Dgradations et dfaillances d'origine thermomcanique de

modules de puissance semi-conducteur, les besoins d'une

approche matriaux pour l'estimation de la dure de vie
S. LEFEBVRE(1), S. POMMIER(2), Z. KHATIR(3)
(1)
SATIE, ENS de Cachan, CNRS, CNAM, UCP, PRES UniverSud, lefebvre@satie.ens-cachan.fr
(2)
LMT, ENS de Cachan, CNRS, UPMC, PRES UniverSud
(3)
LTN IFSTTAR

Rsum : Le dveloppement important de llectronique de puissance et notamment dans des

domaines dapplication contraignants ncessitant soit une trs grande fiabilit (aronautique,
ferroviaire) ou de trs faibles taux de dfaillance (automobile) rend indispensable ltude de la
fiabilit de ces dispositifs, et cela, de faon idale, ds la phase de conception. Les principaux modes
de dfaillance tant dorigine thermomcanique, les tudes dveloppes cherchant prdire la dure
de vie dun assemblage dans des conditions dutilisation donnes ncessitent une bonne connaissance
des proprits mcaniques des matriaux (lois de comportement) ainsi que des modes de dfaillance
(analyse et modlisation). Dans cet article, nous dcrirons causes et les mcanismes de ces
dgradations.

