UNMSM

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica

APELLIDOS Y NOMBRES: CÓDIGO:

Lizama Lucero, Leonardo Jean Pierre 16190297

CURSO: TEMA:

Respuesta en Alta Frecuencia de un Amplificador

Circuitos Electronicos II
de una sola etapa

INFORME: FECHAS: NOTA

Previo REALIZACIÓN: ENTREGA:

NÚMERO:

19-05-2018 22-05-2018

GRUPO: PROFESOR:

“L8” / Lunes 18:00 – 20:00 Cordova Ruiz Russell

 INFORME PREVIO 5:
“RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA DE UN
AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA”
I. OBJETIVOS
- Estudiar el comportamiento e altas frecuencias de un
amplificador de audio.

II. MARCO TEÓRICO

La Respuesta en alta frecuencia de circuitos con transistores está fijada por los
condensadores internos y las constantes de tiempo asociadas.
Un circuito equivalente en ca en alta frecuencia para el amplificador basado en BJT
de la figura 10-31(a) se muestra en la figura 10-31(b). Observe que los capacitores
de acoplamiento y puenteo se tratan como cortos efectivos y no aparecen en el
circuito equivalente. Las capacitancias internas,Cbe y Cbc, las cuales son
significativas sólo en altas frecuencias, sí aparecen en el diagrama. Como
previamente se mencionó, Cbe en ocasiones se llama capacitancia de entrada Cib
y Cbc es ocasiones se llama capacitancia de salida Cob, Cbe se especifica en
hojas de datos a un cierto valor de VBE. Amenudo, una hoja de datos registrará Cib
como Cibo y Cob como Cobo. La o como la última letra en el subíndice indica que
la capacitancia se mide con la base abierta. Por ejemplo, un transistor 2N2222A
tiene una Cbe de 25 pF a VBE _ 0.5 V de cd, IC _ 0 y f _ 1 MHz. También, Cbe se
especifica a un cierto valor de VBC. El 2N2222A tiene una Cbc máxima de 8 pF a
VBC _ 10 V de cd.

Teorema de Miller en análisis en alta frecuencia Aplicando el teorema de Miller

al amplificador inversor de la figura 10-31(b) y utilizando la ganancia en frecuencias
medias, se tiene un circuito que puede ser analizado en cuanto a respuesta en alta
frecuencia. Viendo desde la fuente de señales, la capacitancia Cbc aparece en la
capacitancia de entrada Miller de la base a tierra.

Cbe simplemente aparece como una capacitancia a tierra de ca, como muestra la
figura 10-32, en paralelo con Cent(Miller). Viendo el colector, Cbc aparece en la
capacitancia de salida Miller del colector a tierra. Como muestra la figura 10-32, la
capacitancia de salida Miller aparece en paralelo con Rc.

Estas dos capacitancias Miller crean una circuito RC de entrada de alta frecuencia y
un circuito RC de salida en alta frecuencia. Estos dos circuitos, el de entrada y el de
salida difieren en baja frecuencia, los cuales actúan como filtros pasoaltas porque las
capacitancias están a tierra y por consiguiente actúan como filtros pasobajas. El
circuito equivalente en la figura 10-32 es un modelo ideal porque se desprecian las
capacitancias parásitas provocadas por las interconexiones del circuito.

Circuito RC de entrada
En altas frecuencias, el circuito de entrada es como se muestra en la figura 10-33(a),
donde es la resistencia de entrada en la base del transistor porque el capacitor de
puenteo pone en corto efectivamente al emisor con tierra. Combinando Cbe y
Cent(Miller) en paralelo y reposicionando, se obtiene el circuito simplificado mostrado
en la figura 10-33(b). A continuación, al aplicar el teorema de Thevenin al circuito a la
izquierda del capacitor, como se indica, el circuito RC de entrada se reduce a la forma
equivalente mostrada en la figura 10-33(c).
Conforme la frecuencia se incrementa, la reactancia capacitiva se vuelve más
pequeña. Esto hace que el voltaje de señal disminuya en la base, por lo que la
ganancia de voltaje del amplificador se reduce. La razón de esto es que la
capacitancia y resistencia actúan como divisor de voltaje y, a medida que la
frecuencia se incrementa, más voltaje decae a través de la resistencia y menos
a través de la capacitancia. A la frecuencia crítica, la ganancia es 3 dB menor que su
valor de frecuencias medias.
La frecuencia crítica superior en alta frecuencia del circuito de entrada, fcu(entrada),
es la frecuencia a la cual la reactancia capacitiva es igual a la resistencia total:

III. CUESTIONARIO PREVIO

1. Definir: rbb’, rb’e, rb’c, rb’c, cb’e, cb’c , fβ y ft

rbb´: La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie, que es la

resistencia con la salida en corto. En el momento hibrido π, esta se denomina a menudo como
rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y colector, se obtiene:

hie=rπ=rbb´+rb´e//rb´c

rb´e: La resistencia de entrada (rπ en el modelo hibrido) se aproxima por medio de la razón:
rπ=(Vb´e)/Ib

rb´c: Resistencia de retroalimentación, rce ; resistencia de salida del transistor.

cb´e y cb´c: Son las capacitancias parasitas del transistor. cb´c es la capacitancia de la unión
colector-base a pesar de que es una capacitancia variable, suele considerarse constante en una
región de operación particular del transistor. La capacitancia cb´e, la cual es capacitor base-
emisor. El valor de este capacitor aparece en las hojas de datos como Cib´. Esta capacitancia es
la suma de la capacitancia de difusión del emisor y la capacitancia de la unión del emisor.
Debido a que el primer capacitor es el más grande de los dos, cb´e es aproximadamente iguala
la capacitancia de difusión (conocida también como capacitancia de carga de la base).

fβ y ft : Son frecuencias características, f B es la frecuencia para cuando el factor de ganancia

del transistor empieza a variar. Ft es la frecuencia máxima de operación del transistor se da
cuando la ganancia es igual a cero.

2. En el circuito del experimento de acuerdo al modelo pi del

transistor en altas frecuencias , encontrar una expresión para fβ / ft
El equivalente en modelo hibrido sería:

Del circuito mostrado

𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))

1
- Frecuencia de corte: 𝑊𝐵 = 𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒+𝐶𝑏´𝑐)

3. Encontrar la frecuencia de corte para Ci, Co, Ce, mostrando los

circuitos equivalentes. Determine el ancho de banda del
amplificador.
IV. PROCEDIMIENTO
Se procedió a simular el circuito en un programa-simulador llamado Proteus:
 V. RESULTADOS
Los resultados obtenidos fueron los siguientes:

VCE ICQ

Valor Simulado 7.58v 2.02mA

VI. DISCUSIÓN DE RESULTADOS

- A frecuencias altas, la onda de salida se ve desfasada a la perfección. Ademas de
que la configuracion del amplificador del amplificador es Emisor Comun, su
ganancia de voltaje tenderá a 1.

VII. CONCLUSIONES
 La más adecuada manera de realizar el análisis en frecuencia es usando el modelo del
parametro hibrido (∏), puesto que asi se obtienen los datos necesarios
 Para determinar la frecuencia inferior, se calculan los inversos de cada contante de
tiempo con los capacitores en corto circuito, las que se suman para obtener la
freceuncia de corte inferior.
VIII. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
 Principios de Electrónica – Roberto Malvino

 Savat, C., Roden, M., 1992. Diseño Electrónico.

 Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos – Robert L. Boylestad.

 Floyd - 8va Edicion - Dispositivos Electronicos

 http://ieee.udistrital.edu.co/concurso/electronica2/diferencial.html