TKY8IS H355 2002 Principios dé Electronica Sexta edicion Albert Paul Malvino West Balley College ‘TRADUCCION: JOSE LUIS ALBA CASTRO Ingeniero de telecomunicacién Universidad de Vigo. Pontevedra CARLOS LOPEZ CORTON Licenciado en Fisica electrénica Universidad de Santiago de Compostela = oy ee UNET-BIBLIOTECA ican EA 1030001155757 : UENOS AIRES + CARACAS * GUATEMALA + LISBOA + MEXICO *ANAMA * SAN JUAN + SANTAFE DE BOGOTA + SANTIAGO * SAO PAULO "AUCKLAND * HAMBURGO * LONDRES « MILAN » MONTREAL » NUEVA DELHI « PARIS ‘SAN FRANCISCO + SIDNEY « SINGAPUR « ST. LOUIS + TOKIO» TORONTOPRINCIPIOS DE ELECTRONICA. Sexta edicién. [No estd permitida la reproduccién otal o parcial de este libro, ni su tratamiento informético, ni la tansmisién de ninguna forma o por cualquier medio, ya sea lecirénico, mecénico, por fotocopia, por registro w otro método, sin el permiso revio y por escrito de los titulares del Copyright DERECHOS RESERVADOS © 2000 respects a Ia sexta edici6n en espafiol por ‘McGRAW-HILLIINTERAMERICANA DE ESPANA, S. A. U. Edificio Valreaity, planta 1* Basauri 17 28023 Aravaca (Madrid) ‘Traducido de la sexta edicign en inglés de ELECTRONIC PRINCIPLES Copyright © 1999, published by arrangement with Glencoe/MeGraw-Hill, ‘School Publishing Company ISBN; 0-02-802833-3, ISBN: 84-481-2568-1 Depésito legal: M. 19.075-2000 Exitora: Esmeralda Mora Cubiert: EDYGE, S.L. Preimpresién: MonoComp, S. A. Impreso en Impresos y Revistas, . A. (IMPRESA) Impreso en Espafa - Printed in SpainA Joanna Mi brillante y hermosa esposa sin quien yo nada seria, Ella me conforta y consuela siempre, nunca se queja ni interfiere en nada, ‘no pide nada y lo da todo, -y ademés escribe mis dedicatorias.Contenido PROLOGO Capitulo1. — INTRODUCCION T-1. Los tes tipos de formulas 1 1-2. Aproximaciones 4 13, Fuentesdetensién 6 1-4, Fuentesdeconiene 9 1-5. Teoremade Thevenin 13. 1-6. TeoremadeNorton 18 1-7. DetecciGn de averfas 22 Capitulo 2. | SEMICONDUCTORES 2-1, Conductores 33 2-2. Semiconductores 35 2-3. Cristales de licio 36 2-4. Semiconductores intrinsecos 39 2-5. Dos tipos de flujo 40 2-6. Dopaje de un semiconductor 4J- 2-7. Dos tipos de semiconductores extrinsecos 42 2-8: El diodo no polarizado 43 2.9. Polarizacién directa 45 2-10. PolarizaciGn inversa 46 2-11, Ruptura 49 2-12. Niveles de energia 50 2-13. La barrera de energia 52 | 2-4, La barrera de potencial y la temperatura 55 2415. Diode con polarizacién inversa 56 Capitulo 3. TEORIA DE LOS DIODOS 3-1. Ideas bésicas 65 3.2. Eldiodo ideal 69 3-3. La segunda aproximacion 72 3-4.. Latercera aproximacin 74 3-5. Deteccién de averias 77 3-6. Anélisis de variables dependientes 79 3-7. Cémoleer luna hoja decaracerfsticas 80 3-8. Cémo calcularlatesistenciaintema $3 3.9. Resistenciaencontinuadeundiodo 83 3-10. Reclasdecarga 85 3-11. Diodos de montaje superficial 86 Capitulo 4. CIRCUITOS CON DIODOS 41. Rectificador de media onda 95 42, Eltransformador 100 43. EL rectificador de onda completa 102 44. El puente rectficador 106 45, Elfiltwde chogue 110 46. Elfilto.con condensador ala entrada 113, 4.7. Tensi6n inversa de pico y coriente inicial 12 4-8. -Més sobre fuentes de xiii 33 65vill CONTENIDO alimentacién 124 4-9, Deteccién de averias 128 4-10. Limitadores de nivel de continua 137 4-11. El cambiadot de nivel de continua 137 4-12, Multiplicadores de tensién 140 Capitulo 5. DIODOS DE PROPOSITO ESPECIFICO 5-1. Eldiodo zener 155 5-2. El regulador zener con carga 159 5-3. Segunda aproximacién de un diodo zener 165 5-4. Punto limite de funcionamiento en la zona zener 169 5-5. COmo leer una hoja de caracteristicas 172 5-6, DetecciGn de averias 174 5-7. Rectas de carga 177 5-8. Dispositivos optoeléctricos 177 5-9. El diodo Schottky 185 5-10. Elvaricap 189 5-11 Otros diodos 197 Capitulo 6. | TRANSISTORES BIPOLARES 6-1. Eliransisior sin polarizacién 203 6-2. El transistor polarizado 205 6-3. Corrientes en un transistor 207 6-4. Laconexién en EC 210 6-5. Curva caracteristica de entrada 2/2. 646. Curva caracteristica de salida 2/3 6-7. Aproximaciones de los ransistores 219 6-8. Cémo leer la hoja de caracteristicas 224 69, Deteccidn de averfas 228 Capitulo 7. | FUNDAMENTOS DE LOS TRANSISTORES 7-1. Variaciones de la ganancia de coriente 237 7-2. La recta de carga 239 7-3. El punto de trabajo 245 7-8. Cémo reconocer la saturaci6n 2487-5. El transistor en conmutacién 252 7.6. Polarizacién de emisor 254 7-7. Excitadores para los LED 258 7-8. El efecto de pequefios cambios 267 7-9. Deteccién de averias 262 7-10. Mas dispositivos optoelectrénicos 265 7-11. Transistores en montaje superficial 268 Capitulo 8. | POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES 8-1. Polarizacién por divisor de tension 277 8-2. Anilisis exacto de la polarizacién por divisor de tensién 280 8-3, Recta de carga y punto Q para el circuito de polarizacién por division de tensién 28384. Polarizacién de emisor con dos fuentes de alimentacién 285 8-5. Otros tipos de polarizacién 288 8-6. Deteccién de averfas 291 8-7. Transistores pnp 293 Capitulo 9. MODELOS EQUIVALENTES PARA SENAL 9-1, Loses tipos de férmulas 303 9-2. Amplificador con polarizacién de emisor 309 9-3. Funcionamiento para pequetia sefial 312 9-4, Ganancia para sefial 3/5 9-5. Resistencia para seal del diodo emisor 316 9-6. Dos modelos de transistor 32] 9-7. Cémo analizar tun amplificador 322 9-8. Parimetros para seal en'las hojas de ccaracteristcas . 327 Capitulo 10. AMPLIFICADORES DE TENSION 10-1. Ganancia de tensién 335 10-2. El efecto de carga de la impedancia de entrada 339 10-3. Etapas en cascada 343 104. Amplificador EC con resistencia de emisor sin desacoplar 346 10-5. Realimentacién con dos exapas 352 10-6. Deteccidn de averias 354 155 203 237 277 303Capitulo 11. | AMPLIFICADORES DE POTENCIA 1-1. Clasificacién de los amplificadores 365. 11-2, Dos rectas de carga 369 11-3, Funcionamiento en clase A 374 11-4. Funcionamiento enclase B 380 11-5. Funcionamientoen claseC 387 11-6. Ecuaciones de la clase C385 11-7. Caracteristicas técnicas de un tansistor 392 Capitulo 12. | SEGUIDORES DE EMISOR 12-1, Amplificador en colector comin 407- 12-2. Impedancia de salida 4/4 12-3. Maxima excursion de sefial 4/8 12-4. Conexiones Darlington 423 12-5, Seguidor de emisor en clase Ben contrafase 425 12-6. PolarizaciGn de amplificadores clase B 432 ' 12-7. Excitacién paraun amplificador en clase B 435 12-8. Regulacién de tensién mejorada_ 437 Capitulo13. JFET I3-1, Ideas bésicas 452, 13-2. Caractéristicas de salida 454 13.3, Caracteristicas de transferencia 457 13-4. Polarizacién en la zona shmica 459 13-5. Polarizacién en la zona activa 462 13.6. Transconductancia 469 13-7. Amplificacién con JFET 471 13.8. El interruptor anal6gico con JFET 476 13-9. Ota aplicaciones del JFET 487 13-10, Cémo leer las hojas de caracteristicas 491 Capitulo 14. | MOSFET 14-1, El MOSFET de empobrecimiento 503. 14-2, El MOSFET de enriquecimiento 504 14-3. La zona dhmica 507 14.4. Conmutacién digital 513 14-5, CMOS 517 146. FET de potencia 519 Capitulo 15. —‘ TIRISTORES 15-1. El diodo de cuatro capas 535 15-2. El rectficador controlado de silicio 54] 15-3. EISCR como interruptor 547 15-4. Control de fase mediante un SCR 55/ 15-5. Tiristores bidireccionales 553 15-6. Otros tiristores 557 15-7. Deteccién de averias 559 Capitulo 16. EFECTOS DE LA FRECUENCIA 16-1, Respuesta en frecuencia de un amplificador 568 16-2. Ganancia de potencia en decibelios $74 16-3. Ganancia de tensi6n en decibelios 578 16-4. Adaptaci6n de impedancias 58/ 16-5. Decibelios con referencia 584 16-6. Diagramas de Bode 587 16-7, Mas sobre diagramas de Bode 597 16-8. Elefecto Miller 599 16-9. Relacién tiempo de subida-ancho de banda 603 16-10. Andlisis frecuencial de etapas bipolares 606 16-11, Efectos de la frecuencia en circuitos de montaje superficial 6/0 Capitulo 17. | AMPLIFICADORES DIFERENCIALES 17-1. El amplificador diferencial 620 17-2. Andlisis en continua de un amplificador diferencial 624 17-3. Anilisis en alterna de un amplificador diferencial 629 17-4. Caracteristicas de entrada de un amplificador ‘operacional 637 17-5. Gananciaen modocomiin 646 17-6. Circuitos integrados 650 11-7. Elespejo de coriente 655 17-8. El amplificador diferencial cargado 657 ‘CONTENIDO ix 365 451 503, 535 567 61910 x CONTENIDO Capitulo 18. | AMPLIFICADORES OPERACIONALES 667 18-1. Introduccién a los amplificadores operacionales 667 18-2. El amplificador operacional 741. 670 18-3. El amplificador inversor 682 18-4. El amplificador no inversor 690 18-5. Dos aplicaciones de los amplificadores operacionales 696 18-6. Circuitos integrados lineales 702 18-7. Amplificadores operacionales como dispasitivos en montaje superficial 708 Capitulo 19. | REALIMENTACION NEGATIVA ng 19-1, Cuatro tipos de realimentacién negativa 7/9 19-2. Ganancia de tensién de un VCVS 722 19-3. Otras ecuaciones del V.CVS 725 19-4, El amplificador ICVS 730 19-5. El amplificador VCIS 733 19-6. Elamplificador ICIS 736 19-7. Amcho de banda 738 Capitulo 20. — CIRCUITOS LINEALES CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL 753 20-1. Circuitos con amplificador inversor_ 754 20-2. Circuitos con ificador no inversor 757 - 20-3. Circuitos inversor/no inversor 762 20-4, Amplificadores diferenciales 768 20-5. Amplificadores de instrumentacién 775 20-6. Circuitos con amplificador sumador 781 20-7. Amplificadores de corrientes de corriente 785 20-8. Fuentes de ‘corriente controladas por tensi6n 788 20-9. Control automético de ganancia 793 20-10. Funcionamiento con una sola fuente de alimentacién 797 Capitulo 21. —_ FILTROS ACTIVOS 809 2i-l. Respuesta ideal 809 21-2. Respuestas aproximadas 814 21-3. Filos pasivos 828 21-4. Etapas de primer orden 832 21-5. Filtos paso bajo de segundo orden y ganancia unidad con VCVS 838 21-6. Filtres de orden superior 844 21-7. Filtos paso bajo de componentes iguales con VCVS 848 21-8. Filtros paso alto con VCVS 852 21-9, Filtros paso banda con realimentacién miitiple 855 21-10. Filtros, banda eliminada 867 21-11. El filtro paso todo 863° 21-12. Filtros. bicuadréticos y de variables de estado 868 Capitulo 22. CIRCUITOS NO LINEALES CON AMPLIFICADOR OPERACIONAL 879 ‘Comparadores con punto de conmutacién en cero 880 CComparadores con punto de conmutacién distinto de cero 888 22-3. Comparadores con histéresis 894 22-4. Comparadores de ventana 90/ 22-5. Elintegrador 902 22-6. Convertidores de forma de onda 905 22-7. Generadores de sefial 9// 22-8. Otros ‘generadores de ondas triangulares 913 22-9. Circuitos activos con diodo 915 22-10. Eldiferenciador 920 Capitulo 23. | OSCILADORES 931 23-1, Teoria de los osciladores sinusoidales 932 23-2. El oscilador en puente de Wein 934 23-3, Otros osciladores RC 940 23-4. El coscilador Colpitts 942 23-5. Otros osciladores LC 950 23-6. Cristales de cuarzo 954 23-7. El temporizador 555 959 23-8, Funcionamiento del temporizador 555 en modo astable 966 23-9. Cireuitos conel $55 971 23-10. Bucle enganchado en fase (PLL) 980Capitulo 24. FUENTES DE ALIMENTACION REGULADAS 24-1. Caracterfsticas de las fuentes de alimemtacién 991 24-2. Reguladores en derivacién 995 24-3, Reguladores serie 1002 24-4, Reguladores lineales integrados 10/4 24-5. Amplificacién de la coriente de salida 1023 24-6. Convertidores ee-ee 1025 24-7, Reguladores conmutados 1028 Apéndice A. HOJAS DE CARACTERISTICAS Apéndice B. DESARROLLOS TEMATICOS GLOSARIO i RESPUESTAS A LOS PROBLEMAS IMPARES INDICE CONTENIDO xi 1047 1073, 1079 1093 109913 Prélogo Einstein dijo una vez: «Haz las cosas tan simples comio sea posible pero no dema- siado sencillas». Sin duda, al hacer esta afirmacién, tenia en mente a los autores de Jos libros de texto, Muchos libros de texto sobrepasan su propésito, complicando las cosas en exces0; otros, en cambio, simplifican demasiado el material, ofteciendo explicaciones superficiales. Sé6lo unos pocos libros se encuentran en el estrecho ‘umbral que separa la saturacién del lector de su sensacién de perder el tiempo. En ri opinién, este libro se encuentra entre estos tltimos. Principios de Electrénica esta orientado a estudiantes de primer curso de elec- trénica anal6gica. Es fundamental para sacar partido de este libro purtir de unas nociones bisicas sobre las redes de circuitos, élgebra y trigonometria, En esta sexta edicién, Principios de Electrénica incorpora una visin extendida de los amplifica- dores operacionales, asi como nuevas caracteristicas en un disefo dinémico y mane- jable. ‘Debido a la naturaleza introductoria de! material, la primera mitad de esta nueva edicin es similar a las ediciones anteriores, excepto por la eliminacién de material ‘obsoleto, La segunda mitad del libro, sin embargo, ha sido revisada en profundidad hoy dfa. Algunos de los cambios més significativos son los siguientes: 1, Los capitulos sobre FET han sido reorganizados y reescritos, y profundizan mds en los FET de potencia. 