TRANSISTORES Y APLICACIONES G. D. Fernndez, M. Ordoez. Laboratorio de Electrnica, Depto. de Fsica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, U.B.A.

Resumen: se estudi y caracteriz un transistor bipolar de tipo NPN modelo BC548 B. Se determin que su ganancia de corriente es = 215.2 0.5 y se obtuvo su curva caracterstica de salida, para tres valores distintos de corriente de base. Se analizaron tambin algunas de sus aplicaciones en diversos circuitos. 1. INTRODUCCION El trmino transistor es la contraccin de transfer resistor, es decir, de resistencia de transferencia. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que se utiliza tanto como amplificador como conmutador electrnico (llave electrnica). Es un componente de es ampliamente utilizado, formando parte de conmutadores electrnicos, puertas lgicas, memorias de ordenadores y otros dispositivos. En el caso de circuitos analgicos, los transistores son utilizados como amplificadores, osciladores y generadores de ondas. Existen distintos tipos de transistores, para los cuales la clasificacin ms aceptada consiste en dividirlos en transistores bipolares o BJT (bipolar junction transistor) y transistores de efecto de campo o FET (field effect transistor). La familia de los transistores de efecto de campo es a su vez bastante amplia, englobando los JFET, MOSFET, MISFET, etc. La diferencia bsica entre ambos tipos de transistor radica en la forma en que se controla el flujo de corriente. En los transistores bipolares, que poseen una baja impedancia de entrada, el control se ejerce inyectando una baja corriente (corriente de base), mientras que en el caso de los transistores de efecto de campo, que poseen una alta impedancia, es mediante voltaje (tensin de puerta). Un transistor de juntura bipolar est formado por dos junturas PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta forma quedan formadas tres regiones:

Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose como un metal. Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector: de extensin mucho mayor.

En su funcionamiento normal, la juntura base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, en la que, por ser muy angosta, hay poca recombinacin de portadores y la mayora pasa al colector, de manera que, en una primera aproximacin, se puede suponer que la corriente de colector es igual a la corriente de emisor. En situaciones en las que no se pueda despreciar la corriente de base, la relacin entre ellas viene dada por la siguiente

IC = I B + I E

ec. 1.1

donde IC es la corriente de colector, I B es la corriente de base y I E es la corriente de emisor. Por otro lado, los transistores presentan la propiedad de que la corriente de colector es proporcional a la corriente de base, y la constante de proporcionalidad se denomina factor de ganancia de corriente. Esta relacin se expresa: IC = I B ec. 1.2

y pone de manifiesto que cuando el factor de amplificacin de corriente es pequeo (del orden de la unidad) la corriente de base es del orden de la corriente de colector y por lo tanto, la ec. 1.1 es la relacin correcta entre las corrientes que pasan por el transistor. La de un transistor, que es el grfico de la corriente en el colector Ic en funcin de la cada de potencial entre el colector y el emisor Vce, presenta en la que una pequea variacin de Vce tres regiones: la primera es la regin de genera variaciones grandes en la corriente de colector; la segunda regin caracterstica es la activa, en la que la corriente de colector se mantiene constante mientras la cada de tensin entre colector y emisor varia en un cierto rango y la regin de ruptura, en la que el transistor no funciona correctamente o se destruye y que se encuentra para valores de Vce superiores a la tensin umbral de la regin activa. Otra curva importante para la descripcin de circuitos que involucren transistores es la recta de carga, sobre la que se encuentran todos y cada uno de los posibles puntos de trabajo del transistor, entendindose como tales, los puntos (Vce,Ic). En el presente trabajo, se construyeron diferentes circuitos electrnicos, con los que se determinaron la curva caracterstica de salida, la recta de carga y el factor de amplificacin de corriente de un transistor bipolar de tipo NPN modelo BC548 B. 2. DESARROLLO EXPERIMENTAL El instrumental utilizado para realizar el trabajo est detallado a continuacin:
Generador de funciones Kenwood modelo FG-272 Transistor BC548B Fuente de corriente continua de 5,19 V Resistencias Adquisicin de datos: MPLI Program for Windows 6/18/96 version. Para la caracterizacin de la recta de carga y la ganancia de corriente en funcin de la corriente de base I B del transistor BC548B, se utiliz como dispositivo experimental el circuito que se describe en la Figura 2.1.

Figura 2.1 Circuito utilizado El potencial entregado por el generador de funciones se observa en la Figura 2.2. Los potenciales de los canales A, B y C se registraron con el MPLI.

Figura 2.2 Tensin del generador en funcin del tiempo Para obtener la recta de carga se grafica la corriente del colector en funcin de la diferencia de potencial entre el colector y el emisor (ver Figura 2.3). Este ltimo es directamente la tensin del canal B, mientras que la corriente del colector se obtiene realizando el cociente entre la diferencia de las tensiones de los canales B y C; y la resistencia (330).

Figura 2.3 Recta de carga Esta recta muestra todos los puntos de operacin posibles del transistor para un circuito como el que se esquematiza en la Figura 2.4, cada uno de los puntos de operacin corresponde a una corriente de base diferente.

