Transistor

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Transistor
Transistorer (cropped).jpg
El tama�o de un transistor guarda relaci�n con la potencia que es capaz de manejar
Tipo Semiconductor
Invenci�n John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (1947)
S�mbolo electr�nico
BJT symbol NPN.svg
Terminales Emisor, base y colector
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El transistor es un dispositivo electr�nico semiconductor utilizado para entregar
una se�al de salida en respuesta a una se�al de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El t�rmino �transistor� es la
contracci�n en ingl�s de transfer resistor (�resistor de transferencia�).
Actualmente se encuentra pr�cticamente en todos los aparatos electr�nicos de uso
diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, l�mparas fluorescentes, tom�grafos, tel�fonos celulares,
aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

�ndice
1 Historia
2 Funcionamiento
3 Tipos de transistor
3.1 Transistor de contacto puntual
3.2 Transistor de uni�n bipolar
3.3 Transistor de efecto de campo
3.4 Fototransistor
4 Transistores y electr�nica de potencia
5 Construcci�n
5.1 Material semiconductor
6 El transistor bipolar como amplificador
6.1 Emisor com�n
7 Dise�o de una etapa en configuraci�n emisor com�n
7.1 Base com�n
7.2 Colector com�n
8 El transistor bipolar frente a la v�lvula termoi�nica
9 V�ase tambi�n
10 Referencias
11 Bibliograf�a
12 Enlaces externos
Historia
Art�culo principal: Historia del transistor

R�plica del primer transistor en actividad, que hoy pertenece a la empresa Lucent
Technologies
El f�sico austro-h�ngaro Julius Edgar Lilienfeld solicit� en Canad� en el a�o
19251? una patente para lo que �l denomin� "un m�todo y un aparato para controlar
corrientes el�ctricas" y que se considera el antecesor de los actuales transistores
de efecto campo, ya que estaba destinado a ser un reemplazo de estado s�lido del
triodo. Lilienfeld tambi�n solicit� patentes en los Estados Unidos en los a�os
19262? y 1928.3?4? Sin embargo, Lilienfeld no public� ning�n art�culo de
investigaci�n sobre sus dispositivos ni sus patentes citan alg�n ejemplo espec�fico
de un prototipo de trabajo. Debido a que la producci�n de materiales
semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, las ideas de
Lilienfeld sobre amplificadores de estado s�lido no encontraron un uso pr�ctico en
los a�os 1920 y 1930, aunque acabara de construir un dispositivo de este tipo.5?
En 1934, el inventor alem�n Oskar Heil patent� en Alemania y Gran Breta�a6? un
dispositivo similar. Cuatro a�os despu�s, los tambi�n alemanes Robert Pohl y Rudolf
Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de G�ttingen, con cristales de
bromuro de potasio, usando tres electrodos, con los cuales lograron la
amplificaci�n de se�ales de 1 Hz, pero sus investigaciones no condujeron a usos
pr�cticos.7?Mientras tanto, la experimentaci�n en los Laboratorios Bell con
rectificadores a base de �xido de cobre y las explicaciones sobre rectificadores a
base de semiconductores por parte del alem�n Walter Schottky y del ingl�s Nevill
Mott, llevaron a pensar en 1938 a William Shockley que era posible lograr la
construcci�n de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de
vac�o.7?

Desde el 17 de noviembre de 1947 hasta el 23 de diciembre de 1947, los f�sicos

estadounidenses John Bardeen y Walter Houser Brattain de los Laboratorios Bell8?
llevaron a cabo diversos experimentos y observaron que cuando dos contactos
puntuales de oro eran aplicados a un cristal de germanio, se produjo una se�al con
una potencia de salida mayor que la de entrada.9? El l�der del Grupo de F�sica del
Estado S�lido William Shockley vio el potencial de este hecho y, en los siguientes
meses, trabaj� para ampliar en gran medida el conocimiento de los semiconductores.
El t�rmino "transistor" fue sugerido por el ingeniero estadounidense John R.
Pierce, bas�ndose en dispositivos semiconductores ya conocidos entonces, como el
termistor y el varistor y bas�ndose en la propiedad de transrresistencia que
mostraba el dispositivo.10? Seg�n una biograf�a de John Bardeen, Shockley hab�a
propuesto que la primera patente para un transistor de los Laboratorios Bell deb�a
estar basado en el efecto de campo y que �l fuera nombrado como el inventor.
Habiendo redescubierto las patentes de Lilienfeld que quedaron en el olvido a�os
atr�s, los abogados de los Laboratorios Bell desaconsejaron la propuesta de
Shockley porque la idea de un transistor de efecto de campo no era nueva. En su
lugar, lo que Bardeen, Brattain y Shockley inventaron en 1943 fue el primer
transistor de contacto de punto, cuya primera patente solicitaron los dos primeros
nombrados, el 17 de junio de 1946,11?a la cual siguieron otras patentes acerca de
aplicaciones de este dispositivo.12?13?14? En reconocimiento a �ste logro,
Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel
de F�sica de 1956 "por sus investigaciones sobre semiconductores y su
descubrimiento del efecto transistor".15?

