1

Diody Pprzewodnikowe

MPolowczyk_Diody prostownicze 2

Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

Krzemowe diody w obudowach

diody duej mocy

diody maej mocy

MPolowczyk_Diody prostownicze 3

Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

Pprzewodnikowe Zcze pn

Zcze pn schematyczny rysunek struktury

Ujemny adunek zjonizowanego atomu domieszki akceptorowej nieruchomy Dodatni adunek dziury - ruchomy Dodatni adunek zjonizowanego atomu domieszki donorowej nieruchomy Ujemny adunek elektronu - ruchomy

Obszary typu p oraz n przed zczeniem.

Obszary typu p oraz n po zczeniu.

rys: za W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

Zcze pn przekrj struktury

rys: W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

Praca wyjcia z pprzewodnika typu p wiksza ni z pprzewodnika 7 typu n : WFp > WFn.
poziom energii prni
J.-P. Colinge, C.A. Colinge, "Physics of Semiconductor Devices", Springer 2002

WFp

WFn
(Powinowactwo elektronowe takie samo dla pprzewodnika typu n oraz typu p.

N EFn Ei k BT ln D n i

N Ei EFp k BT ln A n i

gdzie Ei jest poziomem Fermiego dla pprzewodnika samoistnego.

Utworzenie zcza pn powoduje dyfuzj elektronw z obszaru typu n do 8 obszaru typu p oraz dziur z obszaru typu p do obszaru typu n.

Zcze zwarte zerowe napicie polaryzujce. rednie energie elektronw wyrwnuj si w caej prbce pprzewodnika. Pasma przewodnictwa i walencyjne przesunite zatem w d energii w obszarze typu n wzgldem obszaru typu p. Powstaje wbudowana rnica potencjau bi.

bi =

(EFn Ei ) + (Ei EFp )

q k BT N D N A ln n2 q i

k B T N D k BT N A ln n + q ln n q i i gdzie
VT = k BT q

bi

W temperaturze pokojowej, T = 300 K, VT 25 mV.

W stanie rwnowagi prdy dziur i elektronw s zerowe

Sumy gstoci prdw unoszenia i dyfuzyjnych musz by zerowe oddzielnie dla elektronw i dziur:

Jn = Jdriftn + Jdifn = 0 Jp = Jdriftp + Jdifp = 0

uwaga: strzaki zaznaczaj zwroty strumieni czstek, a nie prdw.

Polaryzacja obszaru typu p dodatnio wzgldem obszaru typu n w kierunku przewodzenia powoduje zmniejszenie bariery potencjau b 10 w zczu pn

Zmniejszona bariera potencjau b powoduje: zwikszenie gstoci prdw dyfuzji elektronw Jdifn oraz dziur Jdifp; zmniejszenie gstoci prdw unoszenia elektronw Jdriftn oraz dziur Jdriftp. Przewaaj prdy dyfuzyjne. Przez diod pynie duy prd przewodzenia, o zwrocie takim jak Jdifp, czyli od obszaru typu p do obszaru typu n. uwaga: strzaki zaznaczaj zwrot strumieni czstek, a nie prdw.

Polaryzacja obszaru typu p ujemnie wzgldem obszaru typu n w kierunku zaporowym powoduje zwikszenie bariery potencjau b w zczu pn

11

Zwikszona bariera potencjau b powoduje: znaczne zmniejszenie gstoci prdw dyfuzji elektronw Jdifn oraz dziur Jdifp; zmniejszenie gstoci prdw unoszenia elektronw Jdriftn oraz dziur Jdriftp. Przewaaj prdy unoszenia (dryftu). S one jednak niewielkie, bo w obszarze typu n jest mao dziur, a w obszarze typu p - mao elektronw. Przez diod pynie may prd wsteczny, o zwrocie takim jak Jdriftp, czyli od obszaru typu n do obszaru typu p. uwaga: strzaki zaznaczaj zwroty strumieni czstek, a nie prdw.

Pogldowe charakterystyki prdowo-napiciowe zcza pn

ID

12

+ -

VD

Rozkady elektronw i dziur w warstwie oprnionej (przejciowej) zcza pn - pogldowo

13

rys: W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

Pojemno warstwy oprnionej zcza pn - pojemno zczowa (pojemno barierowa)

(x) bi+V

14

rys: W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

bi

Szeroko warstwy oprnionej ld zaley od napicia przyoonego do zcza

ld =

2 Si 0 N D + N A ( bi V ) q ND N A

Zmianie szerokoci warstwy oprnionej ld odpowiada zmiana nieskompensowanego adunku donorw po stronie n oraz rwna mu co do bezwzgldnej wartoci adunku akceptorw po stronie p. Mamy wic do czynienia z pojemnoci zczow o wartoci charakterystycznej [F/m2]: C j / AD

Si 0
ld

C j / AD

Si 0
2 Si 0 N D + N A ( bi V ) q ND N A

gdzie AD jest polem powierzchni zcza

Pojemno zczowa, zwaszcza przy zaporowej polaryzacji zcza, 15 moe by wykorzystywana w ukadach jako pojemno strojona napiciem

C j (V )

C j0 V 1 bi
m

m = 1/2 - dla zcz o skokowym rozkadzie domieszek, m = 1/3 - dla zcz o liniowym rozkadzie domieszek.

