APUNTES DE LA ASIGNATURA:

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
1 CURSO DE INGENIERA DE TELECOMUNICACIONES

CURSO 2005-2006

Autor: David Buldain Dpto. Ingeniera Electrnica y Comunicaciones rea de Tecnologa Electrnica Centro Politcnico Superior Universidad de Zaragoza

INDICE
0 - INTRODUCCION A LA ELECTRONICA 0.1 - BREVE HISTORIA DE LA ELECTRONICA 0.2 - CLASIFICACION DE LAS RAMAS DE LA ELECTRONICA 0.3 - APLICACIONES DE LA ELECTRONICA 1 RESISTENCIAS, CONDENSADORES Y BOBINAS 1.0 - TEORA DE CIRCUITOS 1.1 - ELEMENTOS IDEALES DE TEORIA DE CIRCUITOS 1.2 - RESISTENCIAS 1.3 - CONDENSADORES 1.4 - BOBINAS, TRANSFORMADORES 1.5 - ONDAS PERIODICAS Y CIRCUITO RC 1.6 - CIRCUITOS EQUIVALENTES 1.7 - DIAGRAMAS DE BODE 1.8 - MODELIZACION DE COMPONENTES 2 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL 2.1 - INTRODUCCION 2.2 - ESTRUCTURA Y MODELO 2.3 - MODOS DE OPERACION 2.4 - ETAPAS BASICAS 2.5 CONCEPTOS BSICOS DE FILTROS ACTIVOS 3 - DIODOS: TECNOLOGIA, MODELOS Y CIRCUITOS 3.1 - INTRODUCCION 3.2 - TIPOS DE SEMICONDUCTORES 3.3 - UNION PN: EL DIODO 3.4 - MODELOS DEL DIODO 3.5 - DIODOS ESPECIALES 3.6 - CIRCUITOS LIMITADORES Y RECORTADORES 3.7 - CIRCUITOS RECTIFICADORES 3.8 DIODO DE PEQUEA SEAL 4 - TRANSISTORES BIPOLARES: TECNOLOGIA, MODELOS Y CIRCUITOS 4.1 - INTRODUCCION 4.2 - ESTRUCTURA Y MODOS DE OPERACION 4.3 - CURVAS CARACTERISTICAS Y LIMITACIONES DE OPERACION 4.4 - MODELOS DEL TRANSISTOR BIPOLAR 3

4.5 - TRANSISTORES BIPOLARES ESPECIALES 4.6 - CIRCUITOS DE CONMUTACION 4.7 - CIRCUITOS AMPLIFICADORES 4.8 CIRCUITOS REGULADORES 5 - TRANSISTORES UNIPOLARES: TECNOLOGIA, MODELOS Y CIRCUITOS 5.1 - INTRODUCCION 5.2 - ESTRUCTURAS (MOS-FET, JFET) Y FUNCIONAMIENTO 5.3 - CURVAS CARACTERISTICAS Y MODELOS 5.4 - CIRCUITOS DE APLICACION 6 - REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS 6.1 - Comentarios sobre la Bibliografa bsica 6.2 - Comentarios de la Bibliografa de ampliacin y consulta

0 - INTRODUCCION A LA ELECTRONICA

0.1 - BREVE HISTORIA DE LA ELECTRONICA 0.2 - CLASIFICACION DE LAS RAMAS DE LA ELECTRONICA 0.3 - APLICACIONES DE LA ELECTRONICA

Objetivos del Tema 0

Despus de trabajar este tema, el alumno deber ser capaz de: Dar ejemplos de distintos tipos de sistemas electrnicos.

0.1 - BREVE HISTORIA DE LA ELECTRONICA ELECTRONICA: Disciplina derivada de la Teora de Circuitos elctricos y orientada al desarrollo de sistemas que utilizan la capacidad de "transporte" de energa e informacin de los electrones. - Principios de siglo: la necesidad de sistemas de comunicaciones eficientes (telgrafo, telefona, radio ...) promueve el desarrollo de circuitos capaces de procesar y almacenar seales de voz. La voz se capta y se enva; al recibirla debe ser amplificada y reproducida. El dispositivo clave de la poca es la vlvula de vacio (triodo). El lgebra de Boole se reconoce (Shannon 1938) como soporte terico para la computacin digital mediante interruptores. - Aos 50: se descubre el diodo semiconductor y a partir de un desarrollo de Bardeen y Brattain (1947), mejorado por Shockley (1949) aparece el transistor bipolar en la Bells Company. Implementado en estado slido (semiconductor) permite la reduccin de mltiples aspectos: Tamao, Consumo, Coste y Tiempo de respuesta. Otros dispositivos que aparece en esta dcada es el tiristor. Estos dispositivos permiten implementar sistemas ms eficientes para la manipulacin y control de la energa, sobre todo de los procesos industriales propulsados por la 2 guerra mundial. - Aos 60: las tcnicas de integracin permiten la fabricacin de circuitos complejos (Amplificador Operacional), y el desarrollo de mltiples sensores de magnitudes fsicas, basados en propiedades de los materiales de estado slido. La combinacin de ambos permite el diseo de sistemas de intrumentacin cada vez ms precisos. Aparece una nueva rama de aplicacin: la informtica. - Aos 70: la informtica se asienta mediante microprocesadores elementales, P, implementados con tcnicas de alta escala de integracin (LSI, Large Scale of Integration), basadas en los transistores unipolares de tipo MOS (Metal Oxide Semiconductor); introduciendo en una pastilla integrada del orden de miles de ellos. Complejos circuitos para aplicaciones especficas pueden ser implementados de forma totalmente integrada (ASIC, Application Specific Integrated Circuit). - Aos 80 y 90: la tcnica alcanza niveles mayores de integracin (VLSI, Very LSI, millones de transistores) que permiten la integracin completa de sistemas informticos. Aparece la fibra ptica y comienza el desarrollo de sistemas optoelectrnicos, donde se combina la eficiencia de la luz en la transmisin y la manejabilidad del electrn.

0.2 - CLASIFICACION DE LAS RAMAS DE LA ELECTRONICA CLASIFICACION: La electrnica permite la manipulacin de energa elctrica, que puede ser utilizada como energa de consumo o para el tratamiento de informacin. La variacin de energa de una magnitud fsica que acontece en un proceso natural proporciona informacin de dicho proceso. Las diversas magnitudes fsicas del mundo real (Temperatura, Presin, Luz, Sonido, ... ) pueden ser captadas mediante sensores adecuados y "convertidas" en variaciones de magnitudes elctricas (Tensin, Intensidad). La informacin se "traduce" al soporte elctrico. Aparecen dos tecnologas alternativas para transportar y procesar la informacin: la electrnica Analgica y la electrnica Digital. Por otro lado, las diversas energas fsicas pueden ser transformadas a energa elctrica, cuya manipulacin para el consumo se encauza de formas diferentes a como se procesa la informacin, es el campo propio de la electrnica de Potencia. - E.Analgica: La informacin en forma analgica es la que se obtiene del mundo real en forma de variaciones continuas en el tiempo de alguna energa portadora. Por ejemplo, la garganta modula (variacin) el sonido (energa sonora) y proporciona un soporte analgico de informacin que es la voz. Su captacin con un micrfono, transmisin, almacenamiento y procesamiento, puede efectuarse con sistemas electrnicos de tipo analgico. El principal dispositivo de esta rama electrnica es el transistor funcionando como amplificador y el Amplificador Operacional. - E.Digital: Alternativamente podemos codificar la informacin en variaciones discretas (niveles) de cualquier energa portadora. Por ejemplo, podemos proporcionar (aproximadamente) la misma informacin que la voz mediante un cdigo Morse, en el que slo aparecen dos smbolos: el punto y la raya. Estos dos smbolos pueden identificarse con "interruptores electrnicos" que conducen o no conducen, y con una codificacin adecuada permiten las mismas manipulaciones que la informacin analgica. La principal ventaja de las tcnicas digitales es que son mucho ms robustas ante el ruido electromagntico que las tcnicas analgicas. El dispositivo bsico de esta rama electrnica de nuevo es el transistor, pero trabajando como conmutador. - E.Potencia: la energa elctrica es manipulable mediante sistemas especficos que la convierten desde su fuente original (Calor, Luz, Potencial gravitatorio, ... ), la almacenan, transportan y transforman a la forma de consumo. Los dispositivos de potencia ms relevantes son el tiristor como interruptor controlable y el diodo como interruptor no controlable.

0.3 - APLICACIONES DE LA ELECTRONICA APLICACIONES: los campos de aplicacin aparecen en las ramas tecnolgicas que necesiten procesar informacin y consumir energa. Algunos campos relevantes son: - Comunicaciones: radio, telfona, TV... - Control de procesos industriales: fabricacin, montaje, calibracin ... - Informtica: computadores y perifricos - Instrumentacin: equipos de medida y calibracin - Domtica: equipos del hogar - Automocin: control mecnico, informacin a bordo ... Los sistemas electrnicos presentan, en general, un esquema de bloques tpico, como el de la figura, donde se aprecia la captacin de una magnitud fsica en forma elctrica mediante sensores, su procesamiento con un equipo electrnico, y la generacin de alguna respuesta que se dispensa por un sistema actuador o efector.

SISTEMA FISICO
MAGNITUD FISICA
MAGNITUD FISICA

SENSOR
MAGNITUD ELECTRICA

CIRCUITO O SISTEMA ELECTRONICO

EFECTOR

SEAL ELECTRONICA

Ejemplos de sistemas con sensores y efectores: - Control del llenado de un depsito: sensores de humedad y control de la bomba. - Control de temperatura de un frigorfico: sensor de temperatura y control de la bomba. - Equipo de radio: antena y altavoz. - Equipo de ECG: electrodos y pantalla.

1 RESISTENCIAS, CONDENSADORES Y BOBINAS

1.0 TEORA DE CIRCUITOS 1.1 ELEMENTOS IDEALES DE TEORIA DE CIRCUITOS 1.2 RESISTENCIAS 1.3 CONDENSADORES 1.4 BOBINAS, TRANSFORMADORES 1.5 - ONDAS PERIODICAS Y CIRCUITO R-C 1.6 - CIRCUITOS EQUIVALENTES 1.7 DIAGRAMAS DE BODE 1.8 - MODELIZACIN DE COMPONENTES

Objetivos del Tema 1

Despus de trabajar este tema, el alumno deber ser capaz de: Identificar y poner notacin a los principales componentes pasivos de un sistema electrnico y seales comunes: o Anotar diferencia de tensin e intensidad, y los smbolos de fuentes, resistencias, condensadores, bobinas y transformadores. o Diferenciar nivel de tensin continua y alterna, y extraer el offset de una seal. o Conocer el conjunto de escala de unidades Evaluar el efecto de la constante de tiempo en circuitos RC Calcular impedancias equivalentes, de entrada y de salida, as como equivalentes circuitales de Thevenin y Norton de un circuito. Realizar anlisis de circuitos teniendo en cuenta las impedancias de entrada y salida de los aparatos de generacin de seal y medida, y preparar la primera prctica de laboratorio. Saber el concepto de Decibelio e interpretar diagramas de Bode. Reconocer un modelo como una abstraccin simplificada de la realidad, comprender que el funcionamiento real variar en algn aspecto.

Bibliografa
[RAS02, Ap.1.1-1.8], [STO95, cap.1], [NAV92, cap.1] 9

1.0 - TEORIA DE CIRCUITOS Al aplicar las leyes de Kirchoff a un circuito de una malla, el resultado es en general una ecuacin Integro-Diferencial (F), resoluble por mtodos clsicos de ecuaciones diferenciales. Ahora bien, la respuesta del circuito completa viene dada por la suma de dos funciones solucin de la ecuacin diferencial. Estas soluciones son: la funcin complementaria (solucin del rgimen transitorio) y la funcin particular (solucin del rgimen estacionario). Normalmente la solucin transitoria desaparece en poco tiempo y slo permanece la solucn estacionaria, que suele ser la que interesa. Aunque en algunas situaciones es la primera la que interesa para la resolucin del problema (caso del circuito RC con onda cuadrada).

dx d 2 x F( x , , 2 ,...) = 0; dt dt

X( t ) = X c (t) + X p (t);
Ante excitaciones peridicas, de la solucin completa X(t) (donde X puede ser tensin o corriente), generalmente Xc 0 en poco tiempo, mientras que Xp permanece. Normalmente la Xc depende de condiciones iniciales de contorno, mientras que Xp depende de las excitaciones permanentes. Impedancia: En teora de circuitos podemos expresar todos los clculos en notacin compleja. Se denomina impedancia a la expresin compleja que se utiliza para describir los elementos de la teora de circuitos. P.E. Resistencia Capacidad Autoinduccin

Z R = R + 0 j;

ZC = 0 + 1 Cwj ;

ZL = 0 + Lwj ;

Funcin de Transferencia: Se denomina as al factor de tipo complejo que relaciona dos magnitudes en un circuito elctrico. P.E. en la relacin de ejemplo, la f.d.t. es la parte A(w):

Vo( ) = A( ) Vi( );

10

1.1 - ELEMENTOS IDEALES DE TEORIA DE CIRCUITOS Los elementos ideales de Teora de Circuitos se dividen en dos categoras: elementos pasivos y elementos activos. Los elementos pasivos no generan energa propia, slo la consumen y/o la almacenan y entregan al circuito. Los elementos bsicos son: resistencias, bobinas y condensadores. Los elementos activos entregan energa propia al circuito. Comnmente denominados generadores, los encontramos de dos tipos: generadores de tensin y generadores de corriente. Convenio de V-I: los sentidos de tensin e intensidad que soportan estos elementos son diferentes. Los elementos activos siguen un convenio inverso al de los elementos pasivos. Por convenio, en los E.Activos la corriente sale del borne de mayor tensin y entra por el de menor tensin (sentido negativo), mientras que en los E.Pasivos la corriente atraviesa el elemento desde el borne de mayor tensin al de menor tensin (sentido positivo).
Resistencia Fuente Tensin Continua Fuente Corriente

+
V

+ I
V

Con esta nomenclatura queda claro qu elementos entregan energa y cuales la consumen, puesto que la energa consumida y/o entregada en un tiempo t es la integral de la potencia:

Potencia: Energa:

> 0 absorbe energa; Pot(t) = v(t)i(t); < 0 entrega energa;

E(t) = Pot(t) dt;

ESCALA DE UNIDADES

Las denominaciones para las diferentes escalas de unidades ms utilizadas son: (a veces se usa el "Kilopico"=103.10-12 en lugar del "nano"=10-9) f = femto 10-15 p = pico 10-12 m = mili 10-3 G = Giga 109 n = nano 10-9 k = kilo 103 T = Tera 1012

= micro 10-6
M = Mega 106

11

ELEMENTOS ACTIVOS

- Generador de Tensin Ideal: mantienen su tensin nominal en sus bornes, independientemente de la corriente que suministren. Su tensin puede ser continua (CC) o alterna (CA). En el anlisis de circuitos, la operacin matemtica consistente en "anular" un generador de tensin es equivalente a cortocircuitarlo. Y dado que un generador de tensin impone la misma tensin entre dos nudos, para cualquier corriente, puede ser "desdoblado" para el anlisis de ramas separadas.
Smbolos

+ v (t) Tensin

+ vAC (t) VCC

+ -

Comportamiento Elctrico: Im pone V(t), i(t); Unidad: Voltio (V);

Tensin Alterna Tensin Continua

Tipos: Generador de Tensin Real: presentan asociada en serie una impedancia (generalmente una resistencia) que consume parte de la tensin entregada por el generador. Tienen limitada la intensidad mxima que entregan. Al ser "anulados", la impedancia permanece. Generador de Tensin dependiente: su valor de tensin nominal est relacionado (generalmente en forma lineal) con una tensin entre dos nudos del circuito o la corriente de una rama del circuito. - Generador de Corriente Ideal: mantienen su intensidad nominal entre sus bornes, independientemente de la tensin que soporten. Su corriente puede ser continua (CC) o alterna (CA). En el anlisis de circuitos, la operacin matemtica consistente en "anular" un generador de corriente es equivalente a abrir su rama. Y dado que un generador de corriente impone la misma intensidad a lo largo de una rama, puede ser "desdoblado" para el anlisis de los nudos de sus extremos.
Smbolos Comportamiento Elctrico I (t) v(t);

i(t)
Intensidad Alterna

I
Intensidad Continua

Im pone Unidad:

Amperio (A);

Tipos: Generador de Corriente Real: presentan asociada en paralelo una impedancia (generalmente una resistencia) que deriva parte de la corriente entregada por el generador. Al ser "anulados", la impedancia permanece. Generador de Corriente dependiente: su valor de corriente nominal se relaciona (generalmente en forma lineal) con una tensin entre dos nudos del circuito o la corriente de una rama del circuito.
12

1.2 - RESISTENCIA Siempre disipan energa y no presentan inercia ante variaciones de V e I; es decir, su impedancia no depende de la frecuencia (ZR=R+0 j).
Smbolos
Comportamiento Elctrico Unidad: Ohmio () = Voltio/Amperio; Factores ms usados: K, M;

+
V

V(t)=R I(t);

Tipos:

Pirolticas (carbn): presentan un tamao proporcional a la potencia que consumen, generalmente baja: 1 vatio, 1/2 W, 1/4 W, 1/8 W. Su valor resistivo se indica mediante el cdigo de colores. Pelcula metlica: presentan valores de resistencia muy precisos y estables con la temperatura. Su valor se indica mediante el cdigo de colores. Bobinadas: son resistencias de bajo valor resistivo que soportan altas potencias (hasta 100 W). Su valor se indica numricamente. Se construyen con un cable enrollado recubierto por una cermica en forma de ladrillo. Cdigo de colores: se constituye con cuatro bandas de color: las tres primeras (a, b, c) indican el valor resistivo y la cuarta (d) seala el porcentaje de desviacin de ese valor o tolerancia.
Valor Resistivo: c ab d R = (ab)x10c Tolerancias: marrn=1% rojo=2% oro=5% plata=10% Nmeros: negro=0; marrn=1; rojo=2; naranja=3; amarillo=4; verde=5; azul=6; violeta=7; gris=8; blanco=9;

Potencimetros: son resistencias que disponen de tres terminales: dos en cada extremo de la resistencia (en forma de pista o lmina de carbn) y un tercero que se puede deslizar sobre el elemento resistivo al girar un mando. Tiene dos usos principales: como resistencia variable y como divisor de tensin ajustable. El valor de la resistencia de la pista, o resistencia mxima, se indica numricamente en su carcasa.
Smbolo Divisor de Tensin Resistencia variable R'= .R; 0 1;

+
V

+ I
V

+ -

V'= .V; 0 1;

13

1.3 - CONDENSADORES La tensin en bornes de una capacidad pura es proporcional a la carga almacenada en ella, con constante de proporcionalidad denominada capacidad: C. Un condensador (elemento capacitivo real) almacena energa en el campo elctrico generado entre las cargas acumuladas (E=C.v2/2). Presenta inercia ante las variaciones de tensin en sus bornes (impedancia compleja: ZL=0+1/(C j); es decir, si la corriente cambia bruscamente, la tensin tiende a ser mantenida constante.
Smbolo Comportamiento Elctrico Unidad: Faradio (F) = Amperio.Seg/Voltio; Factores ms usados: mF, F, pF, nF=KpF;

+
V

I -

q(t) = C v(t); dq(t) dv(t) i(t) = = C ; dt dt 1 v(t) = i(t) dt; C

Si un condensador presenta fugas internas de carga muy pequeas, puede ser utilizado como almacn de energa en un circuito y ser capaz de entregarla a conveniencia.
Tipos:

Los condensadores disponen de dos lminas conductoras enfrentadas con una capa dielctrica interpuesta. Se especifican por su valor de capacidad, su tolerancia o desviacin porcentual de dicho valor (tolerancias del 5%, 10% y 20%) y la tensin mxima de trabajo que soportan. Dependiendo del material dielctrico, si la frecuencia de seal es elevada puede disminuir la capacidad del condensador, C().
Cermicos: son condensadores de muy baja capacidad (nF, KpF) que pueden trabajar con elevadas frecuencias de seal (MHz). Polister: diponen de un reactivo qumico que se polariza, pueden tener gran capacidad (F, mF) y soportar grandes picos de tensin. Slo funcionan bien a frecuencias bajas o medias (KHz). Electrolticos: son los condensadores de mayor capacidad (mF, F), y soportan elevadas tensiones, pero slo funcionan bien a bajas frecuencias (Hz). Su diseo obliga a que las cargas negativas y positivas se almacenen en bornes especficos, por lo que se dice que presentan POLARIDAD. Condensadores variables: son condensadores cuya pequea capacidad es controlable y que se simbolizan con una flecha superpuesta. Los Varicaps se obtienen con diodos especiales.

14

1.4 - BOBINAS

Cuando la corriente cambia con el tiempo en una malla, el flujo magntico asociado () tambin cambia. Toda variacin del flujo impone una tensin (f.e.m) en oposicin a tal variacin, de forma que en un elemento inductivo puro aparece una tensin proporcional al gradiente de la intensidad, con constante de proporcionalidad denominada coeficiente de autoinduccin (L).
Smbolo

Comportamiento Elctrico

Unidad: Henrio () = Voltio.Seg/Amperio; Factores ms usados: H, mH;

+
V

(t)= L i(t);
I

v(t) = L d i(t)

d (t) dt

= v(t);

; i(t)= 1 v(t) dt; L dt

La autoinduccin almacena energa en su campo magntico (E=L.i2/2) y presenta inercia ante las variaciones de corriente (impedancia compleja: ZL=0+Lj); es decir, si la tensin cambia bruscamente entre sus bornes, la corriente tiende a ser mantenida.
Tipos: Su construccin suele ser a medida; enrollando cable (bobina). Con un ncleo ferromagntico se obtienen mayores inductancias, sin ncleo dan lugar a bajas inductancias. Transformadores:

Los transformadores (trafos) se construyen con un ncleo ferromagntico compartido por dos arrollamientos independientes. La corriente (I1) que circula por el arrollamiento primario crea un flujo magntico () por el ncleo magntico. El flujo compartido en este segundo arrollamiento induce una tensin (V2) proporcional a la tensin aplicada en el primario (V1). Los trafos proporcionan aislamiento inductivo (acoplo inductivo) entre dos circuitos independientes. Su relacin de transformacin se especifica por la conversin que efectan para valores de tensin eficaces (tambin llamada Tensin nominal).

