Diodostransistores

Problemas Resueltos de
Introducción a la Electrónica
Juan A. Carrasco
Departament d’Enginyería Electrònica
Universitat Politècnica de Catalunya
Barcelona, Diciembre 2007

II
Prefacio
La presente colección de problemas resueltos abarca todos los contenidos teóricos de la asig-
natura Introducción a la Electrónica, tal y como es impartida en la Escuela Técnica Superior de
Ingeniería Industrial de Barcelona, de la Universidad Politécnica de Cataluña. Se espera que la
colección sea un instrumento útil para el estudio de dicha asignatura y que palíe el déficit cróni-
co de resolución de problemas en clase, que siempre ha existido en dicha asignatura, debido el
reducido número de horas lectivas disponibles. La resolución de algunos de los problemas sólo
requiere una aplicación directa de la teoría. Sin embargo, la mayoría de ellos no. Ello es clara-
mente cierto para todos los problemas de análisis de circuitos con dispositivos semiconductores.
Pero también es cierto para la mayoría de los problemas de física de semiconductores. Algunos
de estos últimos son, en realidad, extensiones del material impartido en las clases de teoría.
En la resolución numérica de los problemas de física de semiconductores intervienen constantes

físicas y dependencias de dichas constantes con la temperatura. A continuación se recogen los
valores de dichas constantes y las leyes que rigen dichas dependencias. Las movilidades de los
portadores de carga libres dependen además de la temperatura de otros factores tales como los
dopajes, la presencia de imperfecciones en el cristal y, cuando es intenso, el campo eléctrico.
Los valores dados son típicos para campos eléctricos no demasiado intensos. También se ignora
la ligera dependencia de la anchura de la banda prohibida del silicio con la temperatura. La
concentración intrínseca del silicio, ni , tiene en función de la temperatura absoluta T un valor
dado por
n2i = BT 3 e−Eg /(kT ) ,
donde B = 1,744 × 1033 cm−6 o K−3 , Eg = 1,210 eV es la anchura de la banda prohibida

del silicio, y k = 8,620 × 10−5 eV o K−1 es la constante de Boltzmann. La movilidad de los
huecos en el silicio a 300 o K vale µp = 500 cm2 V−1 s−1 y varía con la temperatura absoluta
T siguiendo una ley de la forma T −2,7 . La movilidad de los electrones en el silicio a 300 o K
vale µn = 1.300 cm2 V−1 s−1 y varía con la temperatura absoluta T siguiendo una ley de la
forma T −2,5 . Dichos valores de las movilidades en el silicio son válidos para campos eléctricos
< 103 V cm−1 . El número de Avogadro, NAV , que da el número de átomos (moléculas) en un mol
—cantidad de la substancia igual a la masa atómica (molecular) en g— vale NAV = 6,022×1023 .
La carga electrónica (positiva) vale q = 1,602 × 10−19 C. Dado que, por definición, 1 eV es la
energía potencial que adquiere la carga electrónica positiva q cuando se mueve de un punto a otro
con potencial 1 V mayor, tenemos k/q = 8,620 × 10−5 V o K−1 . La permitividad del silicio vale
ε = 1,062 × 10−10 F/m.
Se recuerda que la temperatura absoluta en o K, T , y la temperatura t en o C están relacionadas de

IV Prefacio
la forma T = 273,15 + t.
Por último, en la resolución de todos los problemas de análisis de circuitos se usa, por defecto,
el habitual sistema consistente de unidades V, mA, KΩ, que hace que los valores numéricos
que típicamente aparecen en la resolución de dichos problemas no disten muchos órdenes de
magnitud de la unidad.
Capítulo 1
Problemas de física de semiconductores
Problema 1: Se tiene un semiconductor extrínseco de silicio uniformemente dopado con una

concentración de impurezas donadoras ND = 1017 cm−3 , aislado y en equilibrio. 1) Determine
la temperatura absoluta, T2 , a la cual la concentración intrínseca, ni , es igual a ND . 2) Deter-
mine la concentración de electrones libres n y la concentración intrínseca ni para una secuencia
de longitud mínima de temperaturas absolutas múltiplos de 100o K definiendo un intervalo que
empiece al menos 300 o K por debajo de T2 y termine al menos 500 o K por encima de T2 , y co-
mente los resultados. 3) Determine la temperatura absoluta T3 hasta la cual, suponiendo todas las
impurezas ionizadas, n = ND con un error menor o igual al 1 %.
Solución: 1) La concentración intrínseca del silicio ni tiene, en función de la temperatura abso-
luta T , el valor dado por
n2i = BT 3 e−Eg /(kT ) ,
donde B = 1,744 × 1033 cm−6 o K−3 , Eg = 1,210 eV, y k = 8,620 × 10−5 eV o K−1 . Usando
esos valores numéricos, con ni en cm−3 y T en o K, se obtiene
n2i = 1,744 × 1033 T 3 e−14.037/T , (1.1)
y
ni = 4,176 × 1016 T 1,5 e−7.019/T . (1.2)
La temperatura T2 puede ser, por tanto, obtenida resolviendo la ecuación ni (T2 ) = ND , que da
4,176 × 1016 T21,5 e−7.019/T2 = 1017 .
Dicha ecuación puede ser escrita de la forma f (T2 ) = 0 con
f (T ) = 1017 − 4,176 × 1016 T 1,5 e−7.019/T .
Para resolverla usaremos una búsqueda dicotómica, que es aplicable a cualquier función conti-
nua. Se parte de un intervalo [Tm , TM ] tal que f (Tm ) y f (TM ) son no nulos y de signos distintos
(si alguno de ellos es nulo, la abcisa correspondiente es la solución). A continuación, se considera
TI = (Tm + TM )/2 y se evalúa f (TI ). Si f (TI ) = 0, hemos encontrado ya la solución. En otro
caso; si f (TI ) es de signo distinto a f (Tm ), el siguiente intervalo es [Tm , TI ]; si f (TI ) es de signo
distinto a f (TM ), el siguiente intervalo es [TI , TM ]. Se obtiene de esa forma una secuencia de
2 1 Problemas de física de semiconductores
intervalos de longitudes decrecientes geométricamente con razón 1/2 que incluyen una solución
de f (T ) = 0. El procedimiento finaliza cuando el intervalo es suficientemente pequeño. El
número de evaluaciones necesarias de f (T ) es típicamente moderado. La siguiente tabla muestra
los T considerados en la aplicación del método y los intervalos resultantes. El primer intervalo
se obtiene cuando se han considerado dos T para los que f (T ) tenía signos distintos. La tabla
indica también los valores de f (T ) para los T considerados.
T (o K) f (T ) [Tm , TM ] (o K)
600 9,490 × 1016
700 6,583 × 1016
800 −4,622 × 1016 [700, 800]
750 2,605 × 1016 [750, 800]
775 −5,052 × 1015 [750, 775]
762,5 1,162 × 1016 [762,5, 775]
768,8 3,516 × 1015 [768,8, 775]
771,9 −6,928 × 1014 [768,8, 771,9]
770,4 1,362 × 1015 [770,4, 771,9]
771,2 2,706 × 1014 [771,2, 771,9]
771,6 −2,790 × 1014 [771,2, 771,6]
771,4 −3,862 × 1012 [771,2, 771,4]
771,3 1,335 × 1014 [771,3, 771,4]
Se obtiene T2 = 771,4o K.
2) Las temperaturas absolutas T a considerar son 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1.000, 1.100,
1.200 y 1.300 o K. La concentración intrínseca ni puede ser evaluada usando (1.2). Excepto para
temperaturas muy bajas, próximas al cero absoluto, la concentración de electrones libres, n, viene
dada por la expresión
ND + 2 + 4n2
ND i
n= . (1.3)
2
Usando, entonces, (1.1), se obtiene, con n en cm−3 ,

1017 + 1034 + 6,976 × 1033 T 3 e−14.037/T
n= . (1.4)
2
La siguiente tabla muestra los valores obtenidos para n y ni .
T (o K) n (cm−3 ) ni (cm−3 )
400 1,000 × 1017 8,000 × 1012
500 1,000 × 1017 3,738 × 1014
600 1,003 × 1017 5,099 × 1015
700 1,106 × 1017 3,417 × 1016
800 2,046 × 1017 1,462 × 1017
900 5,155 × 1017 4,625 × 1017
1.000 1,233 × 1018 1,182 × 1018
1.100 2,632 × 1018 2,580 × 1018
1.200 5,056 × 1018 5,003 × 1018
1.300 8,901 × 1018 8,847 × 1018
3
La concentración intrínseca aumenta con la temperatura, de forma muy rápida para temperaturas
bajas y de forma algo más lenta para temperaturas más altas. La concentración de electrones
libres n también aumenta con la temperatura. Para temperaturas significativamente menores a
T2 = 771,4o K, n es prácticamente igual a ND = 1017 cm−3 y casi no depende de la temperatura.
Al acercarse T a T2 , n empieza a crecer significativamente con T . Para T significativamente
mayor a T2 , n es aproximadamente igual a ni . En esas condiciones, el semiconductor puede
considerarse a todos los efectos un semiconductor intrínseco y n, p ≈ ni .
3) Usando (1.3), obtenemos

n 1+ 1 + 4(ni /ND )2
= .
ND 2
Dicha expresión pone de manifiesto que el error relativo con el que n = ND aumenta con la tem-
peratura. La expresión supone que la temperatura T es significativamente mayor a la temperatura
T1 a la cual prácticamente todas las impurezas están ionizadas, que es próxima al cero absoluto.
La temperatura T3 será, pues, la temperatura T a la cual n = 1,01ND y, usando (1.4), puede ser
obtenida resolviendo la ecuación

1017 + 1034 + 6,976 × 1033 T33 e−14.037/T3
= 1,01 × 1017 ,
2
que puede ser expresada de la forma f (T3 ) = 0 con

1017 + 1034 + 6,976 × 1033 T 3 e−14.037/T
f (T ) = − 1,01 × 1017 .
2
Como en el apartado 1), resolvemos dicha ecuación usando una búsqueda dicotómica. La si-
guiente tabla muestra los valores de T considerados, los valores correspondientes de f (T ) y los
intervalos resultantes.
T (o K) f (T ) [Tm , TM ] (o K)
600 −7,403 × 1014
700 9,576 × 1015 [600, 700]
650 9,637 × 1014 [600, 650]
625 −2,552 × 1014 [625, 650]
637,5 2,220 × 1014 [625, 637,5]
631,3 −4,161 × 1013 [631,3, 637,5]
634,4 8,287 × 1013 [631,3, 634,4]
632,9 2,090 × 1013 [631,3, 632,9]
632,1 −1,080 × 1013 [632,1, 632,9]
632,5 4,935 × 1012 [632,1, 632,5]
632,3 −2,963 × 1012 [632,3, 632,5]
632,4 9,785 × 1011 [632,3, 632,4]
Se obtiene T3 = 632,4 o K.
Problema 2: Considere dos barras con sección S = 25 mm2 por las que circula una corriente de
valor I = 1 A. Una barra es de cobre; la otra es de silicio con un dopaje de impurezas donadoras
ND = 2 × 1016 cm−3 . Ambas barras se encuentran a una temperatura de 20o C. Determine, para
cada barra, el valor del campo eléctrico en V cm−1 y el valor de la velocidad de arrastre de los
electrones en cm s−1 . Suponga que el cobre tiene un electrón libre por átomo. La masa atómica
del cobre es ACu = 63,546 g mol−1 . La resistividad del cobre a 20 o C es ρCu = 16,78×10−9 Ω m.
La densidad del cobre a 20 o C es ξCu = 8,96 g cm−3 . ¿Qué conclusiones pueden derivarse?
Solución: La densidad de corriente de arrastre vale para los dos conductores
I 1A 1A
J= = = = 4 × 104 A m−2 .
S 25 mm 2 25 × 10−6 m2
Consideremos primero la barra de cobre. La conductividad del material vale
1 1
σCu = = = 5,959 × 107 Ω−1 m−1 .
ρCu 16,78 × 10−9 Ω m
El campo eléctrico resulta valer
J 4 × 104 A m−2
ECu = = = 6,713 × 10−4 V m−1 = 6,713 × 10−6 V cm−1 .
σCu 5,959 × 107 Ω−1 m−1
Para calcular la velocidad de arrastre, vCu , necesitamos calcular la movilidad de los electrones en
el cobre, µCu . Siendo nCu la concentración de electrones libres en el cobre, tenemos
σCu = qnCu µCu ,
de donde se obtiene
σCu
µCu = .
qnCu
Determinemos nCu . Dado que hay un electrón libre por átomo, nCu es la concentración de átomos.
Llamando mCu a la masa de un átomo de cobre, tenemos
ξCu = nCu mCu .

Por otro lado, siendo NAV el número de Avogadro,
ACu
mCu = ,
NAV
que combinada con la anterior ecuación da
nCu ACu
ξCu = ,
NAV
de donde se obtiene
ξCu NAV (8,96 g cm−3 )(6,022 × 1023 mol−1 )
nCu = = = 8,491 × 1022 cm−3 .
ACu 63,546 g mol−1
El valor de la movilidad de los electrones en el cobre resulta valer
σCu 5,959 × 107 Ω−1 m−1
µCu = =
nCu q (8,491 × 1022 cm−3 )(1,602 × 10−19 C)
5,959 × 107 Ω−1 m−1
=
(8,491 × 1028 m−3 )(1,602 × 10−19 C)
= 4,381 × 10−3 m2 V−1 s−1 = 43,81 cm2 V−1 s−1 .
5
Y la velocidad de arrastre,
vCu = µCu ECu = (43,81 cm2 V−1 s−1 )(6,731 × 10−6 V cm−1 ) = 2,949 × 10−4 cm s−1 .
Analicemos, a continuación, la barra de silicio dopada. Dado que ND ni (ni = 8,388 ×

109 cm−3 para T = 273,15 + 20 = 293,15 o K), la concentración de electrones libres en la
barra de silicio es nSi ≈ ND = 2 × 1016 cm−3 y la concentración de huecos es muy inferior.
Calculemos la movilidad de los electrones libres, µSi . Se obtiene
−2,5
T 2 −1 −1 293,15 −2,5
µSi = µno = (1.300 cm V s ) = 1.377 cm2 V−1 s−1
To 300
La conductividad resulta valer
σSi = qnSi µSi = (1,602 × 10−19 C)(2 × 1016 cm−3 )(1.377 cm2 V−1 s−1 )
= 4,412 Ω−1 cm−1 = 441,2 Ω−1 m−1 .
El campo eléctrico vale
J 4 × 104 A m−2
ESi = = = 90,66 V m−1 = 0,9066 V cm−1 .
σSi 441,2 Ω−1 m−1
Por último, la velocidad de arrastre vale
vSi = µSi ESi = (1.377 cm2 V−1 s−1 )(0,9066 V cm−1 ) = 1.248 cm s−1 .
Podemos observar que tanto el campo eléctrico como la velocidad de arrastre son mucho ma-
yores en la barra de silicio que en la barra de cobre. Para corrientes normales, los electrones se
desplazan con velocidades muy pequeñas en el cobre y bastante grandes en el silicio.
Problema 3: Determine el valor en función de la temperatura absoluta T de la resistencia R

de una barra de silicio uniformemente dopada con una concentración de impurezas donadoras
ND = 1014 cm−3 de longitud L = 1 cm y sección S = 25 mm2 . Suponga que T es superior a la
temperatura a la cual prácticamente todas las impurezas están ionizadas. Evalúe el valor de la re-
sistencia para un conjunto de temperaturas absolutas que cubra el intervalo [200o K, 600 o K] con
incrementos de 50 o K. Suponga que el campo eléctrico en la barra es suficientemente pequeño.
¿Es monótona la variación de R con T ? Explique cualitativamente la variación de R con T .
Solución: Suponiendo todas las impurezas ionizadas, la concentración de electrones libres viene
dada por la expresión
ND + 2 + 4n2
ND i
n= ,
2
donde la concentración intrínseca ni viene dada por
n2i = BT 3 e−Eg /(kT ) ,
con B = 1,744 × 1033 cm−3o K−3 , Eg = 1,210 eV y k = 8,620 × 10−5 eV o K−1 . La concen-
tración de huecos vale
n2
p= i .
n
La movilidad de los electrones vale

−2,5
T
µn = µno ,
300
con µno = 1.300 cm2 V−1 s−1 . La movilidad de los huecos vale
−2,7
T
µp = µpo ,
300
con µpo = 500 cm2 V−1 s−1 . La conductividad vale
σ = qnµn + qpµp = q(nµn + pµp ) .
Usando las expresiones para n, p, µn y µp , obtenemos

 

N + 2 + 4n2 −2,5 −2,7 
 D ND T n2 T 
σ = q 
i
 µno + i µpo 
 2 300 ND + ND 2 + 4n2 300 
i
 2 
2
 2 
 ni ni 
1 + 1+4 −2,5 −2,7 
 ND T ND T 
= qND 
 µno + 2 µpo
.

 2 300 300 
 ni 
 1+ 1+4 
ND
2
Sustituyendo, obtenemos para σ en Ω−1 cm−1 la expresión

2
  ni
2 −2,5 −2,7
ni T ND T
σ = 0,01041 1 + 1+4  + 2 ,
ND 300 ni 300
1+ 1+4
ND
con
2
ni
= 1,744 × 105 T 3 e−14.037/T .
ND
Finalmente, la resistencia R vale
L 1 cm 1 cm 4
R= = −1 −1
= −1 −1
= Ω.
σS 2
σ(Ω cm )(25 mm ) 2
σ(Ω cm )(0,25 cm ) σ(Ω cm−1 )
−1
La siguiente tabla da (ni /ND )2 , σ y R para valores de T en el intervalo [200 o K, 600 o K] con
incrementos de 50 o K.
7
T (o K) (ni /ND )2 σ (Ω−1 cm−1 ) R (Ω)

−19
200 4,610 × 10 0,05737 69,72
250 1,124 × 10−12 0,03284 121,8
300 2,250 × 10−8 0,02082 192,1
350 2,858 × 10−5 0,01416 282,5
400 6,416 × 10−3 0,01023 391,0
450 0,4509 0,01101 363,3
500 14,00 0,03142 127,3
550 239,1 0,09641 41,49
600 2.604 0,2520 15,87
La resistencia R primero aumenta con T y luego disminuye. Así pues, la variación de R con T no
es monótona. Para T pequeñas, ND ni , n ≈ ND , p n y σ ≈ qND µn . Como µn disminuye
al aumentar T , σ disminuye y R aumenta al aumentar T . Para T grandes, ni ND , n, p ≈ ni y
σ ≈ qni (µn + µp ). Pero ni crece al aumentar T más fuertemente de lo que disminuyen µn y µp ,
haciendo que σ aumente y que R disminuya.
Problema 4: Se desea medir la temperatura usando el puente de Wheastone de la figura que

incluye una resistencia NTC. La resistencia NTC está constituida por una barra de silicio sin
dopar de longitud L = 1 mm y sección S = 10 cm2 . 1) Determine los valores que han de
tener R1 y R2 para que, al variar la temperatura entre 20 o C y 50 o C, la tensión diferencial vd
varíe entre 0 y 1 V. 2) Determine la tensión vd para un conjunto de temperaturas que cubra el
intervalo [20 o C, 50 o C] con incrementos de 5 o C. ¿Es aproximadamente lineal la relación entre
la temperatura y vd dentro de ese intervalo?
10 V
R1 NTC
+
R2 R2 vd
Solución: 1) Sea RNTC el valor de la resistencia NTC. La tensión diferencial vd vale, en V,
R2 R2
vd = 10 − 10 . (1.5)
R2 + RNTC R1 + R2
Al aumentar la temperatura, disminuye RNTC y aumenta vd . Para que vd sea 0 para una temperatu-
ra de 20 o C, R1 debe ser igual a RNTC a esa temperatura. Calculemos RNTC para una temperatura
de 20 o C. Obtenemos
T = 273,15 + 20 = 293,15 o K .

ni = BT 3 e−Eg /(kT )

(1,744 × 1033 cm−6 o K−3 )(293,15 o K)3 e−1,210/((8,620×10
−5 )(293,15))
=
= 8,387 × 109 cm−3 .

T −2,7 293, 15 −2,7
µp = µpo = 500 cm2 V−1 s−1 = 532,2 cm2 V−1 s−1 .
To 300
−2,5
T 293, 15 −2,5
µn = µno = 1.300 cm2 V−1 s−1 = 1.377 cm2 V−1 s−1 .
To 300
σ = qµp p + qµn n = q(µp + µn )ni

= (1,602 × 10−19 C)(532,2 + 1.377 cm2 V−1 s−1 )(8,387 × 109 cm−3 )
= 2,565 × 10−6 Ω−1 cm−1 .
L 0,1 cm
RNTC = = = 3.899 Ω .
σS (2,565 × 10−6 Ω−1 cm−1 )(10 cm2 )
Así pues, R1 = 3.899 Ω.
Para determinar R2 , impongamos que para una temperatura de 50 o C, vd = 1, V. Calculemos
RNTC para esa temperatura. Obtenemos
T = 273,15 + 50 = 323,15 o K .


= (1,744 × 1033 cm−6 o K−3 )(323,15 o K)3 e−1,210/((8,620×10−5 )(323,15))
= 8,961 × 1010 cm−3 .

T −2,7 323, 15 −2,7
µp = µpo = 500 cm2 V−1 s−1 = 409,1 cm2 V−1 s−1 .
To 300
−2,5
T 323, 15 −2,5
µn = µno = 1.300 cm2 V−1 s−1 = 1.080 cm2 V−1 s−1 .
To 300
σ = q(µp + µn )ni
= (1,602 × 10−19 C)(409,1 + 1.080 cm2 V−1 s−1 )(8,961 × 1010 cm−3 )
= 2,138 × 10−5 Ω−1 cm−1 .
L 0,1 cm
RNTC = = = 467,7 Ω .
σS (2,138 × 10 Ω−1 cm−1 )(10 cm2 )
−5
Usando los valores de R1 y RNTC en (1.5) e imponiendo vd = 1 V, obtenemos
R2 R2
1= 10 − 10 ,
R2 + 467,7 R2 + 3.899
(R2 + 467,7)(R2 + 3.899) = 10R2 (R2 + 3.899 − R2 − 467,7) ,

9
R22 + 4,367R2 + 1,824 × 106 = 3,431 × 104 R2 ,

R22 − 2,994 × 104 R2 + 1,824 × 106 = 0 ,
cuyas soluciones son R2 = 2,988 × 104 Ω y R2 = 60 Ω. Escogemos la primera, pues la segunda
no es muy precisa. Así pues, valores apropiados para R1 y R2 son R1 = 3.899 Ω y R2 =
2,988 × 104 Ω.
2) Empezaremos encontrando una expresión para RNTC en función de la temperatura absoluta T .
Obtenemos, con ni en cm−3 , µp y µn en cm2 V−1 s−1 , σ en Ω−1 cm−1 y RNTC en Ω,


(1,744 × 1033 )T 3 e−1,210/((8,620×10 )T ) = 4,176 × 1016 T 1,5 e−7.018,56/T .
−5
=

T −2,7 T −2,7
µp = µpo = 500 = 2,439 × 109 T −2,7 .
To 300
−2,5
T T −2,5
µn = µno = 1.300 = 2,026 × 109 T −2,5 .
To 300
σ = q(µp + µn )ni

= (1,602 × 10−19 ) 2,439 × 109 T −2,7 + 2,026 × 109 T −2,5

4,176 × 1016 T 1,5 e−7.019/T

= 1,632 × 107 T −1,2 + 1,355 × 107 T −1 e−7.018,56/T .
L 0,1 1 e7.018,56/T
RNTC = = = = .
σS σ10 100 σ 1,632 × 109 T −1,2 + 1,355 × 109 T −1
Finalmente, sustituyendo R1 y R2 por sus valores en (1.5), obtenemos, con vd en V,
2,988 × 104 2,988 × 104

vd = 10 − 10
2,988 × 104 + RNTC 3.899 + 2,988 × 104
10
= − 8,846 .
RNTC
1+
2,988 × 104
Utilizando las expresiones anteriores para RNTC y vd podemos calcular vd para cualquier valor
de T . La siguiente tabla da T , RNTC y vd para las temperaturas en o C, t, especificadas.
t (o C) T (o K) RNTC (Ω) vd (mV)

20 293,15 3.899 0
25 298,15 2.657 337
30 303,15 1.834 576
35 308,15 1.282 743
40 313,15 906,1 860
45 318,15 647,8 942
50 323,15 467,7 1.000
Calculando los incrementos en vd correspondientes a valores sucesivos de temperaturas, vemos

que distan mucho de ser constantes. Así pues, la relación entre vd y la temperatura dista de ser
aproximadamente lineal.
Problema 5: Se desea medir la temperatura usando el puente de Wheastone de la figura que

incluye una resistencia PTC. La resistencia PTC está constituida por una barra de silicio de
longitud L = 1 cm y sección S = 1 mm2 dopada con una concentración de impurezas donadoras
ND = 2 × 1014 cm−3 . 1) Determine los valores que han de tener R1 y R2 para que, al variar la
temperatura entre 20 o C y 50 o C, la tensión diferencial vd varíe entre 0 y 0,1 V. 2) Determine la
tensión vd para un conjunto de temperaturas que cubra el intervalo [20o C, 50 o C] con incrementos
de 5 o C. ¿Es aproximadamente lineal la relación entre la temperatura y vd dentro de ese intervalo?
10 V
R1 R1
+
R2 PTC vd
Solución: 1) Comprobemos primero que, para el rango de temperaturas en que se va a usar el

puente, el semiconductor que constituye la resistencia PTC trabaja en la zona extrínseca. Ello
es cierto si ni ND . Dado que ni aumenta con la temperatura, bastará com comprobar que
se cumple la condición para una temperatura de 50o C. Calculemos ni para dicha temperatura.
Obtenemos T = 273,15 + 50 = 323,15 o K y


= (1,744 × 1033 cm−6 o K−3 )(323,15 o K)3 e−1,210/((8,620×10−5 )(323,15))
= 8,961 × 1010 cm−3 ,
que es ND = 2 × 1014 cm−3 . Así pues, el semiconductor trabaja en la zona extrínseca para
todas las temperaturas consideradas y, dado que a esas temperaturas se puede considerar que
todas las impurezas están ionizadas, n ≈ ND , p n, y con gran precisión σ = qµn ND . La
tensión diferencial vd vale, en V y en función del valor RPTC de la resistencia PTC,
RPTC R2
vd = 10 − 10 . (1.6)
R1 + RPTC R1 + R2
Al aumentar la temperatura, aumenta RPTC y aumenta vd . Para que vd sea 0 para una temperatura
de 20 o C, R2 debe ser igual a RPTC a esa temperatura. Calculemos RPTC para una temperatura de
20 o C. Obtenemos
T = 273,15 + 20 = 293,15 o K .
−2,5
T 293,15 −2,5
µn = µno = 1.300 = 1.377 cm2 V−1 s−1 .
To 300
11
σ = qµn ND = (1,602 × 10−19 C)(1.377 cm2 V−1 s−1 )(2 × 1014 cm−3 ) = 0,04412 Ω−1 cm−1 .
L 1 cm
RPTC = = = 2.267 Ω .
σS (0,04412 Ω cm−1 )(0,01 cm2 )
−1
Así pues, R2 = 2.267 Ω.

Para determinar R1 , impongamos que para una temperatura de 50 o C, vd = 0,1 V. Calculemos
RPTC para esa temperatura. Obtenemos
T = 273,15 + 50 = 323,15 o K .
−2,5
T 323,15 −2,5
µn = µno = 1.300 = 1.080 cm2 V−1 s−1 .
To 300
σ = qµn ND = (1,602 × 10−19 C)(1.080 cm2 V−1 s−1 )(2 × 1014 cm−3 ) = 0,03460 Ω−1 cm−1 .
L 1 cm
RPTC = = = 2.890 Ω .
σS (0,03460 Ω cm−1 )(0,01 cm2 )
−1
Usando los valores de R2 y RPTC en (1.6) e imponiendo vd = 0,1 V, obtenemos

2.890 2.267
0,1 = 10 − 10 ,
R1 + 2.890 R1 + 2.267
(0,1)(R1 + 2.890)(R1 + 2.267) = (2,890 × 104 )(R1 + 2.267) − (2,267 × 104 )(R1 + 2.890) ,
0,1R12 + 515,7R1 + 6,552 × 105 = 6.230R1 ,
0,1R12 − 5.714R1 + 6,552 × 105 = 0 ,
R12 − 5,714 × 104 R1 + 6,552 × 106 = 0 ,
cuyas soluciones son R1 = 5,703 × 104 Ω y R1 = 115 Ω. Escogemos la primera, pues la segunda
no es muy precisa. Así pues, valores apropiados para R1 y R2 son R1 = 5,703 × 104 Ω y
R2 = 2.267 Ω.
2) Empezaremos encontrando una expresión para RPTC en función de la temperatura absoluta T .
Obtenemos, con µn en cm2 V−1 s−1 , σ en Ω−1 cm−1 y RPTC en Ω,
−2,5
T T −2,5
µn = µno = 1.300 = 2,026 × 109 T −2,5 .
To 300
σ = qµn ND

= (1,602 × 10−19 ) 2,026 × 109 T −2,5 (2 × 1014 )
= 6,491 × 104 T −2,5 .
L 1
RPTC = = = 1,541 × 10−3 T 2,5 .
σS (6,491 × 10 T −2,5 ) (0,01)
4
Finalmente, sustituyendo R1 y R2 por sus valores en (1.6), obtenemos, con vd en V,

RPTC 2.267
vd = 10 − 10
5,703 × 10 + RPTC
4 5,703 × 104 + 2.267
10
= − 0,3823 .
5,703 × 104
1+
RPTC
Utilizando las expresiones anteriores para RPTC y vd podemos calcular vd para cualquier valor
de T . La siguiente tabla da T , RNTC y vd para las temperaturas en o C, t, especificadas.
t (o C) T (o K) RNTC (Ω) vd (mV)

20 293,15 2.267 0
25 298,15 2.365 15,9
30 303,15 2.466 32,2
35 308,15 2.569 48,7
40 313,15 2.674 65,6
45 318,15 2.782 82,8
50 323,15 2.893 100
Calculando los incrementos en vd correspondientes a valores sucesivos de temperaturas, vemos

que varían entre 15,9 mV y 17,2 mV. Así pues, la relación entre vd y la temperatura es aproxi-
madamente lineal.
Problema 6: Una barra de silicio de longitud L y sección S uniformemente dopada con una
concentración de impurezas donadoras ND tal que ND ni es sometida por un extremo a una
radiación de potencia PR y frecuencia ν tal que h̄ν > Eg , siendo Eg la anchura de la banda
prohibida del silicio. La longitud L verifica L Lp , siendo Lp la longitud de difusión de los
huecos. Los fotones producen ionización fotónica con rendimiento η en el extremo por donde
incide la radiación. La concentración de huecos es en cada punto muy inferior a la concentración
de electrones libres. 1) Demuestre que la concentración de huecos tiene, en régimen estacionario,
un perfil aproximado, en función de la coordenda longitudinal x a partir del extremo donde incide
la radiación, de la forma p(x) = po + Ae−x/Lp , A > 0, po = n2i /ND . 2) Determine la constante
A.
Solución: 1) La radiación incidente provocará un aumento de la concentración de huecos en el
extremo x = 0 de la barra. Dicho aumento provocará un flujo de huecos por difusión en el sentido
positivo de x. En régimen estacionario, la concentración de huecos tendrá un perfil decreciente
con x. Siendo ∆p = p − po , dicho perfil satisfará la ecuación diferencial
d2 ∆p 1
2
= 2 ∆p(x) ,
dx Lp
cuya solución genérica tiene la forma
∆p(x) = Ae−x/Lp + Bex/Lp .
Siendo la inyección de huecos a bajo nivel, prácticamente toda la corriente de huecos será co-
rriente de difusión. Para x = L, la corriente de huecos debe ser 0, pues en ese punto se acaba el
material. Para que la corriente de difusión de huecos para x = L sea nula, dp/dx deberá ser nula
para x = L. Calculemos dp/dx. Obtenemos
dp d∆p A −x/Lp B x/Lp

= =− e + e .
dx dx Lp Lp
E imponiendo dp/dx = 0 para x = L obtenemos
A −L/Lp B L/Lp
0=− e + e ,
Lp Lp
13
B = Ae−2L/Lp .
Así pues, el perfil tiene la forma

p(x) = po + A e−x/Lp + e−2L/Lp ex/Lp .
Demostremos que para L Lp el término e−2L/Lp ex/Lp puede ser despreciado. Considerare-
mos dos casos: a) x Lp ; b) x Lp . Observemos que, siendo 0 ≤ x ≤ L, 2L − x ≥ x, y
e−2L/Lp ex/Lp = e−(2L−x)/Lp ≤ e−x/Lp . En el caso a), e−x/Lp 1, e−2L/Lp ex/Lp ≤ e−x/Lp
1, podemos aproximar con error pequeño e−x/Lp + e−2L/Lp ex/Lp con e−x/Lp , y
p(x) ≈ po + Ae−x/Lp .
En el caso b), x L, 2L − x x, y e−2L/Lp ex/Lp = e−(2L−x)/Lp e−x/Lp , obteniéndose

también
p(x) ≈ po + Ae−x/Lp .
Así pues, con error pequeño,
p(x) = po + Ae−x/Lp .
Dado que p(x) > po , A > 0.
2) Para obtener A hacemos un balance de huecos. Siendo p(x) > po , en cada punto de la barra la
tasa de recombinación de huecos supera la tasa de creación de huecos por ionización térmica. Ello
provoca una pérdida en el número de huecos de la barra. La tasa de dicha pérdida es compensada
por la tasa de generación de huecos por ionización fotónica en el extremo de la barra, permitiendo
que el perfil p(x) sea estacionario. La tasa de pérdida de huecos vale
L L
L
p(x) − po Ae−x/Lp AS 1
S dx = S dx = − e−x/Lp
0 τp 0 τp τp Lp 0
AS AS
= 1 − e−L/Lp ≈ .
Lp τ p Lp τ p
Para calcular la tasa de generación de huecos por ionización fotónica, consideramos que, siendo
h̄ν la energía de cada fotón, la tasa a la que inciden fotones en la barra es PR /(h̄ν). Cada fotón
produce una ionización fotónica con probabilida η. Por tanto, las tasa de creación de huecos for
ionización fotónica es
PR
η .
h̄ν
Igualando la tasa de pérdida de huecos con la tasa de creación de huecos, obtenemos
AS PR
=η ,
Lp τ p h̄ν
PR Lp τp
A=η .
h̄ν S
Problema 7: Una porción de silicio de volumen V uniformemente dopada con una concen-
tración de impurezas donadoras ND tal que ND ni es sometida a una radiación de potencia
PR y frecuencia ν tal que h̄ν > Eg , siendo Eg la anchura de la banda prohibida del silicio. Los
fotones producen ionización fotónica con rendimiento η uniformemente sobre todo el valumen
de la barra. La concentración de huecos es muy inferior a la concentración de electrones libres.

