Resistencia

La resistencia es la capacidad, tanto biológica como físico-temperamental,

para poder aponerse al síndrome de la fatiga.
La fatiga es todo fisiológico al que se llega por el esfuerzo al limite de las
posibilidades física del individuo (por intensidad o volumen).
Tenemos tres tipos de fatiga:
Fatiga local: afecta al músculo o grupo muscular que a trabajado duramente.
Fatiga general: afecta a toda el organismo, se debe a la acumulación de sustancia propia.
Fatiga psíquica: proviene de las múltiples situaciones de estrés. Se destruye trabajando
sobre la voluntad a través del conocimiento de particularidades y de sus posibilidades.
La resistencia depende de la capacidad del organismo para llevar y usar el oxígeno y
producir actividad como así mismo para eliminar el sobrante de esa actividad (ácido
láctico) y anhídrido carbónico, tóxicos al organismo.
También tiene importancia la capacidad y eficiencia del sistema cardio-respiratorio y
demás componentes.
Diferentes tipos de actividades:
1. Acciones breves o intensas de hasta treinta segundos, cuando el trabajo limita el gaste
de oxígeno la fibra muscular utiliza como fuente energética los elementos metabólicos
más próximos.
2. Acciones de gran intensidad de uno o cuatro minutos, se produce la grucolisis
anaeróbica con desprendimiento de ácido láctico.
3. Esfuerzos mayores de cuatro minutos, la amplitud de trabajo se reduce de modo que
se alcance una fase estable que permita la continuación de la actividad.

Clases de resistencias:
Aeróbica: capacidad para realizar un esfuerzo prolongado, en el que participan
numerosas masas musculares.
El funcionamiento de los aparatos circulatorio y respiratorio proveen oxígeno necesario de
acuerdo a la necesidad requerida.
Anaeróbica: es la capacidad de soportar esfuerzos intensos, de menos de cuatro minutos,
con escaso o ningún abastecimiento de oxígeno. Una vez terminado el esfuerzo la cantidad
de oxígeno puesta en disposición del organismo se llama deuda de oxígeno.
El momento terminado el esfuerzo y hasta que los valores de oxígeno vuelven a sus niveles
normales se denomina período de recuperación.
FUERZA
La fuerza es la capacidad de oponerse a una resistencia externa en virtud de
los procesos musculares.
Efectos:
 Producir un movimiento
 Acelerando, retenerlo
 Originar una presión
 Causar una atracción o empuje

Tipos:
 Explosiva: movimiento rígido.
 Dinámico: mantener una posición o ejecutar repeticiones.
 Estático: fuerza sin movimiento.

Métodos de entrenamiento:
 El estático, isométrico (sin distancia a recorrer).
 El dinámico isotónico (con distancia a recorrer).
 El excéntrico (dinámico relativo frente a una resistencia).

Dosificación del entrenamiento de la fuerza:

Se rige por el principio de carga progresiva.
En todo programa de entrenamiento de la fuerza se deben procurar que trabajen todos
los grupos musculares.
Es aconsejable antes un calentamiento con pesas ligeras para provocar la irrigación
sanguínea.
Un trabajo de fuerza intensivo favorece el desarrollo de la velocidad básica. El aumento de
la fuerza máxima implica una rapidez de ejecución.
El entrenamiento y el desarrollo de la fuerza alcanza su máxima expresión después de los 15
años.
Debe realizarce tres veces por semana en época de preparación y una o dos veces por
semana en época de competencia.
Entrenamiento con jóvenes:
El objetivo es el desarrollo armónico de la musculatura y el logro de un buen nivel técnico
en los ejercicios básicos.
Hasta los 13 años se debe trabajar con peso liviano y el propio peso del cuerpo, para el
aprendizaje de movimientos técnicos de musculación, teniendo en cuenta el uso del cuerpo.
La fuerza máxima comienza a los 15, 16 años en las chicas y 17, 19 años en los chicos, no
debe convertirse en un fin en sí mismo, sino que debe estar estrechamente combinada con
el desarrollo de destrezas de movimientos.
La entrada en calor debe ser de trabajos cardio - respiratorios y de movilidad, elongacion.
VELOCIDAD.
La velocidad es la posibilidad de perfeccionamiento, es la mayor capacidad de
desplazamiento que se tiene en una unidad de tiempo.
Tipos de velocidad:
 De arranque.
 De traslación.
 De detención.

La velocidad se modifica de acuerdo al grado de fatiga, varia cuando se trata de las

posibilidades que puede tomar él estimulo.
Velocidad de reacción simple: es la respuesta a un estimulo preestablecido.
Velocidad de reacción compleja: es la respuesta instantánea a algo inesperado, no
previsto.
Entrenamiento de la velocidad:
El método de entrenamiento por repeticiones es la vía de mejoramiento de la velocidad, por
medio de ejercitaciones generales y especificas.
Los trabajos deben adaptarse a la edad:
Niños: mediante juegos recibirán estímulos para mejorar el moviento de carrera y
desplazamiento.
Pubertad: incremento de la fuerza y velocidad rápida a través de manchas y juegos con o
sin elementos.
FLEXIBILIDAD
Equilibrio: es el poder del cuerpo de asumir y controlar cualquier posición contra la ley de
la gravedad.
Coordinación: es el producto entre la inter-relación que existe entre el sistema
nervioso central y la musculatura esquelética.
Tipos de coordinación:
Coordinación fina: reducido a un grupo muscular.
Gran coordinación: Participan mayor cantidad de grupos musculares.
Movilidad y elongación: Es una condición indispensable para realizar correctamente
cualquier movimiento.
Entrenamiento de la movilidad:
El entrenamiento de la movilidad favorece la adquisición de nuevas destrezas de
movimiento.
Los movimientos están limitados por las características estructurales de la articulación y
por el estiramiento de los músculos, ligamientos, tendones, etc.
El entrenamiento de la movilidad alcanza un mayor efecto entre los 11 y 14 años, dentro del
entrenamiento los ejercicios de movilidad pueden utilizarse en la parte inicial
(calentamiento) y final de los mismos (elongación).
El entrenamiento comienza a partir de 8 o 9 años en algunos que requieren de un alto nivel
de esta cualidad.
Movimientos: Son los cambios de posición de todo el cuerpo en el espacio, puede
clasificarse según las características externas en:
 De la vida diaria.
 Laborales o profesionales.
 Expresivas.
 Deportivas.