Tranformador:
I1
V1

Relaciones:

I2

i 2 (t) = n i1(t);
v1(t) = n v2 (t);

+ -

+
V2

(n:1) Relacin de Transformacin

15

1.5 ONDAS PERIODICAS Y CIRCUITO R-C Las formas de onda de V, I o Potencia que trataremos sern peridicas, ya que ante seales peridicas los circuitos responden con otras seales peridicas. Las seales peridicas cumplen (donde T es el periodo de repeticin de la onda): F(t) = F(t + nT) con nZ Definiciones: Fase: cualquier estado contenido en un periodo Ciclo: conjunto de estados de un periodo Frecuencia: nmero de ciclos por unidad de tiempo (Hertzio, Hz) Pulsacin: nmero de radianes por unidad de tiempo ( = 2f) Valor Medio (Componente Continua): se define como el valor de la integral de la onda durante un periodo de la onda, promediada por el periodo:
Ejemplos

T a b
t

S(t) = a+b sen t + ) (

Y medio = 1 T

t'+T

y(t) dt;
t'

P.E.: el valor medio de una sinusoidal: y = b sen( t) es cero.

Valor Eficaz: se define como la raiz cuadrada de la integral del cuadrado de la onda durante un periodo promediada por el periodo:

t' +T 1 Yeficaz = y 2 (t) dt ; T t'

P.E.: el valor eficaz de: y(t) = b sen( t) es Y eficaz = b

2;

Valor de pico: mximo positivo o negativo respecto de cero. Valor pico a pico: diferencia entre los valores de pico mximo y mnimo.

16

Desarrollo de Fourier:
La importancia de analizar circuitos con ondas sinusoidales proviene del hecho de que toda seal u onda, funcin del tiempo y de duracin finita, admite una expresin en serie trigonomtrica o desarrollo de Fourier. Dada una seal F(t) finita entre t1 y t2, podemos tratarla como seal peridica con periodo T=t2-t1; y si cumple ciertas condiciones (Dirichlet) se puede encontrar una expresin que la aproxime mediante un sumatorio de ondas sinusoidales:
1 F(t) = b 0 + a nsen(nwt); 2 n =1

Cada uno de los sumandos se denomina componente frecuencial. El trmino constante corresponde al valor medio de la seal o Componente Continua (CC/DC). El resto son Componentes Alternas (CA/AC) que dependen de la frecuencia . La primera componente alterna (n=1) se corresponde con la frecuencia fundamental w, mientras que el resto de componentes presentan frecuencias que son mltiplos enteros de la componente fundamental y se denominan armnicos. El anlisis de un circuito para la seal F(t), por compleja que sea, puede obtenerse (gracias al principio de superposicin) con el anlisis separado para cada una de las componentes de su desarrollo de Fourier. Se dice entonces que se efectua un anlisis en frecuencias o frecuencial.

EJEMPLO: Desarrollo de Fourier en una seal A(t)

Sea una seal como A(t) en la grfica a) cuyo desarrollo de Fourier sera de la forma:
A(t) a0

A'(t) = a0 + a1 sen( t) + a2 sen(2 a) t) + ... Nos quedamos con el A'(t) desarrollo hasta el primer armnico (trmino con coeficiente a2), con lo que la funcin se a0 aproxima por la curva de la grfica b). Donde se representan b) el nivel constante, las dos senoidales y la seal resultante de su suma.
a1sen(wt)

a2sen(2wt)

La fuente de seal A'(t) puede ser de tensin (V) o de corriente (I). En cada caso, el generador de A(t) podra sustituirse por la suma de generadores del desarrollo de Fourier:

17

a1 sen(wt) +

+ a2sen(2wt)

a0 A(t) Circuito
I V

Circuito

a2sen(2wt)

a0
a1 sen(wt)

Circuito

Por el principio de superposicin, es posible analizar el comportamiento del circuito con cada generador separadamente y sumar los resultados parciales para obtener el total sobre cualquier elemento circuital. Por ejemplo, en el caso de que A(t) fuera una seal de tensin podemos analizar el circuito con dos circuitos equivalentes distintos: el equivalente en corriente continua (CC) y el equivalente en corriente alterna (CA):
a0
+

Circuito equivalente en CC

Circuito equivalente en CA

a nsen(nwt)

Se denomina anlisis frecuencial al proceso de analizar el circuito para cada frecuencia de la seal.

Transitorios en un circuito RC:

La solucin de las ecuaciones diferenciales de cualquier circuito incorpora dos tipos de soluciones: la solucin estacionaria y la solucin transitoria. Habitualmente consideraremos slo la solucin estacionaria, sin obtener la solucin transitoria pues al cabo de cierto tiempo desaparece. Sin embargo, el anlisis de circuitos con carga y descarga de condensadores se hace ms sencillo considerando las soluciones transitorias. Por ejemplo, en el circuito a) de la figura, el condensador recibe una onda peridica cuadrada, que alternativamente lo carga y descarga. Esto puede interpretarse como el circuito equivalente b).
Carga y Descarga de un Condensador
V1 V0

R C

Descarga

Carga

R C

V(t)
a)

V0
b)

V1

18

Las ecuaciones que rigen el comportamiento del circuito durante la carga son:
1-

V1 = I(t)R + VC (t);

2-

I(t) = C

d V C (t); dt

Imponiendo como condicin que la carga inicial del condensador sea VC(t=0)=V0; y para la condicin en tiempo infinito (solucin estacionaria) que la carga final del condensador sea VC(t=)=V1; se obtiene la solucin:

VC (t) = V1 +(V 0 - V1) exp

t ; RC

Igualmente se deduce la misma expresin para la descarga cambiando V0 por V1, ya que entonces partimos desde VC(t=0)=V1; y acabamos en VC(t=)=V0;
Carga y Descarga de un Condensador
V1 63%(V1-V0) V0 t=0 t=RC 63%(V1-V0) V0 t=0 t=RC V1

La magnitud =RC se denomina constante de tiempo (de carga o descarga). Su valor determina la forma de onda resultante en bornes del condensador cuando se le aplica una onda cuadrada: 1- Si el periodo T de la onda es muy pequeo comparado con , entonces la tensin del condensador es como una onda triangular (integral de la cuadrada). Se dice que el circuito RC se comporta como un integrador (filtro pasa baja). 2- Si el periodo T es mucho mayor que , entonces la tensin del condensador tambin aparece cuadrada con bordes redondeados.
V Vc t T<< T>> V Vc t

19

1.6 - CIRCUITOS EQUIVALENTES

En Electrnica es conveniente poder sustituir circuitos complejos por circuitos ms simples, pero equivalentes a ellos. De esta forma muchos clculos se simplifican al reducir el nmero de ramas y nudos a analizar. El circuito sustituido, a su vez, puede ser un equivalente en CC CA de otro circuito, y entonces, el equivalente lo es en CC CA.

Impedancia Equivalente: La impedancia equivalente de un circuito entre dos de sus nudos es el resultado de dos operaciones:
1 - Anular las fuentes de V e I independientes del circuito. 2 - Medir la I entre los dos nudos cuando se aplica una V.
Impedancia equivalente del circuito vista entre los nudos a-b:

a
Circuito

Circuito
+

Zeq

Zeq= V I

Equivalente de Thevenin: Un circuito entre dos de sus nudos es equivalente a una fuente de tensin (Veq) y una impedancia en serie (Zeq). El clculo de estos dos valores es:
1 - Obtener la impedancia equivalente entre los dos nudos. 2 - Medir la V entre los dos nudos desconectando el circuito de otros circuitos que contacten con ellos.

Equivalente de Norton: Un circuito entre dos de sus nudos es equivalente a una fuente de corriente (Ieq) y una impedancia en paralelo (Zeq). El clculo de estos dos valores es:
1 - Obtener la impedancia equivalente entre los dos nudos. 2 - Medir la I entre los dos nudos al cortocircuitarlos.
Circuitos equivalentes:
Equivalente de Thevenin del circuito 1 visto entre los nudos a-b:

a
+

Circuito 1

Circuito 2

Zeq
b

Veq

Circuito 2

Equivalente de Norton del circuito 1 visto entre los nudos a-b:

Relacin entre los parmetros de los circuitos equivalentes:

Zeq=

Veq I eq

I eq

Zeq

Circuito 2

20

1.7 - DIAGRAMA DE BODE

En general va a ser tan importante conocer la respuesta de un circuito o sistema frente a las amplitudes de una seal como a su frecuencia. Recordar que cualquier seal peridica puede ser descompuesta en serie de Fourier en una suma de seales sinusoidales cuyas frecuencias son mltiplos de la frecuencia fundamental de la seal inicial. Por tanto es importante conocer la respuesta de un circuito o sistema, ante una seal sinusoidal de cualquier frecuencia. Supuesto que el circuito o sistema es lineal, y conocida la respuesta en frecuencia del mismo, aplicando el principio de superposicin se conocer su respuesta ante cualquier seal. Para conocer, con rapidez la respuesta frecuencial de un sistema lineal se han desarrollado los diagramas de Bode. Estos diagramas son de tipo logartmico y expresan grficamente el comportamiento en frecuencia del sistema. La representacin expresa en el eje de abscisas el logaritmo de la frecuencia (f) o de la pulsacin (w), y en ordenadas representa el valor 10log(Ap), donde Ap es el cociente de potencias de la seal de salida frente a la de entrada. A veces tambin se utiliza AV y AI. La unidad que se utiliza en ordenadas es el decibelio (dB). Esta unidad es una medida relativa, ya que dada una potencia P, su medida en decibelios viene dada por la expresin 10logP/Pref, en donde Pref es una potencia de referencia. Cuando la Pref = l mW se dice que P est expresado en dBm que ya son valores absolutos. Cuando la potencia Pref es la potencia de entrada al circuito, los decibelios nos dan una medida relativa a esa potencia. Hay varias razones para utilizar unidades logartmicas, las dos ms importantes son: - Los sentidos (oido, vista, etc.) en los seres vivos responden, segn la ley de Weber-Fechner, proporcionalmente al logaritmo de los estmulos. - Cuando tenemos conectados dos sistemas lineales en cascada

S1

S
B1

S2

B2

tendremos:
B1 = S1A; y B2 = S2A; -> B2 = S1 S2A; S(dB) = 10log(B2/A) = 10log[(B2B1)/( B1A)] = 10log(S1S2) = = 10log(S1) + 10log(S2) = S1(dB) + S2(dB);

Por tanto la respuesta global de dos sistemas conectadas en cascada es la suma de las respuestas individuales de cada uno expresadas en dB.

21

Tambin se suelen emplear AV y Ai en el diagrama de Bode. Teniendo en cuenta que el diagrama siempre expresa un cociente de potencias de seal, la expresiones para AV y Ai sern:
10log(Ap) = 10log(Po/Pi) = = 10log[(Vo2/Ro)/(Vi2/Ri)] = = 20log[Vo/Vi] + 10log[Ri/Ro] = = 20log(Av) + cte; 10log(Ap) = 10log(Po/Pi) = = 10log[(Io2Ro)/(Ii2Ri)] = = 20log[Io/Ii] + 10log[Ro/Ri] = = 20log(Ai) - cte;

+
Vi

Ii

Circuito

Io Ro

+
Vo

Ri

Se aprecia que los diagramas de Bode para tensiones y corrientes son iguales a los de potencia cambiando el factor 10 por el 20 y aadiendo o restando un trmino constante. Realmente recibe el nombre de diagrama de Bode la representacin asinttica de la respuesta de un sistema lineal en unos ejes coordenados de log(f) frente a log(Ap). Este diagrama de Bode corresponde a la expresin de lo que ocurre con la amplitud (potencia de seal). Es decir, cmo acta un bloque sobre la amplitud de una seal (amplifica o atena en funcin de la frecuencia). El bloque electrnico lineal tambin introduce un efecto sobre la fase de la seal, es decir suponiendo que introdujsemos una seal sinusoidal a la entrada, en la salida obtendramos una seal de la misma frecuencia pero con cierto desfase respecto a la de entrada. Este desfase es a su vez funcin de la frecuencia de la seal. Se llama diagrama de Bode de la fase a la representacin del mencionado desfase frente a log(w). No suele ser muy utilizado este diagrama, salvo aplicaciones especficas, en comparacin con el diagrama de Bode de la amplitud. Se define Octava como el intervalo de frecuencias comprendido entre una frecuencia determinada y la frecuencia doble de sta, mientras que una Dcada se define como el intervalo de frecuencias entre una frecuencia dada y otra diez veces mayor. Veamos una serie de caractersticas que renen estos diagramas. Una recta de pendiente 6 dB/octava cumplir:
En ordenadas (eje Y): 6 dB = 20log[Av(w2)]- 20log[Av(w1)]= 20log(2);

-> Av(w2) = 2 Av(w1);

En abscisas (eje X): w2 = 2 w1; log(w2)-log(w1) = log(2); octava

Del mismo modo una recta de pendiente 20 dB/dcada cumplir:

En ordenadas (eje Y): 20 dB = 20log[Av(w2)]- 20log[Av(w1)]= 20log(10); -> Av(w2)=10Av(w1); En abscisas (eje X): w2 =10 w1; log(w2)-log(w1) = log(10); dcada

Adems se cumple que: 20 dB/dcada = 6 dB/octava. Otra magnitud muy frecuente son 3dB que corresponde a 10 log(2). En efecto se cumple:
22

3 dB = 20log[Av2]- 20log[Av1] = 20log[Av2/Av1]; ->

-> log[Av2/Av1] = log(2 1/2 ) = 0,3 dB; -> Av2 = (2 1/2 ) Av1 = 1,412 Av1;
-3 dB = 20log[Av2]- 20log[Av1] = 20log[Av2/Av1]; ->

-> log[Av2/Av1] = - log(2 1/2 ) = -0,3 dB; -> Av2 = Av1/ (2 1/2 ) = 0,707 Av1; De manera general refirindonos a las funciones de transferencia en potencia, tensin o corriente (AP, AV y Ai), si su valor es mayor que l (logaritmo positivo) se suele hablar de ganancias mientras que si su valor es menor que 1 (logaritmos negativos) suele hablarse de atenuaciones.
201og AV = N; -> ganancia de N dB 201og AV = -N; -> atenuacin de N dB

Cuando se va a obtener el diagrama de Bode de las diversas funciones de transferencia, la fraccin que las expresa puede factorizarse como producto de factores de tres tipos:
A1 = (j kw) / (1 + j bw); A2 = (1 + j aw) / (j kw); A3 = (1 + j aw) / (1 + j bw);

Puesto que una funcin general ser del tipo:

A = K A1 A2 A3 An;

tendremos que se cumplir:

log(A) = log(K) + log(A1) + log(A2) + log(A3) + log(An);

donde el trmino log(K) es una constante.

log|A1| = log(Kw) - 1/2 log(l+ b2w2); log|A2| = 1/2 log(l+ a2w2) - log(Kw); log|A3| = 1/2 log(l+ a2w2) - 1/2 log(l+ b2w2);

Los nicos trminos cuyo comportamiento necesitaremos estudiar sern: log(Kw) y 1/2 log(l+ k2w2). Como la representacin suele ser 20log|A|, estudiaremos los trminos 20 log(Kw) y 10 log(l+ k2w2). En el trmino 10 log(l+ k2w2) se consideran dos aproximaciones asintticas (w=0 y w=oo) que corresponden a:
k2w2<<1; 10 log(l+ k2w2) -> 10 log(1) = 0; k2w2>>1; 10 log(l+ k2w2) -> 20 log(kw);

23

Esta ultima aproximacin asinttica nos conduce al trmino 20log(Kw). Analizando este trmino se cumple:
20 log Kw = 20 log K + 20 log w;

esta ecuacin en el diagrama corresponde a una lnea recta que corta al eje de abscisas en:
20 log K + 20 log wc = 0; -> log wc = -log K; -> wc = 1/K;

Esta frecuencia (pulsacin) es denominada frecuencia de corte. El trmino 10log(1)=0 coincide con el eje de abscisas, por tanto wc es la pulsacin en que se cortan las dos asntotas que aproximan la curva real. En todo el estudio del diagrama de Bode al analizar 20log|Av| y 20log|Ai| se puede suponer Ri=Ro. Sin embargo aun cuando Ri#Ro el aspecto del diagrama del Bode no cambiar, ya que slo se diferenciar en una constante del obtenido al suponer Ro=Ri: Los diagramas de Bode de las funciones de transferencia que nos encontremos sern combinacin de los que presentamos a continuacin:
20 log(A) a) 20 log (n) b) 20 log (Kw) c) 20 log (K/w) d) 10 log (1 + K2w2) e) 10 log 1/(1 + K2w2) 20 log(A)

20 log(n)

a)
20 log(A)

log(w)

6 dB

+6 dB/octava +20 dB/decada 6 dB octava log(w)

-6 dB/octava -20 dB/decada octava log(w)

b)
20 log(A) 3 dB

c)
20 log(A)

log(w)

3 dB

d)

Wc=1 / K

log(w)

Wc=1 / K

e)

24

La mxima diferencia entre la curva real y la asntota se da en wc y vale:

10log(l+ k2 wc 2) - 20log(k wc) = 10log(1+1)- 20log(1) = 10log(2) = 3 dB;

Los factores en que podamos componer las funciones de transferencia eran:

A1 = A11/A12 = (j kw) / (1 + j bw); A2 = A21/A22 = (1 + j aw) / (j kw); A3 = A31/A32 = (1 + j aw) / (1 + j bw);

Si componemos las curvas deducidas anteriormente, para los denominadores y numeradores de esos factores, se obtienen las curvas:
20 log(A11) 20 log(A12) log(w)

+
3 dB
Wc1=1/K

log(w) 20 log(A1)

Wc2=1/b

A1 = A11 / A12 = = (j Kw) / ( 1 + j bw);

3 dB

|A1| = (Kw) / ( 1 + b2w2)1/2;

Wc1=1/K Wc2=1/b

log(w)

20 log(A22)

20 log(A21)

+
Wc1=1/K

Wc2=1 / a
3 dB

log(w) 20 log(A2)

log(w)

A2 = A21 / A22 = = ( 1 + j aw) / (j Kw); |A2| = ( 1 + a2w2)1/2 / (Kw);

log(w)

3 dB
Wc1=1/K Wc2=1/a

25

20 log(A31)

20 log(A32) log(w)

Wc1=1 / a
3 dB

+
log(w)

3 dB

Wc2=1/b

A3 = A31 / A32 = = (1 + j aw) / ( 1 + j bw);

20 log(A3) 3 dB 3 dB log(w)

|A3| = [( 1 + a2w2) /( 1 + b2w2)]1/2;

Wc1 = 1/a Wc2 = 1/b Vemos que el diagrama de Bode representa el efecto de filtro (atenuacin-amplificacin) que todo bloque electrnico ejerce sobre las seales que se aplican a su entrada. Si suponemos que el efecto de filtro es ideal y que las pendientes a los lados de las frecuencias de corte son cero o infinito, segn el comportamiento frecuencial de los bloques se dice que se comportan bsicamente de cuatro formas distintas:
20 log(A) 20 log(A)

log(w)

log(w)

Wc a) FILTRO PASO BAJO

20 log(A)

Wc b) FILTRO PASO ALTO

20 log(A)

log(w)

log(w)

Wc1 Wc2 c) FILTRO PASO BANDA

Wc1 Wc2 d) F. RECHAZO DE BANDA

26

Respuesta frecuencial en amplificadores: En el diseo de amplificadores se persigue que su respuesta frecuencial sea estable en un intervalo de frecuencias de inters. La respuesta para frecuencias superiores e inferiores ser atenuada y vendr sealada por las frecuencias de corte inferior y superior. Estas frecuencias mnimas o mximas se definen como aquellas en las que el mdulo de la funcin de transferencia se reduce en el factor 0,707 = (1/2)1/2 respecto del valor mximo de la funcin de transferencia en su zona plana:
wcorte(sup o inf) -> |A(wc)| = 0.707 |A(w)|max ;

La diferencia entre ambos valores de frecuencias de corte define el ancho de banda de frecuencias donde el amplificador tiene una respuesta plana y estable:
w = (wcsup wcinf);

20 log(|A|) 3 dB

3 dB

log(w)
Wcinf Wcsup

27

1.8 - MODELIZACION DE COMPONENTES Y DISPOSITIVOS En electrnica se han desarrollado dispositivos cuyo comportamiento real, ante tensiones y corrientes entre sus terminales, suele ser no lineal. Dado que la Teora de Circuitos siempre trabaja con elementos en forma lineal, habremos de describir el comportamiento de cada dispositivo o componente real mediante modelos aproximados con elementos lineales. El modelo de un dispositivo ser una descripcin matemtica aproximada del comportamiento elctrico del dispositivo. En general, el comportamiento proporcionado por el modelo que sustituir al dispositivo cambiar en funcin de tres aspectos: 1 - Grado de aproximacin. 2 - Rango de validez. Frecuencia y Amplitud. 3 - Condiciones de funcionamiento. 1- Grado de aproximacin: indica la cantidad de efectos secundarios asociados al componente que se tendrn en cuenta en los clculos circuitales. Por ejemplo, los elementos resistivos ofrecen un valor de resistencia elctrica dependiente de la temperatura, pero en primera aproximacin podemos considerarlas constantes:
R(T) = R0 + R(T) + R(T2) + ... = R0 ;

Aunque en el caso de una NTC (o PTC) lo que interesa es precisamente el segundo trmino, que depende linealmente de la temperatura. 2- Rango de validez: podemos simplificar la descripcin de un componente si nos retringimos a un rango determinado de Amplitud o de Frecuencia de la seal. Cuando tratamos con pequea amplitud de seales, superpuestas sobre un nivel de continua (punto de trabajo), podemos considerar aquellas como pertubaciones y es posible utilizar el desarrollo de Taylor de la funcin de respuesta (curva caracterstica) del dispositivo en el punto de trabajo hasta el primer trmino lineal. A estos modelos tambin se les denomina modelos incrementales, definidos en torno al punto de trabajo (valores de V e I en continua). Para grandes seales la aproximacin no sera vlida y debe usarse una descripcin no lineal.

28

En frecuencias aparecen dos rangos claramente separados: el rango de continua (CC, frecuencia nula) y el rango de alterna (CA), a su vez diferenciando entre seales con frecuencias bajas y seales con frecuencias altas. Los elementos ideales asociados a condensadores (capacidad C) y bobinas (autoinducciones L) presentan diferentes comportamientos para estos dos rangos de frecuencia:

Amp. GRAN SEAL PEQUEA SEAL BAJA ALTA FREC. FREC. Comp. no lineal Serie Taylor lineal Frec.

C en CC y/o frecuencias bajas equivale a un circuito abierto L en CC y/o frecuencias bajas equivale a un cortocircuito C en CA de frecuencias altas equivale a un cortocircuito L en CA de frecuencias altas equivale a un circuito abierto 3- Condiciones de funcionamiento: un dispositivo puede modelizarse de forma simple con un modelo incremental en el que los valores de las caractersticas (establecidas mediante parmetros) dependen de las condiciones de trabajo o de funcionamiento. En general, cualquier dispositivo presenta una familia de modelos (paramtrica), entre los que se selecciona en cada momento el ms adecuado al rango de validez y condiciones de funcionamiento tratadas. PE: Un dispositivo de tres terminales: el transistor BJT se puede sustituir para CA por el modelo con una fuente de intensidad, I, y una resistencia, r. Estos valores son los parmetros del modelo, y son dependientes del punto de trabajo del transistor.

