Driou

Numéro d’ordre : 2010ISAL0072 Année 2010
THÉSE
présentée
devant l'Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
pour obtenir
LE GRADE DE DOCTEUR
École doctorale : Électronique Électrotechnique Automatique
Formation Doctorale : Génie Électrique
par
Asif HAMMOUD
Ingénieur de l’Université Tichreen de Syrie
Etude des convertisseurs haute tension pour la

protection et la coordination des réseaux de distribution
Soutenue le : 21 Octobre 2010 devant la Commission d'examen
Jury :
M.Stéphane LEFEBVRE Professeur Rapporteur

M.Yvan AVENAS Maître de Conférences Rapporteur
M.Charles JOUBERT Professeur Examinateur
M.Serge PELISSIER Chargé de recherche Examinateur
M.Hervé MOREL Directeur de Recherches Directeur
M.Dominique BERGOGNE Maître de Conférences CoDirecteur
Cette thèse a été préparée au laboratoire AMPERE, INSA de Lyon avec le financement du Ministère de l'électricité, Syrie
INSA Direction de la Recherche - Ecoles Doctorales – Quadriennal 2007-2010
SIGLE ECOLE DOCTORALE NOM ET COORDONNEES DU RESPONSABLE
CHIMIE DE LYON M. Jean Marc LANCELIN

CHIMIE http://sakura.cpe.fr/ED206 Université Claude Bernard Lyon 1
Bât CPE
43 bd du 11 novembre 1918
M. Jean Marc LANCELIN
69622 VILLEURBANNE Cedex
Tél : 04.72.43 13 95 Fax :
Insa : R. GOURDON lancelin@hikari.cpe.fr
ELECTRONIQUE, ELECTROTECHNIQUE, M. Alain NICOLAS
E.E.A. AUTOMATIQUE Ecole Centrale de Lyon
http://www.insa-lyon.fr/eea Bâtiment H9
M. Alain NICOLAS 36 avenue Guy de Collongue
Insa : C. PLOSSU 69134 ECULLY
ede2a@insa-lyon.fr Tél : 04.72.18 60 97 Fax : 04 78 43 37 17
Secrétariat : M. LABOUNE eea@ec-lyon.fr
AM. 64.43 – Fax : 64.54 Secrétariat : M.C. HAVGOUDOUKIAN
EVOLUTION, ECOSYSTEME, M. Jean-Pierre FLANDROIS
E2M2 MICROBIOLOGIE, MODELISATION CNRS UMR 5558
http://biomserv.univ-lyon1.fr/E2M2 Université Claude Bernard Lyon 1
Bât G. Mendel
M. Jean-Pierre FLANDROIS 43 bd du 11 novembre 1918
Insa : H. CHARLES 69622 VILLEURBANNE Cédex
Tél : 04.26 23 59 50 Fax 04 26 23 59 49
06 07 53 89 13
e2m2@biomserv.univ-lyon1.fr
INTERDISCIPLINAIRE SCIENCES-SANTE M. Didier REVEL
EDISS Hôpital Cardiologique de Lyon
Sec : Safia Boudjema Bâtiment Central
M. Didier REVEL 28 Avenue Doyen Lépine
Insa : M. LAGARDE 69500 BRON
Tél : 04.72.68 49 09 Fax :04 72 35 49 16
Didier.revel@creatis.uni-lyon1.fr
INFORMATIQUE ET MATHEMATIQUES M. Alain MILLE
INFOMATHS http://infomaths.univ-lyon1.fr Université Claude Bernard Lyon 1
M. Alain MILLE LIRIS - INFOMATHS
Bâtiment Nautibus
43 bd du 11 novembre 1918
69622 VILLEURBANNE Cedex
Tél : 04.72. 44 82 94 Fax 04 72 43 13 10
infomaths@bat710.univ-lyon1.fr - alain.mille@liris.cnrs.fr
MATERIAUX DE LYON M. Jean Marc PELLETIER
INSA de Lyon
Matériaux MATEIS
M. Jean Marc PELLETIER Bâtiment Blaise Pascal
7 avenue Jean Capelle
Secrétariat : C. BERNAVON 69621 VILLEURBANNE Cédex
83.85 Tél : 04.72.43 83 18 Fax 04 72 43 85 28
Jean-marc.Pelletier@insa-lyon.fr
MECANIQUE, ENERGETIQUE, GENIE M. Jean Louis GUYADER
MEGA CIVIL, ACOUSTIQUE INSA de Lyon
Laboratoire de Vibrations et Acoustique
M. Jean Louis GUYADER Bâtiment Antoine de Saint Exupéry
25 bis avenue Jean Capelle
Secrétariat : M. LABOUNE 69621 VILLEURBANNE Cedex
PM : 71.70 –Fax : 87.12 Tél :04.72.18.71.70 Fax : 04 72 43 72 37
mega@lva.insa-lyon.fr
ScSo* M. OBADIA Lionel
ScSo Université Lyon 2
M. OBADIA Lionel 86 rue Pasteur
69365 LYON Cedex 07
Insa : J.Y. TOUSSAINT Tél : 04.78.77.23.88 Fax : 04.37.28.04.48
Lionel.Obadia@univ-lyon2.fr
*ScSo : Histoire, Geographie, Aménagement, Urbanisme, Archéologie, Science politique, Sociologie, Anthropologie
Remerciements
Ce travail de recherche présenté dans ce mémoire a été effectué au Laboratoire

AMPERE, de l'Institut Nationale de Sciences Appliquées de Lyon.
Je souhaite exprimer mes premiers remerciements au Ministère d'électricité de Syrie
pour le financement de cette étude.
Pour leur participation à l'évaluation scientifique de ce travail, j’adresse mes vifs

remerciements à :
M. Charles JOUBERT, qui m'a fait l'honneur de présider mon jury de thèse;
M. Stéphane LEFEBVRE et M. Yvan AVENAS pour avoir accepté d'être rapporteur de ce
travail;
M. Serge PELISSIER de sa participation au jury en tant qu’examinateur du travail présenté.
Je voudrais remercier M. Hervé MOREL de m’avoir acceuilli au début de cette thèse
dans son laboratoire, et pour ses judicieux conseils.
Je remercie M. Dominique BERGOGNE pour avoir encadré cette thèse, pour le sotien
tout au long de cette période, pour ses remarques constructives et pour ses qualités
humaines et surtout la confiance et la liberté dont lui a fait preuve.
Je ne serai terminer sans remercier toutes les personnes qui m'ont aidé durant la

réalisation de ce travail.
Enfin, je remercie ma femme ,Hanan, qui m'accompagné et me soutient dans le temps
de cette thèse, pour sa patience et sa compréhension. Et je n'oublie pas ma p'tite étoile,
Eva, qui, à sa naissance, marque un nouveau espoir de ma vie.
Table des matières
Introduction générale 2
1 Les réseaux de distribution d'énergie électrique 5
1.1 Présentation générale des réseaux . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2 Structure générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.1 Le réseau de transport . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.2 Les réseaux de répartition . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2.3 Les réseaux de distribution haute tension . . . . . . . . 9
1.3 Les lignes électriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.3.1 Bases physiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3.2 Equations de la lignes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3.3 Propriétés électriques des lignes de transport . . . . . . 15
1.3.4 Schéma équivalent d'une ligne . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4 Problématique de la distribution d'énergie électrique . . . . . 16
1.4.1 Contraintes physiques sur le produit "électricité" . . . 16
1.4.2 Analyse des nouvelles contraintes sur le réseau . . . . . 19
1.4.3 Production décentralisée . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.4.4 Energies nouvelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.5 L'électronique de puissance dans les réseaux du futur . . . . . 31
1.5.1 Les systèmes FACTS et HVDC pour le contrôle des ré-
seaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.5.2 Transmission de l'énergie électrique par HVDC . . . . 35
1.5.3 Les technologies de transport de l'électricité . . . . . . 38
1.5.4 Les avantages et les applications du HVDC et du HVDC
Lightr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.6 Les perturbations électriques dûes à la foudre . . . . . . . . . 41
1.6.1 Présentation de la foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
1.6.2 L'énergie de la foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
1.6.3 Eets de la foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.6.4 Eets d'un coup de foudre direct sur un réseau électrique 44
1.6.5 Les surtensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.6.6 Les origines des surtensions transitoires . . . . . . . . . 46
1.7 La Protection Electrique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
1.7.1 La protection parallèle (en tension) . . . . . . . . . . . 48
1.7.2 La protection série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Table des matières iii
2 L'électronique de puissance et le réseau de distribution 53

2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.2 Le carbure de silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.2.1 Bref historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.2.2 Propriétés phyiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.3 Le JFET en SiC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.3.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.3.2 Structure du JFET-SiCED . . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.3.3 État de l'art sur la caractérisation électrique du JFET-SiC 60
2.3.4 Applications réalisées à base du JFET-SiC . . . . . . . 66
2.3.5 Comparaison JFET-SiC avec les composants Si . . . . 72
2.4 Discussion autour la possibilité d'utiliser le JFET-SiC dans des
applications de réseau de distribution . . . . . . . . . . . . . . 84
2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
3 Impact d'un choc de foudre 86

3.1 Le JFET sous un choc de foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . 86
3.1.1 Normalisation de choc . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.1.2 Générateur d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.1.3 Onduleur soumis à une surtension produite par un choc
de foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.2 Dispositif expérimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.2.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.2.2 Calibration du paramètre thermo-sensible . . . . . . . 95
3.2.3 Séquence de commutation des interrupteurs K1 , K2 , K3
et K4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
3.2.4 Moyen de mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.3 Validation Expérimentale et Mesures . . . . . . . . . . . . . . 102
3.3.1 Mesure en direct . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102
3.3.2 Mesure en inverse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.3.3 Vérication et comparaison de la détection thermique
expérimentale par la simulation . . . . . . . . . . . . . 111
3.4 Problématique de l'expérience . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.4.1 CEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113
3.4.2 Description de la tension appliquée par le générateur . 116
3.5 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
Conclusion générale 120

Bibliographie 123
Introduction générale
Dans le développement de notre civilisation, c'est probablement l'énergie

électrique qui aura été un acteur prédominant.
Le problème énergétique pour le monde entier est : comment répondre à

la demande des consommateurs en énergie électrique ?.
En réalité la consommation rapide du pétrole, la source la plus importante

d'énergie actuelle, se traduit directement par un conit sur le prix du pétrole.
En outre, la réserve mondiale de pétrole est de plus en plus faible, et dans
un futur proche il n'y aura plus assez du pétrole pour alimenter les activités
industrielles. Et cette immense consommation se pose un autre problème,
celui du réchauement de la planète où le gaz carbonique (CO2 ) est l'un des
principaux responsable.
Sous le poids de ces problèmes, le monde commence à se diriger vers de

nouvelles sources d'énergie (les ressources renouvelables) qui sont principa-
lement les énergies éolienne, photovoltaïque, hydraulique et géothermique.
Malgré l'importance de l'utilisation de ces sources d'énergie renouvelable, ce
n'est qu'une petite partie de l'énergie produite actuellement, mais cette partie
est en cours de développement et va accroître son rôle dans l'économie et la
société. D'autre part, ces sources d'énergie renouvelable sont impliquent la
production décentralisée.
Normalement la production décentralisée comprend des unités de produc-

tion classiques, et des unités basées sur l'énergie renouvelable ou la cogénéra-
tion. Cette production s'insère de plus en plus dans le réseau de distribution.
L'acheminement de l'énergie renouvelable vers le réseau de distribution

pourra être faite par l'intermédiaire de liaisons à courant continu. Ces liaisons
peuvent améliorer le comportement des réseaux (par rapport à celui d'un
réseau à courant alternatif ) en utilisant des systèmes de contrôle rapides basé
sur l'électronique de puissance et la micro-électronique de commande.
Récemment, des progrès signicatifs ont été réalisés dans le développement

des semi-conducteurs haute puissance. Ces progrès permettent de produire
de nouveaux composants de puissance à faibles pertes et haut rendement
énergétique et par conséquent, de réduire l'impact des convertisseurs insérés
dans les réseaux.
D'un autre côté, le développement rapide dans le domaine de l'énergie élec-

trique a permis d'augmenter les projets de transmission en courant continu.
Dans le futur, nous aurons besoin de convertisseurs de puissance plus ef-

cace, à haute tension et à forte puissance de fonctionnement, or le silicium
(Si) a atteint ses limites. La recherche s'est concentrée sur le matériau Carbure
Table des matières 3
de Silicium (SiC) pour ses propriétés physiques signicatives, sa large bande

d'énergie interdite, sa conductivité thermique élevée.
Parmi les interrupteurs réalisés, le JFET en SiC est le plus avancé dans
son développement car il est au stade de la précommercialisation, et déjà
échantillonné en nombre important.
En raison de l'existence de convertisseurs reliés au réseau de distribution,
et en cas de coups de foudre direct ou indirect, ces convertisseurs sont ainsi
exposés à un risque accru de destruction.
L'objectif initial de cette thèse est d'étudier la possibilité d'utiliser les
JFET en SiC dans un convertisseur directement relié au réseau de distribution
en montrant la robustesse de ce composant vis-à-vis des surtensions induites
par les chocs de foudre.
La présente thèse est organisée comme suit :
Le chapitre 1 est destiné à dénir les diérents éléments qui constituent le
système, le convertisseur dans le réseau électrique, la ligne à courant continu,
en prenant en compte les contraintes extérieures produites par le choc de
foudre, et les moyens de protections classiques.
Le chapitre 2 a pour l'objectif de montrer la structure du JFET en SiC
et ses utilisations dans des application d'électronique de puissance. Ainsi, une
comparaison entre le JFET-SiC et des composants en Si aura lieu dans ce
chapitre. Nous allons utiliser un module à JFET de fort courant pour le com-
parer avec un module à IGBT-Si 1200 A. Le but de cette comparaison est de
présenter les avantages de remplacer les composants en Si par d'autres en SiC.
Le chapitre 3 est expérimental. À partir des normes nous avons testé des
JFET-SiC en les soumettant à un stress correspondant aux conséquences d'un
choc de foudre. La problématique de l'expérience sera présentée.
Ce travail a été eectué au Laboratoire Ampère, site De Vinci, à l'INSA

de Lyon.
Chapitre 1
Les réseaux de distribution
d'énergie électrique
Sommaire
1.1 Présentation générale des réseaux . . . . . . . . . . . 6
1.2 Structure générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.2.1 Le réseau de transport . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.2.2 Les réseaux de répartition . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.2.3 Les réseaux de distribution haute tension . . . . . . . 9
1.3 Les lignes électriques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.3.1 Bases physiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

1.3.2 Equations de la lignes . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.3.3 Propriétés électriques des lignes de transport . . . . . 15
1.3.4 Schéma équivalent d'une ligne . . . . . . . . . . . . . . 15
1.4 Problématique de la distribution d'énergie électrique 16
1.4.1 Contraintes physiques sur le produit "électricité" . . . 16

1.4.2 Analyse des nouvelles contraintes sur le réseau . . . . 19
1.4.3 Production décentralisée . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1.4.4 Energies nouvelles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
1.5 L'électronique de puissance dans les réseaux du futur 31
1.5.1 Les systèmes FACTS et HVDC pour le contrôle des

réseaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
1.5.2 Transmission de l'énergie électrique par HVDC . . . . 35
1.5.3 Les technologies de transport de l'électricité . . . . . . 38
1.5.4 Les avantages et les applications du HVDC et du HVDC
Lightr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
1.6 Les perturbations électriques dûes à la foudre . . . . 41
1.6.1 Présentation de la foudre . . . . . . . . . . . . . . . . 42

1.6.2 L'énergie de la foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
1.6.3 Eets de la foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
1.6.4 Eets d'un coup de foudre direct sur un réseau électrique 44
1.6.5 Les surtensions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1.6.6 Les origines des surtensions transitoires . . . . . . . . 46
6 Chapitre 1. Les réseaux de distribution d'énergie électrique
1.7 La Protection Electrique . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
1.7.1 La protection parallèle (en tension) . . . . . . . . . . . 48

1.7.2 La protection série . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1.8 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Ce chapitre permet de se situer par rapport aux systèmes de distribution

électrique, auquel pourrait être raccordé le convertisseur à JFET. Il contient
trois parties : le réseau de distribution d'énergie électrique, la problématique de
distribution et les perturbations électriques qui gênent le réseau et les moyens
de protection.
1.1 Présentation générale des réseaux
La fonction principale des réseaux de distribution et de transport est d'as-

surer la mise en commun de tous les moyens de production pour fournir l'éner-
gie électrique aux diérents utilisateurs.
Les points de production sont des centrales qui produisent l'énergie élec-
trique provenant de diverses sources d'énergie primaire : nucléaire, hydro-
électrique, charbon. . .et naturellement les énergies renouvelables : éolienne,
PV. . .
Traditionnellement, les réseaux électriques sont décomposés en trois sous-
systèmes : la génération, le transport et la distribution. Chaque sous-système
est relié par des postes chargés de l'adaptation des niveaux de tension [Ram06].
Traditionnellement, ces réseaux utilisent des courants alternatifs à basse
frèquence (50 Hz ou 60 Hz).
Nous distinguons trois types de réseaux électriques :
1. Les réseaux de transport et d'interconnexion :

qui ont pour mission de collecter l'énergie produite par les centrales et
de l'acheminer avec les ux les plus importants possibles vers les zones
de consommation an de permettre une exploitation sûre et économique
des moyens de production. Le niveau de tension dépend du pays, mais
normalement, le niveau de tension est établi entre 220 kV et 800 kV
(exemple 765 kV en Afrique du sud) [Nai06].
2. Les réseaux de répartition :

qui reçoivent l'énergie des réseaux de transport et leur rôle est de mener
l'électricité aux villes et aux importants clients industriels, Le niveau de
tension de ces réseaux est entre 45 kV et 160 kV, ils assurent la desserte
des points de livraison à la distribution.
1.2. Structure générale 7
3. Les réseaux de distribution :

qui desservent les postes de distribution publique, alimentant les réseaux
en basse tension, et les postes clients. Le niveau de tension est entre 4 kV
à 45 kV pour la moyenne tension et quelques centaines de volts pour la
basse tension(230/400 V)
Toute défaillance sur ces réseaux peut entraîner des défauts d'alimentation
sur des zones étendues, des chutes de tension importantes ou même des pertes
de synchronisme des alternateurs de centrales. Des dispositions sont prises
an quùn incident ou une avarie sur une unité de production ou une ligne
de transport n'ait que peu ou pas de répercussion sur les utilisateurs. Ils
sont aujourd'hui équipés de systèmes de protection très élaborés, sélectifs,
permettant l'élimination des défauts pouvant les aecter et ainsi nuire à la
fois et à la qualité de fourniture, à la sécurité des biens et des personnes.
Dans un pays, les réseaux de transport et de distribution publics assurent
le transfert d'énergie électrique de points de production aux points de consom-
mation.
1.2 Structure générale
1.2.1 Le réseau de transport

Ces réseaux lient les principaux centres de production avec les zones de
consommation. La tension dépend du pays, mais usuellement, le niveau de
tension pour le transport est établi entre 220 kV et 800 kV.
Les distances géographiques entre centres de production et centres de
consommation, la variabilité ou la versatilité de la charge et l'impossibilité de
stocker l'énergie électrique en grande quantité ont créé le besoin d'un système
électrique capable de transmettre l'énergie électrique sur de longues distances.
Ces lignes de transport et d'interconnexion peuvent avoir des milliers de kilo-
mètres, Le réseau français compte 100 000 km (transmission, interconnexion
et réseau de répartition) [rte].
Les missions des réseaux de transport sont :
Le transport d'énergie : Une fonction de transmission avec l'objectif
d'acheminer l'électricité depuis les centres éloignés de production vers
les centres de consommation ;
L'interconnexion nationale : Une fonction d'interconnexion nationale qui
gère la distribution en reliant la production avec la situation géogra-
phique et la nature des demandes temporaires ;
L'interconnexion internationale : Une fonction d'interconnexion interna-
tionale pour échanger des puissance et favoriser la solidarité des systèmes
en cas d'urgence.
Le niveau de tension doit être élevée car les pertes Joules sont inversement
2 1
proportionnelles au carré de la tension (Pj = k/U ) pour une puissance de
service constante où (U ) est la tension du réseau et (k) une constante qui
dépend des lignes. Le transport d'énergie électrique peut être réalisé avec des
liaisons à courant continu (HV DC) ou à courant alternatif (AC). Les lignes
AC pour les longues distances ont des inconvénients liés aux problèmes de
stabilité et de compensation de l'énergie réactive pour conserver un bon niveau
de tension. Les liaisons à courant continu n'ont pas ces problèmes et ont même
des avantages économiques (lignes moins chères pour les mêmes conditions de
transport sur des distances susamment longues). Par contre, ils nécessitent
l'utilisation de convertisseurs AC/DC et DC/AC relativement chers. Il s'agit
là de la principale motivation de notre travail : l'utilisation de convertisseurs
statiques haute tension. Ce point est abordé dans les paragraphes suivants.
Enn, le réseau de transport est constitué essentiellement de lignes aé-
2
riennes de forte section, avec des sections des lignes variant de 570 mm à
1200 mm2 . [Bor00], [Pav05], et [Car91]. Cependant nous rencontrons aussi
des réseaux de transport (225 kV) en câble souterrain de longueur limitée
à quelques kilomètres pour l'alimentation des zones urbaines. Ces lignes et
câbles de réseau de transport sont généralement à structure maillée pour ga-
rantir la continuité de service et de fourniture d'une part, et pour augmenter
la puissance de court-circuit d'autre part. Cependant, la nécessité de main-
tenir les courants de court-circuit à un niveau acceptable conduit de plus en
plus, les exploitants à démailler de façon permanente, en un certain nombre de
poches indépendantes. Nous pouvons aussi noter l'utilisation de câbles HVDC
supra conducteur en zone urbaine.
1.2.2 Les réseaux de répartition

Le but de ces réseaux est d'amener l'énergie du réseau de transport aux
centres de consommation d'énergie les plus importants. Ces centres de consom-
mation sont publics ou privés (plus de 10 MVA), essentiellement des industries
de l'acier, des produits chimiques, le chemin de fer, pour ne citer que les plus
importants. Leur niveau de tension, est souvent compris entre 45 kV et 160 kV.
Ils sont organisés normalement sous forme de boucles fermées (ou en chaînes)
exploités parfois en boucle ouverte pour limiter la puissance de court-circuit ou
éviter des déclenchements en cascade en cas de défaillance d'un poste source,
et, avec un transit de l'énergie souvent bidirectionnel. La structure de ces
1 Puissance
√ √
de service P = 3.U.I.cosΦ, donc le courant√I = P/( 3.U.cosΦ) Les
pertes Joules
√ Pj = R.I et en remplaçant I : Pj = R.P /( 3.U.cosΦ) = k/U où :
2 2 2 2
k = R.P 2 /( 3.cosΦ)2
1.2. Structure générale 9
Fig. 1.1 Schéma du réseau électrique français.
réseaux est essentiellement aérienne. Par contre, lorsqu'ils sont proches des
villes, les lignes deviennent des câbles enterrés sur des longueurs n'excédant
pas quelques kilomètres.
1.2.3 Les réseaux de distribution haute tension

Les réseaux de distribution acheminent l'énergie électrique du réseau de
répartition (ou de transport) aux clients résidentiels et aux petits clients indus-
triels (pour les puissances comprises entre 250 kVA et 10 MVA). Les tensions
des réseaux de distribution sont comprises entre 230 V à 400 V pour la basse
tension et 4 kV à 45 kV pour la moyenne tension. La structure des réseaux
de distribution est bouclable et exploitée en radial. Néanmoins, certains pays
disposent de réseaux maillés et avec la possibilité d'une exploitation en boucle
fermée [Fon02].
En zone urbaine, ces réseaux sont en canalisations souterraines, exploi-
tés en coupure d'artère ou en double dérivation pour les réseaux denses. En
zone rurale, les densités et conditions d'exploitation justient généralement le
maintien des réseaux aériens à structure arborescente.
1.2.3.1 Les réseaux de distribution en moyenne tension

Le but de ces réseaux est d'amener l'énergie du réseau de répartition aux
points de la consommation en moyenne tension (plus de 250 kVA en France).
Ces points de consommation moyenne tension sont : centres de consommations
publics d'accès ou privés. La structure de ces réseaux est aérienne ou avec des
câbles enterrés, et le niveau de tension de ces réseaux est inférieur à 40 kV.
1.2.3.2 Les réseaux de distribution en basse tension

Le but de ces réseaux est d'amener l'énergie du réseau de moyenne tension
aux points de la consommation en BT (moins de 250 kVA en France), il est
le niveau nal dans la structure électrique. Ce réseau permet de fournir à
un très grand nombre de consommateurs (26 millions en France) du secteur
domestique. Le niveau de tension de ce réseau est entre 100 et 400 V [Car91]
et [Dou97]
Le choix du niveau de tension et de la fréquence dépendent de résultats

techno-économique et de considérations historiques. Donc chaque pays a ses
diérents niveaux de tensions et aussi ses fréquences.
Néanmoins, il convient de signaler que la récente publication UTE C 18

- 510 relative à la sécurité sur les ouvrages électriques, applicable en France
depuis janvier 1989, dénit de nouveaux domaines de tension. En courant
alternatif, ces domaines sont :
HTB : Un > 50 kV
HTA : 50 kV > Un > 1 kV
BTB : 1 kV > Un >0.5 kV
BTA :0.5 kV > Un > 50 V
TBT : Un < 50 V
Un : Tension nominale (valeur efficace en volts)
An de réduire les coûts du matériel, un accord dans les niveaux de tension
a été prise en compte, ainsi les niveaux de tension à considérer sont montrés
dans le Tab. 1.1 :
En France, les niveaux de tension de réseau de basse tension sont 230/400 V

(avec une gamme de variation de +6%/-10%) et la fréquence est 50 Hz (± 1%).
La norme EN 50 160 dénit au niveau européen les caractéristiques du

produit électricité. Ces éléments sont rappelés dans le Tab. 1.2
1.3. Les lignes électriques 11
HTB 63 kV, 90 kV, 225 kV, 400 kV

HTA 5.5 kV, 10 kV, 15 kV, 20 kV, 30 kV
BTA 400 V
Tab. 1.1 Les niveaux essentiels de tension en France.
HTA BT
50 Hz 50 Hz (Average in 10 sec) Va-
1% for the interconnected riations to 95% of time :
system ±1% for the interconnected
Frequency
1% for the non- system
interconnected system ±2% for the non-
interconnected system
Vn=230 V (Average in 10 min)

slow variations 95% or time :
Amplitude Un=20kV ±5%
+6/-10%
quick variations : ±5%
τi <2% τi <2% for 95% (Average in