Diody przeznaczone do wykorzystania jako strojone napiciem pojemnoci zwane s diodami pojemnociowymi lub waraktorami.

Pojemno zwizana z adunkami nonikw nadmiarowych w obszarach quasineutralnych - pojemno dyfuzyjna

16

rys: U.Mishra, J.Singh, Semiconductor Device Physics and Design, Springer 2007

adunki nonikw mniejszociowych zgromadzonych w pojemnoci dyfuzyjnej. Przy polaryzacji zcza w kierunku przewodzenia zjawisko dyfuzji nonikw powoduje wstrzykiwanie mniejszociowych dziur z obszaru typu p do obszaru typu n. Z obszaru typu n do obszaru typu p wstrzykiwane s elektrony mniejszociowe. adunki wstrzyknitych nonikw mniejszociowych wykadniczo zale od napicia przyoonego do zcza. Zaleno adunku nonikw mniejszociowych od napicia oznacza istnienie dodatkowej pojemnoci pojemnoci dyfuzyjnej.

pn IV - 1

Prd pyncy przez zcze pn w funkcji napicia

Gsto prdu cakowitego J pozostaje staa:

17

Polaryzacja zcza w kierunku przewodzenia, V > 0 V.

rys: W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

J = Jn + J p

qV 1 J J s exp k BT
gdzie gsto prdu nasycenia Js w najprostszym przypadku zcza skokowego:

Otrzymujemy - wykadniczo znikajce w funkcji x rozkady koncentracji nonikw mniejszociowych, oraz wykadniczo znikajce w funkcji x rozkady gstoci prdw elektronowego i dziurowego.

1 J s qni2 NA

Dn

1 ND

Dp

pn IV - 2

Prd pyncy przez zcze pn w funkcji napicia

18

Zjawisko rekombinacji nadmiarowych dziur i elektronw wstrzyknitych do obszarw quasineutralnych powoduje, e noniki wstrzykiwane s cay czas. Przy polaryzacji w kierunku przewodzenia pynie wic prd stay.
Polaryzacja zcza w kierunku przewodzenia, V > 0 V. Gsto prdu cakowitego J pozostaje staa:

J = Jn + J p

qV 1 J J s exp k BT
qV J J s exp k T B
gdzie gsto prdu nasycenia Js w najprostszym przypadku zcza skokowego:

J Js
Polaryzacja zcza w kierunku zaporowym, V < 0 V.

1 J s qni2 NA

Dn

1 ND

Dp

19

qV I I s exp k T 1 B
Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

20

n p

Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

Dokadniejsze charakterystyki mona uzyska uwzgldniajc wpyw 21 dodatkowych zjawisk

rys: W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

Prdy wsteczne diod przy polaryzacji zaporowej

W zczu idealnym przy polaryzacji zaporowej (wstecznej)

22

qV 1 J J s exp k BT

I I s

W diodach z pprzewodnikw o wikszych szerokociach przerwy energetycznej Eg zwykle gstoci prdw generacji s o kilka rzdw wielkoci wiksze od Js .

Prd nasycenia zwykle dominuje w diodach germanowych, poniewa Ge ma ma warto Eg .

rys: W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

Rzeczywiste charakterystyki diod przy polaryzacji w kierunku przewodzenia

W zakresie duych prdw zachodzi n = p oraz naley uwzgldni rezystancje szeregowe rs.

23

W zczu rzeczywistym przy polaryzacji w kierunku przewodzenia ( V > 0)

q(V I r ) I Ddc I s exp Ddc Ddc s 1 nideal k BT qVDdc I Ddc I s exp n k T ideal B

W zakresie maych prdw naley uwzgldni rekombinacj nonikw w warstwie oprnionej.

rys: W. Marciniak, Przyrzdy pprzewodnikowe i ukady scalone, WNT 1979

wplyw T na przewodzenie zlacza pn -1

24

V 2 mV/K dT
qV J J s exp k T B
Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

Eg J s ni2 exp k T B

Wpyw temperatury na przewodzenie zcza pn

25

Polaryzacja w kierunku przewodzenia V>0

Polaryzacja w kierunku zaporowym V<0

M.Polowczyk, E.Klugmann, Przyrzdy Pprzewodnikowe", Wyd.PG, 2001

diody prostownicze - 1

26

Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

D-Newton 1

Wyznaczanie punktu pracy diody metod Newtona - przyblione rozwizywanie ukadu nieliniowych rwna

27

Rwnanie charakterystyki statycznej diody:

qVDdc I Ddc I s exp 1 nideal k BT

Niech IS = 10-12 A, nideal =1 oraz T=300 K, czyli

VT k BT 25 mV q

Z rwnania oczkowego otrzymujemy prost obcienia drugie rwnanie.

