Lasery Na Ciele Stałym

LASERY NA CIELE
STAŁYM
Wstęp
Lasery na ciele stałym – lasery, których
ośrodki czynne mają budowę krystaliczną
lub amorficzną (w tym lasery
półprzewodnikowe).
Charakterystyka ośrodka:
– silne linie fluorescencji, poszerzone
niejednorodnie (szczególnie w szkliwach),
wskazujące na duże momenty przejść
dipolowych,
– szerokie pasma absorpcji,
– długie czasy życia górnego stanu
laserowego,
– duża wydajnością kwantową fluorescencji,
– duży udział fononów w redystrybucji
energii.
Lasery na ciele stałym
Wystarczająco dobre właściwości
spektralne i optyczne ma około 300
kryształów i szkieł.
Centra aktywne – zwykle jony pierwiastków
przejściowych z grup żelaza, palladu,
platyny, ziem rzadkich i aktynowców
Pierwiastki grup przejściowych

Grupa Konfiguracja Pierwiastki
Żelaza 3d n 4s od 21 do 30
np.: Ti, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn
Palladu 4d n 5s 1 od 39 do 48
np.: Y, Zr, Nb, Mo, Te, Ag, Cd
Ziem rzadkich 4f n sd 0 6s 2 od 57 do 70
np.: Pr, Nd, Sm, Eu, Ho, Er, Yb
Platyny 5d n 6s 2 od 71 do 80
np.: Ta, W, Re, Ir, Pt, Au, Hg
Aktynowców 5f n 6d 0 7s 2 od 89 do 98
np.: Ac, Pa, U, Np, Pu, Am, Cf
2
a). Lasery na jonach paramagnetycznych
- lasery na jonach metali przejściowych (np.
rubinowe, tytanowo - szafirowe),
- lasery na trójwartościowych ziemiach
rzadkich (np. neodymowe),
- lasery na dwuwartościowych ziemiach
rzadkich,
- lasery na aktynowcach.
b).Lasery na centrach barwnych
c). Lasery półprzewodnikowe.
Lasery na metalach
przejściowych
Laser rubinowy
Laser rubinowy (T.H. Maiman, 1960 r.).
Pierwszy laser pracujący w obszarze
widzialnym ( em  694. 3nm).
Rubin – Al 2 O 3 , domieszkowany Cr
(konfiguracja elektronowa Ar3d 5 4s).
Osobliwością tej grupy (np. V, Mn, Fe) jest
ekranowanie elektronów z niewypełnionej
powłoki 3d przez elektrony 4s.
3
Trzy elektrony potrójnie zjonizowanego jonu
Cr 3 z powłoki 3d nie są ekranowane i w
szafirze są poddane działaniu silnego pola
krystalicznego pochodzącego od sześciu
najbliższych jonów tlenu, co ma decydujący
wpływ na własności spektralne rubinu.
Oś C
Al
Komórka elementarna kryształu rubinu.

Mniejszy promień jonowy Al 3
(0. 51  10 4 m ) od promienia Cr 3 (
0. 63  10 4 m)  wewnętrzne naprężenia i
defekty sieci.
Wyższy stan: 2E (rozszczepiony na
metastabilne o bardzo długich czasach
życia ( 3ms): 2Ā i Ē
4
Pasmo niebieskie
4
3 F1 Pasmo zielone
25 x10
2
F2
20
Energia [cm-1]
4
F2
29 cm-1
15 2A
Dublet 2E
10 U Y B g=2
E
5 R2 R R1
4
0 A2 , g = 4
Schemat poziomów energetycznych lasera rubinowego.

Długość linii R 1 – 694. 3nm, a linii R 2 –
692. 8nm.
Pasma absorpcji – szerokie:
– pasmo zielone,
– pasmo niebieskie
Laser trójpoziomowy
Relaksacja oscylacyjna
samosynchronizację modów
Generacja gigantyczna
Stosuje się zwykle pręty o średnicy 2  3cm i
długości 20  30cm. Zazwyczaj oś optyczna
kryształu (oś C) tworzy kąt 60 0  90 0 z osią
pręta. Emisja jest liniowo spolaryzowana.
Przy wzroście temperatury linie R 1 i R 2
znacznie się rozszerzają.
5
Przy dużych stężeniach chromu pojawiają
się dodatkowo linie: 704 nm, 701 nm, 767 nm.
Stężenie Cr3+ = 1.58 x 10-19 cm-3
10 E C
Współczynnik absorpcji 4 E C
[cm -1 ]
2 Przejście
laserowe
1
300 400 500 600 700 800 [nm]

Długość fali
Widmo absorpcji kryształu rubinu. Widoczna jest silna

zależność absorpcji od polaryzacji światła absorbowanego
Niech
N1  N2  N3  N ,
4
stan A 2   Ē  2Ā   4 F 2  4 F 1   N ,
gdzie N jest stężęniem jonów.
W równowadze termodynamicznej możemy
wyznaczyć obsadzenie poziomów w stanie
wzbudzonym:
 2 exp  E  0. 87  K .
N2Ā
NĒ 2 kT
dla E  29cm 1 i kT  209cm 1 300K.
Niech obsadzenie Ē  2Ā będzie N 2 , to
obsadzenia stanów
6
N2Ā  K N2,
1K
NĒ  1 N 2 ,
1K
Optyczną przezroczystość dla linii 694. 3nm
występuje jeśli
NĒ  2 N 4 A 2   1 N 1 ,
4 2
czyli
N2  1 N .
1K 2 1
Ponieważ
N 1  N 2  N.
to
N 2  1  K N  0. 483N,
3K
N 1  2  K N  0. 517N,
3K
Jak widać, wielkości obsadzeń te są w
praktyce równe.
Nawet jeżeli wzmocnienie jest równe zeru
spontaniczna emisja jest bardzo duża:
P sp  1  K N h  727Wcm 3
,
3K sp
przy N  1. 58  10 19 cm 3 oraz  sp  3ms.
7
Załóżmy, że kwantową wydajność
pompowania   0. 7. Obliczymy gęstość
promieniowania, potrzebną do uzyskania
optycznej przezroczystości.
Gęstość promieniowania zaabsorbowanego
wynosi:
P
P ab  sp  1. 04kW/cm 3 .
Jeśli 50% energii zmagazynowanej w
kondensatorze zamienia się w energię
promienistą lampy błyskowej, a 20%
promieniowania lampy (przy czasie błysku
 3ms) jest absorbowane przez rubin, to aby
otrzymać zerowe wzmocnienie należy
dysponować energią:
1. 04  10 3 W/cm 3  3  10 3 s
W prog   3. 12 J 3
0. 50  0. 2 cm
8
Laser aleksandrytowy
Ośrodk czynny – chryzoberyl (BeAl 2 O 4 )
domieszkowany chromem nawet do
stężenia 0.5 %.
Energia
4
2
E T2
4
A2
Współrzędna konfiguracyjna
Schemat krzywych potencjalnych jonu Cr 3 w krysztale

aleksandrytu (z [21])
silne przesunięcie przesunięcie
stokesowskie pasm i udział fononów w
dystrybucji energii w niższym stanie 
szerokie pasmo emisji i absorpcji
Laser czteropoziomowy
Czasy życia górnych stanów laserowych: 2 E
- 1.54 ms, a 4 T 2 - 6.6 s.
Pasmo strojenia: 720 nm  860 nm.
Wydajność energetyczna wynosi ok. 3%.
9
Laser tytanowo - szafirowy

Ośrodk czynnym lasera Ti : Al 2 O 3 lub Ti : S
– Al 2 O 3 domieszkowany TiO 3 .
W sieci krystalicznej dwa elektrony 4s i
jeden 3d tworzą wiązanie z tlenem.
O
O O
Ti
O O
Struktura najbliższego otoczenia jonu Ti 3 w szafirze.