Unbalance 10 min)
τi = Vi
Vd
(%)
τi = Vi
Vd
(%)
95% of time (Average in 10 95% of time (Average in 10

min) min)
H3<4% H3<5%
Harmonics
H5<4% H5<6%
H7<4% H7<5%
Distortion percentage < 8% Distortion percentage < 8%
transitory (1.2/50µs)< 125kVc transitory (1.2/50us)< 6kVc

Overvoltages
with Vc Volt max pour le 20kV with Vc Volt max pour le 20kV
Tab. 1.2 Caractéristiques de l'électricité fournie par les réseaux publics

(Norme EN 50 160)
1.3 Les lignes électriques
Les lignes de transport d'électricité amènent l'électricité produite dans les

centrales jusqu'aux réseaux de distribution qui alimentent les consommateurs
industriels, commerciaux et résidentiels. Dans un environnement urbain, les
lignes de transport peuvent s'étendre sur quelques kilomètres seulement, tan-
dis que celles qui transportent l'énergie à partir des centrales hydro-électriques
éloignées mesurant parfois plus de 1000 km. Ces lignes se distinguent par la
quantité d'électricité qu'elles transportent. Les exigences n'étant pas toujours
les mêmes, plusieurs facteurs techniques, économiques et environnementaux
inuent sur la planication des nouvelles lignes de transport.
1.3.1 Bases physiques

Une ligne triphasé de structure symétrique à charge équilibrée peut être
représenté par une ligne monophasé [Cas97].
Un élément de ligne monophasé de longueur (dx) peut être décrit en par-
tant de la théorie des champs par le schéma de la Fig. 1.2.
Le paramètre (L) tient compte du champ magnétique induit par le courant,
(C) du champ électrique entre les conducteurs et (R) et (G) des pertes dans
les conducteurs et dans le diélectrique. L'ordre de grandeur de ces paramètres
(valeurs linéiques) est :
R : env. 0,1∼ 1 Ω/km, dépendant de la section (R = ρ.l/A).
L : env. 1 mH/km pour les lignes aériennes, env. 2 ∼ 3 fois moins pour les
câbles.
C : env. 10 nF/km pour les lignes aériennes, env. 20 ∼ 40 fois plus pour les
câbles.
G : env. 0, 05 µS/km pour les lignes aériennes (en absence d'eet de coronna),
env 1 µS/km pour les câbles.
1.3.2 Equations de la lignes

La chute de tension (−du) et le courant transversal (−di) découlent de
la Fig. 1.2 :
di du
− du = R.dx.i + L.dx. , −di = G.dx.u + C.dx. (1.1)
dt dt
i R.dx L.dx i+di
u G.dx C.dx u+du
Fig. 1.2 Schéma équivalent d'un élément de ligne monophasé de longueur

(dx).[Cra06]
Si l'on divise par dx et si l'on tient compte que u et i sont fonctions des deux
variables x et t, on obtient les équations fondamentales de la ligne électrique
∂u ∂i ∂i ∂u
− = R.i + L. , − = G.i + C. (1.2)
∂x ∂t ∂x ∂t
En particulier, si u et i sont des grandeurs alternatives de pulsation ω, on
peut les présenter par des phaseurs :
dU dI
− = R.I + jωLI , − = G.U + jωCU (1.3)
dx dx
où les paramètres R et L dépendent en général de la fréquence en raison
des eets pelliculaires. Avec la dénition :
Z(ω) = R(ω) + jωL(ω) , Y (ω) = G + jωC (1.4)
l'équation(1.3) s'écrit plus simplement
dU dI
− =Z I , − =Y U (1.5)
dx dx
Par dérivation de la première des équations (1.5) on obtient :
d2 U dI
2
= −Z =Z Y U (1.6)
dx dx
La solution générale de cette équation diérentielle est :
U = A e−γx + B eγx (1.7)
avec
p p
γ = α + jβ = Z Y = (R(ω) + jωL(ω))(G + jωC) (1.8)
où :
γ = exposant linéique de propagation

α = aaiblissement linéique (1/m)
β = déphasage linéique (rad/m)
Par dérivation de l'équation(1.7), on obtient :
dU d2 U
= −A γ e−γx + B γ e−γx , = A γ 2 e−γx + B γ 2 eγx = γ 2 U (1.9)
dx dx2
Le courant s'obtient tenant compte de l'équation (1.5) :
dU 1 γ −γx γ γx
I=− =A e −B e (1.10)
dx Z Z Z
et si on pose :
s s
Z R(ω) + jωL(ω)
Z c = = = impédance caractéristique (1.11)
Y G + jωC
on obtient enn :
A −γx B −γx
I= e − e (1.12)
Zc Zc
Pour une ligne de longueur l, on calcule A et B. Les équations (1.7) et
(1.12) donnant la tension et le courant au point x de la ligne. En donnant les
valeurs en début de ligne (x = 0), on obtient les équations (1.15, 1.16), et en
donnant celles à la n de la ligne (x = l), les équations (1.19, 1.20).
Avec la valeurs en début de ligne, on a :
A B
U 1 =A+B , I 1 = − (1.13)
Zc Zc
1 1
A= (U 1 +Z c I 1) , B= (U 1 +Z c I 1) (1.14)
2 2
Ce qui conduit à :
1 1
U= (U 1 +Z c I 1 ) e−γx + (U 1 −Z c I 1 ) e−γx (1.15)
2 2
et le courant
1 1
I= (U 1 +Z c I 1 ) e−γx − (U 1 −Z c I 1 ) e−γx (1.16)
2Zc 2Zc
Et la valeurs en n de ligne :
A −γl B γl
U 2 = A e−γl + B eγl , I 2 = e − e (1.17)
Zc Zc
Et les valeurs de A et B :
1 1
A= (U 2 +Z c I 2 ) eγl , B= (U 2 −Z c I 2 ) e−γl (1.18)
2 2
on obtient :
1 1
U= (U 2 +Z c I 2 ) eγ(l−x) + (U 2 −Z c I 2 ) e−γ(l−x) (1.19)
2 2
1 1
I= (U 2 +Z c I 2 ) eγ(l−x) − (U 2 −Z c I 2 ) e−γ(l−x) (1.20)
2Z c 2Z c
En introduisant les fonctions hyperboliques, les équations peuvent s'écrire

simplement :
U =U 2 cosh γ(l − x) + Z c I 2 sinh γ(l − x) (1.21)
U 2
I= sinh γ(l − x) + I 2 cosh γ(l − x) (1.22)
Z c
Toutes les équations données dans ce paragraphe ont été déduites pour le
régime stationnaire mais peuvent être transposées au cas dynamique à l'aide
de la transformation de Fourier ou de Laplace.
1.3.3 Propriétés électriques des lignes de transport

Le rôle fondamental d'une ligne est de transporter une puissance active. Si
elle doit également transporter une puissance réactive, celle-ci doit être faible
par rapport à la puissance active, à moins que la distance de transport ne
soit courte. En plus de ces exigences, une ligne de transport doit posséder les
caractéristiques de base suivantes :
1. La tension doit demeurée assez constante sur toute la longueur de la ligne

et pour toutes les charges comprises entre zéro et la charge nominale ;
2. Les pertes doivent être faibles an que la ligne possède un bon rende-
ment ;
3. Les pertes Joules ne doivent pas faire surchauer les conducteurs.
Si la ligne ne peut d'elle-même répondre à ces exigences, on doit alors ajouter

de l'équipement supplémentaire an de réaliser toutes ces conditions.
1.3.4 Schéma équivalent d'une ligne

Malgré leur grande diversité, les lignes possèdent des propriétés communes.
En eet, toute ligne possède une résistance, une réactance inductive et une
réactance capacitive. Ces impédances sont réparties uniformément sur toute
la longueur de la ligne si bien qu'on peut représenter la ligne par une série de
sections R, L, C identiques. [Wil99]
Chaque section représente un tronçon de ligne d'une longueur donnée
(1 km, par exemple) et les éléments r, xL , xC représentent les impédances
correspondantes pour cette longueur.
On peut simplier le circuit de la Fig. 1.3 en additionnant les résistances
R. De la même façon, on obtient
individuelles pour former une résistance totale
une réactance inductive totale XL et une réactance capacitive totale XC . On
partage XC en deux éléments de valeurs 2XC localisés aux deux extrémités de
la ligne. Le circuit équivalent de la Fig. 1.4 donne une bonne représentation
xl1 r1 xln rn
xc 1 xc n
Fig. 1.3 L'impédance d'une ligne de transport est composée d'une série de
sections identiques.
d'une ligne à 50 Hz lorsque la longueur est inférieur à 250 km. Notons que R
et XL augmentent avec la longueur de la ligne, tandis que XC diminue avec
celle-ci.
Xl R
i
2.Xc 2.Xc
Fig. 1.4 Circuit équivalent d'une ligne à 50 Hz dont la longueur ne dépasse

pas 250 km.
1.4 Problématique de la distribution d'énergie
électrique
Dans ce paragraphe, nous allons passer en revue les contraintes sur le ré-
seau de distribution. Ces contraintes peuvent se diviser en deux : les contraints
classiques (physiques) qui concernent le produit électricité et les nouvelles
contraintes comme la production décentralisée. Cet impact de la production
à base de sources renouvelables pose de nouvelles contraintes, peu connues
auparavant.
1.4.1 Contraintes physiques sur le produit "électricité"

Le produit "électricité", qui joue un rôle stratégique dans l'organisation et
le fonctionnement de nos sociétés industrialisées, possède les caractéristiques
suivantes :
1. Impossibilité du stockage de l'énergie électrique sur le réseau :

1.4. Problématique de la distribution d'énergie électrique 17
Le stockage direct de l'énergie électrique en courant alternatif est im-

possible, il résulte qu'à tout instant la production doit équilibrer exacte-
ment la demande. Le stockage de l'énergie électrique n'est envisageable
qu'en courant continu par accumulation d'énergie avec un champ élec-
trique d'un condensateur ou d'une super-capacité, ou avec un champ
magnétique d'une bobine à supra-conducteur (SMES), Superconducting
Magnetic Energy Storage, ou enn sous forme d'énergie chimique dans
un accumulateur électrochimique (batteries). Une conversion de l'éner-
gie peut cependant toujours être eectuée pour accumuler de l'énergie
sous forme cinétique (dans des volants d'inertie) ou potentielle (par ac-
cumulation d'eau).
Les conséquences sur l'impossibilité de stocker l'énergie électrique sur le

réseau sont :
La nécessité d'un réglage de la puissance des générateurs :

L'équilibre entre production et consommation doit être réalisé globa-
lement, cela signie qu'à tout instant la somme des productions doit
équilibrer la somme des charges sur l'ensemble de la zone.
Tout déséquilibre entre production et consommation se traduit par
une même modication de la vitesse de toutes les machines donc de
la fréquence sur l'ensemble du réseau interconnecté.
Adaptation de la production à la variation de la charge :
Nonobstant la nécessité d'un réglage primaire, en cas d'incident, la
production doit aussi s'adapter à la variation normale de la charge au
cours de la journée et au cours des saisons.
2. Les transits de puissance : Les transits d'énergie dans un réseau inter-

connecté s'eectuent en suivant les chemins de moindre impédance, et en
obéissant aux lois dites de Kirchho. Selon ces lois physiques, la somme
algébrique des courants en tout n÷ud du réseau est nécessairement iden-
tique à zéro. De même la somme algébrique des tensions aux bornes des
branches du réseau constituant un circuit fermé est identique à zéro. Il
s'ensuit qu'en tout point du réseau il y a conservation des puissances
active et réactive.
3. Lois d'échanges d'énergie active et réactive au travers d'une ligne :
Les caractéristiques des charges sur le réseau font que le courant absorbé
par celles-ci n'est pas en phase avec la tension aux bornes. Le cosinus de
l'angle entre le courant et la tension est appelé facteur de puissance, il
caractérise l'échange de puissance et constitue un facteur de qualité dans
la mesure où une valeur diérente de l'unité entraîne pour le réseau un
accroissement de courant et donc une surcharge et des pertes, ainsi que
des chutes de tension. En pratique, on caractérise l'échange d'énergie non
seulement par la puissance active, mais aussi par la puissance réactive.
Ces puissances sont dénies par les expressions suivantes :
P = 3V IcosΦ (W) Puissance active

Q = 3V IsinΦ (VAR) Puissance réactive
Les énergies correspondantes sont obtenues par intégration des puis-

sances.
Les lignes courtes peuvent être considérées comme une impédance série
entre les deux points reliés et se représentent par un simple schéma
monophasé équivalent sur la Fig. 1.5.
Fig. 1.5 Ligne courte, schéma monophasé équivalent. La chute de tension

entre les points 1 et 2 au travers d'une ligne courte.
V1 et V2 sont les phaseurs relatifs aux tensions aux points 1 et 2.

θ1 et θ2 sont les phases de ces tensions dans un référentiel commun.
Ce modèle conduit aux expressions :
RP2 + XQ2 XQ2

∆V = ≡ (si R << X)
V2 V2
XP2 + RQ2 XP2
δV = ≡ (si R << X)
V2 V2

Ligne aérienne : 0, 4 Ω/km.
Ordre de grandeur de X =
Câble souterrain : 0, 04 Ω/km.
∆V et δV sont les valeurs algébriques des projections de la chute de

tension ZI respectivement sur V2 et sur la direction en quadrature. P2
et Q2 sont respectivement les puissances active et réactive par phase au
point 2.
Pour réduire les chutes de tension et maintenir le niveau de tension,

il importe d'éviter de transporter la puissance réactive et donc de la
produire à l'endroit de sa consommation. La minimisation du transport
d'énergie réactive est également motivée par le souci de réduire les pertes
P22 + Q22
Joule dans les lignes, ces dernières sont données par 3R( ) et tout
V22
transit de puissance réactive limite les possibilités de transit de puissance
active, pour un même échauement des conducteurs.
Le maintien du niveau de tension dans les réseaux de transport et de

répartition est un problème local contrairement au problème de maintien
de la fréquence qui est un problème global impliquant l'ensemble du
réseau interconnecté. Le réglage de la fréquence est étroitement lié à
celui de la puissance active (couplage P, f ). Le réglage de la tension est
étroitement lié à celui de la puissance réactive (couplage Q, V ).
1.4.2 Analyse des nouvelles contraintes sur le réseau

Outre l'extension des interconnexions, l'opposition croissante à la construc-
tion de nouveaux ouvrages (centrales, lignes), la nécessité de réduire les marges
de sécurité et de stabilité pour des raisons économiques, les réseaux électriques
sont soumis aux nouvelles contraintes suivantes :
L'ouverture du marché de l'électricité ;

La réduction des émissions des gaz à eet de serre (pour répondre au
Protocole de Kyoto) ;
La production d'électricité à partir d'énergies renouvelables.
1.4.2.1 La libéralisation du marché de l'électricité

Il s'agit certainement de la contrainte qui a les eets les plus importants
sur la structure et le fonctionnement des réseaux européens.
Une Directive européenne impose une gestion indépendante du réseau de

transport par rapport aux activités de production et de distribution de l'éner-
gie électrique. Cela se traduit en pratique par une transformation des struc-
tures, avec passage de la structure traditionnelle et naturelle pour un scienti-
que, avec des entreprises à intégration verticale des activités, à une structure
à activités séparées et la multiplication des acteurs pour la production de
l'énergie électrique. Cette multiplication des acteurs conduit à une produc-
tion dite décentralisée et dispersée, avec notamment des sources d'énergies

renouvelables.
1.4.2.2 Réduction des émissions de gaz à eet de serre

La réduction des émissions de gaz à eet de serre dans la production de
l'énergie électrique n'a qu'un eet indirect sur la structure et le fonctionne-
ment du réseau électrique, dans la mesure où elle conduit à privilégier des
technologies de production, avec une proportion plus ou moins importante de
production décentralisée et dispersée, pilotées par d'autres facteurs que la pro-
duction d'électricité (la production de chaleur dans le cas de la cogénération,
les conditions de vent dans le cas de l'éolien). L'évaluation des eets sur le
réseau dépendra des lières adoptées et leur importance relative par rapport
à des productions classiques.
1.4.2.3 La production d'électricité à partir de sources d'énergies

renouvelables
Ce type de production sera dans la majorité des cas de type décentralisé
et dispersé, et dans le cas de l'énergie éolienne soumis aux aléas du climat.
Les eets sur le réseau sont à évaluer compte tenu du potentiel des diérentes
lières. Ce type de production sera souvent raccordé aux réseaux de distribu-
tion qui n'ont pas été conçus pour accueillir cette production. Le paragraphe
suivant présente la production décentralisée et ses eets sur le réseau.
1.4.3 Production décentralisée

Le raccordement aux réseaux de transport (HT) ou de distribution (MT)
d'unités de production décentralisées doit respecter certaines contraintes tech-
niques et impose généralement des aménagements dans le réseau pour assurer
un fonctionnement correct de ce dernier, en particulier dans les réseaux de
distribution qui n'ont pas été à l'origine conçus et développés pour accueillir
de cette production.
1.4.3.1 Dénition de la production dite décentralisée ou distribuée

La production décentralisée ou distribuée se dénit par opposition à la
production classique, par unités de grosses puissances raccordées au réseau
HT, dont la localisation et la puissance ont fait l'objet d'une planication, et
qui sont commandées de manière centralisée pour participer au contrôle de la
fréquence et de la tension, et assurer un fonctionnement able et économique
de l'ensemble du réseau. Par rapport à ces unités classiques, les unités décen-
tralisées sont caractérisées par des puissances ne dépassant pas 50 à 100 MW,
ne sont pas planiées de manière centralisée, ni actuellement coordonnées,
elles sont généralement raccordées au réseau de distribution et ne sont pas
non plus actuellement destinées à assurer des services systèmes. Cette pro-
duction décentralisée se développe dans tous les pays, sur la base d'unités de
co-génération, d'énergies renouvelables ou de production traditionnelle, ins-
tallées par des producteurs indépendants. De nombreuses raisons, techniques
et économiques, justient le développement de ce type de production, parmi
lesquelles nous relevons les suivantes :
la technologie disponible actuellement ore les garanties de abilité pour
des unités de 100 kW à 150 MW ;
les sites pour une production de puissance réduite sont plus faciles à
trouver ;
la production est réalisée à proximité de son utilisation, de manière à
réduire les frais de transport et à améliorer l'ecacité énergétique ;
le gaz naturel, vecteur énergétique souvent utilisé en production dé-
centralisée, est supposé être facilement disponible dans la plupart des
centres de consommation et conserver un prix stable ;
les systèmes basés sur le gaz sont construits en beaucoup moins de temps
et représentent des investissements nettement moins importants en com-
paraison avec les grosses centrales classiques utilisant un autre vecteur
d'énergie primaire ;
les rendements énergétiques supérieurs des systèmes de co-génération ou
à cycle combiné (gaz et vapeur) permettent une réduction des frais de
fonctionnement ;
les politiques des états pour promouvoir des technologies propres an de
réduire les émissions de CO2 , et promouvoir les énergies renouvelables
par des subsides et des interventions dans les tarifs, qui conduisent à des
conditions économiques intéressantes.
La caractéristique fondamentale de la production décentralisée est d'être
pilotée par un autre facteur que la demande d'électricité.
Il en résulte des incertitudes sur :
la localisation géographique ;
la dynamique du développement ;
les niveaux et moments d'activité de production ;
les conséquences sur le développement des réseaux électriques.
Ces derniers doivent en eet être en mesure d'une part, d'accueillir la
production décentralisée quand elle est active et d'autre part, d'acheminer
la puissance de substitution quand la production décentralisée est inactive.
La production décentralisée a donc inévitablement un impact plus ou moins
important sur les réseaux aux niveaux suivants : topologie ou conception,

dimensionnement, gestion prévisionnelle, exploitation en temps réel. La struc-
ture du réseau pourrait dans certains cas imposer une limite à la puissance de
production décentralisée qu'il peut accueillir en un point donné.
En raison de l'accroissement du nombre des unités de production et des

incertitudes sur la production, il faudra :
adopter une approche probabiliste pour la gestion du réseau ;

prévoir une grande exibilité des ux de puissance entre parc centralisé
et parc décentralisé ;
reporter les services systèmes sur les unités centralisées ;
revoir les niveaux de compensation de l'énergie réactive pour le maintien
de la tension ;
assurer une infrastructure du réseau propre à assurer la stabilité (dorsale
réseau).
En outre, il faudra veiller aux eets sur le maintien des niveaux maximals
et minimals de la puissance de court-circuit, sur la sélectivité des protections,
sur le niveau de tension (surtensions).
1.4.3.2 Interface système de production réseau pour la produc-

tion décentralisée
L'interface entre le système de production et le réseau peut être constitué
par le générateur électrique lui-même (de type synchrone ou asynchrone) direc-
tement raccordé au réseau, ou par un convertisseur électronique de puissance.
On distingue ainsi les catégories suivantes et leurs domaines d'applications
actuels, avec quelques empiétements entre catégories.
1. Systèmes à alternateurs classiques (machine synchrone) : Ces systèmes

sont dits classiques en raison de l'utilisation de générateurs synchrones
comme dans les centrales thermiques à combustible fossile ou nucléaire,
et dans les centrales hydrauliques, Biomasse, Energie géothermique, Die-
sel, Solaire à bac parabolique et tour, Turbine à gaz à cycle simple,
Turbine à gaz à cycle combiné et Vent.
2. Systèmes à générateurs asynchrones : Solaire réecteur-moteur (à mi-

roirs paraboliques et moteurs à cycle Stirling), Eolien et Houle.
3. Systèmes à interface avec convertisseur électronique : Vent (avec généra-

teur synchrone ou asynchrone), Photo-voltaïque, Stockage par batterie,
Stockage par bobine supra-conductrice et les Piles à combustible.
1.4.3.3 Opération de couplage

L'opération de couplage du système de production sur le réseau dépend
du type d'interface utilisé. Dans le cas d'un alternateur traditionnel, la mise
en parallèle sur le réseau doit se faire à échange nul de courant par synchroni-
sation de la machine et du réseau, par un réglage approprié de la fréquence en
agissant sur la machine motrice et l'amplitude de la tension par action sur le
courant d'excitation. Dans le cas d'une excitation par aimants permanents le
réglage de l'excitation n'est pas possible et il faut recourir à un interface par
un convertisseur électronique de puissance. De toute manière les générateurs
synchrones ne sont utilisés dans des éoliennes qu'associés à un convertisseur
électronique de puissance. Dans le cas d'une génératrice asynchrone, le rotor
de la machine n'étant le siège de phénomènes électriques que lorsque les en-
roulements du stator sont sous tension, il n'est pas nécessaire de procéder à
une synchronisation. Toutefois le rotor conservant généralement une aimanta-
tion rémanente, on peut observer au moment du couplage avec le réseau une
pointe de courant durant 10 à 20 ms avec à-coup de couple. Pour limiter ce
phénomène, deux systèmes auxiliaires sont utilisés (voir la Fig. 1.6) :
Fig. 1.6 Système auxiliaire pour couplage au réseau.
couplage au travers de résistances insérées au stator ;

couplage au travers d'un gradateur à thyristors permettant le couplage
à tension réduite.
Dans le cas d'une interface constituée d'un convertisseur électronique les

opérations de couplage ne posent pas de problèmes, en raison des possibilités
de contrôle du convertisseur.
1.4.4 Energies nouvelles

Le terme énergies renouvelables (EnR) recouvre une vaste gamme de moyens
de production aux technologies variées. En matière de production d'électri-
cité. Il s'agit des sources non fossiles comme les énergies éoliennes, solaires
photo-voltaïques (P.V.), géothermique, hydro-électrique ou les énergies issues
de la biomasse. Ces énergies sont déjà utilisées depuis fort longtemps en France
mais avec des taux de (pénétration) très variables. L'hydraulique par exemple
couvre environ 15 % de la consommation française d'électricité. Aujourd'hui,
les autres moyens de production renouvelables ne jouent pas un rôle signicatif
au regard de la consommation nationale : La France a atteint en 2007 la 5ème
position européenne avec un potentiel de 2,4 GW, et il y avait ainsi 4 GW
de production éolienne en service en mi 2009 en France (source : ministère de
l'Écologie, de l'Énergie, du Développement durable et de l'Aménagement du
territoire).
Pour apprécier l'impact de la production à base de sources renouvelables,
il convient d'anticiper la nature de la puissance qui sera installée et de son
évolution dans les années à venir.
1.4.4.1 Les interconnexions de systèmes EnR avec le réseau de

distribution
Il s'agit de systèmes directement connectés au réseau de distribution. Cette
production pose des problèmes du fait de sa forte variabilité qui perturbe le
fonctionnement du réseau de distribution et limite ainsi le taux d'intégration
de ces systèmes sur le réseau.
L'interconnexion des moyens de production d'énergie distribuée, norma-
lement par l'intermédiaire d'un convertisseur électronique de puissance, au
réseau de distribution apporte des dés qui lui sont propres. En raison de la
nature distribuée de ces ressources, elles sont mises en ÷uvre en grand nombre,
parfois éloignées, sur un même réseau. Ces dés incluent les questions de qua-
lité de puissance, la stabilité du réseau, l'équilibrage des considérations de
puissance, régulation de tension, la protection des protocoles et des considé-
rations non désirées d'îlotage.
Dans les systèmes d'exploitation d'énergie éolienne à vitesse variable pour
une production maximale annuelle, la fréquence et la tension de sortie du
générateur à induction varient avec la vitesse du vent. La tension alternative
variable est convertie en tension xe de 60 Hz ou 50 Hz en sortie. Pour cela,
la tension à fréquence variable est d'abord redressée en DC, puis convertie
en alternatif à fréquence xe par un onduleur. Dans les systèmes de l'énergie
photo-voltaïque, l'énergie produite correspond à une tension variable continue,
DC qui est ensuite convertie en 60 ou 50 Hz AC. Le circuit de l'onduleur dans
le système PV est essentiellement le même que celui utilisé dans l'énergie

éolienne à vitesse variable.
1.4.4.2 Impact de l'éolien sur le réseau de transport