1. Introduction
Les convertisseurs statiques dnergie ncessitent, pour
avoir des rendements compatibles avec nos exigences
nergtiques et conomiques, de fonctionner en
commutation (ils ont ainsi une fonction dinterrupteur).
A la suite des systmes commutation mcanique et
des tubes gaz, les composants semi-conducteur de
puissance ont permis de raliser des fonctions
interrupteurs toujours plus fiables et plus
performantes. Ces progrs ont conduit lessor rapide
de llectronique de puissance que lon connat, des
faibles (qques W) jusquaux trs grandes puissances
(quelques 100 MW). La fonction interrupteur moderne
est construite autour de la puce semi-conductrice
elle-mme couple un botier associ un dissipateur
de chaleur.
Les modules de puissance semi-conducteur utiliss
dans les convertisseurs statiques dnergie assurent
ainsi la fonction dinterrupteur command (cest le cas
des transistors) ou non command et lon parle alors de
commutation spontane (cest le cas des diodes). Pour
rduire le volume des composants passifs (inductances,
transformateurs, condensateurs) associs aux structures
de conversion, mais galement pour acclrer la
dynamique de rponse de ces convertisseurs, on
cherche augmenter les frquences de dcoupage
auxquelles commutent ces interrupteurs.
Or, les interrupteurs base de semi-conducteur
(principalement silicium) ne sont pas idaux et ils
prsentent une chute de tension ltat passant (donc
des pertes par conduction) et des pertes par
commutation (ces dernires sont proportionnelles la
frquence de dcoupage). Dans le mme temps, la
tendance actuelle est lintgration pousse de ces
dispositifs. Cette intgration qui saccompagne dune
rduction de la surface des puces est permise par des
amliorations technologiques au niveau des puces
semi-conductrices, mais aussi par lintroduction de
matriaux semi-conducteurs grand gap aux proprits
plus intressantes que celles du silicium (plus faible
rsistance spcifique notamment) [1].
Les puces de puissance sont des composants verticaux
dune paisseur variant entre environ 70m pour des
transistors de tenue en tension 600V jusqu environ
1mm pour les dispositifs devant assurer le blocage des
tensions les plus leves (de lordre de 10 kV). La
surface des puces est limite environ 1cm afin de
maximiser les rendements de fabrication partir des
tranches de silicium. Les puces transistors MOSFET
(Metal Oxyde Semiconductor Fiel Effect Transistor) et
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont
constitues par la mise en parallle de cellules
lmentaires (transistors lmentaires) avec une densit
dintgration toujours plus leves (entre 1 et 10
millions de cellules lmentaires par cm) afin
damliorer les performances lectriques des
composants. La Fig. 1 montre les cellules lmentaires
sur une puce de puissance. Les modules de puissance
peuvent ensuite intgrer plusieurs puces en parallles
en fonction du niveau de courant souhait.
On assiste donc une augmentation continue des
densits surfaciques de pertes dans les puces qui
atteignent aujourdhui couramment quelques 100
W/cm2. Or, ces puces doivent tre assembles dans un
botier permettant simultanment lvacuation vers un
refroidisseur des pertes dans les puces, lisolation
lectrique des puces du botier et la connexion
lectrique des puces vers lextrieur du botier.
Figure 1 : Cellules lmentaires verticales dune puce de
puissance, (a) surface suprieure de la mtallisation de puce
deux chelles diffrentes montrant le motif des cellules
lmentaires, (b) coupe dune puce montrant les cellules
lmentaires (grille tranche), (c) reprsentation
schmatique dun transistor IGBT (grille latrale)
La figure suivante montre deux exemples de modules
de puissance. Le premier intgre diverses fonctions de
conversion dnergie (redresseur, hacheur de
rcupration et onduleur triphas) et permet la
commande dun moteur triphas alternatif en gnrant
des signaux triphass en sortie de londuleur (broches
4, 5, 6) de frquence et tensions efficaces variables
partir dune source de tensions triphases de frquence
et de tension efficace fixe (broches 1, 2, 3).
Figure 2 : Modules de puissance, (a) module intgr 15A
600V, (b) module onduleur triphas 200A 600V
La Fig. 3 prsente une coupe simplifie dun module
de puissance semi-conducteur. La puce est isole de
la semelle (qui est monte sur un refroidisseur air ou
eau) par lintermdiaire dun substrat cramique
mtallis. La cramique utilise (Al203, AlN, Si3N4)
assure les fonctions antagonistes disolation lectrique
et de conduction de la chaleur. En fonction de
contraintes (principalement conomiques), le choix se
portera sur les cramiques possdant les conductivits
thermiques les plus leves. On verra toutefois que la
contrainte rupture peut galement tre un lment de
choix dterminant de ces matriaux. La puce est relie
lextrieur du module par des connecteurs
(gnralement brass sur la mtallisation suprieure du
substrat cramique) et des fils gnralement en
aluminium (fils de bonding) souds sur la puce
(soudure ultrasonique) et de diamtre variant entre
environ 100 et 500m pour les puces de forte intensit
nominale.
La puce est brase sur la mtallisation suprieure du
substrat cramique. Cette brasure assure galement la
circulation du courant traversant la puce dans son
paisseur (ce courant est collect par les fils de bonding
sur la surface suprieure de la puce). Enfin, le substrat
cramique est galement bras (gnralement par un
brasure plus faible temprature de fusion que la
prcdente) sur la semelle du module qui sera monte
sur le refroidisseur.
Figure 3 : Coupe dun module de puissance
semiconducteur
Le report des fils de bonding se fait par soudure
ultrasonique sur une mtallisation qui est dpose sur
la puce (gnralement en aluminium et dpaisseur
pouvant varier entre 3 et 10m). Cette mtallisation
assure galement la fonction de collecte du courant
travers lensemble des cellules constituant la puce,
mais permet galement linhibition de composants
parasites (mise en court-circuit de jonctions PN
internes) dont le dclenchement intempestif entrainerait
la dfaillance de la puce [2].
Ces quelques remarques montrent que les variations de
temprature peuvent tre leves au sein des modules
de puissance et cela dautant plus que lon se rapproche
de la surface suprieure des puces.
Lautre importante remarque que lon peut tirer du
Tableau 1 concerne les diffrences de coefficients de
dilatation thermiques des diffrents matriaux utiliss.