Stan 3d rozszczepia się na dwa stany
elektronowe z silnie przesuniętymi
minimami potencjału.
Promień jonowy tytanu jest 26% większy niż
glinu.
Widma są niezwykle szerokie.
Stan podstawowy 2 T 2 w polu trigonal (o
symetrii C 2v ) rozszczepia się na dwa stany
2
A 1 i 2 E.
Z powodu sprzężenie spin-orbita stan 2 E
10
rozszczepia się dalej na stany Ē i 2Ā.
W wyniku dynamicznego efektu
Jahna-Tellera powstają dwa stany Ē
pochodzące od stanów 2 A 1 i 2 E leżące
powyżej stanu 2Ā. Wzbudzony stan 2 E
rozszczepia się silnie dzięki statycznemu
efektowi Jahna-Tellera.
Statyczny
efekt Jahna-Tellera
2
Eg 2
Eg E
2A
3d Dynamiczny
efekt Jahna-Tellera
2
A1 E
2
T2g
2
E E
2A
Rozszczepienie stanu 3 d w statycznym polu krystalicznym

Widmo absorpcji (ok. 20 000 cm 1 ) składa
się z dwóch szerokich pasm odległych o ok.
2500 cm 1 Luminescencja występuje tylko
ze stanu najniższego z maksimum ok. 14
000 cm 1 .
Tak więc, silne sprzężenia spin - orbitalne,
lokalne pole krystaliczne oraz oddziaływania
elektronowo - fononowe wpływają na
poziomy energetyczne jonu, które
szerokością przypominają poziomy
11
barwnika. Widmo absorpcji leży w obszarze
zielonym.
Układ pompujący przeprowadza jon ze
stanu podstawowego 2 T 2g do pewnego
poziomu wibronowego stanu wzbudzonego
2
E g , który jest rozszczepiony, jak
wspomniano wyżej, w lokalnym polu
krystalicznym na dwa podpoziomy odległe
od siebie o 50 nm.
Absorpcja Fluorescencja
2
Eg
Natężenie (j.w.)
19216 cm-1
14380 cm-1
Energia
2
T2g
r
400 600 800 1000
Długość fali [nm]
Krzywe potencjału jonu tytanu w Al 2 O 3 oraz widma

absorpcjii fluorescencji.
Czas życia górnego stanu laserowego –
 3. 9s
Widmo fluorescencji jest silnie przesunięte
w kierunku czerwieni.
Strjeni w zakresie, od 660 nm do 1.1 m.
Lasery femtosekundowe (dostępne w
12
handlu: kilkudziesiąt MHz i średnią mocą ok.
1W.
Kompresor
Ti:S
Wyjście
Po
m
Filtr
po
w
Lyota
an
ie
Typowy schemat femtosekundowego lasera Ti:S.
Duże przewodnictwo cieplne
Ppompowanie optyczne, zwykle za pomocą
np. drugiej harmonicznej laserów Nd:YAG,
V:YAG, a także Ar  , lamp błyskowych lub
wyższych harmonicznych laserów
podczerwonych.
Lasery na
trójwartościowych
ziemiach rzadkich
Lasery na: Nd 3 , Ho 3 , Gd 3 , Tm 3 , Er 3 ,
Pr 3 , Eu 3 i reszcie z 13 pierwiastków ziem
rzadkich w np: CaWO 4 , Y 2 O 3 , LaF 3 , SrMoO 4 ,
13
CaF 2 , ale również w związkach
organicznych i w wielu innych ośrodkach.
Przejścia laserowe zachodzą w powłoce 4f.
Długi czas życia w górnych stanach
laserowych oraz niski poziom progu.
neodymowy odkryty w 1969 r. Inne mają
znaczenie poznawcze.
Laser neodymowy
1969 r.
a)
Czas życia stanu 4F3/2
0.255ms (YAG)
0.7ms (szkliwo)
4
F3/2
1.0646mm
4
I15/2
Absorpcja
4
I13/2
1.06415mm
4
30ns I11/2
4
I9/2
b)
[nm]
Schemat poziomów energetycznych Nd:YAG (a) i widmo
14
absorpcji (b)
Laser Nd:YAG: ośrodek czynny– kryształ
Y 3 Al 5 O 12 (YAG) - granatu aluminiowo -
itrowego domieszkowany Nd.
Kryształ granatu aluminiowo - itrowego –
struktura kubiczna.
Przejścia laserowe 4 F 3/2  4 I 11/2 :
1. 06415m (dla ) i 1. 059m (dla Nd:szkło).
Czas życia górnego stanu laserowego:
255s w YAG
dolnego:  30ns
Układ czteropoziomowy
Typowe gęstości jonów Nd są rzędu
10 20 cm 3 .
Szkliwo a kryształ
Szkła wieloskładnikowe, np. 59% SiO 2 , 25%
BaO, 15% K 2 O, 1% SbO 3 , 1  2% Nd 2 O 3 .
Oszacowania progu i pompowania progowego
Kryształ o długości l  50mm i średnicy
5mm, rezonator: R 1  100% i R 2  92%.
Wzmocnienie progowe
15
 prog   1 lnR 1 R 2   0. 834m 1 .
2l
Z pomiarów spektroskopowych:
 em  2. 4  4  10 23 m 2 (dla rubinu
 em  1. 2  10 24 m 2 ),to
N prog  1em  prog  2. 085  10 22 m 3
jest kilkaset razy mniejsze niż dla rubinu.
Przy 100% wydajności pompy do górnego
stanu laserowego 4 F 3/2
U prog  N prog h pomp  511. 16 J m 3 ,
czyli próg zostanie osiągnięty, jeśli zostanie
zaabsorbowana energia ok. 0. 5mJ.
Dla pracy ciągłej moc pompowania (w
Wcm 3 )
N prog h pomp
P prog   21 ,
gdzie: 1/ 21  A 21  1815 s 1 .
Podstawiając
P prog  10 6 Wm 3 ,
czyli by został osiągnięty próg ciągłej akcji
laserowej pręt o wymiarach przyjętych do
obliczeń wyżej musi zaabsorbować ok. 1 W.
Pompowanie diodami
16
Synchronizacja modów  impulsy: 1  10 ps.
Lasery światłowodowe
Lasery up - conversion
Np. jon Tm 3
1
G4
1.06 µm
475 nm
Pompa
3
F2
3
H4
1.06 µm
Pompa
3
H5
3
F4
1.06 µm
Pompa
3
H6
Schemat poziomów energetycznych i pompowania lasera