L'augmentation de la puissance éolienne installée en Europe a un impact
croissant sur le réseau de transport du fait de la diculté à prévoir la pro-
duction, de la capacité d'accueil limitée du réseau, du risque de déconnexions
intempestives des fermes d'éoliennes et d'une dégradation de la qualité de
l'électricité.
Les problèmes induits par l'intégration d'éoliennes dans le réseau électrique
sont causés par :
leur production aléatoire et dicilement prévisible ;
une absence de réglage puissance - fréquence ;
une participation au réglage de la tension limitée pour les éoliennes à
vitesse variable, et aucune participation à ce réglage pour les éoliennes
dont la génératrice est directement couplée au réseau ;
une sensibilité élevée aux creux de tension et aux variations de fréquence
pour certaines technologies ;
une sensibilité importante aux variations rapides de la force du vent.
Les problèmes majeurs de l'éolien sont la grande variabilité de sa produc-
tion et surtout la diculté de prévoir cette production précisément plusieurs
heures à l'avance. L'expérience allemande montre que des prévisions à 72 h
sont impossibles, et que l'erreur sur des prévisions à 24 h est en moyenne de
10 % de la capacité installée et peut atteindre parfois 50 % [Mer05], [Ack05].
Cela pose aussi la question d'une adéquation entre la consommation et la
puissance éolienne disponible ! En général, il y a plus de vent en hiver qu'en
été, durant le jour que la nuit, ce qui correspond aux tendances de la consom-
mation en France où le pic hivernal peut atteindre plus de 80 000 MW, tandis
que le pic de l'été peut atteindre plus de 50 000 MW. Cependant, il apparaît
que durant les périodes de grandes chaleurs ou de grands froids, la puissance
éolienne est très faible, voire nulle [Mer05].
Développement de la production éolienne : La grande sensibilité de

l'éolien aux perturbations du réseau, tels que les creux de tension ou les va-
riations de fréquence, entraîne souvent une déconnexion de la production lors
d'incidents sur le réseau. Cette déconnexion peut aggraver un déséquilibre
production - consommation et par eet domino et accélérer l'avènement d'un
incident majeur dans le réseau. La tendance actuelle est, dès lors, de deman-
der à cette production de rester connectée au réseau lors de creux de tension
et de variations de fréquence dépassant certaines limites déterminées par les

gestionnaires de réseau [Ack05].
Les modalités de raccordement au réseau électrique des installations éo-
liennes sont dénies par des décrets et arrêtés. Les installations d'une puis-
sance maximale de 12 MW sont connectées au réseau de distribution, gé-
néralement de moyenne tension (HTA). Normalement les installations d'une
puissance supérieure à 12 MW sont connectées au réseau de transport (HTB).
A l'origine, le réseau HTA était en principe conçu pour accueillir des consom-
mateurs ; l'intégration progressive de productions dans ce réseau peut conduire
jusqu'à une inversion des ux de puissance au niveau des postes HTA-HTB.
En fonction du taux de pénétration, ceci peut inuencer avant tout la gestion
de la tension, mais peut aussi conduire à des révisions du niveau de protection
et à des modications de structure en raison de courants de court- circuit trop
élevés.
Technologies d'éoliennes de grande puissance : Dans cette section,

nous présentons brièvement les trois technologies d'éoliennes de grande puis-
sance les plus couramment installées,
1. Eolienne à vitesse xe :

Les premières éoliennes de grande puissance mises en ÷uvre reposent
sur l'utilisation d'une machine asynchrone à cage directement couplée
sur le réseau électrique (La Fig. 1.7).
Fig. 1.7 Eolienne à vitesse xe. [Rob06]
Cette machine est entraînée par un multiplicateur et sa vitesse est main-

tenue approximativement constante par un système mécanique d'orien-
tation des pales (pitch control). Ce type d'éolienne n'ore donc qua-
siment pas de possibilité de réglage de la puissance générée, d'autant
plus que la connexion directe au réseau d'une génératrice asynchrone
nécessite l'ajout de bancs de condensateurs an de limiter la puissance

réactive appelée à ce réseau. [Ack05],[Mul04]
2. Eolienne à vitesse variable basée sur une machine asynchrone à double

alimentation :
Les principaux avantages des éoliennes à vitesse variable comparés aux
générateurs à vitesse xe sont les suivants :
Elles augmentent la plage de fonctionnement, notamment pour les

faibles vitesses de vent où le maximum de puissance est converti. In-
directement la disponibilité et la puissance générée du système sont
augmentées.
Elles nécessitent un système d'orientation des pales simplié. En ef-
fet, la possibilité de contrôler la vitesse du générateur via le couple
électromagnétique permet de réduire le rôle du système d'orientation
des pales, qui interviendra essentiellement pour limiter la vitesse de la
turbine et la puissance générée en présence de vitesses de vent élevées.
En conséquence, pour de faibles vitesses de vent, l'angle d'orientation
des pales devient xe.
Elles réduisent les eorts mécaniques de par le fait que lors de va-
riations du vent, la vitesse de la turbine est adaptée. L' "élasticité"
ainsi créée permet d'amoindrir l'incidence des rafales de vent sur la
puissance générée pour ce domaine de fonctionnement.
Elles réduisent le bruit lors des fonctionnements à faible puissance car
la vitesse est alors lente.
Elles permettent une meilleure intégration de l'éolienne dans le réseau
électrique.
Pour transférer la puissance, il est plus intéressant de la renvoyer sur le

réseau au moyen de deux convertisseurs électroniques de puissance reliés
par un bus continu (La Fig. 1.8).
Il existe également une technologie d'éolienne basée sur une génératrice

asynchrone à rotor bobiné dans laquelle les bobinages rotoriques sont
reliés à une résistance de dissipation via un redresseur à thyristor. Cette
structure simpliée permet un réglage limité de la vitesse, ore peu de
possibilité de réglage de la puissance générée et présente un rendement
médiocre. [Fra05], [Aim03]
3. Eolienne à vitesse variable basée sur une machine synchrone

Les éoliennes basées sur une génératrice asynchrone à rotor bobiné pré-
sentent l'inconvénient de nécessiter un système de bagues et de balais
et un multiplicateur, induisant des coûts signicatifs de maintenance en
particulier pour les projets o-shore situés en milieu salin. Pour limi-
ter ces inconvénients, certains constructeurs ont développé des éoliennes
Fig. 1.8 Eolienne à vitesse variable basée sur une machine asynchrone à
double alimentation. [Rob06]
basées sur des machines synchrones à grand nombre de paire de pôles

et couplées directement à la turbine, évitant ainsi le multiplicateur. Si
de plus la génératrice est équipée d'aimants permanents, le système de
bagues et de balais est éliminé. L'inconvénient de cette structure, repré-
sentée à la Fig. 1.9, est qu'elle nécessite pour sa connexion au réseau des
convertisseurs de puissance dimensionnés pour la puissance nominale de
la génératrice. Cet inconvénient est cependant un avantage du point de
vue du contrôle de l'éolienne. En eet, l'interfaçage avec le réseau peut
être entièrement contrôlé via le convertisseur connecté à ce réseau, tan-
dis que le convertisseur connecté à la génératrice permet de contrôler la
puissance générée par celle-ci en limitant le pitch control à une fonction
de sécurité par grand vent. [Sau04], [Sau05]
Fig. 1.9 Eolienne à vitesse variable basée sur une machine synchrone à
grand nombre de paires de pôles. [Rob06]
1.4.4.3 Photovoltaique
Principe : La conversion directe de l'énergie lumineuse en énergie élec-
trique, soit L'eet photo-voltaïque été découvert par le physicien français
Becquerel en 1839.[Bub98]
Cette conversion est assurée par les cellules photo-voltaïques qui sont le
2 2
plus souvent composées de silicium avec un ecacité de 120 W/m (100 W/m
en 1999).[ES07]
Composantes d'une centrale PV :

1. Les modules PV
Le module photo-voltaïque est composé de cellules photo-voltaïques

qui sont montées en série ou en parallèle. Le module fournit un cou-
rant électrique continu. Le montage en série est préférable au montage
en parallèle car il augmente la tension et génère donc, à puissance
constante, moins de pertes en ligne.
Un module est caractérisé par sa puissance nominale, appelée puis-
sance crête (Pc) qui s'exprime en watts (W). La Pc correspond à
la puissance délivrée par le module dans des conditions spéciques
◦
d'éclairement (un midi solaire en plein été) et de température (25 C).
2
10 m de modules PV = 1,2 kWc [ES07].
Le module est soit superposé au bâti existant soit intégré à l'architec-
ture où il prend part aux fonctions de clos et de couvert.
Une norme garantit la qualité de la technologie multicristalline : NF-
CEI 61215. Certains fabricants garantissent, pendant 20 ans, le ren-
dement du module PV à 95 % de sa valeur de départ. La durée de vie
des modules est estimée à plus de 20 ans.
2. L'Onduleur :
L'onduleur transforme le courant électrique continu produit par les cel-

lules PV en courant électrique alternatif ; semblable à celui qui est délivré
par le réseau. En cas d'absence ou de défaillance du réseau, l'onduleur
se déconnecte automatiquement pour des raisons de sécurité : c'est la
protection de découplage qui permet de réduire fortement le risque
d'électrocution lorsque des techniciens font une opération de mainte-
nance sur le réseau.
L'insertion d'énergie à caractère aléatoire dans un réseau isolé pose des pro-
blèmes plus contraignants que dans un grand réseau continental interconnecté.[EDF06].
La puissance fournie par ces générateurs est par nature aléatoire. Les varia-
tions de vents ou d'ensoleillement se traduisent par de fortes variations de
(a) structure générale
(b) détail sur la connexion d'un panneau
Fig. 1.10 Système photo-voltaïque connecté au réseau. [Pan04]
puissance fournie. Ces variations de puissance sont susceptibles de provoquer

des variations de fréquence et de tension.
Cette instabilité de la production aléatoire peut être atténuée par le foi-

sonnement de l'ensemble des générateurs raccordés sur le territoire. Mais sur
des zones géographiques limitées comme celles des systèmes électriques insu-
laires, ce foisonnement reste limité. Un autre phénomène est à considérer avec
certaines technologies : certains générateurs se protègent des incidents réseau
en se déconnectant dans des temps courts inférieurs à ceux des autres moyens
de production. Ainsi, un court-circuit sur une ligne HTB, qui crée un creux
de tension généralisé sur le territoire, peut provoquer la déconnexion brutale
de l'ensemble de ce type de générateurs, entraînant un décit de production
après l'élimination du défaut. De même, la perte d'un moyen de production,
qui crée une baisse de fréquence, peut provoquer la déconnexion brutale de ce
type de générateurs. Le manque de production est ainsi aggravé.
1.5. L'électronique de puissance dans les réseaux du futur 31
1.5 L'électronique de puissance dans les réseaux
du futur
Ces dernières années les réseaux électriques ont déjà connu un accroisse-
ment considérable des interconnexions et ont été exploités de plus en plus
près de leurs limites de stabilité et de sécurité en raison des contraintes écono-
miques et d'une opposition croissante à la construction de nouveaux ouvrages
(lignes, centrales) dans des zones à forte densité de population.
Les perturbations inévitables telles que les courts-circuits, les indisponibi-

lités momentanées de lignes, de générateurs ou de transformateurs ainsi que
les pertes dans les lignes et les aléas de consommation peuvent aecter le
réseau à tout instant et l'amener en dehors de sa zone de stabilité.
Les moyens classiques de contrôle des réseaux (transformateurs à prises ré-

glables en charge, transformateurs à décalage d'angle, condensateurs et induc-
tances additionnelles commutés par disjoncteurs pour la compensation série
ou parallèle, modication des consignes de production de puissance active et
réactive des générateurs et changement de la topologie du réseau) pourraient
dans l'avenir s'avérer trop lents et insusants pour répondre ecacement aux
perturbations du réseau.
1.5.1 Les systèmes FACTS et HVDC pour le contrôle

des réseaux
Des systèmes de contrôle rapide des réseaux utilisant les ressources oertes
par l'électronique de puissance et la micro-électronique de commande ont été
récemment étudiés et réalisés, et sont actuellement pour certains en applica-
tion normale, pour d'autres, en applications pilotes ou à l'état de prototypes.
Ces systèmes sont désignés par l'acronyme général FACTS (Flexible Alterna-
tive Current Transmission Systems ), on peut y ajouter les liaisons à haute
tension continue dite HVDC (High Voltage Direct Current ) qui ont démontré
leur abilité depuis des décennies pour des transmissions sur longues distances
(supérieures à 1000 km en aérien et à 100 km en câbles souterrains ou pour
des liaisons asynchrones).
Ces liaisons à courant continu ont prouvé aussi que par action rapide sur
les convertisseurs électroniques, elles pouvaient améliorer le comportement des
réseaux en matière de stabilité et d'amortissement d'oscillations, et qu'elles
constituaient aussi un moyen d'augmenter la exibilité des réseaux à courant
alternatif et pouvaient donc intervenir dans leur contrôle.
L'utilisation de liaisons à courant continu pourrait augmenter dans l'ave-

nir, surtout dans la mesure où il serait fait usage de convertisseurs à éléments
entièrement commutables (GTO, IGBT, IGCT) à modulation de largeur d'im-

pulsions (MLI) permettant de réaliser des caractéristiques de réglage quel-
conques. Ces convertisseurs MLI permettent de réaliser de véritables généra-
trices statiques à courant alternatif, qui sont capables de fournir ou d'absorber
de la puissance réactive et dont la tension est contrôlable. Les liaisons en cou-
rant continu récentes sont connues sous l'appellation HVDC LIGHT . Elles
r
orent de nombreux avantages par rapport aux convertisseurs traditionnels à

thyristors utilisant la commutation naturelle. En eet, elles ne requièrent pas
l'installation de coûteux ltres d'harmoniques, ni de source d'énergie réactive,
ni d'échange d'informations entre les deux convertisseurs de la liaison. Il faut
toutefois mentionner que leur puissance n'atteint pas encore celle des systèmes
à thyristors. Une première mondiale de ce type de liaison HVDC LIGHT
r
a
été installée sur l'île de GOTLAND en Suède en 1999[Axe99]. Elle transporte
sur une distance de 50 km une puissance de 50 MW provenant d'un parc d'éo-
liennes. La liaison est constituée de deux câbles fonctionnant respectivement
à + 80 kV et - 80 kV. Les convertisseurs MLI connectés aux deux extrémités
génèrent des tensions triphasées à 80 kV environ.
Si actuellement le transport en courant continu n'est généralement pas
adapté aux réseaux européens compte tenu des distances précitées, sauf pour
des applications particulières (par exemple des traversées sous-marines), elles
pourraient toutefois dans l'avenir être envisagées au vu de l'extension du ré-
seau européen et aussi pour résoudre des problèmes particuliers en utilisant
notamment des systèmes HVDC LIGHT .
r
A ce point de vue, il faut signaler un projet au Danemark de liaison à

courant continu pour relier au réseau 50 Hz une importante ferme d'éoliennes,
analogue au système sur l'île GOTLAND en Suède, et un projet de liaison à
courant continu (500 kV, 4 GW) de 1 800 km entre l'Ouest et l'Est de l'Europe
(de Barken à Smolensk) à connexions multiples.
Les liaisons à courant continu avec câbles souterrains sont envisageables
dans les applications suivantes :
liaisons entre de petites unités dispersées (ferme d'éoliennes, ensemble de
centrales au l de l'eau,. . .) et la liaison de celles-ci au réseau principal ;
la fourniture d'électricité dans des îles, actuellement des systèmes de 10
à 60 MW de puissance avec des câbles à 100 kV sont réalisables ;
fourniture d'électricité dans des grandes agglomérations en expansion
rapide ;
fourniture d'électricité à des utilisateurs éloignés du réseau principal.
Signalons encore que parmi les FACTS, le compensateur statique d'énergie
réactive dit SVC, pour Static Var Compensator, est utilisé depuis une dizaine
d'années en grand nombre dans des réseaux de par le monde, principalement
pour assurer le maintien du niveau de tension. Ces SVC utilisent le thyristor
comme composant électronique de puissance, alors que les systèmes FACTS

les plus récents mettent en ÷uvre des convertisseurs de type source de tension
avec les nouveaux composants GTO (Gate Turn O ), IGBT (Insulated Gate
Bipolar Thyristor ) ou IGCT (Insulated Gate Controlled Thyristor ) comman-
dables tant à l'allumage qu'à la coupure.
Ces nouveaux dispositifs sont en application ou en essai essentiellement

aux Etats-Unis et au Japon, et n'existent encore qu'en nombre limité.
Nous nous bornerons dans ce chapitre à présenter une classication suc-

cincte des FACTS :
Une première classe qualiée de systèmes mixtes est constituée par des
systèmes classiques de contrôle (transformateurs à prises, transforma-
teurs décaleurs de phase, banc de condensateurs) dans lesquels les in-
terrupteurs mécaniques ont été remplacés par des interrupteurs électro-
niques à semi-conducteurs utilisant des thyristors ;
Deux autres classes sont basées sur l'utilisation de convertisseurs élec-
troniques de puissance.
Deux structures sont retenues en pratique :
1. le gradateur en courant alternatif ou réactance contrôlée par thyristors

associée à un banc de condensateurs à commutateurs électroniques (le
contrôle de l'inductance est réalisé par modication de l'instant d'allu-
mage des thyristors). Cette structure a donné les systèmes suivants :
le SVC (Static Var Compensator ) à placer en parallèle sur le circuit

à compenser
le TCSC (Thyristor Controlled Series Compensator ) à placer en série
avec le circuit à compenser.
2. l'onduleur à source de tension permettant de réaliser une tension alter-

native de phase et d'amplitude réglables. Ces sources de tension sont
placées soit en série pour une compensation série (ASC or Advanced
Series Compensator ) soit en parallèle (SVG : Static Var Generator ).
Le système UPFC (Unied Power Flow Controller ) combine à la fois la
compensation série et la compensation parallèle. C'est le système FACTS
le plus puissant, dans la mesure où il permet de régler 3 grandeurs du
réseau.
Le Tab. 1.3 donne un inventaire des systèmes en service à l'heure actuelle

dans les réseaux, ainsi que leurs fonctions.
Les systèmes FACTS et les liaisons à courant continu permettent certai-

nement de résoudre dans les réseaux maillés des problèmes de contrôle de la
qualité de la tension, d'amortissement des oscillations, d'amélioration de la
répartition des transits de puissance et de stabilité. Dans les réseaux euro-
Type de SVC TCSC TSSC SVG UPFC

facts
Nombre en plus de 200 2(USA) 1(USA) 12(11 Japon, 1 1(USA)

application (partout dans USA)
le monde)
Contrôle Test de tech- Contrôle de Utilisation

Compensation transit de nologie tension optimale
de variation puissance Contrôle des des moyens
rapide de oscillations existants
la charge Amortissement de puissance
réactive de résonance Démonstration
Fonctions subsyn- Compensation de nouvelles
Amortissement chrone de variation technologies
de résonance Contrôle des rapide de
subsyn- oscillations la charge
chrone de puissance réactive
Contrôle de
tension
Contrôle des
oscillations
de puissance
Niveau de
300 à 50 à 2 x 160 Mvar
puissance
800 Mvar 500 Mvar
Tab. 1.3 Inventaire des systèmes en service de l'heure actuel dans les réseaux
et leurs fonctions
SVC : Static Var Compensator
TCSC : Thyristor Controlled Series Capacitor
TSSC : Thyristor Switched Series Capacitor
SVG : Static Var Generator
UPFC : Unied Power Flow Controller
péens, la maîtrise de la qualité de la tension est sans doute l'application la

plus probable, notamment en présence de fortes charges perturbatrices.
Il est important de signaler que si les systèmes FACTS permettent d'ac-

croître les capacités de transits des lignes, en les exploitant à leurs limites
thermiques, ils ne constituent pas pour autant des substituts aux lignes et
conduisent dans cette application à une réduction des réserves disponibles en
cas d'incident et donc à une certaine fragilisation du réseau.
Une utilisation temporaire pourrait cependant s'avérer une application in-

téressante pour régler des problèmes de congestion. Signalons à ce propos une
application aux Etats-Unis en Arizona, où un système FACTS de compensa-
tion série (TCSC) de l'impédance d'une ligne de 300 km à 230 kV a permis
de porter la capacité de transit de cette ligne de 300 MW à 400 MW.
Enn si les systèmes FACTS sont surtout destinés au réseau de transport,

des applications en réseau à moindres tensions sont envisageables pour ré-
soudre des problèmes liés notamment aux nouvelles contraintes nées de la pro-
duction décentralisée. Signalons que des applications en réseaux ferroviaires
50 Hz, 25 kV sont actuellement à l'étude en Europe, dans le but de réaliser une
compensation rapide de la chute de tension dans les sous-stations d'alimenta-
tion des caténaires des trains à grande vitesse, et de compenser le déséquilibre
du réseau triphasé d'alimentation tout en ltrant les harmoniques.
Ces nouveaux systèmes de contrôle sont certainement à prendre en consi-

dération pour la préparation des futurs plans d'équipement des réseaux élec-
triques.
1.5.2 Transmission de l'énergie électrique par HVDC

Dans ce chapitre, nous allons expliquer les raisons pour lesquelles la consi-
dération des systèmes HVDC apporte un intérêt dans la transmission de puis-
sance par rapport à un transport alternatif. Nous présentons en suite le déve-
loppement d'utilisation des systèmes HVDC avec le progrès dans le domaine
d'électronique de puissance. Enn nous allons montrer les applications de
transmission DC et leurs problèmes techniques.
1.5.2.1 Introduction
Un peu d'histoire : En 1882 la Edison Electric Light Company de
Thomas Edison fonde la première centrale électrique du monde à base de 6
dynamos Jumbo le 4 septembre pour produire du courant continu dans le
quartier de Wall Street de Manhattan, d'une capacité de 1 200 lampes pour
éclairer 85 maisons, bureaux ou boutiques.[edi]
La première transmission en courant continu date de 1954, il s'agissait

d'une liaison entre l'île de Gotland, en mer Baltique, et la Suède de 20 MW,
200 A, 100 kV. Bien évidemment les composants utilisés étaient des valves à
vapeur de mercure. Cette première réalisation a permis d'initialiser le concept
de ce type de transmission : les câbles, les redresseurs, le contrôle et d'identier
les impacts sur les réseaux raccordés. La venue sur le marché, au début des
années 60 des thyristors a favorisé l'essor de cette technique. Rapidement les
valves à vapeur de mercure ont été abandonnées à leur prot. En 1970 on
comptait plus d'une dizaine de transmissions HVDC dans le monde. En 1997,
il y avait plus de 50 systèmes HVDC à travers le monde et beaucoup d'autres
en phase de conception ou de construction [Dor97]. Aujourd'hui, plus de cent
cinquante liaisons ont été construites dans le monde.

La Fig. 1.11 montre la croissance des projets de transport d'énergie élec-
trique en HVDC dans le monde selon la puissance maximale en fonction de
l'année.
7
Puissance (GW)
6
0
1 920 1 940 1 960 1 980 2 000 2 020
Fig. 1.11 L'évolution de la puissance transmise en HVDC selon la commis-

sion IEEE de transport et distribution.
Cette croissance est due au développement rapide dans le domaine d'élec-

tronique de puissance qui a permis de réaliser ces projets.
1.5.2.2 Les composants du système HVDC

Les composants qui constituent un système HVDC, sont les suivants :
1. Les interrupteurs de puissance sont associés pour former des valves.

