UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

CURSO:

Dispositivos y Componentes Electrónicos

INTEGRANTES:

García Huarancca, Frank Anthony 1523110104

Cahuapaza Principe, John 1523120896

Cabezas Champi, Freddy 1523110131

Ponte Ayala, Juan Edison 1523120637

PROFESOR:

Sánchez Hernández, Jaime Eloy

LIMA-PERÚ

2017
 UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Escuela Profesional de Ingeniería Eléctrica

TRANSISTOR BIPOLAR

1. OBJETIVO:
 Determinar la curva característica del transistor en función de corriente de base
(LB), corriente de conector y voltaje colector emisor.
 Determinar las características del transistor propuesto según el manual de
reemplazo.
 Analizar cada uno de los componentes a utilizar.
2. FUNDAMENTO TEÓRICO:

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es
un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas
entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el
paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento
normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad.

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Tema: Transistor Bipolar
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3. RELACIÓN DE MATERIALES, EQUIPOS E INSTRUMENTOS:

 1 transistor BC 547 o BC 548

 2 resistencias 150 ohm y otra de 5.6k ohm
 2 potenciómetros 10k ohm o 50k ohm
 Manual de reemplazo
 Multímetro digital
 Fuente dc variable
 Microamperímetro dc
 Miliamperímetro dc
 Protoboard
 Terminales

4. MONTAJE DEL CIRCUITO

El circuito se montará de la siguiente manera:

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Tema: Transistor Bipolar
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5. CUADRO DE ANÁLISIS DE TENSIONES Y CORRIENTES:

Para el análisis de las distintas corrientes que aparecen en

un transistor vamos a considerar un transistor de tipo
PNP, que polarizamos tal y como aparece en la figura 1.
Este tipo de polarización será el usado cuando el transistor
trabaje en región activa, como se verá en los
siguientes apartados. La unión emisor-base queda
polarizada como una unión en directa, y la unión
colector-base como una unión en inversa.
En la figura 2. se muestran las principales corrientes (de
electrones y huecos) que aparecen en el transistor tras
aplicar la polarización indicada en la figura 1. Se puede
observar lo siguiente:

Figura 1. Polarización

Figura 2. Corrientes en TRT

 Entre el emisor y la base aparece una corriente (IEp + IEn) debido a que la unión está en
directa
 El efecto transistor provoca que la mayor parte de la corriente anterior NO circule por la
base, sino que siga hacia el emisor (ICp)
 Entre el colector y la base circula una corriente mínima por estar polarizada en inversa (ICn
más una parte ínfima de ICp)
 Por la base realmente circula una pequeña corriente del emisor, más otra de colector, más
la corriente de recombinación de base (IEn+ICn+IBr)

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Tema: Transistor Bipolar
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Ib = 211µA
IC VS VC
2.5
VC(V) IC(mA)
0,012 0,5 2
0,02 1

Intensidad(mA)
0,023 1,5 1.5

0,025 1,9
1
0,027 2
0.5

0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03
Voltaje(V)

Ib = 300µA
IC VS VC
2.5

VC(V) IC(mA)
2
0,01 0,5
Intensidad(mA)

0,012 0,8 1.5

0,014 1
1
0,018 1,5
0,022 2 0.5

0
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025
Voltaje(V)

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Tema: Transistor Bipolar
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Ib = 400µA

VC(V) IC(mA)
IC VS VC
2.5
0,008 0,5
0,01 0,8 2
0,011 1
Intensidad(mA)
0,014 1,5 1.5
0,017 2
1

0.5

0
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01 0.012 0.014 0.016 0.018
Voltaje(V)

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Tema: Transistor Bipolar