Nanoestructuras Semiconductoras

María Camila Arrobo Fernández

Evelyn del Rocío Carrión Aguilar
Byron Ordoñez
Roberto Gregorio Zambrano Vera
Universidad Nacional de Loja
Loja, Ecuador
mcarrobof@unl.edu.ec
ercarriona@unl.edu.ec
mcarrobof@unl.edu.ec
ercarriona@unl.edu.ec

Resumen- El presente artículo nos habla acerca de la producción
de dispositivos de estructuras semiconductoras de tamaños muy
pequeños, es decir decenas nanométricas, produciendo diferentes
propiedades físicas del semiconductor apareciendo efectos cuanticos.
Abstract- This article talks about the production of semiconductor
structures of small sizes, that is, nanometric tens, producing different
physical properties of the semiconductor with quantum effects.
Palabras claves- nanoestructuras, semiconductors, Hall cuántico,
punto cuántico, hilos cuánticos.
I. INTRODUCCIÓN
La producción de dispositivos electrónicos está dirigida a la
fabricación de estructuras semiconductores de tamaños muy
pequeños a decenas nanométricas de una o dos de sus
dimensiones; lo que produce que las propiedades físicas del
semiconductor muestran efectos cuánticos que son a menudo la
base del funcionamiento de muchos dispositivos electrónicos de
última generación.
Las estructuras semiconductoras nanométricas se clasifican
según el número de dimensiones espaciales que tienen tamaños
reducidos en:
 Pozos cuánticos (2D): Si una de las tres dimensiones
es de tamaño nanométrico.
 Hilos cuánticos (1D): Aquellas estructuras con una
dimensión macroscópica.
 Punto cuántico (0D): Estructuras con las tres
dimensiones nanométricas
II. MARCO TEÓRICO
A. Física de los semiconductores de baja
dimensionalidad
Una de las estructuras más prácticas está constituida por una
placa de arseniuro de galio (GaAs) de anchura nanométrica,
rodeada a ambos lados por AlxGa1-xAs en el cual algunos de
los átomos de galio (alrededor del 30 por ciento) del GaAs han
sido sustituidos por aluminio. Este compuesto con x=0.3
presenta un gap semiconductor de alrededor de 2,0eV, bastante
superior al de GaAs que es de 1,4 eV. La preparación de este
tipo de estructuras se lleva a cabo mediante técnicas de
deposición por epitaxia de haces moleculares. Esta técnica
permite depositar capas cristalinas con un alto grado de
perfección de diferentes tipos de semiconductores con una
composición apropiada.
El diagrama de bandas del conjunto AlGaAs-GaAs-AlGaAs
es como el indicado en la figura 2 en la cual los electrones de la
banda de conducción del GaAs se encuentra limitados en su
movimiento por una barrera de 0.4eV. Del mismo modo, los
huecos de la banda de valencia son también limitados por una
barrera de 0.2eV. Evidentemente la suma de las alturas de estas
barreras debe ser igual a la diferencia entre los gaps del AlGaAs
y del GaAs. Conviene señalar que el fondo de la banda de
conducción y el tope de la banda de valencia representa la
energía potencial de los electrones y de los huecos, en el su
movimiento en el interior del semiconductor.

Figura 1: Estructuras cuánticas de baja dimensionalidad.

El funcionamiento de los dispositivos electrónicos

empleados en la nanotecnología, está basado uniones formadas
por dos semiconductores de diferente gap a lo que llamamos
heterouniones. La diferencia entre las energías de la banda
prohibida de cada uno de los semiconductores que forman la
heterounión permite llevar a cabo el confinamiento de electrones
en la intercara de la unión dando lugar a interesantes fenómenos
cuánticos. Figura 2: Estructura de bandas de pozos cuánticos de AlGaAs-GaAs-AlGaAs.
Fuente: [1]