CTE
Constituant Matriaux Proprit -1 Wm-
ppm.K 1
K-1

Fils de
bonding, Aluminium lastoplastique 23.1 237
Mtallisation

Silicium 2.6 130

Puce fragile
Figure 4 : Partie suprieure de la puce, (a) connexion par fil SiC 3.7 500
de bonding [3], (b) report dun fil de bonding sur la
mtallisation de puce, (c) mtallisation daluminium dpose Brasures Sn63Pb37 25 51
sur la puce lasto visco
(quelques Pb92,5Sn5Ag2,5 21 50
plastique
exemples) Sn96,5Ag3Cu0,5 23 55
Le tableau 1 [4-6] dcrit les principales proprits 20-
Al2O3 7.5 8.1
physiques des matriaux utiliss dans cet assemblage. 30
On constate des proprits extrmement varis avec Substrat
fragile 170-
cramique AlN 4.2 5.2
des matriaux fragiles (cramiques), lastoplastiques 260
(aluminium, cuivre..) et lasto visco plastique en ce qui Si3N4 2.7 3.4 60
concerne les brasures.
Mtallisation
En fonctionnement, et cause des pertes dissipes dans Cuivre lastoplastique 16,5 385
substrat
les puces, lensemble de lassemblage voit sa Tableau 1. Proprits des principaux matriaux utiliss dans
temprature slever avec des gradients de temprature lassemblage dun module de puissance semi-conducteur
dpendant de la conductivit thermique des matriaux [4, 5, 6]
utiliss et de la surface effective du flux de chaleur. La
surface suprieure de la puce est porte, en cours de
fonctionnement, la temprature la plus leve de
lassemblage. La figure 5 [7] montre llvation
calcule de la temprature dans un assemblage de
puissance pour deux cramiques diffrentes (AlN et
Al2O3). La faible conductivit thermique de lalumine
se traduit par une lvation de temprature
considrablement plus importante. On remarque
galement que, malgr leur faible paisseur (de 50
100m), les deux couches de brasures sont Figure 5 : Elvation de temprature dans lassemblage [7]
responsables dune lvation de temprature
significative lie, l encore, la relativement faible Lors des cycles de fonctionnement, les pertes dans les
conductivit thermique des matriaux de brasure dont puces et llvation de temprature au sein du module
quelques lments reprsentatifs sont dcrits dans le de puissance qui en dcoule (chauffement /
Tableau 1. refroidissement lis aux phases de fonctionnement /
Les puces silicium sont limites des tempratures arrt) se traduit par des contraintes mcaniques
maximales de lordre de 125 175C selon le niveau cycliques aux interfaces qui rsultent des diffrences
de tension de claquage. Lutilisation de composants de coefficients de dilatation thermique entre les
SiC doit permettre terme daugmenter la temprature matriaux. A ces phases de cyclage actif peuvent
max. au niveau du cristal et par la mme occasion galement sajouter des phases de cyclages passifs lies
faciliter lvacuation des calories vers la semelle et aux variations de temprature ambiante. A titre
donc permettre une rduction significative de la taille dexemple, un module de puissance plac proximit
des refroidisseurs. dun racteur davion pourra voire, dans le pire des cas,
sa temprature varier entre -55C et +200C lors des
phases de dcollage par exemple.
Ce sont les contraintes dorigine thermomcanique qui
sont responsables des principaux modes de dfaillance
observs sur ces modules. Dautre phnomnes
physiques (lectromigration, corrosion, dcharges
lectrostatiques) peuvent galement tre lorigine
de dfaillances, mais nous nous focaliserons ici
uniquement sur les dfaillances dorigine
thermomcanique et rsultant principalement des
diffrences de CTE entre matriaux.
Le dveloppement important de llectronique de
puissance et notamment dans des domaines
dapplication contraignants ncessitant soit une trs
grande fiabilit (aronautique, ferroviaire) ou de trs
