PROLOGO ese bro trata el analinis y disefio de citcaitos electrbnicos de radiofredveada que constituyen los Bloques de construcciGa de los transtnisoresy receptores de radio. Re- eja los desarollos de la década pasnla, que han iniciado un crecimiento sin prece- dentes en el uso dle aiteruas de ratio analdglcos para cdmunicacienes vesbales, tanto personales coma de negocios. Los avances continuos en la tsenologia de estado sSlido, ax como resultado transmisores mis pequeros, barstos y corfiables que antes. Paral Jamente se han desarallado los campos de entretenimiento doméstieo de la radio y la television, Como consecuencia. hay gran demanda da ingenisros de radio con amlios onecimionton y habilidad en el arte del estado sido, Debido a tos répidos cambios en I tecnologia de radio, los profesores 2 menudo tienen que basarse en material disperso en muchos textos diferentes, en reristas téeni- «casy en manuales. Bate volumen setisface la npcesidad de tn libso completo sobre elec- lwanica de radio, Esta cbra es iniea, en virtud de Ta. amplitud con que trata tanto los circus de receptores y transmisores, como los conceptos tedricor que explica mediante ejemplos nnuméricos tomtados de circltos reales, El diseno que utiiaa elementos prictiobs de cir- eptotes oomunes, Le sigue una exposicids So bre raid eldetrico, dada swimportancia cn el disefo de los mezeladoresy amplificedores de RF en receptores. Los capitis 31a 7 incluyen las partes componentes de los este sas de secepcion-y ef 8 propescions lx teoria de modulael6n jiecesatia para compen der In opatacidn de lar recoptores de AM, SSB, FM y TV. En el capitulo 3 s profundiza en el diseno de banda angosta de circultos res9- antes con derivacisn para acoplamiento de impecancias ati como ol uso de circuitos de inductsncia mutus con derivacion. tanto pata acoplamiento en bends ancha como ‘en angosts. En ol texto se examina el disetio de amplificadores sintonizados, sehal dé- bil, para panancis maxima con un grado especificada de esabilidad. A’continuscidn, tun analisis de Iss oxeilaciones sinusoidal en los circultos LC y de oselladot a cristal, Para el diseno de un oscilador Colpitis de salida especificada, x proporciona un pi: cediniento original ya probado eu Isborutoro, Eleireuite de fase fijeseinclurd pronto sn casi todo radiorece toro radistransmni sory en partes de equipode prvetis. De aqui quelosaspectos missimplesde la operacion Gel ciruito se esboen on ol capitulo 6, junto con fas caracteistions de las componen- tes bisicas del circuito y algunas aplicaciones a equipo de comunicacibn. Le sigue el snilisis de cireaitos mezcladores a diodo, BUT y FET. Los cepitulos 12 a 16 estin orgunizados por la prictica mis que por ls teosia. Se cstudlan en primer termino lx aruplilicacion on clases A y B. junto.conel transformador de banda ancha y ls redes de filtrado utlizados cn transmisores de SSB, Igualmente se presentan juntos los amplificadores de potencia clases © y C en modo rmerclada y hs redes de acoplamiento de elementos discretos o lineas de ansmision que se usta nor: malmente con esos amplificadares. FI eapiiulo 14 trata vari tipos de amplificedores e potericia de alta eficencta (clases, D, H, F y 5). E115 incluye transmisores ea CW, FM y AM, ys que Genen configursciones similares. El tltimo capitulo exarning lor ‘tansmisores de banda lateral nica y lbs multimodls, la eliminzcion y restau cién de envolvente y otras ‘€enicas relacionadas, CONTENIDO Capitulo 1 Sistemas de radiocomunicacion <1. Introduectn lsmentos de un sixtcima de cad Moculacién / +, Mullplexado de frecuencia y emp 5 Comparacién de sistemas de mosulacin Capitulo 2 Ruido eléetrice Ruido térmica en redstones y tedes Ruido en antenas reoeptoras Ruido en diodes, transstoret y FETs Definiciones de té#minas de ruldo, Cia de ruide Consideraciones sobre el rida de tos ammplificadores Apéndico 21. SelecciGn de A, para disminuirla cifta deruide Capitulo 3 Circuits resonances y transformacion de impedancias Resonancia serie Resonancla paralela Resonaneia paraleto con resistencia de carge on serie Efectos de redistendiss de fuente y de bobira 9 15 6 Ik 8 2 24 28 28 32 38 42 49 st 32 35 5810 Contenido. 35, Conversiones paralelo a serio para cireuito RL y RC 36 Cireuitos rsorantes on deritacion 3-7. Bobina derivada con Inuctancia mutua 38, Transformador do siatonis nica 39, Transformadores de sintonta dobie Apénidice 3.1. Tablas de f5rmulas de diseno Capitulo 4 Amplificadores de ata frecuencia con seral débil Definicién de wn amplificator de seal dabit Modelos para el dispositive activo Estabilidad del emplifieréor ‘Obtencion de estabitidad Ganancis de potencia on smplifcadores Disero con dispositiva incondicionalmente estable Disefio con dispositive potencialmente inestable Ganancia miximea de transdictor con estabilided especificada 49. Abineabiliéad 4-10, Disefio global de la etapa ie amplificacor sintonizado . Apéndics 41, Relaciones entie loe pardesteoe do cundripoios Apéndice 42, Parimeteos del circuits htbrido Pi ‘Apéndice 4.3, Cantidades correspondientes en diverses sistemas parameétricos Apindice 44. Bator de transstoren RF ‘Apindice 45. Frecuencias de autostesonaucia para diversas tipor de capacitores y bobinas de RE Capitulo § Osciladores de onde sencidal S-1, Criettos para osclacion 52. Osciladores de resistencia negitivs 53, Osciladores con retroalimentacion 54, ‘Técnicas de disena de osciludor 55. Analisis y disetio del escilsdor Cefpitts 56, Otros croultos qsellantes 527. Oseiladores de eficiencia maxima 258 Osciladoces contralados por cristal S59, Soparaciin > 5.10. Estabilidad de fiecuencia Capinulo 6 Chcultos de fase fie 64. Pxplicacion simpli 62, andlisis neal del PLL 63, Terminoloain del citeuita do Fate fix Js dea operacign PLL 58 59 65 B v 37 9s 95 R 100 108 10s 107 10 rit m 113 121 15 127 129 137 139 139 140 142 144 145 155 158 139 168 168 i mW 17a 17 64, Hl osllador te circuito 65. Hl detector de fase 65. Aplicaciones de cireulto de fase Nfs 67. Kjemplo de diseno de un PLL Capitulo 7 Mezcladores 7-1, Teoria bisiéa del mezelador y andlsis espectral 7-2. Torminologis de mezeladores 7-3. Meacladores a diodo balanceadios 7-4, Mezcladores a FET y BIT 75. Mezeladores transistorizados (BIT) 7-5, Mesciadores FET 7-7. Biseto de mezolador a FET. 7-8, Disefio de mezclidor a MOSFET Capitulo ® Modulacién 841. Modulscibn en amplioud 8:2. Sistemas de banda lateral nica y banda — lateral doble Generacibn de eefales en banda lateral Unica Modulacion en éagulo S, Expectros de ondas moduladss en ingulo 5, Duadramas fasoriales de ondss moduladasen dngulo 7. Compaiacién de FM y PM. Modulacién de impulsox 9. Capacidad de informacion de un canst Apéndice 8 1. Derivacién del espoctro de ondas ‘moduladas en éagulo Capitute 9 Receptores de modulacion en amplitud 3-1. Especificaciones de opemacién de reeeptores 92. Elamplifiador de RF 93. Mercldor 9-4, Loscilador local 9S. Elamplificedor de FI 9-6, Filtros FI de interetapa 9-7. Detectores de envolvente a diodo 98. Detectores de productos 9.9, Control automitice de gunancia 3-10, Circuito silenciador “S411, El receptor de AM Contenido 119 180 183 19) 193 193 197 200 208. 213 216 24 229 230 235 239 243 246 249 255 261 265 263 266 268 269 270 2 281 284 28512 Contenite Copitule 10 Reseptores de EM y PM 1041, Sistemas de amphficacion de FL 102, Caracterfsticas del detector de FM. 10:3, Detectores pricticos > 10-4. Recepcidn estéreo de FM 105. Nota sobre conido cvadrafénico 106, Consideraciones de audio; Preénfasis ydeséntasis 10-7, Bjemplo de receptor completo de FM Capitulo 11 Receptores de television 114, Television monocromdticn 11.2. Ancho de banda de la soft de video compuesta 11-3. Transmision de banda lateral residual 11-4, El recoptor monoeromstico U1-S, Television a color 11-6, Transmision de informacion de crominancis 117, Fl recaptoren color Capitulo 12 Amplifisadoreslincales de potencia 1241, AmpHficacion cli A 2-2. Amplfieadon clase B 3, Considaraciones practicas Distorsion de intermodulation y polaricacibn Alingnticién y eirvalimentacion en RE Transformadores de banda ancta ‘Combinadorea de potencis y soparsdome 3. Filtros de saliéa Diseno de tadiadores de ealor Apéndice 12:1, Transistores de potencia en RE Capitulo 13 Amplificedores de patencia sintonizados: 13-1, Amplificadores de Fuente de corttente clase C 13.2. Amplificadores de eaturacién clase C 133. Amplificadores de estado sotido en modo mixto. slase C 134, Excitadon y polarizacion > 135, Carastoristicas de modulaci6a'en amplitud 13-0. Nultiplcadores de frecuencia 5-137. Acoplamiesto de iempedsacias 21 291 203 236 Bu 35 316 316 Rl 321 a2 324 325 325 33) 331 339 HL 345 349) 351 355 300. 367 370. 372 a7 381 381 386 388. 394 395 397, Capitulo 14 Amplificadores de potencia de alta eficienla 14-1, Ampliicaciin on clase D, Operscién idealizads 14-2, Consdaraciones pricticas sobre la amplificacion en clase D 143. Amplification en clase B 14-4, Amplifiacién en clase F 145, Amplifieacin en slase § 145. Ottor amplificadores de alta eficieneia Apéndice 14-15 Tabulacién de carscterfsticss AP Apéndice 14-2, Kjesucibn de un AP en clase E Apéndice 14-3, DisiorsiOn gn moduilaetén de anchura de uso Capitulo 15 Tronsmisores tle CW, FM y AM. 15.1, Transmisares de CW 15-2, Transmisares de EM 15.3, Tranamizores de AM Capirula 16 Transmisores de bands lateral nica 16-1. Organizacion del tansinige 6-2, Caenas lineales de amapifieadores 63, Potensias pico y promedio 4. Proteccion AGC y SHWR 165, Eliminacién y restauracion de envolvents INDICE Gomestuo rs ais 416, 33 430 435 43a 447 451 455 457 49 400 4 400 481 481 486 487 491 494 503Capitulo 1 SISTEMAS DE RADIOCOMUNICACION 1.1 Introduceién Ese lro se dedice al aniliss ¥ diseto de sircuibs electrbnicor vedas en sstemas de tndiocomunicacin, Se supone gue elector yaa estadiado los arapiicadores de a dio, por To que el énfasis te pont sobre les ekeuitos de radjotranamisore y radlorte ceptors. Las antenas de tarsmisionyrecepcin, asf como i trayectoria de propagacion tnize ols, son parte importante de un sistema global, pore a dicusién de estos cl. ‘mentos no se tratan en este bro, Los sistemas de comunicacion tanstiten informacién en foun de sales léc- trcas que epresentan vor, misic,cuadros de elvis, atoscientifice y de negocios ¥ otto. Las formas de onda de estas seiaes son complisadasy cambin continuamente, sunque el espcteo de frecuencias de lak seals queda limitado por lo general, cirta nchura de bands, ya ta por ia nituraleza de la fuente de seal 0 pot los itr en el «ipo de tranmisién. Como mucus de ests sefales ocupan una banda de frecue: clas que se extiende hacia abajo haste nox pocos Hz, no pueden avr trangnitidasen su forma original sobre una trayestoria comin de transmis, pues no seria pose separ lusen el extremo receptor. in linea de transmisi separada cui traysctoia deradio fare cada sf por tparato 20 erie factible, desde un punto de wit econémicn © Prictico Por ello que el stems global de comunicaciin debe proporcionarua medio p- ' ls tras simultines de varias setales, ya a ubicindolas en diferentes partes del ‘spectro de frecuencia o bien enviando mucstes de cllaya base de tiempo compart, Ls longinud de onda, en metros (\) de una onda de aio es dada por elf, con eco ln velocidad deta luz (3 X 10" m/sea)y fess en Hz, Para cleus de RF, con- Nene recordar que'f'en Miz por X es m =300) Una anton de radio dabe iene una imensicn fic de la mited de ts Yongltud de onda o algo mis, para proporcionar cfc ‘encia rzonable, por lo queen la medida en que aumente la frecuencia de transmis, & reducon ls dimensisa fsica y ol costo de ls antena ala vez que se incrementa su ef enc 1s16: Siena de raiocomunieacion 1.2. Elemontos de un sistema de radio Et proceso medisnte el cual el mensaje original sé convierte en uns formaadecuads para Ja transmisién por radio, se dasomina modulacién. El proceso de modilacién osesiona {que una propiedad tal come la ampliud, Ie frecuencia o a fase de una onda portadora® de alia frecuencia, s desvie de a2 valor no modulado en una vantidad proporcional al ‘valor instantineo de’ ls seal moduladora (mensaje). De esta manera, el contenida del ‘measaje original se corre Ie porcion del espectro de frecuencias en la vecindad dela frecuencia pottalora. En el receptor, este proceso se invierte en un detsetor que ree ‘pers Ja seta original y La figura 1.1 muesits-un disgrama-en blogues simplifigado de un radiotransmit- sot y un radiorreceptor, con el cbjeto ge ilustrar el procesamiento de weal que tiene ugar. La fancion de cada bloque se explica en segnite: 1. La fosnte de la sefal monsaje puede ser un micrOfonc, una pastlle de fo égrafo, ua eémara de televisin u otro dispositive que transforme la infor ‘acign dosvada én seal eléctric. 2. La sell se amplfica y 2 menudo se pasa por un fltzo de peso bajo que lint: tas anchura de bands. 3. Bloscilador de RF establece la frecuencia portadora o algtin subamiltiplo te ‘lla, Como se requiere una huens estabildad de frecusneia para mantener el fransmigar en la frecuencia asinada,el osciladot controls usualmente por un ental de cuarzo. 4, Uno 9 mie pasot de arplifiexcin aumentan el nivel de potencia de la fal proveniente del osciador, hasts que alcance el requcsido para excitar al mo- {nledor. Se use la operacién en clase, siempre que sea posible, para obtener ‘ung alta eficencia, Al sintonizar los circuitos de sida con una arménica de la ficcuencia de entrada, se obtiene una “multiplicacién de frecuencia” de tal ‘manera que la frecuencia final de portadora pueds ser un multiplo de la fre: ‘uencia del oseilador. 5. El modulador combina las componentes de frecuencia de sel y porta dora ‘pocrd producir una de las variedades de las ondas moduladas que se presen tn li secoidn 1-3. En ol sistoms simplifiado de la figura 1.1, el expectro d seflal de salida se halla en la Yecindad de ls frecuencia deseada de portador fen RF. En muchos transmisores se ingortan un oseilador y un mezchidor curation (semejantes a los bloques 10.y 11) entre los bloques 5 y 6, co ‘objeto de corer lasefial modulada hasta un rango de freouencias ms alto. Puede requerirse amplificaciém adicional despads de ba modulacin, pars le var el nivel de potencia de sefal hasta el valor deseado para la entrada de a La antera de trangmision convierte la enespia de RF en tina onda el tromagnética con la polacaclin deseada. Si Gata debe llegar « un res linico (fije), se dices la antera para ditgir tanta energia como sea posi ‘hacia Ia antena receptors. . La antena receptors puede fer omnidireccional pars servicio general, 0 tamente’‘direccional para comunicacion de punto a punto, La anda 4h E Ls "poradors” auade se uns ena shusoldalaun ren pul a Elenestes deo eters d2ratia, 17 Tae ivedew vole en Is Wayestois Ha Wane Figers 11. Diagrams on bloquee de triereary reepnor d rie:1B Sitemis de indiocemanicnion Moltiplenedu de fesocnol v temps. 19 se propaga Goede ol iantinisor ices un wiltafeprqueto‘on br anteia re cepton. Fl rango de amplitudes det wltaje incite én a antena va desde decenas de milo hasta valores menores de | microwlt, dependendo de mvchas condiciones. a etapa de amipiicacin de RF increments lx potencin de seal hast un nivel adecuado pers excitar al mezcador y ayuda a aidar al eacidor local de ta antena Ese pivo no tiene un ako grado de selecvida de rccuercia, ero carwione para eliminar las wfais de freencins my alia del canal {eweado. Es conrecto que el mcremerto de lve de potent dese ea ante- tora la tape mezsladora, en vrtd del sido que se introduce inevitable mnen‘een sa etapa: 10, EH osilador local ene receptors sintoaias para provi unsfresuecit fup Modulscion-en amplivud uns onda modula en anptitud (AM) ta desvtai6n dela ampited Y= de su yor ao maduléo, es proporcional a valor instantdaeo de la onda ondulsdora En otras pa: Shr la sea moculaders ¢(e), ampltud de a portadora debe vara enelten\- po sain i eapresin Volt) = Vel + mF) 2) donde my £8 “factor ds modulacién. 