Tema 5 – Transistores (I)

Transistor bipolar

José San Martín

 Tema 5 – Transistores
• Índice

5.1 Transistor bipolar.

– Estructura, características y formas de funcionamiento
del transistor bipolar.
– Curvas características y zonas de funcionamiento.
– El transistor bipolar en la zona activa.
– El transistor bipolar en corte y saturación.

Física 2
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• En el tema anterior se han visto componentes de 2
terminales, los diodos, con una curva característica V-I.
Los componentes de 3 terminales tienen 3 pares de
posibles curvas características V-I.

• Deberemos definir la curva V-I de entrada y la curva V-

I de salida. La curva característica V-I de salida es un
conjunto de curvas en función de uno de los
parámetros de entrada.

• La característica v-i de los dos terminales principales

puede manipularse modificando la variable de entrada
aplicada al tercer terminal.

Física 3
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Física 4
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• El transistor es un dispositivo semiconductor que
cumple tres funciones principales: amplificador,
conmutador y control.

• El término "transistor" es la contracción en inglés de

transfer resistor. Actualmente se los encuentra
prácticamente en todos los electrodomésticos de uso
diario.

• A partir del transistor se ha llegado a muchas otras

invenciones basadas en semiconductores, incluyendo
el circuito integrado gracias a los cuales son posibles
los ordenadores modernos. Un circuito integrado
contiene millones de transistores miniaturizados.
Física 5
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• Sustituyeron a las antiguas válvulas vacío.

• Permitieron la construcción de receptores de

radio portátiles que se llamaron "transistores",
televisores que se encendían en segundos,
televisores en color...

• Antes de aparecer los transistores, los

aparatos a válvulas tenían que trabajar con
tensiones bastante altas por tanto con gran
consumo y sin posibilidad de ser portátiles.
Física 6
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• El transistor es un dispositivo controlado

por corriente y del que se obtiene
corriente amplificada.

• En el diseño de circuitos a los

transistores se les considera un elemento
activo, a diferencia de los resistores,
capacitores e inductores que son
elementos pasivos.

Física 7
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• Tomando como ejemplo el transistor bipolar, tiene tres
zonas de dopaje: emisor, base y colector.

• Está construido con un sustrato de silicio y tres partes

dopadas artificialmente que forman dos uniones
bipolares.

• El emisor que emite portadores, fuertemente dopado,

el colector que los recibe y la tercera, que está
intercalada entre las dos primeras, modula el paso de
dichos portadores (base), ligeramente dopada,
mediante una corriente que regula el proceso.

• Veremos transistores bipolares npn.

Física 8
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• Un transistor tiene dos uniones: una entre el emisor y
la base y otra entre la base y el colector. Es similar a
dos diodos contrapuestos, con todas sus
características.

• El diodo inferior se denomina el diodo emisor-base.

• El diodo superior se denomina diodo colector-base.

• Los diodos contrapuestos de la estructura que estamos

analizando tienen una barrera de 0,7 V cada uno.

• Si se conectan fuentes de tensión externas para

polarizar al transistor, se obtienen corrientes a través
de las diferentes partes del transistor.

Física 9
 Tema 5 – Transistor bipolar
Corrientes en un Transistor

• De manera simplificada, la corriente que circula por el

"colector" IC es función amplificada de la que se inyecta
en el "emisor" IE, pero el transistor sólo gradúa la
corriente que circula a través de sí mismo, si desde
una fuente de corriente continua se alimenta la "base"
IB para que circule la carga por el "colector", según el
tipo de circuito que se utilice.

• El factor de amplificación logrado entre corriente de

base y corriente de colector, se denomina Beta del
transistor.

Física 10
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IC: corriente de colector.

IB: corriente de base.
IE: corriente de emisor.
VBE: tensión base-emisor.
VCE: tensión colector emisor.

Física 11
 Tema 5 – Transistor bipolar
Corrientes en un Transistor

• Como el emisor es la fuente de electrones, su corriente

es mayor que las demás.

• Casi todos los electrones del emisor circulan hacia el

colector; por lo tanto, la corriente del colector es
aproximadamente igual a IE.

