Mikroskop ze zogniskowana wizk jonw (Ion Beam Focused) umoliwia obserwacje badanego materiau w skali atomowej.

Urzdzenie skanuje powierzchnie prbki skupin wizk jonw, a generowany obraz powstaje diki wykryciu jonw wtrnychMikroskop FIB urzdze ma podobn struktur i funkcje, jak mikroskopy elektronowe. Zacznijmy od wprowadzenia zasad mikroskopw skanowania. Nastpnie przedstawimy cechy skoncentrowane wizki jonw urzdze, koncentrujc si na gwnych rnic midzy skaningowego mikroskopu i urzdze skupia wizki jonw. Przegld mikroskopu skaningowego wiato generowane ze rdo wiata przeksztaca si w wizk w procesie skroplenia przez otwr obiektywu i skraplacz (CL). Nastpnie ustawiana jest ostroc na powierzchni prbki za pomoc obiektywu (OL).

Rysunek 1 - schemat ideowy Promie, ktry skrapla si i koncentruje na powierzchni prbki skanuje powierzchnie tej prbki za pomoc deflektora. Nastpnie detektor wykrywa drugi sygna, ktry jest generowany przez powierzchni prbki dziki radioterapii. Dane odpowiadajce wtrnemu sygnaowi s zapisane w pamici korespondujcej z wsprzdnymi umiejscowienia wizki. Wywietlajc dane zapisane w pamici na monitorze komputera, moemy obserwowa obraz mikroskopowy powierzchni napromieniowanej.

Rysunek 2 - skaningowego mikroskopu Mikroskopu i urzdze Focused wizki jonw rdo wiata Na urzdzenie koncentruje wizki jonw, wytwarzanie rdem wiata jest znana jako rdo wiata, gdy za pomoc mikroskopu optycznego. To jest dalej dziao elektronowe na mikroskopu skaningowego i pistoletu jonw lub rdem jonw na specjalny urzdzenie wizki jonw. Pole elektryczne jest stosowana midzy ostre, metalowe kocwki elektrody i cignicie i Naadowane czstki s wycigane. Naadowana czstka jest przyspieszany przy napiciu zasilania od przyspieszenia i zderza si z prbki. W przypadku jonw, ostre metalowe kocwki dostarczany jest z ciekego metalicznego galu i promieniuje przy uyciu energii z pola elektrycznego. Oglnie rzecz biorc, okoo +5 do +30 kV kV przyspieszenie jest uywany. Im wysze napicie przyspieszania, drobniejsze moemy skupi wizk.Jednak take zwiksza uszkodzenia prbki i na podstawie dowiadczenia, 30kV jest uywany powszechnie do przetwarzania obserwacji.

Rys. 3. rdo jonw schemat ideowy System optyki Naadowane czstki wytwarzane przez rdo wiata s skrcone przy pomocy pola magnetycznego lub pola elektrycznego, a nastpnie zeskanowane i koncentruje si na powierzchni prbki. Mikroskopy elektronowe s zazwyczaj kontrolowane za pomoc pola magnetycznego wytwarzanego przez elektromagnes. Obecny ukad sterowania elektromagnesu nie jest atwo

wpyw haasu zewntrznego i poniewa nie ma potrzeby tworzenia elektromagnes w prni, wysoka wydajno mona osign przy stosunkowo niskich kosztach. Z drugiej strony, skupione wizki jonw nie s sterowane za pomoc pola magnetycznego. W polu magnetycznym, cieka jest zmieniony przez mas czstki naadowane. Pole elektryczne jest uywany z wizki jonw, a jony rnych masy s obecne, poniewa izotopw, wic nie mog by skrcone przy uyciu pola magnetycznego. Uywajc pola elektrycznego, musi wraeniem wysokiego napicia na elektrodzie umieszczony w prni i musimy upewni si, e nie odprowadzaj, gdy jest pod wraeniem wysokiego napicia. Rwnie napicia obwodu atwiej jest naraonych na haas ni obwodu wic rozwizanie haasu jest konieczne. A wydajno jest okrelana przez elektrody mechanicznego pozycjonowania. Seiko Instruments zaja si tymi kwestiami w celu dostosowania urzdze skoncentrowane wizki jonw do rynku. Wizka elektronw i zogniskowana wizka jonw Prbki s napromieniowane wizkami elektronw w mikroskopach skaningowych, a wizki jonw galu s napromieniowane w urzdzeniach wykorzystujcych wizki jonw. Gdy wizki elektronw s napromieniowane na powierzchni prbki powstaja jony wtrne. Dzieje si tak wtedy, gdy elektrony wzbudzone przez energi napromieniowanych elektronw wypadaj z ich trajektorii. Ponadto, kiedy napicie przyspieszenia wizek elektronw wzrasta, rne typy promieniowania rentgenowskiego s generowane w zalenoci od uytego materiau. Ilo wygenerowanych jonw wtrnych jest zalena od ksztatu i materiau powierzchni. Dziki dwuwymiarowemu rozoeniu wygenerowanej iloci, moe by obserwowany mikroskopowy obraz powierzchni prbki. Analizujc rozmieszczenie(widmo) dugoci fali danego typu promienia rentgenowskiego, atomy tworzce powierzchni prbki mog zosta zidentyfikowane. Ponadto dzieki dwuwymiarowemu rozmieszczeniu, rozmieszczenie materiau moe by obserwowane.

