ELECTRONICA ANALOGA

Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja

señal con JFET

PEDRO NEL PINEDA- 89006778

SOLGER DONEY SUA-
BRAYAN ANDRES SALAZAR MERA- 1115188686
HAROL GRISSON MOYA- 12022947

GRUPO: 243006_14

TUTOR
JAIRO LUIS GUTIERREZ

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

VICERRECTORÍA ACADÉMICA Y DE INVESTIGACIÓN
Mayo 22 de 2019
 INTRODUCCION

En el presente trabajo, se presenta la solución al problema del

amplificador de baja señal con JFET, bajo una metodología de ABP
(Aprendizaje basado en problemas) en tres actividades: Primera actividad
teórica, segunda actividad argumentativa y la tercera actividad de
solución.
El transistor JFET funciona mediante la excitación de su material n o
material p por un potencial aplicado entre los terminales Gate y Source,
que se denota como VGS, valores que al ser ubicados en un plano en el
eje de las abscisas junto con el valor correspondiente de la corriente que
pasa por Drain y Source, IDS, en el eje de las ordenadas, se puede
observar la curva característica del transistor, el cual cuenta con tres
zonas: Óhmica, Activa y Corte.
En esta práctica se trabaja en la zona activa, ya que permite mantener
un flujo casi uniforme de corriente frente a un valor de potencial aplicado
en el Gate, para así lograr una primera etapa de amplificación de la señal
de entrada, todo esto con sus respectivos condensadores de acople y
desacople según lo solicitado.
Para la resolución del presente informe, fue necesario documentar
utilizando las fuentes bibliográficas proporcionadas, para luego entregar
una explicación teórica del circuito, y luego plantar la solución. Así mismo,
se calcularon los elementos a utilizar en el circuito especificando sus
características.
Las características más importantes en un amplificador son su ganancia,
impedancia de entrada e impedancia de salida.
Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja
señal con JFET

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es
presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución
llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar
señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: 2N3819
ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este
diseño se trabajara IDSS=16mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a

la empresa, en él mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación
teórica, una argumentación y la validación de la solución. Además, de ser
aprobada la propuesta, se deberá realizar una implementación real y para
ello se contará con acceso a los laboratorios.
 Actividades a desarrollar
Individuales:
1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)

Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador Fuente Autor.

1.1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la

Unidad 2, Cada estudiante debe describir con sus propias palabras
la teoría de funcionamiento del circuito anterior.

El transistor JFET (Junction Field Effect Transistor, que se traduce como

transistor de efecto de campo) es un dispositivo electrónico activo
unipolar, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por
corriente.

Es un dispositivo que puede trabajar como interruptor, puede amplificar

señales, tiene la ventaja de baja cantidad de ruido, las velocidades de
trabajo son mucho más rápidos.
En este circuito utilizaremos el transistor 2N3819.

1: Fuente
2: puerta
3: drenar
- 2n3819 es un JFET de canal N (Transistor de efecto de campo de unión)
que se utiliza principalmente para amplificación de propósito general y
conmutación analógica.
- Contiene tres terminales nombradas como puerta, drenaje y fuente.
- 2n3819 es un dispositivo de bajo costo que exhibe un alto rendimiento en
frecuencias medias a altas.
- Este JFET también se denomina dispositivo de control de voltaje porque se
usa un pequeño voltaje en el terminal de la compuerta para controlar la
conducción entre la fuente y los terminales de drenaje.
- Este JFET se puede usar como resistencias controladas por voltaje,
amplificadores e interruptores controlados electrónicamente.
- Exhibe una gran impedancia de entrada de hasta miles de ohmios, por lo
que no afecta los componentes externos que conectamos a su terminal de
puerta.
- La corriente fluirá desde la fuente hasta el drenaje.
- Es un dispositivo de control de voltaje y la compuerta no consume corriente.
Amplificador de baja señal con JFET

El JFET es un dispositivo en el cual los portadores de corriente (electrones) son

inyectados a un terminal (surtidor, source) y pasan a otro (drenaje) a través de un
canal semiconductor cuya resistividad depende de una región de estrangulamiento
(depleción región) motivada por la acción repelente del campo eléctrico conectado
al terminal de control (Compuerta, gate).

Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente

(S, Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o
de canal N.

JFET de canal N
JFET de canal P

JFET de canal N

A construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente

Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el
canal entre las capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal
tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la terminal denominada como
drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta
por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos
materiales tipo p se encuentran conectados juntos y al mismo tiempo hacia la
terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente
se conectan en esencia a los extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos
capas del material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados,
el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarización. El resultado es
una región de agotamiento en cada unión, como se ilustra en la figura siguiente,
que se parece a la misma región de un diodo bajo condiciones sin polarización.
Recuérdese también que una región de agotamiento es aquella región carente de
portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conducción a través de la
región.