ID =

Vin VD R

D-Newton 2

Wyznaczanie punktu pracy diody metod Newtona - przyblione rozwizywanie ukadu nieliniowych rwna
qVDdc I Ddc I s exp 1 nideal k BT

28

ID =

Vin VD R

Przyblienie zerowe

Zgrubnie przybliamy prd diody: V I D 0 = in R Z rwnania diody wyznaczamy zerowe przyblienie napicia diody:
VD 0 nideal k BT I D 0 + I s ln I q s

Prosta obcienia

W naszym przypadku:
VD0 = 612 mV, ID0 = 20 mA

D-Newton 3

Wyznaczanie punktu pracy diody metod Newtona - przyblione rozwizywanie ukadu nieliniowych rwna
qVDdc I Ddc I s exp 1 nideal k BT

29

ID =

Vin VD R

W punkcie odpowiadajcym przyblieniu zerowemu aproksymujemy charakterystyk diody styczn do niej lini prost dI I D I D0 + D (VD VD 0 ) dVD V , I
D0 D0

Prosta obcienia

W naszym przypadku:
VD0 = 612 mV, ID0 = 20 mA

D-Newton 4

Wyznaczanie punktu pracy diody metod Newtona - przyblione rozwizywanie ukadu nieliniowych rwna
I D I D0 + dI D dVD (VD VD 0 )
VD 0 , I D 0

30

Rozwizujemy ukad rwna liniowych: przyblionej charakterystyki diody i rwnania prostej obcienia. Otrzyman warto ID1 traktujemy jako nastpne, czyli pierwsze przyblienie ID .

ID =

Vin VD R

Prosta obcienia W naszym przypadku:

VD0 = 612 mV, ID0 = 20 mA ID1 = 19,4 mA

D-Newton 5

Wyznaczanie punktu pracy diody metod Newtona - przyblione rozwizywanie ukadu nieliniowych rwna
I D I D0 + dI D dVD (VD VD 0 )
VD 0 , I D 0

31

ID =

Vin VD R

Z rwnania diody wyznaczamy przyblienie napicia diody. Otrzyman warto traktujemy jako nastpne, czyli pierwsze przyblienie VD1 .

VD1

nideal k BT I D1 + I s ln I q s

Prosta obcienia W naszym przypadku:

VD0 = 612 mV, ID0 = 20 mA ID1 = 19,4 mA, VD1 = 611 mV

D-Newton 6

Wyznaczanie punktu pracy diody metod Newtona - przyblione rozwizywanie ukadu nieliniowych rwna

32

Kontynuujemy przybliajc charakterystyk diody prost styczn w punkcie VD1 , ID1 . Rozwizujemy odpowiedni ukad rwna liniowych otrzymujc ID2. Wyznaczamy z ch. diody VD2 ..... Zatrzymujemy ten proces gdy uznamy, e wystarczajco dokadnie obliczylimy VDn IDn . Na przykad - gdy VDn-VDn-1 < 10-6 V.

W naszym przypadku:
VD0 = 612 mV, ID0 = 20 mA ID1 = 19,4 mA, VD1 = 611 mV

Uwaga: napicie przewodzenia diody krzemowej jest zwykle bliskie 0,6 V

Dioda w ukadzie prostownika praca z duym sygnaem

Dioda krzemowa o napiciu przebicia wikszym od 20 V i znanej charakterystyce pracuje w ukadzie prostownika jak na rysunku. Naszkicowa przebiegi prdu diody Id(t) oraz napicia na diodzie Vd(t).

33

(Dla niewielkich czstotliwoci, gdy mona zaniedba pojemnoci diody)

Prdowo-napiciowa charakterystyka statyczna diody Rwnanie oczkowe

e = id (t ) R + vd (t )
czyli

id =

e(t ) vd (t ) R

suszne jest w kadej chwili. To rwnanie przedstawia prost obcienia.

Dioda w ukadzie prostownika praca z duym sygnaem

Dioda krzemowa o napiciu przebicia wikszym od 20 V i znanej charakterystyce pracuje w ukadzie prostownika jak na rysunku. Naszkicowa przebiegi prdu diody Id(t) oraz napicia na diodzie Vd(t).

34

Prosta obcienia:

id =

e vd R v id = d R

dla t = 0 e(t) = 20 V sin(t) = 0

charakterystyka diody

punkt przecicia, rozwizanie dla t = 0

Dioda w ukadzie prostownika praca z duym sygnaem

Dioda krzemowa o napiciu przebicia wikszym od 20 V i znanej charakterystyce pracuje w ukadzie prostownika jak na rysunku. Naszkicowa przebiegi prdu diody Id(t) oraz napicia na diodzie Vd(t).

