor
0 2N681. Cortesa de General Electric.
0 .5 1 1 .5 2
IFG (A)

Para todos los Tiristores de una misma familia, los valores lmites estn comprendidos entre las
curvas A y B. La parte C, de la curva representa la tensin directa de pico mxima admisible por la
puerta, VGT mientras que la parte D, indica la potencia de pico mxima admisible por el dispositivo,
PGM max
En la figura 6.2 se representa un circuito tpico de disparo por C.C. La recta de carga definida por el
circuito de disparo, debe cortar a la caracterstica de puerta en la regin marcada "zona preferente
de cebado", lo ms cerca posible de la curva D, como se puede apreciar en la figura 6.1. La variacin
de la corriente de puerta, IG respecto al tiempo, debe de ser del orden de varios amperios por segundo
con el fin de reducir al mnimo el tiempo de respuesta. En la figura 6.3 se puede observar con mayor
claridad la zona de funcionamiento del circuito en la regin de puerta.
Fig 6.2
Circuito de disparo de SCR por corriente continua.
En el clculo prctico de los circuitos de mando se deben tener muy en cuenta las consideraciones
hechas anteriormente. Para una mejor comprensin de este apartado, en el ejemplo 6.1 se realiza el
clculo real de un sencillo circuito de disparo con corriente continua.
Fig 6.3
Punto de funcionamiento del Tiristor en el cebado.

PROBLEMA 6.1
En el circuito de la figura, determinar si la fuente de tensin continua de 6V, es apropiada para

el disparo del Tiristor BTY79.
Fig 6.4
Solucin:
La resolucin del ejercicio requiere examinar las hojas de caractersticas del Tiristor BTY79.
Para establecer el intervalo de valores admisibles para VS, se calculan los valores mximos y
mnimos admisibles para el disparo del elemento, segn la caracterstica de puerta del
dispositivo.
Fig 6.5 Tiristor BTY79
La potencia media mxima de puerta que no se debe sobrepasar es PGAV = 0.5W,
Los valores mnimos de disparo, son: Vo = 2V e Io = 75mA.
El valor mnimo para la tensin del generador, VS viene dado por:
VS min = R S mx I o + Vo = 4.25V E 6.1
donde, segn la grfica, RSmx = 30


El valor VSmx se obtiene para un valor de PGAV = 0.5W.
La potencia mxima disipada en la puerta del dispositivo, cuando RGMAX > RSMIN ser:
2
VS(mx)
PGM = R G (mx) E 6. 2
R S(mn) + R G (mx)
Haciendo PGM = PGAV y despejando VSmx
P
VSmx = GAVmx (R Smn + R Gmx ) = 7V E 6. 3
R Gmx
Donde, segn la grfica, RSmn = 24 y RGmx = 32
La impedancia mxima de puerta del Tiristor, RGmx se corresponde con el valor de la pendiente
media, dV/dI de la caracterstica de puerta del Tiristor
Se puede afirmar que la fuente de 6V es apropiada para el correcto funcionamiento del circuito.
6.2.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA
Fig 6.6
Circuito bsico para el disparo por corriente alterna.
Se debe prestar atencin a dos parmetros importantes
La excursin inversa de la tensin de puerta, VG que debe permanecer por debajo del valor
mximo admisible, lo cual justifica la presencia del diodo de proteccin.
La potencia de pico mxima, PGM que puede aumentarse a condicin de no sobrepasar la potencia
media de puerta permitida por el fabricante.
PROBLEMA 6.2
Para el circuito de la figura, en el que se representa un control bsico de potencia con disparo por
corriente alterna; Calcular el ngulo de disparo y la tensin media entregada a la carga para
distintos valores de R; 5K, 8K y 10K. Comparar estos clculos con los datos obtenidos
simulando el circuito con PsPice.
Datos: Ve (RMS) = 28.4 V; RL = 20; IGT = 2mA; VGT = 0.7 V; VD = 0.7 V; D 1N4148;
SCR 2N1595


Ve = 2 Ve(RMS) senwt
Fig 6.7
Solucin: (para R = 5K)
Aplicando las leyes de Kirchoff se calcula Ve
Ve = (R L + R ) I G + VD + VGK
Para R = 5K: Ve = (20 + 5 K ) 2 10

3
A + 0.7 V + 0.7 V = 11.44 V
Para cada valor de Ve se calcula el ngulo de disparo a partir de la expresin
Ve 11.44
wt = arcsen = 17
2 Ve (RMS ) 28.4 2
La tensin media entregada a la carga, depende del ngulo de disparo
180
1 V
VDC = Vm senwt = m ( cos180 + cos17) = 12.5 V
2 17 2
Aplicando las ecuaciones anteriores se obtienen los siguientes valores para los dems valores en
la carga
RL = 8K Ve = 17.44V Wt 26 VDC = 12.14 V

RL = 10K Ve = 21.44 V wt 32 VDC = 11.82 V
*Problema6_2.CIR
* E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
* CONTROL BASICO DE POTENCIA. DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA
VE 1 0 SIN (0 40.16V 50HZ)
RL 1 2 20
*DEPENDIENDO DE LA SIMULACION QUE SE DESEE REALIZAR EL LECTOR DEBERA
*CAMBIAR EL ASTERISCO
R 2 3 5K
*R 2 3 8K
*R 2 3 10K
D 3 4 D1N4148
XT1 2 4 0 2N1595
.LIB NOM.LIB
*ANALISIS
.TRAN 100US 40MS
.PROBE V(2) V(1,2) V(1)
.END


Fig 6.8 Seal de entrada, Ve, Tensin nodo-ctodo, VAK, tensin en la carga, VRL para RL =5K
Fig 6.9 Curva obtenida mediante la simulacin Pspice para el caso de RL = 5K
El valor de la tensin media en la carga se obtiene segn la expresin AVG(V(1,2))
Valores obtenidos en la simulacin.
RL = 5K Ve = 11.10 V wt 16 VDC = 11.96 V

RL = 8K Ve = 16.12 V Wt 25 VDC = 11.65 V
RL = 10K Ve = 20.30 V wt 31 VDC = 11.35 V
El circuito de la figura 6.10, utiliza un Tiristor para realizar el control por ngulo de
fase, de la potencia aplicada a una carga. Determinar el valor del ngulo de disparo del SCR, el
valor instantneo de la tensin de entrada que produce el apagado del SCR. Dibujar las formas
de onda asociadas al circuito y compararlas con las obtenidas con Pspice.
DATOS: VE = 17 V; RL = 100; R1 = 5.5 K; R2 = 500; VD = 0.7 V
SCR: IGT = 2mA, VGT = 0.7V ; VTM = 1.1V ; IH = 5mA
...

...
Fig 6.10
*CD6_1.CIR
*E.P.S. JAEN (DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA)
*CONTROL DE POTENCIA POR ANGULO DE FASE
VE 1 0 SIN (0 24V 50HZ)
R1 1 5 5.5K
R2 5 4 500
RL 1 2 100
D 4 3 D1N4148
XT1 2 3 0 2N1595
.LIB NOM.LIB
.TRAN 100US 20MS
.PROBE V(2) V(1) V(1,2)
.END
6.2.3 DISPARO POR IMPULSOS O TRENES DE ONDAS

En el proceso de paso de corte a conduccin de Tiristores y Triacs, se podr aplicar un nico pulso o
un tren de impulsos a la puerta del dispositivo. Una ventaja al introducir un pulso frente a introducir
una seal continua, ser la menor potencia que deba disipar la puerta, as como poder ampliar las
tolerancias entre las que se puede mover, aunque lo ms apropiado es realizarlo mediante la
introduccin de un tren de impulsos, como posteriormente se ver. La seal de puerta debe ser
aplicada el tiempo necesario hasta que la corriente por el semiconductor alcance el valor de la
corriente de enganche.
Posteriormente se analizar los distintos dispositivos de disparo (DIAC, UJT, PUT y Acopladores
pticos con Tiristores).
Disparo por impulso nico

Esta modalidad de disparo, proporcionar a la vez una disminucin en la potencia disipada, as como
un aumento de la precisin de disparo. El disparo por impulso nico, como se podr ver
seguidamente, presenta tres razones que explican la preferencia que se le concede, cuando es posible
su utilizacin.
El cebado por impulsos, permite una potencia de pico superior a la potencia media de puerta
admisible, pudiendo aplicarse criterios de tolerancia ms amplios al circuito de disparo.
Es posible reducir a un valor mnimo el retardo que existe entre la seal de puerta y la subida de
la corriente de nodo, lo que permite obtener una sincronizacin muy precisa.
Se reduce la disipacin de potencia debida a la corriente residual en las proximidades del nivel de
cebado.

El tiempo de retardo, td disminuye cuando se aumenta la amplitud del impulso de mando
Fig 6.11
Impulso de corriente de puerta.
IGT = Corriente de mando, mnima
En la prctica, es conveniente tener en cuenta los siguientes principios para obtener unos resultados
ptimos.
El circuito de puerta debe ser atacado, preferentemente, con un generador de corriente.

La corriente de mando, debe ser mayor que la corriente especificada como mnima.
El tiempo de subida, debe ser lo ms corto posible, entre 0.1s y 1s, sobre todo si el Tiristor
debe soportar una fuerte rampa de corriente tras el cebado.
La duracin del impulso debe ser tal que la corriente de mando permanezca por encima de IGT,
en tanto no se alcance la corriente de enganche andica (IL). Conviene adems reservar un
margen de seguridad en el caso de circuitos con carga inductiva, en los que existe un retardo de la
corriente de nodo.
Disparo por trenes de ondas

En el funcionamiento para corriente alterna con cargas inductivas y un Triac (o dos Tiristores
montados en antiparalelo), la corriente en el elemento inductivo persiste algn tiempo despus del
paso por cero de la primera semionda de tensin en la que se produjo el cebado del semiconductor.
Puede suceder entonces que esa corriente no se anule hasta despus de pasado el siguiente impulso de
disparo del Triac, por consiguiente, el Triac permanecer cortado, no existiendo entonces posibilidad
alguna de un nuevo disparo antes de la llegada de la siguiente semionda, de igual polaridad que la
primera. Resulta pues, una rectificacin de corriente que puede llegar a deteriorar los circuitos
conectados en la rama. Ver figura 6.12.
Para evitar este fenmeno, se tendrn dos opciones:
Ampliar la duracin de cada pulso. Curva C.

Enviar trenes de impulsos repetitivos hasta el trmino de cada semiciclo. Curva D.
Esta segunda opcin, presenta la ventaja de consumir poca energa, en valor medio, del circuito de
mando. Adems de facilitar el ataque del triac (o del Tiristor) colocando un transformador de
impulsos, con lo que se consigue aislar el circuito de control de la parte de potencia (separacin
galvnica). Ver figura 6.13

Fig 6.12 Curvas de disparo por trenes de ondas.
Distintos tipos de disparo de tiristores

[6_1]
Fig 6.13
Circuito de transferencia de pulsos a la puerta del Tiristor, basado en
un amplificador con transformador de impulsos
La duracin mxima, tmax del impulso transmitido por el transformador de impulsos puede calcularse
a partir de la ley de induccin.
dB
U2 = N S E 6. 4
dt
N = Nmero de espiras (igual para los arrollamientos primario y secundario).

S = Seccin del circuito magntico.
B = Induccin.
Despejando el valor de la induccin de la ecuacin anterior
U2 U
B= dt 2mx t E 6. 5
N S N S
La induccin de saturacin, Bmax se alcanza despus de un periodo de tiempo, tmax La duracin
mxima de un impulso ser:
N S B mx
t mx = E 6. 6
U 2mx
No obstante, los fabricantes en sus hojas de caractersticas indican el siguiente valor, expresado en
Vs
t mx U 2mx = N S B mx E 6. 7

6.3 Circuitos de mando

Los circuitos con Tiristores y Triacs se emplean en aplicaciones en las que el elemento realiza
funciones de conduccin:
Todo o nada.
Control de fase.
Fig 6.14 Control todo o nada. Permite poner bajo tensin una carga alterna a su paso por cero. (Disparo sincronizado), tambin se puede
modular la potencia consumida por un receptor entregando grupos de periodos enteros
Fig 6.15 a) Control por ngulo de fase (SCR mediaonda) b) Control por ngulo de fase (TRIAC onda completa)
6.3.1 CIRCUITOS TODO O NADA

En un gran nmero de ocasiones, los rels son sustituidos por Tiristores por Triacs, debido a las
grandes ventajas que presentan frente a stos

Mayor rapidez de repuesta.

Menor tamao.
Ausencia de chispas entre contactos.
Hay circuitos que permiten a un Tiristor Triac funcionar como un interruptor aleatorio, es decir,
circuitos que permiten que el elemento permanezca cerrado en tanto que dure una orden de cierre
aplicada al mismo, y que se abra al desaparecer dicha orden.
Esta funcin es similar a la que desempea un rel electromagntico (de aqu el nombre de rel
esttico, con el que se designa frecuentemente a estos circuitos). El montaje de interruptores
aleatorios es el descrito a continuacin: la orden de cierre para el dispositivo de mando aleatorio se
aplica mediante un pequeo interruptor, S segn el montaje de la figura 6.16.
Fig 6.16
Rel esttico con Tiritor alimentado con c.a.
En el caso del Tiristor, la tensin de mando ha de ser positiva con relacin al ctodo. Si la tensin de
alimentacin que se pretende interrumpir procede de una rectificacin, el Tiristor se extinguir por s
mismo una vez abierto el interruptor, S en cuanto se anule la corriente.
Si la tensin de alimentacin es continua, o si no se anula en cada perodo la corriente de carga, habr

que incorporar un circuito de extincin (denominado E en la figura 6.17), el cual forzar al Tiristor a
pasar a corte cuando se abra el interruptor S.
Fig 6.17
Rel esttico con Tiristor alimentado con Corriente continua
y circuito de extincin.
Mando sncrono
Si permanece la corriente de puerta, el semiconductor se cebar de nuevo en cuanto empiece el
semiperiodo siguiente, sin crear parsitos de conmutacin. No obstante, existe un cierto riesgo de
generacin de parsitos en el instante de cierre del interruptor, S si se hace de forma aleatoria (riesgo
de poner al triac en conduccin en el momento en que la tensin presenta un valor importante).
En la figura 6.18 se representa el esquema de un circuito de uso muy corriente, el cual permite
realizar la funcin de mando sncrono.
El circuito en este caso debe de incorporar un circuito detector de paso por cero de la tensin o
corriente de alimentacin.

Sea el circuito de control de potencia de la figura 6.20. Dibujar la seal de salida en la

carga, para una tensin Ein de 2.5 voltios dc y una seal rampa Vref de 5 voltios de amplitud
Fig 6.20 Circuito de control de potencia

Ton
Demostrar que: VRMScarga = VRMS D , siendo D =
T
Circuitos integrados de disparo

Como se ha comentado anteriormente, cuando la conmutacin se realiza a tensiones distintas de cero,
se producen transitorios que generan interferencias a altas frecuencias. Lo mismo ocurre al
bloquearse los triacs y los Tiristores si la carga es inductiva. Por eso es conveniente realizar las
conmutaciones en los puntos de cruce por cero.
Actualmente, la mayor parte de los fabricantes ofrecen soluciones a este problema comercializando
distintos circuitos integrados: CA3059 / CA3079 de RCA o VAA216 de MOTOROLA.
La misin de todos los circuitos anteriores, es conseguir que la conmutacin se realice antes de que la
tensin de lnea exceda de un determinado valor.
Circuito integrado VAA2016
Es un circuito integrado utilizado en control de Potencia sincronizado al paso por cero, se alimenta
directamente de la tensin de red. El diagrama de bloques est representado en la figura 6.21.

Fig 6.21 Diagrama de bloques del Circuito Integrado VAA216. Cortesa de Motorola
Como ejemplo de aplicacin vemos un control de temperatura cuyo diagrama esquemtico es la

figura 6.22, correspondiente a un regulador de temperatura, permitiendo reducir el consumo de
energa por la noche en determinadas estancias o cuando se producen ausencias de corta duracin.
Fig 6.22 Esquema de aplicacin
Antes es conveniente recordar algunos conceptos, como el control todo o nada con margen
proporcional. Este tipo de control combina el control todo o nada y el proporcional. Sustituye
adecuadamente al todo o nada con histresis, regulando de una manera ms fina la magnitud a
controlar. La figura 6.23 compara la regulacin de temperatura entre un sistema con histresis y un
control con margen proporcional.

Fig 6.23 Comparacin entre la regulacin con banda proporcional y con histresis
La histresis sirve para evitar las conmutaciones frecuentes (oscilaciones) de un sistema todo o nada,
generadas a la menor perturbacin, es decir, para estabilizarlo.
El control con margen proporcional tiende hacia la estabilidad electrnica y de la temperatura. La

entrada en el margen proporcional se traduce en una disminucin progresiva de la potencia entregada
a la resistencia de carga. La potencia se restablece anticipndose al lmite superior de temperatura y
tambin cuando sta decrece.
En la figura 6.24 se representa el diagrama de un circuito todo o nada con margen proporcional. Se
observa que la banda proporcional est creada aadiendo la tensin de consigna a la tensin
triangular (o diente de sierra) para ser comparada con la temperatura. El resultado de esta
comparacin y el impulso de paso por cero es lo que permite al circuito lgico generar la seal de
puerta.
Fig 6.24 Diagrama de un control todo o nada con banda proporcional
Volviendo al circuito integrado (figura 6.21), el circuito de sincronizacin, adems de controlar el

circuito lgico de ondas completas, proporciona el reloj necesario para el convertidor D/A que genera
la rampa de tensin. (El periodo est preajustado a 40.96s. Su amplitud corresponde a 1C de margen
de regulacin).
El fabricante nos suministra los datos y grficos necesarios para el diseo.

La resistencia Rsync fija el valor de la anchura del pulso.
Fig 6.25 Resistencia de sincronizacin en funcin de la duracin del impulso de puerta
La duracin del pulso, como sabemos, es funcin de la corriente de enganche IL del triac (Figura
6.26)
Fig 6.26 Duracin del impulso en funcin de la corriente de enganche del triac
La intensidad de salida de ataque a la puerta del triac viene determinada por la curva de la figura 6.27
Fig 6.27 Resistencia de puerta en funcin de la corriente IGT del triac
UAA2016
[6_2]

Circuitos integrados CA 3059 / CA 3079 de RCA
12
Rs
Power
5 Limiter supply RL
Cx 0
crossing 3
detec
MT 2
VAC 2
1 INV. Triac
geting 4
circuit G
Rp Fall MT 1
safe
14
100 F 13 On/Off
sensing
15V 8 amp
7
NTC sensor
9 10 11 6
Fig 6.28 Circuito Integrado CA3059: Diagrama de bloques (Cortesa RCA).
Estos dos circuitos tienen una gran importancia en la conmutacin de Tiristores a tensin nula. Por
tanto, se puede denominar a los circuitos integrados CA 3059 / CA 3079, conmutadores a tensin
cero. Son utilizados para el control de Tiristores en aplicaciones de conmutacin de potencias en
C.A. comprendidas entre 24 y 227V y frecuencias entre 60 y 400Hz.
El circuito integrado consta de 4 bloques funcionales, ver figura 6.28
Limitador de potencia: Permite alimentar al circuito integrado directamente de una lnea de

C.A.
Amplificador diferencial: Recibe las seales de un sensor externo u otro tipo de seal de
mando.
Detector de cruce cero: Sincroniza los pulsos de salida del circuito en el momento en que la
tensin alterna pasa por cero.
Circuito de disparo: Proporciona impulsos de una elevada corriente con la suficiente potencia
para disparar el tiristor de control.
6.3.2. CONTROL DE DISPARO POR NGULO DE CONDUCCIN. CONTROL DE

FASE.
La forma ms simple de disparo de un Tiristor o de un Triac, es por medio de corriente continua,
como ya se estudi al principio del tema. Este tipo de control, presentaba el inconveniente de que, la
puerta estaba disipando energa constantemente y el control solo se poda realizar entre 0 y 90.
Circuitos de control de puerta.

Para disparar un Tiristor, es necesario aplicar una serie de impulsos a su puerta. Estos impulsos deben
tener un cierto ngulo de retardo del disparo, respecto al paso por cero de las tensiones alternas que
alimentan el convertidor. Para poder variar este ngulo, ser necesaria la ayuda de una tensin de
control continua, Ucm
La tensin de control, Ucm se compara con una tensin de referencia cosenoidal (Ur).

Los impulsos de disparo tendrn la misma frecuencia que la tensin de referencia, Ur y estn
desplazados un ngulo respecto al paso por el valor de pico de Ur, como se puede ver en la figura
6.29

U r = Valor de pico de U r

U r cos = U cm E 6. 8
U cm
= arccos
E 6. 9
Ur
A fin de que el angulo obtenido en la ecuacin [E6.9] se corresponda con el ngulo de retardo del
disparo, es indispensable que la tensin de referencia, Ur posea una posicin de fase bien
determinada respecto a las tensiones de alimentacin del convertidor.
Muy a menudo debe filtrarse la tensin de referencia cuando la tensin representa armnicos
superpuestos.
Un ejemplo de este tipo de circuitos est representado en la figura 6.30.
A veces, en lugar de una tensin de referencia senoidal se utiliza una tensin en dientes de sierra que
debe estar sincronizado con la red de alterna que alimenta al convertidor. En este caso existe una
relacin lineal entre el ngulo de retardo y la tensin de control Ucm. Ver figura 6.31
Fig 6.29 Funcionamiento de un dispositivo de control de puerta.
Fig 6.30 Circuito de control de puerta con tensin de referencia senoidal.
Siempre es necesario limitar el campo de variacin de la tensin de control, Ucm en correspondencia

con una limitacin del ngulo entre los lmites min y max. Se puede ver que entre y Ucm
existe una relacin, es decir, se comprueba que min corresponde con Ucm max y que max
corresponde con Ucm min.

Un ejemplo de este tipo de circuitos es el circuito representado en la figura 6.32
Ejemplo de control de un sistema trifsico

[6_3]
Fig 6.31 Generador de dientes de sierra para la sincronizacin con la red de alterna.
Fig 6.32 Circuito de control de puerta con tensin de referencia de dientes de sierra.
Circuito integrado TCA 785 de SIEMENS
Este circuito es muy empleado en el control de fase. Los pulsos de disparo pueden variar entre 0 y
180. Los circuitos ms tpicos en los que se utiliza son convertidores ac/dc y control de corriente
alterna.
GND 1 16 VS
Q2 2 15 Q2
QU 3 14 Q1
Q1 4 13 L
VSYNC 5 12 C12
I 6 11 V0
QZ 7 10 C10
VSTAR 8 9 R0 Fig 6.33
Patillaje del circuito integrado TCA 785. (Cortesa SIEMENS).

Fig 6.34 Diagrama de bloques del integrado TCA 785. (Cortesa de SIEMENS).

Fig 6.35 Formas de onda en cada una de las patillas del C.I TCA 785
La seal de sincronismo es obtenida a travs de una resistencia desde la patilla de voltaje, V5. El
detector de voltaje cero evala el paso por cero y la transferencia hacia el registro de sincronismo. El
registro de sincronismo controla el generador de rampa. Si el voltaje de rampa obtenido de la patilla
V10 excede del voltaje de control obtenido de la patilla, V11 (determina el ngulo de disparo), la seal
es procesada por el control lgico.
Dependiendo de la magnitud del voltaje de control, V11 el ngulo de disparo puede controlarse dentro
de un rango comprendido entre 0 y 180. Para cada media onda, un pulso positivo de
aproximadamente 30s de duracin aparece en la salida Q1 (patilla 14) y en la salida Q2 (patilla 15).
La duracin del pulso puede ser prolongada por encima de 180 a travs del condensador C12. Si la
patilla 12 se conecta a masa, se obtendrn pulsos con una duracin entre un valor de y 180.
Las salidas Q1 y Q2 (invertidas), suministran la seal inversa de Q1 y de Q2. Una seal de valor
+180 puede ser usada para controlar por lgica externa al dispositivo. Esta seal puede ser tomada
de la patilla 3.
La entrada inhibidora es usada para desconectar las salidas Q1, Q2, Q1 (invertida), Q2 (invertida). La
patilla 13 es usada para ampliar el valor de las salidas Q1 (invertida) y Q2 (invertida).
A continuacin vemos dos ejemplos de aplicacin de este circuito integrado, un regulador de alterna
con triac y un regulador de alterna con dos SCR con acoplamiento por transformador de impulsos
atacando directamente a su puerta con el CI

Fig 6.36 Control de la potencia alterna entregada a una carga, por ngulo de fase. Aplicacin control de iluminacin, motores, etc.
Fig 6.37 Control de la corriente alterna con dos SCR por ngulo de fase

Se propone estudiar un ejemplo de circuito de control de puerta construido con

elementos discretos. Concretamente, se trata de un puente rectificador monofsico totalmente
controlado. Dado el circuito rectificador en puente totalmente controlado de la figura, obtener
mediante PsPice las formas de onda comprendiendo cada una de ellas y la funcin que
desempea cada elemento del circuito.
Fig 6.38 Circuito rectificador en puente totalmente controlado
Explicar el funcionamiento del circuito de control
[6_4]
El esquema general del circuito de control de puerta es el siguiente.
DISPARADOR
TRANSFORMADOR DE SCHMITT
INTEGRADOR
ACONDICIONADOR CIRCUITO DE
SEAL DE RESET POTENCIA
Fig 6.39 Esquema general
A continuacin presentamos el circuito a simular con pspice (versin completa, pues no funciona
en la versin de evaluacin debido al elevado nmero de nudos)

Esquema del circuito de control
Esquema del circuito de potencia


CD6_3: TRANSFORMADOR TOMA MEDIA, TOMA MUESTRA SEAL DE RED

*PARA LA SINCRONIZACION AL PASO POR CERO
VI1 4 0 SIN(0 17 50)
VI2 0 5 SIN(0 17 50)
*DIODOS RECTIFICADORES
D1 4 6 D1n4148
D2 5 6 D1n4148
*POLARIZACION TRANSISTOR Q1 ENCARGADI DE OBTENER LOS IMPULSOS DE
*SINCRONIZACION DE PASO POR CERO DE LA SEAL DE RED
R1 6 9 18K
Q1 8 9 0 BC547A
Q2 10 8 11 BC547A ; DESCARGA EL CONDENSADOR CADA VEZ QUE LA SEAL DE RED PASA
POR CERO
*RED RC ENCARGADO DE CREAR LA INTEGRACION PARA LA LA SEAL RAMPA
R2 7 8 10K
R3 77 12 100K
RP1 12 11 10k
C1 10 11 100N
RP2/ 7 13 4k; SEAL DE REFERENCIA POTENCIOMETRO
RP2// 13 0 1k
D3 14 15 D1n4148
R4 15 17 180
*AMPLIFICADORES OPERACIONALES
XU1A 0 11 7 77 10 TL082
XU2A 10 13 7 77 14 TL082
.LIB NOM.LIB
.lib c:/ps50/linear.lib
*TENDSIONES DE ALIMENTACION DEL CIRCUITO
V+ 7 0 DC 10
V- 0 77 DC 10
*SUBCIRCUITOS PARA LOS TIRISTORES
xT3 4 19 20 BT151AC
xT4 18 4 23 BT151AC
xT6 18 5 22 BT151AC
xT5 5 19 21 BT151AC
.LIB c:/ps50/EPSJAEN.LIB
*SUBCIRCUITOS DE LOS OPROACOPLADORES
XOP1 17 25 24 20 OPTO
XOP2 25 0 26 23 OPTO
XOP3 17 28 55 21 OPTO
XOP4 28 0 27 22 OPTO
R7 18 26 1K
R6 4 24 1K
R8 5 55 1K
R9 18 27 1K
*CARGA; CON POSIBILIDAD DE SER INDUCTIVA
Rout 19 18 10
*Lout 40 18 100m
.TRAN 0.1M 20M
*.four 100h v(19,18)
.probe
Las libreras deben de estar referenciadas al directorio correspondiente
6.4 DISPARO MEDIANTE CIRCUITOS SEMICONDUCTORES

Los circuitos de disparo RC presentan la ventaja de la sencillez, pero tambin tienen dos
inconvenientes importantes
La red debe ser adaptada a cada tipo de Tiristor.

Toda la corriente de cebado pasa por la resistencia, disipando una potencia que no siempre ser
despreciable.

PROBLEMA 6.3
En el circuito de disparo mediante red RC de la figura 6.40, el condensador se carga a travs de

las resistencias R1 y R2 retardando el momento en que se alcanza la tensin de cebado. El diodo,
D descarga al condensador durante el semiperiodo negativo evitando la aplicacin de una fuerte
tensin negativa a la puerta. Calcular, suponiendo que no estuviera conectada la puerta del
semiconductor al diodo, el ngulo de retardo introducido por el condensador.
DATOS: Ve = 220V/50Hz; R1 = 200K; R2 = 500; C = 0.1F
Fig 6.40 Circuito de disparo mediante red RC
Solucin:
La impedancia del condensador

1
XC =
C
1
XC = = 31830.9
2 50 0.1 10 6
La resistencia equivalente
R = R 1 + R 2 = 200.5K
Por tanto el desfase introducido por el condensador ser

XC
= arctg = 9
R
Una solucin consiste en ir acumulando la energa til para as suministrarla en forma de impulso en
el momento deseado. Esto se logra acumulando la energa necesaria en un condensador que se
descargar sobre el circuito de puerta del Tiristor. Por lo general, este ltimo circuito ser un
oscilador de relajacin que aprovecha los fenmenos de resistencia negativa.
Una configuracin tpica del oscilador de relajacin se encuentra en la figura 6.41
Fig 6.41
Esquema de un circuito oscilador de relajacin.

6.4.1 DISPARO POR UJT.

El Transistor Uniunin, UJT es un popular dispositivo usado en los osciladores de relajacin para el
disparo de Tiristores.
El UJT est constituido por una resistencia de silicio tipo N, terminada en dos electrodos o bases
denominadas B1 y B2. El valor de esta resistencia est comprendido entre 4 y 9 K. En un punto de
ella se crea un diodo PN que realiza la funcin de emisor del UJT.
Fig 6.42 Circuito de regulacin de voltaje eficaz aplicado a la carga
Para que el UJT trabaje correctamente, es necesario polarizarlo de forma adecuada.

Si los terminales B1 y B2 estn polarizados en directo con una tensin VBB, se crea un divisor de
tensin entre el contacto de la regin P y los terminales B1 y B2, tal que el voltaje entre la regin P y
el terminal B1 ser:
R B1
VRB1 = VBB = VBB E 6.10
R B1 + R B2
donde
R B1
= E 6.11
R B1 + R B2
El valor tpico del coeficiente, lo suministra el fabricante y est comprendido entre 0.5 y 0.8
Fig 6.43 Esquema de polarizacin y circuito

equivalente del UJT.
Si con esta configuracin se aplica una tensin VE < VC, el diodo se polariza en inverso y no
conducir. Pero si por el contrario, se aplica una tensin VE tal que se verifica que VE VP, (siendo
VP = VC + VD y VD la tensin directa de saturacin del diodo), el diodo quedar polarizado en sentido
directo, circulando una corriente entre el emisor E y la base B1. Esta corriente inyecta en la zona de
resistencia R1 una corriente de portadores (huecos). La nueva concentracin de portadores en esa
zona hace que la resistencia R1 disminuya haciendo a su vez que baje el voltaje VC, con lo que
aumentar la intensidad IE. De esta manera, se crear una zona de resistencia negativa inestable. Esta
zona de resistencia negativa as como los dems parmetros est representada en la figura 6.44.

Si se disminuye la tensin VEB1, entonces disminuye IE. Cuando el dispositivo alcance un valor
inferior a la corriente de valle, IV aumentar el valor de VEB1 pasando a polarizar el diodo en sentido
inverso.
Obtencin de caractersticas UJT:
[6_5]
[6_6]
Fig 6.44
Caracterstica V-I del UJT
La secuencia de trabajo del oscilador de relajacin con UJT se puede comprender mejor observando
la figura 6.45
El condensador se carga a travs de la fuente hasta alcanzar un valor que depende de la constante de
tiempo aproximada del circuito, T
T R T CT E 6.12
La frecuencia del oscilador depende del valor del condensador, CT y de la resistencia, RT

Cuando la tensin del condensador se iguala al valor VE (VE = VC + VD), se llega a la tensin de pico
VP. La resistencia entre el emisor y la base B1 baja rpidamente descargndose el condensador a
travs de la resistencia R1, apareciendo un pulso en la puerta del Tiristor.
Cuando el UJT no conduce la tensin en extremos de R1 debe ser menor que la tensin de disparo
del SCR ( I BB R 1 < VGT ).
VBB
I BB =
R B1 + R B 2 + R 1 + R 2
Fig 6.45 Circuito y formas de onda de un oscilador de relajacin con UJT

Es importante escoger una tensin VBB de alimentacin adecuada, y un UJT con la suficiente
capacidad de impulso VOB1.
Si el pulso cae hasta alcanzar un valor cero, el UJT recupera el estado de bloqueo, volviendo el
condensador a cargarse para repetir de nuevo el ciclo.
La resistencia R2 se incluye para mejorar la estabilidad del UJT frente a la temperatura. En la
mayora de los casos, el valor de esta resistencia puede ser calculado aproximadamente utilizando la
siguiente expresin
R 2 = 0.15 rBB E6. 13
El UJT es un dispositivo muy utilizado para el disparo de los Tiristores.
Fig 6.46
Caracterstica interbase del UJT para distintos valores de IE
Nomenclatura del UJT

A la hora de manejar las hojas de caractersticas para aplicaciones prcticas y durante el desarrollo de
problemas, es muy importante conocer la nomenclatura especfica usada para determinar los
parmetros principales del UJT
2N2646
[6_7]
IE
Corriente de emisor.
IEO
Corriente inversa de emisor. Medida entre el emisor y la base 2 para una tensin dada y la base
1 en circuito abierto.
IP
Intensidad de pico de emisor. Mxima corriente de emisor que puede circular sin que el UJT
alcance la zona de resistencia negativa.
IV
Intensidad de valle de emisor. Corriente que circula por el emisor cuando el dispositivo est
polarizado en el punto de la tensin de valle.
rBB
Resistencia interbase. Resistencia entre la base 1 y la base 2 medida para una tensin interbase
dada.
VB2B1
Tensin entre la base 2 y la base 1, tambin llamada tensin interbase.
VP
Tensin de pico de emisor. Mxima tensin vista desde el emisor antes de que el UJT alcance
la zona de resistencia negativa.

VD
Cada de tensin directa de la unin de emisor. Tambin llamada VF(EB1) VF.
VEB1
Tensin de emisor en al base B1.
VEB1(sat.)
Tensin de saturacin de emisor. Cada de tensin directa entre el emisor y la base B1 con una
corriente mayor que IV y una tensin interbase dada.
VV
Tensin de valle de emisor. Tensin que aparece en el punto de valle con una VB2B1 dada.
VDB1
Tensin de pico en la base B1. Tensin de pico medida entre una resistencia en serie y la base
B1 cuando el UJT trabaja como un oscilador de relajacin.
Relacin intrnseca.
rBB
Coeficiente de temperatura de la resistencia interbase. Variacin de la resistencia B2 y B1 para
un rango de temperaturas dado y medido para una tensin interbase y temperatura con emisor a
circuito abierto dadas.
Simulacin con Pspice 6.1
Simular con Pspice el circuito de la figura , obtener las formas de onda de la tensin en el
condensador y en la salida.
[6_8]
Fig 6.47
*SIM6_1.CIR
* E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
* OSCILADOR DE RELAJACIN CON UJT
VCC 1 0 DC 15V; TENSION DE ALIMENTACION
RT 1 2 20K
CT 2 0 .2U IC=0V
RB2 1 3 100
RB1 4 0 20
XT1 3 2 4 2N4851; SEMICONDUCTOR UJT
.LIB NOM.LIB
.TRAN 0.2ms 12ms
.PROBE V(2) V(4)
.END

Este circuito solo funcionar en la versin completa de DOS 5.0 o en la versin

completa de windows
Tensin en el condensador, vCT Tensin de salida, vsal

10V 10V
1 2 vCT
0V 5V
vsal
>>
- 10V 0V
0s 4ms 8ms 12ms
1 V( 2) 2 V( 4)
Ti me
En el siguiente problema se disea un oscilador de relajacin con UJT.
PROBLEMA 6.4
Para el circuito oscilador de relajacin con UJT de la figura 6.48. Calcular los valores mximo y
mnimo de la resistencia R1 + R2, para una correcta oscilacin del circuito, calcular tambin el
valor de los dems componentes del circuito y simularlo mediante PsPice.
DATOS:
VBB = VCC = 20V; CA = 1F; RB1 = 100
UJT: = 0.6; IV = 10mA ; VV = 2V; IP = 5A ; TD = 0.01... 0.1s
Fig 6.48
Solucin:
A partir de la grfica V-I del UJT se pueden determinar los lmites mximo y mnimo de la
resistencia de carga del condensador, R1 + R2. Estas expresiones representan la condicin de
oscilacin

Fig 6.49 Curva V-I del UJT
VBB VP
R max E 6.14
IP
VBB VV
R min E 6.15
IV
VBB VP V VV
R BB E 6.16
IP IV
La tensin de disparo, VP
VP = VBB + VD E 6.17
VP = 12.5V.
Sustituyendo valores en las expresiones anteriores
Rmx = R1 + R2 = 1.5 M ; Rmn = R1 = 1.8 K
Estos valores de resistencia aseguran la oscilacin.
Determinando la expresin de carga de un condensador, se podr calcular el valor de la

resistencia que falta.
Para los requerimientos de oscilacin

TD = 0.01 0.1s
Si se llama ttotal al periodo de carga y descarga del condensador, se puede descomponer en:
ttotal = tON + tOFF

donde
tOFF = Tiempo o periodo de carga del condensador, el UJT est bloqueado.

tON = Tiempo o periodo de descarga del condensador.
Normalmente, tOFF >> tON, por tanto se puede despreciar el valor de tON (comprobndolo
posteriormente). Si se parte de la solucin de la ecuacin diferencial de carga de un condensador
a partir de una tensin continua


VC (t) = VC (final) + [VC (inicial) VC (final)] e R C E 6.18
Resolviendo la ecuacin anterior
Para t = tOFF Vc (t) = VP Vc(0) = Vv Vc() = VBB
VBB VV
t OFF = R C ln E 6.19
VBB VP
Para las especificaciones del ejemplo, se van a determinar los valores de Rmin y Rmx:
TD = 0.01s Rmn = 11.4 K
TD = 0.1s Rmx = 113.6 K
Valores que se encuentran dentro del rango calculado anteriormente
Sabiendo que: VBB >>> Vv; VP = VBB + VD VBB
La expresin anterior queda definitivamente
1
t OFF = T = R C ln E 6.20
1
Esta es la aproximacin para el clculo del periodo de oscilacin del circuito con UJT.
Se debe hacer notar que cuando > 0.6, la ecuacin anterior queda reducida
T = R C E 6.21
A continuacin se facilita el listado para la simulacin con Pspice, se recomienda al lector que lo
simule y analice los resultados.

*Problema6_4.CIR
*E.P.S. JAEN. DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA
*OSCILADOR DE RELAJACION
VBB 1 0 DC 20V
R1 1 2 10K
* Seleccionar valores del potenciometro
*R2 2 3 10K ;R1+R2 mnima
R2 2 3 100K ;R1+R2 mxima
CA 3 0 1UF ic=2V
RB1 5 0 100
RB2 1 4 500
XT1 4 3 5 2N4851; UJT
.LIB NOM.LIB
.TRAN .2ms 0.4
.PROBE
.END
Este circuito solo funcionar en la versin completa de DOS 5.0 o en la versin

completa de windows
En muchas aplicaciones, en las que se utilizarn Tiristores, no se dispone de una fuente de

alimentacin de C.C para alimentar el circuito de disparo, y la nica fuente es la de C.A
correspondiente a la etapa de potencia del circuito.

PROBLEMA 6.5
Mediante el circuito de la figura 6.50, se trata de controlar la potencia entregada al motor de un

limpiaparabrisas. Calcular la variacin del nmero de movimientos del limpiaparabrisas por
minuto y el tiempo de descarga aproximado del condensador.
Suponer que cada oscilacin del UJT produce un movimiento del motor y que el SCR vuelve al
estado de corte mediante algn procedimiento adecuado no representado en este circuito.
DATOS: VBB = Vcc = 20V; RB1 = 100; C = 50F

UJT: IP = 16A; IV = 0.4mA; VV = 1V; = 0.6; rBBo = 5K; VD = 0.5V
Fig 6.50
Solucin:
Rango de ajuste de variacin del movimiento: 2.62 < n < 26.2
ton = 12.4ms
Sincronizacin con la red de C.A. ; disparo de SCR
Fig 6.51 Circuito de sincronizacin de pulsos con la red c.a.
El circuito presentado se utiliza para alimentar al UJT a partir de la seal alterna de red. Es
interesante notar que la tensin inicial de la que parte el condensador al inicio de cada semiciclo
coincide con la tensin VV del UJT, lo que indica que el tiempo que tarda en alcanzar la tensin de
disparo y por tanto el impulso inicial, siempre est sincronizado con el paso por cero de la red.

Fig 6.52 Formas de onda del circuito de sincronizacin de pulsos con la red
El circuito bsico para conseguir el sincronismo del oscilador con UJT, con la red de alimentacin
est representado en la figura 6.51. En la figura 6.52 se pueden observar las distintas formas de onda
obtenidas del circuito de sincronizacin con la red.
Los impulsos marcados con 1 y 9, son los impulsos que provocan el disparo del Tiristor en perodos
sucesivos. Los impulsos marcados con 2, 3, 4, 10, 11, 12, que se producen al final de cada
semiperiodo, aunque son aplicados a la puerta del Tiristor, en principio no provocan ninguna
perturbacin puesto que el Tiristor se encuentra en estado de conduccin. Estos impulsos indeseados
podran ser eliminados mediante el diseo de un circuito auxiliar. Otra forma de eliminar estos
impulsos indeseados, sera tomando la tensin Vi directamente entre el nodo y el ctodo del Tiristor.
En el siguiente problema se realizar un estudio ms detallado de este tipo de circuitos de
sincronizacin, mediante el diseo de un oscilador con UJT
Cuestin didctica 6. 4
Trata de comentar el funcionamiento del circuito de la figura y la particularidad que
presenta, en cuanto a la alimentacin y la sincronizacin con respecto del paso por cero de la
seal de red.
CD6_4.cir



Para las figuras presentadas, Sabras demostrar en los dos casos presentados que el periodo es el
indicado, sealar en las figuras el valor de Vp y comparar con su clculo terico?
Valor de Rp =100k
Valor de Rp =10k
Datos utilizados en la simulacin del UJT (ver .CIR): =0,655; Rbb=7k; Vv=1,77V
PROBLEMA 6.6
En la figura, se muestra el esquema de un regulador de corriente alterna de onda completa.

Observar como en este montaje es posible controlar una seal alterna con un SCR mediante la
configuracin del puente y del propio SCR. Disearlo y simular el circuito mediante PsPice.
Fig 6.53


DATOS: Ve = 220V; f = 50Hz; PL = 180W; C = 0.2F; RB1= 20; RB2= 100;
fOSCILAC. = 100 . . . 900Hz
ZENER: Vz = 25V; IF = 2mA
Solucin:
Inicialmente ser necesario estudiar las grficas de la intensidad de pico, IP intensidad de valle,
IV y tensin de valle, VV Para un valor VB1B2 = VZ = 25V,
IP = 1A; IV = 8.5mA; VV = 1.72V
Ip
3.0
Ip, PEAK POINT EMITTER CURRENT ( A)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30

25 VB2B1
VB2B1 INTERBASE VOLTAGE (VOLTS)
Iv 16
Iv, VALLEY POINT CURRENT (mA)
14
12
10
8.5
2N4871
6.0
4.0
2N4870
2.0
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30

25 VB2B1
Vv 1.8
Vv, VALLEY VOLTAGE (VOLTS)
1.72
1.6
1.5
1.4
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30
25 VB2B1
...

El valor de la tensin de pico, VP se determinar aplicando la ecuacin [E6.17]
VP = VBB + VD = 19.75V
Sustituyendo en las expresiones [E6.15] y [E6.14] se calculan los valores mximo y mnimo de la
resistencia, R = R1 + R2 que garantizan la oscilacin del circuito
R mn = 2.74K R mx = 5.25M
Planteando la ecuacin de la constante de tiempo, [E6.20
TD = 1.5 R C
Para los mrgenes de frecuencia especificados, se calculan los valores del potencimetro,
R1+R2
f1 = 100 Hz f 2 = 900 Hz
1
TD1 = = 1.5 R C R mx = R 1 + R 2 = 33.3K
f1
1
TD2 = = 1.5 R C R mn = R 1 = 3.7K
f2
Tomando valores normalizados
R1 = 4K; R2 = 30K
El diseo del circuito adaptador de tensiones se resume en el clculo de la resistencia R3. La

tensin de salida del rectificador debe estar siempre por encima de la tensin marcada por el
diodo zener, ocurriendo esto para un determinado ngulo de conduccin. Fijando ste en unos
15 aproximadamente
Ve = V0 senwt = 311 sen15 = 80.5V
El valor de la tensin a travs de la resistencia R3 ser el valor necesario para la correcta

polarizacin del diodo zener (IZ = 2mA) y para el UJT IUJT = 4mA. El valor de la intensidad ser,
por tanto, 6mA. Calculando el valor de R3, se tiene:
V0 VZ 80.5 25
R3 = = = 9.25K
I 6mA
A continuacin se simula el circuito para el mximo valor de R1+R2, con el que se consigue el
primer disparo para t = 6.35 ms, esto implica un ngulo de disparo de 114.3 o lo que es lo
mismo un ngulo de conduccin de 65.7
Problema6_6.cir

[1] Tensin zener, vZ [2] Tensin en el condensador, vC

26V 34V
1 2
vZ
0V 17V
vC
>>
- 26V 0V
0s 6.35 ms 40ms
1 V( 5) - V( 4) 2 V( 6) - V( 4)
Ti me
El condensador tiende a cargarse hasta alcanzar un valor de tensin fijado por el diodo zener. Sin
embargo, cuando C alcanza el valor de la tensin de disparo del UJT, hace que ste se dispare.
En este preciso momento se obtiene en la base 1 del UJT un impulso que provoca el disparo del
Tiristor haciendo que pase del estado de bloqueo al de conduccin.
[1] Impulsos de disparo, vG [2] Tensin en el SCR, vSCR
10V 312V
1 2
vSCR
0V
vG
>>
0V - 312V
0s 6.35 ms 40ms
1 V( 8) - V( 4) 2 V( 2) - V( 4)
Ti me
En el circuito se puede observar que la disposicin del SCR, es tal que se puede controlar una
potencia alterna, es decir los dos semiciclos con un solo SCR. En este caso se ha de tener en
cuenta que por el puente de diodos va a circular la misma intensidad que por la carga.
El proceso de disparo se repetir cada semiciclo de la seal de entrada, puesto que, gracias al
puente de diodos, en extremos del Tiristor siempre se tendr aplicada una seal positiva. Por
tanto la seal estar controlada y en la carga se tendr una seal como la representada en la
pantalla obtenida con Pspice.
[1] Impulsos de disparo, vG [2] Tensin de entrada,ve Tensin en la carga, vRL
50V 312V
1 2
ve
vRL
0V
vG
>>
0V - 312V
0s 6.35 ms 10ms 20ms 30ms 40ms
1 v( 8) - v( 4) 2 V( 3) V( 1)
Ti me

Si se vara el potencimetro al valor mnimo de resistencia se observa como el disparo del

Tiristor se produce mucho antes con lo que la potencia entregada a la carga es mucho mayor, se
invita al lector a comprobarlo utilizando Pspice.
Circuito de aplicacin: Rectificador onda completa controlado Enlace6_9.cir

[6_9]
Circuito de control de potencia por "Rampa - Pedestal"
Fig 6.54
Principio de control de potencia por rampa pedestal o
rampa - escaln.
En el control de potencia por "rampa pedestal", el valor del escaln es fijado por una tensin de
referencia, de nivel ajustable, siendo la rampa una tensin de referencia que se superpone al valor del
escaln necesario para disparar al Tiristor en un punto umbral fijo.
Si se hace una breve descripcin del funcionamiento del circuito de disparo, figura 6.55 se puede
decir que cuando el valor de tensin VE es mayor que la tensin VD, el condensador C, se carga a
travs del potencimetro R fundamentalmente ya que se verifica que el valor de R es menor que el
valor de R2, y por tanto con una constante de tiempo muy pequea. Cuando el nudo D alcanza un
valor de tensin, tal que VD VE, el diodo D1 deja de conducir y el condensador C pasa a cargarse a
travs de la resistencia R2 con una constante de tiempo mayor, de valor R2C , hasta que alcance el
valor de disparo del UJT.
Fig 6.55
Circuito de disparo por el mtodo de rampa pedestal Seal obtenida en laboratorio
Ondas obtenidas con Pspice [6_10]

T1 P2 A C1
T1 << T2
T2 (P1 + R 1 ) C1
Fig 6.56 Sistema de control de temperatura.
El voltaje para el cual VD = VE se denomina voltaje pedestal y la variacin del voltaje a partir de este
momento se denomina rampa. De aqu surge el nombre de este sistema de control Rampa
Pedestal.
En la figura 6.56 se muestra un ejemplo de aplicacin de un circuito de control de disparo por rampa
- pedestal para un sistema de control de temperatura interior recubierto de papel de aluminio. Se hace
un agujero en la caja y se inserta un tubo de cartulina. La fotoclula se monta en el otro extremo del
tubo de forma que no reciba luz del ambiente. La resistencia de la fotoclula es la resistencia de
realimentacin del circuito denominada T.
6.4.2 DISPARO POR PUT

El Transistor Uniunin Programable, PUT es un dispositivo de disparo muy usado en los circuitos de
disparo por puerta para los Tiristores. Tiene tres terminales que se identifican como: ctodo (K),
nodo (A) y puerta (G).
El PUT, es un pequeo Tiristor con puerta de nodo, presentando unas caractersticas de disparo
parecidas a las del UJT, cuando es utilizado en los osciladores de relajacin, pero presenta la ventaja
de poder ser programado para determinar el valor de los parmetros , VP e IV mediante un sencillo
circuito externo de polarizacin. (En el caso del UJT, viene predeterminado; VP = VBB + VD
una vez fijada la tensin de alimentacin tambin es cte; IV es cte.) El PUT permite variar estos
parmetros y por tanto se pueden obtener periodos de mayor duracin.
Fig 6.57
Montaje y circuito equivalente de un PUT

La operacin del PUT, depende de la tensin que se tenga aplicada entre el nodo y la puerta del
dispositivo, figura 6.57
El voltaje de puerta es fijado por un divisor de tensin que es utilizado para programar el disparo del
dispositivo. Si el voltaje de puerta es mayor que el voltaje de nodo, el PUT queda en estado de corte.
Si se incrementa el voltaje de nodo hasta un punto alrededor de 0.7V (Voltaje de barrera de la unin
P-N), el voltaje de puerta hace que el PUT pase a conducir en un periodo de tiempo muy corto
(menos de 1s). La tensin de nodo (VP) que hace que el dispositivo se dispare, es ajustada
cambiando el voltaje de puerta, es decir, alterando la relacin:
RB
RA + RB
En la figura 6.58 se representa un circuito oscilador con PUT. Las resistencias R1, R2 y el
condensador C, actan ajustando el retraso del voltaje de pico VP. En el paso de corte a conduccin,
aparece un pulso de tensin VG (mayor de 6 V) en el ctodo del PUT. Este ser el pulso que
apliquemos a la puerta del Tiristor. El condensador se descargar a travs de la resistencia de ctodo
haciendo que la corriente caiga hasta cero, cortando de esta manera al PUT. En este momento el
voltaje de nodo se hace menor que el voltaje de puerta, comenzar a cargarse de nuevo el
condensador hasta alcanzar un voltaje VP, repitindose de nuevo el ciclo.
Cuando la tensin de nodo, VA es superior a VG + VGA, comienza a conducir y tiene una

caracterstica similar a la del UJT como se puede observar en la curva caracterstica V-I del PUT
Tanto IP como IV dependen del valor de las resistencias RA y RB, es decir, del valor de RG, siendo:
RA RB
RG = E 6.22
RA + RB
Es especialmente importante el hecho de que IP pueda reducirse hasta valores muy bajos
usando valores grandes de RG. Esta caracterstica es muy til en circuitos con tiempos de
retardo largos. (No hay que olvidar que se vio en el caso del UJT que Rmx dependa de IP).
Los lmites de resistencia de carga del condensador RT se determinan de la misma forma que para el
UJT.
En el problema siguiente se tratar de disear el oscilador de relajacin con PUT a partir de las
caractersticas dadas por el fabricante y para una determinada frecuencia.
Fig 6.58 Oscilador de relajacin con PUT. Curva caracterstica V-I del PUT

PROBLEMA 6.7
Disear el circuito oscilador de relajacin con PUT, representado en la figura 6.59.

