U.N.M.S.

M
Facultad de Ing. Electrónica, Eléctrica y
Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres Matricula

 Carhuarica Aguilar Carla B. 17190077

 Tello Ccarhuas Henry B. 17190282
 Guevara Castillo Jose A. 17190173
 Cristobal Ingaruca Scott 17190034

Curso Tema
Dispositivos EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN.
Electrónicos CARACTERISTICAS BASICAS

Informe Fechas Nota

Final Realizació Entrega
n
Número 31-10-18 7-11-18
7
Grupo Profesor

Miércoles 2p.m.-4p.m. (2018-II) Ing. Luis Paretto Q.

 I. TEMA: EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP.
CARACTERISTICAS BASICAS

II. OBJETIVOS:
 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP
 Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar PNP

III. INTRODUCCION TEORICA

Qué son los Transistores:

Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o más electrodos. Los tres electrodos
principales son emisor, colector y base. La conducción entre estos electrodos se realiza por
medio de electrones y huecos. El germanio y el silicio son los materiales más frecuentemente
utilizados para la fabricación de los elementos semiconductores.
Los transistores pueden efectuar prácticamente todas las funciones de los antiguos tubos
electrónicos, incluyendo la ampliación y la rectificación, con muchísimas ventajas.

Elementos de un transistor o transistores:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y un tipo n. al primero
se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.
 EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su labor es la
equivalente al CATODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
 BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a
la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
 COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la
equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.

Ventajas de los transistores electrónicos

El consumo de energía es sensiblemente bajo.

El tamaño y peso de los transistores es bastante
menor que los tubos de vacío.
Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecánica elevada.
Los transistores pueden reproducir otros
fenómenos, como la foto sensibilidad.

Tipos de Transistores
Transistores Bipolares de unión, BJT. (PNP o NPN)
-BJT, de transistor bipolar de unión (del inglés, Bipolar Junction Transistor).
El término bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso
de inyección hacia el material polarizado de forma opuesta.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una
carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está en el terminal del emisor y apunta en la dirección en la que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.

Comprobación de transistores.

La base de un transistor se encuentra limitada por las dos uniones PN, por lo cual, debe de
comportarse como un diodo con el emisor, igualmente que con el colector. Sabiendo esto, es
fácil comprobar el estado de un transistor y saber cuál es la base, el colector y el emisor.

Para saber si un transistor es PNP o NPN y cuáles son sus patillas de Base, Colector y Emisor,
actuaremos de la siguiente forma, usaremos un medidor de resistencia, colocaremos la sonda
roja en una de las patillas y la negra en otra, si la resistencia es grande, puede que estemos
midiendo entre Colector-Emisor o que estemos midiendo Base-Emisor/Colector en Polarización
Inversa, ahora bien, si la resistencia es pequeña, estamos midiendo seguro entre Base-Colector
o Base-Emisor en polarización directa, con lo que ya sabemos que una de las dos patillas es la
base.

Cambiamos una de las sondas a la otra patilla, si la resistencia es grande, la patilla que ahora no
está siendo medida es la base, si la resistencia es baja, sabemos que la patilla con la que hemos
realizado las dos mediciones es la base y mirando el color de la sonda sabremos si es P ó N, con
lo que ya sabemos si el transistor es PNP o NPN.

Para diferenciar el Colector del Emisor, el procedimiento es el siguiente, medimos resistencia

entre la base, ya diferenciada, y las otras dos patillas, la resistencia Base-Colector es siempre
menor que la resistencia Base-Emisor.

PNP NPN

Rce: Alta (ambos sentidos) Rce: Alta (ambos sentidos)

Rbe: Como diodo Rbe: Como diodo

Rbc: Como diodo Rbc: Como diodo

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas

principalmente por la forma en que son polarizados:
 Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la
región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región
la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

 Región inversa: Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo

activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo,
las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los
BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0,(Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0
(Ib =0)

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de Colector = corriente de emisor = corriente máxima

(Ic = Ie = Imáx)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del

circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley
de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (Recordar que Ic = β * Ib).
IV. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO.

 Una Fuente de Corriente Continua Variable.

 Un Multímetro digital.
Marca: Fluke
Nº de serie: 64680428

 Un Miliamperímetro y un
Micro amperímetro.