1) Determine la concentración de huecos en la barra. 2) En un cierto instante cesa la radiación.
Determine la evolución temporal de la concentración de huecos en la barra.
Solución: 1) La concentración de huecos es el resultado de un equilibrio entre la pérdida de
huecos por ser la concentración de huecos superior a po = n2i /ND y la creación de huecos por
ionización fotónica. Dado que la concentración de huecos es muy inferior a la de electrones
libres, la tasa de pérdida de huecos vale
p − po
V.
τp
Cada fotón tiene una energía h̄ν. Por tanto, la tasa a la que inciden fotones en el material es
PR /(h̄ν), y como cada fotón produce una ionización con probabilidad η, la tasa de creación de
huecos por ionización fotónica es
PR
η .
h̄ν
Igualando dicha tasa a la tasa de pérdida de huecos, obtenemos
PR p − po
η = V,
h̄ν τp
PR τp
p = po + η .
h̄ν V
2) Dado que en el instante inicial t = 0 la concentración de huecos es uniforme, dicha con-
centración evolucionará con el tiempo uniformemente. Siendo la concentración de huecos muy
inferior a la de electrones libres, la tasa de disminución de la concentración valdrá (p − po )/τp y
p(t) cumplirá la ecuaciń diferencial
dp p(t) − po
=− .
dt τp
Introduciendo ∆p = p − po , obtenemos
d∆p ∆p(t)
=− ,
dt τp
cuya solución es
∆p(t) = Ae−t/τp .
Para determinar A impongamos que p(0) sea igual al valor calculado en el apartado anterior.
Obtenemos
PR τp
p(0) = po + ∆p(0) = po + A = po + η ,
h̄ν V
PR τp
A=η .
h̄ν V
Por tanto,
PR τp −t/τp
p(t) = po + η e .
h̄ν V
15
Problema 8: En el modelo unión abrupta de la región de vaciamiento de un diodo se supone

que en la región de vaciamiento no hay ningún portador de carga libre. Usando dicho modelo,
1) determine la relación entre la anchura a de la región de vaciamiento y el valor máximo Emax
del campo eléctrico en la región de vaciamiento y la tensión directa VAK aplicada al diodo, 2)
determine los valores numéricos de a y Emax para VAK = 0 y T = 300 o K para un diodo
con zona p dopada con una concentración de impurezas aceptadoras NA = 2 × 1017 cm−3 y
zona n dopada con una concentración de impurezas donadoras ND = 1018 cm−3 y comente los
resultados. Desprecie el campo eléctrico fuera de la región de vaciamiento.
Solución: 1) Sea xp la penetración de la región de vaciamiento en la zona p y sea xn la pene-
tración de la región de vaciamiento en la zona n. Dado que, en el modelo unión abrupta, se supone
que en la región de vaciamiento no hay ningún portador de carga libre, la densidad volúmica de
carga, ρ, vale ρ = −qNA en la parte p de la región de vaciamiento y ρ = qND en la región n de
la región de vaciamiento, donde q es la carga electrónica en valor absoluto. Fuera de la región de
vaciamiento, ρ = 0. El campo eléctrico E es nulo fuera de la región de vaciamiento y puede ser
calculado en la región de vaciamiento usando
dE ρ
= ,
dx ε
donde x es la coordenada longitudinal del diodo. El potencial eléctrico ψ puede ser evaluado a
partir de una cierta referencia usando
x
ψ(x) = ψ(xo ) − E dx .
xo
La siguiente figura muestra los perfiles de ρ, E y ψ. Se supone ψ(x) = 0 a la izquierda de la
región de vaciamiento. V denota la altura de la barrera de potencial en la unión pn, que vale
V = Vo − VAK , con
NA ND
Vo = VT ln .
n2i
ρ
qND
−xp
xn x
−qNA
E
x
Emax
Observemos, en primer lugar, que la neutralidad eléctrica exige que la carga negativa en la zona
p de la región de vaciamiento sea igual a la carga positiva en la zona n de la región de va-

ciamiento. Siendo A la sección del diodo, tenemos qNA Axp = qND Axn , NA xp = ND xn y
xn = (NA /ND )xp . Determinemos E(x) dentro de la región de vaciamiento. Para −xp ≤ x ≤ 0,
obtenemos x x
ρ qNA qNA
E(x) = dx = − dx = − (x + xp ) .
−xp ε −xp ε ε
El valor máximo de campo eléctrico, Emax , vale, por tanto,
qNA
Emax = −E(0) = xp . (1.7)
ε
Para 0 ≤ x ≤ xn , el campo eléctrico vale, usando NA xp = ND xn ,
x x
ρ qNA xp qND qND xn qND x qND
E(x) = E(0)+ dx = − + dx = − + =− (xn −x) .
0 ε ε 0 ε ε ε ε
Determinemos, a continuación, V . Obtenemos

xn 0 xn
V = − E dx = − E dx − E dx
−xp −xp 0
0 xn
qNA qND
= (x + xp ) dx + (xn − x) dx
−xp ε 0 ε
xp xn
qNA qND qNA x2p qND x2n
= x dx + x dx = + ,
0 ε 0 ε ε 2 ε 2
y, usando xn = (NA /ND )xp ,

2
qNA x2p qND NA x2p qNA NA
V = + = 1+ x2p . (1.8)
ε 2 ε ND 2 2ε ND
Despejando xp en (1.8), obtenemos

2εV
xp = , (1.9)
qNA (1 + NA /ND )
y, usando xn = (NA /ND )xP ,

NA NA 2εV
a = xp + xn = 1+ xp = 1+
ND ND qNA (1 + NA /ND )

2εV (1 + NA /ND )
= . (1.10)
qNA
Finalmente, combinando (1.7) y (1.9),

qNA 2εV 2qNA V
Emax = = . (1.11)
ε qNA (1 + NA /ND ) ε(1 + NA /ND )
17
2) Con VAK = 0,

NA ND kT NA ND
V = Vo = VT ln = ln .
n2i q n2i
Determinemos ni .

ni = (1,744 × 1033 cm−6 o K−3 )(300 o K)3 e−1,210/((8,620×10−5 )(300) = 1,500 × 1010 cm−3 .
Eso da

−5 (2 × 1017 cm−3 )(1018 cm−3 )
V = (8,620 × 10 V/o K)(300 o K) ln = 0,8901 V .
(1,500 × 1010 cm−3 )2
Usando (1.10), obtenemos

(2)(1,062 × 10−10 F/m)(0,8901 V)(1 + 2 × 1017 /1018 )
a =
(1,602 × 10−19 C)(2 × 1023 m−3 )
= 8,415 × 10−8 m = 0,08415 µm .
Finalmente, usando (1.11),

(2)(1,602 × 10−19 C)(2 × 1023 m−3 )(0,8901 V)
Emax =
(1,062 × 10−10 F/m)(1 + 2 × 1017 /1018 )
= 2,116 × 107 V/m = 2,116 × 105 V/cm .
Observamos que a es muy pequeña, mucho más pequeña que las longitudes de difusión de mi-
noritarios en las zonas p y n, que son del orden del mm, y que el campo eléctrico en la región de
vaciamiento es muy intenso. Lo primero justifica que en la deducción de la ecuación del diodo
se puedan despreciar las generaciones térmicas y recombinaciones de huecos y electrones libres
en la región de vaciamiento, y que las corrientes de huecos y electrones puedan ser consideradas
constantes en dicha región. Lo segundo implica que en la región de vaciamiento hay, aún con
VAK = 0, un cuasi-equilibrio entre las corrientes de difusión y las de arrastre, tanto de huecos
como de electrones, y que se pueda usar la ecuación de Boltzmann para determinar con un e-
rror muy pequeño las concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados de la región de
vaciamiento.
Problema 9: Se construye un sensor de temperatura conectando en serie 8 diodos de silicio

por los que se hace pasar una cierta corriente directa I, obteniéndose así una tensión positiva v
dependiente de la temperatura. Los diodos tienen una sección A = 10 mm2 , una zona p con un
dopaje NA = 2 × 1017 cm−3 y una zona n con un dopaje ND = 1017 cm−3 . Las vidas medias
de los huecos en la zona n y de los electrones en la zona p valen τp = 0,75 ms y τn = 1,1 ms,
respectivamente. 1) Determine qué valor ha de tener la corriente I para que, para una temperatura
de 100 o C, la tensión v valga 5 V. 2) Determine la tensión v para un conjunto de temperaturas
que cubra el intervalo [0 o C, 100 o C] con incrementos de 10 o C. ¿Es aproximadamente lineal la
relación entre la temperatura y v dentro de ese intervalo?
Solución: 1) Empezaremos determinando el valor de la corriente inversa de saturación de los

diodos, IS , en función de la temperatura absoluta T . Dicha corriente tiene la expresión

Dp Dn
IS = Aqn2i + ,
Lp ND Ln NA
donde Dp es la constante de difusión de huecos en la zona n, Lp es la longitud de difusión

de huecos en la zona n, Dn es la constante de difusión de electrones en la zona p, y Ln es la
longitud
√ de difusión de electrones en la zona p. Usando las relaciones Lp = Dp τp , Ln =
Dn τn , Dp = µp (kT /q), Dn = µn (kT /q), µp = µpo (T /To )−2,7 , µn = µno (T /To )−2,5 , y
n2i = BT 3 e−Eg /(kT ) , obtenemos
−1,35 −1,25
kT 1 √ T 1 √ T
IS = AqBT 3 e−Eg /(kT ) √ µpo + √ µno .
q ND τp To NA τn To
Sustituyendo valores, con IS en A, tiempos en s y longitudes en cm, obtenemos

IS = (0,1) 1,602 × 10−19 1,744 × 1033 T 3
−5

e−(1,210)/((8,620×10 T )) 8,620 × 10−5 T

1 √ T −1,35 1 √ T −1,25
√ 500 + √ 1.300
1017 7,5 × 10−4 300 2 × 1017 1,1 × 10−3 300

= 4,678 T 2,15 + 1,760 T 2,25 e−14.037/T . (1.12)
Calculemos IS para una temperatura de 100 o C. Obtenemos
T = 100 + 273,15 = 373,15 o K .

IS = (4,678)(373,15)2,15 + (1,760)(373,15)2,25 e−14.037/(373,15) = 1,224 × 10−10 A .
Dado que hay 8 diodos en serie, v = 8vAK , donde vAK es la tensión ánodo-cátodo de cada
diodo. Tenemos, pues, vAK = v/8 e

I = IS evAK /VT − 1 = IS ev/(8VT ) − 1 . (1.13)
Calculemos VT .
kT
VT = = (8,620 × 10−5 V o K−1 )(300 o K) = 0,03217 V .
q
Para que v = 5 V, I deberá valer

I = (1,224 × 10−10 A) e5/((8)(0,03217)) − 1 = 0,03352 A = 33,52 mA .
2) El potencial equivalente de temperatura, VT , en V vale en función de T
kT
VT = = 8,620 × 10−5 T .
q
19
Despejando v de (1.13), obtenemos, con v en V e IS en A,

I −5 0,03352
v = 8VT ln 1 + = (8)(8,620 × 10 )T ln 1 +
IS IS

−4 0,03352
= 6,896 × 10 T ln 1 + .
IS
Dicha expresión combinada con (1.12) da v en V en función de T . La siguiente tabla da T , IS y

v para las temperaturas en o C, t, especificadas.
t (o C) T (o K) IS (A) v (V)
0 273,15 6,459 × 10−17 6,382
10 283,15 4,291 × 10−16 6,246
20 293,15 2, 512 × 10−15 6,110
30 303,15 1,312 × 10−14 5,972
40 313,15 6,179 × 10−14 5,835
50 323,15 2,650 × 10−13 5,697
60 333,15 1,043 × 10−12 5,558
70 343,15 3,801 × 10−12 5,419
80 353,15 1,289 × 10−11 5,280
90 363,15 4,094 × 10−11 5,140
100 373,15 1,224 × 10−10 4,999
Calculando los decrementos de v entre temperaturas consecutivas, encontramos que están com-
prendidos entre 0,136 V y 0,141 V. Así pues, la relación entre la temperatura y v dentro del
intervalo [0, o C, 100 o C] es muy aproximadamente lineal.
Problema 10: Considere un diodo de silicio de sección A, zona p de longitud Bp y dopaje NA

y zona n de longitud Bn y dopaje ND . La vida media de los huecos en la zona n vale τp y la vida
media de los electrones en la zona p vale τn . 1) Demuestre que la caída de tensión directa ∆V
debida al campo eléctrico en las zonas neutras (fuera de la región de vaciamiento) es proporcional
a la corriente directa I y que, por tanto, dicho efecto puede ser modelado introduciendo una
resistencia R y determine el valor de R. Desprecie la anchura de la región de vaciamiento frente
a Bp y Bn , suponga Bn Lp , donde Lp es la longitud de difusión de huecos en la zona n,
y Bp Ln , donde Ln es la longitud de difusión de electrones en la zona p, y suponga que
las inyecciones de portadores minoritarios son a bajo nivel tanto en la zona n como en la zona
p. Suponga también que el campo eléctrico en las zonas neutras es pequeño. 2) Determine el
valor de R para T = 300 o K, A = 10 mm2 , Bp = Bn = 1 cm, NA = ND = 1017 cm−3 ,
τp = 0,75 ms, y τn = 1,1 ms y calcule ∆V para una corriente directa I = 20 mA.
Solución: 1) Despreciando la anchura de la región de vaciamiento, sea x la coordenada con
origen en la frontera de la región de vaciamiento que crece al adentrarnos en la zona neutra n y sea
x la coordenada con origen en la frontera de la región de vaciamiento que crece al adentrarnos
en la zona neutra p. Supondremos positivas las componentes de la corriente en la zona neutra n en
el sentido creciente de x . De modo similar, supondremos positivas las componentes de corriente
en la zona neutra p en el sentido creciente de x . Con inyección de huecos en la zona n a bajo
nivel y con Bn Lp , el perfil de la concentración de huecos en la zona n sigue la ecuación

pn (x ) = pno + eVAK /VT − 1 pno e−x /Lp ,
donde pno = n2i /ND . La corriente de difusión de huecos en la zona n vale, por tanto,
dpn Aqpno Dp VAK /VT

Idpn (x ) = −AqDp = e − 1 e−x /Lp
dx Lp
Dp VAK /VT
= Aqn2i e − 1 e−x /Lp ,
ND Lp
y, dado que

Dp Dn
I = Aqn2i + eVAK /VT − 1 ,
ND Lp NA Ln
Dp
ND Lp
Idpn (x ) = I e−x /Lp .
Dp Dn
+
ND Lp NA Ln
Suponiendo pequeño el campo eléctrico en la zona neutra de la región n, dE/dx = ρ/ε, donde ρ
es la densidad volúmica de carga, implica que ρ será despreciable y nn (x ) − nno = pn (x ) − pno
con error pequeño, lo cual implica dnn /dx = dpn /dx y
dnn dpn Dn
Idnn (x ) = AqDn
= AqDn
=− Idpn (x ) .
dx dx Dp
Con inyección de huecos a bajo nivel en la zona n, nn (x ) pn (x ) y la corriente de arrastre de
huecos será despreciable frente a la corriente de arrastre de electrones. Tendremos
I = Idpn (x ) + Idnn (x ) + Iann (x ) ,

Dn
I= 1− Idpn (x ) + Iann (x ) ,
Dp

Dn
Iann (x ) = I − 1 − Idpn (x )
Dp
 
Dp

 Dn ND Lp 
= I e−x /Lp 

1 − 1 − Dp Dp Dn . (1.14)
+
ND Lp NA Ln
El perfil de la concentración de electrones libres en la zona p sigue la ecuación

np (x ) = npo + eVAK /VT − 1 npo e−x /Ln ,
21
donde npo = n2i /NA . La corriente de difusión de electrones en la zona p vale, por tanto,
dnp Aqnpo Dn VAK /VT
Idnp (x ) = AqDn = − e − 1 e−x /Ln
dx Ln
Dn VAK /VT
= −Aqn2i e − 1 e−x /Ln
NA Ln
Dn
NA Ln
= −I e−x /Ln .
Dp Dn
+
ND Lp NA Ln
De modo similar a como se ha razonado para la zona n, tenemos dpp /dx = dnp /dx y
dpp dnp Dp
Idpp (x ) = −AqDp
= −AqDp
=− Idnp (x ) .
dx dx Dn
Con inyección de electrones a bajo nivel en la zona p, pp (x ) np (x ) y la corriente de arrastre
de electrones será despreciable frente a la corriente de arrastre de huecos. Tendremos
I = −Idnp (x ) − Idpp (x ) − Iapp (x ) ,

Dp
I =− 1− Idnp (x ) − Iapp (x ) ,
Dn

Dp
Iapp (x ) = −I − 1 − Idnp (x )
Dn
 
Dn

 Dp NA Ln 
= −I 
1 − 1 − e−x /Ln 
. (1.15)
Dn Dp Dn
+
ND Lp NA Ln
Se puede obtener el campo eléctrico en la zona neutra n usando la relación
Iann (x ) = Aqµn ND E(x ) .
Combinando con (1.14), obtenemos

 
Dp

Iann (x ) I  
E(x ) = = 1 − 1 − Dn ND Lp
e−x /Lp 

(1.16)
Aqµn ND Aqµn ND  Dp Dp Dn .
+
ND Lp NA Ln
De modo similar, usando (1.15),
Iapp (x ) = Aqµp NA E(x ) ,

 
Dn
Iapp (x )  
E(x ) = =−
I 1 − 1 − Dp NA Ln
e−x /Ln 

(1.17)
Aqµp NA Aqµp NA  Dn Dp Dn .
+
ND Lp NA Ln
Finalmente, la tensión ∆V la obtenemos por integración, usando (1.16) y (1.17). Con
Dp

Dn ND Lp
Ap = 1−
Dp Dp Dn
+
ND Lp NA Ln
y
Dn
Dp NA Ln
An = 1− ,
Dn Dp Dn
+
ND Lp NA Ln
obtenemos, usando e−Bp /Ln 1 y e−Bn /Lp 1,

Bp Bn

∆V = − E(x ) dx + E(x ) dx
0 0
Bp Bn
I −x /Ln I
= (1 − An e ) dx + (1 − Ap e−x /Lp ) dx
Aqµp NA 0 Aqµn ND 0
I
Bp I
Bn
= x + An Ln e−x /Ln + x + Ap Lp e−x /Lp
Aqµp NA 0 Aqµn ND 0
I I
= (Bp − An Ln ) + (Bn − Ap Lp )
Aqµp NA Aqµn ND

Bp − An Ln Bn − Ap Lp
= + I,
Aqµp NA Aqµn ND
que demuestra que ∆V es proporcional a I y que puede ser modelada con una resistencia de
valor
Bp − An Ln Bn − Ap Lp
R= + .
Aqµp NA Aqµn ND
2) Determinemos primero Dp , Dn , Lp y Ln . Obtenemos
kT
Dp = µp = (8,620 × 10−5 V o K−1 )(300 o K)(500 cm2 V−1 s−1 ) = 12,93 cm2 s−1 .
q
kT
Dn = µn = (8,620 × 10−5 V o K−1 )(300 o K)(1.300 cm2 V−1 s−1 ) = 33,62 cm2 s−1 .
q

Lp = Dp τp = (12,93 cm2 s−1 )(7,5 × 10−4 s) = 0,09848 cm .

Ln = Dn τn = (33,62 cm2 s−1 )(1,1 × 10−3 s) = 0,1923 cm .
Lp no parece mucho menor que Bn y Ln no parece mucho menor que Bp . En realidad, para que
los perfiles pn (x ) y np (x ) utilizados en 1) sean buenas aproximaciones basta e−Bn /Lp 1
y e−Bp /Ln 1. Obtenemos e−Bn /Lp = e−1/0,09848 = 3,891 × 10−5 , que puede considerarse
1 y e−Bp /Ln = e−1/0,1923 = 5,515 × 10−3 , que también puede considerarse 1. Así pues,
supuestas inyecciones de portadores minoritarios a bajo nivel a ambos la región de vaciamiento,
23
los resultados obtenidos en el apartado anterior son aproximadamente aplicables. Calculemos Ap

y An . Obtenemos
Dp 12,93 cm2 s−1

= = 1,313 × 10−15 cm4 s−1 .
ND Lp (10 cm−3 )(0,09848 cm)
17
Dn 33,62 cm2 s−1

= = 1,748 × 10−15 cm4 s−1 .
NA Ln (1017 cm−3 )(0,1923 cm)

33,62 1,313 × 10−15
Ap = 1 − = −0,6864 .
12,93 1,313 × 10−15 + 1,748 × 10−15

12,93 1,748 × 10−15
An = 1 − = 0,3514 .
33,62 1,313 × 10−15 + 1,748 × 10−15
Utilizando esos valores de Ap y An , obtenemos, usando cm para longitudes, ‘
1 − (0,3514)(0,1923) 1 + (0,6864)(0,09848)
R= + = 1,677 Ω
(0,1)(1,602 × 10 )(500)(10 ) (0,1)(1,602 × 10−19 )(1.300)(1017 )
−19 17
Para una corriente I = 20 mA, ∆V vale
∆V = RI = (1,677 Ω)(20 mA) = 33,54 mV .

Capítulo 2
Problemas de análisis de circuitos con

diodos
Problema 11: Los diodos D1 y D2 del siguiente circuito tienen corrientes inversas de saturación
IS1 = 10−12 A e I S2 = 2 × 10−11 A, respectivamente. Analice el circuito y determine la tensión
V y la corriente I. Suponga VT = 25,9 mV.
I
D1
5V +
D2 V
−
Solución: Empezaremos suponiendo 5 − V VT = 0,0259 V. Ello implica I = IS1 =

10−12 A. La tensión V puede ser calculada utilizando

I = IS2 eV /VT − 1 ,
obteniéndose

I 10−12
V = VT ln 1 + = (0,0259) ln 1 + = 0,001264 = 1,264 mV .
IS2 2 × 10−11
Resulta 5 − V = 5 − 0,001264 = 4,999, que es 0,0259. Así pues, los valores calculados para
V e I son correctos.
IS1 = 10−12 A e IS2 = 8 × 10−12 A, respectivamente. Analice el circuito y determine las
26 2 Problemas de análisis de circuitos con diodos
corrientes I1 e I2 .
I1 I2
1 µA D1 D2
Solución: Llamando VAK a la tensión anódo cátodo común a los dos diodos, tenemos

I1 = IS1 eVAK /VT − 1 ,

I2 = IS2 eVAK /VT − 1 ,
de donde,
I1 IS1 10−12
= = = 0,125 .
I2 IS2 8 × 10−12
Aplicando la primera ley de Kirchoff, obtenemos 10−6 = I1 + I2 , y usando la relación anterior
entre I1 e I2 ,
10−6 = 0,125I2 + I2 = 1,125I2 ,
de donde
10−6
I2 = = 8,889 × 10−7 = 0,8889 µA .
1,125
Finalmente, usando 10−6 = I1 + I2 ,
I1 = 10−6 − I2 = 10−6 − 8,889 × 10−7 = 1,111 × 10−7 = 0,1111 µA .
IS1 = 3 × 10−11 A e IS2 = 10−12 A, respectivamente. Analice el circuito y determine la tensión
V y la corriente I. Suponga VT = 25,9 mV.
D1
5V D2 +
10 MΩ I V
−
Solución: Empezaremos suponiendo 5 − V VT = 0,0259 V. Llamando I a la corriente

inversa por el diodo D1, se tendrá I = IS1 = 3 × 10−11 A. Sea R la resistencia del circuito. La
corriente a través de dicha resistencia vale V /R. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado a los ánodos de los diodos y utilizando la ecuación del diodo D2 se obtiene
V V
I = I + = IS2 eV /VT − 1 + ,
R R
y, sustituyendo valores,
V
3 × 10−11 = 10−12 eV /0,0259 − 1 + 7 ,
10
27
que puede ser expresada de la forma

V = 3 × 10−4 − 10−5 eV /0,0259 − 1 .
Dicha ecuación trascendente tiene la forma V = f (V ). Para resolverla, usamos una iteración de
punto fijo Vk+1 = f (Vk ). Dicho método converge si |f (V )| < 1 en un entorno centrado en la
solución que incluye el valor inicial V1 . Con V1 = 3 × 10−4 , se obtiene V2 = 2,999 × 10−4 ,
V3 = 2,999 × 10−4 . Así pues, la solución de la ecuación es V = 2,999 × 10−4 V = 0,2999 mV.
Dicho valor de V verifica 5 − V = 4,9997 V, que es 0,0259, y es, por tanto, correcto. Falta
calcular I. Usando la ecuación del diodo D2 se obtiene
−4

I = IS2 eV /VT − 1 = 10−12 e2,999×10 /0,0259 − 1 = 1,165 × 10−14 A .
Problema 14: Utilizando para el diodo el modelo “diodo ideal”, analice el siguiente circuito y
determine las corrientes I1 e I2 y la tensión V .
10 V
10 KΩ
V
I1 I2
9,9 KΩ
−10 V
Solución: Supondremos que los dos diodos están en ON. Se obtiene el circuito
10 V
10 KΩ
V
A A
I1 I2
K K
I1 + I2 9,9 KΩ
−10 V
Por inspección, V = 0. Además, las diferencias de tensión en las dos resistencias resultan ser
iguales a 10 V, obteniéndose
10 = 9,9 (I1 + I2 ) ,
10 = 10I2 ,
de donde se obtiene I2 = 1 mA, que es ≥ 0, e
10 − 9,9 I2 10 − (9,9)(1)
I1 = = = 0,01010 mA ,
9, 9 9, 9
que también es ≥ 0, por lo que los estados supuestos para los diodos y los valores calculados
para I1 e I2 son correctos.
Problema 15: Utilizando para el diodo el modelo “diodo ideal”, analice el siguiente circuito y
determine las corrientes I1 , I2 e I3 y la tensión V .
30 V
I1 10 KΩ
I2
V
I3 20 KΩ 20 KΩ
Solución: Calculando el equivalente de Thévenin del dipolo formado por la fuente de tensión
de 30 V y las resistencias de la izquierda, que tiene como salida los extremos de la resistencia de
20 KΩ, se obtiene una tensión de Thévenin
20
Vth = 30 = 20 V
10 + 20
y una resistencia de Thévenin
(10)(20)
Rth = 10 20 = = 6,667 KΩ .
10 + 20
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thévenin resulta el circuito:

6,667 KΩ
V
20 V 20 KΩ
Dicho circuito pone en evidencia que el diodo está en ON. Para verlo, considere que el punto de
trabajo del diodo (VAK , I), donde VAK es la tensión ánodo-cátodo del diodo e I es la corriente
directa del diodo, tiene que estar en la intersección de la recta de carga 20 = 6,667I + VAK +
20I = 26,67I + VAK y el modelo lineal a tramos del diodo, y que dicha intersección se produce
en un punto con I > 0. Sustituyendo el diodo por su circuito equivalente para el estado ON se
29
obtiene el circuito
30 V
I1 10 KΩ
I2
V
A K
I3 20 KΩ 20 KΩ
Calculando la resistencia equivalente de las tres resistencias vistas desde la fuente de tensión de
30 V, se obtiene
Req = 10 + 20 || 20 = 10 + 10 = 20 KΩ .
Resulta, entonces,
30 30
I1 = = = 1,5 mA.
Req 20
Además, por simetría, I2 = I3 y, como I1 = I2 + I3 , tenemos
I1
I2 = I3 = = 0,75 mA.
2
Por último, la tensión V puede ser calculada como la diferencia de tensión en la resistencia de la
derecha:
V = 20I2 = (20)(0,75) = 15 V.
Problema 16: Utilizando para el diodo el modelo con tensión ánodo-cátodo cero para corrien-
tes directas y tensión cátodo-ánodo igual a 5 V para corrientes inversas, determine la función de
transferencia vo = F (vi ) del siguiente cuadripolo.
10 KΩ
+ +
vi 10 KΩ vo
− −
Solución: Supondremos cada uno de los tres estados posibles del diodo Zener y determinaremos,
para cada uno de ellos, el intervalo de tensiones vi para el cual el diodo está en el estado y la
relación entre vo y vi .
Para el estado RUPTURA, sustituyendo el diodo por el circuito equivalente para ese estado,
obtenemos el circuito
i1 + i2
10 KΩ
+
i1 i2
+ K
vi − 5V 10 KΩ vo
A
La condición de estado del diodo a imponer es i1 ≥ 0. De modo inmediato obtenemos vo = 5 y

5 = 10i2 . Esta última da i2 = 0,5. Para determinar i1 aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensión de valor vi , la resistencia de la izquierda de valor 10 KΩ
y la fuente de tensión de valor 5 V, obteniendo
vi = 10(i1 + i2 ) + 5 = 10i1 + 10i2 + 5 = 10i1 + (10)(0,5) + 5 = 10i1 + 10 ,
vi
i1 = − 1.
10
Imponiendo i1 ≥ 0 se obtiene vi ≥ 10. Así pues para vi ∈ [10, ∞) el diodo está en RUPTURA
y vo = 5.
Para el estado OFF obtenemos el circuito

10 KΩ
+
+ − K
vi vAK 10 KΩ vo
− + A
Utilizando la fórmula del divisor de tensión obtenemos
10 vi
vo = vi = .
10 + 10 2
La condición de estado del diodo a imponer es −5 ≤ vAK ≤ 0 que, utilizando vAK = −vo , se
traduce en 0 ≤ vo ≤ 5, y utilizando vo = vi /2, en 0 ≤ vi ≤ 10. Así pues, para vi ∈ [0, 10], el
diodo está en OFF y vo = vi /2.
El diodo estará en el estado ON para el resto de valores de vi , es decir para vi ∈ (−∞, 0). El
31
circuito resultante para ese estado es

10 KΩ
+
+ K
vi − 10 KΩ vo
A
Por inspección, vo = 0. Así pues, para vi ∈ (−∞, 0), el diodo está en ON y vo = 0. La siguiente
figura representa gráficamente la función de transferencia vo = F (vi ).
vo
10 vi
Problema 17: Utilizando para el diodo el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V, analice el
circuito de la figura y determine los valores de la corriente directa I y de la tensión VAK del
diodo.
5 KΩ
5V
1 KΩ
Solución: Empezaremos suponiendo el diodo en OFF. Ello conduce al circuito
5 KΩ
5V
+
1 KΩ VAK
−
y la condición de estado a verificar es VAK ≤ 0,7. Aplicando la fórmula del divisor de tensión
obtenemos
1
VAK = 5 = 0,8333 V ,
1+5
que es > 0,7. Por lo tanto, el diodo está en ON. El circuito resultante es
I + I
5 KΩ
I
5V +
I
A
0,7 V VAK
1 KΩ K
−
Por inspección, VAK = 0,7 V. Además, utilizando el hecho de que la diferencia de tensión en la
resistencia de 1 KΩ es 0,7, obtenemos 0,7 = (1)I , I = 0,7. Por último, aplicando la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V y las resistencias,
5 = 5(I + I ) + I = 5I + 6I = 5I + (6)(0,7) = 5I + 4,2 ,
obteniéndose
5 − 4,2
I= = 0,16 mA .
5
Problema 18: Utilizando para el diodo el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V y resistencia
incremental en conducción directa rD = 1 Ω, analice el circuito de la figura y determine los
valores de la corriente directa I y de la tensión VAK del diodo.
100 mA 10 Ω
Solución: Empezaremos suponiendo el diodo en OFF. Ello conduce al circuito
A+
100 mA 10 Ω VAK
K
−
y la condición a verificar es VAK ≤ 0,7. Aplicando la ley de Ohm, obtenemos VAK = (0,01)(100) =
33
1, que es > 0,7. Por tanto, el diodo está en ON. El circuito resultante es
I
N
A
I
1Ω
100 mA
10 Ω
0,7 V
K
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo N obtenemos
100 = I + I .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 0,7 V
y las resistencias, obtenemos
0,7 = −0,001I + 0,01I ,
dando lugar al sistema lineal
I + I = 100
−I + 10I = 700 ,
cuya solución para I es

100 1

700 10 300
I= = = 27,27 mA .
1 1 11

−1 10
Finalmente, la tensión ánodo-cátodo resulta valer
VAK = 0,7 + 0,001 I = 0,7 + (0,001)(27,27) = 0,7273 V.
Problema 19: Utilizando para los diodos el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V analice el
siguiente circuito y determine el valor de la corriente I.
10 KΩ
I
5V D1
1 KΩ D2
Solución: Con el diodo D1 en OFF, el diodo D2 quedaría polarizado exlusivamente por la

resistencia de 1 KΩ y también estaría en OFF. Con esos estados para D1 y D2, tendríamos
VAK1 = 5, que no es ≤ 0,7 V. Así pues, el diodo D1 está en ON. Supongamos que el diodo
D2 está en OFF. Se obtiene el circuito
I 10 KΩ
A
5V 0,7 V
K
+
A
1 KΩ VAK2
K −
Se ha de verificar I ≥ 0 i VAK2 ≤ 0,7 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff se obtiene
5 = 10I + 0,7 + (1)I ,
5 − 0,7
I= = 0,3909 mA ,
11
que es ≥ 0. Aplicando la ley de Ohm,
VAK2 = (1)I = I = 0,3909 V ,
que es ≤ 0,7 V. Así pues, los estados supuestos para los diodos son correctos e I = 0,3909 mA.
Problema 20: Utilizando para los diodos el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V, resisten-
cia incremental en conducción directa rD = 10 Ω, tensión de ruptura VZO = 5 V y resistencia
incremental en ruptura rZ = 20 Ω, analice el circuito de la figura y determine los valores de las
corrientes I1 e I2 .
1 KΩ
10 KΩ 1 KΩ
10 V
I1 D1 I2 D2
Solución: Supondremos que D1 está en estado ON y D2 está en estado RUPTURA. Sustituyendo

35
los diodos por los circuitos equivalentes correspondientes a esos estados se obtiene el circuito
I1 + I2
1 KΩ
10 KΩ 1 KΩ
I1 A K I2
10 V
10 Ω 20 Ω
0,7 V 5V
K A
Las condiciones a verificar son I1 ≥ 0 e I2 ≥ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de la izquierda de valor 1 KΩ, la
resistencia de valor 10 KΩ, la resistencia de valor 10 Ω y la fuente de tensión de valor 0,7 V y a la
malla formada por la fuente de tensión de valor 10 V, las resistencias de valor 1 KΩ, la resistencia
de valor 20 Ω y al fuente de tensión de valor 20 Ω, se obtiene
10 = (1)(I1 + I2 ) + 10I1 + 0,01 I1 + 0,7 ,

10 = (1)(I1 + I2 ) + (1)I2 + 0,02 I2 + 5 ,
que conducen al sistema lineal
11,01I1 + I2 = 9,3
I1 + 2,02I2 = 5 ,
cuya solución es

9,3 1

5 2,02 13,79
I1 = = = 0,6492 mA ,
11,01 1 21,24

1 2,02
5 − I1 5 − 0,6492
I2 = = = 2,154 mA .
2,02 2,02
Dado que tanto I1 como I2 son ≥ 0, los estados supuestos para los diodos y los valores calculados
de I1 e I2 son correctos.
Problema 21: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V y para
el diodo D2 el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V y tensión cátodo-ánodo 5 V en ruptura,
analice el circuito de la figura y determine los valores de las corrientes I1 e I2 .
1 KΩ D1 I1
10 mA
200 Ω D2 I2
Solución: Por cada conjunto formado por un diodo y la resistencia que tiene en paralelo ha de
circular una corriente de valor 10 mA. Ello permite el análisis independiente de esos dos grupos
de elementos. Supongamos que el diodo D1 está en ON. Se obtiene el circuito
I I1
A
10 mA 1 KΩ 0,7 V
K
La diferencia de tensión en la resistencia es 0,7 V. Por tanto, 0,7 = (1)I e I = 0,7 mA. Apli-
cando la primera ley de Kirchoff se obtiene
10 = I + I1 = 0,7 + I1 ,
de donde se obtiene I1 = 9,3 mA, que es ≥ 0. Así pues, D1 está en ON e I1 = 9,3 mA.
Supongamos que el diodo D2 está en RUPTURA. Se obtiene el circuito
I I2
K
10 mA 200 Ω 5V
A
La diferencia de tensión en la resistencia es 5 V. Por tanto, 5 = 0,2 I e I = 25 mA. Aplicando

la primera ley de Kirchoff se obtiene
10 = I + I2 = 25 + I2 ,
de donde se obtiene I2 = −15 mA, que no es ≥ 0. Supongamos D2 en OFF. Se obtiene el circuito
I I2
−
K
10 mA 200 Ω VAK2
A
+
Por inspección, I2 = 0. Por otro lado, aplicando la ley de Ohm, obtenemos VAK2 = −0,2 I =
37
−(0,2)(10) = −2 V, que es ≥ −5 y ≤ 0,7. Así pues, el diodo D2 está en OFF e I2 = 0.
analice el circuito de la figura y determine los valores de la corriente I y de la tensión V .
D1
10 KΩ D2 I
10 V
+
1 KΩ V
−
Solución: Supongamos que el diodo D1 está en ON. Con el diodo D2 en ON, todas las corrientes
entrantes al nodo al que están conectados los cátodos de los diodos serían ≥ 0, con al menos una
de ellas (la procedente de la resistencia) > 0, lo cual es imposible. Supongamos que el diodo D2
está en OFF. Se obtiene el circuito
0,7 V
I
−
A K K
10 KΩ VAK2
A
10 V +
I +
1 KΩ V
−
Se ha de verificar I ≥ 0 y −5 ≤ VAK2 ≤ 0,7. Por inspección, I = 0. Aplicando la segunda ley

de Kirchoff a la malla con corriente I se obtiene
10 = 0,7 + 10I + (1)I = 0,7 + 11I ,
10 − 0,7 9,3
I = = = 0,8455 mA ,
11 11
que es ≥ 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de 10 KΩ, se obtiene
VAK2 = −10I = −(10)(0,8455) = 8,455 ,
que es < −5. Así pues, el estado supuesto para el diodo D2 no es correcto. Supongamos que está
en RUPTURA. Se obtiene el circuito

0,7 V
I
A K K
10 KΩ 5V
I A
10 V
+
I +I 1 KΩ V
−
Se ha de verificar I ≥ 0 e I + I ≥ 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de 10 KΩ, se

obtiene
5 = 10I ,
5
I = = 0,5 mA .
10
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de 10 V, la
fuente de tensión de 0,7 V, la fuente de tensión de 5 V y la resistencia de 1 KΩ, se obtiene
10 = 0,7 + 5 + (1)(I + I ) = 5,7 + I + I = 5,7 + I + 0,5 = 6,2 + I ,
I = 10 − 6,2 = 3,8 mA ,
que es ≥ 0. Además, I + I = 3,8 + 0,5 = 4,3 mA, que también es ≥ 0. Así pues, los esta-
dos supuestos para los diodos son correctos e I = 3,8 mA. La tensión V puede ser calculada
aplicando la ley de Ohm. Se obtiene
V = (1)(I + I ) = I + I = 3,8 + 0,5 = 4,3 V .
analice el circuito de la figura y determine los valores de las corrientes I1 e I2 .
10 KΩ I1 2 KΩ I2
1 mA
D1 D2
Solución: Supongamos que el diodo D1 está en estado OFF. Tenemos I2 = 1 mA, implicando
que D2 estará en estado RUPTURA. Entonces, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por los diodos y las resistencias, obtenemos
VAK1 = 5 + 2I2 = 5 + (2)(1) = 7 V ,

39
que no es ≤ 0,7 V. Así pues el diodo D1 estará en ON. Supongamos que el diodo D2 está en
RUPTURA. Se obtiene el circuito
10 KΩ I1 2 KΩ I2
1 mA A K
0,7 V 5V
K A
Se ha de verificar I1 ≥ 0 e I2 ≥ 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff obtenemos
1 = I1 + I2 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por las fuentes de tensión y las resisten-
cias obtenemos
0,7 + 10I1 = 5 + 2I2 ,
10I1 − 2I2 = 4,3 ,
que combinada con I1 + I2 = 1 da el sistema lineal
I1 + I2 = 1
10I1 − 2I2 = 4,3 ,
cuya solución es
1 1

4,3 −2 −6,3
I1 = = = 0,5250 mA ,
1 1 −12

10 −2
I2 = 1 − I1 = 1 − 0,5250 = 0,4750 mA .
Problema 24: Utilizando para los diodos el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V, analice
el circuito de la figura y determine los valores de las corrientes I1 e I2 .
4 KΩ
5V
1 KΩ 2 KΩ
1 KΩ
I1 D1 I2 D2
Solución: Calculando el equivalente de Thévenin del dipolo constituido por la fuente de tensión
de 5 V y las resistencias de la izquierda, que tiene como salidas los extremos de la resistencia de
1 KΩ, se obtiene una tensión de Thévenin

1
Vth = 5 = 1V
4+1
y una resistencia de Thévenin
(4)(1)
Rth = 4 1 = = 0,8 KΩ .
4+1
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thévenin se obtiene el circuito
0,8 KΩ
1 KΩ 2 KΩ
1V
I1 D1 I2 D2
Supongamos que los dos diodos están en ON. Se obtiene el circuito
0,8 KΩ I1 + I2
I1 1 KΩ I2 2 KΩ
1V A A
0,7 V 0,7 V
K K
Se ha de verificar I1 ≥ 0 e I2 ≥ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por

la fuente de tensión de valor 1 V, la resistencia de valor 0,8 KΩ, la resistencia de valor 1 KΩ y la
fuente de tensión de la izquierda de valor 0,7 V y a la malla formada por la fuente de tensión de
valor 1 V, la resistencia de valor 0,8 KΩ, la resistencia de valor 2 KΩ y la fuente de tensión de la
derecha de valor 0,7 V, se obtiene
1 = (0,8)(I1 + I2 ) + (1)I1 + 0,7 ,

1 = (0,8)(I1 + I2 ) + 2I2 + 0,7 ,
que conduce al sistema lineal
1,8I1 + 0,8I2 = 0,3

