FIEE-UNMSM. LUNA ALAMA MICHELLE .

Alta Frecuencia del Amplificador de una sola etapa 1

Respuesta en alta frecuencia de un amplificador de

una sola etapa
MICHELLE LUNA ALAMA
michelle.luna@unmsm.edu.pe
Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica - UNMSM

Resumen--Los objetivos de esta experiencia fueron  Punta de prueba de osciloscopio.

determinar las características de operación de un  1 transistor 2N2222.
amplificador de una sola etapa y respuesta en alta
 Resistores de 56KΩ, 12KΩ, 10KΩ, 1.5KΩ,
frecuencia, así como sus propiedades en alterna y continua.
Utilizamos multímetro y osciloscopio para hallar los 1KΩ, 0.68KΩ
voltajes, corrientes y ganancias de los transistores. Se  Condensadores de 100uF y 2 de 22uF.
apreció que los resultados teóricos y simulados son  Protoboard.
distintos ya que en la computadora se puede apreciar con
mayor precisión los valores que queremos, mientras que el
B. Esquemas
teórico es una aproximación de los valores y en el medido
se presenta factores como la resistencia interna de los
instrumentos que altera los resultados. En conclusión,
funcionan muy bien, pero hay que respetar su rango de
trabajo.

Índice de Términos--Osciloscopio, multímetro,

transistores, condensadores, señal sinusoidal.

I. INTRODUCCION
La respuesta en alta frecuencia de circuitos con Figura 5.1
transistores está fijada por los condensadores internos
y las constantes de tiempo asociadas.
En general se hará la suposición de que la respuesta
en frecuencia vine fijada por un polo dominante. De
esta manera, el análisis en alta frecuencia de corte
superior esta asociada a este polo dominante.
El cálculo del polo dominante se realizará aplicando Circuito de la figura 2.1
el método de las constantes de tiempo en circuito
abierto.
Dónde Ci son cada uno de los condensadores que
actúan en alta frecuencia:
Condensadores intrínsecos a los dispositivos (circuito
equivalente) o capacitacitancias pequeñas (de
característica paso-bajo introducidos para controlar la
respuesta en frecuencia del circuito.
Muchos fabricantes, en lugar de usar solo las
audiofrecuencias, para proteger a los amplificadores Midiendo en el miliamperímetro ICQ
de perturbaciones supra sónicas o subsónicas, lo que
hacen es medir la frecuencia para una banda de
frecuencias superior. En este caso una respuesta en
frecuencia óptima debe estar en tomo a 3dB.
II. MATERIALES Y MÉTODOS
A. Equipos, materiales y herramientas utilizadas
 Multímetro.
 Generador de señales.
 Osciloscopio.
 Fuente de poder DC. Midiendo en el multímetro VCEQ
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C. Procedimiento
1. Determine la ganancia de tensión que se IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS
presenta a frecuencias medias. Complete los Cuestionario:
campos correspondientes de la tabla 5.1.
2. Implemente el circuito mostrado en la figura 1) Grafique en papel semilogarítmico la ganancia
5.1. de tensión expresada en dB, versus la
3. Establezca como señal de salida del frecuencia. Comente su gráfico.
generador una onda sinusoidal de 10KHz, con
el mayor nivel de amplitud posible que
permita obtener una señal sin distorsión de
amplitud a la salida del amplificador.
4. Despreciando el efecto de los condensadores
(frecuencias medias), determine
experimentalmente la ganancia de tensión y
halle el punto de trabajo. Complete la tabla
5.1.

III. RESULTADOS
decibeles vs frecuencias
Tabla 5.1
VCEQ (V) ICQ (mA) Av
Valor 50
7.78 1.945 6.52
calculado
Valor 0
7.629 2.001 6.454 1 100 10000 1000000
simulado
Valor -50
7.9 2.1 6.27
medido
-100
Valor calculado:
Para hallar VCEQ e ICQ, desarrollamos en análisis DC, -150
en otras palabras quitamos los condensadores:
VCEQ =7.78V, ICQ =1.945mA -200
Y para hallar Av, colocamos los condensadores y
trabajamos en análisis AC, hallamos la tensión de
Observamos en esta gráfica, echo en el programa
salida y la dividimos con la de entrada: Av=6.52
Excel a una escala semilogarítmica, ocurre una
Valor simulado
alteración de la ganancia al aumenta la frecuencia
porque hay frecuencias que están en función del
transistor y la correcta polarización del transistor
nos da un preciso valor del factor de polarización.

2)
3)

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 Vemos que en altas frecuencias aparecen las

capacidades parásitas del transistor: Cbe,
2) De acuerdo de su grafico encontrar fH y con Cbc y Cce.
este dato calcular (𝐶𝑏 ′ 𝑒 + 𝐶𝑏 ′ 𝑐(1 + 𝐴𝑣𝑅)) y
 Observamos que ocurre la caída del ancho
verificar la aproximada de la pregunta 3 del
de banda hasta lograr un valor casi nulo que
informe previo. se da a cierta frecuencia, cuando la salida
del amplificador cae en 0.7 de su valor en
Frecuencia alta de la entrada: frecuencias medias.

V. CONCLUSIONES
 Vemos que en altas frecuencias aparecen las
capacidades parásitas del transistor: Cbe, Cbc y
Cce.
 Observamos que ocurre la caída del ancho de
banda hasta lograr un valor casi nulo que se da
a cierta frecuencia, cuando la salida del
amplificador cae en 0.7 de su valor en
frecuencias medias.
 La mejor manera de realizar el análisis en alta
frecuencia es utilizando el modelo de
parámetro híbrido (π), puesto que aparecen los
parámetros deseados.
 Cuando el condensador está en una parte de la
resistencia del emisor y lo conectamos a toda
resistencia del emisor, obtenemos una máxima
amplificación del circuito que nos da un
amplificador con mayor rango de
amplificación.
REFERENCIAS
Frecuencia alta de la salida:
1]Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de
Circuitos y Dispositivos Electrónicos” (10ma
edición).
[2] David A. Hodges “Darlington’s Contributions
to Transistor Circuit Design

[3] Malvino “Principios de electrónica”

==
[4]Charles A. Schuler “Electrónica, Principios y
Aplicaciones”
4) ¿Qué conclusiones obtuvo del experimento?

 En esta experiencia se pudo demostrar que

cuando el transistor opera como un
amplificador en altas frecuencias entonces
frecuencia de corte estará determinada por
el valor de las frecuencias de cortes de los
condensadores, independientemente uno de
otro.

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