Laboratorio N°9: Amplificador con Transistor

Bipolar en Base Comun

Ing. Lopez Aramburú Fernando
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Lima, Perú

Abstracto.-  Parámetros de entrada.

Se relaciona la corriente de entrada(IE)
Le but de ce rapport, en utilisant un circuit à
con el voltaje de entrada (VBE) para
transistor bipolaire, est son utilisation dans la
varios niveles de voltaje de salida (VCB).
zone active qui génère une amplification mais
pour cette configuration de laboratoire sera un
terrain d'entente, vérifier le câblage dans la
base commune est pas très bon à amplifier en
cours. Vous devez toujours prendre en compte
les données techniques que nous fournissons la
fiche technique. Ordre afin d'éviter de
surcharger les instruments.
I.OBJETIVOS
Estudio de la configuración del transistor
bipolar en base común observas las curvas que se
observa en la entrada y tanto en la salida, asi
como sus impedancias de trabajo que es lo mas
figura.1
resaltante.
 Parámetros de salida.
Se relaciona la corriente de salida (IC)
II. FUNDAMENTO TEÓRICO
con el voltaje de salida (VCB) para varios
niveles de corriente de entrada(IE).
1) Amplificador con transistor bipolar en base
común
La terminología de BC se deriva del hecho de que
la base es común tanto a la entrada como a la
salida de la configuración. La base se conecta a
las masas tanto de la señal de entrada como a la
de salida.
Para describir el comportamiento de un
dispositivo de tres terminales, se requiere de dos
conjuntos de características:

figura.2

1
 de corriente eléctrica. Concepto “similar”
a la resistencia.
Región de operaciones:

2) Aplicaciones.
Para adaptar fuentes de señal de baja
impedancia de salida como, por ejemplo,
micrófonos dinámicos.

figura.3

Ganancia de corriente:
La ganancia de corriente se encuentra
dividiendo la corriente de salida (IC) entre
la de entrada (IE) 𝐼𝐼 𝐼= 𝐼𝐼La ganancia
de corriente en un transistor es inferior a
la unidad, debido a que la corriente de
emisor siempre es algo mayor que la
corriente del colector. Por lo tanto,
siempre es menor que 1, en valores entre
0.90 y 0.998.
Ganancia de voltaje:
Según se ha visto el transistor de BC no
puede producirá una verdadera ganancia
de corriente, pero si proporciona
ganancias de voltaje 𝐼𝐼 𝐼𝐼 = 𝐼𝐼 Un
transistor típico suele tener una resistencia
de entrada de 300 Ω y una resistencia de
salida de 100 kΩ.
Características generales:
Baja impedancia de entrada (ZIN), entre
40Ω y 500Ω. • Alta impedancia de salida
(ZOUT), entre (15kΩ y 3MΩ). Ganancia
de corriente menor que 1 (0.90 – 0.998). •
Alta ganancia de voltaje (50 – 300).
Impedancia (Z): Es la oposición al flujo

2
 Circuito 2
III. CALCULOS Y RESULTADOS
LABORATORIO
El voltaje zener es de 5.1 V.
Informe Previo De la simulación se obtiene la siguiente tabla
Simulaciones
Circuito 1

El voltaje zener es de 5.1 V entonces el voltaje de

salid debería rondar los 4.4 V.

Tabla de datos tomada con la simulación

Informe Final

3
 1. Comparar los valores experimentales y
teórico del transistor en base comun:

Q1
R1 C6 C4
2N2222
1.0kΩ 100µF R5 10µF
5.6kΩ
V1 R4
R2
7.07106mVrms 91kΩ
1kHz 1.0kΩ
C5 R3 R6
0°
10µF 15kΩ 10kΩ

V2

12 V

Valores Teoricos Analisis en DC:

VBE = 0.6V
VCE = 5.7V

Comparamos los calculos teoricos con los

experimentales

V Valor Teorico Valor experimental

𝐕𝐁𝐄 0.6V 0.61V 3. Dibuje el grafico de respuesta en

frecuencia indicando la ganancia de
𝐕𝐂𝐄 5.7V 5.51V
tensión Av vs frecuencia, usando escala
semilogaritmica (Curva de Bode).

V Error Error
absoluto relativo
Si sabemos:
𝐕𝐁𝐄 0.01V 1.64%
𝐕𝐂𝐄 0.19V 3.33%

2. Dibuje la forma de onda de entrada y de la

carga.

4
 𝑨𝒗
𝒇(𝑯𝒛) 𝑽𝑳 (𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐 ) 𝑽𝒊𝒏 (𝑽𝒑𝒊𝒄𝒐 ) 𝑽𝑳
=
𝑽𝒊𝒏
4. ¿Qué impedancia de entrada tiene el
100 5,12 1,7 3,012 amplificador?
500 5,28 1,7 3,106

1000 5,28 1,7 3,106

2000 5,28 1,7 3,106

5000 5,28 1,7 3,106

10000 5,28 1,7 3,106

15000 5,28 1,7 3,106

20000 5,28 1,7 3,106

Análisis DC
25000 5,28 1,7 3,106

30000 5,28 1,7 3,106

35000 5,28 1,7 3,106

50000 5,28 1,7 3,106

Realizamos la grafica 𝑨𝒗 vs 𝑓: (En escala

logarítmica)

3.12 Con los datos experimentales, tenemos

3.1 VE
IEQ = = 0.98 mA
3.08 1kΩ

3.06
25 mV
hib = = 25.51 Ω
IEQ
3.04

3.02
Analizando la componente AC
3
1 10 100 1000 10000 100000

5
 IV. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

CONCLUSIONES
 Notamos que la gráfica en el
osciloscopio la tensión en el
generador y la tensión en la carga
Zin = R1 + (R2‖hib )
están en fase pero los voltajes picos
Zin = 1.025 KΩ son diferentes que en la salida (carga)
presenta un mayor voltaje de salida
esto quiere decir que se amplifico la
5.- ¿Qué impedancia de salida tiene el señal hubo una ganancia de tensión.
amplificador?  Al hacer variar la frecuencia en un
rango mayor notamos que disminuye
Usando el circuito en AC para la pregunta 5 se un poco esto es porque se está
observa que trabajando con tensiones muy
pequeñas (mV).
Zout = R5
 La precisión en las gráficas y datos
Zout = 5.6 kΩ podrían haberse afectado por el
cambio de capacitores electrolíticos
por capacitores cerámicos que fue
necesarios usar para conseguir un
comportamiento esperado del
transistor en las experiencias
mencionadas.
OBSERVACIONES:
 Leer el datasheet de los instrumentos
que se utilizan específicamente en las
potencias la máxima corriente a
soportar en los elementos y para el
caso del diodo su tensión inversa
máxima.
 No apto para circuitos de baja
frecuencia, debido a la baja
impedancia de entrada