UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN CRISTOBAL DE

HUAMANGA
FACULTAD DE INGENIERIA DE MINAS, GEOLOGIA Y
CIVIL
Escuela De Formacin Profesional De Ingeniera De Sistemas

TRABAJO N2

SEMICONDUCTORES

Curso : Sistemas Elctricos y Electrnicos (IS-244)

Docente : LEZAMA CUELLAR, Christian

Alumno : POZO ANDA, Roney Kevin

Ayacucho Per
2015
 SEMICONDUCTORES
Introduccin
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse
situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente

Los semiconductores ms conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como
veremos ms adelante, el comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas
las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el
elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado
slido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es
absolutamente similar.

Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como
electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del
semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que
haya un movimiento de electrones. Un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su
cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del
ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas
exteriores. Estos electrones pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una
pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo
completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2)
donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una

manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1

Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza
de atraccin del ncleo son cuatro.
Semiconductor Intrnseco

Cuando el silicio se encuentra formado por tomos del tipo explicado en el apartado anterior, se
dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que es un semiconductor intrnseco.

Una barra de silicio puro est formada por un conjunto de tomos enlazados unos con otros segn
una determinada estructura geomtrica que se conoce como red cristalina.

Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos electrones de las
rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse. Lgicamente si un electrn se
desprende del tomo, este ya no est completo, decimos que est cargado positivamente, pues tiene
una carga negativa menos, o que ha aparecido un hueco. Asociamos entonces el hueco a una carga
positiva o al sitio que ocupaba el electrn.

El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus cargas, por lo tanto
en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para rellenar el hueco que tiene.

Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos concretar en dos
puntos:

Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la barra del
material semiconductor de silicio.
Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.

Queda as claro que el nico movimiento real existente dentro de un semiconductor es el de

electrones. Lo que sucede es que al aparecer y desaparecer huecos, "cargas positivas", en puntos
diferentes del semiconductor, parece que estos se mueven dando lugar a una corriente de cargas
positivas. Este hecho, movimiento de huecos, es absolutamente falso, Los huecos no se mueven,
slo parece que lo hacen.

Ahora bien, para facilitar el estudio de los semiconductores hablaremos de corriente de huecos
(cargas positivas), pues nos resulta ms cmodo y los resultados obtenidos son los mismos que los
reales.

Semiconductor Dopado
Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo de la pila intentar atraer los electrones y
el negativo los huecos favoreciendo as la aparicin de una corriente a travs del circuito
 Sentido del movimiento de un electrn y un hueco en el silicio

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que
podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha
corriente tenemos dos posibilidades:

Aplicar una tensin de valor superior

Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el
exterior

La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin aplicada, la

corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la segunda.

En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado".

El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de silicio por tomos de otros elementos. A estos
ltimos se les conoce con el nombre de impurezas. Dependiendo del tipo de impureza con el que se
dope al semiconductor puro o intrnseco aparecen dos clases de semiconductores.

Semiconductor tipo P
Semiconductor tipo N

Semiconductor Tipo N
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s)
 Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo
comparte cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
tomo de otro elemento que contenga cinco electrones en su capa exterior, resulta que cuatro de
esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los tomos de la red y el quinto queda libre.

Semiconductor dopado tipo N

A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo N"

En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos ltimos se les
denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los electrones

Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el antimonio y el

fsforo

Est claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensin en sus bornes, las posibilidades de
que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso de la aplicacin de la misma
tensin sobre un semiconductor intrnseco o puro.

SEMICONDUCTOR TIPO P
Si en una red cristalina de silicio (tomos de silicio enlazados entre s)....

Enlace covalente de tomos de germanio, obsrvese que cada tomo comparte

cada uno de sus electrones con otros cuatro tomos

.... sustituimos uno de sus tomos (que como sabemos tiene 4 electrones en su capa exterior) por un
tomo de otro elemento que contenga tres electrones en su capa exterior, resulta que estos tres
electrones llenarn los huecos que dejaron los electrones del tomo de silicio, pero como son cuatro,
quedar un hueco por ocupar. O sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la
aparicin de huecos en el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los
huecos y los electrones los portadores minoritarios.

A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "silicio tipo P"
 Semiconductor dopado tipo P

Los semiconductores dopados se representan indicando dentro de los mismos el tipo de

portadores mayoritarios.

Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

No siempre el ndice de dopado de un semiconductor es el mismo, puede ser que este "poco
dopado", "muy dopado", etc.

Es norma utilizar el signo (+) para indicar que un semiconductor est fuertemente
dopado.

Semiconductor tipo N Semiconductor tipo P

fuertemente dopado fuertemente dopado

Todos los componentes electrnicos en estado (transistores, diodos, tiristores) no son ni ms y

menos que un conjunto de semiconductores de ambos tipos ordenados de diferentes maneras.
 Aplicaciones de los semiconductores

A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores -conocidos tambin

como dispositivos de estado slido- remplazaron los tubos electrnicos de la industria
tradicional. Por la enorme reduccin de tamao, consumo de energa y costo, acompaada de
una mucha mayor durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron
un cambio revolucionario en las telecomunicaciones, la computacin, el almacenamiento de
informacin, etc.

Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor ms simple y

fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su
funcionamiento.

Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en la Figura 4, las
concentraciones inicialmente desiguales de electrones y vacantes dan lugar a una trasferencia de
electrones a travs de la unin desde el lado p al n y de vacantes desde el lado n al p. Como
resultado, se crea una doble capa de carga en la unin semejante a la de un condensador de placas
paralelas, siendo negativo el lado p y positivo el lado n.

Existe por tanto una diferencia de potencial V a travs de la unin que tiende a inhibir una
transferencia posterior. La regin de la unin se llama regin de agotamiento porque est
desprovista de portadores de carga.
Establezcamos ahora una diferencia de potencial externa a travs de la unin pn mediante una
batera. Cuando el terminal (+) de la batera se conecta al lado p de la unin como se muestra en la
Figura 5, se dice que la unin est sometida a una polarizacin directa. Este tipo de polarizacin
disminuye el potencial a travs de la unin. La transferencia de electrones y vacantes se incrementa,
por tanto, en un intento de restablecer el equilibrio, dando lugar a una corriente en el circuito.
Si el terminal (+) de la batera se conecta al lado n de la unin, como se ilustra en la Figura 5, se
dice que la unin est inversamente polarizada. La polarizacin inversa tiende a incrementar la
diferencia de potencial a travs de la unin, inhibiendo, por tanto, la transferencia posterior.
Esencialmente, la unin conduce en una sola direccin.
 Los diodos tienen mltiples aplicaciones. La ms evidente, y que se desprende
directamente de nuestra discusin anterior, es la conversin de la corriente alterna en continua,
proceso que se llama rectificacin. Otras aplicaciones de inters son las clulas solares, que
convierten la energa luminosa en energa elctrica, y los diodos emisores de luz (LEDs) que se
utilizan corrientemente en las pantallas de relojes digitales y calculadoras.

Naturalmente, nuestra discusin no podra estar completa sin mencionar al dispositivo de estado
slido ms relevante desde el punto de vista tecnolgico; el transistor. Dicho en trminos simples,
el transistor es un dispositivo utilizado para producir una seal de salida en respuesta a una seal
de entrada. Una de las formas ms simples que puede adoptar un transistor se consigue uniendo tres
piezas de material semiconductor. Estos materiales pueden ser tanto npn como pnp. Ambos tipos
conforman lo que se denomina un transistor de unin bipolar, que consiste esencialmente de tres
regiones distintas llamadas emisor, base y colector. Entre las aplicaciones del transistor bipolar
podemos mencionar su uso como amplificador de corriente. Mediante la introduccin de una
pequea seal de entrada en forma de una corriente variable aplicada a la I b , se producir una
corriente de colector I c en la forma I c
= I b , donde se denomina ganancia de corriente
del transistor. Los transistores pueden tener valores de desde 10 hasta varios centenares.
En los dispositivos electrnicos se emplean tambin transistores pero como interruptores. Si
no colocamos voltaje entre la base y el emisor, muy pocos electrones sern capaces de pasar del
emisor al colector. El transistor se comporta entonces como un interruptor cerrado, rechazando
prcticamente todo flujo de corriente. Pero si aplicamos un voltaje alto entre el emisor y la base, la
corriente podr fluir libremente. En este caso el transistor se comporta como un interruptor abierto.
Realizando diferentes combinaciones entre transistores es posible desarrollar elementos lgicos que
ejecuten desde las simples operaciones aritmticas de una calculadora de bolsillo, hasta los
sofisticados clculos matemticos involucrados en un vuelo espacial.
Las aplicaciones prcticas de los semiconductores son innumerables. Para hacer justicia al
vasto y complejo campo cientfico y tecnolgico inaugurado por los dispositivos de estado slido
sera necesario disponer de varios volmenes de material escrito. Por lo tanto, estas cuatro modestas
pginas apenas si aspiran a haber presentado un simple esbozo; a lo ms una introduccin a los
semiconductores y sus aplicaciones. Si he conseguido realizar dicho esbozo, y al mismo tiempo he
podido despertar el inters suficiente como para realizar un estudio ms profundo y acabado de este
fascinante captulo de la ciencia moderna, me sentir ms que satisfecho.