faibles taux de dfaillance (automobile) rend
indispensable ltude de la fiabilit de ces dispositifs, et
cela, de faon idale, ds la phase de conception. En
France, les premires tudes de ce type sur des
composants dlectronique de puissance ont t menes
dans des laboratoires tels que lIMS [8] et le LTN
IFSTTAR [9]. Depuis quelques annes, et dans le cadre
du GDR SEEDS, les activits de recherche se sont
dveloppes impliquant maintenant lensemble de la
communaut [10-22]. Les principaux modes de
dfaillance tant dorigine thermomcanique, les
tudes dveloppes cherchant prdire la dure de vie
dun assemblage dans des conditions dutilisation
donnes ncessitent une bonne connaissance des
proprits mcaniques des matriaux (lois de
comportement) ainsi que des modes de dfaillance
(analyse et modlisation). Ltude fine des
dgradations dorigine thermomcanique ncessite
ainsi maintenant des collaborations troites entre
quipes ou laboratoires dlectronique de puissance et
des spcialistes des matriaux [18-22].
2. Dgradation de lassemblage et Modes
dfaillance
2.1 Mtallisations de puces
Les variations de temprature sur la surface suprieure
des puces se traduisent par lapparition de contraintes
cycliques de compression et de dilatation au niveau de
la mtallisation en aluminium dpose sur ces puces.
En cours de vieillissement, aprs plastification de la
mtallisation daluminium on peut noter lapparition de
fissures qui se propagent dans lpaisseur de la
mtallisation [23-27].
Il a t montr [27] que la dgradation de la
mtallisation pouvait entrainer une variation de la
rsistivit superficielle de cette couche dans un facteur
de lordre de 10. Cette importante variation des effets
sur les pertes dans la mtallisation et donc sur la
temprature maximale au niveau de la puce (surtout
pour les composants basse tension pour lesquels les
pertes dans la mtallisation et les fils peuvent tre une
part non ngligeables des pertes totales), mais aussi sur
la rpartition du courant dans lensemble des cellules
constituant la puce. Des travaux sont en cours pour
comprendre lorigine physique de la dfaillance
apparaissant suite une dgradation importante de la
mtallisation et modliser ses effets, mais aussi pour
rechercher des indicateurs de vieillissement pertinents.
Figure 6 : Dgradation de la couche de mtallisation, (a)
face suprieure de la puce, tat initial, (b) face suprieure de
la puce aprs dgradation, (c) coupe FIP aprs 29000 cycles
de vieillissement 0,47J/cycle, (d) coupe FIP aprs 32000
cycles 1,15 J/Cycle [27]
Dautre part, les proprits physiques de la
mtallisation de faible paisseur (3 10m) sont mal
connues, et des travaux spcifiques de caractrisation
devraient tre mens afin de les caractriser.
Enfin, les observations fines de la mtallisation
montrent une recristallisation de la mtallisation en
cours de vieillissement saccompagnant de glissements
de dislocations et dune propagation des fissure
apparaissant aux joints de grain. Des travaux
spcifiques de modlisation devraient ainsi tre
de dvelopps pour chercher modliser les mcanismes
de dgradation.
2.2 Fils de bonding
L encore, ces fils tant reports sur la surface
suprieure des puces, les diffrences de coefficient de
dilatation thermique entre silicium et aluminium sont
responsables, aprs vieillissement, du dcollement
de ces fils aprs initiation puis propagation cycle
cycle dune fissure dans laluminium (Fig. 7.a et 7.b).
La fracture au niveau des pieds de fils de bonding (Fig.
7c et 7d) resulte quant elle de la flexion rpte
chaque cycle dchauffement/refroidissement du fil lie
aux phases de dilatation/compression du fil.