Trabajo Realizado por Jorge Ramos

E-mail:
Transistores: Definición, tipos, composición
Enviado por hristo

1. Introducción
2. Transistor
3. Tipos de Transistor
4. Conclusiones

Epígrafe
""Hay una fuerza motriz más poderosa que el vapor, la electricidad y la energía atómica:
la voluntad.""

Introducción
El trabajo a realizarse pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos
de transistores existentes, en cuanto a sus características, su principio de funcionamiento
(principios básicos), sus modos de conexión más comunes y las aplicaciones como el caso
de los transistores bipolares y Transistor de efecto campo (FET).9

Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" ("resistencia de
transferencia"). Actualmente se les encuentra prácticamente en todos los enseres
domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo,
hornos de microondas, lavadoras, reproductores mp3, celulares, etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente
(contaminadas con materiales específicos en cantidades específicos) que forman dos
uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores
(base). El transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente
amplificada.
Tipos de Transistor
Transistor de contacto puntual
Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan,
muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de
base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.

Transistor de unión bipolar

El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio o Silicio,
que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como
los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores (cargas
positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio
(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor
y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas (por lo
general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).

Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los
FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores
habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o
canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base,
generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción.
El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del
transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede
trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc.
Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n.
También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un
sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores
ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto. Existen en
dos versiones: de transmisión y de reflexión.
Disipadores de calor
Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio que se utilizan para
evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse
del calor interno del encapsulado.

Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que soportan altas tensiones e
intensidades que soportan, pero debido a ello también tienen que disipar altas potencias y
su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobrerecalentamiento se usa los
disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
- IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).
Conclusiones
En cuanto lo expuesto vemos que los transistores se encuentran en la gran mayoría
de productos electrónicos como: Smartphone, Celulares, Laptop, Tablets, etc.
Por ende su uso es indispensable en todo tipo de aparatos electrónicos, debido a su
variedad en tipo como lo son los transistores bipolares.
Por lo dicho, llegamos a la conclusión de que los transistores en su uso actual son
indispensables para la elaboración de aparatos de tecnología que requieren algún tipo de
transferencia, la cual lo ofrece un transistor.
Dedicatoria
Doy mis saludos a mis compañeros que ayudaron a que se completara parte de este trabajo
y a la vez a nosotros que llegamos a terminar este trabajo sin complicaciones.

Autor:
Candela Guerrero Valeria
Coraje Bayona Milagros
Roque Valdiviezo Milagros
Juarez Quintana Hristo
UNIDAD DIDACTICA: Reparación de equipos de computo
PROFESOR: Luis Eduardo Sanz Signori
SEMESTRE: 2014 - II
SECCION: IIA - 10
Semiconductores
Enviado por latiniando