En 1948, el transistor de contacto fue inventado independientemente por los f�sicos

alemanes Herbert Matar� y Heinrich Welker, mientras trabajaban en la Compagnie des
Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse.
Matar� ten�a experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de
silicio y de germanio mientras trabajaba con Welker en el desarrollo de un radar
alem�n durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, �l comenz� a
investigar el fen�meno de la "interferencia" que hab�a observado en los
rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Matar� produjo
resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio producidas
por Welker, similares a lo que Bardeen y Brattain hab�an logrado anteriormente en
diciembre de 1947. Al darse cuenta de que los cient�ficos de Laboratorios Bell ya
hab�an inventado el transistor antes que ellos, la empresa se apresur� a poner en
producci�n su dispositivo llamado "transistron" para su uso en la red telef�nica de
Francia.16?El 26 de junio de 1948, Wiliam Shockley solicit� la patente del
transistor bipolar de uni�n17? y el 24 de agosto de 1951 solicit� la primera
patente de un transistor de efecto de campo,18? tal como se declar� en ese
documento, en el que se mencion� la estructura que ahora posee. Al a�o siguiente,
George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell, tuvieron �xito al
fabricar este dispositivo,19?cuya nueva patente fue solicitada el 31 de octubre de
1952.20? Meses antes, el 9 de mayo de ese a�o, el ingeniero Sidney Darlington
solicit� la patente del arreglo de dos transistores conocido actualmente como
transistor Darlington.21?
El primer transistor de alta frecuencia fue el transistor de barrera de superficie
de germanio desarrollado por los estadounidenses John Tiley y Richard Williams de
Philco Corporation en 1953,22?capaz de operar con se�ales de hasta 60 MHz.23? Para
fabricarlo, se us� un procedimiento creado por los ya mencionados inventores
mediante el cual eran grabadas depresiones en una base de germanio tipo N de ambos
lados con chorros de sulfato de indio hasta que tuviera unas diez mil�simas de
pulgada de espesor. El Indio electroplateado en las depresiones form� el colector y
el emisor.24?El primer receptor de radio para autom�viles que fue producido en 1955
por Chrysler y Philco; us� estos transistores en sus circuitos y tambi�n fueron los
primeros adecuados para las computadoras de alta velocidad de esa �poca.25?26?

El primer transistor de silicio operativo fue desarrollado en los Laboratorios Bell

en enero 1954 por el qu�mico Morris Tanenbaum.27?El 20 de junio de 1955, Tanenbaum
y Calvin Fuller, solicitaron una patente para un procedimiento inventado por ambos
para producir dispositivos semiconductores.28? El primer transistor de silicio
comercial fue producido por Texas Instruments en 1954 gracias al trabajo del
experto Gordon Teal quien hab�a trabajado previamente en los Laboratorios Bell en
el crecimiento de cristales de alta pureza.29? El primer transistor MOSFET fue
construido por el coreano-estadounidense Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla,
ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en 1960.30?31?

Funcionamiento
El transistor consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con
materiales espec�ficos en cantidades espec�ficas) que forman dos uniones bipolares:
el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la
tercera, que est� intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos
portadores (base). A diferencia de las v�lvulas, el transistor es un dispositivo
controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el dise�o
de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo,32?a diferencia
de los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.33?

De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funci�n

amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor solo grad�a la
corriente que circula a trav�s de s� mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, seg�n el
tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificaci�n o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor.
Otros par�metros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de
Colector Base, Potencia M�xima, disipaci�n de calor, frecuencia de trabajo, y
varias tablas donde se grafican los distintos par�metros tales como corriente de
base, tensi�n Colector Emisor, tensi�n Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los
tres tipos de esquemas(configuraciones) b�sicos para utilizaci�n anal�gica de los
transistores son emisor com�n, colector com�n y base com�n.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores

FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el
terminal de base para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensi�n
presente en el terminal de puerta y grad�a la conductancia del canal entre los
terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula y el canal se
encuentra estrangulado, por efecto de la tensi�n aplicada entre Compuerta y Fuente,
es el campo el�ctrico presente en el canal el responsable de impulsar los
electrones desde la fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la
carga conectada al Drenaje (D) ser� funci�n amplificada de la tensi�n presente
entre la compuerta y la fuente, de manera an�loga al funcionamiento del triodo.

Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integraci�n a gran
escala disponible hoy en d�a; para tener una idea aproximada pueden fabricarse
varios cientos de miles de transistores interconectados, por cent�metro cuadrado y
en varias capas superpuestas.

Tipos de transistor

Distintos encapsulados de transistores.

Transistor de contacto puntual
Llamado tambi�n "transistor de punta de contacto", fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta
de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la
combinaci�n cobre-�xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas
met�licas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de
modular la resistencia que se �ve� en el colector, de ah� el nombre de transfer
resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su d�a. Es dif�cil de
fabricar (las puntas se ajustaban a mano), fr�gil (un golpe pod�a desplazar las
puntas) y ruidoso. Sin embargo convivi� con el transistor de uni�n debido a su
mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

Transistor de uni�n bipolar

Art�culo principal: Transistor de uni�n bipolar

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de uni�n bipolar (o BJT, por sus siglas del ingl�s bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias
entre las de un conductor el�ctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de
cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P,
dando lugar a dos uniones PN.

Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con �tomos de elementos donantes de electrones, como el
ars�nico o el f�sforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores de
carga Positiva o �huecos�) se logran contaminando con �tomos aceptadores de
electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la regi�n de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la
base, tienen diferente contaminaci�n entre ellas (por lo general, el emisor est�
mucho m�s contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender� de dichas

contaminaciones, de la geometr�a asociada y del tipo de tecnolog�a de contaminaci�n
(difusi�n gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cu�ntico de la uni�n.

Transistor de efecto de campo

-S�mbolo del transistor JFET, en el que se indican: drenador, surtidor y compuerta

El transistor de efecto de campo de uni�n (JFET), fue el primer transistor de
efecto de campo en la pr�ctica. Lo forma una barra de material semiconductor de
silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto
�hmico, tenemos as� un transistor de efecto de campo tipo N de la forma m�s b�sica.
Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre s�, se producir� una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensi�n positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos
corriente de drenador con polarizaci�n cero. Con un potencial negativo de puerta al
que llamamos tensi�n de estrangulamiento, cesa la conducci�n en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingl�s, que controla la
corriente en funci�n de una tensi�n; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de uni�n, JFET, construido mediante una uni�n PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se a�sla del canal mediante un diel�ctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-�xido-
Semiconductor, en este caso la compuerta es met�lica y est� separada del canal
semiconductor por una capa de �xido.
Fototransistor
Art�culo principal: Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiaci�n electromagn�tica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, solo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo com�n);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminaci�n).
Transistores y electr�nica de potencia
Con el desarrollo tecnol�gico y evoluci�n de la electr�nica, la capacidad de los
dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensi�n y
corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Es as� como actualmente
los transistores son empleados en conversores est�ticos de potencia, controles para
motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal
uso est� basado en la amplificaci�n de corriente dentro de un circuito cerrado.

Construcci�n
Material semiconductor
Caracter�sticas del material semiconductor
Material
semiconductor Tensi�n directa
de la uni�n
V @ 25 �C Movilidad de electrones
m2/(V�s) @ 25 �C Movilidad de huecos
m2/(V�s) @ 25 �C M�xima
temperatura de uni�n
�C
Ge 0.27 0.39 0.19 70 a 100
Si 0.71 0.14 0.05 150 a 200
GaAs 1.03 0.85 0.05 150 a 200
Al-Si 0.3 � � 150 a 200
Los primeros transistores bipolares de uni�n se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ciertas versiones
avanzadas de microondas y de alto rendimiento ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleaci�n semiconductora de silicio-
germanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se
describe como elemental.

Los par�metros en bruto de los materiales semiconductores m�s comunes utilizados

para fabricar transistores se dan en la tabla adjunta; estos par�metros variar�n
con el aumento de la temperatura, el campo el�ctrico, nivel de impurezas, la
tensi�n, y otros factores diversos.

