1

POLITECHNIKA SLASKA
WYDZIA INZYNIERII SRODOWISKA I ENERGETYKI
INSTYTUT MASZYN I URZADZEN ENERGETYCZNYCH


LABORATORIUM ELEKTRYCZNE








Badanie tranzystorw bipolarnych.

(E 8)







www.imiue.polsl.pl/~wwwzmiape




Opracowa: Dr in. Wodzimierz OGULEWICZ
Sprawdzi: Dr in. Wodzimierz OGULEWICZ
Zatwierdzi: Dr hab. in. Janusz KOTOWICZ


2

1. Cel cwiczenia.

Celem wiczenia jest wyznaczenie charakterystyk statycznych tranzystorw
bipolarnych oraz ich parametrw hybrydowych, a take zaznajomienie si z
metodyk i aparatur uywan do bada tranzystorw.

2. Wprowadzenie.

2.1. Tranzystor BJT. Okres1enia i pojecia podstawowe.

Tranzystor bipolarny BJT (ang. Bipolar Junction Transistor) jest przyrzdem
pprzewodnikowym posiadajcym dwa zcza PN, wytworzone w jednej pytce
pprzewodnika niesamoistnego. Moliwe jest dwojakie uszeregowanie obszarw
o rnym typie przewodnictwa: PNP lub PNP, dajce dwa typy tranzystorw.














Waciwoci tranzystora opisuj rodziny jego charakterystyk statycznych.
Charakterystyki statyczne s to krzywe przedstawiajce zalenoci midzy
prdami i napiciami staymi lub wolnozmiennymi wystpujcymi na wejciu i
wyjciu tranzystora. Charakterystyki te podaje si najczciej dla tranzystora w
ukadzie wsplnego emitera WE (OE) rzadziej w ukadzie wsplnej bazy (OB).

2.2. Ukady pracy tranzystora BJT

Tranzystor BJT jako element o trzech elektrodach (E,B,C) moe pracowa w
trzech podstawowych konfiguracjach. Zalenie od tego, na ktrej z elektrod
utrzymuje si stay potencja (zasilania lub masy) lub inaczej w zalenoci od
tego, ktra elektroda jest elektrod wspln dla wejcia i wyjcia sygnau
rozrniamy:
1. Ukad ze wsplnym emiterem OE (WE) najczciej stosowany.
2. Ukad ze wsplna baza OB (WB) stosowany w ukadach b.w.cz.
3. Ukad ze wsplnym kolektorem OC (WC) stosowany w ukadach
wejciowych, nazywany bardzo czsto wtrnikiem emiterowym.

2.3. Charakterystyki statyczne tranzystora BJT

Tranzystor BJT pracujcy w dowolnym ukadzie OE, OB lub OC
charakteryzuj prdy przez niego pynce i napicia na jego elektrodach.
U
CE
U
BE
I
B
I
C
I
E
U
CE
U
BE
I
B
I
C
I
E
NPN PNP
Rys.1. Symbole i polaryzacja tranzystorw bipolarnych.
3

Mona okreli cztery rodziny charakterystyk statycznych tranzystora:
wejciow I
we
= f (U
we
, U
wy
= idem)
przejciow I
wy
= f (I
we
, U
wy
= idem)
wyjciow I
wy
= f (U
wy
, I
we
= idem)
zwrotn U
we
= f (U
wy
, I
we
= idem)

W przypadku ukadu OE otrzymamy charakterystyki:
wejsciowa I
B
= f (U
BE
, U
CE
= idem)
przejsciowa I
C
= f (I
B
, U
CE
= idem)
wyjsciowa I
C
= f (U
CE
, I
B
= idem)
zwrotna U
BE
= f (U
CE
, I
B
= idem)

Wszystkie wymienione rodziny charakterystyk mona przedstawi na jednym
rysunku ze zczonym osiami (rys.2.).


2.4. Parametry hybrydowe tranzystora BJT w ukadzie OE.

Do tworzenia schematw zastpczych tranzystorw bipolarnych konieczna
jest znajomo parametrw hybrydowych ukadu rwna czwrnikowych.