2. Enlos capitulos de amplificadores se ha incluido mucho material nuevo y ‘muchos més cireuitos. 3. Un capitulo nuevo sobre filtros activos cubre las cinco aproximaciones utili- zadas ampliamente en la industri. 4, Se ha ampliado enormemente la parte dedicada a los comparadores y tem- porizadores 555. 5. El capitulo sobre fuentes de alimentacién ofrece material nuevo relaciona- do con los reguladores conmutados en paralelo y en serie. En resumen, se ha realizado una revisin muy extensa y actualizada. Ademés de atender al contenido, he trabajado para ofrecer explicaciones féciles de entender, pero nunca excesivamente simples, Se han aiadido preguntas de entrevista de waba- joal final de cada capitulo para ofrecer al estudiante una idea de Tos conocimientos, ¥ habilidades requeridos por las personas que se dispongan a contratarles. Asimis-xiv PREFACIO 14 ‘mo, existe una pégina Web cuya direccién es http://malvino.com. En la pégina frontal de Malvino Inc., marque en Electronic Principles, Sixth Edition, y en la siguiente pégina web, marque en el Chap correspondiente al capitulo que quiera consultar y siga las instrucciones. Agradecimientos “Me gustaria agradecer a las personas que respondieron a la encuesta que se envié antes de la revisién de este libro. Sus comentarios y sugerencias supusieron una valiosa ayuda para convertir'un buen libro en otro atin mejor. Quisiera también ‘mostrar mi agradecimiento alos revisores que aparecen nombrados a continuacién, ue examinaron a relevancia técnica y precisin de cada frase, ejemplo y problem: Jack Berger John Magana ITT Technical Institute ITT Technical Institute Spokane, WA Greenville, SC Richard Burchell William Maxwell ITT Technical Institute Nashville State Technical Institute Portland, OR Nashville, TN Charles J. Eckard John J. Ortolano ITT Technical Institute ITT Technical Institute Bothell, WA Geuville, NY Felix N. Green Joseph Pruitt, ITT Technical Institute ITT Technical Institute San Diego, CA ‘Maitland, FL Eric Harwell Gregg Richley ITT Technical Institute ‘Ajax Magnethermic Grand Rapids, MI ‘Struthers, OH Douglas G. Herbert John Ryan ITT Technical Institute TTT Technical Institute ‘Strongsville, OH Knoxville, TN William M. Hessmiller Dan Siddall Technical Training Associates SCP Global Technologies Dunmore, PA Boise, ID Michael L. Holcombe Kent Walker ITT Technical Institute ITT Technical Institute ‘Aurora, CO Fort Wayne, IN Por sitimo, me gustaria dar las gracias especialmente al consultor Richard Bur- chell, del ITT Technical Institute en Portland, Oregén. Su perspectiva y orientacién ‘me ayud6 enormemente a encontar la direccién correcta para esta nueva edicién, ALBERT PAUL MALVINO15 es Gorrecta 1/2 eo ‘en lugar de forimulas:exactas, En este capitulo se van a estudiar los distintos tipos de férmulas, de fuentes de tensién, de fuentes de corriente ¥y dos teoremas para resolver circuites. Aunque parte de la exposicién constituye un repaso, ‘se encontrarén varias ideas nuevas que facilitardn la comprensién de los dispositivos ‘semiconductores. LOS TRES TIPOS DE FORMULAS 41 ‘Una f6rmula es una regla que relaciona cantidadés, ya sea mediante una ecuacién, una desigualdad u otra descripeién matemética. Se encontrar muchas formulas en este texto. A menos que se sepa por qué cada una es correcta, se puede llegar a confundir a medida que se acumulan. Afortuna- damente, s6lo existen tres formas en las que las férmulas puedan expresarse; conociéndolas, el estudio de la electrénica se hard mucho més sencillo. Q La definicion Cuando se estudia electricidad y electrénica se han de memorizar nuevas palabras como, por ejemplo, corriente, tensiGn y resistencia. Sin embargo,2 16 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA una explicacién verbal de las mismas no es suficiente, ya que en el caso de la comriente la idea que se tiene debe ser matematicamente idéntica a la de cualquier otra persona. La tinica manera de obtener esta identidad es con una definici6n, una formula inventada para un nuevo concepto. Si se toma como ejemplo la definicién de capacidad, se tiene que ésta es igual a la carga de una placa dividida por la tensi6n entre las placas de un condensador. La férmula es la siguiente: Esta formula es una definicién. Dice qué capacidad tiene C y cémo calcular- la. En el pasado, algunos investigadores idearon esta definicién y leg6 a ser ampliamente aceptada. ‘Aguf hay un ejemplo de cuél es la manera de crear una nueva definicién a partir de cero. Se supone que estamos investigando técnicas de lectura y se necesita medir la velocidad de lectura. Para empezar, se podria definir a velocidad de lectura como el niimero de palabras que se len en un minuto. Siel nimero de palabras es W y el niimero de minutos es M, podemos crear una férmula como ésta: En esta ecuacién, S es la medida de velocidad en palabras por minuto. Para ser creativo podemos utilizar letras griegas: c para palabras, u para minutos y o-para velocidad. Nuestra definicién entonces quedaria asi @ ° # Esta ecuacién se sigue traduciendo como la velocidad es igual alas palabras divididas por minutos. En resumen, las definiciones son formulas que crean los investigadores, basadas en observaciones cientificas y que forman las bases para el estudio de la electrénica. Son aceptadas simplemente como hechos. Siempre se ha hecho en la ciencia: una definicién es verdadera en el mismo sentido que tuna palabra es verdadera; cada una representa algo de lo que queremos ha~ blar. Cuando sabemos qué f6rmulas son definiciones, la electrénica es facil de entender. Como las definiciones son puntos de partida, todo lo que se necesita hacer es entenderlas y memorizarlas. Q Laley Una ley es diferente a lo estudiado en el apartado anterior, ya que sintetiza una relacién ya existente en la naturaleza. Aqui tenemos un ejemplo de una ley: = Kam fk =7 donde: f= fuerza K = constante de proporcionalidad, 9(10°) , = primera carga Qz = segunda carga dd = distancia entre cargas ‘Aguf tenemos la ley de Coulomb: la fuerza de atraccién 0 repulsion ‘entre dos cargas es directamente proporcional a ta carga e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia entre ellas. ta es una ecuacién importante porque es la base de la electricidad. Pero ;de dénde procede? Y ;por qué es cierta? Para empezar, todas las, variables en esta ley existfan’ antes de ser descubiertas. Experimentando, Coulomb fue capaz de demostrar que la fuerza era directamente proporcio- nal al valor de cada carga e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia que las separa. La ley de Coulomb es un ejemplo de una relacién {que existe en la naturaleza. Aunque investigadores anteriores pudieron me- dir f; Qi. Qs y d, Coulomb descubrié la ley relacionando las cantidades y escribié la formula para ello. ‘Antes de descubtir una ley, alguien debe tener el presentimiento de que tal relacién existe. Después de unos cuantos experimentos, el investigador escribe la formula que resume el descubrimiento. Cuando suficientes perso- ‘nas confirman el descubrimiento a través de experimentos, dicha férmula se convierte en una ley. Una ley es verdadera porque se puede verificar con un experimento. : Q Laderivacion Dada una ecuacién como la siguiente: yee se puede sumar 5 a ambos miembros para obtener: yrSa3x+5 La nueva-ecuacién es cierta, ya que ambos lados siguen siendo iguales. Existen otras muchas operaciones mateméticas, como la resta, la multiplica- ci6n, la divisin, la factorizacién y la sustituci6n, que preservan la igualdad ‘a ambos lados de la ecuaci6n. Por esta raz6n, es posible derivar muchas, otras férmulas. ‘Una derivacin es una formula que se puede obtener a partir de otras, Jo que significa que se comienza con una 0 més formulas y, empleando las, distintas operaciones mateméticas, se llega a una nueva que no estaba en el conjunto original. Una derivacién es verdadera porque mateméticamente preserva la igualdad de ambos lados de cada ecuacién entre la formul: cial y la derivada, : Por ejemplo, Ohm experimentaba con conductores. Descubrié que la relacién entre la tensién y la corriente era constante y nombr6 a esta cons tante resistencia, y escribié la siguiente ecuacién para ella: INTRODUCCION 34 18 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Esta es la forma original de la ley de Ohm. Al reordenarla, obtenemos: que es una derivacién. Es la forma original de la ley de Ohm convertida en otra ecuacién. Este es otro ejemplo. La definicién para capacidad viene dada por la expresién: Podemos multiplicar ambos lados por V para legar a una nueva ecuacién: Q=cv Esta es una nueva derivacién; dice que la carga en un condensador es igual a su capacidad multiplicada por la tensién que lo atraviesa. Para recordar {Por qué una férmula es verdadera? Hay tres posibles respuestas. Para asen- {ar bien sus fundamentos electrénicos, clasifique cada nueva formula en una de estas tres categorias: ‘ Definicién: una formula inventada para un nuevo concepto. Ley: una formula para una relacién de la naturaleza. * Detivacién: una formula producida matemdticamente, 1 APROXIMACIONES En la vida cotidiana se usan aproximaciones continuamente. Si alguien te pregunta la edad, puedes contestar 21 (ideal); 0 podrias decir 21 para 22 (Gegunda aproximacién); 0, quizés, 21 afios y nueve meses (tercera aproxi- macién); 0, si quieres ser mas preciso, 21 afios, nueve meses, 2 dias, 6 horas, 23 minutos y 42 segundos (exacto). El ejemplo anterior ilustra los diferentes niveles de aproximacién: una aproximaci6n ideal, una segunda aproximacién, una tercera aproximacién y una respuesta exacta. La aproximacién que se debe usar depende de cada situacién. Lo mismo se aplica en la electrénica. En andlisis de circuitos, es necesario elegir una aproximacién que se ajuste a la situacién. G La aproximacion ideal gSabias que un cable AWG 22 de unos 33 cm que esté a 2,4 cm de un chasis, tiene una resistencia de 0,016 ©, una inductancia de 0,24 WH y una capaci- dad de 3,3 pF? Si tuviésemos que incluir los efectos de la resistencia, la inductancia y la capacidad en cada célculo de la.corriente, empleariamos19 una cantidad enorme