La tensi�n directa de uni�n es la tensi�n aplicada a la uni�n emisor-base de un

transistor bipolar de uni�n con el fin de hacer que la base conduzca a una
corriente espec�fica. La corriente aumenta de manera exponencial a medida que
aumenta la tensi�n en directa de la uni�n. Los valores indicados en la tabla son
las t�picos para una corriente de 1 mA (los mismos valores se aplican a los diodos
semiconductores). Cuanto m�s bajo es la tensi�n de la uni�n en directa, mejor, ya
que esto significa que se requiere menos energ�a para colocar en conducci�n al
transistor. La tensi�n de uni�n en directa para una corriente dada disminuye con el
aumento de la temperatura. Para una uni�n de silicio t�pica, el cambio es de �2.1
mV/�C.34? En algunos circuitos deben usarse elementos compensadores especiales
(sensistores) para compensar tales cambios.

La densidad de los portadores m�viles en el canal de un MOSFET es una funci�n del

campo el�ctrico que forma el canal y de varios otros fen�menos tales como el nivel
de impurezas en el canal. Algunas impurezas, llamadas dopantes, se introducen
deliberadamente en la fabricaci�n de un MOSFET, para controlar su comportamiento
el�ctrico.

Las columnas de movilidad de electrones y movilidad de huecos de la tabla muestran

la velocidad media con que los electrones y los huecos se difunden a trav�s del
material semiconductor con un campo el�ctrico de 1 voltio por metro, aplicado a
trav�s del material. En general, mientras m�s alta sea la movilidad electr�nica, el
transistor puede funcionar m�s r�pido. La tabla indica que el germanio es un
material mejor que el silicio a este respecto. Sin embargo, el germanio tiene
cuatro grandes deficiencias en comparaci�n con el silicio y arseniuro de galio:

Su temperatura m�xima es limitada.

Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
No puede soportar altas tensiones.
Es menos adecuado para la fabricaci�n de circuitos integrados.
Debido a que la movilidad de los electrones es m�s alta que la movilidad de los
huecos para todos los materiales semiconductores, un transistor bipolar n-p-n dado
tiende a ser m�s r�pido que un transistor equivalente p-n-p. El arseniuro de galio
tiene el valor m�s alto de movilidad de electrones de los tres semiconductores. Es
por esta raz�n que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia. Un transistor FET
de desarrollo relativamente reciente, el transistor de alta movilidad de electrones
(HEMT), tiene una heteroestructura (uni�n entre diferentes materiales
semiconductores) de arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)-arseniuro de galio (GaAs),
que tiene el doble de la movilidad de los electrones que una uni�n de barrera GaAs-
metal. Debido a su alta velocidad y bajo nivel de ruido, los HEMT se utilizan en
los receptores de sat�lite que trabajan a frecuencias en torno a los 12 GHz. Los
HEMT basados en nitruro de galio y nitruro de galio aluminio (AlGaN/GaN HEMT)
proporcionan una movilidad de los electrones a�n mayor y se est�n desarrollando
para diversas aplicaciones.

Los valores de la columna de M�ximo valor de temperatura de la uni�n han sido

tomados a partir de las hojas de datos de varios fabricantes. Esta temperatura no
debe ser excedida o el transistor puede da�arse.

Los datos de la fila Al-Si de la tabla se refieren a los diodos de barrera de

metal-semiconductor de alta velocidad (de aluminio-silicio), conocidos com�nmente
como diodos Schottky. Esto est� incluido en la tabla, ya que algunos transistor
IGFET de potencia de silicio tienen un diodo Schottky inverso "par�sito" formado
entre la fuente y el drenaje como parte del proceso de fabricaci�n. Este diodo
puede ser una molestia, pero a veces se utiliza en el circuito del cual forma
parte.

El transistor bipolar como amplificador

El comportamiento del transistor se puede ver como dos diodos (Modelo de Ebers-
Moll), uno entre base y emisor, polarizado en directo y otro diodo entre base y
colector, polarizado en inverso. Esto quiere decir que entre base y emisor
tendremos una tensi�n igual a la tensi�n directa de un diodo, es decir 0,6 a 0,8 V
para un transistor de silicio y unos 0,4 para el germanio.

Lo interesante del dispositivo es que en el colector tendremos una corriente

proporcional a la corriente de base: IC = � IB, es decir, ganancia de corriente
cuando �>1. Para transistores normales de se�al, � var�a entre 100 y 300. Existen
tres configuraciones para el amplificador transistorizado: emisor com�n, base com�n
y colector com�n.

