COMPONENTES ELECTRONICOS

Presentado por:

MikhailMannuel Amaya Mongui

Centro de electricidad electrnica y telecomunicaciones SENA BOGOT 2011

COMPONENTES ELECTRONICOS

Presentado por:

MikhailMannuel Amaya Mongui

Presentado a: Marco Nempeque Instructor tcnico

Centro de electricidad electrnica y telecomunicaciones SENA BOGOT

COMPONENTES ELECTRONICOS Centro de electricidad electrnica y telecomunicaciones SENA MikhailMannuel Amaya Mongui Mikhail@misena.edu.co AGOSTO DE 2011

RESUMEN En esta actividad presentaremos algunos conceptos bsicos como funcionamiento materiales y fabricacin de componentes electrnicos tambin abordaremos la ley de Coulomb y la identificacin de resistencias a travs de su cdigo de colores. Palabra clave: componentes.

INTRODUCCION El desarrollo de este informe esta centrado en simbologa y principios de funcionamiento de los componentes electrnicos mas utilizados a nivel comercial por otro lado observaremos el comportamiento y reaccin fsica de algunos de estos componentes.

Resistencias Se oponen al libre flujo de la corriente a travs del circuito convirtindose en calor compuesta por minerales de diferentes tipos CODIGO DE COLORES EN RESISTENCIAS Se utilizan para marcar el valor de la resistencia los mas comunes son de 4 o 5 bandas donde le primer digito es la primera banda el segundo digito es la segunda banda y el tercero es el multiplicador en potencia de 10 la cuarta banda mide la tolerancia de exactitud de la resistencia

SIMBOLOGIA

1 Resistores Baja potencia

Electroltico

Alta Potencia

Smbolos No existen diferencia en simbologa entre un resistor de baja y alta potencia. Se utiliza un texto en el esquema del circuito para observar la potencia del componente. Por ejemplo:

El smbolo para un capacitor polarizado (electroltico) es:

El smbolo + se utiliza para identificar la conexin positiva. Potencimetros Capacitores No polarizados Control

El smbolo para un capacitor no polarizado es:

Trimmer

Smbolo

5 Diodos

Smbolos Existe poca diferencia entre el smbolo utilizado para un potencimetro de control y para el potencimetro trimmer excepto que el cursor de un potencimetro de control se identifica con una flecha mientras que el otro se identifica con una "T". Por ejemplo:

Smbolo En los circuitos elctricos, se utilizan diferentes tipos de diodos y cada uno tiene su smbolo. El ms comn es el diodo rectificador (normal) y el diodo Zner. A continuacin encontrar los smbolos asignados a estos componentes.

.4 Transformadores

6 Transistores

Smbolos Los signos que se ven son los de los transistores bipolares (tambin conocidos como transistores NPN y PNP). Existen otras

clases de transistores, por ejemplo: el transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor FET) y tienen diferentes smbolos que se estudiarn en los ejercicios respectivos.

9 Amplificadores operacionales

Smbolos

7 LED

10 Circuitos Integrados

Smbolo Smbolos Existen varias clases de chips (digitales) disponibles y a cada uno se le asigna un smbolo. Ms abajo encontrar dos de los smbolos ms comunes para las compuertas lgicas. En los ejercicios pertinentes estudiar otros smbolos.

8 Displays

11 Interruptores

Llave inversora deslizante

elctricos de potencia. Estos tienen smbolos diferentes.

1.

Caractersticas

de

un

condensador

Llave inversora (a secas)

Condensadores : Son dispositivos que almacenan cargas elctricas; se dice que dos cuerpos forman un condensador cuando entre ellos existe un campo elctrico. En general un condensador se compone esencialmente de dos conductores (armaduras) aislados y separados por un dielctrico (aislador. Pueden conducir cc durante un instante, aunque funcionan bien como conductores en circuitos de ca; esta propiedad los convierte en dispositivos muy tiles para impedir que la cc entre a determinada parte de un circuito elctrico. Los condensadores de capacidad fija y variable se usan con las bobinas, formando circuitos en resonancia en radios y otros equipos elctricos. Los Capacitares se fabrican en gran variedad de formas, siendo la ms sencilla el formado por dos placas separados por un dielctrico. El aire, la mica, la cermica, el papel, el aceite o el vaco se usan de aisladores segn la utilidad dada al dispositivo. En su forma ms sencilla, un condensador est formado por dos placas metlicas o armaduras paralelas, de la misma superficie y encaradas, separadas por una lmina no conductora o dielctrico. Al conectar una de las placas a un generador, sta se carga e induce una carga de signo opuesto en la otra placa. Por su parte, teniendo una de las placas cargada negativamente (Q-) y la otra positivamente (Q+) sus cargas son iguales y la carga neta del sistema es 0, sin embargo,

Smbolo Los interruptores de deslizamiento y el pulsador con retencin son dos de las muchas variedades de interruptores que se utilizan en los circuitos elctricos y electrnicos. Los smbolos asignados para cada uno de ellos son esencialmente el mismo. Otra clase de interruptores incluye los interruptores centrfugos y disyuntores

se dice que el condensador se encuentra cargado con una carga Q. Los condensadores pueden conducir corriente continua durante slo un instante, aunque funcionan bien como conductores en circuitos de corriente alterna. Es por esta propiedad lo convierte en dispositivos muy tiles cuando se debe impedir que la corriente continua entre a determinada parte de un circuito elctrico. Los condensadores se utilizan junto con las bobinas, formando circuitos en resonancia, en las radios y otros equipos electrnicos. Adems, en los tendidos elctricos se utilizan grandes condensadores para producir resonancia elctrica en el cable y permitir la transmisin de ms potencia. Adems son utilizados en: Ventiladores, motores de Aire Acondicionado, en Iluminacin, Refrigeracin, Compresores, Bombas de Agua y Motores de Corriente Alterna, por la propiedad antes explicada. Los condensadores se fabrican en gran variedad de formas y se pueden mandar a hacer de acuerso a las necesidades de cada uno. El aire, la mica, la cermica, el papel, el aceite y el vaco se usan como dielctricos, segn la utilidad que se pretenda dar al dispositivo. Pueden estar encapsulados en baquelita con vlvula de seguridad, sellados, resitentes a la humedad, polvo, aceite; con terminales para conector hembra y/o soldadura. Tambin existen los condensadores de Marcha o Mantenimiento los cuales estn encapsulados en metal. Generalmente, todos los Condensadores son secos, esto quiere decir que son fabricados con cintas de plstico metalizado, autoregenerativos, encapsulados en plstico para mejor aislamiento elctrico, de alta estabilidad trmica y resistentes a la humedad.