de tiempo en realizarlo. Esta es la razén por la que todo el mundo ignora las tres variables anteriores de los cables de conexién en la mayoria de las ocasiones. La aproximacién ideal (algunas veces llamada la primera aproxima- cién) de un dispositive es el circuito equivalente mds simple de ese disposi- tivo. En el caso de un cable de conexién, la aproximacién es un conductor de resistencia cero. La aproximacién ideal es adecuada para los trabajos coti- ~ dianos de electrénica. La excepcién se produce cuando se trabaja en frecuencias altas, donde se tienen que considerar las capacitancias y las inductancias del cable. Su- péngase que un cable de 2,4 cm tiene una inductancia de 0,24 WH y una capacidad de 3,3 pF. A 10 MHz, la reactancia inductiva es 15,1 9 y la reactancia capacitiva es 4,82 k®. Como se puede observar, un disefiador de circuitos ya no puede idealizar un segmento de cable, porque dependiendo del resto del circuito, las inductancias y reactancias capacitivas del mismo pueden llegar a ser importantes. ‘Como norma general, es posible hacer una aproximacién ideal en un segmento de cable a frecuencias inferiores a 1 MHz, lo que no significa que se pueda descuidar el cableado. En general, se deben hacer los cables de conexién tan cortos como sea factible, porque én algsin puntoen la escala de frecuencias, és0s cables empezaran a degradar el funcionamiento del circuito. ‘Cuando se estén detectando averfas, normalmente es adecuada la aproxi- ‘macién ideal, porque se buscan grandes desviaciones de las tensiones y de las corrientes normales. En este texto se hace una aproximaciGn ideal a los. dispositivos semiconductores reduciéndolos a circuitos equivalentes sim- ples, ya que, con dichas aproximaciones, es més sencillo analizar y entender cémo funcionan los circuitos de semiconductores. Q La segunda aproximacién La aproximacién ideal de una pila de linterna es una fuente de tensién de 1,5 V. La segunda aproximaci6n aflade uno 0 mds componentes a la apro- ximacién ideal. Por ejemplo, 1a segunda aproximacién de una pila de linterna es una fuente de tensién de 1,5 V en serie con una resistencia de 1 ©. Esta resisten- cia en serie se denomina resistencia de fuente 0 interna de la pila. Si la resistencia de carga es menor que 10 ©, la tensiGn en la carga seré notable~ ‘mente menor que 1,5 V a causa de la caida de tensién en la resistencia de fuente. En este caso, un célculo preciso debe incluir la resistencia de fuente. Q La tercera aproximacién y siguientes La tercera aproximacién incluye otro componente en el circuito equiva- lente del dispositivo. En el Capftulo 3 se ofrece un ejemplo de la misma ‘cuando se presenten los diodos semiconductores. Es posible realizar aproximaciones incluso superiores con muchos com- ponentes en el circuito equivalente de un dispositivo. Los célculos a mano se hacen muy complicados si se usan estas aproximaciones, por lo que normal INTRODUCCION s20 6 _PRINCIPIOS DE ELECTRONICA mente se emplean programas de ordenador como, por ejemplo, Electronics Workbench (abreviado EWB), que es un programa comercial que usa apro- ximaciones superiores para analizar circuitos semiconductores. En numero- sos ejemplos de este libro nos hemos servido de EWB para obtener respues- tas casi exactas. Q Conctusion La aproximacién a emplear depende de lo que'se esté intentando hacer. Si se estén detectando averfas, la aproximacién mas adecuada es la ideal. Para muchas situaciones, la segunda aproximacién es la mejor eleccién porque es fécil de utilizar y no requiere un ordenador. Para aproximaciones superiores se deberfa usar un ordenador y un programa como EWB. 1 FUENTES DE TENSION Una fuente ideal de tensién continua produce una tensién de salida que es * constante. El ejemplo més sencillo de una fuente ideal de tensién es una bateria perfecta cuya resistencia interna vale cero. La Figura 1-1a muestra un circuito diseiiado por ordenador usando EWB. Como se puede observar, una fuente ideal de tensi6n se conecta a una resistencia de carga de 1 ©. El voltimetro marca 10 V, exactamente lo mismo que la fuente de tensién. La Figura 1-10 presenta una gréfica de la tensi6n en la carga en funci6n de la resistencia de carga. Si se analiza dicha gréfica, la tensién en la carga permanece fija a 10 V cuando la resistencia de carga cambia de 12a 1 MQ voltage (V) 100 tes00¢—e+006 RL Resistance (ohms) @ C) Figura 1-1. a) Fuente ideal de tensi6n y resistencia de carga de 1 Q. b) La tensiGn en la carga es constante ‘para todas las resistencias de carga.21 INTRODUCCION 7 (lo mismo que 1e + 006). Es decir, una fuente ideal de tensién continua produce una tensidn en la carga constante, independientemente de lo peque- fia o grande que sea la resistencia de carga. Con una fuente de tensién ideal, s6lo Ta corriente por la carga cambia con la resistencia de carga. Q Segunda aproximacién Una fuente ideal de tensién es un dispositive teérico; no puede existir en Ia naturaleza. {Por qué? Cuando la resistencia de carga tiende a cero, la co- riente por la carga tenderd atinfinito. Ninguna fuente real de tensién puede producir una corriente infinita, ya que toda fuente real de tensién tiene cierta resistencia interna. La segunda aproximacién de una fuente de tensién conti- nua incluye la resistencia de carga. La Figura 1-2a ilustra esta idea. Una resistencia de fuente R; de | Qesté ‘ahora en serie con una bateria ideal. El voltimetro indica 5 V, debido a que la corriente por la carga es 10 V dividido por 2 0, 05 A. Cuando 5 A pasan fa través de la resistencia de fuente de 1 9, produce una caida interna de tensiOn de 5 V. Esta es la raz6n de que la tensién en la carga sea sélo la mitad del valor ideal, con la otra mitad cayendo a través de la resistencia interna. ‘La Figura 1-2b muestra la gréfica EWB de la tensi6n en la carga en funcién de la resistencia de carga. En este caso, la tensin en la carga no se acerca al valor ideal hasta que la resistencia de carga es mucho mayor que la resistencia de fuente. Pero ,qué significa mucho mayor? © lo que es lo mismo, ;cudndo podemos ignorar la resistencia de carga? voltage (V) 100 ie+00s —1e+006 RL Resistance (ohns) a 1 Figura 1-2. a) La segunda aproximacién incluye a la resistencia de fuente; b) la tensi6n en la carga es constante ‘para resistencias de carga grandes.22 8 _PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Figura 1-3. Las regiones de tensién consiante se dan ‘cuando la resistencia de carga es suficientemente ‘grande. Fuente de tensién constante Ahora es el momento en que una nueva definicién resultarfa til. Asf pues, inventemos una. Se ignorard la resistencia interna de la fuente cuando sea al menos 100 veces menor que la resistencia de carga. Cualquier fuente que satisfaga esta condicién recibe el nombre de fuente de tensién constante. Mateméticamente se expresa de la forma siguiente: Fuente de tensiGn constante: Rs < 0,01R, (el) Esta formula define lo que identificamos por una fuente de tensién cons- tante. El limite de la desigualdad (doride < se cambia por =) nos da la si- guiente ecuacién: Rs = 0,01R, Resolviendo para la resistencia de carga se tiene a mfnima resistencia de carga que se puede usar manteniendo todavia una fuente constante: Rueminy = 1OORs (1-2) Es decir, la minima resistencia de carga es igual a 100 veces la resisten- cia de fuente. La Ecuaci6n (1-2) es una derivacién. Se ha empezado con la definicién de una fuente de tensién constante y se ha operado para obtener la minima resistencia de carga permitida con una fuente de tensién constante. Mientras que la resistencia de carga sea mayor que 100Rz, Ia fuente de tensién es constante; cuando la resistencia de carga iguala el valor, el error de célculo resultante de ignorar la resistencia de fuente es 1 por 100, suficientemente pequefio para desestimarlo en una segunda aproximacién. La Figura 1-3 muestra el gréfico de una fuente de tensién constante. La resistencia de carga tiene que ser mayor que 100Rs para que la fuente de tensiOn sea constante. § 8 ooRs RL Resistance (Chns)23 1-4. FUENTES DE CORRIENTE Una fuente de tensi6n continua genera una tensién en la carga constante para diferentes resistencias. Una fuente de corriente continua es diferente, produce una corriente por la carga constante para diferentes resistencias de carga. Un ejemplo de una fuente de corriente continua es una baterfa con una resistencia de fuente elevada, como se muestra en la Figura 1-4a. En ‘este circuito, la resistencia de fuente es 1 MQ y la corriente por la carga tiene un valor de hep tT RAR, ‘Como R; es 1 ©, en la Figura 1-4a, la corriente por la carga tiene un valor de heey aro Cai Mie G ges En estos célculos, las resistencias de carga pequefias apenas tienen efecto sobre la corriente por la carga. La Figura 1-4b representa el efecto que produce variar la resistencia de carga desde 1 © hasta 1 MQ. En este caso, la corriente por la carga permane- ce constante a 10 A en un margen amplio. S6lo cuando la resistencia de carga es mayor que 10 k® se aprecia una cafda en la corriente por la carga. INTRODUCCION, 910 24 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Re imo R 19 @ 100 1es008 e006 RL Resistance (Ohns) Figura 1-4. a) Simulacién de una fuente de corriente con una fuente de tensién continua y una resistencia grande; ') la corriente por la carga es constante para resistencias de carga peque Q Fuente de corriente constante Aqui viene otra definicién que seré util, especialmente con circuitos semi- conductores. Se ignorard la resistencia de fuente de una fuente de corriente cuando sea al menos 100 veces superior a la resistencia de carga. Cualquier fuente que satisfaga esta condicién es una fuente de corriente constante, ‘Como definicién: Fuente de corriente constante: Rs > 100R, a3) El limite superior es el peor caso: Rs = 100R, Despejando la resistencia de carga se obtiene la méxima resistencia de carga que se puede utilizar teniendo todavia una fuente de corriente constante: Ruins) = 0,01Rs co) Es decir, la maxima resistencia de carga ¢s igual a 1/100 la resistencia de fuente. La Ecuacién (1-4) es una derivacién, porque empezamos con la defini- cin de una fuente de corriente constante y operamos para obtener la maxi-25 Figura 1-5. La regién constante ocurré cuando la resistencia de carga es lo suficientemente pequefia, ma resistericia de carga. Cuando la resistencia de carga iguala este valor, el error de célculo es del 1 por 100, suficientemente pequefio para ser ignorado en una segunda aproximacién. La Figura 1-5 muestra la regin en la que la fuente de corriente es cons- tante, siempre y cuando la resistencia de carga sea menor que 0,01Rs, Q Simbolo eléctrico La Figura 1-6a representa el simbolo eléctrico de una fuente de corriente ideal, 1a cual tiene una resistencia de fuente infinita. Esta aproximaci6n ideal ‘no puede’ existir en la naturaleza, pero sf lo puede hacer matemética- mente. Por tanto, es posible utilizar la fuente de corriente ideal para un andlisis répido de circuitos, como ocurre en detecci6n de averfas. En la figura citada anteriormente se ha representado el sfmbolo de una fuente de corriente. Cuando aparece este simbolo significa que el dispositi- ‘Yo produce una corriente constante [5 Para entender mejor la idea se puede pensar en una fuente de corriente como una bomba que impulsa hacia fuera un niimero fijo de culombios por segundo. Por ello, se escuchan expresiones como: «la fuente de corriente bombea 5 mA a través de una