Datos: VBB = VCC = 10V; C = 10nF; fosc. = 1.5KHz
PUT: VD = 0.6; VV = 1V
Fig 6.59
Solucin:
Para un periodo completo de oscilacin, el tiempo es el inverso de la frecuencia y viene dado por
la suma del tiempo de corte, toff y el tiempo de conduccin, ton
TD = toff + ton = 666 s
El condensador se carga exponencialmente desde la tensin de valle a la tensin de pico, con una
constante de tiempo dada por el producto RT C
VBB VV
t off = C R T ln
VBB VP
Donde
VP = VD + VS = VD + VBB = 5.6 V
VS = VG = 5 V
Sustituyendo en la ecuacin anterior:
VBB VV
t off = C R T ln
VBB (1 ) VD
Cumplindose que VBB >> VV VBB >> VD
Siendo = 0.5 y considerando R1 = R2
1 R + R2
t off = C R T ln C R T ln 1
(1 ) R2
Considerando ton <<< toff
TD toff.
t off 0.7 C R T
Despejando el valor de RT
t off
RT = = 100 K
0.7 C



El valor de la resistencia de puerta se fija en RG = 10 K.
R1 R 2
RG =
R1 + R 2
Tambin se fijan valores para R1 = R2 = 20K VS = VBB = 5V
Fig 6.60 Caracterstica V-I del PUT

En la caracterstica V-I del PUT, se determinan los lmites entre los que puede oscilar el valor de
la resistencia de carga del condensador, RT Las intensidades de pico y de valle se determinan con
ayuda de las curvas VS - IP y de las curvas VS - IV
IP = 3A; IV = 100A
VBB VP
R Tmx = = 1.45 M
IP
V VV
R Tmn = BB = 90 K
IV
90 K < RT < 1.45 M
Fig 6.61


2N6027 PUT
[6_11]
Bajo condiciones de operacin fijas, la variacin en el voltaje de valle respecto a la corriente de

valle es bastante pequea para asegurar el apagado. Por ello, la resistencia RT deber ser al
menos dos o tres veces mayor que el valor mnimo.
RT 3 RTmn 270 K < RT < 1.45 M
El valor de la resistencia RT debe encontrarse entre dos valores elevados, lo que implica que para
mantener las especificaciones dadas, se debera disminuir la capacidad del condensador.
Otra alternativa es reducir el valor de la resistencia de puerta. Por tanto, si se fija el valor de esta
resistencia en RG = 1K, Las resistencias R1 y R2 toman el valor 2K.
Tomando valores normalizados R1 = R2 = 2.2K
Recalculando IP = 10 A; IV = 400A RTmax = 440 K RTmin = 22.5 K
El valor de la resistencia RT se ajustar a los valores normalizados comprendidos en el intervalo

(27K, 390K)
27 K < RT < 440 K
6.4.3 DISPARO POR DIAC

El DIAC (Diode Alternative Current) es un dispositivo formado por tres capas de
A1 silicio con la estructura (npn pnp) y dos terminales principales de conduccin.
No tiene terminal de control.
La caracterstica V - I del dispositivo no es lineal, aunque es simtrica en ambos

A2 sentidos de circulacin, Es decir, se trata de un dispositivo bidireccional y
simtrico. En la figura 6.40 puede verse que, cuando el voltaje es positivo o
negativo, pero inferior a un voltaje VS, llamado tensin de ruptura, el elemento se comporta como un
circuito abierto. Sin embargo cuando se sobrepasa esta tensin, la pendiente de la caracterstica se
hace negativa, aumentando la intensidad y disminuyendo el voltaje hasta el punto en que llega a
comportarse casi como un cortocircuito.
Fig 6.62 Caracterstica V-I del Diac
La figura 6.63 muestra un oscilador de relajacin, en el circuito: disparo de TRIAC con DIAC.
Cuando se conecta la fuente de tensin, el condensador comienza a cargarse a travs del

potencimetro y de la resistencia en serie. Cuando el condensador alcanza el valor de la tensin de

disparo del DIAC (aproximadamente 30V) ste se hace conductor y el condensador se descarga sobre
el circuito de puerta del TRIAC, que se dispara permitiendo la alimentacin de la carga. Cuanto ms
baja sea la resistencia de carga, en serie con el condensador, ms rpidamente se alcanzar la tensin
de 30V, y antes se disparar el TRIAC. Inversamente, cuanto mayor sea esta resistencia, mayor ser
el ngulo de disparo y menor la potencia recibida por la carga.
Este circuito sufre un fenmeno de histresis: para una misma potencia, el ajuste del potencimetro
difiere segn se est reduciendo o aumentando la potencia en la carga. Este fenmeno es producido
por la carga residual del condensador.
Fig 6.63
Circuito de disparo de TRIAC con DIAC: Oscilador de
relajacin.
Fig 6.64
Formas de ondas en extremos del condensador y del TRIAC en el
oscilador de relajacin.
Fig 6.65
Tensin en extremos del triac y del condensador con
doble cte de tiempo

Las curvas representadas en la figura anterior se han obtenido con el circuito de disparo de TRIAC
con DIAC por el mtodo de la doble constante de tiempo de la figura 6.66. Ntese la presencia de los
componentes que proporcionan la segunda constante de tiempo, de forma que cuando C2 dispara al
DIAC, C3 le suministra un refuerzo de tensin que acerca los puntos de disparo deseado y real,
mediante P2 se ajusta la doble constante para eliminar el efecto de histresis.
Fig 6.66 Circuito de disparo de TRIAC con DIAC, mtodo de la doble constante de tiempo.
Para el diseo de una red de temporizacin se deber calcular el valor de los componentes RC para
que el ngulo de conduccin C pueda variar entre los lmites deseados.
La resolucin analtica de este tipo de circuitos es laboriosa, por lo que se han confeccionado una
serie de curvas para poder llevar a cabo el diseo. Un ejemplo de estas curvas se muestra en la figura
6.67
Estas curvas de diseo, expresan la relacin existente entre el nivel de tensin con que se carga el
condensador C, normalizada respecto al valor eficaz de la tensin de lnea en funcin del ngulo de
conduccin y del parmetro = 2RCf, siendo f la frecuencia (expresada en hercios) de la tensin de
lnea. En el problema 6.8 se hace un estudio sobre este tipo de curvas.
Conocida la tensin de disparo VP del elemento de disparo, se obtendr la relacin existente entre la
diferencia VP Vq(0) y la tensin eficaz de lnea. Con el valor obtenido y conocidos los ngulos de
conduccin deseados, se obtendr los valores de , (C1) y (C2). Teniendo en cuenta estos valores
y fijando un determinado valor para el condensador, C se podr determinar el valor de R1 y el valor
de R2, partiendo de las siguientes relaciones:
( C1 ) = 2 (R 1 + R 2 ) C f E 6.23
( C 2 ) = 2 R 1 C f E 6.24

Fig 6.67 Tensin del condensador en funcin del ngulo de conduccin cuando se carga a partir de una tensin ca.
PROBLEMA 6.8
Disear el circuito de control de potencia de onda completa con DIAC de la figura 6.68,
sabiendo que presenta doble constante de tiempo. Datos
TRIAC (MAC3020)
VDRM = 400V IDRM = 2mA VTM = 2V IH = 40mA;
MT2 (+), G(+) IGT = 30mA VGT = 2V
MT2 (-), G(-) IGT = 30mA VGT = 2V
DIAC ( DB3 )
V(BR) 12 = V(BR) 21 = 32V; V12 = V21 = 5V
El control de la luminosidad de la lmpara se realiza a travs de R2 y de C2. La misin de la red

formada por R1 - C1, es cargar al condensador C2 a travs de la resistencia variable R, de forma
que se compense la cada de tensin que se produce en el condensador C2 al dispararse el DIAC,
mantenindose as unos potenciales constantes, tanto positivos como negativos, desde los cuales
el condensador C2 se carga hasta que se produce el prximo disparo.
Fig 6.68

Solucin:
Fijando un valor para el condensador C2 de 0.1 F, y siendo la tensin de disparo del DIAC VS =
32V, con V = 5V, se obtiene la relacin normalizada de tensiones:
VP ( VP + V) 32 (32 + 5)
VNormalizada = = = 0.223
VRMS( Linea ) 220
Si los ngulos de conduccin C1 = 30 y C2 = 150, se llevan a la curva de la figura 6.46, se

tiene:
(C1) 3.5 (C2) 0.25
El valor de la resistencia R2 ser
( C1 ) 3.5
R2 = = = 350K
2 C2 f ( )
2 0.1 10 6 50
( C2 ) 0.25
R2 = = = 25K
2 C2 f ( )
2 0.1 10 6 50
El potencimetro R2, debe variar hasta 350K para alcanzar un ngulo de Ampliacin final de
150. Como se desea que en el momento del disparo la carga del condensador C1 sea un poco
mayor que la carga del condensador C2, se elige C1 = C2 = 0.1F. El valor de R1 debe ser menor
que la valor mximo de R2, por lo que R1 tomar un valor de 100 K.
6.69 Ampliacin de la figura 6.46 para encontrar los valores de (C1) y (C2)
6.5 Utilizacin de optoacopladores

Un acoplador ptico, est constituido por la asociacin dentro de una misma cpsula de un
fototiristor o fototransistor y un diodo LED. Este tipo de dispositivos va a permitir un buen
aislamiento entre el circuito principal (circuito de potencia) y el circuito de control.

La intensidad de disparo necesaria es del orden de 50 mA, obtenindose aislamientos de unos 2000V
En algunos casos se puede encontrar por separado el fototiristor y el diodo luminiscente con el fin de
poder usarlo como detector de posicin o un captador.
Fig 6.70
Esquema de un acoplador ptico con Tiristores.
Los optoacopladores MOC3040 y MOC3041 de Motorola son un claro ejemplo de este tipo de
dispositivos.
Aplicaciones en c.a.
Una de las aplicaciones de los Optoacopladores es el control de disparo de Tiristores y Triacs de
potencia que conmutan cargas que consumen una gran potencia, puesto que con el empleo de este
tipo de dispositivos se garantiza un perfecto aislamiento entre el circuito de disparo y el circuito de
potencia. Un caso usual de aplicacin, es la conmutacin de cargas resistivas puras tales como
lmparas incandescentes y elementos calefactores, como se puede ver en la figura 6.71
El dispositivo semiconductor de potencia debe ser elegido de tal modo que soporte los picos de
potencia originados en la conmutacin de estas cargas, que con frecuencia suelen ser elevados.
Fig 6.71
Circuito de control de potencia, para una carga resistiva
pura, con optoacoplador.
Para los Optoacopladores que se estn tratando (MOC3040 y MOC3041), Motorola presenta los
Triacs de potencia de las series MACXXXX para que se usen conjuntamente en el control de
potencia.
Para el diseo de un circuito de control de potencia utilizando un Optoacoplador y un Tiac, se estudia

el circuito de la figura 6.72
Fig 6.72
Circuito de control de potencia utilizando optoacoplador
con triac.

La resistencia denominada RC en el circuito, limita la corriente a travs del Optoacoplador. El

mximo valor de la corriente permitida a travs del Optoacoplador, es decir, la corriente de pico ITSM,
determina el valor mnimo de RC. Considerando una tensin de red de 110V, cabe esperar un pico de
tensin VIN(pk).
VIN(pk) = 1.2 110V 2 = 187V
Con lo cual, se obtiene el valor de RC (min)
VIN(pk) 187
R Cmn = = = 155.8 E 6.25
I TSM 1.2
El valor ITSM = 1.2 A se obtiene en las hojas de caractersticas
El valor mximo de RC se calcula de forma que permita el paso de la corriente de disparo del triac
IGT, asegurando entre los extremos de este, la tensin mxima de pico en estado de conduccin, VTM
y para la tensin por encima de la cual no se produce el disparo del dispositivo VIH.
En las caractersticas dadas para el Optoacoplador MOC3040 y para el Triac MAC3030 - 25, se
tiene que el valor de VIH = 40V, VTM = 1.8V y que IGT = 40mA. Por lo tanto:
VIH VTM
R C (mx) = = 957.75 E 6.26
I GT
En la prctica, el valor de la resistencia RC suele estar comprendido entre los valores 310 y 460.
La tensin de lnea necesaria para que se produzca el disparo es:
VL = R C I GT + VTM (Optoacoplador) + VGT (Triac) E 6 27
Para este caso, de las hojas de caractersticas se tomarn los siguientes datos:
VGT = 2V, IGT = 40mA, VTM = 1.8V, RC = 310V
Sustituyendo los valores en la ecuacin anterior, se tiene
VL = 16.5V
En el caso de Optoacopladores con Triac, el uso de cargas inductivas tales como motores, rels e
imanes, crearn ciertos problemas para el funcionamiento correcto del circuito. El problema mayor
reside en que la corriente de carga a travs del Triac est retrasada con respecto a la tensin de red un
determinado ngulo. Despus de la desactivacin de las seales de potencia permanece en
conduccin hasta que la corriente de carga haya cado por debajo del valor de su corriente de
mantenimiento.

6.6 Circuitos aplicados

Arrancador esttico de motor de corriente alterna
Fig 6.73 Arrancador esttico de motor corriente alterna
Este circuito se utiliza para arrancar el motor de corriente alterna suministrando progresivamente
tensin en cada una de las fases del motor mediante los diferentes triac. (Cuando la potencia del
motor es elevada, se utilizan normalmente dos tiristores en cada rama)
Arrancador esttico con cambio de giro
En este caso existe la posibilidad de intercambiar las fases provocando un cambio de giro en el
motor.
Fig 6.74 Arrancador con cambio de giro

Cargador de bateras basado en un UJT
Fig 6.75 Cargador de bateras usando un UJT
Es un circuito simple que utiliza un oscilador de relajacin con UJT para el control del SCR. El
circuito no opera cuando la batera est completamente cargada o la polaridad de conexin de la
batera no es la correcta.
El funcionamiento del circuito reflejado en las formas de onda de la figura 6.76 es el siguiente. El
oscilador de relajacin nicamente est activo cuando la tensin de la batera es baja. En este caso, el
UJT dispara al SCR con una frecuencia variable en funcin de las necesidades de corriente de carga.
El oscilador de relajacin dejar de funcionar cuando la VP sea mayor que la tensin zener del diodo
de referencia 1N4735. En este caso la tensin del condensador CE ser constante al valor fijado por
la tensin zener.
Fig 6.76
Formas de onda del cargador de batera de la figura 6.75
Control de calor con sensor de la temperatura
El circuito de control de calor mostrado en la figura 6.77 ha sido concebido para controlar la
temperatura de una habitacin.
El circuito de disparo se realiza a travs de un UJT que introduce un ngulo de conduccin de los
triacs que va a depender de la temperatura de la habitacin medida a travs de una resistencia trmica
RT. Un incremento en la temperatura disminuye el valor de RT, y por consiguiente, disminuye el
valor de corriente de colector del transistor aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador
(disminuye el ngulo de conduccin).

Fig 6.77 Circuito de control de calor
Control de potencia mediante microcontrolador
En este caso se utiliza el circuito de interfase de entrada/salida de un microcontrolador. El

aislamiento entre el circuito de control y el circuito de potencia se realiza mediante optoacopladores
MAC301. Para evitar una falta de sincronizacin entre la seal de control digital y la fase de la lnea
se aade un detector de paso por cero.
Fig 6.78 Control de potencia mediante un microprocesador
Lecturas de consulta recomendada:
DL137-D_SCR Tuto_SCR Control_fase an1008

[6_12] [6_13] [6_14] [6_15]


AGUILAR PEA, J. D.; RIVERA JUREZ, R; SNCHEZ GONZALEZ, J. L. Tiristores:
Fundamentos y Elementos de Disparo. Universidad de Jan. Servicio de Publicaciones e Intercambio
Cientfico, Jan 1994.
HONORAT, R. V. Dispositivos electrnicos de potencia: tiristores, triacs y GTO. Ed. Paraninfo,

1995.
THYRISTOR DEVICE DATA: on semiconductor DL 137/D. Mayo 2000.

<http://www.onsemi.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
AN1003. Nota de aplicacin, Phase Control Using Thyristor. Teccor Electronics.

<http://www.teccor.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
AN1008. Nota de aplicacin, Explanation of maximum Rating for Thyristors.

<http://www.teccor.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]
BRADLEY, D. A. Power Electronics. Ed. Chapman & Hall, Londres 1995.
COUDIC, Marc. Circuitos integrados para tiristores y triacs. Ed Marcombo, 1999.
GAUDRY, M. Rectificadores, Tiristores y Triacs. Biblioteca Tcnica Philips. Ed. Paraninfo,

Madrid, 1972.
J. MICHAEL JACOB. Power electronics. Principies & Applications. Delmar, Thomson earning
2002
POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS. Philips semiconductors. (Capitulo 6: Power

control with thyristors and triac)
<http://www.semiconductors.philips.com> [Consulta: 4 de julio de 2005]

RUIZ, ROBREDO, G. A. Electrnica bsica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores.

Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 4 de julio de 2005]

POTENCIA
Tema 7.- Convertidores ac/dc: rectificacin

Rectificacin monofsica media onda: Carga resistiva, carga resistiva-inductiva,
carga RL-generador, diodo de libre circulacin. Rectificacin de media onda
controlado: Carga resistiva, carga RL, carga RLE. Efecto de la conmutacin.
Rectificador monofsico onda completa: En puente, toma media, carga RL, carga
RLE. Filtro por condensador. Filtro L. Filtro LC. Rectificador controlado monofsico
de onda completa: Carga R, carga RL, carga RLE. Rectificacin trifsica de media
onda. Rectificacin polifsica de media onda. Rectificacin trifsica de onda
completa. Rectificadores controlados: trifsico media onda, polifsico onda completa.
Tema 8.- Filtrado y fuentes reguladas
Tema 9.- Convertidores dc/dc
Tema 10.- Introduccin a las configuraciones bsicas de las fuentes de
alimentacin conmutadas
Tema 11.- Convertidores dc/ac: inversores

jaguilar@ujaen.es
7.1 Introduccin 1
7.2 Rectificador monofsico de media onda 1

7.2.1 Carga resistiva 1
7.2.2 Carga resistiva-inductiva 6
7.2.3 Carga RLE 12
7.2.4 Rectificador monofsico de media onda, con diodo volante 17
7.2.5 Rectificador monofsico de media onda, con diodo volante, alimentando
una carga RLE 18
7.3 Rectificador controlado monofsico de media onda 19

7.3.1 Rectificador controlado media onda: carga resistiva 19
7.3.2 Rectificador controlado monofsico de media onda con carga inductiva 24
7.3.3 Rectificador controlado monofsico de media onda con diodo volante y
carga inductiva 27
7.3.4 Rectificador controlado monofsico de media onda: carga RLE 30
7.4 Rectificadores monofsicos de onda completa 31

7.4.1 Rectificador con transformador de toma intermedia 31
7.4.2 Puente rectificador con diodos 34
7.4.3 Estudio para una carga RL altamente inductiva 35
7.4.4 Estudio para una carga RLE 36
7.5 Puente rectificador monofsico totalmente controlado 41

7.5.1 Carga resistiva 41
7.5.2 Estudio para una carga altamente inductiva, corriente continuada 43
7.5.3 Carga RL, corriente discontinua 46
7.5.4 Carga RLE 47
7.5.5 Carga RL con diodo volante 48
7.5.6 Convertidor monofsico en modo inversor 49
7.6 Puente rectificador monofsico semicontrolado o mixto 49
7.7 Rectificadores Polifsicos 51

7.7.1 Rectificadores polifsicos de media onda 51
7.7.2 Rectificador controlado polifsico de media onda 53
7.7.3 Rectificador trifsico de media onda 53
7.7.4 Rectificador controlado trifsico de media onda 56
7.7.5 Puente rectificador trifsico de onda completa 62
7.7.6 Puente rectificador trifsico totalmente controlado 68
7.7.7 Puente rectificador trifsico semicontrolado 74
7.8 Conmutacin: El efecto de la inductancia del generador 76

7.8.1 Conmutacin en rectificadores monofsicos controlados con transformador
de toma intermedia 77
7.8.2 Conmutaciones en puentes rectificadores trifsicos 79
7.9 Factor de Potencia 80

7.9.1 Factor de potencia en rectificadores monofsicos 81
7.9.2 Factor de potencia en rectificadores polifsicos 83
TEMA 7: CONVERTIDORES AC/DC: RECTIFICACIN
7.1 Introduccin
Un rectificador es un subsistema electrnico cuya misin es la de convertir la tensin alterna, cuyo

valor medio es nulo, en otra tensin unidireccional de valor medio no nulo.
A la hora de llevar a cabo la rectificacin, se han de utilizar elementos electrnicos que permitan el
paso de la corriente en un solo sentido, permaneciendo bloqueado cuando se le aplique una tensin
de polaridad inapropiada. Para ello, el componente ms adecuado y utilizado es el diodo
semiconductor. Este dispositivo es el fundamento de los rectificadores no controlados.
7.2 Rectificador monofsico de media onda

7.2.1 CARGA RESISTIVA
Este circuito slo rectifica la mitad de la tensin de entrada; o sea, cuando el nodo es positivo con
respecto al ctodo. Podemos considerarlo como un circuito en el que la unidad rectificadora est en
serie con la tensin de entrada y la carga.
Fig 7.1
Circuito rectificador monofsico de media onda
con carga resistiva
El funcionamiento consiste en tomar de la red una seal sinusoidal de valor medio nulo, y
proporcionar a la carga, gracias al diodo, una forma de onda unidireccional, de valor medio no nulo
como se aprecia en la figura 7.2.
Fig 7. 2
Forma de onda del circuito rectificador
monofsico de media onda con carga resistiva.
VC = Vmax Sent 0 t
VC = 0 t 2

Tensin media en la carga: Este valor nos determina la componente de c.c. de la tensin en la
carga. Lo obtenemos calculando el promedio del voltaje de salida del rectificador:
T
1 1 Vmax
Vdc = 2 VS (t ) dt = Vmax Sent dt = = 0,318 Vmax
T 0 2 0 E 7. 1
as que tendremos una componente continua del orden del 30% del valor de pico.
Tensin eficaz en la carga:
1 2
Vmax
Vrms =
2 0 (Vmax Sentdt ) dt =
2 E 7. 2
Regulacin: Mediante el parmetro regulacin se mide la variacin de la tensin continua de salida

(Vdc) en funcin de la corriente continua que circula por la carga. Dicha variacin de la tensin de
salida es debida a una pequea resistencia que presenta el devanado secundario (RS), y a la
resistencia interna del diodo cuando est conduciendo (Rd).Por eso, lo ms conveniente para nuestro
rectificador es que el porcentaje de regulacin sea lo menor posible:
Vdc (envaco ) Vdc (aplenacarga )

r (% ) = 100%
Vdc (aplenacarga ) E 7. 3
Siendo el valor de tensin media en la carga:
V
Vdc (enplenacarga ) = max (I dc (en plena carga ) (R S + R D ))

Factor de forma:
Vrms 0,5 Vmax

FF = = = 1,57
Vdc 0,318 Vmax E 7. 4
Factor de rizado: Es una buena forma de medir el alisamiento en la salida de c.c.:
Vac,rms(salida )
FR (% ) = 100%
Vdc E 7. 5
Sabiendo que:
(Vrms )2 = (Vac,rms(salida ) )2 + (Vdc )2

Valor medio de la corriente en la carga:
I max
I dc =
E 7. 6
Valor eficaz de la corriente en la carga:
I max
I rms =
2 E 7. 7

Sabiendo que:
Vmax
I max =
RL E 7. 8
Los valores de Idc e Imax debern tenerse en cuenta a la hora de elegir un diodo semiconductor para el
rectificador, siendo estos valores de intensidad los que circularn por el devanado secundario del
transformador.
Potencia media en la carga:
(Vdc )2 (0,318 Vmax )2

Pdc = =
R R E 7. 9
Potencia eficaz en la carga:
(Vrms )2 (0,5 Vmax )2

Pac = =
R R E 7.10
Rendimiento:
(Vdc )2
P (0,318 Vmax ) 0,101 2
= dc = R 2 = = = 0,404 (40,4%)
Pac (Vrms ) (0,5 Vmax )2 0,25 E 7.11
R
PROBLEMA 7.1
Dado un rectificador monofsico de media onda con carga resistiva, cuyo esquema es el
mostrado en la figura 7.1, calcular lo siguiente:
a) Tensin de pico en la carga.

b) Corriente de pico en la carga.
c) Tensin media en la carga.
d) Corriente media en la carga.
e) Corriente eficaz en la carga.
f) Potencia eficaz en la carga.
g) Factor de potencia.
DATOS: R = 20 ; VS = 240V; f = 50Hz
Obtener mediante Pspice las formas de onda de: Vc (tensin de carga), Vdc, ic, Idc, Irms, Pac


Solucin:
a) La tensin de pico en la carga corresponder con la tensin mxima suministrada por el

secundario
Vp (carga ) = Vmax = 2 VS = 1.414 240 V = 339.4 V
b) La corriente de pico en la carga se correspondera con la intensidad mxima y se podra

obtener de la tensin mxima:
Vmax 339,4
I P (carga ) = I max = = = 16,97 V
R 20
c) Usando la ecuacin 7.1 obtenemos la tensin media en la carga:
Vdc = (0,318) Vmax = 108 V
d) La corriente media en la carga la calcularemos usando la ecuacin del apartado

anterior, pero sustituyendo Vmax por Imax:
I dc = 5,4 A
e) La corriente eficaz en la carga se calcula usando la ecuacin 7.2 y sustituyendo

en ella la Vmax por la Imax:
I max
I rms = = 8,48 A
2
f) La potencia alterna en la carga ser:
Pac = (I rms ) R = 1440 W

2
g) El factor de potencia:
P 1440 W
FP = = = 0.7
S 240 V 8.48 A
Simulacin con Pspice:
Problema7_1: RECTIFICADOR MONOFASICO DE M.O. CON CARGA RESISTIVA
VS 1 0 SIN (0 339.4V 50HZ)

R 2 3 20HM
VX 3 0 DC 0V
D1 1 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 BV=1200V IBV=13E-3 CJO=2PF TT=1US)
.TRAN 10US 30MS 10US

.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.0N RELTOL=0.01 VNTOL=1.0M ITL5=40000
.END

PROBLEMA 7.2
Dado un rectificador monofsico de media onda con carga puramente resistiva, como se muestra
en la figura 7.1, calcular lo siguiente:
a) La eficiencia de la rectificacin.
b) El factor de forma.
c) El factor de rizado.
d) El factor de utilizacin del transformador.
e) La tensin inversa de pico en el diodo.
f) El factor de cresta de la corriente de alimentacin.
Solucin:
a) Partiendo de la ecuacin [E7.11], tenemos:
(0,318 Vmax )2
= = 0,405 (40,5% )
(0,5 Vmax )2
b) De la ecuacin [E7.4], calculamos el factor de forma:
0,5 Vmax
FF = = 1,57 (157% )
0,318 Vmax
c) A partir de la ecuacin [E7.5], obtenemos:
FR = 1,21 (121% )
d) Primero necesitaremos saber el valor de la tensin eficaz y el valor eficaz de la

intensidad en el secundario:
Vmax 0,5 Vmax

VS = = 0,707 Vmax IS =
2 R
0,5 Vmax
S = VS I S = (0,707 Vmax )
R
P
TUF = dc =
Vdc I dc
=
(0,318)
2
= 0,286
1
= 3,496
VS I S 0,5 Vmax (0,707 )(0,5) TUF
(0,707 Vmax )
R
e) La tensin inversa de pico en el diodo:
PIV = Vmax
f) El factor de cresta ser:
I S(pico ) Vmax R 1
CF = = = =2
IS 0,5 Vmax R 0,5

PROBLEMA 7.3
El rectificador monofsico de media onda de la figura 7.1, es alimentado por una tensin Vs
=120V, 50Hz. Expresa la tensin instantnea en la carga, vc(t), en series de Fourier.
Solucin:
La onda no presenta simetras y por tanto hay que esperar que la serie tenga trminos sen y cos
La tensin de salida vc puede expresarse en series de Fourier como:

Vmax
v C (t ) = Vdc + (a n Sen t + b n Cos t ) donde: Vdc =
n =1,2,...
1 2 1 Vmax

an = vC Sen nt dt = Vmax Sent Sen nt dt = para n =1
0 0 2
an = 0 para n =2,4,6,...
1 2 1

bn = vC Cos nt dt = Vmax Sent Cos nt dt = 0 para n =1
0 0
Vmax (cos n + 1)
bn =
( )
para n =2,3,4,...
1 n2
Sustituyendo an y bn, la tensin instantnea en la carga ser:
Vmax Vmax 2V 2V 2V
vC (t ) = + Sent max Cos 2t + max Cos 4t max Cos 6t + ...
2 3 15 35
donde: V max= 2 (120 ) = 169,7 V = 2 (50 ) = 314,16 rad / seg
7.2.2 CARGA RESISTIVA-INDUCTIVA
Fig 7. 1
Circuito rectificador monofsico de media onda con
carga RL.

[7_1]
Fig 7. 2
Formas de onda del circuito para una carga RL.
En ellas se puede apreciar el comportamiento del circuito
para un periodo de la seal.
Para 0 < t < t1: Durante este intervalo el diodo conducir y el valor de la tensin en la carga ser:
vC = v S = Vmax Sent
y se cumplir la siguiente ecuacin,
di
L C + R iC = Vmax Sent
dt E 7.12
Al resolver la diferencial obtenemos el valor de iC; la solucin puede obtenerse expresando la

corriente como la suma de la respuesta forzada (if) y la respuesta natural (il).
La respuesta forzada para esta aplicacin, es la corriente existente despus de que la respuesta natural
haya decado a cero. En este caso es la corriente sinusoidal de rgimen permanente que existira en el
circuito si el diodo no estuviera presente:
Vmax
if = sen(t )
z
La respuesta natural es el transitorio que tiene lugar cuando se proporciona energa a la carga. [Hart]
t
L
il = A e =
R

t
V
iC = i f + il = max Sen(t ) + Sen e
Q
Z E 7.13
L L L
donde : Z = R 2 + L2 2 Sen = Q = tg = = arctg
Z R R
Para t = t1: La intensidad iC se hace cero, porque el diodo pasar a estar bloqueado y se cumplir
que:
R
t1
Sen(t1 ) = Sen e L
en la que t1 tendr un valor superior a T/2 y cuanto ms grande sea el valor de R/L, ms se
aproximar a T, no existe solucin analtica y se necesita de algn mtodo numrico.
Para t1 < t < 2: Ahora tampoco circular corriente por el circuito, al estar el diodo bloqueado,
iC = 0 vD = vS < 0 vC = 0
Casos lmites de funcionamiento

Si L/R es nulo: Significa que tenemos una carga resistiva pura.
t1 =
La corriente iC valdr:
Vmax
iC = Sent para 0 < t <
R
iC = 0 para < t < 2
mientras que la tensin media en la carga vale:
2VS Vmax
Vdc = =

Si L/R crece: el punto t1 tiende a desplazarse hacia la derecha en el eje y la Vdc, a su vez,
disminuye, valiendo ahora:
Vmax
Vdc = (1 Cost1 )
2 E 7.14
y producindose una disminucin en el valor medio de iC:
Vdc
I dc =
R
Si L/R tiende a infinito: quiere decir que tenemos una carga inductiva pura. As t1 se aproxima a
2, y el valor de Vdc tiende a cero.
La corriente circular por la carga durante todo el periodo, y vendr dada por:
Vmax
iC = (1 Cost )
L

Fig 7. 5
En esta grfica podemos observar la forma de
onda de iC para distintos valores de Q.
La corriente est referida a Vmax/Z.
Para finalizar diremos que este rectificador funciona en rgimen de conduccin discontinua, y en el
cual la inductancia de la carga aumentar el ngulo de conduccin y disminuir el valor medio de la
tensin rectificada.
PROBLEMA 7.4
Dado un rectificador monofsico de media onda con carga RL, como el mostrado en la fig 7.3,
calcular lo siguiente:
a) La tensin media en la carga.

b) La corriente media en la carga.
c) Usando Pspice, obtener la representacin grfica de la tensin en la carga y la corriente
en la carga.
d) Obtener los coeficientes de Fourier de la tensin de salida.
e) Obtener el factor de potencia de entrada.
DATOS: R = 20 ; L = 0,0531H; VS = 120V; f=50Hz
Solucin:
Vmax = 120 2 = 169,7V = 2f = 314,16 rad/s
L 2
Z = R 2 + L2 2 = 26 = arctg = rad Q = tg = 0,84
R 9
t
Vmax
t
169,7 2 2 0,84
iC = = Sen(t ) + Sen e Q = Sen t + Sen e
Z 26 9 9
y mediante tanteo obtenemos el valor de t que hace que iC=0:
t (20)(10 3 )
t = 3,846 rad t= = 12,24msg
2
a) Con el valor de t calculado, ya podemos hallar la tensin media en la carga:
1 3,846
Vdc =
2
0
Vmax Sentdt = 47,6V
b) A partir de Vdc obtenemos el valor de la corriente media en la carga:
Vdc
I dc = = 2,38 A
R


c) Usando el esquema y el listado que se ofrecen a continuacin obtenemos:
Problema7_4: RECTIFICADOR MONOFASICO DE M.O. CON CARGA RL
VS 1 0 SIN (0 169.7V 50HZ)

R 2 3 20HM
L 3 4 0.0531H
VX 4 0 DC 0V
D1 1 2 DMOD
.TRAN 10US 40MS 20MS 10US

.PROBE
.FOUR 50HZ I(VX) V(2)
.END
Se puede apreciar en las formas de onda obtenidas, que la iC=0 para (12.237msg+T).
d) Los coeficientes de Fourier de la tensin en la carga sern:



DC COMPONENT = 4.721008E+01
1 5.000E+01 9.052E+01 1.000E+00 7.152E+00 0.000E+00
2 1.000E+02 4.434E+01 4.899E-01 -1.024E+02 -1.096E+02
3 1.500E+02 1.104E+01 1.220E-01 1.090E+01 3.747E+00
4 2.000E+02 1.064E+01 1.176E-01 -1.561E+02 -1.633E+02
5 2.500E+02 8.834E+00 9.759E-02 -4.498E+01 -5.213E+01
6 3.000E+02 4.692E+00 5.184E-02 1.169E+02 1.097E+02
7 3.500E+02 6.239E+00 6.892E-02 -1.054E+02 -1.125E+02
8 4.000E+02 4.043E+00 4.466E-02 2.315E+01 1.600E+01
9 4.500E+02 3.971E+00 4.387E-02 -1.761E+02 -1.832E+02
e) Para la obtencin del factor de potencia de entrada, tendremos que obtener las series de
Fourier de la corriente de entrada. Esta ser igual que la corriente que atraviesa Vx.
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(VX)

DC COMPONENT = 2.360451E+00
1 5.000E+01 3.476E+00 1.000E+00 -3.268E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 1.140E+00 3.280E-01 -1.615E+02 -1.288E+02
3 1.500E+02 2.049E-01 5.895E-02 -5.732E+01 -2.465E+01
4 2.000E+02 1.528E-01 4.395E-02 1.305E+02 1.632E+02
5 2.500E+02 1.030E-01 2.963E-02 -1.215E+02 -8.883E+01
6 3.000E+02 4.597E-02 1.323E-02 3.813E+01 7.081E+01
7 3.500E+02 5.266E-02 1.515E-02 1.743E+02 2.070E+02
8 4.000E+02 2.996E-02 8.620E-03 -5.836E+01 -2.568E+01
9 4.500E+02 2.621E-02 7.542E-03 1.015E+02 1.342E+02
Corriente media de entrada, I S ( dc ) = 2,36 A
Corriente eficaz de entrada del fundamental, I 1( rms ) = 3,47 2 = 2,453
Distorsin armnica total de la corriente de entrada, THD = 33,82% = 0,3382
Corriente armnica eficaz, I h (rms ) = I 1(rms ) THD = 0,829
Corriente eficaz de entrada, I S = (I S ( dc ) ) + (I ( ) ) + (I ( ) )

2
1 rms
2
h rms
2
= 3,5 A

ngulo de desplazamiento, 1 = 32,68
Factor de desplazamiento, DF = Cos 1 = 0,841 (en retraso)
El factor de potencia valdr:
VS I1(rms )
PF = Cos1 = 0,59
VS I S
Tambin podemos calcular el factor de potencia directamente usando el valor de THD:
1
PF = Cos 1 = 0,79
1 + THD 2
Con este segundo mtodo se obtiene un valor superior al obtenido con la primera ecuacin. Esto
es debido a la existencia de una componente continua de un valor significativo, por lo que esta
ltima frmula la emplearemos solo cuando no existe componente continua.
7.2.3 CARGA RLE
Fig 7. 6 a) Montaje de un circuito rectificador monofsico de media onda con carga RLE. b) Formas de onda para una carga RLE
Este tipo de carga estar caracterizada por dos parmetros:
E L
m= Q=
Vmax R

Para t1 < t < t2: El diodo conducir, VC = VS
El ngulo t1 ser tal que: Vmax Sent1 = E m = Sent1
En este intervalo de tiempo en el que el diodo permanece en conduccin, se cumplir la siguiente

ecuacin:
di
R iC + L C + E = Vmax Sent iC (t1 ) = 0
dt
Y resolvindola se obtiene la expresin de la corriente que circular por la carga:
t +t1
E Vmax E Z
iC = + Sen(t ) + Sen(t1 ) e Q
R Z R Vmax
Desarrollando, y expresando despus Sen y Cos en funcin de Z, R y Q, y sustituyendo

Sent1 = m se obtiene:
t +t1
Vmax Sent QCost mQ 2 + Q 1 m 2
iC = m + + e Q

R 1+ Q2 1+ Q2 E 7.15
La corriente se hace cero para t2 tal que:

t 2 +t1

Sent 2 QCost 2 = m + mQ mQ + Q 1 m e Q
2 2 2
E 7.16
Para t2 < t < (2+t1): El diodo estar bloqueado,
iC = 0 VC = E V D = VS E < 0
Influencia de los parmetros
Como la tensin L(diC dt ) tiene un valor medio nulo, el valor medio Idc de la corriente estar ligado
al valor medio Vdc de la tensin en la carga, y a E por medio de:
Vdc E
I dc =
R
La tensin media rectificada ser:
1 t 2 2 + t1
Vdc = Vmax Sent dt + Edt
2 t1 t 2
V E
Vdc = max (Cost1 Cost 2 ) + E (t2 t1 ) E 7.17
2 2
Si L = 0
t 2 = t1

1 t V
Vdc = E + 1 + max Cost1
2
En el grfico siguiente se puede determinar el valor de t2 en funcin de E y de LR.
Fig 7.7 Este grfico nos da las variaciones del ngulo de extincin t2 en funcin de m, para diversos valores de Q. Este ngulo es
calculado con la ecuacin 7.16.
Las diferentes curvas estn comprendidas entre la correspondiente a Q = 0 y la dibujada en trazo

mixto, que se corresponde con Q = (iC = 0), cuyo clculo se lleva a cabo haciendo Vdc igual a E en
la ecuacin [E7.17].
La diferencia entre el valor de t2 y el de t1 (curva en trazo discontinuo) da el ngulo de conduccin
del diodo.
Las curvas de la figura 7.7 nos muestra como, en conduccin discontinua, la tensin rectificada
depende de las caractersticas de la carga.
PROBLEMA 7.5
En un rectificador monofsico de media onda, se dispone de una batera de carga con capacidad
de 100W-h. La corriente media es Idc=5A. La tensin en el primario es Vp =120V, 50Hz y el
transformador tiene una relacin de transformacin a = 2:1. Calcular lo siguiente:
a) ngulo de conduccin del diodo ().

b) Valor de la resistencia limitadora de corriente (R).
c) Valor de la potencia (PR) en R.
d) El tiempo de carga de la batera (T) expresado en horas.
e) La eficiencia del rectificador.
f) La tensin inversa de pico en el diodo (PIV).
DATOS: E=12 V; VP=120 V; f =50Hz; a=2



Solucin:
V P 120
VS = = = 60V Vmax = 2VS = 2 (60 ) = 80,85V
a 2
Si el ngulo de conduccin del diodo vale = t2 -t1 :
E
t1 = arcsen = 8,13 0,1419rad
Vmax
t 2 = 180 t1 = 180 8,13 = 171,87

= 163.74
a) La corriente media de carga la calcularemos mediante la expresin:
1 t 2 Vmax Sent E
I dc =
2 t1 R
d t
de donde obtenemos que:
1
R= (2Vmax Cost1 + 2 Et1 E ) = 4,26
2 I dc
b) La corriente eficaz en la batera ser:
1 t 2 (Vmax Sent E )2
I rms =
2 t1 R2
d t =
1 (Vmax )2 (V )2
= + E ( 2t1 ) + max Sen2t1 4Vmax ECost1 = 8,2 A
2R 2 2 2
PR = (I rms ) R = (8,2 ) (4,26 ) = 286,4W
2 2
c) Calculamos ahora la potencia Pdc entregada a la batera:
Pdc = EI dc = (12)(5) = 60W
100
TPdc = 100 T = = 1,667 h
Pdc
d) El rendimiento o eficiencia del rectificador valdr:
potencia entregada a la batera Pdc

= = = 0,1732 (17,32% )
potencia total entregada Pdc + PR
e) La tensin inversa de pico en el diodo ser:
PIV = Vmax + E = 96,85V

PROBLEMA 7.6
Representar grficamente el comportamiento de la tensin en la bobina. Comentar como afecta la

evolucin de dicha tensin en el valor de la intensidad que recorre el circuito.
Calcular:
a) Para un rectificador monofsico de media onda con carga RL.

b) Para un rectificador monofsico de media onda con carga LE.
Solucin:
a) Considerando el comportamiento de la bobina por tramos, como nos muestra la figura:
0-t1: rea A, tiempo en que la bobina se carga progresivamente con una tensin L(diC/dt). La
intensidad que recorre el circuito es proporcionada por la fuente.
t1-T/2: Fragmento restante del semiciclo positivo de vS, en este caso la bobina tiene una tensin
superior a la de la fuente, cambiando la polaridad de la misma y manteniendo en conduccin al
diodo.
T/2-t2: Estar dentro del semiciclo negativo de vS, y seguiremos teniendo corriente en la carga
ocasionada por el cambio de polaridad mantenido por bobina, debido a la energa almacenada
que tiende a cederla
rea A (energa almacenada) = rea B (energa cedida)
b) En la grfica se pueden observar las dos reas iguales que corresponden a la carga y
descarga de la inductancia. Idealmente la bobina no consume potencia, almacena y cede
esa energa.
t1-t2 : Es el rea A, donde la tensin de la fuente es superior al valor de la f.e.m. en la carga,

provocando la corriente del circuito y el efecto de carga de la bobina.
t1-t2 : La tensin de la fuente tendr un valor inferior al de la f.e.m., aunque circula corriente en
la carga debido a la descarga de la bobina.

rea A (carga de la bobina) = rea B (descarga de la bobina)
7.2.4 RECTIFICADOR MONOFSICO DE MEDIA ONDA, CON DIODO

VOLANTE
El montaje se obtiene a partir de un rectificador monofsico de media onda con carga RL, al que se le
ha aadido un diodo en paralelo con la carga y que recibe el nombre de diodo volante.
[7_2]
Fig 7. 8 a) Montaje del rectificador monofsico de media onda con carga RL y diodo volante, b) Formas de onda del circuito
La tensin en la carga valdr vS o cero segn conduzca uno u otro diodo, as que D1 y D2 formarn un
conmutador.
Para 0 < t < : En este intervalo ser el diodo D1 el que conduzca;
v C = vS i = iC vD2 = -vS < 0

La ecuacin de malla del circuito nos servir para deducir el valor de ic:
di
R iC + L C = Vmax Sent iC (t = 0) = i0
dt
Para = t < 2: Ahora ser el diodo D2 el que conduzca;

t +
VC = 0 i=0 vD1 = vS < 0 iC = iC ( )e Q
PROBLEMA 7.7
Determine la corriente y la tensin media en la carga y la potencia absorbida por la resistencia en

el circuito de la figura 7.8.a, donde R = 2 y L =25mH. Vm = 100V y la frecuencia es de 60Hz
Problema7_7.cir
Solucin: V0 = 31,8V; I0 = 15,9A; P = 534W [Hart]
7.2.5 RECTIFICADOR MONOFSICO DE MEDIA ONDA, CON DIODO

VOLANTE, ALIMENTANDO UNA CARGA RLE
Fig 7. 9 a) El montaje lo hemos obtenido al aadir al circuito del rectificador monofsico de media onda con carga RLE, un diodo volante;
b) Formas de onda del circuito rectificador monofsico de media onda con diodo volante y carga RLE.
[7_3] [7_4]
El hecho de colocar este diodo volante D2, hace que la tensin vC no pueda hacerse negativa. Este
diodo har su funcin para valores de m y Q, para los que t sea superior a .
Para 0 < t < : D1 conducir para el valor de Sent1 = 0.
Para < t < t2: Ser D2 el que conduzca.

7.3 Rectificador controlado monofsico de media onda
Los rectificadores controlados reciben este nombre por que utilizan un dispositivo de control, en este
caso el tiristor. Utilizan los mismos montajes que se usan para los no controlados pero sustituyendo
los diodos por tiristores parcial o totalmente. La ventaja de colocar tiristores viene dada por la
capacidad de estos de retardar su entrada en conduccin, sucediendo esta cuando la tensin en sus
bornes sea positiva y adems reciba un impulso en su puerta.
El ngulo de retardo es un parmetro fundamental, ya que actuando sobre l es posible hacer variar
la relacin entre el valor de la tensin rectificada de salida y el valor de las tensiones alternas de la
entrada, de ah el calificativo de controlados.
En los rectificadores controlados, por lo tanto, se controla el cebado del tiristor y el bloqueo ser
natural.
7.3.1 RECTIFICADOR CONTROLADO MEDIA ONDA: CARGA RESISTIVA
En este montaje, con el cambio del diodo por un tiristor podremos tener un control sobre el valor
medio de la tensin en la carga cuando tengamos una tensin de nodo positiva respecto al ctodo y
se le proporcione a la puerta un impulso de cebado.
Fig 7. 10
Circuito rectificador controlado monofsico de
media onda. La diferencia respecto al circuito
no controlado es el cambio del diodo por un
tiristor.
Durante el semiciclo positivo de la tensin de entrada, la tensin de nodo es positiva respecto a la de

ctodo, as que estar preparado para entrar en conduccin. Cuando el tiristor es disparado para t=,
este empieza a conducir, haciendo que circule por la carga la corriente del secundario. En el instante
t=, la tensin del secundario empieza a ser negativa, lo que provoca el paso a corte del tiristor por
ser la tensin de nodo negativa con respecto a la de ctodo. En este caso (ngulo de retardo), ser
el tiempo que pasa desde que la tensin del secundario empieza a ser positiva hasta que se produce el
disparo del tiristor en t = .
El uso en la industria de este tipo de rectificador es casi nulo debido a sus bajas prestaciones, como
por ejemplo una seal a la salida de gran rizado y de baja pulsacin.
La regin de funcionamiento se muestra en la siguiente figura:
Fig 7. 11
Cuadrante de funcionamiento para el rectificador controlado monofsico de
media onda. Podemos apreciar como la tensin de salida y la intensidad
tienen una sola polaridad.

Fig 7. 12
Formas de onda del rectificador controlado monofsico de media onda. Podemos observar la tensin en el secundario, tensin en la carga,
intensidad en la carga y tensin en extremos del tiristor. Todo estar representado para un ngulo de retardo , por lo que tendremos un
ngulo de conduccin en la carga . El sistema de disparo deber suministrar impulsos con desfase variable respecto a la tensin en el
secundario y con la frecuencia de esta; con ello conseguimos regular el valor de tensin en la carga.
Tensin media en la carga: Si Vmax es la tensin en el secundario, tenemos que:
1 Vmax Vmax
Vdc = Vmax Sent dt = [ Cos t ]
= (1 + Cos )
2 2 2 E 7.18
V
Para = 0, la tensin media en la carga ser Vdc y su valor: Vdc = max

Y el valor normalizado valdr:
Vdc 1
Vn (dc ) = = (1 + Cos )
Vdc 2 E 7.19

1 Vmax 1 Cos 2t
= (Vmax Sent ) dt dt =
2
Vrms =
2 2 2
Vmax 1 1 Vmax
= t Sen2t = ( ) + 1 Sen(2 ) E 7.20
2 2 2 2 2
Vmax Vmax
Para =0, la tensin eficaz ser Vrms y su valor: Vrms = =
2 2
y el valor normalizado valdr:

Vrms 1
Vn (rms ) = = ( ) + 1 Sen(2 )
Vrms 2 E 7.21
Tensin inversa de pico soportada por el tiristor: Esta tensin ser la mxima de entrada para
/2, por lo tanto:
PIV = Vmax
E 7.22
Corriente media en la carga:
1 I V
=
I dc I Sent dt = max (1 + Cos ) I dc
= dc
2 2
max
R E 7.23
Corriente eficaz en la carga:
1 I Sen2 V
= (I Sent ) dt = max 1 + = rms
2
I rms I rms
2 2
max
2 R
E 7.24
PROBLEMA 7. 8
Dado un rectificador controlado monofsico de media onda con carga resistiva, cuyo esquema es
el mostrado en la figura 7.10.
Calcular lo siguiente:

f) Potencia alterna en la carga.
DATOS: R=20 ; VS=240V; = 40
Solucin:
La tensin de pico en la carga corresponder con la tensin mxima suministrada por el

secundario:
V p (c arg a ) = Vmax = 2VS = (1,414)(240) = 339,4V
a) La corriente de pico en la carga se correspondera con la intensidad mxima y se podra

obtener de la tensin mxima:
Vmax 339,4
I P (c arg a ) = I max = = = 16,97V
R 20



b) Usando la ecuacin [E7.18] obtenemos la tensin media en la carga:
V 339,4
Vdc = max (1 + Cos ) = (1 + Cos 40) = 95,4V
2 2
c) La corriente media en la carga la calcularemos usando la ecuacin del apartado anterior,
pero sustituyendo Vmax por Imax:
= 4,77 A
I dc
d) La corriente eficaz en la carga se calcula usando la ecuacin [E7.24]:
I Sen2
= max 1 +
I rms = 8,20 A
2 2
e) La potencia alterna en la carga ser:
Pac = (I rms
) R = 1345W
2
Dados el circuito a simular y el listado de un rectificador controlado monofsico de

media onda con carga resistiva, obtener mediante Pspice las formas de onda de: Vc, iC, Vdc, Idc,
Irms, Pac.
CD7_1: RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFASICO DE MEDIA ONDA

*DEFINICION DE PARAMETROS
.PARAM VM={240*SQRT(2)}; VALOR DE LA TENSIN DE PICO DE ENTRADA
.PARAM ALFA=40; GRADOS DEL ANGULO DE RETARDO
.PARAM RETARDO={ALFA*20MS/360}; RETARDO EN SEGUNDOS
.PARAM PW={1MS}
VS 1 0 SIN (0V {VM} 50HZ 0S 0S 0DEG); SEAL ENTRADA
Vg 4 2 PULSE (0V 10V {RETARDO} 1NS 1NS {PW} 20MS); PULSO EN PUERTA SCR
*CARGA
R 2 3 20HM
VX 3 0 DC 0V
XT1 1 2 4 2 SCR
* SUBCIRCUITO DEL SCR
* Insertar subcircuito del SCR
.PROBE
.OPTIONS ABSTOL=1.0N RELTOL=1.0M VNTOL=1.0M ITL5=100000
.END
PROBLEMA 7. 9

PROBLEMA 7. 9
Dado un rectificador monofsico controlado de media onda con carga puramente resistiva y con
un ngulo de retardo = /2.
a) La eficiencia de la rectificacin.
b) Factor de forma.
c) Factor de rizado.
d) Factor de utilizacin del transformador.
e) La tensin inversa de pico en el diodo (PIV).
Solucin:
Ayudndonos de las ecuaciones vistas a lo largo del estudio, hemos obtenido los siguientes
resultados:
Vdc=0,1592Vmax; Idc=(0,1592Vmax)/R; Vn(dc)=0,5; Vrms=0,3536Vmax; Irms=(0,3536Vmax)/R;

Pdc=VdcIdc=(0,1592Vmax)2/R; Pac=VrmsIrms=(0,3536Vmax)2/R.
a) La eficiencia ser:
Pdc (0,1592Vmax ) 2
= = = 0,2027 (20,27% )
Pac (0,3536Vmax )2
b) El factor de forma valdr:

Vrms 0,3536
FF = = = 2,221 (222,1% )
Vdc 0,1592
c) Calculamos ahora el factor de rizado:
RF = FF 2 1 = 1,983 (198,3% )
d) Para calcular el factor de utilizacin necesitamos obtener antes lo siguiente:
Tensin eficaz en el secundario VS = Vmax 2 = 0,707Vmax
Intensidad eficaz en el secundario I S = 0,3536Vmax / R
(El valor eficaz de la intensidad por el secundario ser igual a la que circule por la carga.)
0,3536Vmax
Potencia aparente del transformador S = VS I S = 0,707Vmax
R
TUF =
Pdc
=
(0,1592)2 = 0,1014 1 = 9,86
VS I S (0,707 )(0,3536) TUF
e) La tensin inversa de pico en el tiristor ser:
PIV = Vmax

7.3.2 RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO DE MEDIA ONDA CON

CARGA INDUCTIVA
Fig 7. 13
Rectificador controlado monofsico de Media
Onda con carga RL.
El tiristor empieza a conducir para t = , que ser el retardo que introduzca el circuito de disparo.
Esto provoca la circulacin de corriente y un voltaje en la bobina y en la resistencia vL y vR
respectivamente:
diC
vL = L = vS vR v R = R iC
dt
En la siguiente grfica podemos apreciar que:

- Para valores entre y t1, vL es positiva.
- Cuando t = t1, vL se hace negativa y la corriente empieza a disminuir.
- Para t = t2 la corriente se anula y se cumplir que A1=A2 (el rea A1 es la tensin
acumulada en la bobina, y el rea A2 ser la descarga de tensin de la bobina sobre la
resistencia y la tensin de entrada con la carga actuando como generador).
Fig 7. 14
Formas de onda del rectificador controlado monofsico de
media onda con carga RL.
En la carga habr corriente para < t < t2, donde t2 es el
punto representado en la figura en el cual cesa la corriente.
Durante el tiempo que circula intensidad por la carga se
cumple que vC=vS.
Expresin de la corriente instantnea en la carga: A partir del disparo del tiristor se

cumple en el circuito la siguiente ecuacin:
diC
R iC + L = Vmax Sent
dt
Para iC (t = ) = 0:
t
V
iC = max Sen(t ) Sen( )e
Q

Z E 7.25
donde:

L L
Z = R 2 + L2 2 = arcsen Q = tg =
Z R
La corriente se anular para un t2 que cumpla:

t 2
Sen(t 2 ) = Sen( )e Q
E7.26
www.ipes.ethz.ch
PROBLEMA 7. 10
Un rectificador controlado monofsico de media onda con carga RL, como el mostrado en la
figura 7.13, es conectado a una tensin de secundario VS=240V, 50Hz, y a una carga L=0,1H en
serie con R=10. El tiristor se dispara con =90 y se desprecia la cada de tensin del mismo en
directo.
a) La expresin que nos da la corriente instantnea en la carga.

b) Tensin media en la carga.
c) Corriente media en la carga.
d) Coeficientes de Fourier de la corriente de entrada iS, y el factor de potencia de entrada
PF, con ayuda de Pspice.
DATOS: VS = 240V; f =50Hz; R = 10; L = 0,1H
Solucin:
Calculamos los valores mximos de la tensin de secundario y la intensidad:
Vmax 339,4
Vmax = 240 2 = 339,4V I max = = = 33,94 A
R 10
a) Usando la ecuacin [E7.25] y sustituyendo en ella los siguientes valores:
L
Z = R 2 + L2 2 = 32,97; = arcsen = 72,3 = 1,262rad ;
Z
Q = tg = 3,135; = 90 = 1,571rad ; = 2f ;



1, 571394 ,16 t

iC = 10,30 Sen(314,16t 1,262) 0,304e 3,135

b) La tensin media en la carga ser:
1 t 2
Vdc =
2
90
339,4 Sent dt
Por tanteo y ayudados por la expresin [E7.26], obtenemos que t=0,0136sg para un ngulo en el
que se anula la corriente iC, t2=245. Por lo tanto ya podemos resolver la ecuacin de la tensin
media en la carga obteniendo: Vdc = 22,8V
Para verlo ms claro nos ayudamos de la simulacin por Pspice, donde se aprecia un valor de t =
13,582mseg, muy similar al obtenido por tanteo:
c) La intensidad en la carga ser:
Vdc 22,8
=
I dc = = 2,28 A
R 10
d) Para la obtencin de los coeficientes de Fourier y el factor de potencia tenemos el
montaje y el listado para la simulacin mediante Pspice:

Problema7_10: RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO DE M.O. CON CARGA RL

VS 1 0 SIN (0V 339.4V 50HZ 0S 0S 0DEG)
VG 5 2 PULSE (0V 10V 5MS 1NS 1NS 100US 20MS)
R 2 3 10HM
L 3 4 0.1H
VX 4 0 DC 0V
XT1 1 2 5 2 SCR
* Insertar subcircuito del SCR
.PROBE
.FOUR 50HZ I(VX)
.END
7.3.3 RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO DE MEDIA ONDA CON

DIODO VOLANTE Y CARGA INDUCTIVA
Fig 7. 15
Rectificador controlado monofsico de media
onda con diodo volante y carga inductiva.
Cuando la carga es muy inductiva, conviene
poner un diodo en paralelo con la carga, el cual
evita la presencia de tensiones inversas en la
carga.
Mientras el tiristor est conduciendo, la intensidad en la carga viene dada por la ecuacin:
di
v C = R i C + L C
dt
Cuando la tensin del secundario se haga negativa, en la carga la tensin se anular y la corriente
decrecer exponencialmente. Si observamos las formas de onda de la figura 7.16, apreciamos que si
el valor de la corriente disminuye por debajo del valor de mantenimiento, la corriente en la carga se
har discontinua (disparo del tiristor para grande, figura b). En la figura a, cuando se produce
el disparo del tiristor en el siguiente ciclo de la tensin de entrada, an existe circulacin de corriente
en la carga, as que tendremos conduccin continuada ( pequeo).
Tensin media en la carga:
1 Vmax
Vdc = Vmax Sent dt = (1 + Cos )
2 0 2 E 7.27
Por lo tanto, cuando se dispara el tiristor con elevado, menor ser el valor de la tensin media en la
carga, siendo cero para =180.

Fig 7. 16
Formas de onda en un rectificador monofsico de media onda con carga inductiva y diodo volante:
a) Con un ngulo de retardo pequeo.
b) Con un ngulo de retardo grande.
El hecho de colocar un diodo volante tiene dos grandes ventajas:
I. Prevenir de posibles valores negativos de tensin en la carga.
II. Permitir que el tiristor pase al estado de bloqueo una vez alcanzada la tensin de secundario
valor cero; entonces se deja de transferir intensidad a la carga mediante el tiristor.

