INSTITUTO TECNOLOGICO DE TLAHUAC

INGENIERÍA ELECTRONICA

Unidad 5 “Familia de transistores”

FISICA DE SEMICONDUCTORES

Noviembre 2015
Índice de contenido

INTRODUCCIÓN .......................................................................................................... 4
5.1 TRANSISTORES SCR ........................................................................................... 5
CARACTERÍSTICAS ...................................................................................................... 5
APLICACIONES DEL SCR ............................................................................................. 6
5.2 TRANSISTORES UJT ............................................................................................ 7
APLICACIONES DEL UJT .............................................................................................. 8
5.3 TRANSISTORES DIAC .......................................................................................... 9
PRINCIPIO DE OPERACIÓN Y CURVA CARACTERÍSTICA .................................................. 10
APLICACIONES .......................................................................................................... 11
TIPOS DE DIAC:........................................................................................................ 12
5.4 TRANSISTORES TRIAC ...................................................................................... 12
CARACTERÍSTICAS .................................................................................................... 12
CURVA CARACTERÍSTICA ........................................................................................... 13
APLICACIONES .......................................................................................................... 14
5.5 TRANSISTOR PUT (PROGRAMMMABLE UNIUNION TRANSISTOR) ............... 14
CONCLUSIONES ....................................................................................................... 19
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS ........................................................................... 20

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Índice de figuras

ILUSTRACIÓN 1 REPRESENTACIÓN DE SCR ---------------------------------------------------------- 5

ILUSTRACIÓN 2 REGIÓN DE POLARIZACIÓN EN DIRECTO EL SCR --------------------------------- 6
ILUSTRACIÓN 3 REPRESENTACIÓN GRÁFICA DEL UJT----------------------------------------------- 7
ILUSTRACIÓN 4 CURVA CARACTERÍSTICA DE UN UJT ----------------------------------------------- 8
ILUSTRACIÓN 5 GENERADOS DE PULSOS EN DIENTE DE SIERRA MEDIANTE UJT --------------- 9
ILUSTRACIÓN 6 REPRESENTACIÓN DE TERMINALES DEL TRANSISTOR DIAC ------------------ 10
ILUSTRACIÓN 7 CURVA CARACTERÍSTICA DEL DIAC ---------------------------------------------- 11
ILUSTRACIÓN 8 SÍMBOLO DEL TRIAC Y SU CIRCUITO EQUIVALENTE ---------------------------- 13
ILUSTRACIÓN 9 CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRIAC --------------------------------------------- 13
ILUSTRACIÓN 10 CIRCUITO EQUIVALENTE AL PUT ------------------------------------------------- 15
ILUSTRACIÓN 11 CURVA CARACTERÍSTICA DEL PUT ---------------------------------------------- 15
ILUSTRACIÓN 12 ZONA DE TRABAJO ------------------------------------------------------------------ 16
ILUSTRACIÓN 13 REPRESENTACIÓN AL CIRCUITO EQUIVALENTE DE UN OSCILOSCOPIO ----- 17

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Introducción

Familia de los transistores (scr, diac, triac, ujt, put). En este caso un transistor es
un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador. El término transistor hace referencia a
“resistencia de transferencia”.

Actualmente cualquier tipo de transistor se les encentra prácticamente en todos

los productos electrodomésticos así como también para productos de más
complejidad ya que estos varían es sus características y Aplicaciones ya que
varían en su configuración interna.

En el presente trabajo se habla de estos 5 transistores donde en cada uno se

explica sus funciones, características, aplicaciones entre otras cosas; Los
transistores hay ido cambiando conforme con la necesidad de obtener mejores
resultados, cada uno de estos emplea diferentes funcionalidades y también se
observa el cambio que hay en cada uno de ellos.

4
Desarrollo

5.1 Transistores SCR

El SCR (Silicon Controled Rectifier / Rectificador Contralado de Silicio). Es un

tipo de transistor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón
(tyratron) y Transistor.

Posee tres conexiones: ánodo, cátodo y puerta (Fig. 1). La puerta es la

encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona
básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido.

Ilustración 1 Representación de SCR

Características

Cuando el SCR está polarizado en inversa se comporta como un diodo común

En la región de polarización en directo el SCR se comporta también como un
diodo común, siempre que el SCR ya haya sido activado (On). Ver los puntos D
y E. Para valores altos de corriente de compuerta (IG, el voltaje de ánodo a
cátodo es menor VC).

5
Si la IG disminuye, el voltaje ánodo-cátodo aumenta. (B y A, y el voltaje ánodo-
cátodo VB y VA).Concluyendo, al disminuir la corriente de compuerta IG, el
voltaje ánodo-cátodo tenderá a aumentar antes de que el SCR conduzca (On,
esté activo). (Fig. 2).

