Microscopia de Efecto Túnel

(TSM)
Walter Juan Ramón Díaz Pérez
Universidad de Concepción
Ingeniero Metalúrgico
Estudiante de Magister en Ingeniería Metalúrgica
 Contenido

1. Antecedentes.
2. Funcionamiento.
3. Microscopio.
4. Modo de operación.
5. Micrografías
6. Ventajas y desventajas
7. Referencias bibliográficas.
 Antecedentes
Desarrollo del Topografiner (precursor del STM) - 1972
Trabajo inicial que puede considerarse como el antecesor del
Microscopio de efecto túnel, es el publicado en 1972 por Young
et. al.

Este instrumento permite medir “microtopografia superficial”,

para ello utiliza una emisión de campo, pudiendo resolver
hasta 30 Å en la forma vertical y hasta 4000 Å (0.4 micras) en el
plano horizontal de la superficie y como puede notarse, estaba
lejos de obtener resolución atómica (recordar que el diámetro
de un átomo mide en promedio entre 2 y 5 Å).
 Antecedentes

El primer tipo de microscopio de sonda de exploración, el

microscopio de exploración de túneles (STM), fue
inventado en 1981/1982 por Binnig y Rohrer, quienes
recibieron el Premio Nobel de Física 1986 por esta
invención. La propiedad más sorprendente de este tipo de
microscopio es que proporciona resolución hasta la
escala atómica en el espacio real.
Efecto túnel
Diferencia entre la teórica clásica y la teoría cuántica
Efecto túnel
Desde el punto de vista de la mecánica clásica un electrón no puede superar una barrera de potencial
superior a su energía. Sin embargo, según la mecánica cuántica, los electrones no están definidos por
una posición precisa, sino por una nube de probabilidad. Esto provoca que en ciertos sistemas esta nube
de probabilidad se extienda hasta el otro lado de una barrera de potencial.
Efecto túnel
 Funcionamiento

En el STM una punta metálica muy

aguda se aproxima a una muestra
eléctricamente conductora a una
distancia tan cercana como 10Å y
se aplica un pequeño voltaje de
aproximadamente 0.1 V entre
ambas.
 Microscopio de efecto túnel: Partes

• Electrodos de la unión túnel.

• Sistema de movimiento tridimensional.
• Sistema de aislamiento de vibraciones.
• Sistema electrónico de control.
• Estructura mecánica del sistema.
• Sistema de obtención de imágenes.
Microscopio de efecto túnel: Partes
La sonda del STM : “Tip o punta”
Las sondas son generalmentes puntas de W o Pt-Ir, preparadas
por procedimientos mecanicos (corte) o ataque electroquimico
o por aplicacion de altos campos en vacio.
 Modo de operación: Corriente Constante

En el modo de corriente constante la velocidad de

escaneado está restringida por el uso del sistema
de retroalimentación, ya que el posicionamiento de
la punta va en el eje “Z” va a variar de punto a punto
y de ahí si se tiene un sistema de retroalimentación
que opera a baja velocidad, es escaneo será lento,
y la generación de la imagen igualmente.
 Modo de operación: Altura Constante

Se mantendrá la punta en la misma posición del eje

“Z”, lo que implica que se moverá en un solo plano y a
partir de la variación de la corriente de
retroalimentación se generará la imagen de la
topografía de la superficie a analizar. Esta forma de
operación permite tener mayores velocidades que
cuando se explora con corriente constante.
 Modo de operación: Imagen de altura de barrera

Si hay un compuesto no homogéneo en la superficie,

la función de trabajo también será inhomogénea. Esto
altera la altura de la barrera local. Al utilizar los dos
modos descritos anteriormente, obtendríamos un
agujero virtual o adatom.
Equipos comerciales de STM

(Bassiouk y Basiuk 2010)

Nanosurf easyScan E-STM (sencillo, portátil, fácil en su manejo, económico – un costo
aproximado de US$ 10,000).
Equipos comerciales de STM

JEOL JSPM-5200 (sofisticado, estacionario,

requiere de conocimiento más profundo de la
técnica, medianamente costoso – un costo
aproximado de US$ 200,000). Descontinuado

(Bassiouk y Basiuk 2010)

 Equipos comerciales de STM
Omicron VT UHV SPM (muy sofisticado, estacionario,
requiere de conocimiento muy profundo de la técnica
de STM, muy costoso – un costo aproximado de US$
800,000)

(Bassiouk y Basiuk 2010)

Micrografías
Reconstrucción de la superficie de Silicio (111) 7x7
 Micrografías

Defectos de la red cristalina

a) Imagen STM de una dislocación de tornillo
b) b) Dislocación de tornillo
Micrografías

Escalones no monoatómicos en Si (111) 7x7

Escalones monoatómicos en Si (111)
Micrografías
El STM sólo es aplicable a
muestras conductoras mientras
que el AFM se utiliza tanto para
aislantes como para conductores
(más versátil). Además, el AFM
ofrece la ventaja de que el voltaje
de entrada y el espaciado entre la
punta y la muestra se pueden
controlar independientemente,
mientras que en STM los dos
parámetros están integralmente
unidos.

