TRANSISTORES

(GTO, IGCT, IGBT Y MOSFET)

NOMBRE: FARID GARCIA SILVA

ASIGNATURA: ELECTRONICA DE POTENCIA
PROFESOR: RICARDO VERA
 INTRODUCCIÓN

El transistor es un nuevo componente utilizado en las prácticas de electrónica. Este es un

dispositivo semiconductor de tres terminales y que se utiliza para una variedad de funciones
de control en los circuitos electrónicos.

Entre alguna de las funciones podemos incluir la amplificación, oscilación, conmutación y la

conversión de frecuencias. En el reporte siguiente podremos ver los elementos de un
transistor, las ventajas de la utilización de los transistores electrónicos, los tipos de
transistores (GTO, IGCT, IGBT Y MOSFET) .

Así adentrarnos dentro de la electrónica de potencia y conocer dispositivos como son los
transistores viendo sus mayores cualidades, uso y funcionamiento.
 TRANSISTOR GTO

es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso de
corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal; pero en
cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el mismo terminal.
Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de apagado, son controlados
por la corriente en la puerta (G).

CARACTERISTICAS:

El disparo se realiza mediante una VGK >0

El bloqueo se realiza con una VGK < 0.

La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo
forzado que requieren los SCR.

La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el
generador debe estar más dimensionado.

El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.

FUNCIONAMIENTO:

Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una señal
positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal negativa de
compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con especificaciones de
corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta
un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto.
INTENSIDAD DE PUERTA EN EL ENCENDIDO DE UN GTO

TRANSISTOR IGCT

Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT (del inglés
Integrated Gate-Commutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor empleado en
electrónica de potencia para conmutar corriente eléctrica en equipos industriales. Es la
evolución del Tiristor GTO (del inglés Gate Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un
interruptor controlable, permitiendo además de activarlo, también desactivarlo desde el
terminal de control Puerta o G (del inglés Gate). La electrónica de control de la puerta está
integrada en el propio tiristor.

El dispositivo está compuesto IGCT de dos partes elementales, GCT tiristor estructura que
se coloca en un caso de disco similar a la GTO dispositivo y una unidad de puerta a la que la
caja del disco con TCG se adjunta lo más ajustado posible. los mismos viene el nombre de
inglés de este nuevo tipo de dispositivo que se deriva del hecho de que la unidad de la
puerta es, literalmente, integrado con el tiristor GCT. Es así porque la tasa de aumento
de puerta de desvío actual debe ser muy alto para la función a causa de la GCT y por lo
tanto autoinducción de la puerta conducir la unidad como debe ser minimizado.
 TRANSISTOR IGBT

Es un dispositivo semiconductor que combina el MOSFET y el BJT. Está formado por obleas
dopadas de tipo N y de Tipo P formando cuatro capas de unión PN que reduce la resistividad
haciendo menor la caída de tensión en la conducción, pero a diferencia del tiristor este se
puede controlar totalmente en el momento del encendido y el apagado. Su construcción es
similar a la de un MOSFET con la diferencia de que el material de partida es de tipo P y no
N. La P adicional hace que cuando está en corte no haya inyección de huecos entre la unión
PN en la N (esto se produce cuando esta polarizado directamente) por lo que la capacidad
de soportar tensión solo depende de la capa N.

El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con las características de los

transistores bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET, tiene una
impedancia de entrada elevada como los MOSFET, alta capacidad de corriente, caída de
tensión directa (voltaje colector-emisor de saturación) muy baja así como la facilidad de
comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la tecnología MOSFET, además de las
bajas pérdidas en conmutación como los BJT, puesto que la energía aplicada en la puerta
que activa el dispositivo es pequeña, con corrientes de orden de nano amperios y tensiones
de control de unos 15V, haciendo posible su control mediante circuitos integrados, además
de no necesitar la corriente de base para mantenerse en conducción como los bipolares. En
general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente
propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conducción por tensión que
ofrece un MOSFET.
 COMPARACION CON MOSFET

 Entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen una relativamente

baja velocidad de respuesta (20Khz) en comparación con el MOSFET aunque
puede trabajar con altas frecuencias y grandes intensidades, pero no siempre
traen el diodo de protección (Damper) que incluyen los MOSFET. En sus primeras
versiones, los IGBT eran propensos a entrar abruptamente en conducción, pero
en la actualidad, las nuevas tecnologías de fabricación están eliminando este
defecto.

 un IGBT cuenta con una caída de tensión significativamente menor en

comparación con un MOSFET convencional en dispositivos con clasificación más
alta de tensión de bloqueo, aunque las pérdidas en conmutación son mayores.

 A diferencia de un MOSFET, el IGBT no puede conducir en la dirección inversa.

Es capaz de bloquear tensiones Vce negativas, al contrario que el MOSFET, que
no puede debido a su diodo parásito.

 A pesar de todo esto el MOSFET es un producto ya maduro y que ha logrado un

desarrollo constructivo muy importante. Los IGBT son una nueva tecnología que
superará a los MOSFET por encima de los 300 Voltios y los 100 Amperios, pero
estos últimos continúan teniendo un crecimiento muy dinámico en el área de la
automoción y la electrónica de consumo, lo que hará que su decadencia no
resulte tan sencilla.
 TRANSISTOR MOSFET

MOSFET. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field

Effect Transistor. Consiste en un transistor de efecto de
campo basado en la estructura MOS. Es el transistor más
utilizado en la industria microelectrónica. La práctica
totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están
basados en transistores MOSFET.

Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que,

mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas
por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de
conductor.

TIPOS MOSFETS

Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se

haya realizado el dopaje: Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n. Tipo pMOS:
Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p. Las áreas de difusión se denominan fuente y
drenador, y el conductor entre ellos es la puerta.

CARACTERIZTICAS
1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada
(107 a 1012 ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños
de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente
para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes
 Tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia más utilizados para
seleccionar en que zona se utilizará cada dispositivo en función de las características
de cada dispositivo parametrizadas por la tensión, la corriente y la frecuencia de
trabajo.