El transistor de potencia I:

tipos de transistores
PNP
BJT
NPN
Canal P
JFET IGBT
Canal N
FET MESFET Canal N Canal P
Acumulación
Canal N
MOSFET
Canal P
•BJT:Transistores bipolares de unión. Deplexión
Canal N
•FET: Transistores de efecto de campo.
•JFET: Transistores de efecto de campo de unión.
•MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.
•MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal-oxido-semiconductor.
•IGBT: Transistores de puerta aislada.
 El transistor de potencia II:
características comunes I
LOS
LOS TRANSISTORES
TRANSISTORES SON
SON DISPOSITIVOS
DISPOSITIVOS DOTADOS
DOTADOS ENCAPSULADO
DE
DE 33 TERMINALES
TERMINALES
TO-220
DOS
DOS DE
DE LOS
LOS TERMINALES
TERMINALES ACTÚAN
ACTÚAN COMO
COMO
TERMINALES
TERMINALES DE
DE ENTRADA
ENTRADA (CONTROL)
(CONTROL)

DOS
DOS ACTÚAN
ACTÚAN COMO
COMO TERMINALES
TERMINALES DE
DE SALIDA
SALIDA

UN
UN TERMINAL
TERMINAL ES
ES COMÚN
COMÚN A
A ENTRADA
ENTRADA Y
Y SALIDA
SALIDA

LA
LA POTENCIA
POTENCIA CONSUMIDA
CONSUMIDA EN
EN LA
LA ENTRADA
ENTRADA ES
ES
MENOR
MENOR QUE
QUE LA
LA CONTROLADA
CONTROLADA EN
EN LA
LA SALIDA
SALIDA

LA
LA TENSIÓN
TENSIÓN ENTRE
ENTRE TERMINALES
TERMINALES DE
DE ENTRADA
ENTRADA
DETERMINA
DETERMINA LA
LA SALIDA
SALIDA:: PUEDE
PUEDE FUNCIONAR
FUNCIONAR COMO
COMO
FUENTE
FUENTE DE
DE CORRIENTE
CORRIENTE (ZONA
(ZONA ACTIVA),
ACTIVA),
CORTOCIRCUITO
MJE13008 (NPN)
CORTOCIRCUITO (SATURACIÓN)
(SATURACIÓN) O
O CIRCUITO
CIRCUITO
ABIERTO
ABIERTO (CORTE).
(CORTE). EN
EN LOS
LOS ACCIONAMIENTOS
ACCIONAMIENTOS PARA
PARA IRF840 (MOSFET, N)
MOTORES
MOTORES TRABAJAN
TRABAJAN ENEN CONMUTACIÓN
CONMUTACIÓN BDX53C (Darlington)
 El transistor de potencia II:
características comunes II
TERMINALES DE CONEXIÓN

B=BASE
B=BASE LOS
LOS FET
FET PUEDEN
PUEDEN CONMUTAR
CONMUTAR AA G=PUERTA
G=PUERTA ((GATE)
GATE)
C=COLECTOR
C=COLECTOR FRECUENCIAS
FRECUENCIAS MÁS
MÁS ALTAS
ALTAS QUE
QUE D=DRENADOR
D=DRENADOR ((DRAIN)
DRAIN)
E=EMISOR
E=EMISOR LOS
LOS BIPOLARES
BIPOLARES YY NECESITAN
NECESITAN S=FUENTE
S=FUENTE ((SOURCE)
SOURCE)
MENOS
MENOS CORRIENTE
CORRIENTE DE
DE PUERTA
PUERTA
TRANSISTORES
TRANSISTORES PARA ENTRAR EN SATURACIÓN
PARA ENTRAR EN SATURACIÓN TRANSISTORES
TRANSISTORES DE
DE
BIPOLARES
BIPOLARES O
O CORTE
CORTE EFECTO
EFECTO DE
DE CAMPO
CAMPO
 El transistor de potencia I:
características de cada transistor
BJT:
BJT: Bipolar
Bipolar Junction
Junction Transistor.
Transistor. Transistor
Transistor bipolar
bipolar constituido
constituido por
por la
la unión
unión de
de
dos
dos materiales
materiales con
con capacidades
capacidades opuestas
opuestas para
para polarizarse
polarizarse (unione s NP
(uniones NP OO PN).
PN).
Los
Los transistores
transistores bipolares
bipolares pueden
pueden ser
ser PNP
PNP oo NPN
NPN