Tm 3 z konwersją częstotliwości
Rezonatory
Rezonator Fabry - Perot
Siatki Bragga
Wnęka typu „Figura - 8” (ang. figure - 8
cavity)
17
Sprzęgacze
Wyjście Wzmacniacz Pompowanie
Dioda Kontrolery
optyczna polaryzacji
Laser światłowodowy z wnęką „Figura - 8” z

synchronizacją modów
Schemat interferometru światłowodowego

Sagnaca jako zwierciadła ilustruje
Rys.VII.11.
Wejście
Sprzęgacz
kierunkowy
Odbicie
Transmisja
Interferometr Sagnaca transmitujące i odbijające światło

Skrośna modulacja fazy (ang. cross - phase
modulation)[34]
Funkcja przełączania interferometru w
funkcji mocy wejściowej jest analogiczna do
działania nasycającego się absorbera.
Laser Nd 3
18
1. strojenie lasera w granicach

kilkudziesięciu nm,
2. generację impulsów ultrakrótkich. Duża
liczba modów podłużnych jest w tym
przypadku bardzo korzystna.
Trudności z pracż jednomodową
Praca up - conversion : Wzbudzenie dwoma
fotonami lasera barwnikowego o energii
odpowiadajacej długości fali 590 nm 
linie381 nm i 412 nm.
Laser Er 3
Od widzialnego do dalekiej podczerwieni.
Duże znaczenie lasera (EDFL) i
wzmacniacza (EDFA)
Strojenie
Synchronizacja modów
1. Pasywna sychronizacja modów

I    0 I .
1  Is
19
Absorber do laserów erbowych —t
InGaAsP.
Zazwyczaj – absorbery półprzewodnikowe
ze zwierciadłem Bragga i nasycającego
się zwierciadła Bragga (ang. Saturable
Bragg Reflector - SBR).
2. Aktywna synchronizacja modów
Dzielnik
wiązki
Laser
Światłowód
Soliton
Zwierciadło
Laser solitonowy
Lasery solitonowe
Całkowicie światłowodowy laser solitonowy
20
Popowanie Sprzęgacz kierunkowy Wyjście
Modulator
fazy Światłowód do Wzmacniacz
formowania solitonów EDFA
W pełni światłowodowy laser solitonowy
Lasery na
dwuwartościowych
ziemiach rzadkich
Pierwszym laserem tego typu był na Sm 2 w
CaF 2 . Później zademonstrowano akcje na
Tm 2 i Dy 2 w różnych kryształach.
Lasery na aktynowcach
Znana jest akcja na U 3 domieszkowanym
do kryształów CaF 2 , BaF 2 i SrF 2 impulsowa i
ciągła.
21
Lasery na centrach
barwnych
Centra F  luki, tj. braków atomów lub
jonów w węzłach sieci.
Luka anionowa (zabarwnienie NaCl lub
KCl.
Szerokie pasma absorpcji i fluorescencji
centrów F  oddziaływania pola
krystalicznego z elektronem znajdującym
się w luce.
1. Zabarwianie fotochemiczne
Naświetlanie światłem UV . Kryształ atom
chlorowca traci elektron, stanie się
neutralny i przejdzie do obszaru
międzywęzłowego. Tworzy się luka
anionowa, która może przechwycić wolny
elektron i utworzy centrum F. Centra nie są
stabilne termicznie.
2. Barwienie addytywne
Wygrzewa się próbkę w parach metalu
alkalicznego i np. NaCl lub KCl w parach
sodu przyjmują barwę jaskrawo - niebieską.
Metal traci elektrony, które dyfundują w głąb
22
kryształu i po ochłodzeniu mogą się
koncentrować np. w lukach anionowych.
Tego typu centra są bardzo stabilne.
3. Barwienie wiązkami elektronowymi
Bombarduje się kryształ wiązką elektronów,
które wnikają do wnętrza i koncentrują się w
lukach anionowych.
Schematy centrów F Domieszka
+-+-+-+ - +- +- +-+ -
- + - + - + -+ - + - + -+ -+ Model
+ - + e- + - +F-
-
+ - + e- + - +F-
-
- + - + - + -+ - + - + - + - +A +
+- +- +-+ - +-+-+ -+ -
- + - + -+ -+ - + - + - + -+
+-+-+-+ - +- +- +-+ - + +
- + - + - + -+ - + e- + - + - +
-
+ - + e- + - +FB-
-
+ - + e- + - +F-2
-
- + - + - + -+ - + - + -+ -+
+- +- +-+ - +-+-+ -+ - + +
- + - + -+ -+ - + - + - + -+
+-+-+-+ - +- +- +-+ -
- + - + - + -+ - + - + -+ -+ +
+ - + e- + - +F2-+
-
- -
+ + + (F
e -
- + - +
- + - + - + -+ - + - + - + - +2 )A
+- +- +-+ - +-+-+ -+ -
- + - + -+ -+ - + - + - + -+ Pusta luka
Schematy oraz model centrum barwnego typu F

Układ luka - elektron tworzy na ogół
agregaty obejmujące kilka węzłów sieci
krystalicznej tworząc centra wyższych
rzędów: F 2 , F 3 , itd.
23
Centra F2+ w KF Centra F w KBr
Luminescencja [j.w.]
Luminescencja [j.w.]
Absorpcja [j.w.]
Absorpcja [j.w.]
1.0 1.2 1.4 1.6 0.6 0.8 1.0 1.2

Długość fali [mm] Długość fali [mm]
Widma wybranych centrów

F
Czas życia centrów jest różny i wynosi od 1
do 1000 ns.
Uzyskano płynne przestrajanie w zakresie
0. 63  0. 73m, 0. 8  1. 5m i 2. 25  3. 30m.
24
Lasery półprzewodnikowe
Podstawowe własności
półprzewodników
Struktura pasmowa
pasmo walencyjne
pasmo przewodzenia
przerwa energetyczna E g
Półprzewodnik
Samoistny Domieszkowany
Pasmo
Typu n Typu p
przewodnictwa
Eg Przerwa
energetyczna
Pasmo
walencyjne
Poziom Poziom
donorowy akceptorowy
Schemat pasmowy półprzewodników samoistnych i

domieszkowanych
Energia przerwy energetycznej E g i

graniczna długość fali
25
Materiał E g 300KeV  m  ch/E g
Diament 5.4 0.23
Ge 0.66 1.88
Si 0.66 1.88
GaAs 1.42 0.87
AlGaAs 1.4 - 1.55 0.8 - 0.9
InGaAs 0.95 - 1.24 1.0 - 1.3
InGaAsP 0.73 - 1.35 0.9 - 1.7
Metale
Izolatory przerwa energetyczna jest duża
(3eV i więcej)
Półprzewodniki przerwa od 0. 1eV do 2. 5eV,
Półmetal
Elektrony i dziury. Masa efektywna
Półprzewodnik samoistny.
Elektrony - gaz elektronowy.
Dziury
Rekombinacja: elektron - dziura
Funkcja Blocha
26
 c r  ur expikr,
gdzie: ur jest funkcją opisującą
periodyczność pola krystalicznego, a  k jest
wektorem falowym elektronu.
Pęd nośników
p  h  k .

