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A qué fenómeno se debe que el tiempo de apagado (tf) de los IGBT sea mucho mayor
que el de los MOSFET. Ilustre con un diagrama la diferencia.
R/ El fenómeno se debe a la compleja estructura de los IGBT, donde presenta una cola de
corriente al momento del bloqueo. Esta cola hace que el tiempo que demora en caer la
corriente (tf) del IGBT sea mucho mayor al tiempo del MOSFET.
Qué hace que los diodos schottky presenten una caída de voltaje menor entre ánodo y
cátodo que los diodos estándar para la misma corriente.
R/El diodo schottky se forma al colocar directamente una pequeña capa de metal sobre un
semiconductor. En donde el metal corresponde a un electrodo positivo y el semiconductor
un electrodo negativo. Debido a la unión rectificada entre un metal y un semiconductor y no
entre dos semiconductores, la caída directa del voltaje es mucho menor que un diodo normal,
por lo general entre 0.3 y 0.4.
Dibuje el diagrama de un circuito de polarización que permita fijar el voltaje de
encendido de BJT de potencia (VCE(ON)) en 2.1V.
R/
Por qué razón la ganancia de corriente en los BJT de potencia presenta valores tan
bajos? (Entre 5 y 10 unidades). Su respuesta debe relacionarse con la estructura física
del dispositivo.
R/ Los BJT de potencia presentan ganancia de corriente baja, porque la capa semiconductora
base (moderadamente dopada) que se encuentra en su estructura, suele tener un espeso mayor
en comparación con los transistores de niveles lógicos, lo que ocasiona que la ganancia de
corriente sea muy pequeña por lo general de 5 y 10 unidades.
A que se debe que los MOSFET de potencia presenten una elevada resistencia de
encendido RDS(ON), cuando son diseñados para soportar altos voltajes.
R/ Al diseñar un MOSFET de potencia, para que soporte altos voltajes se debe incrementar
el grosor de la región de deriva (capa n-) y al aumentar el grosor también se aumentara de
igual forma la resistencia de encendido entre el drenaje y la fuente, debido a la característica
resistiva de la región.
Qué es el fenómeno de segunda ruptura, cuando puede presentarse y que puede hacerse
para evitarlo.
R/ El fenómeno de la segunda ruptura esta asociado a los BJT y algunos otros dispositivos
portadores minoritarios, en donde el Voltaje de Colector-Emisor decae mientras se maneja
valores elevados de corriente. Este fenómeno se puede presentarse en el proceso de
conmutación, en donde los valores de voltaje y corriente son elevados al mismo tiempo,
aumentando la disipación de potencia y temperatura, la cual coloca al dispositivo en una
situación de estrés. Este fenómeno se puede evitar utilizando circuitos que ayude a la
conmutación.
A que se debe que un diodo de 1000V presente mayores perdidas de operación cuando
remplaza a un diodo de 400V (usando el mismo disipador de calor), si ambos llevan la
misma corriente?
R/ Debido a que los diodos presenta una región n-, la cual permite soportar altos niveles de
voltaje al aumentar su espesor, lo que tendrá una mayor perdida por operación porque tendrá
un valor de resistencia mayor.
Para un transistor con snubber de bloqueo que trabaja a 90V con una corriente de
carga de 25A, cuanto se supone (según las formulas) que es el valor máximo posible de
la corriente de descarga del capacitor.
R/ Imax= 0.2Io = 0.2(25A) = Imax=5 A.
Qué transistor de potencia recomendaría para una aplicación automotriz y por que?
R/ Para aplicaciones automotriz, se recomendaría la utilización de MOSFET, porque las
perdidas por conducción en estos dispositivos son menores.
Diga una razón por la cual el valor del capacitor del snubber de bloqueo no debería se
5Cs1.
R/ No debería ser mayor a 5Cs1, porque entre mayor sea esta, reduciría las perdidas por
conmutación y alargaría este proceso de conmutación.
En una aplicación que utiliza un diodo de potencia con un VRRM 200V por que razón
no debo sustituirlo por un VRRM de 800V.
R/ La razón por la que no se debe sustituir un diodo con VRRM 800V, es debido a que el
diodo de 800V posee una mayor región de deriva, por ende también su resistencia. Entonces
la corriente que fluye por el dispositivo provocara un incremento en la potencia debido a una
mayor carga durante el periodo de disparo y el mismo dispositivo se recalentará de forma
innecesaria.
A que tipo de diodo pertenece la curva de la figura, y cual seria la potencia disipada por
este para una corriente de 20ª y un Tj=175º.
R/ Pertenece al Diodo Schottky y su Potencia de disipación= (0.5V)(20 A)
Cuál es el valor mínimo del voltaje que debe aplicarse a la compuerta del transistor de
la figura para asegurar que fluya una corriente de 200A si la temperatura de juntura
es 150ºC
R/ Aproximadamente 8V
Para la figura, cual seria el espesor de la base si se quiere obtener una mayor ganancia.
R/ El espesor de la base deber ser 5m.
De los tres tipos de transistores de potencia vistos en clases, cual recomienda para la
etapa de potencia de un control de velocidad de motores de inducción que trabaja con
un voltaje de 480Vrms?
R/ IGBT porque soporta altos niveles de voltaje.
Cual es el valor mínimo del voltaje que debe aplicarse a la compuerta del transistor de
la figura, para asegurar que fluya una corriente de 80ª si la temperatura de juntura es
150ºC
R/ aproximadamente 7V.
Por que los diodos schottky son conveniente para sistemas de alta eficiencia?
R/ Los diodos schottky son convenientes en sistemas de alta eficiencia porque reducen las
pérdidas en conducción del dispositivo y aumenta la eficiencia total en un convertidor.