Guía Laboratorio Dispositivos y Componentes Electrónicos 2017A

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERA ELECTRNICA
AO DEL BUEN SERVICIO AL CIUDADANO
LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y
COMPONENTES ELECTRNICOS
Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

1
INDICE:
PRCTICA #1: CARACTERIZACIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR

PRCTICA #2: ANLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS
PRCTICA #3: CIRCUITOS RECORTADORES DE VOLTAJE
PRCTICA #4: REGULADOR DE VOLTAJE CON DIODO ZENER
PRCTICA #5: FUENTE DE ALIMENTACIN LINEAL CON REGULADORES DE VOLTAJE DE
CIRCUITO INTEGRADO
PRCTICA #6: POLARIZACIN FIJA Y ESTABILIZADA DE EMISOR CON BJT
PRCTICA #7: POLARIZACIN FIJA DEL JFET
PRCTICA #8: CURVA ID CONTRA VGS, AUTOPOLARIZACIN Y DIVISOR DE VOLTAJE
PRCTICA #9: TRANSISTOR JFET COMO AMPLIFICADOR
PRCTICA #10: CIRCUITO MOSFET COMO TEMPORIZADOR
PRCTICA #11: CIRCUITOS BSICOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES

2
PRCTICA #1
CARACTERIZACIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR
Objetivo: Obtener experimentalmente la curva caracterstica I D(VD) de los diodos de unin

p-n 1N4001 y 1N4003
Materiales y Equipos:
1 fuente de voltaje CD
1 voltmetro
1 ampermetro
1 diodo 1N4001
1 diodo 1N4003
1 resistencia de 1 KOhm
Procedimiento:
1) Armar el siguiente circuito (para valores positivos VD , se invierte la polarizacin de la
fuente de CD).
2) Realizar las siguientes mediciones y calcular la resistencia interna del diodo.

VD(Volts) ID(mA) RD(Ohms)
-1
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3

3
PRCTICA #2
ANLISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS
Objetivo: Analizar diversos circuitos elctricos que contengan diodos semiconductores de

estado slido.
1 fuente de voltaje
2 multmetros
1 ampermetro
Diodos 1N4001
Resistencia de 1 KOhms
Procedimiento:
1) Calcular y medir ID, VD, IR y VR para el siguiente circuito. Explique que sucede con el diodo.
2) Posteriormente reemplace la fuente de 0.3V por una de 5V, calcule y mida de nuevo ID, VD,
IR y VR para el siguiente circuito. Explique que sucede con el diodo.
3) Arme el siguiente circuito, calcule y mida ID1, ID2, VD1, VD2 y VR. Explique que sucede con los
diodos.

4
4) Conecte el siguiente circuito, calcule y mida ID1, ID2, VD1, VD2 y VR. Explique que sucede con
los diodos.
5) Ahora conecte el siguiente circuito, calcule y mida ID1, ID2, VD1, VD2 y VR e IR. Explique que
sucede con los diodos.

5
PRCTICA #3
CIRCUITOS RECORTADORES DE VOLTAJE
Objetivo: Obtener experimentalmente la forma de onda de diferentes circuitos recortadores

de voltaje
1 fuente de voltaje CD
1 generador de funciones
1 osciloscopio
Diodos 1N4001
1 resistencia de 2 KOhms
Procedimiento:
1) Armar los siguientes circuitos y aplicar una onda senoidal con 4 Vp de amplitud y 60 Hz de
frecuencia. Medir la forma de onda de entrada y salida de os circuitos y tomar una fotografa
a cada una de las formas de onda. Medir el tiempo de cada semiciclo obtenido y la amplitud
de las seales.

6
Nota: Simular todos los circuitos recortadores de voltaje vistos en clase y anexarlo al
reporte de esta prctica.

7
PRCTICA #4
REGULADOR DE VOLTAJE CON DIODO ZENER
Objetivo: Disear un circuito regulador de voltaje a 5V y 12V utilizando un diodo Zener y

considerando un voltaje de entrada no regulado de 30V.
1 fuente de voltaje CD (6v a 30V)
1 diodo zener de 5V y 12V
1 multmetro
Resistencias
Procedimiento:
Utilizar la siguiente configuracin para el diseo
1) Realizar los clculos pertinentes de R, RL y demostrar matemticamente que las resistencias