Emisor com�n

Emisor com�n.
La se�al se aplica a la base del transistor y se extrae por el colector. El emisor
se conecta al punto de tierra (masa) que ser� com�n, tanto de la se�al de entrada
como para la de salida. En esta configuraci�n, existe ganancia tanto de tensi�n
como de corriente. Para lograr la estabilizaci�n de la etapa ante las variaciones
de la se�al, se dispone de una resistencia de emisor, (RE) y para frecuencias
bajas, la impedancia de salida se aproxima a RC. La ganancia de tensi�n se expresa:

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}} {\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}

{R_{E}}}}

El signo negativo, indica que la se�al de salida est� invertida con respecto a la
se�al de entrada.

Si el emisor est� conectado directamente a masa, la ganancia queda expresada de la

siguiente forma:

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{R_{e}}}} {\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}

{R_{e}}}}

Como la base est� conectada al emisor por un diodo polarizado en directo, entre
ellos se puede suponer que existe una tensi�n constante, denominada {\displaystyle
V_{BE}} {\displaystyle V_{BE}} y que el valor de la ganancia (�) es constante. Del
gr�fico adjunto, se deduce que la tensi�n de emisor es:

{\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}} {\displaystyle V_{E}=V_{B}-V_{BE}}

Y la corriente de emisor:

{\displaystyle I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}

{\displaystyle I_{E}={\frac {V_{E}}{R_{E}}}={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}}.

La corriente de emisor es igual a la de colector m�s la de base:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}

{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}I_{E}&=I_{C}+I_{B}\\&=I_{C}+{\frac {I_{C}}
{\beta }}\\&=I_{C}\left(1+{\frac {1}{\beta }}\right)\\\end{aligned}}}

Despejando la corriente de colector:

{\displaystyle I_{C}={\frac {I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}} {\displaystyle

I_{C}={\frac {I_{E}}{1+{\frac {1}{\beta }}}}}

La tensi�n de salida, que es la de colector se calcula as�:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac
{I_{E}}{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-I_{C}R_{C}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\frac {I_{E}}
{1+\displaystyle {\frac {1}{\beta }}}}\end{aligned}}}

Como � >> 1, se puede aproximar:

{\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1} {\displaystyle 1+{\frac {1}{\beta }}=1}

y, entonces es posible calcular la tensi�n de colector como:

{\displaystyle {\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}
{\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}
{R_{E}}}{\bigg )}-R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}V_{C}&=V_{CC}-R_{C}I_{E}\\&=V_{CC}-R_{C}*{\bigg (}{\frac {V_{B}-
V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}\\&={\bigg (}V_{CC}+R_{C}{\frac {V_{BE}}{R_{E}}}{\bigg )}-
R_{C}{\frac {V_{B}}{R_{E}}}\end{aligned}}}

La parte entre par�ntesis es constante (no depende de la se�al de entrada), y la

restante expresa la se�al de salida. El signo negativo indica que la se�al de
salida est� desfasada 180� respecto a la de entrada.

Finalmente, la ganancia es expresada como:

{\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}{V_{B}}}\\&=-{\frac {R_{C}}

{R_{E}}}\end{aligned}}} {\displaystyle {\begin{aligned}G_{V}&={\frac {V_{C}}
{V_{B}}}\\&=-{\frac {R_{C}}{R_{E}}}\end{aligned}}}

La corriente de entrada, {\displaystyle I_{B}={\frac {I_{E}}{1+\beta }}}

{\displaystyle I_{B}={\frac {I_{E}}{1+\beta }}}, si {\displaystyle \beta >>1}
{\displaystyle \beta >>1} puede expresarse como sigue:

{\displaystyle {\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}

{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}} {\displaystyle
{\begin{aligned}I_{B}&={\frac {I_{E}}{\beta }}\\&={\frac {V_{E}}
{R_{E}\beta }}\\&={\frac {V_{B}-V_{BE}}{R_{E}\beta }}\end{aligned}}}

Suponiendo que {\displaystyle V_{B}>>V_{BE}} {\displaystyle V_{B}>>V_{BE}}, podemos

escribir:

{\displaystyle I_{B}={\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}} {\displaystyle I_{B}={\frac

{V_{B}}{R_{E}\beta }}}

Al dividir la tensi�n y corriente en la base, la impedancia o resistencia de

entrada queda como:

{\displaystyle {\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}

{\displaystyle {\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}
{\displaystyle {\begin{aligned}Z_{in}&={\frac {V_{B}}{I_{B}}}\\&={\frac {V_{B}}
{\displaystyle {\frac {V_{B}}{R_{E}\beta }}}}\\&=R_{E}\beta \end{aligned}}}

Para tener en cuenta la influencia de frecuencia se deben utilizar modelos de

transistor m�s elaborados. Es muy frecuente usar el modelo en pi.