Marca: Yokogawa
Modelo: 510B
Sensibilidad: 0.1 Ω /V

Marca: Yokogawa
Modelo: 500B
Sensibilidad: (1/15) Ω /V

 Un Voltímetro de c.c.

Marca: Yokogawa
Modelo: 2011
Nº de serie: 84AA2174
Sensibilidad: 1000 Ω /V

 Un Transistor 2N3906
 Un osciloscopio

 Resistores:
Re=330 Ω, Rc=1k Ω, R1= 56K Ω, R2= 22K Ω

 Condensadores:
Cb= 0.1 µ F, Cc= 0.1 µ F, Ce= 3.3 µ F

 Un potenciómetro de 1M Ω
 Cables y conectores. (cocodrilo/banano)
 Una placa con zocalo de 3 terminales.
 V. PROCEDIMIENTO y DATOS OBTENIDOS.

1.- Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro. Llenar la tabla 1.

Resistencia Directa ( Ω ) Inversa ( Ω )

Base – emisor 1152 Ω > 20 M Ω
Base – colector 1142 Ω >20M Ω
Colector - emisor >20M Ω >20 M Ω
Tabla 1

Al realizar esta operación y al hacer la medición correspondiente, es fundamental para así

verificar el estado del transistor.

2.- Armar el siguiente circuito: (El transistor a experimentar fue el 2N3906)

Material: Germanio (Si)

Ganancia de corriente (β)
típico = 240
Datos del circuito:

Hacemos el equivalente de thevenin del

circuito:

a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener el β (P1 =
0Ω).
b. Medir los voltajes entre colector – emisor (Vce), entre base – emisor (Vbe), y entre
emisor – tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2.

Tabla 2 (Q1)
Valores (R1 = 56KΩ) Ic (mA) Ib (uA) β Vce (v) Vbe (v) Ve (v)
Medidos 6.47 31.28 240 3.242 0.701 2.152
7.03 29.31 240 2.34 0.6 1.98
Teóricos

Estos datos a mostrar por el ohmímetro nos ayudan para ver si los cálculos obtenidos en la
teoría son parecidos o para ver cuanto ha sido el error al realizar los cálculos.
 d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la Tabla 3
(P1 = 100KΩ).

Tabla 3 (Q2)
Valores (R1 = 68KΩ) Ic (mA) Ib (uA) β Vce (v) Vbe (v) Ve (v)
Medidos 5.34 26.2 240 4.9 0.693 1.787
Teóricos 5.89 26.55 240 4.4 0.6 1.68

e. Aumentar la resistencia de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ y 1MΩ. Observar lo que sucede

con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce (usar Re = 0Ω). Llenar la Tabla 5.

Tabla 5
P1 100 KΩ 250 KΩ 500 KΩ 1 MΩ
Ic (mA) 1.95 0.48 0 0
Ib (uA) 6.13 1.03 0 0
Vce ( v ) 9.46 11.49 12.01 12.02
(Q3)

3. Ajustar el generados de señales a 50 mv.pp, 1 KHz, onda senoidal. Observas la salida Vo con
el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.
Tabla 4
Tabla Vi(mv.pp) Vo( v.pp) A.v Vo( sin Ce) Av (sin Ce)
2 (Q1) 680
3 (Q2) 680 17.2 25.294 3.6 5.294

VI. CUESTIONARIO:

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con el

ohmímetro. (El transistor a experimentar fue el 2N3906)

En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-colector y colector-emisor en

polarización directa son bajas, ya que en polarización directa el transistor conduce corriente.
En polarización inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual esta bien ya que en
polarización inversa el transistor no conduce corriente.
Haciendo las mediciones respectivas se determinó los siguientes datos de la tabla de
resistencia entre la base, el colector y el emisor verifica que se cumple con las especificaciones
del transistor dado.
También se puede notar en polarización directa, la resistencia entre colector-emisor es
demasiada grande. Y en polarización inversa, en cualquiera de las combinaciones, la resistencia
es alta.

