TRANSISTORES (Panorámica)

NPN
Bipolares Dispositivos de
(BJT) PNP puerta de unión

Canal N (JFET-N)
Transistores Unión
Canal P (JFET-P)

Efecto de
campo
Metal-óxido- Canal N (MOSFET-N)
(FET)
semiconductor
(MOS) Canal P (MOSFET-P)

Dispositivos de
* BJT : Bipolar Junction Transistor
puerta aislada
* FET : Field Effect Transistor

Estructura del Transistor MOS

Estructura
Contactos Nombre
Metal metálicos Metal
SiO2 S G D
S G D
Óxido

N+ N+ Semiconductor
P-
+
D
Substrato B Símbolo
Símbolo
D El Substrato B generalmente G
se conecta a la Fuente S
MOSFET de S
Substrato enriquecimiento de
G
canal P
S MOSFET de enriquecimiento
(acumulación) de canal N

1
 Principio de funcionamiento del MOSFET

G Zona de transición
S ++ ++ D
(con carga espacial)
- - - -
+ + + +
N+ N+
V1
P-
+
Substrato
Se empieza a formar una capa
G de electrones (minoritarios del
S +++
++ +++
++ D substrato)

N+ -- -- -- --
-
N+
-
V2 > V1
P- - -
+
Substrato

Principio de funcionamiento del MOSFET

G Esta capa de minoritarios es

S ++++ ++++ D llamada “capa de inversión”

N+ -- -- -- -- N+
P- V3 = V TH > V2
+
Esta capa es una zona de
Substrato transición (no tiene casi
portadores de carga)

Cuando la concentración de los electrones en la capa formada es igual a

la concentración de los huecos de la zona del substrato alejada de la
puerta, diremos que empieza la inversión. Se ha creado artificialmente una
zona N tan dopada como la zona P del substrato. La tensión a la que esto
ocurre es llamada “tensión umbral” (“threshold voltage”), VTH.

2
 Principio de funcionamiento del MOSFET

Situación con tensión G

mayor que la de umbral S +++++ +++++ D

N+ -- - -- -- - -- N+
P- V4 > V TH
VDS ID P
Substrato

G •Conectamos la fuente al
S +++++ +++++ D substrato.

VGS •Conectamos una fuente de

N+ - - - - - - N+ tensión entre los terminales fuente
- - - -
P- y drenador.

¿Cómo es la corriente de
Substrato
drenador?

VDS 0 ID 0

Principio de funcionamiento del MOSFET

G •Existe un canal entre drenador y

S +++++ +++++ D fuente constituido por la capa de
VGS inversión que se ha formado.
N+ -- - -- -- - -- N+ •Con tensiones VDS pequeñas
P- (<<VGS), el canal es uniforme.

Substrato VDS =VDS1 >0

ID

•El canal se empieza a contraer G

según aumenta la tensión VDS. S +++++ +++++ D
VGS
N+ - - - - - N+
- - - - -
P-

Substrato

3
 VDS2=VDSPO >VDS1
Principio de funcionamiento
ID del MOSFET
G
S +++++ +++++ D •El canal formado se contrae
VGS totalmente cuando VDS = VDSPO.
- - -
N+ ------- N+
P-
VDS3 >VDSPO
Substrato ID

G
S +++++ +++++ D
•Cuando VDS > VDSPO, el MOSFET se
comporta como una fuente de - - - VGS
N+ ------- N+
corriente.
P-

Substrato

Principio de funcionamiento del MOSFET

VDS2 > VDS1
VDS1
ID0 ID0

G G
S D S D

N+ N+ N+ N+
P- P-

Substrato Substrato

Si VGS = 0, la corriente de drenador es prácticamente nula.

En general, si VGS <VTH, no hay casi canal formado y, por
tanto, no hay casi corriente de drenador.

http://jas.eng.buffalo.edu/education/mos/mosfet/mosfet.html

4
 Curvas características de un MOSFET de
enriquecimiento de canal N
Referencias
normalizadas ID •Curvas de salida
D ID [mA]
+
G VDS VGS = 4,5V
4
+ S -
VGS VGS = 4V
- 2 VGS = 3,5V
VGS = 3V
•Curvas de entrada: VGS = 2,5V VDS [V]
No tienen interés (puerta 0
aislada del canal) 2 4 6
VGS < VTH = 2V

Muy importante

Análisis gráfico del comportamiento de un

MOSFET de enriquecimiento en Fuente común
ID [mA]
ID VGS = 4,5V
2,5KW 4
VGS = 4V
D
+
2 VGS = 3,5V
G VDS
+ S - 10V VGS = 3V
VGS = 2,5V
VGS
- 0 12 VDS [V]
4 8
VGS < VTH = 2V
VGS = 0V < 2,5V < 3V < 3,5V < 4V < 4,5V
Muy
importante
Comportamiento resistivo

Comportamiento como fuente de corriente

Comportamiento como circuito abierto

5
 Principales características

1- Son dispositivos que a diferencia de los transistores bipolares se

controlan por tensión, la tensión Vgs

2- El consumo de corriente por la puerta es prácticamente nulo (nA),

resistencia de entrada muy alta

3- La corriente principal (entre drenador y fuente) se establece a través de

un canal de un solo tipo de portador (canal tipo N o canal tipo P)

4- Dimensiones físicas pequeñas, permite una alta escala de integración

Procedimiento de cálculo

Región de Corte
En transistores bipolares
Vgs = 0V, Id = 0A Ib = 0, Ic = 0

Región Activa En la literatura muchas veces

aparece como zona de saturación
Parámetro del dispositivo
Vgs >= VT, Id = K (Vgs – VT)2

Vds > Vds crit K=(W/L)* KP/2 (mA/V2)

W = ancho del canal
Vds crit = Vgs – VT L= longitud del canal
KP= movilidad superficial de
los electrones en el canal * la
Región Óhmica capacidad de la puerta por unidad
de área (proceso de fabricación)
Id = K [2 (Vgs – VT)Vds – Vds2]

Vds < Vds crit