UNIVERSIDAD POLITÉCNICA SALESIANA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

2018-06-22

TRANSISTORES DE POTENCIA

GRUPO 4

INTEGRANTES

Montalván Tandazo Luis Alberto

lmontalvant@est.ups.edu.ec

Ñacato Peña Richard Fabricio

rnacatop@est.ups.edu.ec

Concha Asadobay Katherin Andreina

@est.ups.edu.ec

Resumen: En el presente informe se detalla de

forma teórica el principio de funcionamiento
además de especificar el correcto uso de los
principales funcionamientos en el caso de los
transistores de potencia.

Palabras clave: MOSFET de potencia,

transistores bipolares.

1.- OBJETIVOS

Objetivo general
Fig1. Transistor NPN
Entender el principio de funcionamiento de forma
teórica de los transistores de potencia

Objetivos específicos

 Observar y conocer las características

principales de funcionamiento de los
transistores bipolares de potencia

 Identificar cada una de las distintas

características de un MOSFET de
potencia y de los Transistores bipolares. Fig2. Transistor PNP

Hay dos regiones n + para el emisor del transistor

2.- MARCO TEÓRICO
2.1 Características del transistor
bipolar
Un transistor bipolar se forma agregando una
segunda región P o N a un diodo de unión PN.
Con dos regiones n y una p, se forman dos
uniones, teniéndose así un transistor NPN. Con
dos regiones p y una región n, se forma lo que se
llama transistor PNP, Las tres terminales son
colector, emisor y base. Un transistor bipolar
tiene dos uniones: la unión colector-base (CBJ) y
la unión base-emisor (BEJ).
NPN y dos regiones p + para el emisor del
transistor PNP. Para un transistor NPN, la capa n
del lado del emisor es ancha, la base p es
angosta, y la capa n del lado del colector es
angosta y con un fuerte dopado. Para un
transistor PNP, la capa p del lado del emisor es
ancha, la base n es angosta y la capa p del lado
del colector es angosta y con un fuerte dopado.
Las corrientes de base y de colector.
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Fig3. Transistor NPN
Fig4. Transistor PNP
Características en estado permanente
Aunque hay tres configuraciones posibles:
colector común, base común y emisor común, la
configuración emisor común, para un transistor
NPN, es la que generalmente se utiliza en
aplicaciones de conmutación.
Fig5. Diagrama en emisor común
Aquí se muestran las características típicas de
entrada de corriente de base IB en función del
voltaje base-emisor VBE y también se muestra las
características típicas de salida de corriente de
colector IC en función del voltaje de colector-
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emisor VCE o Para un transistor PNP, se invierten
las polaridades de todas las corrientes y voltajes.
Fig6. Características de la entrada
Fig7.Caracteristicas de la salida
Hay tres regiones de operación de un transistor:
de corte, activa y de saturación. En la región de
corte, el transistor está abierto o apagado, la
corriente de base no es suficiente para saturarlo,
y las dos uniones están polarizadas
inversamente. En la región activa, el transistor
actúa como un amplificador, en el que la corriente
de base se amplifica una ganancia determinada,
y el voltaje colector-emisor disminuye al
aumentar la corriente de base. La unión colector-
base (CBJ) está polarizada inversamente, y la
unión colector-emisor (BEJ) tiene polarización
directa.
En la región de saturación, la corriente de base
es suficientemente alta como para que el voltaje
colector-emisor sea bajo, y el transistor actúa
como un interruptor. Las dos uniones (CBJ y
BEJ) tienen polarización directa. La característica
de transferencia, que es una gráfica de VCE en
función de IB .
El modelo de un transistor NPN. La ecuación que
relaciona las corrientes es:
IE = IC + IB
Fig8. Característica de Transferencia
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La corriente de base es de hecho la de entrada,
y la corriente del colector es la de salida. La
relación de la corriente de colector IC entre la
corriente de base IB se llama ganancia de
corriente en sentido directo, βF

IC
BF = hFE =
IB

Fig.10 Interruptor de transistor

Es decir:
VCB = VCE − VBE

La ecuación indica que siempre que VCE ≥ VBE , la

unión CBJ tiene una polarización inversa, y el
transistor está en la región activa. La corriente
máxima de colector en la región activa se puede
obtener igualando VCB = 0 y VBE = VCE ,es:
VCC − VCE
ICM =
RC