C B

C B
r
I

E PE: Una Resistencia de pelcula metlica depende de la frecuencia y su comportamiento puede aproximarse con un modelo incremental para diferentes rangos de frecuencia:
Lp R
f<1GHz

R
f<10 KHz

Cp Lp R
f<100 GHz

...
f<10 THz

29

2 - AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL

2.1 - INTRODUCCION 2.2 - ESTRUCTURA Y MODELO 2.3 - MODOS DE OPERACION 2.4 - ETAPAS BASICAS 2.5 - CONCEPTOS BSICOS DE FILTROS ACTIVOS

Objetivos del Tema 2

Despus de trabajar este tema, el alumno deber ser capaz de: Identificar los smbolos de los amplificadores operacionales (AO), su notacin y sentidos de cadas de tensin e intensidades. Identificar sus patas en encapsulado DIL. Describir someramente la estructura del AO como un circuito complejo con transistores que consiguen aproximarse a la implementacin de su funcin ideal. Dibujar el modelo del AO ideal y aproximarlo al real en cuanto a impedancia e intensidad mxima de salida. Enunciar las caractersticas que diferencian un AO real con uno ideal y dar rdenes de magnitud comunes de AO reales. Identificar cuando se establece realimentacin negativa en circuitos con AO. Razonar las expresiones correspondientes al comportamiento del AO como comparador y con realimentacin negativa. Comprender el concepto de saturacin del AO. Analizar etapas de AO con realimentacin negativa (lineales) y sin realimentacin. Reproducir e identificar las etapas lineales bsicas y comparadoras bsicas con AO. Usar las etapas lineales y comparadoras como bloques para el diseo de circuitos complejos. Enumerar las caractersticas descriptivas de filtros activos. Identificar el comportamiento de un filtro activo cualitativamente.

Bibliografa.
[STO95, cap. 3.11], [RAS02, cap.6 y 7], [FER88, cap. 8, 9], [NAV92, cap. 11 y 12].

30

2.1 - INTRODUCCION: El Amplificador Operacional (AO) es un circuito integrado (CI) amplificador de alta ganancia, basado en una serie de etapas con transistores, principalmente bipolares, integradas conjuntamente en un mismo encapsulado. Reciben el nombre de Operacionales, porque antes del desarrollo de las tcnicas digitales se utilizaron como circuitos de clculo analgico. Diversas configuraciones circuitales de AO podan operar sobre valores de tensin anlogicos para dar lugar a la suma, resta, multiplicacin, divisin, exponenciacin, logaritmos ... Tienen dos grandes campos de aplicacin: a) Circuitos para el procesamiento de seales analgicas como amplificacin, filtrado, comparadores, operaciones. b) Circuitos de osciladores, temporizadores. Existen amplificadores operacionales de elevadas prestaciones denominados Amplificadores de Instrumentacin. Asimismo, se pueden encontrar amplificadores en tensin o en corriente. El AO genrico ms utilizado es el Amplificador Operacional 741, que ser sobre el que plantearemos la exposicin de este captulo. 2.2 - ESTRUCTURA Y MODELO DEL AO La estructura interna del AO741 es una compleja cadena de etapas amplificadoras cuya etapa inicial es lo que se denomina una configuracin de transistores en etapa diferencial (con BJT o FET). El circuito necesita dos niveles de tensin de alimentacin: Vcc+>Vcc. Habitualmente se eligen simtricos (+Vcc, -Vcc), pero no es obligatorio. Presenta dos entradas: V- y V+, denominadas respectivamente entrada inversora y no-inversora. En la salida Vo, proporciona amplificada la diferencia de tensin de estas dos entradas .

31

Fig.1 Esquema circuital del AO 741

Fig.2 Tipos de encapsulados del AO 741

32

Modelo del Amplificador Operacional: El AO es un amplificador de tensin, tanto para seales como para continua, por ello su modelo circuital es idntico en ambos tipos de anlisis. El AO se representa por el smbolo triangular, que en general se aplica a cualquier amplificador, con sus diferentes conexiones. Habitualmente en esquemas de circuitos complejos, las conexiones de alimentacin se omiten por simplicidad, ya que se sobrentiende que estn presentes.
SIMBOLO DEL AO Vcc+ I+ + V+
EQUIVALENTE DEL AO

I+

Io
Vo

V+ V-

+
Z id
Zi-

V-

I-

A.O.

I-

Vcc-

}Vd Z i+

Ro

Io
Vo

Ad.Vd
Ro-0; Ad-o o ;

Z id-Zi--Zi+- o ;o

El valor de la tensin de salida sigue la relacin:

V 0 = A d V (+) V()

)+ Ac (V(+) + V() ) Ad Vd ; ec. 2.2.1

donde Ad es la ganancia que amplifica la diferencia de las tensiones presentes en ambas entradas (Vd), llamada ganancia diferencial, mientras que Ac es la ganancia que amplifica la suma de las tensiones en ambas entradas, denominada ganancia comn. Los AO se disean para que la ganancia diferencial sea muy elevada y, en comparacin, la comn sea muy pequea. Este diseo permite despreciar la aportacin a la salida de la suma de ambas tensiones de entrada, aunque en algunas aplicaciones debe ser tenida en cuenta. El modelo equivalente presenta una serie de elementos circuitales que pueden ser simplificados cuando se considera la aproximacin ideal del AO, entonces se dice que tenemos un AO ideal. Las diferencias entre el modelo real y el ideal son: Caractersticas Ganancia en Tensin (Av) Resistencia de Salida (Ro) Resistencias en Entradas Ancho de Banda Modelo Ideal Infinita Nula Infinitas Infinito Modelo Real 100000 Orden(100 ) Orden(Mega ) 100 Hz

33

Aproximaciones y Limitaciones: a) Al considerar las impedancias de las entradas infinitas, entonces las corrientes en las entradas (corrientes de polarizacin de la base de los transistores de la etapa diferencial) se pueden considerar nulas. b) La tensin de la salida no puede superar los lmites impuestos por las tensiones de alimentacin. c) Por diseo del AO741, la corriente de salida que puede entregar est limitada a unos 20 mA y la que absorbe a menos de 40 mA. d) Tambin est limitado el valor de las tensiones de entrada que se pueden aplicar (deben estar por debajo de las de alimentacin) y su diferencia tambin est limitada. 2.3 - MODOS DE OPERACION El AO puede presentar dos modos de operacin: el modo lineal y el modo no-lineal. Para obtener el modo lineal es necesario que la configuracin del circuito donde se conecta el AO tenga un tipo de realimentacin denominada negativa. Para obtener el modo no-lineal puede dejarse el AO sin realimentacin o con realimentacin positiva: Modo no-lineal Sin realimentacin Realimentacin Positiva Modo lineal Realimentacin Negativa La realimentacin en un circuito con AO se establece cuando la salida del AO tiene influencia en los valores de tensin de las entradas. Para ello, basta conectar algn elemento circuital entre el terminal de salida Vo y uno de los terminales de entrada. Si la conexin se hace con el terminal inversor (V-), entonces la realimentacin es negativa, en el caso de conectar con el terminal no-inversor, la realimentacin es positiva. El comportamiento de la salida (Vo = Ad Vd) en cada caso es: 1) Realimentacin Positiva: V+ depende de K Vo. Si Vo aumenta -> V+ aumenta -> Vd aumenta -> Vo aumenta 2) Realimentacin Negativa: V- depende de K Vo. Si Vo aumenta -> V- aumenta -> Vd disminuye -> Vo disminuye Por otro lado, las caractersticas del AO mejoran (impedancias de entrada aumentan, resistencia de salida disminuye, ancho de banda aumenta) cuando se establece realimentacin negativa y empeoran (impedancias de entrada disminuyen, resistencia de salida aumenta, ancho de banda disminuye) cuando se dispone realimentacin positiva.
34

Por ello, la realimentacin negativa permite aplicar el modelo ideal como mejor aproximacin. Cuando en un circuito con AOs aparecen lazos que introducen realimentacin positiva y negativa a la vez, siempre predomina una. Realimentacin negativa: La realimentacin negativa con AO establece una salida estable en un valor que depende de la relacin entre los elementos circuitales que conectan con el AO. El valor de la tensin de salida del AO est acotado y no se puede deducir de la expresin: Vo = Ad Vd. Dado que la ganancia Ad es muy elevada, podemos suponer que Vd es prcticamente nula. Esto implica que las tensiones en las entradas del AO se hacen iguales por el efecto de la realimentacin negativa: V+=V-. Realimentacin positiva: La realimentacin positiva con AO establece una salida inestable que crece continuadamente en sentido positivo o negativo. Cualquier diferencia entre las tensiones de entrada se mantiene (V+V-) y es amplificada en la salida hasta alcanzar los valores de salida mximos, denominados tensiones de saturacin, que habitualmente se suponen iguales a las tensiones de alimentacin:
V cc + V0 = V cc

si V > 0; V
d

si

( (+) > V() ); ec. 2.3.1 V < 0; ( V <V ) ; (+) () d

Sin Realimentacin: El mismo comportamiento del caso de realimentacin positiva se observa si no se dispone realimentacin; es decir, no existe ninguna conexin entre la salida y las entradas. En este caso, la elevada ganancia del AO hace que una pequea diferencia de tensiones entre las entradas (superior a los microvoltios), se amplifique fuertemente y sature la salida del AO.

35

2.4 - ETAPAS BASICAS CON A.O. En todas las etapas con AO aplicaremos las aproximaciones ideales de que las corrientes en los terminales de entrada son nulas; equivalente a suponer las impedancias de entrada infinitas. Asimismo considerare-mos la resistencia de salida del AO nula. Estas aproximaciones sern vlidas siempre que las impedancias de los elementos circuitales que conectan con el AO estn limitadas dentro del intervalo: (1 K, 1 M). a) Las impedancias equivalentes del circuito conectadas a las entradas del AO no pueden superar el rango de los Megaohmios, porque las corrientes circulando a su travs seran del mismo orden que las corrientes de las entradas del AO que queremos despreciar. b) Las impedancias equivalentes del circuito conectada a la salida del AO no puede ser menor que el rango de las decenas de Ohmios, porque la prdida de tensin en Ro dentro del AO se hace importante. 1- Comparador Diferencial: El AO no presenta realimentacin, y su salida adopta los valores mximos de saturacin dependiendo del signo de la diferencia de tensiones entre sus entradas. Se conecta un valor de tensin constante como nivel de comparacin en una entrada y una seal cambiante en la otra, de esta forma cada vez que la diferencia entre estas dos tensiones cambie de signo la salida del AO bascula de un valor de alimentacin al contrario. Si la tensin de comparacin se conecta en la entrada inversora se obtiene un comparador no-inversor (como el de la figura). Si se conecta en la entrada no-inversora se obtiene un comparador inversor.
Comparador Diferencial
Vi Vref

Vd>0
t

V+=Vi

+Vcc

Vd<0

V-=Vref
-Vcc

Vo

Vcc+ Vcc-

Vo t
Rango lineal muy pequeo

36

2- Amplificador No Inversor: Esta etapa impone realimentacin negativa, luego V+=V-. Las ecuaciones lineales del circuito son:

I + = I- = 0; I1 = I 2; ec. 2.4.1
I1 = 0 V R1
; ec. 2.4.3 I2 =

Vi = V+ = V-; ec. 2.4.2

V V o R2 ; ec. 2.4.4

Por 2.4.1 igualamos 2.4.3 con 2.4.4, y sustituyendo V-=Vi, se despeja Vo en funcin de Vi:
Vo = 1+

R2 R1

V i ec. 2.4.5

La salida del AO queda fijada por la relacin de resistencias ms uno, por lo que la ganancia de esta etapa nunca es inferior a uno. Dado que el AO tiene una Ro despreciable y que la entrada no inversora V+ est conectada a una impedancia infinita, el equivalente de este circuito es simplemente una fuente de tensin dependiente de Vi. Etapa No Inversora I2 I1 R1 R2 Equivalente
Vo=(1+R2/R1)V

Seguidor de Tensin

+
Vo

Vi Vi

+
Vo=Vi

Vi=V+

3- Seguidor de Tensin: Si en la etapa amplificadora no-inversora se dispone una R1 infinita (circuito abierto) y una R2 nula (cortocircuito) segn la ecuacin 2.4.5 la salida es igual a la entrada, pero la seal de entrada se aplica en una impedancia infinita y la de salida tiene asociada una impedancia nula.

37

4- Amplificador Inversor: Esta etapa amplificadora impone realimentacin negativa forzando V+=V-. Las ecuaciones lineales del circuito son:

I + = I- = 0; I1 = I 2; ec. 2.4.6
I1 = Vi V R1
; ec. 2.4.8 I2 =

0 = V + = V-; ec. 2.4.7

V V o R2 ; ec. 2.4.9

Por 2.4.6 igualamos 2.4.8 con 2.4.9, y sustituyendo V-=0, se despeja Vo en funcin de Vi:

Vo =

R2 R1

Vi ec. 2.4.10

El valor de la salida del AO queda fijado por la relacin de resistencias, siendo R2 la resistencia que establece la realimentacin negativa. Dado que el AO tiene una Ro despreciable y que la entrada inversora V- est a un valor de tensin de tierra, el equivalente de este circuito tiene una resistencia de entrada R1.
Etapa Inversora
I2
Equivalente Circuital
Vo=-R2Vi/R1

R2

I1

R1

+
Vo

Vi

Vi

R1

38

5- Etapa Sumadora Inversora: Esta etapa impone realimentacin negativa, luego V+=V-. Las ecuaciones lineales del circuito son:

I + = I- = 0; ec. 2.4.11
I1 = V1 V R1
; ec. 2.4.13

V = V+ = 0; ec. 2.4.12
I2 = V2 V R2 ; ec. 2.4.14

adems I = I1 + I 2; ec. 2.4.15

I=

V V o ; ec. 2.4.16 R

Sustituyendo las ecuaciones 2.4.13, 14 y 16 en la ec. 2.4.15 y cambiendo V- por cero, podemos despejar Vo:
V Vo = R 1 R1

2 ; ec. 2.4.17 R2

Cada seal de entrada ve una impedancia de entrada igual a la resistencia de conexin. La salida del AO es la suma invertida de signo de las tensiones aplicadas, ponderadas por el inverso de sus resistencias de conexin. Si escojemos estas resistencias iguales (R1=R2) podremos obtener una salida proporcional a la suma de las tensiones V1 y V2:

Vo =

R V1 + V 2 ; ec. 2.4.18 R1
Equivalente Circuital
V1 V2
Vo= -R (
V1 V2 + ) R1 R2

Etapa Sumadora Inversora

R1 I1
I

V1
V2 R2 I2

+
Vo

R1

R2

6- Etapa Sumadora No Inversora: Esta etapa impone realimentacin negativa, luego V+=V-. Las ecuaciones lineales del circuito son:

I + = I- = 0; ec. 2.4.19

V = V+ ; ec. 2.4.20
39

I1 =

V1 V R1

+ ; ec. 2.4.21

I2 =

V2 V R2

+ ; ec. 2.4.22

adems I = I1 + I 2; ec. 2.4.23

V 0 I= + ; ec. 2.4.24 R

Sustituyendo las ecuaciones 2.4.21, 22 y 24 en la ec. 2.4.23, despejamos V+:

V+

1 = + R

1 + R1

1 R2

1 V 1 R1

2 ; ec. 2.4.25 R2

En las ramas de la entrada inversora tenemos:

Ia =

0 V Ra

V Vo ; ec. 2.4.26 = R
b

Despejando Vo de la ecuacin 2.4.26 y sustituyendo V- por la expresin 2.4.25 tenemos:

V 1 V o = K R1

2 ; ec. 2.4.27; R2

1 K = + R

1 + R1

1 R2

1 R 1 + b ; Ra

La salida del AO es la suma de las tensiones aplicadas ponderadas por el inverso de sus resistencias de conexin. En este circuito, las seales de entrada ven las impedancias de entrada siguientes:

R1e = R1 + R||R2; ec. 2.4.28

R2e = R2 + R||R1; ec. 2.4.29

En el caso particular de no poner la R ni la Ra, y R1=R2 y Rb=0, tenemos un circuito simple que da la mitad de la suma de las tensiones de entrada (si las entradas fueran tres sera la tercera parte, etc).

Etapa Sumadora No Inversora Ia Rb Ra

R1 I1
R2 I2
R

Equivalente Circuital
V1 V2 R1e
Vo +

+
I

R2e

V1
V2

Vo
Vo= K (
V1 V2 + ) R1 R2

40

7- Etapa Restadora: Esta etapa impone realimentacin negativa, luego V+=V-. Las ecuaciones lineales del circuito son:

I + = I- = 0; ec. 2.4.30
I1 = V1 V R1 =

V = V+ ; ec. 2.4.31

En las ramas de la entrada inversora tenemos:

V Vo Ra

; ec. 2.4.32

En las ramas de la entrada no inversora tenemos:

I2 =

V2 V + R2

V+ 0 R
b

; ec. 2.4.33

Despejando Vo de la ec.2.4.32 y V+ de la ec.2.4.33, sustituimos V- por V+ y se obtiene:

Vo =

Ra

Rb R1 R 2 + R b

R 1 R a

+ 1 V2

V1 ;

ec. 2.4.34

Las impedancias de entrada de las seales son: R1 para V1 y R2+Rb para la seal V2..

Etapa Restadora R1 I1 V1
R2 V2 I2 Rb

Equivalente
Ra V1 V2 R1 Vo
Vo = Ra ( AV2 - V1 R1

+
I2

R2+Rb

Vo +

En el caso particular en que pongamos Rb=R2 y Ra=R1, tendremos que la salida es exactamente la diferencia de las tensiones V2-V1.

41

2.4 CONCEPTOS BSICOS DE FILTROS ACTIVOS

Un filtro es un circuito electrnico capaz de modificar la relacin entre las frecuencias del espectro de la seal de entrada. En particular los filtros activos incorporan algn elemento que entrega energa al circuito (transistores, operacionales ...), mientras que los filtros pasivos slo disponen de elementos pasivos (R,C,L). Todos los filtros tienen en comn el hecho de que disponen de circuitos sensibles a una determinada frecuencia de resonancia, cuya calidad viene expresada por el valor del coeficiente de sobretensin (Q). Dependiendo de la tecnologa utilizada para su diseo encontramos una gran diversidad de tipos de filtros cuyo campo de aplicacin es tambin diverso. En la figura se presentan los comportamientos tpicos de algunos tipos de filtros segn sus frecuencias de resonancia y coeficientes de sobretensin. En teora es posible disear filtros activos resonantes con coeficientes de sobretensin muy elevados, pero al aumentar este coeficiente mayor ser tambin el riesgo de que el circuito entre en oscilacin espontnea, o sea, se vuelva inestable.

42

Hoy en da, la expansin de la informtica permite captar las seales analgicas, convertirlas a seales digitales y aplicarles transformaciones matemticas equivalentes a las de los filtros, es decir, hacer filtrados digitales. Dado que la tecnologa en telecomunicaciones tiende hacia lo digital por su mayor robustez ante el ruido, la aplicacin de estos filtros de tipo analgico en telecomunicaciones es cada vez menor (excepto a altsimas frecuencias donde los filtros activos no son utilizables) En este apartado nos centraremos en una breve introduccin a ciertos circuitos bsicos con operacionales para generar filtros activos cuya aplicacin est limitada al campo de bajas frecuencias (centenares KHz).

Ventajas e inconvenientes de los filtros activos:

Ventajas:
Permiten eliminar bobinas para aplicaciones de baja frecuencia, lo que permite: reducir el volumen, el peso y el costo (ya que las bobinas suelen ser el elemento grande, pesado y caro de estos circuitos) Permiten disear filtros complejos mediante la asociacin (en cascada) de etapas de filtrado simples. Proporcionan ganancia sobre la seal de entrada Facilidad de los ajustes

Inconvenientes:
Necesitan fuentes de alimentacin La respuesta a frecuencia viene limitada por el amplificador operacional utilizado No son aplicables en sistemas de media/alta potencia (de KW a MW) En aplicaciones convencionales de instrumentacin y telecomunicacin estn siendo desplazados por los filtros digitales.

Clasificacin:
Los filtros se clasifican por su respuesta en una banda de frecuencias y encontramos de cuatro tipos generales:
Paso bajo: la banda de paso se extiende desde la frecuencia cero (continua) hasta una frecuencia de corte. Paso alto: la banda de paso se extiende desde una frecuencia de corte hasta el infinito. Paso de banda: la banda de paso se encuentra entre una frecuencia inferior de corte y una superior. Rechazo de banda: la banda de atenuacin se encuentra entre una frecuencia inferior de corte y una superior.

43

Los filtros tienen varios efectos indeseables que los alejan del comportamiento ideal (en la figura se aprecia la atenuacin de un filtro de paso de banda real):
la atenuacin en la banda de paso no es nula Amax (o la ganancia no es la unidad) la atenuacin en las bandas rechazadas no es infinita (o la ganancia no es cero) la transicin entre las bandas de paso y las rechazadas no se realiza bruscamente, sino de forma progresiva.

El problema es que cuanto ms se acerca un filtro al comportamiento ideal, mayor nmero de componentes habrn sido necesarios para su implementacin. Por tanto en el diseo de un filtro hay que buscar un compromiso entre prestaciones y coste de implementacin. Por otro lado, hemos de tener en cuenta el hecho de que un filtro, adems de modificar la respuesta de las componentes en frecuencias de la seal, tambin modifica la fase de dichas componentes. Esto se traduce en que cada componente de frecuencia presenta un retardo particular, en general se define la relacin d/d= (=desfase en la banda de paso) como el tiempo de propagacin del grupo de componentes de frecuencias que pasan a la salida. Un filtro de calidad en este aspecto tendr ese tiempo constante para las frecuencias en la banda de paso. En general un filtro o tiene buena respuesta en amplitud o bien tiene un tiempo de propagacin bueno, pero no ambas cosas a la vez, por lo que dependiendo de las caractersticas que necesitemos se diseara en filtro siguiendo una respuesta en amplitud o una buena regularidad en el tiempo de propagacin.