1 yalor de mgé(E) a0 puede excederla unidad sin introduc cistorsiGn, La figura L-2a dlustra una seal moduladora Att) y ex la 128 se muesits i onda modulads en amplitud correspondiente. Obsérvese que la envoivente jue diffs de'Ta de seal eatrante fiye en un valor fo sc ol de la Treen: a i ‘ ge ls ond AM [Cada por }.2)] thee Ta ssa forma quela seal noduladors ia intermedia: es decir fo puede ser igual a fax +f 03 fay — fe 11. El mezelador es an dispusitiva no lineal gue’ desplaza la seta! rocibida en fag 2 Ja Hocuencia intermedia fy. La modulacién de la purtadora recibica ‘t iransforma también la frecuencia intermedia 12. Fl amplificulor do FI ineremonta ta sata « un nivel acéc\tudo pars la detec ion y suminista mayor perte de la seletividad de frecuencia necesaria ‘ara “pasar” le serial desenda y eliminar las sefales indeseables que hays a Ia sala del mezslidor, Como Ine eieuitos simtanizedos de lox blagues 11 y 12 ‘operan sieaipre en: una frecuencia fy. se pueden diserar para dar una bu: toy selootivileds Loe ftsde de eatin ale erietal == umn siya nando: 15. FH detector reeupera la serial mensaje crizinal 2 partir defy entada de Fimo: lala 14, Hampliicadir de audio 0 video aumenta el nivel de potencia de ls saa del detector Tusts un valor eonveriente puma excitar us bocina, un tube de te levisign ¥ otro dispositive de said, 15, El dispositive de salida eonvirte Bi infaemackin de soft su focuiu erigia (ondas somoras, imagenes, etc.) Lasehal deseaia que x prooesaen el reoeplon, racompatiads del nuido eiéctieo que w introdujo eva rayeetoriade trans. tmisién ys genera dentro del amplificadar de RF, cn ef ossilador boel, x et lezclador y en otros dispestives: Kl diagrams de blogues de [a Vigura 1.1 es silo ilusrativo. Fn Ta préctica, se encueritran tuntas yarlsciones en lor sste= mas de transmisor y reeeptat que no fay us solo diagrama que pueds consi eraise tipleo. Les disgramas de reteproreso tansnisores para aplicackines ‘articulares se discutiréa an detalle en capitalos posterioees Moguilacion angulat En he modulacion angular, 2s €|angulo 6(r) en (1-1) en lugar de a amplitud, que semo. Aifia por le sefal modnladors, La mogulacion de fase y ce frecuencia son formes par ticulares de le modulaeiom angular. Ea Ja de fase (MF) se hace variar al ngulo O(2) en (1-1) proporcionslmente-a fa seftal moduladora Fr), Bn la de freeuencie (EM). la fre ait) wy = se hace variur a partie de su valor sit modulaciéa de manera proporeional a F(2). En smibos savos, la amplftad de la onda permangee constante. La figura 1.2 dusira tas ondis AM, MF,y FM que resulton de una sefal rodulador trangutar. Moduizciin de pul: En sistemas de modulacién de pulses, la “portadora” consid de wn trea de pulsos que Puece modularse en amplitud. en repeticién de frecuencia o espacianda de le misma ‘mancrs que las ods AM. FM y MF discutidas previamente. 81 reorems de mmuesireo liemuestre que fa tranemision continuade una seal mens es innevesaria: pole reesnk- Arvinne completamente a partir de las tnuestras tomas a Ts velocidad de cuando menos l doble de [a mat alta frecuencis que contenga ls soda. Asi, para uaa seal que este li ‘itads en banda a 4 KW, un tren de pulsos modulado con frecuencia de repeticio Iicdiade 8 KHz suftciente y la dursesén de les pulsos puede ser urbitrariamente cori, En modulacion por codificacién de palsos, cnoa nuestra se representa por un to de siete o rads pulos (0 espacios) que representan el cddigo binatio dela ait- itud de muestra. Este sistems pose’ gran inmunidad al msido, a costa dl tasse mas sl + de repoticion de pulses y acho de banda mayor. 1.3, Modulacin Para: srmpliar el concept de! modulasioy fitraducide en Ty wien anteriog, ow dai aqui lus definiciones hasicas de los tipos de modalacton usados corsanmente voltaje de uns onda portadora no modatad HO) Ve sen at +8) = ¥/ senin a # q 4 Mukipiexado de frecuencia y tiempo ents cunt es la frecuonsi( de purtades (radisey). /, su amiphiud y ured Ge abc, tlle, fen do pulsos modalado producide por cuslauier de los métodos anteriores ct o> vis de frecuencis relativamente baja. En transmisién de radio, ese tren de pulsos20. Shicmas de naiocgmunicacio | a, TE Ta oI IM es Tae Moves 1-2 la) Sn moculagora Conjerasiinde serie demodulacén 21 rattuye la-sefal moduladora que. s0 vez, modula (en AN, FM, Dae a Ky a Yi, (wary) dentro de etislquier ineremento AF pequetio de frecuencia. Le admitencia del aK? circuito es Y¥=G+ieC 24) ‘De woria de sireuitas, el voltae cuadnition medio en el pusito ejgual a ih 2 They a Vian = TF ) Ay iategrarsobee un anchio de banda infinite. $e obtiene el voltae de niido vuadritico Figira22 a) Circuito resistive mweitata par uns fuente de voltso, b) Cireuieo ‘equivalente de Thivenin pore cdiculo de seMal yc) Circuito aquivatente de The- venin para céteulo de ruida, 2of ee (2-6) Ves |, Gr Oacr encuentra a parti do un circsito en e cual Is fuente de ruldo esté felacionada con la resistencia de Thévenia de la red resistiva y no-con la tarén de divisor de voltae FH proteso de combinar Jos resistores en una ced, para obtener una resistencia de muido efectiva, equivale a cambiar Jos woltajes de ruido ciededtico-medios de los imismos resitores pars obtejerel voltae de ruido cuadratico medio neta. Esto es eon sitente con ol principio estadistico de que si dos o-més proceso extiticos se vombinan, sc obtiene el valor cuadritico medio de la resultante surtanio el valor cusdrstico medio. ide cata provewo, De esta manera, e voltaie euadnéieo medio de raido dewn grape de restores conectados en series la summa de los voltaies de naulo cundréticos mertios en cus resistor, Sin embargo Ja resistencia en el puerto es en Go RO FOI Pars completar el eilenlo de V2, 68 convenience cambiar la variable de inteara- © de Tal suerte que (2.6) se convierte en ATG diy 4k doo vee Lf? BTGde, ae 28) ‘Nyquist determind [a salida de ruido térmico de una red con elementos resistives br 4G SAR ae. y/reastivos. En an puerio ea un crculo asf! voltae e rldo térmico ewndritico me dived ds eT 3 i ee toe ‘La sustitucion de li Frecuencia de porencia mitad del circuito RC @ viekT I RU) af (23) ane Fehie Z (2-9) donde RJ) esta part resistiva (real de la impetancia de entrada al frecuencia ya co (2.8) da una inept doin que pooda callers (er problema 21.7), con ef integraciin se efectia sobre el ancho de banda (2) que interes. esulladu dado por (210% Ejemplo 2.1.2. En la figura 2.3 56 snuesira un circulto paralelo. Gc. Hl ruldo térmico aa xb gett (40) que Se genera en la conductancia s¢ represents por una fuente de coeriente L,,7 (Af): Ya SATAN fa —28 Rultp eget Si compara (2.1) con fa primers invaded de (2.10) se ye que el ancho de banda de ruido oquivalente es x! veoes s] ancho de bunds de potencis mitad, que es un re sultado similar al cbtenide para el citcuito REC sintonizado en (2.27). 22. Puido en antenas receptoras 4a resistencia medida en las terminales de una anteas es del orden de 7 ohms (dipola dde media onda) basta 300 ohms (dipole doblado), Este valor de sesistensia cs hisicamen= te la “resistencia de radincin” que toma en cuenta fa potencia que radia Ia antena. La *resisiencia dlanice" formads por las resistencias de ox conductores dela antens, por lo-comim es desoreciabls ex. comparision con Is sesistensie de radiasién,! Una antena recepiora exhi2e muido en sus termitales a causa de dos fuentes: 1) el ruido térreicn generado en su resistencia Ghmies (generalmente despreciable) y 2) el ruido provenien- te de fuentes extemas. (Cualqaier cuerpo con temperatura mayor que OK radia energia} Fl niido recibido se represents como si fuera térmico generado en una sesistencia Te cin gual a a resistencia de radiaciin, « una temperatura T, que tomaciaen cuenta el dio realmente medido, A.esta temperatura x le Isis cempemeura de ruido te ts antena. Ejemple 2.2.1. Supsngise que una antenna de 200 ohms exkibe un voltsjs de raide mms de0.1 p Veen sus terminales, al med isele en un ancho de banda B= 10" Hz. Mediante. en, =4TARB 0 ones ~ HERB TRIO Tape TE 98K Ts De se moda, el ruido en las terminales de antena equivale al de un tesistor de 209, ohms a temperatura de 90.6 K. Se demostrars después qué otras pastes del sistema rea ceptor pueden también caractenizarse por {emperaturas de ruido equivalentes, con ot ‘eto de simplificar al ealeulo de h razon sefal a ruido-en a silida de un receptor 2.3. Ride en diodos, transistores y FETS Como los resistores y anettas som asspositivos de dos (arminales, e fécil deseribir saracterisica: de railo en téiminos de temperatura de ruido 0 por una resstencia de ido equivalente. La situzciéa ke complica pura translstores y otras elementos mull (eminales de circuito, pues su ruido generado internamente depende de tempera +a, del punto de oporacign y de las terminales do catrade y salida. Para calcular el tuk ‘en circuitos con transistores,éstos se representan convenientemente Gomo cajas nea on iftas de ruido especificadas y ls causas fsicas del ruido del transistor, por fue de rade cquivalentes ‘Se gesenta ina xcapeion an a ‘accion de unalonetue deans. es diriengiones son Une saves se oredorinar n els tsrecutenrs comin hi aldo. diodog, tansktoresy FETs 29 puito en diodos cao cosy de ani seam dy de apr: Se oi uid ened on ods emuonios yd a que la corriente s¢ forma por portadores de carga que se emiten af azar dese el ode eq emir, su mero Mita evadisicamente de momento a {i mado de duparo eseclsnents (ene una dstibacin expecta plans y ti na de dsp generado por unalog, pede representa como proven te de coments con tm corsiont de no evadrition med do valor te de un: - P= 2alncB en donde g e618 carga del electron, 1:6 X 10 eoulombs pe es ls eorriente del diod6, on aoe 9 sel ancho de banda en Hz, onto del aa ee mide mo, te mode ‘ silido para diodos que operanen la region de ruptura javerse o de avalanchs, conde jeaere un ruido de Impulse de gran) emplitud, Uamnado ruide de microplasma. Este rportante en fa construccigin de generadotes de ruido a diodo. uido on transistores de unién sucntes de ido en frmsitores de rin som uid de disparo en cada union de “ru térmica en la ressenci Ge esparcido ce base (aatasindistintanea~ te s.r). Cais te boils de emisor se divide emis ol solector 9 fbas ruts seid por ca partedor de carta Se seleclona al azar y reaults un Tictuacicn ‘uulsica en las contiones € Golector base. A esto se fe donomine ido dep Sién, Oto raido, Iamao mid [/f rio de uctiacion 0 raido de excew, se observa ans recuenous ¥ esl fuente principal de ruido en ampliieadores dees. (5) £1 de toda ae origina principalmente por una recombinacién superficial de tales minoearos on la regain de agotatnento el emisor‘base (6) ‘nt in modelo de ruido, derivado por Van der Ziel, para un transistor en la configue ‘cin de base comin, se meta en la figura 24, Las fuentes de roido define cr 0 sigue 7} iodo @12) 2qhB Finura 2.4. Modelo de ruito de Van der Ziel pars.el wansisior de base comin,) 30° Rita etic, Raido eh diodos, taasstoresy FETS 31 cen donde Jy es lx corsiente de emisor directa; Vi = 4kTHP 243) slonad t e& la vexstencla de espacio de base y 12 7B Teo + T(t — a) 44) donde Jeo 8 la coriente de saturacién inversa de c lector, J 6s i corsicnte dicecta de ddo debido a ta conductancia compuerta anal asf como los efectos ds la transmisiSn de SER Tee a oe ruido a través de eapactiancas ncerelestrxticss. Los modelos de cireitos pars represotar ol comportamionto de ruido de tran Mica mayor s fs SIV, menor sed fa “comupeldn” de Ta seal por el ruldo. Bl vi tores de inidn y FETS, involucran cierto nimero ce parimettos-rara vez mncuidos en. los instructivos de los Fabricamtes. En vez de ello, serepresentan losdispasitivos medians tel método de be cifra de ruio, que se ulilizs paca cireuitos tanto de amplificad oma de mezclatores. Hste tema se discutin en la Seccion 2.5, aunque requiere alga= nas definiciones que se vers a sontinuncién. Jor minimo permisible de la SNR depende de ls aplicacién. Algunos valores minimax prosimados son Ios siewientes: 10 dB en la entrada del detector para un receptor AM; 7 AB on ln entrada del detector de wn reesptor FM y 40 dB-en Ix entrada del detector de un gparato dle television. Observe que-cuanda a sal pasa por uns cascada de eta Prs de amplificacion, In SW decrece continuamente, pues cada etepr afide muido | icional Sin embargo, en In mayoria de tes sistemas, el ruido de salida ampli ddo.ae debe principalinente a, (1) ¢l ruide que acompafa a la sofal-de entrada y (2) aportan hs des primerss eiapzs (tales como as del amplificalor RF y la det iador en un seceptor), 24 Detiniciones do terminos de ruido Se san Yatios terminos pata definir y comparar las cantidades rlatfeas de ruide pro= dducido en tos sistemas cléciticos. Las siguentes defluiciones y comentarios, sustentan, fas bases pars comprender la nomenclatira de los snstructives de los fabricantes y calc lar] efecto global del suldo en un sister, ‘Arch de banda equivatente en ruido ‘Las fentes mis comunes de nindo (Lérmino ¥ de disparo) tienen una distribuciom espes~ fal esenciatmente uniform, de {al suarte que el niido transmitide a través de tn arsDeiesiones do términos do ido. 38 3M Reidy a¥errico Ae Figura 2.9 Carsotorietieas do garancia corstante, con corte en fp 1 eat Figura 2.11 estreci6n del anéno de banda 8 eguivalente de ruida, definide por sco iguales bo las curvas puntoadas y de linea continua, plificalor se determina por el anch de banda del am ganancia constante A, hasta cierta frecuencia f- después de alcanzaria, baja & cero, {al como s8 muestra on fa figura 29 al rida del acho de banda B (que aparece eg ‘algunas de las eeuaciones anteriores) seri obviamente igual af. Sin emaraa. por lp * ‘general la respuesta on frecuencts; queds limitada por Ie capacitancla en parslelo [ lAaedf Le FOr Un cituito sintonizado, de tal manera que no se logra ua corte abrupto de la res mae Be al puesta en fecusrc For eso, se require una detsrminacin mas exact del ach de banda de Considérese un filtro come el de Is figura 2.10, con la ganancia de vol™ tale C= Va/ Como la potencia ds rida sereiciona con el votjecueditico me dio, 26 conveniente trazar la respuesta de la Frecuencia en términos de L4 (f) como ‘muestra con a linea lena de la figura 2.11, donde |4,» |? eel valor méximo de esta ‘surva. Si Ia entrada a este filtro es un ruile blance con valor cuiadritico medio de vob taje Pan? t,o whise de sls cindritico medio correspondiente enn iieralo iticesGeicmm et Ep is eouaciones dadas anteriormente en este capftulo este «sel valor do 2 que x6 de bo usar y obvicments debs evuhiaree pera el esters particular que se esta analizando. 