resistencia de carga de 1 KO». La Figura 1-6b muestra la segunda aproximacion. La resistencia intema esté en paralelo con la fuente de corriente ideal, no en serie como ocurrfa en una fuente de tensidn ideal. Ms adelante, en este capitulo, se expondré el teorema de Norton, en el que se estudiard por qué la resistencia interna debe estar en paralelo con la fuente de corriente. La Tabla 1-1 ayuda a entender las diferencias entre una fuente de tensiOn y una fuente de corriente. BXTRODUCCION u12 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA, 26 r ef, @ r) Figura 1-6. o) Simbolo esquemético de una fuente de comiente; b) segunda aproximaci6n de una fuente de corriente Tabla 1-1. Propiedades de las fuentes de tensién y corriente Valores Fuente de tensién Fuente de corrierite Tipicamente baja Mayor que 100R; Constante Depende de R, Tipicamente alta Menor que 0,018, Depende de R, Constante27 : INTRODUCCION 13, Too aetooa — ae+006 RL Reeistance (Ohms) Figura 1-7. Solucién. TEOREMA DE THEVE! De vez en cuando alguien logra un gran adelanto en ingenierfa y nos da a todos un nuevo impulso. Un ingeniero francés, M. L. Thevenin, hizo posible ‘uno de estos saltos cudnticos cuando descubrié el teorema de circuitos que, ‘en su honor, lleva su nombre: el teorema de Thevenin.4 28 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Q Definicion de tension y resistencia Thevenin Un teorema es una afirmacién que se puede probar mateméticamente, hecho que lo diferencia de una definicién o una ley. Asi, lo clasificamos como una derivacién. Recordemos las ideas estudiadas en cursos anteriores acerca del teorema de Thevenin. En la Figura 1-8a, la tensién Thevenin Vzy se define como la tensidn que aparece entre los terminales de la carga cuando se desconecta la resistencia de carga. Debido a esto, la tensién Thevenin se denomina, a veces, tensi6n en circuito abierto. Matemdticamente tenemos: Tensién Thevenin: Viy = Vea as) La resistencia Thevenin es la resistencia que un Shmetro mide a través de los terminales de la carga cuando todas las fuentes se anulan y la resis- tencia de carga se abre (Fig. 1-84): Resistencia Thevenin: Rry = Rea (1-6) Con estas dos definiciones, Thevenin fue capaz de deducir el famoso teore- ma que lleva su nombre. Hay que poner cierta atencién para encontrar la resistencia Thevenin. Anular una fuente tiene diferentes significados para las fuentes de corriente y de tensién. Cuando se anula una fuente de tensién, se reemplaza efectiva- ‘mente por un cortocircuito porque ésa es la forma de garantizar tensiGn cero cuando tuna corriente pasa a través de la fuente de tensiGn, Cuando se anula tuna fuente de corriente, se sustituye efectivamente por un circuito abierto porque es la forma de asegurar corriente cero cuando existe una tensiGn a través de la fuente de corriente. En resumen: * Para anular una fuente de tensién, se reemplaza por un cortocircuito. * Para invalidar una fuente de corriente, se sustituye por un circuito abierto. Figura 1-8. a) La caja negra tiene un circuito lineal en su interior. b) Circuito ‘Thevenin.29 Q La derivaci6n Cudl es el teorema de Thevenin? Si se observa la Figura 1-8a, la caja negra representada en ella puede contener cualquier circuito con fuentes continuas +y resistencias lineales (una resistencia lineal no cambia con el incremento de la tensién). Thevenin fue capaz de probar que no importa lo complicado que sea el circuito dentro de dicha caja, ya que producird exactamente la misma corriente por la carga que el circuito simple que aparece en ta Figura 1-85. Como derivacién: Vira RAR, El teorema de Thevenin es una herramienta poderosa, y los ingenieros y los técnicos lo usan constantemente. La electrénica no estaria donde se en- ‘cuentran actualmente de no haber sido por este teorema. No sélo simplifica Jos cdlculos, sino que posibilita la explicacién del funcionamiento de circui- tos que serfan imposibles de solucionar tinicamente con las ecuaciones de Kirchhoff. (1-7) nv nv INTRODUCCION BIQ 4k 3k 624k 3k 624k aKa Figura 1-9. 2) Circuito original; 6) resistencia dde carga abierta para obtener la tensién Thevenin; ©) anulacién de la fuente ppara obtener resistencia ‘Thevenin.30 16 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA eo A — R 8 Figura 1-10. Circuito de Thevenin para la Figura 1-943 legion INTRODUCCION 17 = : o Figura 1-11. a) Circuito en un banco de laboratorio; 6) midiendo la tensin de Thevenin; c) midiendo Ta resistencia de Thevenin,32 18 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA 1-6. TEOREMA DE NORTON . Recordemos las siguientes ideas acerca del teorema de Norton estudiado en cursos anteriores. En la Figura 1-12a, la corriente de Norton /y se define como la corriente por la carga cuando la resistencia de carga se cortocir- cuita. A causa de esto, la corriente de Norton se denomina a veces corriente por la carga en cortocircuito. Corriente de Norton: Iy = Ice a8) | Figura 1-12. a) La caja negra tiene un circuito lineal en su interior; b) circuito Norton.33 La resistencia de Norton es la resistencia que un hmetro mide en los terminales de la carga cuando todas las fuentes se anulan y la resistencia de carga estd abierta. Resistencia de Norton: Ry to a9) Como la resistencia de Thevenin también es igual a Rca, entonces se puede escribir la siguiente expresin: Ry= Row (1-10) La derivacién dice que la resistencia de Norton es igual a la de Theve- nin, Si se calcula una resistentia de Thevenin de 10 k®, inmediatamente se sabe que la resistencia de Norton tiene. €l mismo valor. O Idea basica {Cudl es el teorema de Norton? Obsérvese la Figura 1-12a. La caja negra representada en ella puede contener cualquier circuito con fuentes continuas y resistencias lineales. Norton probs que el circuito de la caja negra produci- ¥4 exactamente la misma tensién en la carga que el circuito simple de la Figura I-12b. El teorema de Norton se expresa de la siguiente forma: Vz = Ty (RyllR) (etl) Es decir, la tensién en la carga es igual dla corriente de Norton multi- licada por la resistencia de Norton en paralelo con la resistencia de carga. ‘Anteriormente se estudié que la resistencia de Norton era igual a la re- sistencia de Thevenin. Sin embargo, ha de notarse la diferencia en la locali- zacién de ambas resistencias: la de Thevenin esta siempre en serie con una fuente de tensi6n, mientras que la de Norton se encuentra siempre en parale- Jo con una fuente de corriente. ‘Nota: Si esté usando’ una corriente eléctrica se debe tener presente el siguiente hecho: en la industria, la flecha dentro de la fuente de corriente se dibuja casi siempre en la direccién de la corriente convencional. La excep- ci6n es una fuente de corriente dibujada con una flecha en trazo discontinuo cen lugar de una de trazo sélido. En este caso, la fuente bombea electrones en la direccién de la flecha discontinua. O La derivacion El teorema de Norton se puede deducir del principio de dualidad, que esta- blece que para cualquier teorema de circuitos eléctricos hay un teorema dual (opuesto) en el que se reemplazan las cantidades originales por canti- dades duales. A continuaci6n se presenta una breve lista de estas cantidades: Tension <> Corriente Fuente de tensién <> Fuente de corriente Serie ———————> Paralelo Resistencia en serie ——> Resistencia en paralelo La Figura 1-13 resume los principios de duatidad tal como se aplican a Jos circuitos de Thevenin y de Norton, lo que significa que podemos utilizar cualquiera de los circuitos en nuestros célculos. Como se veré més adelante, INTRODUCCION 1934 20 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Vou = InP R= Poe o Figura 1-13. Principio de dualidad: el teorema de Thevenin implica el teorema de‘Norton y viceversa. 4) Conversién Thevenin a Norton; b) conversién Norton a Thevenin. ambos circuitos equivalentes son titles. Algunas veces es més facil utilizar Thevenin, en otras ocasiones empleamos Norton, todo va en funcién del problema especifico que se haya planteado. La Tabla 1-2 resume los pasos para obtener los valores de Thevenin y de Norton, Q Relaci6n entre el circuito de Norton y el de Thevenin Ya sabemos que la resistencia Thevenin y Norton son de igual valor pero de diferente localizaci6n: la resistencia Thevenin esté en serie con fuentes de tensidn, y la resistencia Norton esté en paralelo con fuentes de corriente. ‘Tabla 1-2. Valores de Thevenin y Norton Proceso ‘Thevenin Norton Pasol | Abrirlaresistencia de carga. | Cortocircuitar la resistenci de carga. Paso2 | Calcular o medir la tensién | Calcular o medir la corriente en circuito abierto, Estaes ‘en cortocircuito. Esta es la 1a tension Thevenin. corriente Norton, Paso3 | Cortocircuitar las fuentes de | Cortocircuitar las fuentes de tensin y abrir las fuentes tensi6n, abrir las fuentes de corriente. de corriente y abrir la resistencia de carga, Paso4 | Calcular o medir la Caleular o medi la resistencia en circuito resistencia en circuito abierto. Esta es la abierto. Esta es la resistencia Thevenin. resistencia Norton35 Se pueden derivar dos relaciones més de la forma siguiente: se convierte cualquier circuito de Thevenin a un circuito de Norton, como se muestra en a Figura 1-13a. La pruebaees directa, se cortocircuitan los terminales AB del circuito Thevenin y se obtiene la corriente Norton: NR (412) Esta nueva férmula dice que la corriente de Norton es igual a la tension de Thevenin dividida por la resistencia de Thevenin. Del mismo modo, es posible convertir cualquier circuito Norton en un ‘ircuito Thevenin, tal como se ‘iprecia en la Figura 1-13b. La tensién en Circuito abierto es: Vem iyRy (413) ‘con lo que la tensién de Thevenin es igual a la corriente de Norton multip cada por la resistencia de Norton. La Figura 1-13 resume las ecuaciones para convertir cualquier circuito en otro equivalente. Figura 1-14. Calculando la corriente de Norton. INTRODUCCION a22 36 PRINCTPIOS DE ELECTRONICA DETECCION DE AVERIAS Detectar averias significa descubrir por qué un circuito no esté comportin- dose como deberfa. Las averias mas comunes son los circuitos abiertos y los cortocircuitos. Dispositivos como los transistores pueden quedar en circuito abierto y en cortocircuito de muchas maneras. La superacién del limite de potencia maxima de un transistor es una de las formas de destruirlo. Las resistencias se convierten en circuitos abiertos cuando la potencia ‘que disipan es excesiva. Por otro lado, se puede obtener involuntariamente una resistencia en cortocircuito, como se indica a continuacién. Durante el homeado y soldadura de tarjetas de circuito impreso, una gota involuntaria de soldadura puede conectar dos pistas cercanas, Esta situacién se denomina puente de soldadura; éste cortocircuita cualquier dispositivo entre las dos pistas. Por el contrario, una mala soldadura significa la no conexién en la mayorfa de los casos. Esto se conoce como una unién de soldadura fria implica que el dispositivo se encuentra en circuito abierto. ‘Ademés de los circuitos abiertos y cortocircuitos hay otras muchas posi- bilidades de averia. Por ejemplo, aplicar temporalmente demasiado calor a tuna resistencia puede cambiar de forma permanente el valor de la resisten- cia en un gran porcentaje. Si el valor de la resistencia es critico, el circuito puede no funcionar adecuadamente después del dafio térmico. Por otro lado existe la pesadilla del detector de averias: el problema intermitente. Este tipo de problemas es muy dificil de aislar porque