“Año del dialogo y la reconciliación nacional”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE
INGENIERIA
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

LABORATORIO DE CIRCUITOS
ANALOGICOS

INFORME FINAL Nº 4
AMPLIFICADOR MULTIETAPA.

PROFESOR: ALBURQUEQUE GUERRERO ANGEL LUIS

AINTEGRANTES:
LAZARO CONOPUMA JESUS
RAMIREZ CRISOSTOMO ALEJANDRO
BACILIO CHAHUA DONOVAN IGNACIO
MORENO TORRES JHONATAN FROILAN

CODIGO DEL CURSO: IT144

SECCION:
“N”

2018
 INTRODUCCION

Los amplificadores multietapas son aquellos que resultan de conectar dos o más amplificadores
simples en configuración cascada, es decir, que en la salida de una etapa se acopla la entrada de la
siguiente, quedando una entrada y una salida global. Además pueden ser conectadas entre sí para
mejorar sus respuestas tanto en ganancia, impedancias o ancho de banda. La técnica de análisis de
este amplificador es sencilla ya que se reduce básicamente a analizar un conjunto de etapas
básicas y a partir de sus modelos equivalentes obtener el modelo equivalente del amplificador
completo.

1. Detallar las condiciones para los que un BJT y/o FET puede operar en baja
frecuencia.

Dada una cierta configuración de transistores, se pueden calcular las frecuencias de corte inferior
(fL) y superior (fH). Una vez conocidos estos valores, solo hay que ajustar la frecuencia de la señal
que se va a amplificar a un valor menor a la frecuencia fL.

Cuando el transistor se encuentra trabajando en baja frecuencia se considerará el modelo de

parámetros híbridos para su funcionamiento, pero cuando trabaja en alta frecuencia hay que
considerar un nuevo modelo en el que juegan un papel importante las capacitancias parásitas del
transistor.

2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, escriba la ecuación

𝒅𝑰𝑪𝟐
tal que 𝑰𝑪𝟐 = 𝒇(𝑰𝑪𝑩𝑶, 𝑽𝑩𝑬) y considerando que los BJT son de silicio.
𝒅𝑻

Sabemos que:

𝜕𝐼𝐶 𝜕𝐼𝐶 𝜕𝐼𝐶

𝑑𝐼𝐶 = 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 + 𝑑𝑉𝐵𝐸 + 𝑑𝛽
𝜕𝐼𝐶𝐵𝑂 𝜕𝑉𝐵𝐸 𝜕𝛽

Dada la condición que:

𝐼𝐶2 = 𝑓(𝐼𝐶𝐵𝑂 , 𝑉𝐵𝐸 )

Luego:

𝑑𝐼𝐶2 𝑑𝐼𝐶2 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 𝑑𝐼𝐶2 𝑑𝑉𝐵𝐸

= + … … … … (∗)
𝑑𝑇 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 𝑑𝑇 𝑑𝑉𝐵𝐸 𝑑𝑇
De Q2 sabemos que:

𝐼𝐶2 = (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵𝑂 + 𝛽𝐼𝐵

Derivando respecto a 𝐼𝐶2:

𝜕𝐼𝐶𝐵𝑂 𝜕𝐼𝐵2 𝜕𝐼𝐶2 1+𝛽
1 = (𝛽 + 1) +𝛽 →𝑆= =
𝜕𝐼𝐶2 𝜕𝐼𝐶2 𝜕𝐼𝐶𝐵𝑂 1 − 𝛽 𝜕𝐼𝐵2
𝜕𝐼𝐶2

𝜕𝐼𝐶2 1+𝛽
𝑆= = … … … … (1)
𝜕𝐼𝐶𝐵𝑂 1 + [ 𝑅7 + 𝑅8 ]
𝑅𝐵 + 𝑅7 + 𝑅8

En la malla que pasa por la base y el emisor de Q2 tenemos que:

𝑉𝐵 = 𝐼𝐵2 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 + (𝐼𝐶2 + 𝐼𝐵2 )(𝑅7 + 𝑅8 )

Derivando respecto a 𝐼𝐶2 y despejando se tendrá:

𝜕𝐼𝐶2 −𝛽
𝑆´ = = … … … … (2)
𝜕𝑉𝐵𝐸 𝑅𝐵 + (𝑅7 + 𝑅8 )(1 + 𝛽)

Donde S y S´ representan los factores de estabilidad de 𝐼𝐶2 respecto a los parámetros 𝐼𝐶𝐵𝑂 y 𝑉𝐵𝐸
respectivamente.

