TEMA 3.

ESTRUCTURA INTERNA DE LOS MATERIALES

3.1 Introduccin
Los slidos pueden clasificarse en dos amplias categoras: cristalinos y amorfos.
Los slidos cristalinos, debido a la estructura ordenada de sus tomos,
molculas o iones tienen formas bien definidas. Los metales son cristalinos y
estn compuestos por cristales o granos bien definidos. Los granos son
pequeos y no son observables claramente dada la naturaleza opaca de los
metales. En los minerales, principalmente de naturaleza translcida a
transparente, las formas cristalinas bien definidas se pueden observar con
claridad.
En contraste, los slidos amorfos presentan un orden pobre o de corto alcance y
no se identifican ni con la simetra ni la regularidad de los slidos cristalinos.

3.2. Estado slido

La estructura fsica de los slidos depende del ordenamiento de los tomos, iones o
molculas que constituyen el slido, y de las fuerzas de enlace entre ellos.

3.2.a. Materiales cristalinos: Si los tomos o iones de un slido estn ordenados de

acuerdo con un patrn que se repite en el espacio, forman un slido que tiene un orden
de largo alcance (OLA) al cual se le llama slido cristalino o material cristalino. Existen
varios tipos de slidos cristalinos:

Tema 3. Estructura interna de los materiales 21

 El ordenamiento atmico en los slidos
cristalinos se puede describir representando a los
tomos en los puntos de interseccin de una red
tridimensional que llamamos red espacial de
forma que cada punto en la red espacial tiene un
entorno idntico. Cada red espacial puede
describirse especificando la posicin de los tomos
en una celda unitaria repetitiva. Un grupo de
tomos organizados en una disposicin determinada en relacin unos con otros y
asociados con puntos de la red, constituye un motivo o base.
El tamao y forma de una celda puede describirse por
tres vectores de la red a, b y c, con origen en un vrtice de la
celda unitaria. Las longitudes axiales a, b y c y los ngulos
interaxiales , y son las constantes de la red de la celda
unitaria.

3.2.b. Materiales amorfos: Si los tomos o iones no estn ordenados en forma de largo
alcance, peridica y repetible, y poseen nicamente un orden de corto alcance (OCA) el
orden existe nicamente en la vecindad inmediata de un tomo o molcula. Como
ejemplo tenemos al agua lquida. Los materiales que presentan solamente un orden de
corto alcance se clasifican como amorfos (sin forma) o no cristalinos.

3.3. Sistemas cristalinos. Redes de Bravais

Asignando los valores especficos para las longitudes axiales y ngulos interaxiales
se pueden construir celdas unitarias de diferentes tipos. Existen siete tipos diferentes
de celdas unitarias, llamados sistemas cristalinos: Cbico, tetragonal, ortorrmbico,
rombodrico, hexagonal, monoclnico y triclnico.
Existen cuatro tipos bsicos de celdas unitarias: simple, centrada en el cuerpo,
centrada en las caras y centrada en las bases
Bravais demostr que con 14 celdas unitarias estndar se pueden describir todas
las redes posibles:
Cbica simple Ortorrmbico centrado en las caras
Cbica centrada en el cuerpo Ortorrmbico centrado en las bases
Cbica centrada en las caras Rombodrica simple
Tetragonal simple Hexagonal simple
Tetragonal centrada en el cuerpo Monoclnico simple
Ortorrmbico simple Monoclnico centrado en las bases
Ortorrmbico centrado en el cuerpo Triclnico simple

Tema 3. Estructura interna de los materiales 22

 Las estructuras de las catorce redes de Bravais posibles son las siguientes:

Sistema Centrada en Centrada en Centrada en

Parmetros Simple
cristalino el cuerpo las caras las bases

a=b=c
Cbico === 90

a=bc
Tetragonal === 90

abc
Ortorrmbico === 90

Rombodrico a = b = c
o trigonal == 90

a=bc
Hexagonal ==90
= 120

abc
Monoclnico ==90

abc
Triclnico 90

Tema 3. Estructura interna de los materiales 23

3.4. Isomorfismo y alotropa

3.4.a. Isomorfismo: Dos o ms slidos son isomorfos si presentan la misma estructura

cristalina pero con composicin qumica
diferente. Se produce cuando dos iones de
radio muy parecido pueden ocupar
indistintamente la misma posicin en la red
cristalina sin obligarla a ninguna
modificacin. En estos casos es frecuente que
haya muchas composiciones que pueden
constituir la misma estructura. Un ejemplo es
la forsterita y la fayalita, que solo se
diferencian en que la posicin del Mg2+ de
una es ocupada por Fe2+ en la otra, aunque lo
ms frecuente es que haya iones de los dos
tipos en cualquier proporcin.