Celles-ci eectuent la conversion AC-DC et elles sont l'élément princi-
pal de tout convertisseur HVDC. Chaque valve unique se compose d'un
certain nombre de composants (IGBT, par exemple) connectés en série ;
2. Les transformateurs qui modient le niveau de tension :
3. L'inductance de lissage, dont les principales fonctions sont :
Limitation des courants de défaut continus ;

Prévention de la résonance dans les circuits à courant continu.
4. Les ltres d'harmoniques, du côté AC d'une station de conversion HVDC,

qui ont deux fonctions principales :
Absorber les courants harmoniques générés par les convertisseurs HVDC ;
Fournir de la puissance réactive.
En outre les ltres d'Harmoniques actifs peuvent être un complément

aux ltres passifs en raison de leur meilleure performance.
5. Parafoudre, dont la tâche principale est de protéger l'équipement des

surtensions ;
6. Circuit de transmission DC, qui comprend la ligne de transmission DC,

des commutateurs à fort courant continu et l'électrode de terre ;
7. Système de Contrôle et Protection.
Fig. 1.12 Les composants d'un système HVDC.[Lar05]
1.5.2.3 Les points clés de la transmission en courant continu

1. Le premier des points clés est bien entendu économique. La décision de
construire une transmission ou une connexion HVDC n'est prise qu'après
d'assez lourdes études prenant en compte, dans une pluralité de situa-
tions, les besoins de transfert de puissance. La puissance moyenne étant
de l'ordre du GW, très vite les questions relatives au coût d'exploitation
apparaissent et en particulier le coût des pertes. Il correspond sur la
durée de vie de l'équipement à un manque à gagner pour l'exploitation.
Cela signie que lors d'une soumission, ce coût des pertes vient s'ajou-
ter au coût du matériel, des études, de la construction et de la mise en
service ;
2. Le second point clé est en relation avec la disponibilité d'exploitation

des transmissions ou connexions. Il est bien clair que la disponibilité
est en relation avec la abilité et la maintenabilité des installations. La
disponibilité demandée, dans les cahiers des charges, est globalement
supérieure à 99%. La disponibilité pour le service est égale au quotient :
heures de disponibilité pour le service / heures de la période considérée.
La abilité des matériels, nécessaire pour réaliser ces objectifs de disponi-

bilité, est obtenue au moyen de deux axes principaux de conception :
D'une part en mettant en ÷uvre les composants qui permettent de res-
pecter une rigoureuse coordination des isolements face aux perturbations
les plus sévères des réseaux ;
D'autre part avec la mise en ÷uvre de contrôles redondants. Car c'est
2
bien à ce niveau que les MTBF sont les plus faibles.
1.5.3 Les technologies de transport de l'électricité

Aux débuts de l'électricité, les deux grandes technologies de transport de
l'électricité, en courant continu et en courant alternatif, ont été en concurrence.
Mais le courant alternatif l'a emporté assez vite de par la facilité qu'il ore de
changer de tension (le transformateur) et de la relative simplicité qu'il présente
pour la production d'électricité (l'alternateur). Pour le courant continu, et en
simpliant quelque peu, on peut dire que c'est plus compliqué et aujourd'hui,
il faut disposer d'un étape intermédiaire en courant alternatif.
Par contre le courant continu reste en lice dans le domaine du transport de
l'électricité, en particulier sur longues distances. Voici une comparaison éco-
nomique, en investissement seul pour simplier, pour 1000 MW à transporter
en ligne aérienne à courant alternatif, en câble souterrain à courant alterna-
tif, et en câble souterrain à courant continu. En souterrain, la bascule entre
alternatif et continu se fait vers 50-60 km [Mes08a].
Fig. 1.13 Câble AC vs. Câble DC.[Mes08a]
Généralement, les coûts d'investissement d'une ligne aérienne à courant

continu DC sont supérieurs par rapport à une ligne AC , surtout à cause des
2 Mean Time Between Failures

stations de conversion. L'aérien est moins cher (une liaison aérienne à cou-
rant continu serait plus chère que l'aérien alternatif jusqu'à 500 km environ).
La Fig. 1.14 montre la structure de coût des éléments de réseau en courant
continu et en courant alternatif.
900
800 C
al A
t tot
û
700 Co l DC
tota
Coût
600
Le coût [M€]
[3]
500
400 (3)
[2]
300
200 (2)
[1]
100
(1)
0
0 200 400 500 600 800 1 000
La dist ance [km]
Fig. 1.14 Comparaison des coûts de lignes aériennes AC et DC en incluant

les pertes. (1) coût des stations, (2) coût des lignes, (3) coût des pertes.[Lar05]
En bref, les lignes DC présentent une solution pratique dans des conditions
particulières, où les lignes AC ne sont pas une solution acceptable.
Donnons quelques exemples pour illustrer cette comparaison :
1. Les deux câbles de 700 MW entre le Maroc et l'Espagne, mis en service

en 1997 et 2006, ont en moyenne 27 km de long, pour des liaisons de
longueur totale 60 km. Ils sont donc en courant alternatif [Mes08b] ;
2. Il faut aller par exemple en Chine pour trouver de grands projets aérien à
courant continu : Xiangjiaba-Shanghai pour 6400 MW sur 2071 km ! [Yua08]
Sur un plan qualitatif, les liaisons à courant continu présentent des avan-
tages certains :
Pour la répartition sur un réseau maillé, le courant alternatif est à la
merci de la seconde loi de Kirchho, en particulier en cas d'incident ceci
peut provoquer des phénomènes incontrôlés [Mer08] ;
En courant continu, les ux ne dépendent que des consignes aux deux
extrémités de la liaison ;
Pour la stabilité, les alternateurs d'un réseau alternatif doivent avoir des
vitesses rigoureusement identiques. Ces contraintes de stabilité rendent
le système vulnérable aux incidents. Une liaison à courant continu est

asynchrone et n'impose rien aux vitesses des alternateurs à ses deux
extrémités ;
Pour les courants de court-circuit, ceux-ci sont accrus par le développe-
ment du maillage et des puissances en courant alternatif. Une liaison à
courant continu permet un apport de puissance sans augmentation du
courant de court-circuit.
Malgré ces avantages, les liaisons à courant continu ne se sont vraiment déve-
loppées que dans des circonstances particulières : liaisons sous-marines, liai-
sons longues distances. En eet, le réseau alternatif a été dès le début incom-
parable pour mutualiser les moyens tant de production que de transport, ce
qui est un élément clef de la résistance aux chocs que sont les incidents. Et, si
les technologies à courant continu ont beaucoup progressé au cours des qua-
rante dernières années, les technologies à courant alternatif ont aussi évolué.
Avec les technologies d'il y a quarante ans, on ne pourrait pas exploiter le
réseau dans les conditions actuelles. Les progrès ont favorisé l'alternatif dans
deux domaines :
La rapidité et la abilité des protections qui visent tout à la fois à

déconnecter les zones du réseau siège d'un défaut, et à protéger les zones
saines ;
La régulation des groupes turbo-alternateurs permet d'assurer la stabi-
lité des machines dans des conditions jugées naguère irréalisables.
1.5.4 Les avantages et les applications du HVDC et du

HVDC Lightr
1. Interconnexions. Les projets de l'Union Européenne et des Etats-Unis
pour améliorer le transport d'énergie, suite aux coupures à grande échelle,
se sont traduits par le développement de plans supplémentaires pour
de nouvelles interconnexions et davantage d'interconnexions transfron-
talières ainsi que par des demandes de réseau plus able. L'élargisse-
ment de l'Union Européenne en mai 2004 a ouvert la porte à de nou-
veaux réseaux d'énergie transnationaux. La volonté des Etats Baltes, par
exemple, de créer un système en boucle qui permette de connecter tous
les réseaux de cette région montre l'importance des interconnexions et le
rôle vital que le HVDC peut jouer. Des interconnexions entre l'Europe
et l'Afrique du Nord sont également envisagées ;
2. Prévention des coupures. Les lignes HVDC ne peuvent pas être mises
en surcharge. La technologie HVDC permet de maîtriser le débit de
l'énergie transportée. Avec le HVDC, l'énergie peut ainsi faire l'objet de
1.6. Les perturbations électriques dûes à la foudre 41
transactions commerciales entre des réseaux indépendants, supprimant

les défaillances et compensant les uctuations de tension ;
3. Retour d'alimentation rapide. Outre les avantages du HVDC tradition-

nel, le HVDC Light ore également une possibilité appelée 'black start'
qui permet d'alimenter des réseaux qui ont connu une coupure d'alimen-
tation totale. Par exemple, le câble Cross Sound HVDC Light qui relie
Long Island et le Connecticut, a été mis en fonction très rapidement
après les coupures d'énergie qu'a connu l'Est des Etats-Unis à la mi-
août 2003, permettant un retour rapide et ecace de l'électricité chez
des milliers de consommateurs locaux ;
4. Transport performant sur longues distances. Des exemples en Australie,

au Brésil, en Chine, en Europe et aux Etats-Unis démontrent l'eca-
cité sur longue distance de la technologie HVDC d'ABB. Les pertes en
ligne sont nettement moins importantes qu'avec la technologie HVAC
classique ;
5. L'intégration de sources d'énergie renouvelables dans les réseaux. Le

HVDC est la technologie idéale pour une intégration ecace dans les
réseaux de l'électricité générée par les sources d'énergie renouvelables.
Elle est particulièrement adaptée au transport de l'énergie produite par
des éoliennes oshore à des réseaux terrestres et pour les connexions
avec des installations oshore, telles que des plates-formes pétrolières
avec les réseaux terrestres ;
6. Avantages pour l'environnement. En favorisant un transport d'énergie

souterrain et sous-marin, le système HVDC Light ore des avantages in-
déniables vis-à-vis de l'environnement. Par exemple, le projet Muraylink
en Australie la plus longue interconnexion haute tension souterraine
au monde avec 177 km a remporté la "2002 Case EARTH Award for
Environmental Excellence" pour les meilleures pratiques et innovations
dans la gestion environnementale de projets de génie civil.
1.6 Les perturbations électriques dûes à la foudre
Les surtensions induites par la foudre dans les réseaux d'énergie électriques
et les réseaux de communication sont de nos jours l'une des causes principales
des problèmes de qualité d'énergie fourni aux consommateurs et de compati-
bilité électromagnétique. Ces dernières années, en raison de la demande crois-
sante d'une meilleure qualité d'énergie électrique corrélée avec l'utilisation
répandue de dispositifs électroniques sensibles connectés aux lignes de distri-
bution, la protection contre des perturbations induites par la foudre est de-
venue d'une importance primordiale. Par conséquent, l'évaluation précise des
surtensions induites par la foudre est devenue essentielle pour une protection
ecace des systèmes électriques et électroniques. En outre, les composants
électroniques sensibles utilisés dans les systèmes de communication et dans
les réseaux électriques peuvent subir des perturbations à des niveaux de plus
en plus bas d'interférences électromagnétiques induites. En conséquence, le
problème de l'évaluation des perturbations induites par la foudre dans les
câbles souterrains a récemment attiré plus d'attention comparé au passé.
On distingue quatre types principaux de perturbations, d'origine naturelle
ou articielle, pouvant induire dans les équipements électriques, électroniques
et électrotechniques des surcharges momentanées ; ce sont :
1. les perturbations associées aux décharges électrostatiques (DES ) ;
2. les perturbations associées à l'impulsion électromagnétique (IEM ) ré-

sultant d'une explosion nucléaire ;
3. les perturbations de source inductive, correspondant à l'inuence directe

ou à la commutation de circuits inductifs (relais,transformateurs, mo-
teurs, etc.) ;
4. les perturbations associées aux coups de foudre.
Ces surcharges sont en général représentées, dans un circuit donné, par

trois types de caractéristiques :
les caractéristiques temporelles décrivant leur évolution dans le temps ;
les valeurs maximales atteintes soit pour la tension, soit pour le courant ;
leur énergie.
Dans notre travail nous allons étudier les surtensions provoquées par les
perturbations associées aux coups de foudre. Premièrement, nous présenterons
en bref le mécanisme de la foudre puis ses eets sur les systèmes électroniques,
enn nous allons expliquer les surtensions induites par un coup indirect de
foudre et un modèle d'un générateur d'essai sera présenté au chapitre 3 an
de produire des chocs de surtensions induites.
1.6.1 Présentation de la foudre

La foudre est dénie par le passage d'un courant transitoire très important
entre deux points normalement isolés de l'atmosphère. La foudre se produit
entre un nuage et le sol, entre deux nuages ou entre deux zones chargées au
sein d'un même nuage. Ces charges stockées sont, selon toute vraisemblance,
générées par les mouvements d'air chaud dans un nuage en formation [Fis90].
Les mesures eectuées montrent que la répartition des charges dans le
nuage est complexe. Néanmoins, la partie supérieure du nuage a une charge
globalement négative, la base est majoritairement positive et des poches po-
sitives et négatives occupent le milieu de la structure.
Une observation plus ne montre que cette répartition globale des charges
est modiée par les courants d'air internes au nuage. Ils ont tendance à grou-
per les charges sous forme de cellules positives et négatives juxtaposées. Ces
cellules ont une durée de vie de l'ordre de 30 minutes et une charge de plu-
sieurs centaines de Coulombs. Lorsque la diérence de potentiel entre le sol
et le nuage devient supérieure à la rigidité diélectrique de l'air (généralement
estimée entre 10 et 30 kV/cm suivant le taux d'humidité), l'arc se développe
[Lar95].
Tout d'abord, une colonne d'air ionisée (pilot stream) se forme et se rap-
proche du sol. Après une extension de 30 à 50 m de cette colonne, une décharge
plus intense, le précurseur (stepped leader), se forme et permet au pilot stream
de continuer sa progression d'un bond supplémentaire de 30 à 50 m. La pé-
riode de ces bonds évolue d'une centaine de microsecondes au moment de
l'amorçage jusqu'à entre 5 et 10 µs lorsque la colonne approche du sol [Lar95].
Quand le précurseur se rapproche du sol, la charge positive locale du sol se
concentre (plus précisément les charges négatives présentes dans cette région
sont repoussées). Une fois le champ électrique susant, un canal ionisé part
du sol (streamer) en direction du précurseur. Quand ces deux canaux se ren-
contrent, les charges se neutralisent et créent un chemin de basse impédance
qui permet à un courant de plus en plus important de transiter du nuage vers
le sol (arc en retour ou return stroke). C'est cette zone fortement conductrice
qui crée le ash associé à l'éclair.
1.6.2 L'énergie de la foudre

Est-il intéressant de capter l'énergie de la foudre ? C'est là une question
souvent posée. On pourrait croire en eet que l'énergie électrique dissipée par
les orages est importante. En réalité, s'il est exact que la puissance instan-
6 7
tanée de la foudre est énorme (10 à 10 MW), la puissance moyenne reste
relativement modeste. Pour s'en convaincre, il sut d'intégrer l'énergie dis-
sipée annuellement par l'ensemble des coups de foudre frappant le territoire
français. En se basant sur une diérence de potentiel nuage-sol de 100 MV
et une charge moyenne par éclair de 20 C, on arrive à une puissance perma-
nente de moins de 100 MW (si on tient en considération qu'environ 1 million
de coups de foudre frappent le sol de France par an), soit moins du dixième
d'une tranche nucléaire moderne. De plus, on imagine les dicultés techniques
qu'il faudrait résoudre pour capter une énergie aussi diuse et aléatoire que
celle de la foudre [Rac04]. L'ordre de grandeur de l'énergie de la foudre est de
quelques centaines de kilowatts-heure par choc (environ 280 kWh, en incluant
l'énergie de l'onde rayonnée magnétiquement). Il y a entre 1 et 2 millions de
chocs par an en France. Ainsi, si cette énergie était récupérée et partagée entre
les 65 millions d'habitants de ce pays, chacun obtiendrait une part de l'ordre

de 6 kWh par an.
1.6.3 Eets de la foudre

Ils sont de trois ordres : thermique, mécanique et électrique. Les eets ther-
miques correspondent à la dissipation de l'énergie sous forme de chaleur ; ils
ne sont importants que pour des matériaux mauvais conducteurs ou humides ;
en particulier, la vaporisation de l'eau dans un sol humide peut provoquer
l'écrasement d'un câble souterrain. Les eets mécaniques sont :
d'une part, l'onde de choc (coup de tonnerre) résultant de la détente
brusque de l'air porté à 30 000 daN dans le canal ionisé ;
d'autre part, la force électromagnétique due au champ magnétique créé
par la circulation du courant de foudre dans le canal ionisé.
Les eets électriques proviennent des très fortes diérences de potentiel dues
à deux causes :
la circulation du courant de foudre, de loin la plus importante ;
l'induction électrique correspondant au champ électrique ; elle est, par
exemple, responsable de l'apparition de surtensions entre un équipement
mis à la masse et son boîtier qui ne l'est pas.
1.6.4 Eets d'un coup de foudre direct sur un réseau

électrique
Lorsqu'un coup de foudre frappe un conducteur d'une ligne, tout se passe
comme si l'arc en retour se comportait comme un courant injecté dans le
conducteur. Ce courant se répartit par moitié de part et d'autre du point
d'impact, et chacune de ces moitiés va se propager le long du conducteur. Les
lois de propagation des ondes mobiles enseignent qu'à toute onde de courant
est nécessairement associé une onde de tension, et réciproquement. Dans le
cas d'un foudroiement direct d'un conducteur d'une ligne aérienne, compte
tenu des fortes intensités des courants de foudre, l'onde de tension associée se
caractérise par des amplitudes considérables, de l'ordre de quelques MV.
Aucune isolation économiquement acceptable ne peut supporter de pa-
reilles surtensions : dans le cas des lignes, ce sont les chaînes d'isolateurs, aux-
quelles sont suspendus les conducteurs, qui constituent les points d'isolement
les plus faibles, de sorte qu'un amorçage va immanquablement se produire au
niveau de la première chaîne rencontrée par l'onde de tension. Cet amorçage
est une violente étincelle, qui n'est autre chose qu'un canal ionisé conducteur,
et par lequel va pouvoir passer le courant d'arc en retour, puis un intense
courant alimenté par le réseau : ce courant que l'on désigne par courant de
suite, est en fait un courant de court-circuit, et le seul moyen dont on dis-

pose pour l'éliminer est l'ouverture des disjoncteurs aux deux extrémités de
la ligne.
1.6.5 Les surtensions

Ce sont des perturbations qui se superposent à la tension nominale d'un
circuit. Elles peuvent apparaître :
entre phases ou entre circuits diérents, et sont dites de mode diéren-

tiel,
entre les conducteurs actifs et la masse ou la terre et sont dites de mode
commun.
En fait, les risques se situent essentiellement au niveau des dysfonctionne-

ments, de la destruction de matériel et, en conséquence, de la non continuité
de service. Ces eets peuvent apparaître sur les installations des distributeurs
d'énergie ou sur les installations des utilisateurs.
Leur caractère varié et aléatoire les rend diciles à caractériser et n'au-

torise qu'une approche statistique en ce qui concerne leur durée, leurs ampli-
tudes et leurs eets. Le Tab. 1.4 présente les principales caractéristiques de
ces perturbations.
Type de surtension Coecient de Durée Raideur du Amortissement

(cause) surtension front,
MT-HT fréquence
√
A fréquence ≤ 3 longue fréquence faible
industrielle >1s industrielle
(défaut d'isolement)
De manoeuvre 2à4 court 1 ms moyenne moyen

(interruption de 1 à 200kHz
court-circuit)
Atmosphérique >4 très court très élevée fort

(coup de foudre direct) 1 à 10 µs 1000 kV/µs
Tab. 1.4 Caractéristiques des diérents types de surtensions.[Ful92]

1.6.6 Les origines des surtensions transitoires

Les surtensions sont la cause des dommages indirects provoqués par la
foudre : dégâts aux installations et appareils électriques, électroniques, télé-
phones, télévision...Mais si la foudre est l'une des causes fréquentes de surten-
sion, elle n'en est pas la seule. Les origines des surtensions :
1. La foudre par impact sur les lignes aériennes. En tombant sur la ligne,
la foudre crée une onde de courant de plusieurs milliers d'ampères qui
provoque une surtension sur les appareils raccordés à la ligne ;
2. La foudre par impact sur la terre. En tombant sur le sol, la foudre

provoque une remontée de potentiel électrique de la terre qui entraîne des
surtensions dans les câbles souterrains et les prises de terre des maisons ;
3. La foudre par rayonnement. Le champ électromagnétique créé par la

foudre-plusieurs milliers de volts par mètre à plus d'un kilomètre de son
point de chute-crée des surtension sur les lignes et les équipements élec-
triques qui s'étendent à plusieurs kilomètres autour du point de chute ;
4. Les parasites industriels. Ils sont créés par des postes à soudure, des
lampes à décharges, des moteurs, des fours à arc... ;
5. Les manoeuvres de l'EDF.
Le couplage est principalement de type galvanique pour les phénomènes de

manoeuvres. Les surtensions engendrées par la foudre sont couplées soit gal-
vaniquement (coup de foudre éloigné sur le réseau de distribution électrique)
soit par induction (coup de foudre sur le bâtiment ou dans le voisinage). Les
surtension engendrées par les manoeuvres ou la foudre sont caractérisées par
un niveau d'énergie généralement élevé.
Lors d'un foudroiement direct ou dans le voisinage, des surtensions sont
induites entre les diérents câbles connectés à un équipement. L'amplitude de
ces surtensions dépend du facteur de couplage entre le(s) conducteur(s) du
courant de foudre et la boucle d'installation engendrée par les câbles ainsi que
la vitesse de variation du courant de foudre (di/dt). Le facteur de couplage
dépend principalement de la distance et de la surface de boucle.
1.6.6.1 Eets des surtensions

1. Claquages :
Le phénomène de claquage se produit chaque fois qu'une tension dépasse
la tension d'isolement. Très souvent, le claquage se produit entre un
conducteur actif et des masses métalliques reliées à la terre. Le claquage
dans l'air qui se manifeste par l'amorçage d'un arc est, conformément à
ce qui précède, le dépassement de la tension de l'isolant air.
1.7. La Protection Electrique 47
Les phénomènes sont très facilement identiables. Les protections clas-

siques sont ecaces ;
2. Destruction des composants électroniques :

Il s'agit de phénomènes nouveaux dûs aux nouvelles techniques de fa-
brication des composants électroniques. Ces composants sont de plus en
plus performants, de plus en plus rapides, de plus en plus microscopiques
et de plus en plus sensibles aux surtensions ;
3. Sensibilité aux fronts raides :

Les fronts raides se situent entre 1 000 V/µs et 100 000 V/µs. Pour sim-
plier, l'évolution de la sensibilité des circuits actifs aux fronts raides est
liée à l'augmentation de l'impédance des entrées. Ainsi, les transistors
à eet de champ sont plus sensibles que les transistors bipolaires. Ceci
s'explique par l'obligation pour la surtension d'écouler son énergie en
créant un courant. Lorsqu'elle rencontre une impédance élevée, elle ne
peut créer le courant, même inme, nécessaire à son amortissement et
elle s'applique donc en totalité à la première jonction qu'elle rencontre.
Dans les circuits intégrés, ces jonctions ont des dimensions de plus en
plus petites et leurs tensions de claquage ont considérablement dimi-
nué ces dernières années. Ces explications sont simplistes et la réalité
est beaucoup plus complexe, mais elles permettent aux concepteurs de
prévoir certains phénomènes ;
4. Danger pour les personnes :

Les pics de surtensions de durées très courtes sont totalement inoensifs,
tout au plus, ils sont assimilables à une décharge d'électricité statique
désagréable mais inoensive.
1.7 La Protection Electrique
En présence d'une perturbation électrique, l'élément de protection idéal

doit présenter :
une limitation sans délai de la tension ou du courant à un niveau ad-

missible par le circuit protégé ;
une consommation minimale d'énergie en régime normal ;
une dissipation maximale d'énergie en présence de perturbations.
Ceci se traduit par un courant de fuite très faible pour un limiteur de ten-
sion et une résistance série la plus faible possible pour un limiteur de courant.
Pendant la phase de limitation (en tension ou en courant), le composant doit
pouvoir dissiper une énergie la plus élevée possible.
1.7.1 La protection parallèle (en tension)

Le principe de la protection en tension est d'éviter la propagation d'une
tension anormalement élevée vers la charge.
Le fonctionnement d'une protection parallèle : elle bascule d'un régime de

forte impédance à un régime de faible impédance. Les causes de ces surtensions
sont nombreuses. La fonction est couramment réalisée par des composants dits
`écrêteurs' : diodes Zener, diodes à avalanche (Transils de ST Microelectronic),
varistances. . .
L'autre type de suppresseurs, dits dérivateurs, court-circuite l'alimentation ;
ce comportement est celui des Trisils (ST Microelectronic), éclateurs à gaz. . .
Les éléments limiteurs de tension présentent une caractéristique statique

courant-tension non-linéaire qui peut souvent être décrite par une loi empi-
rique de la forme :
I = K.V α
où K est une constante spécique au composant,
α coecient de non-linéarité.[F.N01]
Fig. 1.15 Illustration de la protection parallèle.
La limitation des éléments non linéaires est la tension présente à leurs

bornes en mode de protection. Cette tension est d'autant plus élevée que
la non-linéarité est faible. Pour les dispositifs dérivateurs, c'est le courant
traversant le composant de protection pendant la perturbation qui donne la
limite de fonctionnement. Aucun composant ne présente une solution idéale
et applicable dans tous les cas.
Une rapide présentation des diérents composants utilisés contre les sur-
tensions est proposée dans le tableau Tab. 1.5[Com00]
1.7.2 La protection série

Un système de transmission d'énergie peut être le siège de surcharges soit
en cas de défaut d'isolement, soit en cas de dégradation de l'impédance de
la charge du dispositif. Une surtension peut apparaître dans le circuit, la
protection parallèle permet d'en réduire l'eet.
1.7. La Protection Electrique 49
Composant Avantages Inconvénients

· Dérivation de courant impor- · Tension d'amorçage élevée
Eclateur à gaz tants
· Bidirectionnelle · Amorçage fonction de la vitesse
d'apparition du défaut
· Capacité à évacuer des éner-
gies importantes
Varistance · Phénomène de vieillissement
· Faible encombrement
· Bidirectionnelle
Composant semiconducteur à · Capacité à évacuer des éner-
· Risque d'amorçage en dV/dt
retournement(Trisil) gies importantes
· Bidirectionnelle · Inuence sur le circuit en régime
de surcharge (courant non limité)
Diode à avalanche de forte · Faible élévation de la tension · Capable de n'absorber que des
puissance(Transil) sur la ligne à protéger en ré- énergies faibles
gime de surcharge
· Rapide ·
Tab. 1.5 Principaux dispositifs de protection parallèle PP.[Com00]
Toutefois, le courant résultant de tel défaut peut atteindre des valeurs très
importantes. La seule limitation étant l'impédance propre de l'installation et
la capacité du générateur à délivrer la puissance à la charge dégradée.
La fonction d'un dispositif de protection série est donc de limiter le cou-

rant lors de l'apparition d'un défaut dans un circuit. Une protection série
doit avoir une impédance proche de zéro en fonctionnement normal et bas-
culer en forte impédance en cas de surcharge. Plusieurs types de dispositifs
de protection série existent, couvrant une large gamme de courant et de ten-
sion. Un dispositif de protection série doit présenter une impédance proche de
zéro en fonctionnement normal (que l'on qualiera d'état passif ). En cas de
surcharge, l'impédance doit être la plus élevée possible (le dispositif de pro-
tection est alors dans l'état actif ). On trouve classiquement des systèmes que
l'on peut qualier de simples :
fusibles,
composants polymères (PolySwitch ®),
supraconducteurs,
bilames.
Le dénominateur commun de tous ces systèmes est la notion de compensa-

tion série : variation de l'impédance d'un élément placé en série dans l'instal-
lation électrique. Pour le fusible et le bilame l'impédance ne peut prendre que
deux valeurs, dans le cas du fusible le changement d'impédance est dénitif.
La protection série est associée à une notion de puissance. On utilise cou-

ramment des dispositifs de coupure réversible (disjoncteur), ou non réversible
(fusibles) dont le pouvoir de coupure est plus ou moins élevé en fonction

des dispositifs à protéger. Ces dispositifs sont capables d'évacuer des éner-
gies importantes mises en jeu lors des défauts. Dans d'autres gammes de
courants/tensions, des solutions sont accessibles à des dispositifs à base de
semi-conducteurs (pour des tensions de l'ordre de 1 kV et des courants d'une
centaine d'ampères).
Fig. 1.16 Protection série.
1.7.2.1 Cahier des charges typique