1+ integral en (2.26) no siempre es fil de calcular, No obstante, cn muctios amolifics- doves de RF, el ancho de banda se establece por cireuitos RLC sintonizades, para los dancho de handa de ruido es? ean wsdl = [A.C Prid 02 5 HH mido del ancho e harida que se ds en (2.27) s #/2 veces el ancho de bands 34B 1a suma de tniesinerementos sobre la hands de frecuenie da ia eeu *; Potercia de rida, ynible [[eraia-n8 [acne 028) i a 1a porencia disponible Pde una fuente és polenla niu que se pucks exter de he onto Gone in impeeancia inter 2, =A -+ 7X, Ja potenca rdsina se on opr a ung erga acoplada conjuzada (2: =A —X), Sl voli en cei sbieto Che cnt en Vel tore de le nia fanfare de tenet EX valor de la integral del segundo miembro de (2.25) es el rea bajo Ja curva de Ii continaa de L4,(F en ta figura 2.11. La lines punteada mussirs un espectio roti sgular con la migra altura méxama ly. y con us ancho de banda B. El anehs de ds equivalente en niide B, esol valor que da ircasigvales bao las cutvas de lineas co tinuas ¢ interrumpias, tal como ve 2 Fema 228) P, SiR es ona fuente de ruido térmico, V? est 49 por (2.1) aco [aura k Spade sea, Per das ve Pa=hTB (29) La potencia de ruido disponible en un’ ancho de banda de | Hz es. 6 spud ayn kT 30) Figura 210. Filo con ganancie de voltae A, (/) y de poterela proporcional « 37 ssew 370 Ae? pain 172), es.3k Ride uéetsien Definkiones de tétinos Ge tuido 37 Vez, y V, Vadit 2) 036) [a sustitucisn de (2.31), (2.35) y (2.36) em (2.34) da las siguientes relaciones pare la Kpnarca de potenda disponible als frecuencia f G, ~|Dzy 3p 2, +2, Figira 2.12 Mocialo ds un cuackipolo general Fl widely de cuadripolo de Ta figura 2.12 y el desarollo subsecvente, se aplican 285 si i: red et urilateral (sin transmisién invers). Para este caso, conviens destacar que {, dui por 237), 8 independiente de valor de Z. Vea que ésta no es la ganancia sea) ce In red: el valor de C, 66 obtensiris en la prictica s6l6 con condiciones de ac0- ipaniento ideaes (Zy =Zt y Z, =Z2)en atibos puertos? Con una nota final, la ganarcia disponible de varias redes unieteroes en cas- ‘eda os igual al producto de los valores G, de las redes componites. Como #, 10 depende de R, la potencis de suito disponible en todss ls resistencias no nls finitas 25 15 misma, Gainsncie de potencie disponible en un cusdiipolo 1La figura 2.12 imvestia lin cuadpoto general que puede servir como inoJelo para unt etapa amplificadora, para un filo u otra red. La fuente tere un voltaje de circuit abierio Vy y una impestancia itera Z, £1 cuadsipoto tiene una impedancia de entrada 2, y de aalida Z;: asi vomo un voitaje K, de salida en circuit abierte, Lo ear <5 un impedancis Z, . La sanancia de voltaje en circuita abierio del ensdripolo se denatand con Tif) TTorperaiura de nuide Ta tcmporstura de ruido en eualouier puerto de una red se define dela raanera sguion. ‘una fuente de ruido que tiene la potentia disponible P, en un pequefio intervalo de Arecucecias 4f, viene una temperatura de ruido equivalente igual a Ty ~ Py/kA [Ver (0.29)] Si el espectta de potencia de ruido dela fuente no es plano, & y J dependen We is fiscurncha Hg)-% eat Temperatura de ruido excesivo Ty. Los generadors de ruido utilizados para probar La potenca de sf dispouibe on la fente, como se defini antes cx Sc] iators, se aha a rien én érminon de temperatura de rldo exci: r= om t=T-T 238) ; donde Pesta temperaturs de rido doa fen y Ty ~290 K sla temperatoranormal ‘Sknilarmente; la potonciw de asda) diepionitle en el puerto de aalida ts ie referencia Temperatura de ruido de entrads efectiva de ung red, Si una fuente de ruido térmico 4 temperatura’ se conecta una red sinruida con ancho de bands Af pequetoy ga: Terca disponible 6), le poten de rede disponible ea la fucite es Pac Ox aR, (Observe que R, ¥ Rz sores pares resles de ls impalancias comrespondientes) Lag haneia de potencia disponible G, de lara sé Gefine com Ja Ta26N Pap {Pays €8 WSC, bee @ [sta expresidn no es muy du, pues no toma en cuenta el esacoplamienta de impedar cias en los puertos de entrada y salida. Sin embargo, observanito la red se absienen I sigulenies exoresiones: Py =KTOS watts 39 ¥ ls potencia de ruido disponibles la sada de la red es Por = GAGMTSS (2-40) |b red es miidoss, produciri una potencia de muido adicionil Pye a la sida, Con el amo ruido de entrada que antes, la potencia de roldo de salida word e233) siholo 2 donot" eoniupeda de” 2,(fea deruiéo, 39 neocon oremce re it ‘noone j y eee Thvave , edt i ro fetus airy cman Se Eco ime ay Sad aii ta) Figura 2.44 Potencias de ambes con temperatura T y conecta- das en pataielo, demostrar que la fuente de corsente cuadratica media ‘equivalenteestd dada por fy* = 4471 + G3 24.3. Demostear que la figura 2.12 s ol ciccuito equivatente de Notton del de bla 2.1.4, Dibujar de nuewo a figura 2.28 sin fuente, pero inclu yendo une fuen te de voltae para representa el ruido térmico preducidoen Ra y fuentes Ae comriente para representar emu térmico en Ry ¥ Ry 8) Nediante ios teoreinas de Thevenin y Norton, estabiecer sl ckeuito de Thévenin equivaleate a a izanierda de Rr. Demosiret que la resis tensia de Thévenin es Ry ~ Ra +R; || Ry,y que el voltaje de suide undtdtico medio en circuito abierto.es Vzu! = 44 7RRy 2A.S En a citsuito de le figura 2:2, sean Ry = Ay = 202. Ry = Ry=1 KO, T= 293K, y 6 = 10" Hz. Supone: que todos los resistores carecen de rida, salvo Ry. Celcular ¢voltajs de rudo rms de Ry debido al ruido ‘ermico gencrado en Ry. 2.1.6. Bn la figura P21.6, los redstores Ry y Ry estin vas temperaturas Py 1 Ty, respectivament 18) Redibujar el cicuito, representanto tf mide térmien en cada resis: tor por une fuente de corsiente ) Fatablecer la expresin general para el voltaje V,? de ruido cusdr ‘ico medio. ) Pata Ry = 10K, Rs = 20K82, y Ty = 7; =20°C encontrar! volte je Vy deride rms on un ancho de bands # = 108 te, 4) Repetir ia pare c) pata T, =20°Cy Ts =313°C. 2.1.7, Verificar que el cambio en, variable de a G ex (2.6), ds (28), Introd. ‘cir enseguida Ia sustitueséa dada por (2.9) y cambiar ia variable de inte- gricién a x = cy. Demostrar que el valor de la integral definide que resulta, da (2,10), ra Fig. P2-1.6446 Kudo egstseo 23.1. Calealat la coriente de saido rms en microamperes que se producs en undiedo con y.= 10mA. Supomer que el acho ds bandaes B= 10" Hz, 23.2. Un ampllfiador iransistorigado en le configuracin de emisor comin se opera con los paramettes fo, = 1OQIA, Nye, = 440, foe = 40, Fs 00 ome ry = HOME, Ry = 10K 9 Ry = 50 HO Uren a ce cuito equivalente deta figura 2.0, Fara eateule de", valor de Tp 3 tony como 6.24A. Suponer inicialmente que R,, carece de raido. Sean T=290K,y elancho de tance # = 10" He, 42) Encontrat los valores de Vp," V?s lap! © Zon ) Encontar el woitaje (" ).deruido cuaiatieo ide cust 2) Bacontzst la corvient de ruido cuadritien media en el punto de co- tector. 11) Fncontrar Vay* debido s todas tas fuentes, ©) Engontear ¢l voltaic de ruida térmico rms producido en &, en 7 = 290K. Compararconel resultado en d) para ver» tiene importancia. /) Encontrar al valor de Vy? debide sélo'a Vg’ in todo el ruido de transistor). 5) Enconirar i riba d) af), Ents esa cifta de mid del circuito. 2.4.1. Ba un punto Q especificado, wx aunplificador de RF tiene la cifa 4 ido de 2 dB al excitarse con un iente de R, = $00-chms, Suponer que elancho de tanda de ruilo ef = 3% 10° Ur. 12) Determinar la temperatura T. de enirad efoctiva del amplificador, 1) suponer que la inpedancis de entrada del amplificador eo resistive: By = St-ahme, y que la fuente de sefal entraval LV rms al pecrto {4c Guirads del amplificeddr. La fosate ss encuentra w temperstura sormnal. Encontrar is SNR de entrada y sabda 25:1. Al amplificader del problems 2.4.1, le sigue ana etapa mevclatars con lund NFag = 4, La exnanctk de poteacia disponible det amplifickdor es $5 di. Encomizar In NF slobal y fa NF.) de las dos etapa. 2.5.2; Repeitr t problema 2.3.1, pero camblando la garancie de potencia del amplificador 21.4. Comparar los reaitedas. 2.5.3: Repestt los problemas 2:5.1 y 2.5.2, usando 8 dB pura la cifra do nuido Tmerciator 2.54.11 extreme frontal del receptor de la figura P2.5.4. dete tener sa citra ‘de nuido plobal de 3.5 4B, La cifta de ruido del mozclader 06 4 08. FET dispondble pars ol amplifidar de RE tlone una NFyaie =25 4 {cual esa ginancia reinima permisible en 0B para te clapa de RF? 5. Una antena de 300 ahmsee coneclaa ua receptor TY con, 300 chims fe jimpeancia de entrada (sn raido), La temperatura ofective de ls anteaa ‘cs 1000 K. La cfm de reido del extreme frontal del receptor es de 4.4 i traves de las etapas de FT. (hasada en und fuente ‘nai) El anche de bans de ruido efectivo es de S MH. jemperatira act jones ie rubide ampli 47 Fig. Pas. 42) {Cuil es elvalor det voltae de ruido rms a la entrada del receptor? 'B) zCual es el valor del yoitaje de seal requerido en el puerto de entra- 4s para tener uns SNR de entrada de 30 4B? ¢) Gon la SNR de entraca de 30 4B, jcusles ix SNK real ai salida del anplificater de FL? 1 amphificador de viteo dé i figura F2.5.6 tene un ancho de bands de ride efectivo de § MHz, La resistencia de entrada (sin ruido) del arpli- flcadoi xs Ry = 40 chums para fodas fas Cecuencas, El yoltaje de semal es 15 pV (rms). Ademés, Rv Ry, ton les fuentes de ruido themico a la feniperaiura de 290 KR, = 70 otums, y Ry, - 2000.0hnis, La ganancia del voltaie del emplifieador es 4, = ¥, J¥;= 50 4) Easoias le SNR a la colsada dol an plifiewdos 'b) Encontrarla SNK. alaseiite 2c! amplificadors este carece de ruido, 1) Encontrar la SNR, la ealide del amplifcador s tiene um NF Gap.Apéndice 2-1 SELECCION DE A, PARA DISMINUIR LA CIFRA DE RUIDO En el rango de recuenicla centro del cal vidoe model bride, puede us se e crete equivaente de rldo de ta figura 2.6 pats establecer el valor de 2, «que dé la fra Ge rugo minima paral transistor que opera en un punto 9 espe- ‘iicado. Pot anaogia con (2.4.6), la cif de ruido zeal del sircuito de a fgure 25 puede expiesarse como total Var ee ee c NF = sorsion de Va debidaa Vn ie La contribucién a Von? debida a cada fuente de ruido ena figurs 2.5 pue- de calcularse sain sigue Debi Ven? @ 2. Debidaa Fg? i) 3, Debi s fa? Cy 8. Debi a fog? 6)ee: See eee ey 50 Muito eleetnco Capitulo 3 i CIRCUITOS RESONANTES Y TRANSFORMACION DE IMPEDANCIAS La NE real er entonces Vins + Viees Vien ics = Viet Vint Vint ¥ NF= _ ‘Despuds de haver las sustituciones Vey? = 4KIBRs, re + 75 = Me ¥ Ble = se obtiene la siguiente relacion: tes rete k By tet ho > NE-1+ RGB Rate tame | Allnncer [3 (NE)V(2(R)]= 0,9 abtione te rlacion parauaa R, Optima ® on (sera +t Laide adn rita REC wna func orgie dela clay normulnente eae un compaente eit el) vues (agai) Pasa algynor dese, spare racism on una mie rsuenin taco (en, pedanciay aiatancis rele para) se denomina resonance» I ecural (0 feeea- Ci) Inu cute, lina leruenitderexrencta Un crit resonate ge ‘ave una ode asec devon tls cron ean mucho en tena de Comuneacton pars separa is es decane is alse. sys cen ‘ernarentonn opis fportentes de anfornaion deiigedncts pole plo, se peden dar para qu eens extema deals ipeanca yx" enresoan Cin ped spd rf x polos args do bjoreastnsh dentro del ceo resonant ells rey laresomani veiladertYaure son rescases bree ssh y arta denise ronan, impedaniadel rotor here tama yreatenca, range defiwuerta tengo del cael ekcultos epostnadanen. tsrosonane, aya ncho de baal del cst tanga oh ste content laden prec ds archo de bands depends de defiance “aproxia ements resonant" bdo qué tan grande puede flea un componente reat des enpedancia Como ia impedancla de a mayoria de los ces resonates psa pr un ico mini omt- sim nepal cL anode nda sland eaecsaeade aon toe er dafine «eed Main dbs de gen nat, Esra do, bande se relgciona frecwentemente con wna cantidat Yamada el Q (por “Factor de call- dad”*) leit, que m defi despa, Elancho de bands 0 Qa fesbenca de resonnci, Ia npedanciareronate Vs rropleaes de tansfounastn de lnpednsin de un cca, von iaportantn es ‘seh de mpendoesy oslaone on Rl mate que se debe mic de ios tule exnants eo cot yee sa prope, Al Oral de esc expt stain fr (rile de eo sprog, El lo de rede copladarpartaaret Sweden spitieores de poten ea tans se arene epi 13 *Ouelgy, eninalbe.N. 481 a52 Circuitosesonantesy Tensformacson de impedaness Figura 3.1. Ckeuito serie RLC. 34 Resonaneia serie La figura 3.1 muestia a citcato serieexcitado para una fuente de voltaje.L resistencia R combina el resistor de carga y cualquier resistencia en teri presente en el inductor y ona fuente, La impedancis de entrada del circuito es 2tjo)=¥= e+ (ol —J.)=R +X = lle G1) La figura 32 muerers edemo ov coimporta ests iipedancia suande varia I frecuencia F By hugar geomeétrico en el plano de Ta umpedancia es una recta paralela al «je imaginario 4 para por el punio Z = R +70 enssonancia.Fneste punto, |Z\toma sx valorminimo. Laecuacién (3.1) muestra que le resonancia ocurre sical, — 1/coC = Dyesto es,unaties ‘eueneia resonant : 1 fy = mee tad!s G2) de re G2) Si se varia la frecuencia de ta fuente mientras el voltae V se mantiene constant, in co rmiente alcanza un valor méximo Imix = V/A en resonancia, 4 [El comportamiento de la sdmitancia de este cicuito.es tambien de interés y puede ‘obtenerse invtrtiendo (3.1) para obtener el lugargeumétricoen el plano de ls edmitencit fe Figura 32 El lugar soométrioo en el plano Z de Ja mpedencia det cireulto serin LC. Reonncia snc 53 Figura 9.3 €! Ligor goométrica on el olaro:¥ de la admitaneta cel circuito serie RLC. imostiadg en Is figura 3.3, Pueden también construire ls géficas de respuesta en fre- euoncia de 1Z | 2,y X, como se dstra.en a igure 34. AdemAsde i frecuencia dereso- ‘nancia fo, son importantes otras ds fresxencias,indicadas oome fy yf, en la figuras 52,334 34, puss definen alancho de banda de eircuito. Como puede verse ena f- igors 3.4, ony y fo. ia maynitud de a reactancia es igual a a resistencia (1-|=R) a impedance tone elvalor 1Z (=-V3R, y el dogule de fase @ = #45" Consecuenterente, Jo corsiente = I/s/2 y a potencia disipada en el resistor es a mited de ia potencia fen Ia Hrecuencia Ge resonant. Se la vourenidy que ls frciericiaa de potonele mitad Ju y fa dofinen « Byancho de banda de potencla mitad el cixcuito: Bop. fHe op 1%; 2 | re a a . : vst Graco Fannie Figura 3.4 Respussinen frecuencia del cirouito seria ALC.54 Creator rastesy Transermacion de mpedensss ‘Como se estableciS antes, un parimetro que se ues cominmente para denotar Lx selectividad de un cireulto, esl factor de culuad Q, que 9 defiald ortginalnente come la razn de ls reactancis s bs resistencia de una bobina. La definiciéa general del 0 de ‘ualqulercircuito en resonancia es 2X energia instanténea maxima ajmicenadia en el. o4 o ‘cetpie esipada pir clo ’ ediculo del aumerador de (3.4) purde ser dificil para un circuito que tenga va- ties induetores o capasitores, Sin embargo, para un cieuito RLC cn seric,esfécl de- _mostrar (ver protlerra 3.1.1) que la Q de circuito se ostiene uk ante 6s) Por sustitucion de (3.2) ¥ 3.5)en (3.1). poner ea la forma ‘ecuacién para la impédancia se puede tay a[ts10 (2-29)] os o ¥ puede domostrarse que a2 ‘Como nota final, se debe sear que, en resonancia, ol woltaje Vi que straviess cl capacitor, es @ wees ef voltae aplicado F (ver problem 3.1.2) 32. Resonancia paralelo La figura 3.4 muestra un circuito en el quel, Cy Ry = 1/G; estin conectades en par Jel. La retonancia paraeo tiene ugntexando el voltae deentrada y lacorrante estén | on fase. £1 Q, del circuito paralelo esti dado por 2 = 2E = Rue 68) ye adinitancia de enteada-es ¥iei-G.si(0e-A)-a [iva (2)] ay 3 2 timo, Farsi are Io sstoecia erin en ari de ie aturasckve aio, Mise nomen "Tezonanca ds tence”, ues slensoene energie como fo nace un tengue de agus. Elaubindice tw unr tam con #1 ae cr ‘uit. No cbranty. 