3.4.b. Polimorfismo y alotropa: Dos sustancias cristalinas son polimorfas cuando

presentan una composicin qumica idntica entre ellas pero cristalizan en diferentes
sistemas, debido a que las condiciones de presin y temperatura donde se han
originado ha sido diferente. Si este fenmeno le ocurre a elementos puros, hablamos
de alotropa. Como ejemplo de polimorfismo est la calcita y el aragonito, que siendo
su composicin qumica CaCO3 cristalizan
en los sistemas rombodrico y rmbico
respectivamente. Un ejemplo de alotropa
es el diamante y el grafito, compuestos de
carbono que cristalizan en el sistema
cbico y hexagonal respectivamente.
Algunos metales tambin pueden
presentar el fenmeno de alotropa, entre
los que destacan el hierro, el titanio o el
cobalto. Como ejemplo podemos analizar
la grfica de enfriamiento del hierro puro
desde su temperatura de fusin hasta la
temperatura ambiente a presin
atmosfrica. En esta grfica el hierro
presenta varias formas cristalinas
alotrpicas entre distintos rangos de

Tema 3. Estructura interna de los materiales 24

temperatura.

3.5. ndices de Miller

A veces es necesario referirse a los planos reticulares especficos de los tomos que
se encuentran en una estructura cristalina, o puede ser interesante conocer la
orientacin cristalogrfica de un plano o de grupos de planos en una red cristalina.
Para identificar a los planos cristalinos en una estructura cristalina cbica se utiliza el
sistema de notacin de Miller.

3.5.a. Posiciones del tomo en la celda unitaria cbica: Para

situar las posiciones atmicas en las celdas unitarias
cbicas se utilizan los ejes cartesianos x, y y z. En
cristalografa, la zona positiva del eje x es generalmente la
situada hacia afuera del papel, la zona positiva del eje y es
la situada hacia la derecha del papel, y la zona positiva del
eje z es la situada hacia arriba del papel. Las zonas
negativas son las opuestas a las que se han descrito.
Las posiciones de los tomos en la celda unitaria se
localizan mediante distancias unitarias a lo largo de los ejes
x, y y z. Por ejemplo las posiciones atmicas para los
tomos situados en los vrtices de la celda unitaria BCC,
son
(0, 0, 0) (1, 0, 0) (0, 1, 0) (0, 0, 1)
(1, 1, 1) (1, 1, 0) (1, 0, 1) (0, 1, 1)
Tambin podemos definir para los cristales cbicos los ndices de las direcciones
cristalogrficas, que son las componentes del vector de direccin descompuesto sobre
cada eje de coordenadas y reducidos a mnimos enteros, que se colocan entre
corchetes y sin separacin por comas. En caso de que el vector de direccin sea
negativo, se escribe con una barra encima del ndice.

Las direcciones sern cristalogrficamente equivalentes si el espacio atmico en

cada direccin es el mismo. Por ejemplo las direcciones de las aristas del cubo son
direcciones cristalogrficamente equivalentes:
E100F, E010F, E001F, E1G00F, E01G0F, E001GF 100

Tema 3. Estructura interna de los materiales 25

 Las direcciones equivalentes se llaman ndices de una familia o tipo.
3.5.b. ndices de Miller en celdas unitarias cbicas: Los ndices de Miller de un plano
cristalino se definen como el recproco de las fracciones de interseccin (con
fracciones simplificadas) que el plano presenta con los ejes cristalogrficos x, y y z de
las tres aristas no paralelas de la celda unitaria cbica. Las aristas del cubo en la celda
unitaria representan longitudes unidad y las intersecciones de los planos reticulares se
miden con base en estas longitudes unidad.
El procedimiento para determinar los ndices de Miller para un plano
cristalogrfico cbico es el siguiente:
1. Se elige un plano que no pase por el origen de coordenadas (0, 0, 0).
2. Se determinan las intersecciones del plano en la funcin de los ejes
cristalogrficos x, y y z para un cubo unidad. Pueden ser fraccionarias.
3. Se obtiene el recproco de las intersecciones.
4. Se simplifican las fracciones y se determina el conjunto ms pequeo de
nmeros enteros que estn en la misma proporcin que las intersecciones. Este
conjunto de nmeros enteros son los ndices de un plano cristalogrfico y se
encierran en parntesis sin utilizar comas. La notacin (hkl) se utiliza para
indicar los ndices de Miller en un sentido general, donde h, k y l son los ndices
de Miller de un plano cristalino cbico para los ejes x, y y z, respectivamente.