35

dla t = /2 e(t) = 20 V sin(t) = 20 V

charakterystyka diody punkt przecicia, rozwizanie dla t = /2 Prosta obcienia: vdmax 20 V

20 V / R idmax

e vd R 20V vd id = R id =

Dioda w ukadzie prostownika praca z duym sygnaem

Dioda krzemowa o napiciu przebicia wikszym od 20 V i znanej charakterystyce pracuje w ukadzie prostownika jak na rysunku. Naszkicowa przebiegi prdu diody Id(t) oraz napicia na diodzie Vd(t).

36

Prosta obcienia:

dla t = 3/2 e(t) = 20 V sin(t) = -20 V

charakterystyka diody id 0 -20 V = vdmin punkt przecicia, rozwizanie dla t = 3/2

e vd R 20V vd id = R id =

Dioda w ukadzie prostownika praca z duym sygnaem

37

Z rwnania oczkowego otrzymujemy prost obcienia.

id =

e(t ) vd (t ) R

Prdowo-napiciowa charakterystyka statyczna diody

Dioda w ukadzie prostownika praca z duym sygnaem

38

Dioda spolaryzowana przewodzco Napicie na krzemowej diodzie pprzewodnikowej w kierunku przewodzenia ok. 0,7 V
Prdowo-napiciowa charakterystyka statyczna diody

Dioda spolaryzowana zaporowo (wstecznie). Prd diody jest niewielki jeli napicie mniejsze od napicia przebicia

diody stabil - 1

39

Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

diody stabil - 2

40

diod stabilizacyjnych

Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

diody stabil - 3

41

Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

Dioda stabilizacyjna w ukadzie stabilizatora napicia

42

Stabilizacyjna dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie prostownika jak na rysunku. Wyznaczy natenie prdu diody ID oraz napicie na diodzie VD.

(Dla niewielkich czstotliwoci, gdy mona zaniedba pojemnoci diody)

Prdowo-napiciowa charakterystyka statyczna przykadowej diody Rwnanie oczkowe

VIN = I D R + VD
czyli

ID =
VD 10V + 9,9V = 10 I D - 10mA + 0mA

VIN VD R

rZ =

To rwnanie przedstawia prost obcienia.

Dioda stabilizacyjna w ukadzie stabilizatora napicia

43

Stabilizacyjna dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie prostownika jak na rysunku. Wyznaczy natenie prdu diody ID oraz napicie na diodzie VD.

(Dla niewielkich czstotliwoci, gdy mona zaniedba pojemnoci diody)

rZ =
Prdowo-napiciowa charakterystyka statyczna przykadowej diody

VD 10 I D

V VD I D = IN R

Prosta obcienia.

punkt przecicia, rozwizanie VD = -10 V, ID = -10 mA.

Dla VIN < VZ0 , przy zmieniajcej si wartoci VIN warto VD pozostaje bliska VZ0. Tak dziaa stabilizator napicia.

Dioda stabilizacyjna w ukadzie stabilizatora napicia

44

Stabilizacyjna dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie prostownika jak na rysunku. Wyznaczy natenie prdu diody ID oraz napicie na diodzie VD.

(Dla niewielkich czstotliwoci, gdy mona zaniedba pojemnoci diody)

rZ =
Prdowo-napiciowa charakterystyka statyczna przykadowej diody

VD 10 I D

Rozwizanie mona otrzyma analitycznie Rwnanie charakterystyki diody dla VIN < VZ0 : V + | VZ 0 | ID D rZ Prosta V VD obcienia. I D = IN

Prosta obcienia. rozwizanie VD = -10 V, ID = -10 mA.

atwy do rozwizania ukad 2 rwna liniowych z dwoma niewiadomymi VD = -10 V, ID = -10 mA.

Dioda stabilizacyjna pobudzona duym sygnaem zmiennym

45

Niech stabilizacyjna dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie jak na rysunku, gdzie e(t) jest rdem napicia zmiennego o duej amplitudzie . Wyznaczy przebiegi natenia prdu diody id(t) oraz napicia na diodzie vd(t). VD 10 rZ = I D

Prdowo-napiciowa charakterystyka statyczna przykadowej diody

Prosta obcienia.

id =

e(t ) vd (t ) R

Praca dynamiczna diody z wielkim sygnaem praca impulsowa

Przy duej amplitudzie sygnau trzeba uywa nieliniowego schematu zastpczego.
qVDdc I Ddc I s exp 1 nideal k BT

46

Cj

Si 0 AD
ld

Cd

1 g D 2

M.Polowczyk, E.Klugmann, Przyrzdy Pprzewodnikowe", Wyd.PG, 2001

Praca impulsowa diody z pobudzeniem napiciowym

47

p n ton czas wczania (prdu diody), potrzebny do przeadowania pojemnoci zczowej i dyfuzyjnej; trr czas wyczania (prdu diody), potrzebny do rozadowania pojemnoci dyfuzyjnej i przeadowania pojemnoci zczowej; tr czas przecigania (napicia w kierunku przewodzenia, lub pki zaporowego prdu), potrzebny do rozadowania gwnie pojemnoci dyfuzyjnej; tf czas opadania (napicia wstecznego diody), potrzebny do przeadowania pojemnoci zczowej; Qrr rnica dla polaryzacji przewodzcej i zaporowej adunkw nonikw zgromadzonych w pojemnoci cakowitej diody (dyfuzyjnej i zczowej) pomniejszona o adunek nonikw, ktre zrekombinoway.