Dise�o de una etapa en configuraci�n emisor com�n

Recta de carga de un transistor en configuraci�n de emisor com�n

Amplificador de emisor com�n

Recta de carga

Esta recta se traza sobre las curvas caracter�sticas de un transistor que

proporciona el fabricante. Los puntos para el trazado de la misma son:
{\displaystyle Ic={\frac {Vcc}{Rc+Re}}} {\displaystyle Ic={\frac {Vcc}{Rc+Re}}} y
la tensi�n de la fuente de alimentaci�n {\displaystyle Vcc} {\displaystyle Vcc}
En los extremos de la misma, se observan las zonas de corte y de saturaci�n, que
tienen utilidad cuando el transistor act�a como interruptor. Conmutar� entre ambos
estados de acuerdo a la polarizaci�n de la base.

La elecci�n del punto Q, es fundamental para una correcta polarizaci�n. Un criterio

extendido es el de adoptar {\displaystyle Vce={\frac {Vcc}{2}}} {\displaystyle
Vce={\frac {Vcc}{2}}}, si el circuito no posee {\displaystyle Re} {\displaystyle
Re}. De contar con {\displaystyle Re} {\displaystyle Re} como es el caso del
circuito a considerar, el valor de {\displaystyle Vce} {\displaystyle Vce} se
medir� desde el colector a masa.

El punto Q, se mantiene est�tico mientras la base del transistor no reciba una

se�al.

Ejercicio

Procederemos a determinar los valores de {\displaystyle

Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\ Gv} {\displaystyle Rc(R3),Re(R4),R1,R2,Zin,Zo\,y\
Gv}

Datos: {\displaystyle Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100} {\displaystyle

Vcc=20V,Icq=10mA,Vceq=8V,\beta =100}

{\displaystyle V_{E}={\frac {1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V} {\displaystyle

V_{E}={\frac {1}{10}}V_{CC}={\frac {1}{10}}20=2V}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac

{V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}{10mA}}=200\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb
{R} } _{E}={\frac {V_{E}}{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{E}}{I_{C}}}={\frac {2V}
{10mA}}=200\Omega }

Esta aproximaci�n se admite porque {\displaystyle \beta \gg 10} {\displaystyle

\beta \gg 10}

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-

V_{CE}-V_{E}}{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega } {\displaystyle \mathbf
{\mathbb {R} } _{C}={\frac {V_{RC}}{I_{C}}}={\frac {V_{CC}-V_{CE}-V_{E}}
{I_{C}}}={\frac {20V-8V-2V}{10mA}}=1K\Omega }

{\displaystyle V_{B}=V_{BE}+V_{E}=0.7V+2V=2.7V} {\displaystyle V_{B}=V_{BE}

+V_{E}=0.7V+2V=2.7V}

Para que el circuito opere en una zona de eficacia, la corriente a trav�s del
divisor de voltaje {\displaystyle R_{1}} {\displaystyle R_{1}} y {\displaystyle
R_{2}} {\displaystyle R_{2}}, debe ser mucho mayor que la corriente de base; como
m�nimo en una relaci�n 10:1

{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq {\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}

{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 2\leq
{\frac {1}{10}}\beta {R_{E}}={\frac {1}{10}}(100)(0.2K\Omega )=2k\Omega }

{\displaystyle V_{B}={\frac {R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}} {\displaystyle

V_{B}={\frac {R_{2}}{R_{1}+R_{2}}}V_{CC}} utilizando el valor de {\displaystyle
V_{B}} {\displaystyle V_{B}} obtenido anteriormente

{\displaystyle V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}}

{\displaystyle V_{B}=2.7V={\frac {(2k\Omega )(20V)}{R_{1}+2k\Omega }}}
{\displaystyle \quad \therefore \quad } {\displaystyle \quad \therefore \quad }
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 1={\frac {(2k\Omega )(20V)}{2.7V}}-
(2k\Omega )=12.8k\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb {R} } 1={\frac {(2k\Omega
)(20V)}{2.7V}}-(2k\Omega )=12.8k\Omega }

La resistencia din�mica del diodo en la juntura del emisor {\displaystyle r_{e}}

{\displaystyle r_{e}}, se calcula tomando el valor del voltaje t�rmico en la misma,
y est� dado por: {\displaystyle r_{e}={\frac {V_{T}}{I_{E}}}\approxeq {\frac
{V_{T}}{I_{C}}}={\frac {26mV}{10mA}}=2.6\Omega } {\displaystyle r_{e}={\frac
{V_{T}}{I_{E}}}\approxeq {\frac {V_{T}}{I_{C}}}={\frac {26mV}{10mA}}=2.6\Omega }

