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DEPARTAMENTO DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

ELECTRÓNICA ANALÓGICA PRÁCTICAS DE LABORATORIO

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PRÁCTICA # 3: TRANSISTORES JFET

Grupo: Electrónica Industrial Fecha: 05/12/2017 Calificación

Nombre alumno: Jhohan Alejandro López Morales

Nombre alumno: Ana Isabel Gallardo Palomino

A partir del esquema de la figura, elaborar una memoria descriptiva que contenga los
apartados que se indica. Se deberá aportar una tabla comparativa con los resultados
obtenidos en el análisis teórico, en la simulación y en el montaje real tanto en DC como
en AC.
Se deberán incluir imágenes correspondientes a las simulaciones y a las medidas reales
realizadas con la instrumentación de laboratorio, tanto para valores de continua como de
las formas de onda en alterna.

AM1
R2 15,7M

RD 3k

C3 1u Vod

VD
Vi

R3 1k C1 1u
VG

VDD 20 T1 2N3819
Vos
R1 1M

C2 100u
+

Vi
R4 10k
RS 2k

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1) Realizar el estudio de la polarización y del punto de trabajo a nivel teórico.


Determinar los valores teóricos de VD, VG y VS, así como los de ID, IG e IS.

Para hacer los siguientes cálculos, trabajamos en DC.

VDD VDD
RD 3k
R1 15,7MEG

T2 2N3819
RS 2k
R2 1MEG

A continuación, calculamos el modelo equivalente de Thevenin.


RTH=(R1*R2)/(R1 + R2)= 15,7 M/16,7M=0,94MΩ
VTH=Vcc*(R2/(R1+R2))=20*(1/16,7)=1,2V

VDD
RD 3k

RTH 940k
T1 2N3819
RS 2k

VTH 1,2

Obtenemos ID mediante la siguiente formula:


VGS 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
Vp
VGS=VTH-ID*RS

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Despejamos ID y sustituimos en la primera ecuación:


𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐺𝑆 VGS 2
= 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
RS Vp
Tomando como valores de IDSS=14mA y Vp=-4
Despejamos y sustituimos obteniendo:
1,75 ∗ 𝑉𝐺𝑆 2 + 15 ∗ 𝑉𝐺𝑆 + 26,8 = 0
Donde VGS es igual a:
VGS1= -6,0330V y VGS2=-2,5384V
Rechazamos VGS1 puesto que VGS1 no puede ser menor que Vp quedándonos con
VGS2.
−2,5384 2
𝐼𝐷 = 14𝑚𝐴 (1 − ) = 1,86𝑚𝐴
−4
Siendo ID=IS
VS=ID*RS=1,86mA*2k=3,72V
VD=VDD-ID*RD=20-1,86mA*3k=14,42V
VDS=VD-VS=14,42-3,72=10,7V
VGS=VG-VS VG=VGS+VS=-2,5384+3,72=1,1816V

El punto de trabajo sería:

• VGS=-2,5384V
• VDS=10,7V
• ID=1,86mA
2) Dibujar el modelo equivalente en pequeña señal y calcular los parámetros del
modelo equivalente en pequeña señal. Calcular los parámetros del cuadripolo
resultante; impedancia de entrada (Zin), impedancia de salida (Zo); ganancia en
tensión Av, y ganancia en corriente Ai.
Calculamos gm con la siguiente formula

2 ∗ IDSS ID 𝑚𝐴
𝑔𝑚 = ∗√ = 2,55
−Vp IDSS 𝑉

La impedancia en la entrada es igual a la resistencia Thevenin:

Zin=RTH=0,94MΩ

La impedancia en la entrada es igual a RD:

La ganancia en tensión es igual a:


Vo Vo Vi
ΔV = = ∗
Vs Vi Vs
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Donde:
Vo −gm ∗ Vgs RD ∗ RL RD ∗ RL 𝑉
= ∗ = −𝑔𝑚 ∗ = −3,06
Vi Vgs RD + RL RD + RL 𝑉

Vi RTH 𝑉
= = 0.99
Vs RTH + R 𝑉

Luego la ganancia en tensión será:


V
ΔV = −3,0294
V

La ganancia en intensidad es infinita puesto que la intensidad de entrada es igual a 0.


ΔI = ∞

3) Dibujar la gráfica Vo / Vi aplicando una señal de entrada senoidal de 500 mV p y


1 kHz.

3.00

2.00

1.00

0.00
Voltage (V)

-1.00

-2.00

-3.00

-4.00

0.00 500.00m 1.00 1.50 2.00

4) Simular el circuito y comparar los resultados obtenidos con los resultantes de los
puntos.
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5) Realizar el montaje, utilizando los componentes que se indica en el esquema.


Aplicar el estímulo indicado y comparar los resultados obtenidos con los anteriores
teóricos y en la simulación.

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GND

CH1+
Onda CH2
sinusoidal

Vcc

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TEORICA ΔV SIMULADO ΔV REAL ΔV


-3,0294 -5,1 -5,66

La diferencia de ganancias teóricamente y experimentalmente se debe a que difieren


sus puntos de trabajo.

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