Ilustración 2 Región de polarización en directo el SCR

Aplicaciones del SCR

Las aplicaciones de los transistores se extienden desde la rectificación de

corrientes alternas, en lugar de los diodos convencionales hasta la realización
de determinadas conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos,
pasando por los onduladores o inversores que transforman la corriente continua
en alterna. La principal ventaja que presentan frente a los diodos cuando se les
utiliza como rectificadores es que su entrada en conducción estará controlada
por la señal de puerta. De esta forma se podrá variar la tensión continua de salida
si se hace variar el momento del disparo ya que se obtendrán diferentes ángulos
de conducción del ciclo de la tensión o corriente alterna de entrada. Además el
tiristor se bloqueará automáticamente al cambiar la alternancia de positiva a
negativa ya que en este momento empezará a recibir tensión inversa.

6
Por lo anteriormente señalado el SCR tiene una gran variedad de aplicaciones,
entre ellas están las siguientes:

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación reguladas.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Recortadores.
 Inversores.
 Ciclo conversores.
 Cargadores de baterías.
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacción.
 Controles de fase.

5.2 Transistores UJT

El transistor UJT (transistor de unijuntura / Unijuntion transistor), Es un tipo de

transistor que contiene dos zonas semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2).
(Fig.3) Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales
B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo
largo de la barra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio,
conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

Ilustración 3 Representación gráfica del UJT

7
En la Fig. 4. Se muestra el aspecto de una de las curvas características de un
UJT. Vp (punto Q1) nos indica la tensión pico que hay que aplicar al emisor para
provocar el estado de encendido del UJT (recordar que V p = V1 + 0,7). Una vez
superada esta tensión, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip),
provocándose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es
inferior a la de mantenimiento Iv (punto Q2).

Ilustración 4 Curva característica de un UJT

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT más común es como generador de pulsos en
diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.

Al aplicar una tensión VCC al circuito serie R-C, formada por la resistencia variable
RS y el condensador CS, dicho condensador comienza a cargarse. Como este
condensador está conectado al emisor, cuando se supere la tensión intrínseca,
el UJT entrará en conducción. Debido a que el valor óhmico de la resistencia R1
es muy pequeño, el condensador se descargará rápidamente, y en el terminal
de B1 aparecerá un impulso de tensión. Al disminuir la corriente de descarga del
condensador, sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste
se desceba y comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador.
Así, se consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una señal pulsante en
forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de
disparo de un SCR o de un TRIAC.

8
Para regular el tiempo de disparo es suficiente con modificar el valor óhmico de
la resistencia variable RS, ya que de ésta depende la constante de tiempo de
carga del condensador. (Fig. 5).

Ilustración 5 Generados de pulsos en diente de sierra mediante UJT

5.3 Transistores DIAC

DIAC (Diodo para Corriente Alterna). Es un dispositivo semiconductor de dos

conexiones llamados ánodo y cátodo. Es un diodo bidireccional disparable que
conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo, y
mientras la corriente circulante no sea inferior al valor característico para ese
dispositivo.

El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de

la corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo de alrededor
de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.

Los DIAC son una clase de transistores, y se usan normalmente para disparar
los triac. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados ánodo y
cátodo. (Fig. 6). Actúa como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando
el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede
estar entre 20 y 36 volts según la referencia.

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Un DIAC es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control
de potencia, lo que significa que servirá para controlar electrónicamente el paso
de corriente eléctrica

Ilustración 6 Representación de terminales del transistor DIAC

Principio de operación y curva característica

La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN

hasta un voltaje de ruptura equivalente al del transistor bipolar. Debido a la
simetría de construcción de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas
direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez
que el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el
voltaje de ruptura, presentando una región de impedancia negativa (si se sigue
aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se
logra que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

En este dispositivo se tiene siempre una pendiente negativa, por lo cual no es

aplicable el concepto de corriente de sustentación. La conducción ocurre en el
DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con cualquier polaridad, a través
de las dos terminales.

La curva ilustra esta característica. (Fig. 7) Una vez que tiene lugar la ruptura, la
corriente fluye en una dirección que depende de la polaridad del voltaje en las
terminales. El dispositivo se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de
retención.

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 Ilustración 7 Curva característica del DIAC

Aplicaciones

Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la

corriente del TRIAC, de forma que solo se aplica tensión a la carga durante una
fracción de ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de
iluminación con intensidad variable, calefacción eléctrica con regulación de
temperatura y algunos controles de velocidad de motores.