80h pacadicrcuto se dln conforma al uso cernin yp twctararonte ‘ondorder cone! lor dl @ sb radiate (24). Reconincin pirielocon sesetencs de cargrensede 55 [Ua eeuscién (3.9) tiene la emismat forme que ia (3.1) ¥ (3.6) pars el cizcuito sao, ‘exvepio que los pararnetros de iupedsncia se susttuyen por los de admitanei, oro ‘que, com un intereamibio similar de variables, ls Figuras 32 8 3.4 6 aplican al cicuito paralelo RLC. Ademés de las anteriores les siguientes ecuaciones son tiles B-10) en) (3-12) ‘También. en resonancia, se puede demostrar que If. 1= (11 |. Lasgraficasde I21k)| ¥ f, pata diversos valores de Q, se muestcan en la figura 3.6 3.3. Resonancia poralelo con resistencia de carga en serie. El cireuito de fa figura 3.5 no siempre es eal, pues ny toma en cuente la resistencia del inductor. Ademés, en muchas aplicaciones de circuitos.resonantes paralelo la carga, (que finatmente se Gestina fa potencia, puede estas en serie con e] mauetor con ei capa: ‘itor. Las ecuacionos de disote y «l comportamiento en frecuencia de estos crcuitos 3 fieren de los de la figura 35. Resistencia en fa tama induct: BLIC En el steuito de la figura 3.7, lu resistencia R puede tomar en cuenta la propia dels bo- bina y 4a de carga. La admitancia de entcade del circuito es ¥ (jo) eae GE BY us ag Figure 95 Cirevito parslelo LCR,.‘5 Circuitosesonantosy Trxaforimeién deioypedancias ca} ce ee a? os os 10 T fen ne tsa 8 Figura 3 aed, Gréicas de ZU) ve # para of cireuita dela figura 35, con diversas valores La sustitucion dees valor en (3.13) da fa impedancia de resonancis como oe Z\joo) = ¥ eo RR G15) Sis define et 0, del creo en resonance como ae 4 q-% 615) algunas Formulas Giles de disero de circuitos pueden expresarse en términos del Qy. La tabla 2.3.1 al final del capitulo resume las fSmmulas exactas y As aproximadas. RResonancispamlsle son stintencin do Sarg snes $7 pein te Bion ue BaD 10h Figura 38 Fed parael ejemplo 3.3.1 Tarelacién R= aR RIT o-1) ddusira ia propiedad de ttansformucion de impedancias del cieuito. En tesonandia, una resistencia pequeiia R sé tranaforma en tn valor terminal R, mayor y viceversa. Esto se demuestra con el cempio siguiente. [Ejemplo 3.3.1, Se ya.a disefar el circuit mostraito en la figura 3.8 para transiormar una cata de 50 Ohms (A) en una de 1000 Ohms (R,)a la frecucnciafy =2 X 10°Hx(ay = 4 10 rad/s), Les 1000 Ohms pueden rapreventir le impedaneia de carga de calector deseada para una etapa amplificadora transistorwad. EL primer paso en la solucién es caloularel valordsl Q,, con e] ebjeto de decidir i ‘se pueden usar las ecuaciones aproximadas de la tabla 33.1 Como R,/ = 1000/90= 20 =Q,?,,esobsio que Q, < 10 y que se deben emplear las forsulas exactas.Conellas, ‘se hacen fos edleulos siguientes: ahaa FE 1, = RER, = 50 347 107" 10 i740 En un amplificador prictico, Ia capacttarcia de sada del transistor aparece a trevés del pucrta Ry ¢elvvalor de C debs redvcirs consecveatomente. La resistencia del inductor ‘se debe tomar en cuenta combinéndola con Ja carea (ver problema 3.3.1) Fesistenia en fa rama eapactivo) RIL. s Este elrculto, que se ruestia en & Dgua 3.9, s¢ usa amenudo. Sila resistencia de bobina ‘x pequieis frente ala tesistencia R, las ecuaciones de disefo ¢establecen en forms simt- Jar alas de las de i Seesi6n anterior. Por ello, Is fSrmulas de disco se resumen simple ‘mente en la tabla 9.3.7 al Final def eanstulo. La seoei6n siguiente muestra cms puede tomatie.en cuenta K resistencia de bobina si es necesuro$8 Cuoultossesonuniesy Tamsformaciéide impedanclas Figura 39. Citculio paralslo LC con resistencia en la rama capacitive, JA Efectos de resstonsiae do fuente y da bobina (Una Tuente de sotrente on paralelo con rsstoncafnita Ry al Cxsitar un crcito re80- sani pataeto, proiuce un valor que afécia el @ global ye anchode bancadel cei Fn be figura 3,10, por ejemplo, el ciculio RCL, qu ofrsce unaimpedanciRentre as ‘erminales ab en resonancia, se excita con vine Fuente de impedance R, La fuente de scrriente ideal ve I impedancia R iy el Qefectvo y ol ancho ds bandase determina por eat rgsiehcia equivalente en parle. Por jampls si, = Reel Qe partis entre dos y eancho de sada stupcat, en vomparacion con os wales éados en ia iabla 332 ‘Si ambas rama Ly C tienen resitancins en serie, como se muestra en la figura 3.1ta, el andliss exacto del cireute reslta complicate. Emrpero, si los @ de rama se Aefincn onime O;, — eagle y B. = Elia, CRevy a xmbst Q, 0. > M0.el.sevitoe alent valido ene prosimsla de fesonancm, es el Yea Figura 3.110, La impedancia de iesonansia vista por lo fuente ideal ents ls vrminabs a-b 2 R, =Q, 7, (\0o" Re. Los estudios sabre dseios de redes en este libro ¥en ottos, genesalment no com sideran erdidas en las bobiras, pas spliliat las eouscones do disolo. Se provione ab Iketor de queesto puede Tevsraun esor serio, pes al Q global de una ed aunca pued> ser mayor que el Ode iw bobina. Los valores sfpieos del @ van de 100.2 200 parabobinas fon mileo Ue ate, de $0 3 100 para las de nicleos de ferrita Para el cango VHF (30. 500 Mii) pueden hacer esonadors helioigals con valores Q del orden de 1000 {1}. 35 Conversiones parolela serie pare cireuitos AL y RC En ls siulente exposicién sobre elculios derivados es conveniente reemplazar los circu tos patalelos RCo RU. por sus serce squivalentes, y viceversa. Los valores equivalentes, Figues'8.10 Un circuito AC y AL excitado por una fuente de imedancia A. Citcitos wsonantes com deivacton $9 Finyra 3:11. 3} Un circuite paralslo LC con rosstenciz en amibas ramas,) un cit equisolente al de a) resonance cereano, de Ry C6L, con fiecuencia son parimetros depentientes; por lo tanto son ils prin. palmsnte en la cercania da bs Srecnencis de resonancia para crcuitosde bandaestrech. Las tablas 35.1 y 3.5.2 al finaldel capitulo, proporcionan ficmulss para coaversionen- lus cireuites oquivalentes paralelos y-ex serie. En exastablas, se define un nuevo parime- 10 Gp = Ry/%p para la cambinacion paraiela de Ry Co GeR y L, Este patimetro c3i} ‘on el dis de cirouitos resonanies dovvados, especialmente iQ, pueie sone 210, sde modo que las formulas uproximacas seun apixables. 3,8 Cirouitos resonances con derivecion El cireuito de te figura 38 carece de flexi idad pues ot ancho de banda del cirenito.y el Dy quedan fijos una vez especificados los valores de R, y R (ver ejemplo 33.2) Para ganar cierto grado adicional de libertad, de tal suerte que el archo de bands y Ja rari ‘de impedancias puedan escogese indepeadiontemente, se requiere un ekmento ds circus to adicional. Una forma de hacer esto es dividir la rarna inductiva 0 la capacitiva en ds componentes on serie com ln cutga dy bala resistencia s jrayés dc una de ellis, como se rmuesttd en la punts 3.122 y 3.L4e. También pede conectacse una detivacidn a tna, wun, somo se muestra ea la figura 3.16. Los eiteultos eon detiracion se usa profusamence-en aviladores y amplificadores de alta frecuencia y de banda extiechi, Aunque el eirauito resonance con derivaciba proporcionaflexinilidad su disefo se have aids complisalo, Un anilisis exacto de estos serie de as tablas 35.1 y 35.2 {Gitevico de capacitor con derivecin EJ citouto de capacitor con derivacton de la Ogura 3 12a © uss Frecuentemente en los sciladores Colpitts. So diseta para valores expecificosds R, y Ryde frecuencia dereso- rnaneia fy ¥ de ancho de bands B. Los valores de L, Cy y Ca x6 tienen que valcular. La pétdil de ls bobins no se considera en el dione. Se tomie en cuenta reflejando la rege tencia de hobinar, como una resistencia equivalence paralelo igual aQ),*r.a través dal puerto Ry Con a conversién puulslo aserieds la tabla 35.1 ,geobtiene el ciouito dels figura 3.12, La capacitancia Cesel yalor de Ci y Cie en serie: es deat CG, e Cre, ai) Para este crculto, las relaciones aproximadas de tabla 33.2 muestranque la expecifica- cidade fo y B fis valor de Qe. 19) @-20) CCucsitosresonantes con éeacion 61 ‘que muestra que el valor de Rye lo determinan Ry y Q, Dela tabla 35.1, usando. = eRe a2n és obvio que R Ram ety a2) Como Qy debe see > 0, e3 claro de (3.20) que el valor de R, no puede ser menor que el de Rye, Conviene recordar que cuando una resistencia estd en paralelo con un capacitor 6 un inductor, la serie de resistencia resultante, es Semple menor que el valor origin Al igualar (2.20) son (3.22),ge encuostiael valor de Q,, en términos de losparime- trosde diseno: a= [irene (3-23) Adem, la propiedad de transformar impedancias del circaito en resonancia equiva & fa de an trensformacor seal con cain de vueltss Vo razbp de impotancies N* , 10, )" (3-26) a~% 2 Esty iio relacon siparaweatar una verifieaciom pia y vers ust el diseno Sacto art Gy <0, 6 leoprorinacon vastereal pe 0p > 10, Procedimiento de diseio parat), < 10 1, A part de tos valores expeciieados de Ry Ra, fo.y B.usat laxrelaciones pre= ‘Yaimente getablecitas pars encontrar62. Cuewie ssontes 9 Trantormusion de impedancin nig 21 Q.~% (debe ser =10) N?=(RIRD. 2 SiQ, ~ Q,iN, muestra que 0, <1 020: enconteatel valor correcto de Q, median 3. Por 321), y dela table 3.5.1, £21 proceso s¢ itustra en ei ejemplo siguiente. Hjemplo 2.6.150) <10 1. Suponer que R, = 8100 ohms, Rs = 100 obs, Emtonces 1500 5. 2 : 1500 5, C= ee 10° 8100) =~ 196.5 1500 §5; (= 27% 10" 8100) = 196.5 pF L= (2m 1.5. 190°7(1985 x 10") = 57.3 4H 28100 _ E 28g yng 2.0, ~9)N=12=167;porcomsiguionte, war (3.26) Ba @-@8-1)"=35 ‘oxcutos resonates con detuacién 63 Figura 3.13 2) Cirevito para cl ejomolo 3.6.1,8 = 100 kHz, jg ~15 MHz yO) crculto para el ejemplo 3.62.8 =200 kHz, fp = 10.7 MHe 3. G =1.333/(22 (15% 10" X 100) =1414 pF Gp = id x 2777/1777 = 2210 pF 4. Gy =2210X 1965/(2210~196.5)=216pF sta completa el disefo. Bl circuit seaultante se muestra en la figura 3.134. Cotto comm Probatidi, ol valor de Rye se puede encontrar de Ry =Ra\(Qy? + 1)=100/(2777 36 ohms. Entonces R= LICR =57.3 X 10 /(1968 X 10"? % 36) ~ 8100 ohn, Procedimiento de diseffo para Q > 10, 1, Losyaloresde 0, ,C\L,y'sedeterminen comoen el procedimiento anterior 2, Si Qc/0V > 10 , usar este valor para Op. Ver la tabla 35.1. pan las exoresiones apiosimadas para la serie equivalente Ue resistencia Re y capacltancia Cy 3. G; =pliagRy como anws, pero sf Q,/N se sustituye para Qp y sll relaion aproximads R, * Q,/e0,C (de letabla 33.2.) so usa para R, 46 encuentra que me Dela abie3S1, para 0, > 10 es i ect nr, are664 Grearos resonates y Transformacion de impecuaciss La gustitucion de C3 = WC da para Cy N-i-N-1 Conviene notar que la relaciOn Cy =_VC, al sutituise en la razén de transformacion de Jimpedansia dada por (3:24), proporcions Kew PESTLE osm jemplo 362; Q,, > 10 1, Suponer que R; =10 k9,Re =1 KO, Entonces: 10.7 MHz, y B= 200 kz. Q=10.710.2= 53.5 C= 2x X 2% 10x 109 = 79.6pF L= 112% 10.7% 1079.6 x 10") = 2.78 NFS 10717 = 10, -N=3.162 2. Q,IN=535/3 162= 169% Q,. (Por annsigniente se justifies el uso de la reki: e160 aproximada), 3. G SNC=3.162 X 79.6 =252 vi 4, G, = GN —1) = 252/2.162 = 116 pF. El cizuito completo se muedien en ls Fgura 3.135. Los procedimientos de disor ‘pata el circuito con capacitor derivado se resumen ena tabla 3.9.1 al final del capitulo. Cireuito de inductor eon derivecién Con cl supuesto de qve Q, > 10 y eluso de las relicionies de bss tables 33.1 35 2, un Absarrollo paralelo al precedente conduce a las formulas dedas en la tabla 362 al final dol capitulo, para el creuito de inductor con derivacion Ge la figura 3.142. Como antes, 3» desprecian las restoncias de los ind uctores, aungue pueden fommarse en cuenta some selhaceen el Problema 3.3.1. Los ejempios sigueatesilusiren ei procedimiento de diseno. ‘Bjemplo 36.3; Q) < 10, Se uaa Jos datos del ejemplo 3.6.1, €3 deci, Ry ~ 8100 ohms, R, = 100 ohms, fy = 1.5 Miz y B—100kHe. Fatonces, como antes.Q, = 15,C. = 196.5 pF,L~ 57.3 UHM =81,N=9y Q, =1335, Dela tabla 3.6.2 x; 100. Lam Ge Fa x 15x HLT 7 HH Dobine éesvads com inductancis muta 65 & fo » Figure 3.14 2) Cireulte con induczor derivado; | un cireuito equivalente, 96x47 5.09 wt by = 52.2 oH Elcirouito se muestra en Ia figura 3.154. Ejemple 3.6.4,Qp > 10. Seusardnlos datos del jemplo3 62: R, = 10k, Ry =1 KO, f. = 10.7 MHz. ¥ B = 200 ktlr. Entonces. como en el ejemplo anterior. 0,~ 535.0 79.6 pP,L* 2.78 ul, N? = 10,N 3.162, ¥ 0p ~ 169:Delasrelaciones aproximadas on la tabla 3.62 £y=L- 13-19 pH Este cicuito se'muestra en la figura 3.156, 3.7 Bobine derivada con inductancia muta El cicuito de bobina con derivacién, mostrals en Ia figura 3.16, se wsaamenudo en clt- caltos de amplificador, Se utiliza una bobiaa Giica, com Is posicién del contacto (punto awe ioe eons fy =1.5 MHz, = 100 Hz; yb) et cit- 10.7 Miz, 8 = 200 Hz. Ccuito para el ejompla 3.8.4: fe66 Greutes esonantes y Transtoriacioe 66 impedancis Figure 2. Red de transformacién de impedancias con un inductor derivado. ) escogida para transformsar Ry en R,. Si la bobina se devana sobre un nice de fori del tal manera que el coeficient» deacoplamiento & sa caf unidad,se comporta coma ‘ua transfomador idea y los resultados son predecites casi de inmediato.Con bobin de niiclea de aire, al coeficiente de acoplamiento 2s pequefo y ta aproximacia ‘transformator ideal no es valida en todos los casos, naciéndose nevesario un andi slaborado para detorminar la pesisién de contacto do derivacion ‘Sean Jip Vy las autoinductanciss de ls dos partes de ls bobmna:/ Is mductam -mutua y & e! cosficiente de acoplamiento, Le industancia total de ls bobina ests di por tL4uM a. Con acoplamionto united ( formados esta dada por ), Js rardn de transformaciin da impedanctas del ren Ree) Ripe My Vian onde Vsoq ¢€l Volta en clicuito abjerto (sin carga) desde el contacto a tiem cantidad facmente medi. Le admitancia de entrada de este tansformador spate ¥,=6,+iB, ean a Rot ala frecuencia de operacion f,, donde! admitanciadel capacitor C(mostrado con tinea punteada-en la figuta 3.16) sintoniza ct ciruito para resorancia; es deci B.=wC= Fy 637) E1Q,y el amshode banda del cirenito estan dados por oxy Sobinaderivadacon intuctanca mua 67 fs a Con Bobimat de micioo de cre, que s utlizan a menudo en sangos de frecuencias snés alias, ol oeficente de acoplamiento puede sede orden 4e0,1 yno esvilidalasola- cién sencils dads antes. Sin embargo, como se demostard, st Ry/xsL, = 0, 2 10,¥ Ry > wpLyel siouito se comporta alin como un tranfommadorided ene feoveacia de resonanciay la possion del contacto, puede determinarse a partir de mediciones de voligie en cite abeeno, como en (3.30). ‘Se ha abtenis la soluci general del problema, sxents de las sproxinacionesan- tes mencionadas, expresada en términos de parametios de bobina ficmente medibies (inductancia total L, coeficiente do scoplanionto k y porsontaje de yuelias total en et Punto de derivacion). HI ais se aplice tanto s crcuitosde banca anche como deestre- chit, pues noestéretringido.aun 0p alto y s-ajuiaa cualguierrezéndeseads ool /Ra- Un anise de mallo del trrsformatlor carzado del figura3.16 con eleapacitor cmitdo) dala siguiente expresin pars la admitarcia de entrada: 63H ie Ret joke We OB 10, A pete Ue los valores eapetivates deh Fa, oy ¥ , © purden encontrar os ralores de Q, = fy/B, C= ICAO.) 9 Le > /42_*C, come en los ejemplos anteriores. Empero, de (B47), (3:48) y B49), GSI) M= KL)? 