Praca impulsowa diody z pobudzeniem napiciowym lub prdowym 48

M.Polowczyk, E.Klugmann, Przyrzdy Pprzewodnikowe", Wyd.PG, 2001

Praca diody z maym sygnaem zmiennym na tle skadowej staej

IDdc +Id sin(t) vDsin(t) +
I

49

VDdc

+ -

V Ddc +V sin(t) d

IDdc I Najlepiej rozwiza rwnania transportu linearyzowane wok punktu pracy VDdc , IDdc . Zwykle wystarczjc dokadno daje (prostsza) linearyzacja charakterystyki wok punktu pracy VDdc , IDdc . V
0

gD =

I V

VDdc

Dla maych sygnaw niskiej czstotliwoci:

gD =

I Ddc + I s nidealVT
V sin(t) d

I d sin(t) gD

I Ddc Przy polaryzacji w kier. przewodzenia: g D nidealVT

+ -

Vd sin(t)

Praca diody z maym sygnaem zmiennym

Naley te uwzgldni rezystancj szeregow, a dla wyszych czstotliwoci pojemnoci zczow Cj i dyfuzyjn Cd Maosygnaowy schemat zastpczy diody pn . gD

50

gD =
Cj

I Ddc + I s nidealVT
ld
M.Polowczyk, E.Klugmann, Przyrzdy Pprzewodnikowe", Wyd.PG, 2001

Si 0 AD

Cd pojemno dyfuzyjna. Wynika z obecnoci nadmiarowych nonikw mniejszociowych i reprezentuje ich adunek. Istotna tylko przy polaryzacji w kierunku przewodzenia.

Cd

1 g D 2

gdzie jest zwany czasem przelotu nonikw przez diod. W najprostszym przypadku = n = p .

Dioda spolaryzowana w kierunku przewodzenia napiciem staym o 51 duej wartoci i maym sygnaem zmiennym
Dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie jak na rysunku. Wyznaczy skadowe stae i amplitudy skadowych zmiennych napicia na diodzie i jej prdu . Temperatura T = 300 K, a czstotliwo f = /2 jest tak maa, e mona pomin pojemnoci diody.

V1DC / R IDdc

charakterystyka diody punkt pracy diody Prosta obcienia:

I =
VDdc V1DC

V1DC V R

I Ddc =

V1DC VDdc 19,4 mA R

Z dobrym inynierskim przyblieniem przyjmujemy VDdc 0,6 V i obliczamy:

Dioda spolaryzowana w kierunku przewodzenia napiciem staym o 52 duej wartoci i maym sygnaem zmiennym
Dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie jak na rysunku. Wyznaczy skadowe stae i amplitudy skadowych zmiennych napicia na diodzie i jej prdu . Temperatura T = 300 K, a czstotliwo f = /2 jest tak maa, e mona pomin pojemnoci diody.

Charakterystyk diody przybliamy styczn do niej prost w punkcie pracy. Zlinearyzowany w ten sposb przyrzd jest reprezentowany przez przewodno dynamiczn:

Gdy nie znamy wartoci, przybliamy nideal 1. Dla T = 300 K z dobrym przyblieniem VT 25 mV.

gD

I Ddc nidealVT

Otrzymujemy schemat zastpczy dla skadowej zmiennej.

Dioda spolaryzowana w kierunku przewodzenia napiciem staym o 53 duej wartoci i maym sygnaem zmiennym
Dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie jak na rysunku. Wyznaczy skadowe stae i amplitudy skadowych zmiennych napicia na diodzie i jej prdu . Temperatura T = 300 K, a czstotliwo f = /2 jest tak maa, e mona pomin pojemnoci diody.

I 1 19,4 mA = g D Ddc rD nidealVT 25 mV Vd Vdac (t ) rDV2 m rD + R

skadowe zmienne

rDV2 m sin(t ) 1,28 mV sin(t ) rD + R

I dac (t ) = g D Vdac (t )

VD (t ) = VDdc + Vdac (t ) 0,6 V + 1,28 mV sin(t ) I D (t ) = I Ddc + I dac (t ) = 19,4 mA + g D Vdac (t )

Dioda spolaryzowana w kierunku zaporowym napiciem staym o duej wartoci i maym sygnaem zmiennym

54

Dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie jak na rysunku. Wyznaczy skadowe stae i amplitudy skadowych zmiennych napicia na diodzie i jej prdu . Temperatura T = 300 K, a czstotliwo f = /2 jest tak maa, e mona pomin pojemnoci diody.

