Universidad Distrital Francisco José de Caldas

Ingeniería Electrónica

Electrónica II

Aplicación de Fuente de Corriente (Polarización - Carga Activa)

Jimmy Jaiber Tamayo Quiroga 20152005044

Yeison Gutierrez Molano 20151005121

Esteban​ ​Ricardo Higuera Villalba 20152005387

Profesor:

JOSÉ HUGO CASTELLANOS

Bogotá, D.C.

2017
 Informe de Práctica No. 1

Aplicación de Fuente de Corriente (Polarización - Carga Activa)

Resumen

En el siguiente informe se compara las principales ventajas que se presenta al emplear

fuentes de corriente, es decir, espejos de corrientes y/o cargas activas en la polarización de

un transistor BJT en configuración de emisor común, además se estudia el comportamiento

de la ganancia al emplear la teoría de las fuentes de corrientes. Se explican los conceptos

claves y sus respectivas ecuaciones de diseño para la correcta comprensión de los

resultados emitidos por los instrumentos de medición.

Objetivos

- Reconocer las ventajas que presenta el polarizar un transistor con espejos de

corriente y cargas activas.

- Identificar las mejoras en términos de ganancia, al emplear espejos de corriente y

cargas activas.

- Corroborar la importancia de emplear microcircuitos para el usos de los espejos de

corriente y cargas activas.

Marco Teórico

Con el propósito de brindar un salto en la miniaturización de los dispositivos electrónicos y

la reducción del uso de materiales en la elaboración, se hace necesario desarrollar un

método más eficiente para polarizar un transistor y que solucione algunos problemas que se

presentaban al polarizar un transistor con elementos pasivos, problemas como, la variación

en la ganancia de corriente (hF E ) de los transistores bipolares, las resistencias presentan

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una tolerancia no nula, todos los parámetros dependen de la temperatura, la tensión de

alimentación no tiene un valor constante y puede variar, en general se presentan problemas

de ​sensibilidad. ​Donde se determinó que esta sensibilidad marca la estabilidad del punto

de operación, un estudio de los métodos de polarización puede demostrar que la red con

degeneración de emisor/fuente es la más estable frente a los parámetros más importantes

del transistor, además, cuanto mayor sea RE , más estable es el circuito, pero disminuye la

ganancia del amplificador, también cuanto menor sea RB , más estable es el punto de

operación, pero afecta la impedancia de entrada.

Espejos de corriente:

Es una configuración con la que se pretende obtener una ​corriente constante, esto es, una

fuente de corriente. Esta configuración consta de dos ​transistores​, idealmente idénticos, y

una ​resistencia​.

Ilustración 1. Configuración de espejo de corriente simple.

La corriente que circula en R1 está dada por: I R1 = I C 1 + I B 1 + I B 2 , ​donde I C1 es la

corriente del colector de Q1 , I B 1 es la corriente de base de Q1 , I B 2 es la corriente de base

de Q2 .

La corriente de colector de Q1 viene dada por la ecuación: I C 1 = β 0 · I B 1

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Fuente de corriente como carga activa:

Una fuente de corriente además de actuar como circuito de polarización posee una

impedancia interna de alto valor que puede ser utilizada como elemento de carga de

amplificadores. Con ello se consigue obtener cargas de un alto valor resistivo con un área

de ocupación muy inferior con respecto a las resistencias de difusión de ese mismo valor.

Las resistencias de carga en este tipo de circuitos son elevadas lo que se traduce en una

alta ganancia de tensión.

Ilustración 2. Configuración de carga activa simple.

Cálculo, Diseño y Procedimiento

La siguiente práctica desarrolla la comparación en términos de la eficiencia entre los

métodos de polarizar un transistor en zona activa, el proceso para el diseño de un

amplificador, además de los efectos y cambios relacionados con la ganancia de voltaje.

Se describe el proceso de diseño realizado para una de la configuraciones, empleando de

forma directa las ecuaciones y anexando a lo último los procesos que se consideren

necesarios y que requieren una explicación más detallada.

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 Procedimiento

1. Montar el diseño de la red resistiva clásica de polarización para I CQ = 0, 4 mA ,

V CC = 6 V , V EE = − 6 V . Verificar voltajes y corriente I CQ . (Polarizar para

V CE ≈ V RC ≈ V RE en malla salida). se consigna los resultados en la tabla 1.

Se emplea el arreglo de transistores NPN CA3086 y el Transistor PNP 2N3906, por lo que

se hace un análisis de sus especificaciones en el datasheet.

Método de Polarización Universal con resistencias.

Ilustración 3. Esquema del amplificador EC BJT con polarización resistiva.

De acuerdo a la Ilustración 3, se plantea las correspondientes ecuaciones de diseño, en el

caso de la malla de salida se determina la distribución de los voltajes en cada elemento.

Esto con el fin de obtener las siguientes relaciones.

V CC + V EE
V CE = V RC = V RE ⇒ 3

6V+6V
V CE = 3 =4V

4
Teniendo en cuenta que por dicha malla de salida baja la misma corriente por las

resistencias de colector y emisor obtenemos.