0,8I1 + 2,8I2 = 0,3 ,
cuya solución es
0,3 0,8

0,3 2,8 0,6
I1 = = = 0,1364 mA ,

1,8 0,8 4,4

0,8 2,8
41

1,8 0,3

0,8 0,3 0,3
I2 = = = 0,06818 mA .
1,8 0,8 4,4

0,8 2,8
Problema 25: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V y para el
diodo D2 el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V y tensión cátodo-ánodo igual a la tensión
de ruptura indicada para corrientes inversas, determine la función de transferencia vo = F (vi )
del cuadripolo de la figura.
1 KΩ
+ +
D1
vi vo
4,7 V D2
− −
Solución: Una forma sencilla de analizar el circuito es considerar los posibles valores de la
corriente i.
1 KΩ
+ +
i D1
vi vo
4,7 V D2
− −
El diodo D1 impide que i tome valores < 0. Así pues, i ≥ 0. Determinemos los valores de vi
para los cuales i > 0 y la relación entre vo y vi en ese caso. Necesariamente D1 estará en ON y
D2 estará en RUPTURA, obteniéndose el circuito
1 KΩ
+
A
i 0,7 V
vi + K
− vo
K
4,7 V
A
−
Por inspección, obtenemos vo = 4,7 + 0,7 = 5,4. Aplicando la segunda ley de Kirchoff obtene-
mos
vi = (1)i + 0,7 + 4,7 = 5,4 + i .
Imponiendo la condición i > 0 obtenemos vi > 5,4. Así pues, vo = 5,4 para vi > 5,4. Para
vi ≤ 5,4, i = 0 y siendo nula la diferencia de tensión en la resistencia de 1 KΩ, obtenemos

vo = vi . La siguiente figura representa gráficamente la función de transferencia.
vo
5,4
5,4 vi
el diodo D2 el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V y tensión cátodo-ánodo 5 V en rup-
tura, analice el circuito de la figura y: 1) determine la función de transferencia vo = F (vi ); 2)
suponiendo vi senoidal con amplitud 15 V, determine el valor medio V o y el valor eficaz Vo,eff
de la tensión de salida vo .
D1 10 KΩ
+ +
vi D2 10 KΩ vo
− −
Solución: 1) Hacemos un barrido de vi desde −∞ hasta ∞. Obtenemos así una sucesión de

intervalos para vi en los que los estados de los diodos se mantienen constantes. Los extremos
derechos de los intervalos y los diodos que cambian de estado al pasar de un intervalo al siguiente
son determinados imponiendo las condiciones de estado de los diodos. Los diodos deben cambiar
a estados correspondientes a tramos lineales adyacentes a los tramos lineales de los estados en los
que están los diodos antes del cambio. En caso de que un estado tenga dos estados “adyacentes”,
es necesario analizar qué desigualdad falla al aumentar vi para determinar a qué estado cambia
el diodo.
Dado que el cuadripolo es pasivo, la potencia consumida por él tiene que ser ≥ 0. Ello implica
que, para vi negativa, la corriente de entrada al cuadripolo o es 0 o va de − a +, pues en caso
contrario la potencia consumida por el cuadripolo sería < 0. Eso sólo es posible con D1 en OFF.
Así pues para vi negativa D1 está en OFF. Con D1 en OFF, el conjunto formado por D2 y la
resistencia de la derecha queda aislado y la corriente por D2 es 0, implicando que D2 también
estará en OFF. Así pues, para vi negativa, D1 y D2 están en OFF. Supongamos dichos estados,
analicemos el cuadripolo y determinemos hasta que valor de vi se mantienen los estados, qué
43
diodos cambian de estado al crecer vi y a qué estado cambian. Se obtiene el circuito
A K 10 KΩ
+
+ −
vAK1 −
+ K
vi vAK2 10 KΩ vo
−
A
+
Se ha de imponer vAK1 ≤ 0,7 y −5 ≤ vAK2 ≤ 0,7. Las corrientes por todas las ramas del
circuito son nulas y, aplicando la ley de Ohm, vAK2 = 0, que es ≥ −5 y ≤ 0,7. Además, vo = 0.
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión
de valor vi , los diodos y la resistencia de la izquierda, se obtiene
vi = vAK1 + 0 − vAK2 ,
de donde vAK1 = vi + vAK2 = vi . La condición vAK1 ≤ 0,7 se traduce en vi ≤ 0,7. Así pues,
para vi ∈ (−∞, 0,7], los diodos D1 y D2 están en OFF y vo = 0. Al hacerse vi > 0,7, falla
la condición de estado del diodo D1, que pasa a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en
vi = 0,7, D1 está en ON y D2 en OFF. Se obtiene el circuito
0,7 V
A K 10 KΩ
+
i −
+ K
vi vAK2 10 KΩ vo
−
A
+
Se ha de imponer i ≥ 0 y −5 ≤ vAK2 ≤ 0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

con corriente i se obtiene
vi = 0,7 + 10i + 10i = 20i + 0,7 ,
vi − 0,7
i= .
20
Imponiendo i ≥ 0, se obtiene la condición vi ≥ 0,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi
dentro del intervalo. La tensión vo puede obtenerse aplicando la ley de Ohm:
vi − 0,7 1
vo = 10i = 10 = vi − 0,35 .
20 2
Por inspección,
1
vAK2 = −vo = − vi + 0,35 .
2
Imponiendo la condición −5 ≤ vAK2 ≤ −0,7 se obtiene −5 ≤ −(1/2)vi + 0,35 ≤ 0,7 y
−0,7 ≤ vi ≤ 10,7. Al aumentar vi dentro del intervalo falla la condición vi ≤ 10,7. Dicha
condición procede de vAK2 ≥ −5. Así pues, para vi ∈ (0,7, 10,7] D1 está en ON, D2 está en
OFF, y vo = (1/2)vi − 0,35. Al hacerse vi > 10,7 el diodo D2 pasa a RUPTURA. En el siguiente
intervalo, que empieza en vi = 10,7, D1 está en ON y D2 en RUPTURA. Se obtiene el circuito
0,7 V
A K 10 KΩ
+
i
i1 i2
K
vi + 5V 10 KΩ vo
−
A
Se ha de imponer i1 ≥ 0 e i2 ≥ 0. Por inspección, vo = 5. Aplicando la ley de Ohm a la

resistencia por la que circula la corriente i se obtiene
5 = 10i ,
5
i = = 0,5 mA .
10
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor vi ,
la fuente de tensión de valor 0,7 V, la resistencia de valor 10 KΩ de la izquierda y la fuente de
tensión de valor 5 V, se obtiene
vi = 0,7 + 10i1 + 5 = 5,7 + 10i1 ,
vi − 5,7
i1 = .
10
La condición i1 ≥ 0 se traduce en vi ≥ 5,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi dentro del
intervalo. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo en el que confluyen las corrientes i1 , i2 e
i , se obtiene
i1 = i2 + i ,
vi − 5,7 vi
i2 = i1 − i = − 0,5 = − 1,07 .
10 10
La condición i2 ≥ 0 se traduce en vi ≥ 10,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi dentro del
intervalo. Así pues, para vi ∈ (10,7, ∞), D1 está en ON, D2 está en RUPTURA y vo = 5. La
siguiente figura muestra la función de transferencia vo = F (vi ).
vo
1
vi − 0,35
2
0,7 10,7 vi
2) Sea ω la pulsación de vi . Usaando la variable α = ωt, usando la relación ω = 2π/T , donde T

45
es el periodo de vi , y haciendo el cambio de variable α = ωt, obtenemos

T ωT 2π
1 1 1
Vo = vo (t) dt = vo (α) dα = vo (α) dα ,
T 0 ωT 0 2π 0
y, de modo similar,
T 2π
2 1 2 1
Vo,eff = vo (t) dt = vo (α)2 dα .
T 0 2π 0
Empecemos determinando la “forma” de vo (α) usando la forma de vi (α) y la función de trans-

ferencia. La siguiente figura la ilustra.
1
vo (α) = vi (α) − 0,35 = 7,5 sen α − 0,35
2
15
10,7 vi (α) = 15 sen α
0,7
α1 α2 π/2 π 2π α = ωt
Utilizando las características y simetrías de vo (α), obtenemos

π−α1
π/2
1 1 1 π/2
Vo = vo (α) dα = 2 vo (α) dα = vo (α) dα . (2.1)
2π α1 2π α1 π α1
De modo similar,
π/2
2 1
Vo,eff = vo (α)2 dα . (2.2)
π α1
El problema queda pues reducido a evaluar las integrales

π/2
I1 = vo (α) dα ,
α1
π/2
I2 = vo (α)2 dα .
α1
Empecemos calculando α1 y α2 (en radianes):
0,7 = 15 sen α1 ,

0,7
α1 = arc sen = arc sen(0,04667) = 0,04669 .
15
10,7 = 15 sen α2 ,

10,7
α2 = arc sen = arc sen(0,7133) = 0,7942 .
15
Evaluemos la integral I1 . Se obtiene

α2 π/2
I1 = vo (α) dα + vo (α) dα
α1 α2
0,7942 π
= (7,5 sen α − 0,35) dα + 5 − 0,7942
0,04669 2
0,7942
= 7,5 sen α dα − (0,35)(0,7942 − 0,04669) + 3,883
0,04669
= (7,5)[cos(0,04669) − cos(0,7942)] + 3,621
= 5,856 .
Evaluemos la integral I2 . Se obtiene

α2 π/2
2
I2 = vo (α) dα + vo (α)2 dα
α1 α2
0,7942 π
= (7,5 sen α − 0,35)2 dα + 25 − 0,7942
0,04669 2
0,7942
= 56,25 sen2 α − 5,25 sen α + 0,1225 dα + 19,41
0,04669
0,7942 0,7942
= 56,25 sen α dα − 5,25
2
sen α dα + 0,1225(0,7942 − 0,04669)
0,04669 0,04669
+19,41

α sen 2α 0,7942
= 56,25 − − (5,25)[cos(0,04669) − cos(0,7942)] + 19,50
2 4 0,04669
= (28,13)(0,7942 − 0,04669) − (14,06)[sen(1,588) − sen(0,09338)] + 17,94
= 26,22 .
Finalmente, usando (2.1) y (2.2), se obtiene
I1 5,856
Vo = = = 1,864 V ,
π π
2 I2 26,22
Vo,eff = = = 8,346 ,
π π

Vo,eff = 8,346 = 2,889 V .
47
Problema 27: Utilizando para los diodos los modelos con tensión ánodo-cátodo 0 para corrien-
tes directas y con tensión cátodo-ánodo igual a la tensión de ruptura indicada para corrientes
inversas, analice el circuito de la figura y determine la función de transferencia vo = F (vi ).
1 KΩ
+ +
1 KΩ
vi 7V D2 vo
5V D1
− −
Solución: Intuitivamente, parece que para vi → −∞ el diodo D2 deberá estar en ON. Supuesto
D2 en ON, vo valdrá 0, implicando que D1 estará en OFF. Así pues, supongamos que para
vi → −∞, D1 está en OFF y D2 está en ON. Obtenemos el circuito
1 KΩ
+
i i
1 KΩ
+ vo
vi −
K K
A A
−
La condición a imponer, correspondiente al diodo D2, es −i ≥ 0, i ≤ 0. Evidentemente, vo = 0.

Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa, obtenemos vi = (1)i = i, dando la
condición para vi , vi ≤ 0. Así pues, para vi ∈ (−∞, 0], D1 está en OFF, D2 está en ON y
vo = 0. Al hacerse vi > 0, i se hará > 0 y dejará de cumplirse la condición de estado de D2,
que cambiará al estado OFF. Supongamos que D1 permanece en el estado OFF. Obtenemos el
circuito
1 KΩ
+
i
1 KΩ
+ vo
vi − − −
vAK1 vAK2
+ +
−
Se ha de imponer −5 ≤ vAK1 ≤ 0 y −7 ≤ vAK2 ≤ 0. La corriente i valdrá 0, la diferencia

de tensión en la resistencia de 1 KΩ conectada a la fuente de tensión de valor vi valdrá 0 y vo
será igual a vi . Dado que vi = −vAK1 , la condición −5 ≤ vAK1 ≤ 0 se traduce en la condición
0 ≤ vi ≤ 5. Dado que vi = −vAK2 , la condición −7 ≤ vAK2 ≤ 0 se traduce en la condición
0 ≤ vi ≤ 7. Así pues, para vi ∈ [0, 5] D1 y D2 estarán en OFF y vo = vi . Al hacerse vi > 5, el
diodo D1 pasará a RUPTURA, pues fallará la desigualdad vAK1 ≥ −5 de la condición de estado
de D1, permaneciendo D2 en OFF. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 5, D1 estará
en RUPTURA y D2 en OFF. Obtenemos el circuito

1 KΩ
+
i
i 1 KΩ
+ vo
vi − K −K
5V vAK2
A A +
−
Se ha de imponer i ≥ 0 y −7 ≤ vAK2 ≤ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

formada por la fuente de tensión de valor vi , las resistencia de valor 1 KΩ y la fuente de tensión
de valor 5 V, se obtiene
vi = (1)i + (1)i + 5 = 2i + 5 ,
vi − 5
i= ,
2
que se mantiene ≥ 0 al aumentar vi dentro del intervalo. La tensión vo resulta valer
vi − 5 1 5
vo = 5 + (1)i = 5 + i = 5 + = vi + .
2 2 2
Utilizando vAK2 = −vo , la condición −7 ≤ vAK2 ≤ 0 se traduce en 0 ≤ vo ≤ 7, y utilizando
vo = vi /2 + 5/2, en la condición 0 ≤ vi /2 + 5/2 ≤ 7, −5 ≤ vi ≤ 9. Así pues, para vi ∈ [5, 9],
D1 estará en RUPTURA, D2 estará en OFF y vo = vi /2 + 5/2. Al hacerse vi > 9, el diodo
D2 pasará a RUPTURA, pues fallará la desigualdad vAK2 ≥ −7 de la condición de estado de
D2, permaneciendo D1 en RUPTURA. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 9, los dos
diodos estarán en RUPTURA. Se obtiene el circuito
i1 + i2
1 KΩ
+
1 KΩ i1 i2
vi +
− vo
K K
5V 7V
A A
−
Se ha de imponer i1 ≥ 0 e i2 ≥ 0. Por inspección, vo = 7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff

a la malla formada por la fuente de tensión de valor vi , las resistencias de valor 1 KΩ y la fuente
de tensión de valor 5 V y a la mall formada por la fuente de tensión de valor vi la resistencia de
la izquierda de valor 1 KΩ y la fuente de tensión de valor 7 V, se obtiene
vi = (1)(i1 + i2 ) + (1)i1 + 5
vi = (1)(i1 + i2 ) + 7
y el sistema lineal
2i1 + i2 = vi − 5
i1 + i2 = vi − 7 ,
49
cuya solución es

vi − 5 1

vi − 7 1 2
i1 = = = 2,
2 1 1

1 1
i2 = vi − 7 − i1 = vi − 7 − 2 = vi − 9 .
Las condiciones i1 ≥ 0 e i2 ≥ 0 no dejan de cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo,

implicando que para vi ∈ [9, ∞) D1 y D2 estarán en RUPTURA y vo = 7. La siguiente figura
representa gráficamente la función de transferencia vo = F (vi ).
vi 5
+
vo 2 2
vi
7
5 9 vi
Problema 28: Utilizando para el diodo D1 el modelo “diodo ideal” y para el diodo D2 el modelo
con tensión ánodo-cátodo nula en conducción directa y tensión cátodo-ánodo 7 V en ruptura,
analice el circuito de la figura y determine la función de transferencia vo = F (vi ).
2 KΩ D1
+ +
vi 5 mA D2 vo
− −
Solución: Supondremos que para vi → −∞, los dos diodos están en ON. Se obtiene el circuito
2 KΩ K A
+
i1
K
vi + 5 mA i2 vo
− A
Se ha de imponer i1 ≥ 0 e i2 ≥ 0. Por inspección, vo = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff

a la malla externa, se obtiene
vi = −2i1 ,
vi
i1 = −.
2
La condición i1 ≥ 0 se traduce pues en vi ≤ 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado al cátodo del diodo D2 se obtiene
5 + i2 = i1 ,
vi
i2 = i1 − 5 = − − 5 .
2
La condición i2 ≥ 0 se traduce pues en −vi /2−5 ≥ 0, vi ≤ −10. Así pues, para vi ∈ (−∞, −10]
los dos diodos están en ON y vo = 0. Al hacerse vi > −10 el diodo D2 cambia de estado y pasa
a OFF. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = −10, D1 estará en ON y D2 en OFF. Se
obtiene el circuito
2 KΩ K A
+
i1 −
K
vi + 5 mA vAK2 vo
− A
+
−
Se ha de imponer i1 ≥ 0 y −7 ≤ vAK2 ≤ 0. Por inspección, i1 = 5 mA, que es ≥ 0. Aplicando

la segunda ley de Kirchoff a la malla externa se obtiene
vo = 2i1 + vi = (2)(5) + vi = vi + 10 .
Por inspección, vAK2 = −vo y la condición −7 ≤ vAK2 ≤ 0 se traduce en 0 ≤ vo ≤ 7, que
usando vo = vi + 10 da 0 ≤ vi + 10 ≤ 7, −10 ≤ vi ≤ −3. Al aumentar vi dentro del intervalo
falla la desigualdad vi ≤ −3. Dado que dicha desigualdad procede de vAK2 ≥ −7, en ese punto
el diodo D2 pasará a RUPTURA. Así pues, para vi ∈ (−10, −3] D1 está en ON, D2 está en OFF
y vo = vi + 10. Al hacerse vi > −3 el diodo D2 pasará a RUPTURA. En el siguiente intervalo,
que empieza en vi = −3, D1 estará en ON y D2 en RUPTURA. Se obtiene el circuito
2 KΩ K A
+
i1 i2
K
vi + 5 mA 7 V vo
−
A
Se de imponer i1 ≥ 0 e i2 ≥ 0. Por inspección, vo = 7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a

la malla externa, se obtiene
vi = −2i1 + 7 ,
7 − vi
i1 = .
2
La condición i1 ≥ 0 se traduce en vi ≤ 7. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo al que
está conectado el ánodo del diodo D1 se obtiene
5 = i1 + i2 ,
51
7 − vi 3 vi
i2 = 5 − i1 = 5 − = + ,
2 2 2
y la condición i2 ≥ 0 se traduce en 3/2 + vi /2 ≥ 0, vi ≥ −3, que no deja de cumplirse
al aumentar vi dentro del intervalo. Así pues, para vi ∈ (−3, 7], D1 está en ON, D2 está en
RUPTURA, y vo = 7. Al hacerse vi > 7, falla la condición de estado de D1, que pasa a OFF.
En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 7, D1 está en OFF y D2 está en RUPTURA. Se
obtiene el circuito
2 KΩ K A
+
− +
vAK1 i2
K
vi + 5 mA 7 V vo
−
A
Se ha de imponer vAK1 ≤ 0 e i2 ≥ 0. Por inspección, vo = 7 e i2 = 5 mA, que es ≥ 0.

Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa, se obtiene
vi = 0 − vAK1 + 7 ,
vAK1 = −vi + 7 .
La condición vAK1 ≤ 0 se traduce en −vi + 7 ≤ 0, vi ≥ 7, que no deja de cumplirse al aumentar
vi dentro del intervalo. Así pues, para vi ∈ (7, ∞), D1 está en OFF, D2 está en RUPTURA y
vo = 7. La siguiente figura muestra la función de transferencia vo = F (vi ).
vo
vo = vi + 10 7
−10 −3 vi
Problema 29: Utilizando para los diodos el modelo “diodo ideal” excepto por la tensión de
ruptura indicada para el diodo Zener, analice el circuito de la figura y determine la función de
transferencia vo = F (vi ).
1 KΩ D1
+ +
2 KΩ 5 KΩ
vi vo
3V 5V D2
− −
Solución: Intuitivamente, parece que para vi → −∞ los dos diodos estarán en OFF. Supongá-
moslo. Obtenemos el circuito

1 KΩ
A K
+
+ −
vAK1
+ 2 KΩ 5 KΩ
vi − vo
3V K
−
vAK2
A +
−
Se ha de imponer vAK1 ≤ 0 y −5 ≤ vAK2 ≤ 0. Por inspección, teniendo en cuenta que todas

las corrientes son nulas, vo = 3, vAK1 = vi − 3 y vAK2 = −3. La condición −5 ≤ vAK2 ≤ 0 es
verificada. La condición vAK1 ≤ 0 se traduce en vi − 3 ≤ 0, vi ≤ 3. Así pues, para vi ∈ (−∞, 3]
los dos diodos están en OFF y vo = 3. Al hacerse vi > 3, el diodo D1 pasa a ON. En el siguiente
intervalo, que empieza en vi = 3, D1 está en ON y D2 está en OFF. Obtenemos el circuito
1 KΩ
A K
+
i
+ 2 KΩ 5 KΩ
vi − vo
3V K
−
vAK2
A +
−
Se ha de imponer i ≥ 0 y −5 ≤ vAK2 ≤ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

formada por la fuente de tensión de valor vi , la resistencia de valor 1 KΩ, el interruptor cerrado,
la resistencia de valor 2 KΩ y la fuente de tensión de valor 3 V, se obtiene
vi = (1)i + 2i + 3 = 3i + 3 ,
vi − 3 1
i= = vi − 1 .
3 3
La tensión vo resulta valer

1 2
vo = 3 + 2i = 3 + 2 vi − 1 = vi + 1 ,
3 3
y vAK2 = −vo = −(2/3)vi − 1. La condición i ≥ 0 se traduce en vi ≥ 3, que no deja de

cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. La condición −5 ≤ vAK2 ≤ 0 se traduce en
−5 ≤ −(2/3)vi − 1 ≤ 0, 0 ≤ (2/3)vi + 1 ≤ 5, −1,5 ≤ vi ≤ 6. Al aumentar vi dentro del
intervalo deja de cumplirse vi ≤ 6. Así pues, para vi ∈ (3, 6], el diodo D1 está en ON, el diodo
D2 está en OFF y vo = (2/3)vi + 1. Al hacerse vi > 6, el diodo D2 pasa a RUPTURA, pues
falla la desigualdad vAK2 ≥ −5. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 6, D1 está en
53
ON y D2 en RUPTURA. Obtenemos el circuito

i1
1 KΩ
A K
+
i2
i1 − i2
+ 5 KΩ
vi 2 KΩ vo
−
3V K
5V
A
−
Se ha de imponer i1 ≥ 0 e i2 ≥ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la

fuente de tensión de valor vi , la resistencia de valor 1 KΩ, la resistencia de valor 2 KΩ y la fuente
de tensión de valor 3 V y a la malla formada por la fuente de tensión de valor vi , la resistencia de
valor 1 KΩ, la resistencia d evalor 5 KΩ y la fuente de tensión de valor 5 V, se obtiene
vi = (1)i1 + 2(i1 − i2 ) + 3 ,
vi = (1)i1 + 5i2 + 5 ,
que conducen al sistema lineal
3i1 − 2i2 = vi − 3
i1 + 5i2 = vi − 5 ,
cuya solución es

vi − 3 −2

vi − 5 5 7vi − 25
i1 = = = 0,4118vi − 1,471 ,
3 −2 17

1 5

3 vi − 3

1 vi − 5 2v − 12
i2 = = i = 0,1176vi − 0,7059 .
3 −2 17

1 5
La tensión vo resulta valer
vo = 5 + 5i2 = 5 + (5)(0,1176vi − 0,7059) = 0,5880vi + 1,471 .
Imponiendo i1 ≥ 0 se obtiene vi ≥ 1,471/0,4118 = 3,572, que no deja de cumplirse al aumentar

vi dentro del intervalo. Imponiendo i2 ≥ 0 se obtiene vi ≥ 0,7059/0,1176 = 6, que no deja de
cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. Así pues, para vi ∈ (6, ∞), D1 está en ON, D2 está
en RUPTURA y vo = 0,5880vi + 1,471. La siguiente figura representa gráficamente la función
de transferencia vo = F (vi ).
0,5880vi + 1,471
2
vi + 1
3
vo
7
3 6 9,403 vi
Problema 30: Utilizando para los diodos el modelo con tensión umbral VDO = 0,7 V, analice el
circuito de la figura con R = 20 KΩ y determine la función de transferencia vo = F (vi ). ¿Cuál
es la función de transferencia para R → ∞? ¿Es una buena aproximación de ella la función de
transferencia obtenida con R = 20 KΩ? ¿Cómo se podría reducir el error de la aproximación?
D1
+
2 KΩ
D2
vi +
2 KΩ 2,5 mA R vo
− −
Solución: Empezaremos encontrando el equivalente de Thévenin del dipolo formado por la

fuente de tensión de valor vi , las resistencias de 2 KΩ y la fuente de corriente, que tiene como
salidas el nodo conectado al ánodo del diodo D2 y el nodo conectado al terminal −. La tensión
de Thévenin, vth , es la tensión que se ve en la salida del dipolo en circuito abierto. Aplicando
el principio de superposición, vth = v1 + v2 , donde v1 y v2 son las tensiones de los siguientes
circuitos.
2 KΩ
vi +
− + +
2 KΩ v1 2 KΩ 2 KΩ 2,5 mA v2
− −
El de la izquierda es un divisor de tensión y, por tanto,
2 vi
v1 = vi = .
2+2 2
55
El de la derecha es un divisor de corriente. Las corrientes por las dos resistencias son, por
simetría, iguales y, por tanto,
1
v2 = (2) (2,5) = 2,5 ,
2
obteniéndose
vi
vth = v1 + v2 = + 2,5 .
2
La resistencia de Thévenin, Rth , es la resistencia que se ve en la salida del dipolo al anular
las fuentes del dipolo. Una fuente de tensión se anula sustituyéndola por un cortocircuito. Una
fuente de corriente se anula sustituyéndola por un circuito abierto. Anulando la fuente de tensión
de valor vi y la fuente de corriente de valor 2,5 mA, las resistencias de 2 KΩ quedan asociadas en
paralelo y conectadas a la salida del dipolo, por lo que
Rth = 22 = 1 KΩ .
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thévenin y teniendo en cuenta que el ánodo de D1
está conectado directamente al extremo positivo de la fuente de tensión de valor vi , resulta que
el cuadripolo que hay que analizar en el problema es equivalente al circuito
D1
1 KΩ D2
vi + +
−
vi +
+ 2,5 R vo
2 −
−
Parece claro que para vi → −∞ los dos diodos deberán estar en OFF. Ello es debido a que,
con vi muy negativa, los ánodos de los dos diodos tendrán tensiones menores que la entrada −.
Supongamos pues los dos diodos en OFF. Se obtiene el circuito
A K
+ −
vAK1
1 KΩ A K
vi + +
− + v −
vi +
+ 2,5
AK2
R vo
2 −
−
Hemos de imponer vAK1 ≤ 0,7 y vAK2 ≤ 0,7. La corriente por la resistencia R es nula y,
aplicando la ley de Ohm, vo = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa,
obtenemos
vi = vAK1 + vo = vAK1 .
La condición vAK1 ≤ 0,7 se traduce pues en vi ≤ 0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla interna, obtenemos
vi
+ 2,5 = 0 + vAK2 + vo = vAK2 .
2
La condición vAK2 ≤ 0,7 se traduce en vi /2 + 2,5 ≤ 0,7, vi ≤ −3,6. Así pues, para vi ∈
(−∞, −3,6], D1 y D2 están en OFF y vo = 0. Al hacerse vi > −3,6, falla la condición vAK2 ≤
0,7 y el diodo D2 pasa a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = −3,6, el diodo D1
está en OFF y el diodo D2 está en ON. Se obtiene el circuito
A K
+ −
vAK1
1 KΩ A K
vi + +
−
vi + i
+ 2,5 0,7 V R vo
2 −
−
Se ha de imponer vAK1 ≤ 0,7 e i ≥ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla por la

que circula la corriente i, se obtiene
vi
+ 2,5 = (1)i + 0,7 + Ri = 21i + 0,7 ,
2
vi 2,5 − 0,7 vi + 3,6
i= + = .
42 21 42
La condición i ≥ 0 se traduce en vi + 3,6 ≥ 0, vi ≥ −3,6, que no deja de cumplirse al aumentar
vi dentro del intervalo. La tensión vo resulta valer
vi + 3,6
vo = Ri = 20 = 0,4762vi + 1,714 .
42
Por último, la tensión vAK1 resulta valer
vAK1 = vi − vo = vi − 0,4762vi − 1,714 = 0,5238vi − 1,714 .
La condición vAK1 ≤ 0,7 se traduce en 0,5238vi − 1,714 ≤ 0,7, vi ≤ 4,609. Así pues, para
vi ∈ (−3,6, 4,609], D1 está en OFF, D2 en ON y vo = 0,4762vi + 1,714. Al hacerse vi > 4,609,
falla la condición de estado de D1 y D1 pasa a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en
vi = 4,609, los dos diodos están en ON. Se obtiene el circuito
A K
i1 0,7 V
1 KΩ A K
vi + +
−
vi + i2
+ 2,5 0,7 V R vo
2 −
−
Se ha de imponer i1 ≥ 0 e i2 ≥ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa, se

obtiene
vi = 0,7 + vo ,
57
vo = vi − 0,7 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla interna, se obtiene
vi
+ 2,5 = (1)i2 + 0,7 + vo = i2 + vi ,
2
vi
i2 = − + 2,5 .
2
La condición i2 ≥ 0 se traduce en −vi /2 + 2,5 ≥ 0, vi ≤ 5. Aplicando la ley de Ohm a la
resistencia R, se obtiene
vo = R(i1 + i2 ) = Ri1 + Ri2 = 20i1 + 20i2 ,
vo vi − 0,7 vi
i1 = − i2 = + − 2,5 = 0,55vi − 2,535 .
20 20 2
La condición i1 ≥ 0 se traduce en vi ≥ 2,535/0,55 = 4,609, que no deja de cumplirse al
aumentar vi dentro del intervalo. Así pues, para vi ∈ (4,609, 5], D1 y D2 están en ON y vo =
vi − 0,7. Al hacerse vi > 5, falla la condición de estado de D2, y D2 pasa a OFF. En el nuevo
intervalo, que empieza en vi = 5, D1 está en ON y D2 en OFF. Se obtiene el circuito
A K
i1 0,7 V
1 KΩ A K
vi + +
− + −
vi + vAK2
+ 2,5 R vo
2 −
−
Se ha de imponer i1 ≥ 0 y vAK2 ≤ 0,7. Por inspección,
vo = vi − 0,7 .
La corriente i1 circula por la resistencia R. Aplicando la ley de Ohm,
vo vi − 0,7
i1 = = ,
R 20
y la condición i1 ≥ 0 se traduce en vi ≥ 0,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi dentro del
intervalo. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla interior, se obtiene
vi
+ 2,5 = 0 + vAK2 + vo ,
2
vi vi vi
vAK2 = + 2,5 − vo = + 2,5 − vi + 0,7 = − + 3,2 ,
2 2 2
y la condición vAK2 ≤ 0,7 se traduce en −vi /2 + 3,2 ≤ 0,7, vi ≥ 5, que no deja de cumplirse
al aumentar vi dentro del intervalo. Así pues, para vi ∈ (5, ∞), D1 está en ON, D2 está en OFF
y vo = vi − 0,7, finalizando la determinación de la función de transferencia vo = F (vi ). La

siguiente figura la representa gráficamente.
vo vi − 0,7
3,909
0,4762vi + 1,714
−3,6 4,609 vi
Falta determinar la función de transferencia para R → ∞. La corriente por la resistencia R es

la suma de las corrientes directas por los diodos y para cada vi dicha corriente tiende a 0 para
R → ∞. Así pues, para R → ∞, cuando el diodo D2 conduce lo hace con una corriente que
tienden a 0. Ello permite ignorar la resistencia de valor 1 KΩ en serie con la fuente de tensión de
valor vi /2 + 2,5, y concluir que, para R → ∞, el circuito se comporta como el circuito
vi + +
−
vi +
+ 2,5 − R vo
2
−
Dicho circuito es un selector de máximo. Con el modelo para los diodos con tensión umbral
VDO , la salida de un selector de máximo con entradas v1 , v2 , . . . , vN vale máx{0, v1 −VDO , v2 −
VDO , . . . , vN − VDO }. Así pues, para R → ∞, vo = máx{0, vi − 0,7, vi /2 + 1,8}. La siguiente
figura muestra la función de transferencia para R → ∞
vo vi − 0,7
4,3
vi
+ 1,8
2
−3,6 5 vi
Comparándola con la obtenida para R = 20 KΩ, podemos observar que ésta es una buena apro-
ximación de la función de transferencia para R → ∞, con un error máximo del orden de 0,2 V.
Para reducir dicho error máximo habría que aumentar R.
Capítulo 3

BJTs
Problema 31: Usando para el BJT el modelo con parámetros β = 50, VBE ,u = VBE ,act =
VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor de I.
10 V
10 KΩ I 1 KΩ
Solución: Empezaremos suponiendo que el BJT está en estado ACTIVO. Se obtiene el circuito
10 V
10 KΩ IB 1 KΩ
B C
0,7 V 50IB
Las condiciones a verificar son IB ≥ 0 y VCE ≥ 0,2. Para calcular IB aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor
10 KΩ y la fuente de tensión de valor 0,7 V, obteniendo
10 = 10IB + 0,7 ,
60 3 Problemas de análisis de circuitos con BJTs
10 − 0,7
IB = = 0,93 ,
10
que es ≥ 0. Para calcular VCE conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 10 V , la resistencia de valor 1 KΩ y la fuente controlada
de corriente, obteniendo
10 = (1)(50IB ) + VCE ,
VCE = 10 − 50IB = 10 − (50)(0,93) = −36,5 V ,
que no es ≥ 0,2. Así pues, el BJT no está en estado ACTIVO. Supongamos que está en estado
SATURACIÓN. Se obtiene el circuito
10 V
10 KΩ IB 1 KΩ
B C I = IC
0,7 V 0,2 V
Las condiciones a verificar son IB ≥ 0, IC ≥ 0, e IC ≤ βIB . El valor de IB es idéntico al

obtenido anteriormente, IB = 0,93, que es ≥ 0. Para calcular IC aplicamos la segunda ley de
Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 1 KΩ y
la fuente de tensión de valor 0,2 V, obteniendo
10 = (1)IC + 0,2 ,
IC = 10 − 0,2 = 9,8 ,
que es ≥ 0 y ≤ βIB = (50)(0,93) = 46,5. Así pues, el BJT está en estado SATURACIÓN e
I = IC = 9,8 mA.
Problema 32: Usando para el BJT el modelo con parámetros β = 100, VEB ,u = VEB ,act =
VEB ,sat = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y determine los valores de I
61
yV.
24 V
I 1 KΩ
V
500 KΩ 1 KΩ
Solución: Empezaremos suponiendo que el BJT está en estado ACTIVO. Se obtiene el circuito
24 V
I = 101IB 1 KΩ
E
V
0,7 V 100IB
B IB C
500 KΩ 1 KΩ
Las condiciones a verificar son IB ≥ 0 y VEC ≥ 0,2 V. Para calcular IB aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 24 V, la resistencia de valor
1 KΩ conectada al emisor, la fuente de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor 500 KΩ,
obteniendo
24 = (1)(101IB ) + 0,7 + 500IB = 601IB + 0,7 ,
24 − 0,7
IB = = 0,0388 ,
601
que es ≥ 0. Para calcular VEC conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 24 V, las dos resistencias de valor 1 KΩ y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
24 = (1)(101IB ) + VEC + (1)(100IB ) ,

VEC = 24 − 201IB = 24 − (201)(0,0388) = 16,2 ,
que es ≥ 0,2. Así pues, el estado supuesto para el BJT es correcto e I resulta valer
I = 101IB = (101)(0,0388) = 3,92 mA ,
y V resulta valer
V = 24 − (1)I = 24 − 3,92 = 20,1 V .
Problema 33: Usando para el LED el modelo con tensión umbral VDO = 1,7 V, usando para
el BJT el modelo con parámetros β, VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V,
y sabiendo que el parámetro β del BJT puede variar entre 20 y 100, analice el circuito de la
figura y: 1) determine el valor que ha de tener la resistencia R2 para que, suponiendo el BJT en
saturación, la corriente I por el LED valga 20 mA; 2) para el valor de R2 calculado anteriormente,
valor máximo que puede tener R1 para que, cuando el interruptor esté en OFF, el BJT esté en
saturación; 3) para el valor máximo de R1 calculado anteriormente, valor de la corriente por el
interruptor cuando éste está en ON.
5V
R2 I
R1
Solución: 1) Dado que I > 0, el LED estará en ON. Sustituyendo el LED por el circuito
equivalente correspondiente al estado ON y utilizando el circuito equivalente entre colector y
emisor del BJT para el estado SATURACIÓN se obtiene el circuito
5V
R2 I
A
1,7 V
K
C
0,2 V
E
Aplicando la segunda ley de Kirchoff se obtiene
5 = R2 I + 1,7 + 0,2 = 20R2 + 1,9 ,
5 − 1,9
R2 = = 0,155 KΩ = 155 Ω .
20
2) Se exige que el BJT esté en SATURACIÓN. Entonces, de acuerdo con el apartado anterior,
I = 20 mA y el LED estará en ON. Con el valor de R2 calculado en el apartado anterior y
63
teniendo en cuenta que el interruptor está en OFF, se obtiene el circuito

5V
155 Ω
R1 I = IC
A
1,7 V
IB
K
B C
0,7 V 0,2 V
Se ha de imponer IB ≥ 0, IC ≥ 0 e IC ≤ βIB . IC = I = 20 mA, que es ≥ 0. Para calcular

IB en función de R1 aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensión de valor 5 V, la resistencia de valor R1 y la fuente de tensión de valor 0,7 V, obteniendo
5 = R1 IB + 0,7 ,
5 − 0,7 4,3
IB = = ,
R1 R1
que es ≥ 0 para todo R1 . Imponiendo IC ≤ βIB , obtenemos
4,3
20 ≤ β ,
R1
4,3
R1 ≤ β = 0,215β .
20
La condición más estricta sobre R1 se obtiene para el valor mínimo de β. Por tanto, se deberá
cumplir
R1 ≤ (0,215)(20) = 4,3 KΩ .
El valor máximo que podrá tener R1 es, por tanto, 4,3 KΩ.
3) Con el interruptor en ON, VBE = 0 y el BJT está en CORTE con VCE = 5 V, pues I = 0 y la
tensión ánodo-cátodo en el LED vale 0. Sea I la corriente por el interruptor del nodo conectado
a la base a masa. Dado que IB = 0, I será la corriente por R1 de la fuente de tensión de valor
5 V a la base del BJT y R1 ve una tensión de valor 5 V. Tenemos, por tanto
5 = R1 I ,
5 5
I = = = 1,16 mA .
R1 4,3
VEB ,sat = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor
de la corriente I cuando el interruptor está en ON; 2) determine el valor de la corriente por el

interruptor cuando éste está en ON.
10 V
50 Ω I
10 KΩ
Solución: 1) La hipótesis BJT en CORTE conduce a I = 0 y, estando el interruptor en ON y

siendo nula la tensión de la base del BJT, a VEB = 10, que no es ≤ 0,7. Supongamos que el
BJT trabaja en estado ACTIVO. Teniendo en cuenta que el interruptor está en ON, obtenemos el
circuito
10 V
50 Ω I = 101IB
10 KΩ I IB
E
0,7 V 100IB
B C