aparece y desaparece. Puede ser una unién de soldadura fria que alternativamente hhace y rompe un contacto, o un cable de conexidn flojo, o cualquier proble- ‘ma similar que cause un funcionamiento discontinuo.37 Q Un dispositivo en circuito abierto Recordemos siempre las dos caracteristicas de un dispositivo en circuito abierto: ‘* La corriente a través de un dispositivo en circuito abierto es cero. * La tension es desconocida. La primera proposicin es verdadera, ya que un dispositivo abierto tiene tuna resistencia infinita, No puede existir corriente por una resistencia infini- ta. La segunda proposicién es cierta, ya que segdn la ley de Ohm: V2 IR = 0)(~) En nuestra ecuacién, 0 por oo es, mateméticamente, indetermninado, Tiene que averiguar cudl es la tensién mirando el resto del circuito, Q Un dispositivo en cortocircuito Un dispositivo en cortocircuito es exactamente el concepto opuesto a un dispositivo en circuito abierto. Se deben recordar siempre estas dos caracte- risticas de un dispositivo en cortocircuito: La tensin en un cortocireuito es cero. * La corriente es desconocida. La primera proposicién es cierta, porque un dispositive cortocircuitado tiene resistencia cero, No puede existir tensién en una resistencia cero, La segunda proposicién es verdadera, ya que segiin la ley de Ohm: v_o RO Matemiticamente, cero dividido por cero esté indeterminado, por lo que debe averiguar cudl es la corriente estudiando el resto del circuito. Q Procedimiento Normalmente, las tensiones se miden con respecto a masa. A partir de estas mediciones y de los conocimientos de electricidad bésica, generalmente pueden deducirse la mayorfa de las averias més comunes. Después de que se ha aislado el componente mds sospechoso, se puede desoldar 0 desconectar dicho componente y utilizar un éhmetro u otro instrumento para confirmar si la sospecha era cierta, Q valores correctos En la Figura 1-16 se tiene un divisor de tensién constante constituido por las resistencias R, y R, a la cual estén conectadas R; y Re en serie. Antes de poder detectar las averfas en este circuito, hay que conocer las tensiones correctas. Por tanto, lo primero que hay que hacer es calcular los valores de INTRODUCCION 23 Figura 1-16. Divisor de tensi6n y carga usados en la cexposicion de deteccion de averias.38 24 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Vay Vp. El primero es la tensién entre el punto A y-masa. El segundo es la tensi6n entre el punto B y masa. Como R; y Rz son mucho menores que Rs Y R, (10.0 frente a 100 kO), la tensién constante en el punto A es aproximada- mente de +6 V. Ademés, como Ry y R, son iguales, la tensién en el punto B es aproximadamente de +3 V. Si el circuito funcionara correctamente, se medirfan 6 V entre el punto A y masa, y 3 V entre el punto B y masa. Estas dos tensiones son el primer dato de la Tabla 1-3. Q R, abierto {Qué sucede con las tensiones cuando R; esté en circuito abierto? Como no puede circular corriente por la resistencia Rj, si esté en circuito abierto, tampoco puede circular corriente por la resistencia R;, Segtin la ley de Ohm, Ia tension en Ry es cero. Por tanto, V, = 0 y Vp = 0, como se muestra en la Tabla 1-3 para R, abierta, Q R, abierto L.Qué ocurre con las tensiones si R; est4 en circuito abierto? Como no circula corriente por R2, la tensi6n en el punto A es la tensi6n de alimentacion. ‘Como R; es mucho menor que R; y Ra, la tensién en el punto A es de aproxi- madamente 12 V. Como R; y R, son iguales, la tensién en el punto B pasa a ser de 6 V. Este es el motivo por el que aparecen en la Tabla 1-3 los valores de V, = 12 Vy Vp=6 V cuando R; estd en circuito abierto. Q Otros problemas Si la masa C esté en circuito abierto, no puede pasar corriente por R:. Es como si Rz estuviese en circuito abierto. Por tal causa, aparecen los valores V,=12 Vy Vp =6 Ven la Tabla 1-3. Seria conveniente que se determinasen los datos restantes de la Tabla 1-3, aseguréndose de que se. comprende por qué aparece cada tensiGn para la averia indicada, Tabla 1-5. Averias y pistas Averia vv) vs) problemas 6 R, abierta 0 R 6 6 2 6 2 0 6 6 encanaacaowINTRODUCCION 2540 26 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Secci6n 1-1. Los tres tipos de formulas Una definicién es una férmula inventada para un nue- vo concepto. Una ley es una formula para una relacién de la naturaleza. Ura derivacién es una férmula produ- cida mateméticamente. Seccién 1-2. Aproximaciones Las aproximaciones se utilizan ampliamente en la in- dustria, La aproximacién ideal se emplea para detec- cin de averfas. La segunda aproximacién es il para caleulos preliminares en los circuitos. Las aproxima- ciones superiores se usan con ordenadores. Seccién 1-3, Fuentes de tensién Una fuente ideal de tensién no tiene resistencia inter- na, La segunda aproximacidn de una fuente de tensién. tiene una resistencia interna en serie con la fuente. Una fuente de tensién constante se define como aquella que tiene una resistencia interna que es al menos 100 veces ‘menor que la resistencia de carga. Seccién 1-4, Fuentes de corriente Una fuente ideal de corriente tiene una resistencia in- terna infinita. La segunda aproximacién de una fuente de corriente posee una resistencia intema grande en paralelo con la fuente. Una fuente de corriente cons tante se define como aquella cuya resistencia interna es, al menos, 100 veces mayor que la resistencia de carga. Seccién 1-5. Teorema de Thevenin Latensién de Thevenin se define como la tensién en la carga cuando la resistencia de carga esté desconectada. Laresistencia Thevenin es la resistencia que un éhme- ‘wo medirfa con una carga abiertay todas las fuentes anuladas. Thevenin probs que un circuito equivalente de Thevenin puede producit a misma corriente por la carga que cualquier otro cireuito con fuentes y resis- tencias lineales. Seccién 1-6. Teorema de Norton La resistencia Norton tiene el mismo valor que la re- sistencia Thevenin, La corriente Norton es igual a la Corriente por la carga cuando la resistencia de carga cesté en cortocircuito. Norton demostré que un circuito equivalente de Norton produce Ia misma tensién en la carga que cualquier otro circuito con fuentes y resis- tencias lineales. La corriente de Norton es equivalente ala tensi6n de Thevenin dividida por la resistencia de ‘Thevenin. Seccién 1-7. Deteccién de averias Los problemas més comunes son los cortocircuitos, los circuitos abiertos y los problemas intermitentes. Un cortocircuito siempre tiene una tensién cero en él; 1a corriente a través de un cortocircuito debe calcularse observando el resto del mismo. La corriente que atra- viesa un circuito abierto es nula en todo momento; la tensi6n en un circuito abierto se debe calcular exami- nando el resto del circuito. Un problema intermitente es aquel que va y viene y requiere mucha paciencia y l6gica para detectarlo. (1-1). Fuente de tensién constante: ee RR, <001R, (1-3) Fuente de corriente constante: (1-5) Tensign de Thevenin: jcircurro| LINEAL.(1-8) Corriente de Norton: Jcircurro| lee LINEAL (1-9) Resistencia Norton: }—o loncurro] og, LINEAL a -—o DERIVACIONES (0-2) Fuente de tensién constante: Rs Frans) Runny = 1OORS (1-4) Fuemte de corriente constante: a Rants Rain = (1-7) Teorema de Thevenin: LOR CUESTIONES 1. Una fuente ideal de tensi6n tiene a) Resistencia interna nula b) Resistencia intema infinita ©). Una tensin dependiente de la carga d) Una corriente dependiente de la carga 2. Una fuente real de tensién pose a) Resistencia interna nula b) Resistencia intema infinita ©) Resistencia intema pequeiia ) Resistencia interna grande 3. Sila resistencia de carga es de 1 KO, la fuente de tensi6n constante tiene una resistencia de a INTRODUCCION 27 (1-10) Resistencia de Norton: Jeircurro| LINEAL = Fon Ry= Rw (G-11) Teorema de Norton: Iw oF R (1-12) Comtiente de Norton: Ip(Ryll RD a) Al menos 109 b) Menos de 10 0 ©) Més de 100k 4d) Menos de 100 k 4. Una fuente ideal de corriente pose a) Resistencia interna nula b): Resistencia interna infinita ©) Una tensién dependiente de la carga d) Una comriente dependiente de la carga 5. Una fuente real de corriente tiene a) Resistencia intema nula b) Resistencia interna infinita ‘e) Resistencia intema pequetia 4) Resistencia interna grande28 6 1 10. uL 2. 2B. 4. 15, 16. PRINCIIOS DE ELECTRONICA Si la resistencia de carga es de 1 kQ, el valor de la resistencia de la fuente constante es de a) Al menos 10 0 1b) Menos de 10 ©) Mis de 100 kQ 4) Menos de 100 kQ La tensién Thevenin es la misma que a) La tensién en la carga en cortocircuito b) La tensidn en la carga en circuito abierto 18. ©) La tensi6n de la fuente ideal d) La tensién de Norton La resistencia Thevenin es igual en valor @ a) La resistencia de carga b) La mitad de la resistencia de carga ©) La resistencia interna de un circuito Norton d) La resistencia en circuito abierto Para hallar Ja tensi6n Thevenin hay que a) Cortocircuitar la resistencia de carga 1b) Abrir la resistencia de carga ©) Corocircuitar la fuente de tensién 4) Abrir la fuente de tension Para hallar la corriente Norton es necesario, a) Cortocircuitar Ia resistencia de carga b) Abrir la resistencia de carga ©) Cortocircuitar la fuente de tensign 4) Abrir la fuente de tensién En ocasiones la corriente Norton recibe el nom- bre de a) Corriente por la carga en cortocircuito 1b) Corriente por la carga en circuito abierto ©) Corriente Thevenin ) Tension Thevenin Un puente de soldadura puede causar a) Un cortocircuito b) Un circuito abierto ©) Es itil en algunos circuitos 4d) Siempre tiene resistencias altas Una soldadura fria fa) Muestra una buena técnica de soldadura b)_Normalmente produce un circuito abierto ) Puede causar un problema intermitente 4d) Siempre tiene una resistencia baja Una resistencia en circuito abierto provoca a) Una corriente infinita a través de ella b) Una tensién nula entre sus bornas ©) Una tensidn infinita entre sus bornas @) Una corriente nula a través de ella Una resistencia cortocircuitada ocasiona a) Una corriente infinita a través de ella b) Una tensién nula entre sus boas ©) Una tensién infinita entre sus bornas @) Una corriente nula a través de ella Una fuente ideal de tensién y una resistencia in- tema es un ejemplo de a) Una aproximacién ideal b) La segunda aproximacién . v. a, ©) Aproximacién superior 4) Un modelo exacto Considerar un cable de conexién como un con- ductor con resistencia nula es un modelo de a) Una aproximacién ideal b) La segunda aproximacién ©) Aproximaci6n superior ) Un modelo exacto La tensi6n de salida en una fuente ideal de ten- sin es a) Cero 1b) Constante ©) Dependiente del valor de la resistencia de carga 4) Dependiente de la resistencia interna La comriente de salida de una fuente ideal de co- riente toma el valor a) Cero b) Constante ©) Dependiente det valor de la resistencia de carga @) Dependiente de la resistencia interna El teorema de Thevenin permite sustituir un cir- ‘cuito complicado conectado a una carga por a) Fuente ideal de tensi6n en paralelo con una resistencia b) Fuente ideal de corriente en paralelo con una resistencia ‘©) Fuente ideal de tensién en serie con una re~ sistencia 4) Fuente ideal de corriente en serie con una resistencia El teorema de Norton hace posible reemplazar un circuito complejo conectado a una carga por una a) Fuente ideal de tensién en paralelo con una resistencia b) Fuente ideal de corriente en paralelo con tuna resistencia ©) Fuente ideal de tensi6n en serie con una re- sistencia 4) Fuente ideal de corriente en serie con una resistencia ‘Una manera de poner un dispositivo en cortocir- cuito es a) Con una soldadura fria b) Con un puente de soldadura ©) Desconectindolo d) Abriendo la resistencia Las derivaciones son a) Descubrimientos b) _Invenciones ¢) Producidas mateméticamente 4) Siempre denominadas teoremasPREGUNTAS DE ENTREVISTA DE TRABAJO Una entrevista de trabajo refleja répidamente si sus co- rocimientos son superficiales 0 si realmente compren- de la electr6nica. Los entrevistadores no siempre pre- guntan cuestiones claras y concisas. Algunas veces omiten datos para ver cémo maneja el problema. + Cuando se entrevista para un trabajo, el entrevistador puede preguntarle cosas como las siguientes. Preferi- blemente conteste estas cuestiones después de haber resuelto algunos de los apartados de la secciGn «Pro- blemas». 