Con este valor, se procede a calcular la ganancia de voltaje de la etapa;

{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}
{\displaystyle G_{V}=-{\frac {R_{C}}{r_{e}}}=-{\frac {1K\Omega }{2.6\Omega }}=-385}

No se toma en cuenta {\displaystyle R_{E}} {\displaystyle R_{E}} ya que el emisor

se encuentra a nivel de masa para la se�al por medio de {\displaystyle C_{E}}
{\displaystyle C_{E}}, que en el esquema se muestra como {\displaystyle C_{3}}
{\displaystyle C_{3}}; entonces, la impedancia de salida {\displaystyle Z_{O}}
{\displaystyle Z_{O}}, toma el valor de {\displaystyle R_{C}} {\displaystyle R_{C}}
si el transistor no tiene carga. Si se considera la carga {\displaystyle R_{L}}
{\displaystyle R_{L}}, {\displaystyle Z_{O}} {\displaystyle Z_{O}} se determina por
{\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{C}}}+{\frac {1}
{R_{L}}}}}} {\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}
{R_{C}}}+{\frac {1}{R_{L}}}}}} considerando que {\displaystyle R_{L}}
{\displaystyle R_{L}} tiene el valor {\displaystyle 5K\Omega } {\displaystyle
5K\Omega }, {\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}
{1K\Omega }}+{\frac {1}{5K\Omega }}}}=830\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb
{Z} } _{O}={\frac {1}{{\frac {1}{1K\Omega }}+{\frac {1}{5K\Omega }}}}=830\Omega }

Al considerar la {\displaystyle R_{L}} {\displaystyle R_{L}}, la ganancia de

tensi�n se ve modificada: {\displaystyle G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-
319} {\displaystyle G_{V}=-{\frac {830\Omega }{2.6\Omega }}=-319}

La impedancia de entrada en la base del transistor para el ejemplo, est� dada por
{\displaystyle Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega } {\displaystyle
Z_{b}=r_{e}\beta =(2.6)(100)=260\Omega }

Mientras que la impedancia de entrada a la etapa, se determina: {\displaystyle

\mathbf {\mathbb {Z} } _{i}={\frac {1}{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac
{1}{Z_{b}}}}}={\frac {1}{{\frac {1}{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac
{1}{260\Omega }}}}=226\Omega } {\displaystyle \mathbf {\mathbb {Z} } _{i}={\frac
{1}{{\frac {1}{R_{1}}}+{\frac {1}{R_{2}}}+{\frac {1}{Z_{b}}}}}={\frac {1}{{\frac
{1}{12.8k\Omega }}+{\frac {1}{2k\Omega }}+{\frac {1}{260\Omega }}}}=226\Omega }

La reactancia de los capacitores no se ha tenido en cuenta en los c�lculos, porque

se han elegido de una capacidad tal, que su reactancia {\displaystyle
X_{C}\rightarrow 0} {\displaystyle X_{C}\rightarrow 0} en las frecuencias de
se�ales empleadas.

Base com�n

Base com�n
La se�al se aplica al emisor del transistor y se extrae por el colector. La base se
conecta a las masas tanto de la se�al de entrada como a la de salida. En esta
configuraci�n se tiene ganancia solo de tensi�n. La impedancia de entrada es baja y
la ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte de la corriente de
emisor sale por la base. Si a�adimos una resistencia de emisor, que puede ser la
propia impedancia de salida de la fuente de se�al, un an�lisis similar al realizado
en el caso de emisor com�n, da como resultado que la ganancia aproximada es:
 {\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

{\displaystyle {\displaystyle G_{V}={\frac {R_{C}}{R_{E}}}}}

La base com�n se suele utilizar para adaptar fuentes de se�al de baja impedancia de
salida como, por ejemplo, micr�fonos din�micos.

Colector com�n

Colector com�n
La se�al se aplica a la base del transistor y se extrae por el emisor. El colector
se conecta a las masas tanto de la se�al de entrada como a la de salida. En esta
configuraci�n se tiene ganancia de corriente, pero no de tensi�n que es ligeramente
inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta, aproximadamente �+1 veces
la impedancia de carga. Adem�s, la impedancia de salida es baja, aproximadamente �
veces menor que la de la fuente de se�al.