y el diodo Zener no se sobrecalentarn, ni daarn.
2) Utilice resistencias de W.
3) La potencia mxima del diodo Zener (Pzm) se deber obtener de la hoja de datos
(datasheet) del fabricante del dispositivo.
4) Anexar los clculos de VR, IR, PR, VRL, IRL, PRL, Iz, Pz.
5) Realizar los pasos anteriores utilizando un diodo Zener con Vz = 12V.
6) Simular los circuitos reguladores de voltaje obtenidos.
7) Desarrolle un programa computacional en ambiente grfico y amigable para el usuario
(Matlab o Labview) para realizar anlisis y diseo de circuitos reguladores de voltaje. El
programa debe mostrar el esquema del circuito regulador de voltaje y permitir introducir
los datos al lado de cada uno de los componentes, deber desplegar los resultados de las
variables del circuito a un lado del esquema elctrico.

8
PRCTICA #5
FUENTE DE ALIMENTACIN LINEAL CON REGULADORES DE VOLTAJE DE
CIRCUITO INTEGRADO
Objetivo: Disear y construir una fuente de alimentacin lineal con regulador de voltaje de
+5V, -5V, +12V, -12V y voltaje ajustable con capacidad mxima de 3 Amperes.
Caractersticas de la fuente de voltaje a disear y construir:

- Entrada de voltaje de 127 Vac
- Corriente mxima de salida de 1 A
- Voltajes de salida 5 Vcd, 12 Vcd, -12 Vcd y voltaje ajustable (variable)
- Construir en circuito impreso (PCB)
- Incluir switch de encendido/apagado (on/off)
- Bornes debidamente identificados con el voltaje de salida
- Fusible con portafusible
- Indicador de encendido
- Carcaza para la fuente
- Voltmetro analgico (aguja) para indicar el voltaje de salida (este se deber seleccionar
por un switch deslizable)
Nota: La fuente deber suministrar los voltajes al mismo tiempo (5 Vcd, 12 Vcd, -12 Vcd y
ajustable). El voltmetro solamente mostrar el voltaje (positivo) seleccionado mediante el
switch deslizable.
1 transformador de voltaje 127 Vac 48 Vac de 3A.
1 voltmetro analgico (aguja) para fuente.
1 puente diodo de 3.
1 capacitor de 4700 uF a 96V.
1 regulador de voltaje 7805,7812, 7912 y LM317.
1 fusible 3.
1 porta fusible de chasis.
1 switch (con indicador de encendido)
1 cable elctrico de 1.5m con clavija.
6 bornes para los voltajes de salida.
1 carcaza para fuente de voltaje.
Procedimiento:
Investigar las diferentes configuraciones de fuentes de voltaje lineal con regulador de voltaje
de C.I.

9
Seleccionar los componentes elctricos y electrnicos a utilizar.

Analizar y disear el circuito de la fuente de voltaje.
Armar el circuito y probarlo.
Calcular y medir los siguientes parmetros de la fuente: Voltaje de rizo, Porcentaje de rizo
de seal rectificada, Porcentaje de regulacin de voltaje.
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
. Graficar en MATLAB ID (VD) medidos.

. Evaluar la ecuacin en MATLAB del diodo

= ( 1)
Donde:
IS = Corriente de saturacin inversa
VD = Voltaje en las terminales del diodo
T = Temperatura en grados Kelvin
K = 11600/n
n = 1 ; para diodos de Germanio
n = 2 ; para diodos de Silicio
. Graficar los valores calculados de ID y realizar una comparacin con los valores medidos
experimentalmente.

10
PRCTICA #6
POLARIZACIN FIJA Y ESTABILIZADA DE EMISOR CON BJT
Objetivo: Analizar y disear un circuito con POLARIZACIN FIJA con BJT y uno con
POLARIZACIN ESTABILIZADA DE EMISOR y comprobar experimentalmente los resultados
obtenidos.
1 fuente de voltaje CD.
1 transistor 2N2222A.
1 ampermetro.
1 voltmetro.
Varias resistencias.
Procedimiento:
1) Analizar el siguiente circuito de polarizacin fija para calcular: IBQ, ICQ, VCEQ, VBC, verificar
(demostrar) si el circuito amplifica, y calcular la ganancia del amplificador con los niveles
de voltaje (C.A.) obtenidos a la entrada y salida del circuito.
2) Medir experimentalmente IBQ, ICQ, VCEQ, VBC y comparar los resultados con los datos
calculados. Las mediciones de estas variables son nicamente con el VCC aplicado y sin
seal de entrada.
3) Disee un amplificador con polarizacin fija, con VCC = 12V, VCEQ = 6V, ICQ = 50Ma, utilice
el transistor 2N22A. Una vez diseado aplicar una seal senoidal de 3KHz y 300mV pico.
Calcular la ganancia y tomar una fotografa a la seal de entrada y salida.