• La corriente de base es muy pequeña

comparativamente (aprox. Menor que el 1 por 100 de
la corriente del colector). Normalmente despreciable
frente a las otras en términos generales.

Física 12
 Tema 5 – Transistor bipolar
• Por tanto sabemos que:

• Asi pues definimos el parámetro alfa de continua como:

• Siendo el parámetro beta (ganancia de corriente):

• Por tanto:

Física 13
 Tema 5 – Transistor bipolar

• Ejemplo transistor MOSFET

Física 14
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 15
 Tema 5 – Transistor bipolar
Clasificación de transistores

• BJT: Fuente de corriente (salida) controlada

por corriente (entrada). Ganancia de corriente.
Terminales: Base, Emisor y Colector

• FET: Fuente de corriente (salida) controlada

por tensión (entrada). Transconductancia (gm).
Terminales: Puerta, Drenador y Fuente

Física 16
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Física 17
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 18
Tema 5 – Transistor bipolar

Física 19
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– Formas de funcionamiento del transistor
bipolar.

Física 20
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.

Física 21
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• Ejemplo: Transistor bipolar BJT
Curva característica V-I de entrada Curva
característica V-I de salida

Conjunto de curvas dependiendo del parámetro de

entrada IB (Curvas paramétricas).

La relación IB con VBE es

exactamente la de un diodo,
como tal unión p-n

Física 22
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La relación se realiza mediante curvas
paramétricas, de acuerdo a cada valor de IB.

Física 23
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Cada una de las zonas marcadas de la curva
característica anterior implica un comportamiento
diferente para el transistor.

La zona central, zona activa, es la zona de trabajo

normal del transistor, estando el diodo emisor
polarizado en directa y el diodo colector en inversa.

La zona de ruptura, para la que el transistor no esta

diseñado y que puede conllevar un comportamiento
inesperado y la destrucción del transistor.

La zona de saturación, parte ascendente de la curva

en la que el diodo colector no tiene el suficiente voltaje
para recoger todos los electrones inyectados en la
base.
Física 24
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• En un transistor hay dos uniones p-n (base-emisor y
base-colector), cada una es un diodo pero al estar en
contacto se produce un efecto nuevo, el efecto
“transistor”.

• El estado global del transistor depende de la

polarización (directa o inversa) de las dos uniones.

Física 25
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• Estructura: Emisor muy dopado. Base muy fina y
poco dopada.

• Con la unión Base-Emisor polarizada directamente

(VBE > VT) los electrones (mayoritarios) alcanzan
el Colector a través de la Base muy fina.

• La unión Base-Colector se polariza inversamente,

de manera que ayuda al movimiento de los
electrones provenientes del Emisor (minoritarios en
una unión p-n polarizada en inversa).

• Función de Amplificación: IC = β ⋅ I B
Física 26
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Física 27
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Física 28
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Física 29
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Curvas características
• configuración en emisor común: puerto de entrada B,
E; puerto de salida C, E.

a) Característica de entrada (iB vs vBE)

La función que liga la corriente de entrada con el
voltaje de entrada es la de un diodo

Física 30
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La unión Base-Emisor es una unión p-n:
 ηVVBE   ηVVBE 
I B = I B 0  e − 1 = (1 − α )I E 0  e − 1
T T

   
   
Vamos a necesitar una tensión mínima para
polarizar esa unión de 0,7 V.

Como vimos, de acuerdo al circuito de

entrada: I > 0; ⇒ Activa − Saturación
B

I B = 0; ⇒ Corte
Física 31
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Curvas características

b) Característica de salida (iC vs vCE)

vCE< vCE SAT saturación,
iC = iC (vCE,iB)
vCE> vCE SAT zona activa,
iC = iC (iB)

Física 32
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La salida depende de la IB:

I B > 0; ⇒ Activa − Saturación IC = β ⋅ I B

I B = 0; ⇒ Corte I C = 0;
• La potencia disipada limita el área de operación segura:

Ptranst = VCE ⋅ I C ≤ Pmax

• En la zona activa la IC no es plana, tiene una ligera
pendiente positiva (0,01-0,05mA/V).