Otro tipo de condensador es la botella de Leyden, el cual es un condensador simple en

l b 2 k ln a

el que las dos placas conductoras son finos revestimientos metlicos dentro y fuera del cristal de la botella, que a su vez es el dielctrico. La magnitud que caracteriza a un condensador es su capacidad, cantidad de carga elctrica que puede almacenar a una diferencia de potencial determinado. La botella de Leyden, uno de los condensadores ms simples, almacena una carga elctrica que puede liberarse, o descargarse, mediante una varilla de descarga (izquierda). La primera botella de Leyden se fabric alrededor de 1745, y todava se utiliza en experimentos de laboratorio. Campo elctrico en un condensador

CAPACITANCIA Y CONDENSADORES

C ! 4 T I0 R

Vamos a ver las propiedades de los condensadores, dispositvos que almacenan carga. Bsicamente un condensador consta de dos conductores que poseen cargas iguales pero de signo opuesto .

La capacitancia dada en un dispositivo depende de su geometra y del

I0

A d

material que serpara a los conductores, llamado dielctrico. Un dielctrico es un material aislante que tiene porpiedades elctricas distintivas, los cuales pueden comprenderse mejor considerando las propiedades de los tomos.

Condensador de placas paralelos de rea A y separacin de placas d

Condensador cilndrico de longitud l y radios interior y exterior a y b, respectivamente DEFINICIN DE CAPACITANCIA

Condensador esfrico con radios interior y exterior a y b, respectivamente

a b k b  a

Un condensador consta de dos conductrores con cargas iguales y opuestas separadas una distancia muy pequea comparada con sus dimensiones, con una diferencia de pontencial V entre ellos. La capacitancia C de cualquier condensador, se define como la razn de la magnitud de la carga Q en cualquiera de los conductores y la magnitud de la diferencia de potencial V:

F Ck|

La unidad SI de la capacitancia es el coulomb por voltio, o faradio (F), y 1 F = 1 C/V La capacitancia depende del arreglo geomtrico de los conductores. Las frmulas siguientes se aplican cuando los conductores cargados estan separados por vacio:

Esfera cargada aislada de radio R |e| = 1,60219 10-19 C

LEY DE COULOMB

q Q1 q2 V r2

La ley de Culomb establece que la fuerza electrosttica entre partculas estacionarias cargadas separadas una distancia r tiene una magnitud dada por: donde la constante k tiene un valor de k = 8,9875 109 N m2/C2

La unidad de carga ms pequea conocida en la naturaleza es la carga de un electrn o un protn. La magnitud de esta carga e esta dada por

propiedades: 1. La fuerza es inversamente proporcional al enverso del cuadrado de la distancia de separacin r entre las dos partculas, medido a lo largo de una lnea recta que las une.

donde es el vector unitario dirigido desde la carga hacia el punto en cuestin. El campo relctrico siempre est dirigido radialmente hacia fuera desde una carga positiva y directamente hacia una carga negativa.

E ! k

qi r 2 i i !1 ri

2. La fuerza es proporcional al producto de las cargas q1 y q2 de las dos partculas.

El campo elctrico debido a un grupo de cargas puede obtenerse utilizando el principio de superposicin. Es decir, el campo elctrico total es igual a la suma vectorial de los campos elctricos de todas las cargas en ese punto:

3. La fuerza es atractiva si las cargas son de signos opuestos, y repulsiva si las cargas son del mismo signo.

E ! k

dq r r2

En forma semejante, el campo elctrico debido a una distribucin de carga continua en un upunto est dado por:

DEFINICIN DEL CAMPO ELCTRICO dondedq es la carga sobre un elemento de la distribucin de carga y r es la distancia desde el elemento al punto en cuestin.

El campo elctrico E en algn punto en el espacio est definido como la fuerza elctrica F que acta sobre una pequea

F E! q0
carga de prueba colocada en ese punto, dividida por la magnitud de carga de prueba q0: El campo elctrico debido a una carga puntual q a una distancia r de la carga est dada por:

V|

Q V

Si una carga Q esta uniformemente distribuida en un volumen V , la carga por unidad de volumen esta definida (Densidad de carga volumtrica)

W | E k q r r2

Q A

donde tiene unidades de C/m3

dondedQ es la cantidad de carga en un elemento pequeo de volumen, superficie o longitud.

Si una carga Q est uniformemente distribuida sobre una superficie de rea A, la densidad de carga superficial est definidad por 2. Tipos de condensadores

donde tiene unidades de C/m2

Finalmente, si una carga Q est uniformemente distribuida a lo largo de una lnea de longitud L la densidad de carga lineal se define como:

Placas paralelas: Consiste bsicamente en dos placas puestas en paralelo, una de la otra, y a la vez separadas por un material aislante sea este aire o vaci. Si bien los ms primitivos se hacan con placas de metal slidas, los modernos son hechos con hojas metlicas particularmente de aluminio. Electrolticos : Se hacen de formas y tamaos sumamente variables, con recipientes de cartn o metlicos y distintos tipos de terminales. Son empleados para capacidades superiores a 1mfd. A diferencia de otros condensadores este esta polarizado y si se conecta mal se rompe y hace corto circuito.

P|

Q L

donde tiene unidades de C/m

Si la carga no est uniformemente distribuida sobre un volumen, superficie o lnea, se tendran que expresar las

V!

dQ dV

densidades de carga como:

W !

dQ dA

P!

dQ dL

Variables : Un tipo especial es el de mica que tiene una capacidad inferior a 500 mmf. , Consiste en dos placas separadas por una lamina de mica. Para acerca las placas se utilizan un tornillo; ajustando este tornillo se modifica la capacitancia del condensador.esta clase de condensador se construye a veces adentro de un condensador variable de aire ms grande, para usar en paralelo con el capacitor variable ms grande y ofrecer un ajuste de capacitancia ms exacto.

Condensador variable de Aire :

Se usa mucho en los aparatos de radio, esta constituido de 2 series de laminasmetalicas semicirculares que encajan unas dentro de las otras ; una de las series es movil alrededor de un eje y la otra es fija.