Deux points sont à prendre en considération pour le cahier des charges du
composant :
La chute de tension à l'état passant (sous courant nominal) doit être la
plus faible possible pour limiter les pertes en conduction dans le com-
posant,
La puissance générée en régime de limitation ne doit pas provoquer la
destruction du composant.
On peut globalement dénir la fonction du composant :
Etat passif : le courant passe si I<IMAX ;
Etat actif : limitation du courant à I=IMAX
Les besoins pour la réalisation d'un composant limiteur de courant sont les
suivants :
1. une faible chute de tension à l'état passant ;
2. une tenue en tension élevée ;
3. un temps de réponse rapide.
Les courants de court circuit peuvent être limités par des systèmes de régu-
lation ; le fusible ne joue alors plus le même rôle : sa place est importante dans
les installations sur le plan de la sécurité mais sa fonction devient celle d'un
organe de coupure ultime, moins sélectif. Si de nouveaux composants avec des
caractéristiques électriques meilleures qu'actuellement arrivent sur le marché,
les caractéristiques électriques des fusibles devront évoluer et certains pro-
duits devraient être moins complexes. La protection série deviendrait hybride
1.8. Conclusion 51
avec une partie à semi-conducteur et une partie 'mécanique'. Les nouveaux

composant SiC ont démontré leur capacité à fonctionner à des températures
élevées. Un autre facteur à prendre en compte pour la faisabilité d'un com-
posant limiteur de courant est le coût. En eet, si l'utilisateur nal accepte
ce nouveau produit, le rapport prix limiteur/fusible, à fonction égale, doit
être inférieur. L'apport de nouvelles fonctions, gràce à l'utilisation de semi-
conducteurs et d'une logique embarquée, peut justier un coût supérieur. Ce
coût sera compensé par des gains sur la maintenance des installations.
1.8 Conclusion du Chapitre 1
Ce premier chapitre permet d'avoir une vue générale sur le contexte de

l'étude. On y fait la connaissance du système de distribution et de transport
de l'énergie électrique, des perturbations naturelles et d'origine systémique et
des protections associées.
Une description de la structure du réseau de distribution actuel permet
de comprendre les mécanismes d'acheminement de l'électricité aux consom-
mateurs et les contraintes associées. Nous avons aussi présenté une revue syn-
thétique des solutions pour les réseaux du futur, faisant une grande place à
l'électronique de puissance, les réseaux HVDC... Par ailleurs, l'électronique
de puissance apparaît aujourd'hui comme incontournable entre le réseau de
distribution et les sources d'énergies renouvelables. Le Chapitre 2 aborde le
thème de l'électronique de puissance connectée au réseau.
La compréhension des mécanismes thermo-électrique intervenant dans un

composant d'électronique de puissance contre les eets indirects du choc de
foudre passe par la connaissance de ce phénomène physique qui est à la source
de la perturbation et par celle du composant lui-même, et par le réseau élec-
trique. Le Chapitre 3 est consacré à l'étude du comportement d'un bras d'on-
duleur à transistors JFET connecté directement au réseau et subissant une
perturbation de type choc de foudre.
En bref, cette étude nous permet de comprendre la relation entre le réseau

et l'électronique de puissance an de trouver des solutions contre les perturba-
tions et les nouvelles contraintes posées par l'interconnexion de convertisseurs
indispensables pour l'utilisation des énergies renouvelables.
Chapitre 2
L'électronique de puissance et le
réseau de distribution
Sommaire
2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
2.2 Le carbure de silicium . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
2.2.1 Bref historique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54

2.2.2 Propriétés phyiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.3 Le JFET en SiC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.3.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . 57

2.3.2 Structure du JFET-SiCED . . . . . . . . . . . . . . . 59
2.3.3 État de l'art sur la caractérisation électrique du JFET-SiC 60
2.3.4 Applications réalisées à base du JFET-SiC . . . . . . . 66
2.3.5 Comparaison JFET-SiC avec les composants Si . . . . 72
2.4 Discussion autour la possibilité d'utiliser le JFET-
SiC dans des applications de réseau de distribution . 84
2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84
2.1 Introduction
L'augmentation de la demande pour des convertisseurs de puissance tou-

jours plus ecaces, plus puissants, et à plus haute température de fonction-
nement a poussé les composants de puissance en silicium (Si) à leurs limites
physiques théoriques. Pour surmonter ces limitations, les recherches se sont
dirigées vers les matériaux à large bande interdite, tels que carbure de silicium
(SiC), nitrure de gallium (GaN), et le diamant, en raison de leurs propriétés
physiques supérieures.
Dans ce chapitre, nous allons présenter en resumé, les propriétés physiques
et électriques du carbure de silicium en comparant avec celles d'autres ma-
tériaux semi-conducteurs. Nous présentons ensuite l'état de l'art sur les ca-
ractéristiques électriques du JFET-SiC. Puis nous passerons aux applications
Chapitre 2. L'électronique de puissance et le réseau de
54 distribution
réalisées à base du JFET-SiC. Nous présentons aussi des comparaisons entre
le JFET-SiC et des composants en Si an de montrer l'intérêt de l'utilisation
de ces composants dans le domaine de l'électronique de puissance. Enn nous
présentons une discussion sur la possibilité d'utiliser le JFET-SiC dans des
applications du réseau électrique de distribution.
2.2 Le carbure de silicium
2.2.1 Bref historique

Le SiC n'est pas un nouveau venu sur la scène des semi-conducteurs. En
eet, le premier compte rendu sur ce matériau date de 1824, lors d'une expé-
rience de Berzellius [Ber24], qui essayait de produire du diamant. Le carbure
de silicium n'existe pas à l'état naturel sur Terre mais Moissan [Moi05] en a
découvert des cristaux dans une météorite (cristaux appelés Moissanite....).
En 1891, Achelson [Ach92] réussi à faire croître une couche de Carbure de
Silicium et lui donna le nom de Silicon Carbide (SiC). En 1907, H. J. Round
[Rou07] découvre des propriétés électroluminescentes du SiC, ce qui en fait
l'un des premiers semiconducteurs connus, mais son utilisation en tant que
tel ne s'est pas développée. La raison principale étant la qualité médiocre du
matériau de base obtenu (obstacle technologique). Il faut attendre les années
1950 pour retrouver une nouvelle période d'investigations. Ce sont les secteurs
du militaire et de l'aérospatial qui ont à nouveau porté un intérêt au SiC.
L'objectif était de développer des composants fonctionnant :
à hautes températures ;
à hautes fréquences ;
à fortes puissances, en milieu hostile (températures élevées, sources de
radiations...) ;
à hautes tensions.
En 1955, Lely [Lel55] proposa un nouveau concept pour faire croître des
couches de SiC de haute qualité. Il mit au point une méthode de fabrication
de substrats relativement purs et présentant une faible densité de défauts. De
nombreuses équipes de recherche aux États-Unis, en Russie, en Allemagne et
au Japon se lancent alors sur l'étude du SiC. Puis cet engouement fut freiné
par la possibilité d'accroître la taille des substrats ce qui conduit, les années
suivantes, à une baisse de l'intérêt porté au SiC et à l'abandon de l'activité,
sauf en Russie.
1978 est une année majeure dans le SiC avec l'arrivée de la technique
2.2. Le carbure de silicium 55
de croissance par sublimation, en fait une méthode dérivée de celle de Lely

[Tar78].
Au début des années 1980 les substrats deviennent plus grands, et ceci
relance les études sur le SiC dans de nombreux pays : aux États-Unis, au
Japon et en Europe.
En 1979, les premières diodes électro-luminescentes sont fabriquées, et en

1987, la société Cree Research Inc est fondée. Elle commercialise les premiers
substrats de SiC en 1991, [CREom].
Les LED en SiC sont déjà commercialisées et les progrès eectués sur cette
technologie laissent supposer que de nombreuses autres applications devraient
voir le jour dans un avenir proche.
2.2.2 Propriétés phyiques

Les propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC) per-
mettent de l'identier comme un matériau semi-conducteur ayant le potentiel
de remplacer le silicium (Si) dans certaines applications.
Un résumé des propriétés les plus importantes par rapport au Si et à

l'Arsénure de Galium (GaAs) est présenté ci-dessous :
2.2.2.1 Bande d'énergie interdite [eV]
4H-SiC : 3,26 6H-SiC : 3,03 GaAs : 1,43 Si : 1,12
Les dispositifs électroniques formés en SiC peuvent opérer à des tempé-

ratures extrêmement élevées, sans sourir d'eets intrinsèques de conduction
en raison de la large bande interdite. Cette propriété implique qu'il est moins
probable qu'un électron traverse cette bande par une excitation thermique.
Par conséquent, les composants en SiC sont de bons candidats pour les appli-
cations haute température.
2.2.2.2 Champ électrique critique [V/cm]
4H-SiC : 2,2.106 6H-SiC : 2,4.106 GaAs : 3.105 Si : 2,5.105
A taille équivalente, le SiC peut résister à une tension (champ électrique) de

huit à dix fois supérieure à celle du Si ou GaAs sans subir d'avalanche. Cette
56 distribution
haute valeur du champ électrique critique permet la fabrication de compo-
sants très haute tension, tels que les diodes, les transistors de puissance, les
thyristors, et les limiteurs de courant ou tension.
Par exemple, pour la même tenue en tension, un composant en SiC peut
être réalisé avec une épaisseur plus de huit fois inférieure à celle du Si. Ces
améliorations permettent de réaliser un composant avec une résistance plus
faible et par conséquent, obtenir des pertes à l'état passant plus faibles.
2.2.2.3 Haute conductivité thermique [W/cm.K]
4H-SiC : 3,0 - 3,8 6H-SiC : 3,0 - 3,8 GaAs : 0,5 Si : 1,5
Le SiC est un excellent conducteur thermique. La chaleur va circuler plus

facilement dans le SiC que dans d'autres matériaux semi-conducteurs. En eet,
à la température ambiante, le SiC a une conductivité thermique plus élevée
que n'importe quel métal.
Cette propriété permet aux dispositifs en SiC de fonctionner à des niveaux
de densité de puissance très élevés, ou, à densité de puissance modérée, de
fonctionner avec de faibles élévations de température. Cette dernière condi-
tion est importante pour des applications devant présenter des durées de vie
comparables aux équipements sans électronique, par exemple pour rempla-
cer un transformateur traditionnel par un convertisseur de l'électronique de
puissance à haute fréquence.
2.2.2.4 Haute Vitesse de saturation [cm/s]
4H-SiC : 2,0.107 6H-SiC : 2,0.107 GaAs : 1,0.107 Si : 1,0.107
Les dispositifs en SiC peuvent fonctionner à haute fréquence en raison de

la vitesse de saturation plus élevée que le silicium.
En combinant les avantages du SiC, cela apporterait une importante ré-
duction de l'encombrement des systèmes de puissance. Le premier eet est la
réduction du nombre de composants mis en série pour les applications haute
tension et puis la capacité à fonctionner à haute température permettant la
réduction des systèmes de refroidissement.
En conclusion, les propriétés du SiC permettent d'orir d'énormes avan-
tages pour des applications extrèmes et en particulier pour les convertisseurs
connectés directement aux réseaux électriques.
2.3. Le JFET en SiC 57
2.3 Le JFET en SiC
2.3.1 Principe de fonctionnement

1
Le JFET en SiC est un interrupteur unipolaire possèdant une résistance
très faible à l'état passant et capable de fonctionner à haute température et à
haute fréquence. De nos jours, le JFET-SiC est l'interrupteur le plus avancé
dans son développement.
Le principe de fonctionnement des composants FET repose sur l'eet d'un
champ électrique sur une structure par la modication de l'étendue de la zone
de charge d'espace.
Fig. 2.1 Schéma de la structure du canal des JFET étudiés.
La Fig. 2.1 montre un schéma simple d'un JFET, ou son principe de

fonctionnement est : en appliquant une tension négative faible sur la grille
(polarisation faible) et une tension positive sur le drain, alors un courant va
circuler dans un canal entre la source et le drain. Ce canal a une longueur L
dénie par les dimensions des diusions ou des implantations et une épaisseur
2a modulée par les extensions Xn des zones de charge d'espace des jonctions
PN. En augmentant la tension sur la grille, cette tension entraîne une aug-
mentation de l'extension de zone de charge, et par conséquent une réduction
de la section du canal et une augmentation de la résistance de celui-ci. Dans
ce cas, on peut dire que le canal est pincé, et le courant est limité à une valeur
constante.
La tension Vds positive appliquée sur le drain accroît la polarisation en
inverse des jonctions PN, et par conséquent, augmente l'extension des zones
de charge d'espace au voisinage du drain comme l'illustre la Fig. 2.1.
1 Terme Anglais : Junction Field Eect Transistor

58 distribution
Ce type de transistor est normalement conducteur (Normally-On) ce qui
rend plus dicile sa mise en ÷uvre dans des applications telles que l'onduleur
car, à la mise sous tension l'entrée et la sortie se trouvent en court-circuit.
Les activités sur le SiC ont abordé de nouvelles structures et solutions.

Par exemple une étude sur un JFET qui est normalement ouvert (Normally-
O ). Ainsi Zhao a réalisé un tel JFET-SiC avec une tenue en tension de
11 kV [Zha04]. Ritenour et son équipe ont réalisé un VJFET-SiC normalement-
ouvert ayant une tenue en tension 1200 V, avec une résistance spécique très
faible : 24 mΩ.cm² [Rit10]. La société Inneon, par l'intermédiaire de son
centre de recherche SiCED dédié au développement de composants SiC, a mis
au point un JFET-SiC et a proposé une version cascode. La Fig. 2.2 montre
le schéma équivalent d'un cascode (JFET-SiC + MOSFET-Si).
Fig. 2.2 Schéma équivalent de la connexion interne du montage cascode.
Il s'agit, en réalité, d'un JFET-SiC normalement-fermé monté en cascode

avec un MOSFET-Si basse tension qui permet d'obtenir un ensemble norma-
lement ouvert. Lors de la mise sous tension, le MOSFET-Si bloque d'abord
la tension et la diérence de potentiel Vds-mosfet permet ainsi de bloquer
également instantanément le JFET-SiC. Avec une polarisation positive sur
la grille du MOSFET, celui-ci entre en conduction, Vds-mosfet est alors
faible, le JFET conduit également. L'inconvénient de ce montage cascode est
la limitation de la température de fonctionnement dûe au MOSFET-Si
Actuellement SiCED propose des composants JFET Normally-On, sous

forme de puce, ayant une tenue en tension de 1500 V et un 'calibre' en courant
de 15 A.
2.3.2 Structure du JFET-SiCED

Il existe aujourd'hui deux fabricants principaux de JFET en SiC, un amé-
ricain, Semisouth et un européen SiCED/INFINEON. Ceux-ci proposent des
échantillons pour le développement d'applications. A notre connaissance ce
sont les transistors de SiCED qui sont le plus aboutis et ce sont ceux que nous
avons étudiés. Les transistors JFET-SiCED possèdent une structure verticale
à deux canaux (un canal latéral pour le contrôle de grille et un canal vertical
pour la tenue en tension) [Fri00].
Fig. 2.3 Structure de demi-cellule du JFET-SiCED avec ses deux canaux,

avec ses paramètres principaux.[Elp10]
La Fig. 2.3 montre une vue en coupe de la structure de demi-cellule du

JFET-SiC fabriquée par SiCED. A partir de la gure précédente, on voit que
+
le canal latéral du JFET est formé entre une couche enterrée P et la jonction
de grille.
Ce canal est caractérisé par les paramètres 2a, L et Nd avec :
L : la longueur du canal latéral ;

2a : la largeur du canal latéral ;
Nd : le niveau de dopage du canal latéral.
+
Le canal vertical du JFET est formé entre les deux couches enterrées P .
Ce canal est caractérisé par les paramètres b, h, Ndd avec :
60 distribution
h : la longueur du canal vertical ;
b : la demi-largeur du canal vertical ;
Ndd : le niveau de dopage du canal vertical.
La région de dérive du JFET est caractérisée par les paramètres Wb et

Ndd, avec :
Wb : l'épaisseur de la région de drift ;
Ndd : le dopage de la région de dérive (Ndd représente à la fois le do-
page de la région de dérive et le dopage du canal vertical).
Les quatres paramètres derniers du JFET :

Lsc : la largeur du contact source ;
Ls : la largeur de l'accès de source ;
Lc : la largeur active de le cellule ;
Z : la longueur équivalente du composant dans le plan perpendiculaire
à la coupe.
La résistance à l'état passant du JFET représente la résistance totale qui

apparaît entre la source et le drain lorsque le transistor fonctionne en régime
linéaire. Le matériau du substrat est de type-n 4H-SiC avec une résistivité
spécique entre 18 and 25 mΩ.cm.[Elp10]
Le Tab. 2.1 résume les paramètres électriques mesurés au laboratoire pour

trois versions successives de JFET-SiC (V-I, V-II et V-III)
JFET-SiC V-I V-II V-III
Ron 1 (Ω) 0,5 (Ω) 0,2 (Ω)

Idssat 3 (A) 12 (A) 42 (A)
Tab. 2.1 Caractéristiques électriques pour trois versions successives du

JFET-SiC. Ron : La résistance à l'état passant et I dssat : Le courant de
saturation
2.3.3 État de l'art sur la caractérisation électrique du

JFET-SiC
Dans ce paragraphe, nous allons montrer les caractérisations électriques
réalisées au sein du laboratoire Ampère [Mou09] sur des transistors JFET-
SiC. Nous présentons quelques résultats sur le comportement du JFET en
mode de fonctionnement statique et dynamique dans des conditions de haute
température. Nous présentons ainsi des applications réalisées à base du JFET-

SiC. Enn, nous présentons une comparaison entre un interrupteur à base de
JFET-SiC et un interrupteur à base d'IGBT-Si, pour une application à un
module fort courant (simulation).
2.3.3.1 Caractérisation statique

Caractérisation électrique statique en mode de polarisation directe :
Une caractérisation haute température du transistor JFET-SiC de SiCED a
été réalisé par notre laboratoire. Dans ce travail, le comportement statique
en mode de polarisation directe (Vds positif ) du JFET a été évalué pour des
◦ ◦
températures comprises entre 25 C et 225 C.
Pour caractériser le transistor JFET en mode de polarisation direct, une

tension Vds positive est appliquée et la tension de polarisation de grille Vgs
négative comprise entre 0 V et la tension de blocage. Les valeurs de ten-
sion de polarisation Vds ont été choisies an de montrer les deux régions de
fonctionnement (linéaire et saturée). Les mesures ont été réalisées en mode im-
pulsionnel pour permettre d'atteindre des courants élevés et de limiter l'auto-
échauement.
Fig. 2.4 Caractéristiques électriques statiques en polarisation directe du

JFET-SiCED à la température ambiante (à gauche) et à la température 225 ◦ C
(à droite), d'après [Mou09].
La Fig. 2.4 montre les caractéristiques statiques pour la troisième version

du JFET-SiCED à des températures comprises entre la température ambiante
◦
et 225 C.
62 distribution
On peut distinguer que le fonctionnement du JFET en statique directe
peut être divisé en trois régimes [Mat01]
La Fig. 2.5 montre le régime linéaire (Vds Vdssat ). C'est le régime
ohmique qui correspond à une évolution quasi-linéaire du courant Ids
pour des faibles valeurs de Vds (pour une valeur de Vgs donnée). Dans
cette zone, le JFET se comporte comme une résistance contrôlée par la
tension de grille Vgs. Cette résistance est nommée la résistance à l'état
passant et calculée par la relation
:
∆V ds
Ron =
∆I ds V gs=0,V ds→0
Fig. 2.5 Evolution de la section des deux canaux du JFET dans le régime
linéaire.
La Fig. 2.6 montre le régime sous linéaire (Vds ≤ Vdssat ). En augmen-
tant la tension de Vds, l'extension de la zone de charge d'espace devient
de plus en plus large dans le canal. Le courant présente une variation
sous linéaire avec la tension Vds et amorce une saturation.
La Fig. 2.7 montre le régime de saturation (Vds ≥ Vdssat ). Le canal
conducteur est pincé, les zones de charge d'espace se rejoignent, le cou-
rant Ids est égal au courant de saturation Idssat .
La Fig. 2.8 montre un schéma de caractéristique statique avec les trois

régimes de fonctionnement
Caractérisation électrique statique en mode de polarisation inverse :

Les transistors JFET-SiCED possèdent une structure verticale qui intègre une
diode interne entre drain et source. Cette diode est connectée en parallèle
avec le canal de conduction [Fri00]. Par conséquent le JFET peut conduire un
courant en inverse indépendament des conditions de conduction du canal et
sous-linéaire.
pincé.
être utilisé sans diode de roue libre externe. Pour polariser le JFET en mode
inverse, une tension négative est appliquée entre drain et source pour polariser
la diode interne en direct, et la tension de contrôle Vgs est comprise entre
0 V et la tension de pincement, an de contrôler l'état du canal.
Les caractéristiques statiques en inverse du JFET sont montrées sur la Fig. 2.10
◦
à des température comprises entre la température ambiante et 300 C.
Sur les gures précédentes, on peut constater que le courant inverse du
JFET circule même si la tension Vgs est inférieure à la tension de pincement,
parce que une diode interne existe entre drain et source. On peut distinguer
deux (chemins) pour le courant en inverse selon la valeur de tension Vgs ap-
pliquée : pour les faibles valeurs de Vds, le courant va circuler principalement
64 distribution
Fig. 2.8 Schéma de caractéristique statique montrant les trois régimes de
fonctionnement en statique direct.
Fig. 2.9 Caractéristiques statiques en polarisation inverse du JFET-SiCED

à la température ambiante pour VGS compris entre 0 V et -36 V.
dans le canal de conduction, et quand cette tension Vds dépasse la tension

de diusion de la jonction PN de la diode interne (Vbi ), le courant inverse
va commencer à circuler à travers la diode interne. En outre, l'augmentation
de la température va diminuer le courant inverse, parce que la conductivité
du canal du JFET diminue. Pour bloquer complètement le canal en mode de
polarisation inverse, une tension Vgs inférieure à la tension de seuil Vto doit
être appliquée.
Fig. 2.10 Caractéristiques statiques en polarisation inverse du JFET-SiCED

à 300 ◦ C pour VGS compris entre 0 V et -36 V.
2.3.3.2 Caractérisation dynamique

Le régime de commutation est le régime transitoire pour passer d'un état
bloqué à l'état passant et vice-versa pour le JFET. Le JFET peut être carac-
térisé en régime dynamique dans un circuit de commutation sur charge R-L
(résistive et inductive). Cela permet d'extraire de nombreuses informations
sur le comportement du composant en commutation (surtension, fréquence
des oscillations,...). Ensuite, à partir de la modélisation du circuit de test, il
est possible d'identier les paramètres physiques du JFET [Ris07] ou de tout
autre composant en commutation.
La commutation ne peut pas être instantanée car il y a une constante de

temps qui dépend de la charge, de l'inductance et des capacités internes de
transistor JFET. On peut caractériser le retard en commutation par quatre
grandeurs temporelles : td (o ), tr , td (on) et tf . décrites sur les Fig. 2.13,
Fig. 2.14. Nous utiliserons les dénitions utilisées sur les data-sheets de MOS-
FET de puissance.
td (o ) le temps de retard : l'intervalle de temps entre 10% de Vgs et

10% de Vds.
tr le temps de montée : le temps de croissance de Vds pour atteindre
une valeur de 90% de sa valeur nale.
td (on) le temps de retard : l'intervalle de temps entre 90% de Vgs et
90% de Vds.
tf le temps de décroissance : le temps de décroissance de Vds pour
atteindre une valeur de 10% de sa valeur initiale.
66 distribution
300 6
250 5
200 4
Vds [V]
Ids [A]
150 3
100 2
50 1
0 0
-50 -1
-3 -2 -1 0 1 2 3
Temps [us]
Fig. 2.11 Les formes d'ondes du courant IDS et de la tension VDS à la

fermeture du transistor JFET-SiC à la température 25 ◦ C et pour une tension
VDS = 300 V.
500 6
5
400
4
300
Vds [V]
3
Ids [A]
2
200
1
100
0
0 -1
-3 -2 -1 0 1 2 3
Temps [us]
Fig. 2.12 Les formes d'ondes du courant IDS et de la tension VDS à l'ouver-
ture du transistor JFET-SiC à la température 25 ◦ C et pour une tension VDS
= 300 V.
2.3.4 Applications réalisées à base du JFET-SiC

Depuis le début de l'époque des composants de puissance et jusqu'à au-
jourd'hui, la plupart des composants ont été fabriqués en silicium. Le nombre
de ces composants est important dans les applications de puissance, dans
les domaines du transport (aéronautique, automobile,..) et de la conversion
d'énergie. Ces domaines imposent des contraintes très sévères comme la haute
température, la haute tension, la haute fréquence et la forte densité de courant.
Fig. 2.13 Les formes d'ondes de courants et de tensions du transistor JFET

durant l'ouverture du transistor pour une tension VDS = 250 V.
An d'utiliser les composants en Si sous de telles contraintes, il est nécessaire

d'utiliser des systèmes de refroidissement volumineux et de placer un grand
nombre de composants en série et en parallèle. Cela se traduit par un grand
volume et une grande masse du système global [Ela02].
L'utilisation des composants SiC permet une importante réduction du vo-

lume et de la masse du système et aussi de monter en température, grâce
aux propriétés physiques et électriques du SiC. L'utilisation de composants
68 distribution
Fig. 2.14 Les formes d'ondes des courants et tensions du transistor JFET
durant la fermeture du transistor pour une tension VDS = 250 V.
en SiC devrait permettre un meilleur rendement global et une réduction de la

consommation d'énergie, caractéristiques importantes pour un système des-
tiné à s'insérer dans le réseau de distribution
Nous allons à présent passer en revue des démonstrateurs basées sur le

transistor JFET-SiC an de montrer ses potentialités :

◦
Le premier bras d'onduleur fonctionnant à 300 C réalisé au laboratoire
Ampère [Ber05] : les interrupteurs utilisés sont des JFET-SiCED (1200 V -
2 A). La Fig. 2.15 représente un montage pour évaluer les performances du
bras d'onduleur à JFET. Cette expérience sert à démontrer la faisabilité de
convertisseurs SiC pour les applications électroniques à haute température. A
noter que ce bras a été réalisé sans diode de roue libre, en protant de la diode
interne du JFET.
JFET 1
V C L
IGBT I
JFET 2
Fig. 2.15 Schéma pour la caractérisation d'un bras d'onduleur.

