Podstawy Technologii Komputerowych

dr inż. Krzysztof MURAWSKI

mgr inż. Józef TURCZYN
Tel.: 6837752, E-mail: k.murawski@ita.wat.edu.pl

8
Podstawowe własności
półprzewodników

9
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Podstawowe właściwości półprzewodników
ρ [Ωim]
T = 300 K
o
rezystywność,
opór właściwy
Dielektryki
1020
(nieprzewodniki)
Teflon
1015 Mika, Diament
10
Igielit (PCW)
10
Ceramika
Bakelit
105
Półprzewodniki GaAs, Si
1 Ge
InSb
10
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
Podstawowe właściwości półprzewodników
ρ rezystywność,
[Ωim] opór właściwy
Przewodniki 10 −5 Grafit
Fe, Sn, Ag, Cu, Au
10−10 Al (TC = 1K ) Niskotemper.
Pb (TC = 7 K )
Nadprzewodniki 10−21 2∆ ~ 1meV
NbTi (TC = 9 K )
przy T < TC : R ≈ 0 Nb3Ge (TC = 23K )
TC − temperatura krytyczna w[ K] Wysokotemper.
YBa2Cu3O7 (TC = 92 K )
Bi2 Ca2 Sr2Cu3O10 (TC = 110 K ) 2∆ ~ kilka
meV
Tl2Ca2 Ba2 Cu3O10 (TC = 125 K )
11
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Model pasmowy ciała stałego

Pasmo przewodnictwa N poziomów 0 elektronów

-X X
Pasmo podstawowe N poziomów 2N elektronów

Pasma
dozwolone
Pasma
zabronione

12
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Model pasmowy - dielektryk

Pasmo
przewodnictwa
Pasmo zabronione ∆W > 2eV

WF
Pasmo walencyjne
13
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Model pasmowy - przewodnik

Pasmo
przewodnictwa WF

Pasmo zabronione

Pasmo walencyjne

14
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Model pasmowy - nadprzewodnik

Pasmo przewodnictwa

WF ∆
Pasmo zabronione 2∆
∆

Pasmo walencyjne
15
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Model pasmowy - nadprzewodnik

Al (TC = 1K ) Niskotemperaturowe
Pb (TC = 7 K ) −3
2∆ ~ 1meV = 10 eV
NbTi (TC = 9 K )
Nb3Ge (TC = 23K )

YBa2Cu3O7 (TC = 92 K ) Wysokotemperaturowe

Bi2 Ca2 Sr2 Cu3O10 (TC = 110 K ) 2∆ ~ kilka meV
Tl2 Ca2 Ba2 Cu3O10 (TC = 125 K ) 2∆ = 3.5 K BTC

16
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Model pasmowy - półprzewodnik

Pasmo
przewodnictwa WF

Pasmo zabronione ∆W ≤ 2eV

Pasmo walencyjne
17
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Półprzewodnik samoistny
W
Pasmo
Si
+ Si − Si
przewodnictwa
Si Si
WC
+
−
Si Si Si n≈ p
Si Si WV

Si Si Si
Pasmo walencyjne
(podstawowe)
n - Koncentracja elektronów (liczba elektr. w 1 cm3 półprzewodnika)
p - Koncentracja dziur (liczba dziur w 1 cm3 półprzewodnika)
dla Si: n ≈ p = ni = 1010cm-3 – koncentracja samoistna
n * p = ni2 – prawo koncentracji nośników 18
© K. MURAWSKI, J. TURCZYN
 Półprzewodnik donorowy – typu N
W

− Pasmo
Si Si Si
przewodnictwa
Si Si
WC
Si P Si WD
n p
Si Si WV

Si Si Si
Pasmo walencyjne
(podstawowe)
Donor
n - Koncentracja elektronów (liczba elektr. w 1 cm3 półprzewodnika)
p - Koncentracja dziur (liczba dziur w 1 cm3 półprzewodnika)
dla Si: n >> p; n = 1015cm-3 – koncentracja elektronów
19
 Półprzewodnik akceptorowy – typu P
W

+ Pasmo
Si Si Si
przewodnictwa
Si
− Si
WC
Si B Si n p
WA
Si Si WV

Si Si Si Pasmo walencyjne
Akceptor (podstawowe)
n - Koncentracja elektronów (liczba elektr. w 1 cm3 półprzewodnika)
p - Koncentracja dziur (liczba dziur w 1 cm3 półprzewodnika) 20