Tenso Mx.: 1000 V d.c. Gama Temp.: -55 C a 100 C

Condensador de Mica (elctrodos de banho Condensador de de prata) Polystyrene(pelcula) Tolerncia: 0.5 pF Tolerncia: 1% 1% (>56 pF) Coef. Temp.: -125 Tenso Mx.: 500 V 60 ppm/C d.c. ResistnciaIsol.: 100 Gama Temp.: -40 C a G 85 C

Condensador de Policarbonato (pelcula) Tolerncia: 5% ResistnciaIso l.: 100 G

Condensador de Polyester (pelcula) Tolerncia: 10% ResistnciaIso l.: 30 G Tenso Mx.: 100 a 400 V Gama Temp.: -40 C a 85 C

Condensador de Polyester (pelcula) Tolerncia: 5% ResistnciaIso l.: 30 G

Condensador de Policarbonato (pelcula) Tolerncia: 5% Coef. Temp.: 100 ppm/C Gama Temp.: 55 C a 125 C

Condensa dor de Polypropil ene(pelcul Condensador a) de Papel Tolerncia: Tolerncia: 20% 20% Coef. Tenso Mx.: Temp.: 250 V a.c. 630 V 200 d.c. ppm/C Resistnci aIsol.: 100 G

Condensad or de Polyester (pelcula) Tolerncia: 10% Resistncia Isol.: 10 G Tenso Mx.: 63 V

Condensador Cermico(Pla ca) Tolerncia: 0.25 pF (<10pF) 2% ( 10 pF) ResistnciaIs ol.: 10 G Tenso Mx.: 100 a 400 V Gama Temp.:

Condensador Cermico(Multic amada) Tolerncia: 10% Coef. Temp.: 20% Gama Temp.: -55 C a 125 C ResistnciaIsol.: > 100 G

-40 C a 85 C

(tntalo slido seco; polarizado) Tolerncia: 20% Tenso Mx.: 35 V Iperdas: 1 Aou I=0.02*C*V (o maior valor) Gama Temp.: -55 C a 85 C

Condensad or Electroltic o (alumnio; polarizado) Condensador Tolerncia: Electroltico 20% ( 10 (alumnio; nopF) polarizado) Condensador Tenso Tolerncia: Cermico 20% Tolerncia: - Mx.: 35 V (esq.) 63 V Tenso Mx.: 6.3 20% (dto.) V ResistnciaIso Iperdas: 3 Iperdas: l.: 10 G Aou I=0.03*C*V I=0.01*C*V Gama Temp.: (o maior 40 C a 85 C valor) Gama Temp.: -40 C a 85 C

Electroltic (tntalo slido; o polarizado; (alumnio; montagem polarizado; superficial) montagem Tolerncia: 10% superficial) Tenso Mx.: 16 Tolerncia: V 20% Iperdas: 0.5 A Tenso Gama Temp.: -55 Mx.: 50 V C a 85 C (esq.) 10 V (dto.) Iperdas: 3 Aou I=0.01*C*V (o maior valor) Gama Temp.: -40 C a 85 C

Condensador de Sulfito de Polyphenylene(pe Condensador Varivel de lcula; montagem Polypropylene superficial) 1 volta: 2 pF a 10 pF Tolerncia: 2% Dimenso: 5 mm Tenso Mx.: 50 V Tenso Mx.: 100 V d.c (d.c.) Gama Temp.: -40 C a 70 Resist. Isol.: 3G C Gama Temp.: -55 C a 125 C

Condensador Condensad Electroltico or

Condensador Electroltico

DIODOS Un diodo es un elemento de dos terminales cuya caracterstica tensin-corriente no es lineal. Est formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unin pn. El terminal que se corresponde con la parte "p" se llama nodo y el que coincide con la "n" ctodo.

independiente de la tensin aplicada, siempre que est sea menor a una valor denominado tensin de ruptura. A partir de esta tensin la corriente aumenta rpidamente con pequeos incrementos de tensin.

Diodo rectificador.

- Polarizacin directa de un diodo. Si se conecta la fuente de tensin al diodo de forma que el potencial negativo este unido al ctodo y el positivo al nodo se dice que el diodo est en polarizacin directa. Al aplicar est tensin el diodo conduce.

El diodo ms antiguo y utilizado es el diodo rectificador que conduce en un sentido, pero se opone a la circulacin de corriente en el sentido opuesto. La figura nmero 1 muestra el smbolo de este elemento.

- Tensin de codo, de partida o umbral. Es la tensin, en polarizacin directa, por debajo de la cual la corriente es muy pequea (menos del 1% del mximo valor nominal). Por encima de esta tensin la corriente sube rpidamente. Esta tensin es de 0,2-0,3 V en los diodos de germanio y de 0,6-0,7 V en los de silicio.

Las caractersticas de su funcionamiento estn definidas por una curva denominada curva caracterstica del diodo rectificador, representada en la figura nmero 2.

- Polarizacin inversa de un diodo. Se conecta una batera a los extremos del diodo, de manera que el termina negativo se una al nodo y el positivo al ctodo. Se observa que a travs del diodo fluye una pequea corriente, denominada de fugas o corriente inversa de saturacin del diodo. Esta corriente es muy pequea, pero aumenta con la temperatura, por lo tanto la resistencia inversa del diodo disminuye con la temperatura. Esta corriente es

- Resistencia interna. Cuando el diodo trabaja en la zona de polarizacin directa, con pequeas variaciones de tensin la corriente aumenta rpidamente, lo nico que se opone al paso de la corriente es la resistencia de las zonas "p" y "n". A la suma de estas resistencias se le llama resistencia interna del diodo, rB = rp + rn. El valor de esta resistencia depende del nivel de dopado y del tamao de las zonas "p" y "n". Normalmente la resistencia de los diodos rectificadores es menor de 1 ohmio.

Aproximaciones del diodo rectificador.

- Primera aproximacin: el diodo ideal.

Es la aproximacin ms simple. Se utiliza para obtener respuestas rpidas y es muy til para la deteccin de averas. Su curva caracterstica esta representada en la figura nmero 3. Esta aproximacin consiste en suponer que en la zona directa el diodo se comporta como un conductor perfecto, resistencia nula y en la zona inversa como un aislante perfecto, resistencia infinita. Cuando la tensin es muy elevada y la corriente muy pequea el diodo real se comporta como un diodo ideal.

Especificaciones de un diodo rectificador.

- Segunda aproximacin.

- Tensin inversa de ruptura: la tensin inversa de ruptura es la mxima tensin en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conduccin; esta tensin para un diodo rectificador es destructiva, por ello cuando se disea un circuito siempre se utiliza un factor de seguridad que no est determinado, sino que depende del diseador, as por ejemplo, si la hoja de caractersticas de un diodo expresa un valor para la tensin inversa de ruptura de 80 V, un diseador muy conservador puede utilizar un factor de seguridad de 2. El diodo no soportar, en ningn caso, tensiones inversas superiores a 40 V.