I
Se ha de comprobar IB ≥ 0 y VEC ≥ 0,2. Para calcular IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff

a la malla formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 50 Ω y la fuente
de tensión de valor 0,7 V, obteniendo
10 = (0,05)(101IB ) + 0,7 = 5,05IB + 0,7 ,
10 − 0,7
IB = = 1,84 ,
5,05
que es ≥ 0. Por otro lado, por inspección, VEC = 0,7 ≥ 0,2. Así pues, el BJT está en estado
ACTIVO e
I = 101IB = (101)(1,84) = 186 mA .
2) Dado que el interruptor estén ON, podemos utilizar el mismo circuito que en el apartado
anterior. La tensión que ve la resistencia de 10 KΩ es 10 V. Por tanto,
10 = 10I ,
I = 1 ,
y, aplicando la primera ley de Kirchoff a la base del BJT, la corriente por el interruptor, I , vale
I = I + IB = 1 + 1,84 = 2,84 mA .
65
VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, determine el máximo valor de R para el cual el BJT está en
estado activo y determine la corriente I en ese caso.
10 V
R I
10 KΩ
5 KΩ 100 Ω
Solución: Empezaremos determinando el equivalente de Thévenin del dipolo que incluye la

fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 10 KΩ y la resistencia de valor 5 KΩ,
que tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensión de Thévenin, Vth , y la resistencia de
Thévenin, Rth , valen
5
Vth = 10 = 3,33 V ,
10 + 5
(5)(10)
Rth = 510 = = 3,33 KΩ .
5 + 10
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thévenin, se obtiene el circuito
10 V
R I
3,33 KΩ
3,33 V
100 Ω
y, con el BJT en estado ACTIVO, se obtiene el circuito

10 V
R I
IB 3,33 KΩ
B
C
0,7 V 50IB
3,33 V
100 Ω 51IB
Se ha de imponer IB ≥ 0 y VCE ≥ 0,2. Para calcular IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff

a la malla formada por la fuente de tensión de valor 3,33 V, la resistencia de valor 3,33 KΩ, la
fuente de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 Ω, obteniendo
3,33 = 3,33IB + 0,7 + (0,1)(51IB ) ,
8,43IB = 2,63 ,
2,63
IB = = 0,312 ,
8,43
que es ≥ 0. Por inspección,
I = 50IB = (50)(0,312) = 15,6 .
Para calcular VCE conociendo IB e I, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada
por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor R, la fuente de corriente controlada
y la resistencia de valor 100 Ω, obteniendo
10 = RI + VCE + (0,1)(51IB ) = RI + VCE + 5,1IB ,
VCE = 10 − RI − 5,1IB = 10 − 15,6R − (5,1)(0,312) = 8,41 − 15,6R ,

e imponiendo VCE ≥ 0,2, obtenemos
8,41 − 15,6R ≥ 0,2 ,
8,21 ≥ 15,6R ,
8,21
R≤ = 0,526 KΩ = 526 Ω .
15,6
Así pues, el máximo valor que puede tener R para que el BJT trabaje en estado ACTIVO es
526 Ω y, en ese caso, I = 15,6 mA.
VEB ,sat = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que
ha de tener R1 para que, supuesto el BJT en estado activo, I = 20 mA; 2) con el valor de R1
calculado en el apartado anterior, el máximo valor de R2 para el cual el BJT está en estado activo.
10 V
R1 100 Ω
10 KΩ R2 I
Solución: 1) Empezaremos determinando el equivalente de Thévenin del dipolo formado for

la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor R1 y la resistencia de valor 10 KΩ,
67
Thévenin, Rth , vale
10 100
Vth = 10 = , (3.1)
R1 + 10 R1 + 10
10R1
Rth = R1 10 = . (3.2)
R1 + 10
10 V
100 Ω
Rth
Vth
R2 I
y, con el BJT en estado ACTIVO, se obtiene el circuito

10 V
51IB 100 Ω
0,7 V 50IB
Rth
B C
Vth IB I
R2
Por inspección I = 50IB , de donde, para que I = 20 mA, IB deberá valer

I 20
IB = = = 0,4 .
50 50
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 100 Ω, la fuente de
tensión de valor 0,7 V, la resistencia de valor Rth y la fuente de tensión de valor Vth , obteniendo,
usando (3.1) y (3.2),
10 = (0,1)(51IB ) + 0,7 + Rth IB + Vth ,
10 = (0,1)(51)(0,4) + 0,7 + 0,4Rth + Vth ,
0,4Rth + Vth = 7,26 ,
10R1 100
0,4 + = 7,26 ,
R1 + 10 R1 + 10
4R1 100
+ = 7,26 ,
R1 + 10 R1 + 10
4R1 + 100 = 7,26(R1 + 10) ,
4R1 + 100 = 7,26R1 + 72,6 ,
3,26R1 = 27,4 ,
27,4
R1 = = 8,41 KΩ .
3,26
2) Podemos utilizar el último circuito del apartado anterior con el valor calculado para R1 , que
hace IB = 0,4 mA e I = 20 mA. Se ha de imponer IB ≥ 0 y VEC ≥ 0,2. Dado que IB = 0,4, la
primera condición se cumple. Para calcular VEC conociendo IB e I, aplicamos la segunda ley de
Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 100 Ω,
la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R2 , obteniendo
10 = (0,1)(51IB ) + VEC + R2 I ,
VEC = 10 − 5,1IB − R2 I = 10 − (5,1)(0,4) − 20R2 = 7,96 − 20R2 .
E imponiendo VEC ≥ 0,2, obtenemos
7,96 − 20R2 ≥ 0,2 ,
20R2 ≤ 7,76 ,
7,76
R2 ≤ = 0,388 KΩ = 388 Ω .
20
Así pues, con el valor de R1 calculado en el apartado 1), el máximo valor de R2 para el cual el
BJT está en estado ACTIVO es 388 Ω.
Problema 37: Usando para la zona de ruptura del diodo Zener el modelo con tensión cátodo-
ánodo igual a VZO = 5,1 V y para el BJT el modelo con parámetros β = 50, VEB ,u = VEB ,act =
VEB ,sat = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que ha
de tener R2 para que, suponiendo que el diodo Zener trabaja en ruptura y que el BJT trabaja en
estado activo, I = 50 mA; 2) para el valor de R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo
el BJT en estado activo, determine el máximo valor que puede tener R1 para que el diodo trabaje
en ruptura con una corriente inversa ≥ 0.5 mA; 3) para el valor de R2 calculado en el apartado
69
1) y un valor de R1 menor o igual al máximo calculado en el apartado 2), determine el máximo

valor de R3 para el cual el BJT está en estado activo.
20 V
R2
R1 R3 I
Solución: 1) Con el diodo Zener en RUPTURA y el BJT en estado ACTIVO, se obtiene el

circuito
20 V
R2 51IB
5,1 V E
IZ 0,7 V 50IB
IB
B C
R1 IZ + IB I
R3
Por inspección, I = 50IB y para que I = 50 mA, IB deberá valer

I 50
IB = = = 1.
50 50
malla formada por la fuente de tensión de valor 5,1 V, la resistencia de valor R2 y la fuente de
tensión de valor 0,7 V, obteniendo
5,1 = R2 (51IB ) + 0,7 ,
5,1 = R2 (51)(1) + 0,7 ,

51R2 = 4,4 ,
4,4
R2 = = 0,0863 KΩ = 86,3 Ω .
51
2) Dado que el BJT está en estado ACTIVO y el diodo Zener ha de trabajar en RUPTURA,
podemos utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado para R2 , que hace IB =
1 mA. Para calcular IZ conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada
por la fuente de tensión de valor 20 V, la fuente de tensión de valor 5,1 V y la resistencia de valor
R1 , obteniendo
20 = 5,1 + R1 (IZ + IB ) = 5,1 + R1 IZ + R1 IB ,
20 = 5,1 + R1 IZ + R1 (1) = 5,1 + R1 IZ + R1 ,
14,9 − R1
IZ = ,
R1
e, imponiendo IZ ≥ 0,5, obtenemos
14,9 − R1
≥ 0,5 ,
R1
14,9 − R1 ≥ 0,5R1 ,
14,9 ≥ 1,5R1 ,
14,9
R1 ≤ = 9,93 KΩ .
1,5
Así pues, para el valor de R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en estado
ACTIVO, el valor máximo que puede tener R1 para que la corriente inversa por el diodo Zener
sea ≥ 0,5 mA es 9,93 KΩ.
3) Dado que el BJT ha de estar en estado ACTIVO y R1 tiene un valor menor o igual al máximo
calculado en el apartado 2), el diodo Zener trabajará en RUPTURA y podemos utilizar el circuito
del apartado 1) con el valor calculado para R2 , R2 = 86,3 Ω, que hace IB = 1 mA e I = 50 mA.
Dado que IB ≥ 0, basta imponer VEC ≥ 0,2. Para calcular VEC conociendo IB e I aplicamos la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 20 V, la resistencia
de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R3 , obteniendo
20 = R2 (51IB ) + VEC + R3 I ,
20 = (0,0863)(51)(1) + VEC + 50R3 ,
VEC = 15,6 − 50R3 ,
e, imponiendo VEC ≥ 0,2, obtenemos
15,6 − 50R3 ≥ 0,2 ,
15,4 ≥ 50R3 ,
15,4
R3 ≤ = 0,308 KΩ = 308 Ω .
50
Así pues, para el valor de R2 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o igual que el
máximo calculado en el apartado 2), el máximo valor de R3 para el cual el BJT está en estado
ACTIVO es 308 Ω.
71
Problema 38: Usando para la zona de ruptura del diodo Zener el modelo con tensión cátodo-
ánodo igual a VZO = 4,7 V y para BJT el modelo con parámetros β = 100, VBE ,u = VBE ,act =
VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que ha
de tener R3 para que, suponiendo que el diodo Zener trabaja en ruptura y que el BJT trabaja en
estado activo, I = 10 mA; 2) para el valor de R3 calculado en el apartado anterior y suponiendo
el BJT en estado activo, determine el máximo valor que puede tener R1 para que el diodo trabaje
en ruptura con una corriente inversa ≥ 0.5 mA; 3) para el valor de R3 calculado en el apartado 1)
y un valor de R1 menor o igual que el máximo calculado en el apartado 2), determine el máximo
valor de R2 para el cual el BJT está en estado activo.
20 V
R2 I
R1
R3

circuito
20 V
IZ + IB R1 R2 I
IB
B C
IZ 0,7 V 100IB
4,7 V E
R3 101IB
Dado que, por inspección I = 100IB , para que I = 10 mA, IB deberá valer
I 10
IB = = = 0,1 .
100 100
Para calcular el valor necesario para R3 conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensión de valor 4,7 V, la fuente de tensión de valor 0,7 V y la
resistencia de valor R3 , obteniendo
4,7 = 0,7 + R3 (101IB ) = 0,7 + (101)(1)R3 = 0,7 + 101R3 ,
4,7 − 0,7
R3 = = 0,0396 KΩ = 39,6 Ω .
101
2) Dado que el BJT está en estado ACTIVO y el diodo Zener ha de trabajar en RUPTURA,
podemos utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado de R3 , R3 = 39,6 Ω, que
hace IB = 0,1 mA. Para calcular IZ conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensión de valor 20 V, la resistencia de valor R1 y la fuente de
20 = R1 (IZ + IB ) + 4,7 = R1 IZ + R1 IB + 4,7 = R1 IZ + 0,1R1 + 4,7 ,
15,3 = R1 IZ + 0,1R1 ,
15,3 − 0,1R1
IZ = ,
R1
e, imponiendo IZ ≥ 0,5,
15,3 − 0,1R1
≥ 0,5 ,
R1
15,3 − 0,1R1 ≥ 0,5R1 ,
15,3 ≥ 0,6R1 ,
15,3
R1 ≤ = 25,5 KΩ .
0,6
Así pues, el máximo valor que ha de tener R1 para que con el valor de R3 calculado en el apartado
anterior y suponiendo el BJT en estado ACTIVO, el diodo Zener trabaje en RUPTURA con una
corriente inversa ≥ 0,5 mA es 25,5 KΩ.
3) Dado que el BJT ha de estar en estado ACTIVO y R1 tiene un valor menor o igual al máximo
calculado en el apartado 2), el diodo Zener trabajará en RUPTURA y podemos utilizar el circuito
del apartado 1) con el valor calculado de R3 , R3 = 39,6 Ω, que hace IB = 0,1 mA e I = 10 mA.
Dado que IB ≥ 0, basta imponer VCE ≥ 0,2. Para calcular VCE conociendo IB e I, aplicamos la
de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R3 , obteniendo
20 = R2 I + VCE + R3 (101IB ) = 10R2 + VCE + (0,0396)(101)(0,1) = 10R2 + VCE + 0,4 ,
VCE = 19,6 − 10R2 .
Imponiendo VCE ≥ 0,2, obtenemos
19,6 − 10R2 ≥ 0,2 ,
19,4 ≥ 10R2 ,
19,4
R2 ≤ = 1,94 KΩ .
10
Así pues, para el valor de R3 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o igual al
máximo calculado en el apartado 2), el máximo valor de R2 para el cual el BJT está en estado
ACTIVO es 1,94 KΩ.
73
Problema 39: Usando para el diodo Zener el modelo con tensión cátodo-ánodo en ruptura
VZO = 6 V y para el BJT el modelo con parámetros β = 100, VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat =
0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor de I.
24 V
1 KΩ
10 µA I
Solución: La fuente de corriente hace IB = 0,01 mA > 0. Eso descarta el estado CORTE.
Supongamos que el BJT está en estado ACTIVO y que el diodo está en estado RUPTURA. Se
obtiene el circuito
24 V
1 KΩ
IB
B C
10 µA 0,7 V 100IB
E
I = 101IB
K
6V
A
Dado que IB > 0, las únicas condiciones a verificar son VCE ≥ 0,2 V e I ≥ 0. Por inspección,
I = 101IB = (101)(0,01) = 1,01 ,
que es ≥ 0. Para calcular VCE conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 24 V, la fuente de corriente controlada y la fuente de
tensión de valor 6 V, obteniendo
24 = (1)(100IB ) + VCE + 6 ,
VCE = 18 − 100IB = 18 − (100)(0,01) = 17 ,
que es ≥ 0,2. Así pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos e I = 1,01 mA.
Problema 40: Determine para el circuito de la figura el valor que ha de tener la resistencia R
para que la corriente directa I por el LED valga 20 mA. Para el LED use el modelo con tensión
umbral VDO = 2 V. Para el BJT use el modelo con parámetros β = 50, VEB ,u = VEB ,act =
VEB ,sat = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V.
5V
R
I
Solución: Dado que I > 0, el LED deberá estar en estado ON. Ello implica que la tensión de
colector, VC , del BJT valdrá 2 V. Además, la tensión de emisor, VE , del BJT vale 5 V. La tensión
VEC del BJT resulta, por tanto, valer
VEC = VE − VC = 5 − 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estará en estado ACTIVO. Supongámoslo. Sólo se
ha de comprobar IB ≥ 0. Con el BJT en estado ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
0,7 V 50IB
B IB C
I
A
R 2V
K
Por inspección, I = 50IB y, para que I = 20 mA, IB deberá valer
I 20
IB = = = 0,4 ,
50 50
que es ≥ 0. Así pues, efectivamente el BJT está en estado ACTIVO. Para calcular el valor
necesario de R conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensión de valor 5 V, la fuente de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor R,
obteniendo
5 = 0,7 + RIB ,
5 − 0,7 4,3
R= = = 10,8 KΩ .
IB 0,4
75
umbral VDO = 2 V. Para el BJT use el modelo con parámetros β = 50, VBE ,u = VBE ,act =
VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
5V
Solución: Dado que I > 0, el LED deberá estar en ON. Ello implica que la tensión de emisor
del BJT, VE , valdrá 2 V. Además, la tensión de colector, VC , del BJT vale 5 V. La tensión VCE
del BJT resulta, por tanto, valer
VCE = VC − VE = 5 − 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estará en estado ACTIVO. Supongámoslo. Sólo se
ha de comprobar IB ≥ 0. Con el BJT en estado ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
IB R C
B
50IB
0,7 V
E I = 51IB
A
2V
K
Dado que I = 51IB , para que I = 20 mA, IB deberá valer
I 20
IB = = = 0,392 ,
51 51
que es ≥ 0. Así pues, efectivamente el BJT está en estado ACTIVO. Para calcular el valor
necesario de R conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensión de valor 0,7 V y la
fuente de tensión de valor 2 V, obteniendo
5 = RIB + 0,7 + 2 = RIB + 2,7 ,
5 − 2,7 2,3
R= = = 5,87 KΩ .
IB 0,392
Problema 42: Determine para el circuito de la figura el valor de la corriente I. Para el diodo
Zener use el modelo con tensión cátodo-ánodo en ruptura VZO = 4,7 V. Para el LED use el
modelo con tensión umbral VDO = 1,5 V. Para el BJT use el modelo con parámetros β = 100,
VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
10 V
5 KΩ I
200 Ω
Solución: Supondremos que el diodo Zener está en RUPTURA, el LED en estado ON y el BJT
en estado ACTIVO. Se obtiene el circuito
10 V
IB + IZ
I A
5 KΩ 1,5 V
K
IB
B
C
0,7 V 100IB
K IZ
4,7 V E
A 101IB 200 Ω
Se ha de verificar IZ ≥ 0, 100IB ≥ 0, IB ≥ 0 y VCE ≥ 0,2, que se reducen a IZ ≥ 0, IB ≥ 0

y VCE ≥ 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensión de valor 4,7 V, la fuente de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor
200 Ω, obteniendo
4,7 = 0,7 + (0,2)(101IB ) = 0,7 + 20,2IB ,
4,7 − 0,7
IB = = 0,198 ,
20,2
que es ≥ 0. Para calcular IZ conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 5 KΩ y la fuente de tensión
de valor 4,7 V, obteniendo
10 = 5(IB + IZ ) + 4,7 ,
5IZ = 5,3 − 5IB ,
5,3 − 5IB 5,3 − (5)(0,198)
IZ = = = 0,862 ,
5 5
77
que es ≥ 0. Para calcular VCE conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la fuente de tensión de valor 1,5 V, la fuente de
corriente controlada y la resistencia de valor 200 Ω, obteniendo
10 = 1,5 + VCE + (0,2)(101IB ) = 1,5 + VCE + 20,2IB ,
VCE = 8,5 − 20,2IB = 8,5 − (20,2)(0,198) = 4,5 ,
que es ≥ 0,2. Así pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos. Por inspección,
I = 100IB = (100)(0,198) = 19,8 mA .
umbral VDO = 2 V. Para el BJT use el modelo con parámetros β = 50, VEB ,u = VEB ,act =
VEB ,sat = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V. Suponga, a continuación, que β puede variar entre 20 y 200.
¿Entre qué valores variará la corriente directa I por el LED tomando para R el valor calculado
anteriormente?
5V
I R
1 KΩ
Solución: Siendo I > 0, el LED estará en ON. El BJT podría estar en estado ACTIVO o
en estado SATURACIÓN. La suposición de cualquiera de los dos estados conduce a VEC =
VEB + (1)IB = 0,7 + IB ≥ 0,7 > 0,2. Por tanto, todo parece indicar que el BJT estará en estado
ACTIVO. Con el LED en ON y el BJT en estado ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
I = 51IB R
A
2V
K
E
IB 0,7 V 50IB
B C
1 KΩ
Sólo se ha de comprobar IB ≥ 0. Dado que I = 51IB , para que I = 20 mA, IB deberá valer
I 20
IB = = = 0,392 ,
51 51
que es ≥ 0. Así pues, el BJT estará efectivamente en estado ACTIVO. Para calcular el valor
necesario de R conociendo I e IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensión de valor 2 V, la
fuente de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 KΩ, obteniendo
5 = RI + 2 + 0,7 + (1)IB = 20R + 2,7 + 0,392 = 3,09 + 20R ,
5 − 3,09
R= = 0,0955 KΩ = 95,5 Ω .
20
Para resolver la segunda parte del problema expresemos, para R = 95,5 Ω, I en función de β.
Supondremos que el LED está en ON y que el BJT está en estado ACTIVO. El razonamiento
realizado anteriormente que conduce a VEC > 0,2 sigue siendo válido con independencia del
valor de β, por lo que bastará comprobar IB ≥ 0 e I ≥ 0. Con el LED en ON, el BJT en estado
ACTIVO y con R = 95,5 Ω, se obtiene el circuito
5V
I = (β + 1)IB 95,5 Ω
A
2V
K
E
IB 0,7 V βIB
B C
1 KΩ
Para calcular IB en función de β, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 95,5 Ω, la fuente de tensión de valor 2 V, la
fuente de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 KΩ, obteniendo
5 = (0,0955)(β + 1)IB + 2 + 0,7 + (1)IB ,
2,3
IB = ,
0,0955β + 1,0955
que es ≥ 0 para todo valor posible de β. La corriente I en función de β valdrá
2,3β + 2,3
I(β) = (β + 1)IB = ,
0,0955β + 1,0955
que es ≥ 0 para todo valor posible de β. Así pues, el LED está en ON y el BJT está en estado
ACTIVO para todo valor posible de β e I tiene en función de β la expresión anterior. La derivada
de I respecto de β para 0,0955β + 1,0955 = 0 vale
dI 2,3(0,0955β + 1,0955) − 0,0955(2,3β + 2,3) 2,3

= = ,
dβ (0,0955β + 1,0955)2 (0,0955β + 1,0955)2
79
que es > 0 para todo valor posible de β, ninguno de los cuales verifica 0,0955β + 1,0955 = 0.
Así pues, I es una función creciente de β en [20, 200] y variará entre un valor mínimo
(2,3)(20) + 2,3
Imin = I(20) = = 16,1 mA
(0,0955)(20) + 1,0955
y un valor máximo
(2,3)(200) + 2,3
Imax = I(200) = = 22,9 mA .
(0,0955)(200) + 1,0955
Problema 44: El BJT del circuito de la figura tiene un parámetro β comprendido entre 20 y
150. Usando para el BJT el modelo con parámetros β, VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito y: 1) determine el valor de R2 para el cual, suponiendo el
BJT en estado activo y β = 50, I = 10 mA; 2) para el valor de R2 calculado en el apartado
anterior y suponiendo el BJT en estado activo, determine entre qué valores puede variar I debido
al rango posible de valores para β; 3) para el valor de R2 calculado en el apartado 1), determine
el máximo valor que puede tener R1 de modo que para cualquier valor posible para β, el BJT
trabaje en estado activo.
20 V
R1 I
3 KΩ
1 KΩ R2
Solución: 1) Empezaremos calculando el equivalente de Thévenin del dipolo constituido por

la fuente de tensión de valor 20 V, la resistencia de valor 3 KΩ y la resistencia de valor 1 KΩ,
Thévenin, Rth , valen
1
Vth = 20 = 5 V ,
3+1
(1)(3)
Rth = 13 = = 0,75 KΩ .
1+3
20 V
R1 I
0,75 KΩ
5V
R2
y, suponiendo el BJT en estado ACTIVO, se obtiene el circuito

20 V
R1 I
0,75 KΩ
B C
IB
0,7 V βIB
5V
E
R2 (β + 1)IB
Por inspección I = βIB y para que con β = 50 I = 10 mA, IB deberá valer
I 10
IB = = = 0,2 .
β 50

malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 0,75 KΩ, la fuente de
tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor R2 , obteniendo
5 = 0,75IB + 0,7 + R2 (β + 1)IB , (3.3)
5 = (0,75)(0,2) + 0,7 + R2 (51)(0,2) ,
4,15 = 10,2R2 ,
4,15
R2 = = 0,407 KΩ = 407 Ω .
10,2
2) Calculemos el valor de I en función de β para el valor de R2 , R2 = 407 Ω, obtenido en el

apartado anterior, suponiendo que el BJT está en estado ACTIVO. De (3.3), obtenemos
5 = 0,75IB + 0,7 + 0,407(β + 1)IB ,
4,3 = (0,407β + 1,16)IB ,

4,3
IB = , (3.4)
0,407β + 1,16
y, usando I = βIB ,
4,3β
I(β) = . (3.5)
0,407β + 1,16
La derivada de I respecto de β vale, para 0,407β + 1,16 = 0,
dI 4,3(0,407β + 1,16) − 0,407(4,3β) 4,99

= = ,
dβ (0,407β + 1,16)2 (0,407β + 1,16)2
81
que es > 0 para todos valor posible de β, ninguno de los cuales verifica 0,407β + 1,16 = 0. Así
pues, I es una función creciente de β en [20, 150] y variará entre un valor mínimo
(4,3)(20)
Imin = I(20) = = 9,25 mA
(0,407)(20) + 1,16
y un valor máximo
(4,3)(150)
Imax = I(150) = = 10,4 mA .
(0,407)(150) + 1,16
3) La expresión (3.4) pone de manifiesto que IB es > 0 para todo valor posible de β. Así pues,
para asegurar el trabajo del BJT en el estado ACTIVO bastará con imponer VCE ≥ 0,2. Cal-
culemos, pues, VCE en función de β suponiendo que el BJT está en estado ACTIVO. Podemos
usar el último circuito del apartado 1) con R2 = 407 Ω. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensión de valor 20 V, la resistencia de valor R1 , la fuente de
corriente controlada y la resistencia de valor R2 , obtenemos
20 = R1 I + VCE + R2 (β + 1)IB = R1 I + VCE + (0,407)(β + 1)IB .
Usando (3.4) y (3.5), obtenemos
4,3β 4,3
20 = R1 + VCE + (0,407)(β + 1) ,
0,407β + 1,16 0,407β + 1,16
4,3βR1 1,75β + 1,75

20 = + VCE + ,
0,407β + 1,16 0,407β + 1,16
4,3βR1 1,75β + 1,75
VCE = 20 − − ,
0,407β + 1,16 0,407β + 1,16
4,3βR1 + 1,75β + 1,75
VCE = 20 − ,
0,407β + 1,16
e, imponiendo VCE ≥ 0,2, obtenemos
4,3βR1 + 1,75β + 1,75

20 − ≥ 0,2 ,
0,407β + 1,16
4,3βR1 + 1,75β + 1,75

19,8 ≥ ,
0,407β + 1,16
8,06β + 23,0 ≥ 4,3βR1 + 1,75β + 1,75 ,
4,3βR1 ≤ 6,31β + 21,3 ,
6,31β + 21,3
R1 ≤ = F (β) .
4,3β
La derivada de F respecto de β vale, para β = 0,
dF 6,31(4,3β) − 4,3(6,31β + 21,3) 4,95

= 2
=− 2 ,
dβ (4,3β) β
que es < 0 para todos los valores posibles de β, que no incluyen β = 0. Así pues, F es una
función decreciente de β en en [20, 150], la condición más restrictiva para R1 se obtiene para
β = 150, y R1 deberá satisfacer
(6,31)(150) + 21,3
R1 ≤ = 1,50 KΩ .
(4,3)(150)
Así pues, para el valor de R2 calculado en el apartado 1), el máximo valor que puede tomar R1
de modo que el BJT trabaje en estado ACTIVO para todos los valores posibles de β es 1,50 KΩ.
Problema 45: El BJT del circuito de la figura tiene un parámetro β comprendido entre 20 y 150.
Usando para la zona de ruptura del diodo Zener el modelo con tensión cátodo-ánodo VZO =
4,7 V y para el BJT el modelo con parámetros β, VEB ,u = VEB ,act = VEB ,sat = 0,7 V y
VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito y: 1) determine el valor de R2 para el cual, con β = 50 y
suponiendo el diodo Zener en ruptura y el BJT en estado activo, I = 20 mA; 2) para el valor de
R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo el diodo Zener en ruptura y el BJT en estado
activo, determine entre qué valores puede variar I debido al rango posible de valores para β; 3)
para el valor de R2 calculado en el apartado 1), determine los máximos valores que pueden tener
R1 y R3 de modo que para cualquier valor posible para β, el diodo Zener trabaje en ruptura con
una corriente inversa ≥ 0,5 mA y el BJT trabaje en estado activo.
20 V
R2
R1 R3 I

circuito
20 V
R2 (β + 1)IB
C
4,7 V
IZ 0,7 V βIB
IB
B E
IB + IZ R1 R3 I
83
Por inspección, I = βIB y, para que con β = 50 I = 20 mA, IB deberá valer

I 20
IB = = = 0,4 .
β 50
malla formada por la fuente de tensión de valor 4,7 V, la resistencia de valor R2 y la fuente de
4,7 = R2 (β + 1)IB + 0,7 , (3.6)
4,7 = (51)(0,4)R2 + 0,7 ,

4 = 20,4R2 ,
4
R2 = = 0,196 KΩ = 196 Ω .
20,4
2) Dado que el diodo Zener está en RUPTURA y el BJT está en estado ACTIVO, podemos
utilizar los resultados del apartado anterior que no usan el valor de β, con el valor calculado para
R2 . Calculemos I en función de β. De (3.6),
4,7 = (0,196)(β + 1)IB + 0,7 ,

4
IB = , (3.7)
0,196β + 0,196
y, usando I = βIB ,
4β
I(β) = . (3.8)
0,196β + 0,196
La derivada de I respecto de β vale, para 0,196β + 0,196 = 0,
dI 4(0,196β + 0,196) − 0,196(4β) 0,784
= = ,
dβ (0,196β + 0,196)2 (0,196β + 0,196)2
que es > 0 para todo valor posible de β, ninguno de los cuales verifica 0,196β + 0,196 = 0. Así
pues, I es una función creciente de β en [20, 150] y variará entre un valor mínimo
(4)(20)
Imin = I(20) = = 19,4 mA
(0,196)(20) + 0,196
y un valor máximo
(4)(150)
Imax = I(150) = = 20,3 mA .
(0,196)(150) + 0,196
3) Podemos usar el circuito del apartado 1) con el valor de R2 , R2 = 196 Ω, calculado en

dicho apartado y los valores de IB e I en función de β calculados en el apartado 2). Siendo IZ
la corriente inversa por el diodo Zener, hemos de imponer IZ ≥ 0,5, IB ≥ 0 y VCE ≥ 0,2.
Para calcular IZ conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensión de valor 20 V, la fuente de tensión de valor 4,7 V y la resistencia de valor R1 ,
obteniendo, usando (3.7),
20 = 4,7 + R1 (IB + IZ ) = 4,7 + R1 IB + R1 IZ ,

4R1
20 = 4,7 + + R1 IZ ,
0,196β + 0,196
4R1
15,3 = + R1 IZ ,
0,196β + 0,196
(15,3)(0,196β + 0,196) = 4R1 + (0,196β + 0,196)R1 IZ ,
3β + 3 = 4R1 + (0,196β + 0,196)R1 IZ ,
3β + 3 − 4R1
IZ = ,
(0,196β + 0,196)R1
e, imponiendo IZ ≥ 0,5,
3β + 3 − 4R1
≥ 0,5 ,
(0,196β + 0,196)R1
3β + 3 − 4R1 ≥ 0,5(0,196β + 0,196)R1 ,
3β + 3 ≥ (0,0980β + 4,10)R1 ,
3β + 3
R1 ≤ = F1 (β) .
0,0980β + 4,10
La derivada de F1 respecto de β vale, para 0,0980β + 4,10 = 0,
dF1 3(0,0980β + 4,10) − 0,0980(3β + 3) 12,0

= = ,
dβ (0,0980β + 4,10) 2 (0,0980β + 4,10)2
que es > 0 para todos los valores posibles de β, ninguno de los cuales verifica 0,0980β + 4,10 =
0. Así pues, F1 es una función creciente de β en [20, 150], la condición más restrictiva para R1
se obtiene para β = 20, y R1 deberá satisfacer
(3)(20) + 3
R1 ≤ = 10,4 KΩ .
(0,0980)(20) + 4,10
La expresión (3.7) para IB en función de β pone de manifiesto que IB ≥ 0 para todo valor
posible de β. Calculemos VCE en función de β e impongamos VCE ≥ 0,2. Para calcular VCE
conociendo IB e I aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensión de valor 20 V, la resistencia de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor R3 , obteniendo, usando (3.7) y (3.8),
20 = R2 (β + 1)IB + VCE + R3 I ,
4 4βR3
20 = (0,196)(β + 1) + VCE + ,
0,196β + 0,196 0,196β + 0,196
4βR3
20 = 4 + VCE + ,
0,196β + 0,196
4βR3
VCE = 16 − ,
0,196β + 0,196
e, imponiendo VCE ≥ 0,2, obtenemos
4βR3
16 − ≥ 0,2 ,
0,196β + 0,196
85
4βR3
≤ 15,8 ,
0,196β + 0,196
4βR3 ≤ 15,8(0,196β + 0,196) ,
4βR3 ≤ 3,10β + 3,10 ,
3,10β + 3,10
R3 ≤ = F2 (β) .
4β
La derivada de F2 respecto de β vale, para β = 0,
dF2 3,10(4β) − 4(3,10β + 3,10) 0,775

= 2
=− 2 ,
dβ 16β β
que es < 0 para todos los valores posibles de β, que no incluyen β = 0. Así pues, F2 es una
función decreciente de β en [20, 150], la condición más restrictiva se obtiene para β = 150, y R3
deberá satisfacer
(3,10)(150) + 3,10
R3 ≤ = 0,780 KΩ = 780 Ω .
(4)(150)
Así pues, para que para cualquier valor posible de β, el diodo Zener trabaje en RUPTURA con
una corriente inversa ≥ 0,5 mA y el BJT trabaje en estado ACTIVO, el valor de R1 no deberá
superar 10,4 KΩ y el valor de R3 no deberá superar 780 Ω.
VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor que ha
de tener la resistencia R para que la corriente I valga 2 mA.
12 V
2 KΩ
R
25 KΩ 200 Ω I
Solución: Con el BJT en CORTE, I sería 0. Todo parece indicar que el BJT debe estará en
estado ACTIVO o en estado SATURACIÓN. Supongamos que está en estado ACTIVO. Con el
BJT en dicho estado, se obtiene el circuito

12 V
I3
2 KΩ
B R
C
I2
I1 25 KΩ 0,7 V 50IB
IB E
I = 51IB 200 Ω
Las condiciones a verificar son IB ≥ 0 y VCE ≥ 0,2. Dado que I = 51IB , para que I = 2 mA,
IB deberá valer
2
IB = = 0,0392 ,
51
que es ≥ 0. Calculemos la tensión de la base, VB :
VB = 0,7 + 0,2I = 0,7 + (0,2)(2) = 1,1 .
Calculemos la corriente I1 :
VB 1,1
I1 = = = 0,044 .
25 25
I2 puede ser calculada a partir de I1 e IB aplicando la primera ley de Kirchoff a la base del BJT:
I2 = I1 + IB = 0,044 + 0,0392 = 0,0832 .
La corriente I3 puede ser calculada aplicando la primera ley de Kirchoff al colector del BJT:
I3 = I2 + 50IB = 0,0832 + (50)(0,0392) = 2,04 .
Calculemos la tensión de colector, VC :
VC = 12 − 2I3 = 12 − (2)(2,04) = 7,92 .
Calculemos la tensión de emisor, VE :
VE = 0,2I = (0,2)(2) = 0,4 .
La tensión VCE resulta valer
VCE = VC − VE = 7,92 − 0,4 = 7,52 ,
que es ≥ 0,2. Por tanto, el estado supuesto para el BJT es correcto. El valor necesario para R
puede ser obtenido imponiendo VC − VB = RI2 . Ello da
VC − VB 7,92 − 1,1
R= = = 82,0 KΩ .
I2 0,0832
87
Problema 47: Determine para el circuito de la figura el valor de la corriente IL cuando el inte-
rruptor está en OFF y cuando está en ON. Use para los BJTs el modelo con parámetros β = 50,
VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
5V
5 KΩ 200 Ω 10 Ω IL
Solución: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha y denotemos con los sub-
índices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos analizando
el circuito para el caso interruptor en OFF. Supondremos que Q1 está en estado SATURACIÓN
y que Q2 está en estado CORTE. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el inte-
rruptor está en OFF, el circuito
5V
IL
5 KΩ 200 Ω 10 Ω
IB1 IC1 C
B B
C
0,7 V 0,2 V E
Se ha de verificar IB1 ≥ 0, IC1 ≥ 0, IC1 ≤ 50IB1 , VBE2 ≤ 0,7 y VCE2 ≥ 0. Por inspección,
IL = 0 y VBE2 = 0,2, que es ≤ 0,7. También por inspección, teniendo en cuenta IL = 0,
obtenemos VCE2 = 5, que es ≥ 0. Así pues, basta verificar IB1 ≥ 0, IC1 ≥ 0 e IC1 ≤ 50IB1 .
Para calcular IB1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 5 KΩ y la fuente de tensión de valor 0,7 V, obteniendo
5 = 5IB1 + 0,7 ,
5 − 0,7
IB1 = = 0,860 ,
5
que es ≥ 0. Para calcular IC1 aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 200 Ω y la fuente de tensión de valor 0,2 V,
obteniendo
5 = 0,2IC1 + 0,2 ,
5 − 0,2
IC1 = = 24 ,
0,2
que es ≥ 0 y ≤ 50IB1 = (50)(0,860) = 43. Así pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en OFF, IL = 0.
Analizaremos por último el circuito para el caso interruptor en ON. Con I en ON, VBE1 =
0 ≤ 0,7 y, suponiendo VCE1 ≥ 0, Q1 estará en corte. Supondremos Q1 en CORTE y Q2 en
SATURACIÓN. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el interruptor está en ON,
el circuito
5V
5 KΩ 200 Ω 10 Ω
IB2 IL = IC2
B
C
0,7 V 0,2 V
B C
E E
Se ha de verificar VCE1 ≥ 0, IB2 ≥ 0, IC2 ≥ 0, e IC2 ≤ 50IB2 . Por inspección, VCE1 = 0,7 V,
que es ≥ 0. Para calcular IB2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
obteniendo
5 = 0,2IB2 + 0,7 ,
5 − 0,7
IB2 = = 21,5 ,
0,2
que es ≥ 0. Para calcular IC2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
obteniendo
5 = 0,01IC2 + 0,2 ,
5 − 0,2
IC2 = = 480 ,
0,01
que es ≥ 0 y ≤ 50IB2 = (50)(21,5) = 1.075. Así pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en ON, IL = IC2 = 480 mA.
Problema 48: Determine para el circuito de la figura los valores de la corriente I y de las ten-
siones V1 y V2 . Use para los BJTs el modelo con parámetros β = 50, VBE ,u = VBE ,act =
89
VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.