Figura 3: En la parte izquierda se muestra los niveles de energía de los
electrones en el pozo cuánticos, en la parte derecha se observa las subbandas
de energía correspondientes a los niveles de energía. Fuente: [1]
Como consecuencia de la geometría de la estructura el
movimiento de los electrones y huecos en la dirección
perpendicular a las intercaras (eje z) no está permitido, ya que
tanto los electrones como los huecos se encuentran situados en
el interior de sendos pozos de potencial de anchura a y alturas
de 0.4 y 0.2 eV respectivamente. Por lo tanto, en las dos
direcciones espaciales de las intercaras (x,y) los portadores se
pueden mover libremente. Este tipo de estructuras constituye un
ejemplo de pozo de potencial.
El semiconductor AlGaAs al ser de tipo n produce una
temperatura ambiente genera una alta concentración de
electrones libres en la banda de conducción que pasan al interior
del pozo localizado en el GaAs, donde su energía potencial es
menor. Los electrones presentan una masa efectiva muy pequeña
lo que da genera una alta modalidad, en cambio los huecos
tienen masas efectivas altas por lo que su movilidad es menor.
Pongamos ahora nuestra atención en los electrones
localizados en el pozo de potencial y calculemos sus energías.
El problema de una partícula localizada en un pozo de potencial
cuadrada es muy fácil de resolver de forma exacta cuando las
paredes de potencial son de altura infinita. Aunque en nuestro
caso las paredes del pozo de potencial son de alrededor de 0.4eV,
la anchura del pozo en la dirección z es tan pequeña que permite
utilizar los resultados que se obtienen a partir de la resolución de
la ecuación de Schrödinger para una caja de paredes infinitas.
Resulta en este caso que la energía cinética de los electrones está
cuantificada en una serie de niveles, cuyo valor viene dado por
la ecuación:
ℏ2 𝜋 2 2
𝐸𝑛 = 𝑛 𝑛 = 1, 2 …
2𝑚𝑒 𝑎2
Donde 𝑚𝑒 es la masa efectiva de los electrones dentro del
material del pozo y a es la anchura del pozo. Como se aprecia en
la ecuación, los efectos cuánticos de tamaño son mayor cuanto
menor es la anchura del pozo y la masa efectiva de los
electrones. En este sentido, las nanoestructuras de GaAs son
muy convenientes ya que el valor de la masa efectiva de los
electrones es muy pequeño, tan sólo de 0.067𝑚𝑜 , donde 𝑚𝑜 es la
masa de los electrones en el interior del pozo.
Para describir el movimiento de los electrones en el interior
del pozo cuántico formado por GaAs, en la dirección z estos se
encuentran confinados y por otra parte pueden moverse
libremente en el plano (x,y) de la intercara. En la mecánica
cuántica se puede demostrar que la ecuación de Schrödinger para
la función de onda de los electrones es separable para en las tres
direcciones x, y, z, lo que hace posible obtener una expresión
aproximada para la energía cinética como suma de los ejes
espaciales x, y, z. Se puede escribir E como:
ℏ2
𝐸= (𝑘 2 + 𝑘𝑦2 )𝐸𝑛 (2)
2𝑚𝑒 𝑥
Las magnitudes 𝑘𝑥 y 𝑘𝑦 representan las componentes del
vector de onda k de los electrones en las direcciones x e y, cuyo
valor en función del momento cristalino bien dado por la
ecuación:
𝑝 = ℏ𝑘 (3)
Siendo ℏ es la constante de Planck, h, dividida por 2𝜋. En
la figura 3 se han representado los niveles permitidos de la
energía de los electrones correspondiente a la dirección del eje
z, dado por la ecuación. En el plano (x,y) los niveles no están
cuantificados y los electrones se mueven en una banda de
energía, de acuerdo con los primeros términos de la ecuación 2.
En efecto, para un valor fijo de n, la energía E varía de forma
continua en función de los valores 𝑘𝑥 o 𝑘𝑦 ; así mismo en la
figura se representa la variación de la energía para una dirección
cualquiera en el plano (x,y), en donde el eje horizontal puede ser
tanto 𝑘𝑥 como 𝑘𝑦 . Para cada valor fijo 𝐸𝑛 , que coincide con el
fondo de las parábolas, los valores de E en función de k forman
las denominadas subbandas de energía de los electrones en el
pozo de potencial.
B. Heterouniones moduladas en dopaje
Una heterounión está formada por la unión entre dos
semiconductores de distinto gap energético. Las heterouniones
de compuestos III-V son la base de los modernos transistores de
efecto campo con estructura modulada en dopaje o MODFET,
los cuales pueden funcionar a frecuencias muy elevadas.
En la figura 4 se observa una heterounión modulada en
dopaje donde el semiconductor de la izquierda es arseniuro de
galio dopado con aluminio mientras que el de la derecha es un
arseniuro de galio de tipo intrínseco. Se ha representado las
bandas de conducción y de valencia, así como el nivel de Fermi
de los semiconductores en cada lado, para el AlGaAs está cerca
(1)
de la banda por ser de tipo n, mientras que el GaAs se encuentra
cera de la mitad del gap; las bandas son planas porque los
materiales son neutros y tienen dopaje uniforme.
Cuando los semiconductores AlGaAs y GaAs entran en
contacto los electrones liberados por los átomos donadores del
material n cruzan la interfase y llegan al semiconductor
intrínseco GaAs hasta llegar a equilibrarse, lo que crea un campo
eléctrico interno dirigido desde los átomos donadores ionizados
del AlGaAs a las cargas electrónicas en el GaAs acumuladas en
la intercara, dando lugar a un doblamiento de las bandas de
energía.
 Una característica importante del diagrama de bandas de la
heterounión es la formación de un pozo cuántico para electrones
de forma aproximadamente triangular, con una anchura de unos
pocos nanómetros, limitado a la izquierda y a la derecha por las
barreras de potencial asociadas a la curvatura de las bandas en la
intercara, por lo tanto, en la dirección z que es perpendicular a
la intercara, los electrones están confinados en una
nanoestructura bidimensional 2D.
Figura 4: a) Diagrama de la banda de conducción en una heterounión
AlGaAs-GaAs, antes del trasvase de carga de un lado a otro de la intercara
entre los dos semiconductores. b) Situación una vez que se alcanza el
equilibrio. Fuente: [1]
C. Pozos cuánticos
En una estructura del tipo n-AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs se
obtiene un pozo de potencial para las bandas de valencia y de
conducción con mínimos acusados en los bordes del GaAs, en la
figura 5 se puede ver que conforme la distancia entre las dos
heterouniones se hace menor, el fondo será prácticamente plano.
Los electrones se mueven en un canal libre de impurezas dentro
de este tipo de potencial y en presencia de un campo eléctrico
pueden alcanzar una altísima movilidad ya que se encuentran
confinados en el GaAs intrínseco.
Figura 5: a) Diagrama de bandas de energía de estructura de AlGaAs-GaAs-
AlGaAs cuando el espesor del GaAs es grande. b)Ídem. Para espesor del GaAs
de escala nanométrica. Fuente: [1]
Cuando se utilizan los pozos cuánticos en dispositivos
optoelectrónicos tales como fotodetectores de infrarrojo, la señal
provista por un único pozo no alcanza la suficiente magnitud.
Por lo que es necesario utilizar un conjunto de pozos cuánticos
en estructuras denominadas pozos cuánticos múltiples (PCM),
formados a por 50 pozos individuales y llegando a espesores
totales de 1µm; el espectro de niveles de energía del PCM es
similar al de un pozo individual, excepto por pe pequeñas
variaciones que surgen por dificultades en la fabricación.
D. Superredes
1. Efecto túnel de la mecánica cuántica
El efecto túnel es un fenómeno cuántico por el que una
partícula viola los principios de la mecánica clásica penetrando
una barrera de potencial o impedancia mayor que la energía
cinética de la propia partícula. Una barrera, en términos
cuánticos aplicados al efecto túnel, se trata de una cualidad
del estado energético de la materia análogo a una "colina" o
pendiente clásica, compuesta por crestas y flancos alternos, que
sugiere que el camino más corto de un móvil entre dos o más
flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia. Si
el objeto no dispone de energía mecánica suficiente como para
atravesar la barrera, la mecánica clásica afirma que nunca podrá
aparecer en un estado perteneciente al otro lado de la barrera.
Otro caso interesante es en donde existen dos barreras con
un pozo cuántico entre ellas, lo que se describe en la siguiente
imagen.
Figura 6: Pozo cuántico. Fuente: [1]
Una superred está constituida por múltiples pozos cuánticos
idénticos, colocados sucesivamente y separados por barreras de
potencial como se muestra en la figura siguiente.
Figura 7: Superred. Fuente: [1]
Si la anchura de la barrera de potencial entre los pozos es
muy pequeña, los estados energéticos de los electrones son
completamente diferentes esto se conoce como pozos cuánticos
múltiples. En el caso de la superred, las energías permitidas para
los electrones forman bandas de energía, si el espesor de la
barrera de potencial es suficientemente fino, los electrones
localizados en un pozo cuántico interaccionan con los electrones
de un pozo cuántico vecino, esta interaccione se debe al
solapamiento de las funciones de onda entre pozos
E. Puntos cuánticos e hilos cuánticos
En el mundo macroscópico, los puntos cuánticos pueden
tener el aspecto de una simple pastilla plana, o estar disueltos en
un líquido. Nadie sospecharía que esa sustancia ha sido
elaborada en el laboratorio partiendo de unos pocos átomos, con
técnicas que manipulan la materia a escalas de nanómetros. A
esas dimensiones el material se convierte en una matriz sobre la
que han crecido estructuras, como pirámides o montañas,
formadas por unos pocos cientos o miles de átomos. Esas
estructuras son los puntos cuánticos.