En esta aproximacin se tiene en cuenta la tensin de codo. Su curva caracterstica viene dada por la figura nmero 4. Cuando menor es la tensin aplicada mayor es el error que se introduce con el modelo ideal, por lo cual este puede ser til.

- Tercera aproximacin.

- Corriente mxima de polarizacin directa: es el valor medio de corriente para el cual el diodo se quema debido a una excesiva disipacin de potencia. Este valor nunca se debe alcanzar, por ello, al igual que en el caso de la tensin inversa de ruptura se utiliza en diseo un factor de seguridad que suele ser 2. Este valor est expresado en la hoja de caractersticas del diodo referido a alimentacin monofsica, carga resistiva, 50 o 60 Hz y a 75 C de temperatura.

Se tiene en cuenta la resistencia interna del diodo, rB, adems de la tensin de codo.

Una vez que el diodo entra en conduccin se considera que la tensin aumenta linealmente con la corriente.

- Cada de tensin con polarizacin directa: esta medida se realiza con una seal alterna y se obtiene la cada de tensin con polarizacin directa, para un valor determinado de corriente y una temperatura de 25 C.

- Corriente inversa mxima: es la corriente con polarizacin inversa para una tensin continua determinada que viene indicada en la hoja de caractersticas del diodo. El valor de la corriente inversa se da para diferentes temperatura.

Los dispositivos optoelectrnicos son aquellos que combinan la ptica con la electrnica.

Diodo emisor de luz o led.

Diodo Zener.

El diodo Zener es un diodo de silicio que se ha diseado para que trabaje en la zona de ruptura. Estos diodos funcionan mejor en la zona de ruptura que en la directa, se denominan tambin diodos de avalancha. En la figura nmenro 6 aparece el smbolo por el cual se representa este elemento.

Un led es un diodo trabajando en polarizacin directa, el cual en lugar de disipar la energa en forma de calor, lo hace en forma de luz. Este tipo de diodos estn fabricados de galio, arsnico o fsforo y la cada de tensin en polarizacin directa suele ser de unos 2 V. En la figura nmero 8 aparece representado el smbolo de un led.

La curva de funcionamiento del diodo Zener aparece representada en la figura nmero 7. Como se puede ver en la zona de polarizacin directa el diodo Zener funciona igual que un diodo rectificador. En la zona inversa, antes de llegar a la zona de ruptura circula una pequea corriente inversa. Cuando se alcanza la tensin de ruptura, Vz, el diodo conduce mantenindose la tensin prcticamente constante.

Los led pueden radiar luz roja, verde, amarilla, naranja o infrarroja (invisible). Los led que producen una radiacin visible se utilizan en los instrumentos, mientras que los de radiacin invisible encuentran su aplicacin en los sistemas de alarma antirrobos principalmente.

Fotodiodo.

Dispositivo optoelectrnico.

Son diodos que trabajan en la zona inversa y en los que a travs de una ventana se permite que pase la luz por el encapsulado hasta la unin pn. Con esto se consigue que

aumente el nmero de portadores aumentando la corriente inversa. A mayor intensidad de luz, mayor corriente inversa. En la figura nmero 9 est representado el smbolo de un fotodiodo.

Optoacoplador.

efecto se conoce como almacenamiento de cargas e impone un lmite a la frecuencia til de los diodos normales. El tiempo que tarda en conmutar un diodo que est polarizado directamente se denomina tiempo de recuperacin inversa. Este tipo de diodos puede trabajar hasta frecuencias de 300 MHz. Su aplicacin se encuentra en los ordenadores. Un diodo Schottky tiene una cada de tensin en polarizacin directa de 0,25 V. DIODO LASER

Un optoacoplador se denomina tambin optoaislador o aislador acoplado pticamente y combina un led con un fotodiodo en un solo encapsulado.

El led est situado a la entrada y la luz que emite incide sobre el fotodiodo, aumentando su corriente inversa. La figura nmero 10 muestra el esquema de un optoacoplador.

Los diodos lser son constructivamente diferentes a los diodos LED normales. Las caractersticas de un diodo lser son: 1. La emisin de luz es dirigida en una sola direccin: Un diodo LED emite fotones en muchas direcciones. Un diodo lser, en cambio, consigue realizar un guiado de la luz preferencial una sola direccin.

Diodo Schottky.

El diodo Schottky es un diodo especial en el que no existe el almacenamiento de cargas y conmuta ms rpido que un diodo normal, por lo que se emplea para frecuencias mayores a 10 MHz. A bajas frecuencias (por debajo de 10 MHz) un diodo normal puede conmutar bien cuando la polarizacin pasa de directo a inverso,pero conforme aumenta la frecuencia, el diodo llega a un punto en el que no puede conmutar lo suficientemente rpido para evitar una corriente considerable durante parte del semiciclo inverso. Este

Emisin fotnica en diodo LED Emisin fotnica en diodo LASER Corte esquemtico de la emisin de luz en diodos LED y lser

Espectro emitido por un LED Espectro emitido por un LASER Intensidad de luz en funcin de la longitud de onda para diodos LED y lser

Esquema del funcionamiento del CD-ROM

Debido a estas dos propiedades, con el lser se pueden conseguir rayos de luz monocromtica dirigidos en una direccin determinada. Como adems tambin puede controlarse la potencia emitida, el lser resulta un dispositivo ideal para aquellas operaciones en las que sea necesario entregar energa con precisin. Ejemplo de aplicacin: El lector de discos compactos:

Una de las muchas aplicaciones de los diodos lser es la de lectura de informacin digital de soportes de datos tipo CD-ROM o la reproduccin de discos compactos musicales. El principio de operacin de uno y otro es idntico.

Un haz lser es guiado mediante lentes hasta la superficie del CD. A efectos prcticos, se puede suponer dicha superficie formada por zonas reflectantes y zonas absorbentes de luz. Al incidir el haz lser en una zona reflectante, la luz ser guiada hasta un detector de luz: el sistema ha detectado un uno digital. Si el haz no es reflejado, al detector no le llega ninguna luz: el sistema ha detectado un cero digital. Los ingredientes bsicos de la emisin lser en los diodos son el mecanismo de bombeo y la cavidad ptica. En un lser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de inyeccin. De esta manera, los pares electrn-agujero dan la inversin de poblacin necesaria para la emisin lser. La recombinacin estimulada lleva a la amplificacin de la luz, generando fotones con la misma direccin de propagacin, polarizacin, frecuencia y fase que el fotn que ha inducido la recombinacin. Los pares electrn-hueco deben estar confinados en una zona estrecha para mantener la inversin de poblacin a un nivel elevado. Si no es as, hay que suministrar inyecciones de corriente demasiado grandes al diodo para obtener emisin lser. Por simplicidad, los pares

electrn-agujero se llaman portadores, y la vida media de los portadores es el tiempo medio que tardan los portadores en recombinar.