24 V
82 KΩ 1 KΩ I
100 KΩ
V1
10 KΩ
V2
100 Ω
Solución: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha, y denotemos con los
subíndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos determi-
nando el equivalente de Thévenin del dipolo formado por la fuente de tensión de valor 24 V y las
resistencias de valores 82 Ω, 10 KΩ y 100 KΩ, que tiene como salidas la base de Q1 y masa. La
tensión de Thévenin, Vth , y la resistencia de Thévenin, Rth , valen
10
Vth = 24 = 2,61 V ,
10 + 82
(10)(82)
Rth = 100 + 10 82 = 100 + = 109 KΩ .
10 + 82
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thévenin se obtiene el circuito
24 V
1 KΩ I
109 KΩ
Q1 V1
2,61 V Q2
V2
100 Ω
Supongamos que Q1 está en estado ACTIVO y que Q2 está en SATURACIÓN. Se obtiene el

circuito
24 V
I = IC2
109 KΩ
B C 1 KΩ
2,61 V
IB1 0,7 V 50IB1
E IB2 = 51IB1
B C V1
0,7 V 0,2 V
E V2
51IB1 + IC2 100 Ω
Las condiciones a verificar son IB1 ≥ 0, VCE 1 ≥ 0,2, IB2 ≥ 0, IC2 ≥ 0, e IC2 ≤ 50IB2 .
Dado que IB2 = 51IB1 , IB2 ≥ 0 queda reducida a IB1 ≥ 0. Así pues, basta verificar IB1 ≥ 0,
VCE 1 ≥ 0,2 V, IC2 ≥ 0 e IC2 ≤ 50IB2 . Empezaremos calculando IB1 e IC2 . Aplicando la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 2,61 V, la resistencia
de valor 109 KΩ, las fuentes de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 Ω y a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 24 V, la resistencia de valor 1 KΩ, la fuente de tensión
de valor 0,2 V y la resistencia de valor 100 Ω, se obtiene
2,61 = 109IB1 + 0,7 + 0,7 + 0,1(51IB1 + IC2 ) ,
24 = (1)IC2 + 0,2 + (0,1)(51IB1 + IC2 )

y el sistema de ecuaciones lineales
114,1IB1 + 0,1IC2 = 1,21

5,1IB1 + 1,1IC2 = 23,8
cuya solución es
1,21 0,1

23,8 1,1
IB1 = = −0,00839 ,
114,1 0,1

5,1 1,1

114,1 1,21

5,1 23,8
IC2 = = 21,7 .
114,1 0,1

5,1 1,1
Dado que IB1 no es ≥ 0, el par de estados supuesto para los BJTs no es correcto. Supongamos
que los dos BJTs están en estado ACTIVO. Con esos estados, se obtiene el circuito
24 V
109 KΩ I
B C 1 KΩ
2,61 V
IB1 0,7 V 50IB1
E IB2 = 51IB1
B C V1
0,7 V 50IB2
E V2
51IB2 100 Ω
Las condiciones a verificar son IB1 ≥ 0, VCE 1 ≥ 0,2, IB2 ≥ 0 y VCE 2 ≥ 0,2. Dado que
IB2 = 51IB1 , la condición IB2 ≥ 0 queda reducida a IB1 ≥ 0. Así pues, basta verificar IB1 ≥ 0,
VCE 1 ≥ 0,2 V y VCE 2 ≥ 0,2 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
91
fuente de tensión de valor 2,61 V, la resistencia de valor 109 KΩ, las fuentes de tensión de valor
0,7 V y la resistencia de valor 100 Ω, obtenemos
2,61 = 109IB1 + 0,7 + 0,7 + (0,1)(51IB2 ) = 109IB1 + 5,1IB2 + 1,4
y, usando IB2 = 51IB1 ,
2,61 = 109IB1 + (5,1)(51IB1 ) + 1,4 = 369IB1 + 1,4 ,
2,61 − 1,4
IB1 = = 0,00328 ,
369
que es ≥ 0. Usando de nuevo IB2 = 51IB1 , la tensión VCE1 puede ser calculada de la forma
VCE1 = VC1 − VE1 = 24 − (0,7 + (0,1)(51IB2 )) = 23,3 − 5,1IB2 = 23,3 − (5,1)(51IB1 )
= 23,3 − 260IB1 = 23,3 − (260)(0,00328) = 22,4 ,
que es ≥ 0,2. Usando IB2 = 51IB1 , la tensión VCE 2 puede ser calculada de la forma
VCE 2 = VC2 − VE2 = (24 − (1)(50IB2 )) − (0,1)(51IB2 ) = 24 − 55,1IB2
= 24 − (55,1)(51IB1 ) = 24 − 2.810IB1 = 24 − (2.810)(0,00328) = 14,8 ,
que es ≥ 0,2. Así pues, los estados supuestos para los BJTs son correctos. Usando IB2 = 51IB1 ,
la corriente I resulta valer
I = 50IB2 = (50)(51IB1 ) = 2.550IB1 = (2.550)(0,00328) = 8,36 mA .
La tensión V1 vale
V1 = 24 − (1)I = 24 − 8,36 = 15,6 V .
Finalmente, usando IB2 = 51IB1 , la tensión V2 vale
V2 = (0,1)(51IB2 ) = 5,1IB2 = (5,1)(51IB1 ) = 260IB1 = (260)(0,00328) = 0,853 V .
Problema 49: Los BJT del circuito de la figura tienen un parámetro β comprendido entre 20 y
150. Usando para los BJT el modelo con parámetros β, VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el máximo valor que puede tener
R2 para que, con el interruptor en ON, el BJT Q2 esté en saturación; 2) para el valor máximo
de R2 calculado en el apartado anterior, determine el valor máximo que puede tener R1 para
que, con el interruptor en OFF, Q1 esté en saturación; 3) para los valores máximos de R1 y R2
calculados anteriormente, determine el valor de la corriente por el interruptor cuando éste está en
ON.
10 V
R1 R2 10 Ω
Q2
Q1
Solución: Usaremos el subíndice 1 para las tensiones y corrientes de Q1 y el subíndice 2 para

las tensiones y corrientes de Q2.

1) Con Q2 en SATURACIÓN, VCE 1 = VBE 2 = 0,7, que es ≥ 0. Con el interruptor en ON,
VBE 1 = 0, que es < 0,7. VCE 1 ≥ 0 y VBE 1 < 0,7 implican Q1 en CORTE. Así pues, Q2 en
SATURACIÓN implica Q1 en CORTE. Supongamos, pues, Q2 en SATURACIÓN y, sabiendo
que Q1 está en CORTE, impongamos IB2 ≥ 0, IC2 ≥ 0 e IC2 ≤ βIB2 . Con Q1 en CORTE y
Q2 en SATURACIÓN, se obtiene el circuito
10 V
R2 10 Ω
IB2 IC2
B C
0,7 V 0,2 V
10 = R2 IB2 + 0,7 ,
10 − 0,7 9,3
IB2 = = ,
R2 R2
que es ≥ 0 para todo R2 . Para calcular IC2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 10 Ω y la fuente de tensión
de valor 0,2 V, obteniendo
10 = 0,01IC2 + 0,2 ,
10 − 0,2
IC2 = = 980 ,
0,01
que es ≥ 0. Finalmente imponiendo IC2 ≤ βIB2 , obtenemos
9,3
980 ≤ β ,
R2
9,3
R2 ≤ β = 0,00949β .
980
La condición más restrictiva se obtiene para β = 20, dando
R2 ≤ (0,00949)(20) = 0,190 KΩ = 190 Ω .
Así pues, el valor máximo de R2 para el cual con el interruptor en ON Q2 estará en SATU-
RACIÓN es 190 Ω.
2) Con Q1 en SATURACIÓN, VBE 2 = VCE 1 = 0,2, que es < 0,7. Ello implica que Q2 estará
en CORTE, debiéndose únicamente verificar VCE 2 ≥ 0. Pero, con Q2 en CORTE, la corriente
por la resistencia de valor 10 Ω es nula y VCE 2 = 10 ≥ 0. Así pues, Q1 en SATURACIÓN
93
implica Q2 en CORTE. Supongamos Q1 en SATURACIÓN y, sabiendo que Q2 está en CORTE,

impongamos IB1 ≥ 0, IC1 ≥ 0 e IC1 ≤ βIB1 . Con el interruptor en OFF, Q2 en CORTE, y
Q1 en SATURACIÓN, se obtiene, para el máximo valor de R2 , R2 = 190 Ω, calculado en el
apartado anterior, el circuito
10 V
R1 190 Ω
IB1 IC1
B C
0,7 V 0,2 V
10 = R1 IB1 + 0,7 ,
10 − 0,7 9,3
IB1 = = ,
R1 R1
que es ≥ 0 para todo R1 . Para calcular IC1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 190 Ω y la fuente de
10 = 0,190IC1 + 0,2 ,
10 − 0,2
IC1 = = 51,6 ,
0,190
que es ≥ 0. Finalmente imponiendo IC1 ≤ βIB1 , obtenemos
9,3
51,6 ≤ β ,
R1
9,3
R1 ≤ β = 0,180β .
51,6
La condición más restrictiva se obtiene para β = 20, dando
R1 ≤ (0,180)(20) = 3,60 KΩ .
Así pues, para el valor máximo calculado en el apartado anterior para R2 y con el interruptor en
ON, el valor máximo de R1 para el cual Q1 estará en SATURACIÓN es 36 KΩ.
3) Con el interruptor en ON y con el valor máximo para R2 calculado en el apartado 1), tal y
como se ha visto en ese apartado, Q1 estará en CORTE. Ello implica IB1 = 0 y que la corriente
por el interruptor sea igual a la corriente por la resistencia de valor R1 , que, con el interruptor en
ON, ve una tensión de valor 10 V. Así pues, la corriente por el interruptor valdrá
10 10
= = 2,78 mA .
R1 3,60
Problema 50: Los BJT Q1, Q2 y Q3 del circuito de la figura tienen un parámetro β comprendido
entre 20 y 150. Las tensiones v1 y v2 pueden variar entre 0 y 5 V. Usando para Q1 y Q2 el modelo
con parámetros β, VEB ,u = VEB ,act = VEB ,sat = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, y para Q3 el modelo
con parámetros β, VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de
la figura y: 1) demuestre que, con v1 > v2 , I = 0; 2) determine el máximo valor de R para el cual
con v1 < v2 , Q3 está en saturación. Ayuda: para el apartado 1), suponga que Q2 está en estado
ACTIVO o en estado SATURACIÓN, determine los estados de Q1 y Q3, y luego demuestre que
efectivamente Q2 está en estado ACTIVO o en estado SATURACIÓN, dependiendo del valor de
R.
10 V
10 V
v1 Q1 Q2 v2
I 50 Ω
100 KΩ
Q3
100 KΩ
−10 V
Solución: Denotaremos mediante los subíndices 1, 2 y 3 las tensiones y corrientes correspon-

dientes a, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
1) Empecemos suponiendo que Q2 está en estado ACTIVO o en estado SATURACIÓN. En
ambos casos tenemos VEB 2 = 0,7 y una tensión de emisor de Q2 VE2 = v2 + 0,7. La tensión
VEB 1 resulta valer
VEB 1 = VE2 − v1 = v2 + 0,7 − v1 = 0,7 + v2 − v1 ,
que para v1 > v2 es < 0,7. Ello implica que Q1 estará en CORTE, debiéndose únicamente
verificar VEC 1 ≥ 0. Hagámoslo y, de paso, determinemos el estado de Q3. Con Q1 en corte,
IC1 = 0. Puede verse que eso implica que Q3 estará en CORTE. Se ha de verificar VBE 3 ≤ 0,7
y VCE 3 ≥ 0. Con Q3 en CORTE, IB3 = 0. Siendo IC1 = 0, ello implica que la corriente por la
resistencia de valor 100 KΩ conectada a la base de Q3 es 0 y que VBE 3 = 0, que es ≤ 0,7. Con
Q3 en CORTE, I = IC3 = 0, implicando VCE 3 = 10 − (−10) = 20, que es ≥ 0,2. Así pues,
Q1 en CORTE implica Q3 en CORTE. Hemos de comprobar VEC 1 ≥ 0 sabiendo que Q3 está en
CORTE. Dado que la corriente por las resistencia de 100 KΩ conectada a la base de Q3 es 0, la
tensión de colector de Q1 valdrá −10 y
VEC 1 = VE2 − (−10) = VE2 + 10 = v2 + 0,7 + 10 = 10,7 + v2 ,
que es ≥ 0 para todos los valores posibles de v2 .

95
En resumen, supuesto Q2 en estado ACTIVO o en estado SATURACIÓN, Q1 y Q3 estarán en

CORTE e I = 0. Falta comprobar que Q2 está en estado ACTIVO o en estado SATURACIÓN.
Podemos usar el hecho de que Q1 y Q3 están en CORTE.
Con Q2 en estado ACTIVO o en estado SATURACIÓN, tenemos VEB 2 = 0,7 y la tensión de
emisor de Q2 valdrá VE2 = v2 + 0,7. Estando Q1 en CORTE, la corriente por la resistencia de
valor R será la corriente de emisor de Q2, IE2 , y tendremos
10 − VE2 10 − (v2 + 0,7) 9,3 − v2
IE2 = = = ,
R R R
que, para todos los valores posibles de v2 es > 0. Supongamos Q2 en estado ACTIVO. Se ha de
verificar IB2 ≥ 0 y VEC 2 ≥ 0,2. Dado que en estado ACTIVO IB2 = IE2 /(β2 + 1), tendremos
IB2 > 0, verificándose la primera condición. La condición VEC 2 ≥ 0,2 puede o no cumplirse
dependiendo del valor de R. En efecto, con Q2 en estado ACTIVO, la corriente de colector de
Q2 valdrá IC2 = β2 /(β2 + 1)IE2 , la tensión de colector de Q2 valdrá VC2 = −10 + 100IC2 , y
VEC 2 = VE2 − VC2 = v2 + 0,7 + 10 − 100IC2 = v2 + 10,7 − 100IC2 . Para R suficientemente
pequeña, IE2 e IC2 serán suficientemente grandes y VEC 2 será < 0,2, en contradicción con
Q2 en estado ACTIVO. Vamos a ver que en éste caso, Q2 estará en SATURACIÓN. En ese
estado, VEC 2 = 0,2. Además, IC2 < (β2 /(β2 + 1))IE2 , pues VEC 2 = v2 + 10,7 − 100IC2 y
IC2 = β2 /(β2 + 1)IE2 conducen a VEC 2 < 0,2. De hecho, IC2 valdrá
VC2 − (−10) VC2 + 10 VE2 − VEC 2 + 10 v2 + 0,7 − 0,2 + 10 v2 + 10,5
IC2 = = = = = .
100 100 100 100 100
Hemos de verificar IB2 ≥ 0, IC2 ≥ 0 y IC2 ≤ βIB2 . Dado que IB2 = IE2 − IC2 e IC2 <
(β2 /(β2 + 1))IE2 , tendremos IB2 > IE2 − (β2 /(β2 + 1))IE2 = IE2 /(β2 + 1) > 0. De la
expresión de IC2 en función de v2 se deduce que para todos los valores posibles de v2 , IC2 ≥ 0.
Finalmente, usando IC2 < (β2 /(β2 + 1))IE2 e IB2 > IE2 /(β2 + 1) > 0, teniendo en cuenta
IB2 > 0, obtenemos
β2
IE2
IC2 β +1
< 2 = β2 ,
IB2 IE2
β2 + 1
que, con IB2 > 0, implica IC2 < β2 IB2 . Así pues, cuando Q2 no está en estado ACTIVO, está
en estado SATURACIÓN y Q2 está necesariamente en uno de esos dos estados. Ello concluye
la demostración.
2) Con Q3 en SATURACIÓN y v1 < v2 , Q1 está en estado ACTIVO y Q2 está en CORTE.
Veamos primero que con Q2 en CORTE, Q1 está en estado ACTIVO. Con Q1 en estado ACTIVO,
VEB 1 = 0,7 y la tensión de emisor de Q1 vale VE1 = v1 + 0,7. Además, la corriente por la
resistencia de valor R será la corriente de emisor de Q1 y valdrá
10 − (v1 + 0,7) 9,3 − v1
IE1 = = ,
R R
que es > 0 para todos los valores posibles de v1 . Hemos de comprobar IB1 ≥ 0 y VEC 1 ≥ 0,2.
Como en estado ACTIVO IB1 = IE1 /(β1 + 1), tenemos IB1 > 0, comprobando la primera
condición. Para la segunda, con Q3 en estado SATURACIÓN, VBE 3 = 0,7 y VC1 = −10+0,7 =
−9,3, dando
VEC 1 = VE1 − VC1 = v1 + 0,7 − (−9,3) = v1 + 10 ,
que es ≥ 0,2 para todos los valores posibles de v1 . Acabamos de comprobar que con Q2 en
CORTE, Q1 está en estado ACTIVO. Comprobemos que Q2 está en CORTE, sabiendo que Q1
está en estado ACTIVO. La tensión VEB 2 vale
VEB 2 = VE2 − v2 = VE1 − v2 = v1 + 0,7 − v2 = 0,7 + v1 − v2 ,
que con v1 < v2 es < 0,7. Basta comprobar VEC 2 ≥ 0. Con Q2 en corte, IC2 = 0 y la tensión
de colector de Q2 vale VC2 = −10. Ello da
VEC 2 = VE2 − VC2 = VE1 − VC2 = v1 + 0,7 − (−10) = v1 + 10,7 ,
que para todos los valores posibles de v1 es ≥ 0.

En resumen, con Q3 en SATURACIÓN y v1 < v2 , Q1 está en estado ACTIVO y Q2 está en
CORTE. Con esos estados, obtenemos el circuito
10 V
R (β1 + 1)IB1
E
IB1
10 V
0,7 V β1 IB1
B C 50 Ω IC3
v1 IB3
B C
0,7 V 0,2 V
100 KΩ I1
E
−10 V
Hemos de imponer las condiciones del estado SATURACIÓN de Q3, es decir IB3 ≥ 0, IC3 ≥ 0,
e IC3 ≤ β3 IB3 . Calculemos IB3 e IC3 .
Para calcular IC3 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 50 Ω, la fuente de tensión de valor 0,2 V y la fuente
de tensión de valor −10 V, obteniendo
10 = 0,05IC3 + 0,2 − 10 = 0,05IC3 − 9,8 ,
19,8
IC3 = = 396 , (3.9)
0,05
que es ≥ 0. Para calcular I1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensión de valor 0,7 V del circuito equivalente de Q3 y la resistencia de valor 100 KΩ,
obteniendo
0,7 = 100I1 ,
0,7
I1 = = 0,007 . (3.10)
100
97
Para calcular IB1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada la fuente de tensión de
valor 10 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensión de valor 0,7 V del circuito equivalente
de Q1 y la fuente de tensión de valor v1 , obteniendo
10 = R(β1 + 1)IB1 + 0,7 + v1 ,
9,3 − v1
IB1 = . (3.11)
R(β1 + 1)
Por último, para calcular IB3 conociendo I1 e IB1 , aplicamos la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado al colector de Q1, obteniendo
β1 IB1 = I1 + IB3 ,
y, usando (3.10) y (3.11),
β1 9,3 − v1
= 0,007 + IB3 ,
β1 + 1 R
β1 9,3 − v1
IB3 = − 0,007 . (3.12)
β1 + 1 R
La condición IB3 ≥ 0 se traduce en
β1 9,3 − v1
− 0,007 ≥ 0 ,
β1 + 1 R
β1 9,3 − v1
≥ 0,007 ,
β1 + 1 R
β1 9,3 − v1
R≤ .
β1 + 1 0,007
Dado que el miembro de la derecha es una función creciente de β1 y decreciente de v1 , la condi-
ción más restrictiva se alcanza para el menor valor posible de β1 y el mayor valor posible de v1 ,
y es
20 9,3 − 5
R≤ = 585 KΩ .
20 + 1 0,007
Por último, la condición IC3 ≤ β3 IB3 se traduce, usando (3.9) y (3.12), en

β1 9,3 − v1
396 ≤ β3 − 0,007 ,
β1 + 1 R
β1 9,3 − v1
396 ≤ β3 − 0,007β3 ,
β1 + 1 R
β1 9,3 − v1
β3 ≥ 396 + 0,007β3 ,
β1 + 1 R
β3 β1
R≤ (9,3 − v1 ) .
0,007β3 + 396 β1 + 1
El miembro de la derecha es creciente con β1 y β3 y decreciente con v1 , la condición más restric-
tiva se alcanza con los menores valores posibles para β1 y β3 y con el mayor valor posible para
v1 , y es
20 20
R≤ (9,3 − 5) = 0,207 KΩ = 207 Ω .
(0,007)(20) + 396 20 + 1
Dicha condición para R es más restrictiva que la condición R ≤ 585 KΩ obtenida imponiendo
IB3 ≥ 0, por lo que el mayor valor de R para el cual, con v1 < v2 , Q3 estará en SATURACIÓN
es 207 Ω.
Capítulo 4

MOSFETs
Problema 51: Analice el circuito de la figura y determine los valores de la corriente I cuando el
interruptor está en ON y cuando el interruptor está en OFF.
5V
I 2 KΩ
1 MΩ
Vt = 1 V
K = 2 mA/V2
1 MΩ
Solución: Con el interruptor en ON, VGS = 0 < Vt = 1, el transistor trabajará en la zona corte
e I = 0. Únicamente se ha de verificar VDS ≥ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 2 KΩ y el MOSFET,
obtenemos
5 = 2I + VDS = VDS ,
VDS = 5 ,
que es ≥ 0.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es
nula, la fuente de tensión de valor 5 V y las dos resistencias de valor 1 MΩ forman un divisor de
tensión, y
1 MΩ
VGS = 5 = 2,5 ,
1 MΩ + 1 MΩ
que es > Vt = 1. Ello implica que el transistor no trabajará en la zona corte. Supongamos que
trabaja en la zona saturación. La única condición a verificar es VDS ≥ VGS − Vt = 2,5 − 1 = 1,5.
100 4 Problemas de análisis de circuitos con MOSFETs
La corriente I vale
I = K(VGS − Vt )2 = (2)(2,5 − 1)2 = (2)(1,5)2 = 4,5 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la
resistencia de valor 2 KΩ y el MOSFET, obtenemos
5 = 2I + VDS ,
VDS = 5 − 2I = 5 − (2)(4,5) = −4 ,
que no es ≥ 1,5. Supongamos que el transistor trabaja en la zona óhmica. Las condiciones a
verificar son VDS ≥ 0 y VDS ≤ VGS − Vt = 2,5 − 1 = 1,5. La corriente I valdrá, en función de
VDS ,

I = K 2(VGS − Vt )VDS − VDS2
= 2 (2)(2,5 − 1)VDS − VDS 2
= 6VDS − 2VDS 2
. (4.1)
de valor 5 V, la resistencia de valor 2 KΩ y el MOSFET, se obtiene
5 = 2I + VDS ,
que, combinada con (4.1), da la ecuación de segundo grado en VDS
5 = 12VDS − 4VDS
2
+ VDS ,
2
4VDS − 13VDS + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS = 2,80 y VDS = 0,446. La solución VDS = 0,446 verifica VDS ≥ 0 y
VDS ≤ 1,5. Así pues, el transistor trabaja en la zona óhmica, VDS = 0,446 y, usando (4.1),
I = (6)(0,446) − (2)(0,446)2 = 2,28 mA .
5V
I 1 KΩ
1 MΩ
Vt = −1 V
K = 1 mA/V2
1 MΩ
−10 V
Solución: Con el interruptor en ON, VGS = 0 > Vt = −1 y el transistor no podrá trabajar en

la zona corte. Supongamos que trabaja en la zona saturación. La única condición a verificar es
VDS ≥ VGS − Vt = 0 − (−1) = 1. La corriente I valdrá
I = K(VGS − Vt )2 = (1)(0 + 1)2 = 1 .

101
5 = (1)I + VDS = 1 + VDS ,
VDS = 4 ,
que es ≥ 1. Así pues, el transistor trabaja en la zona saturación e I = 1 mA.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es nula,
es posible calcular la tensión de puerta, VG , analizando el circuito
5V
1 MΩ
VG
1 MΩ
−10 V
Teniendo en cuenta que la diferencia de tensión entre las dos resistencias se reparte entre ellas
proporcionalmente a sus valores, obtenemos
1 MΩ
VG = −10 + (5 − (−10)) = −2,5 .
1 MΩ + 1 MΩ
Por tanto, VGS vale VGS = −2,5 − 0 = −2,5, que es < Vt = −1. Así pues, el transistor trabaja
en la zona corte e I = 0. Únicamente se ha de verificar VDS ≥ 0. Aplicando la segunda ley de
Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 1 KΩ y
el MOSFET, obtenemos
5 = 10I + VDS = VDS ,
VDS = 5 ,
que es ≥ 0.
5V
1 MΩ
Vt = −1 V
K = 2 mA/V2
1 MΩ I 5 KΩ
Solución: Con el interruptor en ON, VGS = 0 > Vt = −1, el transistor trabajará en la zona
corte e I = 0. Únicamente se ha de verificar VDS ≤ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la

malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, el MOSFET y la resistencia de valor 5 KΩ,
obtenemos
5 = −VDS + 5I = −VDS ,
VDS − 5 ,
que es ≤ 0.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es nula,
la fuente de tensión de valor 5 V y las resistencias de valor 1 MΩ forman un divisor de tensión,
la tensión de puerta, VG , vale
1 MΩ
VG = 5 = 2,5 .
1 MΩ + 1 MΩ
La tensión VGS vale, por tanto, VGS = 2,5 − 5 = −2,5 < Vt = −1. Ello implica que el transistor
no trabajará en la zona corte. Supongamos que trabaja en la zona saturación. Tenemos
I = K(VGS − Vt )2 = (2)(−2,5 − (−1))2 = 4,5 .
Se ha de verificar VDS ≤ VGS − Vt = −2,5 − (−1) = −1,5. La tensión de drenador, VD , vale
VD = 5I = (5)(4,5) = 22,5 .
La tensión VDS resulta, por tanto, valer VDS = 22,5 − 5 = 17,5, que no es ≤ −1,5. Supongamos
que el transistor trabaja en la zona óhmica. Se ha de verificar VDS ≤ 0 y VDS ≥ VGS − Vt =
−2,5 − (−1) = −1,5. La corriente I, en función de VDS , vale

I = K 2(VGS − Vt )VDS − VDS
2
= 2 (2)(−2,5 − (−1))VDS − VDS
2
= −6VDS − 2VDS
2
. (4.2)
La tensión de drenador, VD , vale
VD = 5I = −30VDS − 10VDS
2
y, utilizando VDS = VD − 5, se obtiene la ecuación de segundo grado en VDS
VDS = −30VDS − 10VDS

2
− 5,
2
10VDS + 31VDS + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS = −2,93 y VDS = −0,171. La solución VDS = −0,171 verifica
las condiciones VDS ≤ 0 y VDS ≥ −1,5. Así pues, el transistor trabaja en la zona óhmica,
VDS = −0,171 V y, utilizando (4.2), la corriente I vale
I = −(6)(−0,171) − (2)(−0,171)2 = 0,968 mA .

103
10 V 5V
1 MΩ
Vt = 1 V
K = 2 mA/V2
3 MΩ I 1 KΩ
Solución: Cuando el interruptor está en ON, VGS = 0 < Vt = 1 y el transistor no podrá trabajar
en la zona corte. Supongamos que trabaja en la zona saturación. Únicamente se ha de verificar
VDS ≤ VGS − Vt = 0 − 1 = −1. La corriente I vale
I = K(VGS − Vt )2 = (2)(0 − 1)2 = 2 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, el
MOSFET y la resistencia de valor 1 KΩ, obtenemos
5 = −VDS + I = −VDS + 2 ,
VDS = −3 ,
que es ≤ −1. Así pues, el transistor trabaja en la zona saturación e I = 2 mA.

Cuando el interruptor está en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor
es nula, la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 1 MΩ y la resistencia de valor
3 MΩ forman un divisor de tensión, la tensión de puerta, VG , vale
3 MΩ
VG = 10 = 7,5 ,
1 MΩ + 3 MΩ
la tensión VGS vale VGS = 7,5 − 5 = 2,5, que es > Vt = 1, el transistor trabajará en la zona
corte e I = 0. Únicamente se ha de verificar VDS ≤ 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, el MOSFET y la resistencia de valor 1 KΩ,
obtenemos
5 = −VDS + (1)I = −VDS ,
VDS = −5 ,
que es ≤ 0.
Problema 55: Se utiliza el circuito de la figura para caracterizar un MOSFET de enriquecimien-

to de canal n. Cuando el interruptor está en OFF, la lectura del amperímetro es 6,5 mA y, cuando
está en ON, 4 mA. ¿Qué valores tienen los parámetros Vt y K del transistor?
10 V
1 KΩ
1 MΩ 1 MΩ
Solución: Siendo el transistor un MOSFET de enriquecimiento de canal n, Vt será > 0. Con el

interruptor en OFF, la corriente por la resistencia de valor 1 KΩ es ID y VDS = 10 − (1)ID =
10 − (1)(6,5) = 3,5. Con el interruptor en ON, despreciando la corriente por las resistencias de
valor 1 MΩ, tenemos VDS = 10 − (1)ID = 10 − (1)(4) = 6. En ambos casos, pues, VDS > 0.
Entonces, ID > 0 implica VGS > Vt .
Con el interruptor en OFF, siendo la corriente por la puerta del transistor nula, VGD = 0 y el
transistor trabajará en la zona saturación, pues se tiene VDS = VDG + VGS = VGS − VGD =
VGS > VGS − Vt . Obtenemos
6,5 = K(VGS − Vt )2 . (4.3)
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 10 V,
la resistencia de valor 1 KΩ y el transistor, y utilizando VDS = VGS , obtenemos
10 = (1)ID + VDS = (1)(6,5) + VGS = 6,5 + VGS ,
VGS = 3,5 .
Sustituyendo este valor en (4.3), obtenemos
6,5 = K(3,5 − Vt )2 . (4.4)
Con el interruptor en ON, siendo la corriente por la puerta del transistor nula, las resistencias de
valor 1 MΩ forman un divisor de tensión, y
1 MΩ VDS
VGS = VDS = ,
1 MΩ + 1 MΩ 2
VDS = 2VGS ,
y el transistor también trabajará en la zona saturación, pues se tendrá VDS > VGS > VGS − Vt .
Obtenemos
4 = K(VGS − Vt )2 . (4.5)
Despreciando la corriente por las resistencias de 1 MΩ, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
misma malla que antes, y usando VDS = 2VGS , obtenemos
10 = (1)ID + VDS = (1)(4) + 2VGS = 4 + 2VGS ,

105
que da
10 − 4
VGS = = 3.
2
La corriente por las resistencias de 1 MΩ resulta valer, por tanto, VGS /(2 MΩ) = 3/2.000 =
0,0015 mA, que, efectivamente, es despreciable frente a 4 mA. Sustituyendo el valor de VGS en
(4.5), obtenemos
4 = K(3 − Vt )2 . (4.6)
Los parámetros Vt y K del MOSFET pueden ser determinados resolviendo el sistema de ecua-
ciones formado por (4.4) y (4.6). Dividiéndolas, obtenemos
2
6,5 3,5 − Vt
= ,
4 3 − Vt
y, considerando que Vt < 3, pues con el interruptor en OFF VGS > Vt y VGS = 3, obtenemos

3,5 − Vt 6,5
= = 1,275 ,
3 − Vt 4
3,5 − Vt = 3,825 − 1,275Vt ,
3,825 − 3,5
Vt = = 1,18 V .
1,275 − 1
Sustituyendo ese valor en (4.6), obtenemos
4 = K(3 − 1,18)2 = 3,31K
y
4
K= = 1,21 mA/V2 .
3,31
Problema 56: El circuito de la figura se comporta como una fuente de corriente para ciertos
valores de R. ¿Cuáles?
5V
R
5 KΩ
Vt = 1 V
K = 1 mA/V2
10 KΩ
Solución: Dado que la corriente por la puerta del transistor es nula, la fuente de tensión de valor
5 V, la resistencia de valor 5 KΩ y la resistencia de valor 10 KΩ forman un divisor de tensión, y
10
VGS = 5 = 3,33 .
5 + 10
Siendo VGS > Vt = 1, el transistor trabajará en la zona óhmica o en la zona saturación. El que
trabaje en una zona u otra dependerá del valor de R. Ello se puede ver gráficamente considerando
que el punto de trabajo del transistor estará en la intersección de la recta de carga
5 = RID + VDS
con la característica ID = f (VDS ) del transistor para VGS = 3,33 V. Con VGS = 3,33,
ID,sat = K(VGS − Vt )2 = (1)(3,33 − 1)2 = 5,43 mA
y la transición entre la zona óhmica y la zona saturación se producirá para VDS = VDS ,sat =
VGS − Vt = 3,33 − 1 = 2,33 V. Así pues, la situación será
ID (mA)
5
R
5
Rmax
5,43 VGS = 3,33 V
2,33 5 VDS (V)
Para R ≤ Rmax , el transistor trabajará en la zona saturación, ID será independiente de R y el

circuito se comportará como una fuente de corriente. Rmax puede ser determinada imponiendo
ID = ID,sat y VDS = VDS ,sat en la ecuación de la recta de carga:
5 = Rmax ID,sat + VDS ,sat ,
5 = 5,43Rmax + 2,33 ,
5 − 2,33
Rmax = = 0,492 KΩ .
5,43
Problema 57: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = 1 V y un parámetro K que
puede variar entre 10 y 40 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener
R1 para que, suponiendo el MOSFET en saturación y K = 20 mA/V2 , I = 10 mA; 2) con
la R1 obtenida en el apartado anterior y suponiendo el MOSFET en saturación, determine los
valores entre los que puede variar I debido al rango posible de valores para K; 3) para el valor
de R1 calculado en el apartado 1), determine el máximo valor que puede tener R2 para que, para
107
cualquier valor posible para K, el MOSFET trabaje en saturación.

