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Electrnica de dispositivos

Dr. C. Reig 05/06

Tema 1: Electrones, energa, tomos y slidos


K. Kano: cap. 1 y cap. 2 El modelo de Bohr Mecnica cuntica. Dualidad onda corpsculo. Ecuacin de Schrdinger en un tomo hidrogenoide. Nmeros cunticos Formacin de la estructura de bandas de energa en un slido Modelo de enlace covalente Metales, aislantes y semiconductores Materiales usados en electrnica. Cristales. Crecimiento de cristales

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tomos
El tomo
Hay dos razones para empezar con el tomo: Es el principal constituyente de la materia Su descripcin cualitativa es similar a la de un slido

Modelo cuantizado de Bhr:


Introduce en la descripcin atmica el concepto de energa cuantizada Postulados: Los electrones giran alrededor del ncleo en ciertas rbitas circulares definidas, asociadas a niveles de energa. En estas rbitas, estacionarias, los electrones no intercambian energa La transferencia de un electrn de una rbita a otra, con distinta energa, requiere absorcin o emisin de energa

E2 E1 = h

Las nicas rbitas posibles son aquellas en el momento angular electrnico est cuantizado

q 4m mvrn = nh / 2 En = 2 2 2 8n h 0
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Un poco de mecnica cuntica


Dualidad onda corpsculo
Se realizaron experimentos que probaban comportamientos ondulatorios en los electrones. Las relaciones entre las propiedades mecnicas (partcula) y ondulatorias son:

E = h

p = mv = h

Ecuacin de Schrdinger
Recoge todos los conceptos cunticos para la descripcin del tomo de hidrgeno

8 2m + (E V ) = 0 2 h
2

Postulados: Cada estado est determinado por su y por sus nmeros cunticos: n, l, m, s La probabilidad de encontrar un electrn en una posicin est determinada por Principio de exclusin (Pauli): Dos electrones no pueden compartir un mismo estado. Principio de incertidumbre (Heisenberg): es imposible conocer la situacin exacta de un electrn

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Nmeros cunticos
Resolucin de la ecuacin de Schrdinger
h2 Zq 2 2 2 = E 8 m 4 0 r
(r , , ) = R (r )H ( )I ( )
nmeros cunticos ( configuracin electrnica):
Capa K L n>0 n 1 2 0l n-1 l 0 0 1 1 1 -l ml m 0 0 0 -1 +1 s= s niveles 1s 2s 2p 3s 3p 3d N mx. 2 2 6 2 6 10

Solucin: funcin de onda:

Para el caso del Si: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2


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Formacin de las bandas de energa en los slidos


Las interacciones entre electrones y el principio de exclusin de Pauli provocan un desdoblamiento de los niveles energticos: N tomos N niveles

Los niveles 3s (2N estados/2N e-) y 3p (6N estados/2N e-) se transforman en dos bandas continuas con 4N estados cada una. La banda superior se llama banda de conduccin La banda inferior se llama banda de valencia Se forma una banda prohibida o gap entre las dos anteriores La anchura del gap depende del parmetro de red, de la temperatura, ... A la temperatura de cero absoluto (0K), los e- ocupan los niveles inferiores
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Modelo de enlace covalente


Es una representacin bidimensional de la estructura slida. Complementa el diagrama de bandas de energa Las lneas representan electrones y los crculos representan los nucleos (y los electrones interiores) En el caso del Si (IV), es un enlace covalente, formado por comparticin de los 4 electrones exteriores, el que da cohesin a la estructura A 0K, los electrones de valencia permanecen unidos a sus ncleos, y ocupan los niveles ms bajos en el diagrama de bandas de energa A 300K (temperatura ambiente), muchos de los electrones pasan de la parte superior de la banda de valencia a la parte inferior de la banda de conduccin, y se transforman en electrones quasi libres. Se crea as un par electrn-hueco Estos electrones quasi libres se comportan como electrones libres con masa efectiva m*. A temperatura ambiente, un semiconductor tiene unos 1010cm-3 electrones libres. Un metal tiene unos 1020cm-3.
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Modelo de enlace covalente del silicio

Eg= Ec - Ev

Diagrama de energa simplificado del silicio

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Metales, aislantes y semiconductores


La anchura de la banda prohibida determina las caractersticas de conduccin de los materiales aislantes: semiconductores: metales: Eg>4eV : >108cm 4eV>Eg>0 eV ; 108cm>>10-3cm 0eV>Eg ; 10-3cm>

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Slidos cristalinos
Ejemplo: clula solar
amorfo policristalino cristalino

metal semiconductor aislante Muchos semiconductores son cristalinos por naturaleza La unidad bsica de un cristal se llama celda unidad, que se repite espacialmente Los tomos de silicio y de germanio se disponen formando una red de diamante Los ndices de Miller describen la orientacin de un cristal

Celda unidad de la estructura de diamante del silicio

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Crecimiento de cristales
Es el proceso de obtencin de material cristalino a partir de su fase amorfa o policristalina El material de partida se somete a tratamientos previos de purificacin Se lleva a cabo en hornos especiales El crecimiento puede ser en volumen o epitaxial. Existen varias tcnicas. Para el silicio se suele usar el mtodo Czochrlaski. Se trata de un mtodo de crecimiento a partir del fundido Los lingotes, con una orientacin cristalina determinada, se cortan en obleas (wafers)

Sistema de crecimiento de Czochralski crecimiento cristalino de un lingote de silicio

wafers de silicio lingotes de silicio

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Ejemplos numricos
Cuntos tomos de silicio hay en un Pentium IV? El volumen de un Pentium IV es aproximadamente 14140.5 mm3 100 mm3 = 0.1 cm3 Como: (Si)= 2.33 g/cm3 m= V = 0.233 g Mr(Si)=28, con lo que: N= NAm/Mr 51021 tomos Recordemos que un Pentium IV tiene unos 40 millones de transistores De qu color es un cristal con un gap de 2.6eV? y de 1.12eV?

E = h = h

h c (6.6 10 34 ) (3 10 8 ) 1.24 10 6 = = (1.6 10 19 ) E [eV ] = E [eV ] E

1.24 m E [eV ]

(E = 2.6 eV ) = 0.477 m = 477 nm (azul) (E = 1.12 eV ) = 1.11m = 1110 nm (negro)


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Hoja de datos
Constantes importantes
Masa efectiva Ge mn* 0.55 m0 mp* 0.37 m0 Si 1.1 m0 0.56 m0 GaAs 0.067 m0 0.48 m0

1.1

h= 6.610-34 Js e= 1.610-19 C me= 9.110-31 kg NA= 6.023 10-23 0= 8.8 10-12 F/m 0= 410-7 N/A2 r(Si)= 11.8 r(SiO2)= 3.9 (Si)= 2.33 g/cm3 Tf(Si)= 1440C (SiO2)= 2.53 g/cm3 Tf(SiO2)= 1710C 1 eV = 1.610-19 J k= 1.38 10-23 J/K = 8.6210-5 eV/K

Dependencia del gap con la temperatura

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Tema 2: Semiconductores intrnsecos y extrnsecos


Cap. 3: K. Kano

Introduccin Densidad de Estados (DeE) Funcin de distribucin de Fermi-Dirac Densidad de portadores (en semiconductores intrnsecos) Semiconductores extrnsecos: tipo p y tipo n Concepto de equilibrio trmico Densidad de portadores en semiconductores extrnsecos Nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos Cmo obtener un semiconductor dopado?

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