Física 33
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Regiones de funcionamiento

• Una unión p-n si se polariza en directa (V>Vf) da lugar

a corrientes de difusión considerables. Si se polariza
en inversa la corriente es despreciable.

a) Región de corte, dos uniones en inversa, corrientes

muy pequeñas vBE< 0,7 vBC< 0,7

Circuito equivalente del transistor en estado de corte

Física 34
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Circuito equivalente del transistor en estado de corte

Física 35
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b) Región activa,
– vBE> 0,7
– vBC< 0,7

• Cuando los e pasan del emisor a la base por

difusión se sienten atraídos por el campo
externo que hay entre base y colector ,
atraviesan la base y llegan hasta el colector
(los huecos a la inversa).

• La corriente de base viene dada por el voltaje

vbe. La corriente de colector es proporcional a
la de base iC=β iB =>Amplificación)
Física 36
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Circuito equivalente del transistor en activa

Física 37
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c) Región de saturación

– vBE >0,7
– vBC > 0,7

• El emisor inyecta electrones a la base, estos

electrones ya no son atraídos por el colector,
por lo que la corriente de colector disminuye
considerablemente.

• iB > 0; iC < β iB
Física 38
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.Circuito equivalente del transistor en activa

Física 39
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Potencia de disipada en el transistor

• Resolviendo el circuito básico planteado se

obtiene la relación:
VCE = VCC − I C ⋅ RC
• Podemos calcular la disipación del transistor
(aproximada) según:

Pdiodo = VCE ⋅ I C

• Es esta la potencia la que hace que aumente la

temperatura de la unión del diodo de colector. A
mayor potencia mayor temperatura en la unión.

Física 40
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Ej. :Resolver el siguiente circuito.

Física 41
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10 − 0 , 7
IB = 6
= 9 ,3 µ A
10
IC = β ⋅ I B = 300 ⋅ 9 , 3 µ A = 2 , 79 mA

−3
10 − 2 ⋅ 10 3 ( 2 , 79 ⋅ 10 ) − V CE = 0

V CE = 4 , 42 V
0 < V CE < 10 Luego la suposición era correcta

Ptrans = V BE ⋅ I B + V CE ⋅ I C
Física 42
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Obtención del punto de operación.

La recta de carga es:

VBB = i B ⋅ RB + VBE

• Para el caso de VBE=0

VBB
iB =
RB
• Para el caso de iB=0

VBB = VBE
Física 43
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Obtención del punto de operación.

• El punto de operación será la intersección de la recta de carga con

la curva que corresponde con el valor de iB que proporciona la curva
característica de entrada.

VCC = iC ⋅ RC + VCE
• Para el caso de VCE=0
VCC
iC =
RC

• Para el caso de iC=0

VCC = VCE

Física 44
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Modelo equivalente trabajando en Corriente Continua-CC.

En la zona activa se cumplirá:

iC = β ⋅ i B
i E = iC + i B

Física 45
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Comportamiento en corriente alterna-CA.

Ej.: Amplificador inversor de tensión. Emisor común.

Polarización CC.

V BB = i B ⋅ R B + V BE
VCC = iC ⋅ RC + VCE

Amplificación de valor tensión CA.

Valor β de ganancia de tensión y corriente.
Alta impedancia de entrada y de salida

Física 46
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Comportamiento en corriente alterna-CA.

Ej.: Seguidor de tensión. Colector común.

Polarización CC.

VBB = iB ⋅ RB + VBE − iE ⋅ RE

VCC = iE ⋅ RE + VCE

Amplificación de corriente CA.

Sin ganancia de tensión (sí corriente y P).
Realimentación negativa de la V de salida en serie con la entrada.
Alta impedancia de entrada y de salida

Física 47
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Comportamiento en corriente alterna-CA.

Ej.: Amplificador de tensión. Base común.

Polarización CC.

VBB = iB ⋅ RB + VBE + VE

VCC = iE ⋅ RE + VCE + VE

Amplificación de tensión.
Baja impedancia de entrada y de salida

Física 48