V RC 4V
RE = RC = I CQ = 0,4 mA = 10 KΩ (10 KΩ)

A continuación se halla el valor de RB , teniendo en cuenta la siguiente ecuación y la

Ilustración 6 y 7 del apartado de anexos del hF E V S I E ≈ I C .

RB =
hF E
10 · ( V CC + V EE
3 · I CQ )= 90
10 · ( 12 V
3 · 0,4 mA ) = 90 KΩ
Además, se halla el voltaje de V BB , teniendo en cuenta que dicho voltaje es igual a la suma

del voltaje de la fuente V EE , el voltaje sobre la resistencia emisor, más el voltaje de la unión

base emisor.

V BB = − V EE + V RE + V BE = − 6 V + 4 V + 0, 7 V = − 1.3 V

Como se emplea una configuración por divisor de tensión, entonces se hallan las

resistencias de base R1 y R2 por medio de las siguientes ecuaciones.

RB · (V CC + V EE ) 90 KΩ · (6 V + 6 V )
R1 = V BB + V EE = − 1.3 V + 6 V ≈ 229, 787 KΩ (220 KΩ)

RB · R1 90 KΩ · 229,787 KΩ
R2 = R1 − RB = 229,787 KΩ − 90 KΩ ≈ 147, 945 KΩ (150 KΩ)

2. Polarizar ahora el transistor utilizando fuente de corriente, para las mismas

condiciones del paso anterior, medir y anotar en tabla, comparar resultados con los

obtenidos en paso anterior.

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 Método de Polarización con Espejo de Corriente

Ilustración 4. Esquema del amplificador EC BJT con espejo de corriente.

Teniendo en cuenta los valores de resistencia R1 , R2 y RC del diseño anterior, se procede a

diseñar el espejo de corriente, teniendo en cuenta que la fuente V EE permite polarizar el los

transistores, por lo que se emplea la siguiente ecuación.

V EE − V BE 6 V − 0,7 V
RRef = I CQ = 0,4 mA ≈ 13, 25 KΩ (12 KΩ) .

3. Utilizar una carga activa, utilizando fuente de corriente, a cambio de RC (con

transistores PNP con características similares a los del arreglo CA3086) para

mismas condiciones paso 1 Medir y anotar en tabla. (Incluido Av y comparar con la

del paso 1)

6
 Método de Polarización Con Espejo de Corriente y Carga Activa

Ilustración 5. Esquema del amplificador EC BJT con espejo de corriente y carga activa.

Para este último caso se emplea el mismo análisis que en el diseño del espejo de corriente,

teniendo en cuenta que la fuente de alimentación V CC permite la correspondiente

polarización, con lo que se obtiene el siguiente resultado.

V CC − V BE 6 V − 0,7 V
RRef = I CQ = 0,4 mA ≈ 13, 25 KΩ (12 KΩ) .

Ganancia de voltaje con Polarización Universal con resistencias

Para obtener el valor de la ganancia de voltaje determina el valor de hIE y seguido de ello

se emplea la ecuación de ganancia de voltaje para un emisor común con degeneración y sin

RL .

hF E · V T 90 · 26 mV
hIE = IC = 0,4 mA ≈ 5, 85 KΩ

hF E · RC 90 · 10 KΩ
AV = hIE = 5,85 KΩ ≈ 153, 846

7
 Ganancia de voltaje con Espejo de Corriente y Carga Activa.
1
La ganancia de voltaje, al contar con carga activa, este reemplaza el valor de RC con hOE

del transistor de la carga activa, dicho valor de hOE , se encuentra en las gráficas de anexos

Ilustración 8.
1
hF E · hOE 90 · 100 KΩ
AV = hIE = 5,85 KΩ ≈ 1538, 462

Tablas y Análisis

De acuerdo al desarrollo de la práctica se consigna los resultados en la siguientes tablas.

V RC ( V ) V CE ( V ) V RE ( V ) I C ( mA )

Teórico Práctica Teórico Práctica Teórico Práctica Teórico Práctica

4 3,64 4 4,62 4 3,74 0,4 0,37
Tabla 1. Resultados Teóricos y Prácticos del amplificador EC BJT con polarización resistiva.

Porcentaje de Error ( % )

V RC 9

V CE 15,5
V RE 6,5

IC 7,5
Tabla 2. Porcentaje de error del amplificador EC BJT con polarización resistiva.

V RC ( V ) V CE ( V ) V RE ( V ) I C ( mA )

Teórico Práctica Teórico Práctica Teórico Práctica Teórico Práctica

4 4,1 4 4,17 4 3,7 0,4 0,41
Tabla 3. Resultados Teóricos y Prácticos del amplificador EC BJT con espejo de corriente.

Porcentaje de Error ( % )

V RC 2,5

V CE 4,25

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 V RE 7,5

IC 2,5
Tabla 4. Porcentaje de error del amplificador EC BJT con espejo de corriente.