D'après [Ber05]
Les pertes totales estimées pour ce bras sont la somme des pertes en com-
mutation mesurées et les pertes en conduction calculées, en prenant en consi-
dération l'inuence de la température et pour un courant nominal de 0,5A.
La Fig. 2.16 montre la variation des pertes totales en fonction de la fréquence
pour diérentes températures. Cette expérience montre la possibilité d'utili-
ser les JFET dans un bras d'onduleur jusqu'à des fréquences de l'ordre de
100 kHz.
Le laboratoire Ampère, en collaboration avec le groupe SAFRAN, a ensuite
◦
réalisé un onduleur triphasé fonctionnant à 200 C, [Ber08]. Cet onduleur,
réalisé avec six JFET-SiCED (1200 V - 15 A) fonctionne pour une tension
de 540 VDC, et délivre un courant de charge de 15 A crête à la fréquence de
10 kHz.
Toujours à partir du JFET-SiC un hacheur dévolteur a été réalisé avec un
JFET-SiC et une diode Schottky SiC par Kelley [Kel05]. Le type de JFET
utilisé est de type normalement ouvert avec une tenue de tension de 600 V.
Ce montage tend à montrer la relation entre le rendement du JFET et la
température. Kelley a montré que le rendement diminue avec l'augmentation
de la température. Ici, la plupart des pertes sont dûes à la diode Schottky-SiC
à haute température.
Un onduleur triphasé de 4 kW a été réalisé par Cilio [Cil07]. Ce montage
70 distribution
Fig. 2.16 Estimation des pertes totales d'un bras d'onduleur à JFET en
fonction de la fréquence. D'après [Ber05]
V JFET I L
Vin SBD C Vo
Fig. 2.17 Schéma du montage hacheur dévolteur utilisé par Kelley.
est fabriqué en utilisant la technologie MCPM (MultiChip Power Module) où

les deux parties commande et puissance sont intégrées dans le même module.
Chaque interrupteur dans ce prototype est constitué de deux JFET-SiCED
(1200 V - 5 A) en parallèle, connectés avec deux diodes Schottky-SiC (600 V
- 4 A) de CREE. Ce test tend à montrer la fonctionnalité de ce module à des
températures élevées. Cet onduleur fonctionne avec une tension de 600 VDC
◦
et la température de 250 C est imposée par l'extérieur, c'est à dire que la tem-
◦
pérature du JFET excède 300 C. La Fig. 2.18 montre le schéma équivalent
de ce module.
Un convertisseur DC-DC bidirectionnel de 20 kW a été réalisé par Aggeler

[Agg07], voir Fig. 2.19 Ce convertisseur est un démonstrateur pour des ap-
plications de distribution d'énergie électrique, c'est un système Back To Back
(BTB), c'est-à-dire réversible, de 6.6 kV. Trois modules de JFET-SiC ont été
utilisés en série dans ce montage. Chaque module est composé de deux JFET-
SiC (1500 V - 8 A) de SiCED en série et de deux en parallèle. Deux modules
sont de type normalement fermé et le troisième de type normalement ouvert
(montage cascode). La connexion en série de ces trois modules correspond à
+
a
b
c
Fig. 2.18 Schéma équivalent de l'onduleur triphasé MCPM.[Cil07]
une résistance à l'état passant de 1,35 Ω. Les pertes totales mesurées pour
une puissance de 20 kW et une fréquence de 50 kHz étaient de 149 W. Dans
le cas où les interrupteurs utilisés sont des IGBT-Si, et pour une puissance
de 10 kW avec une fréquence de 20 kHz, les pertes totales mesurées étaient
de 336 W. On voit ici l'avantage des JFET-SiC sur les IGBT-Si dans le cas
d'une application haute tension (6kV). Ces mesures ont été utilisées pour éva-
Fig. 2.19 Schéma de principe du convertisseur DC-DC 20 kW réalisé par

Aggeler.[Agg07]
luer les performances du convertisseur-SiC pour une application de 1 MW.

En utilisant les modules des JFET-SiC, ce système peut être réalisé avec 50
convertisseurs à une fréquence de 50 kHz. Dans ce cas, les pertes en conduction
calculées sont de 4,5 kW, les pertes en commutation peuvent être négligées.
En utilisant des IGBT-Si, le nombre de convertisseurs nécessaire est double
(100 convertisseurs), les pertes en conduction sont de 18.9 kW et les pertes en
commutation sont 9 kW et cela pour une fréquence de 20 kHz. Par conséquent
ce convertisseur de 1 MW peut être réalisé à partir des JFET-SiC avec un ren-
dement plus élevé que celui des IGBT-Si (99% dans le cas des JFET- SiC et
97% dans le cas des IGBT-Si), ce qui fait des JFET-SiC de bons candidats
72 distribution
pour les applications d'interconnexion de réseaux HVDC, par exemple.
Un correcteur de facteur de puissance (PFC) triphasé de 2 kW avec une
fréquence de 150 kHz a été réalisé par Cass [Cas07]. Pour réaliser ce système,
des transistors JFET-SiC (1200 V 5 A) de type normally-on fabriqués par
SiCED ont été utilisés avec des diodes Schottky-SiC. La Fig. 2.20 montre
un schéma équivalent de ce système. La réalisation de ce circuit a été faite
pour une application de 5 A (courant continu de sortie) et de 400 V (tension
continue de sortie). Pour une puissance d'entrée de 2,0 kW, la puissance de
sortie mesurée était de 1,8 kW, cela signie que le rendement dépasse 91%.
La démonstration de ce convertisseur avec des transistors JFET-SiC, et pour
une telle fréquence, montre la capacité de ces transistors à fonctionner dans
les applications haute fréquence.
Fig. 2.20 Schéma électrique équivalent du PFC triphasé réalisé avec des
transistors JFET-SiC et des diodes Schottky-SiC.[Cas07]
2.3.5 Comparaison JFET-SiC avec les composants Si

De nos jours la majorité des composants de puissance utilise le silicium.
Il est donc intéressant de comparer les caractéristiques des nouveaux
matériaux à celles du silicium pour en voir les avantages.
Pour les grandes puissances, le thyristor et le GTO (Gate Turn O thy-
ristor) sont les plus appropriés mais ils restent limités à une faible fréquence
d'utilisation (fmax ≈ 1-2 kHz). Pour les applications avec une fréquence de
commutation élevée, les MOSFET auront la supériorité dans la famille Si.
Avec des fréquences moyennes, on retrouve les IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor) voire les transistors bipolaires (BJT). En pratique, de nos jours, les
BJT ont été pratiquement remplacés par l'IGBT et dans certains cas le thy-
ristor aussi. Le choix se fait plus facilement puisqu'on retrouve trois groupes :
la famille des thyristors (bipolaire) pour les très grandes puissances, les MOS-
FET pour les applications hautes fréquences et les IGBT (conduction mixte)
pour les puissances moyennes et les fréquences moyennes.
La première limitation des composants en silicium concerne les applica-

tions très hautes tensions (>10 kV). En eet pour les réseaux de distribution
électrique, ou des applications spécialisées nécessitant des tensions très élevées,
l'utilisation de plusieurs composants Si en série est nécessaire. Cette mise en
série a plusieurs inconvénients : des pertes à l'état passant importantes et une
commande très complexe an de faire commuter tous les composants en même
temps.
Le second inconvénient provient de l'impossibilité de fonctionnement à

◦
haute température. En eet, au-delà de 150 C les courants de fuites sont
beaucoup trop élevés d'une part, et les pertes à l'état passant augmentent
aussi.
Par contre, le JFET-SiC n'a de limite en température que celle imposée

par la métallisation de la puce, de làluminium et du packaging. En eet, le
matériau SiC résiste à des températures bien supérieures à la température de
fusion de l'aluminium.
Dans la partie qui suit, une comparaison entre JFET, BJT de famille de
SiC et IGBT en Silicium est présenté d'après les travaux de W. Franke [Fra09].
Ensuite, une étude menée par nous même compare un module IGBT-Si du
commerce à un module imaginaire fait de 40 puces de JFET-SiC (ces puces
sont disponibles aujourd'hui sous forme d'échantillons).
2.3.5.1 Comparaison entre la performance du JFET-SiC, BJT-SiC

et l'IGBT-Si
Une comparaison entre le JFET-SiC (SiCED [SiC08]) , le BJT-SiC (Bit-
SiC1206 from TranSiC [Tra08]) et un IGBT-Si (IKW08T120, Inneon) (1200 V,
8 A)[AG07]) a été réalisée par W.Toke Franke. Les trois composants ont une
tension de blocage identique de valeur 1200 V. Les dimensions des puces du
JFET et du BJT sont identiques, pour l'IGBT la puce est légèrement plus
grande. Alors que les deux puces de SiC sont montées dans un boitier TO-
220, l'IGBT est monté dans un boitier TO-247. Bien que les paramètres des ces
composants ne soient pas absolument identiques, en raison de la disponibilité,
ils sont assez similaires pour cette comparaison.
Par conséquent, les pertes totales de IGBT, BJT et JFET sont dénies
comme les pertes en commutation et conduction, les pertes dans le driver
sont prises en compte.
74 distribution
L'IGBT possède une chute de tension à l'état passant qui peut se décom-
poser en deux composantes :
vCE = VCE,sat + rCE,on .iC
Les pertes de conduction de IGBT sont calculées par cette équation :
PIGBT,con = VCE,sat .iC + rCE .i2C
Fig. 2.21 Comparaison des pertes totales pour BJT, JFET et IGBT sous
les conditions suivantes : 150 ◦ C, 40 KHz, 6 A, 600 V. [Fra09]
La Fig. 2.21 montre la distribution des pertes totales du puissance pour

les trois composants, ces mesures sont eectués sous les conditions suivantes :
150 ◦ C, 40 kHz, 6 A, 600 V. Toujours à partir de la Fig. 2.21. Les pertes de
IGBT sont les plus faibles en mode de conduction, le JFET possède les pertes
les plus faibles en mode de commutation, les pertes du BJT sont similaires
en mode de commutation et conduction si les pertes du driver sont ajoutées
à celles de commutation.
Conclusion : Cette étude montre que les pertes totales pour le BJT sont les
plus faibles, et que celle de l'IGBT-Si sont les plus importantes. On remarquera
que le point de fonctionnement (fréquence, courant et tension) a été choisi
en fonction du BJT. En eet, d'une part le calibre en courant et la tension
correspondent exactement aux caractéristiques nominales du BJT, d'autre
part la fréquence est un peu élevée pour l'IGBT et trop faible pour utiliser le
potentiel du JFET. Il serait plus instructif de faire une comparaison à courant
et fréquence variable et à tension de claquage identique. Car, si un réseau de
distribution impose la tension, la fréquence de commutation des convertisseurs
est un degré de liberté qu'il faut explorer. Le calibre en courant, imposé par
la charge, est une aaire de mise en parallèle. Aussi nous avons fait l'étude
présentée dans le paragraphe suivant.
2.3.5.2 Module de JFET fort courant

Nous étudions ici un module ctif utilisant 40 puces de JFET-SiC connec-
tées en parallèle, que nous comparerons à un module IGBT-Si [Sem05] de ca-
libre équivalent. Le choix de 40 puces correspond à ce que nous pensons être
une égalité de prix d'achat (IGBT/JFET) d'après des informations orales re-
cues de représentants de SiCED, fabricant de FET. Nous estimerons les pertes
en commutation et en conduction en fonction de la fréquence et du courant à
125 ◦ C. Cette température est la limite pour l'IGBT alors que le JFET pour-
rait fonctionner à plus haute température. Cependant, pour pouvoir comparer
deux solutions à abilité d'assemblage égale, nous devons choisir une tempé-
rature maximale dans la gamme industrielle.
Cette comparaison à pour but d'étudier les opportunités de remplacer les

modules IGBT-Si par des modules à JFET-SiC dans des applications de forte
puissance à coûts en Euro/Ampère supposés identiques. Bien sûr on pourra
augmenter le nombre de puces JFET pour réduire la résistance à l'état passant.
Les paramètres du module IGBT-Silicium sont les suivants : VCES = 1200 V,

VCE(sat) = 2.2 V, IC (max) = 1200 A.
Les paramètres d'une puce unique de JFET-SiC sont les suivantes : VDS = 1200 V,
max
IDS = 45 A, valeurs mesurées à Ampère. Les conditions de notre comparaison
sont :
Tension appliquée aux bornes du composant sous test : 500 V,

Courant traversant dans le composant sous test : 300 A à 900A, 1000 A,
◦
Les deux composants sont à une température de : 125 C.
Chaque JFET dans ce module va supporter un courant d'une valeur 25 A,

valeur nominale pour les puces actuelles, nous aurons donc 40 puces connectés
en parallèle pour supporter un courant total égal à 1000 A, c'est-à-dire la même
valeur que pour le module IGBT-Si.
La Fig. 2.22 montre les caractéristiques statiques du module de 40 JFET

◦
et l'IGBT à la température de 125 C, calculées à partir de mesures faites au
traceur sur un seule puce de JFET d'une part, et à partir du datasheet pour
l'IGBT.
La gure précédente montre que la chute de tension sera plus importante

pour le module à JFET pour des valeurs de courant : supérieures à 550 A.
Un paramètre autre que le courant est à prendre en compte : la fréquence de
commutation.
76 distribution
3
JFET
2,5 IGBT
2
I [kA]
1,5
0,5
0
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5
V [v]
Fig. 2.22 Les caractéristiques statiques calculées pour le module de 40 JFET

et l'IGBT à la température de 125 ◦ C.
◦ ∗ ∗∗
à 125 C JFET-SiC IGBT-Si
tOn (ns) 35 220
tOf f (ns) 30 200
Tab. 2.2 Valeurs à 125 ◦ C pour une tension VDC = 500 V et à courant
nominal
(∗ : mesuré au laboratoire Ampère, ∗∗ : d'après le datasheet de l'IGBT)
Les pertes en commutation : On peut simplier et réduire les commuta-

tions à deux paramètres minimalistes : la durée de la mise en conduction (tOn )
et la durée de l'ouverture (tOf f ). A l'aide des caractéristiques (datasheet) de
l'IGBT et de mesures faites au laboratoire sur le JFET, nous avons déterminé
les valeurs présentées dans la Tab. 2.2
La Fig. 2.23 décrit une modélisation simple de la commutation, utilisée

pour le JFET et l'IGBT. Ici, le recouvrement de la diode de roue libre n'est pas
pris en compte. Nous pouvons calculer les pertes en commutation en fonction
de la fréquence f, de la tension d'alimentation V, du courant commuté I et des
temps de commutation tOn et tOf f :
à la fermeture :
t on
Fig. 2.23 Forme d'onde simpliée durant la fermeture d'un transistor.
com 1
PON = .V.I.tOn .f
2
à l'ouverture :
com 1
POF F = .V.I.tOf f .f
2
com
d'où des pertes totales en commutation (Ptot ) somme des pertes en com-
mutation à l'ouverture et à la fermeture :
Pour le module JFET qui contient 40 puces :
com com com

Ptot−JF ET = 40.(PON −JF ET + POF F −JF ET )
pour le module IGBT :
com com com

Ptot−IGBT = PON −IGBT + POF F −IGBT
et la Fig. 2.24 montre les pertes totales en commutation pour le module

de 40 JFET et l'IGBT en fonction de la fréquence pour des valeurs de courant
ègales à 300 A, 600 A et 900 A.
Par comparaison, le module de 40 JFET possède les pertes les plus faibles
en commutation. Les pertes en commutation de l'IGBT sont élevées et dé-
nissent une limite en hautes fréquences. A pertes en conduction constantes, le
module de JFET est plus ecace pour les applications hautes fréquences.
Les pertes en conduction :

78 distribution
5
IGBT(900A)
Pert es - Commut at ion [kW] IGBT(600A)
4 IGBT(300A)
JFET(900A)
JFET(600A)
3 JFET(300A)
0
1 10 100
Fréquence [kHz]
Fig. 2.24 Les pertes en commutation en fonction de la fréquence pour une

gamme du courant 300 A, 600 A et 900 A à 125 ◦ C, ces pertes sont calculées
à partir des équations ci-dessus
Module virtuel à JFET Pour calculer les pertes en conduction pour le

JFET, nous allons utiliser les équations suivantes (en prenant en considération
que RON est pour un seul JFET dans le module de 40 puces en parallèle, le
courant d'une puce JFET seule est 25 A) :
con 2
PJF ET = RON .Ief f
et les pertes totales en conduction pour le module de 40 JFET :
con 2
Ptot−JF ET = 40.RON .Ief f
où :
RON , Ief f : sont la résistance à l'état passant et le courant ecace d'un
seul JFET respectivement.
Module IGBT industriel Ici on appelle IGBT un module industriel

entier.
con 2
PIGBT = Rint .Ief f + VCE,sat .Imoy
où : VCE,sat et Rint sont la tension de seuil de l'IGBT et la résistance

dynamique observés sur la caractéristique statique, voir La Fig. 2.25
Fig. 2.25 Caracteristiques statiques du module IGBT.
Comparaison des pertes en conduction : IGBT-module JFET

La Fig. 2.26 montre les pertes en conduction pour le module de 40 JFET et
l'IGBT en fonction du courant commuté. On voit que les pertes en conduc-
tion évoluent diéremment pour l'IGBT et le JFET. Ceci est dû à la nature
purement résistive des JFET et à la présence d'une tension de seuil pour les
IGBT.
3,5
IGBT
Pert es en conduct ion [kW]
3 JFET
2,5
1,5
0,5
0
0 200 400 600 800 1 000
Courant [A]
Fig. 2.26 Les pertes en conduction du module JFET et de l'IGBT en fonction

du courant commuté sous 500V, à 125 ◦ C.
80 distribution
Les pertes de commande An de calculer les pertes de commande, nous
simplions le driver à son seul étage de sortie connecté à un condensateur xe,
équivalent à la capacité de la grille des composants commandés. La charge
d'un condensateur à travers une résistance dissipe autant d'énergie qu'il en
est stockée, à l'arrivée, dans le condensateur. L'énergie stockée est ensuite
dégradée à chaque période de commutation.
Les pertes du driver sont calculées selon l'équation suivante :
2
Pdriver = c.vdriver .f
Commande de grille unipolaire, entre vdriver et zéro.
où f est la fréquence de commutation,
vdriver , la tension appliquée en sortie du driver.
et c, le condensateur équivalent à la capacité de la grille.
c est un condensateur xe qui appelle le même courant pic que la Grille
du JFET en fonctionnemnet normal. c permet de faire des calculs approchés
sans prendre en compte les variations des capacitées du JFET et permet aussi
de tester et caractériser les drivers de JFET de façon normative.
La Fig. 2.27 montre les pertes de commande pour le module JFET et
◦
IGBT en fonction de la fréquence, à la température 125 C. A partir de cette
gure, nous pouvons dire que les pertes de commande dans le cas du module
de JFET sont plus hautes. Ceci est dû à la diérence de tension de pincement
des IGBT et des JFET et à la diérence de capacité d'entrée.
Fig. 2.27 Les pertes de commande des modules à JFET et IGBT en fonction
de la fréquence à la température 125 ◦ C.
Les pertes totales : Nous allons calculer les pertes totales pour le module
de JFET et l'IGBT en fonction du courant et de la fréquence an de pouvoir
faire une comparaison générale, non dépendante d'une application. Par consé-
quent, les pertes totales sont la somme de toutes les pertes de (commutation,
conduction et driver) :
1 2 2
Ptot−JF ET = 40.( .V.Imoy .(tOn + tOf f ).f + RON .Ief f + c.vdriv .f )
2
où :
f est la fréquence de commutation,
Imoy : la valeur moyenne du courant d'un seul JFET,
Ief f : la valeur ecace du courant d'un seul JFET,
c : la capacité équivalente de la grille d'un seul JFET,
vdriv : la tension de driver.
et pour l'IGBT :
1 2 2
Ptot−IGBT = .V.Imoy .(tOn + tOf f ).f + Rint .Ief f + VCE,sat .Imoy + c.vdriv .f
2
La Fig. 2.28, la Fig. 2.29, la Fig. 2.30, et la Fig. 2.31, montrent les
résultats de cette comparaison :
7
IGBT(100kHz)
6 IGBT(10kHz)
Pert es t ot ales [kW]
IGBT(1kHz)
5 JFET(100kHz)
JFET(10kHz)
4 JFET(1kHz)
0
0 200 400 600 800 1 000
Courant [A]
Fig. 2.28 Les pertes totales en fonction du courant pour une gamme de
fréquence (1 kHz, 10 kHz et 100 kHz) à 125 ◦ C.
82 distribution
6
IGBT(300A)
JFET(300A)
5
0
1 10 100 1 000
Fréquence [kHz]
Fig. 2.29 Les pertes totales en fonction de la fréquence pour une valeur de
courant : 300 A à 125 ◦ C.
12
IGBT(600A)
10 JFET(600A)
0
1 10 100 1 000
Fréquence [kHz]
courant : 600 A à 125 ◦ C.
En conclusion, d'après la Fig. 2.32, les pertes dans le module IGBT sont
plus importantes que dans le module JFET quand la fréquence est haute.
Par contre, lorsque l'on se trouve dans la gamme haute du courant, l'IGBT
retrouve des performances meilleures si on réduit la fréquence. C'est donc le
16
IGBT(900A)
14 JFET(900A)
12
10
0
1 10 100 1 000
Fréquence [kHz]
courant : 900 A à 125 ◦ C.
choix de la fréquence qui va être discriminant, avec ses conséquences sur le

volume des inductances et condensateurs.
Fig. 2.32 Les pertes totales en fonction de la fréquence pour les modules
JFET-SiC et IGBT-Si à 125 ◦ C.
84 distribution
2.4 Discussion autour la possibilité d'utiliser le
JFET-SiC dans des applications de réseau
de distribution
Actuellement, environ 30% de toute la puissance électrique produite tran-

site par un système de l'électronique de puissance, quelque part entre le point
de production et son utilisation nale. En 2030, il est prévu que ce chire
progresse jusqu'à 80%. La production d'électricité au 21ème siècle verra des
changements spectaculaires à la fois au niveau de l'infrastructure matérielle
et au niveau du contrôle du réseau.
Le JFET en SiC devrait trouver sa place en raison de ses pertes faibles par
rapport aux dispositifs de puissance en Silicium aujourd'hui ou de sa capacité
à fonctionner à fréquence élevée. Cela permettra de réduire les dimensions
du système. Le problème du JFET est sa particularité à être normallement
passant, mais ceci parait un faible inconvénient par rapport aux avantages
annoncés.
Du point de vue perspective industrielle, l'économie est l'aspect principal.
Quant à l'HVDC, le refroidissement est important, et des économies consi-
dérables peuvent être réalisées en raison de faibles pertes d'un interrupteur
SiC. Une puce JFET en SiC coûtera toujours plus que le dispositif similaire
en Silicium à cause du coût du matériaux de base. Mais, le gain en énergie
perdue, dans un monde où l'énergie coûtera de plus en plus cher, devrait ba-
lancer l'investissement initial et rendre rentable des installations utilisant le
SiC sur la durée d'exploitation.
2.5 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons présenté les avantages possibles d'utiliser les
composants de puissance à base de SiC par rapport aux composants en Si, avec
pour objectif des applications directement connectées au réseau de distribution
électrique. Dans ce type d'applications, les propriétés remarquables du SiC
mises à prot sont la conductivité thermique et la tenue en tension associée à
de faibles résistances passantes. La capacité à fonctionner à haute température
n'est pas utile dans les conditions normales d'exploitation. Par contre lors
de transitoires sur les réseaux, dûs à des manoeuvres d'origine humaine ou
suite à des surcharges ou, plus naturellement, suite à des chocs de foudre, la
robustesse des composants en SiC est un atout. Le chapitre qui suit, aborde
cette problématique.
Chapitre 3
Impact d'un choc de foudre
Sommaire
3.1 Le JFET sous un choc de foudre . . . . . . . . . . . . 86
3.1.1 Normalisation de choc . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87

3.1.2 Générateur d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 89
3.1.3 Onduleur soumis à une surtension produite par un choc
de foudre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 91
3.2 Dispositif expérimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.2.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 93
3.2.2 Calibration du paramètre thermo-sensible . . . . . . . 95
3.2.3 Séquence de commutation des interrupteurs K1 , K2 , K3
et K4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 99
3.2.4 Moyen de mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101
3.3 Validation Expérimentale et Mesures . . . . . . . . . 102
3.3.1 Mesure en direct . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102

3.3.2 Mesure en inverse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
3.3.3 Vérication et comparaison de la détection thermique
expérimentale par la simulation . . . . . . . . . . . . . 111
3.4 Problématique de l'expérience . . . . . . . . . . . . . . 113
3.4.1 CEM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113

3.4.2 Description de la tension appliquée par le générateur . 116
3.5 Discussion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117
3.1 Le JFET sous un choc de foudre
Les réseaux électriques sont de plus en plus interconnectés entre eux et en

particulier avec de nouveaux systèmes de production d'énergies renouvelables.
Intrinsèquement lors d'un choc de foudre sur un convertisseur, les composants
de puissance sont conducteurs ou bloqués. Ainsi, le choc de foudre dépend
du composant, mais c'est principalement une caractéristique du matériau.
3.1. Le JFET sous un choc de foudre 87
Toutefois, aujourd'hui seuls les JFET en SiC sont facilement disponibles. Nous
nous sommes donc concentrés sur ce composant. Les JFET en carbure de
silicium pourraient être utilisés dans les onduleurs de couplage pour augmenter
le rendement de ces systèmes. C'est pourquoi nous nous sommes penchés sur
la problématique du choc de foudre sur ce composant dont les caractéristiques
issues du SiC promettent une robustesse accrue par rapport aux composants
classiques comme l'IGBT en silicium.
Dans ce chapitre, nous allons montrer la possibilité d'utiliser les JFET en
SiC dans un convertisseur directement relié au réseau de distribution. Ceci im-
plique de prévoir un ensemble de protections contre les agressions électriques
externes, en particulier les chocs induits par la foudre.
Ainsi, nous allons présenter dans ce chapitre, premièrement la norme qui
montre les paramètres principaux du choc de foudre, puis le générateur de
choc qui est réalisé pour produire un choc compatible avec la norme interna-
tionale, deuxièmement, un dispositif expérimental pour soumettre le JFET à
un choc de foudre et estimer la température durant le choc. Enn, les résultats
expérimentaux obtenus sont confrontés à une tentative de modélisation.
3.1.1 Normalisation de choc

Nous allons expliquer dans cette petite introduction les paramètres prin-
cipaux d'un choc de foudre, puis les normes internationales relatives à ce
phénomène.
Les paramètres principaux qui représentent le choc de foudre sont :
La polarité ;
Le temps de montée (temps de front) ;
Le temps de décroissance (le temps de queue) ;
Valeur de crête du courant ou de le tension ;
L'énergie spécique.
La forme d'onde de foudre selon le norme peut être décrite par cette équa-
tion :
une onde unidirectionnelle modélisée par la somme de deux fonctions ex-
ponentielles, pour la tension à vide et pour le courant de court-circuit.
V(t) = Vmax .(e−αt − e−βt )
I(t) = Imax .(e−αt − e−βt )
V(t) et I(t) sont respectivement les tensions et courants dans la ligne d'ali-
mentation. Les coecients α et β peuvent être donné directement. Le temps de
montée est entre 10% et 90% de la valeur maximale et la durée de décroissance
à 50% de cette valeur, voir la Fig. 3.2.
88 Chapitre 3. Impact d'un choc de foudre
On peut citer les normes spéciques à la foudre concernant la mise en

oeuvre des protections :
Norme NFC 17-100 : (Protection contre la foudre - Installations de pa-

ratonnerre) ;
Guide UTE C 15 - 443 : (Guide pratique : protection contre les surten-

sions d'origine atmosphérique) ;
CEI 1024-1 : (Protection des structures contre la foudre) ;
Norme NFC 17-102 (Protection des structures et des zones ouvertes

contre la foudre) ;
Norme CEI 801-5 (Section CEI 1000 -4) (Compatibilité électromagné-

tique).
Nous avons fait appel à la simulation pour mettre au point un générateur de

choc de foudre. Il produira une onde 1,2/50 µs, d'après la Norme : CEI 801-5
Compatibilité électromagnétique des équipements électriques et électroniques,
Partie 5 : Prescriptions relatives à l'immunitées aux ondes de choc. [Hir]
Norme CEI 61000 -4-5 Compatibilité électromagnétique (CEM) Partie