44

3 - DIODOS: TECNOLOGIA, MODELOS Y CIRCUITOS

3.1 - INTRODUCCION 3.2 - TIPOS DE SEMICONDUCTORES 3.3 - UNION PN: EL DIODO 3.4 - MODELOS DEL DIODO 3.5 - DIODOS ESPECIALES 3.6 - CIRCUITOS LIMITADORES Y RECORTADORES 3.7 - CIRCUITOS RECTIFICADORES 3.8 DIODO DE PEQUEA SEAL

Objetivos del Tema 1

Despus de trabajar este tema, el alumno deber ser capaz de: Identificar el smbolo del diodo y su notacin. Describir los mecanismos de conduccin en semiconductores. Describir los estados posibles del diodo. Razonar caractersticas de retardos en la conmutacin, capacidad, cada de voltaje en directa, desviaciones con la temperatura, intensidad de fugas, lmites de funcionamiento, a partir del comportamiento microscpico de la unin PN. Dibujar las curvas caractersticas de los diodos, identificando en ellas los modos de operacin y los parmetros relevantes y lmites de su funcionamiento. Escribir las expresiones del comportamiento del diodo en sus diferentes modos de operacin y relacionarlas con su curva caracterstica. Explicar la conveniencia de utilizar diferentes modelos para un diodo; utilizarlos para calcular circuitos con diodos, resistencias y fuentes de tensin. Identificar los principales tipos de diodos, sus caractersticas diferenciadoras, y sus usos comunes. Describir distintos tipos de circuitos bsicos rectificadores, recortadores y limitadores. Analizar circuitos con diodos por intervalos, mediante la realizacin de hiptesis y su comprobacin. Dibujar curvas de transferencia de circuitos a partir del conocimiento de la funcin, y curvas de entrada / salida en el tiempo. Disear y entender una fuente de tensin continua filtrada y regulada a partir de la red elctrica. Disear un regulador de tensin con zner. Analizar y disear una operacin lgica con diodos.

Bibliografa.
[RAS02, Ap.2.1-2.8, cap.3], [MIR01, Ap.2.2-2.4], [STO95, cap. 5], [FER88, cap.1 y 2], [NAV92, cap.2, 3 y 4], [PRAT94, cap.6, 10], [PIE94], [NEU93] 45

3.1 - INTRODUCCION: Teora de Bandas Cualitativa.

Existe un desdoblamiento de niveles de energa electrnicos por el Principio de Exclusin de Pauli: los electrones no pueden estar en un mismo estado cuntico. Al aproximar dos tomos, sus electrones adoptan energas diferentes.
E
Atomo 1
(1

(2

E
1e E2 2e E1
(2 (1

Atomo 2

Dos tomos cercanos

Dos tomos alejados

1e E2

E2 1e E1 2e
distancia

1e E2

E2

(1 y 2

2e E1

(2

2e E0

E0 2e

2e E(1 1

E1

(1 y 2

En el cristal NA=6x1023 at./mol, luego el nmero de tomos en un cristal es muy elevado (N). Por ello, el nmero de niveles electrnicos es tan elevado que hablamos de bandas de energa.
E
Bandas de energa permitidas Bandas de energa prohibidas

E
2Ne

N tomos cercanos

N tomos alejados

2Ne

E2

(1 a N

4Ne

4Ne

E1

(1 a N

Los electrones del cristal van ocupando las bandas (niveles) como lo haran en las capas atmicas. La ltima banda ocupada se denomina Banda de Valencia (BV). La banda siguiente sin ocupar o incompleta es la Banda de Conduccin (BC). Se observan los siguientes fenmenos fsicos:

1- Una banda de energa permitida llena de electrones, no contribuye a la conduccin elctrica al aplicar un potencial. 2- A temperatura cero Kelvin, los electrones se apilan en las bandas de menor energa. Dependiendo de la completitud de la ltima banda aparecen diversos materiales: a) Todas las bandas con electrones ocupadas completamente. Materiales aislantes o semiconductores. b) Todas las bandas ocupadas excepto la ltima banda incompleta. Materiales conductores (metales).
Los materiales del caso b) conducen a cualquier temperatura. Los materiales del caso a) pueden ser aislantes o semiconductores, en funcin de la temperatura.
46

Conforme la temperatura crece, aparecen vibraciones en el cristal (fonones), cuya absorcin puede hacer saltar electrones desde la banda de valencia a la de conduccin. Este proceso se denomina generacin de pares electrn-hueco (e--h+: portadores de carga mviles) y es equivalente a la ionizacin de un tomo del cristal. Cuanto mayor sea la temperatura, mayor nmero de pares e--h+ es generado.
Fonn

E
Si
Ionizacin
(1)

Si

Si
Si

eFonn
Fonn

e(2)

e-

BC

Si

ES(gap)
(3)

(1) Generacin e - h + (2) Recombinacin + (3) Movimiento de h

h+

h+

h+

h+ e-

+ h

BV x

La diferencia de energa entre BV y BC es la energa de salto (Es). Determina la probabilidad de generacin de pares e--h+: a mayor Es menor probabilidad de generacin y conductividad. Encontramos ciertos valores: Es>3 eV. Aislante (p.e. diamante) Es<3 eV. Semiconductor: Germanio Silicio Arseniuro de Galio (Ge, Es=0.75 eV) ( Si, Es=1.1 eV) (AsGa,Es=1.4eV)

Tambin ocurre el proceso inverso: la recombinacin de pares e--h+. Estos dos procesos alcanzan un equilibrio, y se dice que el cristal est en equilibrio trmico. Dado que la BV queda incompleta, con cierto nmero de huecos, y la BC presenta el mismo nmero de electrones, aparecen dos tipos de portadores de carga mviles: los electrones en la BC (no) y los huecos en la BV (po), cuyas concentraciones de equilibrio cumplen:
n 0 p0 = n2 (T) = A T 3 exp(E S K BT); i (semiconductor) n i (T = 300 k) 1,451010 port./cc

Clasificacin aislantes-conductores: (a temperatura ambiente) por su conductividad (). Cuanta mayor concentracin de portadores de carga posea el material, mayor conductividad presenta. =1/[R() Long.(m)]
Aislante: 10-18( m)-1 - 10-4(m)-1 (102-101, port.q/mol) Semiconductor: 10-4( m)-1 - 104( m)-1 (108-1010, port.q/mol) Conductor: 104( m)-1 - 106( m)-1 (1020-1023, port.q/mol)
47

3.2 - TIPOS DE SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTOR INTRNSECO: Se denomina as al semiconductor puro,

en equilibrio trmico de generacin-recombinacin. Aparecen dos concentraciones de portadores de carga iguales, no (electrones) y po (huecos), cumpliendo: no=po=ni(T,Es). Donde ni es la concentracin intrnseca de portadores, que crece con la temperatura y depende inversamente de la energa de salto, Es.
E
n 0 = concentracin de portadores negativos (e -en la BC) p 0 = concentracin de portadores positivos (h +en la BV)

e-

e-

e-

n0
e-

e-

BC
CAMPO ELECTRICO

+ h

+ h
+ h

p0
h+

h+

BV
x

Materiales semiconductores tpicos: Silicio (grupo IV), Germanio (grupo IV), Arseniuro de Galio, Carburo de Silicio.
SEMICONDUCTOR EXTRNSECO: Semiconductor dopado (impurificado)

con tomos de otros elementos. Se crean dos tipos: el tipo N y el tipo P. El nivel de impurezas es muy bajo: del orden de 1016 tomos impurezas/cc frente a 1023 tomos semiconductor/cc

1-Semiconductor tipo N: se aaden tomos del grupo V (Fsforo, Arsnico: tomos donadores) al cristal del grupo IV. Los tomos donadores presentan 5 electrones de valencia para 4 enlaces.
Los electrones sobrantes de los tomos V, tienen niveles de energa cercanos a la BC (salto de Ei), y son fcilmente ionizables (a partir de cierta temperatura, Te). En esta situacin los tomos donan electrones mviles a la BC, y quedan huecos fijos en el cristal.
E
Ionizacin
Electrones mviles

ee+ h

n0+n d
Si
Huecos fijos

e-

eh+

ee-

e- BC

Si

+
As

pd

h+

h+

h+

E
ES

Si

Si

Huecos mviles

p0

h+

+ h

BV
x

48

Las concentraciones de portadores mviles son (la carga neta del cristal sigue siendo nula): n=n0+nd; p=p0; con nd=1016 frente a n0=p0 104 n 1016 Aparece un portador de carga negativa (electrones en la BC) en mayor concentracin, que se denomina portador de carga mayoritario, y otro de menor concentracin (huecos en la BV) denominado portador minoritario. En el semiconductor predomina el portador de carga Negativa y se denomina de tipo N.

2-Semiconductor tipo P: se aaden tomos del grupo III (Boro, Aluminio: tomos aceptores) al cristal del grupo IV. Los tomos aceptores presentan 3 electrones de valencia para 4 enlaces.
Los enlaces sin formar de los tomos III, tienen niveles de energa cercanos a la BV (salto Ei), y son fcilmente alcanzables (a partir de cierto rango de temperaturas) para los electrones de la BV. En esta situacin los tomos aceptan electrones de la BV, que quedan fijos, y aparecen huecos mviles en la red cristalina.
E
Ionizacin
Electrones mviles n 0

e-

BC
e-

Si

Si

B
Si

Electrones fijos n a Huecos mviles

eh+

e-

e+ h

e-

eh+
h+

ES
Ei

Si

p0 a +p

h+

+ h

h+

BV x

Las concentraciones de portadores mviles son (la carga neta del cristal sigue siendo nula): n=n0; p=p0+pa; con pa=1016 frente a p0=n0 104 p 1016 En este caso, el portador de carga mayoritario son los huecos en la BV y el portador minoritario son los electrones en la BC. En el semiconductor predomina el portador de carga Positiva (tipo P).

Concentracin de minoritarios reducida: en ambos tipos de semiconductor extrnseco, tipo N P, se encuentra que la concentracin de los portadores minoritarios es mucho menor que la que corresponde a un semiconductor intrnseco. Esto se debe a que la impurificacin introduce tantos portadores mayoritarios, que el proceso de recombinacin con ellos es muy superior al de generacin por efecto trmico. El resultado es una fuerte reduccin de los portadores minoritarios.

49

Comportamiento con la Temperatura del SC Extrnseco:

Temperatura cero: Cualquier semiconductor se comporta como aislante. Los electrones caen en los niveles de energa ms bajos, la BV queda completa. Los niveles de impurezas aparecen ocupados en el tipo N, y desocupados en el tipo P, permaneciendo la BC vaca. En estas condiciones no existen portadores de carga libres para la conduccin. Rango de temperaturas extrnseco: A partir de cierta temperatura (Te), prcticamente todas las impurezas se ionizan. Dado que abundan ms que la concentracin de portadores intrnseca del semiconductor para esa temperatura, predominan en la conduccin los portadores de carga de las impurezas. El semiconductor se comporta como un semiconductor extrnseco. Rango de temperaturas intrnseco: Conforme la temperatura crece, llega a un valor (Ti Te) en el que las concentraciones de portadores, debidas a la generacin de pares por la temperatura, predomina sobre la concentracin de portadores provinientes de las impurezas. El comportamiento del semiconductor se vuelve de tipo intrnseco.
SEMICONDUCTOR TIPO N n 0p 0(cm -3 ) n 0 -> n Te
AISLANTE RANGO EXTRINSECO RANGO INTRINSECO i

Ti

p 0 -> n

2. 10

16

n 0= N D

n i (SC puro)
10
16

p 0 = n 2/N i
0 100 200 300 400 500 600 700

T(K)

Compensacin de impurezas: puede producirse la compensacin de un tipo de impurezas con el contrario, dando lugar a un material conductor donde no predomina un tipo de portador sobre el otro.Esto ocurre principalmente en las uniones P-N, entre dos semiconductores de diferente tipo conductor. Tipos de corrientes: en el material semiconductor se encuentran dos tipos de corrientes de portadores de carga mviles: corrientes de deriva y de difusin. Una corriente de deriva se denomina a la provocada por la presencia de un campo elctrico, mientras que una corriente de difusin aparece como el movimiento de cargas que tiende a restaurar el equilibrio de cargas roto por una perturbacin.
50

3.3 - UNION P-N: EL DIODO.

El diodo es un dispositivo electrnico cuya principal utilidad es la conversin de energa elctrica en forma de corriente alterna (CA) a la forma de corriente continua (CC). Este proceso se denomina RECTIFICACION. Otros usos son la demodulacin y la deteccin de tensiones mximas o mnimas. Antes de la aparicin del diodo basado en semiconductores, el dispositivo que cumpla esta funcin era el diodo de vaco. Configurado por una bombilla de vacio que contena un filamento emisor de electrones y una placa captadora. La corriente slo puede circular en sentido desde emisor hasta la placa captadora.

Smbolo y estructura: el diodo se obtiene con la combinacin de dos zonas de material semiconductor extrnseco de diferente tipo conductor, esto configura una UNION P-N.
En cada extremo de la unin se dispone un terminal de conexin, de forma que el diodo es un dispositivo de dos terminales. El terminal conectado a la zona semiconductora de tipo P se denomina ANODO (A) y el conectado a la zona de tipo N se denomina CATODO (K). El sentido de conduccin de Anodo a Ctodo (P->N) se denomina sentido de conduccin DIRECTO, mientras que el sentido de conduccin contrario (N->P) se denomina sentido INVERSO.
Smbolo: Anodo (+) Ctodo (-) Anodo Estructura: Aspecto externo: Ctodo

I
Sentido Directo (forward)

I
Sentido Inverso (reverse)

Anodo (+) P

Ctodo N (-)

Comportamiento elctrico: aproximadamente puede considerarse su comportamiento elctrico como un interruptor controlado por la tensin que se aplique en sus bornes:
- Si la tensin es positiva en el sentido DIRECTO, permite la conduccin con muy pequea resistencia. Equivale a un interruptor cerrado. - Si la tensin se aplica en el sentido denominado INVERSO, entonces el diodo prcticamente deja de conducir, excepto por una pequea corriente de fuga. Equivale a un interruptor abierto.

51

UNION P-N: DIODO EN EQUILIBRIO TERMICO

La estructura del diodo se basa en la unin de dos semiconductores extrnsecos de tipos diferentes: la Unin P-N.

P
p A

N
N - eCarga mvil

P
h+ +

nD

Unin abrupta: el tipo de semiconductor extrnseco cambia bruscamente en la zona de la unin. El tipo de portador de carga mayoritario en cada lado es diferente.
Los portadores de carga mayoritarios de ambos lados en sus movimientos aleatorios, tienden a "caer" a la zona de menor concentracin. Esto produce como efecto una corriente denominada corriente de difusin, JD. Los portadores mayoritarios de ambos tipos se recombinan en la zona de la unin, quedando esta zona prcticamente vaca de portadores mviles. En ambos lados de la unin aparecen zonas donde la carga fija en las impurezas hace el efecto de un condensador; llamadas zona de carga espacial. Esta carga espacial crea un campo elctrico (campo de deriva, EM) y un potencial (potencial de barrera,o) que impulsa los portadores minoritarios de ambos lados, formando una corriente de deriva (J) en sentido opuesto al de la corriente de difusin. La corriente de difusin se establece con portadores mayoritarios y la corriente de deriva se establece con portadores minoritarios. Para una temperatura dada, ambas corrientes se cancelan y se alcanza el equilibrio trmico.

n0

- +
Carga fija

p0

P
h+

Corriente neta de difusin

N
JD

eRecombinacin

P
-

EM

N
- + -+- + - + -+- + - + -+- + - + -+- + - + -+ - +

+++++-

+++++-

+ + + + +

++ ++ ++ ++ ++

Zona de carga espacial (alta resistividad)

P
EM
+

JD J

52

UNION P-N: DIODO PERTURBADO

La zona de carga espacial presenta una concentracin baja de portadores de carga mviles, por la alta recombinacin. La acumulacin de carga procede de las cargas fijas en las impurezas. Esto hace que la zona de la unin sea mucho ms resistiva que el resto del diodo. La unin presenta un potencial de barrera interno, o, cuyo valor depende del material semiconductor. En el Silicio su valor es entre 0.6v y 0.7v, y en el Germanio es entre 0.2v y 0.3v. En sentido directo sobre el diodo, podemos aplicar tensiones positivas o negativas. Como la zona de la unin presenta la mayor resistividad, casi todo el potencial externo aplicado debera caer en la zona de carga espacial, pero el diodo no se comporta como una resistencia. Cuando se aplica un potencial inverso, la zona de carga espacial se ensancha y la barrera de potencial interno se refuerza. El campo elctrico de la suma del campo de deriva y del potencial externo se opone a la circulacin de portadores mayoritarios y acelera los portadores minoritarios. La baja concentracin de portadores minoritarios hace que su corriente sea muy dbil y se denomina corriente de fuga inversa, JR. Con un potencial directo, la zona de carga espacial se reduce y la barrera de potencial se elimina, a costa del potencial aplicado. El campo elctrico resultante favorece la circulacin de portadores mayoritarios. Debido a su gran concentracin, la corriente puede ser muy fuerte y se denomina corriente directa, JF.

P
-+-+-+-+-++++++-

EM
+ + + + +
------

N
+ + + - + - +
-

++ ++ ++ ++ ++

-+- + -+- + -+- + -+- + -+ - +

Zona de carga espacial (alta resistividad)

EM
+
-

VPN P +V 0v E +V
E -V

-V

VPN 0v

JR E +EM -V
+

-V

JF

VPN +V

E -E M +V
- +

0v

+V- 0

53

3.4 - MODELOS DEL DIODO.

El diodo es un dispositivo electrnico cuya comportamiento elctrico es no-lineal, por tanto es necesario describir un modelo que aproxime su curva caracterstica.

Curva Caracterstica: entre dos terminales de un dispositivo, se define como curva caracterstica a la grfica del comportamiento de la intensidad que atraviesa dichos terminales, en funcin de la tensin que soportan: I=I(V).
Dado que el diodo es un dispositivo de dos terminales, basta una curva para determinar su comportamiento. El sentido de la tensin e intensidad se toma de nodo a ctodo y la funcin de la intensidad se aproxima por una expresin de tipo exponencial:

I(V) = ISAT exp

q V 1; KT

Curva Caracterstica del Diodo

I(V) IFMAX
Conduccin Inversa Conduccin Directa

ISAT = Corriente de Saturacin q = Carga del electrn K = Constante de Boltzmann T = Temperatura (K) KT/q = 25mV (300K)

Smbolo:

-VRMAX ISAT
Ruptura Inversa

V V

I(V)
Anodo (+) Ctodo (-)

}
V

Modelos del Diodo:

El comportamiento (esttico o a bajas frecuencias) del diodo puede aproximarse mediante tres modelos (ver figura de la pgina siguiente), cuya aplicacin depender de la relacin entre los valores de las tensiones en el circuito, respecto del valor de la tensin umbral del diodo (V=0.60.7v del Silicio, V=0.2-0.3v para el Germanio).

a) Si las tensiones aplicadas son del orden de la tensin umbral (menores de 10v), entonces se usa el primer modelo (diodo real). b) Para tensiones mayores, en un circuito donde las resistencias sean mayores que rd y menores que ri, se aplicar el segundo modelo. c) Si las tensiones son muy elevadas (mayores de 100v) es apropiado utilizar el tercer modelo, denominado diodo ideal.

54

Aproximacin a tramos de la Curva Caracterstica:

La curva caracterstica en cada modelo es aproximada por comportamientos lineales en los diferentes rangos de tensin aplicados al diodo:
PRIMER MODELO SEGUNDO MODELO DIODO IDEAL

I(V)
IFMAX
OFF Inversa OFF Directa
1/rd

I(V)
IFMAX
rd = 0

I(V)
IFMAX
rd = 0

OFF

ON

OFF -V RMAX

ON

-V RMAX
1/ri

ON Directa

-V RMAX

V
V

V V=0

ri =

ri =

Equivalentes circuitales del diodo:

Dependiendo del valor que toma la tensin aplicada en bornes del diodo, distinguimos estados de conduccin (ON) o bloqueo (OFF). En cada una de las tres modelizaciones, para cada estado posible, se aplica un equivalente circuital del diodo diferente:
Equivalente Circuital del primer modelo: ON Directa V>V Equivalente Circuital del segundo modelo: Equivalente Circuital del diodo ideal:

I(V)

V
(A+)

rd
(K-)

I(V)
ON V>V

I(V)
ON V>0

V
(A+)

rd=0
(K-)

V=0 rd=0

OFF Directa V>V>0

I(V)=0
(A+) (K-)

V I(V)=0 ri=

OFF Inversa 0>V

(A+)

(K-)

Estos equivalentes son vlidos cuando las variaciones de seal en el tiempo son lentas (baja frecuencia), ya que, en paralelo con esos equivalentes, el diodo presenta capacidades parsitas que dan lugar a impedancias importantes para frecuencias elevadas. Podemos distinguir dos: en polarizacin directa la capacidad de difusin (Cd=O(nF)) y en polarizacin inversa la capacidad de transicin (Ct=O(pF)).
55

{
V

I(V)=ISAT ri

OFF V>V

(A+)

(K-)

OFF 0>V

(A+)

{
V

(A+)

(K-)

I(V)=0 ri=
(K-)

3.5 - DIODOS ESPECIALES

Remarcando alguna de las caractersticas de los semiconductores, pueden encontrase diversos tipos de diodos con comportamientos especiales: Varicap, LED, Fotodiodo, Schottky y Zener.

Diodos Varicap: (VARIable-CAPacitor) Son diodos que se utilizan como condensadores variables. Funcionan en polarizacin inversa, aprovechando que la zona de carga espacial se comporta como un condensador.
Si se aumenta la tensin inversa que soporta el diodo, la zona de carga espacial se ensancha y disminuye la capacidad parsita de transicin, ya que el efecto es como si se separaran las placas del condensador. Dado que la capacidad de transicin de un diodo es pequea, tambin lo es la capacidad variable de un Varicap (pF).
Smbolo: Capacidad de Transicin del Diodo

CT (V)
Anodo (+) Ctodo (-)

50pF

V
-15v -5v

10pF

Diodos LED: (Ligth Emitting Diode) Son diodos que se utilizan como emisores de luz. Funcionan en polarizacin directa, y estn diseados para que la recombinacin que se produce en la zona de la unin emita fotones. El LED dispone una zona P estrecha, de forma que los fotones emitidos puedan salir al exterior del cristal.
Smbolo:
Anodo (+) Ctodo (-)

El color (frecuencia) de la luz depende de los semiconductores utilizados (Galio, Arsnico, Fsforo), de forma que la separacin entre la banda de valencia y la de conduccin sea exactamente la energa de un fotn de la frecuencia deseada. Se pueden encontrar emisores de infrarrojos, rojo, amarillo y verde. Presentan muy bajo consumo (apenas se calientan) y pueden integrarse en forma de pantallas luminosas denominadas DISPLAYS. La tensin umbral de estos diodos es ms elevada que en los normales, con valores desde 1.5v hasta 2v, y lucen ms cuanto mayor es la intensidad directa que los atraviesa.
56

}
V

Estructura del LED

Ctodo

Anodo

Fotodiodos: Son diodos que se utilizan como sensores de luz. Tienen una construccin similar a la de los LED, pero funcionan al revs, en polarizacin inversa.
Los fotones incidentes en la zona de la unin, si tienen la suficiente energa, provocan la generacin de un par e--h+. Como la unin est polarizada en inversa, estar sometida a un intenso campo elctrico de deriva que empuja al electrn a la zona N y al hueco hacia la zona P (los alejar como si fueran portadores minoritarios). Cuanto ms intensa sea la radiacin incidente mayor ser la corriente generada, que es en sentido inverso y por tanto una corriente de saturacin. Podemos encontrar este diseo en diferentes usos: clulas detectoras, sensores de iluminacin y clulas fotoelctricas. La combinacin de un LED y un Fotodiodo encapsulados juntos configura un Optoacoplador.
Fotodiodo:
L = Intensidad Luminosa incidente

Optoacoplador: Anodo (+) Ctodo (-) (+) (+)

I(V,L)
Zona de Sensor Fotoelctrico

(-)

(-) Schottky:

V V
Zona de Clula Fotoelctrica

-VR ISAT(L=0) ISAT(L1>0) ISAT(L2>L1)

Anodo (+)

Ctodo (-)

Diodos Schottky: en estos diodos se sustituye el semiconductor de tipo P por un sustrato metlico (Aluminio). La combinacin se comporta como un diodo con tensin umbral de 0.3v.
No genera una zona de carga espacial, de forma que no aparecen capacidades parsitas asociadas al diodo. Por ello, la conmutacin entre estados de conduccin y bloqueo (ON<->OFF) es muy rpida y pueden ser utilizados para trabajar a altas frecuencias (puertas digitales). Por contra, no soportan grandes tensiones inversas.