W całkowicie wypełnionym pasmie
walencyjnym
 k i  0.
i
Warunki brzegowe
k x  2 l, k y  2 m, k z  2 q,
L L L
gdzie: l, m i q są liczbami całkowitymi.
Energia kinetyczna nośnika
1 p2  2 2
k ,
E  mv  2

2 2m 2m
czyli
E qpm  2  m 2  n 2  q 2 .
2 2
mL 2
Masa efektywna
v  dE .
dp
27
przyspieszenie
dp d
a  dv  d dE  dE ,
dt dt dp dt dp dp
czyli
1
dp d 2
E
a .
dt dp 2
Wielkość
1 1
2 2

m  d E  1 d E
dp 2  2 dk 2
ma wymiar masy - masa efektywna
ładunku.
Ruchliwość nośników
Gęstość stanów w pasmie przewodzenia
1 2m e 3/2
 c EdE   E  E c  1/2
dE,
2 2
 2
a w pasmie walencyjnym
1 2m h 3/2
 v EdE   E v  E  1/2
dE,
2 2
 2
Rozkład Fermiego - Diraca

fE  1 .
exp kT  1
EF
gdzie: T jest temperaturą, a k - stałą
28
Boltzmanna, a F - energią Fermiego.
Jeśli E  F, to fE  1/2.
Energia Fermiego - parametr rozkładu
Fermiego - Diraca.
Dla E  F statystyka Boltzmanna.
f(E)
1
T=0
0
Ev F Ec E
f(E) Stany
1 puste
Stany
T>0 obsadzone
0
Ev F Ec E
Rozkłady Fermiego - Diraca dla dwu temperatur w

półprzewodniku samoistnym
29
Półprzewodniki domieszkowane
Półprzewodniki typu n (donorowe)
-do kryształu zbudowanego z atomów
czterowartościowych (krzem, german) -
atomy z grupy V (tj. pięciowartościowe:
fosfor, arsen, antymon).
Pólprzewodniki typu p (akceptorowych)
- domieszkowanie atomami trzeciej grupy
(glin, gal, ind)
Poziomy
- akceptorowe (w półprzewodniku typu p)
- donorowych (w n)
Półprzewodniki silnie domieszkowane
Typ n Typ p
E E
Elektrony
Gęstość
ładunku
Ec Ec Gęstość
Eg Eg ładunku
Ev Ev
Dziury
Rozkłady gęstości ładunków w silnie domieszkowanych

półprzewodnikach w temperaturze  0K
30
Złącze p - n
Obszar bariery
potencjału
Typ p Typ n
Pasmo
przewodzenia
Eg
Energia
Fermiego
Przerwa energetyczna
Pasmo
walencyjne
Prąd
Obszar
przewodzenia
Napięcie
Obszar
zaporowy
Niespolaryzowane złącze p  n oraz charakterystyka

prądowo - napięciowa złącza
Złącze p  n w kierunku przewodzenia:
elektrony z półprzewodnika n przejdą do
półprzewodnika typu p  możliwa
rekombinacja.
Kwazipoziomy Fermiego
Funkcje Fermiego
- dla elektronów w pasmie przewodnictwa
f c E  1 ,
exp EF c
kT
1
31
- dla dziur w pasmie walencyjnym
f v E  1  1  1 .
EF p F p E
exp kT 1 exp kT
1
Gęstości:
- elektronów w pasmie przewodzenia
2m e 3/2
n c EdE  1 2 
2 2
E  E c  1/2 dE
 ; E  Ec,
exp kTEF c
1
32
- dziur w pasmie walencyjnym
2m h 3/2
p v EdE  1 2 
2 2
E v  E 1/2 dE
 F v E
; E  Ev,
exp kT 1
o energii E w przedziale dE.
E c i E v dolna krawędź pasma przewodzenia
i górna krawędź pasma walencyjnego.
Dla poziomu Fermiego w pasmie funkcja
Fermiego - Diraca
1; dla E  F
f E   ,
0; dla E  F
i
Fv
n   c E dE
0
Fv
2m c 3/2
 1
2 2 2  E  E c  1/2 dE
0
2m c 3/2
 12 F v  E c  3/2 .
3 2
33
Jaka musi być gęstość nośników, by poziom
Fermiego znajdował się w psmie
przewodzenia na głębokości np. 30 meV.
Ponieważ dla GaAs m c  0. 067 m e , to
1.5
n  2  0. 067  10 30 kg/1. 1  10 68 J 2 s 2 
 0. 03eV  1. 6  10 19 C  1.5 /3 2 ,
zatem
n  4. 4  10 17 cm 3 .
Począwszy od takiej gęstości elektronów
GaAs zachowuje się jak metal.
34
Rekombinacja elektron - dziura
Przejścia międzypasmowe proste i skośne.
Elektrony
Energia
Energia
Dziury
Pęd Pęd
Międzypasmowe przejścia proste i skośne.

Promienistą rekombinację
elektron  dziura  foton .
Z zasady zachowania pędu
ke  kf  kep .
k
Pęd fotonu kf jest do zaniedbania

k  kep  ke  0 . k
Rekombinacja elektronów i dziur jest

zdeterminowana przez nadmiar ładunku
mniejszościowego i przez jego czas życia.
Całkowia stała rekombinacji zależy od:
- stałej przejść bezpromienistych
związanych z poziomami defektowymi,
defektami powierzchniowymi, itd,
35
- prawdopodobieństwa promienistej
rekombinacji,
- prawdopodobieństwa rekombinacji
Augera,
- prawdopodobienstwa rekombinacji
wymuszonej, jeśli jest.
Równanie kinetyczne (zaniedbujemy emisję
wymuszoną)
J e  J h  J  A n  Bn 2  C n 3 ,
nr aug
qd qd qd
gdzie: n  n h  n e - gęstością nośników, a
d - efektywną grubością złącza.
Prawdopodobieństwo rekombinacji
bezpromienistej:
 nr  A nr  C aug n 2 ,
prawdopodobieństwo emisji promienistej:
 r  Bn
Całkowite prawdopodobieństwo
rekombinacji
 s   r   nr ,
Szybkość rekombinacji - liczba przejść na
jednostkę czasu i na jednostkę objętości
36
jest proporcjonalna do:
- prawdopodobieństwa znalezienia
elektronu w pasmie przewodzenia,
- prawdopodobieństwa braku elektronu w
pasmie walencyjnym, czyli znalezienia
dziury:
R  r np ,
gdzie: r - stała rekombinacji (w m 3 s 1 )
Moc emitowanego promieniowania na
jednostkę objętości
P opt   rnp h,
gdzie:  jest wewnętrzną wydajnością
kwantową rekombinacji promienistej, która
wynosi
   r
 .
r nr
37
Wzmocnienie LP
Są trzy możliwe przypadki:
1. emisja spontaniczna przeważa nad
wymuszoną: dioda elektroluminescencyjna ,
2. jest inwersja obsadzeń, ale duże straty
wnęki: diodą superluminescencyjną,
3. jest inersja obsadzeń i spełniony warunek
progowy:diodą laserową.
Prawdopodobieństwo przejść
międzypasmowych:
- są proporcjonalne do B 21 (niech B 21  B 12 ),
- gęstości energii  e ,
- zależą od gęstości stanów w pasmie
przewodzenia  c E 2 
- prawdopodobieństwa obsadzenia tych
stanów f c E 2 ,
- gęstości stanów w pasmie walencyjnym
  E 1 
- prawdopodobieństwu, że te stany są
puste: 1  f  E 1   .
Zredukowana gęstość stanów
38
  3/2
2m m
 red h  1 2 12  e h
 h  E g  1/2 .
4  mh  me
Liczbę przejść promienistych w jednostce
czasu i objętości
- emisji wymuszonej
R 21  B 21  e  red hf c E 2 1  f v E 1 ,
- absorpcji
R 12  B 21  e  red hf v E 1 1  f c E 2 .
Różnica
R  R 21  R 12 
B 21  e  red hf c E 2   f v E 1 .
Jeśli R  0 - ośrodek czynny wzmacnia
gdy R  0 - absorbuje.
Współczynnik wzmocnienia
 1 dI 
I dz
1  moc / jedn. obj.  h R ,
 e  v g  e  v g
gdzie: v g  c/n g – prędkość grupowa,
n g  n   ddn
– grupowy współczynnik
załamania.
39
Zatem współczynnik wzmocnienia
półprzewodnika
 