Indice
1. Estructura Atómica
2. Rectificadores
3. Transistores
4. Reguladores De Voltaje
5. Circuitos Amplificadores
1. Estructura Atómica
Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que
otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la
corriente eléctrica son conductores. Analógicamente, los que ofrecen mucha resistencia al
paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prácticamente tampoco
el conductor perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre
lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.
Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica. Los conductores son,
generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos átomos en sus últimas
órbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando
varios átomos de un metal, se acercan los electrones de su última órbita se desprenden y
circulan desordenadamente entre una verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de los
electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente eléctrica.
Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones en sus últimas
órbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fácilmente y a no
establecer una corriente de electrones. De ahí su alta resistencia.
También existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la
característica de los anteriores, los semiconductores. Su característica principal es la de
conducir la corriente sólo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.
Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrónica de estado sólida está
basada. La estructura atómica de dichos materiales presenta una característica común: está
formada por átomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su última órbita), por
lo que les es fácil ganar cuatro o perder cuatro.
Semiconductores
Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente,
pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las
cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas
por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los
semiconductores son aquellos elementos perteneciente al grupo IV de la Tabla Periódica
(Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos,
denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los
electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que
los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y
la de los aislantes.
Disposición esquemática de los átomos de un semiconductor de silicio puro, No existen
electrones ni huecos libres
La disposición esquemática de los átomos para un semiconductor de silicio podemos
observarla en la figura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva
neta de los núcleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.
La fuerza que mantiene unidos a los átomos entre sí es el resultado del hecho de que los
electrones de conducción de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro átomos
vecinos.
A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la
cual no se observa ningún electrón ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta
como un aislante.
Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros átomos
vecinos para así formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si
esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal
tendrá tan poca energía que no hará posible la conducción eléctrica. Al aumentar la
temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente
energía para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto
provoca la formación de un espacio vacío, que por carencia de electrones, posee carga
positiva, a este espacio se lo denomina hueco.
El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre átomos liberándose un cierto
número de electrones.
En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones
entre los átomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como
consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se
representa esta situación. La ausencia del electrón que pertenecía a la unión de dos átomos
de silicio se representa por un círculo,
La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un
electrón puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al núcleo y por tanto abandona su
posición, aparece un hueco, y le resulta relativamente fácil al electrón del átomo vecino
dejar su lugar para llenar este hueco.
Este electrón que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posición
inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrón, con una
trayectoria de sentido opuesto a la de éste.
Niveles De Energía
Un cristal está formado por un conjunto de átomos muy próximos entre sí dispuestos
espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrón geométrico. La
gran proximidad entre los átomos del cristal hace que los electrones de su última capa
sufran la interacción de los átomos vecinos.
El nivel energético de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de
valencia" o en la "banda de
conducción" del cristal. Un electrón que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia está
ligado a un átomo del cristal y no puede moverse libremente por él mientras que si el nivel
ocupado pertenece a la banda de conducción, el electrón puede moverse libremente por
todo el cristal, pudiendo
Formar parte de una corriente eléctrica.
Entre la banda de valencia y la de conducción existe una "banda prohibida", cuyos niveles
no pueden ser ocupados por ningún electrón del cristal. Según la magnitud de esta banda,
los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores.
Aislantes.
La magnitud de la banda prohibida es muy grande ( 6 eV ), de forma que todos los
electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por
lo que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad eléctrica del cristal es nula.
Un ejemplo es el diamante.
Conductores.
No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conducción. Esto
hace que siempre haya electrones en la banda de conducción, por lo que su conductividad
es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por
efecto de las vibraciones de los átomos de la red cristalina.
Un ejemplo son todos los metales.
Semiconductores.
La magnitud de la banda prohibida es pequeña ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas
son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando
niveles de energía dentro de la banda de conducción, aumentando la conductividad. Otra
forma de aumentar la conductividad es añadiendo impurezas que habiliten niveles de
energía dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.
Aceptadores Y Donadores
Se denomina semiconductor puro aquél en que los átomos que lo constituyen son todos del
mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza.
Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le añade una pequeña cantidad
de átomos distintos (por ejemplo arsénico, fósforo, etc). Se transforma en un
semiconductor impuro.
A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras.
Si a la estructura del semiconductor de silicio se le añade alguna impureza, como puede ser
el arsénico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al núcleo con carga positiva +5,
se obtiene la forma que se muestra en la figura.
Ahora, bien para aumentar la conducción de cualquier semiconductor se recurre a
un proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso
es el del aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en
la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores)
El dopado del cristal es realizado con átomos trivalentes (con tres electrones en su última
órbita) o pentavalentes (con cinco). Esta elección no es resultado de un proceso azaroso
sino que uno u otro tipo de átomo aumentará a su vez la presencia de uno u otro tipo de
portador. ¿Cómo es esto?: el silicio, como ya se ha dicho, tiene cuatro electrones en su
última órbita que se combinan a su vez con otros átomos para formar un cristal. Al
introducir un átomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocará un aumento o un
defecto de electrones que hará aumentar la cantidad portadores.
Si se introduce un átomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus
electrones se unirán a cuatro electrones de los átomos de silicio vecinos, pero el quinto
queda libre, sin formar parte de ninguna unión, por lo que está débilmente ligado al
átomo: Este electrón libre, requerirá muy poca energía para "saltar" a la banda de
conducción. La energía térmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta forma
al agregar átomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conducción, es decir,
agregamos portadores.
Cabe mencionar que los mencionados átomos pentavalentes se ubican en un nivel de
energía mucho más cercano a la banda de conducción que la banda de valencia,
denominado "nivel donador" este nivel se ubica a una distancia, energéticamente hablando,
de 0,05 electron-volt, mientras que la distancia entre las bandas de un semiconductor es de
0,7 eV.
De la misma forma, podemos dopar al cristal con átomos trivalentes (como el boro, el
Alumnio, el Galio, etc), esto provocará un exceso de electrones en el cristal, ya tres de los
cuatro electrones de la última órbita del Silicio se combinan con los tres electrones del