Otros Diodos: los diodos presentan tensiones umbrales que dependen del tipo de semiconductor utilizado.
Los diodos de Germanio tienen como tensin umbral valores en torno a 0.2v y 0.3v, los de Silicio disponen de tensiones umbrales entre 0.6v y 0.7v. Los diodos de materiales compuestos como el Arseniuro de Galio (AsGa) suelen presentar tensiones umbrales en torno a 1.5v.
57

Rupturas en los diodos: los diodos normales, al ser polarizados en inversa, presentan una tensin mxima (VRMAX) en la que se produce la ruptura catastrfica de la unin P-N. Son posibles dos fenmenos de ruptura: la ruptura zener y la ruptura por avalancha. El primer fenmeno puede hacerse reversible con un dopado elevado y una unin abrupta, el segundo normalmente quema el diodo. Ruptura Zener: en esta ruptura, el campo elctrico de deriva en la zona de la unin es tan intenso que puede llegar a romper los enlaces electrnicos y generar pares e--h+ dentro de la propia unin. Aparece una fuerte corriente en sentido inverso que puede quemar el diodo. Ruptura por avalancha: si el campo elctrico de deriva aumenta lo suficiente en la unin en inversa, los portadores minoritarios son muy acelerados y en sus choques con electrones atmicos dar lugar a rupturas de enlaces. Estos pares e--h+ generados, a su vez se aceleran y realimentan el proceso como una avalancha, hasta quemar el diodo. Diodos Zener: los diodos Zener son capaces de recuperarse de un fenmeno de ruptura zener y sirven para generar tensiones de referencia. En el estado zener, aparece una corriente en sentido inverso que a partir de cierto valor mnimo (IZMIN) no cambia la tensin del diodo, la cual se estabiliza en un valor denominado tensin zener (VZ). En directa funcionan como los diodos normales. El diodo zener presenta en su comportamiento elctrico un tramo ms que los diodos normales: el comportamiento zener, donde su tensin es muy estable y su resistencia muy pequea. Los diodos zener se especifican con tres parmetros: la tensin zener, la potencia mxima que soportan y la corriente mnima en inversa que da la estabilidad de la tensin zener.
Curva Caracterstica del Diodo Zener Smbolo:
Anodo

I(V)
Ctodo

I(V) IFMAX
OFF Directa 1/rd ON Directa

(+)

(-)

-VZ
ON Zener 1/rz

OFF Inversa

Equivalente Circuital del Zener: ON Directa V>V

-IZMIN

-IZMAX
VZ = Tensin Zener PZMAX = V Z IZMAX = Potencia Mxima IZMAX = Corriente Inversa Mxima IZMIN = Corriente Inversa Mnima

OFF Directa e Inversa (A+) V>V>-Vz ON Zener -Vz>V

{
V
rz

{
V I(V)=0

V
(A+)

Vz
(A+)

58

{
V

}
V
rd

I(V)
(K-)

(K-)

Iz
(K-)

3.6 - CIRCUITOS LIMITADORES Y RECORTADORES

Es interesante disponer de circuitos en los que una tensin entrante pueda ser contrastada con un umbral, de forma que la seal de tensin por encima o por debajo pueda salir del circuito. Si disponemos dos umbrales se puede permitir pasar la seal dentro del intervalo de umbrales o fuera de l. Con resistencias, diodos normales y zener pueden disearse este tipo de circuitos. Supondremos que en el anlisis los diodos son ideales (V =0 y sus resistencias en conduccin nulas).

Funcin de Transferencia: al representar grficamente la tensin saliente de un circuito en funcin de la tensin entrante, generamos la grfica de la funcin de transferencia entre estas dos tensiones. Circuito Limitador de un umbral: mediante un diodo normal y un zener, disponemos un valor de tensin umbral igual a la tensin zener. El circuito permite que la tensin entrante salga slo cuando supera el umbral, sindole restado este valor umbral.
En una configuracin del circuito, si el umbral es positivo pasan los valores de tensin positivos mayores. En la configuracin inversa (dando la vuelta a los diodos), el umbral es negativo y slo pasan las tensiones menores:
Circuito Limitador de un umbral: I(Vi) (+) (+) Curva de Transferencia:

Vo(Vi)

Vo = Vi-Vz

Vi
(-)

Vz

Vo
(-)

Vo = 0

Vz Vi

Circuito Limitador de dos umbrales: mediante dos diodos zener, se generan dos valores de tensin umbral establecidos por ambas tensiones nominales de los zener. El circuito permite que la tensin entrante salga slo cuando supera el intervalo demarcado por ambos umbrales, sindole restado la parte de seal que cae dentro del intervalo:
Circuito Limitador de dos umbrales: I(Vi) (+) (+) Curva de Transferencia:

Vo(Vi) -Vz1
Vo = 0

Vo = Vi-Vz2

Vi
(-)

Vz1 Vz2 R

Vo
(-) Vo = Vi+Vz1

Vi Vz2

59

Circuito Recortador de un umbral: es equivalente al circuito limitador de un umbral, cambiando las posiciones de los diodos por la de la resistencia. El efecto es el contrario de la configuracin limitadora: permite que la tensin entrante salga slo cuando no supera el umbral, eliminando las tensiones superiores:
Circuito Recortador de un umbral:
I(Vi)

Curva de Transferencia:

Vo(Vi)
Vo = Vi

Vo = Vz

(+)

Vi
(-)

(+)

Vz

Vo
(-)

Vo = 0

Vz

Vi

Circuitos Recortador de dos umbrales: tambin es equivalente al circuito limitador de dos umbrales, cambiando la posicin de los diodos por la de la resistencia. Permite que la tensin que entra al circuito salga si aparece dentro del intervalo entre los dos umbrales, eliminando los picos de tensin que superan el intervalo:
Circuito Recortador de dos I(Vi (+ (+ Curva de Transferencia:

Vo(Vi
Vo = Vo = Vz2

Vi
(-

Vz1 Vz2

-Vz1
Vo =-Vz1

Vo
(-

Vi Vz2

60

3.7 - CIRCUITOS RECTIFICADORES

En muchos casos, la curva caracterstica I-V del diodo (fig.l) admite una aproximacin lineal a tramos tal como se indica en la fig.2, basada en el muy elevado valor de la pendiente asinttica p=l/R (R del orden de unos pocos ), el bajo valor de la tensin de conduccin VT (del orden de 0.60.7v en Si) y el nfimo valor de la corriente inversa Is (del orden de nA en Si). Esta CARACTERIZACIN IDEAL permite considerar el diodo como elemento completamente unidireccional, comportndose como cortocircuito en polarizacin directa y como circuito abierto en inversa. Su validez depende de que se trabaje con seales elevadas, para que el efecto de la tensin de conduccin sea despreciable y de que las frecuencias sean bajas a fin de obviar los consiguientes efectos capacitivos.

Fig.1

Fig.2

Rectificacin:
En estas condiciones, la aplicacin ms directa del diodo es como elemento RECTIFICADOR PRCTICAMENTE IDEAL, tal como se muestra en las Figs.3. Deber tenerse en cuenta que los valores medio y de pico de la corriente directa y de la tensin inversa que soportar el diodo sean inferiores a los valores lmite dados por el fabricante. La rectificacin constituye un primer paso en procesos de conversin altema-continua, generando niveles de tensin continua (fuentes de alimentacin) a partir de la onda alterna de la red atenuada mediante un transformador.

Figs.3
61

La posibilidad ms simple es la RECTIFICACIN EN MEDIA ONDA, que se obtiene mediante un solo diodo, tal como se indica en las figs.4. Designando por Vmsen(t), =2/T, la onda de tensin en el secundario; los valores medio, Vo, y eficaz, (Vo)rms (rms: root mean square), de la tensin Vo en la carga R vendrn dados por:

El diodo debe soportar los valores de pico de tensin inversa, -Vm, y de comente directa, Vm/R, as como los valores medios de tensin, -Vm/, y de corriente, Vm/R.

Figs.4 Utilizando dos diodos (fig.5) puede obtenerse una RECTIFICACIN EN ONDA COMPLETA aunque, en este caso, la amplitud de la onda de tensin en la carga R es la mitad de la que se tiene entre los extremos del secundario del transformador.

Fig.5 Para evitar esta prdida de tensin en la carga, se utiliza como rectificador de onda completa el PUENTE RECTIFICADOR DE CUATRO DIODOS (fgs.6), donde en los semiciclos positivos conducen los diodos D1-D2 y en los negativos los diodos D3-D4 de modo que, en ambos casos, la tensin en la carga tiene la misma polaridad. Evidentemente, los valores medio y eficaz de la tensin en la carga sern mayores que sus correspondientes en rectificacin en media onda, de modo que, designando por Vm la amplitud de tensin en el secundario menos la prdida de tensin asociada a los diodos, esos valores vendrn dados por:

62

Los diodos deben soportar los valores de pico de tensin inversa, -Vm, y de corriente directa, Vm/R, as como los valores medios de tensin, -Vm/, y de corriente, Vm/R (debe tenerse en cuenta que cada diodo slo conduce durante un semiciclo).

Figs.6 En rectificacin en media onda, la seal del secundario del transformador alcanza la carga a travs de un diodo y en rectificacin en doble onda a travs de dos diodos, por lo que, designando por VF la tensin tpica de conduccin del diodo, el voltaje de pico en la carga se reduce en VF y 2VF, respectivamente, en relacin a Vm (mximo de V1). Por otra parte, la medida de tensin en DC corresponde al valor medio de la onda de tensin, mientras que en AC la medida no coincide con el valor eficaz.

Filtrado:
Para obtener una seal lo ms cotnua posible se deben FILTRAR las componentes alternas de la onda rectificada, lo que se realiza mediante un condensador en paralelo con la carga. En las figs.7 se ilustra la situacin para el caso de rectificacin en media onda, donde el diodo conducir si la tensin en el secundario del transformador supera la tensin en el condensador. As, durante el intervalo T1 el diodo conduce y el condensador se carga, siguiendo la onda rectificada, a la tensin de pico Vm, de modo que el transformador suministra la corriente i correspondiente a la resistencia y al condensador. En el intervalo T2, el diodo se corta y el condensador se descarga exponencialmente por la resistencia, con lo cual, la tensin Vo ser una sucesin de segmentos de sinusoide y exponencial.

63

Figs.7 La misin del condensador C es aproximar la tensin en la carga, Vo , a su valor de pico, Vm (Vm=Vm-2VF; o en media onda: Vm=Vm-VF), de manera que la caida de tensin Vo en el intervalo T2 sea mnima. De este modo, aproximando el intervalo T2 por el periodo T y, consecuentemente, despreciando la caida de tensin en el mismo, lo que significa aproximar la corriente de descarga del condensador por Vm/R, resulta inmediato obtener una expresin de Vo. En efecto, puesto que la carga adquirida por el condensador durante T1, QT1, coincide con la carga cedida durante T2, Q T2, resulta :

donde esta expresin, en la que f representa la frecuencia de la onda alterna de excitacin, nicamente resulta vlida cuando Vo es pequea respecto de Vm, lo que, por otra parte, constituye la situacin de inters. De la expresin anterior se deduce que Vo es menor cuanto mayor es C y menor el requerimiento de corriente en la carga, es decir, cuanto mayor es R, de modo que la solucin estriba en utilizar un condensador de valor suficientemente elevado, especialmente cuando la carga es baja, por lo que se emplean condensadores electrolticos.

Figs.8

64

Sin embargo, puesto que la carga cedida por el condensador durante el intervalo T2 se compensa exactamente por la adquirida en el intervalo T1, se deduce que cuanto mayor sea el valor de C y, por consiguiente, ms pequeo el valor de T1, mayor ser el pico de corriente de carga del condensador, lo que debe tenerse en cuenta en la eleccin del diodo. Asimismo, al aumentar el valor de C y acercarse el valor medio de la tensin Vo al valor de pico de la tensin de entrada, Vm, el diodo deber soportar una tensin inversa de pico mxima -2Vm. El proceso de filtrado mejora notablemente si se rectifica en doble onda mediante un puente de cuatro diodos (fgs.8), lo que resulta obvio puesto que se trata de unir picos de tensin cuya separacin temporal es la mitad que en el caso anterior. Planteando la igualdad de las variaciones de carga del condensador en T1 y T2 suponiendo que Vo es pequea frente a Vm, anlogamente que en el caso anterior, se deduce el valor de Vo :

Por consiguiente, la variacin de tensin resulta la mitad que en el caso de rectificacin en media onda y, por otra parte, su valor es tanto menor cuanto mayor sea la capacidad. Por lo que respecta a los diodos, stos debern soportar el pico de corriente de carga del condensador, tanto mayor cuanto mayor es el valor de C pero, a diferencia de la rectificacin en media onda, la tensin inversa de pico mxima es Vm , es decir, la amplitud de la tensin en el secundario del transformador. Los picos de corriente iD durante T1 (fg.8), se invierten bsicamente en suministrar al condensador la carga que ste cede en T2, con lo cual, el valor medio de la corriente iD coincide prcticamente con el de la corriente de descarga, del orden de Vm/R y sto tanto para rectificacin en doble como en media onda. En efecto, para rectificacin en doble onda:

Por consiguiente, el transformador deber elegirse de modo que el secundario soporte el valor medio de la corriente por la resistencia, Vm/R, tanto mayor cuanto menor sea R.

65

Para caracterizar el proceso de filtrado se define el denominado PORCENTAJE DE RIZADO, Pr, en trminos del cociente entre la amplitud de la onda variacional o de rizado, Vo/2 , y el nivel de continua de la tensin en la carga, Vo, tal como se indica en la fig.9, donde la expresin corresponde a pequeos rizados en rectificacin en doble onda .

Fig.9

Regulacin:
La tensin en el condensador en un proceso de filtrado no es rigurosamente continua y, por otra parte, no resulta fcilmente controlable al depender del transformador utilizado. Sin embargo, a partir de esa tensin de rizado (fig.9), puede obtenerse un nivel prefijado de tensin continua para la alimentacin de una carga y capaz de suministrar la corriente requerida por sta (REGULACIN DE TENSIN). En este sentido, el concepto de carga representa la resistencia equivalente de un sistema que alimentado a un nivel de tensin fijo absorbe una determinada corriente.

Fig.10 Para ello, se puede utilizar inicialmente un diodo Zener con un voltaje caracterstico Vz igual a la tensin de alimentacin deseada (fig.10). De este modo, asegurando que el voltaje en el condensador, Vc, del tipo indicado en la fig.9, presente un valor mnimo superior a Vz , la tensin en la carga R podra, en principio, quedar estabilizada al voltaje del diodo Zener. Para ello, hay que asegurar que la corriente a travs de ste, iz , sea en todo momento superior a la mnima necesaria para polarizar el diodo en su zona inversa caracterstica, as como garantizar el requerimiento de corriente mxima de la carga, lo que lleva a un valor mximo de la resistencia R':

66

Anlogamente pueden obtenerse sendas tensiones continuas, positiva y negativa, las cuales se requieren para la alimentacin, simtrica o no, de muchos sistemas. Para ello, se utiliza un transformador con toma media en el secundario, conectando a cada una de las salidas del puente rectificador, respecto de la citada masa, una configuracin como la indicada anteriormente, tal como se muestra en la fig.l1, de modo que las tensiones de salida corresponden a las tensiones caractersticas de los diodos Zener. En este caso, las tensiones de rizado en los condensadores (fig.12) tienen valores de pico que coinciden, despreciando las cadas de tensin en los diodos del puente, con la mitad de la amplitud de tensin entre los extremos del secundario del transformador. Por otra parte, las resistencias R1 y R2 se eligen de acuerdo con las mismas consideraciones que R' en la estructura unipolar (fig.10).

Fig. 11 Sin embargo, el tomar las salidas directamente de los diodos Zener (figs.10,11) plantea evidentes limitaciones funcionales. As, en los momentos en que la tensin de rizado en los condensadores (fig.12) alcanza su valor ms elevado y, sobre todo, cuando el requerimiento de corriente por la carga, io, es menor, una corriente elevada puede circular por el correspondiente diodo Zener, lo que puede suponer su destruccin por calentamiento. Por otra parte, cuando las variaciones de corriente por un diodo Zener son importantes la tensin de ste tambin varia consecuentemente ya que la curva caracterstica I-V en su zona tpica de operacin no es exactamente vertical. Por consiguiente, las estructuras consideradas (fgs.10,11) nicamente resultan operativas cuando la exigencia de corriente por la carga es pequea (del orden de algunos mA). En caso contrario, hay que conectar la salida de los diodos Zener a la carga mediante transistores, o bien, utilizar reguladores integrados.

67

3.8 DIODO DE PEQUEA SEAL

Esta etapa dispone un diodo en la salida del operacional, de manera que el diodo conduce y establece realimentacin slo si la seal en la entrada no inversora es mayor que la tensin de referencia: Suponemos el diodo en conduccin, entonces hay realimentacin negativa:

I + = I- = 0; ec. 3.8.1

V = V+ ; ec. 3.8.2

La salida del circuito Vo ser Vi, para ello el operacional genera:

VAO = V + Vi; ec. 3.8.3

Cuando la tensin de entrada se hace inferior a la de referencia, el diodo se corta pues su tensin anodo-ctodo se hace negativa. Esto provoca que el operacional funcione en modo no-lineal, saturndose en la alimentacin positiva pues se abre el lazo de realimentacin negativa. En el equivalente circuital despreciamos la resistencia de conduccin del diodo que se interpone entre la fuente de salida del operacional y el nudo Vo.

Diodo de pequea
Vi

Equivalente
Vi Vo +

R Vref

Vo
Vo = Vi; para Vi>Vref; Vo = Vref; para Vi<Vref;

68

ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS 1) Suponer diodos ideales (si es posible). Imponer sentidos reales de corriente a travs de los diodos en cada uno de sus estados.
DIODO IDEAL

ON rd=0
(A+)

DIODO ZEN ER IDEAL

I(V)
IFMAX rd = 0 OFF -V RMAX ON

I(V)
(K-)

I(V)
IFMAX rd = 0 ON d -V z OFF

ON Directa (A+)
rd=0

I(V)
(K-)

V=V=0

V=V=0

Imponer V=V ; Verificar I>0;

V V=0

Imponer V=V; Verificar I>0;

ri =

V V=0
OFF (A+)

I(V)=0 V
(K-)

ri = Diodo: Anodo (+)

ON z rz = 0

OFF ri= I(V)=0

Imponer I=0; Verificar -Vz<V<V;

I(V)
Ctodo (-)

(A+)

(K-)

Ze ner I(V)
Anodo Ctodo

ON Zener

rz=0

Iz
(K-)

Imponer I=0; Verificar V<0;

(+)

(-)

(A+)

V=-Vz
Imponer V=-Vz; Verificar I<0;

2) Analizar desde Vi -> - hasta Vi -> +, por zonas delimitadas por el cambio de estado de cada diodo:
- Diodos: ON <-> OFF - Zeners: ON directa <-> OFF <-> ON zener

3) En cada zona se procede en los pasos: a- Hiptesis sobre el estado de los diodos b- Anlisis del circuito equivalente c- Verificar con V, I de los diodos si la hiptesis es correcta. Si as es: - Imponer el paso de un diodo a la siguiente zona. Por continuidad los diodos cambiarn de estado segn las evoluciones de 1). Si no: - Corregir la hiptesis y volver al paso a).

69

4 - TRANSISTORES BIPOLARES: TECNOLOGIA, MODELOS Y CIRCUITOS

4.1 - INTRODUCCION 4.2 - ESTRUCTURA Y MODOS DE OPERACION 4.3 - CURVAS CARACTERISTICAS Y LIMITACIONES DE OPERACION 4.4 - MODELOS DEL TRANSISTOR BIPOLAR 4.5 - TRANSISTORES BIPOLARES ESPECIALES 4.6 - CIRCUITOS REGULADORES DE TENSION Y CORRIENTE 4.7 - CIRCUITOS DE CONMUTACION 4.8 - CIRCUITOS AMPLIFICADORES

Objetivos del Tema 3

Despus de trabajar este tema, el alumno deber ser capaz de: - Identificar los smbolos de transistores bipolares, su notacin y sentidos de cadas de tensin e intensidades. - Diferenciar y razonar la unin PNP o NPN de la unin de dos diodos. - Explicar los estados posibles del transistor bipolar a partir del comportamiento microscpico de las uniones PNP o NPN. - Explicar caractersticas de retardos en la conmutacin, capacidad, cada de un voltaje en directa y entre los distintos terminales a partir del comportamiento microscpico de las uniones PNP o NPN. - Dibujar las curvas caractersticas de los BJT, identificando en ellas los modos de operacin y los parmetros relevantes y lmites de su funcionamiento. - Razonar las expresiones del comportamiento del BJT en sus diferentes modos de operacin y relacionarlas con su curva caracterstica. - Explicar la conveniencia de usar diferentes modelos para un BJT segn se trabaje con pequea seal, conmutacin o con gran seal. Extraer el modelo para seales de un circuito con BJT (simplificando frecuencias de corte). - Enunciar los principales tipos de BJT, caractersticas diferenciadoras y usos. - Describir, analizar y disear distintas etapas de circuitos bsicos reguladores de intensidad y tensin (con zner), amplificadores y de conmutacin. - Analizar circuitos con transistores bipolares por intervalos, mediante la realizacin de hiptesis y su comprobacin. - Diferenciar la polarizacin y el comportamiento en seales como dos caractersticas de un mismo circuito.