Rozwizanie staoprdowe mona otrzyma analitycznie Rwnanie charakterystyki diody dla V1DC < VZ0 : V + | VZ 0 | I Ddc Ddc rZ Prosta V VDdc obcienia: I Ddc = 1DC

rZ =

VD 10 I D

Prosta obcienia. Punkt przecicia, rozwizanie staoprdowe VDdc = -10 V, IDdc = -10 mA. Dla V1DC < VZ0 , przy zmieniajcej si wartoci V1DC warto VD pozostaje bliska VZ0. Tak dziaa stabilizator napicia.

Dioda spolaryzowana w kierunku zaporowym napiciem staym o duej wartoci i maym sygnaem zmiennym

55

Dioda krzemowa o znanej charakterystyce pracuje w ukadzie jak na rysunku. Wyznaczy skadowe stae i amplitudy skadowych zmiennych napicia na diodzie i jej prdu . Temperatura T = 300 K, a czstotliwo f = /2 jest tak maa, e mona pomin pojemnoci diody.

rZ =

skadowe zmienne Schemat zastpczy dla obliczenia skadowej zmiennej:

VD 10 I D rV Vd Z 2 m rZ + R

Vdac (t )

rZV2 m sin(t ) 9,9 mV sin(t ) rZ + R V (t ) I dac (t ) = dac rZ

VD (t ) = VDdc + Vdac (t ) 10 V + 9,9 mV sin(t ) I D (t ) = I Ddc + I dac (t ) = 10 mA + Vdac (t ) / rZ

Pojemno zczowa zaporowo spolaryzowanej diody wykorzystana dla przestrajania obwodu rezonansowego

56

Dioda D o pojemnoci 40 pF przy VDdc = -3 V oraz o pojemnoci 15 pF przy VDdc = -30 V wykorzystana zostaa do przestrajania obwodu rezonansowego. Obliczy minimaln i maksymaln czstotliwo rezonansow obwodu, gdy VDD zmienia si w przedziale [0 V; 30 V]. Przyj warto napicia wbudowanego bi = 0,7 V. Pojemno CZ stanowi zwarcie dla skadowej zmiennej.

C j (VDdc )

C j0 VDdc 1 bi
m

w rzeczywistych diodach inne wartoci Nie znamy wartoci Cj0 ani m.

Pojemno zczowa zaporowo spolaryzowanej diody wykorzystana dla przestrajania obwodu rezonansowego
Nie znamy wartoci bi ani m.

57

Napicie wbudowane bi = 0,7 V

w rzeczywistych diodach inne wartoci

C j (VDdc )

C j0 VDdc 1 bi
m

Cj1 = 40 pF przy VDdc1 = -3 V oraz Cj2 = 15 pF przy VDdc2 = -30 V

C (V ) ln j1 Ddc1 C (V ) j2 Ddc 2 m= bi VDdc 2 ln bi VDdc1

VDdc 2 1 C j1 (VDdc1 ) bi = C j 2 (VDdc 2 ) V m Ddc1 1 bi

m 0,46

Cj0 = Cj(VDdc=0) = 86 pF

Pojemno zczowa zaporowo spolaryzowanej diody wykorzystana dla przestrajania obwodu rezonansowego

58

Dioda D o pojemnoci 40 pF przy VDdc = -3 V oraz o pojemnoci 15 pF przy VDdc = -30 V wykorzystana zostaa do przestrajania obwodu rezonansowego. Obliczy minimaln i maksymaln czstotliwo rezonansow obwodu, gdy VDD zmienia si w przedziale [0 V; 30 V]. Przyj warto napicia wbudowanego bi = 0,7 V. Pojemno CZ stanowi zwarcie dla skadowej zmiennej. C j0 C j (VDdc ) m VDdc 1 bi

m 0,46
W schemacie zastpczym dla maego sygnau skadowej zmiennej pojemno CZ stanowi zwarcie a rezystancja R rozwarcie:

Cj0 = Cj(VDdc=0) = 86 pF

VDdc VDD

f min = f max =

1 54 MHz 2 LC j (VDdc = 0) 1 130 MHz 2 LC j (VDdc = 30V)

diody uFalowe

59

1 ID = gD rD nidealVT 1 IF = gF rF nidealVT
Rys: Prof. dr hab. in. M. Polowczyk

Dioda metal-pprzewodnik - dioda Schottkyego

Rnice prac wyjcia elektronw istniej te midzy pprzewodnikami a metalami. Moliwe jest wic wykonanie diody z barier potencjau na granicy metal-pprzewodnik. Taka dioda jest bardzo szybka poniewa nie ma wstrzykiwania i magazynowania nonikw mniejszociowych. Waciwoci czstotliwociowe i przeczajce ogranicza pojemno zczowa i rezystancja szeregowa.

60

Prosta struktura diody metal-pprzewodnik

Dioda metal krzem typu n. Wykres pasmowy.