Figura 2.4- La recta de carga del transistor de este circuito es la Figura 2.3 Para la caracterizacin de la ganancia del transistor, se analiza la corriente del colector en funcin de la corriente de base. Con el fin de medir esta mag circuito de la Figura 2.1 para registrar la cada de potencial entre la base y el emisor como se muestra en la Figura 2.5.

Figura 2.5 Modificacin del circuito de la Figura 2.1. En la cada de potencial entre la base y el emisor, registrada por el MPLI mediante el canal A, existe una pequea fluctuacin de forma sinusoidal, provocada en parte por la resistencia interna del transistor. Despreciamos esta fluctuacin tomando el promedio de los datos registrados, obteniendo que la cada de potencial es de 0,757 V. Entonces, la corriente de base se determina realizando el cociente entre la diferencia de la tensin del generador y la cada de potencial entre la base y el emisor; y la resistencia de Se grafic la corriente del colector en funcin de la corriente de base (ver Figura 2.6), donde se puede observar claramente la zona de saturacin del transistor.

Figura 2.6 Corriente del colector en funcin de la corriente de base La ganancia del transistor se mantiene constante hasta que entra en la zona de saturacin, donde decae bruscamente. Para determinarla, se realiza una aproximacin lineal en la zona activa, es decir, donde la ganancia permanece constante (ver Figura 2.7) 5

Figura 2.7- La corriente del colector en funcin de la corriente de base en la zona activa y aproximacin lineal de los datos. Como resultado se obtuvo que la ganancia del transistor es: = 215,2 0,5 Para obtener la curva de salida del transistor, se utiliz el circuito que se describe en la Figura 2.8.

Figura 2.8 Circuito utilizado para la obtencin de la curva de salida El potencial entregado por el generador de funciones se observa en la Figura 2.9, los potenciales de los canales A, B y C se registran con el MPLI. Como la curva depende de la corriente de base, se repite la experiencia para diferentes resistencias de base (RB). 6

Figura 2.9 Tensin del generador en funcin del tiempo La corriente del colector se obtiene al realizar el cociente entre la diferencia entre los canales A y B (cada de potencial de la resistencia) y la resistencia del colector (330 ), mientras que la diferencia de potencial entre el colector y el emisor se obtiene directamente del canal A. Graficando estas magnitudes se obtienen las curvas de salida (Figura 2.10)

Figura 2.10 Curvas de salida para diferentes corrientes de base En todas las curvas se observa la zona de saturacin, fuera de esta zona se obtienen rectas con pendientes muy bajas. Cuando la corriente de base es nula (RB = ) la

corriente del colector es del orden de los A; este fenmeno est asociado a las corrientes de fuga. Luego se estudi el uso del transistor como llave mediante el circuito que se muestra en la Figura 2.11

Figura 2.11 Circuito utilizado para el estudio del transistor como llave. Se midi con un ampermetro la intensidad de corriente que circula por la resistencia y por la lmpara en los dos estados posibles de la llave. Con la llave abierta, se obtuvo que la corriente de base y la corriente del colector (que circula por la lmpara) es nula; al cerrar la llave, se registr una corriente de base de 113 mA, mientras que la corriente del colector es de 278 mA. Esta ltima es la corriente de saturacin, que es la necesaria para encender la lmpara. Este tipo de circuito es muy til, para alimentar bajas impedancias, mediante el manejo de una fuente de muy baja potencia, como puede ser una PC. Se caracteriz el circuito de la Figura 2.12 denominado seguidor por emisor.

Figura 2.12 seguidor por emisor La seal de entrada y de salida del circuito se registraron con el MPLI mediante los canales A y B respectivamente. Los datos registrados se observan en la Figura 2.13.

Figura 2.13 Seal de entrada (Canal A) y seal de salida (Canal B) del circuito seguidor por emisor (Figura 2.12) Se observa que la seal de salida sigue a la de entrada pero sta se ve recortada; sto se debe a que si la seal de entrada es menor de 0,7 V no se puede vencer la barrera de potencial entre la base y el emisor, de manera que no se produce circulacin de corriente Con el objeto de que esta juntura est polarizada permanentemente, se modifica el circuito de la Figura 2.12 como se muestra en la Figura 2.14 y se repite el procedimiento

Figura 2.14 Seguidor por emisor con polarizacin permanente Los datos registrados se observan en la Figura 2.15

Figura 2.15 Seal de entrada (Canal A) y seal de salida (Canal B) del circuito seguidor por emisor modificado (Figura 2.14) En este circuito la seal de salida sigue perfectamente a la seal de entrada, superando el inconveniente de la polarizacin de la juntura base-emisor. Tambin es fcil ver que con una correcta eleccin de las resistencias la seal de entrada se puede amplificar. Se construy el circuito de la Figura 2.16 para medir la impedancia de entrada del seguidor por emisor.