Bibliografa
[STO95, cap.7], [RAS02, ap.5.1-5.2], [MIR01, ap.2.5-2.6], [FER88, cap.4, 5] [NAV92, cap.5 y 6] [PRAT94, cap.7, 10]y [NEU89],

70

4.1 - INTRODUCCION
El Transistor Bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor) se denomina "bipolar" porque la conduccin en este dispositivo se efectua mediante ambos portadores de carga: electrones y huecos. Las capacidades de amplificar corriente, o de actuar como un interruptor controlable por tensin, convierten al BJT en un dispositivo muy verstil. Se dispone en forma discreta (individual) o integrado en circuitos complejos, efectuando operaciones de amplificacin, regulacin y control, conversin de potencia, interruptor lgico ... Fue desarrollado en la Bell Company en 1948 por Bardeen & Brattain, que inventaron el dispositivo de tres terminales alternando tres zonas de distinto tipo de semiconductor extrnseco. Shockley mejor su diseo al reducir la zona de base. Antes de la aparicin del BJT, el dispositivo que cumpla esta funcin era el triodo de vaco. Configurado por una bombilla de vaco que contena un filamento emisor de electrones, una rejilla aceleradora y una placa captadora.

4.2 - ESTRUCTURA Y MODOS DE OPERACION Estructura: el Transistor BJT se obtiene con la alternancia de tres zonas de material semiconductor extrnseco de diferente tipo conductor. Se configuran dos uniones P-N separadas por una zona central denominada BASE.
Dependiendo del tipo de semiconductor extrnseco de cada zona, aparecen dos tipos de transistor BJT: el PNP y el NPN. En cada zona semiconductora se dispone un terminal de conexin, de forma que el BJT es un dispositivo de tres terminales. El terminal conectado a la zona semiconductora con mayor concentracin de dopado se denomina EMISOR (E), el conectado a la zona de menor dopado se denomina COLECTOR (C) y el conectado a la zona intermedia es el terminal de la BASE (B). Dos claves de diseo conducen al transistor BJT: - Un dopado asimtrico de las tres zonas de mayor a menor. - La zona de base es muy estrecha. La primera condicin hace que el BJT tenga el emisor con muchos ms portadores mviles de carga que el colector, por lo que el sentido dominante de la conduccin con esos portadores es desde emisor a colector. La segunda condicin hace que la base sea muy fcil de atravesar por los portadores que vayan entre emisor y colector.

71

Estructura PNP: Emisor Base Colector E

Estructura NPN: Emisor Base Colector C E

P ++ N+ P
B VEC

N++ P + N
B VCE

Smbolo PNP: E (+)

Smbolo NPN: (-) C I C E (-) (-) (+) IB

}
B

IE (+)

IE

(+)

IC

VEB

(-)

IB

(-)

VCB

VBE

El comportamiento elctrico del transistor viene determinado por las tres tensiones y corrientes en los tres terminales. Estas seis incgnitas se reducen a cuatro con las dos ecuaciones de Kirchoff: IE = IC + IB; VCE = VBE - VBC = VBE + VCB; Existen otras dos ecuaciones, denominadas ecuaciones de Ebers-Moll, que reducen el conjunto de incgnitas a dos. Por tanto, basta con imponer dos magnitudes de las seis, para que el comportamiento del transistor est determinado. Habitualmente las dos magnitudes fijadas son las tensiones entre la base y los otros dos terminales: VBE y VBC.

Modos de Operacin: segn los valores de tensin aplicados entre la base y los otros dos terminales (las cuales determinan la polarizacin aplicada a las uniones P-N entre dichos terminales) se distinguen cuatro modos de operacin:
Polarizacin E-B Polarizacin C-B Modo Operacin Utilidad _______________________________________________________________________ Directa Inversa ACTIVO Amplificacin, regulacin Directa Directa SATURACION Conmutador ON Inversa Inversa CORTE Conmutador OFF Inversa Directa INVERSO Ninguna

72

(+)

(+)

(-)

VBC

MODO ACTIVO: la unin P-N entre base y emisor est polarizada en directa y la unin entre base y colector esta polarizada en inversa. Dependiendo del tipo de transistor se tienen los siguientes valores de tensin: Transistor NPN: VBE V 0.7 v; VCE 0.7 v Transistor PNP: VEB V 0.7 v; VEC 0.7 v
PNP:
E (+) (+) (-) C

NPN:
IE
C IB (+) (-) (-) E IE IC

}
(-) B IB

VEB

}
IC

VEC

B (+) VBE

VCE

Las corrientes en los terminales representadas en la figura superior, siguen las relaciones: a) IC = I E ; donde 1 es el Factor de Inyeccin b) I B = I E I C =
c)
1 I C

}
= IC

= ; = ; es el Factor de Amplificacin 1 1+

d) I E = I C + I B = +1 I B; Los transistores normales pueden tener factores de inyeccin muy cercanos a 1 (0.99-0.9975), en consecuencia el factor de amplificacin que se obtiene est en el orden de la centena (100-400). Por ello, la corriente de colector y emisor pueden considerarse iguales si es alta:

I E = ( +1) I B I B = I C;
Una vez polarizado el transistor en el modo o zona activa, la unin P-N entre la base y el emisor queda con la tensin umbral de un diodo, mientras que la unin entre la base y el colector debe soportar tensiones inversas impuestas por el circuito externo. En este modo activo la corriente del terminal de la base ser amplificada por el terminal de colector en el factor de amplificacin .

73

MODO DE SATURACION: las uniones P-N entre base y los otros dos terminales estn polarizadas en directa. Dependiendo del tipo de transistor se tienen los siguientes valores de tensin:

Transistor NPN: VBE V 0.7 v; Transistor PNP: VEB V 0.7 v;

0.7 v > VCE 0.2 v; 0.7 v > VEC 0.2 v;

Una vez polarizado el transistor en el modo de saturacin, la tensin observada entre el colector y el emisor es cercana a cero (0.2v). Las corrientes en los terminales siguen las relaciones: a) I E = I C + I B;

I b) I B > C ;

En este modo de operacin, el transistor se comporta aproximadamente como un cortocircuito entre sus tres terminales.
MODO DE CORTE: las uniones P-N entre base y los otros dos terminales estn polarizadas en inversa. Dependiendo del tipo de transistor se tienen los siguientes valores de tensin:

Transistor NPN: VBE < V ; VCE 0 v; Transistor PNP: VEB < V ; VEC 0 v; Una vez polarizado el transistor en el modo de corte, la tensin observada entre el colector y el emisor es impuesta por el circuito externo. Las corrientes en los terminales representadas en la figura anterior son todas muy pequeas, del orden de las corrientes de saturacin inversa de los diodos, por lo que casi siempre pueden despreciarse:

I C I E I B 0;
En este modo de operacin, el transistor se comporta aproximadamente como un circuito abierto entre sus tres terminales.
MODO INVERSO: es equivalente al modo activo intercambiando los papeles del emisor y el colector.

En este modo de operacin, el transistor se comporta aproximadamente como en el modo activo, pero como su diseo estructural (mayor dopado en emisor que en colector) est orientado para favorecer la inyeccin de corriente desde el emisor al colector, el cambio de papeles da lugar a un modo activo con factor de amplificacin extremadamente bajo que no tiene ningn inters.

74

TRANSISTOR BIPOLAR (NPN) EN ACTIVA

CONCENTRACIONES DE PORTADORES MOVILES DE CARGA

N++ ++ nD
EMISOR

P+ + pA

COLECTOR BASE (estrecha)

nD p0

p0
+ + Fuga de h+ + minoritarios + + EV + EMISOR + + e+ + + I E Recombinacin + en la base + + Corriente + de base

n0
-

N++

P+

RE

----- +++++ N ----- +++++ e ----- +++++ - - - - - - + + + + + h Fuga + e ----- +++++ ----- +++++ COLECTOR ----- +++++ - Arrastre+ + + + - - - - + de h+ - - - - - + + + + + electrones por Ed ----- +++++ + ----- +++++ h IC ----- +++++ ----- +++++ E D ----- +++++ ----- +++++ BASE

VBE
-

= 0.7v;

V +

IB

VBC = R CI C -V';
-

RC

V'

FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO COMO AMPLIFICADOR

Con la polarizacin directa entre base y emisor, la barrera de esta unin se ha eliminado. La corriente de portadores mayoritarios (electrones) desde el emisor es mayor de lo que los huecos de la base pueden contrarrestar, debido a la impurificacin ms elevada del emisor. Muchos electrones que vienen del emisor quedan en la base sin recombinar, donde se comportan como portadores minoritarios del material P de la base. Una fraccin se desva por el terminal de base y la mayor parte es inyectada al colector. Con la polarizacin inversa entre base y colector, la barrera de esta unin se refuerza. El campo elctrico de deriva puede ser muy intenso, y arrastra a los electrones de la base (portadores minoritarios en esa zona) procedentes del emisor, lo que da lugar a una corriente de arrastre muy intensa hacia el colector. Prcticamente el 99% de la corriente de emisor atraviesa la base hasta el colector. Aunque aparecen pequeas prdidas en el proceso debido a fugas de portadores minoritarios en las dos uniones.

75

TRANSISTOR BIPOLAR (NPN) EN SATURACION N++

Fuga EMISOR e+ + + + + + + + + + + + + + + + + -

P+
e-

h+

EV

IE RE
-

h+

e- + h -

+ N + + + + h Fuga + + E V' + COLECTOR + + + + + eIC + + + +

VBE
V
+

= 0.7v;

BASE

V BC
+

= 0.5v; V'
-

RC

IB

FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO
Con la polarizacin directa entre base y emisor, la barrera de esta unin se ha eliminado. La corriente de electrones (portadores mayoritarios) desde el emisor es ms alta que la de huecos desde la base, debido a la impurificacin ms elevada del emisor. Muchos electrones que vienen del emisor quedan en la base sin recombinar, donde se comportan como portadores minoritarios del material de la base. Una fraccin considerable se desva por el terminal de base y otra parte es inyectada al colector. Con la polarizacin directa entre base y colector, la barrera de esta unin se ha eliminado. El colector inyecta electrones a la unin que se recombinan con los huecos mas abundantes de la base. Gran cantidad de los electrones aportados por el emisor a la base llegan al colector, contrarrestando esa corriente. Aparecen diversas prdidas en el proceso debido a fugas en las dos uniones. Ambas uniones conducen en directa, pero la unin E-B tiene mayor tensin umbral.

76

4.3 - CURVAS CARACTERISTICAS Y LIMITACIONES: Curvas Caractersticas: si disponemos el transistor bipolar en una configuracin donde el terminal de emisor hace el papel de terminal de referencia, encontramos que el comportamento elctrico del transistor puede ser descrito por dos curvas caractersticas, en las que deben establecerse dos magnitudes: la tensin en bornes de los terminales como variable de abscisas y otra magnitud cualquiera que determina una familia de curvas paramtricas:

IC = F2( VCE , IB = parmetro ); Curvas Colector-Emisor IB = F1( VBE , VCE = parmetro ); Curvas Base-Emisor
IB (VBE ,VCE) VCE =5v, 1v
cin Satura

IC (VCE ,I B)

IB =25 mA
Modo de Activa

IB =15 mA IB =10 mA IB = 5 mA VCE

Corte I B=0;

V
Fig-1 Corte

VBE
Fig-2

Activa o Saturacin

En la configuracin con el emisor de referencia (para el transistor NPN), las curvas caractersticas entre los terminales base-emisor son similares a las curvas exponenciales de los diodos (ver Fig-1), disminuyendo ligeramente la tensin umbral conforme aumenta la tensin VCE. Si la unin B-E conduce, entonces el transistor puede estar en los modos de activa o saturacin. Si la unin B-E no conduce, entonces el transistor est en corte. Las curvas caractersticas entre los terminales colector-emisor son como las de la Fig-2. En una curva paramtrica particular (generada con un valor del parmetro IB) se observa que: al aumentar inicialmente el valor de la tensin VCE, la corriente de colector aumenta fuertemente hasta que, una vez superado el valor de la tensin umbral (0.7 v), la variacin de la corriente de colector es muy pequea y aparece una zona de comportamiento plano. Entre las diferentes curvas paramtricas se observa que: conforme aumenta la corriente de base, las curvas proporcionan mayores corrientes de colector en la zona plana. En estas zonas planas se cumple que la relacin entre la corriente de colector y la de base es igual al valor de . Si la unin B-E conduce en directa, entonces el transistor puede estar en los modos de activa o saturacin (Fig.1). Si el valor de la tensin C-E es mayor que 0.7v estar en activa y, si es menor, estar en saturacin (Fig.2).

77

Limitaciones de Operacin: en el transistor bipolar se tienen limitados los valores mximos de tensin y corriente que puede soportar. En particular interesan tres: ICmax, VCEmax y Potenciamax.

IC (VCE ,IB ) ICmax

Potmax

SOA
ICq

Q=(VCEq, I Cq)

VCEq

VCEmax

VCE

Si delimitamos la curva caracterstica entre los terminales C-E con estos tres valores, se establece el rea de operacin segura: SOA (Safe Operating Area). La limitacin de corriente de colector impone una altura mxima, la limitacin de la tensin C-E impone un tope a la derecha y la limitacin de potencia es una curva de tipo hiperblico.

4.4 - MODELOS CIRCUITALES DEL BJT:

Transistor NPN: E IE IB Equivalente NPN: R IR Emisor IE IF IR IB Base B E = F R IR C= F IF IR F IF Colector IC

C IC

Para cada modo de operacin del transistor BJT, se utilizan dos modelos circuitales del dispositivo: uno para el anlisis de corriente continua (CC) y otro para el anlisis de seales alternas (CA). Los seis modelos de inters pueden derivarse de una configuracin circuital que considera al transistor (en este caso un NPN) como un par de uniones P-N (diodos) con un fuerte acoplamiento (modelo de EbersMoll). Este efecto se manifiesta con dos fuentes de corriente dependientes como las representadas en la figura lateral.

Dependiendo de la polarizacin de las uniones, se sustituyen los equivalentes de los diodos y algunos elementos pueden despreciarse por tener pequeas corrientes. Esto da lugar al equivalente circuital para CC del BJT en cada polarizacin. Anulando las fuentes continuas (de tensin y corriente) se deducen los equivalentes para CA.

78

Modo Activo (NPN): la unin B-E polarizada en directa y la unin B-C polarizada en inversa se sustituyen por sus equivalentes del diodo. Dado que la IF es muy elevada (equivale a la corriente en directa de un diodo) y la IR muy pequea (equivale a la corriente en inversa de un diodo), podemos despreciar las ramas dependientes de IR, con lo que se obtiene el modelo equivalente en CC del BJT en modo activo:
Equivalente NPN en activa: RIR Emisor IE rd V IF IB ri IR Base F IF Emisor IE rd V IF IB Colector IC Base Equivalente CA: i C = iE iE E hib B iB C F IF Colector IC E= F C= F IF

Equivalente CC: IE E hib V B IB C = IE C

En el modelo del BJT, la rd (resistencia del diodo en directa) se denomina hib. Para obtener el modelo equivalente en seales alternas (CA) se anula la fuente de tensin V y la componente de continua (CC) de la fuente de corriente dependiente, la cual est en paralelo con la componente corriente de CA. A su vez, el equivalente obtenido puede ser reconvertido, para dejar la conexin de emisor sin resistencias:
Equivalente CA (base comn): i C = iE iE
E
hib

Equivalente CA (emisor comn): i C = iE iE

E
hie

C B iB

C B iB

Donde se cumple que hie=( +1)hib. Para el transistor BJT de tipo PNP, los modelos contienen los mismos elementos y slo cambian los sentidos de las corrientes y tensiones.
79

Modo Saturacin (NPN): ambas uniones polarizadas en directa se sustituyen por sus equivalentes del diodo. Dado que la impurificacin del emisor es cientos de veces superior a la del colector, la IF es ms elevada que la IR. Esto provoca que la corriente neta que cruza la unin B-C vaya en sentido opuesto a su polarizacin directa.
Podemos obviar las ramas con los generadores de corriente dependientes, ya que entre los terminales de ambas uniones se miden las tensiones umbrales. Notar que la unin B-C presenta menor tensin que la umbral de 0.7 v, debido a que la corriente inyectada desde el emisor circula por su rd en sentido contrario. Por otro lado, desconocemos la relacin entre las corrientes de emisor y colector, aunque sabemos que la corriente de colector ser menor que la mxima, dada por: IB.
Equivalente NPN en saturacin: R IR F IF Emisor IE rd V rd V' Colector IC IR Equivalente Ideal: Equivalente CC: IE E rd V rd B IB V' C C

IF IB

Base

IE

rd

rd IB

V' IC E

IE

}
B

Emisor

Colector

VCE = 0.2 v C C V V'

IF

Base

FIF -IR

Modo Corte (NPN): ambas uniones polarizadas en inversa se sustituyen por sus equivalentes del diodo. Las corrientes de todos los terminales sern muy pequeas, y al igual que en el caso de saturacin, podemos obviar las ramas de los generadores dependientes, con lo que el equivalente queda como dos ramas de elevada resistencia:
Equivalente en Corte: C E E
ri

Equivalente Ideal:
C
E E = 0 B
C = 0
B = 0

r'i

IB

80

4.5 - TRANSISTORES BIPOLARES ESPECIALES: Par Darlington:

Si integramos dos transistores en cascada, se puede conseguir que el factor de amplificacin () del par sea aproximadamente el producto de los factores de ambos transistores. Esta configuracin permite disponer de transistores con factores de amplificacin muy elevados (1000-10000).
NPN:
C IB B 1 2 E IE IC

NPN:
IB B (+) VBE =1.4 v

IC

= 1 2

IC= IC1+IC2 = 1IB+2 (1+1)IB 12IB = IB; VBE = 2V =1.4v;

}
(-) E

IE

Fototransistor:
En este tipo de transistor, la unin B-C est expuesta como en los fotodiodos, para que la luz incidente genere pares e-h que varan la corriente de colector. El transistor se polariza en modo activo, de forma que la unin B-C est en inversa y las variaciones de luz son convertidas a una seal superpuesta a la corriente de colector.
Fototransistor:
C B B E E E

Transistor Schottky:
C C B

Transistor Schottky:

En este tipo de transistor, la unin B-C tiene en paralelo integrado un diodo de tipo Schottky. Este diodo permite que el transistor pueda salir rpidamente del modo de saturacin. En consecuencia, es un transistor ptimo para funcionar en conmutacin a altas frecuencias (implementado principalmente en puertas digitales).
81

4.6 - CIRCUITO DE CONMUTACION DEL BJT (NPN):

Los transistores BJT pueden hacerse funcionar como interruptores controlables por la tensin aplicada en la base; ya que si imponemos una VBE<V, el transistor est en corte como un circuito abierto entre sus terminales, y si la tensin VBE>V, el NPN puede conducir en el modo de saturacin como un cortocircuito entre sus terminales.
Circuito de conmutacin elemental (inversor con NPN)
Vcc
IB
Vi
Vcc
Vcc

RC
NPN

IC

RC Vi < 0.7 v;

I
IB

RC

IC

{
Fig-1

RB

RB

VCE

RB

Vi > 0.7 v;

VCE

Transistor en Corte I E = IC= I B = 0;

Transistor en Saturacin 0<VCE < 0.7v;

El circuito de la Fig-1 (inversor en electrnica digital) permite trabajar al transistor entre estos los modos de saturacin y corte. El BJT se lleva al modo de corte con un valor de Vi menor que los 0.7 voltios necesarios para polarizar la unin B-E. Para asegurar el modo de saturacin, con un valor de Vi mayor que los 0.7 voltios, se necesitan resistencias apropiadas. En el circuito de la Fig-1 se supone el valor de Vcc y los posibles valores de Vi determinados. Habitualmente tambin estn determinadas, o Rc, o Ic, pero no ambas. Conocido el valor de una, se deduce el otro al aplicar la condicin de que VCE en el modo de saturacin se acerca a cero, entonces:

RC =

Vcc - Vce Vcc ; IC IC

Los lmites del valor de RB se obtienen a partir del valor de Vi que polariza la unin B-E (Vi>0.7v) y que har conducir al BJT. Tambin debe conocerse la corriente de colector (suponiendo conocida), ya que en saturacin se cumplir que IB>IC/. Puede ser importante tener en cuenta que la corriente de base proporcionada por la fuente Vi puede estar limitada (Iimax>IB).

RB =

Vimax - Vbe

IB

Vimax - 0.7v

IB

; donde I imax I B

IC

Aplicando la primera frmula en los dos lmites de IB se deduce el intervalo de valores de RB apropiado para imponer saturacin.

82

Configuraciones de encendido:

En la figura se representan dos posibles circuitos para encender una lmpara controladamente mediante un BJT (NPN). Ambos circuitos hacen lucir una lmpara, pero en modos de operacin del BJT diferentes: en uno luce con el BJT en saturacin y en el otro con el BJT en corte.
Configuraciones de encendido de una lmpara Vcc Vcc RC Vi
NPN

RB

Vi

NPN

RB

La lmpara luce con el transistor en Saturacin, y soporta Vcc.

La lmpara luce con el transistor en Corte, y recibe una fraccin de Vcc.

El primer circuito con la lmpara en la rama desde el colector hasta la alimentacin Vcc, tiene ventajas frente al segundo circuito: - La lmpara recibe la tensin de alimentacin (excepto VCE = 0.2v) - La potencia disipada se aplica en la lmpara (excepto las prdidas en el BJT, Pot =VCE IC ). - El BJT y la fuente Vi slo conducen cuando luce la lmpara. Por otro lado, el segundo circuito puede ser ms interesante si: - La lmpara necesita una tensin menor que Vcc - La lmpara debe estar conectada a tierra (esta condicin puede soslayarse en la primera configuracin con una -Vcc) El primer circuito sigue las relaciones para el circuito inversor, cambiando las especificaciones de RC e IC, por las que imponga el funcionamiento de la lmpara (VL, IL). En el segundo circuito, el valor de RC vendr determinado por las condiciones de funcionamiento de la lmpara (VL, IL), con el BJT en corte. Entonces se cumple:

RC =

Vcc - V L ; IL

Cuando la lmpara est apagada, el BJT est en saturacin y obliga a que la lmpara vea entre sus bornes una tensin casi nula (0.2 v). Dado que en el clculo anterior se habr fijado RC, se impone este valor en la deduccin de RB siguiendo el mismo proceso que en el circuito inversor.