11
4) Diseo de un amplificador con polarizacin estabilizada de emisor. Calcule los valores

requeridos de VCC, Rc, Rb y Re del siguiente circuito. Para tener un VCEQ = 8V, ICQ=100mA.
Utilice el transistor 2N2222A. Una vez diseado aplicar una seal senoidal de 3KHz y
300mV pico. Calcular la ganancia y tomar fotografa a la seal de entrada y salida.
Indicar cul de los tres circuitos tiene mayor ganancia. Justifique matemticamente su
respuesta.

12
PRCTICA #7
POLARIZACIN FIJA DEL JFET
Objetivos: Mediante el anlisis matemtico y de simulacin, familiarizar al estudiante con

el comportamiento del transistor JFET en corriente directa.
Introduccin:
El transistor FET es un dispositivo controlado por el voltaje y la corriente ID est en funcin del
voltaje VGS aplicado a la entrada.
La construccin bsica del JFET canal N se muestra en la figura 2.1. La mayor parte de la
estructura es de material tipo N en que forma el canal entre las capas interiores del material
tipo P.
Figura 2.1 Construccin bsica del JFET canal N

El voltaje de la compuerta VGS es el voltaje que controla al JFET. El JFET es frecuentemente
utilizado como interruptor.
Materiales y Software:
SPICE, LTspice o Proteus

Calculadora
Prctica impresa
Bolgrafo
Procedimiento:
Armar el circuito de la figura 2.2 y calcular VGSQ, IDQ, VDS, VD, VG, VS por el mtodo matemtico
y por medio de un simulador de circuitos (Anexar pantallas con explicacin).

13
Figura 2.2 Circuito del JFET de canal N de polarizacin fija

14
PRCTICA #8
CURVA ID CONTRA VGS, AUTOPOLARIZACIN Y DIVISOR DE VOLTAJE
Objetivos: En esta prctica se pretende construir el circuito que est diseado para obtener
la curva de la ID contra el VGS.
Introduccin:
La polarizacin del JFET SE REALIZA MEDIANTE TENSIN CONTINUA y consiste en prepararlo
para que en circuito, en el cual se le quiere utilizar, a travs del JFET circule una cantidad de
corriente ID por el drenaje, y a su vez obtenga una tensin entre en drenaje y la fuente VDS
para esa cantidad de corriente ID, a estos de le llama obtener el punto de operacin o punto
Q. La corriente ID va depender de la tensin compuerta fuente VGS que exista en la malla de
entrada, la VDS DEPENDER de la malla de salida del circuito.
En este tipo de polarizacin solamente se necesita una fuente de alimentacin, en la figura
3.1 se muestra este tipo de arreglo para un JFET de canal N, es muy similar para el caso del
JFET de canal P, con la diferencia de que hay que invertir las polaridades.
Figura 3.1 Configuracin de auto polarizacin del circuito JFET de canal N

Material:
Protoboard
Transistor 2N5457
Resistencia de diferente valores
Alambre de centro slido del nmero 18 o 20
Regulador DC

15
Procedimiento:
Construyan de forma fsica y utilizando un simulador de circuitos, las redes de las figuras 3.2 y
3.3, pero antes contesten las siguientes preguntas:
1. forma de la curva ID contra VGS
2. forma de la curva ID contra VDS
3. Qu es voltaje de corte de compuerta a fuente (VGS(off)?
4. Qu es voltaje de estrangulacin (VP)?
Consideren los siguientes aspectos:
a) El VGS es variable
b) Llenen la tabla 3.1 y grafiquen para la figura 3.2
Figura 3.2 Circuito del JFET de canal N para obtener la curva ID contra VGS
VGS -1.8 -1.6 -1.4 -1.2 -1.0 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0.0
ID
Tabla 3.1 Valores del circuito JFET de canal N para obtener la curva ID contra VGS
Figura 3.3 Circuito de auto polarizacin del JFET de canal N. Nota: RG = 100 M

16
De la figura 3.3, obtenga lo siguiente:

a) clculos
b) grficas
c) valores de las resistencias
d) mida los voltajes en las terminales de compuerta, fuente y drenaje.
e) modifique el circuito anterior, polarizndolo por medio de divisor de voltaje y realice los
clculos.