Figura 2.16 Circuito utilizado para medir la impedancia de entrada del seguidor por emisor. Los datos se registraron con el MPLI mediante los canales A y B. Para el clculo de impedancia se grafic el voltaje de entrada (canal A) en funcin de la intensidad de corriente de entrada (cociente entre la diferencia del canal B y A, y la resistencia) y se realiz una aproximacin lineal, se obtuvo que la impedancia de entrada es de 900 k. 10

Si bien el orden de magnitud de la impedancia es correcto, al hacer la diferencia entre el canal B y A obtenemos un gran error puesto que los potenciales de los canales A y B son similares. Para obtener una medicin, ms confiable se utiliz el circuito esquematizado en la Figura 2.17.

Figura 2.17 Circuito utilizado para medir la impedancia de entrada del transistor estudiado. Se obtuvo que la intensidad de la corriente de base es de 6,1 0,1 A, y por lo tanto, la impedancia de entrada es: Z in = (837 1,6)k Al presentar una impedancia de entrada considerable, el circuito no requiere mucha potencia de la fuente de entrada. Para medir la impedancia de salida, se utiliz el circuito de la Figura 2.18 .

Figura 2.18 Circuito utilizado para la medicin de la impedancia de salida del seguidor por emisor. Con el canal C se midi la tensin de salida a circuito abierto, luego la salida del seguidor por emisor y se conect un capacitor de 4,7 F para filtrar la corriente continua y

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una resistencia de carga de 560 . Mediante el canal C se midi la cada de potencial en esta ltima. Se grafic la diferencia entre la tensin de salida a circuito abierto y la cada de potencial en la resistencia de carga en funcin de la intensidad de corriente que circula por la resistencia de carga y realizando una aproximacin lineal se obtiene la impedancia de salida (ver Figura 2.19).

Figura 2.19 Diferencia entre el potencial de salida y la cada de potencial en la resistencia de carga en funcin de la corriente sobre la resistencia de carga. El valor de la impedancia de salida que se obtuvo es: Z out = 19,09 0,02 Se analiz un seguidor de seal con una nica fuente, el circuito utilizado se esquematiza en la Figura 2.20. Con el MPLI se registro la seal de entrada y de salida del circuito mediante los canales B y A respectivamente.

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Figura 2.20 Circuito seguidor un fuente nica. En el grfico que se muestra en la Figura 2.21 se observa que el circuito es un seguidor, es decir, que se obtiene la seal de entrada a la salida.

Figura 2.20 Seal de entrada (Canal B) y seal de salida (Canal A) en funcin del tiempo. Variando la amplitud de la seal de entrada se observa una gran e recortar simtricamente la seal de salida. Por ltimo se estudi el circuito amplificador con emisor que se esquematiza en la Figura 2.21

Figura 2.21 Amplificador con emisor comn

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La seal de entrada y la seal de salida se registraron con el MPLI mediante los canales A y B respectivamente. Luego graficamos los datos obtenidos (Ver Figura 2.22)

Figura 2.22 Seal de entrada (Canal A) y seal de salida (Canal B) en funcin del tiempo. Si se analiza el circuito, tenemos que el potencial del emisor vara como la seal de entrada y la corriente del colector es aproximadamente igual a la del emisor. Cuando la seal de entrada aumenta, tambin lo hace el potencial del emisor, por lo que aumenta la corriente del colector provocando, una mayor cada de potencial en la resistencia de 5,6 k, lo que reduce el potencial en el colector y es justamente lo que observamos en los resultados. Adems de la amplificacin en un factor 10, la seal se invierte. 3. CONCLUSIONES Se determin que el factor de amplificacin de corriente del transistor NPN estudiado es = 215.2 0.5, que se encuentra dentro de los valores esperados (los cuales oscilan entre 90 y 300 para el tipo de transistor estudiado). Tambin se encontr la curva caracterstica del transistor para tres corrientes de base distintas y en todas las curvas se pueden apreciar las zonas de saturacin y activa. No se puede apreciar la zona de ruptura, ya que no fue el objeto de este trabajo destruir el transistor, pero lo que se puede decir al respecto es que la tensin umbral de ruptura ente colector y emisor Vce es superior a los 3.5 V, como se puede ver en la figura 2.10. Por otro lado, es interesante notar que existe una corriente de fuga cuando el transistor se encuentra en el punto de corte, del orden de los A, como se puede observar en la curva de salida para una resistencia de base infinita en la figura 2.10. Se analiz el uso del transistor como una llave, utilizando la zona de saturacin, lo que permite con una baja corriente de base (que acta como seal de control) alimentar un 14

componente de alto consumo, por el que se hace circular una corriente mucho mayor que la de control. Luego se comprob que el seguidor por emisor tiene una impedancia de entrada muy alta, lo que es beneficioso, por no necesitar una fuente de entrada de gran potencia, adems posee una impedancia de salida baja, lo cul es favorable, por disipar la mayor parte de la potencia en la carga. Tambin se analiz el amplificador con emisor comn, obteniendo la seal invertida con una amplificacin de factor 10.

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