V RC ( V ) V CE ( V ) V RE ( V ) I C ( mA )

Teórico Práctica Teórico Práctica Teórico Práctica Teórico Práctica

4 3,79 4 4,35 4 3,54 0,4 0,412
Tabla 5. Resultados Teóricos y Prácticos del amplificador EC BJT

con espejo de corriente y carga activa.

Porcentaje de Error ( % )

V RC 5,25

V CE 8,75
V RE 11,5

IC 3
Tabla 6. Porcentaje de error del amplificador EC BJT con espejo de corriente y carga activa.

Vo ( V ) Vi ( mV )

Método No.1 1V 10 mV

Método No.3 2,4 V 2,5 mV

Tabla 7. Voltaje de entrada y salida de la comparación entre ganancias de voltaje

del método No.1 y método No.2.

Av Teórico Práctica
Método No. 1 153,85 100
Método No. 3 1538,46 960
Tabla 8. Ganancia de la comparación entre ganancias de voltaje

del método No.1 y método No.2.

Porcentaje de Error ( % )

9
 Método No. 1 35
Método No. 3 37,6
Tabla 9. Porcentaje de error de la comparación entre ganancias de voltaje

del método No.1 y método No.2.

4. ¿Es práctico hacer que la diferencia de potencial se distribuya equitativamente entre

los transistores de malla salida? Explique.

De acuerdo a la polarización con resistencias, se puede llegar a decir que no presenta

dificultad lograr que la diferencia de potencial se distribuya equitativamente entre los

transistores de malla salida, debido a que se cumple la ley de Voltajes de Kirchhoff a través

del circuito, pero debido a que el valor de las resistencias calculadas no es el mismo al valor

de las comerciales, el voltaje varía significativamente según los datos obtenidos.

Para el caso donde se empieza a emplear el espejo de corriente y la carga activa se

presenta cierta variaciones debido a que se espera que todo se encuentre en el mismo

microcircuito para reducir la variaciones que se presentan con respecto a los hF E , por lo

que el compensar dichas variaciones exige resistencias o elementos con mayor precisión,

cabe resaltar que las tolerancias de los dispositivos, descritas anteriormente también

influyen en estos dispositivos.

Además se debe tener en cuenta que los espejos de corriente son fuente de corrientes

cercanas a las ideas, por lo que su funcionamiento en DC permite visualizar una resistencia

que varía de acuerdo al valor que se requiera en la polarización.

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Conclusiones

- A partir del uso de los espejos de corriente y la carga activa se puede evidenciar una

mejora en términos de la polarización, donde al mantener constante la corriente I CQ

permite garantizar un óptimo funcionamiento y una reducción en los porcentajes de

error que se contrasta con las tablas 2 y 4 correspondiente al porcentaje de error de

la polarización resistiva y el espejo de corriente.

- Se evidencia un aumento considerable de la ganancia de voltaje casi de 10 veces de

acuerdo a lo que se muestra en la tabla No. 8 que contrasta las ganancia entre la

polarización resistiva y con carga con resultados de 100 y 960 respectivamente.

- Si indagamos en la teórica de la polarización por medio de fuentes de corriente nos

1
daremos cuenta que están tienen una alta impedancia aproximadamente de hOE que

de acuerdo al datasheet del dispositivo llega a ser grande, por lo que se ven grandes

mejoras en sus ganancias como se evidencio en los diseños.

- Se presenta problemas con los espejos de corriente y cargas activas cuando se

implementan de forma externa a un microcircuito por lo que se debe compensar los

problema de los hF E de los transistores por medio de la resistencia RRef variando

considerablemente su valor hasta lograr que la carga activa circule los

correspondientes 0, 4 mA .

- La tolerancia presente en los dispositivos permiten visualizar la no precisión en los

resultados obtenidos, además que en la ganancia de voltaje no se obtengan

resultados más precisos por lo que no se tiene en cuenta las capacitancias internas

del generador y del osciloscopio.

- El no tener presente el valor de los condensadores de acople y de desacople puede

generar a tener las lecturas en las ganancias debido a que esta puede encontrarse

en la región de bajas frecuencia y atenuar la señal de salida.

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Anexos

Se presenta a continuación las gráficas empleadas en el diseño del amplificador CE BJT,

extraídas de las hojas de especificaciones del fabricante para los dispositivos CA3086 y

2N3906.

Ilustración 6. hF E V S I E ≈ I C Obtenida del Datasheet del dispositivo CA3086.

Ilustración 7. Normalización hF E , hIE , hRE , hOE V S I C

Obtenida del Datasheet del dispositivo CA3086.

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 Ilustración 8. Admitancia de salida hOE V S I C ​Obtenida del Datasheet del dispositivo 2N3906.

Ilustración 9. Señal del Osciloscopio del amplificador EC BJT.

Referencias

- Circuitos Microelectrónicos 4ta Edición / Sedra & Smith

- Microelectronic Circuits Analysis and Design 2th Edition / Rashid

- Datasheet 2N3906 (​http://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N3906-D.PDF​)

- ​ ttp://www-inst.eecs.berkeley.edu/~ee105/sp16/labs/CA3086_datasheet.pdf​)
Datasheet CA3086 ​(h

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