JFET de canal P

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de

CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes son de sentido
contrario.
 2. Argumentación.

(Segunda Semana).

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

2.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.

-Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
R/= RD = (VCC – VD) / ID VCC= 20V VD= 10V ID=

3mA

RD = (20 V – 10 V) / 3 mA

RD = 10 V / 3 mA

3 mA = 0.003 A

RD = 10 V / 0.003 A

RD = 3333.33 Ω
 -Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
R/= Para realizar el cálculo matemático de RS trabajamos con la siguiente formula y datos
obtenidos

𝑅𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)/𝐼𝐷𝑆𝑆

Como sabemos que IDSS del JFET varía entre 2mA y 20mA trabajamos con un IDSS de
16mA y el VGS(off) es -8v entonces calculamos de la siguiente manera

Referencia del JFET: 2N3819

ID= 3mA,

VD= 10V,

VGS (off)= -8V,

VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se trabajara
IDSS=16mA.

𝑅𝑆 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓)/𝐼𝐷𝑆𝑆

8𝑣 8𝑣
𝑅𝑆 = − =−
16𝑚𝐴 0.016𝐴

𝑹𝑺 = 𝟓𝟎𝟎Ω

-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el
valor de RG debe ser alto?
R/= Todo transistor requiere o necesita de estar polarizado para poder operar,
conocemos 3 tipos de polarización para los transistores JFET:
1- Polarización de puerta: Caracterizada porque utiliza dos fuentes, una de ella
conectada directamente entre la compuerta y la fuente. Muy útil al utilizar una
fuente variable, porque puedes poner a operar el JFET en la región Óhmica o en
la región activa.
2- Polarización por Autopolarización: para El tipo de polarización Auto
polarización, solo necesitamos una fuente de alimentación para su operación.
Utilizando una resistencia RS, que es quien polariza la compuerta. Es muy similar
para los JFET tipo n como tipo p.
3- Polarización por División de tensión del JFET: Para este tipo de polarización
se puede utilizar una sola fuente de alimentación, se utilizan dos resistencias de
gran ohmiaje para no perder la alta impedancia de entrada del JFET en los
circuitos de amplificación. El punto de operación del JFET, se ve menos afectado
al cambiarlo por uno de la misma familia
- Nuestro transistor en este circuito está configurado en modo
AUTOPOLARIZACIÓN, ya que solo está alimentado por una sola fuente,
en este caso la de 20v. cumpliéndose la ley de que la corriente que pasa
por ID=IS como si fuera un circuito en serie. Se debe cumplir que a la
compuerta llegue la tensión de polarización, por lo cual RG debe ser muy
elevado del orden de los megaohmios Según la guía de 1 o 2 MΩ para que
la señal que llega débil no vea el camino de la tierra sino que llegue directo
al JFET, evitando que se pierda la señal débil; asumiendo que la señal
proviene de una antena. Cumpliendo así con la función de circuito
amplificador.
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de
acople.
R/=?
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.
R/= 𝐴𝑉 = 𝐺𝑚 ∗ 𝑅𝐷
𝑅𝐷 = 3,333Ω
𝐺𝑚 =?
Para calcular Gm utilizamos la siguiente formula.
Gm = ID / VGS
3𝑚𝐴
𝐺𝑚 = = −0.00375
−8𝑣

𝐴𝑉 = −0.00375 ∗ 3,333 = −0.0124𝐴𝑣

 3. Solución.
(Tercera semana)

3.1. Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET

propuesto en la que se evidencie el correcto funcionamiento y las
siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.
 Se debe anexar en el informe grupal pantallazos de las participaciones
de los estudiantes que integran el equipo de trabajo.
 CONCLUSIÓN

Con esta actividad comprendimos una de las funcionalidades más

importantes de un transistor que es la de amplificar señales. también
podemos hacer cambios de bases electromecánicas, con estos cambios
es posible hacer muchos tipos de señales como también negarlas.
Se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor.
 REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para
Ingenieros (pp. 37-51). Recuperado de:
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg
=48&docID=10498503&tm=1482090196645

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-

167). Recuperado de:
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg
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Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus

aplicaciones (pp.154-178). Recuperado de:
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg
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Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET.

[Video] Recuperado de:
https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk

González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos.(pp. 127-

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https://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2538/lib/unadsp/reader.action?ppg
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MrElberni Polarización del transistor JFET Recuperado de:

http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-
jfet/pruebas-con-el-jfet/curva-de-transferencia-del-jfet/polarizacion-del-
jfet/