dar un buen confinamiento a los portadores, los lseres de doble heterostructura guiados por el ndice tambin incorporan un confinamiento adecuado para la luz. El mecanismo de guiaje es debido a un mayor ndice de refraccin en la regin activa que en el resto de capas que la rodean. De esta manera, la luz viaja hacia adelante y hacia atrs como lo hara en el interior de una fibra ptica. Una cavidad ptica adecuada es necesaria para conseguir la emisin lser. Slo el proceso de amplificacin tiene sentido, y se emite luz coherente, cuando la vida media de los fotones es suficientemente grande. En otros tipos de lser, la cavidad est limitada por dos espejos con curvaturas que dependen de la distancia entre ellos y de la geometra del medio activo. Mientras uno de los espejos puede disearse totalmente reflectante, el otro debe permitir que haya luz de salida.

La sencilla unin p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con diferentes niveles de dopaje, no es capaz de conseguir el confinamiento necesario, porque la anchura de la regin en que los portadores estn confinados aumenta debido a la difusin de los portadores. El problema de la difusin de los portadores puede resolverse parcialmente usando heterostructuras. Dos tipos diferentes de estructuras pueden analizarse dependiendo del mecanismo de confinamiento lateral de los portadores. En lseres semiconductores guiados por la ganancia, no se incorpora ningn confinamiento aadido, y el perfil de la ganancia viene determinado esencialmente por la regin con corriente de inyeccin y efectos difusivos. En los lseres guiados por el ndice, la regin activa est rodeada lateralmente por material con un ndice de refraccin menor. En estos dispositivos, se consigue un nivel de confinamiento bastante elevado. Aparte de

Los lseres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy corta, y necesitan reflectividades del 99 %. El espejo normalmente est incorporado en la estructura lser a partir del mismo sustrato,

y est formado de muchas capas alternadas de diferentes materiales. El reflector de Bragg que as resulta permite una caracterstica casi plana de la reflectividad para un rango considerable de longitudes de onda. Lseres ms convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar. La longitud de su cavidad, de unas 300 micras, es suficientemente grande para permitir la emisin lser sin espejos adicionales. De hecho, la reflectividad en la separacin lseraire es cercana al 32 %. El valor grande del ndice de refraccin en la zona activa confina la luz a la regin con ganancia material.

Los dos tipos de lseres semiconductores antes mencionados se llaman lseres de tipo Fabry-Prot. Los lseres con feedback distribuido (DFB) incorporan un grating a la estructura que colabora en la seleccin de la longitud de onda de emisin. EL DIODO TNEL

En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor

mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una resistencia incremental negativa . Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuacin muestra como puede aprovecharse este fenmeno en la prctica. Aumentando el nivel de impurificacin de un diodo invertido, se puede hacer que el rompimiento ocurra a los 0 V. Diodos como stos reciben el nombre de diodos tnel. En este tipo de diodos se presenta un fenmeno conocido como resistencia negativa. Esto significa que un aumento en el voltaje de polarizacin directa produce una disminucin de corriente, por lo

menos en una parte de la curva de polarizacin directa. La resistencia negativa de los diodos tnel es til en circuitos de alta frecuencia llamados osciladores. Estos circuitos pueden convertir potencia de c.d. en potencia c.a. ya que crean una seal sinusoidal.

DISPLAY DE CRISTAL LIQUIDO (LCDS)

Los LCDs difieren de otros tipos de displays en que no generan luz sino que trabajan con la reflexin de la luz. El principio de funcionamiento es sencillo. Estos cristales lquidos estn formados por unas molculas alargadas con forma de puro, que se llaman molculas nemticas y se alinean con una estructura simtrica. En este estado el material es transparente. Un campo elctrico provoca que las molculas se desalinien de manera que se vuelven opacas a la luz. De esta manera, aplicando o no aplicando un campo elctrico (es decir, polarizando o no polarizando), podemos jugar con oscuridad o transparencia respectivamente. Si aplicamos el campo localmente en geometras iguales al display de 7 segmentos, conseguiremos un display anlogo al de los LEDs pero con cristal lquido.

electrodos transparentes en la cara interior de los cristales, tal y como aparece en la figura superior. Estos electrodos tienen la geometra deseada, por ejemplo, el display de 7 segmentos. El espesor del cristal lquido es muy pequeo, del orden de 0.01mm. Ya tenemos nuestro invento preparado. Si no se polarizan los terminales, al incidir la luz sobre el cristal frontal, pasa a travs del cristal lquido y es reflejada por el espejo incidiendo en el ojo que est mirando. El resultado: todo se ve de color claro. Si polarizamos un electrodo, por ejemplo, el electrodo a, el cristal lquido pegado al electrodo se vuelve opaco, negro, oscuro. La luz ya no es reflejada. Caractersticas elctricas del LCD

Desde el punto de vista elctrico, se puede representar el LCD como una capacidad de valor muy pequeo en paralelo con una resistencia muy grande.

Se necesita una seal pequea en AC de 3 a 7 voltios para polarizar el LCD. Tensiones mayores romperan la fina capa de cristal lquido. La frecuencia de la tensin puede variar entre 30 y 50 Hz. Frecuencias ms bajas producen un efecto de parpadeo, frecuencias ms altas producen un aumento del consumo. Esquema constructivo de un LCD DIODO DE CONTACTO PUNTUAL

En la construccin de un LCD se depositan

El rectificador de contacto puntual consiste

en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -V? no ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin negativa. OPTOACOPLADORES

Un optoacoplador (llamado tambin optoaislador acoplado combina un LED y un fotodiodo en un solo encapsulado. En la figura 1-C se muestra un optoacoplador. Tiene un LED en el lado de entrada y un fotodiodo en el lado de salida. El voltaje de fuente a la izquierda y el resistor en serie establecen una corriente en el LED. Luego la luz proveniente del LED incide sobre el fotodiodo, y esto genera una corriente inversa en el circuito de salida. Esta corriente inversa produce un voltaje en el resistor de salida. El voltaje de salida es igual al voltaje de salida de la fuente menos el voltaje en el resistor. Si el voltaje de entrada varia, la cantidad de luz tambin lo har. Esto significa que el voltaje de salida cambia de acuerdo al voltaje de entrada. Es por esto que la combinacin de un LED y un fotodiodo recibe el nombre de optoacoplador. El dispositivo puede acoplar una seal de entrada con el circuito de salida.