2.- Representar la recta de carga en un gráfico Ic. vs Vce. del circuito del experimento.
Ubicar los puntos correspondientes a la tabla 2,3 y 5.
Nota: “En la tabla 5 para P1=500kΩ, 1MΩ los transistores no trabajan en
consecuencia no se debe graficar la recta de carga”
 3- En que regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 2 y 3

 Q1 de la tabla 2:
Hallados experimentalmente
cada resistencia:
R1= 56.1KΩ
R2= 21.77KΩ
Re= 0.30KΩ
Rc= 0.98KΩ
VBE= 0. 6v
P1= 0KΩ
β=

Voltaje de Thevenin:

Req de Thevenin:

Ic =  x IB
Ic = 240(31.420A)

ICQ = 7.541 mA
 VEC = 12v – (0.3K + 0.98 k)(7.541mA)

VECQ = 2.348v  Entonces el punto donde el transistor trabaja es:

Q1(2.348v,7.541mA)

Para hallacar Ic max :

Corriente de saturación  VCE = 0v

 Q2 de la tabla 3:
Datos:
R1= 67.4KΩ
R2= 21.77KΩ
Re= 0.30KΩ
Rc= 0.98KΩ
VBE= 0. 6v
P1= 0KΩ
β=
 Voltaje de Thevenin :

Req de Thevenin :

 Ic =  x IB
Ic = 240(24.556A)

ICQ = 5.896 mA

VEC = 12v – (0.3K + 0.98 k)(5.896mA)

VECQ = 4.453v  Entonces el punto donde el transistor trabaja es:

Q1(4.453v,5.896mA)

Para hallacar Ic max :

Corriente de saturación  VCE = 0v

Por lo tanto, se encuentra en la región activa de trabajo ya que el colector esta

polarizado inversamente y el emisor directamente.
 4- Que sucedería con el punto de operación se cambiamos R1 a 150k? Explicar lo
ocurrido e indicar sus valores teóricos.

Si cambiamos el valor de R1 el punto de trabajo se desplazará como cuando se varía el

valor de P1.

Si tomamos el valor R1=150KΩ para la tabla 2, los valores teóricos son:

Valores Ic(m VCE(V VBE VE(V

IB(µA) β
(R1=150KΩ) A) ) (V) )
3.07 12.83 1.25
Teóricos 240 7.905 0.6
9 1 9

5.- Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).

 La mayor diferencia radica en el tipo de transistor.

 En el anterior experimento el transistor usado fue uno de tipo PNP, por ello el
colector era polarizado negativamente. Para este caso el transistor era de tipo
NPN y el colector se polarizo positivamente.

 A pesar de que el resto del circuito era el mismo para ambos experimentos, los
puntos de trabajo son distintos debido a la gran diferencia que hay entre las
ganancias.

6.- Expone sus conclusiones acerca del experimento:

En el experimento notamos que si aumentamos el valor de R1 el punto de operación

se desplaza hacia la región de corte ya que la corriente de colector y la corriente de
base empezó a disminuir y el voltaje de colector-emisor a aumentar
 cuando aumentamos R1. También notamos lo mismo en el caso de la Re ya que
cuando hicimos el Re= 0 el punto de operación se desplazó hacia la región de
saturación

VII.- CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Se aprendió el método estático para reconocer los pines de un transistor (colector,

emisor, base), la base es el pin que marca baja resistencia cuando se le polariza con los
otros 2 pines, además de acuerdo a la polarización de la base se reconoce si es PNP o
NPN, si la base al polarizar negativo tiene una resistencia baja al medir la resistencia
entra Base-Emisor y Base Colector, entonces significa que es un componente PNP y si
sucede lo mismo, pero al polarizar Positivo entonces es NPN.

Se observó el funcionamiento del Transistor como amplificador en CA y de cómo

afecta el poner o no un condensador en paralelo a la resistencia de Emisor, en general
cuando el circuito cuenta con este condensador la amplificación es mucho mayor en la
experiencia observo una ganancia 3.5 veces mayor que cuando se quita el
condensador.

A medida que aumentábamos el potenciómetro la corriente colector disminuye.

A medida que aumentábamos el potenciómetro la corriente base disminuye.
A medida que aumentábamos el potenciómetro la Vce (v) aumenta.
 VIII.- BIBLIOGRAFIA

 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_unión_bipolar
 http://www.unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp
 http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor