MEMORIAS

Una unidad de memoria es un dispositivo al que se transfiere información binaria

que desea almacenarse, y del que se puede obtener información que es necesario
procesar. Al efectuarse procesamiento de datos, la información de la memoria se
transfiere a registros selectos de la unidad de procesamiento. La información binaria
recibida de un dispositivo de entrada se almacena en la memoria, y la información
transferida a un dispositivo de salida se toma de la memoria. Una unidad de
memoria es una colección de celdas que permite almacenar una gran cantidad de
información binaria.
Un dispositivo lógico programable es un circuito integrado con compuertas lógicas
internas que se conectan mediante trayectorias electrónicas que se comportan
como una especie de fusibles. En el estado original, todos los fusibles están
intactos, al programar el dispositivo se “queman” los fusibles que están en las
trayectorias que es preciso eliminar para obtener la configuración deseada.
A continuación, se presentan algunos conceptos importantes a conocer sobre el
tema:
 Unidad de memoria: es un conjunto de celdas de almacenamiento junto con
los circuitos asociados que se requieren para transferir información al y del
dispositivo. Almacena información binaria en grupos de bits llamados
palabras.
 Palabra: entidad de bits que siempre se guardan o sacan juntos, como
unidad.
 Byte: grupo de ocho bits.
La capacidad de una unidad de memoria por lo regular se da como el número total
de bytes que es capaz de guardar.
La comunicación entre la memoria y su entorno se efectua a través de líneas de
entrada y salida de datos, líneas de sección de direcciones y líneas de control que
especifican direcciones de transferencia.
Hay dos tipos de memorias en los sistemas digitales:
1. RAM: random-access memory, memoria de acceso aleatorio.
2. ROM: read-only memory, memoria de solo lectura.
La primera acepta nueva información que se guardará para poder usarla
posteriormente, el proceso de guardar información nueva en la memoria es una
operación de escritura en la memoria. El proceso de transferir desde a memoria la
información en aquella almacenada es una operación de lectura de memoria. La
memoria de acceso aleatorio puede efectuar ambas operaciones, lectura y
escritura.
La memoria RAM es volátil, es decir, que se pierde la información almacenada
cuando se interrumpe la alimentación electrica y se clasifica en dos categorías: la
RAM estática y la RAM dinámica.
a) RAM estática (SRAM: Static Random Access Memory): se compone de
celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores
MOSFET, aunque también existe algunas memorias pequeñas construidas
con transistores bipolares. Consiste básicamente en latches internos que
guardan la información binaria, la cual será válida en tanto no deje de
alimentarse electricidad a la unidad.

b) RAM dinámica (DRAM: Dynamic Random Acces Memory): se compone de

celdas de memoria construidas con condensadores. Almacena la información
binaria en formas de cargas eléctricas en los condensadores. Estos se
forman dentro del chip con transistores MOS. La carga almacenada en los
condensadores tiende a disiparse con el tiempo, por lo que los
condensadores deben recargarse periódicamente refrescando la memoria
dinámica, el cual se efectúa restaurando de forma cíclica la carga de todas
las palabras cada cierto número de milisegundos, en orden. La DRAM
consume menos electricidad y por ello ofrece mayor capacidad de
almacenamiento en un solo chip de memoria. La SRAM es más fácil de usar
y sus ciclos de lectura y escritura son más cortos.
La memoria de solo lectura solo puede efectuar la operación de lectura y es un
dispositivo lógico programable. La información binaria que se almacena en un
dispositivo lógico programable se especifica de alguna manera y luego se incorpora
al hardware, a esto se le llama programar. Es en esencia, un dispositivo de memoria
en el que se almacena información binaria permanente y no tiene entradas de datos
porque no efectúa la operación de escritura.
Las memorias RAM se integran juntando varias de ellas en un módulo de memoria,
que consiste en una plaquita de un material semiconductor con un circuito impreso,
soldando a una o sus dos caras memorias RAM.

El módulo de memoria posee un conector con una serie de pines que conectarán el
dispositivo con la placa base al ser introducida en las ranuras correspondientes.
La arquitectura del módulo de memoria puede variar en función de su tamaño y el
tipo de conexión, hoy en día se usan módulos DIMM que trabajan a 64 bits o SO-
DIMM que tienen un menor tamaño y se usan en ordenadores portátiles.
Existen diversos tipos en función de cómo envían la información y de qué velocidad
adquieren en dicho envío. Actualmente el tipo mas usado es el DDR3, que varía en
velocidad de envío entre 800 y 2666 Mhz. (un megahercio equivale
aproximadamente a 1.000.000 de ciclos por segundo). Las características
principales de una memoria RAM son:
• Tecnología: puede ser del tipo DDR, DDR2, DDR3... Cada tecnología trabaja con
unos valores máximos y mínimos de envío de datos.
• Capacidad: las memorias RAM actualmente varían su capacidad entre 2 y 8
gigabytes. Se pueden disponer varias memorias RAM
para combinar su capacidad en una misma placa base, en función de las ranuras
de que disponga la misma a tal fin.
• Cantidad de contactos o pines: cantidad de contactos que establece con la ranura
de la placa base (200-pin, 240-pin...).
Su capacidad que se mide en Megabytes (MB)-normalmente entre 256 y 512 MB
pero puede ser ampliada si hay ranuras de expansión libres- pero también es
valorable su gran velocidad de transferencia del flujo de datos -usualmente de unos
250 Mbps

o Uso en hogar: 512MB de memoria o más.

o Oficina y hogar: 512MB de memoria o más.
o Juegos: 1GB de memoria o más.
o Multimedia: 2GB de memoria o más.
Las trayectorias que se requieren en una ROM se pueden programar de cuatro
maneras:
a) Programación por mascara: la efectúa el fabricante de semiconductores
durante el último proceso de fabricación de la unidad. El procedimiento de
manufactura de una ROM requiere que el cliente llene la tabla de verdad que
la ROM debe satisfacer, el fabricante crea la máscara correspondiente a las
trayectorias que producen los unos y ceros indicados en la tabla de verdad,
el procedimiento es costoso y solo resulta económico si el pedido es por
grandes cantidades con la misma configuración.
b) PROM (memorias programables de solo lectura): son más económicas que
las anteriores y nuevas tienen todos los fusibles intactos, lo que equivale a
un 1 en todos los bits de palabras almacenadas y se quemas aplicando un
pulso de alto voltaje al dispositivo a través de una terminal especial. Una vez
efectuada la programación, el patrón es permanente y no puede alterarse,
igual que en las ROM. Comúnmente la información se programa o quema en
las diferentes celdas de memoria aplicando la dirección en el bus de
direcciones, los datos en los buffers de entrada de datos y un pulso de 10 a
30V, en una terminal dedicada para fundir los fusibles correspondientes.
c) EPROM (erasable PROM): se puede restaurar al estado inicial, aunque se
haya programado previamente. Es borrable con luz ultravioleta. La
programación se efectúa aplicando en un pin especial de la memoria una
tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, según el
dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición de memoria y se pone
 la información a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios
minutos dependiendo de la capacidad de memoria.
d) EEPROM (PROM borrable eléctricamente): es como la EPROM, solo que las
conexiones previamente programadas se borran con una señal eléctrica en
vez de luz ultravioleta. La programación de estas memorias es similar a la
programación de la EPROM, la cual se realiza por aplicación de una tensión
de 21 Voltios a la compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de
esta forma una carga eléctrica, que es suficiente para encender los
transistores y almacenar la información. Por otro lado, el borrado de la
memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las compuertas
para liberar la carga eléctrica almacenada en ellas.
e) Flash: denominada así por la velocidad con la que puede reprogramarse,
utilizan tecnología de borrado eléctrico al igual que las EEPROM. Las
memorias flash pueden borrarse enteras en unos cuantos segundos, mucho
más rápido que las EPROM. Un ejemplo de este tipo de memorias es la
memoria USB. la programación se efectúa con la aplicación de una tensión
(generalmente de 12V o 12.75 V) a cada una de las compuertas de control,
correspondiente a las celdas en las que se desean almacenar 0’s. Para
almacenar 1’s no es necesario aplicar tensión a las compuertas debido a que
el estado por defecto de las celdas de memoria es 1.

REFERENCIAS
 Mano, Morris. “Diseño digital”. Tercera edición.
 http://galia.fc.uaslp.mx/~cantocar/microprocesadores/EL_Z80_PDF_S/13_TI
POS_DE_MEMORIA.PDF
 http://www.educoteca.com/uploads/4/6/2/3/46232277/memoria_ram.pdf
 https://www.ecured.cu/Memoria_de_solo_lectura#Velocidad_de_lectura
 https://www.ecured.cu/Memoria_de_solo_lectura#Velocidad_de_lectura
 http://www.canalaudiovisual.com/ezine/books/acjirinformatica/2info05.HTM