U
CE
= 20V
U
CE
= 20V
U
CE
= 10V
U
CE
= 10V
I
B
= 1A
I
B
= 300A
I
B
= 100A
I
B
= 100A
I
B
= 300A
I
B
= 200A
I
B
= 0A
I
B
I
C
U
BE
U
CE
V
A
mA
0,8
0,6
0,4
0,2
300 200 100
40
30
20
10
30V 20V 10V
cha-ki wejsciowe
cha-ki wyjsciowe cha-ki przejsciowe
cha-ki zwrotne
Rys.2. Rodziny charakterystyk statycznych tranzystora BJT w ukadzie OE.
4
Czwrnik przedstawiony na rys.3. opisany jest zalenoci ( 1 ). Z zalenoci
( 1 ) wyznaczane s parametry hybrydowe ( h
11
, h
12
, h
21
, h
22
) umoliwiajce
stworzenie schematu zastpczego tranzystora bipolarnego rys.4.
















( 1 )



Zakadajc U
CE
= 0 (zwarcie wyjcia) wyznaczamy:

h
11
= U
BE
/ // /I
B
zwarciowa impedancje wejsciowa r
we
= r
be


h
21
= I
C
/ // /I
B
zwarciowy wspczynnik wzmocnienia pradowego

Zakadajc I
B
= 0 (przerwa na wejciu rozwarcie) wyznaczamy:

h
22
= I
C
/ // /U
CE
rozwarciowa admitancje wyjsciowa 1/r
wy
= g
ce


h
12
= U
BE
/ // /U
CE
rozwarciowy wspczynnik napieciowego sprzezenia
zwrotnego













U
1
I
2
U
2
I
1
2
2 1
1
h
11
h
12

h
21
h
22
U
1


I
2

I
1


U
2

=
U
1
=h
11
I
1
+h
12
U
2


I
2
=h
21
I
1
+h
22
U
2

U
CE
U
BE
I
B
I
C
I
E E
B
C
U
BE
= h
11
I
B
+ h
12
U
CE


I
C
= h
21
I
B
+ h
22
U
CE

U
2
=
U
w
y
=
U
C
E

I
1
=I
we
=I
B
E
B
U
1
E
C
R
B
R
C
I
2
= I
wy
h
11
h
12
U
2

h
21
I
1

h
22
=>
Rys.4. Schemat zastpczy hybrydowy tranzystora BJT w ukadzie OE.
Rys.3. Tranzystor BJT w ukadzie OE przedstawiony jako czwrnik.
5

2.5. Wyznaczanie parametrw hybrydowych z charakterystyk
statycznych tranzystora BJT.

Sposb wyznaczania parametrw hybrydowych (przyrostowych,
rniczkowych) na podstawie danych (np. pomierzonych) charakterystyk
statycznych tranzystora przedstawia rys.5.
























3. Badania i pomiary.

3.1. Okreslenie wielkosci mierzonych.

Przeprowadzane badania maj na celu wyznaczenie podstawowych
charakterystyk statycznych i parametrw hybrydowych tranzystorw bipolarnych.
Badane s tranzystory redniej i duej mocy (BC313 lub BC211 i BDY25).

3.2. Schematy ukadu pomiarowego do wyznaczania
charakterystyk statycznych.

Charakterystyki statyczne tranzystorw bipolarnych wyznacza si w ukadzie
pomiarowym, ktrego schemat przedstawiono na rysunku 6.