6-52) R 1-20, 853)WG Chcsiton sezominte y Trane Figura 328 Un circuivo equivalents para el transtormador sintonicado simple. bat (ge 059 ‘Ninguna de esas cantidades puede calcularse sin escoger arbitrariamenteel valor de Qy_ ok ‘Mediante reagrupaciones en las ecuaciones anteriores, sé pueée demostrar que G55) aes 5 PQQri e yaque 2 (kt = Dy") o=a[S+ (e+ 4o2)"] om 1 Udine ecuscba muesea ue ak se hace Wo suficestomente pequsto, 10 deal suerte que x apliquen fs relaciones sproximiadas de I tabla 33:4:(2)Q, dedecscoperse detal manera que 0 <0, 10. Ejemplo 3.8.1 Vas dis ‘ohms, Ry = 50 olims,f =3.18MHZ, y B=159 kHz. Como en los ejemplos anteriores, /22BR, = 500 pF b= VWa2=S ul = 1, en te fguia 3.28, De le figura 3.29, Op mm ~0.95 Y kyam ~0.31.Con el puesto ave pueda sleanzarse Im valor mayor de A; seescoge Q, = 3 Entonces,78. Cxculios eeastesy Trnstr Co ee me a Figura 2.20 Valores carrespondiantes de * yO, para valors fijos de 0,, obtenidos da (356. k=0405 de G56) 6 Fig. 330 1,=0833nH de G53) L=S02uH & (54) M=0828 nH de (3-52) Diseno simplificado para Qp > 10. Sison aceptabks los valores altos de k que resulta, las ecuaciones de disefo pueden simplificarse con sl eupuesto de que Q, > 10. Lasrela- clones se hacen ome Re 6-60) L= PL, Gen bak 642) | en 0-64) wn G69 0-56) ‘Tmasloxmadons do dade sintonia 79 Ube, Wee a eo Figure: 331 Un cireuite do transformador de doble sion To0™ jemplo 35.2. Con os datos el eemplo 33.1,8a0, 20, C= $00 pF, £ ~ Ly ~5 all, N= 6.325. Do (3.63) 0 de a figura 3.30,k Entonces, 0.2] gempto anterior die Q, = 707 Bee 3 5 La= 2G, Bet c10 OSA Ly Lia Set 79 Las ecusciones de disoto para el transformador sintonizado simple se resumen en, In tabla 38 al final de capitulo. 3.9 Transformadores de doble sintonie ‘Los transformadores con circuitos sintonizados en el primaro y en el sectnderin,como se mucstrs en is figura 3.31, shan usado extensamente‘en etapas de FI de receptors, pues permiten mis flexbidad ene suste dee forma de curva deselectividad. Aunque shots esin siende sustituides por itso de cormica, de estaly de onda acistica super. ficial (ver esprtulo 9), los transformadores de doblesintonfs se usin ain donde deban acoplase diferentes nieles de fnyedanci y en dscriminadores de FM, por lo quest dard una desesipcién sucinta de sus caractrisicas de transferenca, Elector interesalo ‘puede consultar en Ryder (2) para mayores detalles, Tn be figuee 3.31 ol transitor de exsitacén 0 FET se representa por uma fuente de eorrente en paralelo con una resstenciaR, que inciuye también las pérdias en Lp, En forma simiat, ,fncluye le vesintnciade entrada del ctapa situionts yl resistencia de pris en J, Para un ands simplificao, e har las supesiciones siguientes: (1) Jos circuitos prmaro y secunario son idéatics, de ta suerte que Ry~Ry, ~R,Cy™ Gp Cy Ly =Ly =L: (2) 010 deestos srcuitores mayor qué 10. por lo ques aplican [iS aproximaciones de ato @ y (5), 2 banda de frecuenis de inexés, en su totaided, «3 pequefa comparada con la frcuoneia de resonaniia [,, de tal manera que la fuerte de whkaje equivalent de Thévenin, que aparece en la fgira 332 se puede vonsderar constante,y el rolaje que atravis a cargasecundaria,como proporcional ala corrionte ence seeundario ‘Com estas suposisioncs, se puede derivar dl civeaito de a figura 3.32 del dele 3.31, La inductancia muta ex dada por Ma kL an4 ondek evel cocficionte de usoplamiento. 12s ecuaciones de mallas para el circuito son (o)-[P Sie? eeterob li] 8 y lag soliciones para /, €7; son iwMV_ PS TRETM— Xo NM oa = VIR +X, = x DIRT XoT omy omy [La impedancia de entrada vista por la tuente Ue voliase es (MFR (X= XeoMy TKO BR R= Xe! R= key OT EnresppandiaXy, = =e 1/e050\y Zy(w,) = B+ eee 7) ara iransferencia maxima de potencis en resonancia, R =(w,M)*/, wl = R 3-73) Eleircuto 0 en résonancia, se define como wel a=% (374) yon (3.67) y (373),s@ puededemosttar qut el coefisientede acoplamiento para lacon- elon de mixima transferencia de potencia (Hamado avoplamiento erftico) es 3-73) Pata k < kg, ln curvade fy ws frecuencia tiene un pico nica onl frecuencia da resonant «ia, con amplitud meima para k = para k > Kea curva Werespluesta tienedospicos, Tansoenadores dedoblesintonis 81 Figure 3.23 Respuests an frecuencia del transformador de doble sintonia para tes Ya: lores dek. Ee fucionamiento se dustra en i figura 3.33, en la que se supone l gananca de voltaje propordonal a ‘ Para el caso de “sobreacoplamiemto”” (k> k.) ls tazin de gmnancia pico a la de “valle” en f, estd dada aproximadamente por 676, Aux a) 4-05 (10+ 75) ¥y se controla por ls lection ds k y Q. Hanchode bandadelcircuivo ¢definca menudo como B= fz ~ fy dondef; yf, somlas frecuencia as que la ganancia baja hasta A, como se nuestra.en bs figura. Ouas (recuenciasde Interés won ayuéllasen ssque ocursen picos de ganancia, «saber, fy y fp-Puede demostrarse (2) que: f= fhe= 2 — xk an fof Vif fe) 78) Como alternativa al ransformador de doble sintonia. se pueden usar dos ctapasan- plificadoras de sintonia tinea en cascada, itonizadas alas recuencias{, yf, respectiva- ‘mente, ‘Debe totarse que si van a acoplarveimpedancias desiguales a fos dos dos del cit- cuito, se puede sacar unadertvacin de la bobina del primario, del secundario ode ambos, somo cn la figura 2.14, REFERENCIAS 1. W, W, Macslpine y R. 0, Schildlnech!, “Coaxial Resonators with Helical Jer Conductor,” Proe. 1RB, 47, 2099-2103, Diclembre 1959 LD Ryder, Plectronic Fundamentals and Applications, sthed.,Prentice-Hal, the., Englewood Cliff, NJ., 1970, 308 piginas.‘82 Creates reonaneny Trnsformcion ge impedancs PROBLEMAS 3.1.1, Demostrar que la energia mixima jnstanténes slmacenada en el circuto ea figura 3.1 en rexonancia °6L (yt)? /2. Usar esce valor en (3.4) p ra venficar (3.3), 3.1.2, Para el cireuito de la figure 3.1, demostrar que,ala freuen: ancit, Yo~ QV. 3.1.3. En el cireuito de te figura 3.1, sean J: = 100 aH, C= 100 pF, y R =5 ohms. Encontrar: 4) La freeusncia fo deresonancia, b) EIQ delcireuito en resonancia +) Elvoltaje Vo en resonancia si ¥ = 10 LV. Para los valores de circuito éadoa on cl problema 31 3 ,determinarloe lores de los ceros complejos (7 =a + /f)de la impedancia de entrads Z ( ‘Trazar ol diagroma de polos y ceros y demostrar por un método grifica que elIntervalo de frecuencia angular w; — coy entte os puntos de poten cla media, og sproximadamente igual 2 20, y que 8 ~cj,. Fl valor de 0 se aproxima por Q~ fda, (Ser vilida ests aproximacion si P= 30? 32.1. 42) Bl cicuito de la figura 35 tione 2, ancho de banda B = 250 kHz, Encontrat los valores de 0,.L, 9 C. 1b) Sil circuito a0 energiza con J=2 mA(tms), euil os la magnitud de Jet 3.3.1. Un amplificador trasiso‘izado con cintonia requiere una resistencia de 2000 obms, fy =10" He yun carga de cowctor Ky = 2000 ofims en = 1.6 MHz. Lacapecitanci dest- 1ida del transistor et Cy =20 pF. Uns carga = 5 chma vaatransformas- se a.K,conel ccuito mostrado en la figura 3.3.1. 2) Suponer que Ia resistencia de bobina r, a dexprecable, Determinar tos vabres de, Cy del ancho de bands 5. indctar en el drctito se sintonizs con uns hara de feria, st , puede ser tan bajo como 50, Encontra el valor coreapondicnte der, paral valor de inductancis sade ene inciso (a), ;Comoaitere- rico ol valor de B,? €) Sea, = 50 para la bobina,Encontrarlosnueyos valoresdeL y Caue! ») 3.3.2. 14 arcuito dela figura P3.3.2 se vaa disehar para transformarR, =5 ohms aR, =4 ken fy =20 MHz. SupontrunQ,, infnito pare la bobins.En- contrarlos valores para L,C,Q, y 8. 3.3.3. User ios valores de Z y C encontrados en el problema 3.32. pero con, ‘de la bobina igual » 50, Encontrar la resistencia de bobina los nuevos valoresde Ry. de Q, ¥B. 334.81 ol oireute dal problema 33.2 a» excite con una fuente de corriente con resistencia interna Ry = 6 XS, jcuil esel ancho de banda del diculto, abobal? Transformdoresds dole sintonia 83 eae ue ts my Figure P332 3.3.5, Esteblecer las expresiones exactes para wp ¥ Ry dela table 3.32. 3.6.1. Se requiere una red acopladora entre etapas para transformar una resi tencia de carga R, =400 ohms ah, — 1 kS2,enfy ~ 5 MHz con unaacho {de tana ~S0 kHz. De set posible, se cesean bobinas con inductancia 1 = 2 pH, No tomar en cuenta la resistencia de ls bobins, Ensayar con eb clreulio de ia figura P3.6.2. Encontrat los valores de LC) ¥ Ca 3.62, Losvalores oncontrados cnel problems 36.1 pueden set inadecuados, ror Jo que conviene un clrauito de dobie derivacign como el de la figura 3.6.2. Elvalor de Rs se transforma hasta un R, suficientemente grande paradarua valor razonablede y luego transformailo,seduciéndolo para elvalor deseado Ry = 1 EO. Suponer que no existe acoplamiento mutuo entre Ly y-Lz.Encontat Ly,L3 ¥ Cy. Los valores de contuccancis para la bobina con derivacion de la figura PRT1s0n Lig =40H,L3)=2 4H, yLy3=9 UHL 4) Enconctar los valores de a inductancta mutua My del coeticiente ae soaplamienta & ontre Ine dine partes dna hamine +) Siscaplican Y; ;~ 10. bobina jeuslessonlos valoresve Mts y Ya3? 3.7.2, Disenar un cireuito de bobina con derivaciom como el de la figur2 3.16, ara transformar Ra ~ 10 ohms a R, =250 ohmsen fy = 4 Mil Usar ens ‘obina con J, = 2H y coeficiente de acoplamiento k = 025. Encontrar la posicibn del contacto de derivaciba ylacapacitancis Gesintonis necesa 1a, com In ayuda de las carvas de la secon 3:7, 3.29.3. Repetir ol problema 3.7.2 son Ry = 50 obs, Ry 30 Mite, L =2.yuHf,y k=O. 3.8.1. Un tronsformader sintonizade simple (figura 3.26) vas disoSarwe pare transformat Ry ~ 1 ka, = 1092 en f, = 16 MHz, con un ancho de banda = 160 eH, 4) Determiner los valores de Zy,.L2,M,k.Y C para Qy = ) Repetir para 0, = 10. 3.8.2. Resolver el problima 2.6.1 mediaate un transformador desintonia tnlea para ver si ofrece alguna ventaia, 3.8.3. La figura P3 8.3 « muestza dos transstores acoplados por una reu de adap facibn interetapas que debe disetiarse para dar Ia ganancia de voltae am 100 chins, fy = [4, = 14/0, |=50, desde ia base del colectorde 01 en frecuencia cy no ae tte ae, 00884. Cicutoeresonantes y Transformacion de impedansias “Transormadores de doblecittonia 88 o Fgura P3262 ‘ontrl fy ~ 5 Mlle, con un ancko de banda # = $0 Kriz. Laimpedanci ‘de carga de colector para U2 se suponcrs idéntica aia de, de tl suerte {que ammbas etpas posean la misma impedancia deentrada. Sesuponeane tos resistors para ln polarizaciOn de bese (av mostrados) son tan grandes, ‘que au efecto puede no fomanie en cuenta, Fn el panto deseado de ope: ridin, Foe = 10 Ve fo=1 mA, el cattlogo del transistor da hy ~2500 ‘hms ¥ hy = 100, medidas en f=1 Hr. Ademés, para Vex =20 V.fo= TOMA y= 100 ME el catlogo Ub lel ~3. En Fog = 5 V, <1 valor 46 Cspo =A DF, que represents una estimacignexcetida te Cupara wsar- 1 on ol circuit cquivalente simplifiado pi nibrido dela igure 2.9.26 (Ver ia firure 43 nara mis informecion averea del cireato mi nibsido.) 4) Ba o! ciruito pi hibrido, sean re S00 chins y Cy =4 pF. De los datos anteriores, calcular fos valores de fy Cy en fo= 10 mA. Eotimar encegsia lor valerie de Cy, ¥ an en Lo =! 'b) Det modelo pi hibrido, derivar expresiones para la gananciade voltae Ay = Val Vy paca ia admitencia de entrada Yy=6) + 1B)" /Vs- [Usa Jos valores del inciso (a) para determiner la resistencia de sarge 2 necesinia para A, = 80y el valor complejo de ¥; que resuts cuando se usa esta cares. ) Encontrar la resistencia paralslo equivalente Rp Y le capacitancia Cy fepresentedp por ¥. (7, = 1/Rp = (0Cp,) Estos valores topresentan le ‘cans que ifred de acoplamiento ve desde el punto dy tierra ea ia figure 2.8.34, Similarmente, R, es le carga que se presents al colector de Q1 nel punto b. 44) Bacoger an valor para la inductancia L. Suponer que mi Gz, = 200, Encontrar ls valotes de Cy y Cy para obtener el urcho de banda ex pecificado. Tomar en cuents las pésdidasde la bobina, pero despreciar Jog efectos dela mpedancia de saida de QI. ‘#) Encontear a posicia del contacto (punto 6 Jentindustor que dala arpa adecuads paral transistor. Figure F38.3 ener ‘ Figure 3.7.1Apéndice 3-1 TABLAS DE FORMULAS DE DISENO TABLA 3.3.1 Formulas de disefio para ol circulto resonante ALIIC. Cantided Expresién Exacta Unidades zw88. Greutos reronanesy Transfomnacién de impedances ‘Tablas de f6rmubncde deena, #9 TABLA 332 Formulas de diséto pars el circuit resonante ACIL TABLA 35,1 Formulas de conversién patalalo-erie pare reces RC — t om Re ay 3k ‘Expres Aproximeda Botiir: Contided Unitadee ‘ & ads Equiolnreperlelo Equtatene sere a de Is red serie dela red paraiclo 1 Sot . es opm = ts FORMULAS EXAGTAS ie sims rn = Foe = Rel 4 22) Raat Gert Ss en a ven) naa) eB perz a i ic cH "Beck Gn~04( 25) ee ( 2.) FORMULAS APROXIMADAS Sia.<10 So, 210 RRO? = 2 = RO? Pua~ ‘ Kou = Xe Kea = Xo Cane, Ge Cy90. Cxcattos resonates y Transformacibe de impedanciat serie pararedes RL TABLA 35.2 Formulas de conversion paral 13 he jt Detinit: X= aly Defi: ak Eaquivalone paratlo quiere sre de lared sere deo ed parte | FORMULAS EXACTAS Foe = RAC #2) fasta ey : sank (2%) xe=x (atin) obey Epes tants (995") tents (aha) FORMULAS APROXIMADAS Sa.=10 Sia, =10 Fos RQ? Fa Be Xen k Xm bane bam be Talay de rmulas de deze 91 TABLA 3.6.1 Formulas dediseia para circuits eon canzeitor derivado es Se Fara, ~fy/8 > 10, (1) C= 1/2n8m% @) La tate 0) Q= 48 (@) N= (RRA? ©) QV ~ Op. S.0,(N > 10, war este itor para yurar le Formulagde la colurna icoulerda, S O,/N < 10, emplea as de lado derecho, Férmuales aproximedes O.=10 Férmulies pare O, <10 - (Set) ) Go= NC 1 Con © Crna 0, S896") (@) C,= a92. Greater wioaantery Taneformacion impedanciae TABLA 3.0.2 Fésrmulas de disefio pers circultas.con inductor derfvado ty “Table de veins de eno 93 TABLAA Formulas do disoto para ol ttansformaco, sirtonizaco simple aoe Pere Q, ~ f,/8> 10, Para 0, ~ (5/8 > 10, 0) C= V2aR (1) C= 1/228R, (2 b= Veto Q) b= Vole re (@) N= (RSR)* @a-1We (a). Ve fiuia 3:30 Essoger un valor de, que invaloracrptable paral ceticente (4) N= (RAR deacoplamientok Si este Op es> 10, usar las formulas de ia columna del lado izquierdo. ©) QIN= 0, 81 Op X10, sels del deat, $10;/1 = 10;usor et valor para, vt lae érmulaede a cohsrna de lado auierdo SiQ,/V <0, emplee is dele carecha. Foros soroxinadn Fonmilos woroxiradse 0, 210 Firuia para Op <1 Q=10 Formulas para 0, < 10 a aes)" ey" _[@eany @ 0,=2 @ a=( 234-1) (9 «~(2) orm (24) at ae uaz ne OL (8) = WN tem Lbs Ou gy bi= Ltdelpas 2 (@ LwL-ke (8) M= KILLCapitulo 4 AMPLIFICADORES DE ALTA FRECUENCIA CON SENAL DEBIL Un receptor de radio tipico requiere varios grupos de amplificadores separados por cit cuitos conversores de frecuencia (lamados mezcladores, conversores y detectores) para extract Ia informacién portads por al voltaje de sefal que aptrove en las terminales de antena. Este capitulo estudis esos amplificadores, sus caracteristicas y la forma como 4 disefan con énfasis expesial en obtener alta garancia sin acilucionesindeeeables, EL Ipaterial es aplicable a todo equipo que utile amplificadoresde seal 46bi. Los ampl- Feadores de sal fuerte ae tratan on kos copituon 12.6 14, | métoco de disefio en este capitulo, se basi en al wso de parimetros.y de sia! Jeb del dispositiva activo, pues al escibir este libro, estin disponibles o se pueden calealar partiondo de la informacin de catdlogo pars (ransi.oret de HF y VHF. Para el método ave ust los pardmetros de dispersion se recomend al lector un libro de Car- vein [1] 4.1 Definicién de un amplifieador de seal débil En este capitulo, el érmino amplificador de senal débil implica dox condisionss: |) les amplitudes de sefal son lo sufcientemente pequeflas como para que los dlspositivos ac- tivos puedan modelerse por parimetror y de cusdsipolo o por eircuitos equivalentes reales, tales como e! cicuita hibrido pi y 2)el voltae de seal de salida es linealmente proporcional al yotaje de sefal de entrada. (La segunda condiciin, que queda implice a an la primera, se sxtisface también on amplificatores “lineales” Clase B, aun cuando Jos transistores se excitan a corte pare la mutad de cada ciclo), Pera