Otras diferentes aplicaciones de este dispositivo semiconductor son:

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación regulada.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores.
 Recortadores.
 Inversores.
 Ciclo-conversores.
 Cargadores de baterías.
 Circuitos de protección.
 Controles de calefacción.

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Tipos de DIAC:

 DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexión de base

y con las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El
dispositivo permanece bloqueado hasta que se alcanza la tensión de
avalancha en la unión del colector. Esto inyecta corriente en la base que
vuelve el transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo. Al
ser un dispositivo simétrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.

 DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados

en anti paralelo, lo que le da la característica bidireccional.

5.4 Transistores TRIAC

TRIAC (Triodo para Corriente Alterna). Es un dispositivo semiconductor, de la

familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que éste
es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse
que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían
dos SCR en anti paralelo.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominación de ánodo
y cátodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la
polarización de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o
negativa.

Características

 La corriente puede pasar en ambas direcciones.

 Adecuados para convertidores de conmutación forzada en
aplicaciones de potencia intermedia y alta.
 Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible
apagarlo desde la puerta.
 Pueden apagarse con un pulso de señal negativo.

Cuando el TRIAC conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy

baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado.

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Cuando el voltaje es más positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en
caso contrario fluye de MT1 a MT2. (Fig. 8). En ambos casos el TRIAC se
comporta como un interruptor cerrado. Cuando el TRIAC deja de conducir no
puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del
voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto.

Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al

TRIAC (dv/dt) aún sin conducción previa, el TRIAC puede entrar en conducción
directa.

Ilustración 8 Símbolo del TRIAC y su circuito equivalente

Curva característica

Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1 el TRIAC puede

encenderse aplicando una señal positiva entre la compuerta G y la terminal MT1.
Si la terminal MT2 es negativa con respecto a MT1 se enciende aplicando una
señal negativa entre G y MT1. (Fig. 9).

Ilustración 9 Curva característica del TRIAC

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Aplicaciones

 Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

 Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.
 Funciona como interruptor electrónico y también a pila.
 Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como
atenuadores de luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en
los sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No
obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores
eléctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse
que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semi-ciclo de la
onda de corriente alterna.

5.5 Transistor PUT (Programmmable Uniunion Transistor)

Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es

similar al del UJT. Es un tipo de transistor y, a veces, se le llama "tiristor
disparado por ánodo" debido a su configuración.
Aunque tienen nombres similares, el UJT y el PUT son diferentes en construcción
y modo de operación. La designación se ha hecho en basa a que presentan
características tensión-corriente y aplicaciones similares.

El término programable es usado porque los valores Rbb, n y Vp pueden

controlarse mediante una red externa. Mediante un divisor de tensión resistivo
se establece precisamente la tensión de disparo (tensión de pico (Vp), del PUT).
El PUT tiene tres terminales, ánodo (A), un cátodo (K), y una compuerta (G). El
símbolo eléctrico del PUT y su correspondiente circuito equivalente se ve en la
Figura 10.

14
 Ilustración 10 Circuito equivalente al PUT

Cuando no hay corriente de compuerta el voltaje desarrollado en dicho terminal

es:

𝐕𝐛𝐛 ∗ 𝐑𝐛𝟏
𝐕𝐠 = = 𝐧𝐕𝐛𝐛
𝐑𝐛𝟏 + 𝐑𝐁𝟐

El circuito no se dispara hasta tanto potencial en la terminal de ánodo no sea

superior en el voltaje de polarización directa de la juntura pn entre ánodo,
compuerta y voltaje de compuerta. Por lo tanto:

𝐕𝐚𝐤 = 𝐕𝐝 + 𝐕𝐠 =. 𝟕 + 𝐧𝐕𝐛𝐛

La curva de tensión-corriente que representa la característica de funcionamiento

del PUT.

Ilustración 11 Curva característica del PUT

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Mientras la tensión de Vak no alcance el Vp, el Put estará abierto, lo cual
ocasiona que los niveles de corriente sean muy bajos. Una vez que alcance el
nivel Vp, el dispositivo entrara en conducción presentando una baja impedancia
y por lo tanto un elevado flujo de corriente.

El retiro del nivel aplicado en la compuerta, no llevara al dispositivo a su estado

de bloqueo, es necesario que el nivel de voltaje Vak caiga lo suficiente para
reducir la corriente por debajo de un valor de mantenimiento I(br).

Una característica importante de este dispositivo es que tiene una región o zona
de trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo, Vak,
supere la tensión Vp (la cual es programada mediante el resistor Rb1 y Rb2), el
dispositivo entra en conducción con lo cual cae la tensión Vk y aumenta la
corriente.