PROBLEMA 7. 11
Un rectificador controlado monofsico de media onda con diodo volante, es usado para
proporcionar a una carga altamente inductiva unos 15A, con una tensin de alimentacin de
240V eficaces. Despreciando la cada de tensin en el tiristor y en el diodo.
a) Tensin media en la carga para los ngulos de retardo: 0, 45, 90, 135,180.
b) Especificar requisitos de intensidad eficaz y tensin inversa de pico que tiene que
soportar el tiristor (PIVT).
c) Especificar requisitos de intensidad eficaz y tensin inversa de pico que tiene que
soportar el diodo (PIVD).
Solucin:
a) Con la ecuacin estudiada anteriormente, hallamos la tensin media en la carga para los
distintos valores de dados:
Vmax
Vdc = (1 + Cos ) , donde Vmax=240 2 =339,4 V
2
0 45 90 135 180
Vdc 108 V 92 54 V 16 V 0V
b) Los requisitos para el tiristor sern:
- La tensin inversa de pico que debe soportar el tiristor coincidir con la tensin mxima
de alimentacin:
PIVT = Vmax = 339,4V
- La corriente eficaz que atravesara el tiristor suponiendo que est conduciendo durante
todo el periodo de la seal sera de 15A. Sin embargo, ser para =0 el tiempo mximo
que estar conduciendo, ya que para este valor conducir medio semiciclo. Por lo tanto
la corriente eficaz para medio semiciclo ser:
1
I T (rms ) = 15 dt = 10,6 A
2
2 0
c) Los requisitos para el diodo sern:
- La tensin inversa a soportar ser:
PIVD = Vmax = 339,4V
- El valor eficaz de corriente que conviene que soporte ser de 15A, ya que cuando el
ngulo de disparo del tiristor tiene valores cercanos a 180, el diodo puede conducir
para casi todo el periodo de la tensin de alimentacin:
1 2
I D ( rms )=
2
0
15 2 dt = 15 A

7.3.4 RECTIFICADOR CONTROLADO MONOFSICO DE MEDIA ONDA:

CARGA RLE
Fig 7. 17
Montaje para el rectificador controlado monofsico de media onda con carga
RLE.
Para el estudio, vamos a definir los siguientes parmetros:
- m : relacin entre la F.E.M. y la Vmax del secundario m = E/Vmax

- y : ngulos para los que la tensin en el secundario es igual al valor de la F.E.M.
(Vmax Sen = E; Vmax Sen= E)
E
= arcsen = arcsen m =
Vmax
Debemos aprovechar el momento en que la tensin alterna en el secundario, menos la tensin E de la
batera, tenga un valor positivo para aplicar un impulso a la puerta del tiristor y que este pase a
conducir. Esto significa que el disparo se ha de producir entre y para que Vak > 0.
E E
Vmax Sen E 0 Vmax Sen E Sen arcsen
Vmax Vmax
Si el disparo se produce antes de que se cumpla esta condicin para , y el impulso fuera de corta
duracin, el tiristor no conducira.
Fig 7. 18
Formas de onda para el rectificador controlado
monofsico de media onda con carga RLE. Estn
representadas la tensin del secundario, impulso de
disparo en puerta, tensin en la carga e intensidad en la
carga.

Si el disparo se produce para un ngulo de retardo , tal que , se cumplir que:

di
Vmax Sent E = R iC + L C
dt
Y de esta ecuacin, para iC(t=) = 0 obtenemos:
t
E Vmax E Z Q
iC = + Sen(t ) + Sen( ) e
R Z R Vmax E 7.28
Sabiendo que:
L L L
Z = R 2 + L2 2 ; Sen = = arcsen ; Q = tg =
Z Z R
Si es el ngulo de conduccin, la corriente se anular para un ngulo t= +=t1, y as se
cumplir que:
( )
t1
Sent1 QCost1 = m + mQ mQ + Q 1 m e
2 2 2 Q
E 7.29
7.4 Rectificadores monofsicos de onda completa
7.4.1 RECTIFICADOR CON TRANSFORMADOR DE TOMA INTERMEDIA
Fig 7.19
Montaje para el rectificador con transformador de toma
intermedia.
Fig 7.20
Formas de onda.
Para este montaje se utiliza un transformador con toma intermedia, que ser el encargado de
proporcionarnos dos tensiones (vS1 y vS2), de igual magnitud y con un desfase entre ellas de 180.


T
2 2 V 2V
Vmax Sent dt = max [ Cost ]0 = max = 0,636Vmax

Vdc =
T 0 E 7.30

T
2 2 V
Vrms = (Vmax Sent ) dt = max = 0,707Vmax
2
T 0 2 E 7.31
Regulacin: Vamos a considerar la resistencia del devanado secundario (Rs) y del diodo (Rd):
2Vmax
Vdc (en plena carga ) = I dc ( Rs + Rd )

Vdc (en vacio ) Vdc (en plena carga ) 2V
r (% ) = 100 = max I dc (Rs + Rd ) 100
Vdc (en plena carga ) E 7.32
Factor de forma:
Vmax
Vrms 2 = 1,11 (111% )
FF = =
Vdc 2Vmax E 7.33

Factor de rizado:
2
V
FR = rms 1 = 0,482 (48,2% )
Vdc E 7.34
Si comparamos este ltimo resultado con el factor de rizado del rectificador de media onda (121%),
podemos observar que se ha producido una considerable reduccin.
VRRM: Es fcil demostrar que el valor de tensin de pico inverso mximo que soportarn cada uno de
los diodos que forman ste montaje se corresponde con 2 VSmax.
Corriente en los diodos:

I max I max
I dc ( D1 ) = I dc ( D2 ) = I rms ( D1 ) = I rms ( D2 ) =
2 2 E 7.35
Potencia aparente en el secundario (S):

Vmax
S = 2VS I S = (2 )(0,707 )Vmax
2R E 7.36
Potencia media en la carga:
(0,636Vmax )2
Pdc =
R E 7.37
(0,707Vmax )2
Pac =
R E 7.38

Rendimiento: tambin conocido como eficiencia, se obtiene con la relacin entre la potencia
continua y eficaz en la carga:
(0,636Vmax )2
= R = 0,81 (81% )
(0,707Vmax ) 2
E 7.39
R
Factor de utilizacin del transformador:
Pdc
TUF = = 0,5732 (57,32% )
S E 7.40
Despus de este anlisis hemos podido observar que el rendimiento de este tipo de transformador es
el doble del monofsico de media onda, lo cual, unido a la duplicacin de la intensidad media, y a la
notable reduccin del rizado, implica una clara mejora.
Cabe destacar que la frecuencia en el fundamental de media onda era de 50Hz, y ahora, la frecuencia
valdr el doble, o sea 100Hz.
Si hubiera que destacar un inconveniente, este sera el hecho de que los diodos soporten un valor
inverso doble al que soportaban para el rectificador de media onda, pero esto tampoco supone un
problema grande para los diodos que existen en el mercado.
PROBLEMA 7. 12
Dado un rectificador de onda completa con transformador de toma intermedia con carga RL,
obtener la expresin de la tensin en la carga vC(t), usando el mtodo de descomposicin en
series de Fourier.
Solucin:
Expresando la tensin de salida vC en series de Fourier tenemos:

vC (t ) = Vdc + (a Cost + b Sen nt )
n n
n = 2 , 4 ,...
donde :
1 2 2 2Vmax
Vdc = vC (t )dt = Vmax Sentdt =
2 0 2 0
1 2 2
an = vC (t )Cos ntdt = Vmac SentCos ntdt =
0 0
4Vmax
1
=

(n 1)(n + 1)
n = 2 , 4 ,...
1 2 2
bn =
0
vC Sen ntdt =

0
Vmax SentSen ntdt = 0
La tensin instantnea en la carga, al sustituir cada trmino por su valor quedar:
2Vmax 4Vmax 4V 4V
vC (t ) = Cos 2t max Cos 4t max Cos 6t ...
3 15 35

7.4.2 PUENTE RECTIFICADOR CON DIODOS
Fig 7. 21
Montaje para el puente rectificador
con diodos
Fig 7. 22
Forma de onda en la carga para el puente
rectificador con diodos.
Como se puede observar, se obtiene en la carga la
misma forma de onda que en el caso del
rectificador con transformador de toma intermedia.
Recibe el nombre de puente rectificador, por estar formado por cuatro diodos conectados en puente y
su principal ventaja respecto al otro rectificador de onda completa es que no necesita transformador
de toma intermedia.
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada conducirn D2 y D4, mientras que D1 y D3 estarn
polarizados inversamente. As, en el semiciclo negativo suceder lo contrario.
Los parmetros caractersticos son prcticamente iguales que para el rectificador con transformador
de toma intermedia, excepto la tensin inversa mxima que soporta cada diodo, que en este caso ser
Vmax.
Puedes comprobar el funcionamiento de este circuito en la siguiente aplicacin Java del Power
Electronics Systems Laboratory (IPES), (Rectificadores en puente de diodos monofsicos. Carga
Resistiva)
www.ipes.ethz.ch
Fig 7.23 Rectificador en puente de diodos monofsicos

Dado un puente rectificador monofsico de onda completa, con carga resistiva.

Calcular:

DATOS: R = 20; VS = 240V; f = 50Hz
Solucin: Vp(carga) = 339,4V; Ip(carga) = 16,97A; Vdc = 216V; Idc=10,8; Irms=12A; Pac=2880W
7.4.3 ESTUDIO PARA UNA CARGA RL ALTAMENTE INDUCTIVA
Fig 7. 24
Formas de onda para el puente rectificador monofsico,
con carga altamente inductiva.
El efecto de este tipo de carga es fcilmente apreciable mirando las formas de onda. La corriente en
la carga ser constante y tendr un valor IC.

Dado un puente rectificador monofsico de onda completa, con carga Rl, altamente
inductiva.
Calcular:
d) Corriente de pico en la carga.
f) Potencia en la carga.
g) Corriente media en los diodos.
DATOS: R = 20; VS = 240V; f = 50Hz

Solucin: Vp(carga) = 339.4V; Vdc = 216V; Idc = 10.8V; Ip(carga) = 10.8A; Irms = 10.8A;
Pc = 2334W, ID(dc) = 5.4A
7.4.4 ESTUDIO PARA UNA CARGA RLE
Cuando introducimos una carga RL, la forma de onda de la intensidad en la carga depender de los
valores de R y L:
Fig 7. 25
Formas de onda en el puente rectificador monofsico con
carga RL.
Para el estudio que vamos a realizar aadiremos la tensin de una batera (E) en la carga.
Sabemos que la tensin en el secundario es VS = Vmax Sent , as que la corriente que circular por la
carga la obtendremos de:
di
L C + RiC + E = Vmax Sent
dt
R
Vmax t E
iC = Sen(t ) + A1e L
Z R E 7.41

L
Z = R 2 + 2 L2 = arctg
R
Caso 1: Corriente continuada en la carga: La constante A1 de la ecuacin [E7.41] se puede hallar
partiendo de la condicin t = , iC = I 1 .
R
E V
A1 = I 1 + max Sen e L
R Z
Y sustituyendo en la ecuacin [E7.41]:
R
Vmax E V t
iC = Sen(t ) + I 1 + max Sen e L
Z R Z E 7.42
Si aplicamos unas condiciones iniciales tales que:

R

L
Vmax 1+ e E
I1 = Sen R
para I1 0
Z R E 7.43
1 e L
Sustituyendo en [E7.42] y simplificando:
R
Vmax 2 t E
iC = Sen(t ) + Sene L
Z

R
R E 7.44
1 e L
para 0 t e iC 0
Ya que conducirn durante medio semiciclo, la corriente eficaz en los diodos ser:
1
(i ) d t
2
I D ( rms ) =
2
C
0
La corriente eficaz en la carga la obtendremos a partir de la tensin eficaz en los diodos para un
periodo completo:
I rms = (I D ( rms ) ) + (I
2
D ( rms ) )
2
= 2 I D (rms )
La corriente media en los diodos ser:

1
I D ( dc ) =
2 0
iC dt
Caso 2: Corriente discontinua en la carga: Solo circular corriente en la carga durante un periodo
t1 t t 2 .El diodo comenzar a conducir para t = t1 , y este vendr dado por:
E
t1 = arcsen
Vmax

Con la ecuacin [E7.41] y para valores t = t1 , iC (t ) = 0 :
Rt1
E V
A1 = max Sen(t1 ) e L
R Z
Si sustituimos este valor en la ecuacin [E7.41]:
R t
Vmax E Vmax L t
1
iC = Sen(t ) + Sen(t1 ) e
Z R Z E 7.45
Para t = t 2 , la corriente en la carga se hace cero:
R t1 t 2
Vmax E V
Sen(t 2 ) + max Sen(t1 ) e L
=0
Z R Z
Se puede calcular t2 aplicando un proceso iterativo de ensayo y error en la anterior ecuacin.
La corriente eficaz en los diodos ser:
1
(i )
t2
d t
2
I D ( rms ) =
2
C
t1
Y la tensin media en los diodos es:

1 t 2
I D ( dc ) =
2 t1
iC dt
PROBLEMA 7. 13
Dado un puente rectificador monofsico de onda completa y con carga RLE.

a) Corriente en la carga I1, para condiciones iniciales t =0.

b) Corriente media en los diodos.
c) Corriente eficaz en los diodos.
d) Corriente eficaz en la carga.
e) Obtener grficamente la representacin instantnea de la intensidad de entrada,
intensidad en la carga y la tensin en la carga, mediante Pspice.
f) Calcular los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada y el factor de potencia de
entrada.
DATOS: R = 2,5 ; L=6,5mH; E=10 V; VP=120 V; f =50Hz
Solucin:
Vamos a suponer que la corriente en la carga es continuada. Si no estamos en lo cierto

obtendremos un valor para dicha corriente igual a cero, y tendremos que volver a hacer los
clculos para una corriente discontinua.
Vmax = 2VS = 2 (120 ) = 169,7V = 2f = 2 50 = 314,16rad / s
L
Z = R 2 + 2 L2 = 3,228 = arctg = 39,24
R


a) Usando la ecuacin [E7.43] calculamos el valor de la corriente en la carga para t=0:
I 1 = 27,7 A
La suposicin del principio ser cierta, ya que I1>0.
b) Sacamos la corriente media en los diodos mediante la integracin numrica de iC en la

ecuacin [E7.44]:
I D ( dc ) = 19,6 A
c) La corriente eficaz en los diodos la determinamos mediante la integracin numrica de

(iC)2 entre los lmites t=0 y :
I D ( rms ) = 28,74 A
d) Calculamos ahora la corriente eficaz en la carga:
I rms = 2 I D ( rms ) = 40,645 A
e) A continuacin se muestran el esquema y el listado necesarios para la simulacin

mediante Pspice.
Problema7_13: PUENTE RECTIFICADOR MONOFASICO CON CARGA RLE

VS 1 0 SIN (0 169.7V 50HZ)
R 3 5 2.5
L 5 6 6.5MH
VX 6 4 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
D1 2 3 DMOD
D2 0 3 DMOD
D3 4 2 DMOD
D4 4 0 DMOD
.TRAN 10US 60MS 20MS 10us
.FOUR 50HZ i(VY)
.PROBE
.END

Podemos apreciar en las formas de onda obtenidas con Pspice, que I1=29,883A.
f) Necesitaremos obtener los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada para poder

calcular el factor de potencia de entrada:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(VY)


1 5.000E+01 5.357E+01 1.000E+00 -1.242E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 3.549E-02 6.624E-04 9.130E+01 1.037E+02
3 1.500E+02 1.183E+01 2.208E-01 2.626E+01 3.868E+01
4 2.000E+02 4.846E-02 9.045E-04 8.847E+01 1.009E+02
5 2.500E+02 7.427E+00 1.386E-01 1.663E+01 2.905E+01
6 3.000E+02 3.617E-02 6.753E-04 9.175E+01 1.042E+02
7 3.500E+02 5.388E+00 1.006E-01 1.236E+01 2.477E+01
8 4.000E+02 4.797E-02 8.955E-04 8.787E+01 1.003E+02
9 4.500E+02 4.205E+00 7.850E-02 1.014E+01 2.256E+01
TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2 902541E+01 PERCENT
Corriente media de entrada, I S ( dc ) = 0,0245 A 0A

Corriente eficaz de entrada del fundamental, I 1( rms ) = 53,57 2 = 37,88
Distorsin armnica total de la corriente de entrada, THD = 29,02% = 0,2902
Corriente armnica eficaz, I h ( rms ) = I 1( rms ) THD = 11



Corriente eficaz de entrada, I S = (I S ( dc ) ) + (I ( ) ) + (I ( ) )
2
1 rms
2
h rms
2
= 39,44 A
ngulo de desplazamiento, 1 = 12,42
Factor de desplazamiento, DF = Cos 1 = 0,976 (en retraso )
El factor de potencia ser:
VS I 1( rms )
PF = Cos 1 = 0,937 (en retraso )
VS I S
Si usamos THD para calcularlo:
1
PF = Cos 1 = 0,937
1 + THD 2
En esta ocasin ambos valores son iguales debido a que la componente continua es de un valor
insignificante.
7.5 Puente rectificador monofsico totalmente controlado

7.5.1 CARGA RESISTIVA
Fig 7. 26
a) Montaje para el puente rectificador monofsico totalmente controlado.
En este montaje, los diodos que formaban el puente rectificador no controlado se sustituyen por tiristores, haciendo posible el control de
fase de una onda complete de la seal de entrada.
b) Formas de onda del puente rectificador totalmente controlado, con carga resistiva. Estn representadas las formas de onda de la
intensidad en el secundario y la tensin en la carga.
Los tiristores T1 y T4 conducirn durante el semiciclo positivo de la entrada, y los T2 y T3 en el

negativo. Eso quiere decir que los tiristores se dispararn de dos en dos con un ngulo de retardo .

2 1 Vmax
Vdc = V Sent dt = Vmax ( Cos + Cos ) = (1 + Cos )
2
max
E 7.46
2Vmax
Para =0 (actuando como diodos), la tensin media en la carga ser Vdc y su valor: Vdc =

Intensidad eficaz en la carga:
1 I max Sen2
= (I Sent ) dt =
2
I rms
2
max 1 + 2
2 E 7.47

Pac = (I rms ) R
2
E 7.48
PROBLEMA 7. 14
Dado un puente rectificador monofsico totalmente controlado como el mostrado en la figura

7.26 a), calcular lo siguiente:

d) Intensidad media en la carga.
g) Tensin media en los tiristores.
h) Potencia del generador y factor de potencia.
DATOS: R=20 ; VS=240V
Solucin:
a) La tensin de pico en la carga ser (para < 90):
V p (c arg a ) = Vmax = 2VS = 240 2 = 339,4V
b) Ayudndonos del valor anterior calculamos la corriente de pico en la carga:
V p (c arg a )
I p (c arg a ) = = 16,97 A
R
c) La tensin media en la carga es:
2 339,4
[1 + Cos 40] = 190,8 A

Vdc =
2 40
Vmax Sent dt =

d) La corriente media la calculamos usando la tensin media en la carga:
Vdc 190,8
=
I dc = = 9,54 A
R 20
e) Con la ecuacin [E7.47] calculamos la corriente eficaz en la carga:
I max I max Sen2

= (I ) (Sent ) dt =
2 2
I rms
2
max 1 + 2 = 11,60 A
2
f) El valor anterior nos sirve para el clculo de la potencia eficaz en la carga:
Pac = (I rms
) R = 2691W2


g) La corriente media que atravesar los tiristores ser:

I dc 9,54
I T (dc ) = = = 4,77 A
2 2
h) La potencia del generador:
S = Vrms I rms = 240V 11,60 A = 2784VA
Y el factor de potencia:
P 2691
FP = = = 0,967
S 2784
7.5.2 ESTUDIO PARA UNA CARGA ALTAMENTE INDUCTIVA, CORRIENTE

CONTINUADA
En el circuito presentado suponemos que la carga es altamente inductiva, de tal forma que la
corriente en la carga es continua y libre de componentes ondulatorias.
Debido a la carga inductiva, los tiristores que conducen durante el semiciclo positivo de la seal de
entrada, seguirn conduciendo ms all de t = , aun cuando el voltaje de entrada sea negativo.
Las formas de onda para este caso estn representadas en la siguiente figura:
Fig 7. 27
Formas de onda para un puente rectificador controlado con carga
altamente inductiva. Este tipo de carga provoca que la corriente en la
carga IC, sea de valor constante. Se han representado la tensin en la
carga, intensidad en la carga e intensidad en el secundario del
transformador.


2 2
Vdc =
2 V max Sent dt = Vmax Cos
E 7.49
Fig 7. 28
a) Cuadrantes de funcionamiento del puente rectificador monofsico totalmente controlado. Como podemos apreciar, puede trabajar en el
primer y cuarto cuadrante.
b) Modos de funcionamiento del puente rectificador monofsico totalmente controlado:
a) Como rectificador (0 < < 90): Tensin media en la carga positiva.
b) Como ondulador (90< < 180): Tensin media en la carga negativa.
Durante el periodo que va desde a , el voltaje de entrada y la corriente de entrada son positivos; la
potencia fluye de la alimentacin a la carga. Se dice que el convertidor opera en modo rectificacin.
Durante el periodo hasta + , el voltaje de entrada es negativo y la corriente de entrada positiva;

existiendo un flujo inverso de potencia, de la carga hacia la alimentacin. Se dice que el convertidor
opera en modo inversor. Dependiendo del valor de , el voltaje promedio de salida puede ser positivo
o negativo y permite la operacin en dos cuadrantes (modo rectificador y modo inversor u
ondulador). Los dos modos de funcionamiento del rectificador se pueden apreciar en la figura 7.28b).
Fig 7.29
En estas figuras se puede observar la tensin de entrada, la intensidad
suministrada por el secundario del transformador y la componente
fundamental de esta corriente, para diferentes valores del ngulo de
retardo, El ngulo de desfase de IS, como se puede ver coincide con el
ngulo de reatrdo .

Un mtodo para determinar la tensin y la corriente de salida en el caso de corriente continuada es

utilizar la serie de Fourier. La expresin general de la serie de Fourier para la forma de onda de
tensin en el caso de corriente continua es:

v0 (t ) = V0 + Vn cos(nt + n )
n =1
+
1 2Vm
El valor (medio) en continua es: V0 = V sen(t )d (t ) = cos

m

Las amplitudes de los trminos de alterna se calculan a partir de Vn = a n2 + bn2 , donde:
2Vm cos(n + 1) cos(n 1) 2Vm sen(n + 1) sen(n 1)

an = ; bn = ; n = 2, 4, 6
n +1 n 1 n + 1 n 1
La serie de Fourier para la corriente se determina utilizando superposicin.
2
I
La corriente eficaz se determina a partir de I rms = I + n , donde:
2
0
n = 2 , 4 , 6... 2
V V Vn
I0 = 0 ; In = n =
R Zn R + jn 0 L
PROBLEMA 7.15
Un rectificador controlado de onda completa en puente, utiliza un generador de 120Vrms a 60Hz

y una carga R-L, donde R = 10 y L = 100mH. El ngulo de disparo es = 60. Calcular:
(a) La expresin de la corriente en la carga.

(b) La componente continua (media) de la corriente.
(c) La potencia absorbida por la carga.
Solucin: V0 = 54V; Irms = 5,54A; P = 307W

[Hart]
Dado un puente rectificador monofsico totalmente controlado con carga RL altamente

inductiva.
Calcular:

d) Corriente de pico en la carga.
f) Potencia en la carga.
g) Corriente media en los tiristores.
DATOS: R = 20; VS = 240V; = 40

Solucin: Vp(carga) = 339,4V; Vdc = 165,5V; Idc = 8,28A; Ip(carga)=8,28A; Irms=8,28A;
PC=1370W; IT(dc)=4,14A.



CD7_4: PUENTE RECTIFICADOR MONOFASICO TOTALMENTE CONTROLADO CON CARGA RLE
*DEFINICION DE PARAMETROS
.PARAM VM={120*SQRT(2)}; VALOR DE LA TENSIN DE PICO DE ENTRADA
.PARAM ALFA=40; GRADOS DEL ANGULO DE RETARDO
.PARAM RETARDO1={ALFA*20MS/360}; RETARDO EN SEGUNDOS
.PARAM RETARDO2={ALFA*20MS/360+10MS}
.PARAM PW={1MS}
VS 1 0 SIN (0V {VM} 50HZ 0S 0S 0DEG)
VG1 3 5 PULSE (0V 10V {RETARDO1} 1NS 1NS 100US 20MS)
L 9 10 6.5MH
VE 10 11 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
VX 11 6 DC 0V
XT1 2 5 3 5 SCR
XT2 0 5 7 5 SCR
XT3 6 2 4 2 SCR
XT4 6 0 8 0 SCR
* SUBCIRCUITO DEL SCR
.SUBCKT SCR 1 2 3 2
S1 1 5 6 2 SMOD
RG 3 4 50HM
VX 4 2 DC 0V
VY 5 7 DC 0V
DT 7 2 DMOD
RT 6 2 1HM
CT 6 2 10UF
F1 2 6 POLY (2) VX VY 0 50 11
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.0105 ROFF=10E+5 VON=0.5V VOFF=0V)
.MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1200V TT=0 CJO=0)
.ENDS SCR
.PROBE
.FOUR 50HZ I(VY)
.END
7.5.3 CARGA RL, CORRIENTE DISCONTINUA
Iniciando el anlisis para t = 0 y con corriente de carga nula, los SCR S1 y S2, del rectificador en
puente estarn polarizados en directa y S3 y S4 se polarizarn en inversa cuando la tensin del
generador se haga positiva. S1 y S2 se activarn cuando se les apliquen seales de puerta para t =.

Cuando S1 y S2 estn activados, la tensin de carga es igual a la tensin del generador. La funcin de
la corriente ser:
(t )

Vm
i0 (t ) = sen ( t ) sen ( )e
para t
Z
L L
donde: Z = R 2 + (L ) ; = tan 1 y =
2
R R
La funcin de corriente anterior se hace cero en t = . Si < +, la corriente ser nula hasta
t=+, momento en el cual se aplicarn seales de puerta a S3 y S4, que quedarn polarizados en
directa y comenzarn a conducir.
7.5.4 CARGA RLE
PROBLEMA 7. 16
Un rectificador controlado utiliza un generador de alterna con una tensin eficaz de 240V a
60Hz, Vcc = 100V, R = 5 y una bobina de inductancia suficientemente grande como para
obtener corriente continua. Calcular:
a) El ngulo de disparo para que la potencia absorbida por el generador de continua sea
1000W.
b) El valor de la inductancia que limitar la variacin pico a pico de la corriente de carga a
2A.
Solucin: = 46; L = 0,31H
[Hart]
www.ipes.ethz.ch
Fig 7. 30 Rectificador controlado onda completa monofsico

7.5.5 CARGA RL CON DIODO VOLANTE
Fig 7. 31
a) Montaje para el puente rectificador monofsico totalmente controlado con carga RL. Con el diodo volante se le proporciona otro camino
a la corriente que circula por la carga, adems de iT1-T4 e iT2-T3, y prevenimos las tensiones negativas en la carga.
b) Formas de onda del puente rectificador monofsico totalmente controlado con carga RL y diodo volante. Se han representado la
intensidad en el secundario del transformador, tensin en la carga, intensidad en la carga e intensidad que circula por el diodo volante.
Podemos apreciar como la porcin negativa de la tensin en la carga que tenamos en el montaje sin diodo volante se anula. En ese
intervalo la corriente que circula por los diodos y por el secundario se hace cero, circulando la intensidad por el diodo.

Vmax
Vdc = (1 + Cos )
E 7.50
Intensidad media en los tiristores: como por cada tiristor circular corriente en cada periodo de la
tensin de entrada durante un tiempo -, entonces:

I T (dc ) = I dc
2 E 7.51
Intensidad media en el diodo volante: Por el diodo circular corriente solo desde t=0 hasta t=,
en cada semiciclo de la tensin de entrada:

I D (dc ) = I dc
E 7.52

7.5.6 CONVERTIDOR MONOFSICO EN MODO INVERSOR
Para que el convertidor opere como un inversor, el generador de continua suministrar la potencia y
sta ser absorbida por el puente y transferida al sistema de alterna.
Para que el generador de continua suministre potencia, Vcc debe ser negativa. Para que el puente
absorba la potencia y sta se transfiera al sistema de alterna, la tensin de salida del puente, Vo
tambin deber ser negativa.
PROBLEMA 7.17
La tensin generada por un conjunto de clulas solares tiene un valor de 110V, conectada de
manera que Vcc = -110V. Las clulas solares son capaces de producir 1000W. El generador de
alterna presenta una tensin eficaz de 120V, R = 0,5 y L es lo suficientemente grande como
para que la corriente de carga sea esencialmente continua. Calcular el ngulo de disparo para
que el conjunto de clulas solares entregue 1000W. Calcular la potencia transferida al sistema de
alterna y las prdidas en la resistencia. Suponer que los SCR son ideales.
Solucin: =165,5; PR = 41W; P= 525,5W
[Hart]
7.6 Puente rectificador monofsico semicontrolado o mixto
Tambin se suele usar una configuracin en la que el nodo de un diodo est unido al ctodo del otro,
y los tiristores tambin irn conectados as entre ellos, pero ocasiona problemas para controlar a los
tiristores porque ambos tienen distinta referencia.
Durante el semiciclo positivo el tiristor T1 estar en directo, y cuando t= conducirn T1 y D2 en el

intervalo t . Cuando t + en el secundario habr una tensin negativa, provocando
el bloqueo de T1 y que este y D2 dejen de conducir, provocando la entrada en conduccin del diodo
volante D3, que se encargar de transferir la corriente a la carga. En el semiciclo negativo tendremos
a T2 en directo y su conduccin comenzar para t = + hasta t = 2, conduciendo tambin D2.
A continuacin se representa el montaje as como las formas de onda obtenidas con este tipo de
rectificador:

Fig 7. 32
a) Montaje para el rectificador monofsico semicontrolado. Se reemplazan por diodos uno de los grupos de conmutacin que formaban el
puente totalmente controlado. En este montaje no hay posibilidad de obtener tensin negativa en la carga, as que solo trabajar en el
primer cuadrante del diagrama tensin-corriente
b) Formas de onda del puente rectificador semicontrolado con carga altamente inductiva. Se han representado la tensin en la carga,
intensidad en los tiristores, intensidad en los diodos del puente, intensidad en el secundario, intensidad en la carga e intensidad en el diodo
volante.

Vmax
2
( Cos + Cos ) = Vmax (1 + Cos )

Vdc =
2 V max Sent dt =
E 7.53
Como la tensin mxima de salida se da para =0, donde Vdc = (2Vmax/ ), el valor normalizado de la
tensin en la carga es:
Vdc
Vn (dc ) = = 0,5(1 + Cos )
Vdc E 7.54
Fig 7. 33
Caracterstica de control del puente rectificador semicontrolado.
La tensin media en la carga puede variar desde (2Vmax/) hasta 0, con la
regulacin del ngulo de disparo , desde 0 hasta .

7.7 Rectificadores Polifsicos

Este tipo de circuitos se utilizarn para producir tensiones y correintes continuas para grandes cargas.
Se suele aumentar el nmero de fases para proteger a los diodos de tensiones o corrientes demasiado
elevadas. Adems, la frecuencia de rizado en la carga tambin resulta determinante a la hora de usar
rectificadores polifsicos, ya que nos facilitan el rizado y disminuyen los elevados costes que
ocasionara el gran tamao de los filtros en rectificadores monofsicos para grandes potencias.
7.7.1 RECTIFICADORES POLIFSICOS DE MEDIA ONDA
A continuacin se muestra el esquema de conexin del rectificador polifsico de media onda:
Fig 7. 34
Rectificador polifsico de media onda.
La q ser el ndice de conmutacin del rectificador, que para el caso de
rectificadores polifsicos coincide con el nmero de fases.
El desfase entre dos fases sucesivas ser 2 q , y sus tensiones sern:
VS 1 = Vmax Cost ;
VS 2 = Vmax Cos (t 2 q ) ;
VS 3 = Vmax Cos (t 4 q ) ...
VS (q 1) = Vmax Cos (t 2 (q 1) q ) ;
VSq = Vmax Cos (t 2 )
Tomando t=0, el origen de tiempos que se corresponda con el valor mximo positivo de vS1, cabe
pensar que estarn conduciendo todas las fases polarizadas positivamente, pero en realidad pasa lo
siguiente: al conducir la fase que genera ms tensin, en nuestro caso vS1, el nudo donde se
encuentran conectados todos los ctodos de los diodos adquirir esta tensin y los diodos restantes se
encontrarn polarizados inversamente.
Cuando la tensin de la fase que conduce es igual a la de la fase siguiente, su diodo correspondiente
quedar polarizado directamente y conducir, provocando el cese de la conduccin de la fase
anterior. Este cese instantneo de la corriente de una fase y el establecimiento de la corriente en la
fase siguiente (conocido como conmutacin natural) se producir en los instantes cuyos tiempos son:
q, 3 q, 5 q
La tensin rectificada ser una seal pulsante de periodo 2/q, y se define por:
q < t < q vC = Vmax Cost

En caso de una carga resistiva pura, la forma de onda de la corriente en la carga ser muy parecida a
la de la tensin en la carga y se define as:
vC Vmax
q < t < q iC = = Cost
R R
Fig 7. 35
Formas de onda del
rectificador polifsico de
media onda.

1 q
Vdc =
2 v
q

q
C dt =

Vmax Sen
q E 7.55
q
A continuacin se muestra un estudio de cmo aumenta la tensin media en la carga con el nmero
de fases:
N DE FASES Vdc
2 0,637 Vmax
3 0,826 Vmax
6 0,955 Vmax
48 0,999 Vmax
Tensin inversa de pico en los diodos: La tensin en extremos de un diodo cualquiera (D1), para
un sistema q-fsico ser:

Si q es par: PIV = 2Vmax
Si q es impar: se puede demostrar que la tensin inversa de pico ser:

PIV = 2Vmax Cos
2q E 7.56
Corriente media en los diodos:

1 1
I D ( dc ) =
2 I

q
q
max Cost dt = I max

Sen
q E 7.57
Corriente eficaz en los diodos: tiene el mismo valor que la corriente por cada secundario del
transformador y ser:

1 1 1 2
(I max ) (Cost ) dt
2 2
I D ( rms ) = I S = = I max + Sen
q

2 q
2 q 2 q E 7.58
7.7.2 RECTIFICADOR CONTROLADO POLIFSICO DE MEDIA ONDA
Fig 7. 36 Rectificador controlado M-fsico de media onda y forma de onda de la tensin en la carga.

q + q
Vdc =
2
+
q
q
Vmax Cost dt =

Vmax Sen Cos
q E 7.59
7.7.3 RECTIFICADOR TRIFSICO DE MEDIA ONDA
Fig 7. 37
Rectificador trifsico
de M.O. los diodos
tienen sus ctodos
conectados a un punto
comn, para que en
cualquier instante de
tiempo el diodo con el
mayor voltaje
aplicado conduzca,
mientras los otros dos
estarn polarizados
inversamente.

Se colocar el primario en tringulo para anular el tercer armnico de la tensin de la red.
Las tensiones de alimentacin referidas al neutro, que se encuentran desfasadas 120, sern:
2 2
v an = Vmax Sent ; vbn = Vmax Sen t ; vcn = Vmax Sen t +
3 3
Fig 7. 38
a) Formas de ondas en el rectificador trifsico de media onda.
Cada diodo conduce alternativamente durante periodos de 120 (2/3), o sea un tercio de periodo. Con esto se consigue un rectificador que
presenta un bajo factor de ondulacin, en comparacin con los monofsicos.
b) Lmites de integracin para el clculo del valor medio de la tensin en la carga.

1 3
Vdc =
2 V

3
3
max Cost dt =

Vmax Sen = 0,827Vmax
3 E 7.60
3

Dado un rectificador trifsico de media onda con carga resistiva.

Calcular:
c) Corriente de pico en la carga.
e) Corriente de pico en los diodos.
f) Tensin inversa de pico en los diodos.
g) Corriente media en los diodos.
DATOS: R = 25; VLS = 480V; f = 50Hz
Solucin: Vp(carga) = 391,9V; Vdc = 324.1V; IP(carga) = 15.68V; Idc=12,96A; IP(diodo)=15,68A;

PIV=678,8V; ID(dc) =4,32A
*CD7_5:RECTIFICADOR TRIFASICO DE MEDIA ONDA

*************************************
* R CARGA CON POSIBILIDAD DE RLE CARGA
*********************************************************
*DEFINICION GENERAL DE PARAMETROS
***********************************
.PARAM RMS_INP_VOLT={230V}; VOLTAJE DE ENTRADA
.PARAM FREC={50Hz};FRECUENCIA DE LA SEAL DE ENTRADA
.PARAM LOAD_IMPED={1ohm}; RESISTENCIA DE CARGA
.PARAM LOAD_ANGLE={30deg};
.PARAM KE={0.5}
*
.PARAM PICOVOLT={SQRT(2/3)*RMS_INP_VOLT}
.PARAM PI={3.141593},RLOAD={LOAD_IMPED*COS(LOAD_ANGLE*PI/180)}
.PARAM LLOAD={LOAD_IMPED*SIN(LOAD_ANGLE*PI/180)/(2*PI*FREC)}
.PARAM ELOAD={KE*PICOVOLT}
***********************************************************************
VA AV 0 SIN(0 {PICOVOLT} {FREC} 0 0 0) ; FASE A
VB BV 0 SIN(0 {PICOVOLT} {FREC} 0 0 -120) ; FASE B
VC CV 0 SIN(0 {PICOVOLT} {FREC} 0 0 -240) ; FASE C
***********************************************************************
Rsource-A AV A 1mohm ; source resistance, phase A
Rsource-B BV B 1mohm ; source resistance, phase B
Rsource-C CV C 1mohm ; source resistance, phase C
********************************************************
DA A OUT Dgen ; diodo DA
DB B OUT Dgen ; diodo DB
DC C OUT Dgen ; diodo DC
*********************************************************
Rload OUT 0 {RLOAD} ; RESISTENCIA DE CARGA
*Lload RL LE {LLOAD} ; POSIBILIDAD DE INDUCTANCIA
*VEload LE 0 DC {ELOAD} ; POSIBILIDAD DE EMC
*********************************************
.MODEL Dgen D
**********************************************
.TRAN 10us 60ms 20.001ms 10us
.OPTIONS ABSTOL=1m RELTOL=1m VNTOL=1m ITL5=0
.PROBE
.END

7.7.4 RECTIFICADOR CONTROLADO TRIFSICO DE MEDIA ONDA
Fig 7. 39
Montaje para el
rectificador
controlado trifsico de
media onda. Se puede
construir a partir de
tres rectificadores
controlados de media
onda
Estudio par una carga resistiva y 30 :
Fig 7. 40
Formas de onda para una corriente continuada en un
rectificador trifsico de media onda con carga resistiva. Estn
representadas la tensin en la carga, corriente en los tiristores y
tensin en extremos de T1. Al ser la corriente continuada, el
tiristor en conduccin permanecer en ese estado hasta que se
produzca el disparo en el siguiente tiristor al que le corresponde
conducir.

5
3 + 3 +
Vdc =
2
3
+
3
Vmax Cost dt =
2
6
6
+
Vmax Sent dt =
3 3 E 7.61
= Vmax Cos = 0,827Vmax Cos
2

3 3Vmax
Para =0, la tensin media en la carga ser Vdc y su valor: Vdc =
2
Vdc
Vn (dc ) = = Cos
y el valor normalizado de la tensin media valdr: Vdc E 7.62
PROBLEMA 7. 18
Dado un rectificador controlado trifsico de media onda con carga resistiva.

e) Corriente de pico en los tiristores.
f) Tensin inversa de pico en los tiristores.
DATOS: R=25 ; VLS=480V, f=50Hz ; =25

Solucin: Vp (carga) = 391,9V; Vdc = 293,7V; Ip (carga) = 15,68A; Idc = 11,75A; Ip (tiristor) =11,68A;
PIV = 678,8V; IT (dc) =3,92A.
Estudio para una carga resistiva y 30:

En este caso la corriente en la carga ser discontinua:
Fig 7. 41
Formas de onda para corriente discontinua en el rectificador trifsico
de media onda con carga resistiva. Se han representado la tensin en la
carga, tensin en el secundario y corriente que circular por los
tiristores.


3 3
Vdc =
2 2
+
Vmax Cost dt =
2
6
+
Vmax Sent dt =
3
3 E 7.63
= Vmax 1 + Cos +
2 6
Dado un rectificador controlado trifsico de media onda con carga resistiva.


e) Corriente de pico en los tiristores.
f) Tensin inversa de pico en los tiristores.
DATOS: R=25 ; VLS=480V; f=50Hz; =80

Solucin: VP(carga) = 368,3V; Vdc = 123,1V; IP(carga) = 14,73A; Idc =4,92A; IP(tiristor) =14,73A; PIV
= 678,8V; IT(dc) =1,64A
PROBLEMA 7. 19
Dado un rectificador controlado trifsico de media onda con carga resistiva, si queremos obtener
una tensin media en la carga del 50% de la tensin mxima que se pueda obtener.
a) Valor mnimo de la tensin media en la carga que se puede obtener para corriente
continuada.
b) ngulo de retardo .
e) Corriente media que circula por cada tiristor.
f) Corriente eficaz que circula por cada tiristor.
g) Rendimiento de la rectificacin.
h) Factor de utilizacin del transformador (TUF).
i) Factor de potencia de entrada.
Datos: R=10; VLS=208V; f=50Hz
Solucin:
VLS
VFS = = 120,1V Vmax = 2VFS = 169,83V
3
Como sabemos que el valor normalizado de la tensin media en la carga es Vn(dc)=0,5 (50%),
podemos calcular el valor de la tensin media en la carga:
3 3Vmax V
Vdc = = 140,45V Vn (dc ) = dc Vdc = (0,5)(140,45) = 70,23V
2 Vdc



a) El valor mnimo de tensin media en la carga que podemos obtener para corriente
continuada ser el correspondiente a =30:
Vdc (30 ) = 0,827Vmax Cos = (0,827 )(169,83)Cos30 = 121,63V
b) Como Vdc(30)>70,23V, tendremos corriente discontinua en la carga (30<<150), as

que relacionando valores tenemos que:
Vdc 1
Vn (dc ) = = 1 + Cos + = 0,5 = 67,7
Vdc 3 6
c) Calculamos ahora la intensidad media en la carga:
Vdc 70,23
=
I dc = = 7,02 A
R 10
d) Para calcular la corriente eficaz en la carga, debemos saber primero el valor de la
tensin eficaz en la carga:
3
= (V Sent ) dt =
2
Vrms
2
max
+
6
5 1 V 94,74
= 3Vmax + Sen + 2 = 94,74V I rms
= rms = = 9,47 A
24 4 8 3 R 10
e) La corriente media que atraviesa cada tiristor ser:

I dc 7,02
I T (dc ) = = = 2,34 A
3 3
f) La corriente eficaz que atraviesa cada tiristor ser:
1
I rms 9,47
(V Sent ) dt =
2
I T (rms ) = = = 5,47 A
2
max
+
6 3 3
g) El rendimiento de la rectificacin valdr:
=
Vdc I dc

=
(70,23)(7,02) = 0,5495 (54,95% )
I rms
Vrms (94,74)(9,47 )
h) Ahora calcularemos el factor de utilizacin del transformador:
Vdc I dc

TUF = S = 3V FS I FS = 3(120,1)(5,47 ) = 1970,84W
S
TUF =
(70,23)(7,02) = 0,25 (25% )
1970,84
i) El factor de potencia de entrada ser:
PC
PF = PC = (I rms
)2 R = (9,47 )2 10 = 896,81W
S

Estudio para una carga altamente inductiva
Con una carga altamente inductiva, la corriente que atravesar la carga ser continuada y de valor
constante.
Con 30, la tensin en la carga es positiva.

Con > 30, la tensin en la carga es negativa para unos fragmentos de periodo.
5
3 + 3 +
Vdc =
2
3
+
3
Vmax Cost dt =
2
6
6
+
Vmax Sent dt =
3 3 E 7.64
= Vmax Cos = 0,827Vmax Cos
2
Podemos apreciar que el resultado obtenido es el mismo que para una carga resistiva con 30, y es
as por que en ambos casos la corriente en la carga es continuada.
Fig 7. 42
Formas de onda en un rectificador trifsico de media onda con
carga altamente inductiva. Se han representado la tensin en la
carga, las corrientes en los tiristores y la corriente en la carga.
Con 0<<90 se logran tensiones medias de salida positivas, por lo tanto trabajar en el primer
cuadrante del diagrama tensin-corriente. Para 90< <180 la tensin media en la carga ser
negativa y trabajar en el cuarto cuadrante.

Dado un rectificador controlado trifsico de media onda con carga altamente inductiva.

d) Tensin inversa de pico en los tiristores.
e) Corriente media en los tiristores.
DATOS: R=25 ; VLS=480V; f=50Hz; =50

Solucin: VP(carga) = 391,9V; Vdc = 208,3V; Idc = 8,33A; PIV = 678,8V; IT(dc) =2,78A
Estudio para una carga inductiva con diodo volante
Fig 7. 43
a) Montaje para el puente rectificador trifsico de media onda con carga altamente inductiva y diodo volante.
b) Formas de onda del puente rectificador trifsico de media onda con carga altamente inductiva y diodo volante. Se han representado la
tensin en la carga, intensidad en T1 e intensidad en el diodo volante.
Para 30, el valor de la tensin media en la carga viene dado por la ecuacin usada para
una carga resistiva y 30 [E7.61].
Para 30< < 150, el valor de la tensin media en la carga vendr dado por la ecuacin
usada para una carga resistiva y 30< < 150 [E7.63]. En este caso el diodo volante conduce
tres intervalos durante un periodo. Por ejemplo, para la fase Van el tiristor T1 conduce desde
t= +/6 hasta t=, y el diodo volante conducir desde t= hasta que T2 empieza a
conducir para t=5/6. Esto significa que el tiempo que estn en conduccin T1 y el diodo
volante en un ciclo, ser /3.

7.7.5 PUENTE RECTIFICADOR TRIFSICO DE ONDA COMPLETA
Fig 7. 44
Montaje para el rectificador
trifsico de onda completa. Se
utiliza para aplicaciones de alta
potencia.
Este tipo de circuitos se puede estudiar dividindolo en dos partes:

Rectificador tipo P: Ser la parte de circuito compuesta por los diodos D1, D2, D3, y que tiene un
comportamiento igual a un rectificador trifsico de media onda. En cualquier instante permitir
conectar a la carga el ms alto de los voltajes trifsicos.
Rectificador tipo N: Est compuesto por los diodos D4, D5, D6, y en cualquier instante permitir
conectar a la carga con el ms bajo de los tres voltajes de alimentacin.
Con la unin de ambas partes conseguimos que durante todo el tiempo se conecte el ms alto de los
tres voltajes a uno de los terminales de la carga y al otro terminal de la carga se conecte el ms bajo
de dichos voltajes.
En la figura que se muestra a continuacin podemos observar como la parte superior de la forma de
onda es la del grupo tipo P, y la inferior la del tipo N. As, el voltaje en la carga puede considerarse
como la suma de los voltajes de dos rectificadores de media onda trifsicos, con relacin al neutro
n.
Fig 7. 45
Formas de onda del puente rectificador trifsico.
En la figura 7.46, para la tensin en la carga vemos seis pulsos con una duracin de /3, provocando
en cada periodo una secuencia de conduccin de los diodos tal que:
D3D5; D5D1; D1D6; D6D2; D2D4; D4D3
La secuencia de conduccin se corresponde con los seis voltajes senoidales por ciclo, y cuya
diferencia de voltajes es:
vcn-vbn; van-vbn; van-vcn; vbn-vcn; vbn-van; vcn-van
El mximo voltaje ser 3Vmax .
En la siguiente pgina tambin se muestra un diagrama fasorial donde se pueden apreciar los voltajes
compuestos, tomando Vab como origen de fases.

Fig 7. 46
Formas de onda del puente rectificador trifsico.
Fig 7. 47
Diagrama fasorial
Tensin media en la carga: Se puede calcular obteniendo la tensin media que entrega cada
rectificador de media onda (tipo P y tipo N) que compone el puente:

1
Vdc = 2
2 V

3
3
max Cost dt = 1,654Vmax
E 7.65
3

Se puede tambin considerar como un rectificador hexafsico de media onda, cuya tensin es la de
fase-fase:

2 3 3
Vdc =
2
0
6 3Vmax Cost dt =

Vmax = 1,654Vmax
E 7.66
6
y podemos decir que:
3 3 3
Vdc = VF(max ) = VL (max )
E 7.67
2
3 9 3
3(Vmax ) (Cost ) dt = V = 1,6554V
2 2
Vrms = 6 +
2 0 2 4 max max
E 7.68
6
Corriente media en los diodos: La corriente de pico en los diodos es Imax= 3Vmax / R , que se
corresponde con la corriente mxima de lnea. Adems cabe destacar que en los diodos circula la
intensidad que atraviesa la carga, durante T/3.
1 V
I D (dc ) = I 0(dc ) = Lmax = 0.3183 I max
3 R E 7.69
Corriente eficaz en los diodos:

I 0(rms )
I D (rms ) =
3 E 7.70
Corriente eficaz en el secundario del transformador:

2
I S(rms) = I 0(rms )
3 E 7.71
La corriente eficaz de carga es aproximadamente igual a la corriente media ya que los trminos de
alterna son pequeos.
Los coeficientes de los trminos seno de la serie de Fourier son nulos por simetra por lo que
podemos expresar la tensin de la siguiente manera:

v0 (t ) = v0 + u n cos(n 0 t + )
u = 6 ,12 ,18...
6 Vm, L L
un = n = 6,12,18...
(n 2 1)
Cuando la tensin de salida es peridica, con un periodo de 1/6 de la tensin del generador de alterna,
los armnicos a la salida son del orden 6k, siendo k = 1, 2, 3
Potencia aparente del generador

S = 3 U L L (rms ) I S(rms )

PROBLEMA 7. 20
Dado un puente rectificador trifsico de onda completa con carga resistiva, calcular lo siguiente:
a) Tensin media en la carga.

b) Corriente media en la carga.
c) Corriente media en los diodos.
d) Tensin inversa de pico en los diodos.
e) Potencia media en la carga.
DATOS: R = 100 ; VLS = 480 V; f =50Hz
Solucin:
a) Primero calcularemos el valor de la Vmax (fase-neutro) y despus, usando la ecuacin
E2.43 hallaremos la tensin media en la carga:
2 VLS
Vmax = 2 VFS = = 391,9 V Vdc = 1,654 Vmax = 648,2 V
3
b) La corriente media en la carga es:
Vdc 648,2
I dc = = = 6,482 A
R 100
c) Usando la ecuacin [E7.69], calculamos la corriente media en los diodos:
I D (dc ) = 0,3183 I max =

0,3183 VL (max )
=
(0,3183) 3 (460) = 2,07 A
R 100
d) La tensin mxima de lnea ser la tensin inversa de pico que soportarn los diodos:
PIV = VLS 2 = (460 )(1,414 ) = 650 V

e) Y la potencia media ser:
Pdc = (I dc ) R = (6,482 ) (100 ) = 4201,63 W

2 2
Problema7_20: PUENTE RECTIFICADOR TRIFASICO CON CARGA RLE

.PARAM VPICO={392}
Van 0 1 SIN (0V {VPICO} 50HZ)
Vbn 0 4 SIN (0V {VPICO} 50HZ 0S 0S -120DEG)
Vcn 0 6 SIN (0V {VPICO} 50HZ 0S 0S -240DEG)
R 3 5 100HM
*L 7 8 1.5MH
*VX 8 5 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
D1 2 3 DMOD
D2 4 3 DMOD
D3 6 3 DMOD
D4 5 2 DMOD
D5 5 4 DMOD
D6 5 6 DMOD
.PROBE
.FOUR 50HZ I(VY)
.END

PROBLEMA 7.21
El rectificador trifsico de la figura 7.44 utiliza un generador trifsico con una tensin eficaz de
480V de lnea a lnea, y la carga es una resistencia de 25 en serie con una bobina de 50mH.
Calcular:
a) El nivel de continua de la tensin de salida.
b) El trmino de continua y el primer trmino de alterna de la corriente de carga.
c) La corriente media y la corriente eficaz en los diodos.
d) La corriente eficaz en el generador.
e) La potencia aparente del generador.
Solucin: (a) V0 = 648V; (b) I0 = 25.9A, I6(rms) = 0.23A; (c) ID(med) = 8.63A, ID(rms)=15.0A (d)
IS(rms) = 21.2A; (e) S = 17.6kVA
[Hart]
Formas de onda para una carga altamente inductiva

2/3 2/3 2/3
1-5 1-6 6-2 2-4 4-3
Fig 7. 48
Formas de onda de un puente rectificador trifsico,
con carga altamente inductiva.

La serie de Fourier de las corrientes en la fase a de la lnea de alterna es:
2 3 1 1 1 1
ia (t ) = I 0 cos 0 t cos 5 0 t + cos 7 0 t cos11 0 t + cos13 0 t ...
5 7 11 13
armnicos 6k 1 para k = 1, 2, 3
PROBLEMA 7.22
Dados el circuito a simular y el listado de un puente rectificador trifsico de onda completa con
carga RLE.
a) Obtener grficamente la representacin instantnea de la corriente de entrada,

intensidad en la carga, y tensin en la carga, mediante Pspice.
b) Obtener los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada y el factor de potencia de
entrada
DATOS: R=2,5 ; L=1,5 mH; E=10 V; Vab=208 V; f=50 Hz
Solucin:
a) El circuito a simular y el listado son los siguientes:
Problema7_22: PUENTE RECTIFICADOR TRIFASICO CON CARGA RLE
Van 0 1 SIN (0V 169.7V 50HZ)

Vbn 0 4 SIN (0V 169.7 50HZ 0S 0S -120DEG)
Vcn 0 6 SIN (0V 169.7 50HZ 0S 0S -240DEG)
R 3 7 2.5HM
L 7 8 1.5MH
VX 8 5 DC 10V
VY 1 2 DC 0V
D1 2 3 DMOD
D2 4 3 DMOD
D3 6 3 DMOD
D4 5 2 DMOD
D5 5 4 DMOD
D6 5 6 DMOD

.PROBE
.FOUR 50HZ I(VY)
.END

Y las formas de onda que se obtienen sern:
Se puede apreciar que I1=110,072A.
b) Para obtener el factor de potencia de entrada, tenemos que obtener los coeficientes de
Fourier de la corriente de entrada.
7.7.6 PUENTE RECTIFICADOR TRIFSICO TOTALMENTE CONTROLADO
Fig 7. 49
Montaje para el puente
rectificador trifsico totalmente
controlado. Es de onda
completa con 6 tiristores y se
usa en aplicaciones industriales
de ms de ms de 120kW.
Esta configuracin puede trabajar en el primer y cuarto cuadrante del diagrama tensin-intensidad.