un anilisis unés detallato del aypecio de serial débit, considérese el cireuito amplificador de la figura 4.1. Con fos supyestos de que 1) lay capacitancias internas del transistor thenen efectos despreciables, 2) Ce y Ce carecen de reactancla y 3) Vi ts lo sufieigntements pequefio como para que el transistor opere en la regién lineal, la gunancia en voltae estd dada por v, Caer ay 1) 9596 Ampliiadosede ls fresuencis con sal Sti) kee Ie i Figura 4.1, Circuito de amptificador sintonizedo, onde fy 8 fa transconductancia de la seal dbl y R, es la impedtancia de resonan- ci del circuito de cblector aintonizsdo. Sita amplitud de 7 se inerementa lo sufi’ te, se leva al transistor a la operzcién no lineal, dando hugue a la generacién de armér ay a un desplazamiento en el valor promedio de la corriente de colector (aesplaza- ‘miento del puato Q). La presencia de arménicas on ls corrionte de coloctor no es mala intrinsecamente, pues ¢l cizcuito sintonizado de alto O seleceionacd la componente de frecuencia fundamental y presentard una impedancia baja a es armnicas. No obsiante, el desplazamiento del punto Q y las arménicas modificarén el valor efectivo de gq, de tal suerte que la amplitud de Ve ya no es ure fuic6n lineal de ¥;, Ep trancistores de unidn bipolares (BIT: bipolar janction ttaasistors) la cortien. te de colector es une funcion exponencial del voltaje baseemisor. ic = — lege”? (42) En a expresion anterior fz es la conriente de saturaeiba del emisor. Haciendo Per = Voc + V; 608 ot yx~VaglhT~ ¥; (miivolts/26- temperatura ambieate, se ha demostrado que la rele: ion entre Gy xe5 2) te = ae{ 4x) +2 5, 1x) c05 nat] “a donde fy es el valor de repow de la corriente de erisor y fy (x) 28 la funcion de Bessel ‘modificada de primera clase. Si el sireuito de polarizacién mantiene la componente de Datirciba dey splificador de seta Ache 97 ee. de ie eonstanto, on un valor Zc-entonces Fe Ja forma 19(%) ¥ (4.3) puede Devarse « ef! +2 = ne Y cos nu] + Pere a Baten ees Po erent eek eae, Hart ost ona ead eae ae nie tmibargo, con un aimplificidor sintonizado (banda extrocha), s6lo la componente de frecucneis fundamental de fc produce un volte de salle apreciable; Ia consideracion, importante para opeasin ens débil es que la corient de recuecis fundamental (Con trandistores de efscte de camps (FET: fold effvet sea lac Ge ley cuadritica entte la corriente de dren Jy y el voltae de seral de entrada ¥os, Para PETs de uniin y MOSCETs agotados, y= Ins( 1 ae) 45) donde Iygs 05 a corrionte do salida para Vey ~Oy Ving —Vpy Vp esa twasién de corte. Pura MOSFETs cn intensificacion. 6) Figura 4.2 Corrientes fundamental yde sagueda arminica contra amplitud de seal98. Ampiicadore deal frecuencia con smal debi donde Vy os el voltaje de encendide Jog os ol valor exturado de corriente sonsumida pan Yps~ Vos Vr. Hi aniliss del FET con la sefial de entrada V; cos ct indice que hay una relacién lineal entre la componente de frecuencia fundamental de a corriente de consimo y el voltaje de entrada, si el punto Q se muantiene constante, Un dispositivo real puede no tener Is relacién ideal de ley cuadritics de (4,5). (4.5). Por consiguiente 42 Modelos para el dispasitivo activ En el diseno o andlis de un amplificador para softal débil, Jos dizpesitivos ctivos (BIT, FET 0 IC: integmted circuits) se sustituyen generalmente por modelos adecuados basados el supuesto de operation lineal (sn disiorsi&n), Dos meslelos populates son ccuadripoio (usando parimettos ») y.q] cieuito equivalents. Los parimetros de cus- dripoio son conveniences para el andifsis ce ganancia y estbilidad generaizadas, aunque tienen la desventaja que se trata de numero: complejos que deben ericontrarst por me dickdn en cada frecuencia de interés. Los modelos de circuito equivalente son aplicables. dentro de un tango bastante amaplio de Grecuencias; poscen valores de parimetrosfijos relacionados con Ia fisica del dispositivo y se adaptan directamente.a programas de and. por computadora Circuitos equivalontes Pora el BIT, el modelo hfbrido pide Ia figura 4,3 et iil hasta alrededor de f/5, don- de fr es la frecuencia de transicon. Algunosocros simbolos las relaciones entre pariane- no he Te = Palm re Bo = hye baja frecuencia hes rtr: f= Bile =Flhnds donde fi>5fy GnCance CaM Gant or OTE a Figura 4.3 Modelo hibrido pi del transistor y relaclones entre parimatros. ie on HE ‘ ead Modelos pars eieparita activo 99 Can Cu Cot Gat Con ® Cu Ca Cus Gu Figure 4.4 Circuito equivalente para un FET. ‘ros se muestran en la fgurad.3.Con frecuenciss de radio, se puede omititlas resistencias, ys Pgs) foe Par smplificar el circulto. La Aigura 4.4 muestra un eircuito equivalente de fuente comin para el FET. ‘Aunque estos carcutos equivalentes son atractives para andlisis por computadora, su uso on diseho de amplificadores en RF es initado, pues no son exactos ene] mn go de VHF y carecen ie utilidad paral analisis de establidad. Los dispositivos en alta Frecuencia se earacterizan generalmente por grificas en frecuencia de ta admitancia complsja (") © por parimetros de dispersion (c). El andict quo tigue o basa on ol uso de tos pardmetros y. El apéndice ¢.| da formulas de conversiGn a parémetros y, 2 part. de ottos conjuntos de parimetros del cuadsipolo. Los catalozos para muchos cispositivos no incluyen pardmetros Hi apéndice 4.2 de férmulas pers calcvlar Jos parimetros y en térmings de los valores de crcuito pi ht- Dido, Rete sltimo puede determinarve de Ja informacién de expecificacionet mediante elso de las relaciones dada en la figura 4.3 Perimetros do admitancia de cuséripolo Para operacién lineal con seial débil, el dispositivo activo se puede caracterizar por un cuadripolo como se ilustra en la figura 4.5, con las ecuaciones: Tem Visit Vay =~ Vi¥s an Vatrt Vato== Vie 43) donde 71.9+,.%¢¥ Yo 900 los pardiettos de admitancia en cicuito corta del dispositive y Yay Yr son las admitancias de fuente y carga respectivamente, SURE ache De tee OS ance100. Anvpliiadoret de als frecuencia con efi dé De estas eonacones x pueden devivar varias relaciones tiles. De (4.8), seencuen- tea qu la ganancia en vole es Aya — 49) ‘Tomando la rezin de (4.8) a (4.7), dividiendo el numorader y dsnominador entre Vy ¥ haciendo uso de (4.9), se encuentra que la ganancia en corriente es: how ty AVS iL ay Eneesta expresion, ay es el “determinante y” dado por BY= yy. Yer il) Para encontrar la ailmitancis de entrada Y; de Ia red en el punto 1,(4.7)s¢ divi den entre Fy y (4:9) se sustituye en Ia expresion resultante pars obtener i Penal 12) A NT rE ‘La alintata vista dete el puerwo de sabida tela ctris se puede encontreren ‘orma similar De (4,7), la transferencia de volta inversa ot ¥, ye : Vat Ye 413) Si se divide (4.8) entre Vz y se sustituye (4.13) en la expresién resultant, se encuen- twa leadmitancie de side como igs Lay. aS ee years 14) Pueden derivars relaciones semejantes en términos de los otros conjuntos de paréme- ‘ros de cusdripelo (x, h, yg), que se resumen en el péndice 4.3. 4.3 Estabilidad de amplifcador Un amplificador estable es e1 que esta libre de oscilscionesindeseables. Como cualquier ircuito amplifiador puede egar a ser inestable si bastante de su enema de sida te retroalimenta al puerto de entradz con la fase adecuada, siempre esti presente ol peli. (go de oscilaciones indeseables 0 “paristas” El acoplamiento de salida entrada Lene lugar a través de Ta eapacitancia dentro del dispostivo aetivo y a través de clerrentos ‘extenos de cireuito. Como la reactancia de Ia capacitanda Ue “retroalimentacién” (tal ‘como C, on Ia figura 4.3) decrece el aumentar la Se aE tis Hato. sqablidee de apiticeder 101 Una mets mayor en el diene de ampllicadores de RF es alcanzar la garanciaen potensia misima con un grado de estabilidad predecible, El resto de exte capitulo Aedico al andlsis de gsnancia de smplificador y estabilidad, basico sobre valores cono- sides de los pardmatros y de dispositive activo. Este aniliss se aplica también a cireui- tos mezeladores que proporcionan ganancia en potencia de entrada» salida. El conjunto completo de datos pars un tausiior de RF (2N4957) se da.en elapéndice 4.4, Aderads de los parimettos ) que s* usatin en ejemploe y problemas, se dan otros muchos ps metros ites de diseno, (ebaidG de Bb tartar de eta de owt La caabilidad potensial del dsposivo activo «sun factor importante enol dive go tual de amolicadores yen la eeccion del dispesitho adecuado. El factor de estabiiéad de Linn (3) es medida de ie eotablidad ce ispesitivo, bajo condiciones hipotiticas del «caso peor és deci, 01 anvbos puerios en circuito alert. Fl factor C de Lin 1 da pot la siguiente expiesién, en te gus gy go von las partes reales dey; y Yop rexpectlva mene y donde el sinbolo Re) denoig Ya partereal de)” * poloe + ga. — Rem) a5) SiCes menor que 1, el dispositive es establewr incondicionalmente. Si e3 mayor que 1,4] dispesitiva es potencialments inastsbla y clare combinacionies do Cusate y carga roductrin oscilaciones. Muchos iransistores y FETs en BRF son potencialmente ines- tables dentro de"algiin rango de frecvencias, a causa do capacitanciat intemas de re ‘roalimentacion, Ejemplo 4.3.1, Los parimetros y aproximados de emisor comin de un transisioe 2N 4957 en f= 200 MHz, Vex ~ 10 V, Ie =2 mA, se encuentran de los datos en el apén- dice 4 4 come sigue: Y= 27+ 10RMO y= 3-20 — |y|=S74mU y%=0-05mU Ih, Jo= 01> f15 m0. Mediante (4.15) se encacntra el factor de estabi c Este sulla indice que ol transisior es povencialmente instable ss usin impedan- clas de carga y fuentes muy grandes, (Oboervar que el valor de Cse confit por la & pura 14e0 el apéndice 4.4), (Peitatitidad de cireuitos Factor k de eebilided de Stern 1a adic de impedancias de carga y Fuentes finites l dispositive activo tlende « me jovar la estabilstad del amplificador, Stern [4] desarroll6 un criterio util de establidad102 Ampliscodoces de ata fcenenca con seal bt que toma on cuenta fas admitancias de fuente (¥5)y carga (¥1)junto oo los arin tos del dispositive. El factor K de Stern esti dado per git Gogo Ge) 109 lywd + ReOw,) donde Gs ¥ Gy, son las partes reales (sonductancias) de Ys ¢ Vz, respectivamente, Si Kes mayor que I eLoitcuto evestable.SiK esmenorque 1, es potencialmente inestable. Ejemplo 4.3.2. Si el trangstor dl ejemplo 4.3.1 se termina en: = 50 ohims (Gs = 20 mS) y Ry, = 1000 obutis (G,, = 1 m0), el factor de Stem, calulado con (4.16) 08 pati Km maeeiy be est maner]cruit én estas terminacionss scoide abirariamont poten Steals, « menos que cepatincas pass del cuit, no consideraas ai, contabuyana a receamentain fer figura 7 del apendt e se conccta una trayectoria externa alrededor dela red activa, como se een In figura 4.6, los criterios de Linvill y Stern pueden aun aplicarse, aunque tos paréimetros ‘y usados sen eatunizs Jus pordusctros y compuestos de lon nu sirsuitor conertadox en * poniiva % % sto %» Su [2S SS ee el Figura 4.8 Representacibn cuscripoler de un dispositive activo con ratioalimentacién. taiidad de amplifionder 103 Figura 47 Circuito simplede retroaumentacién en el cual yy =Vot=¥x VY" t= Vac paralelo.? Si se apregs el subindice “t” alos pardmetros del dspositivo y el fa los de la red de retroalimentacién, los parimetros (y,) compuestos we pueden escribir camo, Me Yat Yi Yee Yar Yor Wnt Ye Yor = Yat Yep oe Si le red de retroalimentacion se reduce a una sole admitancia y,, conectada en- ‘elas terminales 1 y 2 como se muestra enlafigura 4.7, los pardmetrosy deesta edson Dem Yay = He y (418) Y= a= —Ye Una capacitancia C, conectada de salide a entrada tiene asi vq = fiaC ¥ top = Jean Ejemplo 43.3. SupSngase que lt capacitancia extema C, =3.25 pF se introduce como slemento de retroalimentacion entre las terminals 1 y 2en ia figure 4.6.La admitancia del capacitor en f= 200 MHz es, =)4 mt3, Con lox parkmetzos de transistor del ejem- plo 4.3.1 10s perametrosy compuestos dados por (4.17) se ruelven ahore Ye=2I+MOBMU — Yue= 0.14 SSMU 53-f26mU n= 0-445 mU El factor de estabilidad de Linvil para este circuito es que 6s un poco menor que el que se obtuvo en el ejemplo 4. lis Gig y Gz delejemplo 4.3.2, e factor de Storn se hace ‘Sin embargo, sie usin 2x2 Ko 5556—117- ‘De esta manera, afiadi el capacitor hace que el cicuito con ta cargz especificada se ha- ‘ga inestable, aun cuando fuera extable ea l ejemplo anterior. ‘Lon porimetrce comouosts para redes on parila y let renzieclores bora wuare se erablacen veiqulerietado evniado sobre aris 6 cusdrpotes. Vi [6] ore un w}mi9.104. Arplincadores de alta frecuencia Con sf dil 4A. Obtencién de ectabilidad {ia inestabided del amplificador Is origins por lo general ls trayecteria de retroalimen- ‘tacign a través de Ye del dispositive activo © por it ype de la red compucsta. El examen de (4.15) 0 (416) indica varias maneras por lc que puede asegurarse Is extablida. 1. Sila red de retroalimentacion puede escogerse de tal manera que yoy > —Yre, fa compuesta iq. €¢ igual 1 caro y el amplifieador es incondicionalmente e3- table, pues no hay ttansmision inversa, Se dice entonces que cl amplificedor es unilaterelizado. Si yq es compleje, puede ser dificil producie una red de re- troalimentacién que produrea una Yep=— Yop, 2. Bn la mayor parte de los BJT y FET, ta admitancia de transferencia invorsa es compleja: Jn = 8 + Brea ¥ Br DOF 19 general es despreciable frente a bye ‘en RE. Si lated externa tlene Una yp = iDpp =~ ibre, © cancela la retvoali- mentaciGn a eaves de By y la compuests Yre = gr, €8 a menudo Io auficien. temente pequeiia para asegurar nina operacion estable. Se dice entonces que ‘el amplificador estd newiralizado, La figura 48 muestra dos diagrama sim plifieados de amplificadores neutralizados. Ea la figure 4.84 la combinacion serie de Zin ¥ Gy puede sintonizar para producit una susceptancia inductiva rela (negaliva) de colector above, de tal suerte quo Byy sou positia, Bn la fig ra 48), el capacitor de neutralizacisn se conecta al punto b, que tiene fase Upursts al pualu a, recto al wontacto central de derivacibe mast RF do la toma central de la bobina La capacitancia C,, ¢s par lo tanto equivalente & tuna cepacitancla negative coneetada entte el colector y la base. La figura 1 Nee 25 o o Figura 48. Dos tipos de citeuites de neutralizacion, Ganancis ce potencia ea ampliicadares) 105 el catalogo 2N4957, (apéndice 4.4) muestra otro cifeita de neutralt zacién que utiliza acoplainicnto irensformacor. 