Prctica 1.

Amplificador monoetapa
1. Objetivo
El objetivo de esta prctica es la caracterizacin de un amplificador monoetapa, realizado con un transistor bipolar de unin, tanto en continua (punto de polarizacin) como en alterna, estudiando en este segundo caso tanto su ganancia en tensin como su ganancia en corriente.

2. Procedimiento experimental
En la primera parte de esta experiencia realizaremos la polarizacin del transistor de forma que el punto de operacin del mismo se encuentre lo ms centrado posible en la regin activa, esto es, para las caractersticas de salida tomaremos ICQ = 3 mA y VCEQ = 5 V. El circuito de polarizacin es el que se muestra en la figura 1. Se puede observar como RB2 se ha fijado a un valor de 3,9 k. Adems, el circuito se encuentra alimentado a una tensin de continua de 10 voltios (+VCC en la figura). Si analizamos dicho circuito en cuanto a sus caractersticas de entrada y salida, llegamos a las siguientes cinco ecuaciones:
VBB = RB = RB 2 VCC RB1 + RB 2 RB1 RB 2 RB1 + RB 2

RB = 9 RE IC
Figura 1. Circuito de polarizacin

(1)

VBB V BE RE + RB /

VCE = VCC I C ( RC + RE )

Las dos primeras se obtienen de hacer el equivalente Thevenin del circuito que se encarga de polarizar la base del transistor, constituido por VCC , RB1 y RB2. La tercera es la ecuacin de estabilidad necesaria para que la corriente IC no cambie sensiblemente frente a cambios de temperatura y no dependa tampoco del tipo de transistor utilizado. Por ltimo, las ecuaciones cuarta y quinta se obtienen resolviendo el circuito de entrada (utilizando ya su equivalente Thevenin) y el de salida. En el sistema de cinco ecuaciones anterior tenemos cinco incgnitas (VBB, RB1, RB, RE, RC) tomando VBE aproximadamente igual a 0,7 voltios (transistor de silicio) y despreciando el trmino RB/ frente a RE ( tiene un valor superior a 100). El resto de parmetros estn fijados (VCC = 10 V, RB2 = 3,9 k, ICQ = 3 mA, VCEQ = 5 V). Resolviendo el sistema y tomando valores de resistencia normalizados (los disponibles en el laboratorio) llegamos a que las resistencias requeridas para polarizar el transistor adecuadamente son: RB1 = 18 k, RC = 1,2 k, RE = 330 . A continuacin realizamos el montaje de la figura 1 utilizando las resistencias obtenidas y se realiz las medidas de tensin y corriente del transistor haciendo uso de un polmetro. Hemos de tener en cuenta que los valores utilizados no se corresponden con los obtenidos analticamente (son meras aproximaciones en base a las resistencias disponibles) lo cual influir de alguna forma en el punto de polarizacin obtenido (ver apartado Resultados).

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En la segunda parte de la experiencia construimos un amplificador monoetapa simplemente aadiendo dos condensadores de acoplo de 100 nF (uno a la entrada y otro a la salida del circuito de polarizacin) y un condensador de desacoplo de 100 F en el emisor (ver figura 2). La funcin de los primeros es la de acoplar nicamente las seales de alterna, de forma que la polarizacin en continua del transistor no se vea afectada por los posibles niveles de continua que puedan poseer las fuentes de seal que queremos amplificar (ver figura). En cuanto al condensador de desacoplo su funcin es justamente la contraria, es decir, desacopla las seales de alterna hacia tierra en el lado del emisor. Esto tiene un efecto beneficioso en cuanto a la ganancia (la aumenta) pero da lugar a un aumento de la distorsin de la seal de salida, como comprobamos durante la experiencia.
Figura 2. Amplificador monoetapa

Si analizamos el circuito anterior haciendo uso del circuito equivalente para pequea seal del transistor (ver figura 3), podemos llegar a que la ganancia en tensin y en corriente a frecuencias medias (ganancias mximas considerando los condensadores como cortocircuitos y, por lo tanto, sin influencia alguna sobre el circuito de amplificacin) vienen dadas por:

AV =

h fe z o RL vo = , vi hie ( z o + RL )

zo =

RC RB1 RB 2 , RB = 1 + hoe RC RB1 + RB 2

h fe z o RB i AI = o = ii ( RB + hie )( z o + RL )

(2)

En las expresiones anteriores vo y vi son, respectivamente, la tensin medida en la carga RL de salida y la tensin de entrada aplicada a la base; las corrientes io e ii se refieren a la corriente de salida que circula por RL (en sentido hacia tierra) y la corriente que atraviesa RS (yendo de la fuente Vs hacia la base). Los parmetros hie, hfe, hoe son los parmetros hbridos del transistor para pequea seal y depende del transistor utilizado, as como del

Figura 3. Circuito equivalente para pequea seal del amplificador monoetapa

punto de operacin. En la prctica el transistor utilizado fue el BC107 y sus parmetros fueron los obtenidos, haciendo uso de un trazador de curvas, en torno al punto de operacin comentado anteriormente. Se obtuvo hie = 3 k, hfe = 350, hoe = 40 S. Ntese que las expresiones anteriores son meras aproximaciones de las ganancias en tensin y en corriente mximas dado que estamos haciendo uso de modelos para pequea seal.