12 V
10 KΩ R2 I
10 KΩ R1
Solución: 1) Con el MOSFET en saturación, I = K(VGS − Vt )2 = K(VGS − 1)2 , y para que

con K = 20 mA/V2 , I = 10 mA, VGS deberá ser > 1 y satisfacer
10 = 20(VGS − 1)2 ,
de donde, usando VGS > 1,

10
VGS = 1 + = 1,71 .
20
Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la fuente de tensión de valor 12 V y las dos
resistencias de valor 10 KΩ forman un divisor de tensión, y la tensión de puerta, VG , vale
10
VG = 12 = 6 .
10 + 10
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS y VG , aplicamos la segunda ley de Kir-
choff a la malla formada por la resistencia inferior de valor 10 KΩ, el MOSFET y la resistencia
de valor R1 , obteniendo
VG = VGS + R1 I , (4.7)
6 = 1,71 + 10R1 ,
6 − 1,71
R1 = = 0,429 KΩ = 429 Ω .
10
2) Con el MOSFET en saturación y en función de K, la corriente I vale
I = K(VGS − 1)2 .
Teniendo en cuenta VGS ≥ 1, se obtiene

I
VGS = 1 + .
K
Por otro lado, usando (4.7) con VG = 6 y R1 = 0,429, se obtiene

I
6=1+ + 0,429I . (4.8)
K
Dicha relación pone de manifiesto que I es una función creciente de K para K > 0. Por
tanto, al variar K entre 10 mA/V2 y 40 mA/V2 , el valor mínimo de I, Imin , se obtiene para
K = 10 mA/V2 y el valor máximo, Imax , para K = 40 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax ,
expresemos I en función
√ de K usando (4.8). Podemos reescribir (4.8) en forma de ecuación de
segundo grado en I. Se obtiene
1 √
0,429I + √ I − 5 = 0.
K
La soluciones de dicha ecuación de segundo grado son
√
√ −1/ K ± 1/K + 8,58
I= .
0,858
√
De ellas, la única que da I > 0 es la correspondiente al signo +. Tenemos, por tanto,
√
√ 1/K + 8,58 − 1/ K
I=
0,858
e √ 2
1/K + 8,58 − 1/ K
I= ,
0,736
que da
√ 2
1/10 + 8,58 − 1/ 10
Imin = = 9,40 mA
0,736
e √ 2
1/40 + 8,58 − 1/ 40
Imax = = 10,5 mA .
0,736
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor
12 V, las resistencias de valores R1 y R2 y el MOSFET, obtenemos
12 = R2 I + VDS + R1 I ,
y, usando R1 = 0,429,
12 = VDS + 0,429I + R2 I ,
VDS = 12 − 0,429I − R2 I .
Por otro lado, de (4.7) con VG = 6 y R1 = 0,429,
VGS = VG − R1 I = 6 − 0,429I .
Imponiendo, entonces, VDS ≥ VGS − Vt = VGS − 1, se obtiene
12 − 0,429I − R2 I ≥ 5 − 0,429I ,
R2 I ≤ 7 ,
7
R2 ≤ .
I
109
La condición más estricta se obtiene para el valor máximo de I y, por tanto, R2 deberá verificar
7
R2 ≤ = 0,667 KΩ = 667 Ω .
10,5
Así pues, el valor máximo que deberá tener R2 para que, con el valor de R1 obtenido en el
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturación es 667 Ω.
Problema 58: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = −1 V y un parámetro K

que puede variar entre 10 y 40 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de
tener R1 para que, suponiendo el MOSFET en saturación y K = 20 mA/V2 , I = 10 mA; 2) con
12 V
R2 I
R1
Solución: 1) Con el MOSFET en saturación, I = K(VGS − Vt )2 = K(VGS + 1)2 , y para que

con K = 20 mA/V2 , I = 10 mA, VGS deberá ser > −1 y satisfacer
10 = 20(VGS + 1)2 ,
de donde, usando VGS > −1,

10
VGS = −1 + = −0,293 .
20
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por el MOSFET y la resistencia de valor R1 , obteniendo
0 = VGS + R1 I , (4.9)
0 = −0,293 + 10R1 ,
0, 293
R1 = = 0,0293 KΩ = 29,3 Ω .
10
I = K(VGS + 1)2 .
Teniendo en cuenta VGS ≥ −1, se obtiene

I
VGS = −1 + .
K
Por otro lado, usando (4.9) con R1 = 0,0293, se obtiene

I
0 = −1 + + 0,0293I ,
K

I
1= + 0,0293I . (4.10)
K
Dicha relación pone de manifiesto que I es una función creciente de K para K > 0. Por
tanto, al variar K entre 10 mA/V2 y 40 mA/V2 , el valor mínimo de I, Imin , se obtiene para
K = 10 mA/V2 y el valor máximo, Imax , para K = 40 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax ,
expresemos I en función
√ de K usando (4.10). Podemos reescribir (4.10) en forma de ecuación
de segundo grado en I. Se obtiene
1 √
0,0293I + √ I − 1 = 0.
K
√
√ −1/ K ± 1/K + 0,117
I= .
0,0586
√
√
√ 1/K + 0,117 − 1/ K
I=
0,0586
e √ 2
1/K + 0,117 − 1/ K
I= ,
0,00343
que da
√ 2
1/10 + 0,117 − 1/ 10
Imin = = 6,53 mA
0,00343
e √ 2
1/40 + 0,117 − 1/ 40
Imax = = 13,9 mA .
0,00343
12 = R2 I + VDS + R1 I ,
y, usando R1 = 0,0293,
12 = VDS + 0,0293I + R2 I ,
111
VDS = 12 − 0,0293I − R2 I .
Por otro lado, de (4.9) con R1 = 0,0293,
VGS = −R1 I = −0,0293I .
Imponiendo, entonces, VDS ≥ VGS − Vt = VGS + 1, se obtiene
12 − 0,0293I − R2 I ≥ 1 − 0,0293I ,
R2 I ≤ 11 ,
11
R2 ≤ .
I
11
R2 ≤ = 0,791 KΩ = 791 Ω .
13,9
Así pues, el valor máximo que deberá tener R2 para que, con el valor de R1 calculado en el
Problema 59: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = −1 V y un parámetro K que
12 V
4 KΩ R1
8 KΩ R2 I
Solución: 1) Con el MOSFET en saturación, I = K(VGS − Vt )2 = K(VGS + 1)2 , y para que

con K = 10 mA/V2 , I = 10 mA, VGS deberá ser < −1 y satisfacer
10 = 10(VGS + 1)2 ,
de donde, usando VGS < −1,

10
VGS = −1 − = −2 .
10
Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la fuente de tensión de valor 12 V, las re-
sistencia de valor 4 KΩ y la resistencia de valor 8 KΩ forman un divisor de tensión, y la tensión
de puerta vale
8
VG = 12 = 8 ,
4+8
que implica que la resistencia de valor 4 KΩ verá una tensión de valor 4 V. Para calcular el valor
necesario de R1 conociendo VGS y la tensión que ve la resistencia de valor 4 KΩ, aplicamos la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia de valor 4 KΩ, el MOSFET y la
resistencia de valor R1 , obteniendo
4 = R1 I − VGS , (4.11)
4 = 10R1 + 2 ,
4−2
R1 = = 0,200 KΩ = 200 Ω .
10
I = K(VGS + 1)2 .
Teniendo en cuenta VGS ≤ −1, se obtiene

I
VGS = −1 − .
K

I
4 = 0,200I + 1 + ,
K

I
3 = 0,200I + . (4.12)
K
Dicha relación pone de manifiesto que I es una función creciente de K para K > 0. Por tanto, al
variar K entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 , el valor mínimo de I, Imin , se obtiene para K = 5 mA/V2
y el valor máximo, Imax , para K = 20 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax , expresemos I en
función
√ de K usando (4.12). Podemos reescribir (4.12) en forma de ecuación de segundo grado
en I. Se obtiene
1 √
0,200I + √ I − 3 = 0.
K
√
√ −1/ K ± 1/K + 2,40
I= .
0,400
√
√
√ 1/K + 2,40 − 1/ K
I=
0,400
113
e √ 2
1/K + 2,40 − 1/ K
I= ,
0,160
que da
√ 2
1/5 + 2,40 − 1/ 5
Imin = = 8,49 mA
0,160
e √ 2
1/20 + 2,40 − 1/ 20
Imax = = 11,3 mA .
0,160
12 = R1 I − VDS + R2 I ,
y, usando R1 = 0,200,
12 = −VDS + 0,200I + R2 I ,
VDS = −12 + 0,200I + R2 I .
VGS = −4 + 0,200I .
Imponiendo, entonces, VDS ≤ VGS − Vt = VGS + 1, se obtiene
−12 + 0,200I + R2 I ≤ −3 + 0,200I ,
R2 I ≤ 9 ,
9
R2 ≤ .
I
9
R2 ≤ = 0,796 KΩ = 796 Ω .
11,3
Problema 60: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = 1 V y un parámetro K que
12 V
R1
R2 I
Solución: 1) Con el MOSFET en saturación, I = K(VGS − Vt )2 = K(VGS − 1)2 , y para que

con K = 10 mA/V2 , I = 5 mA, VGS deberá ser < 1 y satisfacer
5 = 10(VGS − 1)2 ,
de donde, usando VGS < 1,

5
VGS = 1 − = 0,293 .
10
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por el MOSFET y la resistencia de valor R1 , obteniendo
0 = −VGS + R1 I , (4.13)
0 = −0,293 + 5R1 ,
0, 293
R1 = = 0,0586 KΩ = 58,6 Ω .
5
I = K(VGS − 1)2 .
Teniendo en cuenta VGS ≤ 1, se obtiene

I
VGS = 1 − .
K

I
0 = −1 + + 0,0586I ,
K

I
1= + 0,0586I . (4.14)
K
Dicha relación pone de manifiesto que I es una función creciente de K para K > 0. Por tanto, al
variar K entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 , el valor mínimo de I, Imin , se obtiene para K = 5 mA/V2
115
y el valor máximo, Imax , para K = 20 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax , expresemos I en
función
√ de K usando (4.14). Podemos reescribir (4.14) en forma de ecuación de segundo grado
en I. Se obtiene
1 √
0,0586I + √ I − 1 = 0.
K
√
√ −1/ K ± 1/K + 0,234
I= .
0,117
√
√
√ 1/K + 0,234 − 1/ K
I=
0,117
e √ 2
1/K + 0,234 − 1/ K
I= ,
0,0137
que da
√ 2
1/5 + 0,234 − 1/ 5
Imin = = 3,27 mA
0,0137
e √ 2
1/20 + 0,234 − 1/ 20
Imax = = 6,98 mA .
0,0137
12 = R1 I − VDS + R2 I ,
y, usando R1 = 0,0586,
12 = −VDS + 0,0586I + R2 I ,
VDS = −12 + 0,0586I + R2 I .
VGS = R1 I = 0,0586I .
Imponiendo, entonces, VDS ≤ VGS − Vt = VGS − 1, se obtiene
−12 + 0,0586I + R2 I ≤ 0,0293I − 1 ,
R2 I ≤ 11 ,
11
R2 ≤ .
I
11
R2 ≤ = 1,58 KΩ .
6,98
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturación es 1,58 KΩ.
Problema 61: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la tensión Vo en función

de K1 /K2 . ¿Entre qué valores puede variar Vo ?
5V
Vt = 1 V
K = K2 mA/V2
Q2
Vo
Vt = 1 V
Q1 K = K1 mA/V2
Solución: Denotemos con los subíndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente,
Q1 y Q2. Dado que VDS1 = VGS1 > VGS1 − Vt = VGS1 − 1 y VDS2 = VGS2 > VGS2 − Vt =
VGS2 − 1, supuesto VGS1 ≥ 1 y VGS2 ≥ 1, los dos transistores trabajarán en la zona saturación.
Supongámoslo. Tenemos
ID1 = K1 (VGS1 − 1)2 ,
ID2 = K2 (VGS2 − 1)2 .
Por otro lado, por inspección ID1 = ID2 , obteniéndose, usando VGS1 ≥ 1 y VGS2 ≥ 1,
K1 (VGS1 − 1)2 = K2 (VGS2 − 1)2 ,

K1
VGS2 − 1 = (VGS1 − 1) ,
K2

K1
VGS2 = 1 + (VGS1 − 1) . (4.15)
K2
Utilizando (4.15) en VGS1 + VGS2 = 5, se obtiene

K1
VGS1 + 1 + (VGS1 − 1) = 5 ,
K2

K1 K1
1+ VGS1 = 4 + ,
K2 K2

K1
4+
K
VGS1 = 2 . (4.16)
K1
1+
K2
Obviamente, VGS1 ≥ 1, y utilizando (4.15), VGS2 ≥ 1. Así pues, los dos transistores trabajan en
la zona saturación y el análisis realizado es correcto. Dado que Vo = VGS1 , obtenemos

K1
4+
K
Vo = 2 .
K1
1+
K2
117

Tanto K1 /K2 como K1 /K2 toman valores en el intervalo (0, ∞). Por otro lado, la función
f (x) = (4 + x)/(1 + x) es decreciente con x en (0, ∞), como puede ser comprobado fácilmente
calculando df /dx,
df 3
=− < 0.
dx (1 + x)2
Así pues, Vo puede tomar valores en el intervalo (Vo,min , Vo,max ) con
4+x 4/x + 1
Vo,min = lı́m f (x) = lı́m = lı́m = 1,
x→∞ x→∞ 1 + x x→∞ 1/x + 1
Vo,max = f (0) = 4 .
Problema 62: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la tensión Vo en función

de K1 /K2 . ¿Entre qué valores puede variar Vo ?
5V
Vt = −1 V
K = K2 mA/V2
Q2
Vo
Vt = −1 V
Q1 K = K1 mA/V2
Solución: Denotaremos con los subíndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente,
Q1 y Q2. Dado que VDS1 = VGS1 < VGS1 − Vt = VGS1 + 1 y VDS2 = VGS2 < VGS2 −
Vt = VGS2 + 1, ninguno de los MOSFETs podrá trabajar en saturación. Es fácil ver que los dos
transistores trabajan en óhmica. Basta verificar VGS1 ≥ −1, VDS1 ≥ 0, VGS2 ≥ −1 y VDS2 ≥ 0.
En efecto, con los dos MOSFETs en óhmica, ambos serán equivalentes a resistencias de un cierto
valor, el circuito será equivalente a un divisor de tensión, y Vo adquirirá un valor comprendido
entre 0 y 5. Ello implica VDS1 ≥ 0 y VDS2 ≥ 0, y como VGS1 = VDS1 y VGS2 = VDS2 ,
VGS1 ≥ −1 y VGS2 ≥ −1.
La corriente de drenador en la zona óhmica de un MOSFET tiene la expresión ID = K[2(VGS −
Vt )VDS − VDS2 ]. Usando, entonces, V = −1, V
t GS1 = VDS1 y VGS2 = VDS2 , tendremos
ID1 = K1 [2(VDS1 + 1)VDS1 − VDS1

2 2
] = K1 [VDS1 + 2VDS1 ] = K1 VDS1 (VDS1 + 2) , (4.17)
y, de modo similar,
ID2 = K2 VDS2 (VDS2 + 2) . (4.18)
Dividiendo (4.17) y (4.18) y usando ID1 = ID2 , obtenemos
K1 VDS1 (VDS1 + 2)
1= ,
K2 VDS2 (VDS2 + 2)
K1
VDS2 (VDS2 + 2) = VDS1 (VDS1 + 2) .
K2
Con γ = K1 /K2 , se obtiene la ecuación de segundo grado en VDS2
2
VDS2 + 2VDS2 − γVDS1 (VDS1 + 2) = 0 ,
cuyas soluciones son

VDS2 = −1 ± 1 + γVDS1 (VDS1 + 2) .
Dado que VDS2 ≥ 0, tenemos

VDS2 = 1 + γVDS1 (VDS1 + 2) − 1 .
Combinándola con VDS1 + VDS2 = 5, obtenemos

VDS1 + 1 + γVDS1 (VDS1 + 2) − 1 = 5 ,

1 + γVDS1 (VDS1 + 2) = 6 − VDS1 ,
2
1 + γVDS1 (VDS1 + 2) = 36 + VDS1 − 12VDS1 ,
(1 − γ)VDS1
2
− (12 + 2γ)VDS1 + 35 = 0 .
Dado que Vo = VDS1 , tenemos
(1 − γ)Vo2 − (12 + 2γ)Vo + 35 = 0 . (4.19)
Para γ = 1, la ecuación queda reducida a
−14Vo + 35 = 0 ,
que tiene como solución Vo = 2,5. Ese valor podría también haber sido derivado por con-
sideraciones de simetría, pues para γ = 1 los dos transistores son iguales y necesariamente
VDS1 = VDS2 , que con VDS1 + VDS2 = 5 conduce a Vo = VDS1 = 2,5. Para γ > 0 y = 1,
(4.19) tiene las soluciones

6 + γ ± (6 + γ)2 − 35(1 − γ)
Vo = .
1−γ
Discutamos el signo que da la solución correcta. Para 0 < γ < 1, el denominador es > 0, el
radical de la raíz cuadrada es > 0 y el signo + conduce a una Vo que satisface
6+γ
Vo > > 6,
1−γ
que no es posible pues 0 ≤ VDS1 ≤ 5 y Vo = VDS1 . Así pues, para 0 < γ < 1, el signo que da
el valor correcto de Vo es el −. Para γ > 1, el denominador es < 0, el radical de la raíz cuadrada
es > 0, la raíz cuadrada es > que 6 + γ y el signo + conduce a una Vo < 0, que no es posible.
Así pues, también en ese caso el signo correcto es el −. En resumen, para γ = 1, Vo = 2,5 y,
para γ > 0, γ = 1,

6 + γ − (6 + γ)2 − 35(1 − γ) 6 + γ − 1 + 47γ + γ 2
Vo = = . (4.20)
1−γ 1−γ
Discutamos ahora entre qué valores varía Vo al variar K1 y K2 entre 0 y ∞, que hace variar γ
entre 0 y ∞. En primer lugar, las raíces de un polinomio son funciones continuas de los coe-
ficientes del polinomio y, por tanto, Vo es una función continua de γ en (0, ∞). Por otro lado,
usando (4.20), obtenemos
6−1
lı́m Vo = =5
γ→0 1
119
y
6/γ + 1 − 1/γ 2 + 47/γ + 1 1−1
lı́m Vo = lı́m = = 0.
γ→∞ γ→∞ 1/γ − 1 −1
Pero, siendo Vo = VDS1 , tenemos 0 ≤ Vo ≤ 5. Ello junto con los dos límites anteriores y la
continuidad de Vo como función de γ, implica que Vo variará entre 0 y 5, pudiéndose ajustar a
cualquier valor en (0, 5) tomando un valor apropiado para γ dentro del intervalo (0, ∞).
Problema 63: Analice el circuito de la figura y determine: 1) valor de la tensión VGS de Q1

y valor de la corriente I, 2) intervalo de valores de R para los cuales Q3 trabaja en la zona
saturación y valor de la corriente I en ese caso. El circuito de la figura se denomina espejo de
corriente. ¿Por qué?
5V 5V
Vt = 1 V
R K = K1 mA/V2
Q2
I I
Vt = 1 V Vt = 1 V
K = K2 mA/V2 Q3 Q1 K = K1 mA/V2
Solución: Denotaremos usando los subíndices 1, 2 y 3 los valores de las tensiones y de las
corrientes de, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
1) Por inspección, VDS 1 = VGS 1 y VDS 2 = VGS 2 . Supongamos que tanto Q1 como Q2 trabajan
en la zona saturación. Las condiciones a verificar son VGS 1 ≥ 1, VGS 2 ≥ 1, VDS 1 ≥ VGS 1 −Vt =
VGS 1 −1 y VDS 2 ≥ VGS 2 −Vt = VGS 2 −1. Las dos últimas quedan aseguradas por VDS 1 = VGS 1
y VDS 2 = VGS 2 . Así pues, las únicas condiciones a verificar son VGS 1 ≥ 1 y VGS 2 ≥ 1. Con Q1
y Q2 en saturación, tenemos
ID1 = K1 (VGS 1 − 1)2 ,
ID2 = K1 (VGS 2 − 1)2 .
Como ID1 = ID2 = I, VGS1 ≥ 1 y VGS2 ≥ 1, necesariamente VGS 1 = VGS 2 . Por otro lado,
VGS 1 + VGS 2 = 5. Así pues, VGS 1 = VGS 2 = 2,5, que es ≥ 1. Las zonas de trabajo supuestas
para Q1 y Q2 son, por tanto, correctas, VGS 1 = 2,5 V e
I = ID1 = K1 (2,5 − 1)2 = 2,25K1 mA .
2) Por inspección, obtenemos VGS 3 = VGS 1 = 2,5. Para que Q3 trabaje en la zona saturación,
se deberá cumplir VDS 3 ≥ VGS 3 − Vt = 2,5 − 1 = 1,5. En esa zona, la corriente I valdrá
I = ID3 = K2 (VGS 3 − 1)2 = K2 (2,5 − 1)2 = 2,25K2 mA .
resistencia de valor R y Q3, obtenemos
5 = RI + VDS 3 ,
VDS 3 = 5 − RI = 5 − 2,25K2 R ,
e, imponiendo VDS 3 ≥ 1,5, obtenemos
5 − 2,25K2 R ≥ 1,5 ,
5 − 1,5 1,56
R≤ = KΩ .
2,25K2 K2
El circuito se denomina espejo de corriente porque, cuando Q3 trabaja en la zona saturación,
I /I = K2 /K1 y la corriente I es una réplica de la corriente I independiente del valor de R con
un factor de escalado K2 /K1 . Dicho factor de escalado puede ser ajustado escogiendo valores
apropiados para K1 y K2 .
Problema 64: El parámetro K del MOSFET Q1 del espejo de corriente de la figura, K1 , puede
variar entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener
R1 para que, con K1 = 10 mA/V2 , I = 1 mA; 2) para el valor de R1 calculado en el apartado
anterior y suponiendo Q2 en saturación, determine los valores entre los que puede variar I debido
al rango de valores posibles para K1 ; 3) para el valor de R1 calculado en el apartado 1) y α = 20,
determine el máximo valor que puede tener R2 para que Q2 trabaje en saturación para todo valor
posible de K1 .
5V 5V
R2 R1 I
I
Vt = 1 V Vt = 1 V
K = αK1 Q2 Q1 K = K1
Solución: Denotaremos con los subíndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente,
Q1 y Q2.
1) Por inspección, VDS1 = VGS1 y VDS1 > VGS1 − Vt = VGS1 − 1. Ello implica que Q1 estará
en saturación con VGS1 > Vt = 1, pues VGS1 < Vt conduce a I = 0. La corriente I valdrá, por
tanto,
I = K1 (VGS1 − Vt )2 = 10(VGS1 − 1)2 ,
e, imponiendo I = 1, obtenemos, usando VGS1 > 1,
1 = 10(VGS1 − 1)2 ,

1
VGS1 = 1 + = 1,32 .
10
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor R1 y Q1, obteniendo
5 = R1 I + VGS1 , (4.21)
5 = R1 + 1,32 ,
R1 = 5 − 1,32 = 3,68 KΩ .
121
2) Determinemos, primero, el rango de valores posibles para I. El razonamiento del apartado

anterior que ha conducido a que Q1 trabaje en saturación y a que VGS1 > 1 es independiente
del valor de R1 , siempre y cuando I = 0. Pero I = 0 sólo es posible con Q1 en corte y, con
I = 0, tenemos VGS1 = 5 > Vt = 1, una contradicción. Por tanto, Q1 trabaja en saturación con
VGS1 > 1 para todo valor posible de K1 e
I = K1 (VGS1 − Vt )2 = K1 (VGS1 − 1)2 , (4.22)
que es > 0, y, teniendo en cuenta VGS1 > 1,

I
VGS1 = 1 + ,
K1
que, combinada con (4.21) da
I
5 = R1 I + 1 + ,
K1
y, con R1 = 3,68,
I
4= + 3,68I . (4.23)
K1
Dicha relación pone de manifiesto que I es una función creciente de K1 para K1 > 0. Por tanto,
al variar K1 entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 , I varía entre un valor mínimo, Imin , correspondiente a
K1 = 5 mA/V2 , y un valor máximo, Imax , correspondiente a K1 = 20 mA/V2 . Para determinar
Imin e Imax , expresemos I en función
√ de K1 usando (4.23). Podemos reescribir (4.23) en forma
de ecuación de segundo grado en I. Se obtiene
1 √
3,68I + √ I − 4 = 0.
K1
Las soluciones de dicha ecuación de segundo grado son
√
√ −1/ K1 ± 1/K1 + 58,9
I= .
7,36
√
√
√ 1/K1 + 58,9 − 1/ K1
I= ,
7,36
e √ 2
1/K1 + 58,9 − 1/ K1
I= ,
54,2
que da
√ 2
1/5 + 58,9 − 1/ 5
Imin = = 0,967 mA
54,2
e √ 2
1/20 + 58,9 − 1/ 20
Imax = = 1,025 mA .
54,2
Por otro lado, con Q2 en saturación y siendo VGS2 = VGS1 ,
I = K2 (VGS2 − Vt )2 = αK1 (VGS1 − 1)2 ,
que, combinada con (4.22), da

I = αI .
Por tanto, I variará entre un valor mínimo

Imin = 0,967α mA
y un valor máximo

Imax = 1,025α mA .
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V,
la resistencia de valor R2 y Q2, obtenemos, usando I = αI,
5 = R2 I + VDS2 = αR2 I + VDS2 ,
VDS2 = 5 − αR2 I .
Usando VGS2 = VGS1 , de (4.21), con R1 = 3,68, obtenemos
VGS2 = VGS1 = 5 − 3,68I ,
e, imponiendo VDS2 ≥ VGS2 − Vt = VGS2 − 1,
5 − αR2 I ≥ 4 − 3,68I ,
αR2 I ≤ 1 + 3,68I ,
1 + 3,68I 1 + 3,68I 1
R2 ≤ = = + 0,184 .
αI 20I 20I
La condición más estricta se obtiene para I = Imax y es
1
R2 ≤ + 0,184 = 0,233 KΩ = 233 Ω .
(20)(1,025)
Por tanto, para que con el valor de R1 calculado en el apartado 1), Q2 trabaje en saturación para
cualquier valor posible de K1 , R2 no deberá superar 233 Ω.
Problema 65: Analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor de la corriente I cuando el

interruptor está en ON; 2) determine el valor que ha de tener R1 para que, cuando el interruptor
está en OFF y suponiendo que el MOSFET trabaja en saturación, I = 10 mA; 3) para el valor de
123
R1 calculado en el apartado anterior y con el interruptor en OFF, determine el máximo valor que
puede tener R2 de modo que el MOSFET trabaje en saturación.
12 V
10 KΩ R2 I
Vt = 1 V
K = 5 mA/V2
10 KΩ R1
Solución: 1) Con el interruptor en ON, la tensión de puerta del MOSFET, VG , vale 0. Vamos a
ver que ello implica que el MOSFET estará en corte. Se ha de verificar VGS ≤ 1 y VDS ≥ 0.
Con el MOSFET en corte, I = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
el interruptor, el MOSFET y la resistencia de valor R1 se obtiene, usando VG = 0,
0 = VGS + R1 I = VGS ,
y VGS = 0 ≤ 1. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión
de valor 12 V, la resistencia de valor R2 , el MOSFET y la resistencia de valor R1 , se obtiene
12 = R2 I + VDS + R1 I = VDS ,
y VDS = 12 ≥ 0. Así pues, con el interruptor en ON, el MOSFET está en corte e I = 0.

2) Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por el interruptor es nula y que
la corriente por la puerta del MOSFET es también nula, resulta que la fuente de tensión de valor
12 V y las resistencias de valor 10 KΩ forman un divisor de tensión, y la tensión de puerta del
MOSFET, VG , valdrá
10
VG = 12 = 6 .
10 + 10
Con el MOSFET en saturación, la corriente I vale
I = K(VGS − Vt )2 .
Para que I = 10 mA, VGS deberá verificar
10 = 5(VGS − 1)2 ,
que, teniendo en cuenta que VGS deberá ser > 1, pues el MOSFET está en saturación e I > 0,
conduce a
10
VGS = 1 + = 2,41 .
5
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia inferior de valor
10 KΩ, el MOSFET y la resistencia de valor R1 , obtenemos
VG = VGS + R1 I ,
y, usando VG = 6, VGS = 2,41 e I = 10, R1 deberá verificar
6 = 2,41 + 10R1 ,
de donde R1 deberá valer

6 − 2,41
R1 = = 0,359 KΩ = 359 Ω .
10
3) Bastará calcular, para R1 = 359 Ω, VDS en función de R2 e imponer VDS ≥ VGS − Vt =

VGS − 1. Podemos usar VGS = 2,41 e I = 10. Para calcular VDS en función de R2 aplicamos la
de valor R2 , el MOSFET y la resistencia de valor R1 , obteniendo
12 = R2 I + VDS + R1 I .
Usando I = 10 y R1 = 359 Ω, obtenemos
12 = 10R2 + VDS + (0,359)(10) ,
VDS = 8,41 − 10R2 .

Finalmente, imponiendo VDS ≥ VGS − 1 = 2,41 − 1 = 1,41, obtenemos
8,41 − 10R1 ≥ 1,41 ,

8,41 − 1,41
R1 ≤ = 0,700 KΩ = 700 Ω .
10
Así pues, para que con el valor de R1 calculado en el apartado anterior y con el interruptor en
OFF, el MOSFET trabaje en saturación, el valor de R2 no deberá superar 700 Ω.
Problema 66: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la corriente I para vi = 0

y para vi = 5 V.
5V
I 10 Ω
10 KΩ
Q2
Vt = 1 V
Q1 K = 100 mA/V2
Vt = 1 V
K = 0,2 mA/V2
vi +
−
Solución: Denotaremos con los subíndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parámetros K de,
respectivamente, Q1 y Q2.
Para vi = 0, VGS1 = 0 < Vt = 1 y Q1 está en corte. Sólo hay que verificar VDS1 ≥ 0. Pero
VDS1 = 5 − 10ID1 = 5. Dado que VGS2 = VDS1 = 5 > 1, Q2 no estará en corte. Supongamos
125
que trabaja en la zona óhmica. Se ha de verificar VDS2 ≥ 0 y VDS2 ≤ VGS2 − Vt = 5 − 1 = 4.

Tenemos
ID2 = K2 [2(VGS2 − Vt )VDS2 − VDS2

2
] = 100[(2)(5 − 1)VDS2 − VDS2
2
]
= 800VDS2 − 100VDS2
2
. (4.24)
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 Ω y Q2, obtenemos
5 = 0,01ID2 + VDS2 . (4.25)
Combinando (4.24) y (4.25) obtenemos la ecuación de segundo grado en VDS2
5 = 8VDS2 − VDS2
2
+ VDS2 ,
2
VDS2 − 9VDS2 + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS2 = 8,41 y VDS2 = 0,595. La solución VDS2 = 0,595 verifica VDS2 ≥
0 y VDS2 ≤ 4. Así pues, el transistor Q2 trabaja en la zona óhmica y VDS2 = 0,595. Usando
(4.24) obtenemos
I = ID2 = (800)(0,595) − (100)(0,595)2 = 441 mA .
Para vi = 5 V, VGS1 = 5 > Vt = 1 y Q1 no estará en corte. Supongamos que trabaja en la zona

óhmica. Se ha de verificar VDS1 ≥ 0 y VDS1 ≤ VGS1 − Vt = 5 − 1 = 4. Tenemos

2
] = 0,2[(2)(5 − 1)VDS1 − VDS1
2
]
= 1,6VDS1 − 0,2VDS1
2
. (4.26)
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 KΩ y Q1, obtenemos
5 = 10ID1 + VDS1 . (4.27)
Combinando (4.26) y (4.27) obtenemos la ecuación de segundo grado en VDS1
5 = 16VDS1 − 2VDS1
2
+ VDS1 ,
2
VDS1 − 8,5VDS1 + 2,5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS1 = 8,20 y VDS1 = 0,305. La solución VDS1 = 0,305 verifica VDS1 ≥
0 y VDS1 ≤ 4. Así pues, el transistor Q2 trabaja en la zona óhmica y VDS1 = 0,305 V. Dado
que VGS2 = VDS1 = 0,305 < Vt = 1, el transistor Q2 trabajará en la zona corte. Sólo hay que
verificar VDS2 ≥ 0. Pero, con Q2 en corte, I = 0 y VDS2 = 5 − 0,01I = 5. La corriente I valdrá,
por tanto, I = 0.
Problema 67: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la corriente I para vi = 0

y para vi = 5 V.
5V
Vt = −1 V
K = 0,1 mA/V2
Q1 Vt = −1 V
Q2 K = 50 mA/V2
+
vi −
50 KΩ 30 Ω I
Solución: Denotaremos con los subíndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parámetros K de,
respectivamente, Q1 y Q2.
Para vi = 0, VGS1 = −5 < Vt = −1 y Q1 no estará en corte. Supongamos que está en la zona
óhmica. Se ha de verificar VDS1 ≤ 0 y VDS1 ≥ VGS1 − Vt = −5 + 1 = −4. Con Q1 en la zona
óhmica,

2
] = 0,1[(2)(−5 + 1)VDS1 − VDS1
2
]
= −0,8VDS1 − 0,1VDS1
2
. (4.28)
de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 KΩ, obtenemos
5 = −VDS1 + 50ID1 ,
que, combinada con (4.28), conduce a la ecuación de segundo grado en VDS1
5 = −VDS1 − 40VDS1 − 5VDS1

2
,
2
5VDS1 + 41VDS1 + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS1 = −8,08 y VDS1 = −0,124. La solución VDS1 = −0,124 verifica
VDS1 ≤ 0 y VDS1 ≥ −4. Así pues, con vi = 0, Q1 está en la zona óhmica y VDS1 = −0,124.
Por inspección, VGS2 = VDS1 y VGS2 = −0,124 > Vt = −1, implicando que Q2 estará en corte,
debiéndose únicamente verificar VDS2 ≤ 0. Con Q2 en corte, I = 0 y, aplicando la segunda ley
de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, Q2 y la resistencia de valor
30 Ω, obtenemos
5 = −VDS2 + 0,0300I = −VDS2 ,
VDS2 = −5 ,
que es ≤ 0. Así pues, con vi = 0, Q2 está en corte e I = 0.
Para vi = 5, VGS1 = 0 > Vt = −1, implicando que Q1 estará en corte, debiéndose únicamente
verificar VDS1 ≤ 0. Con Q1 en corte, ID1 = 0 y, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 KΩ, obtenemos
5 = −VDS1 + 50ID1 = −VDS1 ,

127
VDS1 = −5 ,
que es ≤ 0. Así pues, para vi = 5, Q1 está en corte y VDS1 = −5. Por inspección, VGS2 =
VDS1 = −5 y VGS2 < Vt = −1, implicando que Q2 no estará en corte. Supongamos que está en
la zona óhmica. Se ha de verificar VDS2 ≤ 0 y VDS2 ≥ VGS2 − Vt = −5 + 1 = −4. Con Q2 en
óhmica, la corriente I vale
I = K2 [2(VGS2 − Vt )VDS2 − VDS2

2
] = 50[(2)(−5 + 1)VDS2 − VDS2
2
]
= −400VDS2 − 50VDS2
2
. (4.29)
de valor 5 V, Q2 y la resistencia de valor 30 Ω, obtenemos
5 = −VDS2 + 0,0300I ,
que, combinada con (4.29), conduce a la ecuación de segundo grado en VDS2
5 = −VDS2 − 12VDS2 − 1,5VDS2

2
,
2
1,5VDS2 + 13VDS2 + 5 = 0 ,
cuyas soluciones con VDS2 = −8,26 y VDS2 = −0,403. La solución VDS2 = −0,403 verifica
VDS2 ≤ 0 y VDS2 ≥ −4. Así pues, para vi = 5, Q2 está en la zona óhmica y VDS2 = −0,403.
La corriente I puede ser calculada utilizando (4.29):
I = −(400)(−0,403) − (50)(−0,403)2 = 153 mA .
Problema 68: En el circuito de la figura, vi varía entre 0 y 5 V. 1) Determine la condición que ha

de verificar K2 /K1 para que Q2 trabaje en saturación para algún valor vi < 5. 2) Suponiendo que
se cumple la condición anterior, determine la función de transferencia vo = F (vi ). 3) Determine
la condición que ha de verificar K2 /K1 para que con vi = 5, vo ≤ 0,2. El circuito es un inversor
NMOS, una tecnología digital que gozó de cierta popularidad en los años 80. Justifique dicha
denominación.
5V
Q2 Vt = −1 V
K = K2 mA/V2
vo
Vt = 1 V
vi
Q1 K = K1 mA/V2
Solución: Denotaremos con los subíndices 1 y 2 las tensiones, las corrientes y los parámetros
Vt de, respectivamente, Q1 y Q2.
1) Por inspección, teniendo en cuenta que las corrientes por las puertas de los dos transistores
son nulas, tenemos ID1 = ID2 . Además, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada
por la fuente de tensión de valor 5 V, Q1 y Q2, obtenemos VDS1 + VDS2 = 5. Por inspección,
VGS2 = 0 > Vt2 = −1. La dependencia de ID2 con respecto a VDS2 es, pues, independiente de
vi . Para VDS2 ≥ VGS2 − Vt2 = 0 + 1 = 1, Q2 está en saturación e
ID2 = K2 (VGS2 − Vt2 )2 = K2 (0 + 1)2 = K2 .
Para 0 ≤ VDS2 < 1, Q2 está en óhmica. Todo ello permite determinar los puntos de trabajo de
Q1 y Q2 en función de vi usando la siguiente gráfica, en la que la característica ID2 = f2 (VDS2 )
se dibuja de derecha a izquierda a partir del punto (5, 0), y en la que los puntos de trabajo de Q1 y
Q2 se encuentran en la intersección de la característica ID1 = f1 (VDS1 ), que depende de vi , y la
característica ID2 = f2 (VDS2 ). La gráfica pone de manifiesto que el valor de ID1 en saturación
es
ID1 = K1 (VGS1 − Vt1 )2 = K1 (vi − 1)2 .
La gráfica representa y da la ecuación de la curva que separa la zona óhmica de la zona saturación
de Q1.
2
K1 VDS1
ID1
K1 (vi − 1)2
ID2
K2
VDS2 4 5 VDS1
Está, pues, claro que Q2 trabaja en saturación para algún valor vi < 5 si para vi = 5, K1 (vi −
1)2 > K2 . Ello conduce a la condición
K1 (5 − 1)2 > K2 ,
16K1 > K2 ,
K2
< 16 .
K1
2) Para 0 ≤ vi ≤ 1, la característica de Q1 es ID1 = 0, Q1 está en corte, Q2 en óhmica y
vo = VDS1 = 5. Al aumentar vi por encima de 1, aparece primero un intervalo (1, Vu ), donde
Vu es el valor de vi para el que K1 (vi − 1)2 = K2 , en el que Q1 trabaja en saturación y Q2 en
óhmica. El valor de Vu se obtiene usando
K1 (Vu − 1)2 = K2 ,
y es, teniendo en cuenta Vu > 1,

K2
Vu = 1 + .
K1
Para vi = Vu los dos transitores trabajan en saturación y vo = VDS1 toma un valor indefinido en
el intervalo [Va , 4], donde Va puede ser obtenida usando la ecuación de la frontera entre óhmica
y saturación de Q1:
K2 = K1 Va2 ,
129

K2
Va = .
K1
Observemos que, con K2 /K1 < 16, Va < 4, y el intervalo para vo no es vacío. Para Va < vi ≤ 5,
Q1 trabaja en óhmica y Q2 en saturación. Llamando Vb al valor de vo para vi = 5, la función de
transferencia tiene el siguiente aspecto:
vo
5
Va
Vb
1 Vu 5 vi
Falta determinar vo = F (vi ) para los tramos 1 < vi < Vu y Vu < vi ≤ 5. También determinare-
mos Vb , que junto con Vu y Va define los trazos más relevantes de la función de transferencia.
En el tramo 1 < vi < Vu , Q1 trabaja en saturación y Q2 en óhmica. Tenemos, por tanto,
ID1 = K1 (vi − 1)2 ,
ID2 = K2 [2(VGS2 − Vt2 )VDS2 − VDS2

2
] = K2 [(2)(0 + 1)VDS2 − VDS2
2
]
= 2K2 VDS2 − K2 VDS2
2
,
e, imponiendo ID1 = ID2 , obtenemos la ecuación de segundo grado en VDS2
K1 (vi − 1)2 = 2K2 VDS2 − K2 VDS2

2
,
2
K2 VDS2 − 2K2 VDS2 + K1 (vi − 1)2 = 0 ,
que tiene las soluciones

VDS2 = 1 ± 1 − K1 /K2 (vi − 1)2 .
De acuerdo con la gráfica del apartado anterior, sabemos que 0 ≤ VDS2 ≤ 1. La única solución
que cumple dicha condición es la correspondiente al signo −. Por tanto,

VDS2 = 1 − 1 − K1 /K2 (vi − 1)2 .
Finalmente, vo puede ser determinada usando vo = VDS1 = 5 − VDS2 , resultando

vo = 4 + 1 − K1 /K2 (vi − 1)2 .
En el tramo Vu < vi ≤ 5, Q1 trabaja en óhmica y Q2 en saturación. Tenemos, por tanto
ID1 = K1 [2(VGS1 − Vt1 )VDS1 − VDS1

2
] = K1 [2(vi − 1)VDS1 − VDS1
2
]
= 2K1 (vi − 1)VDS1 − K1 VDS1
2
,
ID2 = K2 ,
e, imponiendo ID1 = ID2 , obtenemos la ecuación de segundo grado en VDS1
2K1 (vi − 1)VDS1 − K1 VDS1

2
= K2 ,
2
K1 VDS1 − 2K1 (vi − 1)VDS1 + K2 = 0 ,

VDS1 = vi − 1 ± (vi − 1)2 − K2 /K1 .
Tenemos que discutir el signo de la solución correcta. El signo + conduciría a dvo /dvi =
dVDS1 /dvi > 0, que, de acuerdo con la gráfica del apartado anterior, es incorrecto. Por tan-
to, el signo que da la solución correcta es el − y, teniendo en cuenta vo = VDS1 , obtenemos

vo = vi − 1 (vi − 1)2 − K2 /K1 .
Finalmente, Vb es el valor de la expresión anterior para vo para vi = 5, y

Vb = 4 − 16 − K2 /K1 .
3) Utilizando la expresión obtenida para Vb , obtenemos

4− 16 − K2 /K1 ≤ 0,2 ,

16 − K2 /K1 ≥ 3,8 ,
que, junto con K2 /K1 < 16, da
K2
16 − ≥ 3,82 = 14,44 ,
K1
K2
≤ 16 − 14,44 = 1,56 .
K1
vo vale 5 para vi próximo a 0 y, con un valor apropriado de K2 /K1 (por ejemplo, K2 /K1 ≤ 1,56)
vo tiene un valor próximo a 0 para vi próximo a 5. El circuito es por tanto un “inversor”. Además,
el circuito usa solamente MOSFETs de canal n. Ello justifica la denominación “inversor NMOS”.
Problema 69: Con Vt = 1 V, K = 1 mA/V2 y R = 10 KΩ, determine la función de transferen-

cia vo = F (vi ), 0 ≤ vi ≤ 5 V del circuito de la figura para: 1) vc = 0, 2) vc = 5 V. Suponga,
a continuación, Vt < 5 V y, para vc = 5 V, 3) obtenga vo = F (vi ), 0 ≤ vi ≤ 5 V, 4) demuestre
131
que dvo /dR es > 0 para todo vi , 0 < vi ≤ 5 V, 5) obtenga vo = F (vi ), 0 ≤ vi ≤ 5 V para
R → ∞.
vc
Vt , K
vi vo
R
Solución: 1) Para vc = 0, el transistor trabaja en la zona corte, ID = 0 y vo = 10ID = 0.