FET:
FET: Field
Field Effect
Effect Transistor.
Transistor. Transistor
Transistor de
de efecto
efecto de
de campo.
campo. Está
Está formado
formado por
por
una
una barra
barra de
de material
material semiconductor
semiconductor dede silicio
silicio tipo
tipo P
P oo N
N en
en cuy
cuyosos extremos
extremos sese
establece
establece un
un contacto
contacto óhmico.
óhmico. También
También se
se les
les conoce
conoce como
como transis tores uni
transistores uni--
polares.
polares. En
En los
los de
de canal
canal N
N la
la conducción
conducción lala producen
producen ee-- en
en los
los de
de canal
canal P
P
huecos.
huecos. Hay
Hay 33 tipos:
tipos:
JFET Æ
•• JFET Æ Junction
Junction Field
Field Effect
Effect Transistor
Transistor
MESFET Æ
•• MESFET Æ Metal
Metal Semiconductor
Semiconductor Transistor
Transistor
MOSFET Æ
•• MOSFET Æ Metal
Metal Oxide
Oxide Semiconductor
Semiconductor Transistor
Transistor

IGBT
IGBT :: Isolated
Isolated Gate
Gate Bipolar
Bipolar Transistor.
Transistor. Transistor
Transistor bipolar
bipolar de
de puerta
puerta
aislada.
aislada. Presenta
Presenta la
la ventaja
ventaja de
de que
que la
la puerta
puerta se
se comporta
comporta como
como lla
a
de
de un
un transistor
transistor MOSFET
MOSFET lo lo que
que facilita
facilita su
su gobierno.
gobierno. Es
Es más
más
robusto
robusto que
que el
el MOSFET
MOSFET yy soporta
soporta tensiones
tensiones yy corrientes
corrientes más
más
elevadas
elevadas aunque
aunque susu frecuencia
frecuencia de
de conmutación
conmutación eses más
más baja
baja
 El transistor de potencia BJT
C+
E E El BJT (“Bipolar
Bipolar Junction Transistor”),
Transistor fue introducido a principios de los años 80, en
- el BJT la señal de control se debe mantener si se quiere que el dispositivo conduzca.
B

Al igual que el tiristor tiene tres terminales: colector C, emisor E y base (B).
Símbolo del transistor
Una señal aplicada al terminal de control (base) hace que el transistor sea
conductor en un grado más o menos importante, amplificándose el valor de
C dicha señal de control, a la salida entre el emisor y el colector. Es decir a
diferencia de los tiristores, la intensidad que va a circular entre el
colector y el emisor es proporcional a la señal aplicada a la base. se La
B flecha del emisor indica la dirección de la circulación de la corriente cuando
la unión emisor-base se encuentra polarizada en sentido directo (transistor
en estado de conducción).

Montaje, en configuración
E
Darlington, de dos BJTs.
La capacidad de corriente
emisor-colector, en
configuración Darlington con
módulos asociados, puede
superar los 1.000 A y la
velocidad de conmutación es
de unos 5 microsegundos.
Un transistor de potencia se caracteriza en estado de bloqueo por la tensión
en sus bornes colector-emisor VCE y su corriente de fugas IF. En estado de
conducción, se caracteriza por la corriente que lo atraviesa IC y por la caída
de tensión que esta provoca VCEsat. En general, la tensión de saturación
VCEsat, es inferior o igual a 1,5 V.
Una ventaja de los transistores frente a los tiristores consiste en que se
activan y se desactivan más fácil y más rápidamente; sin embargo,
requieren un control más preciso de la señal de control aplicada a la base
 MOSFET
El MOSFET sea puede controlar
DRENADOR LÍMITE DE directamente con lógica CMOS o
ID CORRIENTE
D TTL. Entonces, la corriente de
control de puerta es muy baja
a (puede ser menor de 1 mA).
ID b
5A
10 ms
PUERTA (b)
G c.c.
LÍMITE DE LÍMITE DE
DISIPACIÓN DE TENSIÓN
VGS c
POTENCIA
S (a)
d VDS
FUENTE 400 V
(a) MOSFET con su diodo de protección, (b) Área de funcionamiento seguro.

El MOSFET (“Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor”),

Transistor es un transistor de conmutación
muy rápida que nació con un futuro prometedor en aplicaciones de alta frecuencia (hasta 1 MHz) y baja
potencia (hasta unos pocos kW).

