You are on page 1of 7

INFORME 1

Universidad del Perú, Decana de América

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

Curso: Laboratorio Circuitos Eléctronicos II

Informe: Informe previo 5

Profesor: Alva Saldaña

EAP: Ing. Electrónica 19.1

Integrante:
INFORME 2

I. OBJETIVOS:

 Experimentar las propiedades del amplificador diferencial.

II. MARCO TEÓRICO:

EMISOR COMUN

CT = Cb 0e + Cµ
RT = Ri + Rb’e

Como el circuito es emisor com˙n con CE

Av = RC k RL hib = gm(RL k RC )
Cµ = Cb 0c (1 + gm(RL k RC )

Los transistores bipolares funcionan satisfactoriamente en un amplio margen de frecuencias,


comenzando en continua. Sin embargo, a cierta frecuencia, 𝒇𝜷 , denominada frecuencia de
corte β, la ganancia de corriente del transistor comienza a deteriorarse. En su frecuencia a
ganancia unidad, 𝒇𝑻 , la ganancia de corriente se reduce a la unidad, limitándose
severamente su utilidad como dispositivo de amplificación.

En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que definen el punto de corte de -3
dB: la capacitancia de la red (parásita e introducida) y la dependencia de la frecuencia de hfe
(β).

En general, se hará la suposición de que la respuesta en frecuencia viene fijada por un POLO
DOMINANTE. De esta manera, el análisis en alta frecuencia se reduce al cálculo de la
INFORME 3

frecuencia de corte superior asociada a este polo dominante. El cálculo del polo dominante
se realizará aplicando el método de las constantes de tiempo en circuito abierto.

III. INFORME PREVIO:


1. Definir rbb’, rb’e, rb’c, rce, Cb’e, Cb’c, gm, fB, fT

 rbb’

La resistencia distribuida de la base, se relaciona con el parámetro h, hie, que


es la resistencia con la salida en corto. En el modelo hibrido π, esta se
denomina a menudo como rπ si se aplica un corto circuito entre el emisor y
colector,se obtiene:
hie =rπ= rbb’+( rb’e // rb’c)

 rb’e:

Es la resistencia de la unión base-emisor (≈0.025 hfe/IEQ a temperatura ambiente) y


generalmente es mucho mayor que rbb’. El lector observará que rb’e es equivalente
a la hfe utilizada como resistencia total de base-emisor. Así, una expresión más exacta
de hie es
ℎ𝑓𝑒
𝑟𝑏′𝑒 =
40𝐼𝐸𝑄

La aproximación ℎ𝑖𝑒 ≈ 𝑟𝑏’𝑒 normalmente es válida.

 rb’c:

Es la resistencia de la unión entre los puntos B’-C. Resistencia de retroalimentación


 rce:

Representa la resistencia óhmica entre los puntos colector- emisor. Resistencia de


salida del transistor.
 Cb’e:
ℎ𝑓𝑒 40𝐼𝐸𝑄 𝑔𝑚
𝐶𝑏′𝑒 = = =
𝜔 𝑇 𝑟𝑏′𝑒 𝜔𝑇 𝜔𝑇
INFORME 4

 Cb’c:
Representa la capacidad de salida, generalmente los fabricantes designan Cb’c como
Cbo, capacidad de salida de la configuración en base común

𝐶𝑏′𝑐 ~𝑣𝑐𝑏′ −𝑝 Donde p está comprendido entre 1/2 y 1/3.

 gm:

Es aproximadamente iguala la capacitancia de difusión (conocida también


como capacitancia de carga de la base).

𝐼𝑄
𝑔𝑚 = = 40𝐼𝐸𝑄
0.025

 fB:

Frecuencia de corte, en ocasiones aparece como fhfe es una función de la


configuración de la polarización. fB es la frecuencia para cuando el factor de
ganancia del transistor empieza a variar.

1
𝑓𝛽 ≅
2𝜋𝛽𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 𝑟𝑒 (𝐶𝜋 + 𝐶𝑢 )

 fT:

Es el límite superior de frecuencia de un transistor. La frecuencia fT se llama ganancia-


anchura de banda del amplificador, aunque no es correcto. fT es la frecuencia
máxima de operación del transistor se da cuando la ganancia es igual a cero.

1
𝑓𝑇 ≅
2𝜋𝑟𝑒 (𝐶𝜋 + 𝐶𝑢 )
INFORME 5

2. En el circuito de la figura 4.1, de acuerdo al modelo π del transistor en


altas frecuencias, encontrar una expresión para fB/fT.

Modelo Hibrido

Del circuito mostrado

𝐼𝑐 −ℎ𝑓𝑒𝐼𝑏´𝑒
𝐴𝑖 = =
𝐼𝑏 𝐼𝑏´𝑒(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

−ℎ𝑓𝑒
𝐴𝑖(𝑗𝑤) =
(1 + 𝑗𝑤𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐))
INFORME 6

Frecuencia de corte:

1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

Calculo de ft: (frecuencia máxima de operación del transistor)

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
(1 + 𝑤 2 (𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)2 )

ℎ𝑓𝑒
|𝐴𝑖| =
𝑤𝑇 2
√(1 + )
𝑤𝐵 2

Por tanto:

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑤𝑇 =
(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

√ℎ𝑓𝑒 − 1
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

Pero hfe2>>1

ℎ𝑓𝑒
𝑓𝑇 =
2𝜋(𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐) )

De esta ecuación y también de:

1
𝑊𝐵 =
𝑟𝑏´𝑒(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐)

Tenemos:

𝑓𝐵 1
=
𝑓𝑇 ℎ𝑓𝑒
INFORME 7

IV. CONCLUSIONES:

 A medida que la frecuencia se incrementa, la magnitud de la reactancia XC se


reduce, con el resultado de un efecto de cortocircuito a través de la salida y
una reducción de la ganancia.
 Como ya logramos apreciar de las frecuencias de corte inferior
calculadas una era mucho mayor que las demás y asi esta se antepuso a
las otras siendo la frecuencia de corte inferior del circuito, pero en el
caso de que no hubiese sido de ese modo y las frecuencias calculadas se
aproximaran en modulo se tendría que haber procedido de una manera
mas matemática para asi poder hallar la frecuencia de corte inferior de
dicho circuito.

V. REFERENCIA BIBLIOGRÁFICAS:

 http://www.docentes.unal.edu.co/hfvelascop/docs/CLASES/AN
ALOGA2/Altafrecuencia.pdf

 https://es.calameo.com/books/0017711808509f1a2de93

 https://electronicauaa.files.wordpress.com/2014/12/respuesta
-en-baja-y-alta-frecuencia-amplificadores-bjt.pdf

 https://www.fceia.unr.edu.ar/enica3/rtafrec.pdf

 https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-
electronicos-analogicos/transparencias/tema-5

You might also like