El circuito de disparo ha de suministrar 6 impulsos de control para cada perodo de la tensin de

alimentacin, separados /3 en el tiempo, con una duracin por impulso de 180-, contando desde
el instante de conmutacin natural si fueran diodos. El orden en que los tiristores reciben sus
impulsos se debe al orden de encendido y su ubicacin.
[7_5]
Fig 7. 50
Formas de onda para =30,en un puente rectificador trifsico
totalmente controlado. Podemos apreciar los tiempos de
conduccin de los tiristores que forman el puente, trabajando
con carga resistiva.
-Instante A: encendido simultneo de T5 y T1 que da origen al
siguiente circuito:
Van-T1-CARGA-T5-Vbn
-Instante B: una vez encendido T1 y tras un desfase de 60,
llega un impulso hasta la puerta de T6, y esto hace que dicho
tiristor conduzca y que la corriente conmute de T5 a T6 dando
origen al circuito siguiente:
Van-T1-CARGA-T6-Vcn
-Instante C: T2 recibe el impulso principal 60 despus de la
entrada en conduccin de T6. Esto hace que T2 conduzca y la
corriente conmute de T1 a T2, donde resultar el siguiente
circuito:
Vbn-T2-CARGA-T6-Vcn
Para nuestro montaje, el orden de conduccin ser:

T1-T6; T6-T2; T2-T4; T4-T3; T3-T5; T5-T1
Tensiones de lnea: Tensiones de fase:

(Siendo Vmax la tensin mxima de fase)
Van = V max Sent
v ab = v an v bn = 3Vmax Sen t +
6
2
Vbn = V max Sen t
v bc = v bn v cn = 3Vmax Sen t 3
2
2
Vcn = Vmax Sen t +
v ca = v cn v an = 3Vmax Sen t + 3
2
A continuacin se muestra el desarrollo de la tensin rectificada para diversos ngulos de control y

con carga resistiva:

Fig 7. 51
Formas de onda de la tensin en la carga para
los ngulos de control:
= 0, 30, 60, 90.
En la siguiente figura se ilustra la caracterstica de control del puente rectificador trifsico totalmente
controlado con carga resistiva:
Fig 7. 52
Caracterstica de control del puente rectificador trifsico totalmente controlado.
Estudio para un ngulo de retardo 60:
Con estas condiciones tendremos en la carga una tensin continuada positiva. Tomando como
ejemplo la figura 7.50, para = 30, vemos que cada tiristor empieza a conducir 30 despus de que
lo hiciera el mismo montaje pero con diodos. Cada elemento conducir durante 60, igual que lo
haca en el puente no controlado.
Tensin media en la carga: Integrando para un intervalo de 60 tenemos:
5 5
3 + 3 + 3 3Vmax

Vdc = 6 Vab dt = 6 3Vmax Sen t + dt = Cos
6
+
6
+ 6
E 7.72
Vdc = 1,654Vmax Cos

O de otra forma, si tomamos el circuito como dos rectificadores trifsicos controlados de media onda:

1 +
Vdc = 2
2 3
+
3
Vmax Cost dt = 1,654Vmax Cos
E 7.73
3
3 3Vmax
El valor mximo se dar para =0, siendo Vdc =

5
3 + 1 3 3
(V )

=
Vrms 6 2
dt = 3Vmax + Cos 2
2 4
ab
+
6 E 7.74
PROBLEMA 7. 23
Dado un puente rectificador trifsico totalmente controlado con carga resistiva. Si se quiere
obtener una tensin media en la carga del 50% de la tensin mxima que se pueda obtener.
a) El mnimo valor de tensin media que se puede obtener para corriente continuada.
e) Corriente media que circula en los tiristores.
f) Corriente eficaz que circula en los tiristores.
i) Factor de potencia de entrada.
DATOS: R=10 ; VLS=208V; f=50Hz
Solucin:
VLS
VFS = = 120,1V Vmax = 2VFS = 169,83V (Tensinmximade fase)
3
Como sabemos que el valor normalizado de la tensin media en la carga es Vn(dc)=0,5 (50%),
podemos calcular el valor de la tensin media en la carga:
3 3Vmax Vdc
Vdc = = 280,9V Vn (dc ) = Vdc = (0,5)(280,9) = 140,5V
Vdc
a) El valor mnimo de tensin media en la carga que podemos obtener para corriente continuada
ser el correspondiente a =60:
Vdc (60 ) = 1,654Vmax Cos = (1,654)(169,83)Cos 60 = 140,5V
b) Como Vdc=Vdc(60), significa que el ngulo de disparo ser = 60.
c) Calculamos ahora la intensidad media en la carga:
Vdc 140,45
=
I dc = = 14,05 A
R 10
d) Para calcular la corriente eficaz en la carga, debemos saber primero el valor de la tensin
eficaz en la carga:



1 3 3
= 3Vmax
Vrms + Cos((2)(60)) = 159,29V
2 4
V 159,29
= rms =
I rms = 15,93 A
R 10
e) La corriente media que atraviesa cada tiristor ser:

I dc 14,05
I T (dc ) = = = 4,68 A
3 3
f) La corriente eficaz que atraviesa cada tiristor ser:
5 2
1 + 1
I T (rms ) =

6
6
+
3Vmax Sen t + 6 dt = I rms

3
= 9,2 A
g) El rendimiento de la rectificacin valdr:
=
Vdc I dc

=
(140,45)(14,05) = 0,778 (77,8% )
I rms
Vrms (159,29)(15,93)
h) Ahora calcularemos el factor de utilizacin del transformador:
5 2
V I 2 6 +
TUF = dc dc S = 3VFS I FS I S =
S
6 +
3Vmax Sen t + dt
6
2

I S = I rms = 13 A S = 3(120,1)(13) = 4683,9W
3
TUF =
(140,45)(14,05) = 0,421 (42,1% )
4683,9
i) El factor de potencia de entrada ser:
PC
PF = PC = (I rms
)2 R = (15,93)2 10 = 2537,6W
S
PF = 0,542 (en retraso )
El factor de potencia obtenido es menor que para un puente rectificador trifsico semicontrolado,
pero mayor que para un rectificador trifsico de media onda.
Estudio para un ngulo de retardo > 60:
- En caso de carga inductiva, el valor de la tensin en la carga se puede hacer negativo para
algunos tramos de un ciclo.
- Si tenemos una carga altamente inductiva y sin diodo volante, habr una corriente continuada
en la carga y aplicaremos las ecuaciones [E7.72] y [E7.74] para hallar la Vdc y la Vrms
respectivamente.

- Si tenemos carga altamente inductiva y diodo volante o la carga es resistiva, los tiristores
conducirn desde que se disparan (para >60) hasta que el valor instantneo de la tensin en
la carga sea cero. Por lo tanto tendremos corriente discontinua en la carga.
Fig 7. 53
Formas de onda del puente rectificador trifsico totalmente
controlado con carga inductiva y diodo volante para =90.
Podemos apreciar que no tenemos tensiones negativas en
la carga.
3 3

Vdc = v ab dt = 3Vmax Sen t + dt
6
+
6
+
6
3 3Vmax E 7.75
Vdc = 1 + Cos +
3
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Puente rectificador trifsico totalmente controlado

PROBLEMA 7. 24
Dado un puente rectificador trifsico totalmente controlado con carga RLE, y usando Pspice.
Obtener lo siguiente:
a) La representacin grfica de la tensin en la carga (vC), intensidad en la carga (iC), e

intensidad de entrada (iS).
b) Los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada iS, y el factor de potencia de
entrada PF.
DATOS: R=0,5; L=6,5mH; E=10V; VS=120V; f=50Hz; =60
Solucin:
Vmax = 2VS = 169,7V
Para =60, los tiempos de retardo aplicados a los tiristores sern:
t1 =
(90)(20msg ) = 5msg ; t2 =
(210)(20msg ) = 11,666msg ;
360 360
t3 =
(330)(20msg ) = 18,333msg ; t4 =
(270)(20msg ) = 15msg ;
360 360
t5 =
(30)(20msg ) = 1,666msg ; t6 =
(150)(20msg ) = 8,333msg
360 360
A continuacin se muestran el circuito a simular y su listado:
Problema7_24cir
7.7.7 PUENTE RECTIFICADOR TRIFSICO SEMICONTROLADO
Fig 7. 54
Montaje para el puente rectificador trifsico semicontrolado. Esta configuracin es usada en aplicaciones industriales de ms de 120kW en
las que se requiera que el convertidor trabaje en el primer cuadrante.
En la figura 7.55 se muestra la tensin entregada a la carga para distintos ngulos de disparo en un
puente rectificador trifsico totalmente controlado y en un puente rectificador trifsico
semicontrolado. La tensin instantnea en la carga se anula para =60, y se acenta ms a medida

que aumenta , por lo que la tensin media en la carga va de un mximo positivo para =0, hasta un
valor nulo para =180. El armnico fundamental de la tensin rectificada es de 150Hz, en caso de
redes de 50Hz.
Fig 7. 55
Comparacin de las tensiones proporcionadas a la carga para distintos ngulos de disparo:
a) Para el puente rectificador trifsico totalmente controlado.
b) Para el puente rectificador trifsico semicontrolado.
Dado un puente rectificador trifsico semicontrolado con carga resistiva, queremos

obtener una tensin media en la carga del 50% de la tensin mxima que se pueda obtener.
Calcular:
a) El mnimo valor de tensin media que se puede obtener para corriente continuada.
e) Corriente media que circula por cada tiristor.
f) Corriente eficaz que circula por cada tiristor.
i) Factor de potencia de entrada (PF).
DATOS: R = 10 ; VLS = 208V; f=50Hz

Solucin: Vdc(60) = 210,67V, =90, Idc = 14,05A, Irms=18,01A, IT(dc)=4,68A
IT(rms)=10,4A, 0(%)=60,8%, TUF(%)=37,2%, PF=0,612 (retraso).

PROBLEMA 7. 25
Dado un puente rectificador trifsico semicontrolado con carga RLE, y usando Pspice.
a) La representacin grfica de la tensin en la carga (vC), intensidad en la carga (iC), e

intensidad de entrada (iS).
b) Los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada iS, y el factor de potencia de
entrada PF. Comparar este factor de potencia con el obtenido en el problema 7.20 y
comentar el resultado.
DATOS: R=0,5 ; L=6,5mH; E=10V; VS=120V; f=50Hz; =60
Solucin:
Vmax = 2VS = 169,7V
Para =60, los tiempos de retardo aplicados a los tiristores sern:
t1 =
(90)(20msg ) = 5msg ; t2 =
(210)(20msg ) = 11,666msg ;
360 360
t3 =
(330)(20msg ) = 18,333msg ;
360
A continuacin se muestran el circuito a simular, su listado y las tensiones de puerta:
Problema7_25.cir
Podemos apreciar que en este caso (semicontrolado), el factor de potencia obtenido es superior al
calculado en el ejemplo anterior (totalmente controlado). Como sabemos, este factor indica la
cantidad de energa que se aprovecha con respecto a la fuente primaria. Esto hace que el
rectificador trifsico semicontrolado presente unas caractersticas muy interesantes para el
control de motores, y en igualdad de condiciones, incluso superiores al rectificador totalmente
controlado.
7.8 Conmutacin: El efecto de la inductancia del generador
Hasta ahora hemos considerado que cuando un tiristor se cebaba, el semiconductor se bloqueaba
instantneamente. Pero siempre hay inductancias en el circuito que no permiten variaciones tan
rpidas de las corrientes.

7.8.1 CONMUTACIN EN RECTIFICADORES MONOFSICOS CONTROLADOS

CON TRANSFORMADOR DE TOMA INTERMEDIA
Para este montaje vamos a representar el conjunto de las inductancias que actan en el circuito, por
dos inductancias iguales y colocadas cada una de ellas en serie con un tiristor:
Fig 7. 56
Montaje monofsico con transformador de toma intermedia
con reactancia de conmutacin.
Supongamos que est conduciendo T1 y que en el instante t0 cebamos el T2; la corriente en este
tiristor no puede aumentar instantneamente hasta el valor de la corriente constante IC que circula por
la carga. La inductancia LC1 provoca un aumento de tensin, mientras LC2 provoca una disminucin
de la tensin, de forma T1 y T2 conducen simultneamente hasta que iT1 se anule e iT2 sea igual a la
corriente IC, en el instante t1: iT1+iT2 =IC
Mientras los dos tiristores conducen simultneamente, la fuente de alimentacin est cortocircuitada.
Las tensiones en bornes de las inductancias de conmutacin sern:
di di
v LC1 = LC T 1 v LC 2 = LC T 2
dt dt
y como estas tensiones son iguales y de signo contrario:
diT 1 di
= T2
dt dt
Los dos tiristores tienen el ctodo al mismo potencial up, y la velocidad de variacin de la corriente
en los tiristores durante la conmutacin es:
di di di
u p = v1 LC T 1 = v 2 LC T 2 = v 2 + LC T 1
dt dt dt
di di di 1
2 LC T 2 = 2 LC T 1 = v 2 v1 T 2 = (v2 v1 )
dt dt dt 2 LC
La corriente en un tiristor, durante la conmutacin, variar tanto ms rpidamente cuanto mayor sea
la diferencia de tensin entre las dos fases en el instante dado y cuanto menor sea la inductancia de
conmutacin.
A veces es necesario conocer la duracin de la conmutacin. El intervalo de tiempo t1-t0 se expresa
por el ngulo, (ngulo de conmutacin). Para un grupo con cebado natural tenemos:
2X C IC
1 Cos =
2Vmax
Y para cebado controlado:
2 X C I C LC I C
Cos Cos ( + ) = =
2v max Vmax E 7.76

donde:
X C = LC = 2f Vmax = 2VS VS = V1 = V2
Cada de tensin debida a la conmutacin: En el circuito habr una prdida de tensin relacionada
con el funcionamiento sin conmutacin. Dicha prdida podemos apreciarla en la siguiente figura
(zona sombreada en vLC1), sabiendo que esta cada de tensin se corresponde con la tensin que se
pierde en cada tiristor:
Fig 7. 57
Formas de onda de las tensiones y las corrientes
con variacin de , en un rectificador monofsico
con transformador de toma intermedia.
La iC pasar del valor 0 al mximo IC.

IC
t1 di
t0 LC dt dt = LC iC 0
= LC I C
La conmutacin se produce dos veces por periodo, en el intervalo de tiempo:
2 1 1
=
2 2f
y la Vx (cada de tensin debida a la conmutacin) ser:
1 2 LC I C
VX = X C IC =
T E 7.77

PROBLEMA 7. 26
Dado un circuito rectificador de onda completa con transformador de toma intermedia, en el que
vamos a tener una corriente en la carga de 20A, y para un ngulo de retardo =40.
Calcular:
a) Tensin de prdidas en la conmutacin.

b) Tensin media que vamos a tener a la salida teniendo en cuenta la cada de tensin en la
conmutacin.
DATOS: L=1mH; IC=20A; VS=220V; f=50Hz; =40
Solucin:
a) Usando la ecuacin [E7.77], calculamos el valor de la V de prdidas en la conmutacin:
2 I C LC (2)(20)(1)(10 3 )
VX = = = 2V
T 1 50
b) Idealmente, la tensin que tendremos a la salida es:
2Vmax 2 (2 )(220)
Vdc = Cos = Cos 40 = 151,73V

Pero teniendo en cuenta la cada de tensin en la conmutacin:
Vdc ( salida ) = Vdc V X = 151,73 2 = 149,73V
7.8.2 CONMUTACIONES EN PUENTES RECTIFICADORES TRIFSICOS
En las figuras 7.58 y 7.59 se muestran, respectivamente el montaje y las formas de onda teniendo en
cuenta los efectos de la conmutacin.
Fig 7. 58
Esquema de un puente trifsico con reactancias de
conmutacin.
Para un puente rectificador trifsico, el ngulo de conmutacin vale, para =0:
2X C IC
1 Cos =
3Vmax
y para 0:
2X C IC
Cos Cos ( + ) =
3Vmax E 7.78
Cada de tensin debida a la conmutacin: La tensin perdida es la necesaria para hacer que la
corriente en cada semiconductor pase de 0 a IC:

t1 di

IC
LC dt = LC iC 0
= LC I C
t0
dt
Esta conmutacin se produce seis veces por perodo, es decir, en cada intervalo de tiempo de:
2 1 1
=
6 6f
por eso, si llamamos VX a la cada de tensin debida a la conmutacin:
3 6 LC I C
VX = X C IC =
T E 7.79
Fig 7. 59
Formas de onda de las tensiones y las corrientes con
variacin de , en un rectificador monofsico con
transformador de toma intermedia.
7.9 Factor de Potencia
El factor de potencia en rectificadores depender considerablemente del tipo de carga conectada. En

el caso de los controlados, nos encontramos con que presentan un factor inferior a 1, y a veces
bastante inferior.

7.9.1 FACTOR DE POTENCIA EN RECTIFICADORES MONOFSICOS
a) Con Carga Resistiva
Estudio para el puente totalmente controlado
El factor de potencia viene dado por el cociente entre la potencia suministrada a la carga (PC) y la
potencia aparente de la fuente (S):
V
P 'C = (I rms
) R = max I rms

2
S = Vrms I rms
2
PC
2 RI rms
PF = =
S Vmax E 7.80
V Sen2 Sen2
= max 1 +
I rms PF = 1 +
2R 2 2 E 7.81
Para el montaje no controlado (=0), el factor de potencia valdr 1.
Estudio del rectificador con transformador de toma intermedia
La principal diferencia entre este montaje y el puente rectificador, es que en aquel vamos a tener dos
fuentes de tensin (v1 y v2), as que la potencia aparente que proporciona el secundario ser:
S = S1+S2 S1 = S2 S = 2S1 S1 = V1(rms)I1(rms)
La intensidad eficaz I1(rms), ser igual que la suministrada por un rectificador monofsico controlado
de media onda, ya que cada fuente suministra corriente cada medio semiciclo.
I Sen2 Vmax I max Sen2

I 1(rms ) = max 1 + S = 2 1 +
2 2 2 2 2
Para calcular la potencia en la carga hay que saber el valor de Irms:
Sen2
1+ +

I rms
I
= max 2 P = 2(I )2 R
C rms
2 2
y el factor de potencia valdr:

Sen2
1 +
PC 2
PF = =
S 2 E 7.82
El factor de potencia para el secundario es inferior que para el primario del transformador, en una
relacin de 0,707. Esto significa que el transformador necesario tendra que ser mayor que el
utilizado para alimentar un puente rectificador.

PROBLEMA 7. 27
Una carga resistiva es alimentada por un rectificador monofsico controlado. El montaje consta
de un transformador reductor, cuyo primario ha sido conectado a una tensin de red VP = 480V,
50Hz. En el secundario vamos a tener una tensin mxima Vmax = 100V.
Calcular:
a) Para un puente rectificador monofsico controlado, determinar el factor de potencia.
b) Para un transformador de toma intermedia en el secundario, determinar la potencia
aparente en el primario y en el secundario.
c) Para un rectificador con transformador de toma intermedia, determinar el factor de
potencia.
DATOS: R=10; VP=480V; f=50Hz ; Vmax=100V; =45
Solucin:
a) El PF para el rectificador monofsico controlado lo hallamos con la [E7.81]:
45 Sen90
PF = 1 + = 0,9535
180 2
b) Primero hemos de calcular la Irms suministrada por cada una de las tensiones del
secundario para hallar la potencia aparente en el secundario:
Vmax 100 10 45 Sen90

I max = = = 10 A I rms = 1 + = 4,767 A
R 10 2 180 2
100
S S = 2 4,767 = 674V A
2
Para calcular la potencia aparente en el primario, antes debemos hallar la corriente eficaz en el
primario, y a su vez para calcular esta, hemos de determinar la intensidad mxima en el primario
mediante la relacin de transformacin del transformador:
I S (max ) VP 100 1,473

= I P (max ) = 10 = 1,473 I P =
0,9535 = 0,993 A
I P (max ) VS 2 (480) 2
Y la potencia aparente en el primario ser:
S P = (480 )(0,993) = 477V A

c) Para el PF del rectificador con transformador de toma intermedia usamos la [E7.82]:
45 Sen90
1 +
180 2
PF = = 0,674
2
b) Con Carga Altamente Inductiva
Estudio del puente rectificador monofsico totalmente controlado
Teniendo en cuenta que vamos a tener una corriente constante en la carga de valor IC, el factor de
potencia ser:

Vmax 2Vmax
PC = I C R Cos
2
S= IC IC =
E 7.83 2 E 7.84 R E 7.85
PC
PF = = 0,9Cos E 7.86
S
Cuando sea no controlado (=0), el factor de potencia vale 0,9 y por tanto es menor a la unidad.
Dicho factor respecto al primario ser igual que respecto al secundario, al ser las respectivas
potencias aparentes iguales.
7.9.2 FACTOR DE POTENCIA EN RECTIFICADORES POLIFSICOS
En la mayora de los casos en los que se trabaja con grandes cargas, se utilizan los puentes
rectificadores polifsicos. La carga suele tener carcter inductivo, as que la corriente que circule por
el sistema ser de valor constante IC. El estudio se realizar para un puente rectificador trifsico
respecto a la fuente de alimentacin.
Fig 7. 60
Formas de onda en un puente rectificador trifsico con carga
altamente inductiva. Se observa como la corriente de lnea de
la fase A podra comenzar /6 despus de que se haga cero
Van, si =0.
El estudio del factor de potencia se puede hacer sobre una fase. La tensin media por fase se calcula
integrando, eligiendo los lmites de integracin para el fragmento en el que la corriente no se hace
cero para cada semiciclo:
1 + 1 + 3Vmax I C
I CVmax Sen t dt = Cos

PC = I C v an dt =

3
+
3
+
6
E 7.87
El valor eficaz de la corriente para la fase A, la tensin eficaz y la potencia aparente sern:
2 Vmax
I rms = I C = 0,8165 I C Vrms = S(fase ) = Vrms I rms
3 2
y el factor de potencia ser:
PC 3
PF = = Cos
S E 7.88

Para =0, este factor no valdr la unidad porque la alimentacin que nos proporcionan las fases no
ser continuada durante todo el periodo.
Si tenemos diodo volante, no se producirn cambios para 60. Para >60, el diodo volante
conducir durante ciertos intervalos. Esto se a precia en la figura:
Fig 7. 61
Formas de onda en un puente rectificador trifsico con carga
altamente inductiva y diodo volante. Con diodo volante no
tendremos tensin instantnea negativa en la carga. La
corriente en la fase A se hace cero, en el momento en que vab
se anula para t=, dejando de valer cero para t=23+,
pasando a un valor nulo cuando vca se hace cerro para
t=4/3.
La potencia media se evala con la suma de las integrales de los dos intervalos de tiempo en los
cuales la corriente no se anula:
IC 4

PC = Vmax Sen t dt + 73 Sen t dt =

3
+
6 6 6
3Vmax I C
= 1 + Cos + para >

3 3

El intervalo de conduccin para los dos pulsos de la corriente de lnea en cada semiciclo tienen una
duracin total de (4/3)-2. As, la corriente eficaz ser:
4
2
3
I rms = IC

y el factor de potencia:
6
1 + Cos +
1
PF =
3 4
2
E 7.89
3


PROBLEMA 7. 28
Una carga RL altamente inductiva es alimentada por un puente rectificador trifsico totalmente
controlado. El montaje consta de diodo volante, y el valor de la tensin media en la carga varia
desde 1000V a 350V.
Calcular:
c) El rango de , para obtener la regulacin de la tensin media en la carga deseada.

d) El factor de potencia para Vdc=1000V.
e) El factor de potencia para Vdc=350V.
DATOS: R=10 ; VFS=480V; f=50Hz
Solucin:
a) Para Vdc=1000V, hallamos con la ecuacin [E7.72]:
Vmax = (480)(1,414 ) = 678,8V 1000 = (1,654 )(678,8)Cos = 27
para Vdc =350V, nos ayudamos de la ecuacin [E7.75]:
3 3
350 = (678,8)[1 + Cos ( + 60)] = 73,5

b) El PF para =27, lo hallamos con [E7.88]:
3
PF = Cos 27 = 0,85

c) Y para =73,75, usamos [E7.89]:
2,45 1
PF = (1 + Cos133,5) = 0,338
240 147
180

AGUILAR PEA, J. D.; MARTINEZ HERNNDEZ, F.; RUS CASAS, C. Electrnica de

Potencia, Convertidores AC-DC. Coleccin de apuntes 1995/96.12. Universidad de Jan.

BIRD , B. M.; KING, K. G.; PEDDER, D. A. G. An Introduction To Power Electronics. Secon

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Marcombo, 1992.
HERRANZ ACERO, G. Electrnica industrial II. Sistemas de Potencia. 2 Edicin. Servicio de

publicaciones Escuela Tcnica Superior de Telecomunicacin, 1990
LANDER, C.W. Power Electronics. Second Edition. Mcgraw-hill Book Company, 1987.

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PINTADO, R. Electrnica y Automtica Industriales. Serie: Mundo Electrnico. Marcombo,

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RASHID, M. H. Spice for power electronics and electric power. Prentice Hall International, 1993.
SGUIER, G. Electrnica de potencia: los convertidores estticos de energa. Conversin Alterna-

Continua. Ed. Gustavo Gili. Barcelona, 1986. ISBN 84-252-1277-4

POTENCIA

Conmutacin de la inductancia del generador. Fuentes de alimentacin reguladas:
Configuracin, circuitos integrados

jaguilar@ujaen.es
8.1 Introduccin 1
8.2 Finalidad 1
8.3 Filtro por condensador 2

Anlisis aproximado del filtro por condensador 2
Tiempos de conduccin y no conduccin 4
Clculo de la intensidad de pico por el diodo 6
8.4 Filtro por bobina 11
8.5 Filtro LC 14
8.6 Curvas de regulacin 19
8.7 Fuentes reguladas 20
8.8 Regulador en serie 22

8.8.1 Elementos del regulador en serie 23
A) Elemento de referencia 23
B) Elemento de muestra 24
C) Elemento comparador 24
D) Amplificador de la seal de error 25
E) Elemento de control 25
8.9 Reguladores de tres terminales 26

8.9.1 Caractersticas 28
8.9.2 Reguladores de tensin ajustable tri-terminal 29
TEMA 8: FILTRADO Y FUENTES REGULADAS
8.1 Introduccin
Los filtros son circuitos que se colocan entre la salida del rectificador y la impedancia de la carga,
con el objeto de separar las componentes de corriente alterna de las de corriente continua contenidas
en la seal aplicada por el rectificador a la entrada del filtro, y evitar que las primeras alcancen la
carga.
Estos circuitos se realizan con impedancias serie (bobinas) que ofrecen alta impedancia a la
componente alterna de salida del rectificador, y condensadores en paralelo que cortocircuitan las
componentes de corriente alterna entre terminales de la carga.
La accin de los filtros, a pesar de las inevitables prdidas que introducen en el proceso de
rectificacin, aumenta el rendimiento de la rectificacin, obtenindose corrientes continuas ms
uniformes con menores componentes de corriente alterna.
La utilizacin de circuitos de filtro se reduce a sistemas rectificadores de baja potencia y, rara vez,
para circuitos ms complejos que sistemas monofsicos de onda completa. La razn es que los
componentes de los circuitos filtro (bobinas y condensadores), para potencias elevadas, resultaran
exagerados en cuanto a volumen y precio.
Para la obtencin de corrientes continuas, casi exentas de ondulacin y de elevada potencia, se

recurre a sistemas rectificadores ms elaborados, como circuitos trifsicos de onda completa,
circuitos en doble estrella con bobina compensadora, etc.
8.2 Finalidad
Las tensiones de salida de los rectificadores monofsicos estudiados en los convertidores ac-dc, se
muestran en la siguiente figura:
Fig 8. 1
Tensiones de salida de los rectificadores
monofsicos.
Las expresiones analticas de dichas formas de onda, calculadas mediante el desarrollo en serie de
Fourier son:
Media onda Onda completa

1 1 2 Coskt 2 4 Coskt
V = Vmx + Sent
k = 2, 4... (k + 1)(k 1)
VS 1 = Vmx
2 k = 2, 4... (k + 1)(k 1)
1
S
2
Escribiendo los primeros trminos:
Vmax 1 2 2Vmax 4 4
V = + Vmax Sent Cos 2t... VS 1 = Vmax Cos 2t + Cos 4t...
3 3 15
1
S
2 2
A continuacin, y con la ayuda de las siguientes figuras podemos apreciar los espectros de ambas
ondas:

Fig 8. 2
Espectros de
las tensiones
de salida.
En ellas vemos que el valor medio (componente continua), en ambos casos es el valor previamente
Vm 2 Vm
calculado, y respectivamente. Tambin vemos el peso de las distintas componentes

armnicas. Por ejemplo, en el de media onda, el fundamental es de frecuencia y de amplitud el
50% del valor de pico. En el de onda completa el fundamental es de frecuencia 2 y de amplitud
alrededor del 40% del valor mximo.
8.3 Filtro por condensador

Con frecuencia el filtrado se efecta colocando un condensador en paralelo con la carga. El
condensador almacena energa durante el periodo de conduccin y la cede posteriormente durante el
periodo de no conduccin de los elementos rectificadores. Las ventajas de este tipo de filtro son:
- Pequeo rizado.
- Tensin de salida alta con intensidades pequeas.
Y los inconvenientes:
- Mala regulacin y rizado alto con intensidades grandes.
- Picos de corriente muy elevados que deben soportar los diodos durante el tiempo total de
conduccin.
- Picos ms elevados cuanto mayor sea la capacidad del condensador.
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Fig 8. 3 Rectificador de onda completa con filtro de condensador
Anlisis aproximado del filtro por condensador
Es posible hacer varias aproximaciones razonables que permiten resolver analticamente el problema.
Este anlisis es suficientemente preciso para la mayor parte de las aplicaciones en ingeniera.

Supongamos que la forma de onda de la tensin de salida de un circuito de onda completa con filtro
por condensador, puede aproximarse por una curva quebrada constituida por tramos lineales. Durante
T1 se carga el condensador mientras conducen los elementos rectificadores y durante T2 se descarga
a travs de la carga durante el tiempo de no conduccin de los elementos rectificadores. En T1 la
tensin nodo-ctodo es positiva mientras que en T2 es negativa.
Analiza que ocurre con los diodos durante estos tiempos y como estn polarizados.
El valor de pico de esta onda es Vm, tensin mxima en el transformador. Si denominamos Vr a la

tensin total de descarga del condensador (es decir, el rizado de la tensin de salida), el valor medio
de la tensin es:
Vr
Vcc = Vm
2
Fig 8. 4 Aproximacin lineal de la forma de onda de salida de un circuito de onda completa con filtro por condensador.
Eliminando la componente continua de la onda, obtenemos la forma de onda que se representa en la

figura anterior (b). El valor eficaz de esta onda triangular es independiente de las pendientes o
longitudes de los tramos rectos, y depende exclusivamente del valor de pico. Se puede demostrar que
la tensin eficaz de rizado resulta ser: [Millman]
Vr
Vef =
2 3
Sin embargo, es necesario expresar Vr en funcin de la corriente en la carga y la capacidad. Si T2

representa el tiempo total de no conduccin, el condensador, cuando se descarga a la intensidad
constante ICC, pierde una cantidad de carga igual a ICCT2. Por tanto, la variacin de la tensin en
bornes del condensador es (ICCT2)/C, es decir:
Q = CVr I CC T2
Vr =
Q = I CC T2 C
Cuanto mejor sea el filtro, menor ser el tiempo de conduccin T1, y T2 se aproximar ms al valor
del semiperiodo. Por tanto vamos a suponer para el caso de rectificador onda completa que
T2=T/2=1/2f, siendo f la frecuencia de la red. As que:
I CC Vef I CC 100 1
Vr = r% = = = 100
2 fC VCC 4 3 fCVCC 4 3 fCR L

I CC
VCC = Vm
4 fC E 8. 1
Se ve que el rizado es inversamente proporcional a la resistencia de carga y a la capacidad. La

resistencia efectiva de salida R0 de la fuente de alimentacin es igual al factor que multiplica a ICC en
la ltima ecuacin mostrada, es decir R0=1/4fC. Esta resistencia de salida vara inversamente con la
capacidad. Por tanto, para conseguir que el rizado sea pequeo y la regulacin buena, deben
emplearse capacidades muy grandes. El tipo de condensador ms comn para estos filtros es el
electroltico.
Durante el pequeo tiempo de conduccin de los elementos rectificadores (T1), se debe proporcionar
toda la intensidad de la fuente, puesto que el condensador slo cede y almacena energa, de ah los
grandes picos de intensidad que deben soportar los elementos rectificadores. Para limitar dichos picos
se suele colocar una resistencia entre el elemento rectificador y el condensador, llamada resistencia
limitadora RS, que suele tener un valor comprendido entre el 1% y el 10% de la resistencia de carga.
Tiempos de conduccin y no conduccin
1- Conduccin del diodo: si despreciamos la cada en el diodo, la tensin del transformador

aparece directamente sobre la carga.
Fig 8. 5
Rectificador de media onda con filtro por
condensador.
Por eso la tensin de salida es Vo=VmSent. Inmediatamente surge una pregunta: durante qu
intervalo de tiempo es aplicable esta ecuacin? En otros trminos, durante qu fraccin de cada
ciclo conduce el diodo? El punto en el que el diodo empieza a conducir se denomina punto umbral, y
aquel en el que deja de conducir punto de corte. Calcularemos en primer lugar la expresin de la
corriente que circula por el diodo, y el instante en que esta corriente vale cero estar el punto de
corte.
La expresin de la corriente por el diodo se obtiene inmediatamente. Al ser la tensin del
transformador sinusoidal y aparecer directamente en bornes de RL y C que estn en paralelo, se
calcula la corriente fasorial I, multiplicando la tensin fasorial V por la admitancia compleja
(1/RL)+jC. Por tanto:
1

1 2
2
1
I = + jC V = + C tg CR L V
2 2 1
RL RL

Como V tiene un valor de pico Vm, la corriente instantnea ser:
1
1 2
i = Vm 2 C 2 + 2 Sen(t + )
RL E 8. 2
Siendo:
= tg 1CRL

Esta expresin muestra que, si se utiliza una capacidad grande para mejorar el filtrado para una carga
RL dada, la corriente por el diodo, i, tiene un valor de pico muy elevado. La corriente por el diodo
tiene la forma representada en la figura siguiente:
Fig 8. 6
Grfico terico de la corriente por el diodo y la tensin de salida
en un rectificador de media onda con filtro por condensador.
Para una corriente media de carga especificada, la corriente por el diodo ser ms aguda y el periodo
de conduccin de los diodos disminuir conforme el condensador sea ms grande.
Conviene insistir en que el filtro por condensador puede imponer condiciones muy exigentes sobre el
diodo rectificador, puesto que la corriente media puede ser inferior al lmite mximo del diodo, pero
puede suceder que la corriente de pico fuera muy grande.
El instante de corte t1 se calcula igualando a cero la corriente por el diodo. De la ecuacin [E 8.2]:
0 = Sen(t1 + )
es decir,
t1 + = n
siendo n cualquier entero positivo o negativo. El valor de t1 indicado en la figura en el primer
semiciclo corresponde a n=1:
t1 = = tg 1CRL
E 8. 3
2- No conduccin del diodo: en el intervalo entre el instante de corte t1 y el umbral t2, el diodo no
conduce, y el condensador se descarga a travs de la resistencia de carga con una constante de
tiempo CRL. Por tanto, la tensin del condensador (igual a la de la carga) es:
t
vo = Ae CRL
E 8. 4
Para determinar el valor de la constante A que aparece en esta expresin, observemos en la figura 4.7
que en el instante t = t1, instante de corte:
t1
vo = vi = Vm Sent1 A = (Vm Sent1 )e CRL
As que la ecuacin [E 8.4] toma la forma:

(t t1 )
vo = (Vm Sent1 )e CRL
Puesto que t1 se conoce de la ecuacin [E 8.3], puede dibujarse Vm en funcin del tiempo. En la figura
4.7 se representa esta curva exponencial, y donde corta a la curva senoidal VmSent (en el ciclo
siguiente) es el umbral t2. La validez de esta afirmacin se comprueba observando que en un instante
de tiempo superior a t2, la tensin en el transformador vi (curva senoidal) es superior a la del
condensador vo (curva exponencial). Como la tensin del diodo es v = vi-vo, v ser positiva para
valores superiores a t2 y el diodo empezar a conducir. Por tanto, t2 es el punto umbral.

Clculo de la intensidad de pico por el diodo
Llamaremos por comodidad a t1 ngulo de inicio de la descarga del condensador y a t2 inicio de

la conduccin del diodo .
Cmo podemos calcular el valor exacto de ?
Cuando la tensin del generador vuelve a alcanzar el valor de la tensin de salida en el periodo
siguiente, el diodo vuelve a polarizarse en directa y la tensin de salida vuelve a ser igual a la del
generador. El ngulo en el que el diodo conduce en el segundo periodo, t = 2+, es el punto en el
que el generador sinusoidal alcanza el mismo valor que la salida exponencial atenuada:
Vm sen (2 + ) = (Vm sen ) e (2 + ) / RC

o
sen ( ) (sen ) e (2 + ) / RC = 0
E 8. 5
La ecuacin anterior debe resolverse numricamente para obtener .

La corriente en la resistencia se calcula a partir de iR = v0/R; y la corriente en el condensador, a partir
de:
dv0 (t )
iC (t ) = C
dt
que tambin se puede expresar utilizando t como variable:
dv0 (t )
iC (t ) = C
d (t )
Utilizando la expresin:
Vm sent diodo en conduccin

v0 (t ) = (t ) / RC
V e diodo al corte E 8. 6
Vm sen (t ) / RC para t 2 +
R e (diodo al corte)

iC (t ) = E 8. 7
CV cos(t ) para 2 + t 2 +
m
(diodo en conduccin)
La corriente del generador, que es igual a la corriente del diodo, es: iS = iD = iR + iC
La corriente media del condensador es cero, por lo que la corriente media del diodo es igual a la
corriente media en la carga. Ya que el diodo conduce durante un periodo corto de tiempo en cada
ciclo, la corriente de pico del diodo es generalmente mucho mayor que la corriente media del mismo.
La corriente de pico del condensador se produce cuando el diodo entra en conduccin en t = 2 + .
A partir de ecuacin [E 8.7]:
I C , pico = CVm cos(2 + ) = CVm cos
La corriente en la resistencia para t = 2 + se obtiene:
Vm sen(2 + ) Vm sen
i R (2 + ) = =
R R

La corriente de pico del diodo es:

Vm sen sen
I D , pico = CVm cos + = Vm C cos +
R R E 8. 8
La eficacia del filtro de condensador se determina mediante la variacin en la tensin de salida, lo

que puede expresarse como la diferencia entre la tensin mxima y mnima de salida, que es la
tensin de rizado de pico a pico. Para el rectificador de media onda de la figura 8.5, la tensin
mxima de salida es Vm. La tensin mnima de salida tiene lugar en t = 2 + , y puede calcularse
mediante Vmsen(). El rizado de pico a pico se expresa de la forma siguiente:
V0 = Vm Vm sen = Vm (1 sen )
E 8. 9
En los circuitos en los que el condensador se selecciona para proporcionar una tensin continua de
salida casi constante, la constante de tiempo R-C es grande comparada con el periodo de la onda
sinusoidal y se aplica la ecuacin:

y Vm sen Vm
2
Adems, el diodo entra en conduccin en un punto cercano al pico de la onda sinusoidal cuando
/2. La variacin en la tensin de salida cuando el diodo est al corte se describe en la ecuacin [E8.6].
Si V0 Vm y /2, entonces la ecuacin [E8.6] evaluada para = /2 es:
v0 (2 + ) Vm e (2 + / 2 / 2 ) / CR = Vm e 2 / RC
La tensin de rizado puede entonces aproximarse como:
V0 Vm Vm e 2 / RC = Vm (1 e 2 / RC )
E 8.10
Adems, la funcin exponencial de la ecuacin anterior puede ser aproximada por la expansin en
serie:
2
e 2 / RC 1
RC
Sustituyendo la funcin exponencial en la ecuacin [E8.9], el rizado de pico a pico ser
aproximadamente igual a:
2 Vm
V0 Vm =
RC fRC
El rizado de la tensin de salida se reduce incrementando el condensador de filtro C. A medida que C

aumenta, el intervalo de conduccin del diodo disminuye. Por tanto, incrementar la capacidad para
reducir el rizado de tensin de salida resultar en una mayor corriente de pico en el diodo.
PROBLEMA 8.1
El rectificador de media onda de la figura utiliza un generador de 120 Vrms a 60Hz, R = 500 y
C = 100F. Calcular:
a) Una expresin para la tensin de salida.

b) La variacin de la tensin de pico a pico en la salida
c) Una expresin para la corriente del condensador
d) La corriente de pico del diodo
e) C para que V0 sea 1% de Vm


Solucin:
A partir de los parmetros dados

Vm = 120 2 = 169,7V
RC = (2 60) (500) (10)4 = 18.85rad
El ngulo se determina con la ecuacin: = tan 1 ( RC ) = tan 1 (RC ) +
= tan 1 (18,85) + = 1,62rad = 93

Vm sen = 169,5V
El ngulo se determina a partir de la ecuacin [E8. 5]:
sen ( ) (sen 1,62) e (2 + 1, 62 ) / 18,85 = 0 = 0,843rad = 48

(a) La tensin de salida:
169,7 sen(t ) 2 + t 2 +
v0 (t ) = (t 1, 62 ) / 18 ,85
169,5e t 2 +
(b) La tensin de pico a pico:
V0 = Vm (1 sen ) = 169,7(1 sen(0,843)) = 43V
(c) La corriente del condensador:
0,339e (t 1,62 ) / 18,85 A t 2 +

iC (t ) =
6,4 cos(t )A 2 + t 2 +
(d) La corriente de pico del diodo:
sen(0,843)
I D , pico = 2 (120) 370(10) cos(0,843) +
4
= 4,26 + 0,34 = 4,5 A
500
(e) Para V0 = 0,001Vm :
Vm Vm 1
C = = F = 3333F
fRV0 60 500 0,01Vm 300
Observe que la corriente de pico del diodo se puede determinar mediante la ecuacin [E8. 8],
utilizando un valor estimado de a partir de la ecuacin [E8. 9]:
V0 1
sen 1 1 = sen 1 1 = 81,9
Vm fRC
De acuerdo con la ecuacin [E8. 8], la corriente de pico del diodo es 30,4


Problema8_1: RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CARGA RC (halfrc.cir)

VS 1 0 SIN(0 169.7 60)
D 1 2 DMOD
R 2 0 500
C 2 0 100UF IC=0
.MODEL DMOD D
.TRAN .01MS 50MS 0 50uS UIC
.PROBE
.OPTIONS RELTOL=.0000001
.END
[Hart]
PROBLEMA 8.2
Se desea disear a partir de la red (220V-50Hz.) un rectificador en puente Graetz, con filtro por
condensador que proporcione una tensin continua de salida de 9V con respecto a masa y una
corriente aproximada de 1A. El factor de rizado no debe ser superior al 5%.
a) Esquema del circuito.

b) Calcular el condensador con algunas aproximaciones.
c) Determinar la relacin de espiras del elemento transformador.
d) Hallar la resistencia efectiva de salida despreciando las del transformador, resistencia
limitadora y diodos.
Solucin: C = 6415F; n2 / n1 = 0,03; RSAL = 0,77
PROBLEMA 8.3
Se necesita una tensin de c.c. cuyo valor mnimo nunca sea inferior a 28V con una tensin de
red variable entre 190Vef y 240Vef, una corriente mxima de 5A de c.c. y una ondulacin no
superior a 4V entre picos.
Solucin:
A continuacin vamos a hacer un estudio prctico ms exhaustivo con algunas aproximaciones:
Empezamos observando que el campo de variacin en valores porcentuales de la tensin de la

red est comprendido entre el 86,5% y el 109,1% y que el procedimiento a seguir ser el clculo
del valor del condensador del filtro y, de ste, al del rectificador y del transformador. La
capacidad de C ser:
tI M (10)2 (5)
C= = = 12500F
V 4
Pero ste ser el valor mnimo para que )V no supere los 4V entre picos, lo que significa que C
podr obtenerse con tres condensadores conectados en paralelo de 4700F para un total terico
de 14100F. Esto previene que una posible disminucin de la capacidad total aumente la V a
ms de 4V entre picos, siempre que esta disminucin no sea superior al 11%
(0,8914100=12549F). Sin embargo, tampoco hay que olvidar que la ondulacin real es menor
que la calculada (ver figura 8.8) y gracias a esto, an hay otro margen de seguridad adicional.



Los 28V mnimos se convierten en 32V de pico si se tiene en cuenta la mxima ondulacin y en
35V si tambin se tienen en cuenta las cadas en los diodos del puente de Graetz, que es el
rectificador ms adecuado en esta realizacin, por tratarse de una fuente de tensin simple. Pero
los 35V deben corresponder a la tensin de red del 86,5%. Sin considerar an las prdidas en el
transformador, la tensin de su secundario deber ser:
35
= 40,5V
0,865
Fig 8. 8 Proceso de rizado en un circuito rectificador de onda completa y magnitudes que caracterizan la propia onda.
Suponiendo que la corriente en la carga sea bastante superior a la mitad de la que puede
suministrar el transformador, es razonable asumir que las prdidas producidas en el mismo al
aplicar la carga sean del orden del 15% o, considerndolo de otro modo, que la tensin con la
carga mxima sea el 85% de la tensin en vaco, lo que lleva finalmente a una tensin de pico de
secundario en vaco de:
40,5
= 47,7V de pico
0,85
que ser igual a 33,8V eficaces, que es la que interesa en la eleccin del transformador.
Si la tensin de la red fuese el 9% superior al valor nominal tal y como se ha supuesto en los
datos iniciales, la tensin de pico con carga del secundario sera de 40,5109=44,2V de pico. Este
valor servir para fijar las caractersticas de los diodos del puente, pero antes es necesario
establecer qu V se tendr con la capacidad antes considerada de 14100F:
V =
tI M
=
(10) (5)
2
= 3,6V
C (14100)10 6
as que, llamando t al tiempo de conduccin de los diodos:
44,2 3,6
t = 90 arcsen = 90 arcsen0,919 = 23
44,2
y finalmente tendremos que:
180 180
I PM = I M =5 = 39 A de pico mxima
t 23
En consecuencia, los diodos del puente rectificador debern soportar una corriente directa de
trabajo, o repetitiva de pico, considerando un 30% de seguridad por las dispersiones de las
caractersticas, de 1,339 = 50A y una corriente directa de por lo menos 1,35=6,5A. Dada la gran
diferencia entre ambas corrientes, ser aconsejable adoptar un puente de 10A.
se aconseja intentar hacer el clculo ms exhaustivo visto anteriormente en texto y

comparar con esta aproximacin



La tensin de trabajo inversa de pico de los diodos corresponder a la situacin de mxima
tensin de la red con carga nula, o sea sin prdidas ni cadas de tensin en el transformador.
Antes se ha calculado que la tensin de pico en vaco para el 85% de la tensin de la red era de
47,7V, por lo que, con una tensin de red nominal de 220V, esta tensin ser de 56,1V y, en el
peor de los casos, o sea de 1,09 veces la tensin nominal, da como resultado una tensin de pico
de 56,11,09 = 61V de tensin de trabajo inversa de pico.
Para mayor seguridad se adoptar un puente de tensin de trabajo inversa por lo menos un 20%
mayor, o sea de unos 75V, que comercialmente ser de 100V.
Por tanto, una simple consideracin de orden prctico sugiere que hay que elegir diodos con una
tensin inversa de hoja de caractersticas que sea del orden del doble de la calculada, como
tambin se haba visto anteriormente.
El puente necesitar una aleta de refrigeracin porque tiene que disipar una potencia de 2VDIM =
21,56,5 = 19W.
La tensin aproximada de trabajo del condensador ser de 61V y, por tanto, una tensin
normalizada de 63V ser suficiente, aunque es aconsejable utilizar un condensador de 80
100V.
Finalmente, el transformador deber estar dimensionado para una potencia de 33,86,5=220VA.
8.4 Filtro por bobina [Millman]
El funcionamiento del filtro por inductancia se basa en la propiedad fundamental de este componente
de oponerse a cualquier variacin de la corriente, de forma que cualquier variacin brusca que
pudiera aparecer en un circuito sin inductancia se suaviza por el hecho de colocar este elemento en el
circuito.
A continuacin analizaremos el rectificador de onda completa con filtro por bobina. Supongamos que
como filtro de entrada se conecta un choque o inductancia a la salida de un rectificador de onda
completa. En la figura 8.9 (b) se muestran las formas de onda de la corriente en la carga que se
obtienen con y sin inductancia. Podemos calcular la solucin exacta de la ecuacin diferencial del
circuito, sin embargo, puesto que la corriente en la carga no se anula en ningn instante, es ahora ms
sencillo hallar una solucin aproximada. Los resultados sern suficientemente precisos para la
mayora de las aplicaciones, y desde luego mucho ms sencillos que la solucin exacta. La tensin
aplicada al circuito constituido por la resistencia de carga y el filtro por inductancia es la dada en la
ecuacin:

2 4 Coskt
K
V = Vm
par (k + 1)(k 1)

K =0
Fig 8. 9
a) Esquema de un rectificador de
onda completa con un choque
como filtro de entrada. b) Formas
de onda de la intensidad en la
carga para L= 0 y L 0.

Se puede observar, analizando el desarrollo de Fourier de un rectificador de onda completa, como en

el circuito equivalente slo existen elementos lineales, y que la tensin de entrada consta de una
batera 2Vm/ en serie con una fuente alterna cuya f.e.m. es (-4Vm/3)Cos2t. Segn la teora
elemental de circuitos, la corriente en la carga ser igual a:
2Vm 4Vm Cos (2t )

i=
(
RL 3 R 2 + 4 2 L2 12
L ) E 8.11
2L
siendo: tg =
RL
Fig 8. 10
Circuito equivalente de un rectificador de onda completa con una
bobina como filtro de entrada.
La ecuacin [E 8.11] es la expresin analtica de la curva de la corriente en la carga de la figura 4.9 (b).
La tensin en la carga es Vo= iRL.
El factor de rizado es:
4Vm 1
r= L (
3 2 R 2 + 4 2 L2 ) 1
2
=
2 RL 1
2Vm
(
3 2 R 2 + 4 2 L2
L ) 1
2
RL
y que podemos expresar como:
2 1
r= 1
3 2 2
1 + 4 L
2 2
2
RL
Esta expresin muestra que el filtrado mejora conforme disminuye la resistencia del circuito, o lo que
es lo mismo, conforme aumenta la corriente. Si la relacin 42L2/RL2 es grande frente a la unidad, el
factor de rizado se reduce a:
1 RL
r=
3 2 L E 8.12
Esta expresin muestra que, con cualquier carga, el rizado vara inversamente con la magnitud de la
inductancia. Adems, el rizado es ms pequeo cuanto menor es RL, es decir, cuanto mayor es la
corriente.

PROBLEMA 8.4
El rectificador monofsico en puente est alimentado de una fuente a 12V, 60Hz. La resistencia
de carga es R = 500 . Calcular el valor de un inductor en serie que limitar la corriente rms de
componente ondulatoria Ica a menos del 5% de Icd.
Solucin:
La impedancia de carga
Z = R + j (nL ) = R 2 + (nL ) n
2
nL
n = tan 1
R
y la corriente instantnea es
4Vm 1 1
i L (t ) = I cd 3 cos(2t 2 ) + 15 cos(4t 4 )...
R 2 + (nL )2 E 8.13
donde
Vcd Vm
I cd = =
R R
La ecuacin [E 8. 13] da el valor rms de la corriente de componente ondulatoria como:
(4Vm )2 1
2
(4Vm )2 1
2
= + + ...
2 2 [R 2 + (2L ) ] 3 2 2 [R 2 + (4L ) ] 15
2
2 2
I ca
Considerando nicamente la armnica de orden ms bajo (n = 2), tenemos:
4Vm 1
I ca =
2 R + (2L ) 3
2 2
Usando el valor de Icd y despus de simplificar, el factor de componente ondulatoria es:
I cs 0,4714
r= = = 0,05
I cd 1 + (2L / R )
2
Para R = 500 y f = 60Hz, el valor de inductancia se obtiene como:
L
0,4714 2 = 0,05 2 1 + 4 60 L = 6,55H
500 2
Tambin podramos haber utilizado la ecuacin [E 8. 12] y entonces:
1 500
0,05 = L = 6,25H
3 2 2 60 L
La diferencia procede de los trminos de orden ms elevado de la serie de Fourier que se han
despreciado.
Podemos apreciar qe una inductancia en la carga ofrece una alta impedancia para las corrientes
armnicas y acta como filtro para reducirlas. Sin embargo, esta inductancia introduce un retraso
de la corriente de carga con respecto al voltaje de entrada.

8.5 Filtro LC [Millman, Rashid]
Los dos tipos de filtros considerados pueden combinarse en uno solo dando como resultado el filtro
LC. Este filtro conjuga el menor rizado conforme aumenta la intensidad del filtro por bobina con el
menor rizado a pequeas intensidades del filtro por condensador. En la figura 8.11 se representa este
tipo de filtro. La inductancia presenta una impedancia serie grande a los armnicos, y el condensador
una impedancia en paralelo pequea. La corriente resultante por la carga se suaviza mucho ms
eficazmente que con el filtro L o C simples.
Un filtro LC resulta tanto ms eficaz cuanto mayor sea la reactancia de la bobina a la frecuencia
fundamental de ondulacin, con respecto al valor de la resistencia de carga, o cuanto menor sea el
valor de la reactancia del condensador, tambin con respecto a la misma resistencia de carga.
Debe de cumplirse que: XL >> RL y XC << RL XL >> XC
Fig 8. 11
Filtro LC.
Regulacin: La tensin se calcula inmediatamente al tomar, para la tensin que aparece en los
terminales AB del filtro de la figura 8.11, los dos primeros trminos del desarrollo en serie de Fourier
de la tensin de salida del rectificador, es decir, segn la figura 4.10:
2Vm 4Vm
v= Cos 2t
3 E 8.14
Los diodos se sustituyeron por una batera en serie con una fuente alterna de frecuencia doble de la
de la red industrial. Este circuito equivalente es idntico al que utilizamos para el rectificador de onda
completa con filtro por inductancia. Si despreciamos la resistencia hmica de la inductancia, la
tensin continua de salida es igual a la tensin continua de entrada, es decir:
2Vm
VCC =

Si la suma de las resistencias del diodo, transformador e inductancia la denominamos R:
2Vm
VCC = I CC R
E 8.15
Factor de rizado: Puesto que la misin del filtro es suprimir los armnicos en el sistema, la
reactancia de la bobina debe ser mucho ms grande que la de la combinacin en paralelo del
condensador y la resistencia. Esta ltima es pequea si la reactancia del condensador es mucho
menor que la resistencia de carga. Por tanto, se introduce muy poco error si suponemos que toda la
corriente alterna pasa por el condensador y ninguna por la resistencia. En este caso, la impedancia
total entre A y B es, aproximadamente XL = 2L, la reactancia de la bobina a la frecuencia del
segundo armnico. La corriente alterna que circula por el circuito es:

4Vm 1 2 1
I ef = = VCC
3 2 X L 3 XL E 8.16
habiendo despreciado la resistencia R en la ecuacin [E 8.15]. La tensin alterna en la carga (tensin de

rizado) es la tensin en bornes del condensador. Es decir:
2 X
Vef = I ef X C = VCC C
3 XL E 8.17
siendo XC = 1/2C la reactancia del condensador a la frecuencia del segundo armnico. Entonces, el
factor de rizado es igual a:
Vef 2 XC 2 1 1 2 1
r= = = =
VCC 3 XL 3 2C 2L 12 2 LC E 8.18
Se puede apreciar como el efecto de combinar la disminucin del rizado que produce el filtro por
inductancia conforme aumenta la carga y el aumento del mismo debido al filtro por condensador, es
un rizado constante, independiente de la carga.
Inductancia crtica: En el anlisis anterior hemos supuesto que la corriente circula por el circuito en
todo instante. Veamos lo que ocurre cuando no se utiliza la inductancia: la corriente circular por el
circuito del diodo durante una pequea parte del ciclo, y el condensador se cargar en cada ciclo a la
tensin de pico del transformador. Supongamos ahora que conectamos una inductancia pequea en el
circuito. Aunque el tiempo que circula la corriente por el diodo es algo mayor, puede an ocurrir el
corte. Conforme aumenta el valor de la inductancia, se llegar a un valor para el cual el circuito del
diodo suministrar continuamente corriente a la carga, desapareciendo el punto de corte. Este valor
de la inductancia se denomina inductancia crtica LC. En estas circunstancias, cada diodo conduce
durante un semiciclo, y la tensin de entrada al filtro tiene la forma dada por la ecuacin [E 8.14].
Solamente en este caso es vlida la teora del filtro LC desarrollada anteriormente.
En la figura 8.12, se ve que, si ha de circular corriente por el rectificador durante todo el ciclo, el pico
Ief2 de la componente alterna de la corriente no debe ser superior a la corriente continua, ICC
=VCC/RL. Por tanto, para que circule corriente por el diodo durante todo el ciclo, es necesario que:
VCC 2V 1
I ef 2 = CC
RL 3 XL
donde hemos empleado la ecuacin [E 8.16]. De donde:
2 RL
XL
3 E 8.19
Fig 8. 12
Corriente por el diodo en un circuito de onda completa
cuando se utiliza un filtro LC.

y el valor de la inductancia crtica es igual a:
RL
LC =
3 E 8.20
Estos valores de la inductancia crtica no han sido deducidos a partir de la tensin real de entrada,
sino a partir de una tensin aproximada constituida por una componente continua y el primer trmino
alterno del desarrollo en serie de Fourier de la tensin real de entrada. Sin embargo, al despreciar los
armnicos ms altos, se introduce un error apreciable en el clculo de la inductancia crtica. As, en
un diseo exigente es aconsejable aumentar el valor de LC calculado anteriormente en un 25%.
El efecto del corte se ilustra en la figura 8.13, que muestra la curva de regulacin del sistema para L
constante y una corriente de carga variable. Evidentemente, cuando la corriente es cero (RL infinita),
el filtro es del tipo por condensador y la tensin de salida es Vm. Conforme aumenta la corriente en la
carga, la tensin disminuye, hasta que en I = IC (la corriente a la que L = LC), la tensin de salida es
la correspondiente al filtro LC sin corte, es decir, 0,636Vm. Para valores de I mayores que IC, la
variacin de la tensin se debe a los efectos de las resistencias de los diferentes elementos del
circuito.
Fig 8. 13
Curva de regulacin de un rectificador con un filtro LC.
PROBLEMA 8.5
Un rectificador de onda completa ha de suministrar 100mA a 150V con un rizado inferior a 10V.
Calcular los elementos de un rectificador que, utilizando un solo filtro LC, verifique las
especificaciones establecidas.
Solucin:
La resistencia de carga efectiva es:

150
RL = = 1500
0,1
y el factor de rizado es:
10
r= = 0,066
150
Segn la ecuacin [E 8.20], y si f = 50Hz, la inductancia crtica para este filtro es:
1500
LC = = 1,59 H
3(2 50)
Segn la ecuacin [E 8.18], el producto LC debe ser como mnimo:
2 2
LC = = = 1,8 10 5
12r 12(0,066 )(100 )
2 2

Estos clculos dan los valores mnimos de L y LC que pueden emplearse para conseguir el
filtrado deseado. Los valores reales que se utilicen dependen de las inductancias y condensadores
existentes en el mercado. La conveniencia de emplear componentes comerciales tpicos se basa
en consideraciones de disponibilidad y econmicas. Puesto que pueden obtenerse fcilmente
choques de 10H que cumplan los lmites de corriente deseados, elegiremos esta inductancia. Por
tanto, el condensador debe ser de unos 2F.
PROBLEMA 8.6
En el circuito de la figura, la seal de onda completa presente a la entrada de la bobina tiene un

pico de 34V. Si la bobina tiene una resistencia de 25 .
a) El valor del voltaje de salida en continua.

b) El factor de rizado.
c) El valor eficaz de la componente alterna.
Solucin:
VSC (a la entrada de L ) 2Vm 2(34)

a) =
VSC RL VSC = = = 21,64V
X L + RL
21,64V
=
VSC 500 = 20,6V
25 + 500
2 1 2 1
r= = = 210 4 (0,02% )
12 (10)(50010 6 )(2 50)
b)
12 LC 2
c) ( )
Vef = rVSC = 210 4 (21,64 ) = 4,3mV
Veamos si se cumplen las condiciones, XL >> RL y XC << RL:
1
X L = L = (10)(2 50) = 3141,5; XC = = 6,36; RL = 500;
C
Por lo tanto, s se cumplirn dichas condiciones.

