AMPLIFICADORES DE

POTENCIA

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia

 Rango de Excursión
Vo AMPLIFICADOR CLASE A

Nivel de la fuente
de alimentación
Excursión de salida
completa de 360º

Nivel de polarización
DC de clase A

0V
t

AMPLIFICADOR CLASE B
Vo
Nivel de la fuente
de alimentación
Excursión de salida
de 180º

Nivel de
polarización 0V
DC de clase B t

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 1

 Rango de Excursión

Vo AMPLIFICADOR CLASE AB
Nivel de la fuente
de alimentación

180º< Excursión < 360º

de salida
Nivel de polarización
DC de clase AB
0V
t

Vo AMPLIFICADOR CLASE D Señal de salida con Modulación

Nivel de la fuente de Ancho de Pulso PWM
de alimentación
positiva

0V
t
Nivel de la fuente
de alimentación
negativa

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 2

 Eficiencia Vcc Pi
IDC
Po Po
 %  x100%

Vo
Pi Pi Io
Vi
Po
Amp. de Pot.
Pi ( dc )  Vcc.I DC Po(ca)  Vo(rms ) Io(rms )

Tabla de Eficiencia y Rango de Excursión

CLASE
A AB B C D

Ciclo de menor que

360º 180º a 360º 180º PWM
Operación 180º

Máxima 25% 100% Teórica,

25% (o 50%)
Eficiencia (50% con 78,5% (por arriba del
a 78,5%
de Potencia Transf.) 90% Real)

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 3

 Amplificador Clase A
Polarización DC: Vcc  VBE
IB 
ESQUEMA CIRCUITAL
VCC
RB
I C  I B VCE  Vcc  I C RC
RB RC = RL

C
Q Transistor
Vcc Vcc
de Potencia I CQ  VCEQ 
Vi
2.RC 2

Cálculo Eficiencia:
Vcc 2
IC AMPLIFICADOR CLASE A
Pi (dc )  Vcc.I CQ Pi (dc ) 
2.RC
Vcc
RC
VCE ( p ).I C ( p )
Po(ca )  VCE ( rms ).I C ( rms ) 
2
Punto Q
IBQ
ICQ VCE ( p ) 2 Vo ( p ) 2
Po (ca )  
2.RC 2.RC
Recta de Carga
Vo( p ) 2
%  2
.100%
0A
0V VCEQ Vcc VCE
Vcc

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 4

Amplificador Clase A con acoplamiento por Transformador
ESQUEMA CIRCUITAL
VCC Polarización DC: I C  I B
Vcc  VBE Vcc
IB  I CQ 
RL´ Vo´ RL Vo RB RL´
RB
VCEQ  Vcc
a:1
C
Transistor de
Q
Potencia
Transformador:
Vi Vo´ a.Vo RL´ a 2 .RL
Cálculo Eficiencia:
AMPLIFICADOR CLASE A
Pi (dc )  Vcc.I CQ Vcc 2
IC
CON TRANSFORMADOR Pi (dc ) 
2.Vcc Recta de Polarización DC RL´
RL´
VCE ( p ).I C ( p )
Po(ca )  VCE ( rms ).I C ( rms ) 
2
Punto Q
ICQ IBQ
V CE ( p ) 2 Vo´( p ) 2
Po(ca )  
2.RL´ 2.RL´
Recta de Carga Vo´( p ) 2
%  2
.100%
0A 2.Vcc
0V VCEQ 2.Vcc VCE

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 5

 Máxima Eficiencia en Amplificador clase A
Vcc
Voltaje de salida: 0V  Vo( p ) 
2
2
 Vcc 
 
Vo( p ) MAX 2  2  .100%  1 .100%
 MAX %  . 100 % 
Vcc 2 Vcc 2 4

 MAX %  25%

Máxima Eficiencia en Amplificador clase A con Transformador

Voltaje de salida: 0V  Vo´( p )  Vcc

 MAX % 
Vo´( p ) MAX 2
.100% 
Vcc 2 1
.100%  .100%
2.Vcc 2 2.Vcc 2 2

 MAX %  50%

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 6

 Amplificador Clase B
ESQUEMA CIRCUITAL Vi  0  Q1ON y Q 2OFF I 2  0 
Io  I 1  I 2
VCC Vi  0  Q1OFF y Q 2ON I 1  0 

C
Pi ( dc )  Vcc.I DC
Transistor de
Q Potencia
I1 CORRIENTE SUMINISTRADA
Vi Vo RL POR UNA FUENTE

Io Io(p)

IDC=Imed

ESQUEMA CIRCUITAL COMPLETO

VCC 0A
t
Io( p )
Q1
I DC  I med 
I1 
Io( p ) Vcc.Vo( p )
Pi (dc )  Vcc.I DC  Vcc. 
I2 Io
(una fuente)
Vi
Q2 Vo RL   .RL
Vcc.Vo( p )
Pi (dc )  2. (las dos fuentes )
VEE  .RL

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 7

 Amplificador Clase B
Vo( p ).Io( p ) Vo( p ) 2
Po(ca )  Vo ( rms ).Io( rms )  
2 2.RL
Cálculo Eficiencia:
Vo( p ) 2
 Vo( p )  Vo( p )
%  2.RL .100%  . .100% %  . .100 %
Vcc.Vo( p ) 4 Vcc 4 Vcc
2.
 .RL

Máxima Eficiencia en Amplificador clase B

0V  Vo( p )  Vcc
 Vo( p ) MAX  Vcc 
 MAX %  . .100 %  . .100%  .100%
4 Vcc 4 Vcc 4

 MAX %  78 ,54%

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 8

 Selección del Transistor
Los Transistores deben ser capaces de soportar la máxima potencia posible que necesiten
manejar en el circuito, por lo que debe calcularse la máxima potencia que disiparán.
Amplificador clase A
Vcc 2 Vo( p ) 2
Pi  Po  PQ  PQ  Pi  Po  PQ  
2.RC 2.RC
dPQ 2.Vo ( p ) Vcc 2
 0  Vo( p)  0V  PQMAX 
d (Vo ) 2.RC 2.RC

Amplificador clase A con Transformador

Vcc 2 Vo´( p ) 2
Pi  Po  PQ  PQ  Pi  Po  PQ  
RL´ 2.RL´
dPQ 2.Vo( p )
 0  Vo´( p )  0V  Vcc 2
d (Vo´) 2.RL´ PQMAX 
RL´
Amplificador clase B
Pi  Po Vcc.Vo( p ) Vo( p ) 2
Pi  Po  2.PQ  PQ   PQ  
2  .RL 4.RL
dPQ Vcc 2.Vo ( p ) 2.Vcc Vcc 2
  0  Vo( p )   PQMAX 
d (Vo )  .RL 4.RL   2 .RL   50%

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 9

 Amplificador Clase D
Sencillo Control PWM
Señal de Entrada COMPARADOR
Vi
Señal PWM
fi
ESQUEMA CIRCUITAL BJT Señal Diente
Vcc de Sierra. Vm, fm

Q1 fm >> fi

I1
Vi  Vm  Q1ON , Q 2 OFF  Vo  Vcc, Io  Vcc / RL
Vi  Vm  Q1OFF , Q 2ON  Vo   Vee, Io  Vee / RL
Vi Control
PWM
I2 L
Filtro
C
Vo RL Señal de Entrada y Señal Diente de Sierra
Pasa Bajo
2do Orden
Q2 Io

-Vee

ESQUEMA CIRCUITAL MOSFET

Vcc
Señal PWM de Control
Q1

I1
Vi Control
PWM
I2 L
Filtro
C
Vo RL
Pasa Bajo
2do Orden
Q2 Io El voltaje de salida sigue la misma forma
que la Señal PWM de Control
-Vee

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 10

 Amplificador Clase D
Cálculo Eficiencia:
1 T 1  t1 Vcc t2  Vee tn 1 Vcc T  Vee 
Pi (dc)  0
T 
T0 
Pi (t )dt 
Vcc.
RL
dt  t1
 Vee.
RL
dt    tn  2
Vcc .
RL
dt  tn 1
 Vee.
RL
dt 