S.M.Sze, Kwok K.Ng, Physics of Semiconductor Devices, 3 ed, Wiley, 2006

61

Oscylatory Z Diodami TUNNETT Dla Komunikacji W Zakresie Fal Milimetrowych I Dla Elektroniki Terahercowej

TUNNETT_tytul

TUNNETT - transit time oscillator diode with tunneling injection of electrons

62

Czas przelotu elektronw przez diod wraz z przebiciem lawinowym lub tunelowym mog w szczeglnych przypadkach prowadzi do oscylacji w diodzie. Wykorzystywane to jest do konstrukcji mikrofalowych oscylatorw IMPATT i TUNNETT.

p+ n+ tunneling region

n-

n+

reverse bias (positive)

transit time region

structure and electric field profile

TUNNETT invention: Nishizawa 1958 first operation: Nishizawa 1968

TUNNETT_intro

TUNNETT oscillator with waveguide resonant cavity

Bias pin coaxial line Sliding short /4 band-stop filter

63

TUNNETT
Waveguide
Quartz standoff Stem Resonant cavity metal body Assembled TUNNETT diode
AuGe/Ni/Au
n+ GaAs (100) substrate 2 x 1018 cm-3

Waveguide resonator

15 m

diamond heatsink

n-

60-100 nm undoped transit time layer

n+ 14 nm Se doped 5.5 x 1018 cm-3 p+ 100 nm C doped 6.3 x 1019 cm-3 (anode)

Cu stem

Ti/Pt/Au

Assembled TUNNETT diode

Diode chip grown with MLE

waveguide resonant cavities

WR-2.2: 0.559 0.279 mm for band of fcutoff = 268 GHz to 500 GHz WR-1.5: 0.381 0.191 mm for band of fcutoff = 393 GHz to 750 GHz WR-1.2: 0.305 0.152 mm for band of fcutoff = 492 GHz to 900 GHz WR-1.0: 0.254 0.127 mm for band of fcutoff = 590 GHz to 1100 GHz
Au tape

64

Bias pin
coaxial line

TUNNETT
quartz standoff diamond heatsink Au

Sliding short

/4 band-stop filter

TUNNETT
Waveguide
Quartz standoff Resonant cavity metal body

Stem

cavities - flat

TUNNETT oscillators with waveguide resonant cavities waveguide resonators and measurement configurations
High frequency WR-3 : 0.864 0.432 mm for band of fcutoff = 174 GHz to 325 GHz WR-2.2: 0.559 0.279 mm for band of fcutoff = 268 GHz to 500 GHz WR-1.5: 0.381 0.191 mm for band of fcutoff = 393 GHz to 750 GHz WR-1.2: 0.305 0.152 mm for band of fcutoff = 492 GHz to 900 GHz WR-1.0: 0.254 0.127 mm for band of fcutoff = 590 GHz to 1100 GHz f <300 GHz
rectangular metal waveguide resonator E/H tuner spectrum analyzer back short TUNNETT SBD mixer Duty 50% 500 Hz

65

f >300 GHz Fabry Perot Interferometer

Lens
4.2 K Si Bolometer Lock in amplifier

Pulse Generator

TUNNETT

Lens

Stepping motor controller

PC

0.14

RF power [arb. units]

600 - 706 GHz CW, fundamental mode TUNNETT oscillation in metal, rectangular WR-1.0 type cavity (0.254 0.127 mm)

0.12 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0.00 0 0.10 200 400 600

f = 642 GHz P = -68 dBm = 467 m

66

p++ C doped 100 nm 6.3e19 cm-3 anode n+ Se doped 14 nm 5.5e18 cm-3 undoped 75 nm transit time layer

Ibias = 620 mA Vbias = 8.21 V

800 1 000 1 200 1 400 1 600

Fabry-Perot mesh displacement [m] = 425 m RF power [arb. units]

0.08

n+

S.I. (100) GaAs 2e18 substrate

cm-3

f = 706 GHz P = -67 dBm

Au ribbon

0.06

p+

n+

quartz standoff

diamond heatsink

0.04

Cu stem / Ni / Au plated

0.02

Ibias = 600 mA Vbias = 8.20 V

0 200 400 600 800 1 000 1 200 1 400 1 600

0.00
600-706GHz WR 1.0 spectra 131xls

Fabry-Perot mesh displacement [m]

TUNNETT oscillators with waveguide resonant cavities

diodes from the same epitaxial wafer oscillated in different size cavities

67

transit time undoped layer thickness wd = 75 nm

290-393 GHz, in WR-2.2 cavity ( 0.5590.279 mm) 430 - 510 GHz, in WR-1.5 cavity (0.381 0.191 mm) 600 - 706 GHz, in WR-1.0 cavity (0.254 0.127 mm)

No fundamental limitations for THz operation, but wd should be thinner

SRI fundamental-mode TUNNETT oscillators with rectangular metal waveguide resonators

20 10 0 Generated Power [dBm] -10 -20 -30 -40 -50 -60
] m B [ w o p d t a r n e G