PROBLEMA 8.7
Un filtro LC se utiliza para reducir el contenido de componente ondulatoria del voltaje de salida
para un rectificador monofsico de onda completa. La resistencia de carga es R = 40 , la
inductancia de carga es L = 10mH y la frecuencia de la fuente es 60Hz (377 rad/s).
a) Calcular los valores Le y Ce de tal manera que el factor de componente ondulatoria de

voltaje de salida sea 10%.
b) Utilice Pspice para calcular las componentes de Fourier del voltaje de la corriente de
salida vL. Suponga parmetros de diodo IS = 1E-25, BV = 100V
Solucin:
(a) Para facilitar el paso de la corriente de componente ondulatoria de la armnica de rango

n a travs del capacitor del filtro, la impedancia de la carga debe ser mucho mayor que
la del capacitor:
1
R 2 + (nL ) >>
2
nC e
Esta condicin generalmente queda satisfecha mediante la relacin:
10
R 2 + (nL ) >>
2
nC e
y bajo esta condicin, el efecto de la carga ser despreciable. El valor rms de la componente
armnica de rango n, que aparecer en la salida, se puede encontrar utilizando la regla del divisor
de voltaje, y se expresa:
1 / (nC e ) 1
Von = Vn = V
(nLe ) 1 / (nC e ) (n ) Le C e 1 n
2
La cantidad total de voltaje de componente ondulatoria debida a todas las armnicas es:
1/ 2

Vca = Von2
n = 2, 4, 6...
Para un valor especificado de Vca y con el valor de Ce correspondiente , se puede calcular el
valor de Le. Podemos simplificar el clculo considerando slo la armnica dominante.
La segunda armnica es la dominante y su valor es V2 = 4Vm / 3 2 ( ) y el valor de cd,
Vcd=2Vm /
Para n = 2:
1
Vca = Vo 2 = V2
(2 ) 2
Le C e 1
El valor del capacitor ser:
10 10
R 2 + (nL ) = = 326 F
2
Ce =
2C e 4f R 2 + (4fL )
2
Y el factor de componente ondulatoria:
Vca V02 V2 1 2 1
r= = = = = 0,1
Vcd Vcd Vdc (4f ) Le C e 1
2
3 (4f ) Le C e 1
2


o bien:
(4f )2 Le C e 1 = 4,714 Le = 30,83mH
(b) Descripcin del circuito:
Problema8_7: PUENTE RECTIFICADOR MONOFSICO CON FILTRO LC

VS 1 0 SIN (0 169.7V 60HZ)
LE 3 8 30.83MH
CE 7 4 326UF
RX 8 7 80M ; Used to converge the solution
L 5 6 10MH
R 7 5 40
VX 6 4 DC 0V ; Voltage source to measure the output current
VY 1 2 DC 0V ; Voltage source to measure the input current
D1 2 3 DMOD ; Diode models
D2 4 0 DMOD
D3 0 3 DMOD
D4 4 2 DMOD
.MODEL DMOD D (IS=2.22E-15 BV=1800V) ; Diode model parameters
.TRAN 10US 50MS 33MS 1US ; Transient analysis
.FOUR 120HZ V(6,5) ; Fourier analysis of output voltage
.PROBE
.options ITL5=0 abstol = 1.000u reltol = .05 vntol = 0.01
.END
Los resultados de la simulacin Pspice son:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V(6,5)

1 1.200E+02 2.436E+00 1.000E+00 4.892E+00 0.000E+00
2 2.400E+02 2.779E-01 1.141E-01 2.610E+01 1.632E+01
3 3.600E+02 1.343E-01 5.512E-02 4.354E+00 -1.032E+01
4 4.800E+02 7.028E-02 2.885E-02 -3.531E+01 -5.488E+01
5 6.000E+02 3.928E-02 1.612E-02 -7.794E+01 -1.024E+02
6 7.200E+02 2.458E-02 1.009E-02 -1.143E+02 -1.437E+02
7 8.400E+02 1.745E-02 7.162E-03 -1.395E+02 -1.737E+02
8 9.600E+02 1.400E-02 5.747E-03 -1.564E+02 -1.955E+02
9 1.080E+03 1.189E-02 4.882E-03 -1.721E+02 -2.161E+02
Lo que verifica el diseo
8.6 Curvas de regulacin
Se ha visto que en cualquiera de los rectificadores estudiados, posean o no filtro, la tensin continua
sobre la carga depende de la corriente en sta, y disminuye al aumentar ICC. En estas condiciones
ideales en que se ha venido analizando el comportamiento de los rectificadores, esta variacin de VCC
con ICC es lineal y puede expresarse por medio de una expresin como:
VCC = VCC mx I CC rCC
En la que VCC mx es el valor de VCC en vaco y rCC representa la resistencia interna, que en continua
presenta el rectificador y que es la suma de las que posean los distintos elementos situados en serie.
La representacin de VCC en funcin de ICC da lugar a la llamada curva de regulacin del rectificador,
que en la prctica, no es una recta debido a la no constancia de las caractersticas de los elementos
que determinan rCC. Cuando menor es la pendiente de esta curva, ms constante es la tensin de
salida y ms se aproxima el rectificador a su modelo, el generador de corriente continua.

Para valorar esto se ha definido el tanto por ciento de regulacin, definido por la expresin:
VCC (vaco ) VCC (c arg a )

% de regulacin =
VCC (c arg a )
En la figura 8.14, se muestra la forma general de la curva de regulacin y en ella puede apreciarse
como su pendiente mide, en cada punto, la resistencia interna rCC antes citada:
Fig 8. 14
Curva de regulacin.
Al aplicar estos conceptos a los distintos tipos de rectificadores con filtro, aparecen curvas tpicas de
regulacin como las que se muestran en la figura 8.15. De ellas slo se destaca el punto anguloso de
la correspondiente al rectificador de doble onda con filtro L o LC. Este punto corresponde a la
corriente ICC que hace que la L del circuito resulte crtica. Si la carga ICC es inferior a la de este punto
crtico, resulta que L<LC, y el filtro acta ms bien como filtro por condensador.
Fig 8. 15
Curvas de regulacin tpicas.
Al disminuir ICC la tensin continua de salida tiende hacia Vm, como ocurre en todos los filtros que
contienen condensadores en paralelo. Por el contrario, si ICC es mayor que el valor crtico, el filtro
acta conforme a lo que se ha supuesto en su clculo y la expresin de la curva de regulacin,
linealizada ser:
2Vm
VCC = I CC (R2 + rd + rb )

expresin en la que rb representa la resistencia en corriente continua de la bobina.
8.7 Fuentes reguladas

Para convertir la tensin alterna en continua se utilizan los circuitos rectificadores. Sin embargo, la
tensin continua disponible a la salida del filtro del rectificador puede que no sea lo suficientemente
buena, debido al rizado, para una aplicacin particular o que vare su magnitud ante ciertos tipos de
perturbaciones que afecten al sistema, como pueden ser las variaciones de la carga o de temperatura.
En estos casos se precisan circuitos de estabilizacin o de regulacin para conseguir que la tensin
continua a utilizar sea lo ms constante posible.

Esencialmente, una fuente consta de 3 bloques (Fig. 8.16):

- Rectificador: convierte tensin alterna en una forma de onda pulsante de componentes
alternas y continuas.
- Filtro: asla la componente a.c. de la c.c.
- Regulador: establece niveles de tensin adecuados y mantiene la tensin o intensidad
regulada cte.
Fig 8. 16
Diagrama de bloques de una
fuente de alimentacin regulada.
La misin del regulador es contrarrestar la inestabilidad de la fuente primaria. Funciona como un

servomecanismo comparando el parmetro electrnico deseado en la carga con uno de referencia y
efecta los cambios necesarios para compensar las variaciones de la fuente primaria y las debidas a la
carga. Su tiempo de respuesta es finito y su error en la estabilidad es funcin de la ganancia del bucle
de la realimentacin. Un diagrama de bloques de un sistema regulador se muestra en la figura 8.17.
Fig 8. 17 Diagrama de bloques de un sistema regulador.
Los reguladores de tensin pueden ser:
Reguladores lineales (Fig. 8.18 a): Controlan la tensin de salida ajustando continuamente
la cada de tensin en un transistor de potencia conectado en serie entre la entrada no
regulada y la carga. Puesto que el transistor debe conducir corriente continuamente, opera en
su regin activa o lineal.
- Operan con c.c. a la entrada: VCC.
- Equivalen a una resistencia con valor de ajuste automtico.
- Basan su funcionamiento en la cada de tensin en elementos disipativos.
- Tienen bajo rendimiento.
Reguladores conmutados (Fig. 8.18 b): Utilizan un transistor de potencia como conmutador
de alta frecuencia, de tal manera que la energa se transfiere desde la entrada a la carga en
paquetes discretos. Los pulsos de intensidad se convierten despus a una corriente continua
mediante un filtro inductivo y capacitivo. Puesto que, cuando opera como conmutador, el
transistor consume menos potencia que en su regin lineal, estos reguladores son ms
eficientes (hasta el 80%) que los lineales; adems son ms pequeos y ligeros. El precio que
se paga por estas ventajas es una mayor complejidad del circuito y un mayor ruido de rizado.

- Conmutador que interrumpe la corriente en la fuente primaria a intervalos de

duracin variable.
- Tienen rendimiento elevado.
Fig 8. 18 Diagrama de bloques de un sistema regulador: a) Lineal y b) Conmutado.
www.ipes.ethz.ch
En la figura 8.17 presentamos un regulador lineal serie elemental con elementos

discretos, Sabras comentar cmo afecta una variacin de la tensin de salida
provocada por una variacin brusca de la carga sobre el funcionamiento del sistema
realimentado?
Los reguladores lineales pueden ser configuracin serie y paralelo. Comentaremos brevemente el
regulador serie por ser el ms empleado.
8.8 Regulador en serie
Esta configuracin suele utilizarse cuando la carga es grande.

En la figura 8.19 (a) vemos el diagrama de bloques de un regulador en serie.
Del diagrama deducimos que la potencia disipada ser:
VCONTROL = VC = Ve VS

ICONTROL = IC = IS

VS = cte; 0 IS Ismx PD = PC = (Ve VS)ISmx

VS = cte; IS = cte PD = PC = (Ve VS)IS
VS = 0 (cortocircuito) PD = PC = VSISmx (muy grande)
Fig 8. 19
Diagrama de bloques de un regulador:
a) En serie y b) En paralelo.
8.8.1 ELEMENTOS DEL REGULADOR EN SERIE
Una fuente de tensin regulada usa, normalmente, un circuito automtico de control que detecta las
variaciones de la tensin de salida y los corrige automticamente. Los elementos de un sistema de
control son:
A) Elemento de referencia
B) Elemento de muestra
C) Elemento comparador
D) Amplificacin de la seal de error.
E) Elemento de Control.
A) Elemento de referencia
Da una tensin de referencia lo ms estable posible, bajo un amplio margen de corriente de

funcionamiento.
Suele constar de un diodo Zener y su resistencia de polarizacin (Fig. 5.8.a).
Fig 8. 20
Elemento de referencia de un regulador serie.
De la figura obtenemos que:

VZ R
V S = I 1 R + V Z I 2 << I 1 V S = I z R + V Z = R + VZ VS = VZ + 1
RZ RZ
R V Z R Z V R
V S = V Z + 1 = R Z << R Z = Z 0
RZ V S R + R Z V S R
Por tanto, VZ vara poco con respecto a VS.
Un diodo Zener es el disposiivo ms barato y simple para obtener una tensin de referencia ms o
menos estable. Sin embargo, hay que adaptarse a los valores de tensiones Zener presentes en el
mercado (5.6V, 6.2V, 6.8V,), presenta fuerte deriva trmica y el ruido.
Los referencia de tensin basados en diodos Zener tienen valores a partir de 6 a 7 V que requieren en
los referencias de tensin monolticos tensiones de alimentacin de al menos 10V. Esto puede ser un
inconveniente en sistemas alimentados con tensiones ms bajas, tales como 5V.

Podemos solventar este problema utilizando algunos circuitos integrados existentes en el mercado.
En la figura 8. 21 se presenta el diagrama circuital de un referencia de tensin LM385, (National
Semiconductor) de 2.5V. Otros referencias de tensin son el AD580/581/584 de Analog Devices, el
MC1403/04 de Motorota y REF-01/-02/-05/-10 de Precision Monolihics.
Fig 8.21
Diagrama del referencia de
tensin bandgap LM385 de
2.5V y una aplicacin tpica
B) Elemento de muestra
Da una seal proporcional a la de la salida.

Suele ser un divisor de tensin resistivo, con un pequeo ajuste, situado a la salida de la fuente
(Fig. 8.22)
Fig 8. 22
Elemento de muestra de un regulador serie.
Los valores de R1, R2, P deben ser >> RL para evitar una posible fuga de corriente.
De la figura obtenemos que:
I 1 = I comp + I m I m >> I comp (despreciable) I 1 = I m

(1 ) P + R2 (1 ) P + R2
V m = I m [(1 ) P + R 2 ] = V S m =
R1 + R 2 + P R1 + R 2 + P
Vm = m V S
Para que el consumo del sistema de regulacin sea bajo: I m << I S max
C) Elemento comparador
Analiza en cada instante la seal proveniente del elemento de muestra con la fija de referencia de
forma que intenta equilibrar las variaciones producidas a la salida.

Generalmente deber ser un transistor o un amplificador operacional.

Con transistor (Fig 8.23.a): Si VS aumenta VBE aumenta IC del transistor es mayor
V m = mVs (VBE + VZ )
Vm = V BE + V R V BE = m V s V Z V s =
V R = VZ m
R1 + R2 + P
V s = (V BE + V Z )
(1 ) P + R2
Con amplificador operacional (Fig 8.23.b):

VZ R1 + R 2 + P
VZ = Vm = mVs Idealmente =0 V s = Vs = VZ
m (1 ) P + R2
R1 R1
R R
Al ampl.
+ P de error + P
Al ampl. P VS P VS
de error VBE (1)P =0 (1)P
Fig 8. 23
Elemento comparador de baja tensin de un
VZ Z Vm R2 VZ Z Vm R2 regulador serie. a) Con transistor y b) Con
amplificador operacional.
D) Amplificador de la seal de error
Est formado por un amplificador de acoplo directo, en muchos casos constituidos por un solo
transistor (Fig 8.24).
Fig 8. 24
Elemento amplificador de la seal de error de un regulador serie.
Este elemento amplifica las variaciones producidas en el comparador y las eleva a un nivel tal que
puedan excitar al bloque de control.
E) Elemento de control
Su misin es la de controlar las variaciones de la tensin de salida, aumentando o disminuyendo su
cada de tensin colector-emisor, as como la de permitir la circulacin de la corriente necesaria a la
salida. Su diseo puede ser una conexin Darlington con una resistencia R que se comporta como
una fuente de corriente constante (I) denominada Prerregulador (Fig 8.25.a).
Fig 8. 25
Elemento de control de un regulador serie.
I = I B + I AE = cte
I cte 2 I B max
Si Ve aumenta, Vs aumenta IAE varia IB y VCE disminuye Vs no varia.

Ve (Vs V BE )
R I cte = Ve (V s V BE ) R =
I cte
Una mejor solucin es usar un transistor con salida por colector como muestra la figura 8.25.b.
En la figura siguiente podemos ver una sencilla fuente de alimentacin regulada con A.O.:
Fig 8.26
Regulador de tensin en serie basado en un A.O.
Est constituido por un referencia de tensin y un A.O. que controla al Darlington (Q1 y Q2) de
potencia de salida. Los transistores de potencia tienen una VBE(on) 1V y el valor de hFE es
generalmente mucho menor que los transistores BJT de baja potencia (a veces tan baja como 10). Por
esta razn, el elemento de regulacin en serie se implementa generalmente con un par Darlington que
ofrece una ganancia en intensidad alta, tpicamente de 1000 o ms. En este circuito, el A.O. acta
como amplificador de error comparando la tensin de referencia (VREF) obtenida a partir de un
referencia de tensin con la obtenida a travs de la red de realimentacin formada por un R1 y R2.
Como en un AO ideal, Vn = Vp, la tensin de salida de este circuito es:
R
Vo = 1 + 2 V REF
R1
8.9 Reguladores de tres terminales
Hoy da, en el mercado, podemos encontrar una extensa gama de reguladores de tensin integrados.
Dentro de esta gama, los reguladores de tres terminales son muy populares debido a su simplicidad y
fcil aplicacin.
Los reguladores de tensin tpicos de tres terminales tienen un terminal para la entrada no regulada
(IN), la salida regulada (OUT) y tierra (COMMON) y estn ajustados para proporcionar una tensin
de salida constante tal como +5V o +15V o -15V. Dentro de esta categora se encuentra la serie
A78XX (posisitvos) o A79XX (negativos) de Fairchild. Los dos ltimos dgitos indicados por XX
indican la tensin de salida y pueden ser 05, 06, 08, 12, 15, 18 y 24 V. Las versiones de baja potencia
son accesibles en encapsulados de plstico y las de mayor potencia en encapsulados tipo TO-03 y
TO-220 metlicos con corrientes de salida superiores a 1A. Otros ejemplos de reguladores son el
LM340 y LM320 de National Semiconductor, serie MC79XX de Motorota y el LT1003 de Linear
Technology, este ltimo proporciona 5V y 5A de salida.

Fig 8. 27
Fuente de alimentacin basado en el
regulador de tensin.
a) positivo A7812
b) negativo A7912
Las figuras 8.27.a y 8.27.b describen dos ejemplos de utilizacin del regulador de tensin fija
A7812 y A7912 para obtener tensiones de salida reguladas de +12V y -12V, respectivamente. Los
condensadores C1 y C2 mejoran la respuesta transitoria del regulador. Cuando el regulador se
encuentra a cierta distancia del rectificador, C1 se desdobla en dos, uno conectado a la salida de los
diodos y otro conectado a la entrada del regulador (valor de 0.1 a 1F) para evitar oscilaciones no
deseadas.
PROBLEMA 8.8
Disear el regulador de la figura para una salida de 12V y 1A.
DATOS: 1=20; 2=3=100; VBE=0,7V;

Diodo Zener: 1N5523A, VZ = 5,1V; Zmax = 26 W, IZmax = 75mA; IZtest = 5mA; Vi=20 4V;
C=250mF.
Comprobar la regulacin de la tensin de salida para la variacin de la tensin de entrada, por

medio de Pspice.
Problema8_8.cir
Solucin:
Vb 3 = VZ + VBE = 5.8 V
Si quiero que pase 1mA por el divisor de tensin, R3, R4, IR3 = 1mA
Vb 3 Vsal Vb 3
R4 = = 5,8 k R3 = = 6,2 k
IR 3 IR 3
...


I = I b 2 max + I c 3 min
I c 1 min
I c 1 min = 1 A I b 1 = = 50 mA I e 1 = I b 1 = 50 mA
1
I e1
Ib2 = = 0,5 mA
2
Si Ic3 = 0,5mA, entonces: I = I b 2 + I c 3 = 1 mA
Vb 2 = Vsal + 2 VBE = 13,4V
Suponiendo que R1=R2:
Vent _ min Vb 2 Vent _ min Vb 2

R1 + R2 = R1 = R1 = R2 = 1,3k
I 2 I
Como Izmin=1mA, la IR5 = 0,5mA
Vsal VZ
R5 = = 13,8k
I R5
Las especificaciones de T1 son:
Vent_max = VCE 1 max + Vb 2 2 VBE VCE 1 max = Vent_max Vb 2 + 2 VBE = 12 V

I c 1 min
PDmax = VCE 1 max I c1 min = 12 W Ic 2 =
2
VCB1 max = VCE 1 max VBE = 11,3 V ; VCE 2 max = VCB1 max
PD 2 max = I c 2 VCE 2 max = 5,65 W
VCE 3ma x = Vb 2 VZ = 8,3V ; I c 3 max = I z min
PD 3 max = VCE 3 max I c 3 max = 8,3mW
8.9.1 CARACTERSTICAS
A continuacin se describen algunas especificaciones de los reguladores de tensin que aparecen en

las hojas de caractersticas:
Regulacin de lnea (line regulation). La regulacin de lnea es una medida de la capacidad del
circuito para mantener la tensin de salida bajo condiciones de variacin de entrada. En el caso de
reguladores de tensin, la entrada se obtiene generalmente a partir de la seal de la red y tiene un
rizado significativo. Si la tensin de entrada de baja calidad es Vi y la tensin de salida
estabilizada es Vo, la regulacin de lnea (Regline) se define como:

Vo
Vo V
Re g line = (mV / V ) Re g line = o (% / V )
Vi Vi
Regulacin de carga (load regulation). La regulacin de carga es una medida de la capacidad

del circuito para mantener la tensin de salida aunque cambie la corriente IL absorbida por la
carga. Si el circuito fuera una fuente de tensin ideal, su salida debera ser independiente de IL.
Por tanto, la regulacin de la carga est directamente relacionada con la resistencia de salida
equivalente del circuito. La regulacin de carga (Regload) se define como:
V NL VFL
V NL V FL V NL
Re g load = (mV / mA mV / A) Re g load = (% / mA % / A)
I L I L
donde VNL es la tensin de salida sin carga y VFL es la tensin de salida a mxima carga.
Tensin de referencia (reference voltage). Tensin de referencia del regulador utilizada para
ajustar la tensin de salida.
Corriente de ajuste (ajustment pin current). Corriente de salida por el terminal

ADJUSTMENT.
Corriente de salida mnima (minimun output current). Corriente mnima de salida por el
terminal OUT. Esta corriente debe ser asegurada para el correcto funcionamiento del regulador de
tensin.
Corriente de salida mxima (current limit). Mxima corriente de salida que puede proporcionar
el regulador antes de que se active el circuito de proteccin.
Tensin Dropout (dropout voltage). El voltaje de dropout es la mnima diferencia de

tensin entre la entrada y la salida dentro de la cual el circuito es todava capaz de regular la salida
dentro de las especificaciones. As, por ejemplo, para IL = 1A, el A7805 tiene un voltaje de
dropout de 2V (typ), 2.5V (max). Esto significa que para una salida garantizada de 5V, Vi debe
ser mayor que 7.5V. Los siguientes reguladores tienen un dropout de 0.6V: L487 y L4700
(SGS), LM2931 y LM2935 (National Semiconductor) y LT1020 (Linear Technology).
Tensin mxima diferencial entrada-salida (Input-Output Voltage Differential). Los

reguladores de tensin tienen limitado el mximo d tensiones de entrada y salida con que pueden
operar. Por ejemplo, el LM117 tiene una tensin diferencial entrada-salida (Input-Output Voltage
Differential) mxima Vi-Vo = 40V. Esto significa que si Vo = 1.25V, la tensin de entrada Vi no
debe superar los 41.25V.
MC7800 Se recomienda analizar la hoja del fabricante del 7800 as como

[8_1] los circuitos tpicos de aplicacin
8.9.2 REGULADORES DE TENSIN AJUSTABLE TRI-TERMINAL
Los reguladores ajustables de tres terminales permiten ajustar la tensin de salida a partir de
resistencias externas conectadas al terminal denominado ADJUSTMENT o ADJ. Uno de los ms
populares productos de este tipo es el LM317 (positivo) y LM337 (negativo) de National
Semiconductor capaces de proporcionar hasta 1.5A de corriente de salida. Otros ejemplos de
reguladores de tensin ajustables tri-terminal son el LM338 de National Semiconductor cuya
corriente de salida alcanza los 5A.

En la figura siguiente se presenta una aplicacin tpica del LM317.
Fig 8. 28
Aplicacin del LM317
El LM317 posee internamente una referencia de tensin tipo bangap que proporciona una
VREF=1.25V (tyo) entre los terminales OUT y ADJ y est polarizado por una fuente de corriente
estable de IADJ = 65A (typ). Analizando este circuito fcilmente se comprueba que:
R
Vo = 1 + 2 V REF + I ADJ R2
R1
Una buena aproximacin es considerar que la corriente IADJ (65A) es muy inferior a las corrientes
(mA) que circulan por las resistencias R1 y R2. Luego, la ecuacin anterior se transforma en:
R
Vo = 1 + 2 V REF
R1
Variando R2, Vo puede ser ajustado a cualquier valor dentro del rango 1.25VVo30V.
LM317
[8_2]
PROBLEMA 8.9
En la fuente de alimentacin siguiente, con un regulador integrado de tres terminales, calcular:

A) Tensin de entrada del regulador.
B) Disear el circuito de proteccin contra sobreintensidades y una red de aumento de corriente.
C) Calcular el disipador si fuese preciso.
DATOS:
Isal= 1,3 A; *Vsal=10mV; f = 50Hz; Vent(RMS)=12,6V
REGULADOR:
Vsal=5V; Isal=0,25 A; SVR=53..64dB; Rjc=12C/W; Vd =2V; Tj=150C; Rja=60C/W;
To-202
Problema8_9.cir
...


A) Tensin de entrada del regulador:
Con los datos del problema tomamos la tensin del secundario, siendo esta:
Vsmax = Vs 2 = 12,6 2 = 17,8 V
La tensin de pico mxima a la entrada del regulador ser:
Vent max = Vsmax 2 VT = 17,8 2 0,7 = 16,4 V
Como la tensin de rechazo al rizado es de 60dB la atenuacin, por tanto ser:

60
A = 10 20 = 1000
* Vent = 1000 * Vsal = 1000 10 10 3 = 10 V
La tensin de pico mnima a la entrada del regulador es:
Vent min = Vsal + Vd = 5 + 2 = 7
Para obtener la capacidad realizamos lo siguiente:
I T
C V = I DC T C = DC = 265 F
2 V 2
por lo tanto:
* Vent = Vent max Vent min = 16,4 7 = 9,4 V
Se observa que el rizado es grande ya que la capacidad es pequea, y estn tambin por debajo
del planteamiento inicial que era *Vent=10V. Obteniendo por medio de las hojas de
caractersticas del circuito, obtenemos una tensin de continua a la entrada del circuito integrado
es Vent=11,7V
B) Disear el circuito de proteccin contra sobreintensidades y una red de aumenta de corriente.
Teniendo en cuenta las siguientes suposiciones:
VBE1=0,6V =40
Y sabiendo:
I reg = 0,25 A I c1 = I sal I reg = 1,3 0,25 = 1,05 A
VBE 1
R1 = = 2,68
I c1
I reg

Las caractersticas del transistor T1 tienen que ser:
VCEmax = Vent max Vsal = 16,4 5 = 11,4 V
Ic=1,05 A PD=0,63W
A continuacin se calculara el circuito de proteccin utilizando el mtodo de corriente constante:


Vbe 2 0,6
R sc = = = 0,57
I c1 1,05
Vce=0,6V Ic2=1,05 A PD=12W
C) Calcular el disipador si fuese preciso.
Tj Ta 150 25
Psd = = = 2,08 W
R ja 60
PD = (Vent max Vsal ) I reg = 2,85 W
Luego se necesita un disipador.
Tj Ta 150 25
R ja = = = 43,85 C/W
PD 2,85
como:
R ja = R jc + R ca R ca = R ja + R jc = 43,85 12 = 31,85 C/W

R ca = R cd + R d R cd = 1,2 C/W
Se ha elegido un contacto con mica mas pasta de silicona, con lo que llegamos a la conclusin
de que:
R d = R ca R cd = 31,85 1,2 = 30,6 C/W
Algunas aplicaciones con este circuito integrado las podemos ver en las siguientes figuras
Fig 8.29
Regulador de corriente
Fig 8.30
Regulador de salida ajustable

Fig 8.31
Regulador de corriente Boost
Fig 8.32
Boost con circuito de proteccin
PROBLEMA 8.10
La figura siguiente muestra el esquema de una fuente de alimentacin doble basada en regulador
de tensin positivo A7905. Determinar la tensin de salida Vo1 y Vo2. Calcular la amplitud
mnima de salida del transformador (Vp) si ambos reguladores tienen un dropout de 2V
DATO: Vd = 0,7V; C1=470F; C2=100nF

PROBLEMA 8.11
En la figura se presenta un circuito prctico que utiliza el regulador de tensin LM317 para
proporcionar una tensin de salida Vo. Los condensadores C1, C2 y C3 eliminan la presencia de
rizado y los diodos D1 y D2 son de proteccin del regulador y que en condiciones normales
estn a corte.
Determinar la tensin de salida de este circuito.
DATOS: C1=1F; C2=10F; C3=1F; R1=240; R2=1,8k

CHILET et al. Fuentes de alimentacin lineales. Anlisis, diseo y simulacin. Universidad

Politcnica de Valencia. SPUPV 93.736.1993
MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. Pirmide S.A., Madrid,

1982.
MILLMAN, J.; HALKIAS, C. C. Dispositivos y Circuitos Electrnicos, Soluciones a los

Problemas. Pirmide S.A., Madrid, 1981.
BONNIN FORTALEZA, F. Fuentes de Alimentacin Reguladas Electrnicamente. Ed. Marcombo

S.A., Barcelona, 1980.
DEDE, E.; ESPI, J. Diseo de Circuitos y Sistemas Electrnicos. Ed. Marcombo S.A., Barcelona,
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RUIZ ROBREDO, G. Electrnica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores. Facultad de

ciencias, Universidad de Cantabria.
<http://grupos.unican.es/dyvci/ruizg/html.files/libroweb.html> [Consulta: 4 de julio de 2005]

POTENCIA

Introduccin. Convertidor reductor. Convertidor elevador. Convertidor reductor-
elevador

jaguilar@ujaen.es
9.1 Convertidores dc/dc conmutados. Concepto 1
9.1.1 Topologa general de un convertidor dc/dc. (Carga inductiva) 5

9.1.2 Ciclo de trabajo 8
9.2 Clasificacin de los convertidores dc/dc 9
9.3 Tipos de convertidores dc/dc. Topologas 10
9.3.1 Convertidores tipo A 10

Convertidor STEP-DOWN (reductor, directo) 10
Convertidor STEP-UP (elevador) 21
9.3.2 Convertidores tipo B 26
9.3.3 Convertidores tipo C 27
9.3.4 Convertidores tipo E 33
TEMA 9: CONVERTIDORES DC/DC
9.1 Convertidores dc/dc conmutados. Concepto

Un convertidor DC/DC es un sistema electrnico cuya misin es transformar una corriente continua
en otra de igual carcter pero diferente valor. Se puede encontrar un smil en alterna con los
transformadores y su relacin de transformacin.
Para introducirnos en el funcionamiento de los convertidores DC/DC, se considerar el circuito que
se recoge en la figura 9.1, conformado exclusivamente por un interruptor y una carga resistiva pura.
El interruptor se abre y se cierra siguiendo una seal de periodo T denominada periodo de
convertidor. El tiempo durante el cual el interruptor est cerrado, y por tanto la carga se encuentra
conectada a la fuente primaria de energa, se denominar tiempo de conduccin, TON. Por otro lado
el tiempo que el interruptor permanece abierto, dejando aislada la carga, se llamar tiempo de
bloqueo, TOFF. La suma de TON y TOFF, como se puede apreciar en la figura, da el periodo de
convertidor (T).
Cuando el interruptor S est cerrado, 0< t < TON, la tensin de la fuente se refleja en la carga,
provocando la circulacin de corriente a travs de ella. Si por el contrario S est abierto, TON < t < T,
el vnculo entre la fuente y carga se rompe, quedando esta ltima aislada de la primera. Como la
carga es resistiva pura, la corriente circulante por la misma, en estas condiciones, se anula
completamente.
Fig. 9. 1
Convertidor DC/DC con carga resistiva pura.
Circuito y formas de onda.
La tensin media que existe en la carga ser:
1 TON TON
VO =
T 0
vo dt =
T
E = E E 9. 1
Al cociente entre TON y T se le denomina ciclo de trabajo, . Ms adelante se estudiar este concepto
con ms detalle.
Tambin se puede obtener el valor eficaz de la tensin en la carga:
1 TON
vo dt = E
2
V RMS = E 9. 2
T 0

Partiendo de la tensin media en la carga se puede deducir la intensidad media que circula por la
misma:
VO E
IO = = E 9. 3
RO RO
Considerando que todos los elementos que participan en el convertidor son ideales y que no se
producen prdidas en los mismos, se puede decir que la potencia de entrada es la misma que la
obtenida a la salida del convertidor. Por tanto:
Universidad de Jan; J.D. Aguilar; M. Olid 1

2
1 TON 1 TON vo E2
PE = PO = vo io dt = dt = E 9. 4
T 0 T 0 RO RO
Las conclusiones ms destacadas son las siguientes:
La tensin media en la carga, VO, es directamente proporcional a la tensin aplicada a la entrada

del convertidor.
Variando TON se consigue hacer oscilar entre 0 y 1, con lo que la seal de salida podr variar
entre 0 y E. De esta manera se podr controlar el flujo de potencia a la carga. Los valores mximos
de tensin y potencia media en la carga sern:
VO ( MAX ) = E E 9. 5
E2
PO ( MAX ) = E 9. 6
RO
www.ipes.ethz.ch
Fig. 9. 2
PROBLEMA 9.1
Sea el convertidor de figura 9.1, en el que la carga es totalmente resistiva y de valor RO = 10 .

Si se considera que la frecuencia de operacin es de 1Khz. y que cuando el interruptor se halla
cerrado se produce una cada de potencial en el mismo de VS(ON) = 2 V. Calcular:
a) Tensin media de salida, VO.

b) Valor eficaz de la tensin de salida, VRMS.
c) Rendimiento del convertidor.
DATOS: E = 220 V; = 0.5



Solucin:
1 TON
E = E = 0.5(220 2 ) = 109V
TON
a) VO =
T 0
vo dt =
T
b) Por la ecuacin [E 9.2]:
V RMS = E = 0.5 (220 2 ) = 154.15V
c) La potencia de salida se puede extraer de:

1 TON (E VS (ON ) ) (E VS (ON ) ) =
2 2 2
1 TON vo
PO = dt = dt =
T 0 RO T 0 RO RO
= 0.5
(220 2)2 = 2376 W
10
Por otro lado, la potencia de entrada
1 TON 1 TON (E V ( ) ) (E V ( ) )
dt = E
S ON S ON
PE = E ie dt = E =
T 0 T 0 RO RO
200 2
= 0.5 200 = 2398 W
10
Con lo que el rendimiento del convertidor ser
PO 2376.2
= = 99.09 %
PE 2398
En este clculo no se han tenido en cuenta las prdidas correspondientes al encendido y apagado
del interruptor. Esto ltimo hace que el rendimiento de un convertidor DC/DC conmutado
convencional sea relativamente inferior.
Estudiar como vara la tensin media de salida del convertidor bsico de la figura 9.1
para diferentes tiempos de conduccin: TON1 = 0.25, TON2 = 0.5, TON3 = 0.75 ms.
DATOS: f = 1Khz; E = V1 = 220 V; R0 = 10 .
*CD9_1: CIRCUITO BASICO CHOPPER CARGA RESISTIVA PURA

*DESCRIPCION DEL CIRCUITO
V1 1 0 DC 220V
VG 3 0 PULSE(0V 100V 0 1NS 1NS {TON} 1MS)
* v1 v2 td tr tf pw per
RG 3 0 10MEG
R0 2 0 50
S1 1 2 3 0 SMOD ; INTERRUPTOR CONTROLADO POR TENSION
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.01 ROFF=10E+6 VON=10V VOFF=5V)
.PARAM TON =.25MS
*ANALISIS
.tran 10.000u .02 0 0 ; *ipsp*
.step PARAM TON list 250.000u 500.000u
+ 750.000u ; *ipsp*
.END

Fig. 9. 3
a) Esquema del circuito de un convertidor DC/DC bsico para simulacin en Pspice.
b) Parmetros de la seal de tensin que controla la apertura y cierre del interruptor.
Un diagrama de bloques del circuito de control que se utiliza es el presentado en la figura 9.4
Fig. 9. 4 Diagrama de bloques de un controlador PWM
La seal rampa determina la frecuencia de funcionamiento del convertidor. La figura 9.5 muestra las
formas de onda asociadas al circuito de control.

Si vst es el valor de pico de la seal rampa y v st la tensin rampa instantnea:

vst
v st = t
T
Cuando se igualan la seal rampa a la seal de referencia vcont:

vst vcont
t = vcont para t = t on : =
T
vst

Fig. 9. 5 Generacin de la Modulacin por Anchura de Pulsos (PWM)
9.1.1 TOPOLOGA GENERAL DE UN CONVERTIDOR DC/DC. (CARGA

INDUCTIVA)
Hasta ahora se ha considerado que la carga presentaba un carcter totalmente resistivo. Para variar el
valor medio de la tensin en bornes de una carga que presente cierto carcter inductivo, se realiza el
montaje con interruptores de la figura 9.6. El funcionamiento de ambos interruptores ha de ser
complementario, o sea cuando uno se encuentre cerrado el otro permanecer abierto, y viceversa. De
esta forma se le encontrar un camino alternativo a la energa almacenada en la inductancia asociada
a la carga, LO, durante el intervalo de conduccin del tiristor.
Fig 9. 6
Convertidor DC/DC con carga inductiva.

Fig. 9. 7
a) Formas de onda para un convertidor con carga inductiva.
b) Circuito equivalente para cada uno de los estados del interruptor.
La operacin de este convertidor bsico para cargas inductivas es el que sigue, y queda reflejado en
las formas de onda de la figura 9.7.
Etapa 1. S1 cerrado y S2 abierto, 0< t < TON: La tensin E de la fuente se aplica a la carga con lo
que la intensidad crece exponencialmente.
Etapa 2. S1 abierto y S2 cerrado, TON < t < T: La carga queda cortocircuitada y aislada de la fuente
de energa. El cierre de S2 y la naturaleza inductiva de la carga hace que la corriente en la misma
evolucione de forma suave (la intensidad decrece exponencialmente) y no bruscamente, como era el
caso de una carga resistiva pura. Si la inductancia propia de la carga no fuera suficiente para paliar el
rizado de la intensidad de salida, sera recomendable colocar una inductancia de filtro en serie con
sta.
En la prctica, para realizar el convertidor esttico equivalente al de la figura 9.6 se sustituye el

interruptor S2 por un diodo, D, denominado diodo volante (flywheeling diode) o diodo de circulacin
libre (freewheeling diode) tal y como se refleja en la figura 9.8.
Fig. 9. 8
Sustitucin del interruptor S2 por un diodo.
PROBLEMA 9.2
Realizar con Pspice el estudio del convertidor con carga inductiva de la figura 9.8, y ver como
evoluciona la intensidad por la carga para diferentes valores de la inductancia asociada a la
misma. Suponer:
E = 220 V; RO = 5 ; f = 1 KHz; = 0.5; L1 = 0.3 mH; L2 = 0.951 mH; L3 = 3 mH.



Solucin:
Fig. 9. 10 Convertidor DC/DC con carga inductiva. Simulacin por Pspice.
Observando el circuito de la figura 9.9, se tiene el siguiente listado:
*Problema9_2: CONVERTIDOR BASICO. CARGA INDUCTIVA

V1 1 0 DC 220V
VG 3 0 PULSE(0V 100V 0 1NS 1NS .5MS 1MS)
RG 3 0 10MEG
R 2 4 10
L 4 0 BOBINA 1MH
.MODEL BOBINA IND(L=1MH)
DM 0 2 DMOD; MODELO DE DIODO POR DEFECTO
.MODEL DMOD D
S1 1 2 3 0 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.01 ROFF=10E+6 VON=2 VOFF=0)
*ANALISIS
.TRAN 10US 2MS 0MS
.STEP IND BOBINA(L) LIST 0.3 0.951 3
.END
En la figura 9.10 se puede apreciar la intensidad de salida para cada valor de inductancia. Es
interesante hacer recalcar como para diferentes valores de este valor la intensidad presenta una
forma de onda totalmente diferente y que definir su rgimen de funcionamiento: la intensidad
nunca llega a anularse (L = 3 mH; rgimen de corriente continuada), la intensidad se hace cero
en el mismo instante en el que finaliza el ciclo del convertidor (L = 0.951 mH; frontera entre
corriente continuada) y la intensidad se anula dentro de dicho periodo (L = 0.3 mH; rgimen de
corriente discontinuada).
Fig. 9. 10 Diferentes evoluciones de la intensidad en la carga para diferentes valores de la inductancia asociada a la
carga.

9.1.2 CICLO DE TRABAJO.
Se ha visto como la tensin, la intensidad, en definitiva la potencia entregada a la carga estaba en

funcin de , cociente entre TON y T. Pues bien, a dicho cociente se le denomina ciclo de trabajo.
Y se define como la fraccin del periodo del convertidor en el cual el interruptor se halla cerrado.
TON
=
T
Como se deduce de la ecuacin [E 9.1], la seal que aparece a la salida del convertidor depende
nicamente del ciclo de trabajo y del valor de la fuente de alimentacin. Como esta ltima
generalmente se mantendr constante, disponemos de la variacin del ciclo de trabajo como nico
medio posible de modificar la seal de salida.
Si se presta un poco de atencin a la expresin que define el ciclo de trabajo se podr deducir que se
presentan tres formas diferentes de modificar el ciclo de trabajo, y por tanto la tensin de salida.
a) Variando el tiempo de conduccin TON, al mismo tiempo que se mantiene T fijo.

Llamado tambin Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) ya que la frecuencia de la
seal del convertidor se mantiene constante mientras que no ocurre as con la anchura del
pulso que define el tiempo de conduccin del convertidor.
b) Variando T y conservando TON constante. Denominado Modulacin de Frecuencia ya

que es la frecuencia del convertidor la que vara. El inconveniente ms destacado de este
mtodo de control se encuentra en la generacin indeseada de armnicos a frecuencias
impredecibles, por lo que el diseo del consiguiente filtro se revestir de una
complejidad en algunos casos excesiva.
c) Modificando ambos
Fig. 9. 11
a) Formas de onda en la carga para un
troceador de tiempo de conduccin variable.
b) Troceador de frecuencia variable.
c) Troceador de frecuencia y tiempo de
conduccin variable.

9.2 Clasificacin de los convertidores dc/dc
Dependiendo del sentido de la intensidad y la tensin aplicada en la carga los convertidores se

pueden clasificar en cinco clases bien diferenciadas, segn el o los cuadrantes del plano V-I en que
puedan funcionar.
Los dos primeros convertidores, clase A y clase B, se caracterizan porque el sentido que presentan
tanto la tensin como la intensidad en la carga es invariable (operacin en un solo cuadrante).
Mientras, los convertidores clase C y D, como se puede observar en las figuras 9.12 y 9.13, tienen su
rea de trabajo configurada por dos cuadrantes, con lo que un parmetro de los mismos, bien puede
ser la intensidad como la tensin en la carga, puede adoptar diferente sentido. Por ltimo, en el
convertidor clase E la tensin y la intensidad pueden presentar cualquier combinacin posible,
pudiendo trabajar este convertidor en cualquiera de los 4 cuadrantes.
En el tipo A cuando el interruptor se cierra, la fuente de tensin E se conecta a la carga, el diodo D

queda polarizado en inverso. La intensidad crece exponencialmente mientras circula a travs de R, L
y V. Por otro lado, cuando el interruptor se abre, la carga queda totalmente aislada de la fuente
primaria de energa, la intensidad tiende a decrecer y en la bobina se induce una f.e.m. negativa que
provoca que el diodo D entre en conduccin, actuando como un diodo volante o de libre circulacin.
El tipo B opera exclusivamente en el segundo cuadrante. Por tanto, la tensin en la carga sigue
positiva, mientras que la intensidad que circula por la carga es negativa. En otras palabras, se puede
decir que la intensidad escapa de la carga y fluye hacia la fuente primaria de tensin. Es por ello que
este convertidor recibe tambin el apelativo de convertidor regenerativo.
Fig. 9. 12
Clasificacin de los convertidores DC/DC en funcin del cuadrante/s en el que opere:
a) Convertodor tipo A (reductor)
b) Convertidor tipo B.
c) Convertidor tipo C

El convertidor clase C puede operar tanto en el primer como el segundo cuadrante. Por tanto, la
tensin en la carga slo puede ser positiva, mientras que la intensidad podr adoptar tanto valores
positivos como negativos. Es por ello que tambin se le pueda denominar chopper de dos cuadrantes.
Fig. 9. 13
Clasificacin de los convertidores (bis).
d) Convertidor tipo D.
e) Convertidor tipo E.
9.3 Tipos de convertidores dc/dc. Topologas.

9.3.1 CONVERTIDORES TIPO A
Convertidor STEP-DOWN (reductor, directo)
Introduccin
El convertidor directo, cuyo esquema est representado en la figura 9.14, trabaja como convertidor
reductor, presentando una tensin media de salida inferior a la tensin aplicada a la entrada. Adems,
como indica la misma figura, su funcionamiento se prescribe exclusivamente al primer cuadrante de
los ejes formados por V e I, de tal forma que la tensin y la intensidad en la carga siempre adoptarn
valores positivos.
Ton
Vo = E = E 0 < <1
T
El estudio del convertidor del que nos ocupamos aqu se centrar en plantear y resolver con detalle
las ecuaciones matemticas que definen al circuito al considerarse los diferentes estados del
interruptor.
Fig. 9. 14
Esquema de un convertidor reductor y
su modo de trabajo en la grfica v-i.

En primer lugar y antes de abordar el funcionamiento del circuito cabe indicar la presencia de dos
modos de operacin claramente definidos:
Rgimen de corriente continuada (C.C.).
La intensidad que fluye por la carga flucta entre unos valores mximo y mnimo, pero nunca llega a
anularse. Esto, como se ver ms adelante, se debe a la relacin entre el tiempo en el que el
interruptor se encuentra cerrado, y el tiempo necesario para que la bobina descargue totalmente la
energa almacenada previamente.
En el circuito que nos ocupa, para asegurar un rgimen continuado, el interruptor S deber estar
bloqueado un intervalo de tiempo que permita a la intensidad en la carga no hacerse cero. De este
modo, al comenzar el siguiente periodo la intensidad en la carga, que es la misma que circula por la
bobina, podr partir de un valor inicial, IL(MIN).
Rgimen de corriente discontinuada (C.D.).
La intensidad en la carga se hace nula en un momento determinado a lo largo del TOFF del convertidor
(TOFF es el periodo de tiempo en el que el interruptor est abierto). El tiempo que permanece abierto
el interruptor es mayor que el tiempo que puede estar la bobina cediendo energa, con lo que al
iniciarse el siguiente periodo la intensidad en la carga partir de cero.
Ambos modos de operacin quedan reflejados en la figura 9.15.
Fig. 9. 15
Intensidad en la bobina de un chopper
reductor para regmenes de corriente
continuada y discontinuada.
Funcionamiento
Para estudiar el funcionamiento del circuito se deber plantear el circuito equivalente para cada uno
de los estados posibles del interruptor (abierto y cerrado). As, si se considera que el interruptor est
cerrado, el circuito equivalente ser el que se recoge en la figura 9.16.a.
Se observa en dicha figura como la fuente primaria de energa E se encuentra conectada a la carga, al
mismo tiempo que el diodo D queda polarizado en inverso. Siempre y cuando E >V existir un flujo
de intensidad desde la fuente hacia la carga. Esta intensidad, debido a la presencia de la red RL,
seguir una exponencial creciente hasta alcanzar un valor mximo, IL(MAX).
Alcanzando dicho valor se abre el interruptor, con lo que la carga queda aislada de la fuente. El
circuito equivalente, en este caso, es el que aparece en la figura 9.16.b. El diodo se polariza en
directo, proporcionando un camino de escape para la energa almacenada por la bobina en el periodo
anterior. De esta forma, la intensidad en la carga tender a disminuir, siguiendo una exponencial
decreciente, hasta alcanzar un valor mnimo (IL(MIN)). En este instante el interruptor se cerrar de
nuevo, la intensidad empezar a crecer, y comenzar un nuevo ciclo.

Fig. 9. 16
Chopper reductor:
a) Circuito equivalente para TON.
b) Circuito equivalente para TOFF.
Anlisis matemtico
Con lo anteriormente expuesto ya se puede abordar el estudio matemtico del circuito. En la figura
9.17 se muestran las formas de onda de este convertidor.
Periodos de funcionamiento
Interruptor cerrado
Independientemente de que funcione con corriente discontinuada o con corriente continuada, cuando
el interruptor S est en conduccin la ecuacin que define al circuito ser la que se indica a
continuacin:
di L1
E =V + L + Ri L1 E 9. 7
dt
O lo que es lo mismo:
di L1 R E V
+ i L1 =
dt L L
Antes de seguir, hay que hacer notar que la intensidad que circula por la bobina, iL en esta
configuracin, es la misma que circula por la carga (io), por lo que no debe extraar al lector, en
algunos casos, la utilizacin de la primera para designar a la corriente de carga.
Fig. 9. 17
Chopper reductor: Formas de tensin e
intensidad para los regmenes posibles
de funcionamiento.
La solucin a la ecuacin diferencial anterior vendr dada por:

R
E V E V t L
i L1 = + I ' e 0< t < TON E 9. 8
R R
I es el valor de la intensidad para t = 0. Si el convertidor opera con corriente continuada, entonces I

= IMIN. Por otro lado, si el convertidor trabaja con corriente discontinuada, tendremos que I= 0.
Suponiendo que se est en el caso de corriente continuada (C.C.):

R
E V E V t L
i L1 = + I L ( MIN ) e E 9. 9
R R
Como se puede observar en la figura 6.16, en el momento en que t = TON, la intensidad en la carga
alcanzar su valor mximo. Por tanto, se puede decir:
E V E V TON RL
I L ( MAX ) = + I L ( MIN ) e E 9.10
R R
Interruptor abierto
Una vez que la intensidad alcance ese valor mximo, el interruptor se abre, quedando la carga aislada
de la fuente de tensin E. Segn se puede apreciar en la figura 9.16.b, se producir una circulacin de
intensidad a travs de R, L y el diodo volante D.
En este caso la ecuacin que define al circuito, si se desprecia la cada de tensin producida en el
diodo, sera la siguiente:
di L 2
V + Ri L 2 + L =0 E 9.11
dt '
siendo t = t TON.
La solucin de esta ecuacin diferencial vendr dada por:
R
V V t '
iL 2 = + I L ( MAX ) + e L
R R
O bien, si se quiere expresar iL en funcin de t y no de t, se tendr que deshacer el cambio anterior,
con lo cual:
R
V V (t TON ) L
iL 2 = + I L (MAX ) + e E 9.12
R R
Cuando t = T la intensidad en la carga alcanzar su valor mnimo, IL(MIN):
R
V V (T TON ) L
I L ( MIN ) = + I L (MAX ) + e E 9.13
R R
Clculo de IL(MIN) e IL(MAX)
En primer lugar se proceder al clculo de IL(MIN). Sea la ltima ecuacin obtenida en el apartado
anterior:
R
V V (T TON ) L
I L ( MIN ) = + I L ( MAX ) + e
R R

Si se sustituye en esta ecuacin el valor de IL(MAX), expresado anteriormente en la ecuacin [E 9.10],

obtenemos:
V E V E V TON L V (T TON ) L
R R
I L ( MIN ) = + + I L ( MIN ) e + e
R R R R
Operando se consigue la siguiente expresin:
TON RL
e 1
E
I L ( MIN ) = R V
E 9.14
R TL R
e 1

Como puede deducirse del esquema del convertidor, IMIN no puede ser nunca
negativo, ya que el diodo impide el paso de corriente de ese signo. Por lo tanto, si al
utilizar la ecuacin [E 9.14] nos resulta una corriente negativa, tendremos que deducir
que la corriente mnima ser 0, y que adems el convertidor est funcionando en
rgimen de corriente discontinua. Adems, en ese caso, para calcular IMAX usaremos
la ecuacin [E9.10], y no la que se deduce a continuacin.
Para el clculo de IL(MAX), se proceder de forma idntica a la efectuada anteriormente. Si se sustituye

el valor de IL(MIN) (obtenida en la ecuacin [E 9.14]) en la ecuacin [E 9.10], y que operando:
TON
R
1 e L
E V
I L ( MAX ) =
E 9.15
R T
R
R
1 e L

La ecuacin [E 9.15] slo puede usarse en caso de que la intensidad mnima sea superior
a cero (rgimen de corriente continuada). En caso contrario, deber utilizarse la
ecuacin [E 9.10].
Antes de terminar el apartado cabe recalcar que en el caso de que el interruptor estuviese cerrado (T
= TON), la intensidad en la carga se mantendra constante presentando el siguiente valor:
E V
I L ( MAX ) = I L ( MIN ) = (T = TON) E 9.16
R
Clculo del rizado de la intensidad en la carga
El rizado de la intensidad en la bobina, o lo que es lo mismo, de la intensidad en la carga, viene

definido por la siguiente expresin:
I L = I O = I L (MAX ) I L ( MIN ) E 9.17
Sustituyendo en esta ltima ecuacin los valores de las ecuaciones [E 9.14] y [E 9.15], poniendo dicha
expresin en funcin del ciclo de trabajo y derivando para obtener el mximo de la funcin:
d (I O )
= 0 = 0,5
d

Tambin se puede obtener el rizado mximo suponiendo que la intensidad es de tipo lineal, en vez de
exponencial, mediante la siguiente aproximacin:
I V t
VL = L I =
t L
si consideramos t = TON:
(Ve Vs ) TON
I =
L
Tambin se deducirn las siguientes expresiones:
E I MAX + I MIN
IO = ; IO =
R 2
I L
I MAX = I O +
2
I
I MIN = IO L
2
Lmite de funcionamiento entre corriente continuada y discontinuada

Si se observa la figura 9.17 se pueden discernir dos tipos de funcionamiento claramente definidos. En
el primero, la intensidad en la carga oscila entre unos valores mximos y mnimos (IL(MAX) e IL(MIN))
pero nunca llega a anularse, por lo que al principio de cada periodo, presentar un valor inicial IL =
IL(MIN). En el segundo caso, la intensidad de carga se anula en un tiempo dado tx (TON < tx < T), con lo
que al empezar el siguiente periodo, iL partir de cero.
Fig. 9. 18
Chopper reductor: Lmite entre corriente continuada y discontinuada
Pero existe un caso particular, que constituye el lmite o frontera entre estos dos regmenes de
funcionamiento, en el cual la intensidad en la carga se hace cero en el mismo instante que t = T
(figura 9.18).
En este apartado se va a tratar de obtener el lmite diferenciador para as poder separar ambos modos
de trabajo. Para ello se parte de la ecuacin [E 9.14]:
TON RL
e 1
E
I L ( MIN ) = R V
R TL R
e 1

En el caso lmite la intensidad se anula en t = T. Luego haciendo IL(MIN) = 0 en la ecuacin anterior,
queda:
TON RL
e 1
V E
=
R R TL R

e 1


Si se considera la constante de tiempo del circuito, dada por =L/R, y resolviendo:
V T
TON = Ln 1 + e 1 E 9.18
E
El valor de TON dado por la ecuacin [E 9.18] es el mnimo exigido por el circuito para funcionar en
rgimen de corriente continuada.
Funcionamiento con corriente discontinua
Si se considera el caso en el que el troceador opere en rgimen de corriente discontinua (C.D.) habr
que realizar una serie de modificaciones en las ecuaciones que definen el comportamiento del
circuito.
Para el intervalo de conduccin del interruptor, 0< t < TON, el anlisis del circuito no sufre
modificacin alguna, con lo que se puede decir que la corriente circulante por la bobina, y por ende
en la carga, sigue estando suscrita a la siguiente ecuacin:
E V t
R
iL = 1 e L
R

La intensidad sigue alcanzando un mximo para t = TON, siendo su valor:
E V TON
R
I L (MAX ) = 1 e L
R

A partir de t = TON la ecuacin del circuito ser la indicada por la ecuacin [E 9.12], en la cual si se
sustituye el valor de IL(MAX) se obtiene:
V E V TON (t TON ) R
R
iL = + 1 e L + V e L
R R R

Al ser el rgimen discontinuo, llegar un momento, tx, en el que la intensidad en la carga se anule.
Para hallar ese momento, se igualar a cero la ecuacin anterior, con lo que:
L E V TON
R
t X = TON + Ln 1 + 1 e L E 9.19
R V

Esta frmula obtiene el instante en el que la corriente en la carga se anula.
Voltaje medio de salida para rgimen de corriente discontinua
El voltaje medio de salida en este caso valdr (figura 6.17):
1 T 1 TON
vo dt = E dt + V dt
T
VO =
T 0 T 0 tx
(T t x )
VO = E + V E 9.20
T

El valor de tx lo calcularemos utilizando la expresin [E 9.19].
Parmetros importantes para la eleccin de componentes
Para la seleccin del componente que haga de interruptor S (por ejemplo, un tiristor) habr que
considerar los siguientes parmetros:
Intensidad mxima
La intensidad mxima que ha de soportar el dispositivo que usemos como interruptor viene dada por
la ecuacin:
E V TON
R
I L ( MAX ) = 1 e L
R

Intensidad media mxima
La corriente media que fluye por el interruptor alcanzar su valor mximo cuando TON = T, en cuyo
caso, y como ya se ha dicho:
E V
I MAX = I MIN =
R
Eleccin del diodo
Para la eleccin del diodo tambin se estudiar la intensidad media mxima circulante por el mismo.
Para ello, y para facilitar los clculos, se supondr que la inductancia L es lo suficientemente grande
para considerar que la intensidad que circula por el diodo se mantiene constante e igual a su valor
medio durante el tiempo en el que el interruptor est abierto. En estas condiciones durante el tiempo
T-TON, ID ser igual a:
1 T T TON
ID =
T TON
I O dt = I O
T
E 9.21
Si L es muy grande, se puede establecer:
VO V E V
IO = = E 9.22
R R
VO es la tensin media en la carga. Por tanto, se puede afirmar:
T TON E V
ID = I O = (1 ) E 9.23
T R
El valor mximo de la intensidad media por el diodo, ID, se obtendr derivando la expresin anterior
respecto a la variable que podemos controlar para variar dicha intensidad (es decir, el tiempo que est
cerrado el interruptor: TON), para a continuacin igualar a cero. As:
2
E V
I D ( MAX ) = 1 E 9.24
4R E

PROBLEMA 9.3
Tenemos un chopper step-down igual al representado en la figura 9.14. Debe calcularse:

a) Corriente mnima en la carga.
b) Corriente mxima en la carga.
c) Rizado de la intensidad en la carga.
d) Valor medio de la intensidad de carga.
e) Valor eficaz de la intensidad en la bobina.
f) Resistencia del circuito vista desde la fuente.
g) Valor eficaz de la corriente por el interruptor (suponer que se est usando un tiristor).
h) Comprobar con Pspice que los valores de tensin e intensidades pedidos en los
apartados anteriores son correctos.
i) Lmite entre corriente continuada y discontinuada (utilizar para este apartado y los
siguientes una V = 30 V).
j) Para un ciclo de trabajo = 0.1, calcular la intensidad mxima y mnima en la carga, la
tensin media de salida, as como el instante en el que la intensidad se anula, si se da el
caso.
k) Graficar con Pspice los valores obtenidos en el apartado anterior, y comprobar que sean
correctos.
DATOS: E = 220 V; R = 5; L = 7.5 mH; f = 1KHz; = 0.5; V = 0 V.
Realizar los clculos mediante las frmulas dadas de las resoluciones de las ecuaciones
diferenciales y posteriormente comprobar los resultados considerando la aproximacin
de que la corriente es lineal
Fig. 9. 19 Esquema del circuito para Pspice.