17
PRCTICA #9
TRANSISTOR JFET COMO AMPLIFICADOR
Objetivos: En esta prctica se pretende dar una visin general del transistor de efecto de
campo de unin, estudiar sus parmetros caractersticos y sus zonas de funcionamiento; y
finalmente, utilizarlo en una configuracin de amplificador para poder analizar las ventajas
e inconvenientes que presentan frente a los transistores bipolares.
Introduccin:
En general, existen dos tipos de transistores de efecto de campo (FET), utilizados en circuitos
integrados analgicos: el transistor FET de unin (JFET) y el transistor FET de unin de metal -
xido semiconductor (MOSFET). Los circuitos electrnicos que utilizan transistores FETs son
generalmente ms costosos que sus anlogos bipolares, sin embargo, presentan una serie de
caractersticas que mejoran sus prestaciones y que justifican su utilizacin, como por ejemplo,
el hecho de que presenten unas altas impedancias de entrada.
Esta prctica se centrar en la caracterizacin y utilizacin como amplificador del JFET.
Un transistor JFET es un dispositivo de tres terminales: compuerta (G), fuente (S) y drenaje
(D). La compuerta es el electrodo de control y el voltaje aplicado a sta modula o controla la
corriente elctrica que circula entre la fuente y el drenaje. El semiconductor que une los
terminales de la fuente y drenaje constituyen lo que se conoce como canal del dispositivo, y
en funcin de que ste sea tipo P o tipo N, dar lugar a transistores JFET de canal P o JFET de
canal N, respectivamente.
Materiales:
Protoboard
Resistencias de diferentes valores
Capacitores de diferentes valores
Alambre de centro slido del nmero 18 o 20 y regulador DC
Transistor BF245C, BF245B, BF245A, 2N4220A, MPF102, NTE133 0 112-ND
Multmetro
Fuente de alimentacin DC
Osciloscopio
Procedimiento:
En el desarrollo de la prctica se va trabajar con el transistor JFET de canal N BF245C, cuyas
caractersticas debern investigar en la hoja del fabricante. En primer lugar, se obtendrn los
parmetros caractersticos IDSS y VP del JFET y que determinar su funcionamiento; y a
continuacin, se utilizar como amplificador en configuracin de fuente comn.

18
1.- caracterizacin experimental del jfet y utilizacin como aplificador:

a) Medida de la corriente IDSS
En la introduccin terica se ha definido la corriente IDSS como la corriente que circula por el
drenaje cuando VGS = 0V. Para medirla, monte en el protoboard el circuito que se muestra en
la figura 4.1 (teniendo especial cuidado del patillaje del BF245C) y mida la corriente de drenaje
a partir de la cada de tensin en la resistencia RD. Esta corriente medida es IDSS, que es
caracterstica del JFET. Antela y refleje el valor medido en el reporte de la prctica.
Figura 4.1 Montaje del JFET utilizado para la medida de la corriente IDSS y para la obtencin
del voltaje de pinch-off (VP)
b) Obtencin del voltaje de pinch-off (VP)

Monte ahora en el protoboard el circuito de la figura 4.2. Una vez polarizado el circuito podr
medir la corriente del drenaje ID y calcular el voltaje VP tomando I=0. Para este clculo deber
de hacer uso del valor de IDSS obtenido en el apartado anterior.
Una vez calculado VP, antelo y refljelo en el reporte de la prctica. Es importante recordar
que ya que el transistor JFET BF245C es un transistor de canal N, el voltaje VP ser negativo.
Finalmente, compare los resultados obtenidos experimentalmente de IDSS y VP con los
proporcionados por el fabricante en la hoja de caractersticas.
Figura 4.2 Montaje del JFET utilizado para la medida de la corriente IDSS y para la obtencin
del voltaje de pinch-off (VP)

