Transistores de union bipolar bjt

1. Introduccin
Con anterioridad se ha estudiado los materiales de los que estn formados los principales
dispositivos electrnicos de estado slido, los semiconductores, estudiando el dispositivo
semiconductor ms sencillo, el diodo de unin. Dispositivo, que como se ha visto, consta de
dos partes diferenciadas con un terminal en cada una de ellas, es decir, se trata de un dispositivo
de dos terminales. Siguiendo con el estudio, se vio el dispositivo semiconductor que consta de
tres zonas distintas, con dos uniones P y N y con un terminal en cada una de las zonas, o lo que
es lo mismo, estamos ante un dispositivo de tres terminales, El transistor.

El descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marc el comienzo de la era
de la electrnica. En apenas 60 aos el desarrollo experimentado y el grado de penetracin en
la vida cotidiana ha sido tal que hoy en da es difcil pensar en cmo sera la vida sin los
ordenadores, la telefona, la radio, la televisinY ha sido, precisamente, el descubrimiento
del transistor el culpable de esta revolucin tecnolgica.

2. Objetivos
2.1. Objetivo General
2.2. Objetivos Especficos
3. Marco Terico
3.1. El Transistor BJT
Aunque existen otros tipos de transistores en este caso se analizara el transistor de
unin bipolar, tambin conocido por las iniciales de su denominacin en ingles BJT
(Bipolar Junction Transistor). El trmino bipolar hace referencia al hecho de que en
la conduccin de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y
huecos). El trmino junction (unin), hace referencia a la estructura del dispositivo,
ya que tenemos dos uniones P y N en el transistor y mediante la polarizacin de estas
uniones se consigue controlar el funcionamiento del dispositivo.
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en funcin de la
seal de entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea capaz de regular la
corriente que circula por el circuito al que est conectado. (Transfer Resistor).
3.2. Constitucin interna de un BJT
El transistor bipolar es un dispositivo formado por tres regiones semiconductoras, entre
las cuales se forman unas uniones (uniones PN). En la figura 1 observamos el aspecto
til para anlisis de un transistor bipolar. Siempre se ha de cumplir que el dopaje de
las regiones sea alterno, es decir, si el emisor es tipo P, entonces la base ser tipo N y
el colector tipo P. Esta estructura da lugar a un transistor bipolar tipo PNP. Si el emisor
es tipo N, entonces la base ser P y el colector N, dando lugar a un transistor bipolar
tipo NPN.
 Figura 1 Estructura de un TRT bipolar

El transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas,

de forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas. En la figura 2 vemos el
aspecto tpico de un transistor bipolar real, de los que se encuentran en cualquier
circuito integrado. Sobre una base n (substrato que acta como colector), se difunden
regiones p y n+, en las que se ponen los contactos de emisor y base.

Figura 2 Estructura real de un TRT

3.3. Estructura fsica

Es de sealar que las dimensiones reales del dispositivo son muy importantes para el
correcto funcionamiento del mismo. Obsrvese la figura 3, en ella se pretende dar una
idea de las relaciones de tamao que deben existir entre las tres regiones para que el
dispositivo cumpla su misin.

Figura 3 Dimensiones de un TRT

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de las
zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
 representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector).
El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto
ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la
corriente.
La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinacin en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de
emisor pase a colector, como veremos ms adelante. Adems, si la base no es
estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar
como si de dos diodos en oposicin se tratase.
El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas
de esta regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que
provienen del emisor. En posteriores apartados se tratar el tema.
3.4. Tipos de transistor
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

Figura 4 Tipos de transistor

3.4.1. Transistor bipolar NPN.

Est formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo
cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas
mencionadas (E, B, C). El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la
base, en la base se gobiernan dichos portadores y en el colector se recogen los
portadores que no puede acaparar la base.
Unin emisor: es la unin PN entre la base y el emisor y la unin colector: es la
unin PN entre la base y colector. Cada una de las zonas est impurificada en
mayor o menor grado, La base 100 veces menos que el colector o emisor, esta
tiene menor tamao, despus el emisor y a 2 veces de espesor el colector.
 Figura 5 Transistor tipo NPN

3.4.2. Transistor bipolar PNP.

El BJT PNP est formado tambin por un cristal semiconductor con tres regiones
definidas por el tipo de impurezas, las tensiones de continua aplicadas son
opuestas a las del NPN.
Las corrientes fluyen en sentido contrario al del NPN. Por lo dems, este
dispositivo es similar al. El PNP desde el emisor emite huecos, controlada por la
base. El exceso de huecos que no pueden recombinarse en la base, van a parar al
colector.

Figura 6 Transistor tipo PNP

3.5. Tipos de encapsulados

4. Desarrollo (Calculos)