*Problema9_3: CHOPPER STEP DOWN

**** DEFINICION DE PARAMETROS DEL CIRCUITO
.PARAM VS=220
.PARAM D=0.5
.PARAM FRECUENCIA=1k
.PARAM R=5
.PARAM L=7.5MH
.PARAM VCEM=0
VS 1 0 DC {VS}
**** FUENTE DE EXCITACION TIRISTOR
VG 6 0 PULSE(0 5V 0 1US 1US {D/FRECUENCIA} {1/FRECUENCIA})
VCEM 5 0 DC {VCEM} ;FUERZA CONTRAELECTROMOTRIZ DE LA CARGA
VX 2 3 DC 0V ;FUENTE PARA MEDIR LA CORRIENTE EN EL TIRISTOR
L 4 5 {L}
R 3 4 {R}
D1 0 3 DMOD
XT1 1 2 6 0 SCR ;TIRISTOR
.MODEL DMOD D ;MODELO DE DIODO POR DEFECTO
*MODELO DE TIRISTOR EN CONTINUA("POWER ELECTRONICS.
*CIRCUITS,DEVICES AND APPLICATIONS", MUHAMAD RASHID,
*EDITORIAL PRENTICE HALL)
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.1 ROFF=10E+6 VON=4V VOFF=1V)
.ENDS SCR
*ANALISIS:
.tran 10.000u .03 0 0 ;
.probe ; *ipsp*

Solucin:
Sustituyendo valores en las ecuaciones [E 9.10] y [E 9.13] obtendremos:
IMAX = 0.7165 IMIN + 12.473

IMIN = 0.7165 IMAX + 0
a) Resolvemos el sistema y obtendremos IMIN = 18.37 A

b) IMAX = 25.63 A.
Tambin podramos haber aplicado directamente [E 9.14] y [E 9.15]
c) Rizado: I = I MAX I MIN = 25.63 18.37 = 7.26A
d) La corriente media en la carga es aproximadamente:
I MAX + I MIN 25.63 + 18.37

IO = = = 22 A
2 2
e) Suponiendo que la corriente de carga vare linealmente desde IMIN hasta IMAX, su valor
instantneo puede expresarse de este modo:
I
io = I MIN + t 0 < t < TON
T
I
IMIN es el valor inicial de la corriente en el intervalo 0 - TON, mientras que es la
T
pendiente de la recta (I = I MAX I MIN , y T = TON ).
El valor eficaz de la corriente de carga vendr dado a partir de:
1 T 2 1 T I 2
I O ( RMS ) =
T 0
io dt =
T 0
I MIN + t dt
T
Resolviendo se obtiene:
(I MAX I MIN )
2
+ I MIN (I MAX I MIN )

2
I O ( RMS ) = I MIN +
3
Sustituimos los valores ya conocidos de IMIN e IMAX, y obtenemos:
I O ( RMS ) = 22.1 A
f) Corriente media suministrada por la fuente:
La fuente slo suministra corriente durante el TON del convertidor. Por lo tanto, su corriente
media ser (suponiendo io constante e igual a su valor medio):
1 TON 1
IE =
T 0
io dt = TON I O = I O
T
IE = IO = 0.5 22 = 11 A.


A partir de este dato podemos hallar la resistencia de entrada vista desde la fuente:
Ri = E / IE = 220/11 = 20.
g) Calculamos el valor eficaz de la corriente por el tiristor:
1 T 2
0 io dt + T 0 dt
T
I Th ( RMS ) =
T
La intensidad io es la misma que utilizamos en el apartado e), luego tenemos:
(I I MIN )2
I Th ( RMS ) = I MIN + MAX + I MIN (I MAX I MIN )
2
3
I Th ( RMS ) = I 0( RMS ) = 0.5 22.1 A = 15.63 A
h) La simulacin en Pspice se ha hecho siguiendo el esquema de la figura 9.19.
Las formas de onda pedidas se encuentran en los siguientes enlaces:
Intensidad en la carga Corriente media en la carga, intensidad eficaz en la bobina y en el tiristor

[9_1] [9_2]
Comparando los valores obtenidos con Pspice con los obtenidos tericamente, vemos que casi no
hay diferencias entre ambos. Podemos decir que los clculos han sido correctos.
i) El lmite entre corriente continuada y discontinuada viene dado por la ecuacin 6.24:
V T L V T RL
TON = Ln 1 + e 1 = Ln 1 + e 1

E R E
7.5 10 3 30 1103 7.5103
5

TON = Ln 1 + e 1 = 0.18 mseg
5 220

Para poder realizar este apartado, habr que modificar en el fichero Problema9_3.CIR el valor
de TON y el de V = 30 V.
j) Tenemos ahora un TON = 1/ = 1/0.1 = 0.1 mseg. Este valor es menor que el lmite
obtenido en el apartado anterior, por lo que tenemos que el convertidor est
funcionando ahora en rgimen de corriente discontinua, y por tanto
IMIN = 0
Como estamos en corriente discontinua, para calcular IMAX utilizaremos la ecuacin [E 9.10]:
R
E V E V TON L
I MAX = + I MIN e
R R
5
220 30 220 30 0.1103 7.5103
I MAX = + 0 e = 2.45 A
5 5
Ahora calculamos el instante en el que la corriente de carga se anula, utilizando la ecuacin
[E9.19]:



L E V TON
R
t X = TON + Ln 1 + 1 e L
R V

7.5 10 3 220 30 0.110 3
5

t x = 0.1 10 + 3
Ln 1 + 1 e 7.510 3 = 0.6 mseg
5 30

Por lo tanto, la corriente en la carga tarda 0.6 mseg en anularse, desde el comienzo de cada
periodo.
Ya podemos hallar la tensin media de salida (ecuacin [E9.20])
VO = E + V
(T t x )
T
VO = 0.1 220 + 30
( )
(1 0.6) 10 3 = 34 V
1 10 3
k) Para obtener en Pspice los valores calculados en el apartado anterior deber modificarse
el valor de TON y de V. Con las grficas podemos comprobar la veracidad de los datos
que hemos calculado.
PROBLEMA 9.4
Un convertidor como el de la figura 9.14 tiene una carga resistiva pura R = 0.25 , se alimenta
con una fuente de tensin E = 550 V, y tiene una V = 0 V. La frecuencia de trabajo es f = 250
Hz. Calcular la inductancia L en serie con la carga que limite el rizado mximo de la intensidad
en la carga a 20 A.
DATOS: E= 550 V; R= 0.25 ; V=0 V; f = 250Hz ; T = 1/f = 0.004 seg. ; IMAX= 20 A.

Solucin: L = 27.5mH
Convertidor STEP-UP (elevador)

Modo de funcionamiento
El troceador de la figura 9.20, al igual que el anterior, funciona en el primer cuadrante, pero, a
diferencia del convertidor Step-Down, ste puede utilizarse para incrementar una tensin continua.
Cuando el interruptor S est cerrado (0< t < TON), toda la tensin de la fuente primaria E se aplica
sobre la bobina (figura 9.21.a), lo que provoca que la corriente circulante por la misma aumente,
almacenando la inductancia energa durante este intervalo. Si ahora el interruptor se abre (TON < t <
T), la tensin que existe en la bobina se suma a la tensin de fuente, obtenindose una tensin de
salida vo, siempre superior a esta ltima y de idntica polaridad (figura 9.21.b). Al mismo tiempo, la
energa almacenada previamente por la bobina se transfiere a la carga a travs del diodo D, obligando
a la corriente a disminuir. En la figura 9.22 se muestran las formas de onda correspondientes a un
periodo del convertidor.
Fig. 9. 20
Esquema de un convertidor
elevador, y su modo de
trabajo en la grfica v-i.

Fig.6. 21
Chopper elevador:
Fig.6. 22
Chopper elevador: Formas de onda.
Anlisis matemtico
Interruptor cerrado.
Como ya se ha dicho, el circuito equivalente en este caso es el mostrado por la figura 9.21.a. Cuando
el interruptor se cierra la tensin que cae en extremos de la bobina obedece a la siguiente expresin:
di
E = vL = L E 9.25
dt
Integrando esta ecuacin entre 0 y TON (para dt), y desde IMIN hasta IMAX (para di), se puede decir:
E
I = I L (MAX ) I L ( MIN ) = TON E 9.26
L
Interruptor abierto.
Al abrirse el interruptor el circuito queda configurado como ofrece la figura 6.21.b. Por tanto, la
tensin en la carga ser:
di
vo = E + v L = E + L
dt
Como el incremento de la intensidad circulante por la bobina durante el TON del convertidor es
idntico al decremento de la misma durante el TOFF del mismo, entonces, ayudndonos de la relacin
9.26:
I T
vo = E + L = E 1 + ON
TOFF TOFF

Operando se tiene que la tensin instantnea en la carga vale:
1
vo = E E 9.27
1
De esta ltima ecuacin se deducen las siguientes consecuencias:
a) La mnima tensin de salida se corresponde con un ciclo de trabajo nulo, es decir:
= 0 vo = E
b) La tensin en la carga se puede incrementar variando el ciclo de trabajo.
c) La mxima tensin de salida se obtiene para = 1.
Tensin media en la carga

Si colocamos un condensador suficientemente grande en paralelo con la carga (en la figura 9.20, con
lnea punteada), la tensin en sta se mantendr prcticamente constante e igual a su valor medio, que
ser:
1
VO = E E 9.28
1
Clculo de IMIN e IMAX
IMAX se obtiene fcilmente despejndola de la ecuacin [E 9.26]:
E
I MAX = TON + I MIN E 9.29
L
Para calcular IMIN tendremos en cuenta la ecuacin que define el comportamiento del circuito cuando
el interruptor est abierto (figura 9.21.b). Dicha ecuacin es:
di
E+L + Ri = vo
dt
donde operando con esta ecuacin obtendremos:
R
(T TON )
E V E TON e L
I MIN = + E 9.30
R (T TON )
R
L1 e L

La ecuacin [E 9.30] nos servir para calcular IMIN, y para IMAX utilizaremos la [E 9.29], en la que slo
tendremos que sustituir IMIN por su valor, calculado previamente.
PROBLEMA 9.5
El chopper step-up mostrado en la figura 9.23 est alimentado por una fuente E =110 V, V = 220
V. La potencia suministrada a la fuente E es de 300 W. El rizado de la corriente en la bobina es
despreciable. La frecuencia de trabajo del circuito es de 400 Hz.
Calcular:
a) El ciclo de trabajo .
b) Corriente media de entrada.
c) Resistencia efectiva de carga (REQ).
d) Intensidad mxima y mnima por la bobina, suponiendo un valor de 2 mH para sta.


Fig. 9. 23 Esquema del convertidor elevador.
a) vo = V; utilizando la ecuacin [E 9.27]:
1
vo = E
1
Como V es constante, e igual a su valor medio, podramos haber utilizado la ecuacin [E 9.27].
1
Sustituyendo obtenemos: 220 = 110
1
Con lo que deducimos el valor de : = 0.5
b) Vamos a obtener el valor de IO en funcin de la corriente media en la bobina IL:
1 T (T TON )
IO =
T TON
i L dt = I L
T
(Hemos supuesto que la corriente en la bobina se mantiene prcticamente constante e igual a
su valor medio).
Tenemos que averiguar el valor de IL, y lo hacemos de este modo:
La energa entregada a la carga (a la fuente V en este caso) viene dada por :
WO = (VO E ) I O (T TON )
suponiendo vo = VO e io = IO (valores instantneos constantes e iguales a sus valores

medios).
Por tanto, la potencia entregada a la carga durante todo el periodo es:
PO = (VO E )I O
(T TON ) = (V E )I L
(T TON )(T TON ) =
O
T T T
= (VO E )I L
(T TON ) 2
T2
Sabiendo que TON = T = (1/f), podemos despejar IL:
300 (2.5 10 3 )
2
PO T 2
IL = = = 10.5 A
(VO E )(T TON )2 (220 110)[(2.5 1.25) 10 3 ]2
Ya podemos calcular el valor de IO:


T TON
IO = I L = 0.5 I L = 5.45 A
T
c) El valor de la resistencia efectiva de carga es el que tendra una carga resistiva que
soportase los valores de tensin e intensidad dados en este circuito, es decir:
VO 220 V
R EQ = = = 40.3
I O 5.45 A
d) Si aplicamos la ecuacin [E 9.30] para calcular IMIN, comprobaremos como nos resulta
un nmero negativo, debido a que el valor de V es superior al de la fuente E. Si observamos el
circuito, vemos que este valor negativo no puede producirse, ya que el diodo D no permite el
paso de corriente desde V hasta E. El valor mnimo de la corriente en este caso ser IMIN = 0.
La explicacin a este valor nulo es la siguiente: suponiendo que al dejar de conducir el tiristor, la
bobina tiene suficiente energa almacenada, se producir un flujo de corriente hacia V. Al ir
soltando la energa que acumul, el voltaje en extremos de la bobina ir disminuyendo, y con
l la intensidad que fluye hacia V. Llegar un momento en el que E+vL V, con lo que dejar de
correr intensidad. Por eso, para este circuito en particular, la corriente mnima ser nula.
Ahora, sirvindonos de la ecuacin [E 9.29], calculamos IMAX:
E 110
I MAX = I MIN + TON = 0 + 3
1.25 10 3 = 68.75 A
L 2 10

Dado un convertidor step-up, como el de la figura 6.31, se pide:
a) Valor de la tensin de alimentacin E.

b) Intensidades, mxima y mnima, en la bobina.
c) Intensidad media de carga y en la bobina.
d) Obtener con Pspice las formas de onda de iL, vo, IL, IO, y comprobar que coincidan con
los valores calculados.
Datos: TON = 1.4 ms; f = 500 Hz; V = 20 V; L = 5 mH; R = 5; vo = 333 V.
Fig. 9. 25 Esquema del convertidor elevador.



*CD9_2: CHOPPER TIPO STEP-UP

*DESCRIPCION DEL CIRCUITO:
**** DEFINICION DE PARAMETROS DEL CIRCUITO
.PARAM VS=110
.PARAM D=0.5
.PARAM FRECUENCIA=400Hz
.PARAM R=5
.PARAM L=5MH
.PARAM VCEM=220
VS 1 0 DC {VS}
VCEM 4 0 DC {VCEM}
VG 5 0 PULSE(0 10V 0 1US 1US {D/FRECUENCIA} {1/FRECUENCIA})
D1 2 3 DMOD
XT1 2 0 5 0 SCR ;TIRISTOR
L 1 2 {L}
R 3 4 {R}
.MODEL DMOD D ;MODELO DE DIODO POR DEFECTO
*MODELO DE TIRISTOR EN CONTINUA("POWER ELECTRONICS. CIRCUIT,DEVICES
* AND APPLICATIONS",MUHAMAD RASHID,
* EDITORIAL PRENTICE HALL)
.SUBCKT SCR 1 2 3 4
DT 5 2 DMOD
ST 1 5 3 4 SMOD
.MODEL SMOD VSWITCH (RON=.1 ROFF=10E+6 VON=5V VOFF=1V)
.ENDS SCR
.PROBE
*ANALISIS:
.tran 10.000u .1 0 0 ; *ipsp*
9.3.2 CONVERTIDORES TIPO B.

Introduccin
Los convertidores tipo B, igual que los anteriores, siguen operando en un nico cuadrante. La tensin
en la carga sigue siendo positiva, pero la corriente es negativa, o sea, escapa de la carga.
Fig. 9. 26
En la figura se muestra el
esquema de un convertidor
de tipo B, donde V, que
forma parte de la carga,
puede ser la fuerza
contraelectromotriz
(f.c.e.m) de un motor de
corriente continua, por
ejemplo.
Modo de funcionamiento
Cuando el interruptor est cerrado (figura 9.27.a) la tensin en la carga se hace nula, y el diodo D
queda polarizado en inverso. Por otro lado, V genera una corriente a travs de R y de la bobina L,
almacenndose energa en la misma durante el intervalo de conduccin del interruptor, 0 < t < TON.
Cuando el interruptor se abre (figura 9.27.b), la intensidad en la bobina, iL, tiende a disminuir,
provocando la aparicin de una fuerza electromotriz. Esta f.e.m. inducida en la bobina se suma a V
con lo que el diodo D queda polarizado en directo, permitiendo el paso de corriente en sentido
inverso hacia la fuente E. En la figura 9.28 aparecen una serie de formas de onda que ayudarn a la
comprensin del funcionamiento de este circuito.
Fig. 9. 27
Convertidor tipo B:

Fig. 9. 28
Convertidor tipo B: Formas de onda.
Se puede demostrar [Rashid] que:

VO
E=
1
Recordar que este troceador funciona en sentido inverso, es decir, transfiriendo energa desde la
carga a la fuente E, luego es un troceador regenerativo. Si el lector est interesado puede consultar
la bibliografa recomendada.
9.3.3 CONVERTIDORES TIPO C.
Introduccin
Supongamos que estamos controlando un pequeo motor elctrico con sentido de giro nico,
utilizando un chopper de tipo reductor (step-down), con el cual es posible variar su velocidad de giro.
Para el frenado, utilizaramos en principio componentes auxiliares para realizar un frenado
dinmico, en el que la energa cintica del motor se disipa en forma de calor en una resistencia.
Sin embargo, con este tipo de frenado se desperdicia energa, por lo que, si queremos mejorar el
rendimiento, debemos implementar un circuito que permita un frenado regenerativo del motor. Este
frenado consiste en recuperar una parte de la energa mecnica del motor devolvindola hacia la
fuente de alimentacin, y se consigue haciendo que el motor, actuando como un generador, fuerce
una corriente hacia la batera. En el chopper directo (step-down) la conexin entre la fuente y el
motor se realiza mediante un diodo que no permite la inversin de la corriente ni, por tanto, el
frenado regenerativo del motor.
Fig. 9. 29
Control de un motor de corriente continua con
sentido de giro nico, mediante un convertidor
de dos cuadrantes.
Por lo tanto, para conseguir dicho frenado es necesaria la utilizacin de troceadores que permitan la
circulacin de corriente entre la carga y la fuente en los dos sentidos. Es aqu donde interviene el
convertidor clase C.

El modo de trabajo del convertidor lo representaremos en una grfica de corriente-tensin, tal y como
lo hemos hecho para anteriores convertidores. Cuando el chopper funciona en el primer cuadrante la
tensin en la carga y la corriente son ambas positivas, funcionando el motor en traccin. Cuando lo
hace en el segundo cuadrante la tensin de carga es positiva y la corriente negativa, producindose el
frenado regenerativo del motor. En la figura 9.29 se ilustra el funcionamiento del motor controlado
con el convertidor clase C, mientras que en la figura 9.30 se muestra el esquema de dicho
convertidor.
Fig. 9. 30
Esquema de un convertidor tipo C.
Funcionamiento
En este convertidor la corriente en la carga puede ser positiva o negativa, mientras que el voltaje en
la misma es siempre positivo. El circuito no es ms que una combinacin de un convertidor reductor
(tipo A), y una regenerativo (tipo B). El interruptor S1 y el diodo D1 operan como convertidor
reductor, mientras que S2 y D2 lo hacen como regenerativo. Debe tenerse cuidado de no cerrar los
dos interruptores al mismo tiempo, ya que esto colocara a la fuente en cortocircuito.
Vamos a estudiar los semiconductores que conducen en cada intervalo, as como los circuitos por los
que circula la corriente de carga io, durante un ciclo de funcionamiento del convertidor (figura 9.31):
t1-t2 : Conduce S1 (S1 cerrado y S2 abierto).

Circuito: Fuente-S1-carga.
io: Creciente exponencialmente desde 0.
t2-t3 : Conduce D1 (S1 abierto y S2 cerrado).

Circuito: Carga-D1.
io: Exponencialmente decreciente desde IMAX hasta 0, forzada por la energa magntica
almacenada en la bobina.
t3-t4 : Conduce S2 (S1 abierto y S2 cerrado).

Circuito: Carga-S2.
io: Negativa, forzada por la fuerza contraelectromotriz del motor (V), con valor absoluto
exponencialmente creciente desde 0 hasta IMIN.
t4-t5 : Conduce D2 (S1 cerrado y S2 abierto).

Circuito: Carga-D2-fuente.
io: Negativa, en contra de la batera, es una corriente regenerativa, forzada por la energa
magntica almacenada en la parte inductiva de la carga en serie con la f.e.m. del motor, de
valor absoluto exponencialmente decreciente desde IMIN hasta anularse.
Como puede verse, el funcionamiento que hemos descrito se refiere a un modo de trabajo en ambos
cuadrantes, ya que aunque la tensin en la carga siempre es positiva, la intensidad es positiva en unos
momentos, y negativa en otros. Sin embargo, esto no siempre tiene por que ser as: de hecho,
variando los tiempos de conduccin de los interruptores, podemos conseguir que el chopper funcione
slo en un cuadrante a nuestra eleccin.

Podemos considerar como tiempo de conduccin del convertidor al intervalo en que la carga tiene
aplicada tensin positiva, es decir, entre t0 y t2, siendo el intervalo de no conduccin entre t2 y t4.
As pues, tomaremos como ciclo de trabajo del chopper al que tenga el interruptor S1.
Fig. 9. 31
Chopper tipo C: Formas de onda para trabajo en
los dos cuadrantes.
Anlisis matemtico
Vamos ahora a obtener las expresiones ms importantes del chopper tipo C. Para ello nos
auxiliaremos de la figura 9.33, en la cual se muestran las formas de onda ms representativas del
circuito. Se han utilizado tiristores, pero como en los dems tipos de convertidores, sirve cualquier
clase de semiconductor controlado (transistores bipolares, MOSFET, etc.). Asimismo, en el esquema
pueden observarse dos modos de funcionamiento: en el primer cuadrante (figura 9.33), y en el
segundo cuadrante (figura 9.34).
Fig. 9. 32
Chopper tipo C: Esquema del circuito utilizando
tiristores.

Fig. 9. 33
Formas de onda para trabajo en el primer
cuadrante.
Supuesto que los impulsos de puerta de los

tiristores sean los representados en las
figuras 9.33.b y 9.33.c, la forma de onda de
la corriente sera la representada en la
figura 9.33.d.
Fig. 9. 34
Chopper tipo C: Formas de onda para trabajo
en el segundo cuadrante.
La intensidad en el intervalo 0< t < TON tendr el valor dado por la ecuacin [E 9.31]:
R
E V E V t L
io = + I MIN e E 9.31
R R
En el intervalo TON < t < T la intensidad tendr este valor:

R
V V (t TON ) L
io = + I MAX + e E 9.32
R R
Los valores de IMAX e IMIN vienen dados por las ecuaciones [E 9.33] y [E 9.34]:

TON RL TON
R
e 1 1 e L
E E V
I MIN = R V E 9.33 I MAX = E 9.34
R T R R T
R
R
e L 1 1 e L

Estas dos frmulas se obtuvieron anteriormente para el convertidor reductor (tipo A), pero ahora nos
sirven para los dos cuadrantes.
TON
Tal y como se ha advertido, el ciclo de trabajo = corresponde al interruptor
T
(tiristor en este caso) S1.
Si IMIN e IMAX son positivas, el chopper funcionar en el primer cuadrante, y la corriente media de
salida IO ser positiva. Por el contrario, si ambas intensidades son negativas, como en el caso de la
figura 9.34, el chopper funcionar en el segundo cuadrante, e IO ser negativa.
En el caso intermedio (IMIN < 0, IMAX > 0), predominar el funcionamiento en uno u otro cuadrante
dependiendo de qu intensidad (mnima o mxima) tenga mayor valor absoluto.
Los valores mximos y eficaces de las corrientes en diodos e tiristores (interruptores) se pueden
calcular de forma idntica a la realizada para los convertidores que funcionan en un solo
cuadrante (tipos reductor y regenerativo). Por otra parte, la tensin media en la carga coincide
con la del convertidor reductor (step-down).
PROBLEMA 9. 6
En la figura 9.35 se representa un chopper clase C, que trabaja a una frecuencia de 20 KHz.
a) Si el ciclo de trabajo del chopper es = 0.5, calcular los valores mnimo y mximo de
intensidad en la carga.
b) Tensin media e intensidad media en la carga.
c) Entre que valores de deben operar los tiristores para que el chopper funcione
exclusivamente en el segundo cuadrante? y en el primero?
Fig. 9. 35 Esquema del convertidor tipo C.
a) f = 20 KHz; T= 1/f = 50 s; TON= T = 25 s; L= 20 H; R= 1 ; E= 110 V; V= 48 V.
Utilizamos las frmulas [E 9.33] y [E 9.34] para calcular IMAX e IMIN:
TON RL TON
R
e 1 1 e L
E V
= 23.503 A E V
= 37.50.3 A
I MIN = I MAX =
R T R
R R T
R
R
e L 1 1 e L



b) Calculamos la tensin media, haciendo uso de la ecuacin 6.22 (convertidor reductor):
VO = E = 0.5 110 = 55 V
La intensidad media en la carga la podemos calcular de dos formas. Una es sta:
VO V 55 48
IO = = =7A
R 1
Y la otra, es sta:
I MAX + I MIN 37.503 23.503 14
IO = = = =7A
2 2 2
c) Con el fin de conseguir que el chopper funcione slo en el segundo cuadrante, se ha de
cumplir que la corriente de carga sea siempre negativa, por tanto:
TON
R
1 e L
E V
0 E 1 e TON L < V 1 e T L
R R
I MAX =
R T
R
R
1 e L

V T V T
R R R R
TON TON
1 < 1 e L +e

L
e L
> 1 1 e L
E E
Ahora despejamos aplicando logaritmos:
L V T L V T
R R
TON
> Ln 1 1 e L TON
< Ln 1 1 e L
R E R E
Sustituyendo valores obtenemos TON < 10.23 s. De este dato deducimos:
TON 10.23
= < = 0.2
T 50
Esto quiere decir que el ciclo de trabajo del convertidor debe ser menor que 0.2 para que
funcione slo en el segundo cuadrante.
S queremos que el convertidor funcione slo en el primer cuadrante, deberemos imponer la

condicin de que:
TON RL
e 1
E
I MIN = R V 0
R T R
e L 1

Operando de forma anloga al apartado anterior, despejamos TON, y nos resulta:
35.43 s 35.43 s
TON > 35.43 s > = = 0.7
T 50 s
Por lo tanto, para que el convertidor opere exclusivamente en el primer cuadrante, el ciclo de
trabajo deber ser mayor de 0.7.

9.3.4 CONVERTIDORES TIPO E.
Para aplicaciones en que se precise el control de un motor y su frenado regenerativo en los dos
sentidos de giro es necesario el empleo de un convertidor de cuatro cuadrantes como el que se
muestra en la figura 9.36. A este chopper se le denomina tambin como chopper de configuracin
puente en H. En la figura 9.37 se muestra, asimismo, el modo de trabajo de este convertidor en los
cuatro cuadrantes.
Fig. 9. 36
Esquema de un convertidor tipo E.
Fig. 9. 37
Control de un motor de corriente continua en ambos sentidos
de giro.
Existe otra versin del convertidor de cuatro cuadrantes (figura 9.38), llamada configuracin puente
en T. Como puede verse, utiliza la mitad de semiconductores que el puente de H, pero requiere una
alimentacin doble, por lo que es menos utilizado que el anterior. Por lo tanto, vamos a centrarnos en
el estudio del puente de H.
Al poder trabajar en los cuatro cuadrantes, el estudio de este convertidor va a reducirse a ver las
formas en que podemos configurarlo.
Fig. 9. 38
Configuracin en T de un convertidor de cuatro cuadrantes.

Modos de configuracin del puente en H
Existen bsicamente dos estrategias de control de los interruptores que conducen a dos formas de
onda de salida distintas: PWM unipolar y PWM bipolar.
Mtodo 1 (PWM unipolar).- Manteniendo una diagonal permanentemente abierta (por ejemplo S1
y S4), y proporcionando un ciclo de trabajo a los otros dos interruptores (abrindolos y cerrndolos a
la vez). De esta manera tendramos dos posibles convertidores tipo D, cada uno de los cuales se
encargara de un sentido de giro.
Mtodo 2 (PWM unipolar).- Manteniendo una diagonal permanentemente abierta, como en el

caso anterior, pero dando un ciclo de trabajo slo a uno de los otros interruptores (el restante se
dejara cerrado permanentemente). La diagonal activa define el sentido de giro del motor.
En la figura 9.39 se muestra una manera prctica de realizar este tipo de excitacin.
Fig. 9. 39
Circuito para obtener la excitacin dada por el mtodo 2.
Mtodo 3 (PWM bipolar).- Hacer que durante el periodo del convertidor se cierren
alternativamente las dos diagonales (S1 y S4 desde 0 hasta TON, mientras que S2 y S3 lo haran desde
TON hasta T). De esta manera, un ciclo de trabajo del 50 % significara que el motor est parado;
ciclos por encima de 0.5 determinan un sentido de giro, mientras que por debajo corresponden al
sentido de giro opuesto.
Dado un convertidor tipo E como el de la figura 9.36, el cual utiliza el mtodo 2 de
excitacin, se pide:
a) Dejar inactiva la diagonal S2-S3, y dejar permanentemente cerrado el interruptor S1,

dando el ciclo de trabajo al S4. Utilizar Pspice para graficar la tensin de salida, y la
intensidad en la carga (suponer que se estn usando tiristores).
b) Dejar ahora permanentemente cerrado S4 y aplicar el ciclo de trabajo a S1. Obtener con
Pspice las intensidades en ambos interruptores (tiristores), y la corriente por el diodo
que conduzca en este caso.
DATOS: E = 50 V; L = 1.5 mH; R = 2.5; VCEM = 0 V; T = 4 mseg; = 0.75.


CD9_3.cir
Dado un convertidor de cuatro cuadrantes como el de la figura 9.36, y suponiendo que
utiliza el mtodo 3 de excitacin, se pide:
a) Utilizar Pspice para graficar las formas de onda de tensin e intensidad en la carga (un
motor en este caso), as como las corrientes por los semiconductores (suponer que se
utilizan tiristores), utilizando un ciclo de trabajo = 0.75 para la diagonal S1-S4.
b) Obtener los mismo parmetros que en el apartado anterior, ahora para un ciclo de
trabajo = 0.25.
DATOS: E = VS = 50 V; L = 1.5 mH; R = 2.5 ; VCEM = 0 V; T = 4 ms.
CD9_4.cir


AGUILAR et al. Electrnica de Potencia: Convertidores DC-DC. Coleccin de apuntes, 1995/96.

Universidad de Jan.
FINNEY, D. The power thyristor and its applications. Ed. McGraw-Hill, 1980.
GARRIGUES J. et al. Convertidores de continua a continua. U. P. Valencia

Marcombo, 1992.
HERRANZ ACERO, G. Electrnica industrial. E.T.S.I.Telecomunicacin, Madrid, 1990.
LANDER, C. Power electronics. Ed. McGraw-Hill, 1993
Moder power electronics : evolution, technology, and applications. B. K. Bose (Ed. lit.). IEEE
Press, 1992. ISBN: 0-87942-282-3
SGUIER, G. Electrnica de potencia. Ed. Gustavo Gili. Barcelona, 1976. ISBN: 84-252-0613-8

POTENCIA


jaguilar@ujaen.es
10.1 Reguladores lineales de tensin 1
10.2 Convertidor Buck (Reductor) 2
10.2.1 Consideraciones de diseo 11
10.2.2 convertidor boost (elevador) 13
10.2.3 Convertidor Buck-Boost (Elevador-Reductor) 18
10.3 Resumen convertidores estudiados 22

TEMA 10: INTRODUCCIN A LAS CONFIGURACIONES BSICAS DE LAS FUENTES DE
ALIMENTACIN CONMUTADAS
10.1 Reguladores lineales de tensin
Un mtodo para convertir una tensin continua a otra de valor ms bajo es el regulador lineal de la
figura 10.1 en el que la tensin de salida es: Vo = IL RL, donde la corriente de carga es controlada
por el elemento de paso.
La eficiencia de este circuito es una desventaja importante en aplicaciones de potencia. La prdida

provocada en el transistor de paso trabajando en modo lineal (que se comporta como una resistencia
variable) es la causante de esta ineficiencia.
Una alternativa ms eficiente es el convertidor conmutado, el transistor funciona como interruptor

electrnico (corte-saturacin).
10.2 Convertidor Buck (Reductor)

Introduccin
El convertidor BUCK presenta una tensin media de salida inferior a la que se aplica a la entrada,
encontrndose su principal aplicacin en las fuentes de alimentacin conmutadas as como en el
control de motores de corriente continua que funcionen exclusivamente en el primer cuadrante
(recordar el convertidor directo).
Conceptualmente, el circuito bsico asociado a un convertidor reductor es el mostrado en la figura

10.1, donde la carga es resistiva pura. Si se considera que el interruptor es ideal, la potencia de salida
depende en exclusiva de la posicin que adopte ste. A partir de la figura 10.1, se puede calcular la
tensin media de salida en funcin del ciclo de trabajo.
1 T 1 TON T
vo (t )dt = E dt + 0 dt = ON E = E
T
VO =
T 0 T 0 TON T
E 10.1
No obstante, para aplicaciones prcticas, el circuito en cuestin presenta una serie de inconvenientes:
a) La carga normalmente presenta cierto carcter inductivo. Incluso una carga resistiva pura
siempre tendr asociada una inductancia parsita. Esto significa que el elemento conmutador
podr sufrir daos irreparables, ya que ste deber absorber o disipar la energa que se pueda
almacenar en la carga.
b) La tensin de salida oscila entre 0 y E, lo cual no es viable en numerosas aplicaciones, en las

que se precisa un determinado grado de tensin continua. Lo mismo ocurre con la intensidad
de salida.
El primer inconveniente se soluciona utilizando un diodo volante (freewheeling diode), tal como se
indica en la figura 10.2. Por otro lado, las fluctuaciones tanto de la intensidad como de la tensin de
salida se reducen en cierto grado considerando un filtro pasobajo consistente en una bobina y un
condensador. En esta misma figura se puede comparar la tensin que aparece en extremos del diodo,
voi, que es la misma que exista a la salida del convertidor bsico en la figura 10.1, con la tensin a la
salida del filtro L-C.

Fig. 10. 1 Diagrama de bloques fuente regulada y fuente conmutada y relacin entrada-salida
La caracterstica de este filtro pasa-bajo, considerado el amortiguamiento provocado por la

resistencia R de la carga, se muestra en la figura 10.4. Como puede observarse la frecuencia de
inflexin, fc, de este filtro se selecciona de tal modo que se encuentre bastante por debajo de la
frecuencia de conmutacin del convertidor, f, para que de este modo pueda eliminarse el rizado de la
tensin de salida provocada por la frecuencia de conmutacin o encendido.
Fig. 10. 2

Fig. 10. 3 Convertidor Buck
Fig. 10. 4
Es importante calcular la relacin entre variables elctricas. Para ello, vamos a recordar dos
propiedades de las bobinas y de los condensadores en circuitos en rgimen permanente:
- La tensin media en una bobina es nula.
- La corriente media en un condensador es nula:

Fig. 10. 5 Anlisis del convertidor reductor

Fundamento
Durante el periodo de cierre del interruptor, 0 < t < TON (figura 10.6.a), la energa se almacena en la
bobina. Al abrirse el interruptor (figura 10.6.b), la tensin en la bobina invierte su polaridad, lo que
obliga a conducir al diodo D, transfiriendo parte de la energa almacenada previamente en la misma
hacia la carga.
Fig. 10. 6
Circuitos equivalentes para cada uno de los
estados del interruptor:
a) Interruptor cerrado.
b) Interruptor abierto.
Modo de funcionamiento de corriente continuada
Modo de operacin.
La figura 10.7 muestra las formas de onda de la tensin e intensidad en la bobina correspondientes al
modo de operacin de corriente continuada (C.C.) donde la corriente que circula por la inductancia
fluye de forma ininterrumpida, no anulndose en ningn instante dentro del periodo del convertidor
(iL(t) >0). Como ya se ha dicho, cuando el interruptor est cerrado (0< t < TON) el diodo se encuentra
inversamente polarizado. Esto provoca que durante este intervalo la tensin que cae en extremos de
la bobina sea positiva.
v L = E vc = E VO E 10.2
Esta tensin provocar un incremento lineal de la intensidad iL hasta que se produzca la apertura del
interruptor, momento en el cul la intensidad habr alcanzado su valor mximo, dado por IL(MAX). Al
abrirse ste, iL sigue circulando, ahora a travs del diodo volante y en detrimento de la energa
almacenada previamente en la bobina. La intensidad, por tanto, pasar de este valor mximo, a un
valor mnimo, IL(MIN). La tensin que cae en bornes de la bobina durante este intervalo, T-TON, es:
v L = vc = VO E 10.3

Como en rgimen permanente estos dos modos de operacin se repiten uno despus del otro, la
integral de la tensin en la bobina a lo largo de un periodo del convertidor debe ser nula.
T TON T
0
v L dt =
0
v L dt +
TON
v L dt = 0
Esta ecuacin implica que las reas A y B mostradas en la figura 10.7 deben ser iguales. Con lo cul:
(E VO )TON = VO (T TON )
o lo que es lo mismo:
VO TON
= = E 10.4
E T
Fig. 10. 7
Formas de onda en un convertidor BUCK, correspondientes a la
tensin e intensidad circulante por la bobina, para un rgimen de
funcionamiento de corriente discontinuada.
Por lo tanto, para una tensin de entrada determinada la tensin de

salida vara de forma lineal en funcin del ciclo de trabajo del
convertidor, no dependiendo de ningn otro parmetro del circuito.
Si se desprecian las prdidas de potencia asociadas a las caractersticas reales de los elementos del
circuito, la potencia que existe a la entrada del convertidor deber ser igual a la potencia de salida:
PE = PO
As pues:
E I E = VO I O
IO E 1
= = E 10.5
I E VO
Por tanto, en el modo de operacin de C.C. el convertidor buck o reductor es equivalente a un

transformador de continua donde la razn de transformacin puede controlarse electrnicamente,
dentro de un rango de 0 a 1.
Relacin de voltajes.
En la figura 10.2, el interruptor S se abre y cierra peridicamente. El perodo total de funcionamiento
es T, y la fraccin de ste en la cual el interruptor est cerrado es . As, el intervalo de tiempo en el
que el interruptor est abierto ser (1-)T = T-TON = TOFF. Para el propsito de este anlisis,
supondremos que el condensador C es lo suficientemente grande como para hacer despreciable el
rizado de la tensin de salida vc. Notaremos a este voltaje invariable en el condensador como VC
(vc(t)VC).
La ecuacin que define al circuito durante el tiempo en el que el interruptor est cerrado viene dada
por la expresin siguiente:
di L
E = v L + VC = L + VC E 10.6
dt

di L E VC
= E 10.7
dt L
Durante el intervalo de conduccin del convertidor, TON, la corriente de la inductancia crece con una
pendiente constante (figura 10.8), comenzando con un cierto valor inicial IMIN, y alcanzando un valor
mximo, IL(MAX), al final de dicho intervalo.
Para el intervalo en el que el interruptor est abierto, el circuito cambia a la disposicin mostrada en
la figura 10.6.b; la ecuacin de voltajes en este intervalo de tiempo viene indicada por la ecuacin
[E10.8]:
v L + VC = 0 E 10.8
Desarrollando esta ecuacin, obtendremos lo siguiente:

di L V
= C E 10.9
dt L
As, durante el intervalo de tiempo dado por (T-TON), la corriente en la bobina decrece a un ritmo
constante desde IL(MAX) hasta IL(MIN). Este ltimo valor debe ser el mismo que el que haba al iniciarse
el periodo del convertidor, ya que ste trabaja de forma cclica.
Si ahora operamos con las ecuaciones [E 10.7] y [E 10.9] se obtendr, respectivamente:
V
I L (MIN ) I L ( MAX ) = C (1 )T E 10.10
L
E VC
I L (MAX ) I L ( MIN ) = T E 10.11
L
El cambio experimentado por la intensidad durante el tiempo en el que el interruptor se encontraba
cerrado debe ser el mismo que el sufrido durante la apertura del mismo. Por tanto, igualando ambas
ecuaciones obtenemos:
E VC +V
T = C (1 )T
L L
(E VC ) = (+ VC )(1 )
VC = E
Fig. 10. 8
Formas de onda de un convertidor BUCK.
Como puede observarse, se ha llegada a la misma relacin que la
indicada en la ecuacin [E 10.4].

Corrientes en el circuito.
De la figura 10.8 podemos encontrar fcilmente el valor medio de la corriente por la bobina:
I L ( MAX ) + I L ( MIN )
IL = E 10. 12
2
En la ecuacin [E 10.13] se da una relacin entre corrientes en el nodo de la resistencia de carga.
Debido a que la corriente media en el condensador ser nula a lo largo de cada ciclo del convertidor,
el resultado de la ecuacin [E 10.13] escribirse, tomando valores medios, segn la ecuacin [E 10.14]
como:
i L = i c + io E 10. 13
I L = IO E 10. 14
El valor de la intensidad media en la carga, IO, est determinado por la ecuacin [E 10.15]. Combinando
las ecuaciones [E 10.12], [E 10.14] y [E 10.15] obtendremos una solucin para el valor de IL(MIN)+IL(MAX) en
la ecuacin [E 10.16].
VC
IO = E 10. 15
R
VC
I L (MAX ) + I L ( MIN ) = 2 E 10. 16
R
Combinando las ecuaciones [E 10.10] y [E 10.16], obtendremos los valores de IL(MAX) e IL(MIN):
1 (1 )T 1 (1 )T
I L (MAX ) = E + E 10. 17 I L ( MIN ) = E E 10. 18 [10.1]
R 2L R 2L
Rizado en el voltaje de condensador.
Hasta ahora se ha considerado que la capacidad del condensador era tan elevada que se poda
considerar que vo(t) = VO. Sin embargo, en la prctica el condensador presenta un valor finito, lo que
provocar la aparicin de un cierto rizado en la tensin de salida. Para el clculo del mismo se
recurrir a las formas de onda de la figura 10.9. Al mismo tiempo se considerar que el valor medio
de la intensidad circulante por la bobina se dirige hacia la carga mientras que el rizado de la misma lo
hace hacia el condensador. En estas condiciones, el rea sombreada en la figura 10.9 representa una
carga adicional para el condensador, de tal forma que el rizado de la tensin de salida ser:
Q 1 1 I L T
VO = =
C C2 2 2
[10.2]
Fig. 10. 9
Clculo del rizado de la tensin de salida en un
convertidor BUCK, para rgimen de corriente
continuada.

De la figura 10.7 se podr decir:

VO
I L = (1 )T
L
De esta forma, el rizado de la tensin de salida queda as:
T 2 VO
VO = (1 ) E 10.19
8C L
y el porcentaje del rizado:
VO 1 T 2 (1 ) 2
= = (1 ) f c E 10.20
VO 8 LC 2 f
donde f = 1/T y fc = 1 2 LC ( )
Frontera entre C.C. y C.D.
En esta seccin se desarrollarn las ecuaciones que muestran la influencia de determinados

parmetros del circuito en el carcter de la intensidad circulante por la bobina (C.C. y C.D.). La
frontera que diferencia ambos modos de operacin es, por definicin, aquella en la que la corriente
que circula por la bobina se hace cero en el mismo instante en que finaliza el periodo del convertidor
(figura 10.10).
Fig. 10. 10
Tensin e intensidad en la bobina, en la frontera de los regmenes de corriente
continuada y discontinuada.
Si la ecuacin [E 10.18] la resolvemos para un valor nulo de IL(MIN), obtendremos una relacin para el
mnimo valor de L, denominada inductancia crtica, que proporciona un rgimen de corriente
continuada.
TR
LCRITICA = (1 ) E 10. 21
2
Cualquier bobina cuyo valor se encuentre por debajo de la inductancia crtica, considerando unos
valores de E y constantes, resultar en un rgimen de corriente discontinuada.
En el caso de que nos encontremos al lmite del funcionamiento en rgimen C.C., la corriente media
en la bobina, ILB (el subndice B ser caracterstico de todo parmetro relacionado con esta frontera
existente entre C.C. y C.D.), que es la misma que circula por la carga ser:
1 T T
I LB = I 0 B = I L (MAX ) = ON (E VO ) = (E VO ) E 10. 22
2 2L 2L
Nota, para 0 < t < TON:
di I I L ( MAX )
vL = L =L =L
dt T TON
Una conclusin que se extrae de esto es que si la corriente media de salida, y por tanto, la corriente
media por la inductancia, disminuye por debajo de ILB el rgimen de funcionamiento ser
discontinuo.

Por tanto, en condiciones fijas de tensin entrada-salida nos acercamos al modo discontinuo cuando
IL se acerca a cero, lo que ocurre si:
A) Bajamos el valor del inductor (aumentan las pendientes y, por tanto el rizado I)
Fig. 10. 11
B) Bajamos el valor de la frecuencia (aumentan los intervalos en los que la corriente est
subiendo o bajando)
Fig. 10. 12
C) Aumentamos el valor de la resistencia de carga (disminuye el valor medio de la corriente por

el inductor)
Fig. 10. 13

www.ipes.ethz.ch
Fig. 10. 14 Convertidor reductor: corriente discontinua
PROBLEMA 10.1
Sea el convertidor directo de la figura (buck chopper), que alimenta a una carga de 12V/6W.
Desde una fuente de 30V. La corriente en el inductor es continuada y la frecuencia de
funcionamiento es de 5KHz.
A) Determina el valor del ciclo de trabajo (formas de onda de il,is,id,V1l).

B) Mnimo valor de L requerido.
C) Mnimo y mximo valor de il si L=1.5 mH.
D) Potencia de la fuente.
E) Potencia en la carga.
Solucin:
A) En primer lugar calculamos el ciclo de trabajo , en un convertidor directo se cumple:

t ON VO
= = = 0,4
T Vg


B) El mnimo valor de la inductancia es aquel que trabaje la bobina al limite de la

discontinuidad, o sea, cuando ILmin=0, y a esta se le denomina inductancia critica.
1 t R
tC = = 0,2 ms L = c (1 ) = 0,36 mH
fC 1
C) Para el clculo del mximo y mnimo valor de intensidad por la bobina si L=1.5mH ser por
medio de las siguientes ecuaciones:
1 (1 ) t C
I min = Vg = 1,52 A
R 2 L
1 (1 ) t C
I max = Vg + = 2,48 A
R 2 L
D) Para calcular la potencia de la fuente primaria en primer lugar se calcula la corriente media:
I I
I Savg = min max = 0,8 A P = Vg ISavg = 24 W
2
E) Para la potencia en la carga utilizamos la siguiente ecuacin:
VC2
PL = = 24 W
R
[Fisher]
Problema10_1.cir
10.2.1 CONSIDERACIONES DE DISEO
La mayora de los convertidores reductores estn diseados para funcionamiento con corriente
permanente. La ecuacin [E 10.23] proporciona la relacin que debe existir entre la frecuencia de
conmutacin y la bobina para operar en modo de corriente permanente, y el rizado de salida viene
descrito por la ecuacin [E 10.24]. Observe que, al aumentar la frecuencia de conmutacin, se reduce el
tamao mnimo necesario de la bobina para producir corriente permanente y el tamao mnimo del
condensador para limitar el rizado de salida. Por tanto, las frecuencias de conmutacin altas permiten
reducir el tamao de la bobina y del condensador.
1 (1 ) (1 )R
I min = 0 = V0 (Lf )min = E 10. 23
R 2 Lf 2
V0 1
= E 10. 24
V0 8 LCf 2
La desventaja que presentan las altas frecuencias de conmutacin es un aumento de la prdida de

potencia en los interruptores. Al aumentar la prdida de potencia en los conmutadores disminuye la
eficiencia del convertidor, y ser necesario utilizar un disipador de calor de mayor tamao para el
transistor que funciona como interruptor, lo que compensa la ventaja de reducir el tamao de la
bobina y el condensador.

PROBLEMA 10.2
Disear un convertidor reductor que genere una tensin de salida de 18V sobre una resistencia de
carga de 10 . El rizado de la tensin de salida no debe superar el 0,5% (Vo/Vo). Se utiliza una
fuente de continua de 48V. Realizar el diseo para que la bobina opere en corriente permanente,
especifique el ciclo de trabajo, el tamao de la bobina y del condensador, el valor mximo de la
tensin de pico de cada dispositivo y la corriente eficaz por la bobina y condensador.
Solucin:
El ciclo de trabajo para operacin en corriente permanente se obtiene a partir de: la ecuacin
VO 18
= = = 0,375
Vg 48
Hay que seleccionar la frecuencia de conmutacin y el tamao de la bobina para operar en
corriente permanente. Seleccionaremos arbitrariamente una frecuencia de conmutacin de
40kHz, que es superior al rango de audio y es lo suficientemente pequea como para que las
prdidas en los interruptores sean pequeas.
L min =
(1 ) R = (1,375)10 = 78 H
2f 2 40000
Determinamos que el valor de la bobina sea un 25% mayor que el valor mnimo, con el fin de
asegurar que la corriente en la bobina sea permanente:
L = 1,25 L min = 1,25 78 H = 97,5 H
La corriente media en la bobina y la variacin de corriente:
VO 18
= IL =
= 1,8 A
R 10
V V 48 18 1
i L = S O T = 6
0.375 = 2,88 A
L 97,5 10 40000
Las corrientes, mxima y mnima, en la bobina:
i L
I max = I L + = 1,8 + 1,44 = 3,24 A
2
i
I min = I L L = 1,8 1,44 = 0,36 A
2
Las especificaciones nominales de la bobina deben admitir la corriente eficaz. Para la onda
triangular con desplazamiento:
2 2
i / 2 1,44
I L rms = I + L = 1,8 2 +
2
L = 1,98 A
3 3
El condensador se selecciona:
1 1 0,375
C= = = 100 F
VO 2 8 97,5 10 6 0,005 40000 2
8 L f
VO



i L
La corriente de pico en el condensador es: = 1,44 A
2
1,44
y la corriente eficaz en el condensador para la forma de onda triangular es: = 0,83 A
3
La tensin mxima en el interruptor y el diodo es VS o 48V. La tensin en la bobina cuando el
conmutador est cerrado es: VS VO = 48 18 = 30 V
La tensin en la bobina cuando el interruptor est abierto es VO = 18V.
Por tanto, la bobina debe soportar 30V. Las caractersticas nominales del condensador deben
tolerar una salida de 18V.
10.2.2 CONVERTIDOR BOOST (ELEVADOR)
Introduccin
En este convertidor (figura 10.15), la energa que procede de la fuente primaria es conducida por el
elemento de conmutacin para ser almacenada en la bobina. Este almacenamiento de energa se
efecta durante el periodo de conduccin del conmutador, no existiendo durante este intervalo ningn
tipo de transferencia de energa a la carga. Cuando el conmutador se abre, la tensin que se produce
en bornes de la bobina se suma a la tensin de la fuente obtenindose una tensin de salida superior a
esta ltima y con idntica polaridad. Al mismo tiempo, la energa almacenada previamente por la
bobina es transferida a la carga.
Fig. 10. 15
Esquema de un convertidor BOOST.
Esquema bsico de funcionamiento

El esquema bsico de este convertidor es el de la figura 10.16, en la que se reflejan sus dos posibles
estados. En el primer estado, (0 < t < TON), el conmutador o interruptor se halla cerrado, por lo que
solamente se establecer flujo de corriente a travs de la bobina, ya que el diodo se encuentra
inversamente polarizado. A lo largo de este intervalo se producir el almacenamiento de la energa en
L. Por otro lado, cuando el interruptor se abra, figura 10.16.b, se producir una inversin de polaridad
en la bobina, debido a la imposibilidad de variar bruscamente la intensidad que pasa por ella. Ahora
la bobina acta como generador, sumndose su tensin a la tensin existente a la entrada del
convertidor. Gracias a dicha inversin de polaridad, la bobina acta como receptor en el primer
estado y como generador en el segundo.
El filtro utilizado, C, tiene como misin recibir la energa que previamente ha almacenado la bobina,
manteniendo la tensin y corriente de salida durante todo el tiempo que la bobina no entrega energa
a la salida.
Fig. 10. 16
Circuitos equivalentes para cada intervalo de
funcionamiento, de un convertidor BOOST:
a) Interruptor cerrado.
b) Interruptor abierto.

Modo de operacin: Rgimen C.C.