19
c) Utilizacin del JFET como amplificador

Primeramente, monte en el protoboard el circuito de la figura 4.3, donde se muestra el
esquema de un circuito amplificador basado en JFET en configuracin de fuente comn.
Alimente el circuito adecuadamente y excite el circuito con una seal de entrada sinusoidal
de frecuencia 8KHz y 0.2V de amplitud. Visualice con el canal I del osciloscopio la seal a la
entrada del circuito y con el canal II la seal de salida del circuito y refleje dicha medida en el
reporte de la prctica. Calcule la ganancia en tensin del circuito AV=V0/Vi para cada una de
las frecuencias de la tabla 4.1, y represente en el reporte de la prctica la grfica de la ganancia
de tensin en funcin de la frecuencia. Utilice escala logartmica en el eje de las abscisas (eje
X) para poder representar correctamente todos los valores de frecuencias.
Figura 4.3 Montaje del JFET como amplificador en configuracin de fuente comn
Frecuencia 100 220 600 1.2K 3.2K 8K 20K 50K 100K 220K 600K 1.2M 3M
AV=V0/Vi
Tabla 4.1 Ganancia en tensin del circuito amplificador en funcin de frecuencia
Repita la medida de la ganancia del circuito amplificador en funcin de la frecuencia (tabla
4.1), pero eliminando el circuito de la figura 4.3 el capacitor CS. Represente esta nueva
ganancia en funcin de la frecuencia en la tabla 4.2
Frecuencia 100 220 600 1.2K 3.2K 8K 20K 50K 100K 220K 600K 1.2M 3M
AV=V0/Vi
Tabla 4.2 Ganancia en tensin del circuito amplificador en funcin de frecuencia, sin el
capacitor CS
2.- Caracterizacin mediante simulacin SPICE del circuito amplificador JFET:
Finalmente, simule mediante el programa SPICE el comportamiento del circuito amplificador
con JFET de la figura 4.3. Realice las simulaciones tanto para el circuito con el capacitor CS y
sin este.
El modelo que deber utilizar para el tranasistor BF245C ser el siguiente:
.model BF245C NJF

20
Analice la polarizacin de los dos circuitos, realice un anlisis AC para calcular las ganancias en
tensin de los circuitos y realice un anlisis transitorio para visualizar las formas de onda a la
entrada y a la salida del amplificador.
En el reporte de la prctica deber entregar los listados de los ficheros, el resultado de los
puntos de polarizacin de los circuitos, las curvas de ganancia en tensin en funcin de la
frecuencia, y un anlisis transitorio de cada circuito, visualizando las seales a la entrada y a
la salida del mismo, tomando como seal de entrada una onda sinusoidal de frecuencia 8KHz
y 0.2V de amplitud.

21
PRCTICA #10
CIRCUITO MOSFET COMO TEMPORIZADOR
Objetivos: En esta prctica se pretende dar una visin general del transistor de efecto de
campo de metal xido semiconductor, estudiar sus parmetros caractersticos, su estructura
y su comportamiento como interruptor/temporizador controlado por tensin, donde el
voltaje aplicado a la compuerta permite hacer que fluya o no corriente entre el drenaje y la
fuente.
Introduccin:
Un transistor MOSFET conduce corriente elctrica entre dos patillas cuando aplicamos tensin
en la otra patilla. Es un interruptor que se activa por tensin.
Es un transistor que conduce o no conduce la corriente, en el que se utiliza un campo elctrico
para controlar su conduccin y que su dielctrico es un metal de xido.
Esta prctica se centrar en la caracterizacin y utilizacin como interruptor del MOSFET. Un

transistor MOSFET es un dispositivo de tres terminales: compuerta (G), fuente (S) => Entrada
y drenaje (D) => Salida.
El MOSFET controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamada fuente (S) y
una salida o terminal llamada drenaje (D), mediante la aplicacin de una tensin (con un valor
mnimo llamada tensin umbral) en el terminal llamado compuerta (G). Es un interruptor
controlado por tensin. Al aplicar tensin conduce y cuando no hay tensin en la compuerta
no conduce. En la figura 5.1, se muestran los smbolos para los transistores de canal N y de
canal P.
El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de campos elctricos en
el interior del dispositivo.
Figura 5.1 Smbolos para los MOSFET canal N y canal P

22
Materiales:
7805
Pulsador o interruptor
Potencimetro 350 KOhms
MOSFET 2n7000
Capacitor 1000Uf
LED
Resistencia 330 Ohms
Alambre de centro slido del nmero 18 o 20
Regulador DC
Multmetro
Fuente de alimentacin o batera de 9V
Procedimiento:
Construyan el circuito de la figura 5.2, el cual se va a comportar como interruptor, pero al girar
la perilla del potencimetro el LED se va apagar rpidamente o lentamente por lo que va
funcionar como un temporizador.
Figura 5.2 Montaje del MOSFET canal N como interruptor

23
PRCTICA #11
CIRCUITOS BSICOS CON AMPLIFICADORES OPERACIONALES
El presente experimento de laboratorio se realizar con circuitos bsicos que son ampliamente
utilizados en diversas aplicaciones tanto en circuitos amplificadores como en los circuitos
transformadores de forma de onda y en instrumentacin como comparadores de seales.
Tambin nos muestra que los Amplificadores Operacionales a pesar de ser Circuitos
Integrados lineales se emplean en amplificadores no lineales.
Materiales y equipos:
Amplificador Operacional LM741.