1. :Cuales la diferencia entre una fuente de tensi6n Yuna fuente de corriente? 2. {Cuando tiene que incluir una resistencia de fuemte en sus célculos de una cortiente por la carga? 3. Siun dispositivo se modela como una fuente de corriente, qué puede decir acerca de la resisten- cia de carga? 4, {Qué significa para usted una fuente constante? 5. Tengo un ciouito grapinado en mi banco de la- oratorio. Digame qué medidas puedo tomar para obtener la resistencia de Thevenin y la ten Sin de Thevenin. 6. Hay una caja negra en mi banéo de labotatorio. GES una fuente de tensién o una fuente de co- riente? 7. ;Cémo se relacionan la resistencia de Thevenin Y wlos amperios figs» de una bateria de coche? 8, Alguien le dice que una fuente de tension esté fuertemente cargada. {Qué cree que significa eso? 9. {Qué aproximacin usa nommialmente un téenico ‘euandorealizaprocedimiento iniciales de detec- cién de averfas? {Por qué? 10, Cuando se estin buscando averfas de un cieuito elect6nico, usted mide una tensi6n continua de 9,5 V en el punto de medida cuando el esquema del circuito dice que debe medir 10 V. Qué in- fiere usted de esta lecture? {Por qué? 11. {Cudles son algunas de las razones para usar un Eireuito de Thevenin 0 de Norton? 12, {Qué valor tienen el teorema de Norton y Theve- nin en un banco de pruebas? PROBLEMAS Seccién 1-3. Fuentes de tension 1-1. Suponga que una fuente de tensiGn tiene una tensiGn ideal de 12 Vy una resistencia interna de 0,5 Q. {Para qué valores de carga la fuente de tensién seré constante? 43 INTRODUCCION 29 1.2. Una resistencia de carga puede variar de 2700 2 100 kM. Si una fuente constante de tensién excita a esta resistencia de carga, {cual es la resistencia interna de la fuente? 1-3. Una pila para linterna tiene una resistencia in- terna de I O. ,Para qué valores de la resisten- cia de carga la pila serd constante? 1-4, Una bateria para autom6vil tiene una resisten- cia interna de 0,06 ©. ;Para qué valores de la resistencia de carga la bateria serd constante? 1-5. La resistencia intema de una fuente de tension es igual a 0,05 Q. ;Cual es Ia caida de tensién ‘en esta resistencia cuando circula por ella una comriente de 2A? 1-6. En la Figura 1-17 latensién ideal es de 9'V yla resistencia interna es de 0,4 ©. Sila resistencia de carga vale cero, ,qué valor tiene la corriente por la carga? Figura 1-17 Seccién 1-4. Fuentes de corriente 1-7. Suponga que una fuente de corriente tiene una ccorriente ideal de 10 mA y una resistencia in- terna de 20 MQ. {Para qué valores de la resis- tencia de carga la fuente de corriente serd cons- tante? 18. Una resistencia de carga puede variar desde 270 hasta 100 kO. Si una fuente constante de Corriente excita esta resistencia de carga, {cual es la resistencia interna de la fuente? 1.9, Una fuente de cortiente tiene una resistencia interna de 100 kQ. {Cual es la mayor resisten- cia de carga posible sila fuente de corriente debe ser constante? 1-10, En la Figura 1-18 la comtiente ideal es de 10 mA la resistencia interna es de 100 k®2. Si laresisiencia de carga es mula, {cual es la co- riente por la carga? . De gs Figura 1-18 1-11. En el circuito de la Figura 1-18 la cortiente ideal es de 5 mA y la resistencia interna es de30 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA 250 KA. Si la resistencia de carga es de 10kQ, {eudl es la corriente por la carga? {Es ésta una fuente de corriente constante? Secci6n 1-5. Teorema de Thevenin 1-12. {Cul es la tensién Thevenin en el cizcuito dela Figura 1-19? ;Cudl es la resistencia Thevenin? BKnsA, ope FA Figura 1-19 1-13, Use el teorema de Thevenin para calcular la corriente por la carga en el circuito de la Figu- a 1-19 para cada una de las siguientes res tencias de carga: 0,1 XO, 2 KO, 3k, 4 kO, SRD y 6 KO 1-14, El valor de la fuente de tensi6n en la Figu- ra 1-19 disminuye a 12 V. ;Qué sucede con la tensién Thevenin? ZY con la resistencia The- venin? 1-18. Sien la Figura 1-19 se duplica el valor de todas las resistencias, ;qué sucede con la tensién ‘Thevenin? ,Y con la resistencia Thevenin? Seccién 1-6. Teorema de Norton 1.16, Un ciruito tiene una tension Thevenin de 15 V yuna resistencia Thevenin de 3k ;Cudlesel eirevito Norton contespondiente? 1-17. Un circuito tiene una corriente Norton de 10 mA y una resistencia Norton de 10 KO. {Cul es el circuito equivalente Thevenin? 1-18, {Cual es el cireuito equivalente Norton para la Figura 1-192 Seceién 1-7. Deteccién de averias 1-19, Suponiendo que en la Figura I-19 la tensiénen Ja carga es de 36 V, ,qué error hay en Ry? 1-20. La tensign en la carga del circuito de la Figu- ra 1-19 vale cero, Si la bateria y la resistencia de carga son correctas, sugiera dos averfas po- sibles. 1-21. Sila tensién en la carga del cireuito de la Figu- a 1-19 es cero y todas las resistencias son co- rrectas, gdOnde se localiza la averia? 1-22, Sila tensién en la carga del circuito de la Figu- ra 1-19 es de 12 V, ccusl es Ia averfa probable? PROBLEMAS DE MAYOR DIFICULTAD 41-23, Una fuente de tensién se cortocircuita tempo- ralmente, Si la tensi6n ideal es de 6 V y la co- rmiente por la carga en coro es de 150 A, cual es la resistencia interna de la fuente? 1-24, Enel circuito de la Figura 1-17 la tensién ideal es de 10V y laresistencia de carga es de 75.2. Siendo la tensién en la carga de 9 V, ccudnto vale la resistencia intema?, jes constante la fuente de tension? 41-25. En una caja negra con una resistencia de 2 kO conectada entre sus terminales de carga, (¢6- ‘mo se podria medir la tensién Thevenin? 1-26. La caja negra del problema anterior presenta tun mando que le permite reducir todas las fuentes intemas de corriente y de tensi6n a cero. {Cémo se podria medir Ia resistencia Thevenin? 1-27, Resvelva el Problema I-13. Luego resuélvalo sin emplear el teorema de Thevenin. Al termi- nar, escriba un comentario acerca de lo que aprendié sobre el teorema de Thevenin 1-28, Usted esté en el laboratoro viendo un ciruito como el de la Figura 1-20. Alguien le reta a encontrar el circuit equivalente de Thevenin, Describa un procedimiento experimental para medir la tensién de Thevenin y la resistencia Thevenin. 1-29. Disetle un hipotético generador de corriente, cempleando una baterfa y una resistencia, que proporcione una corrieniefija de 1 mA a cual- ‘uier resistencia de carga entre 0 y 10 KO. 1-30, Disefie un divisor de tensin (similar al de la Figura 1-19) que retina lo siguiente: la tension ideal es de 30 V, la tensién con la carga en ireuitoabierto es de 15 Vy la resistencia The- Yenin es igual o menor de 2 kQ. 1-31. Diseiie un divisor de tension como el dela Fi- gura 1-19 que genere una tensién fija de 10V para todas las resistencias de carga mayo- Tes que 1 MQ. Emplee una tensién ideal de 30V. 1-32, Sélo con una pila tipo D-cell para lintema y un polimetro. (voltimetro-shmetro-miliamperime- tro ),describa un método experimental para halla ei circuito equivalente Thevenin de Ia pila 1-33, Solo con una pila D-cell, un VOM y una caja con varias resistencias, describa un método ‘mediante el cual, empleando una resistencia, halle la resistencia Thevenin de 1a pila 41.34, Calcule la comriente por la carga en la Figu- ra 1-21 para cada una de_las resistencias siguientes: 0,1 KO, 2 KO, 3 KO, 4 KO, 5 Qy oko4s INTRODUCCION 31 Figura 1-21 DETECTOR DE AVERIAS. son una de las resistencias abierta, una de las jocircuitada, una masa abierta 0 1-35. Use el detector de averias de la Figura 1-22 fala de tensién de alimentaci6n. {Qué esta para los siguientes problemas. Los problemas ‘causando los Problemas 1 al 11? sin problemas Averia 1 Averia 2 v68] [Yc] [yes Va:F3| | Ve: C8 V_:08| | Ve: A3 Averio3 —Averia 4 Avera vet] [ver] [vysc2 vyie8| |vp.04] |vp:a8 yea] |vees} [vert Averia® —Averia7 —_Averia A «fe wifel«]s vou] woot als |2lofs] |e yies chaz[a[e[2]s]o verca | [verFt ofsfole{o|z|o Avstia® —Averia 10 efo[2[«]2lo]s van) [yee rl] ofe fa] fz Vp:A2| | Vo: 06 TENSIONES Ve: DS Figura 1-22. Detector de averfas: una simulacién de deteccién de averias.46a7 Semiconductores x i OBJETIVOS ‘i SS Después de estudiar est capitulo, déberta ser capac de: Reconocer, a nivel atémico; las éafacetsticas de los conductores ¥ de los'semiconductores. % Deseriir la estructura de un cristal de silcio. > Conocer los dos tipos de portadores las clases de impurezas que los coavierten en mayoritaris. > Explicar las condiciones que se curplen en la‘unién pn de un diodo sin polarzar, de un diodo polarizado en inversa y de un diodo'polarizado en directa. > Comprender los dos tipos de comientes de rupturaprovocados por la aplicacién de una tensi6n inversa ‘excesiva sobre un diodo. : : VOCABULARIO iat ‘ banda de conduccion’ * : * semiconductor de tipo-n * barrera de potencial * semiconductor de tipo-p corriente de pérdidas de superficie * silicio, diod

Dibujat at sinbo1s jo diferoiciandd‘e nods Jt ats. ; 1:38 Teazar la curva caractertstica del diodo; desctibiendo todas las partes! puntos més significativos. Spe ete ; “Enunciai 1d tercera-aproxiniacioa. vntrar,1oS cuatro Este capitulo prolonga nuestro estudio acerca de los diodos. Después de exponer la curva del diodo, nos centraremos en las aproximaciones de un diodo. Necesitamos dichas aproximaciones porque el andlisis exacto es muy tedioso y largo en la mayoria de las situaciones, Por ejemplo, si se van a detectar ‘averfas normalmente la aproximacién ideal es la adecuada, y una segunda aproximacién proporciona soluciones répidas ¥ faciles en muchos casos. Apuntando un poco més lejos, podemos usar una tercera aproximacién para obtener mayor precisién, 0 una solucién de ordenador para casi todas las respuestas. IDEAS BASICAS Una resistencia ordinaria es un dispositive lineal porque la grdfica de su corriente en funcién de su tensidn es una linea recta. Un diodo es diferente. Es.un dispositivo no lineal porque la gréfica de la corriente en funcion de la tensién no es una linea recta. La razén es la barrera de potencial: cuando la tensi6n del diodo es menor que la barrera de potencial, la corriente del diodo es pequefia; si la tensién del diodo supera esta barrera de potencial, la co- rriente del diodo se incrementa répidamente. Q El simbolo eléctrico La Figura 3-1a representa el simbolo eléctrico de un diodo. El lado p se Mama énodo y el lado n es el efitodo. El simbolo del diodo es una flecha que apunta del lado p al lado n, es decir, del anodo al cétodo.66 80 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA ‘ANooo cATODO @ Figura 3-1. Diodo. 