anterior átomo. Esto trae como consecuencia la generación de un espacio sin electrones,
que tendrá carga positiva, es decir, esto generará un hueco.
De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a través del dopado, la cantidad
de electrones o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le denomina
extrínseco, ya que fue modificado por elementos exteriores
Semiconductores Tipo P Y Tipo N
Cuatro de los cinco electrones del átomo de arsénico se unirán a los correspondientes
electrones de los cuatro átomos de silicio vecinos, y el quinto quedará inicialmente libre, sin
una posible unión, y por tanto se convertirá en un portador de corriente. A este tipo de
impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del
tipo «n».
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no sólo aumenta el número de electrones
sino que también la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tenía el
semiconductor puro.
La causa de esta disminución se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos
de los huecos existentes.
Si al semiconductor puro de silicio se le añade algún tipo de impureza que tenga tres
electrones externos, solo podrá formar tres uniones completas con los átomos de silicio, y la
unión incompleta dará lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos
que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores,
o impurezas del tipo «p». Al contrario de lo que sucedía antes en el tipo n en un
semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones
en comparación, con los que tenía el semiconductor puro.
A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les llama
respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan
portadores mayoritarios y los huecos portadores minontarios.
En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones
portadores minoritarios.
Veamos ahora, qué ocurre si a un cristal extrínseco le conectamos una fuente externa de
tensión. Al existir mayor cantidad de portadores (no importa de qué tipo), circulará por el
cristal una corriente mucho mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente
dependerá de que tan contaminado esté el material.
Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deberá casi en su totalidad a los electrones en la
banda de conducción, aunque siempre existe una pequeña corriente producida por los
huecos generados térmicamente. Análogamente, si el cristal es del tipo 'p' la corriente
estará regida por huecos mayormente, existiendo, sin embargo, una pequeña corriente de
electrones.
Polarización Directa E Inversa De La Unión P-N
El diodo de unión P-N es el dispositivo semiconductor más elemental. Consiste en el
dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo
N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P)De esta forma, en la parte P existe mucha
mayor concentración de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario.
La conductividad del diodo es diferente según sea el sentido en que se aplique un campo
eléctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicación de este campo: polarización
inversa y polarización directa.
Polarización inversa. Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensión más positiva
que a la parte P. De esta forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte N a la parte P y
los huecos tenderán a circular en ese sentido
Mientras que los electrones tenderán a circular en sentido contrario. Esto significa que
circularían huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son
mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusión
que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son
minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prácticamente
nula. Algo totalmente análogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre
va en sentido contrario a la de difusión, contrarrestándose ambas y produciendo una
corriente total Prácticamente nula.
La corriente total es la suma de la de huecos más la de electrones y se denominan Corriente
inversa de saturación ( Is ). En la práctica, el valor de esta corriente es muy pequeño (del
orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar
Ésta.
Polarización directa.
Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensión más positiva que a la parte N. De esta
forma, el campo eléctrico estará dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que
circularían huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son
minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusión.
De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso análogo ocurre para la
corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y
toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensión (tensión umbral, V) que
depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el
Germanio de 0,2 V).
Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario más elemental, ya que permite el
paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.
2. Rectificadores
Diodo De Unión Y Diodo Zener (Símbolo, Comportamiento Y Curva Característica)
El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N,
añadiéndole un terminal de conexión a cada uno de los contactos metálicos de sus extremos
y una cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que
corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería
al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión
opuesta.
Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de corriente
alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación.
En efecto. si se aplica a este diodo una tensión alterna, únicamente se producirá circulación
de corriente en las ocasiones en que el ánodo sea más positivo que el cátodo, es decir, en las
alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el
paso de la corriente por ser en estas ocasiones el ánodo más negativo que el cátodo.
La corriente resultante será «pulsante», ya que sólo circulará en determinados momentos,
pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuación puede ser
convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi
en exclusiva; presenta sobre el de vacío algunas ventajas fundamentales:
- Es de tamaño mucho más reducido, lo que contribuye a la miniaturización de los circuitos.
- La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita
ningún calentamiento de filamento.
- Funciona con tensiones mucho más bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos
alimentados a pilas o baterías.
Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicación que
con diodos de vacío resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamaño de éstos. Existen
diodos semiconductores de muy pequeño tamaño para aplicaciones que no requieran
conducciones de corrientes altas, tales como la desmodulación en receptores de radio. Estos
suelen estar encapsulados. en una caja cilíndrica de vidrio con los terminales en los
extremos, aunque también se utiliza para ellos el encapsulado con plástico.
Diodos zener
Los diodos estabilizadores de tensión se emplean, como su nombre indica, para producir
una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que
los atraviesa.
Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unión
semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.
Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la
corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima. Sin embargo, al alcanzar una
determinada tensión, denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de
corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene
prácticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la
intensidad que lo atraviesa.
Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas
y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios,
con encapsulado plástico o metálico.
Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son:
- Tensión zener (Vz).
- Corriente mínima para alcanzar la Vz (Iz).
- Potencia máxima (P/tot).
Rectificador de media onda.
Todo circuito requiere para su funcionamiento de una FUENTE
DE ALIMENTACIÓN eléctrica, este dispositivo se compone a base de varias etapas que se
ilustran en la siguiente figura.
En este tema analizaremos la segunda etapa que compone nuestra fuente de alimentación,
iniciando don los rectificadores de media onda.
Un circuito rectificador de forma sencilla se muestra en la figura . Donde la carga del
rectificador es una resistencia donde el secundario del transformador tiene un rectificador
que alimenta a la resistencia que actúa como carga.
El voltaje del secundario del transformador es una señal senoidal de amplitud Vmax,
entonces la señal en función del tiempo será E(t)= Vmax sen (t).
Si observamos la forma de onda de la corriente vemos que es periódica, Se puede observar
que las amplitudes de las armónicas se dan en forma decreciente de manera tal que
podemos decir que sólo la primera armónica tiene un peso considerable, tomando una
aproximación de la corriente con dos componentes.
Ahora bien, si colocamos el mismo circuito de la siguiente manera se aumenta la corriente,
para que soporte la corriente, (la corriente se divide, por el doble diodo).
Podemos así calcular los voltajes de salida de este por las siguientes formulas:
a. Vdc = (0.45) (voltajes eficaces del secundario)
b. Vdc = (0.318) (voltaje pico rectificado)

Este tipo de rectificador, tiene la particularidad de que el valor de la FRECUENCIA de

salida, es igual al de la señal de entrada.
El factor de rizo, es igual a 1.21 y el porcentaje es de 121%, es demasiado elevado por lo que
tiene que emplearse eficaces circuitos de filtro (tercera etapa de la fuente).
Si colocamos un capacitor en paralelo con la resistencia tendremos un filtrado rudimentario
de la tensión suministrada a la carga. Si consideramos régimen permanente podemos
analizar como se establece en el tiempo la tensión sobre la carga y corriente sobre la
resistencia y el capacitor para lo cual analicemos las formas de onda de los mismos.
La tensión que entrega el generador de funciones es senoidal que en primera instancia irá
cargando al capacitor hasta el máximo nivel, luego la tensión en el generador empieza a
decrecer pero el capacitor sigue aumentando el nivel de tensión porque la corriente lo sigue
alimentando, cuando la tensión en el capacitor es superior en 0,7 Volt decimos que el diodo
se polariza en inversa, porque se invierten las polaridades el cátodo se hace positivo
respecto del ánodo, interrumpiéndose la corriente sobre el diodo, que se dará en el instante
t1, luego el capacitor se comportará como fuente de tensión descargándose
exponencialmente sobre la resistencia, hasta que la tensión sobre el diodo vuelva a ser
positivo el ánodo respecto del cátodo.
Rectificador de onda completa.
Tenemos dos tipos de configuraciones distintas que pueden ser Tipo puente o
transformador con punto medio (TAP central) tal como se observan en la figura siguiente:
Veremos el funcionamiento del circuito rectificador de onda completa con transformador
con PUNTO MEDIO.
Como se puede apreciar en la figura, se puede considerar a este circuito como dos
rectificadores de media onda, donde la alimentación a la carga esta en contratase es decir
que las tensiones sobre el secundario del transformador están desfasadas 180 ° entre si, es
decir durante el semiciclo positivo de VAC, se enciende el diodo D1, donde la corriente se
cerrará a través de la carga y en semiciclo negativo se pone en inversa D1 pero se pone en
directa D2 manteniendo la corriente sobre la carga, tal como lo podemos ver en la figura
Otro detalle interesante es estudiar cual es la tensión que debe soportar los diodos cuando
no están conduciendo, por ejemplo cuando conduce D1 se puede ver que la tensión del
punto A menos 0,7 Volt aparece sobre el cátodo del diodo D2, debiendo soportar el máximo
de la tensión VAB-0.7 en inversa.
Otra desventaja que presenta este tipo de rectificación es que por el secundario del
transformador circula corriente en un solo sentido y durante un semiciclo que deriva en la
generación de corriente continua que puede llevar a la saturación del núcleo pudiendo
deformar la onda de tensión.
Podemos calcular el voltaje directo con las siguientes formulas:
VCD = (0.9) (1/2 DEL VOLTAJE EFICAZ SECUNDARIO)
VCD = (0.636) (VOLTAJE PICO RECTIFICADO)
El factor de rizo es 0.482 es decir, 48.2% en este tipo de dispositivo, la frecuencia del rizo de
salida es el doble de la señal de entrada.
Analicemos ahora el rectificador de onda completa tipo PUENTE.
Vemos que cuando la tensión VAB es positiva quedan polarizados en directa los diodos y D2
circulando la corriente desde D1 pasando por la resistencia de carga y cerrándose por D2,
en el próximo semiciclo se cortan los diodos D1 y D2 pero se ponen en directa los diodos D3
y D4 estableciéndose una corriente que sale de D3 pasa por la resistencia y se cierra a través
de D4 circulando por la resistencia la corriente en una sola dirección.
Si se coloca un capacitor en paralelo con la carga tendremos como resultado algo similar al
rectificador de media onda, con la salvedad que ahora la frecuencia de las ondas será el
doble y una forma de aproximación para la determinación del riple es tomando la relación
entre el V y el valor Vdc de tensión continua para este circuito tenemos las siguientes
formulas:
Vcd = (0.9) ( V. Eficaz del secundario)
Vcd = (0.636) (voltaje pico rectificado)
El factor de rizo es igual a 0.482 o bien 48.2%
La frecuencia de rizo, es el doble de la entrada.
Porcentaje De Ondulación
Al conocer la magnitud en factor de rizo, que acompaña el valor promedio de tensión
directa a la salida del rectificador o filtro.
"entre menor rizo, mas pura será el valor obtenido de tensión directa"
3. Transistores
Transistor (símbolo, tipos, curva característica y funcionamiento)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de
material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Para la polarización las terminales que se muestran en la figura 4.14 las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para la base. Se
desarrollará una apreciación de la elección de esta notación cuando se analice la operación
básica del transistor. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar
Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El término
bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el proceso de
inyección hacia el material polarizado de forma opuesta. Si sólo se utiliza un portador
(electrón o hueco), entonces se considera un dispositivo unipolar.
Características de los Transistores:
 El consumo de energía es relativamente baja.
 El tamaño de los transistores es relativamente mas pequeña que los tubos de vacío.
 El peso.
 Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
 Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento).
 No necesita tiempo de calentamiento.
 Resistencia mecánica elevada.
 Los transistores pueden reproducir el fenómeno de la fotosensibilidad (fenómenos
sensibles a la luz).

Se describirá la operación básica del transistor utilizando el transistor pnp de la figura

4.14a. la operación del transistor npn es exactamente la misma que si intercambiaran la
funciones que cumplen el electrón y el hueco. En la figura 4.15 se dibujo de nuevo el
transistor pnp sin la polarización base - colector. El espesor de la región de agotamiento se
redujo debido a al polarización aplicada, lo que da por resultado un flujo muy considerable
de portadores mayoritarios desde el material tipo p hacia el tipo n.
Ahora se eliminará la polarización base - colector del transistor pnp de la figura 4.14a,
según se muestra en la figura 4.16. En resumen:
Una unión p-n de un transistor tiene polarización inversa, mientras que la otra tiene
polarización inversa ambos potenciales de polarización se aplicaron a un transistor pnp,
con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de
las regiones de agotamiento, que indican con claridad cuál unión tiene polarización directa
y cuál polarización inversa. Habrá una gran difusión de portadores mayoritarios a través de
la unión p-n con polarización directa hacia el material tipo n. Así, la pregunta sería si acaso
estos portadores contribuirán de forma directa a la corriente de base IB o si pasarán
directamente al material tipo p. Debido a que material tipo n del centro es muy delgado y
tiene baja conductividad, un número muy pequeño de estos portadores tomará esta
trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base.
La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes, comparando con miliamperes para las corrientes del emisor y del colector.
La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difundirá a través de la unión con
polarización inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector. La razón
de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unión
con polarización inversa se comprenderá con facilidad si se considera que para el diodo con
polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como portadores
con polarización inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecerán como
portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyección de portadores minoritarios al material de la
región de la base tipo n. A la combinación de esto con el hecho de que todos los portadores
minoritarios en la región de agotamiento atravesará la unión con polarización inversa de un
diodo puede atribuírsele el flujo.
Configuraciones
Configuración de Base Común
Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología de la base
común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como a la salida de la
configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más cercana a, o que se
encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas las direcciones de
corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar de hacerlo respecto al
flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo gráfico define la dirección de la
corriente del emisor (flujo convencional) a través del dispositivo.
Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como
los amplificadores de base común se requiere de dos conjuntos de características, uno para
el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El
conjunto de entrada para el amplificador de base común relacionará la corriente de entrada
(IE). el conjunto de características de la salida o colector tiene tres regiones básicas
de interés: la regiones activa, de corte y de saturación. La región activa es la que suele
utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsión). En particular:
En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la unión
emisor - base se polariza directamente.
La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura 4.17. En el
extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la
verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturación inversa ICO, como lo
señala la figura 4.18.
La corriente ICO real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con
la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0 para la
configuración de base común se muestra en la figura 4.19. La notación que con más
frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es, como se indica
en la figura 4.19, ICBO.
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los transistores de
propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por
lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de
mayor potencia ICBO, así como Is, para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son
sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en
un factor importante debido a que aumenta muy rápidamente con la temperatura.
En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de un
transistor tienen polarización inversa.
En la región de saturación, tanto la unión como la emisor - base están en polarización
directa.
Configuración de Colector Común
La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de acoplamiento
de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia
de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base común y de un emisor
común.
La figura 4.21 muestra una configuración de circuito de colector común con la resistencia de
carga conectada del emisor a la tierra. Obsérvese que el colector se encuentra conectado a la
tierra aunque el transistor esté conectado de manera similar a la configuración del emisor
común. Desde un punto de vista de diseño, no se requiere de un conjunto de características
de colector común para elegir los parámetros del circuito de la figura 4.21. puede diseñarse
utilizando las características de salida para la configuración de colector común son la
mismas que para la configuración de emisor común.
Polarización En Configuración Emisor Común
La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura 4.20
para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuración de emisor común debido a
que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida
(en este caso, es común tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez más, se
necesitan dos conjuntos de características para describir por completo el comportamiento
de la configuración de emisor común: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro
para el circuito de salida o colector-emisor.
En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se
encuentra polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor se encuentra
polarizada directamente.
Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la configuración
de emisor común se definirá mediante IC = ICEO.
4. Reguladores De Voltaje
Regulador de transistor con diodo zener.
Como los diodos zener presentan una zona de ruptura típica a una determinada tensión
inversa ( Vz ) .- Si se utiliza esta propiedad que corresponde a una fuente ideal de voltaje
para entregar una tensión constante o estabilizada a una carga que presenta como
característica un consumo variable, para su funcionamiento.-
También este dispositivo debe resguardar las posibles fluctuaciones o variaciones de la
tensión ondulatoria residual de entrada.
Este circuito es el mas sencillo de los reguladores y es el de alimentación de potencia
regulada, que esta hecho a base de diodo zener, como se muestra en la figura de arriba.
Al analizar el circuito regulador de tensión con diodo zener (figura de arriba) , la tensión en
la carga permanece aproximadamente constante , igual a la tensión nominal del diodo zener
Vz, aunque varíe la tensión de entrada Vi o la corriente a través de la resistencia de carga
RL, sobre un rango amplio.
Si Vz es constante , el valor de IL depende exclusivamente del valor de RL. Para el caso en
que IT se mantenga constante , si IL aumenta , Iz debe disminuir de modo que siempre se
cumpla que IT = Iz x IL.
Por otro lado si IL disminuye , Iz debe aumentar , para el caso que todavía IT sea
constante.- El caso más desfavorable para el Zener sería cuando IL = 0 ya que IT = Iz y la
potencia que debería disipar el zener sería máxima.-Por otra parte si la corriente IL se
aproxima o se iguala con IT , la corriente Iz se hace muy pequeña , pudiendo sacar al diodo
zener de la tensión de ruptura o de regulación dejando de operar este.-
Para el caso anterior , las variaciones de la corriente zener Iz pueden ser tal que el diodo
deje de operar , o que circule excesiva corriente a través de el y se destruya.-
Para este efecto se determina una corriente Máxima ( I.Máx.) que mantiene la tensión zener
sin destruir el diodo , con la cual se puede calcular la potencia máxima.-
También se determina una corriente Mínima ( I. Mín ) para mantener la tensión zener.-
Resumiendo una fuente de tensión , estabilizadora puede ser afectada por la demanda de
corriente ( 0 < IL < I. Máx ) o por la variación de la tensión de entrada ( Vi . Mín. < Vi < Vi.
Máx. ) , las que afectan la fuente de forma extrema de dos formas :
1.- La fuente deja de regular.-
2.- Queman el diodo zener.-
Naturalmente que al especificar el tipo de fuente , se conoce la corriente de carga máxima, (
IL Máx ) , como también se puede especificar la tensión de entrada Vi con su rango de
variación.-
Esto nos permite determinar el valor de Rs , ( resistencia que asume las variaciones de
tensión de entrada ) , de manera tal que cumpla con el criterio de :
1.- Mantener la regulación de tensión en el peor de los casos.-
2.- Especificar requisitos que debe cumplir el diodo zener .-
Por tanto la condición que debe cumplir el circuito para que exista regulación en las
condiciones más críticas ( IL. Máx. ) ( Vi . Mín ) es que permita pasar una corriente total IT
tal que mantenga el diodo zener regulando.- Por otra parte , la condición que debe cumplir
el circuito para que el diodo zener no se queme cuando se tienen las condiciones críticas
que afectan a este , IL =0 y Vi = Máx. , es que la corriente total IT sea menor o igual a la
corriente máxima que soporta el diodo ( Iz. Máx. ) .-
Regulador serie con transistor.
Análisis funcional.-
El más utilizado de los de los reguladores de tensión , es el regulador tipo serie.-
El transistor es la etapa de control y RL es la carga. El diodo zener alimentado a través de R
y del transistor y su corriente de base , suministra una tensión constante de referencia
aplicada al base del transistor.-
Al aumentar la corriente consumida por la carga IL , por cualquier razón , la tensión VL
sube e incrementa el valor de VBE llevando el emisor a un potencial más positivo con
respecto a base .
Por tanto la polaridad directa base – emisor se reduce y la corriente de colector disminuye,
disminuyendo así la corriente de carga IL.-
Se ve que a un aumento de la corriente IL , corresponde un efecto de control que disminuye
el valor de IL.. Existe entonces un
efecto de compensación o de regulación.-
El circuito detector de error , en este regulador , actúa por la característica base – emisor
del circuito, y el mismo transistor hace las veces de amplificador.-
Este circuito dividido en bloques, presenta : "etapa de control " ;"etapa de muestreo" ;
"detector de error" ; " amplificador de error"
Una fuente de tensión regulada , utiliza normalmente un circuito automático de control,
que detecta , prácticamente de un modo instantáneo las variaciones de tensión y las corrige
automáticamente .-
En general un sistema de control requiere de las siguientes etapas :
1.- ETAPA DE REFERENCIA :
Para determinar si una magnitud ha variado se precisa de una referencia , que deberá ser lo
más estable posible .- ( batería , diodo zener.).-
2.- ETAPA DE MUESTREO :
Su misión es detectar las variaciones de tensión que se producen en la salida . ( divisor de
tensión.- ).-
3.- ETAPA COMPARADORA:
Su finalidad es comparar , en todo momento , las tensiones de referencia con las de muestra
, que pretendemos controlar.-
( amplificador operacional , amplificador diferencial.-).-
4.- ETAPA AMPLIFICADORA DE ERROR :
La tensión de error que no es más que la diferencia entre la muestra y la referencia , puede
presentar un nivel de tensión pequeño que no sea capas de accionar la etapa de control.-
En este caso se debe de amplificar.- ( amplificador transistorizado.- )
5.- ETAPA DE CONTROL :
Como su nombre lo indica controla las variaciones de tensión , contrarresta las variaciones
producidas en la salida .- ( transistor en zona lineal .- ).-
Asume las variaciones de tensión producidas por efecto de la carga o por efecto de la línea o
red.-
Principio de funcionamiento :
Una fracción de la tensión de salida % Vo , es comparada con la tensión de referencia Vr.-si
la tensión de muestra Vm es igual a la tensión de referencia Vr la etapa de Control no
actúa.-
Si la tensión de muestra Vm es menor que la tensión de referencia Vr , el elemento de
control debe reducir su caída de tensión en sus extremos.-
Si la tensión de muestra Vm es mayor que la tensión de referencia Vr , la caida de tensión
en el elemento de control ha de aumentar .-
El circuito de control , generalmente es un transistor con colector común o emisor común.-
El circuito de referencia de tensión requiere de una fuente constante actuando como
tensión de referencia , que para este caso es un diodo zener.-
El amplificador , es un bloque que también lo realiza el mismo transistor y amplifica lo que
se conoce como tensión de error , donde dicha tensión controla la base del transistor y lo
hace conducir más o menos .-
Para este caso el transistor de control , asume las variaciones de tensión que se pueden
provocar por la tensión de línea o por el consumo de corriente de la carga.-
La regulación lograda por este circuito es pobre y se puede incrementar aumentando la
ganancia del amplificador de error o realimentando el circuito.-
5. Circuitos Amplificadores
Redes de acoplamiento.
Cuando un sistema está compuesto por más de una etapa de transistores, es necesario
conectar, o acoplar, los transistores entre sí. Existen muchas formas comunes de lograr
esta interpretación entre amplificadores. En las siguientes secciones se analizan los
acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y óptico.
 Acoplamiento directo

Dos amplificadores están acoplar es directamente si la salida del primer amplificador se

conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de
la primera etapa está superpuesta con el nivel de cd estático de la segunda etapa. El nivel de
cd de la salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarización de la segunda
etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarización, en amplificador utiliza
diferentes valores de fuentes de tensión de cd en lugar de una fuente de Vcc sencilla.
El acoplamiento directo se pueden utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC
a uno ES. El amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias
pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia)
que afecten la señal de salida en baja frecuencia.
 Acoplamiento capacitivo

Constituye la forma más simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de la
primera etapa amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el
componente de cd de la señal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarización de
la siguiente. Para asegurar que la señal no cambie de manera significativa por la adición de
un capacitor, es necesario que esté se comporte como cortocircuito para todas las
frecuencias a amplificar.
 Acoplamiento por transformador

Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de
acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican señales de alta frecuencia. Los
transformaciones son más costosos que los capacitores, aunque sus ventajas pueden
justificar el costo adicional. A través de una elección adecuada de la razón de vueltas, se
puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la ganancia de tensión o bien la de
corriente fondo. Por ejemplo, encina etapa de salida de el amplificador vez potencia, en
transformador se utiliza para aumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios
asociados con el uso de un transformador. Por ejemplo, el transformador se puede
sintonizar para resonar de manera que se convierta en un filtro pasa-banda (filtro que pasa
las frecuencias deseadas y atenúa las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida).
 Acoplamiento óptico

Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento óptico de circuitos electrónicos. Estas

aplicaciones se pueden clasificar como sigue:
- dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz.
- detectores y emisores discretos para sistemas de fibra óptica.
- módulos interruptor/ reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz.
- aisladores /acopladores que transmiten señales eléctricas sin conexiones eléctricas.
El Diodo
Enviado por Ramses Casanova

1.
2. Objetivo
3.
4. Diodos
5. Diodo Schottky
6. Diodos Zener
7. Diodo emisor de luz (LED)
8. Conclusión

OBJETIVO:
Se pretende que con esta investigación se tenga un conocimiento de los aspectos básicos del
diodo, principalmente de su funcionamiento y comportamiento. El conocimiento relativo
sobre los diodos se extiende en gran medida pero el objetivo no es involucrar todo lo
relevante con el diodo si no mas bien lo indispensable y básico para lograr una comprensión
clara de este dispositivo.
INTRODUCCION:
Un diodo es un elemento electrónico que tiene un cierto comportamiento cuando se le
induce una corriente eléctrica a través de el, pero depende de las características de esta
corriente para que el dispositivo tenga un comportamiento que nos sea útil.
La gran utilidad de el diodo esta en los dos diferentes estados en que se puede encontrar
dependiendo de la corriente eléctrica que este fluyendo en el, al poder tener estos dos
estados, estos dos comportamientos los diodos tienen la opción de ser usados en elementos
electrónicos en los que estos facilitan el trabajo.
DIODOS
El diodo es un dispositivo de dos terminales que, en una situación ideal, se comporta como
un interruptor común con la condición especial de que solo puede conducir en
una dirección. Tiene un estado encendido, el que en teoría parece ser simplemente un
circuito cerrado entre sus terminales, y un estado apagado, en el que sus características
terminales son similares a las de un circuito abierto. Cuando el voltaje
tiene valores positivos de VD (VD > 0 V) el diodo se encuentra en el estado de circuito
cerrado (R= 0 Ω) y la corriente que circula a travιs de este esta limitada por la red en la que
este instalado el dispositivo. Para la polaridad opuesta (VD < 0 V), el diodo se encuentra en
el estado de circuito abierto (R= ∞ Ω) e ID = 0 mA. La siguiente figura nos muestra los dos
estados del diodo y su símbolo con el que se representa.
El diodo ideal presenta la propiedad de ser unidireccional, esto es, si se aplica un voltaje
con polaridad determinada, el diodo permite el flujo de corriente
con resistencia despreciable y con un voltaje de polaridad opuesta no permitirá el paso de
corriente.
En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan
dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. un
material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas
negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia
de que este tiene la ausencia de cargas negativas
Cuando se aplica un voltaje de paralización directa (voltaje de corriente directa) la región
iónica en la unión se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar
la barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial
aplicado.
Las características reales del dispositivo no son ideales, y la grafica nos muestra como se
comporta el diodo con el tipo y cantidad de voltaje suministrado al mismo