Finalmente, reemplazando (1) y (2) en (*) tendremos el índice de variación de 𝐼𝐶2 con respecto a
T:

𝑑𝐼𝐶2 1+𝛽 𝑑𝐼𝐶𝐵𝑂 −𝛽 𝑑𝑉𝐵𝐸

={ } +{ }
𝑑𝑇 𝑅 +𝑅
1 + [𝑅 +7 𝑅 +8 𝑅 ] 𝑑𝑇 𝑅𝐵 + (𝑅7 + 𝑅8 )(1 + 𝛽) 𝑑𝑇
𝐵 7 8

3. Fundamente las razones por los que se diseña la ganancia y otros parámetros de un
amplificador independiente del hfe, hie, etc del BJT por ejemplo.

Es conveniente que al realizar el diseño de un circuito amplificador, la función de ganancia no sea

dependiente de términos como hfe, hie, etc. , ya que estos términos son variable ante los cambios
de temperatura, y en un momento dado podemos obtener valores óptimos de amplificación y
luego resultados muy pobres.

Una de las razones mas importantes es que estos parámetros tienen una fuerte dependencia de la
temperatura, la corriente del colector y otros parámetros del circuito que puedan hacer variar la
operación del amplificador, y trayendo como resultado la inestabilidad y variación de la ganancia, el
cual ya es algo inaceptable, por lo cual es mejor que términos como la ganancia sean funciones
constantes dependientes de los resistores, para obtener resultados fiables.
4. Diseñe el circuito amplificador de la figura bajo las siguientes premisas.
 Fuente de operación DC 12V
 Elementos activos 2N2222A
 Señal de Prueba 1 KHz 10 mV con resistencia interna 10 K
 Corriente ICQ mayor o igual a 1 mA
 Frecuencia de corte fi =100 Hz y fs = 5 KHz
 Ganancia a frecuencia medias 350 (aprox)

Datos utilizados para la construcción del amplificador

Sea ganancia total 896, nos excedemos del valor de 350 por que le valor de la fuente continua es
muy cercano al valor pico - pico de nuestra señal de salida, optamos por:

G12=32

G34=28

Adoptamos hfe=150 para todos los transistores dado que este es su valor sugerido por el manual
ECG

Adoptamos

SI = 11 y fa=0.8

entonces Rb/R5=10

además Zin = Rb//(hie+R5 hfe)

fa = Zin/(Zin+Ri)

como Ri=10kW è Rb» 40kW pero como sabemos que Rb<Zin entonces sea Rb=39.5kW para este
valor tendremos R5=3.6kW .

asumimos Icq1=1.1mA

è V3=3.44 V è V2=4.085 è V5=2.8V

dado que V2=4.085V y Rb=39.5

è R2» 110kW y R3» 62KW

asumimos Vce1=6.5V

è V1=10V è R4=(V+ -V1)/Icq1 » 2kW

como V5=2.8v adoptamos Icq2=1.11mA

è R7+R8=2.8/1.11=2.51kW

dado que G1=fa=0.8 G2=G12/G1=32 /0.8=40

además R5<<hfe2 R7 è R7» 0.11kW

dado que G2=32 =R6/R7

 R6» 3.6kW

 además R8=2.51-R7» 2.4KW

tenemos entonces el circuito equivalente para la primera etapa Vin'=400mV y Ri'=3.6kW

nuevamente sabemos fa=0.8

fa = Zin/(Zin+Ri) è Zin» 15.12kW » Rb

tomamos Icq3=1.4mA y V8=2.1 V

è R12» 1.5kW

Como R12<<hfe2 R14 è R14» 0.091kW

V7=2.8 v y V10=1.47v en consecuencia al valor de V8=2.1v

dado que G3=0.8 è G34/G3=G4=36=R13/R14

Como V7=2.8 v y Rb=15.12kW è R9» 62kW y R10» 20kW

Sea Vceq3=4.3v

è V6=6.4v è R11=( V+-V6)/Icq3» 3.9kW

Dado que V10=1.47V y (R14+R15)=V10/Icq4

asumimos Icq4=2mA

Tendremos entonces que R14+R15» 0.735kW è R15=0.65kW

Para que él ultimo transistor se mantenga operando elegimos Vce4=4V

Por tanto V9» 5.47V è R13» 3.3kW

5. Simular en computadora (ORCAD-SPICE) la experiencia, así como la respuesta de
frecuencia desde 5 Hz hasta 50 KHz.

Las simulaciones que se presentan fueron hechas en proteus 8 profesional, debido a que aún no se
me facilito el cd del Orcad.