El dispositivo tiene poca capacidad para soportar la tensión inversa y siempre lleva un diodo inversor. A
diferencia de un transistor bipolar, el MOSFET se controla por tensión de tal manera, que si se aplica
a la puerta una tensión positiva (es decir VGS positiva) mayor que un valor umbral, el transistor conduce
permitiendo el flujo de intensidad entre el drenador y la fuente. La puerta está aislada por una capa de
oxido de silicio (SO2), y entonces la impedancia de entrada del circuito de puerta es extremadamente
elevada en estado estacionario. La puerta precisará de un pulso de corriente durante el paso de
conducción a bloqueo.
 IGBT
El IGBT (“Isolated Gate Bypolar Transistor”)
es un dispositivo que tiene algunas de las
ventajas de los MOSFET, BJT y GTO
combinadas, ha sustituido a los transistores
de potencia en las aplicaciones de baja
tensión y media potencia y con módulos
asociados, están sustituyendo también a los
SCR y GTOs en pequeña y media potencia,
pudiéndose alcanzar hasta 1,5 MW.
Las tensiones son del orden de los 2000 V y
las intensidades de cientos de amperios y
frecuencias de maniobra del orden de los 20
kHz. Su rápido desarrollo persigue, entre
otros aspectos, aumentar la tensión colector-
emisor y también la intensidad de colector
(que puede llegar hasta 2.700 A, la cual se
consigue mediante la asociación en paralelo
de varios módulos individuales), así como
mejorar la transmisión de calor entre la unión
semiconductora y el exterior.
Este dispositivo tiene una impedancia de puerta
elevada, por lo que precisa pequeñas corrientes
para manejar grandes potencias, de esta manera
se reducen los retrasos asociados a elevadas
corrientes de control y se consigue una respuesta
rápida, (menor de 1 microsegundo)
Los IGBTs tienen tiempos de encendido y
apagado del orden de 1 microsegundo, la rapidez
de conmutación permite lograr, con las técnicas
PWM, formas de onda de gran calidad, con un
mínimo nivel de armónicos, lo que permite hacer
desaparecer el ruido electromagnético audible
característico de los armónicos de bajo rango.
Los IGBTs que se fabrican actualmente, tienen
una capacidad de manipulación de potencia
comparable con la del BJT pero pueden operar
a más altas frecuencias. La simplicidad de la
puerta, facilidad de protección, capacidad de
protección en circuitos de potencia, operación
sin snubbers, y alta velocidad de maniobra
hacen que los convertidores de IGBTs sean más
atractivos que los convertidores de BJTs.
El transistor de potencia III:
encapsulados más frecuentes
COMPARATIVA DE LAS PROPIEDADES DE LOS TRANSISTORES
D IF IC U L T A D F R E C U E N C IA R O B U S T E Z P R O P IE D A D E S
DE M Á X IM A D E E S P E C IA L E S
G O B IE R N O C O N M U T A C IÓ N
(E N C E N D ID O -
APAGADO)
T R A N S IS T O R ES M ED IA : C IER T O BA JA : D EL A LT A M A N EJO D E
B IP O L A R E S C O N S U M O D E O R D EN D E 20kH z A LT A S
C O R R IEN TE P O TEN C IA S Y
P O R P U ER TA T E N SIO N ES
T R A N S IS T O R ES BA JA : ELEV A D A : D EL M ED IA R ES IS TIV O EN
M O SFET CONSUM O POR O R D EN D E 1M H z C O N D U C C IÓ N :
P U ER T A M U Y R ES IS T E N C IA S
R ED U C ID O M U Y BA JA S
BA JA : M ED IA : EN TR E A LT A M A N EJO A LT A S
IG B T S
CONSUM O POR BIP O LA R ES Y P O TEN C IA S Y
P U ER T A M U Y M O S FET TEN S IO N ES .
R ED U C ID O M EN O R ES
P ÉR D ID A S Q U E
M O S FET
GTOS A LTA : M U Y BA JA : D EL M U Y A LT A M U Y R O BU S TO
D IFIC U LTA D O R D EN D E 1kH z
P A R A EL
APAGADO
Comparación de potencia y frecuencias
de conmutación

SCR
MARGEN DE POTENCIA (V·A) 107

106

105 GTO
104

103 BJT MOSFET

IGBT
102
10 102 103 104 105 106 107 108
FRECUENCIA (Hz)
Evolución de la potencia con el
desarrollo de los dispositivos
MARGEN DE POTENCIA (V·A)

107

106 IGBT
MCT
105

104

103 MOSFET

102
1980 84 88 92 AÑO