La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento elctrico entre los circuitos de entrada y salida. Mediante el optoacoplador, el nico contacto que hay entre la entrada y la salida es un haz de luz. Por eso. es posible tener una resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de miles de megaohms. Los aislamientos como ste son tiles en aplicaciones de alto voltaje en las que los potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de volts. Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un foto emisor, un fotorreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.

Funcionamiento del Optoacoplador

La seal de entrada es aplicada al foto emisor y la salida es tomada del fotorreceptor. Los optoacopladores son

capaces de convertir una seal elctrica en una seal luminosa modulada y volver a convertirla en una seal elctrica. La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida.

Los fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten rayos infrarrojos (IRED) y los fotoreceptores pueden ser tiristores o transistores. Cuando aparece una tensin sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos infrarrojo que transmite a travs de una pequea guia-ondas de plstico o cristal hacia el fotorreceptor. La energa luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que este genere una tensin elctrica a su salida. Este responde a las seales de entrada, que podran ser pulsos de tensin. Diferentes tipos de Optoacopladores

Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

El Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT. Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac Fototriac de paso por cero: optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac slo en los cruce por cero de la corriente alterna. DIODOS DE POTENCIA

diodo

responde

la

ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: VD: tensin tensin inversa de mxima codo.

A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma:

Caractersticas estticas:

- Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). Parmetros en conduccin. - Modelo esttico. Caractersticas dinmicas:

- Tiempo de recuperacin inverso (trr). - Influencia del trr en la conmutacin. - Tiempo de recuperacin directo. Potencias:

Potencia mxima disipable. Potencia media disipada. - Potencia inversa de pico repetitivo. - Potencia inversa de pico no repetitivo. Caractersticas trmicas.

Parmetros en bloqueo

Proteccin contra sobre intensidades. Caractersticas estticas

- Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. - Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. - Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. - Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. - Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo. Parmetros en conduccin

- Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar. - Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aqulla que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). - Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. - Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa. Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo

de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. - ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. - tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. - trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

casos: En Para Para el ta ta primer = = tbtrr trrtb caso = = 2ta 0

obtenemos:

en

el

segundo

caso:

Influencia del trr en la conmutacin

- Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. - di/dt: es el pico negativo de la intensidad. - Irr: es el pico negativo de la intensidad. La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado SF . Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable : - Se limita la frecuencia de funcionamiento. - Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa. Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr :

De

donde

A mayor IRRM menor trr. - Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr. Tiempo de recuperacin directo

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en

que la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables. Disipacin de potencia cuadrado Nos Potencia mxima disipable (Pmx)

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al

queda

finalmente

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo. Potencia media disipada (PAV)

Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM) Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM) Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico. Caractersticas trmicas

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

Temperatura de la unin (Tjmx)

como

Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la operatingtemperaturerange (margen de temperatura de funcionamiento), que

significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica). rganos de proteccin

Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)

Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:

siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable. Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)

Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo ultrarrpidos en la mayora de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin. Parmetro I2t

Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc). Proteccin contra sobreintensidades

La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo. EL FOTODIODO.

Principales causas de sobreintensidades

Como ya se haba dicho, una de las componentes de la corriente inversa en un diodo es el flujo de portadores minoritarios. La existencia de estos portadores se debe a que la energa trmica continuamente est desligando electrones de valencia de sus orbitales, produciendo durante este proceso electrones libres y huecos. El tiempo de vida de los portadores minoritarios es corto, pero mientras existen pueden contribuir a la corriente inversa. Cuando la energa luminosa bombardea una unin pn, puede desligar electrones de valencia. Cuanta ms luz incida sobre la unin, mayor ser la corriente inversa en el diodo. Un fotodiodo es aquel cuya sensibilidad a la luz es ptima. En este tipo de diodos, una ventana permite que la luz pase por el encapsulado hasta la unin. La luz incidente produce electrones libres y huecos. Cuanta ms intensa sea la luz, mayor ser el nmero de portadores minoritarios y mayor ser la corriente inversa. La figura siguiente muestra el smbolo de un fotodiodo. Las flechas representan la luz incidente. Especialmente importante es lo siguiente: la fuente y el resistor en serie polarizan inversamente al fotodiodo. Conforme la luz se hace ms intensa, la corriente inversa aumenta. En los fotodiodos tpicos, la corriente inversa es del orden de decenas de microamperes.

sentido inverso es un elemento bsico para comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de onda apropiada es dirigida hacia la unin, se crean pares hueco-electrn que se desplazan a travs de la unin debido al campo generado en la regin deprimida. El resultado es un flujo de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito externo, que es proporcional a la irradiancia efectiva en el dispositivo. El fotodiodo se comporta bsicamente como un generador de corriente constante hasta que se alcanza la tensin de avalancha.

Fotodiodo sensible a la luz con unin pn polarizada inversamente.

Fotodiodo.

El fotodiodo de unin pn polarizada en

El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Para esta longitud de onda, se produce la mxima cantidad de pares huecos-electrn en la proximidad de la unin. El mximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor tpico se halla en 850 nm, aproximadamente.

La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a fotodiodo y un amplificador. En la mayora de dispositivos comerciales, la corriente del fotodiodo se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de microamperios, pudiendo aadirse a la pastilla un amplificador por un coste mnimo. Fotodiodo de avalancha.

Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo comn formando parte del propio fotodiodo. El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicacin por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares huecoelectrn. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el equilibrio entre ruido y ganancia es difcil de conseguir y como consecuencia, el coste es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una tensin de alimentacin de valor elevado (100-300 v.), estrechamente controlada. Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tiene limitadas aplicaciones.

Se requiere un cuidadoso proceso de elaboracin de la pastilla del transistor para hacer compatible la mxima reduccin de la corriente en la oscuridad del fototransistor, con la obtencin de una alta sensibilidad a la luz. Las corrientes de este tipo, tpicas del fototransistor para una tensin inversa de 10v, son del orden de 1 nA a temperatura ambiente y aumentan en un factor de 2 para cada 10 C de aumento de temperatura. Las especificaciones del fototransistor garantizan normalmente unos lmites de corriente en la oscuridad mucho ms altos, por ejemplo 50 a 100 nA, debido a las limitaciones del equipo automtico de prueba. Fotodarlington.

Fototransistor. Bsicamente, este dispositivo es el mismo que el transistor sensible a la luz, excepto que tiene una ganancia mucho mayor debido a las dos etapas de amplificacin, conectadas en cascada, incorporadas en una sola pastilla.

El transistor sensible a la luz es una de las combinaciones fotodiodo amplificador ms simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la unin pn polarizada en sentido inverso (colector-base), se genera una corriente de base, que es amplificada por la ganancia de corriente del transistor.