Comprobémoslo. Las condiciones a verificar son VGS ≤ 1 y VDS ≥ 0. Tenemos VGS = vc −vo =
0, que es ≤ 1. Tenemos VDS = vi − vo = vi , que, para 0 ≤ vi ≤ 5, es ≥ 0.
2) Con vc = 5 V, el transistor no puede trabajar en al zona corte, pues en ese caso VGS valdría
vc − vo = vc − RID = 5 − 0 = 5, que es > 1, una contradicción. Supongamos que el transistor
trabaja en la zona óhmica. Las condiciones a verificar son VGS ≥ 1 y 0 ≤ VDS ≤ VGS −
Vt = VGS − 1. La condición VDS ≥ 0 es fácil de verificar. En la zona óhmica, el transistor es
equivalente a una resistencia RDS entre el drenador y la fuente de valor dependiente de VGS y
VDS , y VDS = vi − vo = vi − (R/(RDS + R))vi ≥ 0. Siendo VGS = 5 − vo y VDS = vi − vo , la
condición VDS ≤ VGS − 1 se traduce en vi − vo ≤ 4 − vo , vi ≤ 4. Ésta última condición asegura
VGS ≥ 1, pues vo = (R/(RDS + R))vi ≤ vi y VGS = 5 − vo ≥ 5 − vi ≥ 1. Así pues, para
0 ≤ vi ≤ 4, el transistor trabajará en la zona óhmica. Al hacerse vi > 4, el transistor pasará a
trabajar en la zona saturación, la corriente ID no variará y vo mantendrá el valor correspondiente
a vi = 4. En efecto, la condición VGS ≥ 1 queda asegurada por el hecho de que vo mantenga su
valor y la condición VDS > VGS − 1 queda asegurada por la condición vi > 4.
Para determinar la función de transferencia v0 = F (vi ), 0 ≤ vi ≤ 5 bastará analizar el circuito
para 0 ≤ vi ≤ 4, sabiendo que el transistor trabaja en la zona óhmica. La corriente ID valdrá

ID = K 2(VGS − Vt )VDS − VDS 2
= 2(VGS − 1)VDS − VDS 2
.
Con VGS = 5 − vo y VDS = vi − vo , se obtiene
ID = 2(4 − vo )(vi − vo ) − (vi − vo )2 = vo2 − 8vo + 8vi − vi2 .
Por otro lado, vo = 10ID , obteniéndose la ecuación de segundo grado en vo
vo = 10(vo2 − 8vo + 8vi − vi2 ) ,
vo2 − 8,1vo + 8vi − vi2 = 0 ,

vo = 4,05 ± (vi2 − 8vi + 16,4025)1/2 .
Discutamos el signo. Para vi = 0, el signo + da vo = 8,1 y el signo − da vo = 0. Dado que
vo = (R/(RDS + R))vi , para vi = 0, vo deberá valer 0, y el signo correcto para vi = 0 es
el −. El discriminante de la ecuación vi2 − 8vi + 16,4025 = 0 es < 0 y dicha ecuación no
tiene soluciones reales. Siendo positivo el coeficiente de vi2 en vi2 − 8vi + 16,4025, se tendrá
vi2 − 8vi + 16,4025 > 0 para toda vi . Ello implica que el signo − se ha de mantener para toda vi ,
0 ≤ vi ≤ 4, pues, de lo contrario, la función de transferencia no sería continua. Así pues, para

0 ≤ vi ≤ 4,
vo = 4,05 − (vi2 − 8vi + 16,4025)1/2 .
Con vi = 4, se obtiene vo = 3,42 y, para 4 < vi ≤ 5, vo = 3,42.
3) Una generalización de los razonamientos realizados en b) lleva a las conclusiones de que, para
0 ≤ vi ≤ 5 − Vt , el transistor trabajará en la zona óhmica y de que, al hacerse vi > 5 − Vt ,
el transistor pasará a trabajar a la zona saturación y vo mantendrá el valor correspondiente a
vi = 5 − Vt .
Para determinar la función de transferencia vo = F (vi ), 0 ≤ vi ≤ 5 bastará analizar el circuito
para 0 ≤ vi ≤ 5 − Vt , sabiendo que el transistor trabaja en la zona óhmica. Teniendo en cuenta
que VGS = 5 − vo y VDS = vi − vo , la corriente ID valdrá

ID = K 2(VGS − Vt )VDS − VDS 2
= 2K(5 − Vt − vo )(vi − vo ) − K(vi − vo )2
= Kvo2 − 2K(5 − Vt )vo + 2K(5 − Vt )vi − Kvi2 .
Usando vo = RID se obtiene la ecuación de segundo grado en vo

vo = R Kvo2 − 2K(5 − Vt )vo + 2K(5 − Vt )vi − Kvi2 ,

1
vo − 2(5 − Vt ) +
2
vo + 2(5 − Vt )vi − vi2 = 0 .
KR
Las soluciones de dicha ecuación son
2 1/2
1 1
vo = 5 − Vt + ± vi − 2(5 − Vt )vi + 5 − Vt +
2
.
2KR 2KR
Como en b), hay que discutir el signo. Para vi = 0, el signo + da vo = 2(5 − Vt ) + 1/(KR) y el
signo − da vo = 0. Como vo ha de ser 0, el signo correcto para vi = 0 es el −. El discriminante
de la ecuación vi2 − 2(5 − Vt )vi + [5 − Vt + 1/(2KR)]2 = 0 vale
2
1
4(5 − Vt ) − 4 5 − Vt +
2
< 0.
2KR
Así pues, la ecuación vi2 − 2(5 − Vt )vi + [5 − Vt + 1/(2KR)]2 = 0 no tiene soluciones reales
y, siendo positivo el coeficiente de vi2 en vi2 − 2(5 − Vt )vi + [5 − Vt + 1/(2KR)]2 , se tendrá
vi2 − 2(5 − Vt )vi + [5 − Vt + 1/(2KR)]2 > 0 para toda vi . Ello implica que el signo − se ha
de mantener para 0 ≤ vi ≤ 5 − Vt , pues, de lo contrario, la función de transferencia no sería
continua. Así pues, para 0 ≤ vi ≤ 5 − Vt ,
2 1/2
1 1
vo = 5 − Vt + − vi2 − 2(5 − Vt )vi + 5 − Vt + . (4.30)
2KR 2KR
El valor de vo para 5 − Vt < vi ≤ 5 se obtiene evaluando (4.30) para vi = 5 − Vt y es

2 1/2
1 1
vo = 5 − Vt + − 5 − Vt + − (5 − Vt )2 .
2KR 2KR
133
4) Basta demostrar el resultado para 0 ≤ vi ≤ 5 − Vt . Calculando dvo /dR usando (4.30), se

obtiene
2 1/2
1 1
5 − Vt + − vi2 − 2(5 − Vt )vi + 5 − Vt +
dvo 1 2KR 2KR
=
2 1/2 .
dR 2KR2
1
vi2 − 2(5 − Vt )vi + 5 − Vt +
2KR
Dado que, como se ha visto en c), vi2 − 2(5 − Vt )vi + [5 − Vt + 1/(2KR)]2 es > 0, basta verificar
que
2 1/2
1 1
5 − Vt + > vi2 − 2(5 − Vt )vi + 5 − Vt + .
2KR 2KR
Pero vi2 − 2(5 − Vt )vi = vi [vi − 2(5 − Vt )], que, para 0 < vi ≤ 5 − Vt , es < 0.
5) Calculando el límite para R → ∞ de (4.30) se obtiene, para 0 ≤ vi ≤ 5 − Vt ,
1/2
lı́m vo = 5 − Vt − vi2 − 2(5 − Vt )vi + (5 − Vt )2
R→∞
1/2
= 5 − Vt − (vi − (5 − Vt ))2
= 5 − Vt − [(5 − Vt ) − vi ] = vi .
La función de transferencia límite para 5 − Vt < vi ≤ 5 se obtiene evaluando el límite anterior

en vi = 5 − Vt , con el resultado lı́mR→∞ Vo = 5 − Vt , 5 − Vt < vi ≤ 5.
Problema 70: Los MOSFETs del circuito de la figura son idénticos y tienen una Vt = −1 V.
Analice el circuito y demuestre que para −1 ≤ vi ≤ 3, vo = (vi + 5)/2. Sugerencia: suponga
que los dos MOSFETs trabajan en saturación y determine los valores de vi para los que eso es
cierto y la relación que hay entre vo y vi .
5V
Q2
vo
vi
Q1
Solución: Sea K el parámetro de escala de corriente de los dos MOSFETs y denotemos con
los subíndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Supongamos Q1
y Q2 en saturación. Dado que, por inspección, VGS2 = VDS2 , tenemos VDS2 < VGS2 − Vt =
VGS2 +1, por lo que para determinar los valores de vi para los cuales Q1 y Q2 están en saturación
bastará imponer VGS1 ≤ −1, VDS1 ≤ VGS1 − Vt = VGS1 + 1 y VGS2 ≤ −1. Por inspección,
VGS1 = vi − vo y VGS2 = vo − 5. Con Q1 y Q2 en saturación, tenemos
ID1 = K(VGS1 − Vt )2 = K(vi − vo + 1)2

e
ID2 = K(VGS2 − Vt )2 = K(vo − 4)2 .
Imponiendo ID1 = ID2 , obtenemos
K(vi − vo + 1)2 = K(vo − 4)2 ,

2
vi − vo + 1
= 1,
vo − 4
vi − vo + 1
= ±1 .
vo − 4
Consideremos primero el signo +. Se tiene
vi − vo + 1 = vo − 4 ,
vi + 5
vo = .
2
Imponiendo VGS1 ≤ −1, se obtiene
vi − vo ≤ −1 ,
vi + 5
vi − ≤ −1 ,
2
vi 5
− ≤ −1 ,
2 2
vi ≤ 3 .
Imponiendo VDS1 ≤ VGS1 + 1, se obtiene, teniendo en cuenta VDS1 = −vo ,
−vo ≤ vi − vo + 1 ,
vi ≥ −1 .
Por último, imponiendo VGS2 ≤ −1, se obtiene
vo − 5 ≤ −1 ,
vi + 5
− 5 ≤ −1 ,
2
vi 5
− ≤ −1 ,
2 2
vi ≤ 3 .
Así pues, para −1 ≤ vi ≤ 3, los dos MOSFETs están en saturación y vo = (vi + 5)/2. No es
necesario discutir el signo −, pues dicho signo no puede resolver el circuito para −1 ≤ vi ≤ 3.
Capítulo 5
Problemas de análisis de amplificadores

de pequeña señal
Problema 71: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensión A = vo /vi para
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que la β del BJT vale β = 200 y que las resisten-
cias del circuito valen RS = 10 KΩ, R1 = 10 KΩ, RC = 500 Ω, RE = 1 KΩ y RL = 1 KΩ. Para
el BJT use el modelo lineal a tramos con parámetros β, VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V. Use VT = 26 mV.
5V
RC
R1
RS C1 vo
C3
+
vi R1 C2 RL
RE
−
Solución: Empezaremos realizando el análisis de polarización. Ello permitirá verificar que el

BJT está en estado activo y permitirá calcular la componente de polarización de la corriente de
colector, IC , que es necesaria para determinar el valor del parámetro rπ del modelo de pequeña
señal del BJT. El circuito de polarización es
5V
500 Ω
10 KΩ
10 KΩ
1 KΩ
136 5 Problemas de análisis de amplificadores de pequeña señal
Determinemos el equivalente de Thévenin del dipolo formado por la fuente de tensión de valor
5 V y las dos resistencias de valor 10 KΩ que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se
obtiene
10
Vth = 5 = 2,5 V ,
10 + 10
10
Rth = 10 10 = = 5 KΩ .
2
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thévenin, obtenemos el circuito
5V
IC 500 Ω
5 KΩ
2,5 V
1 KΩ
Comprobemos que el BJT está en estado activo y calculemos IC . Con el BJT en estado activo,
5 KΩ B C 500 Ω
5V
2,5 V IB 0,7 V 200 IB IC
201 IB 1 KΩ
Hemos de verificar IB ≥ 0 y VCE ≥ 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensión de valor 2,5 V, la resistencia de valor 5 KΩ, la fuente
de tensión de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 KΩ, obteniendo
2,5 = 5 IB + 0,7 + (1)(201 IB ) ,
1,8 = 206IB ,
1,8
IB = = 0,00874 ,
206
formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 500 Ω, la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 KΩ, obteniendo
5 = (0,5)(200 IB ) + VCE + (1)(201 IB ) ,
5 = VCE + 301IB ,
137
VCE = 5 − 301 IB = 5 − (301)(0,00874) = 2,37 ,

que es ≥ 0,2. Así pues, en el circuito de polarización, el BJT está en estado activo. La componente
de polarización de la corriente de colector vale
IC = 200 IB = (200)(0,00874) = 1,75 mA ,
y el parámetro rπ del modelo de pequeña señal del BJT vale
βVT (200)(0,026)
rπ = = = 2,97 KΩ .
IC 1,75
El condensador de capacidad C3 hace que la tensión en la salida del circuito vo tenga sólo com-
ponente de pequeña señal. La ganancia A = vo /vi puede ser, pues, determinada haciendo el
análisis de pequeña señal. Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden
ser sustituidos por cortocircuitos en el circuito de pequeña señal y éste es
RS ib B C
vo
+
vi R1 R1 rπ βib RC RL
− E
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R1 , por un lado, y RC

y RL , por otro, obtenemos
R1 10
R1 R1 = = = 5 KΩ
2 2
y
RC RL (0,5)(1)
RC RL = = = 0,333 KΩ ,
RC + RL 0,5 + 1
y utilizándolos obtenemos el circuito de pequeña señal
i2 10 KΩ ib B C
vo
+
vi 5 KΩ i1 2,97 KΩ 200 ib 0,333 KΩ
−
E
Para determinar la ganancia A = vo /vi , calculemos vi y vo en función de ib . Obtenemos
vb = 2,97 ib ,
vb 2,97 ib
i1 = = = 0,594 ib ,
5 5
i2 = i1 + ib = 0,594 ib + ib = 1,59 ib ,
vi = 10 i2 + vb = (10)(1,59 ib ) + 2,97 ib = 18,9 ib , (5.1)
vo = −(0,333)(200 ib ) = −66,6 ib . (5.2)
vo −66,6 ib
A= = = −3,52 .
vi 18,9 ib
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que la β del BJT vale β = 200 y que las resisten-
cias del circuito valen RS = 10 KΩ, R1 = 50 KΩ, RC = 1 KΩ, RE = 2 KΩ y RL = 10 KΩ.
Para el BJT use el modelo lineal a tramos con parámetros β, VEB ,u = VEB ,act = VEB ,sat = 0,7 V
y VEC ,sat = 0,2 V. Use VT = 26 mV.
5V
R1 RE C2
RS C1
C3
+ vo
vi R1 RC RL
−
Solución: Empezaremos realizando el análisis de polarización, comprobando qoe el BJT está

en estado activo y calculando la componente de polarización de la corriente de colector, IC , y el
parámetro rπ del modelo de pequeña señal del MOSFET. El circuito de polarización es
5V
50 KΩ 2 KΩ
50 KΩ 1 KΩ
5 V y las dos resistencias de valor 50 KΩ que tiene como salidas la base del BJT y masa.
50 + 50
Vth = 5 = 2,5 V ,
50
50
Rth = 50 50 = = 25 KΩ .
2
139

5V
2 KΩ
25 KΩ
IC
2,5 V
1 KΩ
Comprobemos que el BJT está en estado activo y calculemos IC . Con el BJT en estado activo,
5V
2 KΩ 201IB
0,7 V 200IB
25 KΩ IB
IC C
B
2,5 V
1 KΩ
Hemos de verificar IB ≥ 0 y VEC ≥ 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 2 KΩ, la fuente
de tensión de valor 0,7 V, la resistencia de valor 25 KΩ y la fuente de tensión de valor 2,5 V,
obteniendo
5 = (2)(201IB ) + 0,7 + 25IB + 2,5 ,
1,8 = 427IB ,
1,8
IB = = 0,00422 ,
427
que es ≥ 0. Para calcular VEC cononociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 5 V, la resistencia de valor 2 KΩ, la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 KΩ, obteniendo
5 = (2)(201IB ) + VEC + (1)(200IB ) ,
5 = VEC + 602IB ,
VEC = 5 − 602IB = 5 − (602)(0,00422) = 2,46 ,
que es ≥ 0,2. Así pues, en el circuito de polarización el BJT está en estado activo, la componente
de polarización de la corriente de colector vale
IC = 200IB = (200)(0,00422) = 0,844 mA ,
y el parámetro rπ del circuito de pequeña señal del BJT vale
βVT (200)(0,026)
rπ = = = 6,16 KΩ .
IC 0,844
RS ib B C
vo
+
vi R1 R1 rπ βib RC RL
− E
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R1 , por un lado, y RC

R1 50
R1 R1 = = = 25 KΩ
2 2
y
RC RL (1)(10)
RC RL = = = 0,909 KΩ ,
RC + RL 1 + 10
i2 10 KΩ ib B C
vo
+
vi 25 KΩ i1 6,16 KΩ 200 ib 0,909 KΩ
−
E
Para determinar la ganancia A = vo /vi , calculemos vi y vo en función de ib . Obtenemos
vb = −6,16 ib ,
vb 6,16 ib
i1 = =− = −0,246 ib ,
25 25
i2 = i1 − ib = −0,246 ib − ib = −1,246 ib ,
vi = 10 i2 + vb = −(10)(1,246 ib ) − 6,16 ib = −18,6 ib , (5.3)
vo = (0,909)(200 ib ) = 182 ib . (5.4)

vo 182 ib
A= = = −9,78 .
vi −18,6 ib
141
Problema 73: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensión A = vo /vi

para frecuencias suficientemente grandes sabiendo que la β del BJT vale β = 100 y que las
resistencias del circuito valen RS = 100 KΩ, R1 = 1 MΩ, RE = 10 KΩ y RL = 10 KΩ. Para
el BJT use el modelo lineal a tramos con parámetros β, VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V. Use VT = 26 mV.
10 V
R1
RS C1
C2
+ vo
vi R1
RE RL
−
Solución: Empezaremos realizando el análisis de polarización, comprobando que el BJT está

parámetro rπ del modelo de pequeña señal del BJT. El circuito de polarización es
10 V
1 MΩ
1 MΩ
10 KΩ
10 V y las resistencias de valor 1 MΩ que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se obtiene
1 MΩ
Vth = 10 = 5 V ,
1 MΩ + 1 MΩ
1 MΩ
Rth = 1 MΩ 1 MΩ = = 500 KΩ .
2
10 V
IC
500 KΩ
5V
10 KΩ
Con el BJT en estado activo, obtenemos el circuito

500 KΩ B
IC
C
10 V
5V IB 0,7 V 100 IB
101 IB 10 KΩ
Hemos de verificar IB ≥ 0 y VCE ≥ 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
5 = 500 IB + 0,7 + (10)(101 IB ) ,
4,3 = 1.510IB ,
4,3
IB = = 0,00285 ,
1.510
formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor 10 KΩ, obteniendo
10 = VCE + (10)(101 IB ) ,
10 = VCE + 1.010IB ,
VCE = 10 − 1.010 IB = 10 − (1.010)(0,00285) = 7,12 ,
que es ≥ 0,2. La componente de polarización de la corriente de colector vale
IC = 100 IB = (100)(0,00285) = 0,285 mA ,
βVT (100)(0,026)
rπ = = = 9,12 KΩ .
IC 0,285
143

RS B ib C
+
vi rπ βib
R1 R1
−
E
vo
RE RL
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R1 , por un lado, y RE

R1 1 MΩ
R1 R1 = = = 500 KΩ
2 2
y
RE RL (10)(10)
RE RL = = = 5 KΩ ,
RE + RL 10 + 10
100 KΩ B ib C
+
vi i2 100 ib
i1 500 KΩ 9,12 KΩ
−
E
vo
101 ib 5 KΩ
Para calcular la ganancia A = vo /vi , calcularemos vi y vo en función de ib . Obtenemos
vb = 9,12 ib + (5)(101 ib ) = 514 ib ,

vb 514 ib
i1 = = = 1,03 ib ,
500 500
i2 = i1 + ib = 1,03 ib + ib = 2,03 ib ,
vi = vb + 100 i2 = 514 ib + (100)(2,03 ib ) = 717 ib , (5.5)
vo = (5)(101 ib ) = 505 ib . (5.6)
vo 505 ib
A= = = 0,704 .
vi 717 ib

para frecuencias suficientemente grandes sabiendo que la β del BJT vale β = 100 y que las
resistencias del circuito valen RS = 200 KΩ, RB = 500 KΩ, RE = 10 KΩ y RL = 20 KΩ. Para
el BJT use el modelo lineal a tramos con parámetros β, VEB ,u = VEB ,act = VEB ,sat = 0,7 V y
VEC ,sat = 0,2 V. Use VT = 26 mV.
10 V
RE C2
RS C1 vo
+ RL
vi RB
−
Solución: Empezaremos realizando el análisis de polarización, comprobando que el BJT está

parámetro rπ del modelo de pequeñ señal del BJT. El circuito de polarización es
10 V
10 KΩ
500 KΩ IC
Con el BJT en estado activo, obtenemos el circuito

10 V
101IB 10 KΩ
0,7 V 100IB
IB B C IC
500 KΩ
Hemos de verificar IB ≥ 0 y VEC ≥ 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
145
10 = (10)(101 IB ) + 0,7 + 500IB ,
1.510IB = 9,3 ,
9,3
IB = = 0,00616 ,
1.510
que es ≥ 0. Para calcular VEC conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 10 KΩ y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
10 = (10)(101 IB ) + VEC ,
10 = 1.010IB + VEC ,
VEC = 10 − 1.010 IB = 10 − (1.010)(0,00616) = 3,78 ,
que es ≥ 0,2. El BJT está, pues, en estado activo, la componente de polarización de la corriente
de colector vale
IC = 100 IB = (100)(0,00616) = 0,616 mA ,
βVT (100)(0,026)
rπ = = = 4,22 KΩ .
IC 0,616
RS ib B C
+
vi RB rπ βib
−
E
vo
RE RL
Calculando el equivalente de las resistencias en paralelo de valores RE y RL , obtenemos
RE RL (10)(20)
RE RL = = = 6,67 KΩ ,
RE + RL 10 + 20
y utilizándolo obtenemos el circuito de pequeña señal
200 KΩ B ib C
+
vi i2 100 ib
i1 500 KΩ 4,22 KΩ
−
E
vo
101 ib 6,67 KΩ
Para calcular la ganancia A = vo /vi , calcularemos vi y vo en función de ib . Obtenemos
vb = −4,22 ib − (6,67)(101 ib ) = −678 ib ,

vb 678 ib
i1 = =− = −1,36 ib ,
500 500
i2 = i1 − ib = −1,36 ib − ib = −2,36 ib ,
vi = 200 i2 + vb = −(200)(2,36 ib ) − 678 ib = −1.150 ib , (5.7)
vo = −(6,67)(101 ib ) = −674 ib . (5.8)
vo −674 ib
A= = = 0,586 .
vi −1.150 ib
Problema 75: Suponiendo que los BJTs trabajan en el estado activo y que las frecuencias de
las tensiones v1 y v2 son suficientemente grandes, analice el circuito de la figura y exprese vo
en función de v1 , v2 , los parámetros rπ y β de los modelos de pequeña señal de los BJTs y las
resistencias del circuito.
Vcc
RC C3
vo
RL
R1 R1
RS C1 C1 RS
+ +
v1 R1 C2 C2 R1 v2
− RE RE −
Solución: El condensador de capacidad C3 hace que la tensión de salida vo tenga sólo compo-
nente de pequeña señal. Para frecuencias suficientemente grandes, las capacidades pueden ser
147
sustituidas por cortocircuitos y, con
RC RL
RC = RC RL = , (5.9)
RC + RL
el circuito de pequeña señal es
β(ib1 + ib2 )
vo
RC
i1 RS ib1 ib2 RS

B1 C1 C2 B2
+ +
v1 i1 R1 /2 rπ βib1 βib2 rπ R1 /2 v2
− −
E1 E2
Para analizar el circuito, empezaremos calculando ib1 en función de v1 . Para ello, lo más fácil es
calcular v1 en función de ib1 e invertir la relación.
vb1 = rπ ib1 ,
vb1 rπ ib1 2rπ

i1 = = = ib1 ,
R1 /2 R1 /2 R1

2rπ 2rπ R1 + 2rπ
i1 = i1 + ib1 = ib1 + ib1 = 1 + ib1 = ib1 ,
R1 R1 R1

R1 + 2rπ R1 + 2rπ
v1 = RS i1 + vb1 = RS ib1 + rπ ib1 = RS + rπ ib1 ,
R1 R1
v1
ib1 = . (5.10)
R1 + 2rπ
RS + rπ
R1
Por simetría,
v2
ib2 = . (5.11)
R1 + 2rπ
RS + rπ
R1
Finalmente,

vo = −RC β(ib1 + ib2 ) ,
y, usando (5.9), (5.10) y (5.11),
RC RL
RC + RL
vo = −β (v1 + v2 ) .
R1 + 2rπ
RS + rπ
R1

para frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parámetros Vt y K del MOSFET valen
Vt = 1 V y K = 50 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 10 KΩ, R1 = 300 KΩ,
R2 = 500 KΩ, RD = 2 KΩ, RS = 1 KΩ y RL = 1 KΩ.
10 V
RD
R2
RI C1 vo
C2
+
R1 RL
vi RS
−
Solución: Empezaremos realizando el análisis de polarización, comprobando que el MOSFET

trabaja en la zona saturación y calculando la componente de polarización de la corriente de
drenador, ID , lo cual permitirá calcular el valor del parámetro gm del modelo de pequeña señal
del MOSFET. El circuito de polarización es
10 V
2 KΩ
500 KΩ
ID
300 KΩ
1 KΩ
Supongamos que el MOSFET trabaja en saturación. Se ha de verificar VGS ≥ 1 y VDS ≥ VGS −

Vt = VGS − 1. Teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del MOSFET es nula, la fuente
de tensión de valor 10 V, la resistencia de valor 500 KΩ y la resistencia de valor 300 KΩ forman
un divisor de tensión, y la tensión de puerta, VG , resulta valer
300
VG = 10 = 3,75 .
300 + 500
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia de valor 300 KΩ, el
3,75 = VGS + (1)ID = VGS + ID .
Por otro lado, con el MOSFET en saturación,
ID = K(VGS − Vt )2 = 50(VGS − 1)2 , (5.12)
que, combinada con la ecuación anterior, da la ecuación de segundo grado en VGS
3,75 = VGS + 50(VGS − 1)2 = 50 VGS

2
− 99 VGS + 50 ,
149
2
50 VGS − 99 VGS + 46,25 = 0 ,
cuyas soluciones son VGS = 1,225 y VGS = 0,755. Sólo la solución VGS = 1,225 verifica
VGS ≥ 1. Retengámosla y verifiquemos VDS ≥ VGS − 1. De (5.12),
ID = 50(1,225 − 1)2 = 2,53 .
Calculemos la tensión de fuente, VS , y la tensión de drenador, VD .
VS = (1)ID = 2,53 ,
VD = 10 − 2 ID = 10 − (2)(2,53) = 4,94 .
Resulta
VDS = VD − VS = 4,94 − 2,53 = 2,41 ,
que es ≥ VGS − 1 = 1,225 − 1 = 0,225. Así pues, el MOSFET trabaja en saturación e ID =

2,53 mA. El parámetro gm del modelo de pequeña señal del MOSFET resulta valer

gm = 2 KID = 2 (50)(2,53) = 22,5 mA/V .
El condensador de capacidad C2 hace que la tensión vo tenga sólo componente de pequeña señal.
Así pues, la ganancia A = vo /vi puede ser calculada analizando el circuito de pequeña señal.
Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden ser sustituidos por cortocir-
cuitos y el circuito de pequeña señal resulta ser
RI G D
vo
+
vi R1 R2 gm vgs RD RL
−
S
RS
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R2 , por un lado, y RD

R1 R2 (300)(500)
R1 R2 = = = 187,5 KΩ ,
R1 + R2 300 + 500
RD RL (2)(1)
RD RL = = = 0,667 KΩ ,
RD + RL 2+1

10 KΩ G D
vo
+
vi 187,5 KΩ 22,5 vgs 0,667 KΩ
−
S
1 KΩ
Calculemos vgs en función de vi . Obtenemos
187,5
vg = vi = 0,949 vi ,
10 + 187,5
vs = (1)(22,5 vgs ) = 22,5 vgs ,

vgs = vg − vs = 0,949 vi − 22,5 vgs ,
23,5 vgs = 0,949 vi ,
0,949 vi
vgs = = 0,0404 vi .
23,5
Finalmente,
vo = −(0,667)(22,5 vgs ) = −(0,667)(22,5)(0,0404 vi ) = −0,606 vi ,
y
vo
A= = −0,606 .
vi
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parámetros Vt y K del MOSFET valen
Vt = 1 V y K = 1 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 10 KΩ, RG = 500 KΩ,
RS = 20 KΩ y RL = 1 KΩ.
5V
RG
RI C1
C2
+ vo
vi
RS RL
−

151
drenador, ID , y el parámetro gm del modelo de pequeña señal del MOSFET. El circuito de po-
larización es
5V
ID
500 KΩ
20 KΩ
Supongamos que el MOSFET trabaja en saturación. Se ha de verificar VGS ≥ Vt = 1 y VDS ≥

VGS − Vt = VGS − 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensión de puerta
vale VG = 5 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión
de valor 5 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
5 = VGS + 20ID ,
por otro lado, con el MOSFET en saturación,
ID = K(VGS − Vt )2 = (VGS − 1)2 . (5.13)
Combinándola con la anterior, obtenemos la ecuación de segundo grado en VGS ,
5 = VGS + 20(VGS − 1)2 = 20 VGS

2
− 39 VGS + 20 ,
2
20 VGS − 39 VGS + 15 = 0 ,
VGS ≥ 1. Retengámosla y verifiquemos VDS ≥ VGS − 1 = 1,423 − 1 = 0,423. De (5.13),
obtenemos
ID = (1,423 − 1)2 = 0,179 .
5 = VDS + 20 ID ,
de donde,
VDS = 5 − 20 ID = 5 − (20)(0,179) = 1,42 ,
que es ≥ 0,423. Así pues, el MOSFET trabaja en saturación e ID = 0,179 mA. El parámetro gm
del modelo de pequeña señal del MOSFET vale

gm = 2 KID = 2 (1)(0,179) = 0,846 mA/V .
RI G D
+
RG gm vgs
vi
−
S
vo
RS RL
Calculando el equivalente de las resistencias en paralelo de valores RS y RL , obtenemos
RS RL (20)(1)
RS RL = = = 0,952 KΩ ,
RS + RL 20 + 1

10 KΩ G D
+
500 KΩ 0,846 vgs
vi
−
S
vo
0,952 KΩ
500
vg = vi = 0,980 vi ,
10 + 500
vs = (0,952)(0,846 vgs ) = 0,805 vgs ,
vgs = vg − vs = 0,980 vi − 0,805 vgs ,
1,805 vgs = 0,980 vi ,
0,980 vi
vgs = = 0,543 vi .
1,805
Finalmente,
vo = vs = 0,805 vgs = (0,805)(0,543 vi ) = 0,437 vi ,
y
vo
A= = 0,437 .
vi
153

para frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parámetros Vt y K del MOSFET
valen Vt = 1 V y K = 10 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 100 KΩ,
R1 = 500 KΩ, R2 = 2 MΩ, RS = 50 KΩ y RL = 10 KΩ.
5V
R1
RI C1
C2
+ vo
vi R2 RS RL
−

larización es
5V
ID
500 KΩ
2 MΩ 50 KΩ
5 V, la resistencia de valor 500 KΩ y la resistencia de valor 2 MΩ que tiene como salidas la puerta
del MOSFET y masa. Se obtiene
2.000
Vth = 5 = 4V
500 + 2.000
y
(500)(2.000)
Rth = 500 2.000 = = 400 KΩ .
500 + 2.000
5V
ID
400 KΩ
4V
50 KΩ
Supongamos que el MOSFET trabaja en saturación. Se ha de verificar VGS ≥ Vt = 1 y VDS ≥

VGS − Vt = VGS − 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensión de puerta
vale VG = 4 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión
de valor 4 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
4 = VGS + 50ID ,
ID = K(VGS − Vt )2 = 10(VGS − 1)2 . (5.14)
4 = VGS + 500(VGS − 1)2 = 500 VGS
2
− 999 VGS + 500 ,
2
500 VGS − 999 VGS + 496 = 0 ,
VGS ≥ 1. Retengámosla y verifiquemos VDS ≥ VGS − 1 = 1,0765 − 1 = 0,0765. De (5.14),
obtenemos
ID = 10(1,0765 − 1)2 = 0,0585 .
5 = VDS + 50 ID ,
de donde,
VDS = 5 − 50 ID = 5 − (50)(0,0585) = 2,08 ,
que es ≥ 0,0765. Así pues, el MOSFET trabaja en saturación e ID = 0,0585 mA. El parámetro
gm del modelo de pequeña señal del MOSFET vale

gm = 2 KID = 2 (10)(0,0585) = 1,53 mA/V .
RI G D
+
R1 R2 gm vgs
vi
−
S
vo
RS RL
Calculando los equivalente de las resistencias en paralelo de valores R1 y R2 , por un lado, y RS

R1 R2 (500)(2.000)
R1 R2 = = = 400 KΩ ,
R1 + R2 500 + 2.000
155
RS RL (50)(10)
RS RL = = = 8,33 KΩ ,
RS + RL 50 + 10
100 KΩ G D
+
400 KΩ 1,53 vgs
vi
−
S
vo
8,33 KΩ

400
vg = vi = 0,8 vi ,
100 + 400
vs = (8,33)(1,53 vgs ) = 12,7 vgs ,
vgs = vg − vs = 0,8 vi − 12,7 vgs ,
13,7 vgs = 0,8 vi ,
0,8 vi
vgs = = 0,0584 vi .
13,7
Finalmente,
vo = vs = 12,7 vgs = (12,7)(0,0584 vi ) = 0,742 vi ,
y
vo
A= = 0,742 .
vi
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parámetros Vt y K del MOSFET valen
Vt = −1 V y K = 5 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 50 KΩ, RG = 1 MΩ,
RS = 20 KΩ y RL = 10 KΩ.
5V
RS C2
RI C1 vo
+ RL
vi RG
−

larización es
5V
20 KΩ
1 MΩ
ID
Supongamos que el MOSFET trabaja en saturación. Se ha de verificar VGS ≤ Vt = −1 y

VDS ≤ VGS − Vt = VGS + 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensión de
puerta vale VG = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensión de valor 5 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
5 = 20ID − VGS ,
ID = K(VGS − Vt )2 = 5(VGS + 1)2 . (5.15)
5 = 100(VGS + 1)2 − VGS = 100 VGS

2
+ 199 VGS + 100 ,
2
100 VGS + 199 VGS + 95 = 0 ,
cuyas soluciones son VGS = −1,195 y VGS = −0,795. Sólo la solución VGS = −1,195 verifica
VGS ≤ −1. Retengámosla y verifiquemos VDS ≤ VGS + 1 = −1,195 + 1 = −0,195. De (5.15),
obtenemos
ID = (5)(−1,195 + 1)2 = 0,190 .
5 = 20 ID − VDS ,
de donde,
VDS = −5 + 20 ID = −5 + (20)(0,190) = −1,20 ,
que es ≤ −0,195. Así pues, el MOSFET trabaja en saturación e ID = 0,190 mA. El parámetro
gm del modelo de pequeña señal del MOSFET vale

gm = 2 KID = 2 (5)(0,190) = 1,95 mA/V .
157
RI G D
+
RG gm vgs
vi
−
S
vo
RS RL
Calculando el equivalente de las resistencias en paralelo de valores RS y RL , obtenemos
RS RL (20)(10)
RS RL = = = 6,67 KΩ ,
RS + RL 20 + 10

50 KΩ G D
+
1 MΩ 1,95 vgs
vi
−
S
vo
6,67 KΩ
1.000
vg = vi = 0,952 vi ,
50 + 1.000
vs = (6,67)(1,95 vgs ) = 13 vgs ,
vgs = vg − vs = 0,952 vi − 13 vgs ,
14 vgs = 0,952 vi ,
0,952 vi
vgs = = 0,0680 vi .
14
Finalmente,
vo = vs = 13 vgs = (13)(0,0680 vi ) = 0,884 vi ,
y
vo
A= = 0,884 .
vi
Problema 80: Suponiendo que el MOSFET trabaja en la zona saturación, analice el circuito
de la figura y, para frecuencias suficientemente grandes, exprese vo en función de v1 , v2 , el
parámetro gm del modelo de pequeña señal del MOSFET y las resistencias del circuito.
VDD
RI C1 RD
C3
+ R2 vo
v1
− RL
RI C1
R1
+ RS C2
v2
−
Solución: El condensador de capacidad C3 hace que la tensión de salida vo tenga sólo compo-
nente de pequeña señal. Para frecuencias suficientemente grandes, las capacidades pueden ser
sustituidas por cortocircuitos en el circuito de pequeña señal y, con R = R1 R2 y RL =
RD RL , éste es
RI
+
v1 G D
− vo
RI
R gm vgs RL
+
v2 S
−
Aplicando el principio de superposición, la tensión vg vale vg = vg1 + vg2 , donde vg1 es la

componente debida a v1 y vg2 es la componente debida a v2 . Con R = RI R = RI R1 R2 ,
vg1 puede ser evaluada analizando el circuito
RI
vg1
+
v1 R
−
Obtenemos
R
vg1 = v1 .
RI + R
Por simetría,
R
vg2 = v2 ,
RI + R
159
y
R
vg = (v1 + v2 ) .
RI + R
Finalmente,
R 1
vo = −RL gm vgs = −RL gm vg = −RL gm (v1 +v2 ) = −RL gm (v1 +v2 ) ,
RI + R 1 + RI /R
y, usando
1 1 1 1