4-5 : Techniques d'essai et de mesure Essai d'immunité aux ondes de choc.
Norme CEI 801-5 : Ce projet de norme "de base" international dénit

des méthodes d'essai et propose plusieurs niveaux d'essai d'immunité vis-à-
vis des ondes de choc provoquées par des surtensions dues à la foudre ou aux
manoeuvres.
Par la suite, des normes "génériques" spéciant le niveau d'essai qui doit
être tenu par tous les équipements destinés à être exploités dans un environ-
nement donné ou des normes "de produits" spéciant le niveau d'essai qui
doit être tenu par le produit ou la famille de produits concernée, se référeront
à cette norme "de base" pour la méthode d'essai.
3.1.1.1 Niveaux d'essai

La norme CEI 801-5 prévoit les niveaux d'essai suivants : 500 V, 1 kV,
2 kV, 4 kV, et X (classe ouverte pouvant être employée pour la spécication
de produits).
En eet, la norme CEI 801-5 (1991) est remplacé par le norme CEI 61000
-4-5 (2009) qui a les niveaux d'essai suivants : ± 1 kV en mode diérentiel et
± 2 kV en mode commun.
Nous avons choisi la norme CEI 61000 -4-5 dans notre travail car elle
correspond au cas d'un onduleur relié au réseau mais pas exposé directement
en plein air.
3.1.2 Générateur d'essai

Cette norme dénit l'utilisation de générateurs présentant les caractéris-
tiques suivantes :
1. Ondes de tension avec 1,2 µs de durée du front et 50 µs de durée jusqu'à

la mi-valeur (tension à vide) ;
2. Ondes de courant avec 8 µs de durée du front et 20 µs de durée jusqu'à

la mi-valeur (courant court-circuit).
Nous avons construit un générateur d'ondes (1,2/50) µs suivant le schéma

de principe de la Fig. 3.1
Le principe est celui de la décharge d'un condensateur pré-chargé, dans un
circuit R-L. L'interrupteur est un IGBT qui doit tenir la tension, jusqu'à 2 kV
et la valeur maximale de pic de courant : 150 A environ lors de caractérisation
en court-circuit.
K1 R2 L
+
C R1 R3
Fig. 3.1 Schéma de principe du générateur d'ondes combinées (hybride)[Hir]
Valeurs du générateur de choc déterminées par simulation :
C = 5 µF, L = 50 µH,
R1 = 16.5 Ω, R2 = 11 Ω, R3 = 66 Ω.
C : Condensateur de stockage d'énergie ;

R1 et R3 : Résistances déterminant la durée de l'impulsion ;
R2 : Résistance d'adaptation d'impédance ;
L : Inductance déterminant le temps de montée.
Les valeurs de ce générateur de choc sont déterminées en utilisant un simu-

lateur électrique (Logiciel Simplorer 8), les valeurs ainsi trouvée sont montrées
à la Fig. 3.1
Le résultat de la simulation du générateur à vide est donné sur la gure

suivante Fig. 3.2.
(a)
(b)
Fig. 3.2 Résultat de simulation. Onde de choc de foudre : (a) courant à
court-circuit et (b) tension à vide

Valeur pic à vide : 1360 V,
Valeur pic en Court-circuit : 117 A,
T1 = Temps de montée,
T2 = Temps de descente.
3.1.3 Onduleur soumis à une surtension produite par un

choc de foudre
L'onduleur est un onduleur de tension à JFET en SiC, rappelons que les
onduleurs de tension sont des convertisseurs directs tension-courant alimen-
tés par une source de tension continue, généralement réversible en courant, au
moins de manière instantanée, et permettant, à leur tour, d'alimenter en ten-
sion alternative des charges ayant un comportement de source de courant.
Pour la connexion d'un onduleur à un réseau il y a 2 cas : 1-le réseau est
continu auquel cas l'onduleur est connecté par le bus DC
2-le réseau est alternatif et l'onduleur est relié par les points ottants des bras
d'onduleurs.
Dans le cadre de l'impact d'un choc de foudre vis à vis des JFET, le
premier cas n'est pas à traiter car, côté continu, ce sont les condensateurs du
bus DC qui supportent en premier lieu le choc. Par contre, quand l'onduleur
est soumis à un choc de foudre sur le point milieu des bras, côté alternatif, ce
sont les interrupteurs de puissance qui sont directement sollicités. C'est donc
ce second cas que nous allons étudié.
Fig. 3.3 Bras d'onduleur à base de JFET-SiC soumis à un choc de foudre
du côté alternatif.
3.1.3.1 Hypothèses et cas de gure

On se référera à la Fig. 3.3. L'impédance du bus DC est faible : d'une part
la source de tension doit avoir une impédance Zr interne faible, d'autre part
le condensateur de bus, C, a une valeur élevée pour compenser la puissance
réactive de la charge et son impédance interne Zc, doit être faible. Cela se tra-
duit par l'hypothèse suivante : la source de tension continue vue par le bras
d'onduleur a une impédance susamment faible pour limiter les variations de

tension lors d'un choc de foudre. Par contre, coté alternatif, le bras d'ondu-
leur présente toujours une impédance faible car, soit le canal des JFET est
conducteur, soit la diode interne conduit. Pour cela on suppose que la tension
induite par le choc de foudre est suppérieure à la tension de bus. De ce fait, la
sortie de l'onduleur se comporte principalement comme un court-circuit et le
choc de foudre comme une source de courant. Les JFET ne sont pas sollicité
en avalanche, mais en courant, avec une tension aux bornes non nulle résultant
du passage d'un courant important dans les zones conductrices du JFET.
L'onde de choc de foudre peut avoir une polarité positive ou négative

lorsque elle frappe le bras de l'onduleur. Les 2 JFET du bras peuvent être
commandés à l'état conducteur (On) ou commandé à l'état bloqué (O ). Ceci
permet de remplir un tableau Tab. 3.1 qui comporte les six cas de gure
possibles. Au paragraphe suivant on simpliera ces 6 cas, à l'étude de trois
cas seulement.
3.1.3.2 Simplication
Le Tab. 3.1 est utilisé pour lister les six circuits correspondants de la Fig. 3.4.
En plus des hypothèses précédentes, nous devons prendre en considération

le fait que le JFET peut conduire un courant inverse par sa diode interne.
Donc une commande de JFET O ne signie pas qu'il n'y a pas de courant.
La polarité du choc de foudre va permettre la circulation d'un courant dans
un JFET, et si, dans le bras, le JFET opposé est commandé en conduction
commande JFET On, on aura un court-circuit de bras. La durée de ce court-
circuit sera égale à la plus petite des durées entre la commande du JFET et
la durée du choc de foudre. Dans le pire cas cela veut dire que le court-circuit
se maintient la durée entière du choc soit environ 200 µs. Nous n'étudierons
pas le court-circuit car ceci a déjà été réalisé par [Bou09].
Si l'on supprime les cas de court-circuit il reste :
1. La conduction de la diode interne uniquement, comme dans les cas (a)

et (b) ;
2. La conduction du canal uniquement, comme dans les cas (c) et (d) ;
3. La conduction de la diode interne et du canal à la fois, comme dans les

cas (e) et (f ).
Donc, nalement, trois cas à étudier.

3.2. Dispositif expérimental 93
Nom du cas a b c d e f
Polarité du choc + + +
commande JFET haut O O O On On O
commande JFET bas O O On O O On
Tab. 3.1 Les six cas possibles quand un choc de foudre est appliqué sur le
point ottant d'un bras d'onduleur à base de JFET-SiC
3.2 Dispositif expérimental
3.2.1 Principe
Nous nous proposons de transcrire au SiC les méthodes déjà utilisées pour
estimer les températures internes de composants de puissance en silicium. Le
principe est, premièrement, d'appliquer les surtensions produites par le géné-
rateur de foudre directement sur le composant JFET-SiC, pour diverses condi-
tions de polarisation du JFET, (les trois cas précédents), deuxièmement, de
1
mesurer un paramètre thermo-sensible (TSP ) an de calculer la température
interne du JFET pendant le choc.
Dans le but ultime de modéliser le phénomène de surcharge, nous avons

besoin de connaître la température de la puce du JFET lors du choc de foudre.
En eet, le courant circulant lors du choc est très largement supérieur au
courant nominal (x10) ce qui provoque une élévation rapide de la température.
Il est alors nécessaire de prendre en compte l'auto-échauement, c'est-à-dire
la température interne du composant.
En eet, la mesure de la température interne du JFET pendant le choc est

impossible par des moyens classiques, à cause de la grande rapidité du choc
de foudre, et de l'auto-échauemet du JFET. Nous avons utilisé une autre
technique, une l'image de la température.[Bla82]
Pour obtenir la température interne du dispositif lors d'un choc, pour les
trois cas cités, nous avons utilisé deux paramètres thermo-sensibles séparés
(TSP). Le choix de deux paramètres thermo-sensibles, en fonction de la po-
larisation de la grille du JFET permet de simplier l'expérience et de réduire
les erreurs possibles.
L'expérience utilise le paramètre thermo-sensible qui est directement dis-
1 Terme Anglais : Temperature-Sensitive Parameter

(a) (b)
(c) (d)
(e) (f)
Fig. 3.4 Les chemins possibles du courant de foudre appliqué à la sortie d'un
bras d'onduleur à base du JFET-SiC (la ligne en gras présente le chemin du
courant de choc)
ponible sur le JFET, sans aucune modication de la polarisation de la grille : la

résistance à l'état passant, ou la chute de tension directe dans la diode interne.
L'utilisation d'un seul paramètre signierait un changement de la polarisation
de la grille lors du choc, Cela pose le problème du contrôle des transitoires et
par conséquent la croissance de la complexité du circuit.
Premièrement, lorsque la polarisation de la grille du JFET est susante

négative, dans ce cas, aucun courant circule dans le canal, le dispositif est
équivalent à une diode PIN.
Deuxièmement, lorsque le JFET est activé (On), et la tension de la grille

est nulle, la diode interne est court-circuitée par la conduction du canal, sauf
à fort courant-inverse.
3.2.2 Calibration du paramètre thermo-sensible

Pour obtenir le prol de température régnant dans le JFET, il faut que
les paramètres thermo-sensibles soient calibrés avant l'expérience. Nous avons
utilisé un dispositif thermo-régulé externe (un bloc de cuivre régulé en tem-
pérature) pour chauer le JFET. Une température xe est appliquée sur le
JFET pendant un temps assez long pour atteindre l'équilibre thermique.
2,8
2,6
2,4 VGS=VTO
VF [V]
2,2
1,8
1,6
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
T [°C]
Fig. 3.5 Courbe de calibration du paramètre thermo-sensible qui permet de

mesurer la température régnant dans la diode interne du transistor : tension
entre source et drain du JFET dont la diode intrinsèque est polarisée en direct
par un courant de 200 mA, en fonction de la température.
Il faut au préalable eectuer une calibration à courant constant faible (in-

férieur à l'ampère), an d'éviter l'auto-échauement du JFET. Une phase de
calibration a été eectuée pour obtenir la fonction Vf = f (T ), où Vf corres-
pond donc à la chute de tension aux bornes de la diode interne du JFET du
le canal du JFET d'une façon séparée. Vf est donc au signe près la tension
drain-source.
Pour obtenir la courbe expérimentale de calibration de la diode intrinsèque
du JFET, nous allons polariser le JFET par un courant d'une valeur 200 mA en
0,8
0,6
VF [V]
VGS=0
0,4
0,2
0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
T [°C]
Fig. 3.6 Courbe de calibration du paramètre thermo-sensible qui permet de

mesurer la température régnant dans la canal du transistor : tension entre
drain et source du JFET dont le canal est polarisée en direct par un courant
de 300 mA, en fonction de la température.
mode inverse (polarisation négative sur le drain) par une source d'alimentation
continue HP 6652A (0 -20 V/0 -25 A), qui permet également de contrôler
le courant. Le JFET a été mis à l'état bloqué en polarisant sa grille avec
une tension négative proche de la tenue en tension de cette jonction pour
bloquer complètement le canal (V gs ≈ V br). En faisant varier la valeur
de la température appliquée, nous mesurons la valeur de la chute de tension
mesurée aux bornes de la diode par un multimètre à haute résolution. A noter
que la réalisation de ces mesures nécessite des températures xes pour éviter
l'inuence de l'auto-échauement sur la chute de tension mesurée.
Les mesures ont été réalisées pour diérents niveaux de température entre
◦
la température ambiante et la température à 400 C. La Fig. 3.5 montre la
calibration de la diode interne du JFET en fonction de la température.
En utilisant la même technique pour obtenir la courbe expérimentale de

calibration du canal du JFET. Nous avons polarisé le JFET en direct (pola-
risation positive sur le drain) par un courant de 300 mA et court-circuiter la
grille avec la source. La température est xée par le dispositif thermo-régulé
externe à chaque mesure pour obtenir les points sur la courbe expérimentale
de calibration du canal du JFET. Cette calibration est montrée sur la Fig. 3.6.
Le jeu de données permet de construire les équations de la température

(T ) en fonction de la chute de tension aux bornes du JFET (VF ) pour chaque
calibration. Ces équations sont présentées dans le Tab. 3.2.

Ces données numériques permettront de convertir la tension VF mesurée
aux bornes du JFET en température interne régnant dans ce composant.
Diode 200mA Tdiode = +1, 37.103 − 5, 17.102 VF
Canal 300mA TRON = −1, 17.102 + 1, 31.103 VF − 1, 42.103 VF2 + 6, 99.102 VF3
Les températures sont en °C, les tensions sont en Volts.
Tab. 3.2 Les équations utilisées pour estimer la température à l'aide des
paramètres thermo-sensibles.
3.2.2.1 Description du dispositif expérimental

Pour réaliser les mesures, nous avons utilisé le circuit de test schématisé
sur la Fig. 3.7 pour estimer la température régnante dans le JFET lors d'un
choc de foudre. Ce circuit contient des interrupteurs qui gérent l'application
du choc de foudre puis la mesure du paramètre thermo-sensible. La séquence
de déclenchement est décrite à la gure 3.8. Le circuit de polarisation de grille
est décrit à la gure 3.9.
Nous avons fabriqué un circuit spécique de commande de grille pour
obtenir un bon contrôle de la polarisation de la grille du JFET, modélisé par
une résistance Rg et source de tension VGS sur la Fig. 3.7.
En eet, c'est un circuit simplié en réalité, et le circuit détaillé est montré
sur la Fig. 3.9 où nous pouvons régler la tension appliquée sur la grille par la
résistance variable P1 de VGS = 0 à VGS = VT O (tension de seuil).
Une forte impédance de mode commun est obtenue en utilisant des valeurs
élevées pour les résistances Ra et Rb (typiquement 68 kΩ). La capacité lm Cg
de grande valeur 10 µF permet d'obtenir une faible impédance diérentielle
pour maintenir une tension constante VGS . La résistance Rg émule l'impédance
de la sortie du driver de grille. Ici sa valeur est de 33 Ω.
Donc le rôle de Ra , Rb et Cg est de commander en toute sécurité la grille du
JFET jusqu'au pincement (punch-through), an d'être sûr qu'aucun courant
ne circulera dans le canal du JFET. Les résistances Ra , Rb limitent le courant
statique de grille à des valeurs acceptables, le condensateur Cg maintient la
tension au cours des transitoires. Le courant dynamique de grille est limité
par Rg .
Normalement, il existe une capacité interne Csg entre la source et la grille
que nous ne pouvons pas éviter. Cette capacité charge la grille en tension
K1 K3 K4
R2 L D2 D1 Rs
Im
Vc + Rg + Vm
C R1 R3 K2 Gate
Q V
driver F
Vg
Fig. 3.7 Dispositif de caractérisation du JFET (Q) soumis à un choc de

foudre.
Q : est un transistor JFET-SiCED 300mΩ sous test ;

C : est un condensateur pré-chargé considéré comme la source d'énergie de
choc ;
K1 : L'interrupteur principal (IGBT-Si) du générateur de choc qui per-
met de se connecter le condensateur pré-chargé C avec les éléments passifs
(R1 , R2 , L, R3 ) an de produire la forme de choc normalisée ;
K2 : un interrupteur (IGBT-Si) qui permet d'interrompre le choc de foudre
à des instants croissants en re-dirigeant le courant de choc vers la terre ;
K3 : un interrupteur (MOSFET) qui sert à isoler le composant sous test
pour eectuer la mesure du paramètre thermosensible VF ;
K4 : un interrupteur (MOSFET) pour injecter tout seulement le courant
de mesure Im après K2 interrompe le choc ;
Vm : un générateur de tension continue ;
Rs : une résistance (en série avec Vm ) sert à réduire la variation de potentiel
de la source Vm , et par là de générer un courant le plus constant possible ;
D1 : une diode qui sert à protéger l'interrupteur K4 et la source de tension
Vm pendant le choc ;
D2 : une diode permet d'isoler le circuit de mesure du circuit de générateur
de choc et de bien imposer le courant de mesure Im dans le composant sous
le test Q.
1
K1
0
1
t1
K2
0
t2
1
K3
0
t3
1
K4
0
t4
t t1 t2 t3 t4 t (usec)
Fig. 3.8 Chronogramme de la séquence de déclenchement des interrupteurs

du schéma (F ig. 3.7)
Ra Rg
E− P1 Cg
+ Vg VGS
Rb
Fig. 3.9 Circuit détaillé de dispositif de contrôle de tension de la grille VGS .
positive quand le choc arrive aux bornes du transistor.
3.2.3 Séquence de commutation des interrupteurs K1, K2, K3

et K4
La mesure de la température grâce à des mesures électriques lors d'un choc
de foudre est eectuée en interrompant le choc à des instants croissants. Le
dispositif sous test, se voit alors appliqué un courant xe pour obtenir une
réponse en tension. Chaque étape (pendant chaque interruption) produit une
valeur de température associée à un temps de retard.
L'ensemble des valeurs peuvent ensuite être superposées sur la même courbe
pour former la réponse thermique.
Quatre interrupteurs sont utilisés et sont contrôlés par une unité logique
programmable. Maintenant nous passons au principe de fonctionnement qui
est résumé par le chronogramme de la Fig. 3.8.
Dans un premier temps, nous avons chargé la capacité C par l'intermédiaire

d'une source de tension continue jusqu'à la valeur (1750 V). Puis on déclenche
le choc de foudre en fermant l'interrupteur K1 à l'instant t.
A ce moment, l'interrupteur K3 doit être déjà fermé an de faire supporter
le choc de foudre au transistor Q sous test.
A la n de la durée choisie pour l'impulsion de courant ∆t1 , on vient
refermer K2 à l'instant t1 pour nir de décharger l'inductance et annuler le
courant dans le JFET sous test. La durée ∆t1 est réglable de 2 µs à 124 µs
an de décrire tout le choc de foudre.
L'interrupteur K3 est ouvert à l'instant t3 après la fermeture de K2 avec

un léger retard ∆t2 de 2 µs pour isoler le transistor sous test sans générer de
stress sur K3 .
On ferme l'interrupteur K4 à l'instant t3 après l'ouverture de K3 avec un
léger retard ∆t3 de 1 µs, un faible courant Im xé de 200 mA à 300 mA, va alors
polariser la diode interne ou le canal de transistor selon le cas expérimenté.
La durée de mesure de VF : ∆t4 est déterminée par ouverture de K4 . Cette

durée choisie de 10 µsec permet une mesure de tension VF moyennée à l'aide
de l'osciloscope, donc avec une bonne précision (signal VF variant entre 0,1 V
et 2,8 V).
La tension VF , chute de tension (directe ou inverse) à faible courant, est

une image de la température provoquée dans le transistor.
En plus du principe général, plusieurs points pratiques peuvent être notés :
Le transistor sous test (Q) est fermé en début de cycle, pour assurer
le passage de courant de choc jusqu'à la n de la durée choisie pour
l'impulsion de courant ∆t1 ;
L'interrupteur K3 doit être fermé avant le déclenchement du choc, an
de mettre le composant directement sous test ;
L'interrupteur K4 doit être fermé après l'ouverture de K2 avec un léger
retard ∆t3 an de faire circuler le courant de mesure Im ;
Le générateur de courant de mesure est découplé du circuit de puis-
sance par l'interrupteur K4 et la diode D1 et aussi une résistance Rs de
quelques milliers d'Ohms, an de réduire la variation de potentiel vue
par la source, et par conséquent de générer le courant le plus constant
possible Im .
3.2.4 Moyen de mesure

3.2.4.1 Instruments de mesure utilisés
Les mesures électriques temporelles exposées dans notre travail ont été
réalisées en utilisant les instruments suivants :
Oscilloscope Tektronix TDS7054 de bande passante 500 MHz ;
Sondes de tensions Tektronix P6139A, bande passante 0 500 MHz ;
Shunt aselque T&M SDN005 de résistance 4,901 mΩ et de bande
passante 0 400 MHz.
An d'obtenir les caractéristiques courant / tension aux bornes du JFET,

nous avons utilisé un traceur Tektronix.
De plus, nous avons besoin d'un oscilloscope capable de tracer une onde
très rapide comme le choc de foudre pendant un temps très court (micro-
9
seconde). L'oscilloscope peut eectuer 2,5.10 échantillonnages par seconde,
avec une résolution de 8 bits en mono-coup.
3.2.4.2 Composant étudié

Les mesures eectuées dans cette thèse ont été réalisées avec un JFET-
SiC fabriqué par SiCED. Ses principales caractéristiques sont résumées dans
le Tab. 3.3
Composant JFET-SiC
Tenue en tension 1200 V

Courant nominal 15 A
RdsON 0.2 Ω
IdsSAT 42 A
Vto −19 V
Boîtier TO−3
Tab. 3.3 Caractéristiques du JFET-SiC étudié
3.2.4.3 Conditions de mesure

Principalement, nos mesures temporelles sont destinées à être comparées
avec la simulation. Donc, il est très important de maîtriser l'environnement
de mesure an d'obtenir des mesures peu bruitées.
Eectivement, toutes les mesures présentées ont été réalisées en mode com-
2
mun. Le composant sous test (DUT ) est placé loin de l'inductance et les capa-
cités du générateur de choc de manière à assurer au mieux son fonctionnement
en dépit du courant induit dans le circuit de test.
Nous avons bien essayé d'éviter le couplage entre le DUT et le reste de
circuit pour obtenir des mesures propres.
La commande des transistors (les interrupteurs), est eectuée par un mo-
dule de commande, développé spéciquement pour ce travail.
3
Ce module de commande comprend une carte FPGA an de piloter les
grilles de quatre interrupteurs utilisés dans notre travail, avec quatre sorties
de bre optique.
A partir de la Fig. 3.8, on peut observer que ∆t1 est une durée variable et
les autres durées en dépendent. Cette période ∆t1 est xée par l'opérateur.
3.3 Validation Expérimentale et Mesures
Nous allons revenir à la Fig. 3.3 pour simplier tous les cas de notre
expérience. Cette gure montre un bras d'onduleur qui contient de deux JFET.
Chaque JFET peut être dans l'état ON ou OFF selon le contrôle de la grille
du JFET.
Dans notre expérience, nous étudions un seul JFET à la fois, comme justié
en début de chapitre.
3.3.1 Mesure en direct

La Fig. 3.10 représente le circuit de test du JFET soumis à un choc de
foudre, pour le cas où le canal est polarisé en direct (le drain est polarisée avec
une tension positive par rapport à la source) et la tension de polarisation de
la grille est nulle VGS = 0. Dans ce cas, la diode interne du JFET est polarisée
en inverse (bloquée).
C'est-à-dire que le canal est à l'état passant (fermé) sous la tension VDS
et la diode interne est polarisée en inverse (bloquée). Cela correspond aux cas
de la Fig. 3.4(c) et la Fig. 3.4(d) où le courant de choc passe seulement dans
le canal du JFET.
Nous avons appliqué une impulsion complète d'un choc de foudre an
d'avoir une vue panoramique des variables IDS et VDS du JFET.
La Fig. 3.11(a) représente le courant IF qui circule du drain à source dans
le canal et la Fig. 3.11(b) représente la tension drain-source VF mesurée aux
2 Terme Anglais : Device Under Test

3 Terme Anglais : Field-Programmable Gate Array
3.3. Validation Expérimentale et Mesures 103
K1 K3 K4
R2 L D2 D1 Rs
Im
Rg Q + Vm
Vc + V
R1 R3 K2 F
C
Vg −
+
Fig. 3.10 Dispositif de caractérisation en mode direct d'un JFET soumis à

un choc de foudre.
bornes du JFET testé pour une impulsion complète de choc.
De t = 0 à t = 250 µs la tension (drain-source VF ) aux bornes du JFET

dépasse les 120 V et le courant atteint 32 A. Manifestement, la chute de tension
ON
n'est pas seulement celle imposée par la RDS , soit 6,4 V.
Le courant est imposé principalement par le générateur de choc par la

présence d'une impédance série résistive et inductive.
Nous eectuons une succession de mesures à VC initial identique, mais

à des instants croissants, en faisant varier la durée de la phase ∆t1 (durée
du choc). Nous pouvons alors reconstruire le prol temporel de température
interne dans le JFET pendant le choc.
Cette température est un bon indicateur des conséquences du choc de

foudre et de la marge thermique disponible.
La Fig. 3.12 représente les tensions drain-source mesurées après chacune

des impulsions, alors que le canal du JFET sous test est passant (VGS = 0),
et polarisé dans le sens direct par le courant de mesure Im imposé par le
générateur de tension continue Vm (phase ∆t4 sur la Fig. 3.8). VF dans ce cas
correspond donc à la chute de tension aux bornes du canal passant du JFET.
A partir de l'évaluation de VF , nous pouvons obtenir directement le l'esti-

mation du prol de température dans le composant pendant et après le choc
de foudre, en utilisant les résultats de la calibration du canal montrés sur la
(Fig. 3.6). En raison de graves perturbations CEM, il n'est pas possible d'ob-
tenir la mesure de la tension par ce paramètre thermo-sensible juste après
l'interruption du choc. Pour cette raison, une extrapolation linéaire est utilisé
pour remonter le temps à partir de données acquises. Les acquisitions sont
visibles sur l'image de la Fig. 3.23(a)
Les points bleus dans le prol de la température estimée sont calculés pour
35
30
25
20
IF [A]
15
10
5
0
-5
-50 0 50 100 150 200 250
Time [us]
(a) IDS
140
120
100
80
VF [V]
60
40
20
0
-20
-50 0 50 100 150 200 250
Time [us]
(b) VDS
Fig. 3.11 Mesure du courant IF et de la tension VF (Drain-Source) durant

un choc complet (le canal conduit tout seul en direct)
chaque acquisition.
On peut constater que la température régnante dans le canal du JFET,

◦
quand la diode interne est bloquée, atteint quasiment 86 C au bout de 30 µs.
Fig. 3.12 La tension drain-source mesurée en faisant croître la durée de la

phase ∆t1 par un pas variant entre 2 µs et 30 µs.
90
estimated temperature
80
70
60
T [°C]
50
40
30
20
0 50 100 150 200 250 300
Time [us]
Fig. 3.13 Evolution de la température de canal du JFET durant le choc puis

lors du refroidissement (la température à t = 0 est de 27 ◦ C )
K1 K3 K4
R2 L D2 D1 Rs
Q Im
Vc + V + Vm
C R1 R3 K2 Vg Rg F
+
−
Fig. 3.14 Dispositif de caractérisation en mode inverse d'un JFET soumis

à un choc de foudre.
3.3.2 Mesure en inverse

Dans le cas de mesure en inverse, nous allons inverser la position du JFET
en quittant le reste de circuit sans changement, voir la Fig. 3.14 nous consta-
tons deux cas diérents selon la tension de la polarisation de la grille du JFET,
parce qu'il existe deux chemins possibles du courant dans le JFET :
Le premier cas : VGS < VT O (Canal bloqué) En appliquant une tension

VSD (tension de choc) sur la source du JFET, la diode sera polarisée en direct
et le canal sera bloqué par une tension assez négative de grille VGS = VT O , et
avec les mêmes paramètres de l'expérience (puissance,. . .)
En eectuant une série de mesure, et en faisant varier la durée de la phase
∆t1 (durée du choc). Nous pouvons alors reconstruire le prol temporel de
température pendant le choc.
La Fig. 3.15 montre la mesure du courant IF (courant de choc de foudre)
et la tension VF (Source-Drain) durant un choc complet.
La Fig. 3.16 représente les tensions sourcedrain mesurées après chacune
des impulsions, alors que la diode intrinsèque du JFET sous test est ouvert
(VSD > 0), et polarisée dans le sens direct par la source de courant de mesure
Im (phase ∆t4 sur la Fig. 3.8). VF dans ce cas correspond donc à la chute de
tension aux bornes de la diode passante du JFET pendant la durée de mesure
∆t4 .
Après l'évaluation de VF , chute de tension aux bornes de la diode du JFET
pendant le choc, on peut reconstruire le prol de la température interne dans
la diode. La Fig. 3.24(a) montre les points de température (en bleu) pour
◦
chaque acquisition mesurée. La température atteint environ 54 C
80
70
60
50
40
IF [A]
30
20
10
0
-10
-50 0 50 100 150 200 250
Time [us]
(a) ISD
14
12
10
8
VF [V]
6
4
2
0
-2
-50 0 50 100 150 200 250
Time [us]
(b) VSD
Fig. 3.15 Mesure du courant IF et de la tension VF (Source-Drain) durant

un choc complet (la diode conduit en direct et le canal est bloqué)
Le deuxième cas : VGS = 0 (Canal passant) Nous appliquons toujours

dans le même sens de polarisation, tension positive sur la source du JFET an
de réaliser la polarisation en inverse.
Dans ce cas la diode est polarisée en direct et le canal du JFET est à l'état
2.89
Forward Voltage [V] 2.88
2.87
2.86
2.85
2.84
2.83
0 50 100 150 200 250 300
Time [us]
Fig. 3.16 La tension source-drain mesurée aux bornes de la diode polarisée

en direct (VGS < VT O ) en faisant croître la durée de la phase ∆t1 par pas
variant de 2 µs à 30 µs.
55
estimated temperature
50
45
40
T [°C]
35
30
25
20
0 50 100 150 200 250 300
Time [us]
Fig. 3.17 Evolution de la température de la diode du JFET durant le choc

puis lors du refroidissement (la température à t = 0 est de 30 ◦ C )
passant mais en inverse, de la source vers le drain, donc il existe deux chemins
80
70
60
50
40
IF [A]
30
20
10
0
-10
0 50 100 150 200
Time [us]
(a) ISD
16
14
12
10
VF [V]
8
6
4
2
0
-2
0 50 100 150 200
Time [us]
(b) VSD
Fig. 3.18 Mesure du courant IF et de la tension VF (Source-Drain) durant

un choc complet (le canal et la diode sont à l'état passant)
pour le courant dans le JFET, car le canal et la diode sont à l'état passant.
La Fig. 3.18(a) représente le courant IF qui circule de la source au drain
dans le canal et la diode et la Fig. 3.18(b) représente la tension source-drain
VF mesurée aux bornes du JFET testé pour une impulsion complète du choc.
Après une série de mesures en faisant changer la durée ∆t1 par pas variant
entre 2 µs et 20 µs, on peut évaluer la chute de tension VF aux bornes du JFET
165
160
155
150
VF [mV]
145
140
135
130
125
120
0 50 100 150 200 250
Time [us]
Fig. 3.19 La tension source-drain mesurée aux bornes du JFET en faisant

croître la durée de la phase ∆t1 par pas variant entre 2 µs et 20 µs (la canal
et la diode sont à l'état passant).
65
60
55
50
T [°C]
45
40
35
30
25
0 50 100 150 200
T ime [us]
Fig. 3.20 Evolution de la température du JFET durant le choc puis lors du

refroidissement (la température à t = 0 est de 26 ◦ C ), (le canal et la diode
sont à l'état passant)
sur la Fig. 3.19. Par conséquent on peut tracer le prol de la température à

partir des valeurs de VF . La Fig. 3.25(a) montre l'élévation de la température
◦
pendant le choc. La température atteint environ 48 C .
3.3.3 Vérication et comparaison de la détection ther-

mique expérimentale par la simulation
Fig. 3.21 la puce en SiC
x25 x4 x1
Rth1 Rth26 Rth30

P(t) Tj
Cth1 Cth26 Cth30 Tamb
Fig. 3.22 Circuit électrique équivalent pour le comportement thermique de

la puce JFET
An de vérier la cohérence de l'estimation de la température, nous avons

développé un modèle thermique dont l'entrée est la mesure directe de la puis-
sance instantanée, P, car un modèle électro-thermique de JFET est très com-
plexe à dévélopper. Cette source de puissance P, une série de cellules RT H ,
CT H en cascade et d'une source de température ambiante Tamb forment un
circuit thermique à une dimension. La source P génère un ux correspondant
au produit P = iv , ce produit est à tout instant égal à la puissance fournie
au JFET, où les gures suivantes, 3.23(b), 3.24(b) et 3.25(b), montrent la
puissance dissipée pour chaque cas étudié. La puissance mesurée aux bornes
du JFET est utilisée comme entrée de la simulation. Nous allons aussi simpli-
er le modèle en utilisant un modèle thermique classique R-C équivalent à un
circuit thermique, voir Fig. 3.22. Dans ce modèle, nous avons découpé la puce
de SiC en 30 cellules de taille variable. Ce découpage est n à proximité de

la zone qui chaue, et, plus grossier dans la partie distante. Cette répartition
permet de réduire l'ordre du modèle sans perdre trop de précision, on se ré-
fère à [Amm99]. Les éléments RT H , CT H sont calculés à l'aide des expressions
suivantes :
1 d
RT H = .
λth A
où :
W
λth : la conductivité thermique pour SiC-4H [ ]
cm. ◦ C
d : l'épaisseur de la maille de l'élement JFET [cm]
2
A : la surface du JFET [cm ]
CT H = c.ρ.d.A
où :
J
c : la chaleur massique (specic heat) [ ]
g. ◦ C
3
ρ : le mass volumique (density) [g/cm ]
◦ ◦
Les valeurs de λth , c, ρ étant respectivement de 2,7 W/cm. C , 0,69 J/g. C ,
3
3,211 g/cm (pour le SiC). La puce, d'une épaisseur de 350 µm et la surface
2 ◦
active est 5,8 mm environ et la température ambiante 27 C .
En utilisant les mesures expérimentales de la tension et du courant dans le

JFET, on peut calculer la puissance instantanée injectée dans le JFET, cette
puissance est ensuite utilisée dans le modèle thermique.
Cette technique nous permet de séparer le comportement électro-thermique

du JFET, du phénomène de refroidissement en vue de vérier l'estimation de
la température.
Dans la suite, nous allons montrer les résultats expérimentaux et les simu-
lations pour les trois cas précédents.
Nous pouvons noter que la température est maximale dans le cas où le

canal est polarisé en direct.
Bien que le courant dans ce cas (canal-On) soit inférieur aux deux autres
cas, nous observons que la température est plus élevée.
Les localisations de source de chaleur et de la zone active du paramètre

thermo sensible ne sont pas identiques.
3.4. Problématique de l'expérience 113
90
80 Simulation
Mesure
70
T [°C] 60
50
40
30
20
0 50 100 150 200 250
T ime [us]
(a)
4
3
P [kW]
0
0 50 100 150 200 250
T ime [us]
(b)
Fig. 3.23 (a) Comparaison entre la température simulée et le résultat expé-

rimental (le canal est à l'état passant en direct) et (b) la puissance instantanée
injectée dans le JFET
3.4 Problématique de l'expérience
3.4.1 CEM
La propagation d'une perturbation en mode commun est considérée par la
plupart des ingénieurs en CEM comme le principal problème !
Naturellement, le choc impose des variations de tension et de courant très

importantes pendant un temps de l'ordre de la micro-seconde. Dans notre
55
Simulation
50 Mesure
T [°C] 45
40
35
30
25
0 50 100 150 200 250
T ime [us]
(a)
1
0,8
0,6
P [kW]
0,4
0,2
0
0 50 100 150 200 250
T ime [us]
(b)
Fig. 3.24 (a) Comparaison entre la température simulée et le résultat expé-

rimental (la diode interne est à l'état passant) et (b) la puissance instantanée
injectée dans le JFET
expérience, on peut dire que le comportement dynamique doit être pris en

compte.
Le câblage des composants actifs (semi-conducteurs) et des composants

passifs (résistances, condensateurs, inductances...), ainsi que les connexions
de ces composants doit être pris en compte. Cela pose un réel problème sur
l'interprétation les mesures eectuées.
dv
En eet, le générateur de choc produit un front sévère (
dt
= 1 kV /µs) qui
3.4. Problématique de l'expérience 115
70
Simulation
Mesure
60
T [°C] 50
40
30
20
0 50 100 150 200
T ime [us]
(a)
1,2
0,8
P [kW]
0,6
0,4
0,2
0
0 50 100 150 200
T ime [us]
(b)
Fig. 3.25 (a) Comparaison entre la température simulée et le résultat ex-

périmental (la diode et le canal sont à l'état passant) et (b) la puissance ins-
tantanée injectée dans le JFET
traverse l'ensemble du circuit. Le découplage du mode commun et une seule

connexion à la terre est obligatoire.
Une autre diculté est la dynamique des signaux : pendant la phase de

1 µs, le courant mesuré et les tensions changent dans un rapport de 1000.
3.4.2 Description de la tension appliquée par le généra-

teur
Au cours de notre expérience, on peut observer que l'élévation de tem-
pérature n'est pas importante. En eet, cela est dû à la limitation que nous
avons mis sur la tension d'entrée : 1 kV au lieu de 2 kV comme indiqué dans
le norme : CEI 61000 -4-5 dans le paragraphe 3.1.1.1. Cette limite est jus-
tiée dans notre travail car des surtensions transitoires apparaissent dans le
générateur de choc et dépasse le calibre de composants et des sondes.
3.5 Discussion
La Fig. 3.23, montre un cas de conduction par le canal. Nous pouvons

observer que la réponse simulée de la température (ligne continue) montre
un pic, légèrement retardé par rapport à la température mesurée à l'aide du
paramètre TSP. Bien que, le même signal de déclenchement utilisé, soit le
même dans toutes les expériences, les signaux de référence pour la simulation
thermique (le courant et la tension) sont synchronisés par le déclenchement,
et une erreur triviale n'est guère possible.
Cela peut être un phénomène dynamique thermique à l'intérieur du JFET

car la dissipation de puissance ne se trouve pas exactement là où est la région
de mesure de paramètre TSP. De plus, la tension TSP est extrapolée à partir
d'un segment de 10 µs.
Pour chacun des trois cas étudiés, le courant qui passe dans le JFET prend
un chemin diérent selon le cas expérimenté. Par conséquent, des régions
diérentes du composant DUT sont stressées diéremment selon le passage
du courant.
Dans ce manuscrit, nous ne prétendons pas à aborder dans l'aspect phy-

sique du problème. Néanmoins, des variations importantes sur les réponses
thermiques expérimentales demandent une tentative d'explication. Comme in-
diqué dans la section précédente, les erreurs sur l'utilisation du TSP prennent
une part à la diérence observée entre l'expérience (mesure) et la simulation.
Une autre source d'incertitude est la modélisation thermique, parce que ce

modèle thermique, sans doute, est trop simple pour des très courtes périodes.
De plus, généralement, il existe une diérence entre la situation géogra-

phique de la région chauée par rapport à la région de mesure TSP à l'intérieur
du JFET.
Dans la Fig. 3.26 par exemple, la diode drain-source est située entre la
+
caisson P de source et le drain, alors que la dissipation de puissance se
produit dans le canal et la diode en conduction inverse. Dans ce cas, le TSP
3.6. Conclusion 117
Fig. 3.26 Coupe verticale d'une demi-cellule du JFET, montré la diode

interne
utilisé est la tension directe aux bornes de la diode.

En conclusion de cette discussion, Une étude plus approfondie avec un mo-
dèle multiphysique valable en auto-échauement sera nécessaire. Une solution
lourde est la simulation électrothermique de type éléments nis par exemple
avec un outil comme CENTAURUS.
3.6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons présenté les résultats expérimentaux réalisées

sur le transistor JFET-SiCED sous un choc de foudre. Le cas étudié corres-
pond aux chocs de foudre sur un onduleur du côté de la ligne alternative.
Pour produire une surtension induite par un choc de foudre, nous avons
fabriqué un générateur de choc compatible avec la norme CEI 61000 -4-5.
Nous avons décrit notre dispositif expérimental qui est capable de mettre
le JFET sous surtensions et de mesurer la réponse thermique sous forme d'une
image de tension, an de connaître la température de la puce du JFET lors
du choc.
Puis, une présentation de tous les cas possibles d'un JFET dans un bras
d'onduleur sous un choc de foudre a été étudié, en prenant en considération
la polarité de la foudre.
La validation de ces résultats a été analysée sur un modèle thermique

simple an de montrer une image de la température interne au JFET. Nous

avons utilisé les pertes mesurées dans le JFET, comme une source de la cha-
leur simulée dans le modèle thermique.
Nous avons obtenu comme résultat que le JFET peut supporter un choc
de foudre suivant la norme CEI 61000 -4-5 à 1,4 kV.
Toutefois, le choc de foudre était d'intensité réduite, ce qui peut corres-

pondre à un choc de foudre distant sur la ligne.
Notre méthodologie expérimentale pourra s'appliquer à l'étude de chocs

plus sévères, conforme à la norme.
Nous avons mis en évidence la complexité des phénomènes mis en jeu avec
notamment :
diérentes chemins pour le courant ;

des localisations diérents des sources de chaleur et des estimations de
la température à partir de paramètres thermo-sensibles.
Tout cela exige, l'utilisation de modèles multiphysiques précis, valables en

phase d'auto-échauement, pour améliorer notre analyse.
Conclusion générale
Dans le premier chapitre nous avons vu dans quel contexte se situe notre
étude. Le réseau de distribution de l'énergie électrique tel que nous le connais-
sons aujourd'hui va muter dans les années qui viennent par l'arrivée de l'élec-
tronique de puissance. C'est ce qui a motivé nos travaux sur la possibilité d'uti-
liser un nouveau composant : le JFET en carbure de silicium (SiC) comme
interrupteur dans les convertisseurs reliés au réseau. Les propriétés excep-
tionnelles du SiC laissent en eet penser que des performances techniques en
matière de réduction des pertes et de montée en fréquence sont atteignables.
Le chapitre second contient une étude comparative d'un module IGBT (si-
licium) du commerce à un module virtuel associant 40 puces de JFET en SiC.
Ces puces sont actuellement disponibles sous forme d'échantillons, elles ont
été caractérisées au laboratoire. On observe, dans ce chapitre, que les JFET
en SiC permettent une montée en fréquence et/ou une réduction des pertes
par rapport à une solution classique à IGBT.
Nous avons consacré tout le chapitre trois à l'expérimentation. A ce jour,

les modèles de JFET ne sont pas encore assez performants pour permettre
une étude dans des conditions extrêmes comme celles que peuvent subir des
convertisseurs reliés directement au réseau. Parmi des contraintes extrêmes
nous avons choisi le choc de foudre indirect. Un dispositif expérimental a été
développé et des mesures électro-thermiques eectuées. Le niveau d'énergie
appliqué n'a pas permis de s'approcher des limites de destruction des JFET.
Il faudra utiliser un générateur de choc beaucoup plus puissant pour connaître
la limite par cette technique.
De manière générale, nous pouvons conclure que les composants en carbure

de silicium, tel que le JFET, permettent de réduire les pertes des convertisseurs
reliés au réseau et ouvre à des applications à plus haute fréquence. Que la
robustesse électrique et thermique du carbure de silicium repousse les limites
de tolérance aux contraintes et devrait contribuer à réduire l'importance des
dispositifs de protection actuellement utilisés.
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[SiC08] SiCED. JFET. 2008. URL www.siced.com. 73
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implanted vertical junction FET. IEEE Electron Device Letters,
volume 25, no. 7 :474476, 2004. 58
FOLIO ADMINISTRATIF
THESE SOUTENUE DEVANT L'INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON
NOM : HAMMOUD DATE de SOUTENANCE : 21.Octobre.2010

(avec précision du nom de jeune fille, le cas échéant)
Prénoms : Asif
TITRE : Etude des convertisseurs haute tension pour la protection et la coordination des réseaux de distribution.
NATURE : Doctorat Numéro d'ordre : 2010-ISAL-0072
Ecole doctorale : E.E.A. Électronique, Électrotechnique, Automatique.
Spécialité : Electronique de puissance.
Cote B.I.U. - Lyon : T 50/210/19 / et bis CLASSE :
RESUME :
Les réseaux électriques sont de plus en plus interconnectés entre eux, et, en particulier, avec de nouveaux systèmes de productions
locaux (les énergies renouvelables). L'acheminement vers le réseau de distribution se fera par l'intermédiaire de liaisons en courant
continu. Ces liaisons peuvent améliorer le comportement des réseaux à courant alternatif en utilisant des systèmes de contrôle rapides basé
sur l'électronique de puissance et la commande. D'un autre côté, le développement rapide dans le domaine d'électronique de puissance a
permis d'augmenter les projets de transmission d'énergie par courant continu.
Parmi les interrupteurs de puissance en développement, le JFET en SiC est le plus avancé et permet d'imaginer des convertisseurs
directement reliés aux réseaux. Dans ce cas il seront exposés aux contraintes du réseau, en particulier les chocs de foudre. L'objectif initial
de cette thèse est de montrer la possibilité d'utiliser les JFETs en SiC dans un convertisseur directement relié au réseau de distribution et
d'initier une étude sur la robustesse des JFET soumis aux surtensions induites par le choc de foudre.Une étude comparative, à partir de
modèles et de données extraites de mesures, permet de penser que, dans certaines applications, l'utilisation des JFET est avantageuses par
rapport à l'IGBT.Un dispositif expérimental a été développé pour soumettre un JFET à un choc de foudre et mesurer son comportement
dans un bras d'onduleur. Ce dispositif permet d'étudier les 6 cas possibles de fonctionnement du JFET, et prend en compte la polarité du
choc.Les premières conclusions montrent que le JFET, dans son environnement de bras d'onduleur, résiste bien aux chocs définis dans la
norme et qu'il reste un travail à approfondir sur la modélisation électro-thermique de JFET.
MOTS-CLES : JFET-SiC, Choc de foudre, Réseau électrique
Laboratoire (s) de recherche : Laboratoire AMPERE
Directeur de thèse: Hervé MOREL
Président de jury : Charles JOUBERT
Composition du jury :
Stéphane LEFEBVRE Rapporteur

Yvan AVENAS Rapporteur
Charles JOUBERT Examinateur
Serge PELISSIER Examinateur
Hervé MOREL Directeur
Dominique BERGOGNE Co-directeur

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Numéro d’ordre : 2010­ISAL­0072 Année 2010

Etude des convertisseurs haute tension pour la

M.Stéphane LEFEBVRE Professeur Rapporteur

SIGLE ECOLE DOCTORALE NOM ET COORDONNEES DU RESPONSABLE

CHIMIE DE LYON M. Jean Marc LANCELIN

Ce travail de recherche présenté dans ce mémoire a été effectué au Laboratoire

Pour leur participation à l'évaluation scientifique de ce travail, j’adresse mes vifs

Je ne serai terminer sans remercier toutes les personnes qui m'ont aidé durant la

2 L'électronique de puissance et le réseau de distribution 53

3 Impact d'un choc de foudre 86

Conclusion générale 120

Dans le développement de notre civilisation, c'est probablement l'énergie

Le problème énergétique pour le monde entier est : comment répondre à

En réalité la consommation rapide du pétrole, la source la plus importante

Sous le poids de ces problèmes, le monde commence à se diriger vers de

Normalement la production décentralisée comprend des unités de produc-

L'acheminement de l'énergie renouvelable vers le réseau de distribution

Récemment, des progrès signicatifs ont été réalisés dans le développement

D'un autre côté, le développement rapide dans le domaine de l'énergie élec-

Dans le futur, nous aurons besoin de convertisseurs de puissance plus ef-

de Silicium (SiC) pour ses propriétés physiques signicatives, sa large bande

Ce travail a été eectué au Laboratoire Ampère, site De Vinci, à l'INSA

1.2 Structure générale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.2.1 Le réseau de transport . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.3.1 Bases physiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

1.4.1 Contraintes physiques sur le produit "électricité" . . . 16

1.5.1 Les systèmes FACTS et HVDC pour le contrôle des

1.6.1 Présentation de la foudre . . . . . . . . . . . . . . . . 42

1.7 La Protection Electrique . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

1.7.1 La protection parallèle (en tension) . . . . . . . . . . . 48

Ce chapitre permet de se situer par rapport aux systèmes de distribution

1.1 Présentation générale des réseaux

La fonction principale des réseaux de distribution et de transport est d'as-

Nous distinguons trois types de réseaux électriques :

1. Les réseaux de transport et d'interconnexion :

2. Les réseaux de répartition :

3. Les réseaux de distribution :

1.2 Structure générale

1.2.1 Le réseau de transport

1.2.2 Les réseaux de répartition

Fig. 1.1  Schéma du réseau électrique français.

1.2.3 Les réseaux de distribution haute tension

maintien des réseaux aériens à structure arborescente.

1.2.3.1 Les réseaux de distribution en moyenne tension

1.2.3.2 Les réseaux de distribution en basse tension

Le choix du niveau de tension et de la fréquence dépendent de résultats

Néanmoins, il convient de signaler que la récente publication UTE C 18

En France, les niveaux de tension de réseau de basse tension sont 230/400 V

La norme EN 50 160 dénit au niveau européen les caractéristiques du

HTB 63 kV, 90 kV, 225 kV, 400 kV

Vn=230 V (Average in 10 min)

 τi <2%  τi <2% for 95% (Average in

95% of time (Average in 10 95% of time (Average in 10

transitory (1.2/50µs)< 125kVc transitory (1.2/50us)< 6kVc

Tab. 1.2 Caractéristiques de l'électricité fournie par les réseaux publics

1.3 Les lignes électriques

Les lignes de transport d'électricité amènent l'électricité produite dans les

1.3.1 Bases physiques

1.3.2 Equations de la lignes

i R.dx L.dx i+di

u G.dx C.dx u+du

Fig. 1.2  Schéma équivalent d'un élément de ligne monophasé de longueur

Z(ω) = R(ω) + jωL(ω) , Y (ω) = G + jωC (1.4)

Numéro d’ordre : 2010ISAL0072 Année 2010

Récemment, des progrès signicatifs ont été réalisés dans le développement

de Silicium (SiC) pour ses propriétés physiques signicatives, sa large bande

Ce travail a été eectué au Laboratoire Ampère, site De Vinci, à l'INSA

Fig. 1.1 Schéma du réseau électrique français.

La norme EN 50 160 dénit au niveau européen les caractéristiques du

τi <2% τi <2% for 95% (Average in

Tab. 1.2 Caractéristiques de l'électricité fournie par les réseaux publics

Fig. 1.2 Schéma équivalent d'un élément de ligne monophasé de longueur

3. Les pertes Joules ne doivent pas faire surchauer les conducteurs.

Fig. 1.4 Circuit équivalent d'une ligne à 50 Hz dont la longueur ne dépasse

La nécessité d'un réglage de la puissance des générateurs :

Ces puissances sont dénies par les expressions suivantes :

Fig. 1.5 Ligne courte, schéma monophasé équivalent. La chute de tension

L'ouverture du marché de l'électricité ;

1.4.2.2 Réduction des émissions de gaz à eet de serre

1.4.3.1 Dénition de la production dite décentralisée ou distribuée

adopter une approche probabiliste pour la gestion du réseau ;

1.4.3.2 Interface système de production réseau pour la produc-

2. Systèmes à générateurs asynchrones : Solaire réecteur-moteur (à mi-

Fig. 1.6 Système auxiliaire pour couplage au réseau.

couplage au travers de résistances insérées au stator ;

1. Eolienne à vitesse xe :

Fig. 1.7 Eolienne à vitesse xe. [Rob06]

nécessite l'ajout de bancs de condensateurs an de limiter la puissance

Elles augmentent la plage de fonctionnement, notamment pour les

Composantes d'une centrale PV :

Le module photo-voltaïque est composé de cellules photo-voltaïques