83

4.7 - CIRCUITOS DE AMPLIFICACION CON BJT

La amplificacin se efectua sobre seales (>0) superpuestas a niveles de continua, haciendo trabajar al BJT en modo activo. Para ello, se dispone al transistor en una red de polarizacin (red de resistencias) que establece el punto de trabajo del transistor: Q=(VCE, IC). La red de polarizacin tpica aparece en la figura (para un NPN) y presenta un divisor de tensin R1-R2 que establece la tensin continua en la base (VB). Si VB polariza la unin B-E, el transistor podr conducir. El modo activo se impone obligando a que en la rama C-E exista una cada de tensin positiva entre el colector y el emisor suficiente. Si la tensin C-E cae a cero el BJT entrar en saturacin.
Red de polarizacin: Vcc I+IB R1 R C IB
B

IC
C E EQUIVALENTE

IB RB V BB

RC
C B

IC Vcc IE

NPN

NPN
E

I Fig-1

R2 R E

IE Fig-2

RE

Anlisis de polarizacin en CC:

En principio, si la corriente de base no es despreciada, podemos deducir el equivalente de Thevenin del divisor de resistencias R1-R2 visto desde el terminal de base:

V R VBB = cc 2 ; R1 + R2 R B = R1||R2 = R1 R2 ; R1 + R2

ec. 4.7.1;

ec. 4.7.2;

En el circuito resultante tenemos dos ramas cuyas ecuaciones son:

VBB 0 = RB IB + VBE + I E R E ; VCC 0 = RC I C + VCE + I E R E ;

y las corrientes: I E = ( +1) I B; ec. 4.7.5; ec. 4.7.6;

ec. 4.7.3; ec. 4.7.4;

I C = I B ;
84

Aproximaciones:

Una de las primeras aproximaciones es despreciar la aportacin de la corriente de base frente al resto de corrientes. Para ello, es necesario que la sea elevada (>100) y que las resistencias R1 y R2 no sean muy grandes (de forma que el producto RBIB sea mucho menor que los otros trminos de la ecuacin 4.7.3). En este caso, es innecesario obtener el equivalente de Thevenin y bastar con deducir el valor de la tensin de base VBB impuesta por el divisor R1-R2. Con esta aproximacin las corrientes de colector y emisor son iguales, y de las ecuaciones 4.7.3 y 4.7.4 pasamos a:

VBB = VBE + IC R E = 0.7v + I C RE ; ec. 4.7.7;

V CC = (R C + R E )I C + V CE ;
ec. 4.7.8; Donde ya se podra despejar el punto de trabajo Q sustituyendo los valores resistivos, VCC y la tensin VBE=0.7v.
Configuraciones amplificadoras:

La red de polarizacin establece el punto Q de trabajo del transistor imponiendo valores de tensin continua ( =0) en sus terminales. Si estos niveles de continua son fuertemente perturbados, cambiar el punto de trabajo del transistor. Por tanto, debemos asegurar que, al conectar este circuito (etapa) con otros, estos niveles de continua no se vean modificados. Para evitar este problema, se incorporan condensadores para establecer la conexin, denominados condensadores de acoplo, que se encargan de aislar las tensiones de continua entre los nudos en que estn conectados. Esto es debido a que en continua la impedancia de los condensadores es infinita. La eleccin de los condensadores se hace de forma que su impedancia para el rango de seales que se desea comunicar sea pequea en comparacin con las resistencias que lo rodean (en realidad con la resistencia equivalente que se ve en bornes del condensador):
P.E. para 10 KHz y resistencias del orden de Kilohmios

= 2104 -> Zc = |-j/C2104| -> con C = 10 F -> Zc = 1.6 Ohmios Mediante condensadores de acoplo en cualquiera de los terminales del transistor, podemos introducir seales de amplitud pequea en comparacin con los niveles de continua, y extraer la seal resultante en otro de los terminales. As aparecen tres configuraciones amplificadoras bsicas, dependiendo de en qu terminales del BJT se introducen y extraen las seales. El terminal no utilizado se denomina comn y da nombre a la configuracin amplificadora.

85

Las etapas son: - Base comn: entrada en emisor y salida en colector. - Emisor comn: entrada en base y salida en colector. - Colector comn: entrada en base y salida en emisor. Cuyas caractersticas se enumeran en la tabla:
Caractersticas Base Comn Emisor Comn Colector Comn ______________________________________________________________________ Ganancia en tensin Alta + /2 Alta - /2 Baja 1 Ganancia en corriente Baja 1 Alta - /2 Alta + Impedancia entrada Impedancia salida Utilidad Baja ( Alta (M Amp. en V Media (K Media (K Amp. en V e I Alta (M Baja ( Amp. en I

Etapa en Emisor comn:

Esta etapa suele presentar un condensador extra (CE), denominado condensador de desacoplo, que se comporta para las seales como un cortocircuito desde el terminal de emisor a tierra. Este efecto aumenta mucho la ganancia de la etapa para seales.
Etapa en Emisor Comn
Vcc

Etapa de entrada
Rg

C1

R1
(+)

RC
C B

C2
(+)

Etapa de salida
(+)

NPN
E

RL
(+)

Vg

R2

RE

Vo

CE

En el circuito, los condensadores de acoplo, C1 y C2, conectan las etapas de entrada y salida (dibujadas con sus equivalentes) con la etapa del transistor.
Anlisis en continua del circuito (CC):

En primer lugar debe determinarse el punto de operacin del BJT mediante el anlisis del circuito equivalente en continua. Para ello, se efectan los pasos: - Anular todos los generadores de seales. - Sustituir los condensadores por circuitos abiertos - Sustituir las autoinducciones por cortocircuitos Sobre el circuito resultante se clcula el punto de operacin, aplicando los equivalentes en continua de los BJT, diodos ...
86

Anlisis en seales del circuito (CA):

Este anlisis en seales se efecta sobre el circuito equivalente para seales. Para ello, se efectan los pasos: - Anular todos los generadores de continua. - Sustituir los condensadores por cortocircuitos - Sustituir las autoinducciones por circuitos abiertos - Sustituir los equivalentes en CA de los dispositivos: BJT, diodos ...
P.E. El circuito equivalente en seales del emisor comn, sustituyendo el equivalente de CA del NPN en activa y en emisor comn, es:
Circuito equivalente de la etapa en Emisor Comn C2 C1 C Rg Vg RB
B

NPN
E

RC CE

(+)

RE

RL

Vo

ig Vg

B Rg
(+)

iB hie RB E

iC= iB RC

C RL

iO
(+)

Vi

Vo

La ganancia en tensin Vo/Vi viene dada por:

Vo i C (R C ||R L ) (R C ||R L ) A = = = ; ec. 4.7.9; V Vi i B hie 2 hie

Mientras que la ganancia en corriente io/ii:
L AI = o = = AV i g Vi / (R B ||hie)

Vo / R

(R ||hie)
B

RL

R R B C = ; 2 R B + hie R C + R L

Si no existe el condensador de desacoplo CE, la resistencia de emisor RE permanece en el circuito equivalente para seales, y acopla el terminal de base con el de colector. Las expresiones de ganancias cambian completamente, reducindose su valor, y la resolucin es ms complicada.

87

Rectas esttica y dinmica de carga:

a) Recta esttica: en la etapa de polarizacin cuando la beta es elevada podemos aproximar la corriente de colector como:

IC = VCC / (R C + RE ) VCE / (R C + RE );

ec. 4.7.10;

Esta es la ecuacin de una recta de pendiente: 1/Rcd=1/(RC+RE), que pasa por el punto de polarizacin Q=(IC, VCE). A esta recta se la denomina recta esttica de carga y a la resistencia Rcd, resistencia esttica de carga. Cuando modificamos IC o VCE, el nuevo punto de polarizacin se desplaza por esta recta. b) Recta dinmica: en seales el circuito equivalente es diferente del que se ve en continua. Por ello, la relacin entre la tensin de salida en seales y la intensidad de salida siguen una recta diferentes, denominada la recta dinmica de carga. Dependiendo de la configuracin amplificadora escogida (Emisor comn, Colector comn, Base comn), tendremos una resistencia dinmica de carga (Rca) definida por:
v R ca = Salida Comn ; iSalida

ec. 4.7.11;

88

Para las tres configuraciones tendremos: Emisor comn Salida Colector: Base comn Salida Colector: Colector comn Salida Emisor: Rca = | vce / ic | Rca = | vcb / ic | Rca = | vec / ie |

Ambas rectas se cortan en el punto Q, pero tienen distintas pendientes (resistencias de carga). Cuando hay una variacin de la seal de entrada, la seal amplificada sigue los puntos pertenecientes a la recta dinmica de carga, cuyos cortes con los ejes son los puntos lmites de operacin del transistor en los que la seal de salida queda distorsionada. Si corta el eje VEC, el transistor entra en corte y si corta el eje IC, se habr llevado al transistor a saturacin. Interesa que la excursin de la seal de salida presente estas distorsiones simtricamente, de forma que las excursiones de la seal amplificada, positivas y negativas respecto del punto de operacin Q, sean iguales. Para ello, se disea el circuito con el punto Q en medio de la recta dinmica de carga, lo cual impone una condicin de diseo a la red de polarizacin:

VSalida Comn (en DC) = Rca I Salida (en DC)

ec. 4.7.12;

89

Etapa en Colector comn:

Esta etapa se utiliza como circuito adaptador de impedancias. Al presentar una elevada impedancia de entrada para la seal, no carga excesivamente la fuente de seal; es decir, la corriente desde la fuente de seal puede ser pequea. En la salida la impedancia es muy baja, lo que significa que puede proporcionar grandes corrientes a la carga. La red de polarizacin puede disponer una resistencia nula en la rama de colector, ya que es el terminal comn, y la resistencia de carga puede ser la propia resistencia en la rama de emisor. De esta forma la ganancia en corriente, obtenida en RL respecto de la entregada por la fuente Vg, es aproximadamente +1.
Etapa en Colector Comn

Vcc
C1
Rg
Vg

R1
(+)

RC
C B

(+)

Vcc

SIMPLIFICADO

NPN
E

(+)

C2
RL
(+)

Rg
Vg

NPN
E
(+)

R2

RE

Vo

RL

VB

Vo

La fuente VB proporciona la tensin de polarizacin para la unin B-E, pero puede eliminarse si las seales de Vg son positivas. Cuando la seal tiene excursiones positivas y negativas se aade una etapa de alimentacin simtrica (-Vcc) con un transistor PNP:
Etapa Adaptadora de Impedancia
+Vcc
C

V +V -V

Distorsin de cruce por cero Vg t Vo

Rg Vg

B B

NPN
E (+)

PNP
C

RL

Vo

-Vcc

La etapa simtrica amplifica en corriente tanto para las seales positivas (conduce el NPN y el PNP en corte) como para las negativas (conduce el PNP y el NPN en corte). Debido a que parte de la seal es utilizada en la polarizacin de las uniones B-E, la seal amplificada sobre la carga presenta lo que se denomina una distorsin de cruce por cero. Veremos que esta distorsin puede eliminarse usando Amplificadores Operacionales.

90

Etapas de AO con alta corriente de salida:

El AO741 tiene limitada la corriente de salida que puede proporcionar a un valor insuficiente para muchas aplicaciones. Para aumentar la corriente de salida se dispone en su salida una etapa de adaptacin de impedancias con transistores, de forma que sean los transistores los que proporcionen la fuerte intensidad necesaria. La etapa de adaptacin de impedancia puede utilizarse en cualquier configuracin circuital, aunque en el dibujo se presenta para una configuracin no-inversora. La conexin de realimentacin se suele disponer sobre la carga en lugar de a la salida del AO, de esta forma desaparece la distorsin de cruce por cero (excepto para muy altas frecuencias).

+Vcc

R1

R2
B

NPN
E (+)

Vo
-Vcc

Vg

Rg

PNP
C

RL

VL

Etapa No-Inversora con Adaptacin de Impedancia

91

ETAPAS AMPLIFICADORAS TIPICAS CON BJT

Vcc
R1

Rc

C2

iL
RL

Vcc
R1

Rc

C2

ii

iL

Vcc
R1

C1

+
Vi
R2

Q1
Ce

+
Vo
Cb

Q1
R2

C1

ii +
Vi

+
RL

ii +
Vo
Vi

C1

Q1 C2
Re
RL

iL

+
R2

Re

Emisor Comn

Re

Vo

Base Comn

Colector Comn

AV =

Vo RC RL = O( ) ; hie 2 Vi

RC RL
hie

O( ) ; 2

1 + hie

1 1; ( + 1)( Re RL )

AI =

iL RC RB = O( ) ; i i (hie + RB )( RC + RL )

(R C R E ) / (R C + R L ) 1; (h ie ( + 1) + RE )
( + 1) ( RB RE ) /( RE + RL ) R O( B ) [hie + RB + ( + 1) RE RL ] RL

R i = R B h ie O(K) ;

RE

hie O() ; ( + 1)

RB hie + ( + 1) ( RE RL ) O ( RB )

R o = R C O(K) ;

R C O(K)

h + RB R E ie O() +1

rs =

RC +

RE

RC

RE

rd =

RC RL

RC RL

RE RL

Punto Medio V CEq = ICq r d

V CBq = I Cq r d

V ECq = I Eq rd

Para obtener alguna idea del orden de las magnitudes obtenidas, se pueden suponer todas las resistencias iguales en las expresiones (aunque nunca lo sean) y se obtienen los valores especificados tras el smbolo .
92

4.8 - CIRCUITOS REGULADORES:

Los circuitos reguladores proporcionan tensiones o corrientes de CC. A partir de una fuente de tensin con rizado (Vcc), es posible generar fuentes de tensin o corriente muy estables con transistores en activa.
Reguladores de tensin:

El transistor (NPN) se puede polarizar en modo activo con un divisor de resistencias conectado a su base, con la fuente de tensin Vcc entre sus bornes, como en la Fig-1. La resistencia inferior puede sustituirse por un diodo zener para imponer en la base una tensin muy estable, como en la Fig-2. En ambos circuitos la resistencia de carga es Ro, que ver una tensin nominal Vo menor que la Vcc, pero mucho ms estable.
Vcc I+I B R1 Iz+I B IB B R2 Fig-1 E C IC
NPN

Vcc MEJORA Iz
(+)

R IB B

IC
NPN

IE Ro

E Vz Fig-2 (Vss)

IE Ro

Vo

(Vss)

Ambos circuitos tienen limitada la corriente a un valor mximo que depende de la potencia que el transistor pueda soportar, o de la corriente que la fuente de alimentacin Vcc pueda proporcionar. En el primer circuito, si se cumple la relacin:
Vcc (Vss) R1+ R2

I =

>> I B =

IC

se puede considerar el efecto de IB despreciable y la Vo ser:

Vo =

R2 Vcc V = VB V ; R1+ R2

En el segundo circuito, si el zener est bien polarizado (Izmin<Iz<Izmax), la tensin de salida es:

Vcc Vz Vo = Vz V ; donde I z = I R IB = R

IC

93

Reguladores de corriente:

El transistor (NPN) polarizado en modo activo con un zener entre la base y el emisor, impone en la base una tensin muy estable. Fijando la resistencia de emisor adecuada, la corriente de emisor estar fijada a un valor que (para elevada) determina tambin la corriente por el colector. En este terminal se puede considerar que se dispone de una fuente de corriente estabilizada. Dependiendo del tipo de transistor se pueden disear dos configuraciones del circuito que permiten disponer alternativamente la resistencia de carga entre el colector y la fuente de alimentacin o el terminal de referencia. En ambas figuras, los valores de tensiones entre parntesis tambin son combinaciones vlidas para polarizar los transistores.
Carga a alimentacin Vcc (tierra)

Carga a masa Vcc (tierra)

Ro

Vz

R
IB
Vz

RE

IC
NPN

IB
PNP

IE

IC
R
Ro
(-Vcc)

RE
(-Vcc)

IE

Si el zener est bien polarizado y si se cumple que es muy elevado (>100), en ambos circuitos se obtiene una fuente de corriente de valor:

IC IE =

V Z V BE V Z 0.7v ; = RE RE

Estos circuitos tienen limitado su funcionamiento a cierto valor resistivo de carga mximo. Ambos circuitos dejan de funcionar correctamente, cuando la Ro es tan elevada que lleva al transistor a saturacin (|VCE| = 0.2 v), ya que la tensin en bornes de la Ro aumenta tanto que elimina la polarizacin inversa de la unin base-colector.
V CC V Z = Ro IC + V CB;

ROmax

Vcc - Vz ; IC

94

ANALISIS DE CIRCUITOS CON BJT

Por claridad, imponer sentidos reales de corriente a travs de los transistores:

PNP:
VEB E (+) (+) (-) C

NPN:
IE
C IB (+) (-) (-) E IE IC

}
(-) B IB

}
IC

VEC

B (+) VBE

VCE

La metodologa paso a paso consiste en calcular la tensin aplicada por el circuito sobre el BJT entre base y emisor, suponiendo que ste no conduce. Esta tensin permite comprobar si la unin base-emisor (y por tanto el BJT) entrara en conduccin o no. Si hay tensin para que la unin base emisor conduzca, imponemos en ella el valor 0.7v en el sentido apropiado y hacemos una nueva suposicin escogiendo entre activa y saturacin. El proceso es como sigue:
1 - Si BJT en corte: NPN: Comprobar -> VBE < 0.7 v PNP: Comprobar -> VEB < 0.7 v 2 - Si BJT no est en corte entonces est en conduccin: NPN: imponer VBE = 0.7 v PNP: imponer VEB = 0.7 v 2.1 - Suponemos zona activa imponiendo -> IC = IB NPN: Comprobar -> VCE > 0.7 v PNP: Comprobar -> VEC > 0.7 v 2.2 - Si no es activa, debe ser saturacin, por lo que imponemos: NPN: Imponer -> VCE = 0.2 v PNP: Imponer -> VEC = 0.2 v

En ambos tipos de BJT se debe cumplir: IC < IB; si no es as, hemos cometido algn error de clculo.

95

5 - TRANSISTORES UNIPOLARES: TECNOLOGIA, MODELOS Y CIRCUITOS

5.1 - INTRODUCCION 5.2 - ESTRUCTURAS (MOS-FET, JFET) Y FUNCIONAMIENTO 5.3 - CURVAS CARACTERISTICAS Y MODELOS 5.4 - CIRCUITOS DE APLICACION

Objetivos del Tema 4

Despus de trabajar este tema, el alumno deber ser capaz de: Identificar los smbolos de transistores unipolares, su notacin y sentidos de cadas de tensin e intensidades para MOSFET canal N, canal P (acumulacin o vaciamiento) y JFET canal N y canal P. Establecer analogas y paralelismos entre el transistor unipolar MOSFET y el bipolar, identificando sus diferencias bsicas. Describir los mecanismos de conduccin y corte en MOSFET. Razonar los estados posibles del MOSFET a partir del comportamiento de la formacin de canales. Dibujar las curvas caractersticas de los MOSFET y el paralelismo con los bipolares, identificando en ellas los modos de operacin y los parmetros relevantes y lmites de su funcionamiento. Describir las expresiones correspondientes al comportamiento del MOSFET en sus diferentes modos de operacin y relacionarlas con su curva caracterstica. Utilizarlas ordenadamente para la resolucin de problemas para establecer y comprobar hiptesis. Representar el modelo en modo lineal y conmutacin del MOSFET. Describir, analizar y disear circuitos bsicos reguladores de intensidad, amplificadores y de conmutacin. Analizar circuitos con MOSFET por intervalos, mediante la realizacin de hiptesis y su comprobacin.

Bibliografa
[STO95, cap.6], [RAS02, ap.5.3], [MIR01, ap.2.7-2.9], [FER88, cap.6] [NAV92, cap.7 y 8] [PRAT94, cap.8, 10] y [PIE90].

96

5.1 - INTRODUCCION:

Este tipo de transistores se denominan "unipolares" porque la conduccin por estos dispositivos se efectua mediante un nico portador de carga: electrones o huecos. Reciben el nombre genrico de transistores de efecto de campo (FET, Field Effect Transistor), porque su control de conduccin lo proporciona el campo elctrico de una tensin, mientras que en los transistores BJT el control era mediante la corriente de base. Tienen las mismas utilidades que los BJT, pero como la tecnologa para su implementacin tard ms tiempo en aparecer, todava no los han desbancado. Presentan mayor aplicacin que los BJT en el campo de la Electrnica Digital, ya que son muy fciles de reducir en tamao y consumo, pero tienen menor aplicacin en el campo de la Electrnica Analgica y de Potencia (generalmente se incluyen en circuitos hbridos con los BJT). Existen dos grandes grupos de transistores FET:
d) J-FET (Junction FET): Transistores de Efecto de Campo de Unin e) MOS-FET: Transistores Semiconductor).

MOS

(Metal

Oxide

5.2 - ESTRUCTURA Y FUNCIONAMIENTO MOS-FET: su estructura bsica consta de dos pozos de material semiconductor extrnseco de tipo N P, excavados en un sustrato de material semiconductor del tipo opuesto. Entre ambos pozos se encuentra la zona del canal de conduccin superficial, cubierta por la una capa aislante de xido de silicio (SiO2) y otra capa superior de metal. Es esta construccin la que les da el nombre MOS (Metal-Oxide-Semiconductor).

Dependiendo del tipo de semiconductor extrnseco de los pozos tenemos dos tipos de transistor MOS: el MOS canal N y el MOS canal P. Normalmente denominados N-MOS y P-MOS. En cada pozo semiconductor se dispone un terminal de conexin, y otro en el metal sobre el canal; el MOS es un dispositivo de tres terminales. El terminal conectado al metal del canal se denomina Puerta (G, Gate), los otros dos terminales conectados a los pozos se denominan Fuente (S, Source) y Drenaje (D, Drain).

97

ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR MOS-FET (canal N) Terminales: S = Fuente (Source) G = Puerta (Gate) D = Drenaje (Drain)
Cortocircuito entre sustrato y fuente Metal de Puerta Oxido de Silicio como capa de dielctrico.

G S D

Zona del canal de conduccin superficial

+ N
Sustrato Semiconductor de tipo P

+ N
Zona de unin P-N

La estructura es aparentemente simtrica entre fuente y drenaje, pero el terminal de fuente (S) est cortocircutado con el sustrato (excepto en transistores especiales). El "condensador" que se forma entre el terminal de puerta (G), el xido de silicio como aislante dielctrico y el semiconductor del sustrato (la placa opuesta), presenta su comportamiento capacitivo entre los terminales G-S.
Funcionamiento cualitativo del MOS-FET (canal N):

Si se aplica una tensin entre la puerta y la fuente (VGS) lo suficientemente positiva, entonces se acumulan cargas positivas en el metal de la puerta, que repelen a los huecos y atraen a los pocos electrones del sustrato de tipo P. Se dice que se forma una zona de inversin del tipo semiconductor, porque la tensin en puerta cambia el tipo de carga bajo la puerta al tipo negativo. Cuando la VGS supera cierto valor umbral VT (T de "Threshold"= umbral), el cual es una caracterstica de fabricacin del dispositivo, se puede considerar que bajo la puerta se ha creado un canal de tipo N que puede comunicar ambos pozos de tipo N. Este canal de conduccin es superficial y permite la conduccin desde el terminal de drenaje hasta el de fuente si se aplica una tensin VDS positiva. El transistor est as en conduccin (ON). Si la VGS no es mayor que la VT umbral, entonces el canal no se ha creado y no puede conducirse entre el drenaje y fuente, porque entre el sustrato y los pozos de estos terminales existen zonas de unin P-N, en sentidos opuestos. Estas dos uniones siempre bloquean la conduccin, mientras no se supere cierta tensin VDS mxima que las rompa y destruya el transistor. El transistor est as en bloqueo (OFF).
98

En el transistor MOS, dependiendo de si el canal de conduccin existe o no, cuando no apliquemos ninguna tensin VGS, tenemos transistores de dos tipos: - MOS de acumulacin (realce o enriquecimiento) si el canal no existe en origen. Debe acumularse la carga bajo la puerta para crear el canal. - MOS de vaciamiento (empobrecimiento) si el canal existe en origen. Debe vaciarse la carga bajo la puerta para eliminar el canal. La forma de distinguir unos de otros es en funcin del signo de VT: En un N-MOS: En un P-MOS: VT >0 indica un N-MOS de acumulacin VT <0 indica un N-MOS de vaciamiento VT <0 indica un P-MOS de acumulacin VT >0 indica un P-MOS de vaciamiento

Coexisten varios smbolos para representar los MOS dependiendo de si son canal N P, y si son de vaciamiento o de acumulacin. Los dos ltimos smbolos de la figura siguiente tienen mayor similitud con los utilizados en los transistores BJT, sealando con la flecha el sentido de la corriente entre drenaje y fuente, cuando el MOS est en conduccin.