Esto ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), en la cual es un punto
estable de operación. Así se obtiene la región de resistencia negativa, donde se
delimita entre los puntos Vp y Vv. (Fig. 12).

Ilustración 12 Zona de trabajo

La tensión de pico Vp es esencialmente es la misma que la tensión de referencia

del divisor de tensión excepto por la caída de tensión en la juntura de la
compuerta.

Una de las aplicaciones de este dispositivo es un oscilador de relajación, para

analizar cómo funciona este circuito, se hablara del equivalente de thevenin para

16
la fuente de tensión externa y divisor resistivo, aplicado en la compuerta. Estos
parámetros quedan definidos.

𝐑𝟏 × 𝐕𝟏 𝐑𝟏 × 𝐑𝟐
𝐕𝐬 = 𝐲 𝐑𝐠 =
𝐑𝟏 + 𝐑𝟐 𝐑𝟏 + 𝐑𝟐

Las corrientes de pico (Ip), y de valle (Iv), depende de la impedancia equivalente

en la compuerta Rg y de la tensión de alimentación Vs. Por lo tanto la curva
característica del PUT es sensible respecto de las variaciones de Rg y Vs.

Ilustración 13 Representación al circuito equivalente de un osciloscopio

La red Rc compuesta por Rt y Ct controla la frecuencia de oscilación junto R1 y

R2 . El periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por:

𝟏 𝐕𝐬 𝐑𝟐
𝐓= = (𝐑 × 𝐂 × 𝐥𝐧) ( ) = (𝐑 × 𝐂 × 𝐥𝐧)(𝟏 + )
𝐟 𝐕𝐬 − 𝐕𝐩 𝐑𝟏

El PUT es también un dispositivo de resistencia negativa, tiene que cumplir con

la condición impuesta de que la recta de carga de trabajo, corte a la curva
característica tensión-corriente precisamente en la región que presenta
resistencia negativa. Si esto no ocurre, el dispositivo puede permanecer o en
bloqueo o en saturación. Para garantizar que efectivamente se trabaje en la
región adecuada se debe escogerse, el valor de resistencia comprendido entre
unos valores límites dados por Rmáx y Rmin.

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 𝐕𝐛𝐛 − 𝐕𝐩 𝐕𝐛𝐛 − 𝐕𝐯
𝐑𝐦á𝐱 = 𝒚 𝐑𝐦í𝐧 =
𝐈𝐩 𝐈𝐯

La característica principal del transistor PUT es ser capaz de controlar el

potencial de disparo. En general el pico Vp, el de valle Vv y los voltajes de
operación mínimos del PUT son menores que los de UJT. Su alta sensibilidad,
les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o
pequeños valores de capacidad, en aplicaciones de baja corriente tales como
temporizaciones muy largas o en circuitos alimentados con baterías.

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Conclusiones

Cada transistor trabaja de diferente forma, tiene una composición P-N diferente y por lo
tanto su funcionalidad cambia, pueden ser bastante parecidos sin embargo no lo son.

Los transistores UJT, SCR y PUT son bastante parecidos sin embargo cambia su
estructura P-N, en cambio con el TRIAC y DIAC son transistores de corriente alterna
que también su estructura está dada P-N sin embargo la forma en cómo se traslada la
corriente también es diferente ya que es unidireccional o bidireccional.

Uno de los cuales tiene una característica similar es el PUT ya que este su estructura
P-N no es lo diferente si no, su comportamiento en la Rbb y Vp ya que estos se pueden
controlar de manera externa.

19
Referencias Bibliográficas
 http://www.udb.edu.sv/udb/archivo/guia/electronica-
tecnologico/electronica-de-potencia/2013/i/guia-6.pdf
 https://books.google.com.mx/books?id=wpRRNiq5V1EC&pg=PA955&dq
=transistor+put&hl=es&sa=X&ved=0CCMQ6AEwAWoVChMIlP7joJ-
YyQIVwTwmCh2FdQhk#v=onepage&q=transistor%20put&f=false
 http://www.dirind.com/dae/monografia.php?cla_id=7
 http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp
 http://www.reocities.com/SiliconValley/Orchard/2753/put/put.html
 http://potencia.eie.fceia.unr.edu.ar/TIRISTORES 3.pdf
 https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/17-
dispositivos-de-disparo-ujt-y-put.pdf
 https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/17-
dispositivos-de-disparo-ujt-y-put.pdf
 https://books.google.com.mx/books?id=H-
irtU49BOkC&pg=PA187&lpg=PA187&dq=transistor+put+explicacion+se
ncilla&source=bl&ots=Fau-
b_Mq3B&sig=qVee4UIoKIiJzXQUagp6mJvR32Y&hl=es&sa=X&ved=0C
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v=onepage&q&f=false

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