Fig9.Modelo de transistores NPN VCC − VBE

=
RC
La corriente del colector tiene dos componentes:
uno debido a la corriente de base y el otro es la y el valor correspondiente de la corriente de base
corriente de fuga de la unión CBJ. es:
IC = βF IB + ICEO ICM
IBM =
βF
donde ICEO es la corriente de fuga de colector a
emisor, con la base con circuito abierto, y se Si la misma corriente de base aumenta arriba
puede considerar despreciable en comparación de IBM , entonces VBE aumenta, la corriente de
conβF IB colector aumenta y el VCE baja a menos de VBE .
De las ecuaciones: Esto continúa hasta que la unión colector-base
IE = IB (1 + βF ) + ICEO tiene polarización inversa, con VBC
aproximadamente de 0.4 a 0.5 V. Entonces el
≈ IB (1 + βF ) transistor pasa a la saturación. La saturación de
un transistor se puede definir como el punto
1 βF + 1 arriba del cual todo aumento en la corriente de
IE ≈ IC (1 + ) = IC
βF βF base no aumenta en forma apreciable la corriente
Como βF ≫ 1, la corriente de colector se puede de colector.
expresar como: En la saturación, la corriente de colector
IC ≈ αF IE permanece casi constante. Si el voltaje de
saturación de colector a emisor es VCE(sat) , la
donde la constante αF se relaciona con β por: corriente de colector es:
βF + 1
αF =
βF VCC − VCE(sat)
ICS =
RC
es decir:
αF
βF = y el valor correspondiente de la corriente de base
1 − αF es:
ICS
Examinemos el circuito, donde se ve que el IBS =
βF
transistor se opera como interruptor:
En el caso normal, el circuito se diseña para que
VB − VBE
IB = IB sea mayor que IBS . La relación de IB a IBS se
RB llama factor de sobresaturación (ODF, de
VC = VCE = VCC − IC R C overdrive factor):
βF R C
= VCC − (VB − VBE )
RB ICS
VCE = VCB + VBE ODF =
βF

y la relación de ICS a IB se llama β forzada:

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2018-06-22 ICS S -- Fuente o Source

βforzada =
IB
La disipación total de potencia en las dos uniones
es:
PT = VBE IB + VCE IC
Un valor alto de ODF no puede reducir en forma
apreciable el voltaje de colector a emisor. Sin
embargo, VBE aumenta debido al incremento de
la corriente de base, y el resultado es mayor
disipación de potencia en la unión BEJ.
Los símbolos más utilizados para su
representación a nivel de circuito se muestran en
la Fig2. El terminal B suele estar colocado a la
tensión más negativa (referencia o GND) por lo
que se omite en algunos símbolos (Fig.1 (a) y
(b)). De este modo se garantiza que los diodos
de unión parásitos entre el sustrato y drenado
y fuente respectivamente siempre están
polarizados negativamente.[2]

2.2 MOSFET DE POTENCIA

El MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field

Effect Transistor) de Potencia es el transistor de
efecto de campo del tipo MOS, base de los Fig12. Símbolos para el transistor MOSFET de canal
circuitos digitales de señal, que ha sido N. [1]
modificado para su utilización como llave
apagable en electrónica de potencia. Como el
BJT, el MOSFET tampoco es intrínsecamente
biestable, y su utilización como llave depende del
manejo del electrodo de comando (gate). [2]

Un MOSFET de potencia es un dispositivo

controlado por voltaje, y sólo requiere una
pequeña corriente de entrada. La velocidad de
conmutación es muy alta, y los tiempos de
conmutación son del orden de nanosegundos.
Los MOSFET de potencia están encontrando
aplicaciones cada vez más numerosas en
convertidores de baja potencia y alta
frecuencia.[1] Fig13. Estructura del MOSFET tipo
enriquecimiento canal N [2]
2.2 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE
CANAL N Se fabrica sobre un sustrato tipo p (Body), se
difunden dos regiones (𝑛+ ), altamente dopadas:
Source y Drain.
Se trata de una estructura MOSFET de cuatro
terminales en la que el substrato semiconductor
Se "hace crecer" una capa fina (entre 2nm y
es de tipo p poco dopado. A ambos lados de la
50nm) de dióxido de Silicio (𝑆𝐼𝑂2), que es un
interface Oxido-Semiconductor se han practicado
aislante, cubriendo el área entre Source y Drain,
difusiones de material n, fuertemente dopado
la cual, al depositarse metal sobre ella,
(𝑛+ ) [1]
define el terminal Gate (G).