Explicación del circuito

El circuito de estudio funciona de la siguiente manera:

 En este circuito amplificador se pueden observar claramente 2 etapas. La primera etapa se

encuentra compuesta por los transistores Q1 y Q2, quienes se encuentran conectadas
mediante un acoplo directo. La segunda etapa se encuentra compuesta por los transistores Q3
y Q4, quienes también se encuentran conectadas mediante un acoplo directo. Ambas etapas
se encuentran unidas a través de un acople capacitivo (condensador electrolítico C3 de 0.15µF)
con lo que ambas etapas se encuentran conectadas en conexión en cascada.
 Los transistores se encuentran trabajando en configuración Nada-Común, pero se puede
analizar a través de una configuración Emisor-Común. Por ello, toda señal ingresará a
cualquiera de los transistores a través de su base y saldrá amplificada por su colector.
 En la etapa 1 la señal de entrada ingresa a través de la base de Q1, quien la amplifica. Dicha
señal amplificada sale por el colector de Q1. Esta señal ingresa por la base de Q2 para que sea
nuevamente amplificada, ahora gracias a este transistor. La señal amplificada final de la etapa
1 sale por el colector de Q2.

 En la etapa 2 la señal de entrada viene a ser la señal final amplificada proveniente de la etapa
1. La señal de entrada ingresa a través de la base de Q3, quien la amplifica. Dicha señal
amplificada sale por el colector de Q3. Esta señal ingresa por la base de Q4 para que sea
nuevamente amplificada, ahora gracias a este transistor. La señal amplificada final de la etapa
2 sale por el colector de Q4. Esta señal final alimenta a una carga (resistencia RL = 10KΩ).

 El circuito elegido para la polarización de los transistores es el tipo “H”. Esta configuración es
muy usada ya que brinda notables ventajas en el diseño y cálculo de los valores de IC y VCE del
punto de operación del transistor. Eligiendo valores adecuados de las resistencias del circuito
de polarización, se puede conseguir que IC y por consiguiente VCE no dependan del valor de β
del transistor, hecho que es muy ventajoso. El motivo porqué es ventajoso tener valores
independientes de β se explicará más adelante en el desarrollo del cuestionario.

 Los condensadores C1, C3 y C4 sirven de acople. El condensador C1 sirve de acople entre la

señal de entrada y el transistor Q1. Su función es la de permitir el ingreso de esta señal sólo en
el análisis en AC y que de esa manera no interfiera en la polarización en DC del transistor
mencionado. El condensador C3 sirve de acople entre las etapas 1 y 2 del amplificador
multietapa, como se menciono antes. Su propósito es el mismo que el del condensador C1,
hacer que la señal que se dirige hacia el transistor Q3 sólo trabaje en el análisis en AC pero que
no interfiera en la polarización en DC de éste. El condensador C4 sirve de acople entre la señal
de salida del amplificador multietapa y la carga RL. Debe conectarse este condensador para
que dicha carga no interfiera en la polarización del transistor Q4. Gracias a estos condensadores
las polarizaciones de cada etapa son independientes. Los condensadores utilizados para esta
función son electrolíticos, ya que que en DC trabajan como circuitos abiertos y en AC trabajan
como cortocircuitos.

 Los condensadores C2 y C5 tienen un propósito específico. Se llaman condensadores de desvío.

Se encuentran conectados a R8 y R15 respectivamente con el propósito de mejorar la
estabilidad del sistema y además disminuir el valor de la resistencia de emisor en el análisis en
AC. Como se dijo antes, es bueno tener un circuito de polarización tipo “H”, pero si trabajara
una resistencia de emisor en el análisis en AC se perdería ganancia. Es por ello que para cumplir
con ambos criterios se colocan dos resistencias en serie y a una de ellas se le coloca en paralelo
un condensador, para que trabaje en la polarización en DC y deje de funcionar en el análisis en
AC. Estos condensadores también deben ser electrolíticos.

 Los condensadores C6 y C7 tienen, a su vez, otro propósito específico. Se conectan entre la

base y el colector de los transistores Q1 y Q3 con el propósito de compensación cuando se
trabaja en alta frecuencia (capacitancia de Miller). Estos condensadores son cerámicos,
también C6 y C7 limitan la respuesta en frecuencia .
Simulación con C6 Y C7:

 Se puede observar que la corriente ICQ tiene un valor mayor o igual a 1mA.
 Se puede observar que con el uso de C6 y C7 la respuesta en frecuencia está limitada.
Simulación sin C6 Y C7:
 se puede observar que al sacar los condensadores C6 y C7 la repuesta en frecuencia no
está limitada.
Referencias Bibliográficas.
[1] SEDRA, A & SMITH, K. 2006. Circuitos Microelectrónicos 5°Ed - McGraw-Hill.
[2] BOYLESTAD, R & NASHELSKY, L. 2009. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos 10°Ed – Pearson.

2. Use la tabla y determine en AC, a 1 KHz. VR1 / Vin VE1 / Vin VC2 / VE1 VC2 / Vin VE3 / VC2 VC4 /
VB4 VRL / VB4 VRL / Vin Compare los resultados con las ganancias que se obtienen de las tablas 3
y 4.
ACABADO 3. Con el MATLAB presente los diagramas de Bode de : VE1 / Vin VC2 / VE1 VC2 / Vin
VB4 / VC2 VRL / VB4 VRL / Vin
 1 ASUMIENDO LAS RESISTENCIAS ESTABLES DETERMINE LOS PUNTOS DE OPERACIÓN DE
CADA TRANSISTOR

Para Q1
Tenemos:
Vc y Ve por lo que: Vceq = 9.74 – 4.02 = 5.72 , e Icq = Ve/R5 = 1.03 mA

Para Q2
Tenemos:
Vc = 7.23 V Vr8 = 3.24 V
Icq = Vr8/R8 = 1.47 mA , Además: Ve = Icq*(R7+R8) = 3.381 V, Por lo tanto Vceq = 3.849V

Para Q3
Tenemos:
Ve = 2.11 V
Icq = Ve/R12 = 1.4 mA, Además: Vc = Vi-R11*Icq = 6.54, Por lo tanto: Vceq = 4.43 V

Para Q4
Tenemos:
Vc = 6.03 V Vr15 = 1.28 V
Icq = Vr15/R15 = 1.88 mA , Además: Ve = Icq*(R14+R15) = 3.15 V, Por lo tanto Vceq = 2.88V

Q1 Q2 Q3 Q4
Icq 1.03 mA 1.47 mA 1.4 mA 1.88 mA
Vceq 5.72 V 3.849 V 4.43 V 2.88

2 USE LA TABLA Y DETERMINE EN AC , A 1KHZ :

Usando los datos obtenidos mostramos:

Vr1/Vin Ve1/Vin Vc2/Ve1 Vc2/Vin Ve3/Vc2 Vc4/Vb4 Vrl/Vb4 Vrl/Vin

88.8 87.9 0.093 8.2 0.347 1.32 1.33 8.26
 3. CON MATLAB PRESENTAR EL DIAGRAMA DE BODE DE :

VE1 / Vin VC2 / VE1 VC2 / Vin VB4 / VC2 VRL / VB4 VRL / Vin
88.8 87.9 0.093 8.2 0.347 1.32

Tabla de datos tomados en el laboratorio

frecuencia Vc2(mV) VRL(V)

1KHz 332 5.68
5Hz 27.2 0.36
10Hz 48 0.392
20Hz 24 0.232
50Hz 60 0.36
100Hz 336 1.3
200Hz 340 2.4
500Hz 340 4.4
5 KHz 260 4.8
10KHz 140 2.72
20 KHz 76 1.40
50 KHz 44 0.68
80KHz 36 0.46

4 CONCLUSIONES Y OBSERVACIONES CORRESPONDIENTE A LO SIGUIENTE :

a) El diseño:
 En el diseño, se tomo en cuenta los valores de los datasheet y con eso tomamos
valores aproximados de las corrientes de colector de los transistores del circuito
multietapa

b) La simulación :
 En la simulación, utilizamos el software multisim y pusimos dispositivos que pedían en
el informe

c) La implementación:

 En la implementación, utilizamos los elementos requeridos en la guía de laboratorio,

fue tedioso a la hora de implementarlo pero nos salió en el primer intento.
3. Con el MATLAB presente los diagramas de Bode de : VE1 / Vin VC2 / VE1 VC2 / Vin VB4 / VC2
VRL / VB4 VRL / Vin