Amplificador fotodarlington. Foto SCR.

El circuito equivalente con dos transistores del rectificador controlado de silicio mostrado en la figura ilustra el mecanismo de conmutacin de este dispositivo. La corriente debida a los fotones, generada en la unin pn polarizada en sentido inverso, alcanza la regin de puerta y polariza en sentido directo el transistor npn, iniciando la conmutacin.

LOS DIODOS VARISTOR

O supresor de transientes, es un dispositivo semiconductor utilizado para absorber picos de alto voltaje desarrollados en las redes de alimentacin elctrica. Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material nohomogneo.(Carburo de silicio). Los relmpago , las fallas en la lnea de potencia, etc., pueden contaminar el voltaje de la lnea superponiendo valles, picos y otros transitorios en los 115 V rms normales. Los valles son cadas de voltaje severas que duran microsegundos o menos. Los picos son sobrevoltajes muy cortos en duracin, desde 500 hasta ms de 2000 V. En algunos equipos, se usan filtros entre la lnea de potencial y el primario del transformador

para eliminar los problemas ocasionados por los transistores en la lnea. Uno de los dispositivos empleados para el filtrado en la linea es el varistor (llamado tambin supresor de transistorios). Este dispositivo semiconductor es como dos diodos Zener encontrados con un gran voltaje de rompimiento en ambas direcciones. Por ejemplo, el V130LA2 es un varistor con un voltaje de rompimiento de 184 V (equivalente a 130 V rms) y una especificacin de corriente pico de 400 A. Conectando uno de stos en el arrollamiento primario no habr por que preocuparse acerca de los picos. El varistor recortar todos los picos al nivel de los 184 V y proteger el equipo. CARACTERISTICAS:

varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva . Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 602 , con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo. - Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora. - Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA. Energa mxima

1- Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica. 2- Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. 3- Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. 4- Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. 5- Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en conmutacin digital. 6- Alto grado de aislamiento. Mximo impulso de corriente no repetitiva

Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de: 1- La amplitud de la corriente. 2- El voltaje correspondiente al pico de corriente. 3La duracin del impulso. 4- El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50% del pico de corriente. 5- La no linealidad del varistor. A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hasta cero o de una manera exponencial, o bien

- El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del dutycycle y del nmero de pulsos. - Con el fin de caracterizar la capacidad del

sinusoidal.

estos portadores pueden circular en la direccin inversa durante un pequeo intervalo de tiempo. Cuanto ms largo sea el tiempo de vida, mayor ser el tiempo durante el cual estas cargas puedan contribuir a la corriente inversa. El tiempo que un diodo polarizado directamente tarda en desconectarse se llama tiempo de recuperacin inversa. Este es tan corto en los diodos para seales pequeas que su efecto ni siquiera se nota a frecuencias inferiores a los10 Mhz, ms o menos. Es importante slo cuando se est trabajando con frecuencias muy superiores a los 10 Mhz.

Esta curva es definida por el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2) DIODO SCHOTTKY (DIODO DE BARRERA)

A frecuencias bajas, un diodo ordinario puede desconectarse fcilmente cuando la polarizacin cambia de directa a inversa. Pero conforme aumenta la frecuencia, el diodo llega a un punto en el que ya no puede desconectarse lo suficientemente rpido para evitar una corriente considerable durante parte del semiciclo inverso. Este efecto se conoce como almacenamiento de carga. Impone un lmite sobre la frecuencia til de los diodos rectificadores ordinarios. Lo que sucede es esto. Cuando el diodo est polarizado directamente, algunos de los portadores en la capa de empobrecimiento an no se han recombinado. Si se aplica sbitamente polarizacin inversa al diodo,

La solucin a este problema es un dispositivo para usos especiales llamado diodo Schottky. Este tipo de diodo no tiene capa de empobrecimiento, con lo cual no existen las cargas en la unin. La ausencia del almacenamiento de carga implica que el diodo Schottky puede cambiar (activar o desconectar) ms rpido que un diodo ordinario. De hecho, un diodo Schottky puede rectificar con facilidad frecuencias superiores a los 300 Mhz. La aplicacin ms importante de los diodos Schottky se halla en las computadoras digitales. La velocidad de las computadoras depende de la rapidez con la que se puedan activar o desconectar sus diodos y sus transistores, y aqu es donde el diodo Schottky entra en escena. Como no tiene almacenamiento de carga, el diodo Schottky se ha convertido en la parte medular de la TTL Schottky de baja potencia, un grupo de dispositivos digitales extensamente empleados.

Una indicacin final: en la direccin directa, un diodo Schottky tiene una barrera de potencial de slo 0.25 V. As, es posible ver diodos Schottky utilizados en rectificadores de puente de bajo voltaje, ya que solamente hay que restar 0.25 V en vez de los 0.7 V usuales por cada diodo. En un diodo Schottky se emplea un metal como el oro, la plata o el platino en un lado de la unin y silicio impurificado (generalmente tipo n) en el otro lado . Cuando un diodo Schottky no tiene polarizacin, los electrones libres en el lado n se hallan en rbitas ms pequeas que los electrones libres del lado metlico. A esta diferencia en el tamao de las rbitas se le llama barrera de Schottky. Si el diodo tiene polarizacin directa, los electrones libres pueden atravesar la unin y penetrar al metal, produciendo una gran corriente de polarizacin directa. Como el metal no tiene huecos, no hay almacenamiento y por tanto tampoco hay tiempo de recuperacin inversa. La ausencia de almacenamiento de carga implica que el tiempo de recuperacin inversa tienda a cero. Por ello, un diodo Schottky puede desconectarse mas rpido que un diodo ordinario. Cuando se le usa en un circuito como el de la siguiente figura el diodo Schottky produce una seal de media onda perfecta, incluso a frecuencias superiores a los 300 Mhz.

Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fastrecovery) o de portadores calientes. Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo. En una deposicin de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal,

creando una regin de transicin en la ensambladura. Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V. La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.

EL TRANSFORMADOR Induccin mutua y autoinduccin En sus primeras experiencias sobre el fenmeno de la induccin electromagntica Faraday no emple imanes, sino dos bobinas arrolladas una sobre la otra y aisladas elctricamente. Cuando variaba la intensidad de corriente que circulaba por una de ellas, se generaba una corriente inducida en la otra. Este es, en esencia, el fenmeno de la induccin mutua, en el cual el campo magntico es producido no por un imn, sino por una corriente elctrica. La variacin de la intensidad de corriente en una bobina da lugar a un campo magntico variable. Este campo magntico origina un flujo magntico tambin variable que atraviesa la otra bobina e induce en ella, de acuerdo con la ley de Faraday-Henry, una fuerza electromotriz. Cualquiera de las bobinas del par puede ser el elemento inductor y cualquiera el elemento inducido, de ah el calificativo de mutua que recibe este fenmeno de induccin. Todas las bobinas en circuitos de corriente alterna presentan el fenmeno de la autoinduccin, ya que soportan un flujo magntico variable; pero dicho fenmeno, aunque de forma transitoria, est presente tambin en los circuitos de corriente continua. En los instantes en los que se cierra o se abre el interruptor, la intensidad de corriente vara desde cero hasta un valor constante o viceversa. Esta variacin de intensidad da lugar a un fenmeno de autoinduccin de duracin breve, que es responsable de la chispa que se observa en el interruptor al abrir el circuito; dicha chispa es la manifestacin de esa corriente adicional autoinducida.

Figura N05 (Diodo Schottky construido a travs de la tcnica de CIs.)

Transformadores: elevadores y reductores de tensin Los fenmenos de la autoinduccin y de la induccin mutua constituyen el fundamento del transformador elctrico, un aparato que permite elevar o reducir tensiones alternas. Un transformador consta, en esencia, de dos bobinas arrolladas a un mismo ncleo de hierro. La bobina o arrollamiento donde se aplica la f.e.m. alterna exterior recibe el nombre de primario y la bobina en donde aqulla aparece ya transformada se denomina secundario. Cuando al primario se le aplica una fuerza electromotriz alterna, el flujo magntico variable que produce atraviesa tanto al primario como al secundario. Si N1 es el nmero de espiras del primario y N2 el del secundario, de acuerdo con la ley de Faraday-Henry, resultar para el primario la fuerza electromotriz autoinducida:
1

que estando el circuito secundario abierto la relacin entre la tensin aplicada en el primario y la tensin transformada disponible en los bornes del secundario, coincide con el cociente de sus respectivos nmeros de espiras. Este cociente N1/N2recibe el nombre de relacin de transformacin. Segn sea la transformacin deseada, as habr de ser la relacin entre el nmero de espiras de los dos arrollamientos. En los elevadores (V1 < V2) el nmero de espiras del primario ha de ser menor que el del secundario y la relacin de transformacin resulta, por tanto, menor que la unidad. En los reductores (V1 > V2) sucede lo contrario. En los transformadores comerciales el rendimiento es muy elevado, lo que significa que se pierde poca energa en el proceso de transformacin. En tal supuesto la potencia elctrica en el primario puede considerarse aproximadamente igual que en el secundario, es decir: V1/I1 = V2/I2

= - N1. f/ t

y para el secundario la fuerza electromotriz inducida por el primario:

2

= - N2. f/ t

La presencia del ncleo de hierro evita la dispersin del flujo magntico, por lo que puede aceptarse que es igual en ambos casos. Combinando las anteriores ecuaciones resulta:
1/N1

2/N2

Esta expresin puede escribirse para un transformador ideal en la forma: V1/N1 = V2/N2 o tambin: V1/V2 = N1/N2 (12.4)

Sin embargo, en la prctica, como consecuencia de las resistencias de los circuitos correspondientes, la tensin V1 aplicada al primario es algo mayor que la f.e.m. inducida 1 y la tensin V2 que resulta en el secundario es algo menor que la f.e.m. 2inducida en l. La expresin (12.4) indica

VOLTAGE RMS

Valor eficaz (A): su importancia se debe a que este valor es el que produce el mismo efecto calorfico que su equivalente en corriente continua. Matemticamente, el valor eficaz de una magnitud variable con el tiempo, se define como la raz cuadrada de la media de los cuadrados de los valores instantneos alcanzados durante un perodo:

Para ilustrar prcticamente los conceptos anteriores se considera, por ejemplo, la corriente alterna en la red elctrica domstica en Europa: cuando se dice que su valor es de 230 V CA, se est diciendo que su valor eficaz (al menos nominalmente) es de 230 V, lo que significa que tiene los mismos efectos calorficos que una tensin de 230 V de CC. Su tensin de pico (amplitud), se obtiene despejando de la ecuacin antes reseada:

En la literatura inglesa este valor se conoce como R.M.S. (root mean square, valor cuadrtico medio), y de hecho en matemticas a veces es llamado valor cuadrtico medio de una funcin. En el campo industrial, el valor eficaz es de gran importancia ya que casi todas las operaciones con magnitudes energticas se hacen con dicho valor. De ah que por rapidez y claridad se represente con la letra mayscula de la magnitud que se trate (I, V, P, etc.). Matemticamente se demuestra que para una corriente alterna senoidal el valor eficaz viene dado por la expresin:

As, para la red de 230 V CA, la tensin de pico es de aproximadamente 325 V y de 650 V (el doble) la tensin de pico a pico. Su frecuencia es de 50 Hz, lo que equivale a decir que cada ciclo de la onda sinusoidal tarda 20 ms en repetirse. La tensin de pico positivo se alcanza a los 5 ms de pasar la onda por cero (0 V) en su incremento, y 10 ms despus se alcanza la tensin de pico negativo. Si se desea conocer, por ejemplo, el valor a los 3 ms de pasar por cero en su incremento, se emplear la funcin sinsoidal:

El valor A, tensin o intensidad, es til para calcular la potencia consumida por una carga. As, si una tensin de corriente continua (CC), VCC, desarrolla una cierta potencia P en una carga resistiva dada, una tensin de CA de Vrms desarrollar la misma potencia P en la misma carga si Vrms = VCC.

Representacin fasorial Una funcin senoidal puede ser representada por un vector giratorio (figura 3), al que se denomina fasor o vector de Fresnel, que tendr las siguientes caractersticas:
y

Girar con una velocidad angular .

Su mdulo ser el valor mximo o el eficaz, segn convenga.

Figura 4: Ejemplo de fasor tensin.

Tomando como mdulo del fasor su valor eficaz, la representacin grfica de la anterior tensin ser la que se puede observar en la figura 4, y se anotar:

denominadas formas polares, o bien:

Figura 3: Representacin fasorial de una onda senoidal. La razn de utilizar la representacin fasorial est en la simplificacin que ello supone. Matemticamente, un fasor puede ser definido fcilmente por un nmero complejo, por lo que puede emplearse la teora de clculo de estos nmeros para el anlisis de sistemas de corriente alterna. Consideremos, a modo de ejemplo, una tensin de CA cuyo valor instantneo sea el siguiente:

denominada forma binmica