El funcionamiento del MOSFET tipo

enriquecimiento canal N:

Fig11. Estructura MOSFET de canal N. [1]

Los cuatro terminales de la estructura de la

Fig.1 son:

G -- Puerta o Gate
B -- Substrato o Body Fig14. Estructura del MOSFET polarizado tipo N [2]
D -- Drenador o Drain
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Hay dos junturas PN: Una entre el Drain y el
sustrato y otra entre El Source el sustrato,
que en principio permanecen polarizadas en
inverso, por lo que no entran en el
funcionamiento del dispositivo.
Sin voltaje en Gate: Entre Drain y Source
hay dos diodos espalda contra espalda. No hay
circulación de corriente, aunque se aplique
voltaje entre Drain y Source. La resistencia es
del orden de 1012 Ω.
Para que circule corriente en un MOSFET de
canal N una tensión positiva se debe aplicar en la
compuerta. Así los electrones del canal N de la
fuente (Source) y el drenaje (Drain) son atraídos
a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P
entre ellos.
El movimiento de estos electrones, crea las
condiciones para que aparezca un puente para
los electrones entre el drenaje y la fuente. La
amplitud o anchura de este puente (y la cantidad
de corriente) depende o es controlada por la
tensión aplicada a la compuerta. [1]
REGION DE CORTE:
𝑣𝐺𝑆 = 0 → 𝑖𝐷𝑆 = 0 (1)
REGION DE CONDUCCIÓN:
𝑣𝐺𝑆 ≥ 𝑉𝑇 → 𝑖𝐷𝑆 ≠ 0 𝑠𝑖 𝑣𝐷𝑆 > 0 (2)
Dentro de la región de conducción podemos
identificar dos posibles situaciones para el
MOSFET:
-REGION ÓHMICA: 𝑖𝐷𝑆 aumenta con 𝑣𝐷𝑆 , es
decir, el MOSFET se comporta como un resistor
(no lineal)
-REGION DE SATURACIÓN: 𝑖𝐷𝑆 es
aproximadamente constante con 𝑣𝐷𝑆 . Se
comporta como una fuente de intensidad
controlada por tensión (𝑣𝐺𝑆 = 𝑐𝑡𝑒) [1]
El límite entre la región óhmica y de saturación se
cumple para:
𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 = 𝑣𝐷𝑆 (3)
de tal forma que,
Para 𝑣𝐷𝑆 < 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 el transistor se encuentra en
región óhmica
Para 𝑣𝐷𝑆 > 𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 el transistor se encuentra en
región de saturación
Las expresiones correspondientes para la
corriente drenada, obtenidas mediante el análisis
del transporte de carga desde la fuente hacia el
drenado para las diferentes regiones de
operación, se muestran a continuación,
𝑘𝑛 𝑊
𝑖𝐷𝑆 = (2(𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑛 )𝑣𝐷𝑆 − 𝑣𝐷𝑆 2 ) óhmica
2 𝐿
𝑘𝑛 𝑊
𝑖𝐷𝑆 = (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑛 )2 saturación
2 𝐿
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Siendo
𝑘𝑛 = 𝜇𝑛 𝐶0𝑥 el parámetro de transconductancia,
𝜇𝑛 es la movilidad de los 𝑒 − , 𝐶0𝑥 la capacidad por
unidad de área de la estructura MOSFET. Se
suele definir también 𝛽 = 𝑘𝑛 (𝑊⁄𝐿), que es un
parámetro que depende tanto de la geometría
como de los parámetros eléctricos de la
tecnología.
Los valores típicos para para 𝑘𝑛 = 20 −
70𝜇 𝐴⁄ 2 , W y L definen el área del canal y
𝑉
pueden ser utilizadas por el diseñador para
ajustar las características del circuito a unas
especificaciones dadas.[2]
2.3 MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE
CANAL P
Responde a una estructura dual de la del
MOSFET de canal N: intercambian la regiones
dopadas n por regiones dopadas p y viceversa.
En este caso el canal se forma gracias a la
existencia de cargas positivas libres (huecos,𝑝+ ).
El funcionamiento es similar. Es necesario
colocar el substrato a la tensión más positiva,
formándose el canal para valores de 𝑣𝐺𝐵 (𝑣𝐺𝑆 )
negativo, atrayendo a cargas 𝑝+ La corriente de
drenador-fuente 𝐼𝑆𝐷 , se origina si 𝑣𝐷𝑆 < 0 [3]
Fig.15 Estructura MOSFET de canal P (a) y símbolos
(b) [1]
En el caso del MOSFET de canal P, se da una
situación similar. Cuando se aplica una tensión
negativa en la compuerta, los huecos (ausencia
de electrones) del canal P del drenaje y de la
fuente son atraídos hacia la compuerta y pasan a
través del canal N que hay entre ellos, creando
un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o
anchura del puente (y la cantidad de corriente)
depende de la tensión aplicada a la compuerta.
Debido a la delgada capa de óxido que hay entre
la compuerta y el semiconductor, no hay corriente
por la compuerta. La corriente que circula entre
drenaje y fuente es controlada por la tensión
aplicada a la compuerta. [1]
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[3] A. Prudenzi, U. Grasselli, R. Lamedica, “IEC
Std. 61000-3-2 harmonic current emission limits
in practical systems: need of considering loading
level and attenuation effects”, Power Engineering
Society Summer Meeting, 2001, vol.1, pp.
277282.