U
BE
I
C
I
B
U
CE
U
CE
= 10V
U
CE
= 10V
I
B
= 200 A
I
B
= 200 A
I
B
I
C
U
BE
U
CE
V
A
mA
0,8
0,6
0,4
0,2
300 200 100
40
30
20
10
30V 20V 10V
h
21
=I
C
/I
B
h
22
=I
C
/U
CE
h
12
=U
BE
/U
CE
h
11
=U
BE
/I
B
Rys.5. Wyznaczanie parametrw hybrydowych z charakterystyk statycznych
tranzystora BJT w ukadzie OE.
6












W przedstawionym ukadzie mona wyznaczy wszystkie charakterystyki
tranzystora (wyjciow, wejciow, przejciow i zwrotn). Zasadniczo w
prezentowanym wiczeniu wyznaczamy charakterystyk wyjciow I
C
= f (U
CE
,
I
B
= idem) dla trzech, czterech wartoci prdu bazy i charakterystyk wejciow
I
B
= f (U
BE
, U
CE
= idem) dla dwch, trzech wartoci napi kolektor-emiter
(zgodnie z poleceniem prowadzcego zajcia).
Sposb wyznaczania poszczeglnych charakterystyk wynika bezporednio z
ich definicji. Podczas pomiarw nie naley przekracza dopuszczalnych wartoci
prdw, napi oraz mocy badanego tranzystora podanych w katalogu. Naley
zwraca baczn uwag, aby badany tranzystor nie nagrzewa sie nadmiernie
podczas pomiarw. Przegrzanie tranzystora moe by przyczyn duych bdw
pomiarowych a nawet doprowadzi do jego uszkodzenia (szczeglnie dotyczy to
wyznaczania charakterystyk wyjciowych).

3.3. Wyznaczanie parametrw hybrydowych tranzystorow.

Mierniki parametrw tranzystorw bipolarnych s fabrycznie produkowanymi
przyrzdami pomiarowymi. Przed uzyciem tych miernikw nalezy zapoznac
sie z instrukcja ich obsugi. W wiczeniu wykorzystywany jest tester
tranzystorw P561. Pyt czoow testera przedstawia rysunek 7.
Pomiary parametrw hybrydowych tranzystora (h
11
, h
12
, h
21
, h
22
)

przeprowadzane s w ukadzie wsplnego emitera, w funkcji prdu kolektora I
C

przy staym napiciu kolektor-emiter U
CE
. Badany tranzystor podczony jest do
zaciskw E, B, C testera.

3.4. Sposb obsugi testera P561.

A. Przed waczeniem zasilania nalezy:
wybra waciwy dla danego tranzystora sposb polaryzacji przycisk
NPN lub PNP (sprawd typ tranzystora w katalogu i ustaw przecznik
zgodnie z oznaczeniem katalogowym),
pokrto regulacji napicia kolektor-emiter U
CE
ustawi w lewym skrajnym
pooeniu,
pokrta (dwa) regulacji prdu bazy I
B
dolne (zgrubne skokowe) i grne
(dokadne pynne) ustawi w lewym skrajnym pooeniu,
wcisn klawisz pomiaru napicia kolektor-emiter U
CE
i klawisz zakresu
3V,
R
C
R
B
C
I
C
I
B
V U
CE
U
BE
I
E
B
E
V
A A

Z
a
s
i
l
a
c
z



Z
a
s
i
l
a
c
z


Rys.6. Schemat ukadu pomiarowego do wyznaczania charakterystyk statycznych.
7
na przeczniku klawiszowym zakresw prdu kolektora I
C
wcisn
klawisz 100mA,
wcisn klawisz h
21
pomiaru parametrw hybrydowych tranzystora,
przecznik zakresw pomiarowych parametrw tranzystora ustawi w
prawym skrajnym pooeniu.























B. Waczyc zasilanie testera przycisk MAINS.

C. Wybieranie punktw pracy tranzystora (prowadzenie pomiarw).
ustaw (podane przez prowadzcego zajcia) napicie kolektor-emiter U
CE

wciskajc odpowiedni klawisz zakresu (przewanie 10V) i pokrcajc
pokrto regulacji napicia U
CE
do momentu uzyskania na skali miernika
TEST POINT waciwej (zadanej) wartoci. Raz ustawiona wartosc
napiecia U
CE
do konca pomiarw ma pozostac staa.
przecz miernik TEST POINT na pomiar prdu kolektora wciskajc
klawisz I
C
.
ustawiaj na mierniku TEST POINT kolejne wartoci prdu kolektora I
C