Fotodiodo BPW96 o equivalente.
Generador de Audio.
Fuente Regulada de doble polaridad.
Osciloscopio de doble trazo.
Resistencias que se indican en los circuitos.
Multmetro.
1ra Parte:
Objetivos:
- Montaje de circuitos sencillos con operacionales: amplificador inversor y amplificador no
inversor.
- Efectos de la saturacin.
Circuito 1: Amplificador Inversor
Empleando el amplificador operacional LM741 realizar el siguiente circuito:
Se pide:
- Fijar con el generador de funciones una seal Vi senoidal de 0,5 V pico y frecuencia 5 KHz.

24
- Observar la forma de onda de salida V0.

- Subir la tensin de entrada hasta 3V de pico y medir la tensin de salida. Qu sucede?
Circuito 2: Amplificador No Inversor

Realizar el siguiente circuito:
- Seguir los mismos pasos que en el circuito anterior.
Circuitos Comparadores sin Histresis y con Histresis

Objetivos:
- Medida de nivel de luz mediante un Fotodiodo.
- Montaje de un comparador con histresis.
Circuito 3: Sensor de Luz mediante Fotodiodo

Realizar el siguiente circuito para medida del nivel de luz:
Verificar el correcto funcionamiento del circuito mediante el osciloscopio.

25
Circuito 4: Comparador (sin histresis).

En base al circuito anterior realizar el siguiente montaje.
Se pide:
- Comprobar con el osciloscopio la reaccin de la seal de salida V0 a los cambios de
iluminacin ambiente.
Circuito 5: Comparador con histresis.

En base al circuito anterior realizar el siguiente montaje (slo es precioso aadir una
resistencia):
Se pide:
- Comprobar con el osciloscopio la reaccin de la seal de salida V0 a los cambios de
iluminacin ambiente.
- Qu diferencias se observan respecto al circuito anterior?

26

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FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

PRCTICA #1: CARACTERIZACIN DEL DIODO SEMICONDUCTOR

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Objetivo: Obtener experimentalmente la curva caracterstica I D(VD) de los diodos de unin

2) Realizar las siguientes mediciones y calcular la resistencia interna del diodo.

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Objetivo: Analizar diversos circuitos elctricos que contengan diodos semiconductores de

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Objetivo: Obtener experimentalmente la forma de onda de diferentes circuitos recortadores

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Objetivo: Disear un circuito regulador de voltaje a 5V y 12V utilizando un diodo Zener y

1) Realizar los clculos pertinentes de R, RL y demostrar matemticamente que las resistencias

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Caractersticas de la fuente de voltaje a disear y construir:

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Seleccionar los componentes elctricos y electrnicos a utilizar.

. Graficar en MATLAB ID (VD) medidos.

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

4) Diseo de un amplificador con polarizacin estabilizada de emisor. Calcule los valores

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Objetivos: Mediante el anlisis matemtico y de simulacin, familiarizar al estudiante con

Figura 2.1 Construccin bsica del JFET canal N

SPICE, LTspice o Proteus

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Figura 2.2 Circuito del JFET de canal N de polarizacin fija

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Figura 3.1 Configuracin de auto polarizacin del circuito JFET de canal N

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

De la figura 3.3, obtenga lo siguiente:

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

1.- caracterizacin experimental del jfet y utilizacin como aplificador:

b) Obtencin del voltaje de pinch-off (VP)

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

c) Utilizacin del JFET como amplificador

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Esta prctica se centrar en la caracterizacin y utilizacin como interruptor del MOSFET. Un

Figura 5.1 Smbolos para los MOSFET canal N y canal P

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Figura 5.2 Montaje del MOSFET canal N como interruptor

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Amplificador Operacional LM741.

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

- Observar la forma de onda de salida V0.

Circuito 2: Amplificador No Inversor

- Seguir los mismos pasos que en el circuito anterior.

Circuitos Comparadores sin Histresis y con Histresis

Circuito 3: Sensor de Luz mediante Fotodiodo

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

Circuito 4: Comparador (sin histresis).

Circuito 5: Comparador con histresis.

Ing. Luis Leoncio Figueroa Santos

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