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ELECTRNICA Y AUTOMATISMOS
2 Curso de Instalaciones Electromecnicas Mineras Tema 1: Componentes Electrnicos El transistor bipolar
Electrnica y Automatismos
Universidad de Oviedo
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TRANSISTORES UNIN
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+ +
+ -
+ + -
+ +
+ +
+ +
+ +
+ -
Concentracin de huecos
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Conduccin
Bloqueo
Si la zona central es muy ancha el comportamiento es el dos diodos en serie: el funcionamiento de la primera unin no afecta al de la segunda
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El terminal central (base) maneja una fraccin de la corriente que circula entre los otros dos terminales (emisor y colector): EFECTO TRANSISTOR
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Base
Emisor
Colector
Transistor PNP
El terminal de base acta como terminal de control manejando una fraccin de la corriente mucho menor a la de emisor y el colector. El emisor tiene una concentracin de impurezas muy superior a la del colector: emisor y colector no son intercambiables
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Se comporta de forma equivalente al transistor PNP, salvo que la corriente se debe mayoritariamente al movimiento de electrones. En un transistor NPN en conduccin, la corriente por emisor, colector y base circula en sentido opuesto a la de un PNP.
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Base
Emisor
Colector
Transistor NPN
La mayor movilidad que presentan los electrones hace que las caractersticas del transistor NPN sean mejores que las de un PNP de forma y tamao equivalente. Los NPN se emplean en mayor nmero de aplicaciones.
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Principio de funcionamiento del transistor bipolar Conclusiones: Un transistor bipolar est formado por dos uniones PN. Para que sea un transistor y no dos diodos deben de cumplirse dos condiciones. 1) La zona de Base debe ser muy estrecha. 2) El emisor debe de estar muy dopado. Normalmente, el colector est muy poco dopado y es mucho mayor.
C NP B N+ E
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V CE -
VCB = VCE - V BE
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+ V BE -
V CE V BE
Entre base y emisor el transistor se comporta como un diodo. La caracterstica de este diodo depende de V CE pero la variacin es pequea.
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+ V BE -
V CE
La corriente que circula por el colector se controla mediante la corriente de base IB.
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h2
Caudal
Apertura compuerta
h1 - h2
h1
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar: linealizacin Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de salida
IC + + V BE Zona de saturacin IB V CE Zona activa: IC=IB IB (A)
400 300 200 100 0 V CE (V)
IC (mA)
40 30 20 10 1
Zona de corte
El parmetro fundamental que describe la caracterstica de salida del transistor es la ganancia de corriente .
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: linealizacin de la caracterstica de entrada
IC + + V BE V BE IB V CE IB
La caracterstica de entrada corresponde a la de un diodo y se emplean las aproximaciones lineales vistas en el tema anterior.
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Transistor NPN: zonas de funcionamiento del transistor ideal
IC IC + V BE IB + V CE -
Zona activa
V BE
+ V CE -
+ -
IB
IB
IC
IC
Zona de saturacin
IB V BE
+ -
IB
V CE
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Zona de corte
V BE
+ -
IB
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12 V 36 W 12 V I 3A = 100
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V EB +
V EC V EB +
Las tensiones y corrientes van en sentido contrario a las de un transistor NPN. Entre emisor y base se comporta como un diodo. La corriente por la base es saliente.
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V EB +
V EC
La corriente que circula por el colector es saliente y se controla mediante la corriente de base IB.
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4A PF (ON) 3 A OFF ON
IB = 40 mA
VEC 12 V PF (OFF)
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VBE
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Caractersticas elctricas del transistor bipolar Caractersticas reales: datos proporcionados por los fabricantes
IC IC-MAX V CE-MAX PMAX V CE-SAT HFE Corriente mxima de colector Tensin mxima CE Potencia mxima Tensin C.E. de saturacin Ganancia PMAX IC MAX B E C
SOAR
VCE-MAX VCE rea de operacin segura (Safety Operation Area)
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TOSHIBA
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El fototransistor
La luz (fotones de una cierta longitud de onda) al incidir en la zona de base desempean el papel de corriente de base C El terminal de Base, puede estar presente o no. No confundir con un fotodiodo.
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El fototransistor
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El fototransistor
DISTINTOS ENCAPSULADOS
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El fototransistor
OPTOACOPLADOR
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Conclusiones
Sobre el uso del transistor como interruptor se profundiza en Electrnica de Potencia y en Electrnica Digital. Sobre el uso del transistor como amplificador se profundiza en Electrnica Analgica. Como se ha visto ambos transistores bipolares son bastante intercambiables y constructivamente similares. Solamente se diferencian en la rapidez: El transistor NPN funciona bsicamente con electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios del emisor en cada caso). Reacurdese que la movilidad de los electrones es mayor que la de los huecos, es decir, el transistor NPN es mas rpido que le PNP en igualdad de condiciones.
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