3. A expenses de una reducciin en ta ganancia, s@ puede eviter totalmente el wo de circitos neuirallzadors, si G, y Gy, se eScogen To sufelentemente agailes para haver qu el factor de Sicm sea mayor que 1. (Como rele prdc- {ica Jos disenadores conservadores prefierenfactores de Stern ence fango de 1 ‘24 para tener un fastor de teguridadadecuail). Estas alternativasse analzarsn ‘en las seeciones siguientes, aunque deben introductse antes algunas definici res de diversas ganancias en potencia Ejemplo 4.4.1. Fl transistor del sjemplo 4.3.1. se va a neutralizar introdusiendo un inductor de retroalimentacién como en la figura 4.82. Do los datos del transistor, 4,4=— 05 mU, Por lo tento, para ta nevtralizacion ¥,/= ~ joe = +05 mt3 y la com. binavién serie de Ly y Gy en la figura 48a debe tencr una admitancis yy = — /0.5mtt (inductia) {La garancia en pofencia de un amplificadar eitable, epresentads por la figura 4.9, puede definir de varlas maneras, depeniendo de los supuestas que se hagen sobre e| scoplamisnto de impadancigs on Jot pucrtoa de entrada y salils, Sc deu ciscpulds iis efiniciones usadas comtinmente. La ganancia de potencia de operacién, Gi, et la ganancia deste la entrada del disposi tive activo ala sdmitancia de cargs Yi. potencia eoiregata a le carga _ |V4?Gy potincia on el puerto de oatraday VF, 19) ‘in términos de los pardmotros de la red (Vs 0.Y«) y eon el uso de (49): 7. Px Gr oa, ba noe] z uQ@) «Sr, he Figura 49. Esta figura define lac admitancios de entrada yssida y los diversos términnos ie potendia para un cuadripolo. BA 7b C106 Ampliicadorerdealtafocuenci Cm sefil B62 YSeneneisdisponN, La garancia disponible, G, supone v y coplamiento de impedancias conjuzadas (Y's = YT y Yi, =Y$) en los puerios de entradz y salida. Representa la ganancia méxime dis: poniols on el amplificador: “Pax _ Polen disponibile en a puerta de salida ae 21) Pay polencla disponible en la fuente Ge Et termino porencia disponible ve defiu6 en la seccibn 2.4, ecuaciones (2.32) y (233) Ln témminos de ls parimetros de la red, px Gs nee : am ON Rely. = Wa. + YS) KOH VP 88 doling por P, __potencia entrogda ala carga Or~ p.,~ potencia Tsponibe de hi fuente cS tte valor ae gana # opine ramen lost Fate dma cn ssn [poss sual fore de entre Porto coin sa ener Re (Vs) =r © Or. La peter de lid P puede en eae en sls cooce lol o connie de Me fuote de tl ucts que pds clr ptencn eon Pa Bx gin doles pris dle SGGi\y am Or TH oT [La ganancia disponible méxima (MAG: maximum available gain) se usin a menudo co- imo eifia de merito de ua transistor o FET. La MAG es la gunaneia en potencias tedrica de un dispositivo con su admitancia de transferencia inversa y- igual a ceto y con las acmitancias de fuente y carga acopladas conjugadamente a yy yo, respectivamente. [Observar de (4.12) y (4.14) que sly = 0, Ys =x y Ys =Yo] Sise sastituyen estas ‘condiciones en (4.22) on (4.24), se encuentra paral MAG mao = wo Yy representa un Limite superior tedsleo para la ganancla que se puede obtener oon el dispositive empleado, ‘Obsérvese gut las ganaicias en potencia anteriores relacionan las poteneiss en los puerios de entrada y salts del dispositivo activo, Silas redes acopladoras de impedan- sas que dan fos valores descados de Ys y Yi tienen pérdidas, a ganancia de potencia alcbal entre le fuente y Is carge decrecers consecuentemente, ise con dispeskivoincendiionalmente stable 107 ‘Para cl caso general de un dispositive que so es potenelalmente inestable y para el que 3, #0, esevidente de lasdefiniciones para Gr y Ga queGz seri menorqiie Ga. ‘Sin embargo, si el puerto de salida esté acoplado por carga conjugata, (Y, = Y3) en- onces Gp tene wu valor miximo Ga = Cg - Bato conduce 2 la conslusiba espereda de que la panancia de transductor de un amplificador se hace miximna sila fuente yl carga estén avopladas conjuzadamente al dispostivo activo, Las soluciones para los va- lores adecuados de Ys y ¥;, son interdependientes v, por lo tanto, resulta tediago er contrarias (ver seccién 47), ‘Selecciones ae iter I disenador debe maximizar la ganancia de potencis de operacién G, 0 le de trane ucior Gy, dentro de las restricciones impuestas por consideraciones de ruldeo de es ‘abilidad. Lina Tuente acoplada 3 I entrada puede no dar la cifra de ruido minima. Para adquicir Is esabilidad deseada, pueden 1a fuente o Ia carga tener que desicoplarse, por Jo que ef disefio “éptimo” depende de las caractetistisas de dispositivo activo. Los di: ‘yersos casos que se analizarin serdnvlos que siguen: 1. El dispositive activo es incondicionalmente estable, Van a determinarse los vse lores de ¥ y ¥, que den la ganancia de transductor mdsitn0, Gr, mix Fl dispositivo activa es potencialmente inestable. La esiabiidad se logra pot ‘medio de retroalimentadén para unilateralizar o neutraliza al amplificador. Van a usates los parémeteoes compusstea (ye) para esolrer paca V's y OL uc e087 mix 3. Tl dispositivo activo «s potcacialmente inestable. La estabilidad se logra por la . dleccisn adecuads de Gs y G,que den el factor K desea, Los procedimien {tos dados por Stern [4] y Hefhall (6] dan Ja solucion que raximiza la zanan- a dal transductor. 4.6 (Dist con dispositivo incandicionalmente estable factor C de Linvill indica que el dispositive activo es estable incondicionalmente, 1 dsetiador estd en libertad de escoger Y's y ¥1, que optimicen los requetimientos de peracion, tales como la gananciay la cf de ruido, La neutralizacion puede ser deveable para minimizar la interaccién entre Ia Sntonizaci6n de los cireuitos de entrada y salida YY Pare sislar la etal del oseilador focal de la antena. Como el ampificador unilateral 2aado da las ecuseiones de disefio ms simples, 8 consideraré en primer término ese tipo ‘de amphificador. Como se vio en la figura 4.6, se puede conectar la red de retroalimentacién alrededor ‘del Uspostivo activo, para hacer y,-.=0. Aunque no siempte es fisicamente realizable, el concepto se iustra con la ed de fa igura 4.7, paral cual YI y (4.26) ee108 Ampliseadows de ty fresuencs con sofa! dtl ‘Lo nustitucidn de esios valores en (4.17) da los parimetros compuestos(y..) entérminos de los pardmetros del dispositivo activo y de la etroalimentacién de la manera siguiente: Ye I Yn Ye 427) He= I Yr Ye = Yor In uso de los panimetsos y, on Tas exprosiones (4.12) y (4.14) da pars Jas admitancias do entrada y sila de! amplificador unilateralizado. Y= Yt Ye (428) Yun Yat Ye (4.29) ‘Las itm cousciones mursiren que ¥yy y Yau del amplificador vnilateraizado, son completamente independientes de ¥p_y Yo. respectivamente. Desde un punto de juctor de un amplificador unisterakzado esté dads por 4G.Gr\yy — yal Cm EF Yet Y8tat at TO bre ise requisre un scoplamiento corjugado en los puertos, nsadmuitancias de cars y fuen- tese hacen, ¥s=(ye ty)" Yom Out rad Gs~ gt 8m Ge= Bat Be La sustitucin deestosvalores en (4.30) asi ganancia de rantcuctor mésimia disponible ranula eel 431) dew Went aN eo) Esta es una seleccién Logica para un disposi activo esiable incondicionalmente, pues puede ofrecer las ventsjas de menos componentet y un procedimiento sencillo de snto- ‘nia, Las admitancias de fuente y carga se seleccionan para salsfacer requerimicntos de fanancia y ruido. Las admitancina de entrada y silida ee calculan entonces con (4.2) y (4.181 Si va a maximizire la ganancia de transductor, ¥g y Yi, deben ser las conjugadas de Ys v Ys, respectivarnente, La solucién para Ye y ¥, se logra por la expresion parm. ln ganancia de trensductor 40.0i)y Gr GF Yow. + Y= voP ore Disafo con dippaaiveincondisionsimente stable 109 donde los pardimetros v, de disphstivo se usan pars el amplificador sin eetroaimentacion los compuestos y. pueden usarse sie incluye retsoalimentaci6n, i las derivadas par= cinles da Gip respesto 2 Gs, Bs, Gr y By, # hacen igual a etto, los valores de estes ean tidades quedan G7, mgy 8€ encuentran como 6, (ate Rey! (432) 4 mda) «00 433) Beet Weg Reta? = lanl? - oe (434) y Im) =, + mw ¢ By = —b, + Re 438) A sustituir estos valoros on (4.24) la gananein minima de teansductor se converte en D Gras 35g, RAG) UeRke REG DAT™ (8) Ejomplo 4.6.1.Un transitor tone los siguientes parimetros yg =2 + 768 mB. yop $08 $719 MU Vj_= 93 PLL MG y py =U — 1 mT: De (4.15), 1 acer de Line Mill es C = 0.67 y de aqu que el transistor sea estable incondicionslnvnte, La mini ‘ma ganancia disponible, calculada con (4.25) es MAG = 257. Siva. a undlatraizare el arplifieador, se debe afadirun clemsnto éeretmolimes- tacién tal, que yy = Yq, =0-+ 0.1 mQ. (Obsérese que como g,,= 0, los érminos unilateralizado y neutralizado son sindnimos en este ejemplo). Mediante la relacién 4.27) ls parkmettos compuestor delamplificedor s calculan como jc = 8 + 6.7 mit, Yel I 5 Dy ateacom 20 YCE) dan entonces Vy — yg 8 +/6.7 m0 y Vay — yop ~ 04 +]1-4 mB. Con este ampli Fgador, de Guede isis plan aa he ndabciag dona) eG se dee. Sin embargo, si se quleze una méxima ganancia de trausductor, se debe pro- curar un acoplamisnto canjuzada de impedarcis en los puertos de enirada y sala; esdece Vy = Fiyy Yz = Yiu. La gananeda de transtuctor disponible maxima, calsu- Jada con (4:31) se hace ontonees Gry nde = bel/Mensoe = 257 que concuerde con ls MAG calculada eos (4.25) Ejemplo 4.6.2. El transistor del ejemplo 4.6.1 yaa usarse en ua amplifeador sin retroa imentacton, pues a eatablidad se asegura sin noutralzacién. La mixin ganancia de lransductor se obtiene con las admitancias de fuente y carga dadas de (4:32) 2 (4.35), ilicando Jos valores yy dados en el ejemplo 4.6.1 en esas ecusciones. Las valores que resultan son ¥g =80 - 13.42 mi y Yj, = 04 —/1.83 mi. De (4.36), le ganancks éxima de transductor disponible ¢s Gy, mx = 219. Ndtese que este valor es mis pe- |quetio que la maxima ganarcla de transdustor excontrada en el ejemplo 4.6.1, Puedon ‘oquetinse vows diferentes a ls‘optimos para minimizar la cifra de ruklo, v asf sucesi vamente. En ase caso, la ganancéa de transductor gerd sempre senor que el valoe en contrado antes,Tio. hemanep ae eoaee Satie 4.7 "Dio eon dips instal potoncinimant El dispositive activo e2 potencialmente inedible su factor de Linvll C es mayor que 1. Con una retrealimentacion adecuada. el yi, se puede reducit de tal suerie, que Cea menor que 1 para el dispositive compuesto, asegurindose k estabilidad incondicional ‘Siel amplificador es tnilatennlizado (¥,.=0), s¢aplica el procedimiento dado en la pri- ‘meta parte de la seccion 4.5. Sk el amplifiador esti neutralized (pero gq. #0), debe calcularse el foetor de Linwill de la red compuesta para determiner si Ces menor que | (Algunos ejemplos se han encontrado en 10s que el valor de Cse ha incrementado con Ja neuteaizacién). S1 Ces menor que 1, s» aplican as ecuaciones (4:32) a (4.36), pero iC et ain mayor que I, debe usarse el procedimiento que sigue. Estabilidad sin retroalimentacien, a inttoduccién de retroalimentacién cn Ia mugnitud y fase adecuadas para neutralizar ‘an amplificalor aumenta con la complejidad de! ciruito. Fs mis, una red de retroali- ‘mentaeién sintonizada, como lz que se muestra enla figure 4.84, proporciona la rexetan- cia de retroalimentaciSn correcta en la Frecuencia de operacion, aunque puede producir pparimetros compuestos y- que permiten oscilaciones pardstes en otra frecuencia. El esterio de estabilidad de Stern (4.16) indica quelaostablidad delamplifcsdor ‘pueds lograse sin retroalimentacion si los valores de Gs y G, son lo saficientemente grandes. En amplificadores de RF, el valor de Gy se condicions por consiersciones de uido, Si eo ja ol valor da G, yea eeengr el factor K da Stern pura dar um margen ade- teuado de estabilidad (por ejemplo 4 Convene observer que varios de os ejemplos en ect capitulo se basaron en datos de parimettosy en emisor comin dol trasistor 2N897, operando en f= 200 MHZ, Ver = 10 F, € fo =2 mA. Las curva ve se msstran en as igras 9a 12 en ol apén dice 44 son de partite interés, poesrepreentan vores de (is y Gz determinados por (437) ¥ (4.38) y los valores correnpondientes de By y By. que dan gananci de traniductor maxima par divesos valore de X. Los valores cacilados en e cerplo 44 Tener sobre las currasapropiadas. Sc dispusieré ce un conjunto de informacion ssi de complsta pars todos Jo tansistores de FETs y RF, se simolfiearie mucho e proces de deh 49° Alineabilidad kn cualquier amplticador, salvo ef unilaterslizado, 1s admitancis de entrada Yes fuse iin de la admitencia do earga. De csta manera, Y; cumbia con la sintonizaciin de sali ida, que a su vee desintoniza al circuit de entrada y hac® dificil ainear al amplificador en su conjunto. Por consiguiente, la s326n del cambio fraccional en ¥, debida a on cambio fraccional en Y,, se usa como medida de Ia alineabitidad del arnlificador. EL factor de alineabilidad [7] esta dado gor = ¥lXs Yel doee 2 G¥I¥, (oe Vidxli. + Y=v) ce Dist obalde eta smpliiadarn Satori 113 Tf Disesitso = ip tae seiner ae se ernreas, =|» sof "arate isos Figura 4.10 Djegrama de bleques de une etapa de erpiilicador, Pur fie sintonizacion, sobre vod) en arapifieadores de etapa miluiple, el factor de alinogbilidad de vada etapa debe ser'<0.3, Las sesiones prostdentes mclinion ome wlesstooar ns adnitanciasde unite y sar i sdncundns pra alanrat un grico deweado de etbiided 3 gananca Para un deo completo, ls udltance de fuente y carga Ys y Y;,preeetada al ranssor, deben tearsformarse hasta le itina fuente y creas umbos lados de Exe, coma se fia en al dager en Bloqucs del figura 4.10. La Mente y carga en eta Sura podsiant- ner expertvimente va immpencia de 50 Ohms, conta oravrnente ances de praca en ampilifiedores,o bien pueden ser impecanclas presenta pot lis capes gue precedon y soedon Ins tapes plitiadors En ca aso fs craton eople ores deten propoecionarlatiastormacibndeipedanciasyncho de bana pesto, torvando en cuenta care aginda por Gy y GP del postive seo eincorporard. By 7Ry ecesputie de cad Adresse tonic debe otc had cr ote @ adccuado, con restores de culos de base y enor selecciomGos prada el pads dea de ertabilded en a figs 4.11 musta un diagrams esquemitico posible para uns etapa de = vipa iteasa yey cope co SenyeciehEH GH ae, Figura 4.11. Diagrama exquemético'de Una etapa de amplificadorsintonizade eon redes ‘eoplacoras de capacitores con derivacin,114. Ampliiadores do sh trecuenca on seta! oti © — G. ~ by transforma a Ry en Re (= |/G), compensa la suicepcancld de en teada del transistor y proporcions ol sncho de banda deveado, La ~ Cy ~ Cy transtona aR, en Rs, (© 1/6; con el ancha de banda deseado y compensa la susceptancia de sida del transtorsCy 0: un capacitor de bloques pers ed. Gey Ge son capacitores de pam. RyRy y Re establecen el punto Q. Auncyte se dispone de diseftos mis clegantes {8}, una regla préctica ittes que la cada en cud en Rp sea del onden de 3Y y que Ry RyIIRy =10Re Las bobinss de RF (REC: RF Chokes) evitan la pérdida de potencia de serial en RU GRF. a Glp ua ie iitieatinieile panchs. cu boban Ae won naeerted Laz bobints de RF y los capacitores deben escogerse con todo euidado para estar seguros que sus frecvenclas de autorresonancia wean kuales o mayores que las de operaciin. (Ver apéudice 45). La elecoiin de Cy especialmente critica an este respesto, pues cusiquer impedarcia ene el emsor y tiera a le recuencta de opera sida, introduce in voltae de retroalimentacién quo reduce la ganancia del amplifica- dor. Pata operacion en fresvencia Gini, es descable x menudo ““sintonizar” Cz en ‘esonancla serie, ajustando sus longitudes de conductor y ugregando cnseguila un ca ppcitor mayor eo parslelo para propareionar puenteo en bajas frecuencias, en las que 4a ganancia del uansstor es mayor y pvede producir osciacionesindeseables. Se recomionda un bindu puesto a tera eno los conductores de eolector y ba fe, ebaj del soporte del transistor, para reducir I reicoslimentaciSn capita pais 1. Si es nevesara la neutalizacidn, we puede usar us cliouivo com el dela figura 1 del apéndice 4.4 Procedimiento de disero ‘Las pasos en e! procedimniento de disedio son los siguientes 1, Seleccionar un BIT, JFET © MOSFET adecuado pars bi frecuencia de opers- cin, con valores aceptables de ganancis y cifra de ruigo. Sise espera un tango inimico ampli de sales do enirida, dode preferiie un MOSFET de compuerta dual, Determinar los pardmetros y (u otros) del dispositivo y su estsbilited poten- Cial. SiC es mayor que 1, decidir i se logra estabitidad por neutraliacién o or carga. (La faciidad para ls alineaci6n puede ser un faccor en esta eleccidn). 