Ejemplo 1. En el plano sombreado de la figura las intersecciones

para los ejes x, y y z son respectivamente 1, , , respectivamente.
Los recprocos de estas intersecciones seran por tanto 1, 0, 0. Como
estos nmeros no son fraccionarios, los ndices de Miller son (100)
que se lee como plano uno-cero-cero.

Ejemplo 2. En el plano sombreado de la figura las intersecciones

para los ejes x, y y z son respectivamente 1, 1, . Los recprocos de
las intersecciones son 1, 1, 0. Como no son nmeros fraccionarios,
los ndices de Miller son (110).

Ejemplo 3. En el plano sombreado de la figura las intersecciones

para los ejes x, y y z son respectivamente 1, 1, 1. Los recprocos de
las intersecciones son 1, 1, 1. Como no son nmeros fraccionarios,
los ndices de Miller son (111).

Ejemplo 4. En el plano sombreado de la figura tiene las

intersecciones 1/3, 2/3, 1. Los recprocos de estas intersecciones
son 3, 3/2, 1. Como no son nmeros enteros se convertir,

Tema 3. Estructura interna de los materiales 26

transformndose en 6, 3, 2. Por lo tanto los ndices de Miller son (632)
Si el plano cristalino considerado pasa por el origen de tal forma que una o ms de
las intersecciones son cero, el plano debe ser movido a una posicin equivalente en la
misma celda unitaria y el plano debe ser paralelo al plano original. Esto es posible
porque todos los planos paralelos equidistantes se encuentran indicados por los
mismos ndices de Miller.
Si varios grupos de planos reticulares equivalentes estn relacionados por la
simetra del sistema cristalino, se llaman planos de una familia o forma y los ndices de
un plano de la familia se encierran entre llaves como {hkl} representando los ndices
de una familia de planos simtricos. Por ejemplo, los ndices de Miller de los planos de
las caras del cubo (100), (010) y (001) se designan conjuntamente como una familia o
forma mediante la notacin {100}.
Una relacin importante en el sistema cbico y solamente en el sistema cbico, es
que los ndices de direccin de una direccin perpendicular a un plano cristalino
tienen los mismos ndices de Miller que el plano. Por ejemplo, la direccin E100F es
perpendicular al plano cristalino (100).
En las estructuras cristalinas cbicas, el
espaciado interplanar entre dos planos
paralelos con los mismos ndices de Miller se
indica como dhkl, donde h, k y l son los ndices
de Miller de los planos. Este espaciado
representa la distancia desde un origen
elegido que contiene a un plano a otro plano
paralelo con los mismos ndices que sea
cercano al primero. Por ejemplo en la figura
adjunta la distancia entre los planos (110) 1 y
2, d110, es AB. Tambin la distancia entre los
planos (110) 2 y 3 es d110 y su longitud es BC.
Por simple geometra, se puede demostrar que para las estructuras cristalinas
cbicas:
V
RSTU =
Y + Z Y + [Y
dhkl = espaciado interplanar entre planos paralelos contiguos.
a = constante de red (arista del cubo unidad).
h, k, l = ndices de Miller de los planos cbicos considerados.

3.5.c. ndices de Miller en celdas unitarias hexagonales (HCP): Los planos cristalinos en
la celda unitaria HCP se identifican mediante cuatro ndices en vez de tres. Los ndices

Tema 3. Estructura interna de los materiales 27

de los planos cristalinos HCP, llamados ndices de Miller-Bravais, se indican por las
letras h, k, i y l y van encerrados en parntesis como (hkil). Estos ndices hexagonales
de cuatro dgitos se basan en el sistema de coordenadas de cuatro ejes.
Hay tres ejes basales a1, a2, a3, donde a1 y a2
forman ngulos de 120 entre s. El cuarto eje o eje c
es el eje vertical localizado en el centro de la celda
unitaria. La unidad a de medida a lo largo de los ejes
a1, a2, a3 es la distancia entre dos tomos localizados
a lo largo de estos ejes. La unidad de medida a lo
largo del eje c es la altura de la celda unitaria. Los
recprocos de las intersecciones que un plano
cristalino determina con los ejes a1, a2, a3 dan los
ndices h, k e i, mientras que el recproco de la
interseccin con el eje c da el ndice l.

Planos basales: En la celda unitaria HCP los planos basales son muy importantes.
Dado que el plano basal superior en la celda unitaria HCP es paralelo a los ejes a1,
a2 y a3, su interseccin con estos ejes ser en el infinito. As, a1 =, a2= y a3 = .
El eje c, sin embargo, es unitario, ya que el plano basal superior intersecta el eje c a
una distancia unidad. Tomando los recprocos de estas intersecciones se tienen los
ndices de Miller-Bravais para el plano basal HCP. As, h = 0, k = 0, i = 0 y l = 1. El
plano basal HCP es, por tanto, cero-cero-cero-uno, o el plano (0001).
Planos del prisma: Aplicando el mismo mtodo, las intersecciones del plano frontal
del prisma (ABCD) son a1 = +1, a2 = , a3 = 1 y c = . Tomando los recprocos
de estas intersecciones, se tiene h = 1, k = 0, i = 1 y l = 0, o el plano (101G0). De
forma anloga, el plano del prisma ABEF tiene los ndices (11G00). y el plano
(DCGH) los ndices (011G0).. Todos los planos del prisma HCP pueden ser indicados
colectivamente como la familia de planos {101G0}.
A veces, los planos HCP son indicados solamente por tres ndices (hkl), dado que h
+ k = i. Sin embargo, los ndices (hkil) se utilizan habitualmente, debido a que
ponen de manifiesto el carcter hexagonal de la celda unitaria HCP.

Tema 3. Estructura interna de los materiales 28

3.6. Redes cristalinas de los metales

3.6.a. Las tres redes cristalinas de los metales: La mayora de los metales puros
(aproximadamente 90%) cristalizan al solidificar en tres estructuras cristalinas
porque la energa disminuye a medida que los tomos se acercan y se enlazan entre s.
De este modo, las estructuras ms compactas corresponden a ordenamientos de
niveles energticos menores y ms estables.

Cbica centrada en el cuerpo (BCC): En la estructura cbica

centrada en el interior, los tomos estn situados en los vrtices
de la celdilla cbica y en su centro. Dicha estructura se obtiene
situando tomos idnticos en los nudos de la red de Bravais del
mismo nombre.

Cbica centrada en las caras (FCC): En la estructura cbica

centrada en las caras, los tomos estn situados en los vrtices
de la celdilla unidad y en el centro de sus caras, o sea, en las
posiciones de los nudos de la red de Bravais del mismo nombre.

Hexagonal compacta (HCP): La estructura HCP es una

modificacin ms densa de la estructura cristalina hexagonal
simple. En la estructura hexagonal compacta los tomos ocupan
los vrtices de un prisma hexagonal regular, los centros de las
bases y los centros de los tringulos alternos en que puede
descomponerse la seccin intermedia del prisma. Las longitudes
axiales de esta estructura son la arista de la base, a, y la altura
del prisma, c.

3.6.b. Factores caractersticos de una estructura cristalina: Para poder estudiar una
estructura cristalina es necesario estudiar una serie de parmetros:
1. Parmetros de red: Llamamos parmetros de red a la distancia constante de las
celdas unitarias o "dimensin de cada celda" con respecto a su estructura cristalina.
Las redes en tres dimensiones generalmente tienen tres parmetros de red, a, b y c.
2. Volumen de la celda unidad: Se determina por frmulas geomtricas sencillas. Para
cualquier celda unidad, la expresin del volumen es:

b = Vcde1 dfg Y h dfg Y i dfg Y j + 2 dfgh dfgi dfgj

Para el caso concreto de la geometra cbica, esta frmula se reduce a:
blmnlo = Vp

Tema 3. Estructura interna de los materiales 29

 Para el caso concreto de la geometra hexagonal, esta frmula se reduce a:

3 Y
bSqrostuoU = VY d gvw60 < V d
2
A menudo, en el caso del sistema hexagonal se toma la celdilla unidad como el
prisma hexagonal, por lo que su volumen es tres veces mayor:
3 3 Y
bxynz{o SqrostuoU < V d
2

3. Nmero de tomos en la celda unidad (n): Para calcular el nmero de tomos que
hay dentro de una celda, hay que tener en cuenta que:
Los tomos situados en el interior de la celda (nI) se encuentran por completo
dentro de esa celda.
Los tomos situados en las caras (nC) se comparten por dos celdas.
Los tomos situados en los vrtices (nV) se comparten por seis celdas en el caso
de redes hexagonales y por ocho celdas en el resto de las redes.
Segn esto, el nmero de tomos por celda se calcula:
1 1
w|qU}o SqrostuoU < w~ A w| A w
2 6
1 1
wqzt lqU}oz < w~ A w| A w
2 8

4. ndice de coordinacin: El nmero (o ndice) de coordinacin (Z) es el nmero de

vecinos ms prximos que rodean a un tomo dado, es decir, el nmero de tomos que
est directamente en contacto con un tomo dado.

5. Densidad terica (Densidad volumtrica): Se calcula mediante la expresin

w k V
vwgRVR vdV <
k b
n< nmero de tomos por celda
Ma< Masa atmica
NA < Nmero de Avogadro
V < Volumen de la celda unidad

6. Radio atmico: Si suponemos que las cortezas electrnicas son esfricas y que los
tomos se encuentran en las posiciones de equilibrio de la red cristalina, se puede
considerar como radio atmico la mitad de la distancia interatmica, por lo que se
puede relacionar por geometra con los parmetros de red.

Tema 3. Estructura interna de los materiales 30

7. Factor de empaquetamiento o de compactacin (FC): Es la relacin entre el volumen
que ocupan los tomos y el volumen de la celda unidad. Su significado es el porcentaje
de la celda ocupado por tomos y viene dado por la relacin:
4
w op
| = 3
blqU}o
Siendo n el nmero de tomos de la celda unidad.

8. Densidad atmica planar: A veces, es importante determinar la densidad atmica en

varios planos cristalinos. Para ello se calcula una cantidad llamada densidad atmica
planar aplicando la relacin:
w Rv ffg dfw dvwf vw v[ [Vwf w
vwgRVR VdV [VwV = =
vV Rv[ [Vwf Rvwf Rv [V dv[R[[V

Por conveniencia, se utiliza en estos clculos el rea de un plano que corta a una celda
unitaria. Es importante resaltar que para que el rea de un tomo se contabilice en este
clculo, el plano de inters debe cortar el centro del tomo.

9. Densidad atmica lineal: Algunas veces es importante determinar la densidad

atmica de varias direcciones en las estructuras cristalinas. Para ello se calcula una
magnitud llamada densidad atmica lineal a partir de la relacin:
w Rv ffg dfw dvwf vw v[ gvvwf w
vwgRVR VdV [wvV[ = =
[fwR Rvwf Rv [V dv[R[[V

3.7. Intersticios en las redes cristalinas

Los espacios interatmicos libres dentro de la red cristalina se denominan
intersticios. En ellos se pueden alojar no solo impurezas sino elementos de aleacin
cuyos volmenes sean del orden del tamao de los intersticios.

3.7.a. Tipos de huecos: Podemos distinguir dos tipos de intersticios

Huecos tetradricos: Una esfera descarga sobre otras tres. Los centros de las cuatro
esferas coinciden con el vrtice de un tetraedro regular. Cada esfera est en
contacto con otras tres de la capa superior y con otras tres ms de la capa de abajo.
Por lo tanto hay dos huecos tetradricos asociados a cada esfera.

Tema 3. Estructura interna de los materiales 31

 Huecos octadricos: Este sitio est rodeado por seis esferas, cuyos centros quedan
en los vrtices de un octaedro regular. Hay un sitio octadrico por cada esfera.

3.7.b. Huecos en las redes: En cada red se pueden encontrar los dos tipos de huecos. En
estos huecos El conocimiento del nmero, tipo y ubicacin de los intersticios de una
determinada estructura es una cuestin de relativa importancia, porque a menudo
estas oquedades sirven de alojamiento a tomos extraos. Para saber si un tomo cabe
en un intersticio se utiliza la relacion / donde es el tamao mximo que cabra en
un sitio intersticial de una celda con tomos de radio . Por geometra simple se puede
calcular que esta relacin es aproximadamente 0,225 para los huecos tetradricos y de
0,414 para los huecos octadricos.
Huecos en una red cbica centrada en el cuerpo (BCC): Posee en total 12 huecos
tetradricos y 6 huecos octadricos por cada celda unidad.
Huecos tetradricos Huecos octadricos

Huecos en una red cbica centrada en las caras (FCC): Posee en total 8 huecos
tetradricos y 4 huecos octadricos por cada celda unidad.
Huecos tetradricos Huecos octadricos

Huecos en una red hexagonal compacta (HCP): Posee en total 12 huecos

tetradricos y 6 huecos octadricos por cada celda unidad.
Huecos tetradricos Huecos octadricos

Tema 3. Estructura interna de los materiales 32

3.8. Materiales amorfos
Algunos materiales se denominan amorfos o no cristalinos porque carecen de
ordenamiento de largo alcance en su estructura atmica. En general, los materiales
tienen una tendencia a alcanzar un estado cristalino debido a que es el estado ms
estable y corresponde al menor nivel de energa. Sin embargo, los tomos de los
materiales amorfos estn enlazados de manera desordenada debido a factores que
inhiben la formacin de un ordenamiento peridico.
Finalmente, es importante mencionar que los materiales amorfos no muestran
patrones definidos de difraccin al analizarlos con tcnicas de difraccin de rayos X.
Esto se debe a la falta de orden y periodicidad de la estructura atmica.
Los materiales amorfos se clasifican en tres grupos:

3.8.a. Materiales polmeros: En polmeros, los enlaces secundarios entre las molculas
no permiten la formacin de cadenas paralelas y muy empaquetadas durante la
solidificacin. Como resultado de ello, los polmeros, como el cloruro de polivinilo,
constan de cadenas moleculares largas y torcidas que se entrelazan para formar un
slido de estructura amorfa. En algunos polmeros, como el polietileno, las molculas
estn empaquetadas ms eficaz y estrechamente en algunas regiones del material para
producir un mayor grado de ordenamiento a gran distancia en determinadas regiones.
Como resultado de ello, estos polmeros suelen clasificarse como semicristalinos.

3.8.b. Los vidrios: El vidrio inorgnico basado en xidos que forman vidrios, slice
(SiO2), se caracteriza en general como material cermico (vidrio cermico) y es otro
ejemplo de un material con estructura amorfa. En este tipo de vidrio, la subunidad
fundamental en las molculas es el tetraedro de SiO42-. En su estado lquido y viscoso,
las molculas tienen una movilidad limitada y en general la cristalizacin ocurre
lentamente. Por tanto, una velocidad de enfriamiento modesta suprime la formacin
de la estructura cristalina y, en lugar de ello, los tetraedros se unen vrtice con vrtice
para formar una red que carece de ordenamiento de largo alcance.

3.8.c. Metales amorfos: Algunos metales tienen tambin la capacidad para forma
estructuras amorfas (vidrio metlico) en condiciones estrictas. A diferencia de los
vidrios, los metales contienen bloques mviles muy pequeos cuando estn fundidos.
Como resultado de ello, es difcil impedir que los metales cristalicen. Sin embargo,
aleaciones como una de 78%Fe-9%Si-13%B, que contienen un alto porcentaje de
semimetales, Si y B, pueden formar vidrios metlicos por medio de la solidificacin
rpida para velocidades de enfriamiento mayores a 108 C/s. A velocidades de
enfriamiento tan altas, los tomos sencillamente no tienen tiempo suficiente para
formar una estructura cristalina y en lugar de ello forman un metal con estructura
amorfa, esto es, estn muy desordenados.
Tema 3. Estructura interna de los materiales 33
3.9. Anexo: Esquema de las redes cristalinas de los metales

Red cbica centrada Red cbica centrada Red hexagonal

en el cuerpo en las caras compacta
(BCC cc) (FCC ccc) (HCP hc)

Estructura de
la red

2 4 6
tomos por (2 x en las bases, 3 en el
(1 en el centro y 8 x 1/8 (6 x en las caras y
celdilla en los vrtices) 8 x 1/8 en los vrtices)
centro y 12 x 1/6 en los
vrtices)

ndice de 8 12 12
(4 tomos por encima y (4 tomos por encima, 4 (3 tomos por encima, 3
coordinacin 4 por debajo) por debajo y 4 coplanares) por debajo y 6 coplanares)

Los tomos se tocan Los tomos estn en

Direcciones de a lo largo de contacto a lo largo Los tomos estn en
mayor cualquiera de las de las diagonales de contacto a lo largo
concentracin diagonales la cara, es decir, a lo de las aristas de las
atmica principales del cubo, largo de las bases del prisma
111 direcciones 110

4
V = 2
Relacin a/R V= V = 22 2 6
3 d=
3
Fraccin de 0,68 0,74 0,74
empaquetamiento (No compacta) (Compacta) (Compacta)

Planos de mayor Los paralelos a las

concentracin {110} {111} bases del prisma
atmica hexagonal
12 tetradricos 8 tetradricos 12 tetradricos
Huecos
6 octadricos 4 octadricos 6 octadricos

Tema 3. Estructura interna de los materiales 34

EJERCICIOS DEL TEMA 3

Ejercicios resueltos
1- El hierro a 20 C es cc con tomos con un radio atmico de 0,124 nm. Calcule la
constante de red a para el vrtice del cubo de la celda unitaria de hierro.

Los tomos que estn en la celda unitaria cc se tocan a travs de las

diagonales del cubo, por lo tanto:
4 4 0,124 10
V= = = 2,863 k 10
3 3

V < 0,2863 w

2- Calcule el factor de empaquetamiento atmico (FC) para la celda unitaria cc

considerando a los tomos como esferas rgidas.
4
w 3 p
| <
blqU}o

n < 2 (Hay un tomo central y 8 tomos en los vrtices que contribuyen cada uno con 1/8)

4 4
2 3 p 2 3 p
| < < < 0,68
Vp 4 p

3

Luego el 68 % del volumen total de la celda est ocupado por tomos.