(podane przez prowadzcego zajcia) wybierajc waciwy zakres pomiaru
prdu kolektora (0,3, 1, 3, 10, 30 lub 100mA) i ustawiajc zadan warto
pokrtem grnym regulacji prdu bazy I
B
regulacja pynna (dokadna)
i/lub w razie potrzeby pokrtem dolnym regulacji prdu bazy I
B

regulacja skokowa (zgrubna).
po ustawieniu pierwszej i kadej nastpnej wartoci prdu kolektora I
C

odczytaj warto mierzonego parametru (w tym przypadku h
21
) na skali
miernika PARAMETER. Przecznik zakresw pomiarowych parametrw
ustaw na takim zakresie, eby wskazwka miernika PARAMETER
znajdowaa si w przedziale pomidzy 75% a 100% skali miernika. Zwrc
szczeglna uwage na aktualny zakres miernika PARAMETER, ktry
A
TRANSISTOR TESTER P561
TEST POINT PARAMETER
MAINS
k
S
V/V
A/A
3000 1000
300
300
30

100
100 10
10
30
10 30
30 10

100 300
300
100
U
CE
I
B
U
CE
I
C
10
30
10
-4
10
-2
10
-3
3
.
10
-4
3
.
10
-3
3
.
10
-2
0,1 0,3
1
1
3
3
3
3

10
10 3 30 100
V
E S
B C
30 0,3 100
NPN PNP
mA
h11
h12
h21
h22
I
CE0
I
CB0
I
EB0
mA A
17

9
0
32
60 0,11
0,5
5
1,1
0,24
1
1
nA
Rys.7. Pyta czoowa testera P 561.
8
nalezy odczytac z tabeli na pycie czoowej w miejscu bedacym na
przecieciu sie linii poziomej wyznaczonej przez wcisniety klawisz
parametru (w tym przypadku h
21
) i linii pionowej wyznaczonej przez
wystep na przeaczniku zakresw pomiarowych parametru.
po zakoczeniu pomiarw pierwszego parametru (h
21
) oba pokrta
regulacji prdu bazy I
B
naley KONIECZNIE skr do lewego skrajnego
pooenia (na warto minimaln) sprawdz temperature obudowy
tranzystora!
zmie mierzony parametr na kolejny h
22
i postpuj analogicznie jak przy
poprzednim pomiarze, nastpnie dokonaj pomiarw parametru h
11
i na
kocu h
12
.

3.5. Przebieg cwiczenia.

1. Zaznajomi si z danymi katalogowymi badanych tranzystorw.
Zanotowa wartoci dopuszczalne: prdu kolektora I
Cmax
, napicia
kolektor-emiter U
Cemax
, prdu bazy - I
Bmax
, napicia baza-emiter
U
Bemax
, mocy admisyjnej P
max
.
2. Wyznaczy rodzin charakterystyk statycznych (wyjciowych i
wejciowych) dwch tranzystorw mocy (BDY25) w ukadzie OE.
3. Wyznaczy parametry hybrydowe dwch tranzystorw redniej mocy
(BC313 i BC211).
4. Wyniki pomiarw zanotowa w tabelach otrzymanych od prowadzcego
zajcia.

5. Opracowanie wynikw pomiarw.

1. Wykreli charakterystyki wyjciowe dwu tranzystorw mocy (BDY25)
(obie rodziny charakterystyk na jednym wykresie rne od siebie
kolorem i/lub charakterem linii i/lub opisem).
2. Wykreli charakterystyki wejciowe dwu tranzystorw mocy (BDY25)
(obie rodziny charakterystyk na jednym wykresie rne od siebie
kolorem i/lub charakterem linii i/lub opisem).
3. Wykreli zalenoci parametrw hybrydowych w funkcji prdu
kolektora tranzystora BC313 (wszystkie parametry na jednym wykresie
odznaczone kolorem i/lub charakterem linii i opisem. Konieczne cztery
osie rzdnych, o odcitych musi by wykrelona w skali
logarytmicznej).
4. Wykreli zalenoci parametrw hybrydowych w funkcji prdu
kolektora tranzystora BC211 (wszystkie parametry na jednym wykresie
odznaczone kolorem i/lub charakterem linii i opisem. Konieczne cztery
osie rzdnych, o odcitych musi by wykrelona w skali
logarytmicznej).
5. Korzystajc z wykrelonych charakterystyk statycznych okreli w
trzech punktach (dla rnych parametrw charakterystyk mierzonych)
parametry hybrydowe badanych tranzystorw mocy.