Relacin de voltajes.
Durante TON:
di L E
= E 10. 25
dt L
Durante TOFF:
di L E VO
= E 10. 26
dt L
En la figura 10.17 se muestra la evolucin de la intensidad en la bobina en ambos intervalos.
Fig. 10. 17
Tensin e intensidad en la bobina, para rgimen de corriente continuada.
El incremento de iL durante el cierre del interruptor tiene que ser igual al decremento experimentado
por la misma cuando el interruptor se abre. Este hecho es determinante a la hora del clculo de la
relacin de voltajes, de tal forma que si se parte de las ecuaciones [E 10.25] y [E 10.26]:
E
I L ( MAX ) I L ( MIN ) = T E 10. 27
L
E VO
I L ( MIN ) I L ( MAX ) = (1 - )T E 10. 28
L
Igualando estas dos ecuaciones obtenemos la relacin de transformacin:
VO 1
= E 10. 29
E 1
Si se considera que no existen prdidas, la potencia de entrada debe ser la misma que la potencia
obtenida a la salida del convertidor, PE = PO.
E I E = VO I O
y por tanto:
IO
= (1 ) E 10. 30
IE
A partir de la ecuacin que indica la razn de tensiones, [E 10.29], se puede apreciar el carcter
elevador de tensin que presenta este convertidor. A medida que el ciclo de trabajo aumenta, el valor
de VO es mayor. Esta ecuacin implica que la tensin de salida puede ser tan grande como se desee.
No obstante, en el anlisis precedente no se ha tenido en cuanta el carcter real de los componentes.
De hecho, la bobina presentar un cierto carcter resistivo que se hace claramente patente conforme
aumenta el ciclo de trabajo, de tal forma que cuando este ltimo se va acercando a la unidad, la

tensin de salida disminuye en vez de aumentar. Es por ello que para prevenir este problema sea
necesario limitar el ciclo de trabajo por debajo de un valor crtico.
Corrientes por los elementos del circuito.
En la figura 10.18 se ofrecen las corrientes que circulan por cada uno de los dispositivos a lo largo de
un ciclo del convertidor. Sera interesante determinar el valor de IL(MAX) e IL(MIN), para que as queden
definidas el resto de intensidades. Para ello partiremos de la igualdad entre la potencia de entrada y la
de salida:
PE = 0.5(I L ( MAX ) + I L ( MIN ) )E
2
V
PO = O
R
Igualando ambas expresiones as como utilizando la razn de transformacin dada por la ecuacin
[E10.29], se tiene:
2E
I L ( MAX ) + I L (MIN ) =
R(1 )
2
E
IL =
R(1 )
2
Combinando esta ecuacin con las expresiones [E 10.28] y [E 10.29], se obtiene:
E E I
I L (MIN ) = T = I L L
E 10. 31
R(1 )
2
2L 2
E E I
I L ( MAX ) = + T = I L + L E 10. 32
R(1 )
2
2L 2
Con estos valores y conociendo el valor de la corriente por la carga, IO = VO/R, se puede
determinar el valor de la corriente circulante por el condensador, tal y como se refleja en la
figura 10.18.
Fig. 10. 18
Principales intensidades presentes en el convertidor BOOST.
Como ya se ha dicho el convertidor opera al lmite del modo C.C. si la intensidad en la bobina se
anula cuando el ciclo del convertidor pone a su fin. Por tanto, si la ecuacin [E 10.31] se iguala a cero
se podr obtener el valor mnimo de inductancia, manteniendo el ciclo de trabajo constante, para que
el convertidor opere en rgimen continuado.
E E
I L ( MIN ) = T =0
R(1 )
2
2L

Resolviendo esta ecuacin:

RT
LCRITICA = (1 )2 E 10. 33
2
Una inductancia cuyo valor se encuentre por debajo de la inductancia crtica, supuestos unos valores
de E y fijos, le conferir al convertidor un rgimen de operacin en C.D.
Fig. 10. 19
Tensin e intensidad en la bobina en el lmite de ambos modos de funcionamiento: C.C. y
C.D.
La figura 10.19 muestra las formas de onda correspondientes a un convertidor elevador operando al
lmite del rgimen continuado. El valor de la corriente media circulante por la bobina en este caso es:
1
I LB = I L ( MAX ) E 10. 34
2
Rizado en la tensin de salida.
El rizado de la tensin de salida se puede obtener, para un rgimen de C.C., s se observa la figura
10.20, en donde adems de aparecer la tensin en el condensador, viene indicada la corriente
circulante por el diodo D. Si se supone que el rizado que presenta la intensidad por el diodo fluye a
travs del condensador, mientras que su valor medio escapa hacia la carga, el rea que aparece
sombreada en esta misma figura representa la carga AQ. Por tanto, el rizado de la tensin de salida
podr expresarse como:
Q I O T
VO = = E 10. 35
C C
Si la corriente de salida se supone que presenta un valor constante e igual a su valor medio:
VO T VO T
VO = = E 10. 36
R C VO
Fig. 10. 20
Clculo del rizado de la tensin de salida para rgimen de
corriente continuada.
Donde = RC.

PROBLEMA 10.3
Sea el convertidor boost (indirecto-elevador) de la figura en el que Vg= 40V, V0=150V/25,

L=200H, T = 200 s. Determinar:
A) Valor del ciclo de trabajo y formas de onda ms importantes.

B) Valor de Imax e Imin.
C) Corriente media por el diodo.
D) Valor eficaz de la corriente por la capacidad.
E) Inductancia crtica.
F) Valor de la capacidad para obtener un rizado de tensin de 0.5V.
Solucin: A) 0.733; B) 7,83A, 37.17A; C) 6A; D) 10.87A; E) 0.13mH; F) 1760F.
[Fisher]
Problema10_3.cir
PROBLEMA 10.4
Disear un convertidor elevador que presente una salida de 30V a partir de una fuente de 12 V.
La corriente en la bobina ser permanente y el rizado de la tensin de salida debe ser menor que
el 1%. La carga es una resistencia de 50 y se supone que los componentes son ideales.
Solucin:
En primer lugar calculamos el ciclo de trabajo
VS 12
= 1 = 1 = 0,6
VO 30
Si seleccionamos una frecuencia de conmutacin de 25kHz, superior al rango auditivo, podemos

obtener la inductancia mnima para corriente permanente
(1 ) R 0,6 (1 0,60) 50
2 2
L min = = = 96 H
2f 2 25000
Con el fin de tener un margen para asegurar corriente permanente, definimos L=120H.
Observar que L y f se han seleccionado arbitrariamente, y que existen otras combinaciones que
producirn corriente permanente.
VS 12
IL = = = 1,5 A
(1 ) 2
R (1 0,6)2 50



i L VS T 12 0,6
= = = 1,2 A
2 2L 2 120 10 6 25000
I max = 1,5 + 1,2 = 2,7 A

I min = 1,5 1,2 = 0,3 A
Calculamos el rizado de la tensin de salida
VO
= < 1%
VO RCf
0,6
C> = = 48 F
Rf (VO /VO ) 50 25 103 0,01
10.2.3 CONVERTIDOR BUCK-BOOST (ELEVADOR-REDUCTOR)

Introduccin
En esta configuracin bsica, la salida del convertidor puede ser mayor o menor que la tensin de
entrada.
Fig. 10. 21
Convertidor BUCK-BOOST.
VO
= E 10. 37
E 1
Modo de operacin
En la figura 10.22 se ofrece los dos modos de funcionamiento en los que puede operar este
convertidor. Cuando el interruptor S se cierra (figura 10.22.a), la fuente primaria de tensin se
conecta a la bobina, al mismo tiempo que el diodo D queda polarizado en inverso. Como
consecuencia de esto, la intensidad que circula por la inductancia crece linealmente, almacenando la
bobina energa. Transcurrido el TON del convertidor, el interruptor se abre (figura 10.22.b), con lo
que la energa almacenada previamente en la bobina se transfiere a travs del diodo, al resto del
circuito. Durante este intervalo, TOFF del convertidor, la fuente no suministra ningn tipo de energa.
Rgimen C.C.
Relacin de tensiones. Razn de conversin.
Como ya se ha dicho, al cerrarse el interruptor, la tensin de la fuente se refleja sobre la bobina, por
lo que la intensidad circulante por esta misma quedar definida por la siguiente ecuacin:
di L E
= E 10. 38
dt L

Fig. 10. 22
Tensin e intensidad en la bobina. Circuito
equivalente para cada estado del interruptor: a)
cerrado y b) abierto.
Integrando entre 0 y TON:

E
I L ( MAX ) I L ( MIN ) = T E 10. 39
L
Por otro lado, cuando el interruptor se abre, la pendiente de iL vendr dada por:
di L V
= C E 10. 40
dt L
y por tanto:
VC
I L ( MIN ) I L ( MAX ) = (1 ) T E 10. 41
L
Igualando la ecuacin [E 10.39] con esta ltima resulta la siguiente relacin de voltajes que
adelantbamos anteriormente:

VC = VO = E E 10. 42
1
De esta ecuacin se extrae que para valores de < 0.5, la tensin de salida es inferior a la de al
salida, mientras que si > 0.5, la tensin de salida ser superior.
Si se considera que la potencia entregada por la fuente es equivalente a la existente a la salida del
convertidor, entonces:
PE = PO
IO 1
= E 10. 43
IE
Corrientes circulantes por el circuito.
En la figura 10.23 se ofrecen las formas de onda de las corrientes que circulan por cada uno de los
elementos del circuito. Como puede observarse, es preciso calcular IL(MIN) e IL(MAX) para determinar el
valor de las mismas.

A partir de esta misma figura se puede deducir la corriente media circulante por el interruptor S, que
es la misma que la entregada por la fuente.
I L (MIN ) + I L ( MAX )
I S = I E =
2
Por tanto, la potencia media entregada por la fuente puede expresarse como:
I L (MIN ) + I L ( MAX )
PE = E I E = E
2
Fig. 10. 23
Intensidades caractersticas de un convertidor BUCK-
BOOST.
Si se iguala la expresin de la potencia de entrada, expresada anteriormente, con la entregada a la

salida del convertidor, y utilizando la ecuacin [E 10.42], entonces se puede deducir el valor de IL(MIN) +
IL(MAX):
2 E
I L ( MIN ) + I L ( MAX ) =
R(1 )
2
Aprovechando la ecuacin [E 10.41] y combinndola con la anterior se puede decir:
E E T I
I L (MIN ) = L = IL 2 E 10. 44
R(1 )
2
2 2
E E T I
I L ( MAX ) = + L = IL + 2 E 10. 45
R(1 )
2
2 2

Condicin de corriente continuada.
Como ya se ha indicado, para asegurar el rgimen de corriente continuada, la corriente no debe

hacerse cero dentro del periodo del convertidor. El caso crtico, que configura frontera entre ambos
modos de operacin, vendr determinado por la anulacin de la corriente en el mismo instante en el
que concluye el periodo del convertidor. Por lo tanto, a partir de la ecuacin [E 10.44] se puede
calcular el valor de inductancia mnima para asegurar un modo de operacin C.C.
E ET
I L ( MIN ) = 0 = L
R(1 )
2
2
RT
LCRITICA = (1 )2 E 10. 46
2
Rizado de la tensin de salida.
VO
Se puede demostrar que: =
VO RCf
PROBLEMA 10.5
Sea el convertidor de la figura, que se usa para obtener un voltaje negativo V0 desde una fuente
positiva Vg. Datos: V0=60V.; L=400H; f=1KHz. Determinar:
A) Expresar V0/Vg en funcin de ton/T y dibujar la tensin en extremos de la bobina para Vg=
40V, sabiendo que el valor medio de la corriente por la bobina es de 100A.
B) Dibujar la corriente instantnea a travs del transistor y del diodo.
C) Valor medio de la corriente por el transistor.
D) Calcular la corriente de salida
E) Dibujar la corriente instantnea en extremos del condensador.
Solucin: C) 60A; D) 40A. [Fisher]
PROBLEMA 10.6
El circuito reductor-elevador de la figura 10.21 presenta los siguientes parmetros:
VS = 24V; = 0,4; R = 5 ; L = 100; C = 400F; f = 20kHz
Calcular la tensin de salida, la corriente en la bobina y el rizado de salida.
Solucin: VO = -16V; IL = 5,33A, Imax = 7,73A, Imin = 2,93A; VO / VO = 1%

En la prctica las formas de onda reales no son perfectamente cuadradas como las que se
han visto anteriormente. Hay que tener en cuenta la no idealidad de los elementos
empleados (transistor, bobina, condensador). Adems la presencia de capacidades
parsitas en los componentes, inductancias parsitas en las conexiones y el layout del
circuito que producen resonancia de las formas de onda.
Dimensionado de los semiconductores

[10_3]
No idealidades en el convertidor a No idealidades en el convertidor b

[10_4] [10_5]
Ejemplo Formas de onda reales

[10_6] [10_7]
10.3 Resumen convertidores estudiados
[10_8]
Fig. 10. 24 Buck Converter
[10_9]
Fig. 10. 25 Boost Converter

[10_10]
Fig. 10. 26 Buck-Boost Converter
Fig. 10. 27 Variacin de la tensin de salida en funcin del ciclo de trabajo para los distintos convertidores
LM78S40
[10_11]

GARCER G. Conversores conmutados: circuitos de potencia y control. SPUPV 1998.

and Design. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1989.
MUOZ, J. L.; HERNANDEZ J. Sistemas de alimentacin conmutados. Paraninfo, 1997.
SIMON S. ANG. Power-switching converters. Ed. Marcel Dekker, 1995.
RASHID, M. H. Electrnica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones. 3 Edicin. Prentice

Hall, 2004.

POTENCIA

Introduccin. Configuracin del circuito de potencia: Transformador con toma media,
batera de toma media. Puente monofsico. Anlisis mediante series de Fourier.
Puente trifsico. Regulacin de la tensin de salida: Modulacin PWM. Conmutacin
bipolar, conmutacin unipolar. Aplicacin control electrnico de motores

jaguilar@ujaen.es
11.1 Introduccin 1
11.1.1 Principio de funcionamiento 1
11.2 Configuracin del circuito de potencia 2
11.2.1 Transformador con toma media 2

1.2.2 Batera con toma media (inversor en medio puente) 3
11.2.3 Puente monofsico 10
11.2.4 Puente trifsico 19
11.3 Modulaciones bsicas 27
11.3.1 Definiciones y consideraciones relativas a la modulacin PWM 39

11.3.2 Armnicos generados 41
11.4 Filtrado 50
11.4.1 Filtrado de la tensin de salida 50

11.4.2 Diseo de un filtro de tensin 52
11.5 Inversor como fuente de intensidad 61
11.6 Aplicaciones 62
11.6.1 Sistemas de conversin de energa fotovoltaica 63

TEMA 11: CONVERTIDORES DC/AC
11.1 Introduccin
Los inversores estticos son circuitos que generan una tensin o intensidad alterna a partir de una
fuente de continua.
La aparicin de los transistores de potencia y los tiristores ha facilitado enormemente la solucin de
esta funcin, promoviendo la proliferacin de diversos circuitos con muy buenas caractersticas que
hubieran sido de difcil realizacin mediante las tcnicas clsicas.
Los inversores u onduladores se pueden estudiar como rectificadores controlados funcionando en
sentido inversor. Sin embargo, estos dispositivos tienen la caracterstica, que en muchas ocasiones es
un gran inconveniente, de que para transformar la energa de corriente continua en alterna deben
conectarse a una fuente alterna del exterior que impone la frecuencia de funcionamiento, con lo cual
se les llama inversores controlados o guiados (inversores no autnomos).
En la mayora de las ocasiones se precisan inversores que funcionen autnomamente, es decir, que no
estn conectados a ninguna fuente de corriente alterna exterior y que la frecuencia sea funcin de las
caractersticas propias del sistema. stos son conocidos como inversores u onduladores autnomos.
Su representacin simblica se aprecia en la figura 11.1.
Fig. 11. 1
Smbolo del inversor autnomo.
En muchas ocasiones estos dispositivos se utilizan para aplicaciones que exigen una componente de
armnicos muy pequea, una estabilidad de tensin y frecuencia de salida muy grande. La
disminucin de armnicos se logra con procedimientos adecuados de disparo, control y con la
colocacin de filtros especiales a la salida del inversor. En cuanto a la estabilidad, regulacin y
control de la tensin y de la frecuencia se logra mediante el funcionamiento en bucle cerrado.
Los inversores tienen mltiples aplicaciones, entre las cuales podemos destacar los Sistemas de
Alimentacin Ininterrumpida (S.A.I.), que se emplean para la alimentacin de ordenadores u otros
equipos electrnicos que a la vez que una gran seguridad de funcionamiento deben tener una gran
estabilidad de tensin y frecuencia. El control de motores de C.A., instalaciones de energa solar
fotovoltaica, etc.
11.1.1 PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO.

Para conseguir una corriente alterna partiendo de una corriente continua necesitamos un conjunto de
interruptores que puedan ser conectados y desconectados a una determinada carga de manera que la
salida sea positiva y negativa alternativamente.
Cada uno de estos interruptores debe de estar constituido por un par de tiristores o transistores para
que la corriente pueda circular en los dos sentidos, aunque en la prctica cada interruptor estar
compuesto por un tiristor o transistor y un diodo.
Los circuitos ms bsicos que se pueden dar de inversores se muestran en las figuras 11.2 y 11.3.
Fig. 11. 2
Circuito bsico con batera con toma intermedia.

Fig. 11. 3
Circuito bsico sin batera de toma intermedia.
Configuracin en puente.
El circuito de la figura 11.2, tiene el inconveniente de necesitar una fuente con toma intermedia,
mientras que en el circuito de la figura 11.3 este problema se ha solventado utilizando cuatro
interruptores los cuales se cierran dos a dos; durante el primer semiperodo se cierran I1 e I3, y
durante el segundo lo hacen I2 e I4. Adems con el circuito de la figura 11.3, a igualdad de valor de la
batera, tenemos una tensin de salida igual al doble que la del circuito de la figura 11.2.
11.2 Configuracin del circuito de potencia

Suelen distinguirse tres configuraciones: con transformador de toma media, con batera de toma
media y configuracin en puente. Cada una de ellas tiene sus ventajas e inconvenientes, como se
expondrn ms adelante, independientemente de los semiconductores empleados en su realizacin y
de su circuitera auxiliar de excitacin y bloqueo.
11.2.1 TRANSFORMADOR CON TOMA MEDIA.
En la figura 11.4 se describe este circuito y las formas de onda de las variables ms interesantes.
Fig. 11. 4
Inversor con transformador de toma media.
La fuente de C.C. est representada por una batera de tensin VS. El polo positivo est
permanentemente conectado a la toma media de un transformador que se considera ideal (intensidad
magnetizante nula, resistencia de los devanados nula, inductancia de dispersin nula). El polo
negativo de la batera, que se toma como referencia de tensiones para el circuito asociado al primario,
se conecta alternativamente a los extremos A y B del primario mediante los interruptores IN1 e IN2,
cuya secuencia de funcionamiento queda representada en la figura 11.4.

En los semiperodos en que IN1 est abierto e IN2 cerrado, como sucede en el instante t1 , se imprime a
los terminales X-B del transformador una tensin VS con la polaridad indicada en la segunda figura.
Suponiendo que los devanados AX, XB y el secundario tienen el mismo nmero de espiras N, se
tendr que la tensin de salida es:
vo (t ) = VS
atendiendo a los terminales correspondientes durante el semiperodo y que es independiente de la

intensidad que circula por la carga. Se ha supuesto, para simplificar al mximo en este primer
esquema, que la carga es una resistencia pura de valor R. La intensidad de salida durante este
semiperodo es, por lo tanto:
vo (t ) VS
io (t ) = = = IO
R R
La tensin del punto A respecto del X es igual a VS y, segn los terminales correspondientes,
positiva. Por lo tanto IN1 queda sometido a una tensin 2VS cuando est abierto.
Durante los semiperodos en que IN1 est cerrado e IN2 abierto, como sucede en el instante t2 (vase el
tercer esquema), la tensin de la batera est aplicada a los terminales AX del primario y la tensin de
salida es:
vo (t ) = VS
como puede deducirse de la inspeccin de los terminales correspondientes, la intensidad de salida
resulta:
VS
io (t ) = = I O
R
El interruptor IN2 tambin queda sometido a una tensin 2VS cuando est abierto. Los circuitos reales
con transistores o tiristores someten por tanto estos dispositivos a picos de tensin todava mayores a
2VS debido a las inevitables oscilaciones que tienen lugar en las conmutaciones. Por dicha razn esta
configuracin no es adecuada para trabajar con tensiones de alimentacin altas. El transformador de
toma media tiene un grado de utilizacin bajo en el primario y empeora bastante el rendimiento en
los circuitos prcticos, por lo que no es aconsejable emplear esta configuracin para potencias
superiores a 10 KVA.
La tensin resultante en la salida es una onda cuadrada de amplitud VS independiente de la intensidad
para cualquier tipo de carga, cuya frecuencia est determinada por la velocidad de cierre y apertura
de los interruptores, y en los circuitos prcticos por la frecuencia de los impulsos de excitacin de los
semiconductores.
La intensidad de batera en este circuito es perfectamente continua e igual a VS/R.
1.2.2 BATERIA CON TOMA MEDIA (INVERSOR EN MEDIO PUENTE)
Fig. 11. 5
Circuito inversor con batera de toma media.

Durante los semiperodos en que Q1 est excitado y saturado, la tensin en el extremo derecho de la
carga es +VS/2 respecto de la toma media de la batera, salvo cadas de tensin despreciables en el
semiconductor. Durante los semiperodos en que se excita Q2, la tensin en dicho extremo de la carga
es -VS/2. La tensin resultante en la carga es una onda cuadrada de amplitud VS/2.
Para realizar las ondas de intensidad de salida io(t) se ha supuesto por simplicidad que la carga
consiste en un circuito RLC que tiene una impedancia a los armnicos de la tensin de salida de
forma que absorbe una intensidad io(t) senoidal pura. El ngulo de retardo de dicha intensidad
respecto a la componente fundamental de vo(t) se ha supuesto de 60.
Observando la evolucin relativa de vo(t) e io(t) se confirma la necesidad de disponer diodos en

antiparalelo con los transistores que permitan la circulacin de la intensidad reactiva.
[11_1] [11_2]
El ngulo o perodo de conduccin de los diodos coincide con el argumento de la impedancia de

carga, siendo nulo para una carga con cos = 1, en cuyo caso podran eliminarse los diodos. El
mayor perodo de conduccin para los diodos y menor para los transistores se da con carga reactiva
pura, tanto capacitiva como inductiva cos = 0, ambos perodos son de 90.
El valor medio de la intensidad conducida por cada transistor es:

1 Ip
[1 cos ( - )]
-
I Q ( AV ) = I p sen (t )dt = E 11.1
2 0 2
y la de cada diodo:
Ip 1
I D ( AV ) = (1 cos ) = I sen (t )dt E 11.2
2 2
p
-
siendo Ip el valor de pico de la intensidad de salida.
La corriente media entregada al circuito por cada mitad de batera es igual a la que circula por los
transistores menos la que circula por los diodos, es decir:
Ip
I S ( AV ) = [cos cos ( )] E 11.3
2
La tensin eficaz de salida viene dada por la siguiente expresin:
T
2 2 VS2 V
Vo ( RMS ) =
T 0 4
dt = S
2
E 11.4
La tensin instantnea de salida expresada en series de Fourier ser:

2 VS
vo (t ) = sen (n t ) para n = 1,3,5... E 11.5
n =1 n
cuando la frecuencia de la tensin de salida en rad/seg., es = 2f. Para n = 1 tendremos un valor

eficaz de la componente fundamental de:
2VS
Vo1( RMS ) = = 0.45 VS E 11.6
n 2
Para una carga RLC la corriente instantnea de salida viene dada por:


2VS
io (t ) = sen (nt n )
2
n =1 1
n R 2 + nL
nC
1
nL
nC
n = arctg E 11.7
R
donde n = 1,3,5...
Si Io1(RMS) es la intensidad eficaz del fundamental en la carga, la potencia a la salida:
Po1( RMS ) = Vo1( RMS ) I o1( RMS ) cos 1 = I o21( RMS ) R
PROBLEMA 11.1
Dado el circuito inversor con batera de toma media de la figura, donde VS = 48 V y la carga es
resistiva y de valor R = 2.4. Calcular:
a) La tensin eficaz de salida a la frecuencia del fundamental Vo1(RMS) .
b) Potencia eficaz de salida Po(RMS) .
c) La corriente media y de pico de cada transistor.
d) La tensin inversa de pico VQ(BR) de bloqueo cada transistor.
e) La distorsin armnica total THD.
f) El factor de distorsin DF.
g) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.
h) Simular este circuito con Pspice y obtener: Tensin e intensidad en la carga.
Intensidades instantnea y media en los transistores. Anlisis espectral de Fourier.
Listado de componentes de Fourier para la tensin de salida (visualizar el fichero
.OUT). Comparar los resultados con los obtenidos tericamente.
Solucin:
a) Segn la ecuacin [E 11.6], la tensin eficaz de salida a la frecuencia del fundamental
es:
Vo1( RMS ) = 0.45 48 = 21.6 V
b) La potencia de salida se calcula como sigue:
VS 48 Vo2( RMS ) 24 2
Vo ( RMS ) = = = 24 V Po ( RMS ) = = = 240 W
2 2 R 2.4
c) La corriente de pico de cada transistor es:



VS 24
I pQ = = = 10 A
R 2 .4
Cada transistor conduce durante el 50 % de cada ciclo, por tanto, la corriente media que circula
por cada transistor es:
I Q ( AV ) = 0.5 10 = 5 A
d) La tensin inversa de pico de bloqueo de cada transistor es:
VQ ( BR ) = 2 24 = 48 V
e) La distorsin total es:
1 1
THD = Von2 = Vo2( RMS ) Vo21( RMS ) =
Vo1 n =3,5, 7... Vo1( RMS )
=
1
21.6
(24 2
)
21.6 2 = 0.4834 = 48.34%
como Vo(RMS) = 24 V y Vo1(RMS) = 21.6 V, los dems armnicos aportan:
24 21.6 = 2.4 V
f) La tensin eficaz de todos los armnicos exceptuando la del fundamental viene

representado por VH y es:
2 2 2
V2 V V V
VH = on2 = o23 + o25 + o27 + ...
n =3,5,7... n 3 5 7
Como:
Vo1 0.45 VS
Von = Vo1 = 0.45 Vs Von =
n n
La tensin eficaz de todos los armnicos quedar, sustituyendo la igualdad anterior en la
expresin de VH, como:
2 2 2 2 2
0.45 0.45 0.45 0.45 0.45
V H = VS 3 + 3 + 3 + 3 + 3 ... 0.01712 VS
3 5 7 9 11
El factor de distorsin, ser:
VH V
DF = = 0.01712 S = 3.804 %
Vo1 Vo1
g) El armnico de orden ms bajo es el tercero (armnico que produce mayor

distorsin despus del fundamental):
Vo1 21.6
Vo 3 = Vo 3( RMS ) = = 7.2 V
3 3
Factor armnico (distorsin normalizada del tercer armnico):


Vo1

Vo 3 3 1
HF3 = = = = 33.33%
Vo1 Vo1 3
Factor de distorsin del tercer armnico:
Vo 3 Vo1
2 3
3 3 1
DF3 = = = = 3.704%
Vo1 Vo1 27
h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de tensin
alternas y desfasadas entre s 180. Estas fuentes excitan a los transistores a travs
de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figura.
Las dems consideraciones para el anlisis se pueden observar en el listado de la simulacin que
proporcionamos ms abajo.
Los valores tomados de la simulacin son:

R = 2.4
Vg1 = Vg2 = 5 V
Rg1 = Rg2 = 100
VS = 48 V
f = 50 Hz
Problema11_1: CIRCUITO INVERSOR CON BATERIA DE TOMA MEDIA

* Resistencias:
RG1 6 2 100 ; Resistencia de base del transistor Q1
RG2 4 7 100 ; Resistencia de base del transistor Q2
* Fuentes excitadoras de los transistores:
VG1 6 3 PULSE(5 0 0 0 0 10M 20M)
VG2 7 5 PULSE(5 0 10M 0 0 10M 20M)
* Fuente c.c. de toma media:
V1S/2 1 0 24
V2S/2 0 5 24
* Carga:
R 3 0 2.4
* Transistores y definicion del modelo QMOD mediante una linea .MODEL:
Q1 1 2 3 QMOD
Q2 3 4 5 QMOD
.MODEL QMOD NPN (IS=6.374F BF=416.4 CJC=3.6P CJE=4.4P)
* Parametros para el analisis con PsPice:
.OP
.PROBE
.four 50 V(3,0) ; *ipsp*
.tran 1.000u .3 0 0 ; *ipsp*
.END

El listado de las componentes de Fourier se encuentra al final del archivo Problema11_1.OUT

que crea el programa durante la simulacin. Para este ejemplo tenemos:
La comparacin entre los datos tericos y los que nos ofrece Pspice se muestra en la siguiente
tabla:
TERICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo1(RMS) = 21.6 V Vo1(RMS) = 21.46 V
b) Vo(RMS) = 24 V Vo(RMS) = 23.835 V
c) IpQ = 10 A IpQ = 9.928 A
c) IQ(AV) = 5 A IQ(AV) = 4.8828 A
e) THD = 48.34% THD = 42.8%
f) HF3 = 33.33% HF3 = 33.33%
g) Vo3(RMS) = 7.2 V Vo3(RMS) = 7.156 V
La variacin existente entre la distorsin armnica total THD que proporciona Pspice con
respecto a la terica se debe a que el programa slo tiene en cuenta, como ya hemos mencionado,
los nueve primeros armnicos.
PROBLEMA 11.2
Dado el inversor monofsico de batera de toma media de la figura, donde VS = 600 V, R = 10

, L = 0.05 H y la frecuencia f = 50 Hz. Calcular:
a) Intensidad mxima Io en la carga.

b) Tiempo de paso por cero de la intensidad en la carga despus de un semiciclo.
c) Intensidad media IQ(AV) por los transistores.
d) Intensidad media ID(AV) por los diodos.
Solucin:
a) Para el primer intervalo, en el que conduce Q1, la ecuacin de su malla ser:
VS di (t )
= vo (t ) = R io (t ) + L o
2 dt
y para el segundo intervalo tendremos:
VS di (t )
= vo (t ) = R io (t ) + L o
2 dt


Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solucin es:
V
t t

i o (t ) = S 1 e I e
2 R o

donde:

T

V 1 e 2 L 0.05
Io = S T
= = = 0.005 seg.
2R R 10
1+ e
2

Como f = 50 Hz, tendremos un perodo T = 0.02 seg., por tanto, la intensidad mxima en la carga
es:

0.02

600 1 e 20.005
Io = = 22.85 A
2 10
0.02
1 + e

20.005

b) El tiempo t1 de paso por cero de la intensidad io(t) lo obtenemos igualando a cero la
ecuacin que rige a esta intensidad y sustituyendo en ella la ecuacin de Io.
Haciendo esto obtendremos como solucin:

2 2
t1 = T ln T = 0.005 ln 0.02 = 2.83 mseg.

1 + e 2 1 + e 20.005
c) Como la carga no es resistiva, el desfase entre tensin e intensidad viene dado por:
L 2 50 0.05
= arctg = arctg = 57.51
R 10
El valor de la intensidad media por los transistores lo vimos en la teora y viene dada por la
ecuacin:
Io
I Q ( AV ) = [1 cos( )] = 22.85 [1 cos(180 57.51 )] = 5.6 A
2 2
d) El clculo para la intensidad media de los diodos se realiza de igual forma:
Io
I D ( AV ) = (1 cos ) = 22.85 (1 cos 57.51 ) = 1.68 A
2 2

11.2.3 PUENTE MONOFASICO.
Fig. 11. 6
Inversor monofsico.
Consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se especifica en las figuras 11.6 y 11.7; en
estas figuras se han materializado los circuitos mediante tiristores, a los cuales se han conectado
diodos en antiparalelo para conducir la intensidad reactiva.
Manteniendo excitados T1 y T4 (instante t1), el extremo X de la carga queda conectado al polo
positivo de la batera y el extremo Y al polo negativo, quedando la carga sometida a la tensin VS de
la batera. Bloqueando T1 y T4 y excitando T2 y T3 (instante t3), la tensin en la carga se invierte.
Haciendo esto de forma alternativa, la carga queda sometida a una tensin alterna cuadrada de
amplitud igual a la tensin de la batera VS , lo cual supone una ventaja con respecto al inversor con
batera de toma media. En contrapartida, aqu se necesitan el doble semiconductores que en dicha
configuracin.
Fig. 11. 7
Formas de onda en la carga.
En la figura 11.7 se muestran los perodos de conduccin, la forma de onda en la carga y los
elementos que atraviesa la corriente en cada intervalo de tiempo. Para el instante t2 la carga tendr
una tensin positiva en el extremo Y y negativa en el X, por tanto, sta se descargar a travs de

los diodos D2 y D3 cediendo potencia a la batera; en el instante t4 la tensin en la carga es la

contrara que en el instante t2 y por tanto conducen los diodos D1 y D4. En ambos intervalos de
tiempo se libera la energa reactiva acumulada en la carga durante los instantes t1 y t3
respectivamente.
[11_3]
La forma de onda en la carga se ha representado suponiendo una impedancia infinita para los
armnicos de la tensin de salida, y por tanto tenemos una tensin senoidal pura. El ngulo de
retardo de la intensidad de carga con respecto a la onda fundamental de la tensin de salida se ha
tomado aproximadamente de 60.
Las ecuaciones [E 11.1] y [E 11.2] del apartado anterior siguen siendo vlidas para este caso, pero la
intensidad media suministrada por la batera es el doble de la expresada en [E 11.31].
Por otra parte la tensin eficaz de salida viene dada por:
T
2 2 2
T 0
Vo ( RMS ) = VS dt = VS E 11.8
La tensin instantnea de salida en serie de Fourier difiere de la que tenamos para un circuito
inversor con batera de toma media en que ahora tenemos el doble de tensin en la salida y por tanto:

4VS
vo (t ) = sen (n t ) para n = 1,3,5... E 11.9
n =1, 3, 5... n
para n = 1 tenemos el valor de la tensin eficaz de la componente fundamental:
4VS
Vo1( RMS ) = = 0.90 VS E 11.10
2
La intensidad instantnea de salida para una carga RLC ser:

4 VS
io (t ) = sen (nt n )
2
n =1 1
n R 2 + nL
nC E 11.11
1
nL
n = arctg nC
R
PROBLEMA 11.3
En el circuito de la figura la batera VS = 48 V y la carga R = 2.4 , calcular:
a) Tensin eficaz del fundamental.

b) Potencia media en la carga.
c) Intensidad de pico y media de cada transistor.
d) Tensin inversa de pico VQ(BR) de bloqueo de los transistores.
e) Distorsin armnica total THD.
f) Factor de distorsin DF.
g) Factor armnico y factor de distorsin del armnico de menor orden.
h) Simular el circuito con Pspice y obtener: Las intensidades media e instantnea en Q1. El
anlisis de Fourier que proporciona el programa. Comparacin con los datos tericos.


Problema11_3.cir
Solucin:
a) La tensin eficaz del fundamental viene dada por la ecuacin [E 11.10] y es:
Vo1( RMS ) = 0.90 48 = 43.2 V
b) La potencia media entregada a la carga viene dada por la ecuacin genrica:
VS2 48 2
Po ( AV ) = = = 960 W
R 2.4
c) La intensidad de pico por cada pareja de transistores ser:
48
I PQ = = 20 A
2.4
Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la intensidad
media de cada rama es:
20
I Q ( AV ) = = 10 A
2
d) La tensin de pico de bloqueo, ser igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
V BR = 48 V
e) Para calcular la distorsin armnica total THD de forma exacta necesitamos
conocer la tensin aportada por todos los armnicos.
Como Vo(RMS) = 48 V y Vo1(RMS) = 43.2 V, los dems armnicos aportan:
48 - 43.2 = 4.8 V

1 1
THD =
Vo1
V
n =3, 5 , 7...
2
on =
Vo1( RMS )
Vo2( RMS ) Vo21( RMS ) =
1
= 48 2 43.2 2 = 48.43%
43.2
f) El factor de distorsin aplicando un filtro de segundo orden ser:
2 2 2
1 Von 1 Vo 3 Vo 5 0.3424 VS
DF =
Vo1
2 =
n =3, 5... n
2 + 2 + ... =
Vo1 3 5 0 .9 V S
= 3.804%


g) El armnico de orden ms bajo es el tercero:
Vo1
Vo 3 =
3
Vo 3 1
HF3 = = = 33.33%
Vo1 3
Vo 3
2
3 1
DF3 = = = 3.704%
Vo1 27
. La tensin de pico inversa de bloqueo de cada transistor y la tensin de salida para inversores
con batera de toma media e inversores en puente monofsico son las mismas, sin embargo, para
el inversor en puente la potencia de salida es cuatro veces mayor y la componente del
fundamental es el doble que en el inversor con batera de toma media.
h) Para simular el circuito hemos introducido cuatro fuentes de tensin alterna Vg con
sus respectivas resistencias en serie Rg.
Los valores tomados para el circuito de la figura son: Vg = 5.8 V; f = 50 Hz y Rg =100 .
Los diodos que se introducen en el circuito no son necesarios para este anlisis, puesto que la
carga es puramente resistiva y no desfasa la tensin e intensidad de salida. Sin embargo, se ha
introducido para que el lector pueda experimentar con otras cargas en este tipo de configuracin
Como podramos comprobar en el listado las amplitudes obtenido en el .OUT de los armnicos
pares es nula, esto se debe a que la tensin de salida es una onda cuadrada en cuya composicin
slo intervienen los armnicos impares.
La comprobacin entre stos se encuentra reflejada en la siguiente tabla:
TERICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo1(RMS) = 43.2 V Vo1(RMS) = 42.76 V
c) IpQ = 20 A IpQ = 19.792 A
c) IQ(AV) = 10 A IQ(AV) = 10.058 A
e) THD = 48.43% THD = 42.87%
f) HF3 = 33.33% HF3 = 33.33%

PROBLEMA 11.4
El puente inversor de la figura tiene una carga RLC de valor R = 10, L = 31.5mH y C = 112F.
La frecuencia del inversor es de 60 Hz y la tensin de entrada VS = 220 V. Calcular:
a) La corriente instantnea de salida en series de Fourier.

b) El valor eficaz de la intensidad total en la carga y la debida al primer armnico.
c) Distorsin total de la corriente de carga.
d) Potencia activa en la carga y del fundamental.
e) Intensidad media de entrada.
f) Intensidad media y de pico de cada transistor.
g) Simular con Pspice este circuito y obtener: La tensin e intensidad instantneas en la carga.
Intensidad instantnea de los diodos. Comparacin de las intensidades de base de los
transistores. Intensidad eficaz en la carga. Intensidades media e instantnea de colector de
cada transistor. Anlisis espectral de Fourier de la intensidad en la carga y el listado de
componentes armnicos de dicha intensidad.
Solucin:
a) Para calcular la intensidad instantnea en series de Fourier se calcula primero la

impedancia de la carga para cada armnico y se divide la tensin instantnea en
series de Fourier por dicha impedancia. Para n = 1:
2
1
Z o1 = 10 + 2 60 31.5 10 3
2
6
= 15.4
2 60 112 10
1
2 60 31.5 10
3
6
o1 = arctg 2 60 112 10 = 49.7
10

La tensin instantnea en series de Fourier viene dada por la ecuacin [E 11.9] con la que
calculamos la amplitud de cada armnico, por tanto, para n = 1:
4 220
Vo1 = sen (2 60 t ) = 280.1 sen(120 t )

Vo1 280.1
I o1 = = sen (120 t + 49.7 ) = 18.1 sen(120 t + 49.7 )
Z o1 15.4
Dando valores a n (3, 5 ,7...) se calculan los siguientes armnicos:
Vo 3 = 93.4 sen (3 120 t )

Z o3 = 29.43
o3 = 70.17


I o 3 = 3.17 sen(3 120 t 70.17 )
Vo 5 = 56 sen(5 120 t )
Z o5 = 55.5
o5 = 79.63
I o 5 = 1 sen(5 120 t 79.63 )
Haciendo el sumatorio obtenemos la intensidad instantnea en series de Fourier:
i (t ) = 18.1sen(120 t + 49.7 ) + 3.17 sen(3 120 t 70.17 ) +

o
+ 1sen(5 120 t 79.63 )
b) Como:
Ip
I ( RMS ) =
2
para el primer armnico tendremos:
I o1 18.1
I o1( RMS ) = = = 12.8 A
2 2
Considerando hasta el quinto armnico, la corriente de pico en la carga ser:
I o = 18.12 + 3.17 2 + 12 = 18.4 A

18.4
I o ( RMS ) = = 13.01 A
2
c) La distorsin armnica total para la intensidad se calcula de la misma forma que

para la tensin, resultando:
(I )

1 1 1
THD =
I o1
I
n =3,5...
2
on =
I o1
2
o I o21 =
18.1
18.4 2 18.12 = 18.28%
d) Las potencias son:

Po = I o2( RMS ) R = 13.012 10 = 1692.6 W
Po1 = I o21( RMS ) R = 12.8 2 10 = 1638 W
e) La intensidad media que suministra la fuente es:
Po 1692
I ( AV ) = = = 7.69 A
VS 220
f) Segn el apartado b tendremos una intensidad de pico por los transistores:
I pQ = 18.4 A
Como cada rama conduce durante el 50% de cada perodo tenemos:
7.69
I Q ( AV ) = = 3.845 A
2



El circuito que se simular con Pspice es el que se muestra en la figura siguiente:
Los valores tomados para la simulacin son: R = 10, L = 31.5 mH, C = 112 F, f = 60 Hz y las
resistencias de base Rg1 = Rg2 = Rg3 = Rg4 = 100.
Descripcin del circuito: Problema11_4.cir
Para el caso de carga RLC, sabemos que la tensin y la intensidad se desfasan un cierto ngulo
que corresponde con el argumento que presenta la carga. En este caso al ser de carcter
capacitivo, la intensidad se adelanta en fase respecto de la tensin. Esto es apreciable en la figura
11.8, donde adems se puede observar que la intensidad es ahora ms senoidal que en los casos
anteriores. Esto se debe a la presencia del condensador y de la bobina en la carga. El desfase
mencionado anteriormente se encuentra reflejado en la figura 11.9. En ella se puede comprobar
el perodo de conduccin del diodo D3 y las intensidades que recorren a D1 y D3.
Fig. 11. 8 Tensin e intensidad instantnea en la carga.


Fig. 11. 9 Anlisis espectral de Fourier para io(t).

El listado de componentes de Fourier para la intensidad en la carga se muestra a continuacin:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(R)


1 6.000E+01 1.802E+01 1.000E+00 4.742E+01 0.000E+00

2 1.200E+02 2.422E-02 1.344E-03 -1.542E+02 -2.016E+02
3 1.800E+02 2.726E+00 1.513E-01 -6.635E+01 -1.138E+02
4 2.400E+02 1.123E-02 6.229E-04 2.600E+01 -2.142E+01
5 3.000E+02 1.040E+00 5.768E-02 -6.873E+01 -1.162E+02
6 3.600E+02 8.265E-03 4.585E-04 5.438E+01 6.962E+00
7 4.200E+02 5.559E-01 3.084E-02 -7.311E+01 -1.205E+02
8 4.800E+02 7.409E-03 4.110E-04 6.358E+01 1.616E+01
9 5.400E+02 3.385E-01 1.878E-02 -9.073E+01 -1.381E+02
TERICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo = 220 V Vo = 221.808 V
b) Io = 18.4 A Io = 20.298 A
b) Io(RMS) = 13.01 A Io(RMS) = 12.92 A
f) IQ(AV) = 3.845 A IQ(AV) = 4.706 A
a) Io1 = 18.1 A Io1 = 18.02 A
a) Io3 = 3.17 A Io3 = 2.726 A
a) Io5 = 1 A Io5 = 1.040 A
c) THD = 18.28% THD = 16.58%
Ntese que a partir del quinto armnico (en el listado) la amplitud que se presenta para cada uno
de ellos es tan pequea que no es significativo introducirla en los clculos tericos.

PROBLEMA 11.5
En un inversor monofsico en puente como el de la figura tenemos los siguientes datos: VS = 200
V, R = 30, L = 0.16 H y T = 12.5 mseg. Calcular:
a) La intensidad de pico en la conmutacin.

b) El tiempo de conduccin de los diodos.
c) El tiempo de conduccin de los transistores.
d) La intensidad media suministrada por la fuente.
e) La potencia media en la carga.
Solucin:
a) La constante de tiempo para este circuito es:
L 0.16
= = = 5.33 mseg
R 30
por tanto, la intensidad de pico es:

T

0.0125

1 e
V 2 200 1 e 20.00533
Io = S T
= 0.0125
= 3.51 A
R 30
1+ e 1+ e
2 2 0.00533

b) El tiempo de conduccin de cada diodo ser:
L 2 0.16
= arctg = arctg = 69.54
R 0.0125 30
69.5412.5
t D on = = 2.41 mseg.
360
c) El tiempo de conduccin de cada transistor ser:
t Q on = 6.25 2.41 = 3.84 mseg.
d) Para las intensidades medias de los diodos y de los transistores los clculos se
efectan del siguiente modo:
Io
I D ( AV ) = (1 cos ) = 3.51 (1 cos 69.54 ) = 0.36 A
2 2
Io
I Q ( AV ) = [1 cos( )] = 3.51 [1 cos(180 69.54 )] = 0.75 A
2 2


La intensidad media que suministra la batera ser igual a la que soportan los transistores menos
la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperodo:
( )
I S ( AV ) = 2 I Q ( AV ) I D ( AV ) = 2 (0.75 0.36 ) = 0.78 A
e) La potencia media que consume la carga es igual a la que cede la batera y es:
Po ( AV ) = I S ( AV ) V S = 0.78 220 = 171.6 W
11.2.4 PUENTE TRIFSICO.
El inversor trifsico se utiliza normalmente para los circuitos que necesitan una elevada potencia a la
salida.
Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros, sin embargo, los
secundarios se pueden conectar en tringulo o en estrella, tal como se muestra en la figura 11.10.
Los secundarios de los transformadores se conectan normalmente en estrella para de esta forma
eliminar los armnicos de orden 3, (n = 3, 6, 9...) de la tensin de salida.
Fig. 11. 10
Formas de conexin.
Este inversor se puede conseguir con una configuracin de seis transistores y seis diodos como se
muestra en la figura 11.11.
Fig. 11. 11
Inversor trifsico.
A los transistores le podemos aplicar dos tipos de seales de control: desfasadas 120 180 entre s.
ngulo de conduccin de 180.
Cada transistor conduce durante 180. Desfasando convenientemente las seales de control de los
transistores hacemos que conduzcan en cualquier instante tres de ellos. En la figura 11.11 cuando se
dispara Q1 el terminal a queda conectado al extremo positivo de la fuente de continua.
Tenemos seis modos de operacin durante un ciclo y la duracin de cada uno de ellos es de 60,
siendo la secuencia de disparo de los transistores: 1,2,3 - 2,3,4 - 3,4,5 - 4,5,6 - 5,6,1 - 6,1,2. Las
seales aplicadas en puerta a los transistores se muestran en la figura 11.12.

Fig. 11. 12
Seales aplicadas a las bases de los
transistores y formas de onda en la salida.
La carga se puede conectar en estrella o en tringulo tal y como se muestra en la figura 11.13. Para
una conexin en tringulo la corriente de fase se obtiene directamente de la tensin entre lneas. Para
una conexin en estrella la tensin entre lnea y neutro viene determinada por la intensidad de lnea.
Existen tres modos de operacin por semiciclo y sus circuitos equivalentes se muestran en la figura
11.14.
Fig. 11. 13
Tipos de conexiones.
Fig. 11. 14
Circuitos equivalentes.
Durante el modo 1 para 0 t /3 tenemos:
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i1 (t ) = = S
2 2 Req 3R
i1 (t )R V S 2VS
v an (t ) = v cn (t ) = = vbn (t ) = i1 (t )R =
2 3 3
Durante el modo 2 para /3 t 2/3 tenemos:
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i 2 (t ) = = S
2 2 Req 3R

i 2 (t )R VS 2VS
vbn (t ) = v cn (t ) = = v an (t ) = i2 (t )R =
2 3 3
Durante el modo 3 para 2/3 t tenemos:
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i1 (t ) = = S
2 2 Req 3R
i3 (t )R VS 2VS
v an (t ) = vbn (t ) = = v cn (t ) = i3 (t )R =
2 3 3
Fig. 11. 15
Tensiones de fase.
Fig. 11. 16
Tensiones de lnea.
En las figuras 11.15 y 11.16, se muestran las tensiones de fase y de lnea respectivamente como vab(t)
que puede ser expresada en series de Fourier como sigue, teniendo en cuenta que cambia para /6 y
que los armnicos pares son cero:

4VS n
v ab (t ) =
n =1,3,5... n
cos
6
sen n t +
6
E 11.12
vbc(t) y vca(t) vienen dadas por las siguientes ecuaciones en las que se cambia la fase de la tensin.
120 para vbc(t) y 240 para vca(t):

4V S n
vbc (t ) =
n =1, 3, 5... n
cos
6
sen n t
2
E 11.13


4VS n
vca (t ) =
n =1, 3, 5... n
cos
6
sen n t 7
6
Las tensiones eficaces de lnea sern:
2
2 2
V L ( RMS ) =
2 0
3 VS2 d t =
3
VS = 0.8165 VS E 11.14
De la ecuacin [E 11.12] obtendremos que la n-sima componente de la tensin eficaz de lnea ser:
4VS n
VLn ( RMS ) = cos E 11.15
2 n 6
por tanto, para n = 1, tendremos la tensin eficaz de lnea del fundamental:
4VS
V L1( RMS ) = cos 30 = 0.7797 VS E 11.16
2
El valor eficaz de la tensin de fase viene dado por la tensin de lnea:
V L ( RMS ) 2VS
V F ( RMS ) = = = 0.4714 V S E 11.17
3 3
Para cargas puramente resistivas, los diodos en antiparalelo con los transistores no conducen, pero
para una carga inductiva la intensidad en cada rama del inversor puede estar retrasada con respecto a
la tensin como se muestra en la figura 11.17:
Fig. 11. 17
Inversor trifsico con carga RL.
Cuando el transistor Q4 de la figura 11.11 est en corte, el nico camino para que circule la corriente
negativa de lnea ia(t) es a travs de D1, en este caso el terminal a de la carga queda conectado a la
fuente de continua a travs de D1 hasta que la intensidad en la carga invierte su sentido para t = t1 .
Durante el perodo entre 0 t < t1, el transistor Q1 no conduce. De igual forma, el transistor Q4 no
conducir para t = t2. El tiempo de conduccin de los transistores y diodos depende de la potencia
entregada a la carga.
Para una conexin de la carga en estrella, la tensin de fase es:
Vab
Van = E 11.18
3

con un retraso de 30, de la ecuacin [E 11.12] obtenemos la intensidad de lnea ia(t) para una carga
RLC:

4 VS n
ia (t ) = cos sen(n t n )
6
E 11.19
2
n =1, 3, 5...
3 n R 2 + j n L 1

n C
donde:
1
n L
n C
n = arctg E 11.20
R
PROBLEMA 11. 6
El inversor trifsico de la figura tiene una carga conectada en estrella de valor R = 5 y un valor
de L = 23 mH, la frecuencia del inversor es f = 33 Hz y la tensin C.C. de entrada es VS =220 V.
a) Expresar la tensin instantnea de lnea vab(t) y la intensidad de lnea ia(t) en series de

Fourier.
b) Determinar la tensin de lnea eficaz VL(RMS) .
c) La tensin de fase VF(RMS) .
d) La tensin de lnea eficaz a la frecuencia del fundamental VL1(RMS) .
e) La tensin de fase eficaz a la frecuencia del fundamental VF1(RMS) .
f) La distorsin armnica total THD.
g) El factor de distorsin DF.
h) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.
i) La potencia activa en la carga Po(RMS) .
j) La corriente media de la fuente IS(AV) .
k) PROPUESTO:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y de lnea en
la carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea del diodo D1.
Comparacin de la intensidad de base de los transistores. Tensin eficaz de lnea, de fase e
intensidad eficaz en la carga. Anlisis espectral de la tensin de lnea y componentes de Fourier
de sta.
Solucin:
f) La tensin instantnea de lnea vab(t) viene dada por la ecuacin [E 11.12]:
= 2 33 = 207 rad / seg.

4VS n
v ab (t ) =
n =1,3, 5... n
cos
6
sen n t +
6



v ab (t ) = 242.58 sen(207 t + 30 ) 48.52 sen 5(207 t + 30 ) 34.66 sen 7(207 t + 30 ) +
+ 22.05 sen 11(207 t + 30 ) + 16.66 sen 13(207 t + 30 ) 14.27 sen 17(207 t + 30 )...
Z L = R 2 + (n L ) = 5 2 + (8.67n )
2 2
arg = arctg
(n L ) = 8.67 n
R 5
Usando la siguiente ecuacin podemos obtener la intensidad instantnea de lnea ia(t):
4 VS n
i a (t ) =
n =1, 3, 5... 3 n R + (n L )
2 2
cos
6
sen(n t n )

donde:
n L
n = arctg
R
por lo que nos queda:
i a (t ) = 14 sen(207 t 43.6 ) 0.64 sen (5 207 t 78.1 ) 0.33 sen (7 207 t 81.4 ) +
+ 0.13 sen (11 207 t 84.5 ) + 0.10 sen (13 207 t 87.5 ) 0.06 sen (17 207 t 86.4 )...
g) De la ecuacin [E 11.14] obtenemos que:
V L ( RMS ) = 0.8165 220 = 179.63 V
h) Aplicando la ecuacin [E 11.17] tenemos que:
179.63
V F ( RMS ) = = 103.7 V
3
i) De la ecuacin [E 11.16] obtenemos:
4 220 cos 30
V L1( RMS ) = = 171.53 V
2
j) Aplicando nuevamente la ecuacin [E 11.17] obtendremos la tensin eficaz de fase
del fundamental:
171.53
V F 1( RMS ) = = 99.03 V
3
k) De la ecuacin [E 11.14] obtenemos:

V L1( RMS ) = 0.8165 VS V Ln
n =5, 7 ,11...
2
= V L2 V L21 = 0.2423 VS
0.2423 VS
THD = = 29.65%
0.8165 VS
l)
2
V Ln 0.00667 VS
V LH = 2 = 0.00667 V S
n =5, 7 ,11... n
DF1 =
0.8165 VS
= 0.81%


m) El armnico de orden ms bajo es el quinto, puesto que en la configuracin trifsica
se eliminan los armnicos de orden triple:
V L1( RMS ) 171.53

V L 5( RMS ) = = = 34.306 V
5 5
VL5 1
HF5 = = = 20%
V L1 5
VL5 1
DF5 = 2
= = 0.8%
V L1 5 125
n) Para calcular la potencia necesitamos calcular primero la intensidad de lnea eficaz

IL(RMS):
I L = 14 2 + 0.64 2 + 0.33 2 + 0.13 2 + 0.10 2 + 0.06 2 = 14.01 A

IL
I L ( RMS ) = = 9.91 A
2
Po ( RMS ) = 3 I L2( RMS ) R = 3 9.912 5 = 1473 W
o) La intensidad media de la fuente la obtenemos a partir de la potencia:
Po ( RMS ) 1473
I S ( AV ) = = = 6 .7 A
VS 220
p) A continuacin mostramos el circuito para la simulacin con Pspice:
Problema11_6.cir
A partir del circuito y de su listado correspondiente:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y de lnea en la
carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea del diodo D1.
Comparacin de la intensidad de base de los transistores. Tensin eficaz de lnea, de fase e
intensidad eficaz en la carga. Anlisis espectral de la tensin de lnea y componentes de Fourier
de sta.

ngulo de conduccin de 120.
Fig. 11. 18
Tensiones de puerta y de lnea.
Para este tipo de control cada transistor conduce durante 120, hacindolo dos transistores al mismo
tiempo. Siendo, por tanto, las seales de puente y la de salida las mostradas en la figura 11.18.
Qu ventajas puede tener el hecho de que conduzcan 2 titistores?
Observar que tiristores conducen en cada instante
De la grfica se deduce que la secuencia de conduccin de los transistores es: 6,1 1,2 2,3 3,4
4,5 5,6 6,1. Luego existen tres modos de operacin por semiciclo, siendo el circuito equivalente
para una carga conectada en estrella el mostrado en la figura 11.19.
Fig. 11. 19
Circuito equivalente para la conexin de una carga resistiva en
estrella.
Durante el modo 1, para 0 < /3, conducen los transistores Q1 y Q6. Siendo:
V VS
v an (t ) = S vbn (t ) = vcn (t ) = 0
2 2
Durante el modo 2, para /3 < 2/3, conducen los transistores Q1 y Q2. Siendo:
V VS
v an (t ) = S vcn (t ) = vbn (t ) = 0
2 2
Durante el modo 3, para 2/3 < , conducen los transistores Q2 y Q3. Siendo:
V VS
vbn (t ) = S v cn (t ) = v an (t ) = 0
2 2

11.3 Modulaciones bsicas
Los inversores no modulados (de onda cuadrada), aunque son muy sencillos de implementar tienen
un gran nmero de desventajas:
- La tensin obtenida presenta una distorsin elevada.