3- Calcule a) El volumen de la celda unitaria de la estructura cristalina del zinc con los
datos siguientes: el zinc puro tiene una estructura cristalina hc con unas constantes
de red a < 0,2665 nm y c < 0,4947 nm. b) Determine el volumen de la celda mayor.

a) Se deduce por trigonometra:

V < (a2sen60)c < 0,0304 nm3

b) Vmax < 3 k Vcelda < 0,0912 nm3

Tema 3. Estructura interna de los materiales 35

4- Dibuje los siguientes vectores de direccin en celdas unitarias cbicas:
a) E100F y E110F b) E112F c) E1G10F d) E3G21GF

5- Dibuje los siguientes planos cristalogrficos en una celda unitaria cbica:

a) (101) b) (11G0) c) (221)
d) Dibuje un plano (110) en una celda unitaria cc de esferas e indique las
coordenadas de posicin de los tomos que estn intersecados por este plano.
a) Determinar primero los recprocos de los ndices de Miller del plano (101). Estos son 1, , 1. El
plano (101) debe pasar por el cubo unitario y cortar en x = 1 y z = 1 y ser paralelo al eje y.
b) Determinar primero los recprocos de los ndices de Miller del plano (11G0). Estos son 1, -1, .
Por lo tanto el plano debe pasar por el cubo unitario y cortar en x = 1 y y = -1 y ser paralelo al
eje z. El origien de los ejes debe desplazarse al vrtice inferior posterior derecho del cubo.
c) Determinar primero los recprocos de los ndices de Miller del plano (221). Estos son , y 1. El
plano (221) debe pasar por el cubo unitario y cortar en intersecciones x = , y = y z = 1.
d) Las posiciones atmicas cuyos centros estn intersecados por el plano (110) son (1, 0, 0), (0, 1,
0), (1, 0, 1), (0, 1, 1,) y ( , , )

Tema 3. Estructura interna de los materiales 36

6- Determine los ndices de Miller del plano cristalogrfico cbico mostrado en la
figura:

Primero se traslada el plano paralelo al eje z1/4 de unidad a la derecha a lo largo del eje y, como se
muestra en la figura hasta que el plano corta el eje x a una distancia unidad a partir del nuevo
origen localizado en el vrtice inferior derecho del cubo. La nueva interseccin del plano trasladado
con los ejes de coordenadas es ahora (+ 1, 5/12, ) Ahora se toma el recproco de estas
GGGG0) para los
intersecciones, que es (1, 12/5, 0). Finalmente, se elimina la fraccin, obteniendo (512
ndices de Miller de este plano.

7- Determine los ndices de Miller en un plano cristalino cbico que intersecciona con
las coordenadas de posicin (1, 1/4, 0), (1, 1, 1/2), (3/4 , 1, 1/4), y todos los ejes de
las coordenadas.
Primero se localizan las tres posiciones
coordenadas en A, B y C. A continuacin, se unen
A y B, se contina hasta D, y se unen A y C.
Finalmente, se une A hasta C para completar el
plano ACD. El origen de este plano en el cubo
puede ser escogido en E, que da intersecciones
axiales para el plano ACD en x = - , y = - y z =
. Los recprocos de estas intersecciones son 2,
4/3 , y 2. Multiplicando estas intersecciones por
3 simplificamos las fracciones, dando unos ndices
de Miller para el plano (6G4G6).

8- El cobre tiene una extructura cristalina FCC y una celda unitaria con una constante
de red de 0,361 nm. Cul es su distancia interplanar d220?
V 0,361 w
RSTU = = = 0,128 w
Y + Z Y + [ Y 2Y + 2Y + 0Y

Tema 3. Estructura interna de los materiales 37

9- El cobre tiene una estructura cristalina FCC y un radio atmico de 0,1278 nm.
Considerando a los tomos como esferas rgidas que se tocan entre s a lo largo de la
diagonal de la celda unitaria FCC, calcule el valor terico de la densidad del cobre en
megagramos por metro cbico. La masa atmica del cobre es de 63,54 g/mol.
w V
vwgRVR vdV =
b
n = 4 (hay cuatro tomos por cada celda)
p
V = a3 = Y = 4,7 10Y p

w V
vwgRVR vdV = = 8,68 10 p = 8,68 p
b

10- Calcule la densidad atmica planar p en el plano (110) de la red BCC del hierro
en tomos por milmetro cuadrado. La constante de red del hierro es 0,287 nm.
w Rv ffg dfw dvwf vw v[ [Vwf w
x = <
vV Rv[ [Vwf Rvwf Rv [V dv[R[[V
n = 2 tomos
A = 2V V = 2VY
2 Vffg ffg
x = = 17,2 Y
= 1,72 10p
20,287Y w Y