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Una vez realizado el montaje del amplificador monoetapa, haciendo uso del generador de seales el cual conectamos a la entrada del amplificador, realizamos un barrido en frecuencia (desde 100 Hz hasta unos 2 MHz) observando la amplitud de la seal de salida. La seal de entrada utilizada tena una amplitud de pico de 15 mV. Las medidas de tensin se tomaron sin carga, RL era un circuito abierto, haciendo uso de un osciloscopio. Para el estudio de la ganancia en corriente, se utiliz una resistencia de carga RL de 100 , y se dispuso una resistencia RS entre el generador de seales y el condensador de acoplo de entrada de 330 . Para medir la corriente de entrada se utilizaron los dos canales del osciloscopio en modo resta (CH2 + INV(CH1)) conectados en los dos extremos de RS y la amplitud de la seal observada se divida por el valor de dicha resistencia para obtener el valor de la corriente. Para la medida de la corriente de salida, la tensin medida con el osciloscopio en la resistencia RL era dividida por el valor de la misma para obtener la corriente que la atravesaba.

3. Resultados
Los valores obtenidos para el punto de operacin, una vez se realiz el montaje del circuito de la figura 1 con los valores de resistencias encontrados en el apartado anterior, fueron los siguientes: VCE = 5,29 V, VBE = 0,642 V, VCB = 4, 65 V, IB = 8,1 A, IC = 2,97 mA. Los valores obtenidos difieren ligeramente de los valores buscados si bien hemos de notar que los valores de resistencia utilizados no eran exactamente los que nos indicaba la solucin del sistema de ecuaciones (ver apartado anterior). Si realizamos el anlisis de punto de operacin con el programa de simulacin PSpice, utilizando los valores de resistencia normalizados descritos anteriormente, obtenemos los siguientes resultados: ICQ 3,2 mA, VCEQ 5,1 V, IBQ 10 A, VBEQ 690 mV. Estos valores tampoco se corresponden completamente con los buscados (ICQ = 3 mA, VCEQ = 5 V). Adems, teniendo en cuenta las tolerancias debidas a los diferentes dispositivos del circuito y, en base a que tampoco los resultados de una simulacin que hace uso de valores estrictamente nominales es la esperada, se puede concluir que los resultados obtenidos en la experiencia son bastante buenos y que la polarizacin del transistor ha sido correcta. Esto nos lleva a la conclusin de que las aproximaciones realizadas durante la resolucin analtica del circuito no son del todo incorrectas y que las soluciones obtenidas son una muy buena aproximacin de lo que nos vamos a encontrar en la prctica. En cuanto a los clculos de la ganancia en tensin y en corriente del amplificador monoetapa, cuyo procedimiento se desarroll en el apartado anterior, los valores obtenidos durante la experiencia son los que se muestran en la tabla siguiente. Los valores de tensin y corriente dados se refieren a amplitudes de pico. Ganancia en tensin
Frecuencia (Hz) 135 230 303 430 608 834 1.131 1.362 1.765 Tensin entrada (mV) Tensin de salida (V) 15 0,240 15 0,440 15 0,580 15 0,800 15 1,000 15 1,240 15 1,400 15 1,520 15 1,600 Ganancia 16,00 29,33 38,67 53,33 66,67 82,67 93,33 101,33 106,67

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Frecuencia (kHz) 2,21 4,03 7,96 12,85 17,84 24,80 45,40 93,60 152,4 240 338 464 590 650 818 1.091 1.460 1.759 1.980

Tensin entrada (mV) Tensin de salida (V) 15 1,700 15 1,800 15 1,900 15 1,900 15 1,900 15 1,900 15 1,900 15 1,900 15 1,900 15 1,800 15 1,700 14 1,520 14 1,440 14 1,350 14 1,240 13 1,000 13 0,800 13 0,700 13 0,620

Ganancia 113,33 120,00 126,67 126,67 126,67 126,67 126,67 126,67 126,67 120,00 113,33 108,57 102,86 97,14 88,57 76,92 61,54 53,85 47,69

Ganancia en corriente
Frecuencia (Hz) 400 450 511 648 720 803 913 1.105 1.247 1.405 1.719 2.140 4.180 6.030 12,26k 15,73k 25,20k 39,60k 71,60k 157,7k 479k 763k 1,038M 1,451M 1,654M 1,950M VRs (mV) 1,5 1,7 2,0 2,0 2,2 2,4 2,6 2,8 3,1 3,2 3,6 3,8 4 4 4 4 4 4 4 4 4 5 5 6 7 8 Ii (A) 5,0 5,7 6,7 6,7 7,3 8,0 8,7 9,3 10,3 10,7 12,0 12,7 13,3 13,3 13,3 13,3 13,3 13,3 13,3 13,3 13,3 16,7 16,7 20,0 23,3 26,7 VRL (mV) 30 35,5 44 62 70 80 92 108 120 128 148 160 180 190 195 200 200 200 200 200 190 190 180 170 170 150 Io (mA) 0,300 0,355 0,440 0,620 0,700 0,800 0,920 1,080 1,200 1,280 1,480 1,600 1,800 1,900 1,950 2,000 2,000 2,000 2,000 2,000 1,900 1,900 1,800 1,700 1,700 1,500 Ganancia 60,00 62,65 66,00 93,00 95,45 100,0 106,2 115,71 116,13 120,00 123,33 126,32 135,00 142,50 146,6 150,00 150,00 150,00 150,00 150,00 142,50 114,00 108,00 85,00 72,86 56,25

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Podemos observar como tanto la tensin de entrada como la corriente de entrada ofrecen comportamientos diferentes a altas frecuencias en comparacin con los observados a bajas y altas frecuencias. Eso puede deberse a que a altas frecuencias la impedancia de entrada del amplificador disminuye, pues as lo hace la impedancia de entrada del transistor debido a los efectos capacitivos de alta frecuencia. Eso da lugar a un aumento de la corriente de entrada a alta frecuencia y una disminucin de la tensin en la base, que son los efectos observados. A bajas frecuencias, el aumento de la impedancia de entrada con respecto a frecuencias medias, da lugar tambin a una disminucin de la corriente de entrada como igualmente se ha observado. De los resultados anteriores se desprende que los amplificadores monoetapa tienen un comportamiento diferente segn tratemos con bajas, medias o altas frecuencias. En la figura 4 se muestran las respuestas en frecuencia obtenidas para la ganancia en tensin y en corriente del amplificador monoetapa. Ganancia en tensin
140 120 100 80 60 40 20 0 100 160 140 120 100 80 60 40 20 0 100

Ganancia en corriente
Ganancia

Ganancia

10000

1000000

10000

1000000

Frecuencia (Hz)

Frecuencia (Hz)

Figura 4. Respuestas en frecuencia del amplificador monoetapa

Podemos comprobar como la respuesta obtenida para la ganancia en tensin presenta un aspecto ms suave que la respuesta obtenida para la ganancia en corriente. Ello es debido a que el mtodo utilizado para obtener las corrientes de entrada y salida no era tan directo como el utilizado para el clculo de la ganancia en tensin (hemos requerido de varios pasos). Por otro lado, la resolucin del osciloscopio junto con las amplitudes extremadamente bajas de las seales medidas ha dado lugar a valores que no se ajustan del todo a la realidad. An as, podemos apreciar claramente un comportamiento bastante similar en ambas respuestas en cuanto a las frecuencias a las cuales comienza a apreciarse una prdida de ganancia (bajas y altas frecuencias). En ambas respuestas se observa que la ganancia es mxima aproximadamente en el intervalo comprendido entre 10 kHz y 150 kHz, aunque en el caso del amplificador de corriente parece ser un poco mayor. Los valores mximos de ganancia en tensin y corriente son, respectivamente, 127 y 150. Si realizamos un anlisis en AC con el programa PSpice, para el amplificador monoetapa de la figura 2 se observan ganancias en tensin y en corriente mximas de 167 y 139 aproximadamente. Si hacemos uso de las expresiones tericas descritas en el apartado anterior [ecuaciones (2)], con los parmetros obtenidos para el transistor y con los valores de resistencia utilizados, y sabiendo que para el caso de la ganancia en tensin RL = , llegamos a que: AV ( RL = ) = h fe z o hie

= 133,5

AI = 166

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Los valores negativos de las ganancias se deben a que este tipo de amplificador da lugar a una salida invertida con respecto a la entrada, lo cual fue comprobado durante la experiencia. Vemos que los resultados de ganancia obtenidos en la experiencia no se alejan demasiado de los valores deducidos tericamente y de los resultados de la simulacin. Considerando las limitaciones impuestas por los instrumentos de medida utilizados, las aproximaciones debidas a hacer uso de modelos para el transistor, la tolerancia de las resistencias y, quizs, algn tipo de error sistemtico que no hayamos advertido durante la experiencia, podemos concluir que los resultados obtenidos experimentalmente son bastante buenos.

4. Discusin
En esta experiencia, en definitiva, hemos podido observar las caractersticas de amplificacin tanto en corriente como en tensin de un tipo de amplificador tan simple como el realizado con un transistor bipolar de unin. Hemos observado, adems, un comportamiento bastante bueno de nuestro sistema, en cuanto a las diferencias entre las predicciones tericas y los resultados experimentales obtenidos, a pesar de las limitaciones debidas a la precisin de los instrumentos de medida, las desviaciones con respecto a la realidad por el hecho de hacer uso de modelos de pequea seal, las elevadas tolerancias de los dispositivos utilizados, y otro tipo de errores en los cuales podamos haber incurrido. Por tanto, podemos concluir que los desarrollos analticos haciendo uso de modelos matemticos, junto con las simulaciones aportadas por programas como el PSpice, son herramientas muy tiles para realizar un anlisis previo de lo que nos podemos encontrar en la prctica.

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