- Necesitan filtros voluminosos.
Estos inconvenientes limitan la utilizacin de los inversores no modulados en aplicaciones tales

como la variacin de la velocidad de motores asncronos, donde las tensiones no sinusoidales
producen vibraciones en los motores y el rango de variacin de las frecuencia (10-400Hz) dificulta la
utilizacin de filtros.
Una seal no modulada presenta armnicos muy prximos a la fundamental, por lo que requiere
filtros con frecuencias de corte muy bajas y pueden atenuar no solo a los armnicos, sino tambin al
fundamental.
Para evitar el problema anterior sera muy interesante obtener una seal donde los armnicos y la
fundamental estuvieran muy separadas. Esto se puede conseguir con el control por modulacin PWM
(Pulse Width Modulation) como se ver ms adelante.
Resumen
[11_4]
Un requerimiento muy comn de los inversores prcticos es la posibilidad de mantener constante el

valor eficaz de la tensin de salida frente a las variaciones de la tensin de entrada y de la corriente
de la carga, o incluso poder variar la tensin de salida entre unos mrgenes ms o menos amplios.
Las soluciones existentes para este ltimo problema se pueden agrupar en tres procedimientos:
Control de la tensin continua de entrada.

Regulacin interna en el propio inversor.
Regulacin en la tensin de salida.
El mtodo ms eficiente para la regulacin interna del inversor consiste en modular la anchura de los
pulsos (PWM). Las tcnicas ms utilizadas son:
1. Modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.

2. Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
3. Modulacin senoidal.
4. Modulacin senoidal modificada.
5. Modulacin en modo de control de la corriente (Por banda de histresis).
Modulacin en anchura de un pulso por semiperiodo.
En un control de este tipo slo existe un pulso por cada semiciclo, y variando la anchura de este pulso
controlamos la tensin de salida del inversor. En la figura 11.20 se muestra la generacin de las
seales de puerta de los transistores y la tensin de salida de un inversor en puente monofsico.
Dicha generacin de seales de puerta se obtienen por comparacin de una onda rectangular (onda de
referencia) de amplitud Ar con una onda triangular (portadora) de amplitud Ac.
La frecuencia de la seal de referencia determina la frecuencia de la tensin de salida, y variando Ar

desde 0 hasta Ac conseguimos variar la anchura del pulso desde 0 hasta 180.

La relacin entre Ar y Ac determina la amplitud del "ndice de modulacin M".
Ar
M = E 11.21
Ac
La tensin eficaz de salida viene dada por:
+
2
V d ( t ) = V
2
Vo ( RMS ) =
2
S S E 11.22
2 2

Fig. 11. 20
Modulacin en anchura de un pulso por
semiperodo.
La tensin instantnea de salida se expresa en series de Fourier de la siguiente forma:

4 VS n
v o (t ) =
n =1, 3, 5... n
sen
2
sen(n t ) E 11.23
Fig. 11. 21
Evolucin de los armnicos.
En esta figura se observa que el armnico dominante es el

tercero y el factor de distorsin aumenta significativamente para
tensiones bajas de salida Ar/Ac = 0.
En la figura 11.22 se representa la variacin de las amplitudes de la onda fundamental y de los

armnicos en funcin del ancho del impulso. Tambin se ha representado la distorsin armnica total
de la salida, que viene dada por:
1 V32 + V52 + V72 + ...
THD =
Vo1
Von2 =
n =3, 5, 7... V1
E 11.24

Fig. 11. 22
Fundamental y armnicos en funcin de .
En esta figura se observa que la distorsin armnica es mnima aproximadamente para el ancho de
impulso = 120, cuando el tercer armnico vale cero.
PROBLEMA 11. 7
Disear un circuito inversor en puente monofsico para una simulacin con Pspice. Se desea que
convierta a alterna la tensin continua que proporciona una sola batera de valor VS = 100 V y
que acte sobre una carga puramente resistiva de valor R = 2.5. La frecuencia de salida ha de
ser 50 Hz.
Como especificaciones tenemos que se debe controlar la tensin de salida mediante una
modulacin PWM de un pulso por semiperodo y presentar un ndice de modulacin M = 0.6.
Se pide:
a) Disear el circuito inversor y el circuito de control para el anlisis con el simulador

y calcular el ancho del pulso .
b) Calcular la tensin eficaz de salida Vo(RMS) y la potencia media en la carga.
c) Obtener las siguientes grficas: Tensin en la carga. Comparacin de las seales
portadora y de referencia. Comparacin entre dos intensidades de colector de cada
una de las ramas. Anlisis espectral de la tensin de salida.
d) Presentar el listado del programa para simular el circuito.
Solucin:
a) Para el diseo del circuito inversor se opta por un puente monofsico tal y como se
muestra en la figura.
Problema11_7.cir


en donde: VS = 100 V; Rg1==Rg4=100 ; VX = VY = 0 V (Fuentes que permiten medir la
intensidad de paso); R = 2.5 ; f = 50 Hz
Para excitar los transistores ajustndose a las especificaciones es necesario disear un circuito de
control que insertaremos en el listado de Pspice a modo de subcircuito y actuar directamente
sobre los transistores. Dicho circuito de control se muestra en la siguiente figura y consta de un
amplificador que compara las seales de referencia con la portadora, las cuales son generadas a
parte. Los valores tomados para el diseo son:
RF = 100 K; R1 = R2 = 1 K; RIN = 2 M; RO = 75 ; Rr1 = Rr2 = RC = =2 M; C0 = 10 pF;

E1(Fuente de tensin dependiente de los nudos 5-0)
El circuito de control acta a modo de cuadripolo en donde los dos polos de entrada son los
nudos 1 y 2. En dichos polos se conectan los nudos 17 y 15 de las fuentes Vc y Vr1
respectivamente para una rama inversora y los nudos 17 y 16 de las fuentes Vc y Vr2 para la otra
rama. En general lo que se hace es amplificar la diferencia de tensiones V(17,16) para una rama
y la diferencia V(17,15) para la otra, estando Vr1 desfasada 180 respecto de Vr2 .
Fig. 11. 23 Seales portadora y de referencia.
Para ajustarnos a la especificacin del ndice de modulacin y frecuencia de salida vamos a

comparar una seal portadora triangular Ac con una de referencia Ar cuadrada por lo que
prefijando la amplitud de una de ellas podemos calcular la amplitud de la otra. Prefijamos a 50
voltios la amplitud de la seal triangular, por lo que:



Ar
M = Ar = M Ac = 0.6 50 = 30 V
Ac
Para calcular basta con aplicar una relacin: si para un M = 1 tendramos un ancho de pulso de
180, para M = 0.6 tendremos un ancho de pulso = 108 que equivale a un tiempo T = 6 mseg.
La relacin de frecuencias entre la seal triangular y la cuadrada ha de ser 2, es decir, la

triangular ha de tener el doble de frecuencia que la cuadrada para que al compararlas se pueda
obtener un pulso por semiperodo, por tanto, se deduce que las frecuencias que han de usarse son
50 Hz para la cuadrada y 100 Hz para la triangular.
b) La tensin eficaz de salida, en general, viene dada por:
+
2 108
Vo ( RMS ) =
2 VS2 d ( t ) = VS = 100 = 77.45 V
2
-
2
180
La potencia media es:

Vo2( RMS ) 77.45 2
Po ( AV ) = = = 2402.5 W
R 2.5
c) Algunas de las grficas que hemos obtenido tras simular el circuito se muestran a
continuacin:
Fig.7. 24 Tensin en la carga
En las figuras 11.23 y 11.24 se comprueba que el tiempo de conduccin de los transistores es
aproximadamente igual al indicado en teora.
En la figura 11.25 se aprecia que el armnico n 3 disminuye en amplitud y el n 5 aumenta. Este

hecho no afecta a la distorsin armnica total, pero es de gran utilidad a la hora de filtrar la seal,
puesto que es ms fcil eliminar los armnicos de frecuencias ms alejadas a la del fundamental.

Fig. 11. 25 Anlisis espectral de la tensin de salida.

Se deja propuesto al lector la simulacin de este ejemplo para varios ciclos de la tensin de
salida y observe como la potencia media en la carga y la tensin eficaz en sta son Po(AV) =
2418.6 W y Vo(RMS) = 77.618 V que coinciden prcticamente con los valores calculados en el
apartado b, asimismo sera interesante la simulacin para varias anchuras de pulso y
comprobar los efectos que producen estas distintas anchuras en los armnicos.
PROBLEMA 11.8
En un inversor monofsico en el que la tensin de salida se modula mediante un impulso por

semiperodo, calcular:
a) El valor de necesario para que la componente fundamental de la tensin de salida

sea de 50 V para VS = 250 V.
b) La amplitud del tercer armnico de la tensin de salida para este valor de .
Solucin: = 80,86; B3 = -48,37

Modulacin en anchura de varios pulsos por semiperodo.
Cuando la tensin entregada a la carga se necesita que sea lo ms senoidal posible, con o sin filtro de
salida, conviene reducir al mximo el contenido de armnicos de la onda de salida.
Fig. 11. 26
Modulacin en anchura de pulsos.
Este mtodo consiste en hacer que en cada semiperodo haya un nmero entero de impulsos a la
salida, los cuales estn modulados en anchura. La seal de salida se obtiene por comparacin de una
seal de referencia con una portadora tal y como se ve en la figura 11.26 conjuntamente con las
seales de puerta que se utilizan para conmutar a los transistores.
La frecuencia fr de la seal de referencia nos proporciona la frecuencia f que tendr la seal de

salida, y la frecuencia fc de la onda portadora nos determina el nmero p de pulsos por semiciclo.
El ndice de modulacin M controla la tensin de salida, conocindose este tipo de modulacin

tambin como Modulacin Uniforme de Anchura de Pulsos (UPWM). El nmero de pulsos por
semiciclo lo obtenemos del siguiente modo:
fc mf
p= = E 11.25
2 f 2
donde:
fc
mf =
f
es conocida como la proporcin de la frecuencia de modulacin.
La variacin del ndice de modulacin de cero a uno nos variar el ancho del pulso de 0 a /p y la
tensin de salida desde cero a VS.
Si es la anchura de cada pulso, la tensin eficaz de salida se obtiene a partir de:

+
2 p p
p
VS2 d ( t ) = VS
2
Vo ( RMS ) = 2 E 11.26

p
2
La tensin instantnea de salida en series de Fourier se expresa como:


vo (t ) = B n sen(n t ) E 11.27
n =1, 3, 5...
donde el coeficiente Bn se determina al considerar un par de pulsos, tal que el pulso positivo, de
duracin comienza para t = m y el pulso negativo de la misma anchura comienza para t =m+.
A medida que aumentamos el nmero de pulsos por ciclo cobran mayor importancia en amplitud los
armnicos superiores, por lo que resulta mucho ms fcil el filtrado posterior de la seal y obtener
una onda senoidal lo ms perfecta posible.
En las grficas de la figura 11.27 se observa este efecto:
Fig. 11. 27 Armnicos para varios pulsos por semiperiodo.
PROBLEMA 11.9
Dado el circuito de la figura, en donde: Rg1 = ... = Rg4 = 100 , f = 50 Hz, VS = 100 V, VX = VY
= 0 V y R = 2.5 .
Se pide:
a) Disear el circuito de control para obtener cinco pulsos por semiciclo. Con un ndice de
modulacin M = 0.6, calcular el ancho de pulso que se produce para estas condiciones.
b) Calcular la tensin eficaz Vo(RMS).
c) Obtener mediante simulacin con Pspice las siguientes grficas: Tensin de salida.
Comparacin de la seal de referencia con la portadora. Anlisis espectral de la tensin de
salida.
Problema11_9.cir



Solucin:
a) Para obtener cinco pulsos por semiperodo a la salida es necesario comparar dos
seales (una portadora triangular y otra de referencia cuadrada) en donde la frecuencia de la
portadora ha de ser diez veces superior a la de referencia y como sta debe tener una frecuencia fr
= f = 50 Hz, tendremos:
f c = 10 f = 10 50 = 500 Hz
El ancho de pulso que se produce viene dado por la relacin siguiente: si para M = 1 el ancho de
pulso es 180/5 para un M = 0.6 tenemos:
= 360.6 = 21.6 T = 1.2 mseg.

El circuito de control que se va a utilizar es el mismo que el del ejemplo 7.9, pero ahora la
frecuencia de la fuente Vc es de 500 Hz.
b) La tensin eficaz se calcula del siguiente modo:

p +
2 p
p 5 21.6
VS2 d ( t ) = VS
2
Vo ( RMS ) = 2 = 100 = 77.45 V

180
p
2
Como puede verse, la tensin eficaz de salida coincide con la del ejercicio 7.9 y esto se debe a
que ambos ejercicios poseen el mismo ndice de modulacin.
c) En las figuras 11.28 y 11.29 se puede observar el ngulo de conduccin de los

transistores, que coincide con el terico del apartado a. Simulando este ejemplo para ms
ciclos (al menos dos ciclos o un total de 40 mseg.) obtendremos una tensin eficaz a la salida de
Vo(RMS) = 76.068 V aproximndose mucho al valor terico del apartado b.
Como puede observarse en la figura 11.30, los armnicos de orden ms bajo estn disminuidos
en amplitud con respecto a los que produce la modulacin de un pulso por semiperodo, sin
embargo, los de mayor orden (a partir del sptimo) crecen en amplitud. Por lo tanto, para este
tipo de modulacin es ms fcil aplicar un filtro de segundo orden para obtener una seal
senoidal lo ms perfecta posible, eliminando los armnicos de orden ms alto.
Fig. 11. 28 Tensin de salida.


Fig. 11. 30 Comparacin de la seal portadora con la de referencia.
Modulacin senoidal.
Para generar las seales de control de los interruptores de forma que se consigan formas de onda de
este tipo son necesarias dos seales:
1. Una seal de referencia: es la forma de onda que se pretende conseguir a la salida. En caso
de los inversores suele ser una senoide.
2. Una seal portadora: es la que establece la frecuencia de conmutacin. Se utiliza una seal
triangular

Fig. 11. 31 Seal portadora y seal de referencia.
Tanto para la modulacin senoidal como para los otros tipos de modulacin estudiados pueden existir
a su vez dos tipos: modulacin bipolar y modulacin unipolar.
Modulacin bipolar:
Se compara la seal de referencia con la portadora
Fig. 11. 32 Comparacin
En el caso de un inversor en Puente Completo (Fig. 11.33), la estrategia sera la siguiente:
M1 y M2 conducen cuando Vref > Vtri

M3 y M4 conducen cuando Vref > Vtri
Se llama bipolar porque la salida siempre pasa de +Vin a -Vin

Fig. 11. 33 Inversor en puente completo
Modulacin unipolar:
Fig. 11. 34
Generacin de pulsos utilizando dos ondas
senoidales y tensin de salida.

Se necesitan dos seales de referencia: +Vref y - Vref
Para el caso de un inversor en puente:
M1 y M4 son complementarios
M2 y M3 son complementarios
Cuando uno est abierto, el otro est cerrado
Fig. 11. 35 Inversor en puente completo
PROBLEMA 11.10
Circuito de control bipolar de un puente monofsico
Problema11 10.cir
En lugar de mantener constante la anchura de todos los pulsos como en el caso anterior, se varan en
proporcin a la amplitud de una onda senoidal; de esta forma el factor de distorsin y los armnicos
de orden ms bajos son reducidos significativamente.
Las seales de puerta se obtienen por comparacin entre la citada seal senoidal (seal de referencia)
y una seal triangular (seal portadora). La frecuencia de la seal de referencia fr determina la
frecuencia f de la tensin de salida y su amplitud Ar controla el ndice de modulacin M y por
consiguiente la tensin eficaz de salida Vo(RMS) . El nmero de pulsos por semiciclo depende de la
frecuencia de la seal portadora como se puede observar en la figura 7.43.
Ac Ar Las mismas seales de puerta se pueden generar usando

Ar M= una onda portadora triangular unidireccional como la
Ac que se muestra en la figura 11.36.
Fig. 11. 36
Comparacin entre una onda senoidal y una triangular
unidireccional.

Podemos observar en la figura 11.34 que la anchura de cada pulso de la seal de excitacin
corresponde a los intervalos existentes entre los puntos de corte de la onda portadora y la de
referencia, obtenindose el doble de pulsos si utilizamos dos ondas senoidales en vez de una. m es la
anchura de un pulso p-simo que vara al modificar el ndice de modulacin y modificando ste se
altera la tensin eficaz de salida, que vendr dada por:
p
m
Vo ( RMS ) = VS
p =1
E 11.28
11.3.1 DEFINICIONES Y CONSIDERACIONES RELATIVAS A LA MODULACIN

PWM
A continuacin apuntamos algunas definiciones y consideraciones que resultan de utilidad al utilizar

PWM.
ndice de modulacin de frecuencia mf:

f portadora f triangular
mf = =
f referencia f senoidal
La tensin de salida PWM tiene una frecuencia fundamental que coincide con la frecuencia de la
seal de referencia senoidal y las frecuencias armnicas existen en y alrededor de los mltiplos de la
frecuencia de conmutacin. Al aumentar la frecuencia de la portadora (aumento de mf) aumentan las
frecuencias a las que se producen los armnicos.
Se suele considerar que mf es grande si es mayor que21.
1. La seal triangular y la senoidal deben estar sincronizadas

mf debe ser un nmero entero porque de lo contrario se pueden producir oscilaciones
subarmnicas indeseables para la mayora de aplicaciones
2. mf debe ser un entero impar

En todos los casos salvo en inversores monofsicos con modulacin unipolar
3. Las pendientes de la seal triangular y de la senoidal deben ser opuestas en los cruces por
cero
- Seales sincronizadas
- mf entero impar
- Pendientes opuestas
Fig. 11. 37
Simetra impar, slo tiene trminos seno impares

ndice de modulacin de amplitud ma:
Vreferencia f
ma = = senoidal
Vportadora f triangular
Si ma<1, la amplitud de la frecuencia fundamental es linealmente proporcional a ma:
V1 = m a Vin
Esto implica que podemos controlar la amplitud de la tensin de salida controlando el valor de ma.
Si ma >1, la amplitud de la tensin de salida aumenta al aumentar ma pero de forma no lineal. A esto
se le llama sobremodulacin
Fig. 11. 38
ndice de modulacin de amplitud ma.
Sobremodulacin.
Aumenta la tensin de salida y empeora el contenido armnico
Fig. 11. 39
Efectos de la sobremodulacin
Si ma aumenta mucho, la tensin de salida pasa a ser cuadrada.
Fig. 11. 40
Relacin entre el voltaje de pico fundamental de salida y el ndice de
modulacin ma.

11.3.2 ARMNICOS GENERADOS
La serie de Fourier se calcula eligiendo un mf que sea entero impar, entonces la salida muestra una
simetra impar y la serie de Fourier se expresa como:

v0 (t ) = Vn sen(n 0 t )
n =1
Cada armnico Vn se calcula sumando el armnico n de cada uno de los p pulsos de un periodo
completo
p
Vn = Vnk
k =1
Fig. 11. 41
Clculo de Vn
El contenido armnico de un pulso k cualquiera ser:

T
2
v(t ) sen (n 0 t ) d ( 0 t )
T 0
Vnk =
Armnicos en la modulacin PWM Bipolar
El espectro de la frecuencia normalizado de la conmutacin bipolar para ma = 1 se muestra en la

figura 11.42. Las amplitudes de los armnicos son una funcin de ma porque la anchura de cada
pulso depende de las amplitudes relativas de las ondas sinusoidal y triangular.
En el caso de la conmutacin bipolar, los armnicos aparecen en:
mf, 2mf, 3mf, 4mf, 5mf, 6mf
Adems de armnicos a estas frecuencias, tambin aparecen armnicos en las frecuencias
adyacentes:
mf 2, mf 4
2mf 1, 2mf 3, 2mf 5
etc.
Fig. 11. 42
Espectro de frecuencia
para PWM bipolar para
ma = 1
En la siguiente tabla se indican algunos de los primeros coeficientes de Fourier normalizados Vn /

Vin, si se desea una tabla ms detallada se puede consultar el libro de Mohan.
ma=1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
n=1 1.00 0.90 0.80 0.70 0.60 0.50 0.40 0.30 0.20 0.10
n = mf 0.60 0.71 0.82 0.92 1.01 1.08 1.15 1.20 1.24 1.27
n = mf 2 0.32 0.27 0.22 0.17 0.13 0.09 0.06 0.03 0.02 0.00

Armnicos en la modulacin PWM Bipolar
En el caso de la conmutacin unipolar, el contenido armnico es menor y los primeros armnicos

aparecen a frecuencias ms elevadas. Si se elige mf entero par:
2mf, 4mf, 6mf
Adems de armnicos a estas frecuencias, tambin aparecen armnicos en las frecuencias adyacentes
como en el caso anterior
Fig. 11. 43
Espectro de frecuencia
para PWM unipolar para
ma = 1
Los coeficientes de Fourier normalizados Vn / Vin para el esquema PWM unipolar son los siguientes:
ma=1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
n=1 1.00 0.90 0.80 0.70 0.60 0.50 0.40 0.30 0.20 0.10
n = 2mf 1 0.18 0.24 0.31 0.35 0.37 0.36 0.33 0.27 0.19 0.10
n = 2mf 3 0.21 0.18 0.14 0.10 0.07 0.04 0.02 0.01 0.00 0.00
PROBLEMA 11.11
Dado el circuito inversor en puente monofsico de la figura, en el que los datos son:
R = 2.5; Rg1 = ... = Rg4 = 100 ; VS = 100 V; VX = VY = 0 V; f = 60 Hz
Problema11_11.cir
Se pide:
a) Disear el circuito de control para modular la tensin de salida senoidalmente con cinco
pulsos por semiperodo unipolar y con ndice de modulacin M = 0.9.
b) Calcular la tensin eficaz de salida Vo(RMS) .
c) Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de salida.
Comparacin de las seales de referencia con la portadora. Anlisis espectral de la tensin
de salida. Listado del programa.
d) Simular el circuito para diez pulsos por semiperodo y comprese el anlisis espectral de la
tensin de salida con el de cinco pulsos por semiperodo.

Solucin:
a) El circuito de control es el siguiente:
Los valores tomados son:
R1 = R2 = 1 K; RIN = Rr1 = Rr2 = Rc = 2 M; RF = 100 K; Ro = 75 ; Co = 10 pF;

E1 = 2105
Para obtener la modulacin pedida, se compara las seales de referencia senoidales (Vr1 y Vr2) de
frecuencia fr = 60 Hz con una seal portadora (Vc) de frecuencia fc diez veces mayor para
obtener cinco pulsos por semiperodo.
Para que el ndice de modulacin sea M = 0.9 se fija la amplitud de la seal portadora
(triangular) a 50 voltios, por lo que la amplitud de la de referencia ha de ser:
Ar = M Ac = 0.9 50 = 45 V
b) La tensin eficaz de salida viene dada por la ecuacin:
p
m
Vo ( RMS ) = VS
p =1
Analizando con Pspice un semiciclo de la tensin de salida, podemos obtener la duracin de cada
uno de los pulsos.
Seguidamente mostramos una figura en la que se han anotado las anchuras de cada uno de los
pulsos. Estos datos se obtienen utilizando las herramientas que proporciona el programa.

Fig. 11. 45 Anchuras de los pulsos del primer semiperodo.

En la siguiente tabla recogemos todos estos datos junto con los tiempos de inicio y fin de cada
uno de los pulsos. Las anchuras m se expresan tanto en tiempo como en grados.
m Tiempo inicial Tiempo final Duracin (mseg.) Duracin (grados)
1 0.6428 mseg. 1.1545 mseg. 0.5117 mseg. 11.06
2 1.9985 mseg. 3.1906 mseg. 1.1921 mseg. 25.76
3 3.4389 mseg. 4.8947 mseg. 1.4558 mseg. 31.46
4 5.1118 mseg. 6.3654 mseg. 1.2536 mseg. 27.09
5 7.1785 mseg. 7.6923 mseg. 0.5138 mseg. 11.10
Utilizando estos valores para el clculo de la tensin eficaz de salida, tendremos:
100
Vo ( RMS ) = 11.06 +25.76 +31.46 +27.09 +11.10 = 76.91V
180
c) Las grficas pedidas son:
Fig.7. 45 Tensin de salida


Fig. 11. 47 Comparacin de las seales de referencia con la portadora.
En la figura 11.47 observaremos que los armnicos de menor orden (3, 5 y 7), son atenuados,
pero en cambio, los de orden algo mayor (9,11...) son amplificados.
d) Para obtener diez pulsos por semiperodo, la frecuencia de la seal triangular ha de

ser veinte veces mayor que la de referencia, es decir, fc = 1200 Hz, siendo fr = 60
Hz.

Fig. 11. 49 Tensin de salida para diez pulsos.
Fig. 11. 49 Anlisis espectral de la tensin de salida para diez pulsos.
Para que el mismo circuito module la tensin de salida con diez pulsos por semiperodo, basta
con cambiar en el listado las frecuencias de las seales de referencia y portadora. En general,
basta con sustituir el apartado "* Generacin de seales de referencia y portadora" del listado
ofrecido anteriormente por el que mostramos a continuacin:
* Comparacion de senales de referencia y portadora:

VC 17 0 PULSE(50 0 0 416.75U 416.75U 1N 833.5U)
RC 17 0 2MEG
VR1 15 0 SIN(0 -45 60 0 0 0)
RR1 15 0 2MEG
VR2 16 0 SIN(0 45 60 0 0 0)
RR2 16 0 2MEG
Como conclusin al comparar las dos simulaciones podemos decir que al aumentar el nmero de
pulsos por semiciclo se reduce el contenido de armnicos significativamente, tal y como se
aprecia en las grficas de los anlisis espectrales. Esto se debe a que este tipo de modulacin
elimina los armnicos de orden menor o igual a 2p-1.



La tensin eficaz de salida para la simulacin de cinco pulsos por semiperodo que Pspice
proporciona es Vo(RMS) = 76.459 V. Esto lo podemos comprobar simulando el ejemplo para
varios ciclos.
Si se desea, se puede utilizar para la simulacin con diez pulsos por semiperodo el
archivo (Problema11_11A.CIR) contenido en el disquete adjunto.
[Rashid]
PROBLEMA 11.12
Utilizamos un puente inversor de onda completa para generar una tensin de 60Hz en bornas de
una carga R-L serie, usando PWM bipolar. La entrada de continua del puente es de 100V, el
ndice de modulacin de amplitud ma es 0,8 y el ndice de modulacin de frecuencia mf es 21
(ftriangular = 2160 = 1260Hz). La carga tiene una resistencia R = 10 y una inductancia L= 20mH.
Calcular:
a) La amplitud de la componente de 60Hz de la tensin de salida y la corriente de la carga
b) La potencia absorbida por la resistencia de carga
c) El factor DAT de la corriente de carga
Problema11_12.cir
Solucin:
a) Con ayuda de la tabla de los coeficientes de Fourier normalizados para PWM bipolar, la
amplitud de la frecuencia fundamental de 60Hz es:
V1 = m a Vin = 0,8 100 = 80 V
Las amplitudes de la corriente se calculan utilizando el anlisis de fasores:
Vn Vn
In = =
Zn R + (n 0 L )
2 2
Para la frecuencia fundamental,

80
I1 = = 6,39 A
10 + (1 2 60 0,02 )
2 2
b) Con mf = 21, los primeros armnicos tienen lugar para n = 21, 19 y 23. Ayudndonos
nuevamente de la tabla de coeficientes de Fourier:
V21 = 0,82 100 = 82 V

V19 = V23 = 0,22 100 = 22 V
La potencia para cada frecuencia se calcula a partir de:
2
I
Pn = (I n,ef ) R = n R
2
En la siguiente tabla se resumen las amplitudes de las tensiones, las corrientes y las potencias
resultantes a estas frecuencias.


n fn (Hz) Vn (V) Zn () In (A) In,rms (A) Pn (W)

1 60 80,0 12,5 6,39 4,52 204,0
19 1.140 22,0 143,6 0,15 0,11 0,1
21 1.260 81,8 158,7 0,52 0,36 1,3
23 1.380 22,0 173,7 0,13 0,09 0,1
La potencia absorbida por la resistencia de carga es
P = Pn 204,0 + 0,1 + 1,3 + 0,1 = 205,5 W
Los armnicos de nivel superior aportan poca potencia, y pueden ser despreciados.
c) El factor DAT de la corriente de carga se calcula aproximando la corriente eficaz de los

armnicos mediante los primeros trminos indicados en la anterior tabla
(I )
2
n =2
n, ef
(0,11)2 + (0,36)2 + (0,09)2
DAT = = 0,087 = 8,7%
I1,ef 4,52
Utilizando el desarrollo truncado en serie de Fourier de la tabla anterior, se subestima el factor

DAT. Sin embargo, como la impedancia de la carga aumenta y las amplitudes de los armnicos
en general disminuyen a medida que aumenta n, la aproximacin anterior debera ser aceptable
(hasta n = 100, se obtiene un DAT de 9,1%)
[Hart]
Modulacin en modo de control de corriente (Por banda de histresis).
En aplicaciones como conduccin de servomotores DC y AC, es la corriente del motor (suministrada

por el convertidor o inversor en conmutacin) la que necesita ser controlada, aunque siempre se
emplea un inversor en fuente de tensin (VSI).
Mediante el control de banda de tolerancia se obtienen las seales conmutadas para controlar la
corriente de salida.
En la figura 11.50 se puede observar una corriente de referencia senoidal iA, donde la corriente de
fase actual es comparada con la banda de tolerancia alrededor de la corriente de referencia asociada
con esa fase.
Fig. 11. 50 Control de la corriente por banda de tolerancia.

La frecuencia de conmutacin depende de cmo de rpida cambia la corriente desde el lmite

superior al lmite inferior y viceversa.
En la figura podemos observar el circuito de inversor en puente monofsico y su control

correspondiente con las formas de onda asociadas para las bandas de histresis deseadas.
Fig. 11. 51 Inversor control por histresis.

Fig. 11. 52 Formas de onda asociadas.
11.4 Filtrado
11.4.1 FILTRADO DE LA TENSIN DE SALIDA.
Cuando se requiere reducir la distorsin armnica de la tensin de salida de un inversor de frecuencia

fija o poco variable, se dispone un filtro a la salida que permite el paso de la onda fundamental y se lo
impide a los armnicos.
Casi todos los filtros empleados para este propsito tienen configuracin en L y en la figura 11.53 se
presenta el esquema generalizado.
Zs
C
Representacin esquemtica de un filtro y
Von Zp VoFn
A
R Z Ln armnicos a eliminar por el filtro
G
A [11_5]
Fig. 11. 53
Esquema de conexin de un filtro.
Filtro
La rama serie debe tener una baja impedancia a la frecuencia del fundamental para que no halla
prdidas de tensin y una alta impedancia a la frecuencia de los armnicos que se quieren eliminar.
La rama paralelo debe comportarse de forma opuesta para no cargar al inversor con una intensidad de
frecuencia igual a la del fundamental y para cortocircuitarse a la frecuencia de los dems armnicos.
Se llama atenuacin del filtro para una determinada frecuencia, a la relacin entre la tensin de
salida y la de entrada a dicha frecuencia. Llamando Zsn y Zpn a la impedancia de las ramas serie y
paralelo. Para el armnico de orden n y para funcionamiento en vaco se tiene:
VoFn Z pn
atenuacin = = E 11.29
Von Z sn + Z pn
Zsn y Zpn dependen de la frecuencia considerada y por tanto, al igual que la atenuacin, suele ser
mayor para frecuencias ms elevadas debido al comportamiento inductivo de Zsn y capacitivo de Zpn .
En caso de tener una cierta carga de impedancia ZLn, la atenuacin mejora porque la impedancia
paralelo Zpn a considerar sera el equivalente de Zpn y ZLn:
Z pn Z Ln
Z pn =
Z pn + Z Ln

siempre menor que Zpn.
En la figura 11.54 se presentan algunos de los filtros en L ms utilizados. Los que tienen en la rama
serie una sola bobina tienen el inconveniente de que se pierde en ella tensin de la frecuencia
fundamental. Los que tienen en la rama paralelo un condensador slo tienen el inconveniente de que
se deriva por l una parte de la intensidad de la frecuencia fundamental.
Fig. 11. 54
Diversos tipos de filtros en L.
Ambos inconvenientes se pueden eliminar en los inversores de frecuencia fija utilizando ramas
resonantes sincronizadas con la frecuencia fundamental de forma que a dicha frecuencia:
1
1 LS =
1 C S
E 11.30
1
1 L p =
1 C p
con lo que:
1
Z s1 = j1LS j =0
1CS
E 11.31

( j L ) j 1

1C p
1 p
Z p1 = =

( j1 L p ) + j 1
1C p
y por tanto, la cada de tensin en la rama serie es nula y el consumo de intensidad en la paralela
tambin lo es.
La atenuacin de un filtro de este tipo para un armnico de orden n puede deducirse sustituyendo
en la ecuacin [E 11.29] las expresiones de Zsn y Zpn para la frecuencia n1 y resulta:
VoFn 1
= 2
E 11.32
Von 1 Cp
1 n
n Cs

11.4.2 DISEO DE UN FILTRO DE TENSIN.
Para disear un filtro de tensin a la salida de un inversor y para el caso genrico de que RL sea
mucho mayor que R hacemos las siguientes consideraciones:
La ganancia G 1.
La pulsacin n toma el valor:
1
n
LC
Fig. 11. 55
Para el factor de amortiguamiento tomamos:
R C

2 L
La definicin de estos parmetros tambin puede hacerse teniendo en cuenta lo siguiente:
a) RL/R suele ser mayor que diez.
b) R suele tener un valor pequeo, el suficiente para que 0.4 < < 0.7.
c) Cuando RL disminuye ocurre que:
o G disminuye (se atena el armnico principal).

o n aumenta (disminuye la atenuacin de los armnicos de alta frecuencia no
deseados).
o aumenta (el sistema se hace ms amortiguado, ms estable, pero atena la
magnitud del armnico principal).
o La frecuencia de esquina viene determinada por n = 1/T, f = n/2.
PROBLEMA 11.13
Simular con Pspice el circuito inversor de batera de toma media de la figura al que se le aplica
un circuito de control que produce una modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
Problema11_13.cir


Datos para la simulacin:
ndice de modulacin M = 0.6 R = 0.4

AC = 50 V. L = 0.1 H.
RL = 100 C = 10 mF.
Rg1 = Rg2 = 100 V2 = 100 V.
f = 60 Hz. V1 = 100 V.
Los valores para el circuito de control son los mismos que para ejemplos anteriores.
a) Obtener las siguientes grficas: Tensin antes del filtro. Tensin despus del filtro y
anlisis espectral de esta tensin. Intensidad por D1.
PROBLEMA 11.14
Dado el circuito inversor de la figura, se pide disear y calcular el filtro de tensin que presenta
entre los nudos (4) y (6). Los valores de los componentes tomados para el puente inversor son
los mismos que para el problema 11.11.
Se debe controlar la tensin de salida con un circuito comparador como el del problema 11.13
que proporcione una modulacin senoidal con cinco pulsos por semiperodo y un ndice de
modulacin M = 0.9. Los valores de los componentes del circuito comparador se tomarn del
ejemplo 11.11.
Problema11_14.cir
Como especificaciones tenemos que: f = 600 Hz. y RL = 100
Asimismo obtener las grficas: Tensin antes del filtro. Tensin despus del filtro. Anlisis
espectral de la tensin de salida. Listado para la simulacin.
Solucin:
Para disear el filtro de tensin utilizaremos el mtodo expuesto en teora. Suponiendo un valor
n = 4200, asignando un valor a R = 0.4 (R debe ser mucho menor que RL) y tomando = 0.6
(donde 0.4 < < 0.7) tenemos que:
2
R C C 1.2 C
= = 0.6 1.2 = R = C = 9L
2 L L 0.4 L
1 1 1
n = LC = C=
LC 2
n L n2
igualando ambas ecuaciones:
1 1 1
9L = L2 = L=
L 2
n 9 2
n 9 n2


y como n = 4200 = 73.30 rad/seg. Tenemos finalmente que:
L = 4.54 mH C = 40.92 F R = 0.4

Las grficas ms significativas se muestran a continuacin:
Fig. 11. 57 Tensin de salida sin filtro.
Fig. 11. 57 Tensin de salida despus del filtro.
Comparando las figuras 11.56 y 11.57 podemos ver el efecto que produce el filtro en la
reduccin de picos de tensin. La supresin de los armnicos n3 y n5 es un efecto producido
por la modulacin senoidal. La atenuacin que produce el filtro sobre el resto de los armnicos
ser comprobable con la simulacin del ejemplo sin filtro y comprobando que dichos armnicos
(superiores al quinto) tienen una amplitud ligeramente mayor.
Para eliminar el filtro basta con introducir un asterisco * al principio de cada lnea que
deseemos eliminar.
Recordamos que si se desea eliminar algn componente para la simulacin habr que
reajustar el valor de los nudos en el listado.

PROBLEMA 11.15
Disea un filtro LC pasabajo para un inversor en puente monofsico con control PWM senoidal
con once pulsos por semiperodo para que la amplitud del componente armnico de orden once
no exceda del 4% siendo el coeficiente de Fourier de ste armnico b11 = 0.601. La tensin de
salida es Vo = 240 V, la frecuencia f = 50 Hz y la intensidad de salida Io = 16 A siendo la carga
resistiva.
Solucin:
El filtro LC se muestra en la figura:
y su ecuacin de definicin viene dada por:
Von V
= oFn
LS + C p // R C p // R
VoFn LS + C p // R 1
= =
jL
Von C p // R
(1 2
CL + ) R
La frecuencia de resonancia debe ser mayor a 50 Hz y no ser mltiplo de sta para no afectar al
fundamental, tomamos, por ejemplo, fr = 140 Hz y tendremos:
1 1
fr = LS C p = = 1.29 10 6
2 LS C p (2 140)2
El valor de la resistencia es:

240
R= = 15
16
La frecuencia del armnico del orden 11 es f11 = 550 Hz y su amplitud es:
V11 = b11 Vo = 0.601 240 = 144.24 V
que debe ser atenuada por el filtro hasta el 4% de la tensin de salida, es decir, hasta:
240 4
VoFn = = 9.6 V
100
sustituyendo estos datos en la ecuacin de definicin del filtro tendremos:
VoFn 9.6 1
= =
Von 144.24
[
]
L
1 (2 550) 1.29 10 6 + j 2 550 S
2
15


de donde despejando, LS = 0.018 H. Por tanto, el condensador presentar una capacidad:
1.29 10 6
Cp = = 72 F
0.018
PROBLEMA 11.16
Inversor semipuente (medio puente). Modulacin bipolar
La figura muestra un inversor en medio puente con modulacin PWM. Para obtener una
alimentacin con un punto medio se han utilizado dos fuentes de tensin continua. En las
prcticas se utilizarn dos condensadores exteriores iguales. El tamao de estos condensadores
deber ser lo suficientemente grande para que la tensin a travs de ellos pueda considerarse
constante.
La tensin obtenida en los terminales VA0 variar entre VD/2 y VD/2 con una secuencia que
depender de la seal de control y la seal triangular. Los resultados mostrados en la figura han
sido obtenidos con un ndice de modulacin en amplitud de 0,8 y un ndice de modulacin en
frecuencia 15. Como puede comprobarse en esa misma figura, los armnicos de VA0 aparecen
en las cercanas de la frecuencia de la seal triangular. Adems dada la simetra de la tensin
solo tiene armnicos impares.
Las posibles combinaciones sern:
S1 cerrado y S2 abierto.
S1 abierto y S2 cerrado.
S1 abierto y S2 abierto. (solo transiciones).
Queremos obtener una seal alterna de 50Hz en la carga, y los valores elegidos para R y L son R
= 30 y L = 78mH y se utilizar una seal triangular de 5KHz, como portadora.

Solucin:
Como sabemos una carga formada por una resistencia y una bobina o inductancia en serie, se
comportan como un filtro paso bajo, por tanto primeramente comprobaremos que la frecuencia
de trabajo (50Hz) se encuentra por debajo de la frecuencia de corte de dicho filtro, para no
atenuarla. Para ello calcularemos la frecuencia de corte del filtro.
A la frecuencia de corte sabemos que XL = R, donde XL = W L por tanto:
W L = R , como conocemos R y L podemos obtener W:
R 30
W= = = 38461 rad/s
L 78 10 -3
Y como:
384'61
W = 2 f despejando f tenemos f = = 612 Hz
2
Por tanto, comprobamos que para la frecuencia de trabajo de 50 Hz estamos cerca de la
frecuencia de corte y la seal ser atenuada.
Si comprobamos la frecuencia de corte simulando el circuito mediante Pspice, podemos

comprobar que para aproximadamente una cada de 3dB obtenemos una frecuencia de 612 Hz.
Tenemos una cada de tensin de 2 dB aproximadamente (204%), la cual tenemos que tener en
cuenta.
CALCULO DE VA (Seal media)
Datos: VD = 100 V; VTRI = 10V, 5KHz ; VCONTROL = 5V, 50Hz ;
VCONTROL 5
Como sabemos VA = ma VD/2= VCC = 50 = 25 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 25 voltios
menos la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 19.9 V y una frecuencia igual a la de
control (50Hz).
VA 19'9
Si despreciamos L IRcarga = = = 0.633 A
R 30
CALCULO DE VA (seal maxima)
Datos: VD = 100 V
VTRI = 10V, 5KHz;
VCONTROL = 10V, 50Hz;
VCONTROL 10
VA = ma VD/2 = VCC = 50 = 50 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 50 voltios menos
la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 398 V y una frecuencia igual a la de control
(50Hz).
VA 39'8
IRcarga = = = 132 A
R 30


A continuacin se muestra una imagen real tomada con el osciloscopio para una seal triangular
de 500 Hz y 5 KHz respectivamente. En estas imgenes se muestra la tensin en la carga sin
filtro y la corriente con filtro.
Fig. 11. 59 Con seal triangular de 500 Hz
Fig. 11. 59 Con seal triangular de 5 KHz:
[Cortesa de la Univ. Politcnica de Cartagena]

PROBLEMA 11.17
Inversor puente completo 2 niveles
En esta topologa no es necesario que la alimentacin en continua disponga de punto medio (0).
Las tensiones instantneas en los semipuentes (VA0 y VB0) son iguales pero de signo contrario
(figura 11.60), por lo que al restarlas para obtener la tensin VAB se obtiene una tensin similar a
VA0 pero de valor doble.
Fig. 11. 60 Tensin VAB, VA0, VB0.
Queremos obtener una seal alterna de 50Hz en la carga, y los valores elegidos para R y L son R
= 30 y L = 78mH y se utilizar una seal triangular de 5KHz, como portadora.
Solucin:
A la frecuencia de corte sabemos que XL = R, donde XL = W L por tanto:
W L = R , como conocemos R y L podemos obtener W:
R 30
W= = = 38461 rad/s
L 78 10 -3
Y como:
384'61
W = 2 f despejando f tenemos f = = 612 Hz
2
Por tanto, comprobamos que para la frecuencia de trabajo de 50 Hz estamos cerca de la
frecuencia de corte y la seal ser atenuada.
Si comprobamos la frecuencia de corte simulando el circuito mediante Pspice, podemos

comprobar que para aproximadamente una cada de 3dB obtenemos una frecuencia de 612 Hz.
Tenemos una cada de tensin de 2 dB aproximadamente (204%), la cual tenemos que tener en
cuenta.


CALCULO DE VA (Seal media)
Datos: VD = 100 V; VTRI = 10V, 5KHz; VCONTROL = 5V, 50Hz;
VCONTROL 5
Como sabemos VA = ma VD= VCC = 100 = 50 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 50 voltios menos
la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 398 V y una frecuencia igual a la de control
(50Hz).
VA 39'8
Si despreciamos L IRcarga = = = 132 A
R 30
CALCULO DE VA (seal maxima)
Datos: VD = 100 V; VTRI = 10V, 5KHz; VCONTROL = 10V, 50Hz;
VCONTROL 10
VA = ma VD = VCC = 100 = 100 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 100 voltios
menos la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 796 V y una frecuencia igual a la de
control (50Hz).
VA 79'6
IRcarga = = = 265 A
R 30
A continuacin se muestra una imagen real tomada con el osciloscopio para una seal triangular
de 500 Hz y 5 KHz respectivamente. En estas imgenes se muestra la tensin en la carga sin
filtro y la corriente con filtro.
Fig. 11. 61 Con seal triangular de 500 Hz:


Fig. 11. 62 Con seal triangular de 5 KHz:
[Cortesa de la Univ. Politcnica de Cartagena]
11.5 Inversor como fuente de intensidad
En los inversores vistos hasta ahora los circuitos de potencia se comportaban frente a la carga como
una fuente de tensin que, al menos tericamente, no cambia la forma de onda de la tensin de salida
ni su valor al variar la carga y s lo hace la intensidad de salida fluctuando de positivo a negativo y
viceversa. Por el contrario, en el circuito inversor como fuente de intensidad no existe este efecto ya
que tiene como entrada una fuente de este tipo y la intensidad de salida se mantiene constante
independientemente de la carga.
En la figura 11.63, se muestra un inversor monofsico de este tipo en donde la bobina L debe tener
un valor muy alto para que la intensidad se mantenga constante, siendo los diodos D1, D2, D3 y D4,
dispuestos en serie con los transistores, utilizados para bloquear las tensiones inversas en los
transistores.
Fig. 11. 63
Inversor en fuente de corriente.

Fig. 11. 64
Formas de onda en el inversor.
11.6 Aplicaciones
Actualmente existen multitud de aplicaciones para los convertidores DC/AC. Entre ellas puede
citarse el control de motores de corriente alterna, donde se hace necesario un rectificador controlado
para convertir a continua la seal alterna y regular la potencia entregada al motor, para despus
volver a ondular la seal mediante un inversor.
La velocidad de un motor de induccin se puede controlar ajustando la frecuencia de la tensin

aplicada. La velocidad sncrona s de un motor de induccin est relacionado con el nmero de
polos, p, y la frecuencia elctrica aplicada, , por la expresin:
2
S =
p
El deslizamiento, s, se define en trminos de la velocidad del rotor r:
s r
s=
s
El par es proporcional al deslizamiento
Si se cambia la frecuencia elctrica aplicada, la velocidad del motor cambiar proporcionalmente. Sin
embargo, si la tensin aplicada se mantiene constante al disminuir la frecuencia, el flujo magntico
en el entrehierro aumentar hasta el punto de saturacin. Es aconsejable mantener el flujo en el
entrehierro constante e igual a su valor nominal. Esto se consigue variando la tensin aplicada ade
forma proporcional a la frecuencia. La relacin entre la tensin aplicada y la frecuencia aplicada
debera ser constante:
V
= constante
f
La siguiente figura presenta el diagrama de bloques de un sistema de control de motor c.a. de

induccin.

Fig. 11. 65
Control de motor C.A.
Sin embargo, las dos aplicaciones que se han considerado como ms generalizadas en la actualidad
son los sistemas de alimentacin ininterrumpida de C.A. y los sistemas de conversin de energa
fotovoltaica.
Los sistemas de alimentacin ininterrumpida (S.A.I. o U.P.S.) se encargan a groso modo de proveer
de energa a una instalacin cuando falla la tensin de red y constan de tres partes esencialmente. La
primera es especficamente un rectificador que se encarga de alimentar las bateras de C.C. cuando la
tensin de red no est cortada. La segunda parte es el inversor que se necesita para convertir la
energa de la batera a alterna, siendo la tercera parte del sistema los interruptores necesarios para
aislar al inversor de la red.
11.6.1 SISTEMAS DE CONVERSIN DE ENERGIA FOTOVOLTAICA.
CORRIENTE DE CONEXIN
SE AL DEL
DEL FILTRO
RECTIFICADOR
FILTRO DC AC AC TENSI N DE RED
120 HZ.
AC DC DC
RECTIFICADOR
DE ALTA INVERSOR
INVERSOR TRANSFORMADOR DE FRECU ENCIA
DE ALTA ALTA FRECUENCIA
FRECUENCIA
PANEL CONVERTIDOR AC - AC
FOTOVOLTAICO
INTENSIDAD DEL PA NEL

Fig. 11. 66
TENSIN DEL TRANSFORMADOR TENSIN DE SALIDA EN Esquema de conversin de potencia en
FASE CON LA TENSIN DE RED
conexin de alta frecuencia.
En un sistema fotovoltaico residencial (de unos pocos kilowatios) la potencia disponible, que vara
con la radiacin solar y la temperatura, se convierte con un inversor a la tensin alterna de la lnea de
consumo. La carga del consumidor se conecta al terminal de alterna y en das de sol, la potencia solar

abastece al consumidor y la sobrante se devuelve a la lnea de consumo; en das nublados o despus

del ocaso, la lnea de consumo es la que abastece a la carga.
Este apartado describe un control mediante microprocesador de un sistema fotovoltaico residencial,

donde el microprocesador es el responsable del control de la potencia alterna de salida de acuerdo
con el sistema generador de la potencia continua, manteniendo una condicin de factor unidad en el
terminal de alterna. El microprocesador tiene tambin las funciones de detectar la potencia mxima y
mantener al inversor operando dentro de una zona segura de tensin e intensidad.
El esquema de conversin de potencia usado en los sistemas actuales se muestra en la figura 11.66.
Bsicamente la potencia continua es convertida a la lnea a travs de una conexin por transformador
de alta frecuencia. La tensin continua fotovoltaica se convierte primero a alta frecuencia mediante
un inversor que se acopla mediante transformador a un convertidor AC/AC para obtener la intensidad
de la lnea de consumo.
El convertidor AC/AC consta de un rectificador de alta frecuencia, un filtro y un inversor tal y como
se muestra en la figura 11.66 en la que se indica tambin las formas de onda de los diferentes estados
de conversin. Comparado con el diseo convencional de conmutacin aislado, el diseo de
conexin de alta frecuencia usado aqu permite una considerable reduccin en peso del convertidor
de potencia y suavizar la fabricacin de la seal de intensidad senoidal de salida en fase con la
tensin de lnea.
Naturalmente, la conversin de potencia multietapa es algo ms cara e influye negativamente en el

rendimiento del convertidor. El aislamiento elctrico en una conexin de alta frecuencia es esencial
debido a que permite un sistema de fcil conexin con tierra, flexibilidad en la eleccin del rango de
tensin del montaje, un sistema aislante de utilidad en caso de fallo y proteccin del personal.
El circuito de potencia est detallado con el diagrama de bloques del controlador y se muestra en la
figura 11.67.
El sistema de tensin continua variable se convierte a alterna de alta frecuencia con un inversor en
puente completo con transistores, el cual opera en un rango de frecuencia de 10 - 16 KHz.
La tensin alterna tiene en la conexin de alta frecuencia un control PWM que la modula
senoidalmente hasta conseguir una seal de 50 Hz. La seal PWM de alta frecuencia se rectifica con
un puente de diodos el cual despus de filtrar las componentes portadoras tiene la forma de onda de
un rectificador en puente. La intensidad resultante de la conexin AC/DC es mandada
alternativamente por el inversor que est alimentado por la lnea de alterna para que est en fase con
la tensin. El inversor de alta frecuencia con el rectificador y el filtro en L se considera una conexin
de alta frecuencia c.c.-c.c. buck chopper donde los transistores son controlados para sintetizar un
rectificador en puente en la conexin de continua.
El chopper opera como un rectificador de onda completa y contador de seal EMF grabado por la
inversin de polaridad del inversor. En vista de que la potencia a la frecuencia del fundamental de la
seal de salida del convertidor ha de compensar la salida, la corriente del sistema flucta con un
armnico de orden dos elevado. Se ha dispuesto un filtro por condensador de alta capacidad para
suavizar la intensidad del sistema.

CONTACTORE S INVERSOR RECTIFICADOR INVERSOR
Q1 Q2 Q5 Q6
D1 D2 CONTACTORE S
T1
D5 TE NSIN AC
Q3 Q4 Q7 Q8
D3 D4
CONTROL DE LAS
BASE S D E LOS
TRANSISTORES
MICROPROCESADOR
Fig. 11. 67 Circuito de potencia con controlador.



and design. Ed. John Wiley & Sons, Inc., 1989.
MOHAN NED, UNDELAND TORE, ROBBINS WILLIAN P. Power Electronics: Converters,

Applications and Design. Ed. John Wiley&Son, 1989.
FINNEY, David. The Power Thyristor and its applications. Ed. McGraw Hill, cop, Londres, 1980.
GARCA, J. C. Herramienta virtual para generacin de secuencias de disparo en inversores

modulados. P. F. Carrera U. P. Cartagena.

Marcombo, 1992
HERRANZ ACERO, G. Electrnica industrial II. Sistemas de Potencia. 2 Edicin. Servicio de

publicaciones Escuela Tcnica Superior de Telecomunicacin, 1990
KIJELD THORBORG. Power Electronics. Ed. Prentice-Hall International.
LANDER, C. Power electronics. Ed. McGraw-Hill,1993.
LORENZO, S.; RUIZ, Jose M., MARTN, A.; VALENTN, E. L. Convertidores cc/ca (versin
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RASHID, M. H. Power electronics. Circuits, devices and applications. Ed. Prentice-Hall

International, 1993.
RASHID, M. H. Spice for circuits and electronics using Pspice. Ed. Prentice-Hall International,
1990

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Escuela Politcnica Superior.

Universidad de Jan (Espaa)

Juan D. Aguilar Pea

Escuela Politcnica Superior. Universidad de Jan (Espaa)

Este manual electrnico llamado

UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA. EVALUACIN.

Tema 0.- INTRODUCCIN ELECTRNICA DE POTENCIA

UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS

Tema 1.- REPASO CONCEPTOS: POTENCIA ELCTRICA.

Tema 2.- ELEMENTOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Tema 3.- DISIPACIN DE POTENCIA

UNIDAD N 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA

Tema 4.- AMPLIFICADORES DE POTENCIA

UNIDAD N 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS

Tema 5.- TIRISTOR.

Tema 6.- GOBIERNO DE TIRISTORES Y TRIAC Y EJEMPLOS DE

Tema 7.- CONVERTIDORES AC/DC: RECTIFICACION.

Tema 8.- FILTRADO Y FUENTES REGULADAS

Tema 9.- CONVERTIDORES DC/DC

Tema 10.- INTRODUCCIN A LAS CONFIGURACIONES BSICAS DE

Tema 11.- CONVERTIDORES DC/AC: INVERSORES.

UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA

Tema 0.- Introduccin a la Electrnica de Potencia

Prof. J.D. Aguilar Pea

0.2 Electrnica de potencia 1

0.3 Campos de aplicacin 2

0.4 Procedimientos de conversin 3

0.5 Requisitos del dispositivo electrnico de potencia 4

0.6 Componentes de base en la electrnica de potencia 4

0.6.1.- Comparacin de semiconductores con capacidad de corte 6

0.7 Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores 6

0.8 Clasificacin de los convertidores de potencia 8

0.8.1 Segn el modo de conmutacin 8

0.8.2 Segn el tipo de conversin 9

0.8.3 Segn el tipo de energa 12

Fig 0.1 Bloques temticos que comprende la Electrnica de Potencia

0.2 Electrnica de potencia

0.3 Campos de aplicacin

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid 2

0.4 Procedimientos de conversin

Alimentacin Informacin Seales

Fig 0.2 Diagrama de bloques de un sistema de potencia

1. Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos,

Diferencia entre la electrnica de seal y electrnica de potencia:

Fig 0.3 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Seal

En la electrnica de potencia el concepto principal es la conversin de energa y el rendimiento.

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid 3

Fig 0.4 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Potencia

0.5 Requisitos del dispositivo electrnico de potencia

0.6 Componentes de base en la electrnica de potencia.

Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de

Gate-Turn-Off Thyristors (GTOs):

Bipolar Junction Transistor (BJT):

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid 5

Metal-Oxide-Semiconductior Field Effect Transistors (MOSFET):

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs):

0.6.1.- COMPARACIN DE SEMICONDUCTORES CON CAPACIDAD DE

MOSFET Baja Alta

0.7 Evolucin tecnolgica de los dispositivos semiconductores.

Universidad de Jan; J. D. Aguilar; M. Olid 6

Todas estas consideraciones justifican la bsqueda de nuevos dispositivos y la incesante evolucin

Fig 0.6 Aplicaciones generales de los semiconductores en la industria.[Rashid,1995]

0.8 Clasificacin de los convertidores de potencia [Bhler, 1998]

- Segn el modo de conmutacin