= + +
R RI R1 R2
y
RD RL
RL = ,
RD + RL
RD RL 1
vo = − gm (v1 + v2 ) .
RD + RL 2 + RI /R1 + RI /R2
Capítulo 6

amplificadores operacionales
Problema 81: Sabiendo que el amplificador operacional tiene tensiones de saturación −10 V y
10 V, determine la función de transferencia vo = F (vi ) del circuito de la figura para −5 V ≤
vi ≤ 5 V. A continuación, suponiendo que vi es una tensión senoidal de amplitud 3 V, determine
la potencia media entregada a la resistencia de carga RL para RL = 2 KΩ.
1 KΩ 5 KΩ
−
vo
vi +
RL
Solución: El amplificador operacional está realimentado negativamente y, por tanto, suponiendo

−10 ≤ vo ≤ 10, el amplificador operacional trabajará en la zona lineal. El circuito es un ampli-
ficador no inversor y, con el amplificador operacional trabajando en la zona lineal, se tendrá
vo 5
= 1 + = 6,
vi 1
vo = 6vi .
Imponiendo −10 ≤ vo ≤ 10, obtenemos −10 ≤ 6 vi ≤ 10, −1,67 ≤ vi ≤ 1,67. Para vi > 1,67,
el amplificador operacional estará saturado positivamente y vo = 10. Para comprobarlo, hemos
de verificar que v+ > v− , donde v+ es la tensión en la entrada no inversora del amplificador
operacional y v− es la tensión en la entrada inversora del amplificador operacional. Por inspec-
ción, v+ = vi y, usando el hecho de que la corriente por la entrada inversora del amplificador
operacional es nula, obtenemos
1 10
v− = vo = = 1,67 ,
1+5 6
162 6 Problemas de análisis de circuitos con amplificadores operacionales
y v+ > v− para vi > 1,67. Para vi < −1,67, el amplificador operacional estará saturado negati-
vamente y vo = −10. Para comprobarlo, hemos de verificar que v+ < v− . Por inspección, v+ =
vi y, usando el hecho de que la corrientes por la entrada inversora del amplificador operacional
es nula, obtenemos
1 −10
v− = vo = = −1,67 ,
1+5 6
y v+ < v− para vi < −1,67. La siguiente figura muestra la función de transferencia vo = F (vi )
vo
10
−1,67
1,67 vi
−10
La potencia media entregada a la carga vale

2
Vo,ef
P = ,
RL
donde Vo,ef es el valor eficaz de la tensión de salida vo . Siendo T el periodo de vi , se tiene

t
vi (t) = 3 sen 2π .
T
La tensión vo (t) también tendrá periodo T . La siguiente figura representa vi (t) y vo (t) usando la
variable α = 2πt/T .
vo
10
vi
3
1,67
π 2π
φ α
−1,67
−3
−10
Determinemos φ:
1,67 = 3 sen(φ) , 0 < φ < π/2 ,
163

1,67
φ = arc sen = arc sen(0,557) = 0,591 rad .
3
2 vale
Vo,ef
T
2 1
Vo,ef = vo2 (t) dt .
T 0
Dadas las simterías de vo2 (t), tenemos
T /4
2 1
Vo,ef = vo2 (t) dt . (6.1)
T /4 0
En el intervalo [0, T /4], vo (t) vale



 t t
 6 vi (t) = 18 sen 2π , 0 ≤ 2π ≤φ
vo (t) = T T

 t π
 10 , φ ≤ 2π ≤ .
T 2
Haciendo el cambio de variable α = 2πt/T en (6.1), obtenemos
π/2 π/2
φ
2 1 2 1 2 2
Vo,ef = vo (α) dα = (18 sen α) dα + 10 dα
π/2 0 π/2 0 φ
φ π/2
1
= 324 sen2α dα + 100 dα
π/2 0 φ
! "
1 α sen(2α) φ π
= 324 − + 100 −φ
π/2 2 4 0 2
1
= (62φ − 81 sen(2φ) + 50π) ,
π/2
y, usando φ = 0,591 rad,
2
Vo,ef = 75,6 V2 ,
obteniéndose
2
Vo,ef 75,6 V2 75,6
P = = = W = 0,0378 W = 37,8 mW .
RL 2 KΩ 2.000
Problema 82: Suponiendo que vo está comprendida entre la tensiones de saturación del ampli-
ficador operacional, analice el circuito de la figura y determine vo en función de v1 , v2 y las
resistencias R1 , R2 , R y R . Se escoge R = R1 = 1 KΩ. ¿Qué valores deberán tener R2 y R
para que vo = 4v1 + v2 ?
R R
R1
v1 −
vo
R2 +
v2
Solución: Usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplificador
operacional es nula, es posible calcular la tensión de dicha entrada, v+ , analizando el circuito

v+
R1 R2
+
v1 − + v
− 2
Aplicando el principio de superposición, obtenemos
R2 R1
v+ = v1 + v2 ,
R1 + R2 R1 + R2
y, considerando que desde la entrada no inversora a la salida el circuito es un amplificador no

inversor,

R R R2 R R1
vo = 1+ v+ = 1+ v1 + 1 + v2 .
R R R1 + R2 R R1 + R2
Con R = R1 = 1 KΩ,
R2 1
vo = (1 + R ) v1 + (1 + R ) v2 .
R2 + 1 R2 + 1
Identificando coeficientes, obtenemos el sistema de dos ecuaciones
R2
(1 + R ) =4
R2 + 1
1
(1 + R ) = 1.
R2 + 1
Dividiéndolas, obtenemos R2 = 4 KΩ. Sustituyendo dicho valor en la segunda ecuación, obte-

nemos
1
(1 + R ) = 1 ,
5
1 + R = 5 ,
R = 4 KΩ .
Problema 83: Analice el circuito de la figura y, suponiendo que las tensiones en las salidas de
los dos amplificadores operacionales están comprendidas entre las tensiones de saturación, de-
termine el valor de vo en función de vi . Suponga ahora que los dos amplificadores operacionales
tienen tensiones de saturación V y −V , donde V > 0. ¿De qué valores habrá que escoger R2 /R1
165
y R4 /R3 para que vo = 3vi para el mayor rango de valores posible para vi ?
R1 R2
−
+
+
R3 R4
vo
vi +
−
−
−
+
Solución: Llamemos vo1 a la tensión en la salida del amplificador operacional superior y vo2 a
la tensión en la salida del amplificador operacional inferior. De vi a vo1 tenemos un amplificador
inversor y de vi a vo2 tenemos un amplificador no inversor. Entonces, suponiendo que vo1 y
vo2 estén comprendidas entre las tensiones de saturación de los amplificadores operacionales
respectivos, tendremos
R2
vo1 = 1 + vi ,
R1
R4
vo2 = − ,
R3
y
R2 R4
vo = vo1 − vo2 = 1+ + vi .
R1 R3
Para que vo = 3vi , R2 /R1 y R4 /R3 deberán satisfacer

R2 R4
1+ + = 3,
R1 R3
R2 R4
+ = 2. (6.2)
R1 R3
Para que el amplificador operacional superior no se sature, vi deberá satisfacer

R2
1+ |vi | ≤ V ,
R1
V
|vi | ≤ .
1 + R2 /R1
Para que el amplificador operacional inferior no se sature, vi deberá satisfacer
R4
|vi | ≤ V ,
R3
V
|vi | ≤ .
R4 /R3
Por tanto, para que vo = 3vi , vi deberá satisfacer

# $ # $
V V 1 1
|vi | ≤ mı́n , = V mı́n , ,
1 + R2 /R1 R4 /R3 1 + R2 /R1 R4 /R3
y el rango de valores para vi para los cuales vo = 3vi será [−VI , VI ], con
# $
1 1
VI = V mı́n , .
1 + R2 /R1 R4 /R3
Dicho rango se maximiza maximizando VI . Así pues, se trata de localizar el máximo de VI sujeto
a lad restricciones R2 /R1 ≥ 0, R4 /R3 ≥ 0 y (6.2). Con x = R2 /R1 , se trata de localizar el
máximo de # $
1 1
mı́n ,
1+x 2−x
en el intervalo para x, [0, 2]. La función 1/(1 + x) es decreciente con x y varía en el intervalo
entre 1 y 1/3. La función 1/(2 − x) es creciente con x y varía en el intervalo entre 1/2 e ∞. El
máximo se encuentra pues en el x que verifica
1 1
= ,
1+x 2−x
2− x = 1 + x,
que es x = 1/2. Así pues, el rango de valores de vi para los cuales vo = 3vi se maximiza para
R2 /R1 = 1/2 y R4 /R3 = 2 − R2 /R1 = 2 − 1/2 = 3/2.
Problema 84: Analice el circuito de la figura y a) demuestre que la realimentación es negativa,

b) suponiendo que el amplificador operacional trabaja en la zona lineal, demuestre que i = vi /R,
c) con R = 5 KΩ y RL = 1 KΩ, obtenga el intervalo para vi en el cual i(mA) = vi (V)/5
sabiendo que las tensiones de saturación del amplificador operacional son −10 V y 10 V.
10 KΩ 10 KΩ
−
+
R R
vi
i RL
Solución: a) Sea vo la tensión en la salida del amplificador operacional. Utilizando el hecho

de que las corrientes por las entradas del amplificador operacional son nulas, obtenemos que la
tensión de la entrada inversora vale
10 vo
v− = vo =
10 + 10 2
167
y que la tensión de la entrada no inversora, v+ , puede ser evaluada en función de vi y vo anali-

zando el circuito
v+
R R
+
vi − RL + v
− o
Utilizando el principio de superposición para analizar este último circuito obtenemos, con R =
R RL = RRL /(R + RL ),
R R
v+ = vi + vo = γ vi + γ vo ,
R + RL R + RL
RRL
R R + RL RRL 1
γ= = = 2 < .
R + RL RRL 2RRL + RL 2
+ RL
R + RL
Llamando A a la ganancia diferencial del amplificador operacional, las ecuaciones obtenidas para
v− y v+ en función de vi y vo conducen al diagrama de bloques
1/2
−
Σ A
+
+
vi γ Σ
+
γ
que puede ser reducido a
1/2 − γ
−
vi γ Σ A
+
Siendo γ < 1/2, 1/2 − γ > 0, y la realimentación es negativa.

b) Analizaremos el circuito usando el hecho de que las corrientes por las entradas del amplificador
operacional son nulas y usando el teorema del cortocircuito virtual. Sean i1 e i2 las corrientes y
sea vo la tensión indicadas en la figura

10 KΩ 10 KΩ
−
vo
+
R R
vi
i2 i1
i RL
Utilizando el hecho de que la corriente por la entrada inversora del amplificador operacional es
nula, la tensión en dicha entrada vale
10 vo
v− = vo = .
10 + 10 2
Aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensión en la entrada no inversora vale
vo
v+ = v− = .
2
La corriente i1 resulta, por tanto, valer
vo − v+ vo − vo /2 vo
i1 = = =
R R 2R
y la corriente i2
v+ − vi vo vi
i2 = = − .
R 2R R
Finalmente, aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo donde se conectan las dos resisten-
cias R y la resistencia RL , teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del
amplificador operacional es nula,
vi
i = i1 − i2 = .
R
c) Obtengamos una expresión para la tensión en la salida del amplificador operacional, vo , en
función de vi . Utilizando la ley de Ohm y la relación entre i y vi ,
RL
v+ = RL i = vi .
R
Tal y como se ha visto en b),
vo
v+ = .
2
Combinándolas obtenemos
RL
vo = 2 v+ = 2 vi .
R
Para R = 5 KΩ y RL = 1 KΩ,
2
vo = vi = 0,4 vi .
5
La relación entre i y vi se ha obtenido suponiendo que el amplificador trabajaba en la zona lineal.
Siendo la realimentación negativa, la única condición a imponer es −10 ≤ vo ≤ 10. Ello conduce
a −10 ≤ 0,4 vi ≤ 10 y a −25 ≤ vi ≤ 25. Así pues, el intervalo para vi es [−25, 25].
169
Problema 85: Analice el circuito de la figura y, suponiendo que el amplificador operacional

trabaja en la zona lineal, demuestre que i = (R2 /R1 )(vi /RL ). Suponga, a continuación, R1 =
1 KΩ y R2 = 5 KΩ y que las tensiones de saturación del amplificador operacional valen −5 V y
10 V. ¿Entre qué valores podrá variar vi de modo que i = 5vi /RL ?
R1 R2
−
+
RL
vi
i
Solución: De la entrada no inversora a la salida del amplificador operacional, el circuito es un

amplificador no inversor. Así pues, llamando vo a la tensión de salida del amplificador opera-
cional, se tendrá

R2
vo = 1 + vi . (6.3)
R1
Finalmente, aplicando la ley de Ohm,
vo − vi (1 + R2 /R1 )vi − vi R2 vi
i= = = .
RL RL R1 RL
Con R1 = 1 KΩ y R2 = 5 KΩ, de (6.3), obtenemos vo = 6 vi . La realimentación es negativa y

la única condición necesaria para que la relación entre vi e i obtenida anteriormente sea válida
es −5 ≤ vo ≤ 10. Imponiéndola, obtenemos −5 ≤ 6 vi ≤ 10, −0,833 ≤ vi ≤ 1,67. Así pues, vi
podrá variar entre −0,833 V y 1,67 V.
Problema 86: Suponiendo que el diodo es ideal y que las tensiones de saturación positiva y
negativa del amplificador operacional son suficientemente grandes en valor absoluto, analice el
circuito de la figura y determine la función de transferencia vo = F (vi ). ¿Cuánto valdrá el valor
medio de la tensión vo cuando vi sea una tensión senoidal de amplitud 5 V?
R R
−
vo
vi +
Solución: Para vi > 0, el amplificador operacional trabaja en la zona lineal y el diodo está en
ON. Sustituyendo el diodo por su circuito equivalente para el estado ON, obtenemos el circuito
R R
i
− A K
vo
vi +
Dicho circuito es un amplificador no inversor y

R
vo = 1+ vi = 2 vi .
R
Únicamente se ha de verificar que la corriente por el diodo, i, es ≥ 0. Aplicando el teorema del

cortocircuito virtual, la tensión en la entrada inversora, v− , vale v− = vi . Aplicando la ley de
Ohm,
vo − v− 2vi − vi vi
i= = = ,
R R R
y la condición i ≥ 0 se cumple para vi ≥ 0. Para vi < 0, el amplificador operacional está
saturado negativamente y el diodo está en OFF. En efecto, sustituyendo el diodo por el circuito
equivalente a su estado, obtenemos el circuito
R R
i
− A K
vo
vi +
Siendo nula la corriente por la entrada inversora del amplificador operacional, la corriente i será
nula y la tensión de la entrada inversora, v− , valdrá v− = Ri = 0, que, para vi < 0, es > v+ = vi ,
verificando que el amplificador operacional está saturado negativamente. La tensión vo valdrá 0
y la tensión ánodo-cátodo del diodo será negativa, verificando que el diodo está en estado OFF.
La función de transferencia vo = F (vi ) resulta ser
vo
vo = 2vi
vi
Sea T el periodo de la tensión senoidal vi (t). La tensión vo (t) también tendrá periodo T y valdrá
171
en [0, T ]


 2 vi (t) = 10 sen 2π
t
, 0 ≤ 2π
t
≤π
vo (t) = T T

 0, π ≤ 2π t ≤ 2π .
T
El valo medio de la tensión vo (t) valdrá
T T /2
1 1 t
Vo = vo (t) dt = 10 sen 2π dt ,
T 0 T 0 T
y, haciendo el cambio de variable α = 2π(t/T ),
π π
1 10 10 10
Vo = 10 sen α dα = sen α dα = [− cos α]π0 = = 3,18 V .
2π 0 2π 0 2π π
Problema 87: Analice el circuito de la figura y a) demuestre que la realimentación es negativa,

b) suponiendo que el amplificador trabaja en la zona lineal, determine vo /vi .
R R R
R R
R
vi −
vo
+
Solución: a) Calculemos la tensión de la entrada inversora del amplificador operacional, v− , en

función de vi y vo . Hay que analizar el circuito
v−
R R R R
+
vi − R R +
− vo
Lo haremos aplicando el principio de superposición. Tenemos v− = v1 + v2 , donde v1 es la

componente debida a vi y v2 es la componente debida a vo . La tensión v1 puede ser calculada
analizando el circuito
v1
R R R R
vi + R R
−
La resistencia vista a la derecha de v1 vale
R = R + R (R + R R) = R + R (R + R/2) = R + R 3R/2
3 2
R 3 8
= R+ 2 = R + R = R,
3 5 5
R+ R
2
y
8
v1 R R 8
= = 5 = ,
vi R + R 8 13
R+ R
5
obteniéndose v1 = (8/13)vi . Para calcular v2 debemos analizar el circuito
v2 v3 v4
R R R
R i1 i2 R i3 i R i5 +
− vo
4
El análisis se puede realizar fácilmente aplicando la ley de Ohm y la segunda ley de Kirchoff a
nodos apropiados
v2
i1 = ,
R
v3 = 2R i1 = 2v2 ,
v3 2v2
i2 = = ,
R R
v2 2v2 3v2
i3 = i1 + i2 = + = ,
R R R
v4 = v3 + R i3 = 2v2 + 3v2 = 5v2 ,
v4 5v2
i4 = = ,
R R
3v2 5v2 8v2
i5 = i3 + i4 = + = ,
R R R
vo = v4 + R i5 = 5v2 + 8v2 = 13v2 ,
obteniéndose v2 = vo /13. La tensión v− vale, por tanto,
8 vo
v− = v1 + v2 = vi + .
13 13
173
Llamando A a la ganancia diferencial del amplificador operacional, el circuito puede ser repre-
sentado por el diagrama de bloques
1/13
−
vi 8/13 Σ A vo
−
que puede ser transformado en
1/13
−
vi −8/13 Σ A vo
+
demostrando que la realimentación es negativa.

b) Usando el hecho de que la ganancia de un amplificador con ganancia infinita realimentado
negativamente con ganancia β es 1/β, del último diagrama de bloques obtenido en a), se deduce

vo 8
= − 13 = −8 .
vi 13
Problema 88: Suponiendo que los dos amplificadores operacionales trabajan en la zona lineal,
analice el circuito de la figura y demuestre que i = vi /R. Suponga, a continuación, que las
tensiones de saturación de los amplificadores operacionales son −10 V y 10 V. ¿Para qué valores
de vi se cumplirá i = vi /R?
R1
R1
+ −
vi +
R1 R1
− R
−
+
i RL
Solución: El circuito formado por el amplificador operacional de la izquierda y las cuatro re-
sistencias R1 es un amplificador diferencial básico. Por tanto, siendo vo la tensión diferencial
indicada en la siguiente figura

R1
R1
+ −
vi + +
R1 R1 vo i1
− − R
−
+
i RL
se tendrá vo = (R1 /R1 )vi = vi . Siendo i1 la corriente indicada en la figura anterior y, aplicando
el teorema del cortocircuito virtual al amplificador operacional de la derecha y la ley de Ohm, se
tendrá
vo vi
i1 = = .
R R
Por último, usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplificador
operacional de la derecha es nula, se tendrá
vi
i = i1 = .
R
Los dos amplificadores operacionales están realimentados negativamente y el análisis efectuado
anteriormente, que depende del trabajo de ambos amplificadores operacionales en la zona lineal,
será válido con las únicas condiciones de que las tensiones en las salidas de los amplificadores
operacionales estén comprendidas entre las tensiones de saturación. Llamando vo1 a la tensión de
la salida del amplificador operacional de la izquierda y vo2 a la tensión de la salida del amplifi-
cador operacional de la derecha, se deberá cumplir −10 ≤ vo1 ≤ 10 y −10 ≤ vo2 ≤ 10. Calcule-
mos, pues, vo1 y vo2 en función de vi y los valores de las resistencias del circuito, suponiendo que
ambos amplificadores operacionales trabajan en la zona lineal. Aplicando el teorema del corto-
circuito virtual al amplificador operacional de la derecha, obtenemos que vo2 es igual a la tensión
de la entrada no inversora de dicho amplificador operacional y
RL
vo2 = RL i = vi .
R
Por otro lado tenemos

RL RL
vo1 = vo2 + vo = vi + vi = 1+ vi .
R R
Imponiendo −10 ≤ vo1 ≤ 10 y −10 ≤ vo2 ≤ 10, obtenemos
RL
−10 ≤ vi ≤ 10 ,
R

RL
−10 ≤ 1 + vi ≤ 10 ,
R
175
o, lo que es lo mismo,
R R
−10 ≤ vi ≤ 10 ,
RL RL
R R
−10 ≤ vi ≤ 10 .
R + RL R + RL
Así pues, los valores de vi para los cuales i = vi /R son los comprendidos en el intervalo
[−10(R/(R + RL )), 10(R/(R + RL ))].
Problema 89: Suponiendo que el amplificador operacional trabaja en la zona lineal, analice el
circuito de la figura y demuestre que vo = (vP 1 − vN 1 ) + (vP 2 − vN 2 ) + · · · + (vP k − vN k ).
R R
vN 1
R
vN 2 −
vo
...
R +
vN k
R
vP 1
R
vP 2
...
R R
vP k
Solución: Siendo el circuito lineal, la tensión de la salida vo será función lineal de las ten-
siones vN 1 , vN 2 , . . . , vN k , vP 1 , vP 2 , . . . , vP k . Además, por simetría, los coeficientes asociados
a las tensiones vN 1 , vN 2 , . . . , vN k serán iguales y los coeficientes asociados a las tensiones
vP 1 , vP 2 , . . . , vP k serán iguales. Tenemos, por tanto,
vo = A + BN vN 1 + BN vN 2 + · · · + BN vN k + BP vP 1 + BP vP 2 + · · · + BP vP k .
Para vN 1 = vN 2 = · · · = vN k = vP 1 = vP 2 = · · · = vP k = 0, las corrientes por las

resistencias conectadas a la entrada no inversora son nulas, la tensión de esa entrada es nula,
aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensión de la entrada inversora es también nula,
las corrientes por las resistencias R conectadas a las tensiones vN 1 , vN 2 , . . . , vN k son nulas, la
corriente por la resistencia R de realimentación es nula, y vo = 0. Por tanto, A = 0 y
vo = BN vN 1 + BN vN 2 + · · · + BN vN k + BP vP 1 + BP vP 2 + · · · + BP vP k .
Para determinar BN , podemos analizar el circuito con vN 2 = · · · = vN k = vP 1 = vP 2 = · · · =

vP k = 0. Calculando los equivalentes de las resistencias que quedan en paralelo, se obtiene el
circuito
R
R
vN 1 −
vo
R +
i
k−1
R
k+1
Siendo nula la corriente por la entrada no inversora del amplificador operacional, la tensión de
dicha entrada valdrá v+ = 0. Aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensión en la en-
trada inversora valdrá v− = 0. La corriente i será nula, y el circuito es esencialmente equivalente
a un amplificador inversor, resultando vo = −(R/R)vN 1 = −vN 1 y BN = −1. Para determinar
BP , podemos analizar el circuito con vN 1 = vN 2 = · · · = vN k = vP 2 = · · · = vP k = 0.
Calculando los equivalentes de las resistencias que quedan en paralelo, obtenemos el circuito
R
R
k
−
vo
R +
vP 1
R
k
Teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del amplificador operacional es
nula, la tensión de dicha entrada resulta valer
R/k vP 1
v+ = vP 1 = .
R + R/k k+1
De la entrada no inversora a la salida, el circuito es un amplificador no inversor, y

R
vo = 1+ v+ = (k + 1)v+ = vP 1 ,
R/k
resultando BP = 1.
Problema 90: Se trata de analizar el circuito de la figura, suponiendo que todas las resistencias
son > 0. 1) Demuestre que la realimentación es negativa con una ganancia de realimentación β,
0 < β < 1. 2) Determine el valor de β. Suponiendo que el amplificador operacional trabaja en
la zona lineal, 3) demuestre que vo = γ(v1 − v2 ), es decir, que el circuito es un amplificador
diferencial, 4) determine el valor de la ganancia diferencial γ, 5) determine un diagrama de
bloques lo más simple posible que tenga como entradas v1 y v2 y como salida vo y que refleje
177
la realimentación negativa presente en el circuito, 6) compare el circuito con el amplificador

diferencial básico y con el amplificador de instrumentación.
R1 R2 R2
v2
RG
−
vo
+
v1
R1 R2
R2
Solución: 1) Sea vd = v+ − v− la tensión diferencial que ve el amplificador operacional. Clara-

mente, vd es una función lineal de v1 , v2 y vo . Para demostrar que la realimentación es negativa
con una ganancia de realimentación β, basta demostrar que la parte de vd proporcional a vo tiene
la forma −βvo . Dicha parte puede ser obtenida haciendo v1 = v2 = 0, y, por tanto, es la dada
por el circuito
R2 R2 R1
+ −
v−
vo +
− RG
R2 R1
+ −
R2 v+
Demostremos, sin calcular β, que la parte de vd proporcional a vo es −βvo con 0 < β < 1. Sean
las resistencias
R = R2 (R1 + R2 ) ,
R = RG + R
y
R = R (R1 + R2 ) .
Tenemos
R R R1
v+ =
vo
R2 + R RG + R R1 + R2
y
R R1
v− =
vo .
R2 + R R1 + R2
De donde, obtenemos

R R1 R
vd = v+ − v− = − 1− vo
R2 + R R1 + R2 RG + R
R RG R1
= −
vo ,
R2 + R RG + R R1 + R2
pero, en la expresión anterior, el valor absoluto del factor de vo es > 0 y < 1.
2) Podríamos evaluar β evaluando R , R y R y utilizando la expresión obtenida en el apartado
anterior para vd cuando v1 = v2 = 0, pero la evaluación de R , R y R es farragosa. En su
lugar analizaremos directamente el circuito del apartado anterior. La siguiente figura lo muestra
de nuevo con las variables que usaremos para su análisis.
R2 v R2 R1
i1 + i2 + i3 i1 + −
v−
vo +
− i2 + i3 RG
R2 i2 R1

v
+ −
R2 v+
i3
Calculando v por las dos ramas a masa e igualando los valores, obtenemos
R2 i3 = (R1 + R2 )i2 ,

R1
i3 = 1 + i2 , (6.4)
R2
y
R1
i2 + i3 = 2+ i2 . (6.5)
R2
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensión de valor vo y
las tres resistencias superiores y usando (6.5), obtenemos
vo = R2 (i1 + i2 + i3 ) + (R1 + R2 )i1 = (R1 + 2R2 )i1 + R2 (i2 + i3 )

= (R1 + 2R2 )i1 + (R1 + 2R2 )i2 . (6.6)
Calculando v por dos caminos a masa distintos apropiados e igualando los valores, obtenemos
(R1 + R2 )i1 = RG (i2 + i3 ) + (R1 + R2 )i2 ,
(R1 + R2 )i1 = (R1 + R2 + RG )i2 + RG i3 ,

y, usando (6.4),
R1 RG
(R1 + R2 )i1 = R1 + R2 + 2RG + i2 ,
R2
179
R1 + R2
i2 = i1 . (6.7)
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
Sustituyendo (6.7) en (6.6), obtenemos
(R1 + R2 )(R1 + 2R2 )

vo = (R1 + 2R2 )i1 + i1
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
(R1 + 2R2 )(2R1 + 2R2 + 2RG + R1 RG /R2
= i1
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
= i1 ,
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
e
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
i1 = vo . (6.8)
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
Utilizando (6.7), obtenemos
R1 + R2
i2 = vo . (6.9)
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
La tensión v+ resulta valer, usando (6.9),
R12 + R1 R2
v+ = R1 i2 = vo .
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
La tensión v− resulta valer, usando (6.8),
R12 + R1 R2 + 2R1 RG + R12 RG /R2

v− = R1 i1 = vo .
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
Finalmente,
2R1 RG + R12 RG /R2

vd = v+ − v− = − vo ,
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
dando
2R1 RG + R12 RG /R2
β= . (6.10)
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
3) Para demostrar que vo = γ(v1 − v2 ), basta demostrar que con v1 = v2 = v, vo = 0. Es

fácil comprobar que vo = 0 es consistente con v1 = v2 = v y con v+ = v− . En efecto, con
vo = 0, el camino que incluye la resistencia de valor R1 superior y las resistencia de valor R2
superiores y el camino que incluye la resistencia de valor R1 inferior y las resistencias de valor
R2 inferiores son idénticos (la corriente por la resistencia de valor RG es 0 por ver los extremos
de dicha resistencia la misma tensión) y tenemos v+ = v− .
4) Para calcular γ basta hacer v2 = 0 y encontrar la relación entre v1 y vo , que debe ser de la
forma vo = γv1 . Con v2 = 0, obtenemos el circuito, donde vc es la tensión común a las dos
entradas del amplificador operacional

R1 R2 v2 R2
i2 iG RG i2 − iG
−
vc vo
+
i1
v1
+ R1 R2
v1 − R2
i1 + iG
La ley de Ohm aplicada a las resistencias de valor R1 da

v1 − vc
i1 = (6.11)
R1
y
−vc
i2 = . (6.12)
R1
Calculemos v1 en función de v1 y vc :

R2 R2 R2 R2
v1 = vc − R2 i1 = vc − v1 + vc = 1+ vc − v1 . (6.13)
R1 R1 R1 R1
De modo similar,
R2
v2 = vc − R2 i2 = 1+ vc . (6.14)
R1
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor RG , obtenemos
v2 − v1 R2
iG = = v1 . (6.15)
RG R1 RG
Para determinar vc en función de v1 , aplicamos la ley de Ohm a la resistencia de valor R2 inferior
conectada a masa. Obtenemos, usando (6.11) y (6.15),

R2 R22 R2 R2 R2
v1 = R2 (i1 + iG ) = R2 i1 + R2 iG = (v1 − vc ) + v1 = 1+ v1 − vc .
R1 R1 RG R1 RG R1
Igualando con la expresión para v1 dada por (6.13), obtenemos

R2 R2 R2 R2 R2
1+ v1 − vc = 1 + vc − v1 ,
R1 RG R1 R1 R1

2R2 R2 R2
1+ vc = 2+ v1 ,
R1 R1 RG
(R2 /R1 )(2 + R2 /RG )
vc = v1 . (6.16)
1 + 2R2 /R1
181
Utilizando dicho valor en (6.14), obtenemos

1 + R2 /R1 R2 R2 (R1 + R2 )R2 (R2 + 2RG )
v2 = 2+ v1 = v1 . (6.17)
1 + 2R2 /R1 R1 RG R1 (R1 + 2R2 )RG
Usando (6.16) en 6.12), obtenemos
(R2 /R1 )(2 + R2 /RG ) R2 (R2 + 2RG )

i2 = − v1 = − v1 . (6.18)
R1 (1 + 2R2 /R1 ) R1 (R1 + 2R2 )RG
Finalmente, usando (6.15), (6.17) y (6.18),
vo = v2 − R2 (i2 − iG )
(R1 + R2 )R2 (R2 + 2RG ) R22 (R2 + 2RG ) R22
= v1 + v1 + v1
R1 (R1 + 2R2 )RG R1 (R1 + 2R2 )RG R1 RG
(R1 + R2 )R2 (R2 + 2RG ) + R22 (R2 + 2RG ) + R22 (R1 + 2R2 )
= v1
R1 (R1 + 2R2 )RG
2R1 R22 + 2R1 R2 RG + 4R23 + 4R22 RG
= v1
R1 (R1 + 2R2 )RG
(R1 + 2R2 )(2R22 + 2R2 RG )
= v1
R1 (R1 + 2R2 )RG

2R22 + 2R2 RG 2R2 (R2 + RG ) R2 R2
= v1 = v1 = 2 1+ v1 ,
R1 RG R1 RG R1 RG
de donde
R2 R2
γ=2 1+ .
R1 RG
5) El diagrama de bloques tiene la siguiente forma, donde A es la ganancia de tensión diferencial

del amplificador operacional.
v1 + −
+
Σ α Σ A vo
v2 −
El valor de β fue determinado en el apartado 2). Falta determinar el valor de α. Es fácil. Basta
considerar que, de acuerdo con el diagrama de bloques, para A → ∞, vo = (α/β)(v1 − v2 ). Ello
da γ = α/β y

2R1 RG + R12 RG /R2 R2 R2
α = βγ = 2 1+
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2 R1 RG
(2R12 RG + 4R1 R2 RG )(R2 + RG )
=
2R13 RG + 6R12 R2 RG + 4R12 RG
2 + 4R R2 R + 4R R R2 + R3 R2 /R
1 2 G 1 2 G 1 G 2
2R12 R2 RG + 2R12 RG2 + 4R R2 R + 4R R R2
1 2 G 1 2 G
= 2 + R3 R2 /R .
2R13 RG + 6R1 R2 RG + 4R1 RG + 4R1 R22 RG + 4R1 R2 RG
2 2 2
1 G 2
6) Con respecto al amplificador diferencial básico, el circuito analizado tiene la ventaja de que
la ganancia de tensión diferencial puede ser ajustada actuando solamente sobre una resistencia
(la de valor RG ). Con respecto al amplificador de instrumentación, el circuito analizado tiene el
inconveniente de que las corrientes por las entradas no son, en general, nulas. Dependiendo de
la aplicación, éste último inconveniente puede no ser grave. Por ejemplo, si v1 y v2 son las ten-
siones dadas por dos fuentes de señal con idéntica resistencia de salida RS , el circuito analizado
amplificará la diferencia de las tensiones que proporcionarían las dos fuentes de señal en vacío
con una ganancia dada por la expresión para γ obtenida en el apartado 4), con R1 sustituido por
R1 + RS , es decir
R2 R2
2 1+ .
R1 + RS RG
En ese caso, el circuito analizado es una alternativa atractiva, por su mayor sencillez, al amplifi-
cador de instrumentación.

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Problemas Resueltos de

Barcelona, Diciembre 2007

En la resolución numérica de los problemas de física de semiconductores intervienen constantes

donde B = 1,744 × 1033 cm−6 o K−3 , Eg = 1,210 eV es la anchura de la banda prohibida

Se recuerda que la temperatura absoluta en o K, T , y la temperatura t en o C están relacionadas de

Problemas de física de semiconductores

Problema 1: Se tiene un semiconductor extrínseco de silicio uniformemente dopado con una

n2i = 1,744 × 1033 T 3 e−14.037/T , (1.1)

4,176 × 1016 T21,5 e−7.019/T2 = 1017 .

Dicha ecuación puede ser escrita de la forma f (T2 ) = 0 con

f (T ) = 1017 − 4,176 × 1016 T 1,5 e−7.019/T .

ξCu = nCu mCu .

Analicemos, a continuación, la barra de silicio dopada. Dado que ND ni (ni = 8,388 ×

El campo eléctrico vale

Problema 3: Determine el valor en función de la temperatura absoluta T de la resistencia R

n2i = BT 3 e−Eg /(kT ) ,

La movilidad de los electrones vale

con µpo = 500 cm2 V−1 s−1 . La conductividad vale

σ = qnµn + qpµp = q(nµn + pµp ) .

Usando las expresiones para n, p, µn y µp , obtenemos

Sustituyendo, obtenemos para σ en Ω−1 cm−1 la expresión

T (o K) (ni /ND )2 σ (Ω−1 cm−1 ) R (Ω)

Problema 4: Se desea medir la temperatura usando el puente de Wheastone de la figura que

Solución: 1) Sea RNTC el valor de la resistencia NTC. La tensión diferencial vd vale, en V,

σ = qµp p + qµn n = q(µp + µn )ni

Usando los valores de R1 y RNTC en (1.5) e imponiendo vd = 1 V, obtenemos

(R2 + 467,7)(R2 + 3.899) = 10R2 (R2 + 3.899 − R2 − 467,7) ,

R22 + 4,367R2 + 1,824 × 106 = 3,431 × 104 R2 ,

2,988 × 104 2,988 × 104

t (o C) T (o K) RNTC (Ω) vd (mV)

Calculando los incrementos en vd correspondientes a valores sucesivos de temperaturas, vemos

Problema 5: Se desea medir la temperatura usando el puente de Wheastone de la figura que

Solución: 1) Comprobemos primero que, para el rango de temperaturas en que se va a usar el

Así pues, R2 = 2.267 Ω.

Usando los valores de R2 y RPTC en (1.6) e imponiendo vd = 0,1 V, obtenemos

Finalmente, sustituyendo R1 y R2 por sus valores en (1.6), obtenemos, con vd en V,

t (o C) T (o K) RNTC (Ω) vd (mV)

Calculando los incrementos en vd correspondientes a valores sucesivos de temperaturas, vemos

cuya solución genérica tiene la forma

∆p(x) = Ae−x/Lp + Bex/Lp .

dp d∆p A −x/Lp B x/Lp

E imponiendo dp/dx = 0 para x = L obtenemos

En el caso b), x L, 2L − x x, y e−2L/Lp ex/Lp = e−(2L−x)/Lp e−x/Lp , obteniéndose

de la barra. La concentración de huecos es muy inferior a la concentración de electrones libres.

Problema 8: En el modelo unión abrupta de la región de vaciamiento de un diodo se supone

p de la región de vaciamiento sea igual a la carga positiva en la zona n de la región de va-

Determinemos, a continuación, V . Obtenemos

y, usando xn = (NA /ND )xp ,

Despejando xp en (1.8), obtenemos

y, usando xn = (NA /ND )xP ,

Finalmente, combinando (1.7) y (1.9),

Usando (1.10), obtenemos

Finalmente, usando (1.11),

Problema 9: Se construye un sensor de temperatura conectando en serie 8 diodos de silicio

Solución: 1) Empezaremos determinando el valor de la corriente inversa de saturación de los

donde Dp es la constante de difusión de huecos en la zona n, Lp es la longitud de difusión

Sustituyendo valores, con IS en A, tiempos en s y longitudes en cm, obtenemos

Calculemos IS para una temperatura de 100 o C. Obtenemos

T = 100 + 273,15 = 373,15 o K .

Para que v = 5 V, I deberá valer

2) El potencial equivalente de temperatura, VT , en V vale en función de T

Despejando v de (1.13), obtenemos, con v en V e IS en A,

Dicha expresión combinada con (1.12) da v en V en función de T . La siguiente tabla da T , IS y

dpn Aqpno Dp VAK /VT