SIMBOLOS:
D D D

Canal N

N P

IDS
S D
Canal creado

N P

IDS
S D

G S D

IDS

Canal sin crear

Canal P

P N

ISD
S

P N

ISD
S

G S

ISD
AMBOS TIPOS

ACUMULACION REALCE ENRIQUECIMIENTO

VACIAMIENTO EMPOBRECIMIENTO

99

J-FET:

La estructura bsica del transistor J-FET (Junction Field Effect Transistor) consta de dos pozos de material semiconductor extrnseco de tipos alternos, excavados uno dentro del otro en un sustrato de material semiconductor. Entre ambos pozos se encuentra la zona del canal interno de conduccin, flanqueado por dos zonas de unin P-N.
ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR J-FET (canal N)
Canal de conduccin interno
Zonas de unin P-N Terminales: S = Fuente (Source) G = Puerta (Gate) D = Drenaje (Drain)

Canal N
G

IDS

N+
G

P+

N+

Canal P
G

Sustrato tipo P

IDS

El funcionamiento cualitativo de los J-FET es equivalente al de los MOS de vaciamiento (canal creado en origen). Dado que la tensin umbral es el valor en el que se cierra el canal, la tensin umbral de los J_FET recibe el nombre de tensin de estrangulamiento del canal (VP, P de "Pinch-off"= estrangulacin). Este trmino tambin se utiliza con los MOS de vaciamiento.

100

5.3 - CURVAS CARACTERISTICAS Y MODELOS:

Para concretar, a lo largo de esta seccin consideraremos que trabajamos con un N-MOS de vaciamiento.
Modos de Operacin:

Si el transistor no tiene canal (VGS<VT) no puede conducir y se dice que est en Corte (OFF). Si el transistor tiene canal de conduccin (VGS>VT) podemos encontrar diferentes zonas de comportamiento:
Zona Cuadrtica u Ohmica: (VGS-VT)>VDS Modo Lineal: (VGS-VT)>>VDS Modo Triodo: (VGS-VT)=VDS Zona de Saturacin: (VGS-VT)<VDS

Las zonas de inters son la zona lineal y la zona de saturacin. En la zona lineal el transistor MOS se comporta como una resistencia de bajo valor entre los terminales D-S. En la zona de saturacin, el transistor puede considerarse como una fuente de intensidad entre los terminales D-S dependiente del valor de tensin VGS. En la regin cuadrtica, IDS se puede aproximar por la expresin:
I DS = 2K

V2 DS (VGS VT ) VDS 2 ; ec. 5.3.1

que es la ecuacin de una parbola que pasa por el origen de los ejes IDSVDS. El factor K es un parmetro del MOS que establece el fabricante y que consideraremos de valor positivo. Cuando la tensin VDS se hace mayor o igual que la diferencia (VGSVT), el transistor entra en saturacin y la corriente se mantiene aproximadamente constante en el valor:

I DS = K ( GS V T ) ; ec. 5.3.2 V
En el extremo opuesto, cuando la tensin VDS se hace mucho menor que la diferencia (VGS-VT), el transistor est en zona lineal y la corriente se puede aproximar (despreciando VDS al cuadrado) por:

I DS 2K ( GS V T )V DS = V

V DS ; ec. 5.3.3 Rcanal

Entre ambos modos de conduccin se encuentra la zona de triodo, en la que el comportamiento es no lineal y no suele utilizarse. Las zonas lineal y de triodo corresponden a la curva de la parbola que recibe el nombre de zona cuadrtica u hmica..
101

FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO: N- MOS

Existe canal V porque V >VT GS
E

Zona Lineal: V <<(V -VT ) DS GS

S + N

(V -VT) GS VDS
G
y

++++++++ + + + + + + +

D N+

Zona Triodo: V (V -VT) DS GS

VDS
G

(V -VT) GS
y

S + N

+++++ + + + +

D + N

P
Estrangulamiento del canal de conduccin
V

Zona Saturacin: V >(V -VT) DS GS

VDS (V -VT) GS
y

G S N+
+ + + + + + +

D
ED

+ N

Unin en polarizacin inversa que soporta toda la tensin, genera un campo elctrico de deriva que arrastra a los portadores del canal.

102

Curva Caracterstica: si disponemos un transistor N-MOS de acumulacin en una configuracin donde el terminal de fuente hace el papel de terminal de referencia, encontramos que el comportamento elctrico del transistor puede ser descrito por la curva caracterstica:

IDS = I(VDS, VGS=parmetro); Donde se establece la Curva Caracterstica de N-MOS tensin en bornes de los IDS(VDS ,V ) terminales D-S como GS variable de abscisas y la Cuadrtico Modo de tensin en bornes G-S (Ohmico) Saturacin VGS3=5 v como parmetro de la Triodo familia de curvas paramtricas (en la figura, se IDSq Q VGS2=4 v ven varias curvas de un NMOS de acumulacin con VT=2v). Estas curvas VGS1=3 v vienen descritas por la VDS ecuacin 5.3.1 en la zona VDSq cuadrtica y aproxima(VGS3-VT ) Corte VGS<VT = 2v; damente por el valor de la ecuacin 5.3.2 en la zona de saturacin. Las otras curvas caractersticas en bornes G-S no tienen inters porque son las curvas de un condensador entre puerta y fuente.
Limitaciones de Operacin: los valores de tensin y corriente que puede soportar el transistor MOS en conduccin estn limitados: IDSmax, VDSmax y Potmax. Si delimitamos la curva caracterstica con estos tres valores, se define el rea de operacin segura (SOA). Modelos (N-MOS de acumulacin): para el anlisis en CC necesitamos modelos del MOS en los tres modos de operacin: corte, lineal y saturacin. En el anlisis de seales basta con el modelo en saturacin (modo amplificador). En los tres modos se puede considerar en CC que la corriente de puerta es nula, ya que existe un condensador en el terminal de puerta que para CC se comporta como un circuito abierto.
Lineal

Sin embargo, cuando el MOS trabaja en conmutacin, pasando de los estados de corte a lineal alternativamente, no se puede considerar esta corriente nula, porque es la corriente de carga y descarga del condensador de puerta. La capacidad de puerta limita la velocidad a la que puede conmutar el MOS. En conmutacin, el valor de la tensin VGS controla el modo de conduccin entre corte y lineal, resultando que el transistor se comporta como un interruptor entre los terminales D-S controlable por tensin.
103

Modo de Corte: en este modo sin canal de conduccin, las dos uniones en oposicin presentan una resistencia inversa elevada del orden de megaohmios. El equivalente ideal considera que el transistor tiene circuitos abiertos entre sus tres terminales. Modo Lineal: en este modo el canal de conduccin es muy amplio y presenta una resistencia muy pequea del orden de ohmios. El equivalente ideal considera que el transistor tiene un cortocircuito entre los terminales de drenaje y fuente.
Equivalente CC: ri (M) G IG = 0; Equivalente CC: G IG = 0; r() S S D IDS MODO LINEAL: D IDS MODO DE CORTE: Equivalente Ideal: D G IG = 0; IDS = 0; S

Equivalente Ideal: D G IG = 0; S IDS

Modo de Saturacin: este es el modo amplificador, donde el MOS se comporta como un generador de corriente (IDS) entre los terminales D-S, controlado por la tensin aplicada entre G-S (VGS).

El modelo en seales depende de la frecuencia de trabajo: para altas frecuencias no se pueden despreciar las capacidades parsitas del dispositivo (Cgd y Cgs) y cierta resistencia elevada en el canal (rds) en paralelo con el generador de corriente. A bajas frecuencias pueden despreciarse los efectos de estos elementos. La relacin entre ids y vgs viene dada por la derivada de la ecuacin 5.3.2 respecto VGS:
I DS i ds = v = g v ; gm VGS gs m gs

= 2K ( GS VT ) ec. 5.3.4 V ;

MODO DE SATURACION:

Equivalente CC:
IG = 0; G
VGS

Equivalente CA (alta frecuencia):

G
vgs
Cgd
Cgs

Equivalente CA (baja frecuencia):

D IDS S

D i ds
rds

G
vgs

(+)

ids = gmv gs D
(+)

104

5.4 - CIRCUITOS DE APLICACION (N-MOS):

Los transistores FET pueden ser utilizados en circuitos de amplificacin, como fuentes de corriente dependientes de tensin y como interruptores controlables. El mayor campo de aplicacin de los MOS son las puertas digitales, de las que el inversor es un ejemplo.
Interruptor controlable:

Esta configuracin circuital es utilizada en Electrnica de Potencia y Digital. Los transistores trabajan entre los modos de corte (OFF) y lineal (ON), controlados por el valor de la tensin aplicada en el terminal de puerta, Vi. Suponiendo un transistor N-MOS de acumulacin (VT=0):

INTERRUPTOR: VDD R Vi
G S D
(+)

IDS

Vo

Vi<VT; p.e. Vi=0; -> NMOS en OFF: Vo=VDD; IDS=0; Vi>VT+VDS; p.e. Vi=VDD; -> NMOS en ON: Vo=0; IDS=VDD/R; Inversor CMOS:

Esta configuracin circuital es utilizada en E.Digital, y se denomina CMOS (Complementary MOS) por disponer transistores complementarios. Los dos transistores trabajan en conmutacin de forma opuesta: cuando el NMOS conduce el PMOS queda en corte, y viceversa. Ambos transistores son de acumulacin con |VT| en la mitad del rango de tensiones que los alimentan, por ejemplo para VDD=5v, tendramos VT1=2.5 v y VT2=2.5 v. Los estados del circuito son:
Vi=0; Vi=VDD;

VGS2=0<VT2; NMOS en OFF: I2=0; VGS1=-VDD<VT1; PMOS en ON: Vo=VDD; VGS2=VDD>VT2; NMOS en ON: Vo=0; VGS1=0>VT1; PMOS en OFF: I1=0;
Inversor ON:
PMOS ON

INVERSOR CMOS: VDD

T1=PMOS

Inversor OFF:
VDD
I1
D1
PMOS OFF

S1 D1

G1

I1
D2
(+)

S1

VDD
S1 D1 Vo=0

G1

Vi
G2
T2=NMOS

r
D2

Vi

G1
(+)

(+)

S2

I2

Vo

Vi

D2 G2
NMOS ON

S2 NMOS OFF

G2

Vo=VDD

r
S2

I2

105

Fuente de Corriente:

El transistor MOS trabaja en saturacin, de forma que el valor de IDS est controlado por la tensin VGS aplicada. La carga R se ve atravesada por esta corriente y tiene un valor mximo que no puede sobrepasar, en el que VDS=(VGS-VT), ya que el MOS sale del modo de saturacin. Puede cambiarse la configuracin de la carga a tierra, usando una -VDD, o bien con un transistor PMOS.
N-MOS: VDD R
D G VGS G

GENERADOR DE CORRIENTE: VDD R

D

P-MOS: VDD VGS

S G D

VDD VGS
G S

IDS

VGS

IDS

ISD

R ISD

Amplificacin:

El transistor MOS puede usarse de la misma forma que los BJT para amplificar seales superpuestas a los niveles de CC de sus terminales. Cuando se amplifica, el MOS trabaja en saturacin, de forma que el valor de ids en seales est controlado por la tensin vgs aplicada. La polarizacin del transistor MOS en zona de saturacin se consigue con una red de resistencias de polarizacin como las de los transistores BJT, y al igual que en aquellos, son necesarios condensadores de acoplo para introducir y extraer las seales del circuito. De la misma forma se habla de las configuraciones amplificadoras en Fuente, Drenaje o Puerta comn, dependiendo de qu terminales se utilizan para conectar las seales.

106

ANALISIS DE CIRCUITOS CON MOSFET

Imponer sentidos reales de corriente a travs de los transistores. La tensin umbral VT depende del tipo de transistor:
MOSFET canal N:
Canal N
D

Acumulacin: VT > 0 v Vaciamiento: VT < 0 v

MOSFET canal P:

}
(+)
G

VGS
(+)

Canal P
(-)
S

I DS
(+) (-)
S

(-)

}V

(+)

DS

I SD
D

(-)

}V

SD

Acumulacin: VT < 0 v Vaciamiento: VT > 0 v

VGS

La metodologa paso a paso consiste en calcular la tensin aplicada por el circuito sobre el MOSFET entre puerta y fuente (VGS), suponiendo que ste no conduce. Esta tensin permite comprobar si crea un canal de conduccin o no. Si se crea el canal de conduccin, hacemos una nueva suposicin escogiendo entre saturacin y lineal, para ello imponemos respectivamente la corriente de drenador o la tensin entre drenaje y fuente. El proceso es como sigue:
1 - Si MOSFET sin canal -> corte: Canal N: Comprobar expulsin de e- -> (VGS - VT) < 0 Canal P: Comprobar expulsin de h+ -> (VGS - VT) > 0 2 - Si MOSFET con canal -> conduccin: Canal N: Comprobar acumulacin de e- -> (VGS - VT) > 0 Canal P: Comprobar acumulacin de h+ -> (VGS - VT) < 0 2.1 - Si se supone zona de saturacin: Canal N: Imponer -> IDS = (VGS - VT)2 Comprobar -> 0 < (VGS - VT) < VDS ISD = (VGS - VT)2 Canal P: Imponer -> Comprobar -> VDS < (VGS - VT) < 0 2.2 - Si se supone zona lineal: Canal N: Imponer -> VDS = 0; (0 = VDS < (VGS - VT)) Comprobar -> IDS < K (VGS - VT)2 VSD = 0; ((VGS - VT) < VSD = 0) Canal P: Imponer -> Comprobar -> ISD < (VGS - VT)2

Los JFET se tratan como los MOSFET, considerndolos equivalentes a los MOSFET de vaciamiento y denominando a VT como VP.

107

6 - REFERENCIAS BIBLIOGRFICAS
A continuacin se indican en orden alfabtico todas las referencias utilizadas al finalizar cada captulo y algunas no referenciadas pero que pueden ser de inters. [FER88] Vicente Fernndez Apuntes de Electrnica Analgica EUITI Zaragoza. [HOR89] P.Horowitz y W. Hill The art of electronics 2 edicin, Cambridge, Cambridge University Press, 1989. [MAL96] N. R. Malik Circuitos Electrnicos: anlisis, simulacin y diseo Madrid, Prentice-Hall, 1996. [MIR01] J.Mira, A.E.Delgado, S.Dormido, M.A.Canto Electronica Digital 2 edicin, Ed Sanz y.Torres SL, 2001 [NAV92] J.Navarro Electrnica analgica Zaragoza, Universidad de Zaragoza, 1992. [NEU89] G.W. Neudeck El transistor bipolar de unin 2 edicin, Addison-Wesley Iberoamericana, 1989. [NEU93] G.W.Neudeck El Diodo PN de Unin 2 edicin, Addison-Wesley Iberoamericana, 1993. [OTE93] J.Otero, J.Velasco Problemas de electrnica analgica Paraninfo, 1993. [PIE90] R.F. Pierret Dispositivos de efecto de campo 2 edicin, Addison-Wesley Iberoamericana, 1990. [PIE94] R.F. Pierret Fundamentos de Semiconductores 2 edicin, Addison-Wesley Iberoamericana, 1994. [PRAT94] Ll.Prat Circuitos y dispositivos electrnicos, fundamentos de electrnica Edicions UPC, 1994. [RAS02] M.H.Rashid Circuitos Microelectrnicas Anlisis y diseo. Ed.Thomson, 2002

108

[SAV00] Savant, Roden, Carpenter Diseo Electrnico Prentice Hall - 3ra. Ed. 2000 [STO95] N.Storey Electrnica. De los sistemas a los componentes Wilmington, Delaware, Addison-Wesley, 1995.

6.1 - Comentarios sobre la Bibliografa bsica

[STO95] N. Storey, Electrnica. De los sistemas a los componentes Este libro representa la bibliografa bsica que se recomienda en la asignatura y todava es una buena referencia para algunos temas de asignaturas de siguientes cursos. Se trata de un libro general que cubre casi todo lo presentado en la asignatura desde la perspectiva de los sistemas electrnicos, desde los componentes hasta la electrnica digital. Tiene una perspectiva diferente a la utilizada en clase, pues comienza desde la teora de sistemas y trata antes la funcionalidad y caractersticas de los sistemas y circuitos para luego entrar en cada componente discreto, operacionales y digital. [FER88] Vicente Fernndez , Apuntes de Electrnica Analgica Estos apuntes de Electrnica analgica constituyen una referencia importante, general, y bastante completa sobre la teora bsica de los dispositivos discretos y amplificador operacional y sus circuitos de aplicacin. Cubren desde el diodo hasta los amplificadores operacionales. Tratan la materia con bastante ms extensin que la del curso, y sirven de material de consulta y ampliacin. [RAS02] M. H. Rashid, Circuitos Microelectrnicos Este libro de reciente aparicin, presenta toda la electrnica analgica bsica, desde el fundamento de semiconductores, pasando por diodos, los transistores bipolares y FET, hasta realimentacin, amplificacin y etapas con AO. Todos los temas dedicados a dispositivos y AO se presentan a un nivel superior al que se impartir en clase, ya que trata circuitos de filtrado y osciladores con A.O. Se extiende tambin en el campo de las familias lgicas y contiene un tema dedicado a circuitos comerciales de aplicacin tpica como por ejemplo el 555, conversores A/D y D/A ... En todos los temas introduce problemas y simulaciones en SPICE. En conjunto es una obra que sobrepasa con mucho el contenido de la asignatura, pero que constituye una fuente de consulta excelente tanto para este curso como para cualquier curso superior de ingeniera. [MIR01] J. Mir, A. E. Delgado, S. Dormido, M. A. Canto, Electrnica Digital Este libro est orientado a la Electrnica digital en todos sus aspectos: teora de semiconductores, dispositivos, familias lgicas, lgebra de Boole y lgica combinacional. En todos estos aspectos es una excelente obra de consulta, dado que tambin aborda la lgica secuencial y los sistemas tpicos de aplicacin digital (incluye un breve tema introductorio a los sistemas programables), seguir siendo un libro prctico para el alumno que contine con estudios de electrnica. La descripcin del material semiconductor y el comportamiento de los dispositivos semiconductores es excelente.

109

[NAV92] J. Navarro, Electrnica analgica Presenta toda la electrnica analgica bsica, desde el fundamento de semiconductores, pasando por los transistores bipolares y FET, hasta realimentacin, amplificacin y etapas con AO. No se trata de un libro de consulta, sino de un libro concebido para el estudio personal del alumno. Los temas dedicados a dispositivos y AO se presentan a un nivel superior al que se impartir en clase. [PRAT94] Ll.Prat, Circuitos y dispositivos electrnicos, fundamentos de electrnica Este libro presenta con profundidad los distintos dispositivos electrnicos, sus principios de funcionamiento y circuitos de aplicacin con ellos. Explica con claridad y sencillez, y con una profundidad mucho mayor de la requerida en esta asignatura, principios y circuitos de la electrnica, dando una panormica muy completa.

6.2 - Comentarios de la Bibliografa de ampliacin y consulta

[PIE94] R.F. Pierret, Fundamentos de Semiconductores Este libro es parte de la serie Temas Selectos de Ingeniera, de Addison Wesley, como lo son los tres siguientes. Es una monografa sobre los fundamentos de funcionamiento de los semiconductores, mucho ms extensa y profunda de lo que se requiere en la asignatura. Se estructura el contenido incluyendo ejemplos y problemas propuestos para la autoevaluacin de la comprensin de los temas. [NEU93] G.W. Neudeck, El Diodo PN de Unin Este libro es parte de la serie Temas Selectos de Ingeniera, de Addison Wesley. Es una monografa sobre los fundamentos de los diodos mucho ms extensa y profunda de lo que se requiere en la asignatura. Se estructura el contenido incluyendo ejemplos y problemas propuestos para la autoevaluacin de la comprensin de los temas. Incluye el funcionamiento de la unin PN, el diodo ideal y su curva V-I, explicaciones del diodo real y sus caractersticas dinmicas, y contactos metal-semiconductor para el diodo Schottky. [NEU89] G.W. Neudeck, El transistor bipolar de unin Este libro es parte de la serie Temas Selectos de Ingeniera, de Addison Wesley. Es una monografa sobre los fundamentos de los transistores bipolares mucho ms extensa y profunda de lo que se requiere en la asignatura. Se estructura el contenido incluyendo ejemplos y problemas propuestos para la autoevaluacin de la comprensin de los temas. Incluye el funcionamiento de la unin N+PN y la P+NP, el transistor ideal, desviaciones respecto del transistor ideal y sus caractersticas dinmicas, modelos de pequea seal. [PIE90] R.F. Pierret, Dispositivos de efecto de campo Este libro es parte de la serie Temas Selectos de Ingeniera, de Addison Wesley. Es una monografa sobre los fundamentos de los transistores unipolares mucho ms extensa y profunda de lo que se requiere en la asignatura. Se estructura el contenido incluyendo ejemplos y problemas propuestos para la autoevaluacin de la comprensin de los temas. Incluye el funcionamiento de la transistores unipolares JFET y MOSFET, el transistor MOS ideal, el transistor MOS no ideal, y estructuras FET ms avanzadas.

110

[MAL96] N. R. Malik, Circuitos Electrnicos: anlisis, simulacin y diseo El libro supera con creces el nivel que se pretende alcanzar con esta asignatura, pero es una buena referencia para profundizar en cualquiera de los aspectos de dispositivos, sus fundamentos, modelos y aplicaciones. Tambin profundiza en aspectos ms lejanos para esta asignatura, como la amplificacin, el diseo de amplificadores con transistores, respuesta en frecuencia, circuitos integrados analgicos y filtros. Los dos ltimos captulos realizan una introduccin a la electrnica digital. Como el propio ttulo indica, este libro est bastante orientado hacia la simulacin. Se presentan muchos ejemplos y problemas resueltos con Spice. [HOR89] P. Horowitz y W. Hill, The art of electronics Tenemos aqu otro gran compendio de electrnica, en este caso cubriendo casi todos los temas, desde los dispositivos, digital, potencia, instrumentacin, comunicaciones, etc. Trata los temas desde un punto de vista cualitativo, a menudo difcil de seguir por los no expertos en el mismo. De nuevo, la extensin y profundidad se alejan mucho del nivel de la asignatura.

111