9
6. Sprawozdanie.

Sprawozdanie powinno zawiera:

1. Stron tytuow (nazw wiczenia, numer sekcji, nazwiska i imiona
wiczcych oraz dat wykonania wiczenia).
2. Wymienione uprzednio dane katalogowe badanych tranzystorw.
3. Schemat ukadu pomiarowego.
4. Tabele wynikw pomiarowych ze wszystkich stanowisk.
5. Wykresy wymienionych uprzednio charakterystyk.
6. Okrelone w p.11.5. parametry hybrydowe tranzystorw mocy.
7. Uwagi i wnioski (dotyczce przebiegu charakterystyk, ich odstpstw
od przebiegw teoretycznych, rozbienoci wynikw na rnych
stanowiskach itp.).


Wszelkie prawa zastrzezone





ZACZNIK 1. Tabela wynikw pomiarowych.
U
CE
I
C
U
CE
I
C
U
CE
I
C
U
CE
I
C
U
CE
I
C
V mA V mA V mA V mA V mA
0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
0,2 0,2 0,2 0,2 0,2
0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
0,7 0,7 0,7 0,7 0,7
0,9 0,9 0,9 0,9 0,9
1,3 1,3 1,3 1,3 1,3
2,0 2,0 2,0 2,0 2,0
5,0 5,0 5,0 5,0 5,0
10,0 10,0 10,0 10,0 10,0
Pomiar charakterystyk wyjsciowych Oznaczenie tranzystora:
I
B
= ................. A I
B
= ................. A I
B
= ................. A I
B
= ................. A I
B
= ................. A
10



ZACZNIK 2. Tabela wynikw pomiarowych.
U
BE
I
B
U
BE
I
B
U
BE
I
B
U
BE
I
B
U
BE
I
B
V A V A V A V A V A
0,1 0,1 0,1 0,1 0,1
0,2 0,2 0,2 0,2 0,2
0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
0,4 0,4 0,4 0,4 0,4
0,5 0,5 0,5 0,5 0,5
0,6 0,6 0,6 0,6 0,6
0,7 0,7 0,7 0,7 0,7
0,8 0,8 0,8 0,8 0,8
0,9 0,9 0,9 0,9 0,9
1,0 1,0 1,0 1,0 1,0
1,1 1,1 1,1 1,1 1,1
Oznaczenie tranzystora: Pomiar charakterystyk wejsciowych
U
CE
= .................V U
CE
= .................V U
CE
= .................V U
CE
= .................V U
CE
= .................V
ZACZNIK 3. Tabela wynikw pomiarowych.
U
CE
= V. V. U
CE
= V. V. U
CE
= V. V. U
CE
= V. V.
I
C
h
21
h
21
I
C
h
22
h
22
I
C
h
11
h
11
I
C
h
12
h
12
mA mA/mA mA/mA mA S S mA k k mA V/V V/V
0,04 0,04 0,04 0,04
0,10 0,10 0,10 0,10
0,25 0,25 0,25 0,25
0,40 0,40 0,40 0,40
1,00 1,00 1,00 1,00
2,50 2,50 2,50 2,50
4,00 4,00 4,00 4,00
10,00 10,00 10,00 10,00
25,00 25,00 25,00 25,00
40,00 40,00 40,00 40,00
Pomiar parametrw hybrydowych w funkcji pradu kolektora Oznaczenie tranzystora: