Circuitos electrónicos I

Ing. Gabriel Ávila Buitrago – gavilabu@poligran.edu.co

Programa del curso

 NT1. Dispositivos y circuitos básicos.

 NT2. Aplicaciones de los diodos.

 NT3. Fuentes de voltaje.

 NT4. Transistores como dispositivos de conmutación.

 NT5. Introducción a los amplificadores.

 NT6. Dispositivos de amplificación.

Evaluación

30% 30% 40%

Parciales / Examen final 10% 10% 15%

Quices / Talleres 10% 10% 10%

Laboratorio / Autoestudio 10% 10% 15%

Bibliografía

 BOYLESTAD, R. Y NASHELSKY, L. Electrónica: Teoría de

circuitos. Prentice Hall. 2013

 NEAMEN, D. Análisis y diseño de circuitos electrónicos. Ed. Mc

Graw Hill. 1999. Tomos I y II.

 SAVANT, C.J. Diseño electrónico. Addison Wesley

Iberoamericana. 2000.

 SEDRA, S. Circuitos microelectrónicos. Ed. Oxford University

Press (K-Tdra). 2000.
Repaso
Modelos

En ingeniería se usan modelos para representar los elementos de

un circuito.

¿Qué es un modelo?
Modelos

Un modelo es una descripción de las propiedades relevantes de

un dispositivo.

Usualmente consiste de una ecuación que relaciona voltaje y

corriente. Permite predecir cómo un circuito real funcionará.
Modelos lineales y no lineales

Los modelos de elementos de circuito se pueden categorizar por

su linealidad como:

▪ Lineales: satisfacen las propiedades de superposición y

homogeneidad.

▪ No lineales: no satisfacen dichas propiedades.

Modelos lineales y no lineales:
Superposición y homogeneidad

Superposición:

Homogeneidad:
Modelos activos y pasivos

¿?
Modelos activos y pasivos

Los elementos pasivos Los elementos activos

absorben energía. entregan energía.
Modelos activos y pasivos

Los elementos de un circuito pueden controlar el flujo de energía

eléctrica o responder a ella.

Los elementos que controlan el flujo de la energía eléctrica que

se conoce como elementos activos y los que disipan o
almacenar la energía eléctrica son elementos pasivos.
Elementos pasivos:
La resistencia

La resistencia es la propiedad física de un elemento o dispositivo

que impide el flujo de corriente. La unidad de resistencia R se
llama ohm y se abrevia por el símbolo Ω.
Elementos pasivos:
La capacitancia

La capacitancia es la medida de la habilidad de un dispositivo

para almacenar energía en forma de cargas separadas, es decir,
en un campo eléctrico. Su unidad es el Faradio (F).
Elementos pasivos:
El inductor

Elemento que almacena energía en un campo magnético. Puede

construirse como un alambre enrollado alrededor de un núcleo
magnético. Se representan por un parámetro llamado
inductancia y su unidad son los Henrios (H).
Elementos activos:
Fuentes independientes

Una fuente es un generador de voltaje o corriente capaz de

proveer energía a un circuito.

Una fuente independiente es un generador de voltaje o de

corriente no dependiente de otras variables del circuito.
Elementos activos:
Fuentes dependientes

FVCC FVCV

FCCC FCCV
Introducción a los
semiconductores
Semiconductores

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya

conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la
de un aislante.

Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la

construcción de dispositivos electrónicos son Ge (Germanio), Si
(Silicio) y GaAs (Arseniuro de Galio).

¿Por qué?
Estructura atómica:
Elementos tetravalentes

Video
Estructura atómica:
Elementos trivalentes y pentavalentes
Unión covalente - Silicio
Niveles de energía
Niveles para diferentes estructuras
atómicas
Materiales extrínsecos

Con el fin de mejorar las propiedades de conducción de los

semiconductores, se

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de

dopado se conoce como material extrínseco.

Hay dos tipos de materiales extrínsecos de gran importancia en

la fabricación de dispositivos semiconductores:

• Tipo-n

• Tipo-p
Material tipo-n

Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman agregando

un número predeterminado de átomos de impureza a una base
de silicio.

Un material tipo n se crea

introduciendo elementos de
impureza que contienen cinco
electrones de valencia
(pentavelantes), como el
antimonio, el arsénico y el fósforo.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se
conocen como átomos donadores.
Material tipo-p

El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o

silicio puro con átomos de impureza que tienen tres electrones
de valencia. Los elementos más utilizados para este propósito
son boro, galio e indio.

Las impurezas difundidas con tres

electrones de valencia se llaman
átomos aceptores.
Flujo de electrones y huecos

Si un electrón de valencia adquiere suficiente energía cinética para

romper su enlace covalente y llenar el vacío creado por un hueco,
entonces se creará un vacío o hueco en la banda covalente que cedió el
electrón.
Cargadores mayoritarios y minoritarios

En un material tipo n el electrón se llama portador mayoritario y el

hueco portador minoritario.

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el

electrón el minoritario.
Tarea y Quiz

▪ Video 01 – Estructura atómica.

▪ Video 02 – La unión PN.

▪ Video 03 – La unión PN polarizada en directa.

▪ Video 04 – La unión PN polarizada en inversa.

Lectura Secciones 1.1 a 1.5 de Boylestad.

Diodo semiconductor
El diodo

Al juntar dos materiales tipo n y tipo p, construidos en la misma

base: Ge o Si, los electrones y los huecos en la región de la unión
se combinan.

Se genera una falta de portadores en la región cercana a la unión

(región de agotamiento).
El diodo

Es un dispositivo de 2 terminales, la aplicación de voltaje permite

3 posibilidades:

▪ Sin polarización (VD = OV)

▪ Polarización directa (VD > OV)

▪ Polarización inversa (VD < OV).

Unión p-n
Comportamiento sin polarización

En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la

carga en cualquier dirección es cero.

En el momento en que los dos materiales se “unen”, los electrones y los

huecos en la región de la unión se combinan y provocan una carencia
de portadores libres en la región próxima a la unión.
Unión p-n
Voltaje inverso

La región de agotamiento se amplía y se genera una barrera de

potencial muy grande.

La corriente que existe en polarización inversa se llama corriente de

saturación inversa y se representa como Is
Unión p-n
Voltaje directo o “encendido”

Aplicando potencial positivo al material tipo p y negativo al tipo n, de

esta manera el diodo semiconductor tiene polarización directa.

Incrementar la magnitud de la polarización permite disminuir la región

de agotamiento hasta que se genera un flujo de electrones.
Diodo ideal
Características del diodo
Características del diodo
Características generales del diodo
Ecuación para las regiones de polarización directa e inversa:

Is es la corriente de saturación inversa.

VD es el voltaje directo aplicado al diodo.
n es un factor ideal, normalmente 1
VT es el voltaje térmico:
TK = TC +273º
k es la constante de Boltzmann = 1.38 x 10-23 J/K
q es la magnitud de la carga de un electrón = 1.6 x 10-19C
Voltaje térmico

A una temperatura de 27ºC determine el voltaje térmico VT.

 Región Zener

Existe un punto en el cual, la aplicación de un voltaje demasiado

negativo dará un cambio brusco en las características.

Potencial Zener ( VZ)

La región Zener se conoce como región de avalancha.

El máximo potencial antes de llegar a esta región se llama voltaje pico inverso
(Breakdown Voltage).
Germanio (Ge), Silicio (Si) y Arseniuro de
Galio (GaAs)

El potencial (VT o VK) en el que el

diodo alcanza la región de
conducción se llama potencial de
conducción de umbral o de
encendido.
 Efecto de la temperatura

La corriente de saturación
Inversa Is, será casi igual al
doble en magnitud por cada
10ºC de incremento en la
temperatura.

El voltaje de umbral también

varía.
Niveles de resistencia

Dependiendo de la región en la que se encuentra, y debido a la

forma no lineal de la curva características, la resistencia del diodo
también variará.

Es importante tener en cuenta tres niveles:

▪ Resistencia en dc o estática.

▪ Resistencia en ac o dinámica.