[4]“IEEE Recommended Practices and

Requirements for Harmonic Control in Electrical
Power Systems”, IEEE Std 519-1992, 1993.

[5] M. P. Kazmierkowski, R. Krishnan, F.

Fig16. Estructura del MOSFET polarizado tipo P [2]
Para activar un MOSFET de canal P en adelante,
se aplica una tensión negativa a la compuerta.
Este voltaje es negativo con respecto a tierra. En
un circuito, se conecta el terminal del canal
surtidor del MOSFET P a una fuente de tensión
positiva y el drenador a una resistencia
conectada a tierra, además la resistencia limitará
la corriente que fluye a través del transistor. El
diagrama del circuito para un MOSFET de canal
P tiene una flecha apuntando hacia la parte
exterior de la compuerta
Blaabjerg, Control in power electronics: selected
problems, USA: Academic Press Series in
Engineering, 2002.
[6] LLumiquinga Loya, Fredy Santiago, Diseño de
un banco de condensadores para la corrección
del factor de potencia de la empresa Banchisfoof
S.A (Tesis de pregrado), Universidad Politécnica
Salesiana, 2015, Quito- Ecuador. Recuperado
de: http:// dspace.ups.edu.ec/
handle/123456789/1888

3. CONCLUSIONES

 Para que circule corriente en un

MOSFET de canal N una tensión
positiva se debe aplicar en la
compuerta. Así los electrones del canal
N de la fuente (source) y el drenaje
(Drain) son atraídos a la compuerta
(Gate) y pasan por el canal P entre ellos

 Los MOSFET de potencia se emplean

para tratar señales de muy baja
potencia esto es una gran ventaja ya
que pueden ser utilizados en una gran
gama de aplicaciones

 Para poder calcular las corrientes de un

transistor es de gran ayuda conectarle
en emisor común y así poder encontrar
con facilidad todas las variables
necesarias para un transistor.

4. REFERENCIAS

[1] Branko, L., Power Electronics converters and

regulators, Springer, Third edition, 2015, Banja
Luka, Chapter 7.Recuperadode:https:// link.
springer.com/book/10.1007/978-3-319-09402-1

[2] Patin, N., Power Electronics Applied to

Industrial Systems and Transports, Volume 2,
ISTE Press, First edition, 2015, France, Chapter
Recuperadode:http://bibliotecavirtual.ups.ed.ec:
2229/science/article/pii/B9781785480010500034
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