El transistor bipolar frente a la v�lvula termoi�nica

Antes de la aparici�n del transistor, eran usadas las v�lvulas termoi�nicas. Las
v�lvulas tienen caracter�sticas el�ctricas similares a la de los transistores de
efecto campo (FET): la corriente que los atraviesa depende de la tensi�n en el
terminal llamado rejilla. Las razones por las que el transistor reemplaz� a la
v�lvula termoi�nica son varias:

Las v�lvulas necesitan tensiones muy altas, del orden de las centenas de voltios,
que son peligrosas para el ser humano.
Las v�lvulas consumen mucha energ�a, lo que las vuelve particularmente poco �tiles
para el uso con bater�as.
El peso: El chasis necesario para alojar las v�lvulas y los transformadores
requeridos para su funcionamiento sumaban un peso importante, que iba desde algunos
kilos a decenas de kilos.
El tiempo medio entre fallas de las v�lvulas termoi�nicas, el cual es muy corto
comparado con el de los transistores, sobre todo a causa del calor generado.
Retardo en el arranque: Las v�lvulas presentan una cierta demora en comenzar a
funcionar, ya que necesitan estar calientes para establecer la conducci�n.
El efecto microf�nico: Muy frecuente en las v�lvulas a diferencia de los
transistores, que son intr�nsecamente insensibles a �l.
Tama�o: Los transistores son m�s peque�os que las v�lvulas. Aunque existe
unanimidad sobre este punto, conviene hacer una salvedad: en el caso de
dispositivos de potencia, estos deben llevar un disipador, de modo que el tama�o
que se ha de considerar es el del dispositivo (v�lvula o transistor) m�s el del
disipador. Como las v�lvulas pueden funcionar a temperaturas m�s elevadas, la
eficiencia del disipador es mayor en ellas que en los transistores, con lo que
basta un disipador mucho m�s peque�o.
Los transistores trabajan con impedancias bajas, o sea con tensiones reducidas y
corrientes altas; mientras que las v�lvulas presentan impedancias elevadas y por lo
tanto trabajan con altas tensiones y peque�as corrientes.
Costo: Los transistores costaban menos que las v�lvulas, desde su lanzamiento
inicial y se cont� con la promesa de las empresas fabricantes de que su costo
continuar�a bajando (como de hecho ocurri�) con suficiente investigaci�n y
desarrollo.
Como ejemplo de todos estos inconvenientes se puede citar a la primera computadora
digital, llamada ENIAC, la cual pesaba m�s de treinta toneladas y consum�a 200
kilovatios, suficientes para alimentar una peque�a ciudad, a causa de sus
aproximadamente 18 000 v�lvulas, de las cuales algunas se quemaban cada d�a,
necesitando una log�stica y una organizaci�n importantes para mantener este equipo
en funcionamiento.

El transistor bipolar reemplaz� progresivamente a la v�lvula termoi�nica durante la

d�cada de 1950, pero no del todo. En efecto, durante los a�os 1960, algunos
fabricantes siguieron utilizando v�lvulas termoi�nicas en equipos de radio de gama
alta, como Collins y Drake; luego el transistor desplaz� a la v�lvula de los
transmisores pero no del todo en los amplificadores de radiofrecuencia. Otros
fabricantes de instrumentos el�ctricos musicales como Fender, siguieron utilizando
v�lvulas en sus amplificadores de audio para guitarras el�ctricas. Las razones de
la supervivencia de las v�lvulas termoi�nicas son varias:

Falta de linealidad: El transistor no tiene las caracter�sticas de linealidad a

alta potencia de la v�lvula termoi�nica, por lo que no pudo reemplazarla en los
amplificadores de transmisi�n de radio profesionales y de radioaficionados sino
hasta varios a�os despu�s.[cita requerida]
Generaci�n de se�ales arm�nicas: Las se�ales arm�nicas introducidas por la falta de
linealidad de las v�lvulas resultan agradables al o�do humano, como demuestra la
psicoac�stica, por lo que son preferidos por los audi�filos.
Sensibilidad a explosiones nucleares: El transistor es muy sensible a los efectos
electromagn�ticos de las explosiones nucleares, por lo que se siguieron utilizando
v�lvulas termoi�nicas en algunos sistemas de control y comando de aviones caza de
fabricaci�n sovi�tica.[cita requerida]
Manejo de altas potencias: Las v�lvulas son capaces de manejar potencias muy
grandes, a diferencia de la que manejaban los primeros transistores; sin embargo a
trav�s de los a�os se desarrollaron etapas de potencia con m�ltiples transistores
en paralelo capaces de conseguir manejo de potencias mayores.
V�anse tambi�n: V�lvula termoi�nica y Transistor bipolar.