Rysunek 4 - napromieniowanie wizk elektronw

Kiedy wizka jonw pada na powierzchni prbki, wtrne elektrony s generowane. Ponadto, poniewa jony galu s znacznie cisze od elektronw, ma miejsce zjawisko rozpylania, gdzie atomy tworzce prbk s wypychane. Wypchnite atomy opuszczaj prbk jako jony wtrne. Podobnie jak w przypadku wizek elektronw, dziki dwuwymiarowemu rozmieszczeniu elektronw wtrnych, obraz mikroskopowy powierzchni prbki moe by obserwowany. Ponadto, poprzez wykrywanie jonw wtrnych przez detektor i dwuwymiarowe rozmieszczenie, obraz mikroskopowy powierzchni prbki moe by obserwowany.

Rysunek 5 Nawietlenie wizk jonw

Rysunek 6 -Porwnanie obrazu elektronw wtrnych Stosunek pomidzy rozdzielczoci przestrzenn a zalenoci materiau od wtrnego sygnau jest zazwyczaj jak pokazano poniej.

Rysunek 7 - Charakterystyka Porwnanie Przetwarzanie z zogniskowanej wizki jonw W odrnieniu od funkcji wizek elektronw, prbki mog by przetwarzane z promieniowania wizki jonw. Akwaforta Wczeniej przedstawi zjawisko rozpylania powstaych w wyniku napromieniowania wizk jonw. Poprzez zwikszenie iloci jonw, ktre zwikszyyby pylistych kwota atom, akwaforta mog by wykonywane na powierzchni prbki. przetwarzania Maskless, ktre selektywnie trawi tylko czci, w ktrych wizki jonw jest napromieniowane, jest moliwe. Dziki tej technice wytrawiania mog by wykonywane na wczeniej ustalone miejsca prbki, co umoliwia przetwarzanie obserwacji przekroju prbki TEM i przetwarzania stworzenia, ktre usuwa zadanej prbki w plasterki.

Rysunek 8 - 64M-DRAM obserwacji Processing Przekrj

Rysunek 9 - Wykonanie prbki TEM Ponadto, przez rozpylanie zwizku gazu na powierzchni prbki wizk jonw w pobliu

obszaru napromieniania, osadzania mog by wykonywane lokalnie. Schemat koncepcyjny osadzania wizki pomoc pokazano na rysunku 10. Elektronw wtrnych s generowane podczas pierwotnej jony s napromieniowane. Szkoa jonw przyczynienia si do rozwizania zwizku gaz i zwizek rozpada si na gaz i czci staych. Cz gazu ewakuowanych w prni, lecz sta cz gromadzi si na powierzchni prbki. Z tego, maskless osadzania mona wykona wybirczo na obszarach wizki jonw napromieniania. Na Seiko Instruments, w celu skutecznego dostarczania zwizku gazu, skadnik osadzania, sprawnie, mamy opracowane i wyprodukowane zwizku urzdzenia dostaw gazu. (JP1, 866266) W serii SIM, nastpujce produkty osadzania s dostpne:

Wgiel C Tungsten W Platinum Pt SIOX tlenku krzemu

Osadzanie mog by rwnie wykonywane z napromieniowaniem podobnie wizki elektronw. Seiko Instruments oferuje elektronowe pomoc osadzania jako dodatkowe zajcia dla SEM. Jednake, podczas gdy osadzania wizki elektronw moe regulowa uszkodzenia prbki, poniewa nie ma efektu rozpylania z radioterapi, szybko powstawania filmu osadzania lub szybko osadzania, wydaje si by niska. Mamy nadziej, e bdziecie Pastwo osadzania tych parametrw w pamici.

Rysunek 10 - Beam Assisted Deposition-schemat ideowy Rysunek 11 pokazuje przykady listw i trjwymiarowego ciany utworzone z osadw wgla.

Rysunek 11 - Przykady osadzanie wgla