68

WR15 WR3 WR3 WR2.2 WR1.5 WR1.2 WR1.0

-70 -80 0 100 200 300 400 500 600 700 800 Frequency [GHz]
All TUNNETs P vs. f

Imaging for medical applications

J. Nishizawa, T. Kurabayashi, P. Plotka, H. Makabe, "Development of TUNNETT Diode as Terahertz Device and Its Applications", in 64th. Device Research Conf. Digest, Pennsylvania St. Univ., University Park, PA, June 26-28, 2006, pp. 195-196 J. Nishizawa, T. Kurabayashi, Y. Miura, T. Sawai, P. Plotka, M. Watanabe, "Development of sub-THz TUNNETT diode for biomedical imaging", Dig. Joint 32nd Int. Conf. on Infrared and Millimetre Waves and 15th Int. Conf. on Terahertz Electronics, IRMMW-THz 2007, Cardiff, UK, 2007

69

Pulse Generator

Pulse Generator
Sample SBD detector Lock-in amplifier

Sample Beam Splitter aperture

TUNNETT

TUNNETT

Lens SBD detector

Lens Conical horn type aperture X-Z stage controller PC

Lock-in amplifier

X-Z stage controller

PC

Imaging with transmitted wave

Imaging with reflected wave

Imaging for biomedical applications compact system with moving probe

PC

70

Lock in amplifier

X-Z stage controller

Concave SBD mirror Sample

SBD Pulse Generator Lens

TUNNETT Beam Splitter Sample

TUNNETT Lens

X-Z scan

Beam Splitter

71 199.3 GHz

Imaging of human liver tissue (embedded by paraffin)

333.4 GHz

containing metastatic cancer

(prepared by Prof. Sawai and Dr. Miura)

10 mm

cancer tissue (necrosis)

499.2GHz normal tissue blood vessel

TUNNETT_liver_cancer

cancer tissue (living)

Imaging for medical applications

human colon tissue containing primary cancer (embedded in paraffin)
Normal intestinal wall Cancer

72

Fat tissue

Cancer

Optical photo

Smooth muscle involved in cancer

HE stained tissue

510 GHz transmission image

Fat tissue

Imaging for medical applications

reflection images obtained with scanned probe

73

lines of the palm

Resolution improved

blood vessels (veins)

95 GHz

135 GHz

135 GHz

Scan area 30 mm x 30 mm Step 0.5 mm

74

Microanalysis of biomaterials

Microanalysis of biomaterials
Reflection images of bovine albumin dried on nitro-cellulose membranes

75

10-l drop of bovine albumin diluted with phosphate buffered saline concentration dependence

1.0E-03

D ev. Reflection Intensity from PBS (V)

Incident wave aperture

Reflected wave

TUNNETT - 200 GHz

1.0E-04

aperture 2 mm

1.0E-05

aperture 1 mm

1 ppm
1.0E-06

membrane

albumin

10l 1ppm150 femto-mol (11011 molecules)

(Molecular weight of BSA 69,000)

1.0E-07 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01

BSA Albumin, Bovine (Sigma A-7030) PBS: phosphate buffered saline

Concentration (BSA/PBS) (%)

Detection limit is much smaller than pico-mole level. This method can be used to detect levels of dissolved substances in water, blood, saliva, urine, etc.

Microanalysis of biomaterials detection of sugar level Reflection from aqueous solution of glucose
glucose solution in bovine serum or in deionized water film
sample holder aperture SBD detector

76

test tube 15cc

100

Deviation of reflection from zero concentration [%]

TUNNETT - 200 GHz Aperture 2.0 mm

10

1
Normal sugar level in human blood 70-160 mg/dl

Si wafer 400-600 cm Lens

TUNNETT Pulse Generator

Lock in amplifier

PC

0.1 10 100 1000 10000 100000

Concentration of glucose [mg/dl]

Microanalysis of biomaterials detection of sugar level

200mg/dl 100mg/dl

77

Reflection images of glucose - dried drops of various concentrations on membrane membrane method
Glucose solution

10 l of glucose
DI water solution dropped on

membrane filter and dried. Conical horn aperture - 2.0mm.

150mg/dl

50mg/dl

Membrane filter (nitro-cellulose) 200

GHz ref. image

Reflectance 4.38%

DI water Glucose solution

Reflectance 4.43% 4.26%

200 GHz reflection images

1000mg/dl

500mg/dl

150mg/dl

100mg/dl

50mg/dl

High sensitivity method

Microanalysis of biomaterials detection of sugar level

Refrection Intensity at 190 GHz
2.5E-05

78

Reflection images of glucose - dried drops of various concentrations on membrane

Deviation of Intensity (V)

2.0E-05

Membrane method
Normal sugar level in human blood 70-160mg/dl

1.5E-05

1.0E-05

TUNNETT 200 GHz Aperture 2.0 mm

5.0E-06

10l 100mg/dl 50 picomol

0.0E+00 0 200 400 600 800 1000 1200

Glucose Conc. (mg/dl)

Method sensitive in a wide range of concentration, covering the normal sugar level in human blood.

79

Dzikuj za uwag!