Imagen de la molécula individual de oligo-enedina C26H14 en una

superficie de plata orientada Ag (100)
 Ventajas y desventajas del STM
• Tiene una alta resolución en el nivel atómico, que se considera ser resolución lateral de 0,1 nanómetro y
resolución de la profundidad de 0,01 nanómetro.

• La imagen de mapeo 3D puede obtenerse fácilmente.

• Puede observar la estructura superficial parcial de un solo átomo, naturaleza no media de la superficie
entera, así directamente demostrando defectos superficiales.

• Es capaz de capturar mucho más detalles que los microscopios menores. Esto ayuda a los investigadores
a comprender mejor el tema de su investigación a nivel molecular.

• STM es también versátil. Pueden ser utilizados en el vacío ultra alto, el aire, el agua y otros líquidos y
gases.

• Funcionarán en temperaturas tan bajas como Kelvin cero hasta unos pocos cientos de grados
centígrados.
 Ventajas y desventajas del STM
• STM puede ser difícil de usar con eficacia. Hay una técnica muy específica que requiere mucha
habilidad y precisión.

• STM requiere superficies muy estables y limpias, excelente control de vibración y puntas
afiladas.

• STM sólo puede utilizarse para escanear muestras no fácilmente oxidadas y bien conductoras.

• El STM utiliza equipos altamente especializados que son frágiles y caros.

 Referencias
• A. I. Oliva, J. F. Háller, J. L. Peña, J. E. Corona.«El microscopio que "ve" los átomos». Revista del Centro de Graduados e
Investigación, ITM 9, 55-76, 1990.
• Baird, Davis, y Ashley Shew. «Probing the History of Scanning Tunneling Microscopy». Discovering the Nanoscale,
Amsterdam, s. f., 12 2004.
• Bassiouk, María, y Vladimir A. Basiuk. «Microscopía de barrido de efecto túnel: ojos y dedos para nano». Mundo Nano.
Revista Interdisciplinaria en Nanociencias y Nanotecnología 3, n.o 2 (12 de abril de 2015).
• Behm, R. J, N Garcia, y H Rohrer. Scanning Tunneling Microscopy and Related Methods. Dordrecht: Springer Netherlands,
1990.
• Binnig, G., & Rohrer, H. (1982). U.S. Patent No. 4,343,993. Washington, DC: U.S. Patent and Trademark Office, IBM J. Res.
Dev, 30(4), 355.
• Chen, C. Julian. Introduction to Scanning Tunneling Microscopy. Oxford Series in Optical and Imaging Sciences 4. New
York: Oxford University Press, 1993.
• Oteyza, Dimas G. de, Patrick Gorman, Yen-Chia Chen, Sebastian Wickenburg, Alexander Riss, Duncan J. Mowbray, Grisha
Etkin, et al. «Direct Imaging of Covalent Bond Structure in Single-Molecule Chemical Reactions». Science 340, n.o 6139
(21 de junio de 2013): 1434-37.
• ntmdt-si.«SPM Principles». Accedido 18 de octubre de 2018. https://www.ntmdt-si.com/resources/spm-principles.
• Young, Russell, John Ward, y Fredric Scire. «The Topografiner: An Instrument for Measuring Surface Microtopography».
Review of Scientific Instruments 43, n.o 7 (julio de 1972): 999-1011.
Polarización negativa y positiva

• Imágenes mostrando los estados ocupados (izquierda),

y desocupados (derecha), de una superficie de
Si(111)(7*7).

• La adquisición se hizo simultáneamente con

potenciales respectivos de –2V y +2V, y la punta
aterrizada.
Parámetros experimentales

• Corriente de tunelamiento
• Voltaje de tunelamiento
• Resistencia del gap de tunelamiento
• Provee una medida de la distancia entre la punta y la superficie.
• Si la punta está muy cerca el gap es pequeño, si está relativamente
lejos, será grande.
• La distancia de separación se determina por el valor inicial de corriente (set-
point):
• Valores de I bajo – gap grande
• Valores de I altos – gap pequeño