4) Simbolo eléctrico; +) polarizacién directa, Q Circuito basico del diodo En la Figura 3-1b se muestra un circuito con un diodo. En este circuito el diodo esté polarizado en directa. ,Cémo lo sabemos? Porque el terminal positivo de la bateria est conectado al lado p del diodo a través de una resistencia, y el terminal negativo esté conectado al lado n. Con esta cone- xin, el cireuito est tratando de empujar huecos y electrones libres hacia la unién. En circuitos més complicados puede ser més dificil decir si el diodo esté © no polarizado en directa. Para hacerlo nos podemos servir de la siguiente regla; preguntémonos lo siguiente: jesté el circuito extemo tratando de em- ujar los electrones libres en la direcci6n de circulacién sencilla? En caso afirmativo, el diodo esta polarizado en directa. {Cudl es la direcci6n de circulacién sencilla? Si se esté usando corriente convencional, la direccién sencilla es la misma que indica la flecha del dio- do. Si se prefiere el flujo de electrones, la direccién sencilla es en el otro sentido, ‘Cuando el diodo forma parte de un circuito complicado podemos usar también el teorema de Thevenin para determinar si est4 polarizado en direc- ta. Por ejemplo, se supone que se ha reducido un circuit complicado con el teorema de Thevenin para obtener la Figura 3-1b. En este caso se sabe que el diodo esté polarizado en directa. Q La zona directa La Figura 3-1b es un circuito que puede montarse en el laboratorio. Tras cconectarlo,-es posible medir la tensién en el diodo y la corriente que lo atraviesa. También se puede invertir la polaridad de la fuente de tensién continua y medir la corriente y la tensi6n del diodo polarizado en inversa. Si se representa la corriente a través del diodo en funcién de la tensién del diodo, se obtendré una gréfica parecida a la de la Figura 3-2. Este es un resumen visual de las ideas expuestas en el capftulo anterior. Por ejemplo, cuando el diodo esté polarizado en directa no hay una corriente significativa hasta que la tensién en el diodo sea superior a la barrera de potencial. Por otro lado, cuando el diodo esté polarizado en inversa, casi no hay corriente inversa hasta que la tensiGn del diodo alcanza la tensién de ruptura. Entonces, la avalancha produce una gran tensi6n inversa, destru- yendo el diodo. Q Tensi6n umbral En la zona directa la tensién a partir de la cual la corriente empieza a incrementarse rdpidamente se denomina tensién umbral del diodo, que es igual a la barrera de potencial. Los andlisis de circuitos con diodos se dirigen normalmente a determinar si la tensi6n del diodo es mayor o menor que la tensién umbral. Si es mayor, el diodo conduce facilmente; si es menor, Jo hace con pobreza. Definimos la tensi6n umbral de un diodo de silicio de la siguiente forma: Vp 07 Gl) (Nota: El.simbolo ~ significa en funcién de la tensi6n del diodo Vp. Nétese que la corriente es aproximadamente cero hasta que la tensién del diodo se acerca a la barrera de potencial. En las proximidades de 06 a 0,7 V, la corriente del diodo se incrementa, Cuando la tensién delcy 84 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA Figura 3-4, Grafica del banco de pruebas de un diodo tipico de silicio. diodo es mayor de 0,8 V, la corriente del diodo es significativa y la gréfica es casi lineal. Dependiendo del dopaje y del tamaiio fisico de un diodo, éste puede diferir de otros por su méxima corriente directa, limitaci6n de potencia y otras caracteristicas. Si necesitamos una solucién exacta deberfamos usar la gréfica de un diodo particular. Aungue los puntos exactos de la corriente y de la tensi6n son diferentes de un diodo a otro, la gréfica de cualquier diodo es similar al de la Figura 3-4. Todos los diodos de silicio tienen una tensién umbral de aproximadamente 0,7 V. La mayorfa de las veces no necesitamos una solucién exacta. Esta es la raz6n para usar aproximaciones para un diodo. Comenzaremos con la apro- ximaci6n més simple, Hamada aproximacién del diodo ideal. En Iineas ge- nerales, qué hace un diodo? Conduce bien en la direccién directa y condu- ce mal en la inversa. Teéricamente, un diodo rectificador se comporta como tun conductor perfecto (resistencia cero) cuando tiene polarizacin directa, y Jo hace como un aislante perfecto (resistencia infinita) cuando su polariza- ci6n es inversa, En la Figura 3-Sa se ofrece a gréfica corriente-tensién de un diodo ideal. Refleja lo que se acaba de exponer: resistencia cero con polarizacién irecta y resistencia infinita con polarizacién inversa. A decir verdad, es imposible construir un dispositivo con esas caracteristicas, pero és lo que los fabricantes harfan si pudiesen.as ‘Teoria DE LOS DIODOs 71 IDEAL —>—_ —.“o_—_ Yo POLARIZACION INVERSA a POLARIZACION DIRECTA mo io Figura3-S. a) Curva del diodo ideal; b) un diodo ideal acéa como un interruptor. jExiste algiin dispositivo real que actée como un diodo ideal? Sf. Un interruptor tiene resistencia cero al estar cerrado, y resistencia infinita al estar abierto. Por tanto, un diodo ideal actia como un interruptor que se cierra al tener polarizacién directa y se abre con polarizacién inversa. En la Figura 3-5 se resume esta idea del interruptor. eis86 72 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA IDEAL ekg IDEAL 3K 1K (a wo 2Kq IDEAL 3-3._ LA SEGUNDA APROXIMACION La aproximacién ideal es siempre correcta o cierta en la mayoria de las situaciones de deteccién de averfas, pero no siempre estamos detectando averias. Algunas veces queremos un Valor més exacto para la corriente y 1a tensién en la carga. Es entonces cuando tiene sentido la segunda aproxi- macién.87 f 28 APROXIMACION lo Ss o7v oe —fi| — POLARIZACION INVERSA fo7v io ay —o-o || — POLARIZACION DIRECTA (a . Cc) Figura 3-7. a) Curva del diodo para la segunda aproximacién; b)circuito equiva- lente para la segunda aproximacién, La Figura 3-7a presenta el grfico de la corriente en funcién de la ten- sin para la segunda aproximacién. El dibujo indica que no hay corriente hasta que aparecen 0,7 V en el diodo. En este punto el diodo se activa. De ahi en adelante s6lo aparecerén 0,7 V en el diodo, independientemente del valor de la corriente. La Figura 3-7b muestra el circuito equivalente para la segunda aproxi- ‘macién de un diodo de silicio. El diodo se asemeja a un interruptor en serie con una barrera de potencial de 0,7 V. Si la tensién de Thevenin de la fuente es, por lo menos, de 0,7 V, el interruptor se cerraré. Cuando conduce, 1a tensidn en el dispositivo sera de 0,7 V para cualquier corriente directa. Por otro lado, cuando la tensién de Thevenin es menor que 0,7 V, el interruptor se abrird. En este caso, no hay corriente a través del diodo. ‘TEORIA DE LOS DIODOS B3-4._LA TERCERA APROXIMACION En la tercera aproximacién de un diodo se incluye la resistencia interna R, La Figura 3-10 muestra el efecto que Rs tiene sobre Ia curva del diodo. Después de que el diodo de silicio comienza a conducir, la tensién aumenta lineal 0 proporcionalmente con los incrementos de la corriente. Cuanto ma- yor sea la corriente, mayor es la tensién, al tener que incluirse la cafda de ‘tensi6n en la resistencia interna a la tensién total del diodo. El circuito equivalente para la tercera aproximaci6n es un interruptor en serie con una barrera de potencial de 0,7 V y una resistencia Re (Fig. 3-100). iq 2° APROXIMACION 24 2° APROXIMACION @ w Figura 3-9. a) Circuito original; 6) simplificado con el teorema de Thevenin.29 ‘TeoRIA DE LOS DIODOS ; 23° APROXIMACION ov {i POLARIZACION INVERSA, aw ory oes eae POLARIZACION DIRECTA co) : Figura 3-10. 2) Curva del diodo para la tercera aproximacin;b) circuito equiva- Tene para Ia tercera aproximacién. ‘Cuando la tensién aplicada es mayor que 0,7 V, el diodo conduce. La ten- sin total en el diodo es igual a: Vp = 0,7 + IoRs G5) A menudo, la resistencia interna es menor que | Q, y facilmente la pode- ‘mos ignorar en nuestros célculos. Una regla uti! para ignorar la resistencia intemna es la siguiente definici Ignore la resistencia si: Ry < 0,01Rr 6-6) que dice que se ignore la resistencia interna cuando sea la centésima parte de la resistencia de Thevenin que ve el diodo. Si se satisface esta condicién, elerror es menor que el 1 por 100. La tercera aproximacién se emplea rara- ‘mente por técnicos porque los disefiadores de circuitos normalmente satisfa- cen la Ecuacién (3-6).76 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA 1NA0011 v i ‘TEORIA DE LOS DIODOs_-—77 3-5. DETECCION DE AVERIAS Elestado de un diodo se puede averiguar fécilmente con un hmetro para un amplio rango de valores. Se mide la resistencia en continua del diodo en cualquier direccién y después se invierten los terminales, efectuéndose la misma medici6n. La corriente con polarizacién directa dependera de I calaen la que se emplee el Ghmetro, lo que significa que se obtendrén dis tas lecturas en rangos diferentes. Sin embargo, lo que hay que buscar principalmente es una diferencia de resistencia inversa a directa muy alta. Para los diodos de silicio cominmente empleados en Ia electrénica la razén debe ser mayor que 1,000:1. Se debe92 78 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA aNa001 Figura 3-18. Detecci6n de averfas en un circuito. recordar usar un fondo de escala de resistencias altas para evitar la posibili- dad de dafar el diodo. El empleo de un Shmetro para probar diodos es un ejemplo de pruebas sifno. Realmente no importa el valor exacto de la resistencia en continua del diodo; lo tinico que se desea saber es si el diodo tiene una resistencia peque- fia con polarizacién directa y grande con polarizacién inversa. Los siguien- tes ejemplos son indicativos de problemas en el diodo: resistencia extrema- damente pequeita en ambas direcciones (diodo en cortocircuito); resistencia, muy elevada en ambas direcciones (diodo en circuito abierto); resistencia algo baja en la direccién inversa (llamado diodo con fugas).93 ‘TEORIADELOSDIODOS 79 3 ANALISIS DE VARIABLES DEPENDIENTES No hay nada mejor que el anilisis de variables dependientes como ayuda para entender los circuitos. La idea es la que sigue. Cualquier circuito tiene variables independientes (como tensiones de alimentacion y resistencia en las ramas) y variables dependientes (tensiones en las resistencias, corrientes, potencias, etc.). Cuando una variable independiente aumenta, cada una de ‘as variables dependientes responderé, normalmente, aumentando 0 dismi- ‘nuyendo, Si entiende cémo funciona el circuito, entonces seré capaz de pre- decir si una variable aumentaré o disminuiré. He aqui cémo funciona para un circuito como el representado en la Fi- gura 3-14. Se aplica una tensién Vs de 10 V a un diodo en serie con una resistencia de carga R, de 1 KO. En la segunda aproximacién de un diodo, hay tres variables independientes para este circuito: Vs, Ri, y Vx. Se incluye la ten- sién umbral como una variable independiente porque puede ser ligeramente diferente del valor ideal de 0,7 V. Hay cinco variables dependientes: Vz 1, Por . y Pr. Estas son la tensidn en la carga, la corriente por la carga, la potencia en el diodo, la potencia en la carga y la potencia total, respectivamente. ‘Supéngase que la tensién de la fuente V; aumenta ligeramente, digamos un 10 por 100. ;Cémo responder cada una de las variables dependientes? Cada una de ellas puede aumentar (4), disminuir (D), 0 no mostrar cam- bio (N). He aqui alguno de los razonamientos que se podrian hacer al resol- ver este problema: La primera linea de la Tabla 3-1 resume el efecto de un pequefio creci- ‘miento en la tensiGn de la fuente. Como se puede,ver, se incrementa cada