Los puntos cuánticos presentar algunas propiedades

similares a la de los átomos individuales por lo que a menudo se
los conoce como átomos artificiales

Un punto cuántico generalmente es

una nanoestructura semiconductora que confina el movimiento
en las tres direcciones espaciales de los electrones de la banda
de conducción y los huecos de la banda de
valencia o excitones (pares de enlaces de electrones de la banda
de conducción y huecos de la banda de valencia).

Figura 9:Constricción nanométrica en una heteroestructura a través del

estrechamiento producido por dos electrodos de puerta. Fuente: [1]

Al aplicar tensiones negativas en la puerta es posible

producir el estrangulamiento del canal que se produce en el
espacio entre los dos electrodos y esta anchura se la puede
regular con la variación de la tensión aplicada en la puerta por
encima del valor de estrangulamiento.

Figura 8: Emisión de soluciones dispersas de puntos cuánticos de Seleniuro de En la siguiente ecuación se puede observar que la
Cadmio (CdSe)
conductancia está cuantificada, modificando en pequeños saltos
al aumentar el voltaje negativo de la puerta.
Un hilo cuántico es un alambre conductor eléctrico en el
que los efectos cuánticos afectan las propiedades del transporte.
2ℯ 2
Debido al confinamiento de electrones de conducción en la 𝐺= 𝑛 𝑛 = 1,2, … (4)
dirección transversal del alambre, su energía transversal ℎ
es cuantizada en una serie de valores discretos

F. Propiedades ópticas de nanoestructuras

G. Propiedades de transporte en nanoestructuras
H. Conductancia cuántica

En nanoestructuras durante la medición de la corriente en

función del voltaje se observan fenómenos físicos de
cuantificación innovadores y que no tienen una similitud clásica,
esto se conoce como la conductancia cuántica, el mismo que se
da cuando se pasa una corriente de electrones en un canal muy
estrecho y corto a la vez.

Un método para reducir la anchura del canal es en la

utilización de una puerta dividida mediante una separación de
dimensiones nanométricas.
Figura 10: Conductancia cuántica de la corriente a través del canal entre los
electrodos. Fuente: [1]

La estructura de subbandas en pozos cuánticos da el origen

al a cuantificación. Cuando se aumenta el voltaje, participaran
en la corriente electrones provenientes de un mayor número de
subbandas las cuales serán cada vez más energéticas por lo que
el valor de la conductancia (𝐺) aumentara en cantidades
2ℯ 2
constantes de , si no se tiene en cuenta la degeneración 2 del
ℎ
ℯ2
espin electrónico, los cuantos en conductancia valen . Al
ℎ
 ℯ2 2𝜋ℎ 1
hablar en términos de resistencia, al cuanto le corresponde el 𝜌𝑥𝑦 = ,𝑣 ∈ ℤ (9)
ℎ
𝑒2 𝑣
valor de: El valor de 𝜈 ha sido determinado como entero con tanta
ℯ2 precisión que incluso se utiliza para medir la relación entre las
= 25812,8 Ω (𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠) (5)
ℎ 2𝜋ℎ
constantes 2 , esta cantidad es conocida como el cuanto de
𝑒
I. El efecto hall cuántico resistividad.

En un sistema de electrones restringidos a moverse en dos

dimensiones y se enciende un campo magnético fuerte, se
observa un fenómeno interesante y visible experimentalmente,
la conductancia Hall toma valores cuantizados, el cual se
expresa en la siguiente ecuación:

ℯ2
𝜎= 𝑣 (6)
2𝜋ℎ

En un inicio se consideraba que 𝜈 era un número entero y

esta explicación requería ideas de topología en sistemas
cuánticos de muchos cuerpos. Posteriormente se reveló que
también podía tomar valores racionales. Donde los más
dominantes son 𝜈 = 1/3 y son 𝜈 = 2/5, pero hay muchas más
fracciones que han sido vistas. Figura 11: Resistividad en el efecto Hall cuántico entero. Fuente: [2]

1. Efecto hall clásico Las mesetas formadas por la resistividad se muestran en la

Figura 11. En el centro de cada una de estas mesetas ocurre
Se descubrió en 1879 por Edwin Hall. cuando el campo magnético toma el valor de:

En un campo magnético constante 𝑩 en la dirección 𝑧 y
electrones restringidos para moverse en el plano (𝑥,), aparece
una corriente 𝐼en la dirección 𝑥. El efecto Hall dice que esto
produce un voltaje 𝑉𝐻 en la dirección 𝑦.
La ecuación del movimiento de los electrones es:
𝑑𝑣
𝑚 = −𝑒𝑣 × 𝑩 (7)
𝑑𝑡
En presencia de un campo magnético, la conductividad 𝜎 no
es un solo número sino una matriz, cuyos términos fuera de la
diagonal son los responsables del efecto Hall.
𝜎𝐷𝐶 1 −𝜔𝐵 𝜏
𝜎= ( ) (8)
1 + 𝜔𝐵2 𝜏 2 𝜔𝐵 𝜏 1 Efecto Hall entero se vuelven menos prominentes, pero otras
El campo eléctrico en la dirección 𝑦 cancela la curvatura
debida al campo magnético y los electrones viajan sólo en la
dirección 𝑥, lo cual produce el Voltaje de Hall.
2𝜋ℎ𝑁 𝑛
𝐵= = Φ0 (10)
𝑣𝑒 𝑣
2𝜋ℎ
Donde n es la densidad de electrones y Φ0 = es el
𝑒
cuanto de flujo. Las mesetas se originan con el indicio en los
datos experimentales, los cuales típicamente son sucios y tienen
impurezas el mismo que se conoce como desorden. En el efecto
Hall cuántico, a medida que se incrementa el desorden, las
mesetas se vuelven más prominentes y no menos, como uno
esperaría.
3. Efecto Hall cuántico fraccional
Este fenómeno fue descubierto en 1982 por Tsui y Störmer.
Y probo que cuando el desorden se reduce, las mesetas del
surgen para valores fraccionarios. Las resistividades se muestran
en la Figura 2. La resistividad tiene la misma forma que la del
efecto Hall entero, pero ahora 𝜈 ∈ ℚ.

2. Efecto Hall Cuántico Entero

En 1980 se realizaron los primeros experimentos acerca del

efecto Hall por Klaus von Klitzing, quien descubrió que la
conductividad de Hall es exactamente cuantizada. Este
descubrimiento lo llevo a ganar el premio Nobel de 1985.

La resistividad de Hall también está se encuentra cuantizada

para valores de campo magnético. La cual toma los valores de:
 [1] J. . M. Albella Martin, J. M. Martinez Duart y F. Agullo
Rueda, Fundamentos de microelectrónica,
nanoelectrónica y fotonica, Pearson Educacion, 2005.
[2] K. Lozano Méndez, «Universidad Nacional Autónoma de
México,» 6 Junio 2017. [En línea]. Available:
http://bigbang.nucleares.unam.mx/~jimenez/FAMC/Trab
ajosFAMC2017/LozanoM%C3%A9ndezK_Hall.pdf.

Figura 12: Resistividad en el efecto Hall cuántico fraccional. Fuente: [2]

1 1 2
No todas las fracciones aparecen, cuando 𝑣 = , , las
3 5 5
mesetas emergen más prominentes, sin embargo existen muchas
más y la mayoría de ellas tienen denominadores impares. Y
conforme el desorden se reduce las mesetas continúan
apareciendo.

Es admisible que en el límite de una muestra perfectamente

limpia se podría obtener un número infinito de mesetas, lo cual
nos regresa al caso clásico donde 𝜌𝑥𝑦 es una línea recta.

El efecto Hall cuántico entero se puede entender con el uso

de electrones libres, pero el fraccional requiere de interacciones
entre electrones. Por lo tanto, el problema se vuelve más
complejo.

Más recientemente se han observado ambos efectos en el

grafeno, un material de dos dimensiones.

III. CONCLUSIONES

Las heterouniones entre dos semiconductores de distinto

gap son la base para la fabricación de innovadores transistores
de efecto de campo que pueden trabajar a frecuencias elevadas.

Los puntos cuánticos están constituidos generalmente por

nanocristales, en los cuales sus tres dimensiones son
nanométricasa mientras que los hilos cuánticos presentan dos
dimensiones nanométricas.

La conductancia cuántica es un fenómeno físico que se

observa cuando se realizan mediciones de la corriente en función
del voltaje.

El efecto Hall cuántico entero fue descubierto originalmente

en un MOSFET de Silicio. Mientras el efecto Hall fraccional se
descubrió en una heteroestructura GaAsGaAlAs.

IV. REFERENCIAS