▪ Resistencia en ac promedio.
Resistencia en dc o estática

El punto de operación no cambia en el tiempo. Se puede calcular

ubicando los niveles en la gráfica según:
Ejercicio

Determine los niveles de resistencia en dc para el diodo de la

figura para:

a. ID = 2mA

b. ID = 20mA

c. VD = -10V
 Ejercicio

Determine los niveles de resistencia en dc para el diodo de la

figura para:

a. ID = 2mA

b. ID = 20mA

c. VD = -10V

Rtas: 250Ω, 40Ω y 10MΩ

Resistencia en ac o dinámica

Es necesario ubicar el punto de operación Q, determinado por

los niveles de dc aplicados. Este punto se conoce como el punto
estable. La resistencia ac es mucho más alta para niveles bajos
de corriente.
Ejercicio

Determine la resistencia ac
en:

a. ID = 2mA

b. ID = 20mA

c. ¿En dc?
Resolución del ejercicio

a.

b.

c.
Resistencia en ac o dinámica

Derivando la ecuación de corriente y despejando para rd (a

temperatura ambiente):

La resistencia dinámica se puede hallar sustituyendo el valor en

el punto Q de la corriente del diodo (en la región vertical de la
curva).
Resistencia en ac promedio

Cuando la señal de entrada es lo suficientemente grande para

recorrer una parte extensa de la gráfica es necesario hallar la
resistencia ac promedio.
Circuitos equivalentes para diodos

Un circuito equivalente es una combinación de elementos que se

eligen en forma adecuada para representar, lo mejor posible, las
características terminales reales de un dispositivo, sistema o
similar en una región de operación particular.
Circuito equivalente de segmentos
lineales
Circuito equivalente simplificado

Para la mayor parte de las aplicaciones, la resistencia rav es lo

suficientemente pequeña como para omitirse.
Circuito equivalente ideal

Como el nivel de voltaje de 0.7V es despreciable, a menudo se

puede representar como:
Hojas de especificaciones

Los datos de los dispositivos semiconductores son presentados

en hojas de especificaciones donde puede encontrarse la
siguiente información:

▪ Voltaje directo VF

▪ Corriente máxima IF

▪ Corriente de saturación inversa IR

Hoja de especificaciones
El diodo físico
Análisis de circuito:
La recta de carga
Recta de carga

Método para obtener el punto de operación de un diodo.

Se busca determinar los niveles de voltaje y corriente, que

satisfagan las características del diodo y los parámetros del
circuito.
 Análisis por recta de carga

Se hace el análisis de LKV en el

circuito:
Análisis por recta de carga

Cuando VD=0V:

Cuando ID=0A.
Análisis por recta de carga

Se dibuja una línea recta entre los dos puntos, llamada recta de
carga (para la red en particular). Si cambia la carga R, la
intersección con la curva del diodo también cambiará.
Ejemplo

Para la configuración del diodo, determine:

a. VDQ e IDQ

b. VR
Solución
𝐸 10𝑉
𝐼𝐷 = ቤ = = 20𝑚𝐴 𝑉𝐷 = 𝐸 ቚ = 10𝑉
𝑅𝑉 0.5𝑘Ω 𝐼𝐷 =0𝐴
𝐷 =0𝑉

𝑉𝑅 = 𝐼𝑅 𝑅 = 𝐼𝐷𝑄 𝑅 = 18,5𝑚𝐴 ∗ 0,5𝑘Ω = 9,25𝑉

Solución

Repitiendo el ejercicio para un diodo ideal:

Diodos en serie

Un diodo está “encendido” si la corriente establecida por las

fuentes concuerda con la de la flecha del diodo y VD ≥ Voltaje de
activación.

1. El diodo se reemplaza por elementos resistivos y se observa la

dirección de la corriente resultante.

2. Se verifica que el voltaje de alimentación es superior al voltaje de

activación del diodo.
Ejercicio

En el siguiente circuito, si E=8V y R=2.2kΩ, determine VD , VR y ID.

Ejercicio

Encuentre los valores de V e I para:

Diodos en paralelo
Si bien, el método que se usa es el mismo que para diodos en
serie, es importante notar que el voltaje entre dos elementos en
paralelo siempre es el mismo.

Calcule las corrientes en los diodos para el circuito!!!

Ejercicio

Calcule las corrientes I1, I2 e ID2 para el circuito:

Ejercicio

Calcule las corrientes I1, I2 e ID2 para el circuito:

Rta: I1=0.212mA, I2=3.32mA e ID2=3.11mA

Bibliografía

Boylestad, R. y Nashelsky, L. (2006). Electrónica: Teoría de

Circuitos 6a Ed. Pearson Educación.

DORF, Richard y SVOBODA, James. (2014). Introducción a los

circuitos eléctricos. 9 Ed. Wiley.

PVEducation. Diode equation.

http://www.pveducation.org/pvcdrom/diode-equation