MOSFET

MOSFET
DESCRIPCIÓN:
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S,
Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin
embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al
terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
 PASOS PARA LA
MEDICIÓN DE MOSFET
1- En la función de diodos del multimetro, vamos a colocar la punta de prueba negra ( -) del
multimetro, en el terminal Drain y la punta roja (+) en el terminal Source.

Resultado de la prueba: Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los resultados
varían según el tipo de FET). Sino se obtiene ninguna lectura, el FET esta en circuito
abierto. Si la lectura es baja, el FET esta en cortocircuito.

2 – Sin retirar la punta negra del terminal Drain, colocamos la punta roja en el terminal
Gate.

Resultado de la prueba: No se debe obtener lectura alguna, de lo contrario el FET

presenta una fuga o esta en cortocircuito.

3- Ahora regresamos la punta roja al terminal Source, con lo que la juntura Drain – Source
se activa.
 Resultado de la prueba: Entre Drain y Source se obtiene una lectura baja, alrededor de
0.82v, debido a que el FET se “enciende”. Para desactivar el FET, se debe cortocircuitar
sus 3 terminales por medio de un elemento metálico, así el FET regresara a su estado de
reposo.

Símbolos de transistores MOSFET[editar]

Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El
diseño básico consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen del
canal en ángulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para
indicar la fuente y el drenaje. En algunos casos, se utiliza una línea segmentada en tres
partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una línea sólida para el canal del
MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es dibujada en forma paralela al canal para
destacar la puerta.
La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del
canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre
apunta en la dirección P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene
la flecha apuntando hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato está
conectado internamente a la fuente (como generalmente ocurre en dispositivos discretos)
se conecta con una línea en el dibujo entre el sustrato y la fuente. Si el sustrato no se
muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los diseños de circuitos
integrados, debido a que se utiliza un sustrato común) se utiliza un símbolo de inversión
para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha
en la fuente de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia
afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS).
En la tabla que seguidamente se muestra se tiene una comparación entre los símbolos de
los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los símbolos para los
JFET dibujados con la fuente y el drenaje ordenados de modo que las tensiones más
elevadas aparecen en la parte superior del símbolo y la corriente fluye hacia abajo.

Símbolos de los transistores FET y MOSFET

 Canal
P

Canal
N

FET de MOSFET de MOSFET de MOSFET de

unión Enriquecimien Enriquecimien Empobrecimien
JFET to to to
(MOSFET-E) (sin sustrato) o Deplexión
(MOSFET-D)

Modos de operación[editar]
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones
de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusión
se utiliza un modelo algebraico que es válido para las tecnologías básicas antiguas, y se
incluye aquí con fines didácticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho más complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensión de umbral del transistor

De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se

encuentra apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo que el
MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la
distribución de Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se permite
que los electrones con alta energía presentes en la fuente ingresen al canal y fluyan
hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es una función
exponencial de la tensión entre puerta-fuente. La corriente subumbral sigue
aproximadamente la siguiente ecuación:
{\displaystyle I_{D}\approx I_{D0}e^{\begin{matrix}{\frac {V_{GS}-
V_{th}}{nV_{T}}}\end{matrix}}}
donde ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth,

VT = kT/q es el voltaje térmico,

n = 1 + CD/COX

donde CD es la capacidad de la región de agotamiento, y

COX es la capacidad de la capa de óxido.

 Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth )
Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea una
región de agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión
crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones
en NMOS) en la región de agotamiento, que darán lugar a un canal de conducción. El
transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una diferencia de
potencial entre drenador y fuente dará lugar a una corriente. El transistor se comporta
como una resistencia controlada por la tensión de puerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente es modelada por medio de
la ecuación:
{\displaystyle I_{D}=\mu _{n}C_{ox}{\frac {W}{L}}\left((V_{GS}-V_{th})V_{DS}-{\frac
{V_{DS}^{2}}{2}}\right)}
Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de conducción
bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece.
La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que es
debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.
En esta región la corriente de drenador se modela con la siguiente ecuación:
{\displaystyle I_{D}={\frac {\mu _{n}C_{ox}}{2}}{\frac {W}{L}}(V_{GS}-
V_{th})^{2}\left(1+\lambda (V_{DS}-V_{DSsat})\right)}

Efectos de segundo orden[editar]

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET,
pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como por
ejemplo:
● Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de
drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
● Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato modifica la
tensión umbral que da lugar al canal de conducción.
● Modulación de longitud de canal.

Comparación de MOSFET tipo n y p

Parámetro nMOSFET pMOSFET

 Fuente / tipo de drenaje tipo n tipo p

Tipo de canal tipo n tipo p

(condensador MOS)

Polisilicio n+ p+

Tipo de puerta
Metal φ m ~ Si banda de φ m ~ Si banda de
conducción valencia

Bien tipo tipo p tipo n

Tensión umbral, V th ● Positivo (mejora) ● Negativo

● Negativo (mejora)
(agotamiento) ● Positivo
(agotamiento)

Doblado de banda Hacia abajo Hacia arriba

Portadores de la capa de Electrones Agujeros

inversión

Tipo de sustrato tipo p tipo n