1 T 1  t1 Vcc 2 t 2 Vcc
2
tn 1 Vcc
2
T Vcc
2

Pi (dc)   Pi (t )dt    dt   dt     dt   dt 
T  0 RL tn  2 RL tn 1 RL
T 0 t 1 RL

1 T Vcc 2
Pi (dc) 
T 
0
Pi (t )dt 
RL
Vo(rms ) 2 1 T
Po( rms )  Vo(rms ).Io(rms )  ;  Vo( rms ) 2   Vo(t ) 2 dt
RL T 0
Vo(rms ) 2    Vcc 2 dt   (Vee) 2 dt     Vcc 2 dt   (Vee) 2 dt 
1 t1 t2 tn 1 T

T  0 t1 tn  2 tn 1 

Vo(rms ) 2    Vcc 2 dt   Vcc 2 dt     Vcc 2 dt   Vcc 2 dt   Vcc 2

1 t1 t2 tn 1 T

T  0 t1 tn  2 tn 1 
Vo(rms ) 2 Vcc 2
Po( rms )  
RL RL
Vcc 2
% 
Po
Pi
x100%  RL2 x100 %  100 %!!!
Vcc
 %  100%
RL
La eficiencia Teórica es 100%, sin embargo hay pérdidas de conmutación que hacen la
eficiencia Real menor a 100%, y si se filtran los Armónicos de la modulación PWM, se
eliminan alguna componente de nivel de energía a la Señal de Salida.

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 11

 Amplificador Clase D
Pérdidas de Conmutación en un Transistor
Vce = 2Vcc I1 = Vcc/RL

I1 = Vcc/2RL Vce = Vcc

I1 = 0A Vce = 0V

PQ1MAX=Vcc2/2RL

PQ1 PQ1 = 0W

Energía disipada en cada conmutación

Las pérdidas de conmutación ocurren para ambos transistores por la transición en cada
conmutación; éstas pérdidas pueden disminuirse utilizando transistores de conmutación
rápida (MOSFET) y/o disminuyendo la frecuencia de conmutación fm (se necesitaría un
filtro mas eficiente).
Señal de Salida a la frecuencia de la señal
de entrada fi

Respuesta del filtro

Armómincos a la frecuencia
de modulación fm, fm+fi, fm-fi,
fm+2fi, fm-2fi,...

fi fm f(Hz)

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 12

 Disipadores de Calor
Esquema de Montaje del Transistor en un Disipador de Calor
Circuito Térmico equivalente
Semiconductor, (Tj)
Tj jc cs sa
jc
Calor
Encapsulado, Case, (Tc)

Transistor cs
Pasta de Silicona sa PD Ta
y/o Mica Aislante
PQMAX Tc Ts
Disipador de Calor
(HeatSink), (Ts) Ambiente (Ta)

PQMAX Potencia máxima a disipar por el Transistor (W). Es un Dato en los cálculos.
Tj Temperatura de la Unión (ºC). Puede calcularse en curva de degradación de potencia.
Analogía Eléctrica:
Tc
Ts
Temperatura del Encapsulado (ºC). Puede determinarse si es necesario.
Temperatura del Disipador (ºC). Puede determinarse si es necesario. I  PD ; V  T  T1  T2 ;
R  ;
Ta Temperatura Ambiente (ºC). Es un Dato en los cálculos.
jc Resistencia Térmica Unión-Encapsulado (ºC/W). Es un Dato, puede determinarse.
cs Resistencia Térmica Encapsulado-Disipador (ºC/W) Es un Dato, se utiliza tablas. V  I .R  T1  T2  PD .12
sa Resistencia Térmica Disipador-Ambiente (ºC/W). Debe calcularse

Curva de Degradación o Reducción

Cálculo de qjc:
de Potencia
Tj max  25º C

PD NOM
 jc 
PD NOM  0
PD,
PQMAX
m = -1/jc
Cálculo de Tj:
Tj max  Tj Tj  Tj max   jc .PQ MAX
25ºC Tj Tjmax Tj(ºC)  jc  
PD NOMINAL y Tjmax son datos del Fabricante PQ MAX  0

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 13

 Disipadores de Calor Circuito Térmico equivalente

Caso de un transistor en el Tj jc cs sa

Disipador de Calor PD Ta
Ecuaciones: PQMAX Tc Ts

Tj  Ta  PD . ja  Tj  Ta  PD .( jc   cs   sa )
Cálculo del Disipador: Otras Ecuaciones:
Tj  Tc  PD . jc Tc  Ts  PD . cs Ts  Ta  PD . sa
Tj  Ta
 sa    jc   cs Tj  Ts  PD . js  PD .( jc   cs ) Tc  Ta  PD . ca  PD .( cs   sa )
PD