11- Calcule la densidad atmica lineal l en la direccin E110F de la red cristalina de

cobre en tomos por milmetro. El cobre es FCC y tiene una constante de red de
0,361 nm.
w Rv ffg dfw dvwf vw v[ gvvwf w
U = <
[fwR Rvwf Rv [V dv[R[[V
n = 1,5 tomos
l = 2V = 2 0,361
1,5 ffg ffg
U = = 2,93 = 2,93 10
2 0,361 w w

Cuestiones tericas
1- Relacione el estado slido y amorfo cristalino con los materiales de uso general.
2- Qu diferencias ms significativas existen entre los materiales amorfos y
cristalinos?
3- Qu se entiende por monocristal y por policristal?
4- Cmo se define un sistema cristalino y una red cristalina?

Tema 3. Estructura interna de los materiales 38

5- El Mg presneta una red (hc) cuyo parmetro de red es 0,321 nm. Est bien definida
la red?
6- El Al presenta una red cbica cuyo parmetro de red es de 0,405 nm. Est bien
definida la red?
7- Es correcta la siguiente afirmacin?: Ni, Cr y Al son metales isomorfos.
8- Cuando alguno de los ndices de Miller correspondiente a la notacin de planos
cristalogrficos es cero, qu significado geomtrico tiene?
9- Justifique qu red presenta un mayor empaquetamiento, la cc o la ccc?
10- Qu red cbica presenta mayor cantidad de intersticios y cul es la que presenta
el menor?

Ejercicios prcticos
1- Calcular cul de las dos redes (ccc) y (cc) presenta mayor factor de compactacin.
Suponiendo que un metal presenta un cambio alotrpico de (cc) a (ccc) a la
temperatura T, calcular la variacin de volumen asociada a dicha transformacin.
2- Calcular las densidades atmicas de los planos (110) y (111) de las redes cc y ccc.
3- Calcular la densidad atmica lineal correspondiente a las direcciones
cristalogrficas E110F y E111F de las redes cc y ccc.
4- Asigne a cada plano su ndice de Miller correspondiente:

Tema 3. Estructura interna de los materiales 39

5- Asigne a cada plano su ndice de Miller correspondiente:

6- Determina los ndices de Miller de las direcciones cristalogrficas que se presentan

en la figura:

7- Cules son los ndices de Miller de un plano en una red (ccc) que pasa por y = ; z
= 1 y es paralelo a x? Qu cantidad de tomos contiene dicho plano?
8- El Ti cristaliza en el sistema (hc) con parmetro de red a = 0,295 nm. Cuntos
tomos tiene la celda unidad?
9- Cuntos tomos hay en 1 mg de Al metal?
Tema 3. Estructura interna de los materiales 40
10- Represente en el espacio las siguientes notaciones de Miller:

11- El W cristaliza en una red (cc) y parmetro de red a = 0,31648 nm y densidad de

19300 kg/m3. Calcular: a) su masa atmica, b) su volumen atmico, c) su radio
atmico.
12- La celda unidad del Al es (ccc), su masa atmica es 26,97 g/mol y su densidad
2699 kg/m3. Calcular: a) parmetro de red, b) factor de empaquetamiento, c)
densidad atmica superficial de los planos (100) y (110).
13- La distancia entre los planos (220) de un metal (cc) es de 0,2336 nm. Cul es el
parmetro reticular y el radio atmico del metal?
14- El Pt cristaliza en una red (ccc) y un parmetro reticular de 0,393 nm. Calcule su
Ra.
15- Cul es la densidad del Pb (ccc), si el parmetro reticular es de 0,495 nm y su
masa atmica de 207,19 g/mol?
16- Qu ndices de Miller le correspondern a las direcciones cristalogrficas
perpendiculares a los planos cristalogrficos (111), (110) y (100)?
17- Calcule las densidades atmicas superficiales de los planos ms caractersticos de
las redes cc y ccc.
18- Calcule las densidades atmicas lineales de las direcciones ms caractersticas de
las redes cc y ccc.
19- Un metal cristaliza en el sistema (hc) cuyos parmetros resticulares son 0,2978 y
0,5617 nm respectivamente. Calcule el factor de empaquetamiento y la densidad
atmica superficial de los planos (0001) y (101G0).
20- Calcule el dimetro mximo de los tomos que pueden alojarse en los intersticios
de las redes cc y ccc.

Tema 3. Estructura interna de los materiales 41

Tema 3. Estructura interna de los materiales 42