3, Caleular los valores requeridos de Gy, Bs, Cy, fl. Obsarvar que el valor de Gy puede estar candicionado por la cifta de ruido, mas que por fa ganancer Sptima. “4. Determinar las impedancias (0 admitancias) de ly fuente de seftal y de caren, fla que Bb solids se entiega en ltima instancia. Para propésitos de prucba, se ‘usan por lo comin fuentes de sal y earga de SO Ohms, En.un cincuito de recep- tor, sin embargo, se usun lasimpedaneias dc lasetapas prececentes y subsecuen tes. Las redes intoretapar deben proporcionas la transformacién Jeimpeiancias y el acho de banda necesarios y deben ser siiionvables dentro de un cierto rango do frecusnicas. Las susseptancias de In (uente de ly sefal y ds ln carga depen estar en siatonie [Dicho dobal dola eapaampliiadors sintonzada 113 5, EL diseto de la red para un ancho de banda expecificada es complejo por la carga Gebida a las conductancias de sida (G, vy G_) del dispositive activo, Co- smo se sndic6 en las (ablas 3.3.1 y 3.3.2 (que pueden aplicarse para os crcultos ‘con inductor derivado y capacitor derivado, respectivarenta) el apcho de ban- da (si Q, > 10) esid dado por aes z 2nCR, nC, cy conde; esa capacltancla total (reato mds dipostivo) y Ry debe interpre farse aqui como la eombinaeién puralelo de laresistoncia roxonantedelircuite ‘sntomizado y Ia offecida por el resistor: Sea R=d donde G,=Ge+Gs 6 G+ Ge (4-08) El uso Ge este valor de Ren (4.43) dard el valor comrecto de G pard un ancho de banda especificado. Si el dlspositio es extable incondicionalmente (con o sin néutrabizaci6m), Gy YG; deborin ser siempre positimas, Adennis, ai se us tetminasion scapleda conjugada, Gi = Gs 0 Ga = Gr in presencia ce Gr 0 Gs reduce el ancho de anda aus medio del valor que tend ia red acopladora por si ola Part an diepositivn inestahie, que ogra estshilitad pr carps, no poncade tn acoplamiento conjugado eri uno u otro-puerto y es posible que G, 0 Gs sta nogativa, En este caso, aR, paralelo equivalente puede set mayor que Ry ‘© que Ry, de tl suerte que fs presencia del dispwstivo activo tiende a reducir al ancho de banda oa inerementar a Q, En la prctica, puede set deseable Wiser los descireuitos para diferentes en chs de banda, para que ol de menor anc de bande determine l frecuencia de ls etspa de resnuesta. Si ambos tienen el mismo ancho Ade banda, ls anda glo- bal ser solo 0.642 [9]. En genera fara una cascada de 7 etapassintonizadas con ancho de bona idénticos Bel ancho de banda del conjunto By sera 1 (445) B, - BQ Paro disenar las redes acopladoras para un ancho de bands especificado, se de ben incluic las susceptanciae de entrada y saida del dispositivo activo, Consi- ere por ejemplo Jared de entrada de i figara 4.11. Se sopone que I resistencia Re el gonerador debe transformarssen Ry = 1/G3_ que el ancho de bands B se especifique y que la adinitancia de entrada del transistor sea Y, =Gy +7By. Para obtener el ancho de banda 8, la capacitancia total del sireuito debe ser [Ls inductancia comespondiente es eis m)(4-48) y difiere del Q, de ix red acopladora que transforma a Ry en Rs. La capacitancia cefectiva do a rod 28 (49) donde C; — By lta #8 la sapscitahia de entrada del transistor. Se pueden usar for: rus de disenio de la tabla 3.6.1 para verficar que a=8e 450) ao “a 1s N ie) > (aa) (451) Si el dspositivo activo tiene une susceptancia de entrada indvetiva, como cucede ‘elyunas veces ea los teansitores, la susceptancia induetiva de la red acopladora se de- be ajustar de acuerco Bjemplo 4.10.1. La etapa amplificadora de fs figura 4.11, se vi a diyeniar para operar entre Ry = 50 olns y Ry ~ $0 ohms, con fo ~ 5 MItz y anchosde bandas decireuitosde ‘entrada y salida de 0.25 Miz. EI punto Q del transistor se encuentra en Ve = 10 ¥, Jo=1-mA,y sus parémetros y, en m®2, son 6-4 f18, Yor = 0.0029-+ JO, Jye= 29- 1440.6 0, Segin se calcul6 en et Problems 4.3.1, ef factor de Linvll >1, por lo tanto, se lograri ‘aestabilidad dol anplificedor con ura carga adecuada que asegure un factor K de Stern Mediante (4.16), G, ~ 3.6975 mt3. Entonces se obtione una solvesin de comp tadora utilizando el proceso de iteracion que da Bs = ~22.07 mU, B;, =—307 md, Yi, =282 +/22.07 mW, y ¥ -— 04714 + [3.07 m5, y la ganancia Gy de traneduc- tor end 62.17 0 17.94 a8 Disefio de la red de emirada Se uss la (4.44) para encontrar Ia conductancia total de entrada Gig =Gig + Gy =532 mS 0 Ry = [Gq =188 ohms. De (4.43), a expacitancia de entraca total que ds el vs- lor deseado de # <9, ~ 3387 pF'sal @ global del cireuito de entrada es Q, =fo/B= 5) 025 =20:y a inductancia by = 1/12, °C 03 uth “Ya que By ~ 22.07 m@S, ls capacitencis deentradu paralolo equivalentedel transic- tor 68 Cy =B, fain = 102.5 DF. La capacitancta que debe Gar el eircuto quele correspon rrobienas 117 ae C= Cy —G; = 3387 — 702.5 = 2634 pF. Fate esta capacitencia en derivacién equi- walente debida a C, en serie con Cy IIRg, y porlo tanto, se usari este valor en la tabla 3.1 (Ver (4.49). Qr se encuentra shorn # partit de (4.50) y da Q, =33.74, y usando (4:51), © obtiontn N* = Refi = 8,.N = 2.828, El uso de Op *Q,/N = 1193 demuestra que las formes aproximedas para Qy > 10 son validas. De aqui que C, =NC= 7592 pF ¥ Cy =a ~1)= 4153 0. Pata dseiar la red de salida se procede on la misma forms, salvo que l valor d= Gp es < 10 y se deben usar las formulas exactas en lugar de las sproximradss. Haga ‘esto coino efercicio, Ver problems 4.103, REFERENCIAS 1. RS Carson, if&h Frequency Amplifiers, John Wiley & Sons, Ine., Nueva York, 1975. 2. KK. Clarke yD. T. Hess, Communication Circuits: Analysis and Design, Chapter 1, Addison-Wesley Publishing Co, Inc., Reading, Mast, 1971. JG Linvil 7 1-F, Gibbons, Transistors and Active Cirewis, Chapter 11, MeGray~ Hill Book Company, Nueva York, 1961. 4. A. P. Stem, “Stabilty and Power Gain of Tuned Transistor Amplifees Proc. IRE, 45,335, Marzo 1957. 5. L. Weinberg, Nerwark Analysts and Synihests, Chapter 1, McGraw-Hlil Book Com- pany, Nueva York, 1962. 6. R. Heal, “RF Small-Signal Desing Ung Two-Port Parameters”, Application Note 215 A, Motorola Semiconductor Products, Ine, Phoenix, Ariz.. Diciembre 1972, 7. R. S, Carson, loc. cit, pagina 49. 8 0. A. Holt, Electronic Cireuit: Digitel and Analog, Chapter 15, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York, 1978. 9. H. J. Reich, J. G, Skalnich, y R, L. Krauss, Theory and Appiteations of Active Devices, Yan Nostrand Reinhold Company, Nueva York, 1966, piginas 369-370, PROBLEMAS 4.24 Pate un transistor 2N 918, opetando en io=4 mA, Vg = 10V, sh cati> logo dehy = 660 ohms, hy = 100, Ing = 4 en f=250 MIs, Cop =2PF. 4) Calelar ls pardmetror pars el modelo ifbrido pide I figura 43, ‘uponer que 7, es infinita, ») Determiner los perimetros.y, en f= 10 MH. Ver apéndice 4.2. 4.3.1 Un transistor 2N9743 que opeta en f= 5 MHiz, Jo = ImA, tiene los auientes parimetzos y en emis comin, expresados en milimhos Jy 3.6 + f18, ¥p = 0.0029 + 106, 3p = 29/10, y yp =— 0.04 JOS. — Cateular a factor C de Linvl 4.9.2, Se cacte el Uansistor del problema 43.1 con una fuente cuys Gg = 10 snd y se desea un factor de Stem K = 4 par el ampiilcador. Deteml- rarel yalor roquorida de C,, mediante (4.16). 43.3, Usar los dator de transistor del problema 4.3.1. Sean Gg <1 m8, x Gp=S08. a) Calculate factor K de Stern. 2) Repetireleélealo con Gr = 1m. 44.4. Usar los parimetios y del tansbtoren orice conn dados on el ejem- Ho4.3.1,H& Amplitkadover de ata fecvencia con seal él $40.1 2) Sapener neutralizado al transistor on un inductor de relroalimen tacién tal que spy = (0.5 m¥5, como en el ejemplo 4.4.1. Caleular los parimetzos J complcetos, el fictor C de Linvill y el K ue Stern, con Gp = 20 y G; =1 mL como ene ejemplo 43.2. »b) Repetir la parte a) usando 7y= + /1 0 mt CCaleulat Is ganancia disponible méxima (MAG) paral transstor del pro- blema 4.3.1 El transistor 2N 3747 del problema 4.3.1 se termina con Y's ~ 10 j mt3, Yr, = 1.66—/1.71 25, Determinar le ganancia Gr de transductor la gunancia Gp de potencie de operaciba, El transistor 2N 3743 det problema 4.3.1 se neutraliza con la adicign de tuna susceptancla yy = [dpe = —/0.6 ant3 (ver figuias 4.6 y 4.7) 42) Determinar os parimetros compuestosdelamplificador neutralizado, ) Encontrar los vulors de las siguientes magnitudes: el valor C de Lit ll, ia MAG y el Yalor cle Gy requerio para hacer que K= 3 sis = Sad. ‘Usar los parimetros compuestas y enconirados en el problema 4.7.1. Utiizar (4.37) y (4.38) para encontrar los valores de Gs'y Gy para ox naneia Gp de transductor méxima, con un factor de estabilidad &= 5 Encontrat ademis los valores de By. fy, y Gr. ‘Usar los pardmotros » del 2N3743 del problems 4.3.1 (noneutzalzado), Con Gs = 1Omt5 y Gz, = 1.66 m0, encontrar: 2) el factor de Stem K b) los valores de Bs Bx 1) Is ganensis de eanctuctor a ta figura P4.10,1, el cansistor a slichn npn opera en et punto Q Yor. 0.V, Je =1 mA. La frecuencia de operacidn és f= § MHr. Suponer vilidos tos pardmetros y de transistor del problema 4.3.1, except ype 0-706 mts. 4) encontrar vslorés adscuadas pars Ry, R3, C\, C2 ¥ Ce. Lov eapoct totes deneran tener impedancias bajes. b) Encentrar la ', = yg adecuata para unilaterdivar al amplificedor. Mostrar las commportentes adecuadas en el circuito, Enconttar os pa- ‘ametmos y_ compuestos que resulten 1, + Re 2 y, " ska Gy Figura P4.10.1 4.102. 4.103. ay 1 ti Relaciones ett lotnarimator decuadripcles. 119 €) Los cirouitos de entrada y salida van a sintontzar on f,. Determinar las susceptancias paralelo requeriles y agregar las componentes nece saria para sintonia, Caloule loe valores 42) Encontrar Q ye! ancho de banda de los citcuitos de entrada y salida {3Cudl de ellos extablece el ancho de banda del amplificader? 2) Encontrar V/V, Vi/Vo¥ Vols at frecuencia f,. /) Fncoatrat is tanancia de transductor Cy., unilateraizads, 2) Para Y= 1 Vip, obtencr le Foteacia de sala a partir de losresulta: dos d= los incisos e) y ). (Deben der 'a misma respuesta). sur el transistor unilateralizado del problema 4.10.1 en ol eireuito de 1a figura 4.11. Sean Ry =R, =50 ohms, yf = 5 MF Disefiar las redee scopladoras de entrada y silida que proporcionan Rs = 200 ohms y Ry, ‘= 2k ohms al transistor. Hacer el disefo para un ancho de banda de 250 kz, tanto #ls entrada como cn la slid, ‘Compictar et sjemplo 4.10.1; es decir, disetr el cirouito de salida. De- terminarlos valores de L3, Cy.¥ Ce. °Apéndice 4-1 RELACIONES ENTRE LOS PARAMETROS DE CUADRIPOLOS En ls expresiones que sguen. z= na — 22, ty R= Bee KR as =s5.— 95 Las conversiones entre los parimetios , 2,1 ya's listan en la tabla 4.1 TABLA 4.1 ae n z 8 yi Wb zie Aglge % =hihh z/az Gilde y hin ~2/Az 01 Ye n/n aoe ge n ae y z a bs Wy Aziz, ovag a wn ale ~/aa by wy, he ayn122 Anepliicedores de alta fecuancis con sofa Acbit TABLA 4.1 (Comtinuacion) a 2 ylty ih va, Fe way helo, ~9tg 2 = yisy “hie a9 e yiay 10h. aoa. @ a y ® a nh Wa, ”, =hysh ela a, — hush alt, a nian aug En [a tabla 4.2 ge muestran ls conversiones entre pardmetros y y h de emisor, base y colector comune. TABLA G2 be ve ” tm Yo + ro * Vo* Yoo Yo 1 Un * You) “(e+ Hed Ye = Wee > Yon) “(te + Ye) Vor Yew Vet Ye} Ne + Yoo he eb ¥. ” Yeo Yat Yo Yt You Yo Yoo Wa * You) Oe + Yoo! Ym Wm > Yor) ro 4 Yor) Yon You Vet Vn Ye + You fe ae % Y Ye Yo Yo*¥n + Yu You Ye Wnt Ym) “ty * Ye) ta m+n) Um +0) fee YoYo Yow Ye Rulncioresentie los patimeteos de euvdipolos 123 TABLE #2 (cont) h o a he he he Tete ha to UF is = h Tig fot Sho an =thn + Sh) Sane Cs TF hehe Fhe eek Se te Ie Fhe fio +h ine e m h ns ne Tha haram ‘hin te TF Tet ae be te he te eel h he TF hae hat She the be ne (14M) hi roe 1 SPs Fas Ze Ze ieee elec ah wry as SZ, srs As Ze Aqui Zo es la impedancia ceracterstica de Ie Kinoes de trenemisién usadas en siste- sas paramétrico de dispersi6n, generalmente de 50 ohms.124 Amolifintows dela fociencia con sei 46 Para convertir Jos panimetros y a s, los primeros deben multiplicarse previamente por Zoi ¥i=Jidoy ¥ asi sucesivamente. Entorces, ¥.-¥-aY yoray eel, i“yeyray %" ¥,4 HAY Apéndice 4-2 ieee PARAMETROS Y DEL CIRCUITO HIBRIDO Pi ara un JT, la informacién tipice de eatilogo puede consists de foi valores d= Fey es oe, Coo: Ween na frecvencis alta fespecifcada,escogida de tal wwerte que hes = fy-Un valor estimado de $0 100 Kobms es razonable para la fee de ut Wat Sistor opctado bajo sell débi y os comin una ry = 25 2 50 chms. Otros pardmetios hibridos se pueden encontrar con ha telacicmes dadas en la figura 4,3. El andlisis del citeuito de entonces los pardietros y de la mmancra siguiente Sean joe, Y= gteetil(Ce+C.)- atest gules tJargaler) ¥ sy = kn = fos) Ra ee (en tee +8: + iwC Mio e 7 & 1sApéndice 4-3 CANTIDADES CORRESPONDIENTES EN DIVERSOS SISTEMAS PARAMETRICOS* | oe. [Hf bh ae ae Sh it Sage eee ReevGunicowgee hE ‘th Pe ee cme Pee ae £1 sotraice 4.3 ec adentaca del eapitulo 10 op Tractors and Active Creutts de. Lirvil 4. F Globe can © 108 de MeGranil Book Coy arta wtlioado can. autorzacibn ra128 Ampincadorsde ste trueela con etal ti Table 43.2 Relociones ailes Inmitancia de entrada Inmitancia de sla bok ke M A Mem koh iia de potencia Gamancis de transductor sp = ReMi = Alkel? Re( Me) Rok.) Oo Rati EMP ee Racones de amplificacin 0 de transtereneta La expresion generat en la columns izquierda ds la razon espeeitica en la column: 1 derecho, poraun conjunto dado de parémstros, Ug SKM h Wy wy h Apéndice 4-4 DATOS DE TRANSISTOR EN RF? (Tipos PNP a Silicon 2N4957, 2N4958, 2N4958 y 2N5829) *Valor nominal mixime Vator nominal Vator Unidad Voltale colector-emisor 30 vae Valtaje enlontn Pace a vee Voltaje emicor base 20 Yas Corriente de colector (continua) 2 mace Disipacion de potencia totat @4 = 20 mw Fuora de tasa sobre de 25°C 14 wre Operacién y unidn de aimacenemiento lango de temperatura Tale 65 10 +200, © *Caracteriticaseléetreas (Ta ~ 25°C-a menos que se establezca de otro modo) Caraeteristca Simbolo _Min__Tipo__ Méx_—_ Unie Caractaristicas de paged Voltaje derupturs colestoremicor — Alvic = 30 = Vae c= 10 mado, fy =0) Voltsie de ruotura colectorbase == Vs, 100 wade, fe =O) Voltaje de suptura emisor-base vet) gas 8 8 ye (ig = 100 Ade. fp =0) Corriente de corte de colector xo wade Wop = 10 Vode, fe ~0) 1 le) as Weg = 10 Vo, fe zon = 0, Ta = 180°C) = = wo Garactorfatieas de encondiao’ a eg ems: Matorols Semizonaustor Prodi, ne iyBator de tcanisios en RE 131 190. Ampkocadores de ata frecuencia con set aébt Caractristicaz Siinbolo Min Tio tix Unied Carscteristicas de aporado foie Ccarscoritions dinémicas Producto (1) de ancho de bande- ‘anaacla de corviente ' ie (le=20mAde, Ver =10 Vo, f= 100 MH) 2057, 25829 12001200 2500 2ve956, 204859 10001500 2500 apacior aia fpapon cn ae ‘Capacitancia bese-colector Co bt 04 08 DF ae (eo = 10 Vee, fe =0, f= 1.9 Miz) Man ee Garaneia en corrents con sal bit ioe et ee ange (e=20mAde, Yor=10 Veo, 1-10 62) 1 ede Sitrato, Com dararon 0 3 pated Contante de tempo celeotor tare a 18 ke reicmin le= 20 mde. Vos ~ 10Vde, = 628 Mb) im de 06 pula de alamire #18 Cifra de ruido: NF a6 a Ue= 20 mAde, Vee = 10 Vde, f= 459 Mi) 25629 2N057 2058 2N4950 2328 26 30 Figura 1. Cireuite de prueha cara cifra de ruido v eanancie en potencia a5 4a 32 38 Pruepas funcionates (Ovservar que los mmeros de figura corresponden al catdlogo de MotorolaDS 5227 ‘Gerangla oe patencle devarrolticador ae bia 12 Las figuras 3 a6 apareoenen el capitalo 2 como figura 2.17. Algunas otras igure ‘s0 emizor comin ‘© omitieron intencionalmente (Woe = 10 Vie, o=20 mace, f= 460 Mia) 2NA987, 25620 78 24956 AS 2ucase Burne Vast ROR “tones datas retract en JEDEC, (1) fps define coro a frecuencia tn eal glia ontepata steve sn potencaunlatratiada oe 05 Poo an Figura 2. Ganancie en potoncia uniloteralizade vs frsousncia,