n
hB 21 cg  red hf c E 2   f v E 1   N .
Iloczyn
 red hf c E 2   f v E 1 
jest odpowiednikiem inwersji obsadzeń -
N,
a  red h f c E 2  i  red h f v E 1 
odpowiadają obsadzeniom.
Ośrodek wzmacnia jeśli
f c E 2   f v E 1   0.
Ponieważ
1
f c E 2   exp E 2  F c  1 ,
kT
1
f v E 1   exp E 1  F v  1 ,
kT
to
Fc  Fv  E2  E1.
Wzmocnienie promieniowania o energii
E 2  E 1  h wystąpi, jeżeli
40
E g  h  F c  F v .
Jest to warunek Bernarda -
Duraffourga
W bardziej użytecznej formie
h   Kh  E g  1/2 f c h   f v h ,
gdzie: K – stała niezależna od długości fali
emisji
2m r  3/2 E F  E g
K abs  exp ,
  R
2 kT
i
E F  F c  F v ,
m e m h
mr   .
m h  m e
41
Rezonatory laserów
półprzewodnikowych
1. Płaszczyzny łupliwości (interferometr
Fabry - Perota)
Ze wzorów Fresnela
n  1  2
r .
n  1  2
Dla GaAs ( n  3. 6) r  0. 32,

2. Zwierciadła Bragga.
Laser DBR (ang. Distributed Bragg
Refelection). Laserów typu VCSEL
Lasery z rozłożonym sprzężeniem
zwrotnym - DFB (ang. Distributed Feedback
Bragg).
3. Rezonatory zewnętrzne.
Rezonatory Fabry-Perota
Amplitudowe współczynniki transmisji i
odbicia mają postać
t 12  n 2n 1
,
1  n2
r 12  nn 1  n2 ,
1  n2
Promień od 1  2.
42
Widać też, że t 12  t 21 oraz r 12  r 21 , czyli
t 12 t 21  r 212  1.
Dla wielu warstw (N) formalizm macierzy S
(macierz rozpraszania) pole odbite o
pierwszej warstwy w postaci
E 0  S 0,N E N ,
czyli
r 0,N  S 12 ; R  r 0,N  2 ,
S 22
t 0,N  1 ; T  nnN1 t 0,N  2 .
S 22
Macierz S nazywa się macierzą propagacji.
Trzeba zauważyć, że przy powyższej
definicji współczynników R  T  1.
Macierze przejścia
1 r 0 expi 
P 12  1 ,
t 12 r 0 expi  1
1 r 0 expi 
P 21  1 .
t 21 r 0 expi  1
Przesunięcie fazy  wynosi  .
Przesunięcie fazy w wyniku przejścia drogi
43
optycznej o długości L
expi  0
D ,
0 expi 
gdzie:   kL  2n 1 L/ 0 .
Macierz propagacji dla jednego pełnego
przejścia rezonatora ma postać
S 1 
t 12 t 21
e i  r 20 e i r 0 e i   e i  
,
i  i 
r 0 e e  e 
i
r 20 e i
Natężeniowy współczynnik transmisji T FP
|t 12 t 21 | 2
T FP  .
2 i  2
|1  r 0 e |
Niech:   2   , wtedy
2
T FP  T ,
1  R  2R cos 
2
gdzie: T jest współczynnikiem transmisji

zwierciadeł, a R - współczynnikiem odbicia.
Jeżeli zmienia się długość fali
promieniowania we wnęce, to zmienia się
też transmisja wnęki w zakresie od
44
2
T min  T ,
1  R  2
do
2
T max  T .
1  R  2
Wielkość
C  T max  1  4R
T min 1  R  2
nosi nazwę kontrastu wnęki.
W pobliżu rezonansu wnęki (gdy   2m)
T FP  T max 1 
2 2
1   2F
  2n 1 L0  m   
 T max 1 ,
2  2
1 
2F
 m 

gdzie:  - odległość między sąsiednimi
modami,
F nosi nazwę finessy
R
F .
1R
Wykres () w funkcji częstotliwości składa się
z linii o oddzielonych o
  c ,
2n 1 L
45
i szerokości (FWHM) wynoszącej /F.
Rezonatory wielozwierciadłowe
Trójzwierciadłowe
Rezonatora z trzema zwierciadłami.
a) b)
La Lp La Lp
βa βp βa βp
r1 r2 r3 r2 r3
La La
βa βa
r1 ref r1 ref
Rezonator trójzwierciadłowy a) oraz czterozwierciadłowy

(b)
Ekwiwalent - układ dwuzwierciadłowyz
jednym zwierciadełem
t 22 r 3 exp2i p L p 
r ef  r 2  .
1  r 2 r 3 exp2i p L p 
gdzie:   2n/ jest stałą propagacji.
Warunek rezonansu
2 a L a   ef  2m.
Stąd
d a L a  1 d ef  dm.
2
Odległość między dwoma sąsiednimi
46
modami dm  1 i
d a   .
L a  2 d ef /d a
1
Efektywną długość części pasywnej

rezonatora
d ef
L ef   1 .
2 d p
Ale
d a   22 n ga d,

gdzie: n g  n  dn/d jest grupowym
współczynnikiem załamania.
Ale też
d p n
 n gp ,
d a ga
zatem odstęp między modami

d   2
,
2n ga L a  n gp L eff 
lub
d  c .
2n ga L a  n gp L eff 
Czterozwierciadłowy
Selekcja modów jest lepsza niż w
trójzwierciadłowym rezonatorze. Lepsze są
47
też efekty strojenia.
Rezonatory ze zwierciadłem
Bragga
Stosowane w laserach VCSEL, często też w
laserach z rezonatorem prostopadłym do
płaszczyzny złącza.
a) b)
Warstwy
o grubości λ/2
Lg
Ośrodek
czynny
La+Lb+Lef=LDBR
rg
La La+Lb
r1
Wyjście
c)
La Lp Lg
Wyjście
r1 rg
La+Lb+Lef=LDBR Lef
d) Wyjście
Schemat rezonatorów ze zwierciadłem Bragga (DBR) w