Figure 7 : Dgradations au niveau des fils de bonding, (a)
[10] propagation dune fissure dans laluminium du fil au
voisinage de linterface Si/Al amenant (b)[3] leve de fils
de bonding aprs vieillissement, (c) fissuration dans les pieds
de bonding, paramtres dun modle de dure de vie et (d)
visualisation dune fissure dans le pied du fil
De nombreux travaux ont t effectus pour relier ces
dfaillances aux cycles de temprature [3,29]. La figure
8 [28] prsente toutefois des images issues dune
analyse EBSD en cours de cyclage. A ltat initial on
constate des grain de petite dimension proximit de
linterface Si/Al. La soudure ultrasonique des fils sur la
mtallisation de puce peut expliquer cette modification
de structure. On observe ensuite en cours de cyclage
une recristallisation de laluminium avec
agglomration des grains. Leffet est dautant plus
significatif que la temprature maximale et/ou
lamplitude de variation des cycles est leve. Les
modifications structurales lies la soudure des fils
puis au vieillissement nest pas sans effet sur les
proprits mcaniques du fil daluminium rendant
dlicate une modlisation fine du mcanisme de
dgradation.
Before test After 989 cycles of -40/150C test
After 1000 cycles of -40/250C test.
Figure 8 : Recristallisation de laluminium en cours de
cyclage fonction de la temprature maximale et/ou de
lamplitude de variation de temprature [28].
2.3 Substrats cramiques mtalliss
Sous des cycles de variation de temprature de forte
amplitude on peut observer le dcollement des
mtallisations de cuivre du substrat cramique. Une
analyse fine de ce mode de dfaillance [30, 31] a
montr que la fissure sinitiait dans le cuivre
linterface cuivre cramique. La fracture de la
cramique peut dcouler dune concentration de stress
aux points de singularit ou cause de dfauts qui sont
statistiquement distribus dans le matriau. La fissure
qui se propage dans le cuivre cycle cycle, en
renforant les contraintes lextrmit de la fissure,
tend bifurquer dans la cramique lorsque les
contraintes rupture sont atteintes dans ce matriau
fragile. Il a galement t montr que la dure de vie
de lassemblage augmentait avec la diminution de
lpaisseur de la mtallisation et laugmentation des
contraintes rupture du matriau cramique (intrt du
Si3N4 comparativement lAlN par exemple) [32].
Figure 9 : Fracture dans la cramique en cyclage thermique
de forte amplitude (-35C / +230C) [32]
Figure 10 : Observations aprs dfaillance, (a) traces de
cuivre sur la cramique aprs dfaillance, (b) stries de
fatigue sur les traces de cuivre prsentes sur la cramique
aprs dfaillance [30]
Ltude du vieillissement de telles structures a
ncessit des caractrisations de matriaux (cramique
et cuivre) en adquation avec les besoins lies une
tude dinitiation de la fracture dans le cuivre puis la
cramique par la mcanique de la rupture. La
probabilit de la dfaillance de la cramique a t
tudie grce la thorie du maillon faible et a
ncessiter de caractriser un nombre important
dprouvettes de diffrentes gomtries. Une loi de
Weibull permet alors de rendre compte de la
probabilit de dfaillance en fonction des contraintes.
La caractrisation du cuivre et lobtention de ses
proprits mcaniques (modle de Chaboche) permet
ensuite, laide de travaux de modlisation,
lestimation du facteur dintensit des contraintes. La
comparaison du facteur dintensit des contraintes la
tnacit de la cramique dtermine lapparition ou non
de la fracture fragile dans la cramique. Cet exemple
dtude est ainsi parfaitement reprsentatif de lapport
de spcialistes des matriaux (lois de comportement,
fracture) sur ce type dtudes.
2.4 Brasures
Deux types de brasures sont utiliss dans les modules
de puissance. La brasure puce/substrat est de surface
plus rduite que celle entre substrat et semelle mais
voit des niveaux de temprature et de variations de
temprature plus levs.
L encore, le cyclage thermique est responsable de
contraintes dans la brasure lies aux diffrences de
coefficients de dilatation thermique entre les matriaux
brass. La fatigue se traduit gnralement par
lapparition dune fissure qui, en se propageant, a pour
effet de rduire la section du flux thermique ce qui
entraine une lvation de temprature qui a terme
dtruit la puce.
Figure 11 : Fracture dans la brasure basse entre substrat
cramique et semelle
Les brasures comptent parmi les matriaux les plus
susceptibles dentrainer la dfaillance des modules de
puissance, et de trs nombreuses tudes ont t menes
afin de chercher modliser la dure de vie de ces
brasures pour des contraintes thermiques donnes.
Sil a t montr que les modles bass sur la variation
de lnergie plastique cumule par cycle pouvaient
fournir des rsultats plus pertinents que des modles
uniquement bass sur les dformations plastiques [36],
lensemble de ces modles supposent un matriau de
brasure homogne. Ils peuvent de plus tre
relativement sensibles au maillage. Les fissures
sinitiant aux points singuliers, le calcul des nergies
ou dformations plastiques proximit des singularits
peuvent tre entachs derreurs importantes. Enfin, il a
t montr que, en prsence dinter-mtalliques, la
fissuration pouvait sinitier au niveau des
intermtalliques, ce que de tels modles ne peuvent
correctement reprsenter [37].
3. Conclusion
Ce papier dcrit la structure multi-matriaux des
modules de puissance semiconducteur. A travers un
descriptif des principaux modes de dfaillance
dorigine thermomcanique apparaissant sur des
modules de puissance classiques, nous avons cherch
mettre en vidence les besoins de connaissances fines
des matriaux (structure et caractrisations) et des
modes de dgradations (fissurations) qui doivent
permettre, terme, une estimation de la dure de vie de
ces dispositifs sous des contraintes thermiques
imposes par lenvironnement et le fonctionnement des
convertisseurs de puissance.
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