variable dependiente. {Qué pasaria si la resistencia de carga en la Figura 3-14 aumentase un poco? Como la tensién del diodo es constante en la segunda aproximaci6n, Ta tensiOn de la carga no presenta ningtin cambio, pero la corriente por la carga disminuiré. A su vez, esto implica una menor potencia en el diodo, menor potencia en la carga y menor potencia total. La segunda linea de la Tabla 3-1 sintetiza este caso. Tabla 3-1. Anilisis de variables dependientes ve A Po PL Pr Vg aumenta A A A ry R, aumenta n|p|obd|obd|o Vj, aumenta p|o|a Dae 2. APROXIMACION Figura 3-14, Anilisis de variables dependientes de un circuito80 PRINCIPIOS DE ELECTRONICA, Finalmente, considérese el efecto de la tensién umbral. Si ésia sufre un pequefio incremento en la Figura 3-14, las variables dependientes, excepto 1a potencia en el diodo, disminuyen, como se muestra en la tercera linea de a Tabla 3-1. Peeer ous : La forma en la que se puede practicar el andlisis de variables dependien- tes para el circuito es la de seleccionar una variable independiente (Vs, Ri, R,, Ry 0 Vz). A continuacién se elige cualquier variable dependienite en el cuadro (V4, Ve, Ve, fy, etc.). Luego se debe averiguar si la variable depen- diente aumenta, disminuye 0 no muestra cambio. Para comprobar su res- puesta, se lee la muestra y luego la soluci6n, Por ejemplo, ,c6mo afecta un incremento en la tensi6n umbral a la co- rriente en R,? En la Figura 3-21, un divisor fijo de tensién excita el diodo en serie con los 100 k®. Por tanto, un pequefio aumento en a tensién umbral hard que disminuya la tensién en los 100 k®., Entonces, la ley de Ohm indica que J; deberia disminuir. Para comprobar esta respuesta, observe el cuadro titulado Vj. fs muestra A3. Luego A3 lleva a D, lo cual quiere decir disminu- cién, Nuestra solucién es correcta. Una aclaracién final: no use la calculadora para el anélisis de variables dependientes, ya que frustra el propésito de este tipo de andlisis. El andlisis de variables dependientes es similar al andlisis de deteccién de averias por- que el énfasis esté en la I6gica en vez de en las ecuaciones. El fin del andlisis de variables dependientes consiste en entrenar la mente para conocer bien el funcionamiento del circuito. Esto se logra forzando a pensar cOmo interac- ttian las diferentes partes del circuito. 3-7. COMO LEER UNA HOJA DE CARACTERISTICAS Buena parte de la informacién que el fabricante facilita en las hojas de ca- racteristicas es oscura y de utilidad solamente para los que disefian circuitos. Por esta raz6n tnicamente estudiaremos aquella informacién de la hoja de caracteristicas que describe parémetros que aparecen en este texto.95 Q Tension inversa de ruptura Comenzaremos con la hoja de caracteristicas para un IN4001, un diodo rectificador muy popular empleado en fuentes de alimentacion (es decir, los, que convierten una tensin alterna en una tensién continua). En el Apéndice hallaré la hoja de caracteristicas para la serie de diodos del IN4001 al 1N4007: siete diodos que tienen las mismas caracterfsticas con polarizacién directa, pero que difieren en sus caracterfsticas con polari- zaci6n inversa. Estamos interesados en aprender a leer la hoja de caracteris- ticas para el diodo IN4001 de esta familia. La primera informacién con el titulo de Limitaciones mdximas es ésta: ‘Simbolo 1N4001 ‘Tensién inversa repetitiva de pico Vasu s0V Tensin inversa de pico de operacién Vow 50 V Tensién de bloqueo en corriente continua Ye soV Estos tres simbolos especifican la ruptura en ciertas condiciones de fun- cionamiento. Lo tinico que hay que saber es que la tensién de ruptura para este diodo es de 50 V, independientemente de cémo se use. Esta ruptura se da porque en el diodo se produce la avalancha, con la que stibitamente apa- rece una cantidad enorme de portadores en la zona de deplexién. Para un diodo rectificador como el 1N4001, la ruptura es normaimente destructiva, ara un IN4001, una tensi6n inversa de 50 V supone la destruccién del diodo, lo que debe evitar el diseitador para cualquier condicién de trabajo: por este motivo se incluye un factor de seguridad. No existe una regla abso- luta acerca del valor que debe darse al factor de seguridad, ya que éste 00a 10 mA. A dibujar este punto (Ip = 20 mA, Vp = 0), se localiza sobre el eje vertical en la Figura 3-16. A este punto se le Hama de saturacién porque representa la corriente maxima con 2 V a través de 1002. ‘Ahora veamos cémo obtener otro punto, Sea Vp igual a 2 V. Entonces la Ecuacién (3-9) da: 2V-2V 0 1002 Cuando se halla este punto (Ip = 0, Vp = 2 V) se obtiene el punto mostra- do sobre el eje horizontal (Fig. 3-16). A este punto se le llama de corte porque representa la corriente minima. TEORIADE LOS DIODOS 8S. (or Figura 3-15. Anilisis de reotas de carga.100 86 —_PRINCIPIOS DE ELECTRONICA "CURVA DEL 01000, SATURACION 20 ma‘ ad .@ (PUNTO DE TRABAJO) 10 mA Yo ° o75V1V 2v Figura 5-16. El punto Q es la interseccién de la curva del diodo con la recta de carga, Eligiendo otras tensiones se pueden calcular y trazar puntos adicionales. Como la Ecuacién (3-9) es lineal, todos los puntos estardn sobre la linea recta, ‘mostrada en la Figura 3-16. La linea recta recibe e! nombre de recta de carga. Q El punto 9 La Figura 3-16 muestra la gréfica de una recta de carga y la curva de un diodo. El punto de interseccién, conocido como punto Q, representa una solucién simulténea. En otras palabras, e1 punto @ es el dnico punto en la ‘gréfica que funciona a la vez para el diodo y para el circuito. Leyendo las, coordenadas del punto Q se obtiene para el diodo una corriente aproximada de 12,5 mA y una tensi6n de 0,75 V. A propésito, el punto Q no tiene ninguna relacién con la figura de mérito de una bobina. En la explicacién que nos ocupa, Q es una abreviacién de ‘«quiescent», que significa «en reposo». El punto Q de circuitos de semicon- ductores se discute en capitulos posteriores. 1, DIODOS DE MONTAJE SUPERFICIAL Los diodos de montaje superficial (SM: Surface Mounted) se pueden encon- tar en cualquier parte donde haya necesidad de una aplicacin con diodos. Los diodos SM son pequefios, eficientes, y relativamente féciles de compro- bar, sacar y cambiar en una placa de circuito impreso. Aunque existen varios estilos de encapsulado para montaje en superficie, dos estilos basicos domi- nan Ia industria: SM (montaje superficial) y SOT (Small Outline Transistor).101 TEORIA DE LOS DIODOS 87 BORNAS PARA MONTAJE BANDA COLOREADA DEL CATODO igura 3-17. Los encapsulados SM de dos terminales usados pare diodos SM. El encapsulado SM tiene dos bomas dobladas en Ly una banda coloreada en un extremo del cuerpo para indicar la boma correspondiente al cétodo. La Figura 3-17 muestra las dimensiones tipicas (I in = 2,54 cm). La longitud y el ancho del encapsulado SM se relacionan con la limitacién de corriente del dispositive. Cuanto mayor es el érea de la superficie mayor es el Iimite de corriente. Asi, un diodo SM limitado a | A deberia tener un érea de 0,434 por 0,276 cm. La versi6n de 3 A, por otro lado, deberfa medir 0,624 por 0,566 cm. EI grosor suele ser de unos 0,247 cm, para todos los limites de corriente. TIncrementar el rea de superficie de un diodo SM aumenta su habilidad para disipar calor. Ademés, el correspondiente incremento de anchura de los terminales de montaje hace lo mismo con la conductividad térmica a un sumidero virtual de calor formado por las soldaduras, masas del montaje y tarjeta del circuito en si. Los encapsulados SOT-23 tienen tes terminates con forma de ala de sgaviota (Fig. 3-18). Los terminales se numeran en el sentido contrario de las, ‘agujas del reloj desde arriba, estando el pin 3 aislado en uno de los lados. Sin vista \ SUPERIOR, BORNAS PARA MONTAJE PERFIL EXTREMO, on ESCALA Figura 3-18. 1 SOT-23 es un encapsulado de transistor con tres terminales usado habitualmente para diodos SM.102 88° PRINCIPIOS DE ELECTRONICA embargo, no existen marcas estandarizadas para indicar cuéles son los ter- ‘minales que se usan para el dnodo ¥ el cétodo. Para determinar las conexio- nes internas del diodo se pueden buscar pistas impresas en el circuito, com- probar el esquema eléctrico 0 consultar el libro de caracteristicas del fabricante. Algunos encapsulados de estilo SOT incluyen dos diodos que tienen una conexién de 4nodo o cétodo comtin en uno de los terminales. Los diodos encapsulados en SOT-23 son pequefios, con ninguna dimen- sién excediendo 0,24 em. Su reducido tamafio hace dificil disipar grandes cantidades de calor, asi que los diodos suelen estar limitados a corrientes menores que 1 A. El pequefio tamafio también hace poco préctico el etique- tado con cédigos de identificacién. Como ocurre con muchos de los disposi- tivos SM diminutos, se tiene que determinar el PIN a partir de otras pistas en Ia tarjeta de circuito impreso y el esquema eléctrico. RESUMEN Seccién 3-1. Ideas bisicas Un diodo es un dispositivo no lineal. La tensién um- bal es aproximadamente 0,7 V para un diodo de si cio, donde la curva directa gira hacia arriba. La resis- tencia interna es la resistencia Shmica de las zonas p yn, Los diodos tienen una cortiente en polarizaci6n, directa maxima y una limitacién de potencia Seccién 3-2, El diodo ideal Esta es a primera aproximacién para un diodo. El ci cuito equivalente es un interruptor que se cierra cuan- do esté polarizado en directa y se abre cuando lo est Seccién 3-3. La segunda aproximacién Enesta aproximacién visualizamos un diodo de silicio ‘como un interruptor en serie con una tensién umbral de 0,7 V. Sila tensin de Thevenin que ve el diodo es mayor de este valor, se cierra el interruptor. Seccién 3-4. Rara vez la utilizamos porque, normalmente, la resis tencia interna es suficientemente pequefia y se puede ignorar. En esta aproximacién, visualizamos el diodo como un interruptor en serie con una tensién umbral y tuna resistencia interna. La tercera aproximacién Seccidn 3-5. Deteccién de averias ‘Cuando se sospecha que el problema esté en un diodo, se emplea un éhmetro para verifcar su resistencia en cada sentido. Deberé obtenerse una resistencia peque- fia en un sentido y una resistencia elevada en el sentido ‘puesto, al menos en una relacién de 1 a 1.000. Re- cuérdese usar un fondo de escala de resistencias altas para evitar dafar el diodo. Seccién 3-6, Analisis de variables dependientes En este tipo de andlisis no hacen falta célculos. Todo Jo que se busca es aumenta, disminuye o sin cambios. Cuando se sabe de antemano cémo deberd responder tuna variable dependiente ante cambios de una variable independiente, seré més fécil tener éxito en la bisque- dda de averias, andlisis y disefo. Seccién 3-7. ‘Como leer una hoja de caracteristicas Las hojas de caracteristicas son tiles para los disefia- dores de circuitos y lo pueden ser para un reparador técnico a la hora de seleccionar el dispositivo sustituto {que a veces se requiere. Las hojas de caracteristicas de diferentes fabricantes contienen informacién similar pero se usan diferentes simbolos para indicar distintas, condiciones de funcionamiento. Las hojas de caracte- rfsticas de los diodos pueden enumerar las siguientes: tensi6n de ruptura (Vs, Venu Vaww PIV, PRV, BY), maxima corriente en directa (ronan, ay Fe) caida de tensién en directa (Vriqio» Vp) ¥ mAxima corriente en inversa (psy ns). Seccién 3-8, Cémo calcular resistencias internas Se necesitan dos puntos en la zona directa de la tercera, aproximacién. Un punto puede ser 0,7 V con corrien-