VCSEL z jednostronnym zwierciadłem Bragga (a) oraz ze
zwierciadłami Bragga z obu stron ośrodka czynnego (b).
Na rys. c) część ośrodka czynnego jest zwierciadłem
Bragga, natomiast rys. d) ilustruje przypadek sprzężenia z
siatką dyfrakcyjną
48
Małe współczynniki odbić cząstkowych to
duży całkowity współczynnik odbicia.
Padająca i odbita fala zmiania fazę o
 L ef ,
czyli współczynnik odbicia siatki dla
częstotliwości Bragga wynosi
r g  |r g | exp2i   0 L ef .
Rozwijając

   0     0  

stąd efektywna długość siatki
1 
L ef   .
2 
Przyjmijmy, że promieniowanie przechodzi
przez dwie dwuwarstwy złożone z
dielektryków 1 i 2, o różnych
współczynnikach załamania.
Macierz S będzie miała postać
S  P 12 D 2 P 12 D 1 .
Ponieważ
49
1 r 12
P 12  1 ;
t 12 r 12 1
1 r 12
P 21  1
t 12 r 21 1
expi 1  0
D1  ;
0 expi 1 
expi 2  0
D2  ,
0 expi 2 
to
S  12 
t
e i 1 e i 2  r 20 e i 2  2i sin  2 e i 1
,
2i sin  2 e i 1
e e
i 1 i 2
 r 20 e i 2 
gdzie: t 2  t 12 t 21 .
Warstwy muszą być ćwierćfalówkami, tzn.
 1   2  /2, zatem
1  r2 2
S  1 .
t 2 1r 2
50
o wartościach własnych
X   1  r  2 ; X   1  r  2
i wektory własne
1 1 1 1
V  ; V  .
2 1 2 1
W postaci zdiagonalizowanej
S  T 1 ST,
gdzie:
1  r  2 0
M  14 ,
t 0 1  r  2
1 1 1
T .
2 1 1
Dla układu N warstw podwójnych
1  r  2N 0
S  14 T 1
N
T.
t 0 1  r  2N
Stą współczynnik odbicia zwierciadła

Bragga
2
1  r  2N  1  r  2N
RN  ,
1  r  2N  1  r  2N
51
lub inaczej
2N
1   nn 21 
RN  2N
1   nn 21 
przy założeniu, że n 1  n 2 .
Pasmo w którym współczynnik odbicia
spełnia warunek
1  R  10 n ,
wynosi


 8 ln210 n 1  n2
2 log n 1  n  log 4 1/2
.
 n1  n2 n2 N
Jeżeli N  , wtedy pasmo graniczne (ang.
stop band)
  4 n 1  n 2 log n 1 .
  n1  n2 n2
zwrotnym
zwrotnym (DFB)
52
λ/4
Ośrodek czynny
Warstwy antyrefleksyjne
Schemat lasera DFB

Aby osiągnąć efekt konstruktywnej
intereferencji okres powinien być równy /4.
53
Prąd progowy lasera
półprzewodnikowego
N1  0
Zatem
  N ,
gdzie: N – gęstość elektronów
wstrzykniętych do obszaru czynnego z
obszaru typu n.
Straty
  1 ln 1 1 ,
 c
2L R1R2 c
a gęstość progowa elektronów wynosi

Nt  1 .
c c
Gęstość elektronów wstrzykiwanych do
obszaru aktywnego - J/ed zatem w
warunkach stacjonarnych
sN  J ,
ed
gdzie: d – droga dyfuzji
Tak więc progową gęstość prądu
J t  ed s N t .
Inaczej
54
 s 8 0  8 20 
2
J t  ed 1
 ed  3 .
A 21 c g 0  c
3
c g0c
A 21 / s – wewnętrzna wydajność kwantowa.
55
Równania kinetyczne laserów
półprzewodnikowych
Pompowanie
dN  J .
dt pomp ed
Spontaniczna rekombinacja
dN   Ns .
dt spont
Emisja wymuszona
dN  AN  N t P,
dt stym
gdzie: N t – inwersja progowa.
Wzmocnienie [cm-1]
120
T = 300K
100
80
60
40
20
Nt
0
-20
1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Gęstość ładunku [x10 cm-3]
18
Zależność maksymalnego wzmocnienia w funkcji gęstości

wstrzykniętych elektronów
56
A  Bc
ng ,
gdzie: B – współczynnik kierunkowy
Czynnik nakrywania
d/2
 |E| 2 dx
d/2
  ,
 |E| 2 dx

gdzie: d – grubość obszaru czynnego, a

 |E| 2 dx – całkowita moc optyczna modu.

Zmiana inwersji w czasie
dN  J  N  AN  N t P.
dt ed s
Emisja wymuszona
dP  AN  N t P,
dt stym
Emisja spontaniczna
dP   Ns ,
dt spont
gdzie:  – współczynnikiem, zależny od
udziału emisji spontanicznej w modzie.
Straty
57
dP   Pc .
dt em
Równanie kinetyczne na gęstość fotonów
dP  AN  N t P   N  P .
dt s c
Przypadek stacjonarny:
dN  dP  0.
dt dt
oraz
AN  N t P   Ns  Pc ,
Inaczej
AN  N t   1c   N .
P s
Dalej
0  J  Ns  Pc   Ns ,
ed
i stąd
P   c J  Ned
s   N c
s .
ed
Inaczej
P  K J  J t   P sp .
Zależność mocy wyjściowej w funkcji prądu
58
Moc wyjściowa [mW]

Próg
Prąd [mA]
Typowa zależność mocy wyjściowej lasera

półprzewodnikowego od natężenia prądu pompowania
Prąd progowy rośnie ze wzrostem ok. 1. 5%
na 1 o C.
Zależność prądu J prog od temperatury
J prog  J 0 exp T ,
T0
gdzie: T 0 - temperatury charakterystycznej.
Temperatura charakterystyczna różnych
heterostruktur.
Heterostruktura Dł. fali (m) T 0 (K)
GaN/InGaN 0.40 180
GaAs/AlGaAs 0.85 150
InGaAs/GaAs 0.98 90
InGaAs/AlGaAs/InP 1.55 60
InGaSb/InAs/GaSb 3-4 35
59
Właściwości
promieniowania
Widmo emisji
50 mA
778 780 782 784 786 788 790 nm

65 mA
778 780 782 784 786 788 790 nm

95 mA
778 780 782 784 786 788 790 nm
Widma emisji lasera półprzewodnikowego w zależności od

prądu zasilania.
Częstotliwości rezonansowe
q c ,
2nL
gdzie: q jest liczbą całkowitą, a L długością
lasera.
Wpływ dyspersji półprzewodnika