El hecho de que la grafica sea una curva nos dice que la resistencia del diodo cambia en
cada punto diferente de la curva, esto es, mientras mas inclinada sea la curva la resistencia
cera menor y tendera a aproximarse al valor ideal de 0 Ω
Para analizar mas afondo este cambio de la resistencia veamos la siguiente figura
Para ver el gráfico seleccione la opción "Descargar" del menú superior
Como podemos notar en la grafica se encuentran representados unos deltas de voltaje y de
corriente y esto es porque con la definición de la pendiente de cálculo diferencial podemos
encontrar la resistencia en un cierto punto de la curva
Resistencia= ΔVD / ΔID
Podemos analizar más de fondo las características reales del diodo con la siguiente figura
pero hay que notar el cambio de estaca en el eje y que representa la corriente
Para ver el gráfico seleccione la opción "Descargar" del menú superior
La pequeña cantidad de corriente que pasa en la polarizacion inversa están insignificante
que no tiene ningún efecto en el circuito además de ser de sentido contrario
Existen varios tipos de diodos y veremos los más importantes, cada uno tiene aplicaciones
específicas pero solo nos enfocaremos en su funcionamiento respecto a un voltaje o
corriente que tenga paso a través de ellos
DIODO SCHOTTKY
Los diodos schottky están normalmente formados por metales como el platino y silicio, es
decir un diodo schottky surge de la unión de un platino, con silicio de tipo n. Por lo general
se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
En estos diodos el platino actúa como material aceptador para los electrones cuando esta
unido al silicio n y así los electrones del silicio se difunden inicialmente en el metal, esta
difusión hace que el material tipo n (silicio) se empobrezca de electrones cerca de la unión y
por consiguiente que adquiera un potencial positivo que se caracteriza por la falta de
electrones. Cuando esta tensión llega a ser suficientemente alta, impide que los electrones
se fluyan, y por otra parte cuando se aplica una tensión positiva suficientemente grande
entre las terminales, los electrones de la región n están sometidos a un potencial positivo en
el lado del metal de la unión y surge una circulación de electrones.
Cuando el diodo schottky funciona de modo directo, la corriente es debida a los electrones
que se mueven desde el silicio de tipo n a través del metal, el tiempo de recombinación es
muy pequeño, normalmente del orden de 10 ps. Esto es carios órdenes de magnitud menor
que los correspondientes a la utilización de diodos de silicio pn es por esto que
generalmente se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.
DIODOS ZENER
Los diodos zener o también llamado diodos de avalancha, son diodos semiconductores de
unión pn cuyas propiedades están controladas en las zonas de polarizacion inversa y por
esto son muy útiles en numerosas aplicaciones. La siguiente figura nos muestra el
comportamiento de un diodo zener
En la parte positiva de la grafica las características son muy similares a las diodos
semiconductores normales, en la parte negativa no se da tal comparación, en esta parte se
presenta una región en la cual la tensión es casi independiente de la corriente que pasa por
el diodo. La tensión zener de cualquier diodo esta controlada por la cantidad de dopado
aplicada en la fabricación. El dopado es la suministración de electrones a un cierto material,
estos electrones suministrados alteran las características químicas y físicas del material
logran que se comporte de distinta manera.
En la mayoría de las aplicaciones, los diodos zener trabajan en la región de polarización
inversa (parte negativa de la grafica)
DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
Un foto diodo es un dispositivo de dos terminales cuyas características de corriente
en función de la iluminación se parece mucho a las de corriente en función de voltaje de un
diodo de unión pn.
La conversión de energía de un fotodiodo se invierte en los diodos emisores de luz o LED
por sus siglas en ingles "Light-emitting diodes" que se emplean por lo general en pantallas
de visualización de algunos aparatos.
En el proceso de electroluminiscencia, se emite una luz radiante a una intensidad que
depende de la corriente que circula por el dispositivo, en la siguiente figura se muestra esa
relación o dependencia de la corriente con la intensidad luminosa.
Como he expuesto en esta investigación los diodos son dispositivos con ciertas
característica que lo son ajenas a todos los demás dispositivos electrónicos. Sabiendo
aprovechar estas características se puede llegar a resultados muy satisfactorios y
provechosos.
CONCLUSION:
Concluyo que los diodos son elementos importantes en la electrónica que nos rodea hoy en
día, que para su comprensión hay que estar al tanto de ciertos conocimientos relativos a su
funcionamiento y comportamiento.
Los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos aspectos con el
propósito de resolver algún problema.
Para mi la uno de los aspectos mas importantes del diodo es que no se quedan en un solo
tipo de diodo y mas bien se a desarrollado el diodo en formas que extienden su área de
aplicación.
BIBLIOGRAFIA:
Electrónica
J.M. Calvert
M.A.H. McCausland
Edit. Lumisa
Fundamentos de electrónica
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky
Cuarta edición
Edit. Person Education
Circuitos electrónicos
Donald L. Schilling
Charles Belove
Tercera edición
Edit. Mc Graw Hill

Autor:
Ramses Casanova Arteaga
Estudiante de la Carrera Mecatrónica
FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA ELECTRICA Y ELECTRONICA