Caso de dos transistores en Circuito Térmico equivalente con dos Transistores

el mismo Disipador de Calor Tj1 jc1 Tc1 cs1
Tj1  Ts  PD1.( jc1   cs1 )  Ts  Tj1  PD1.( jc1   cs1 )
PD1
sa
Tj 2  Ts  PD 2 .( jc 2   cs 2 )  Ts  Tj 2  PD 2 .( jc 2   cs 2 ) PQMAX1
Ts

Se escoge la Ts que de menor en los cálculos para determinar el

Tj2 jc2 Tc2 cs2 Ta
Disipador de Calor. En el Disipador se suman todas las
potencias. Estos cálculos pueden generalizarse para mas de dos
transistores. PD2

Ts  Ta
PQMAX2

Cálculo del Disipador:  sa 

PD1  PD 2

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 14

 Disipadores de Calor
Característica de Contacto entre Encapsulado y Disipador
Contacto de Superficie Rugosa Contacto de Superficie Pandeada
Encapsulado, Case Pasta de Silicona Uso de Tornillos Thermal
Encapsulado, Case
y/o Mica Aislante Grease
para Presión y
Disipador, HeatSink para rellenar Pasta de Silicona
Disipador, HeatSink Pasta de Silicona
espacio vacío y/o Mica Aislante

Diferentes qcs dependiendo del contacto

Tipo de Cápsula Contacto Directo Contacto Directo Contacto con Mica Contacto con Mica Mica
mas Pasta de mas Pasta de
Silicona Silicona

TO.39, TO.5 1 0.7 - -

TO.126 1.4 1 2 1.5

TO.220 0.8 0.5 1.4 1.2

TO.202 0.8 0.5 1.4 1.2

TO.152 0.8 0.5 1.4 1.2

TO.90 0.5 0.3 1.2 0.9

TO.3(Plástico) 0.4 0.2 1 0.7

TO.59 1.2 0.7 2.1 1.5

TO.117 2 1.7 - -

SOT.48 1.8 1.5 - -

DIAL.4L 1.1 0.7 - -

TO.66 1.1 0.65 1.8 1.4

TO.3 0.25 0.12 0.8 0.4

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 15

 Disipadores de Calor
Diferentes tipos de Encapsulados

TO.39
TO.5 TO.59
TO.128 TO.220
SOT.132 TO.202 TO.152 TO.90 TO.3P
TO.66P

DIAL.4L
TO.66
SOT.9
TO.117 SO.2
TO.3
SOT.48

TO.60

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 16

 Disipadores de Calor

TO.3 TO.220
TO.218

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 17

 Distorsión Armónica
Los transistores no tienen una respuesta completamente lineal, por esta razón la señal de salida de
éstos tienen distorsión, la cual se refleja como armónicos en la señal de salida.
Una medida de la calidad que tienen los amplificadores es a través del cálculo de la Distorsión
Armónica y la Distorsión Armónica Total.
Los cálculos de las Amplitudes de los Armónicos pueden realizarse a través de un análisis de
Fourier, Cálculo Computarizado o a través de un Analizador de Espectros.
Las Distorsiones Armónicas se determinan a partir del Segundo Armónico con respecto al Primer
Armónico (o Fundamental), puesto que el Primer Armónico es la componente que se desea y los
demás son los que generan Distorsión.

Distorsión 2do Armónico: Distorsión 3er Armónico:

A3 A
A A
D2  2 ; D2 %  2 .100% D3  ; D3 %  3 .100 %
A1 A1 A1 A1

An A
Distorsión n-ésimo Armónico: Dn  ; Dn %  n .100 %
A1 A1
Distorsión Armónica Total (THD):
2 2 2
A2 A3 An 1
THD %      A2  A3  ...  An x100%
2 2 2
2 2
... 2
x100 %; THD %
A1 A1 A1 A1

THD %  D2  D3  ...  Dn x100 %

2 2 2

Electrónica III Prof. Arturo Castillo Amplificadores de Potencia 18