Częstotliwość rezonansowa modu o
60
numerze q  1 wynosi
f  c q  1 .
2n  L
Korzystając z rozwinięcia
n    n  dn 
d
otrzymujemy odległość między dwoma
sąsiednimi modami
1
  c 1 n dn .
2nL d
 dn
Dla GaAs n d  0. 38.
Promieniowanie jest spolaryzowane
Laser
półprzewodnikowy
Obszar czynny
złącza
Natężenie
promieniowania
Rozkład natężenia promieniowania złączowego lasera

półprzewodnikowego.
Świergotanie (chirping)
Rozkład przestrzenny
61
promieniowania
Rozkład przestrzenny ma w przybliżeniu
kształt wciągniętej elipsy.
Rozbieżność wiązki w płaszczyźnie złącza -
około 10 o ,
a w prostopadłej do niej - 40 o .
Redukcja astygmatyzmu
Nasycenie
Natężenia nasycenia
1 ,
I s  vg
gdzie: v j– prędkość światła w materiale,  –
czas rekombinacji międzypasmowej, g -
różniczkowe wzmocnienie (odpowiada
przekrojowi czynnemu na emisję
wymuszoną w laserach atomowych).
Nasycenie międzypasmowe - podstawowy
efekt we wzmacniaczach optycznych.
W diodach laserowych zależność mocy
wyjściowej od prądu pompowania jest w
dużym stopniu liniowa, bo typowo:
v  10 10 cm/s,   1 ns, g  10 15 cm 2 i
I s  10 14 cm 3 .
Rrelaksacja wewnątrzpasmowa czase rzędu
62
ps i I s  10 17 cm 3 , Współczynnik
wzmocnienia w postaci
0
   0 1  I ,
1  I
gdzie:  współczynnikiem tłumienia
wzmocnienia.
Nasycenie wewnątrzpasmowe i między
pasmowe wpływa na ograniczenie pasma
odpowiedzi częstotliwościowej diody
laserowej .
Lasery diodowe (homozłączowe)
Homozłącze - wykonane z jednego rodzaju
półprzewodnika.
Drog dyfuzji d
d  D 1/2 ,
gdzie: D – współczynnikdyfuzji: D/  kT/e
( – ruchliwość nośników).
Rekombinacja elektronów z dziurami
dn p n
 p p n p    ps .
dt
Indeks p oznacza, że równanie dotyczy
elektronów po stronie p.
Drogę dyfuzji - rzędu m.
63
a)
+ p n
b)
Ecp Fc =Fv
Eg
Evp + + + + +
Fv - - - - -
Fc
Ecn
Evn
c)
Ecp
d Fc
Fv
Evp
Schemat zasilania (a), poziomów energetycznych lasera

półprzewodnikowego przy braku zasilania (b) i przy złączu
spolaryzowanym w kierunku przewodzenia (c)
Progowa gęstość prądu ze wzoru
J t  ned
s .
Wartość rzędu kA/cm 2  główna wada
laserów homozłączowych.
64
Lasery heterozłączowe
Lasery heterozłączowe
GaAs i Al x Ga 1x As, gdzie x jest względną
zawartością atomów aluminium
zastępujących w węzłach sieci krystalicznej
gal.
Ośrodek aktywny
AlGaAs GaAs AlGaAs Pasmo

przewodzenia
Fc
- - - - - - -
Eg2 - - Elektrony
Eg
Dziury
Eg1
+ +
+ + + + + + + Fv
Pasmo
P p N walencyjne
Współczynnik
załamania
Uproszczony schemat struktury heterozłączowej

spolaryzowanej w kierunku przewodzenia i zmiany
współczynnika załamania w przekroju poprzecznym złącza
65
Obszar
czynny
+
N
N
p n
P p
Budowa lasera półprzewodnikowego. Grubą linią

oznaczono złącze spolaryzowane zaporowo
Lasery niebieskie i UV
InGaN, - przerwa energetyczna między 2. 0
a 6. 2eV
GaN (  405 nm).
Lasery na studniach kwantowych
Laser hetrozłączowy. Np. GaAs o niewielkiej
grubości złączony z obu stron z Al x Ga 1x As.
Wymiar studni kwantowej  grubość GaAs.
Całkowita energia elektronu
h 2
l 2
m 2
h 2 q2
Em, p, q  2
 2  2
,
8m e L x Ly 8m e L z
gdzie: m, p i q są liczbami kwantowymi.
Gęstość stanów w przedziale dE wynosi

EdE  1 2m  dE.
2 2 2 Lz
66
dla q  1.
Zmieniając grubość obszaru czynnego
możemy regulować gęstość stanów.
GaAs AlGaAs
ok. 10 nm
Eg2 Eg1 Przejście

promieniste
Schemat pasm energetycznych lasera ze studniami

kwantowymi.
Lasery typu VCSEL

Lasery typu VCSEL (ang. vertical cavity
surface emitting lasers)
Diody elektroluminescencyjne
Stałą rekombinacji spontanicznej
R spon h   1R  red h f c h 1  f v h ,
gdzie:  R jest czasem życia,  red h  jest
łączną gęstością stanów, f c h  - funkcją
Fermiego - Diraca obsadzenia stanu
wzbudzonego przez elektrony, 1  f v h 
oznacza prawdopodobieństwo, że dolny
67
stan jest pusty.
Przypomnijmy, że
f c E  1 ,
E c F c
exp kT
1
przy
m r h  E ,
E c h   E g  m c
 g
oraz
f v E  1 ,
E v F v
exp kT
1
gdzie:
E v h    m m r h  E .
c
 g
Ponieważ możemy rozkład Fermiego -

Diraca przybliżyć funkcją Boltzmanna
f c E c   exp  E c  F c
kT
i
1  f v E v   exp  F v  E v ,
kT
stąd
f c E c h 1  f v E v h   exp  h  E F ,
kT kT
gdzie: E F  E Fc  E Fv .
68
Zatem, ponieważ
Ec 
k  Ev k  h   2 2
k  Eg
2m r
to
h  E g
R spon h   K spon h  E g  1/2 exp  ,
kT
gdzie: stała K spon wynosi
2m r  3/2 E F  E g
K spon  exp .
  R
2 kT
przy:
E F  F c  F v .
Jeżeli zwiększa się gęstość nośników n , to
czynniki expF c /kT  i expF v /kT  też rosną,
tak że R spon h  rośnie jak n 2 . Łatwo można
pokazać, że maksymalne natężenie emisji
spontanicznej przypada na energię
h max  E g  kT ,
2
a FWHM pasma emisji spontanicznej
h  1. 8 kT.
Związek między  max m  i h max eV  jest,
jak wiadomo, następujący
 max  1. 24 ,
h max
69
stąd natchmiast wynika, że całkowita
szerokość połówkowa w m wynosi
  1. 45  2max kT.
Czyli im większa długość fali, tym szersze
jest pasmo emisji spontanicznej.
Fizyczne procesy zachodzące w DEL:
- rekombinacja pasmo - pasmo,
- rekombinacja z udziałem poziomów
domieszkowych: pasmo przewodzenia -
poziom akceptorowy, poziom donorowy -
pasmo walencyjne, poziom donorowy -
poziom akceptorowy.
- rekombinacja z udziałem ekscytonów.
Diody elektroluminescencyjne
i obszar spektralny emitowanego
promieniowania.
70
Materiał E g [eV] Dom. Barwa
GaAs 1.443 Si IR
GaP 2.26 N Zielony
GaP N, N Żółty
GaP Zn, O Czerwony
GaAs 0.6 P 0.4 2.1 Czerwony
GaAs 0.35 P 0.65 N Pomarańczowy
GaAs 0.15 P 0.85 N Żółty
Ga 0.6 Al 0.4 As Zn Czerwony
Ga x Al 1x As (1x0.7) Si IR
Ekscyton jest złożony z dziury i

swobodnego elektronu utrzymywanym
siłami przyciągania Coulomba.
Poziomy ekscytonowe uzyskuje się przez
wprowadzenie odpowiednich domieszek,
np. jeśli GaP domieszkuje się równocześnie
O i Zn, wtedy dioda świeci na czerwono, jeśli
zaś atomami azotu, wtedy emituje
promieniowanie zielone i jest to
promieniowanie ekscytonowe.
Typowe materiały, z których zbudowane są
diody elektroluminescencyjne to: GaAs,
71
InAs, InSb, GaSb, GaAlAs, GaAsP, InGaAsP,
ZnS, ZnSe, CdTe, PbS, PbTe i wiele, wiele
innych. Podstawowymi materiałami
pozostają GaAs, GaP.
Literatura
1. B. Ziętek, „Optoelektronika”, Wydawnictwo UMK,
Toruń 2004.
2. „Dye laser principles”, ed. F.J. Duarte, L.W. Hillman,
Academic Press, Inc., San Diego, 1990,
3. „Encyclopedia o Laser and Technology”, ed. R.A.
Meyers, Academic Press Inc., New York, 1991,
4. J. Hawkes, I. Latimer, „Lasers, Theory and Practice”,
Prentice Hall, New York, London, 1995,
5. M.A. Herman, „Heterozłącza półprzewodnikowe”,
PWN, Warszawa, 1987,
6. F. Kaczmarek, „Wstęp do fzyki laserów”, PWN,
Warszawa, 1986,
7. N. W. Karłow, Wykłady z fizyki laserów, WNT,
Warszawa, 1989,
8. P. W. Milonni, J.H. Eberly, „Lasers”, John Wiley &
Sons, New York, 1988,
72
9. B. Mroziewicz, M. Bugajski, W. Nakwaski, „Lasery
półprzewodnikowe”, PWN, Warszawa, 1985,
10. S. Nakamura, G. Fasol, The blue laser diode”,
Springer - Verlang, Berlin, 1997,
11. „Semicoductor lasers I”, ed. E. Kapon, Academic
Press, San Diego, 1998,
12. K. Shimoda, „Wstęp do fizyki laserów”, PWN,
Warszawa, 1993,
13. F. P. Schäfer, „Dye lasers”, Springer - Verlag, ed.
III, Berlin, 1990,
14. M. J. Weber, „Handbook of Lasers”, CRC Press,
Boca Raton, London, New York, Washington D.C.,
2001
15. J. Wilson, J.F. Hawkes, „Optoelectronics - an
introduction”, Prentice Hall, New York, 1989,
16. J.T. Verdeyen, „Laser electronics”, Prentice Hall,
New Jersey, 1989,
17. L.A. Coldren, S.W. Corzine, „Diode lasers and
Photonic Integrated Circuits”, John Wiley and Sons,
New York, 1995,
18. E. Rosencher, B. Vinter, „Optoelectronics”,
Cambrige Univ. Press, Cambrige, 2002,
19. A. K. Ghatak, K. Thyagarajan, „Optical electronics”,
Cambridge Uniwersity Press, Cambrige, 1989,
20. A. Kowalski, „Podstawy telekomunikacji”, Wyd.
73
Oficyna PW, Warszawa, 1998,
21. G.P. Agrawal, „Applications of nonlinear Fiber
Optics”, Academic Press, San Diego, 2001,
22. C. Rulliere, „Femtosecond laser pulses”, Springer -
Verlang, Berlin, 1998.
74

Lasery Na Ciele Stałym

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Lasery Na Ciele Stałym

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

LASERY NA CIELE

Pierwiastki grup przejściowych

np.: Ti, Cr, Fe, Co, Ni, Cu, Zn

np.: Y, Zr, Nb, Mo, Te, Ag, Cd

np.: Pr, Nd, Sm, Eu, Ho, Er, Yb

np.: Ta, W, Re, Ir, Pt, Au, Hg

np.: Ac, Pa, U, Np, Pu, Am, Cf

Komórka elementarna kryształu rubinu.

Schemat poziomów energetycznych lasera rubinowego.

300 400 500 600 700 800 [nm]

Widmo absorpcji kryształu rubinu. Widoczna jest silna

Schemat krzywych potencjalnych jonu Cr 3 w krysztale

Laser tytanowo - szafirowy

Struktura najbliższego otoczenia jonu Ti 3 w szafirze.

Rozszczepienie stanu 3 d w statycznym polu krystalicznym

Krzywe potencjału jonu tytanu w Al 2 O 3 oraz widma

Schemat poziomów energetycznych Nd:YAG (a) i widmo

Schemat poziomów energetycznych i pompowania lasera

Wyjście Wzmacniacz Pompowanie

Laser światłowodowy z wnęką „Figura - 8” z

Schemat interferometru światłowodowego

Interferometr Sagnaca transmitujące i odbijające światło

1. strojenie lasera w granicach

1. Pasywna sychronizacja modów

W pełni światłowodowy laser solitonowy

Schematy oraz model centrum barwnego typu F

1.0 1.2 1.4 1.6 0.6 0.8 1.0 1.2

Widma wybranych centrów

Schemat pasmowy półprzewodników samoistnych i

Energia przerwy energetycznej E g i

Rozkład Fermiego - Diraca

gdzie: T jest temperaturą, a k - stałą

Rozkłady Fermiego - Diraca dla dwu temperatur w

Rozkłady gęstości ładunków w silnie domieszkowanych

Niespolaryzowane złącze p  n oraz charakterystyka

Międzypasmowe przejścia proste i skośne.

Pęd fotonu kf jest do zaniedbania

Rekombinacja elektronów i dziur jest

Dla GaAs ( n  3. 6) r  0. 32,

gdzie: T jest współczynnikiem transmisji

Rezonator trójzwierciadłowy a) oraz czterozwierciadłowy

Efektywną długość części pasywnej

zatem odstęp między modami

Schemat rezonatorów ze zwierciadłem Bragga (DBR) w

Stą współczynnik odbicia zwierciadła

Schemat lasera DFB

a gęstość progowa elektronów wynosi

Zależność maksymalnego wzmocnienia w funkcji gęstości

Moc wyjściowa [mW]

Typowa zależność mocy wyjściowej lasera

778 780 782 784 786 788 790 nm

778 780 782 784 786 788 790 nm

778 780 782 784 786 788 790 nm

Widma emisji lasera półprzewodnikowego w zależności od

Wpływ dyspersji półprzewodnika

Rozkład natężenia promieniowania złączowego lasera

Schemat zasilania (a), poziomów energetycznych lasera

AlGaAs GaAs AlGaAs Pasmo

Uproszczony schemat struktury heterozłączowej

Budowa lasera półprzewodnikowego. Grubą linią

Eg2 Eg1 Przejście

Schemat pasm energetycznych lasera ze studniami

Lasery typu VCSEL